CN1150591A - 硅型电荷迁移物质的生产方法 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示了一种生产电荷迁移物质的方法，该物质给予聚硅氧烷树脂电荷迁移性质，该物质在树脂中是可溶的。该电荷迁移物质是带有许多芳基的芳族取代的叔胺，甲硅烷基通过烃基引入到至少一个芳基上。该方法使用不饱和脂族基，其与芳基键连，构成硅型电荷迁移化合物，或使用新键连的不饱和脂族基，其与其中硅原子的取代基是氢原子或可水解基团的硅烷键连。该方法利用氢化硅烷化反应在催化剂如铂化合物存在下进行。然后将硅型电荷迁移物质与铂化合物的吸附剂接触，使得铂化合物被吸附到吸附剂上。将铂化合物与吸附剂一起除去，使得剩余的铂化合物的浓度低于10ppm。
Description
本发明涉及用于电照相有机光电导体的新的电荷迁移物质。
使用有机光电导性物质的电照相有机光电导体由于其生产率，方便的材料设计，和安全性方面的原因正在吸引着人们的注意。它们经历了各种改进并被广泛使用。近几年来，称为功能分离型的结构已经被提出和应用，在该结构中产生电荷层与迁移电荷层分离。该结构的电照相有机光电导体有两层。一层由产生电荷的物质和适当的树脂作粘合剂组成。上面的另一层是分散或溶于粘合剂树脂中的电荷迁移物质。含电荷迁移物质层经常含有电荷迁移材料，和热塑性树脂粘合剂如聚碳酸酯，聚酯，聚丙烯酸酯，和聚苯乙烯；或热固性树脂粘合剂如聚氨酯或环氧树脂。在后面这种情况中，需要通过电晕放电装置将负电荷放到迁移层的表面。但是，该过程产生臭氧，其引起树脂降解，降低灵敏度，和降低树脂的静电充电能力。这导致在后续显影过程中的损坏，在纸上的潜象转印，和清洗过程中产生的摩擦。由这些因素造成的有机光电导体特性的降低是长期存在的问题。
人们进行过各种研究以解决这些问题。例如，人们进行过各种尝试以便将聚硅氧烷树脂与共聚物成分或另一树脂掺合，如使用热固性聚硅氧烷树脂作为电荷迁移层，JP-A61-238062；使用含有聚硅氧烷树脂的保护层，JP-A62-108260；使用其中已经分散有硅胶，聚氨酯树脂，和/或聚四氟乙烯的热固性聚硅氧烷树脂保护层，JP-A4-346356；和使用热固性聚硅氧烷树脂已经在其中被分散作为保护层或作为电荷迁移材料粘合剂树脂的热塑性树脂，JP-A4-273252。人们还进行研究以便通过利用聚硅氧烷的性质改善感光体的性能，延长其寿命，和改善其清洁性质。
聚硅氧烷树脂具有特性如透明性，能够经得住介电击穿，光稳定性，和低表面张力，而其他树脂没有这些性质。但由于它们不能与有机化合物配伍，它们不能单独用作构成电荷迁移材料的树脂。相反地，聚硅氧烷树脂被用于通过共聚或掺合改善制造电荷迁移材料的树脂的质量。若聚硅氧烷树脂被单独用作制造电荷迁移层的粘合剂，则必需将电荷迁移物质也溶于聚硅氧烷树脂中。
因此，本发明的目的是提供一种生产这种电荷迁移物质的方法，该物质均匀地溶于聚硅氧烷树脂中，它将电荷迁移性质给予用于电照相有机光电导体的树脂。
本发明提供了一种生产硅型电荷迁移物质的方法，该物质是带有多个芳基的芳族取代的叔胺。该物质具有通过烃基被引入到该化合物的至少一个芳基上的甲硅烷基，所述的化合物具有电荷迁移性质和电离势在4.5-6.2eV范围。该方法使用不饱和脂族基，其与芳基键连，构成硅型电荷迁移化合物，或使用新键连的不饱和脂族基，然后与其中硅原子的取代基是氢原子或可水解基团的硅烷键连。该方法利用氢化硅烷化反应在催化剂如铂化合物存在下进行。
然后使生产的硅型电荷迁移物质与铂化合物的吸附剂接触，使得铂化合物被吸附到吸附剂上。然后将铂化合物与吸附剂一起除去，使得剩余的铂化合物的浓度低于10ppm。
本发明的硅型电荷迁移物质是具有许多芳基的芳族取代的叔胺，甲硅烷基通过烃基被引入到该化合物的至少一个芳基上。具有电荷迁移性质的化合物具有电离势在4.5-6.2eV范围且为下式的化合物：
A-[R1SiR3 2-nQn]p其中A是芳族取代的叔胺，其具有许多芳基，且A是由具有电荷迁移性质和电离势在4.5-6.2eV范围的化合物衍生得到的有机基团；R1是具有1-18个碳原子的亚烷基；R2是具有1-15个碳原子的单价烃基或卤素-取代的单价烃基；Q是可水解基团；n和p分别是1-3的整数。本发明硅型电荷迁移物质的特征在于它表示芳族取代的叔胺，其具有许多芳基，可水解的甲硅烷基，并且其中甲硅烷基通过烃基被引入到具有电荷迁移性质和电离势为4.5-6.2eV的化合物的至少一个芳基的芳环上。
在本文中，术语“衍生”指从电荷迁移化合物的芳环上除去氢原子或其他取代基。
可水解基团Q的实例包括羟基，甲氧基，乙氧基，丁氧基，甲基乙基酮肟基，二乙氨基，乙酰氧基，丙烯氧基，和Cl。其中，羟基和烷氧基，尤其是具有1-6个碳原子的烷氧基是优选的。
本发明硅型电荷迁移化合物具有4.5-6.2eV的电离势。当电离势低于4.5eV时，硅型电荷迁移物质容易被氧化和受损，使其不符合要求。当电离势超过6.2eV时，从电荷产生层的电荷发射受阻，导致降低灵敏度，也使其不符合要求。本发明的电离势通过室外光电光谱测定法使用由RikenkeikiTM公司生产的表面分析仪AC-1测量。
在本发明提供的硅型电荷迁移物质中，有机硅基团通过烃基与给电子体基团键合。如果它不用烃基而直接键合，在电荷迁移物质中的芳基的π电子通过与硅的d电子的π-d相互作用受影响；这样改变了基材的电离势。通过烃基的键合避免了该现象并且便于设计我们的有机光电导体。
在芳环和硅原子之间引入烃基的一种方法是使用氢化硅烷化反应将不饱和脂族基与在电荷迁移化合物中的多个芳环的至少一个通过硅原子的主要取代基是氢原子或烷氧基的烷氧基硅烷键合。例如，通过在与电离势为4.5-6.2eV的芳族取代的叔胺的氮原子键合的芳环上取代的乙烯基与具有与硅键合的氢原子的有机硅化合物之间的氢化硅烷化反应生产硅型电荷迁移物质。将乙烯基引入芳基的一种方法是首先将芳环上的氢原子或甲基甲酰化，最后通过Wittig反应将得到的醛基转化成乙烯基而引入乙烯基。在该过程之后可以采用氢化硅烷化反应。另一方法是将在芳环上取代的饱和烃基如甲基溴甲基化，从而生产锂-配合物，然后将其与卤代烷氧基硅烷反应。
本发明的方法中使用的电离势为4.5-6.2eV的芳族取代的叔胺A可以由任何下列化合物构成，其中Me是甲基，Et是乙基，Ph是苯基，Bu是丁基，和Pr是丙基。
下面是前面显示的(总共72个化合物)中的某些(51个)芳族取代的叔胺(A)的代表性的氧化势和电离势。这些氧化势和电离势仅仅对应指的是那些在上面用参考数字，如1A定义的具体化合物。1A-电离势：5.7eV1B-氧化势：0.78V电离势：5.42eV1C-氧化势：0.81V电离势：5.45eV3A-氧化势：0.84V电离势：5.47eV5A-氧化势：0.57V电离势：5.22eV5B-氧化势：0.75V电离势：5.40eV5C-氧化势：0.76V电离势：5.40eV5D-氧化势：0.86V电离势：5.49eV6A-氧化势：0.76V电离势：5.40eV6B-氧化势：0.79V电离势：5.43eV6C-氧化势：0.75V电离势：5.40eV6D-氧化势：0.77V电离势：5.41eV7A-氧化势：0.80V电离势：5.44eV7B-氧化势：0.79V 电离势：5.43eV7C-氧化势：0.88V电离势：5.51eV8A-氧化势：0.76V电离势：5.40eV8B-氧化势：0.74V电离势：5.38eV8C-氧化势：0.77V电离势：5.41eV9A-氧化势：0.63V电离势：5.28eV9B-氧化势：0.62V电离势：5.27eV9C-氧化势：0.58V电离势：5.22eV9D-氧化势：0.59V电离势：5.23eV10A-氧化势：0.80V电离势：5.44eV10B-氧化势：0.78V电离势：5.43eV10C-氧化势：0.78V电离势：5.43eV10D-氧化势：0.76V电离势：5.41eV11A-氧化势：0.58V电离势：5.23eV11B-氧化势：0.58V电离势：5.23eV11C-氧化势：0.63V电离势：5.28eV11D-氧化势：0.77V电离势：5.41eV12A-氧化势：0.83V电离势：5.47eV12B-氧化势：0.83V电离势：5.47eV12C-氧化势：0.84V电离势：5.47eV12D-氧化势：0.83V电离势：5.47eV13A-氧化势：0.83V电离势：5.47eV13B-氧化势：0.85V电离势：5.48eV13C-氧化势：0.74V电离势：5.38eV13D-氧化势：0.80V电离势：5.44eV14A-氧化势：0.83V电离势：5.47eV14B-氧化势：0.84V电离势：5.47eV14C-氧化势：0.72V电离势：5.36eV14D-氧化势：0.73V电离势：5.38eV14E-氧化势：0.81V 电离势：5.45eV17A-氧化势：0.78V电离势：5.43eV17B-氧化势：0.76V电离势：5.40eV17C-氧化势：0.82V电离势：5.46eV17D-氧化势：0.82V电离势：5.45eV18A-氧化势：0.89V电离势：5.52eV18B-氧化势：0.81V电离势：5.45eV18C-氧化势：0.84V电离势：5.47eV18D-氧化势：0.79V电离势：5.43eV
烷氧基硅烷在叔胺的芳环上被引入的位置没有限制，烷氧基硅烷基也不需要与所有芳环键合。通过考虑某些因素如在聚硅氧烷树脂中的溶解性确定这些情况。在这种情况下，将乙烯基引入与氮原子键合的芳环的方法是首先将芳环上的氢原子或甲基甲酰化，最后通过Wittig反应将所得醛基转化成乙烯基。它也通过利用在仲胺上的氢与被乙烯基取代的卤代芳基化合物之间的脱去卤化氢反应制备。
能够与具有电离势为4.5-6.2eV的叔胺A的芳环键合的乙烯基反应的氢化有机硅化合物是在分子中硅原子上的取代基或者是氢原子或者是烷氧基的氢化有机硅化合物。该化合物通过氢化硅烷化反应加到乙烯基上。直接与硅原子键连的氢原子是加到乙烯基上的氢化硅烷化反应的必要成分。另一必要成分是可水解基团，如烷氧基-OR3。烷氧基的R3是较短的链，即，1-6个碳原子的基团，如甲基，乙基，丙基，丁基，戊基和己基，或R3是支链烷基。R3的选择取决于产物的预期用途，氢化硅烷化过程中的稳定性，和可水解性质。
式(I)中的整数n表示在硅上取代的烷氧基的数目。当n大于1时，化合物的亲水性得到改善。当有数个基团被缩合时，该化合物也用作交联剂；所以做出这种选择必须要考虑交联所引起的树脂的硬度，以及其亲水性。
有机基团R2不是氢原子或烷氧基，其直接与硅原子键连，其根据在聚硅氧烷树脂中的硅原子上的取代基的类型，和根据各种性质如在树脂中的溶解性，氢化硅烷化反应的反应性，和聚硅氧烷树脂的其他性质调整来选择。R2是烷基如甲基，乙基，丙基，丁基，戊基和己基；链烯基如乙烯基或烯丙基；卤代烃基；芳基如苯基或甲苯基；卤代烃基如氯甲基，氯乙基和氯丙基；和用三氟丙基，七氟戊基，和九氟己基代表的氟化烃基。如果在聚硅氧烷树脂中的硅原子上的取代基是甲基，则如果R2也是甲基时其溶解性更好。
本发明可固化的聚硅氧烷树脂是可溶于有机溶剂的树脂，和主要选定已知为MT树脂，MQ树脂，T树脂，和聚倍半硅氧烷(polysilsesquioxane)的硅型大分子。生产这些树脂的方法是已知的，如在“Silicon-BasedPolymer Science”，由John M.Ziegler和F.W.Gordon Fearon编写，ACS系列224，美国化学会(1990)的第71页描述的方法。
本发明的氢化硅烷化反应使用铂催化剂或有机过氧化物催化剂进行。铂化合物是用于已知氢化硅烷化反应，或加成型聚硅氧烷橡胶制备的铂化合物。催化剂不能含有氯，因为残留的氯化铂或氯铂酸在使用时会产生盐酸。当加入到作为电荷迁移物质的聚硅氧烷树脂中时，盐酸是抑制电子空穴迁移功能的物质。
因此，可以使用物质如铂；膦配合物；和其中铂载于载体上的物质，如铂/碳，铂/硅胶，和铂/大分子。铂催化剂的量是常规使用量。因此，铂金属的量与不饱和脂族基的摩尔比率被设定为1/10至1/100000。在其中芳环被取代的叔胺的情况中，考虑到位阻，从促进反应的观点上看，该量优选为1/10至1/10000。
但是，当有剩余的铂时，硅型电荷迁移物质变成棕色至黑色。当产生光电荷的物质见光时会导致光吸收或光散射。此外，当铂化合物遇到高温或在空气中放置很长时间时，它们分解，并且沉积铂黑金属颗粒。另一缺点是在有机烷氧基硅烷中的烷氧基遇到水或羟基时容易被水解，其通过铂容易被缩合和大分子化。考虑到这些因素，需要在硅型电荷迁移物质中降低剩余铂的量。因此，在硅型电荷迁移物质中含有铂的量应该低于10ppm，优选低于1ppm。在本发明的应用中，铂化合物的浓度是利用原子吸收得到的铂原子浓度。
在硅型电荷迁移物质中的剩余铂通过加入铂被吸附在其上的吸附材料如活性炭、硅胶、和多孔氧化铝被吸附。这些吸附材料必须是对在溶液中的迁移物质惰性的。然后通过过滤将溶液与吸附剂一起除去。吸附剂也作为柱中的填料使用，在柱中进行分离。电子空穴迁移物质的溶液的浓度优选低于50％(重量)，但是由于该溶液的粘度会根据使用的铂催化剂的类型变化，其精确范围不能预测。类似地，氢化硅烷化反应的温度不能确定，因为该温度根据使用的铂催化剂的类型、其数量、反应基团、物质、和反应条件变化。但是，从效率观点上看，温度应该低于铂催化剂的分解温度，高于室温，和低于200℃。考虑到在加热下不饱和脂族基的稳定性，反应温度需要低于100℃。
当使用有机过氧化物作为催化剂时，唯一的限制是其半衰期高于室温。有用的有机过氧化物是游离基聚合引发剂如过氧化月桂基，过氧化丁基，和过氧化苯甲酰。
氢化硅烷化反应的产物被分成两组。在其中一组中，硅原子被加到乙烯基的α位，在另一组中，硅原子被加到乙烯基的β位。该位置取决于反应条件，如乙烯基化合物取代基的类型和使用的催化剂的类型。在本发明中，在氢化硅烷化过程中混合物对α-加成和β-加成没有不利影响。事实上，有混合物是优选的，因为它避免了往往容易形成聚集体的电荷迁移物质的聚集。实施例14-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]三苯基胺的合成和4-(N，N-二苯基氨基)苯甲醛的合成
将101.4克三苯基胺和35.5毫升二甲基甲酰胺(DMF)放入三颈烧瓶中，同时搅拌并在冰水中冷却，将84.4毫升磷酰氯滴入烧瓶。将温度升至95℃，混合物反应5小时。将反应溶液倒入4升温水中并搅拌1小时。然后收集沉淀并在1∶1的乙醇/水混合溶液中洗涤，得到4-(N，N-二苯基氨基)苯甲醛。产量为91.5克(产率是81.0％)。熔点是128.6-130.1℃。4-乙烯基三苯基胺的合成
将14.6克氢化钠和700毫升1，2-二甲氧基乙烷放入三颈烧瓶中，同时在室温下搅拌，加入130.8克溴化四甲基鏻。加入一滴无水乙醇之后，混合物在70℃反应4小时。然后将100克4-(N，N -二苯基氨基)苯甲醛加入该混合物中。将反应温度升至70℃，混合物反应5小时。过滤反应溶液，将沉淀的乙醚提取液和滤液在水中洗涤。然后，用氯化钙将乙醚溶液脱水，除去乙醚，得到反应混合物。从乙醇将其重结晶，得到针状柠檬黄的4-乙烯基三苯基胺。产量是83.4克(产率是84.0％)。熔点是88.5-90.4℃4-乙烯基三苯基胺的氢化硅烷化
将40毫升甲苯，9.9克(60毫摩尔)三乙氧基硅烷，和0.018毫摩尔三-(四甲基二乙烯基二硅氧烷)二铂(0，即，在分子中铂的氧化数是0)的甲苯溶液加入三颈烧瓶中，同时在室温下搅拌，将8.2克4-乙烯基三苯基胺的20毫升甲苯溶液滴入烧瓶中。滴加完全后，将混合物在70℃搅拌3小时，然后用120毫升甲苯溶液稀释。将稀释的溶液在填有200克干燥活性炭的柱中在140℃和真空中处理7小时。减压除去甲苯。得到高粘度柠檬黄液体精制物质。通过无框架原子吸收方法使用HitachiTM PolarizedZeeman Atomic Absorption Spectrophotometer测量精制材料的铂浓度。结果表明精制材料的铂浓度是0.8ppm。实施例24-[N，N-二-(3，4-二甲基苯基)氨基]-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]苯的合成和N，N-二-(3，4-二甲基苯基)氨基苯的合成
将38.5克(166毫摩尔)4-碘代-邻-二甲苯，22.9克(166毫摩尔)无水碳酸钾，和7.0克铜粉加入20毫升硝基苯中，加热回流8小时并搅拌。将混合物冷却，过滤，和除去滤液。将得到的反应混合物通过硅胶柱，得到N，N-二-(3，4-二甲基苯基)氨基苯。产量是15.7克(产率69％)。4-[N，N-二-(3，4-二甲基苯基)氨基]苯甲醛的合成
将124.6克[N，N-二-(3，4-二甲基苯基)氨基]苯和35.5毫升DMF放入三颈烧瓶中，同时搅拌并在冰水中冷却，将84.4毫升磷酰氯滴入烧瓶。滴加完全之后，将混合物溶液在95℃反应5小时，然后倒入4升温水中并搅拌1小时。收集沉淀并在1∶1的乙醇/水混合溶液中洗涤，得到107.6克4-[N，N-二-(3，4-二甲基苯基)氨基]苯甲醛(产率为79.0％)。4-[N，N-二-(3，4-二甲基苯基)氨基]苯乙烯的合成
将12.1克氢化钠和580毫升1，2-二甲氧基乙烷放入三颈烧瓶中，同时在室温下搅拌，加入108.5克溴化四甲基鏻。在滴入一滴无水乙醇之后，将混合物在70℃反应4小时。向反应混合物中加入100克4-[N，N-二-(3，4-二甲基苯基)氨基]苯甲醛，混合物在70℃反应5小时。将反应溶液过滤，将滤饼的乙醚提取物和滤液在水中洗涤。乙醚溶液用氯化钙脱水。除去乙醚，得到反应混合物。将该混合物用乙醇重结晶两次，得到针状的4-[N，N-二-(3，4-二甲基苯基)氨基]苯乙烯。产量是84.5克(产率是85.0％)。4-[N，N-二-(3，4-二甲基苯基)氨基]苯乙烯的氢化硅烷化
将40毫升甲苯，6.0克三乙氧基硅烷，和0.54毫摩尔三-(四甲基二乙烯基二硅氧烷)二铂(0)的甲苯溶液加入三颈烧瓶中，同时在室温下搅拌，将9.9克4-[N，N-二-(3，4-二甲基苯基)氨基]苯乙烯的20毫升甲苯溶液滴入烧瓶中。滴加完全后，将混合物在70℃搅拌3小时，然后减压除去溶剂，得到4-[N，N-二-(3，4-二甲基苯基)氨基]-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]苯的柠檬黄油状物。其产量是13.4克(产率90.1％)。将该精制材料经过与实施例1中的相同方法处理，用相同的方法测量铂。该精制材料的铂浓度是1.9ppm。实施例34-[2-(三乙氧基甲硅烷基)乙基]三苯基胺的合成和4-(N，N-二苯基氨基)苯甲醛的合成
将101.4克三苯基胺和35.5毫升二甲基甲酰胺(DMF)放入三颈烧瓶中，同时搅拌并在冰水中冷却，将84.4毫升磷酰氯滴入烧瓶。将温度升至95℃，混合物反应5小时。将4升温水倒入烧瓶中并搅拌1小时。然后收集沉淀并在1∶1的乙醇/水混合溶液中洗涤，得到4-(N，N-二苯基氨基)苯甲醛。产量为91.5克(产率是81.0％)。熔点是128.6-130.1℃。4-乙烯基三苯基胺的合成
将14.6克氢化钠和700毫升1，2-二甲氧基乙烷放入三颈烧瓶中，同时在室温下搅拌，加入130.8克溴化四甲基鏻。加入一滴无水乙醇之后，混合物在70℃反应4小时。然后将100克4-(N，N-二苯基氨基)苯甲醛加入该混合物中。将反应温度升至70℃，混合物反应5小时。反应完全后过滤反应溶液，将沉淀的乙醚提取液和滤液在水中洗涤。然后，用氯化钙将乙醚溶液脱水，除去乙醚，得到反应混合物。从乙醇将其重结晶，得到针状柠檬黄的4-乙烯基三苯基胺。产量是83.4克(产率是84.0％)。熔点是88.5-90.4℃4-乙烯基三苯基胺的氢化硅烷化
将40毫升甲苯，9.9克(60毫摩尔)三乙氧基硅烷，和0.018毫摩尔三-(四甲基二乙烯基二硅氧烷)二铂(0)的甲苯溶液加入三颈烧瓶中，同时在室温下搅拌，将8.2克4-乙烯基三苯基胺的20毫升甲苯溶液滴入烧瓶中。滴加完全后，将混合物在70℃搅拌3小时，冷却至室温，然后用110毫升甲苯溶液稀释反应混合物。将该稀释溶液经过与实施例1中的相同方法处理，用相同的方法测量铂。其铂浓度是1.9ppm。
由上所述可以看到，本发明提供了一种电子空穴迁移物质，其在聚硅氧烷树脂中是可溶的。当与这些树脂混合时该物质是透明的。这些特征提供了优良的硬度和环境抵抗性，这使得该物质能够作为低表面能聚硅氧烷有机光电导性树脂应用。本发明提供的硅型电子空穴迁移物质不仅可以在电照相方法，如复印机和激光打印机中使用，还可以在有机电发光元件的结构中作为必需的电荷迁移层。
Claims (7)
1. 一种生产式A-[R1SiR2 3-nQn]p的硅型电荷迁移物质的方法，其中A是具有多个芳基的芳族取代的叔胺，A是由具有电荷迁移性质和电离势在4.5-6.2eV范围的化合物衍生得到的有机基团；R1是具有1-18个碳原子的亚烷基；R2是具有1-15个碳原子的单价烃基或卤素-取代的单价烃基；Q是可水解基团；n和p各自是1-3；
该硅型电荷迁移物质的特征在于其用具有许多芳基和含有可水解基团Q的甲硅烷基的芳族取代的叔胺表示；
所述方法包括，在氢化硅烷化铂化合物作为催化剂存在下，将甲硅烷基通过烃基引入到具有电荷迁移性质和电离势在4.5-6.2eV范围的化合物的至少一个芳基的芳环上；
将硅型电荷迁移物质与铂化合物的吸附剂接触并将铂化合物吸附到吸附剂上；从硅型电荷迁移物质中分离铂化合物和吸附剂，使得在硅型电荷迁移物质中剩余铂化合物的浓度低于10ppm。
2.根据权利要求1的方法，其中可水解基团Q是烷氧基。
3.根据权利要求2的方法，其中具有电荷迁移性质的化合物的一些或所有芳基具有不饱和烃基形式的取代基，该取代基经过与烷氧基硅烷的氢化硅烷化得到式A-[R1SiR2 3-nQn]p的硅型电荷迁移物质。
4.根据权利要求1的方法，其中吸附剂对硅型电荷迁移物质是惰性的，其选自活性炭，硅胶，和多孔氧化铝。
5.根据权利要求1的方法，其中将硅型电荷迁移物质与作为其中已经溶有硅型电荷迁移物质的溶液的吸附剂接触，将溶液通过吸附剂填充柱从硅型电荷迁移物质中分离铂化合物。
6.一种可由权利要求1中定义的方法得到的硅型电荷迁移物质。
7.一种生产式A-[R1SiR2 3-nQn]p的硅型电荷迁移物质的方法，其中A是具有许多芳基的芳族取代的叔胺，A是由具有电荷迁移性质和电离势在4.5-6.2eV范围的化合物衍生得到的有机基团；R1是具有1-18个碳原子的亚烷基；R2是具有1-15个碳原子的单价烃基或卤素-取代的单价烃基；Q是可水解基团；和n和p各自是1-3；
所述方法包括，在氢化硅烷化铂化合物作为催化剂存在下，将烃基引入到具有电荷迁移性质和含有在芳环上取代的乙烯基的化合物的该芳环与带有与硅键连的氢原子的有机硅化合物的硅原子之间；
将硅型电荷迁移物质与铂化合物的吸附剂接触并将铂化合物吸附到吸附剂上；从硅型电荷迁移物质中分离铂化合物和吸附剂，使得在硅型电荷迁移物质中剩余铂化合物的浓度低于10ppm。
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