CN1503451A - 滤波器元件以及包含它的滤波器器件、双工器和高频电路 - Google Patents

滤波器元件以及包含它的滤波器器件、双工器和高频电路 Download PDF

Info

Publication number
CN1503451A
CN1503451A CNA200310113761XA CN200310113761A CN1503451A CN 1503451 A CN1503451 A CN 1503451A CN A200310113761X A CNA200310113761X A CN A200310113761XA CN 200310113761 A CN200310113761 A CN 200310113761A CN 1503451 A CN1503451 A CN 1503451A
Authority
CN
China
Prior art keywords
filter element
resonator
series arm
parallel
filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA200310113761XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN1503451B (zh
Inventor
��ʱ��
西原时弘
横山刚
坂下武
宫下勉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Fujitsu Media Devices Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd, Fujitsu Media Devices Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of CN1503451A publication Critical patent/CN1503451A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1503451B publication Critical patent/CN1503451B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H03H9/56—Monolithic crystal filters
    • H03H9/564—Monolithic crystal filters implemented with thin-film techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0095—Balance-unbalance or balance-balance networks using bulk acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H03H9/56—Monolithic crystal filters
    • H03H9/566—Electric coupling means therefor
    • H03H9/568—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration

Abstract

一种滤波器元件以及包含它的滤波器器件、双工器和高频电路，该滤波器元件包含位于电路的串联支路和并联支路中的多个谐振器。在该滤波器元件中，至少一个串联支路谐振器包含多个并联的单端双压电薄膜谐振器。

Description

滤波器元件以及包含它的滤波器器件、双工器和高频电路
技术领域
本发明一般地涉及具有压电薄膜谐振器的滤波器元件和包含该滤波器元件的滤波器器件，特别涉及用在无线终端的前端的需要具有高功率持久性的双工器和高频电路。
背景技术
近年来，例如便携式电话的无线终端正快速地向更小、更轻的方向发展。在这种趋势下，希望这些终端的元件变得更小并且具有更高的性能。例如在用于RF电路的前端的双工器中，比传统的介电滤波器更小巧的表面声波(SAW)滤波器正逐渐取代传统的介电滤波器。
然而，因为SAW滤波器使用精密梳状电极图案，所以固有地具有低功率持久性的缺点。为了增加SAW滤波器的功率持久性，已经对电极材料和设计进行了改进。
这种在双工器中使用的SAW滤波器通常包括梯型电路(ladder typecircuit)。下文中将这些具有梯型电路结构的滤波器称为“梯型滤波器”。下文中将参考附图描述梯型滤波器的结构。
如图1所示，在梯型电路的“基本段”的每个串联支路和并联支路上具有单端双膜谐振器(在下文中将SAW滤波器中的单端双SAW谐振器简单称为“谐振器”)。在下文中，将位于串联支路上的谐振器称为“串联支路谐振器S”，并且将位于并联支路上的谐振器称为“并联支路谐振器P”
梯型滤波器具有这样的结构：连接两个或更多“基本段”，并在这些部分之间执行镜像阻抗匹配。在下文中将每个“基本段”称为“一级”。作为该结构的一个实例，图2示出了具有四级结构的梯型滤波器100的等效电路图。在实践中，任意两个相邻的谐振器(图2中的串联支路谐振器S2和S3，并联支路谐振器P1和P2，以及并联支路谐振器P3和P4)可以合并为一个，以便获得预期性能或者减小滤波器的尺寸。图3示出了图2所示梯型电路中的每两个相邻谐振器合并成一个的结构示例。在图3中，通过合并图2中的串联支路谐振器S2和S3形成串联支路谐振器S23，通过合并图2中的并联支路谐振器P1和P2形成并联支路谐振器P12，并且通过合并图2中的并联支路谐振器P3和P4形成并联支路谐振器P34。在此，为了不改变谐振器在合并前后等效电路的阻抗，合并的串联支路谐振器S23的电容减半，并且每个合并的并联支路谐振器P12和P34的电容加倍。
日本专利申请公开No.10-303698(以下称为“现有技术1”)公开了一个提高多级梯型滤波器的功率持久性的改进实例。如图4所示，现有技术1所公开的梯型滤波器200具有两个串联的串联支路谐振器S1a和S1b，取代了从图3的信号输入侧看来位于第一级的单个串联支路谐振器S1。
虽然上述改进获得了更高的功率持久性，然而目前可用的梯型滤波器仍不具有满足实际应用的足够高的功率持久性。
同时，因为压电薄膜滤波器与SAW滤波器相比具有更高的功率持久性并表现出更好的滤波器特性，因此更多的注意力已经投向了使用压电薄膜谐振器的滤波器(下文中有时将压电薄膜谐振器简称为“谐振器”，并且将具有压电薄膜谐振器的滤波器简称为“压电薄膜滤波器”)。压电薄膜谐振器通常包括基板和在基板上形成的叠层谐振器。叠层谐振器包括压电薄膜和将压电薄膜夹在中间的一对电极膜。具有该结构的叠层谐振器需要在声学上与基板隔绝。因此，在叠层谐振器的正下方形成一个谐振腔，或者通过交替叠加具有不同声阻抗但都具有1/4波长厚度的两种薄膜形成一个多层声膜。
当向上述结构的电极对上施加一个AC电压时，由于反压电效应，被电极夹在中间的压电薄膜在厚度纵向上振动。因此压电薄膜谐振器表现出电谐振特性。这证明：单端双压电薄膜谐振器能够由单端双SAW谐振器的同样的等效电路表示，并且其电行为和单端双SAW谐振器一样。因此可以在上述梯型滤波器中用单端双压电薄膜谐振器取代单端双SAW谐振器。
鉴于上述原因，压电薄膜滤波器具有高于SAW滤波器的功率持久性，但实际应用需要具有更高的功率持久性。日本专利申请公开No.2002-198777(现有技术2)公开了一种对使用现有技术1中公开的单端双压电薄膜谐振器的梯型滤波器的功率持久性的改进。更具体的，现有技术2公开了一种使用通过串联两个或者更多谐振器形成的单端双压电薄膜谐振器的梯型滤波器，而不是使用单个串联支路谐振器。作为这种梯型滤波器的示例，图5示出了信号输入侧的串联支路谐振器被分成两个串联的谐振器的结构的等效电路。图6是具有上述结构的梯型滤波器300的平面图。在图1到6中，用相同的标号指示SAW滤波器和压电薄膜滤波器中相同的谐振器(所有串联支路谐振器和并联支路谐振器)。
然而，当采用串联的两个或者更多谐振器取代一个串联支路谐振器时，谐振器的数量相应增加，并且分离的谐振器所占的面积大于单个串联支路谐振器的面积，导致整体面积增加。如果单谐振器被分为n个(n为正整数)，则分离的谐振器所占的面积是单个谐振器所占面积的n倍，才能使得分离的谐振器的阻抗与单个谐振器的阻抗相同。另外，为了尽可能地增加功率持久性，不仅要划分信号输入侧上的串联支路谐振器，而且通常要将所有其他串联支路谐振器也划分。在这种情况下，谐振器所需总面积非常大，不利于减小设备尺寸。对于在各个谐振器下方形成有用于与基板声绝缘的谐振腔的膜式压电薄膜谐振器的情况，压电薄膜谐振器所占面积越大就越容易破裂，因而导致低产出率的难题。
发明内容
因此本发明的一个目的是提供一种滤波器元件和包含该滤波器元件的滤波器器件，其中消除了上述缺陷。
本发明的更具体的目的是提供一种具有位于串联支路和并联支路中的单端压电薄膜谐振器，可以防止设备尺寸增加、加强功率持久性并且防止成品率降低的滤波器元件。
本发明的另一个具体的目的是提供包含该滤波器元件的滤波器器件，双工器和高频电路。
通过一种滤波器元件实现了本发明的上述目的，其包括多个谐振器，这些谐振器位于电路中的串联支路或并联支路上，至少一个串联支路谐振器包括多个并联的单端双压电薄膜谐振器。
通过一种滤波器元件实现了本发明的上述目的，其包括多个谐振器，这些谐振器位于电路中的串联支路或并联支路上，至少在信号输入侧的第一级的串联支路谐振器和/或并联支路谐振器包括多个并联的单端双压电薄膜谐振器。
还通过一种双工器实现了本发明的上述目的，其包括发送滤波器元件和接收滤波器元件，该发送滤波器元件包括多个位于电路的串联支路和并联支路中的谐振器，至少一个串联支路谐振器包括多个并联的单端双压电薄膜谐振器。
还通过一种双工器实现了本发明的上述目的，其包括发送滤波器元件和接收滤波器元件，该发送滤波器元件包含位于串联支路和并联支路中的多个谐振器，至少一个并联支路谐振器包括多个并联的单端双压电薄膜谐振器。
本发明的上述目的也是通过发送并接收无线信号的高频电路实现的，该高频电路包括：放大发送信号的第一放大器；放大接收信号的第二放大器；和包含发送滤波器元件和接收滤波器元件的双工器，该发送滤波器元件包括多个位于电路的串联支路和并联支路中的谐振器，并且至少一个串联支路谐振器包括多个并联的单端双压电薄膜谐振器。
本发明的上述目的也可通过发送并接收无线信号的高频电路实现，该高频电路包括：放大发送信号的第一放大器；放大接收信号的第二放大器；和包含发送滤波器元件和接收滤波器元件的双工器，该发送滤波器元件包括多个位于电路的串联支路和并联支路中的谐振器，并且至少一个并联支路谐振器包括多个并联的单端双压电薄膜谐振器。
本发明的上述目的也可通过一种发送无线信号的高频电路实现，该高频电路包括：放大发送信号的放大器；和过滤发送信号的滤波器元件，该滤波器元件包括多个位于电路的串联支路和并联支路中的谐振器，并且至少一个串联支路谐振器包括多个并联的单端双压电薄膜谐振器。
本发明的上述目的也可通过一种发送无线信号的高频电路实现，该高频电路包括：放大发送信号的放大器；和过滤发送信号的滤波器元件，该滤波器元件包括多个位于电路的串联支路和并联支路中的谐振器，并且至少一个并联支路谐振器包括多个并联的单端双压电薄膜谐振器。
附图说明
通过以下的详细说明，结合附图，可以更清楚地理解本发明的其他目的、特点和优点。
图1示出了具有分别位于串联支路和并联支路中的串联支路谐振器和并联支路谐振器的基本段的等效电路；
图2示出了常规梯型滤波器的等效电路；
图3示出了将图2中的梯型滤波器的每两个相邻串联支路谐振器和并联支路谐振器合并成一个的结构的等效电路；
图4示出了另一个常规的梯型滤波器的等效电路；
图5示出了又一个常规梯型滤波器的等效电路；
图6是图5的梯型滤波器的滤波器结构的平面图；
图7示出了作为对比例的梯型滤波器的等效电路；
图8是图7的梯型滤波器的滤波器结构的平面图；
图9示出了根据本发明第一实施例的梯型滤波器的等效电路；
图10是图9的梯型滤波器的滤波器结构的平面图；
图11A是图10所示梯型滤波器的滤波器结构沿A-A’线的剖视图；
图11B是图10所示梯型滤波器的滤波器结构沿B-B’线的剖视图；
图12是装在陶瓷封装中的具有第一实施例的梯型滤波器的滤波器器件的结构剖视图；
图13示出了对比例的滤波器器件的滤波器特性和本发明第一实施例的滤波器器件的滤波特性；
图14示出了对比例的滤波器器件和本发明第一实施例的滤波器器件的寿命测试结果；
图15示出了根据本发明第二实施例的梯型滤波器的等效电路；
图16示出了根据本发明第二实施例的另一个梯型滤波器的等效电路；
图17示出了根据本发明第二实施例的又一个梯型滤波器的等效电路；
图18示出了根据本发明第二实施例的另一个梯型滤波器的等效电路；
图19示出了对比例的梯型滤波器的等效电路；
图20示出了根据本发明第三实施例的梯型滤波器的等效电路；
图21是根据本发明第四实施例的双工器的结构框图；
图22是根据本发明第四实施例的零差收发器的高频电路的结构框图；以及
图23是根据本发明第五实施例的无线发射器设备的结构框图。
具体实施方式
下面参考附图描述本发明的优选实施例。
(第一实施例)
下面将详细描述本发明的第一实施例。图7示出了作为对比例的仅具有单端双压电薄膜谐振器(此后简称为“谐振器”)的梯型滤波器400的等效电路。图8是梯型滤波器400的滤波器结构的平面图。在该对比例中，有四级梯型电路基本段，并且与图3所示的传统示例一样，中间的两个并联谐振器被合并为一个。
本发明的第一实施例与该对比例相反，图9示出了仅将信号输入侧的第一级串联支路谐振器分成并联的两个谐振器的梯型滤波器1的等效电路。图10是梯型滤波器1的滤波器器件的平面图。图11A是该滤波器结构沿图10所示线A-A’的剖视图，并且图11B是该滤波器结构沿着图10的线B-B’的剖视图。这个滤波器结构中的谐振器S1a，S1b，S2到S4，P1，P23和P4是膜式压电薄膜谐振器，并且形成5GHz带宽的滤波器。
在图10和图11A和11B所示的结构中，基板10是硅(Si)单晶基板，并且下电极膜是钼(Mo)和铝(Al)的双层膜。压电薄膜14是氮化铝(AlN)的单层膜，并且上电极膜13是Mo单层膜。如图11A和11B所示，谐振腔15穿过基板10，直接位于上电极膜13和下电极膜12的各个覆盖部位下面。各个谐振腔15基本上与覆盖区域的尺寸相等。如图11B所示，为了通过将串联支路谐振器的谐振频率与并联支路谐振器的反谐振频率相匹配，获得带通滤波器的特性，形成并联支路谐振器p1，p23和p4的叠层谐振器主体16具有在上电极膜13上形成的SiO2膜17。另外，如图11B所示，在下电极膜12的要形成凸起的凸起区域中具有由导电层11形成的凸起形成块。那些导电层11可以位于用于将焊盘连接到串联支路和并联支路谐振器的配线区域中，或者位于串联支路谐振器之间，或者位于用于将串联支路谐振器连接到并联支路谐振器的配线区域中。无论如何，导电层11都不会在谐振器的叠层谐振器体上的区域内形成。
在本实施例中，串联支路谐振器和并联支路谐振器的材料如下所述。基板10可以由硅(Si)、玻璃、陶瓷等形成。只要薄膜由例如氮化铝(AlN)，氧化锌(ZnO)，锆钛酸铅(PZT)，钛酸铅(PbTiO3)等构成，压电薄膜14可以由任意材料形成。上电极膜13和下电极膜12是铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铂(Pt)、钌(Ru)、铑(Rh)等形成的金属单层或者叠层。
在此滤波器结构中，两个并联的单独串联支路谐振器S1a和S1b的合成阻抗(导纳)与其他串联支路谐振器S2到S4的阻抗(导纳)相匹配。这样，可以在四级结构的基本段之间实现阻抗(导纳)匹配。两个分开的串联支路谐振器中的每一个的尺寸是原串联支路谐振器(例如S1)的一半。就是说，两个分开的串联支路谐振器的整体尺寸等于原串联支路谐振器的尺寸，这样分开前后阻抗都不会改变。因此，可以在保持阻抗匹配且不改变滤波器性能的情况下改善功率持久性。当原串联支路谐振器被分成n个时，这n个分开的串联支路谐振器的尺寸各等于原尺寸的1/n。
各个谐振器的激励部分(即，各个夹在一个上电极膜13和一个下电极膜12之间的区域：该区域中下电极膜下方的部分与基板声隔离)可以是例如圆形。在图8所示的对比例中，各个串联支路谐振器S1到S4是77μm，各个末端并联支路谐振器p1和p4是52μm，并且中心并联支路谐振器p23是73μm。在图10所示的示例中，两个并联的单独串联支路谐振器S1a和S1b中的每一个所占面积近似于图8所示的对比例的相应单个串联支路谐振器所占面积的一半，是54μm(串联支路谐振器S1是77μm)。更优选的是并联的独立串联支路谐振器S1a和S1b大小一致。本实施例的其他谐振器与对比例中对应谐振器的尺寸相等。各个独立谐振器具有相同的功率持久性，因此可以获得独立谐振器组的最高功率持久性。另外，独立谐振器的相等尺寸改善了芯片布局的自由度和产品的可靠性。
图12示出了滤波器器件1A，其中上述梯型滤波器1在朝下的状态下倒装在陶瓷封装1a中。在图12中，安装到陶瓷封装1a中的梯型滤波器1具有包含凸起18的结构，该凸起由金(Au)，铜(C)，铝(Al)等构成并且位于下电极膜12上的传导膜11中。在此结构中，梯型滤波器1通过凸起18与陶瓷封装1a的导线19连接。具有倒装在陶瓷封装中的对比例的具有梯型滤波器400的滤波器器件400A也具有与滤波器器件1A相同的结构，因此没有在图中示出滤波器器件400A。
图13示出了对比例和本实施例的样品滤波器400A和1A的滤波器特性的评估结果。从图13可见，两个样品的特性基本相同。虽然如前所述各个谐振器的激励部分是圆形的，但激励部分的形状不限于此，可以是正方形，矩形，椭圆形等等。另外，上述各个谐振器的尺寸仅是可应用于5GHz带宽滤波器中的举例，可以根据期望的特性而任意改变。
现描述上述对比例和本实施例的两个样品的功率持久性。通过向最高频端施加电压，对功率持久性进行评估，从而评估各个样品的受命，其中在70℃的环境温度下，测量到了各个滤波器在3dB带宽内的最低功率持久性。图14示出了寿命测试结果，从图14可见，在一点上本实施例的样品的寿命是对比例的样品的寿命的100倍。这证明了本实施例的滤波器结构非常有效地提高了功率持久性。
如上所述，当用n个并联的压电薄膜谐振器取代单个谐振器时，各个独立的谐振器的尺寸是原谐振器的1/n。因此，与传统的连接方式相比，可以减小谐振器所占的面积。上述结构的尺寸使膜式压电薄膜谐振器具有令人满意的强度。因此可以获得好的成品率。多个谐振器并联，而不是单个谐振器，极大地改善了功率持久性。
根据本实施例的滤波器结构，在不增加器件尺寸或者降低成品率的情况下，可以获得具有高功率持久性的滤波器器件，该滤波器器件包含具有位于串联支路和并联支路中的单端双薄膜谐振器的梯型电路结构的滤波器元件。
(第二实施例)
下面将参考附图描述第一实施例的梯型滤波器1的另一个示例结构。
图15示出了梯型滤波器2的等效电路，其中每个串联支路谐振器都被分成两个并联的谐振器。在该滤波器中，独立的串联支路谐振器(S1a，S1b，S2a，S2b，S3a，S3b，S4a，和S4b)的尺寸相等，分别是54μm，接近于对比例的单个串联支路谐振器S1到S4各个所占面积(77μm)的一半。本结构的其他方面与第一实施例相同，因此在此省略。
图16示出了梯型滤波器3的等效电路，其中信号输入侧的第一级和第二级串联支路谐振器都被分成了三个并联的谐振器，并且第三级和第四级串联支路谐振器都被分成了二个并联的谐振器。在该梯型滤波器3中，并联的三个独立串联支路谐振器S1c到S1e，和并联的三个独立串联支路谐振器S2c到S2e都具有相等的尺寸，分别是44μm，接近于对比例的单个串联支路谐振器S1到S4各个所占面积(77μm)的三分之一。并联的二个独立串联支路谐振器S3c到S3b，和另两个并联的独立串联支路谐振器S4a到S4b也都具有相等的尺寸，分别是54μm，接近于对比例的单个串联支路谐振器S1到S4各个所占面积(77μm)的一半。本结构的其他方面与第一实施例相同，因此在此省略。
图17示出了梯型滤波器4的等效电路，其中信号输入侧的第一级串联支路谐振器和第一级并联支路谐振器各被分成了两个并联的谐振器。在此结构中，并联的两个独立串联支路谐振器S1a和S1b的尺寸相等，分别是54μm，接近于对比例的单个串联支路谐振器S1所占面积(77μm)的一半。同样，并联的两个独立并联支路谐振器P1a和P1b的尺寸相等，分别是37μm，接近于对比例的单个并联支路谐振器P1所占面积(52μm)的一半。应当注意到，由位于串联支路和并联支路中的压电薄膜谐振器构成的滤波器器件中的电流量和电流通路根据频率而变化。例如，在通频带的频率下，电流主要流经串联支路谐振器，而在其它频率下主要流经并联支路谐振器。根据第二实施例，不仅串联支路而且并联支路也是由并联的多个谐振器构成。因此，可以在整个通频带上改善功率持久性。此结构的其他方面与第一实施例相同，因此在此省略它们的解释。
图18示出了梯型滤波器5的等效电路，其中仅有信号输入侧的第一级并联支路谐振器被分成了两个并联的谐振器。在此结构中，并联的两个独立并联支路谐振器P1a和P1b的尺寸相等，分别是37μm，接近于对比例的单个并联支路谐振器P1所占面积(52μm)的一半。在第一实施例中被分成两个并联谐振器的信号输入侧第一级串联支路谐振器在此结构中仍然是单个串联支路谐振器S1。前述电流通路和流量的变化受一些设计参数的影响。在上述情况下，并联支路中的谐振器很可能在接收到高电压时损坏。根据上述实施例，即使在上面提到的情况下，也能改善功率持久性。
该结构的其它方面与第一实施例的相同，因此在此省略其解释。
根据本发明的梯型滤波器结构不局限于上述的示例。更具体地，可以在信号输入侧的第一级上或者布置并联支路谐振器或者布置串联支路谐振器。另外，基本段的级数可以不是四级。两个相邻的谐振器可以合成一个，也可以保持各自独立。取代单个谐振器的两个或者更多并联的独立谐振器的位置和数量可以任意选择。另外，如第一实施例的情况，在串联支路谐振器之间和并联支路谐振器之间执行阻抗匹配，从而实现基本段之间的阻抗(导纳)匹配。特别是，当把多个并联的谐振器布置到滤波器的第一级的串联支路和/或并联支路中时，可以有效地改善功率持久性。
(第三实施例)
在下文中，将参考附图描述作为本发明第三实施例的使用单端双薄膜谐振器的格型滤波器(lattice filter)。在该格型滤波器中，两个或者更多并联的谐振器取代了单个谐振器。
图19示出了作为对比例的格型滤波器500的等效电路。如图19所示，格型滤波器500具有两个串联支路和两个并联支路。在图19中，串联支路中的谐振器(串联支路谐振器)用S1和S2表示，而并联支路中的谐振器(并联支路谐振器)用P1和P2表示。
图20示出了根据本实施例的格型滤波器6。在该格型滤波器6中，格型滤波器500的各个串联支路谐振器S1和S2被分成了三个并联的谐振器，并且格型滤波器500的各个并联支路谐振器P1和P2被分成了两个并联的谐振器。如第一实施例的梯型滤波器1，通过将单个谐振器划分为n个而获得的各个独立谐振器的尺寸近似于原单个谐振器所占面积的1/n。同样，取代单个谐振器的并联的分谐振器的数量可以任意选择。本实施例的其他方面与第一实施例相同，因此在此省略其描述。
根据本发明第三实施例的上述结构，在不增加器件尺寸或者降低成品率的情况下，可以获得具有高功率持久性的滤波器器件，该滤波器器件包含具有位于串联支路和并联支路中的单端双薄膜谐振器的格型电路结构滤波器元件。
(第四实施例)
在下文中，将参考附图描述使用前面实施例中的梯型滤波器和格型滤波器之一的本发明第四实施例。
在包含外差收发器或零差收发器的许多蜂窝系统中通常使用不同的频率进行发射和接收。为了从接收信号中分离出发射信号，使用了双工器。图21示出了作为这种双工器的示例的双工器50。双工器50包含两个用于接收和发射的滤波器：发射滤波器51和接收滤波器52。发射滤波器51的输出侧和接收滤波器52的输入侧共享同一天线端口。
在该蜂窝系统中，通过天线53输入并且通过接收滤波器52的接收信号的功率非常低，而w电平的高功率发射信号通过发射滤波器51并且通过天线53输出。
具有位于电路的串联支路和并联支路中的单端双膜谐振器的梯型滤波器作为双工器50中的滤波器而被广泛地使用。在该实施例中，如前面的实施例所描述那样，使用具有取代单个谐振器的并联的两个或者多个谐振器的结构作为发射滤波器51，使得双工器50可以具有高功率发射信号并具有高可靠性。
在向接收滤波器52施加高功率的情况下，也可以采用由两个或更多并联的谐振器取代单个谐振器的结构作为接收滤波器52，以便提高可靠性。
现在参考图22，描述发射和接收无线信号的零差收发器60的高频电路结构。
如图22所示，零差收发器60包含发射器电路70和接收器电路80，还有双工器50。发射器电路70包含用于去除多余的信号成分的带通滤波器(BPF)71；和用于放大发射信号的功率放大器(PA)72。接收器电路80包含用于放大接收信号的低噪声放大器(LNA)82；和用于去除多余信号成分的带通滤波器(BPF)81。
(第五实施例)
可以在发射无线信号的无线发射器设备的高频电路结构中使用本发明的第一到第三实施例中的任何梯型滤波器。在下文中，将参考附图描述作为本发明的第五实施例的无线发射设备90。
图23示出了本实施例的无线发射设备90的高频电路结构。在无线发射设备90中，混频器93将本机震荡器91发出的载波信号与调制器92发出的调制信号相混合，所生成的信号接着被功率放大器(PA)94放大。随后，发射滤波器95(前述实施例的梯型滤波器和格型滤波器中的一个)去除所生成的信号中的多余信号成分，接着通过天线96输出该信号。
虽然示出并描述了本发明的几个优选实施例，但本领域的技术人员可以理解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种变化。

Claims (18)

1.一种滤波器元件，包括：
位于电路的串联支路和并联支路中的多个谐振器，
至少一个上述的串联支路谐振器包含多个并联的单端双压电薄膜谐振器。
2.如权利要求1所述的滤波器元件，其中至少一个上述的并联支路谐振器包含多个并联的单端双压电薄膜谐振器。
3.一种滤波器元件，包括：
位于电路的串联支路和并联支路中的多个谐振器，
至少一个上述的并联支路谐振器包含多个并联的单端双压电薄膜谐振器。
4.一种滤波器元件，包括：
位于电路的串联支路和并联支路中的多个谐振器，
至少信号输入侧的第一级串联支路谐振器和/或并联支路谐振器包含多个并联的单端双压电薄膜谐振器。
5.如权利要求1所述的滤波器元件，其中上述的包含多个并联的单端双压电薄膜谐振器的串联支路谐振器具有与至少一个其它串联支路谐振器相匹配的导纳。
6.如权利要求2所述的滤波器元件，其中上述的包含多个并联的单端双压电薄膜谐振器的并联支路谐振器具有与至少一个其它并联支路谐振器相匹配的导纳。
7.如权利要求1所述的滤波器元件，其中上述并联的单端双压电薄膜谐振器具有尺寸相同的激励部分。
8.如权利要求1所述的滤波器元件，其具有梯型滤波器结构。
9.如权利要求1所述的滤波器元件，其具有格型滤波器结构。
10.如权利要求1所述的滤波器元件，其中各个单端双压电薄膜谐振器包括：
包含硅、玻璃和陶瓷中至少一种的基板；
包含氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅和钛酸铅中至少一种的压电基板；以及
由包含铝、铜、金、钼、钨、钽、铬、钛、铂、铑中至少一种的单层或多层膜构成的上电极膜和下电极膜。
11.如权利要求1所述的滤波器元件，其中各个并联支路谐振器包含其上形成有SiO2膜的上电极膜。
12.一种滤波器器件，包括：
滤波器元件：以及
容纳该滤波器元件的封装，
该滤波器元件包括：
位于电路的串联支路和并联支路中的多个谐振器，
至少一个上述的串联支路谐振器包含并联的多个单端双压电薄膜谐振器。
13.一种双工器，包括：
发射滤波器元件和接收滤波器元件，
该发射滤波器元件包含位于电路的串联支路和并联支路中的多个谐振器，
至少一个上述的串联支路谐振器包含并联的多个单端双压电薄膜谐振器。
14.一种双工器，包括：
发射滤波器元件和接收滤波器元件，
该发射滤波器元件包含位于电路的串联支路和并联支路中的多个谐振器，
至少一个上述的并联支路谐振器包含并联的多个单端双压电薄膜谐振器。
15.一种发射和接收无线信号的高频电路，包括：
放大发射信号的第一放大器；
放大接收信号的第二放大器；以及
包含发射滤波器元件和接收滤波器元件的双工器，
该发射滤波器元件包含位于电路的串联支路和并联支路中的多个谐振器，并且
至少一个上述的串联支路谐振器包含并联的多个单端双压电薄膜谐振器。
16.一种发射并接收无线信号的高频电路，包括：
放大发射信号的第一放大器；
放大接收信号的第二放大器；以及
包含发射滤波器元件和接收滤波器元件的双工器，
该发射滤波器元件包含位于电路的串联支路和并联支路中的多个谐振器，并且
至少一个上述的并联支路谐振器包含并联的多个单端双压电薄膜谐振器。
17.一种发射无线信号的高频电路，包括：
放大发射信号的放大器；以及
对发射信号进行滤波的滤波器元件，
该滤波器元件包含位于电路的串联支路和并联支路中的多个谐振器，并且
至少一个上述的串联支路谐振器包含并联的多个单端双压电薄膜谐振器。
18.一种发射无线信号的高频电路，包括：
放大发射信号的放大器；以及
对发射信号进行滤波的滤波器元件，
该滤波器元件包含位于电路的串联支路和并联支路中的多个谐振器，并且
至少一个上述的并联支路谐振器包含并联的多个单端双压电薄膜谐振器。
CN200310113761XA 2002-11-22 2003-11-21 滤波器元件以及包含它的滤波器器件、双工器和高频电路 Expired - Lifetime CN1503451B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002339611A JP3963824B2 (ja) 2002-11-22 2002-11-22 フィルタ素子、それを有するフィルタ装置、分波器及び高周波回路
JP339611/2002 2002-11-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1503451A true CN1503451A (zh) 2004-06-09
CN1503451B CN1503451B (zh) 2012-04-18

Family

ID=32321924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200310113761XA Expired - Lifetime CN1503451B (zh) 2002-11-22 2003-11-21 滤波器元件以及包含它的滤波器器件、双工器和高频电路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7271684B2 (zh)
JP (1) JP3963824B2 (zh)
KR (1) KR100625701B1 (zh)
CN (1) CN1503451B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1929304B (zh) * 2005-09-08 2012-01-04 日立视听媒体股份有限公司 谐振型滤波器
CN103138032A (zh) * 2011-11-22 2013-06-05 太阳诱电株式会社 双工器
CN109936344A (zh) * 2018-12-29 2019-06-25 天津大学 一种拆分结构谐振器
CN111213321A (zh) * 2017-10-11 2020-05-29 高通股份有限公司 可重新配置的宽带电流模式滤波器
CN111342811A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 天津大学 多通道滤波器及其组件、电子设备
WO2020133316A1 (zh) * 2018-12-29 2020-07-02 天津大学 一种拆分结构谐振器
CN115986345A (zh) * 2022-11-30 2023-04-18 北京芯溪半导体科技有限公司 一种改善非线性特性的滤波器、双工器和多工器

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006180304A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 圧電バルク共振子およびその製造方法、圧電バルク共振子を用いたフィルタ、それを用いた半導体集積回路装置、並びにそれを用いた高周波モジュール
WO2006137275A1 (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. 圧電薄膜フィルタ
KR100622393B1 (ko) * 2005-07-05 2006-09-12 삼성전자주식회사 일 표면 상에 딤플이 제작된 공진부를 포함하는 벌크 음향공진기 및 그 제조방법
US7639103B2 (en) 2006-06-26 2009-12-29 Panasonic Corporation Piezoelectric filter, antenna duplexer, and communications apparatus employing piezoelectric resonator
US7535323B2 (en) * 2006-07-10 2009-05-19 Skyworks Solutions, Inc. Bulk acoustic wave filter with reduced nonlinear signal distortion
JP5036435B2 (ja) * 2006-09-01 2012-09-26 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、フィルタおよび分波器
JP5072642B2 (ja) * 2007-03-28 2012-11-14 京セラ株式会社 弾性表面波装置及びこれを用いた分波器並びに通信装置
US7548140B2 (en) * 2007-04-16 2009-06-16 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave (BAW) filter having reduced second harmonic generation and method of reducing second harmonic generation in a BAW filter
JP5072047B2 (ja) * 2007-08-23 2012-11-14 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ、それを用いたデュプレクサおよびそのデュプレクサを用いた通信機
KR20100047285A (ko) * 2007-11-15 2010-05-07 후지쯔 가부시끼가이샤 탄성파 디바이스, 그것을 이용한 듀플렉서 및 그 듀플렉서를 이용한 통신기
US8291559B2 (en) * 2009-02-24 2012-10-23 Epcos Ag Process for adapting resonance frequency of a BAW resonator
JP5333654B2 (ja) * 2010-03-19 2013-11-06 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ及びデュプレクサ
DE112012005948T5 (de) * 2012-02-27 2014-12-11 Taiyo Yuden Co., Ltd. Akustikwellenvorrichtung
JP6200705B2 (ja) * 2013-06-27 2017-09-20 太陽誘電株式会社 分波器
US9698756B2 (en) * 2014-12-24 2017-07-04 Qorvo Us, Inc. Acoustic RF resonator parallel capacitance compensation
US20160191015A1 (en) * 2014-12-27 2016-06-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Split current bulk acoustic wave (baw) resonators
US10581403B2 (en) 2016-07-11 2020-03-03 Qorvo Us, Inc. Device having a titanium-alloyed surface
US11050412B2 (en) 2016-09-09 2021-06-29 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter using acoustic coupling
JP6656135B2 (ja) * 2016-10-21 2020-03-04 太陽誘電株式会社 フィルタおよびマルチプレクサ
WO2018096799A1 (ja) * 2016-11-22 2018-05-31 株式会社村田製作所 フィルタ装置およびマルチプレクサ
US11165412B2 (en) 2017-01-30 2021-11-02 Qorvo Us, Inc. Zero-output coupled resonator filter and related radio frequency filter circuit
US11165413B2 (en) 2017-01-30 2021-11-02 Qorvo Us, Inc. Coupled resonator structure
JP6872387B2 (ja) * 2017-03-14 2021-05-19 日本電波工業株式会社 複合フィルタ
JP6534406B2 (ja) * 2017-03-21 2019-06-26 太陽誘電株式会社 マルチプレクサ
JP6923365B2 (ja) * 2017-06-08 2021-08-18 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
US11152913B2 (en) 2018-03-28 2021-10-19 Qorvo Us, Inc. Bulk acoustic wave (BAW) resonator
CN111342808B (zh) * 2018-12-18 2023-08-15 天津大学 基于元素掺杂缩小有效面积的谐振器、滤波器和电子设备
JP7343992B2 (ja) * 2019-03-20 2023-09-13 太陽誘電株式会社 フィルタおよびマルチプレクサ
US11146247B2 (en) 2019-07-25 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Stacked crystal filter structures
JP7377450B2 (ja) * 2019-07-29 2023-11-10 株式会社村田製作所 フィルタ回路及び複合フィルタ装置
US11211676B2 (en) * 2019-10-09 2021-12-28 Com Dev Ltd. Multi-resonator filters
US11757430B2 (en) 2020-01-07 2023-09-12 Qorvo Us, Inc. Acoustic filter circuit for noise suppression outside resonance frequency
US11146246B2 (en) 2020-01-13 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Phase shift structures for acoustic resonators
US11146245B2 (en) 2020-01-13 2021-10-12 Qorvo Us, Inc. Mode suppression in acoustic resonators
WO2021200677A1 (ja) * 2020-03-31 2021-10-07 株式会社村田製作所 弾性波装置
US11632097B2 (en) 2020-11-04 2023-04-18 Qorvo Us, Inc. Coupled resonator filter device
US11575363B2 (en) 2021-01-19 2023-02-07 Qorvo Us, Inc. Hybrid bulk acoustic wave filter
WO2022211056A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2023191070A1 (ja) * 2022-04-01 2023-10-05 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN115567027B (zh) * 2022-11-03 2023-07-07 常州承芯半导体有限公司 换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2452114A (en) * 1945-04-26 1948-10-26 Bell Telephone Labor Inc Balanced wave filter
US2980872A (en) * 1958-06-13 1961-04-18 Hughes Aircraft Co Bandpass filters
JP2800905B2 (ja) * 1991-10-28 1998-09-21 富士通株式会社 弾性表面波フィルタ
JPH08148968A (ja) * 1994-11-24 1996-06-07 Mitsubishi Electric Corp 薄膜圧電素子
JP3241293B2 (ja) 1997-04-25 2001-12-25 富士通株式会社 弾性表面波素子およびこれを用いた分波器
US5910756A (en) * 1997-05-21 1999-06-08 Nokia Mobile Phones Limited Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators
FR2774826B1 (fr) * 1998-02-06 2000-05-05 Thomson Csf Filtre a resonateurs a ondes acoustiques de surface
DE19805963C2 (de) * 1998-02-13 2001-02-22 Siemens Ag Integrierbare Schaltung zur Frequenzaufbereitung eines im UHF-Bereich arbeitenden Funk-Sende-Empfängers, insbesondere eines Schnurlostelefons
JPH11312951A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ
US5942958A (en) * 1998-07-27 1999-08-24 Tfr Technologies, Inc. Symmetrical piezoelectric resonator filter
JP3699595B2 (ja) * 1998-08-31 2005-09-28 京セラ株式会社 弾性表面波フィルタ
US6262637B1 (en) 1999-06-02 2001-07-17 Agilent Technologies, Inc. Duplexer incorporating thin-film bulk acoustic resonators (FBARs)
EP1170862B1 (en) * 2000-06-23 2012-10-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric resonator and piezoelectric filter using the same
JP2002141771A (ja) * 2000-08-21 2002-05-17 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ装置
US6486751B1 (en) * 2000-09-26 2002-11-26 Agere Systems Inc. Increased bandwidth thin film resonator having a columnar structure
FI113111B (fi) * 2000-11-24 2004-02-27 Nokia Corp Pietsosähköisiä resonaattoreita käsittävä suodinrakenne ja järjestely
JP3979073B2 (ja) 2000-12-06 2007-09-19 株式会社村田製作所 圧電共振子、圧電フィルタおよびデュプレクサ
US6407649B1 (en) * 2001-01-05 2002-06-18 Nokia Corporation Monolithic FBAR duplexer and method of making the same
JP2002217676A (ja) * 2001-01-17 2002-08-02 Murata Mfg Co Ltd 圧電フィルタ
US6710677B2 (en) * 2002-02-12 2004-03-23 Nortel Networks Limited Band reject filters
JP2003298392A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Fujitsu Media Device Kk フィルタチップ及びフィルタ装置
JP4030795B2 (ja) * 2002-05-09 2008-01-09 日本電波工業株式会社 弾性表面波デバイス

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1929304B (zh) * 2005-09-08 2012-01-04 日立视听媒体股份有限公司 谐振型滤波器
CN103138032A (zh) * 2011-11-22 2013-06-05 太阳诱电株式会社 双工器
US9240768B2 (en) 2011-11-22 2016-01-19 Taiyo Yuden Co., Ltd. Duplexer with transmission and reception filters each including resonators formed on different chips
CN103138032B (zh) * 2011-11-22 2016-06-22 太阳诱电株式会社 双工器
CN111213321A (zh) * 2017-10-11 2020-05-29 高通股份有限公司 可重新配置的宽带电流模式滤波器
CN111213321B (zh) * 2017-10-11 2022-07-12 高通股份有限公司 可重新配置的宽带电流模式滤波器
CN111342811A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 天津大学 多通道滤波器及其组件、电子设备
CN111342811B (zh) * 2018-12-18 2023-12-15 天津大学 多通道滤波器及其组件、电子设备
CN109936344A (zh) * 2018-12-29 2019-06-25 天津大学 一种拆分结构谐振器
WO2020133316A1 (zh) * 2018-12-29 2020-07-02 天津大学 一种拆分结构谐振器
CN115986345A (zh) * 2022-11-30 2023-04-18 北京芯溪半导体科技有限公司 一种改善非线性特性的滤波器、双工器和多工器
CN115986345B (zh) * 2022-11-30 2024-02-06 北京芯溪半导体科技有限公司 一种改善非线性特性的滤波器、双工器和多工器

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040045355A (ko) 2004-06-01
US7271684B2 (en) 2007-09-18
US20040100342A1 (en) 2004-05-27
KR100625701B1 (ko) 2006-09-20
JP2004173191A (ja) 2004-06-17
CN1503451B (zh) 2012-04-18
JP3963824B2 (ja) 2007-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1503451A (zh) 滤波器元件以及包含它的滤波器器件、双工器和高频电路
US9917567B2 (en) Bulk acoustic resonator comprising aluminum scandium nitride
CN1160853C (zh) 平衡滤波器结构
JP4654220B2 (ja) 圧電共振子を含むフィルタ構造
CN1127168C (zh) 谐振器单元
US8258894B2 (en) Coupled resonator filter with a filter section
US7298230B2 (en) Duplexer utilizing a compact splitter circuit
CN1610254A (zh) 压电薄膜谐振器以及使用其的滤波器
EP1850479B1 (en) Filter and duplexer
CN108390659B (zh) 滤波器模块及包括该滤波器模块的前端模块
JP2011176744A (ja) フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、通信装置
JP5708828B2 (ja) フィルタ装置
EP1657817A2 (en) Monolithic rf filter
CN1619958A (zh) 使用压电谐振器的滤波器
CN111066245B (zh) 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
JP2006180304A (ja) 圧電バルク共振子およびその製造方法、圧電バルク共振子を用いたフィルタ、それを用いた半導体集積回路装置、並びにそれを用いた高周波モジュール
CN108390662B (zh) 滤波器及包括滤波器的前端模块
CN108390660B (zh) 滤波器
CN108390661B (zh) 滤波器及包括滤波器的前端模块
KR101352177B1 (ko) Ｂａｗ 공진기 및 ｂａｗ 공진기 형성 방법
JPWO2009066380A1 (ja) フィルタ、それを用いたデュプレクサおよびそのデュプレクサを用いた通信機
CN111564550B (zh) 半导体器件及其制造方法、具有半导体器件的电子设备
CN115622530B (zh) 滤波装置及滤波装置的形成方法
JP2011077810A (ja) フィルタ
CN1540861A (zh) 双工器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: TAIYO YUDEN CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: FUJITSU LTD.

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20100819

Address after: Kanagawa

Applicant after: Fujitsu Media Devices Ltd.

Co-applicant after: TAIYO YUDEN Co.,Ltd.

Address before: Kanagawa

Applicant before: Fujitsu Media Devices Ltd.

Co-applicant before: Fujitsu Ltd.

ASS Succession or assignment of patent right

Free format text: FORMER OWNER: TAIYO YUDEN CO., LTD.

Owner name: TAIYO YUDEN CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: FUJITSU MEDIA DEVICES LTD

Effective date: 20101201

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: KANAGAWA PREFECTURE, JAPAN TO: TOKYO, JAPAN

TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20101201

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: TAIYO YUDEN Co.,Ltd.

Address before: Kanagawa

Applicant before: Fujitsu Media Devices Ltd.

Co-applicant before: TAIYO YUDEN Co.,Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20120418

CX01 Expiry of patent term