CN1705226A - 薄膜体音响谐振器及薄膜体音响谐振器的制造方法 - Google Patents
薄膜体音响谐振器及薄膜体音响谐振器的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1705226A CN1705226A CNA2005100747646A CN200510074764A CN1705226A CN 1705226 A CN1705226 A CN 1705226A CN A2005100747646 A CNA2005100747646 A CN A2005100747646A CN 200510074764 A CN200510074764 A CN 200510074764A CN 1705226 A CN1705226 A CN 1705226A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- piezoelectric body
- layer
- body layer
- acoustic resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 93
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BTYUGHWCEFRRRF-UHFFFAOYSA-N [As].[K] Chemical compound [As].[K] BTYUGHWCEFRRRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010200 validation analysis Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02157—Dimensional parameters, e.g. ratio between two dimension parameters, length, width or thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/173—Air-gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/021—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the air-gap type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
一种薄膜体音响谐振器，其目的在于降低横振荡型引起的杂散信号。薄膜体音响谐振器由第一电极(12)、与该第一电极(12)的上面邻接形成的压电体层(13)、与该压电体层(13)的上面邻接形成的第二电极(14)的层积体构成，使该第一及第二电极(12)及(14)具有与空气接触的分界面，其中，该压电体层(13)的整个端面存在于该第一电极(12)及该第二电极(14)的内侧。
Description
技术领域
本发明涉及适用于在通信设备中使用的小型高频滤波器的薄膜体音响谐振器及薄膜体音响谐振器的制造方法。
背景技术
近年来，随着手机和PDA(Personal digital assistant：面向个人的携带信息通信)设备等的通信设备的高功能化、高速化，内装的数100MHz～数GHz动作的高频滤波器空前地增加，并要求小型化、低成本化。满足该要求的高频滤波器的有力候补是使用有可由半导体制造技术形成的薄膜体音响谐振器的滤波器。
作为代表该薄膜体音响谐振器的现有例，图11及图12表示记载于非专利文献1中的被称为空气桥接型的谐振器。图11是该空气桥接型薄膜体音响谐振器的一例的平面图，图12是图11的A-A线剖面图。
如图11及图12所示，该现有的空气桥接型薄膜体音响谐振器，在由高电阻硅或高电阻砷化钾构成的衬底1上通过构成空气桥接的空气层2设置厚度0.01～0.5μm的圆形下部电极3。
在该下部电极3上设置厚度1～2μm程度的圆形压电体层4，在该压电体层4上设置厚度0.1～0.5μm的圆形下部电极5。
该下部电极3、压电体层4及上部电极5使用在半导体制造技术中周知的喷射沉淀技术(スパツタ堆積技術)和以抗蚀剂为掩模的各种蚀刻技术顺序形成。
下部电极3及上部电极5例如使用钼或铂，压电体层4例如使用氮化铝或氧化锌。
以该上部电极5和下部电极3介由压电体层4重合的区域(即作为音响谐振器动作的区域)的正下方的空气层2的厚度为0.5～3μm，该下部电极3也与上部电极5相同，具有与空气接触的分界面。
通过图11、图12所示的敷金属夹层孔6蚀刻除去氧化硅膜、PSG(phosphoms silicate glass：掺杂磷的氧化膜)膜、BPSG(boron phosphorussilicate glass：加入有硼和磷的硅酸盐玻璃)膜、SOG膜等，形成上述空气层2。
在图11中，标号3a是与下部电极3连接的信号配线，标号5a是与上部电极5连接的信号配线。
其次，说明图11及图12所示的薄膜体音响谐振器的动作。
当在该上部电极5和下部电极3之间施加电压而产生电场时，压电体层4将电能的一部分向弹性波(下记为声波)这种形式的机械能转换。
将该机械能向上部电极5及下部电极3的电极面的垂直方向即压电体层4的膜厚方向传送，再次转换为电能。在该电能-机械能的转换过程中，存在效率优良的特定的频率，在施加具有该频率的交流电压时，该薄膜体音响谐振器显示极低的阻抗。
该特定频率通常称为谐振频率γ，设该值γ为一次近似，不考虑上部电极5和下部电极3的存在时，γ＝V/2t。在此，V是压电体层4中的声波速度，t是压电体层4的厚度。设声波的波长为λ时，由于V＝γλ的关系成立，故t＝λ/2。
这意味着，压电体层4中感应的声波在压电体层4和上部电极5及下部电极3的分界面上下反复反射，正好形成对应其半波长的驻波。
换句话说，在形成半波长的驻波的声波的频率与外部施加的交流电压的频率一致时，形成谐振频率。
在上述非专利文献1中介绍有如下结构的带通滤波器，在上述谐振频率中，为了将该薄膜体音响谐振器的阻抗减小得极低而进行利用，将多个薄膜体音响谐振器组成梯形，仅使希望的频率带的电信号低损失地通过。
如图13(与图11、图12实质上相同的结构)所示，该薄膜体音响谐振器，如上所述利用在与电极面垂直的方向上直立的振荡型(下称主振荡型)的声波7，但也感应在与该电极面并行方向上传输的振荡型(下称横振荡型)的声波8。
该横振荡型的声波8在上部电极5一端的压电体层4中的垂直面9和压电体层4的端面等音响阻抗变大的分界面反复反射，形成驻波，此时，该薄膜体音响谐振器或使用该薄膜音响谐振器的滤波器的谐振特性和质量系数大幅劣化。
具体地说，横振荡型的声波8与主振荡型的声波7相比，由于传输距离长，故横振荡型的声波8的频率比主振荡型的声波的频率即谐振频率γ相当低，但存在横振荡型的声波8的高频成分具有该谐振频率γ附近的频率的情况，在该薄膜体音响谐振器的谐振特性上产生称为杂散信号的噪音。另外，在构成带通滤波器时，在通过频率带域产生波动，引起不需要的大的插入损失。
目前以改善该横振荡型引起的杂散信号为目的，如图14所示，提案有在上部电极5的外侧使压电体层4的端面形成不垂直的形状的改进方案(参照专利文献1)。在该压电体层4的端面为不垂直的形状时，通过使到达该端面的横振荡型的声波8分散，使横振荡型的驻波不容易产生。
专利文献1：特表2003-505906号公报
非专利文献1：K.M.Lakin“Thin film resonator and filters”Proceedings ofthe 1999 IEEE Ultrasonics Symposium，Vol.2，pp895-906，17-20 Oct.1999.
该专利文献1的记载中，使到达压电体层4的端面的横振荡型的声波8分散，但如图14所示，横振荡型的声波8反射的大部分不在压电体层4的端面，而在垂直于上部电极5一端的面9上产生，因此，压电体层4的该上部电极5的外侧形成不垂直的形状，由此，横振荡型引起的杂散信号的效果小。
发明内容
本发明是鉴于上述问题点而开发的，其主要目的是在于，降低横振荡型引起的杂散信号。
本发明提供一种薄膜体音响谐振器，其由第一电极、与该第一电极上面邻接形成的压电体层以及与该压电体层的上面邻接形成的第二电极的层积体构成，使该第一及第二电极具有与空气接触的分界面，其中，该压电体层的端面的至少一部分存在于该第一电极或第二电极内侧。
本发明提供一种薄膜体音响谐振器的制造方法，在衬底上形成作为空气层的台阶，在该台阶上形成第一牺牲层，然后，在该第一牺牲层及该衬底上跨过该第一牺牲层形成规定形状的下部电极，然后，下部形状的至少一部分位于该下部电极内侧，端部形成锥状的压电体层，然后，在该压电体层的端面外周形成规定形状的第二牺牲层，然后，在该压电体层及该第二牺牲层上形成该压电体层的上部形状的至少一部分成为内侧的形状的上部电极，然后，除去该第一及第二牺牲层。
另外，本发明提供一种薄膜体音响谐振器，其由第一电极、与该第一电极上面邻接形成的压电体层以及与该压电体层的上面邻接形成的第二电极的层积体构成，使该第一及第二电极具有与空气接触的分界面，其中，该压电体层的整个端面存在于该第一电极及第二电极内侧。
本发明提供一种薄膜体音响谐振器的制造方法，在衬底上形成作为空气层的台阶，在该台阶上形成第一牺牲层，然后，在该第一牺牲层及该衬底上跨过该第一牺牲层形成规定形状的下部电极，然后，整个下部形状位于下部电极的内侧，端部形成锥状的压电体层，然后，在该压电体层的端面外周形成规定形状的第二牺牲层，然后，在该压电体层及该第二牺牲层上形成该压电体层的整个上部形状成为内侧的形状的上部电极，然后，除去该第一及第二牺牲层。
根据本发明，与上部电极及下部电极比，使压电体层的端面构成内侧，消除对应上部电极及下部电极端部的压电体层，消除该部分造成的横振荡型的声波的反射，同时，使压电体层的端面形成不是垂直的例如锥状，因此，横振荡型的声波仅在该压电体层的端面反射，可分散该声波，能够降低横振荡型引起的杂散信号。
附图说明
图1是表示用于实施本发明薄膜体音响谐振器的最佳实施例的图2的I-I线剖面图；
图2是图1的平面图；
图3是在本实施例的模拟时使用的本实施例薄膜体音响谐振器的剖面图；
图4是用于说明本发明的制造方法的例子的剖面图；
图5是用于说明本发明的制造方法的例子的剖面图；
图6是用于说明本发明的制造方法的例子的剖面图；
图7是用于说明本发明的制造方法的例子的剖面图；
图8是用于说明本发明的制造方法的例子的剖面图；
图9是用于说明本发明的制造方法的例子的剖面图；
图10是用于说明本发明的制造方法的例子的剖面图；
图11是现有的薄膜体音响谐振器的例子的平面图；
图12是图11的A-A线剖面图；
图13是用于说明现有例的剖面图；
图14是用于说明现有例的剖面图；
图15是用于说明本实施例的曲线图；
图16是用于说明现有例的曲线图。
具体实施方式
下面，参照图1～图10说明用于实施本发明薄膜体音响谐振器及其制造方法的最佳实施例。
本实施例的薄膜体音响谐振器如图1～图3所示，图2是平面图，图1是图2的I-I线剖面图。图1、图2所示的本实施例的薄膜体音响谐振器由在衬底10上通过空气层11形成的下部电极12、与该下部电极12的上面相邻形成的压电体层13、与压电体层13的上面相邻形成的上部电极14的层积体构成，使该下部电极12及上部电极14具有与空气接触的分界面，其中，该压电体层13的整个端面存在于该下部电极12及上部电极14的内侧。图2中，标号12a是与下部电极12连接的信号配线，标号14a是与上部电极14连接的信号配线。
其次，参照图4～图10说明该图1～图3所示的薄膜体音响谐振器的制造方法的例子。
首先，如图4所示，在由高电阻硅或高电阻砷化钾构成的衬底10上形成之后成为空气层11的规定大小的四边形的孔(台阶)11a。该孔(台阶)11a的深度为0.5～3μm程度。
其次，在该孔(台阶)11a中形成大于或等于该孔(台阶)11a的深度的牺牲层20。以氧化硅膜、PSG膜、BPSG膜、SOG膜等作为该牺牲层20。在成形该牺牲层20后，如图5所示，利用CMP(chemical mechanical polishing：化学机械研磨)等进行蚀刻，使其平滑。
然后，利用半导体制造技术中公知的喷射沉淀技术，同时使用以抗蚀剂为掩模的各种蚀刻技术，如图6所示，在牺牲层20及衬底10上跨过该牺牲层20形成规定形状例如四边形的规定大小的下部电极12。该下部电极12使用钼、铂等，其厚度为0.1～0.5μm程度。
接着，使用喷射沉淀技术形成膜厚1～2μm程度的压电体层。该压电体层使用例如氮化铝和氧化锌。然后，如图7所示，利用显影液的蚀刻，形成端面约50°的锥状压电体层13。
此时，该压电体层13的整个下部形状构成该下部电极12的内侧。
其次，在该压电体层13的外周，在该下部电极12及衬底10上从衬底10的上面形成比下部电极12与压电体层13的厚度之和还厚的牺牲层21。该牺牲层21使用氧化硅膜、PSG膜、BPSG膜、SOG膜等。
在成形牺牲层21后，如图8所示，利用CMP等将其上面蚀刻平滑。然后，如图9所示，将该牺牲层21加工成规定形状。
之后，使用喷射沉淀技术，在该压电体层13及牺牲层21上形成上部电极14。此时，使上部电极14构成该压电体层13的整个上部形状为该上部电极14内侧的形状(参照图10)。该上部电极14使用钼、铂等，其厚度为0.1～0.5μm。
然后，通过HF蚀刻除去牺牲层20及21，得到图1所示的薄膜体音响谐振器。
下面说明该图1～图3所示的薄膜体音响谐振器的动作。
在上部电极14和下部电极12之间施加电压而产生电场时，压电体层13使电能的一部分向弹性波(下记为声波)这种形式的机械能转变。
将该机械能向上部电极14及下部电极12的电极面的垂直方向即压电体层13的膜厚方向传送，再次转变为电能。在该电能-机械能的转换过程中，存在效率优良的特定频率，在施加具有该频率的交流电压时，该薄膜体音响谐振器显示极低的阻抗。
该特定频率通常称为谐振频率γ，设该值γ为一次近似，不考虑上部电极14和下部电极12的存在时，γ＝V/2t。在此，V是压电体层13中的声波速度，t是压电体层13的厚度。当声波的波长为λ时，由于V＝γλ的关系成立，故t＝λ/2。
这意味着，压电体层13中感应的声波在压电体层13和上部电极14及下部电极12的分界面上下反复反射，正好形成对应其半波长的驻波。
换句话说，在形成半波长的驻波的声波的频率与外部施加的交流电压的频率一致时，形成谐振频率。
另外，根据本实施例，如图1～图3所示，将压电体层13的端面形成锥状，同时，与使压电体层13的下部形状存在于下部电极12的内侧一样，使压电体层1 3的上部形状存在于上部电极14的内侧，故不存在与上部电极14及下部电极12各自端部对应的压电体层13，没有该部分(面)的横振荡型的声波的发射，且压电体层13的端面不垂直，而是锥状，因此，横振荡型的声波分散，可降低横振荡型引起的杂散信号。
下面叙述通过有限要素法模拟确认的结果。作为本实施例的结构，图15表示对薄膜体音响谐振器模拟的结果，作为本实施例的结构，该薄膜体音响谐振器如图3所示构成。为进行比较，图16表示对作为现有例的图14所示的薄膜体音响谐振器模拟的结果。
这里表示的阻抗值以将薄膜体音响谐振器看成简单的并行平板电容时的电容值而标准化。
作为该本实施例及现有例的薄膜体音响谐振器的基本结构常数，作为上部电极14及5使用的钼电极的厚度为0.3μm，作为压电体层13及4使用的氮化铝层的厚度为1μm，上层电极14及5构成100μm×100μm的正方形。
如图16所示，在现有例的情况下，在2.17GHz附近，另外，在反谐振频率约2.28GHz左右，阻抗噪声状变化，确认有横振荡型产生的杂散信号。
另一方面，在本实施例的情况下，如图15所示，在反谐振频率附近的杂散信号减轻，构成较圆滑的波形。这意味着通过本实施例降低了横振荡型产生的杂散信号。
另外，上述实施例叙述了压电体层13的整个端面存在于下部电极12及上部电极14的内侧，但只要该压电体层13下部形状及上部形状的一部分也存在于该下部电极12及上部电极14的内侧，就能够得到与上述例相同的作用效果。
另外，在上述例中，压电体层13的端部构成锥状，但只要使该端面为垂直之外的形状，就能够得到与上述例相同的作用效果。
显然，本发明也可以适用于薄膜体音响谐振器的变形即堆积薄膜体音响谐振器。
另外，本发明显然不限于上述实施例，只要不脱离本发明的要旨，可采用其它各种结构。
Claims (8)
1、一种薄膜体音响谐振器，其由第一电极、与该第一电极的上面邻接形成的压电体层以及与该压电体层的上面邻接形成的第二电极的层积体构成，使所述第一及第二电极具有与空气接触的分界面，其特征在于，所述压电体层的端面的至少一部分存在于所述第一电极或所述第二电极的内侧。
2、如权利要求1所述的薄膜体音响谐振器，其特征在于，所述压电体层的端面不垂直。
3、如权利要求1所述的薄膜体音响谐振器，其特征在于，所述压电体层的端面为锥状。
4、一种薄膜体音响谐振器的制造方法，在衬底上形成作为空气层的台阶，在该台阶上形成第一牺牲层，然后，在所述第一牺牲层及所述衬底上跨过所述第一牺牲层形成规定形状的下部电极，然后，下部形状的至少一部分位于所述下部电极内侧，端部形成锥状的压电体层，然后，在所述压电体层的端面外周形成规定形状的第二牺牲层，然后，在所述压电体层及所述第二牺牲层上形成所述压电体层的上部形状的至少一部分作为内侧的形状的上部电极，然后，除去所述第一及第二牺牲层。
5、一种薄膜体音响谐振器，其由第一电极、与该第一电极上面邻接形成的压电体层以及与该压电体层的上面邻接形成的第二电极的层积体构成，使所述第一及第二电极具有与空气接触的分界面，其特征在于，所述压电体层的整个端面存在于所述第一电极及所述第二电极的内侧。
6、如权利要求5所述的薄膜体音响谐振器，其特征在于，所述压电体层的端面不垂直。
7、如权利要求5所述的薄膜体音响谐振器，其特征在于，所述压电体层的端面为锥状。
8、一种薄膜体音响谐振器的制造方法，在衬底上形成作为空气层的台阶，在该台阶上形成第一牺牲层，然后，在所述第一牺牲层及所述衬底上跨过所述第一牺牲层形成规定形状的下部电极，然后，整个下部形状位于所述下部电极内侧，端部形成锥状的压电体层，然后，在所述压电体层的端面外周形成规定形状的第二牺牲层，然后，在所述压电体层及所述第二牺牲层上形成所述压电体层的整个上部形状作为内侧的形状的上部电极，然后，除去所述第一及第二牺牲层。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP166243/04 | 2004-06-03 | ||
| JP2004166243 | 2004-06-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1705226A true CN1705226A (zh) | 2005-12-07 |
Family
ID=35446902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2005100747646A Pending CN1705226A (zh) | 2004-06-03 | 2005-06-02 | 薄膜体音响谐振器及薄膜体音响谐振器的制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050269904A1 (zh) |
| KR (1) | KR20060049516A (zh) |
| CN (1) | CN1705226A (zh) |
| TW (1) | TW200610266A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101908865A (zh) * | 2010-08-20 | 2010-12-08 | 庞慰 | 体波谐振器及其加工方法 |
| CN101924529A (zh) * | 2010-08-31 | 2010-12-22 | 庞慰 | 压电谐振器结构 |
| CN103765771A (zh) * | 2011-09-01 | 2014-04-30 | 株式会社村田制作所 | 压电体波装置及其制造方法 |
| CN101645699B (zh) * | 2008-08-08 | 2015-04-29 | 太阳诱电株式会社 | 压电薄膜谐振器、滤波器、复用器和传输装置 |
| WO2021073022A1 (zh) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | 天津大学 | 带不导电插入层的体声波谐振器、滤波器和电子设备 |
| CN113126340A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 乐金显示有限公司 | 显示设备 |
Families Citing this family (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
| US7791434B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric |
| JP4149444B2 (ja) * | 2005-01-12 | 2008-09-10 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 圧電薄膜共振子及びこれを用いたフィルタ |
| JP4252584B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2009-04-08 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 圧電薄膜共振器およびフィルタ |
| JP4719623B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2011-07-06 | 太陽誘電株式会社 | フィルタ |
| JP4968900B2 (ja) * | 2006-10-17 | 2012-07-04 | 太陽誘電株式会社 | ラダー型フィルタの製造方法 |
| CN101548465B (zh) * | 2006-12-05 | 2012-09-05 | 明锐有限公司 | 用于mems振荡器的方法及设备 |
| WO2009011022A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Fujitsu Limited | 圧電薄膜共振素子及びこれを用いた回路部品 |
| US8902023B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| US9520856B2 (en) | 2009-06-24 | 2016-12-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| US8248185B2 (en) * | 2009-06-24 | 2012-08-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
| US9673778B2 (en) * | 2009-06-24 | 2017-06-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Solid mount bulk acoustic wave resonator structure comprising a bridge |
| US10461719B2 (en) | 2009-06-24 | 2019-10-29 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| US8692631B2 (en) * | 2009-10-12 | 2014-04-08 | Hao Zhang | Bulk acoustic wave resonator and method of fabricating same |
| US9450561B2 (en) | 2009-11-25 | 2016-09-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) resonator structure having an electrode with a cantilevered portion and a piezoelectric layer with varying amounts of dopant |
| US8796904B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer |
| US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
| US8962443B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
| US9203374B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-12-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator comprising a bridge |
| US9136818B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked acoustic resonator comprising a bridge |
| US9099983B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-08-04 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator device comprising a bridge in an acoustic reflector |
| US9154112B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-10-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge |
| US9048812B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer |
| US9083302B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator |
| US9148117B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-29 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements |
| US9425764B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-08-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features |
| US9571064B2 (en) * | 2011-02-28 | 2017-02-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator device with at least one air-ring and frame |
| US8575820B2 (en) | 2011-03-29 | 2013-11-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator |
| US9444426B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-09-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature |
| US8330325B1 (en) | 2011-06-16 | 2012-12-11 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer |
| US8350445B1 (en) | 2011-06-16 | 2013-01-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge |
| JP5792554B2 (ja) * | 2011-08-09 | 2015-10-14 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| US8922302B2 (en) | 2011-08-24 | 2014-12-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator formed on a pedestal |
| CN103765770B (zh) | 2011-09-01 | 2018-03-30 | 株式会社村田制作所 | 压电体波装置及其制造方法 |
| KR101856060B1 (ko) | 2011-12-01 | 2018-05-10 | 삼성전자주식회사 | 체적 음향 공진기 |
| US9667220B2 (en) | 2012-01-30 | 2017-05-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Temperature controlled acoustic resonator comprising heater and sense resistors |
| US9667218B2 (en) | 2012-01-30 | 2017-05-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Temperature controlled acoustic resonator comprising feedback circuit |
| US9608592B2 (en) | 2014-01-21 | 2017-03-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic wave resonator (FBAR) having stress-relief |
| US9154103B2 (en) | 2012-01-30 | 2015-10-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Temperature controlled acoustic resonator |
| JP2015224893A (ja) * | 2014-05-26 | 2015-12-14 | Tdk株式会社 | 角速度センサ |
| JP6441761B2 (ja) | 2015-07-29 | 2018-12-19 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器及びフィルタ |
| US10778180B2 (en) * | 2015-12-10 | 2020-09-15 | Qorvo Us, Inc. | Bulk acoustic wave resonator with a modified outside stack portion |
| US10601391B2 (en) * | 2016-11-15 | 2020-03-24 | Global Communication Semiconductors, Llc. | Film bulk acoustic resonator with spurious resonance suppression |
| US11736088B2 (en) | 2016-11-15 | 2023-08-22 | Global Communication Semiconductors, Llc | Film bulk acoustic resonator with spurious resonance suppression |
| US11476826B2 (en) | 2017-01-17 | 2022-10-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator |
| JP6886357B2 (ja) * | 2017-07-03 | 2021-06-16 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
| DE102017117869A1 (de) * | 2017-08-07 | 2019-02-07 | RF360 Europe GmbH | BAW-Resonator mit reduzierten Verlusten, HF-Filter mit einem BAW-Resonator und Verfahren zum Herstellen eines BAW-Resonators |
| JP7017364B2 (ja) * | 2017-10-18 | 2022-02-08 | 太陽誘電株式会社 | ラダー型フィルタ、圧電薄膜共振器およびその製造方法 |
| US11271543B2 (en) * | 2018-02-13 | 2022-03-08 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator |
| US11764750B2 (en) | 2018-07-20 | 2023-09-19 | Global Communication Semiconductors, Llc | Support structure for bulk acoustic wave resonator |
| US11817839B2 (en) | 2019-03-28 | 2023-11-14 | Global Communication Semiconductors, Llc | Single-crystal bulk acoustic wave resonator and method of making thereof |
| CN110350885B (zh) * | 2019-08-06 | 2024-05-31 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 一种滤波器及其制备方法 |
| US11979134B2 (en) | 2019-10-15 | 2024-05-07 | Global Communication Semiconductors, Llc | Composite piezoelectric film and bulk acoustic resonator incorporating same |
| CN113726305B (zh) * | 2020-05-25 | 2024-03-08 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 表面声波装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087198A (en) * | 1998-02-12 | 2000-07-11 | Texas Instruments Incorporated | Low cost packaging for thin-film resonators and thin-film resonator-based filters |
-
2005
- 2005-05-31 TW TW094117920A patent/TW200610266A/zh unknown
- 2005-06-02 CN CNA2005100747646A patent/CN1705226A/zh active Pending
- 2005-06-02 KR KR1020050047271A patent/KR20060049516A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-06-02 US US11/143,807 patent/US20050269904A1/en not_active Abandoned
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101645699B (zh) * | 2008-08-08 | 2015-04-29 | 太阳诱电株式会社 | 压电薄膜谐振器、滤波器、复用器和传输装置 |
| CN101908865A (zh) * | 2010-08-20 | 2010-12-08 | 庞慰 | 体波谐振器及其加工方法 |
| CN101908865B (zh) * | 2010-08-20 | 2014-02-12 | 庞慰 | 体波谐振器及其加工方法 |
| CN101924529A (zh) * | 2010-08-31 | 2010-12-22 | 庞慰 | 压电谐振器结构 |
| CN101924529B (zh) * | 2010-08-31 | 2012-10-10 | 庞慰 | 压电谐振器结构 |
| CN103765771A (zh) * | 2011-09-01 | 2014-04-30 | 株式会社村田制作所 | 压电体波装置及其制造方法 |
| CN103765771B (zh) * | 2011-09-01 | 2016-09-21 | 株式会社村田制作所 | 压电体波装置及其制造方法 |
| WO2021073022A1 (zh) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | 天津大学 | 带不导电插入层的体声波谐振器、滤波器和电子设备 |
| CN113126340A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 乐金显示有限公司 | 显示设备 |
| CN113126340B (zh) * | 2019-12-31 | 2024-04-05 | 乐金显示有限公司 | 显示设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050269904A1 (en) | 2005-12-08 |
| KR20060049516A (ko) | 2006-05-19 |
| TW200610266A (en) | 2006-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1705226A (zh) | 薄膜体音响谐振器及薄膜体音响谐振器的制造方法 | |
| CN1134105C (zh) | 适合倒装片安装的表面声波器件 | |
| CN1638270A (zh) | 薄膜体声谐振器及其制造方法 | |
| CN1160853C (zh) | 平衡滤波器结构 | |
| CN1838531A (zh) | 压电谐振元件及其制造方法 | |
| CN1304272C (zh) | 在微机电结构应用中形成间隙的牺牲层技术 | |
| CN1395752A (zh) | 薄膜谐振器及其制造方法 | |
| CN1383609A (zh) | 可调谐滤波器装置 | |
| CN1578132A (zh) | 声表面波器件和通信设备 | |
| CN1497842A (zh) | 压电谐振器、压电滤波器以及通信装置 | |
| CN1592100A (zh) | 膜体声学谐振器及其制造方法 | |
| CN1309163C (zh) | 滤波器芯片和滤波器设备 | |
| CN1894849A (zh) | 制造压电薄膜器件的方法和压电薄膜器件 | |
| CN1518219A (zh) | 梯形滤波器，分路滤波器，以及通信设备 | |
| CN1767380A (zh) | 压电薄膜谐振器及使用该压电薄膜谐振器的滤波器 | |
| CN1862956A (zh) | 膜体声谐振器和滤波电路 | |
| CN1808898A (zh) | 薄膜体声波滤波装置及制造薄膜体声波滤波装置的方法 | |
| CN101061634A (zh) | 薄膜压电谐振器及其制造方法 | |
| CN1523754A (zh) | 具有薄膜腔声谐振器的双工滤波器及其半导体封装 | |
| KR20110133039A (ko) | 경사 에지를 포함한 리액턴스 필터 | |
| CN1599244A (zh) | 压电谐振器、滤波器和双工器 | |
| CN1879300A (zh) | 去耦叠层体声谐振器器件中的通带宽度控制 | |
| CN1503451A (zh) | 滤波器元件以及包含它的滤波器器件、双工器和高频电路 | |
| US9698754B2 (en) | Capacitive coupled resonator and filter device with comb electrodes and support frame separation from piezoelectric layer | |
| CN1572716A (zh) | 微型电机和制造这种微型电机的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |