JP3486705B2 - ポリシロキサン化合物ならびにその製造方法及びそれを用いた電子写真用感光体 - Google Patents
ポリシロキサン化合物ならびにその製造方法及びそれを用いた電子写真用感光体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規ポリシロキサン化合
物、その製造方法および感光層中に該ポリシロキサン化
合物を含有させた電子写真用感光体に関する。
物、その製造方法および感光層中に該ポリシロキサン化
合物を含有させた電子写真用感光体に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、電子写真方式において使用される感
光体の光導電性素材として用いられているものにセレ
ン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機物質がある。
ここにいう「電子写真方式」とは、一般に、光導電性の
感光体をまず暗所で、例えばコロナ放電によって帯電せ
しめ、次いで像露光し、露光部のみの電荷を選択的に散
逸せしめて静電潜像を得、この潜像部を染料、顔料など
の着色材と高分子物質などの結合剤とから構成される検
電微粒子（トナー）で現像し可視化して画像を形成する
ようにした画像形成法の一つである。
光体の光導電性素材として用いられているものにセレ
ン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機物質がある。
ここにいう「電子写真方式」とは、一般に、光導電性の
感光体をまず暗所で、例えばコロナ放電によって帯電せ
しめ、次いで像露光し、露光部のみの電荷を選択的に散
逸せしめて静電潜像を得、この潜像部を染料、顔料など
の着色材と高分子物質などの結合剤とから構成される検
電微粒子（トナー）で現像し可視化して画像を形成する
ようにした画像形成法の一つである。
【０００３】このような電子写真法において感光体に要
求される基本的な特性としては、（１）暗所で適当な電
位に帯電できること、（２）暗所において電荷の散逸が
少ないこと、（３）光照射によって速やかに電荷を逸散
せしめうることなどがあげられる。
求される基本的な特性としては、（１）暗所で適当な電
位に帯電できること、（２）暗所において電荷の散逸が
少ないこと、（３）光照射によって速やかに電荷を逸散
せしめうることなどがあげられる。
【０００４】ところで、前記の無機物質はそれぞれが多
くの長所をもっていると同時に、さまざまな欠点をも有
しているのが実状である。例えば、現在広く用いられて
いるセレンは前記（１）〜（３）の条件は十分に満足す
るが、製造する条件がむずかしく、製造コストが高くな
り、可撓性がなく、ベルト状に加工することがむずかし
く、熱や機械的の衝撃に鋭敏なため取扱いに注意を要す
るなどの欠点もある。硫化カドミウムや酸化亜鉛は、結
合剤としての樹脂に分散させて感光体として用いられて
いるが、平滑性、硬度、引張り強度、耐摩擦性などの機
械的な欠点があるためにそのままでは反復して使用する
ことができない。
くの長所をもっていると同時に、さまざまな欠点をも有
しているのが実状である。例えば、現在広く用いられて
いるセレンは前記（１）〜（３）の条件は十分に満足す
るが、製造する条件がむずかしく、製造コストが高くな
り、可撓性がなく、ベルト状に加工することがむずかし
く、熱や機械的の衝撃に鋭敏なため取扱いに注意を要す
るなどの欠点もある。硫化カドミウムや酸化亜鉛は、結
合剤としての樹脂に分散させて感光体として用いられて
いるが、平滑性、硬度、引張り強度、耐摩擦性などの機
械的な欠点があるためにそのままでは反復して使用する
ことができない。
【０００５】近年、これら無機物質の欠点を排除するた
めにいろいろな有機物質を用いた電子写真用感光体が提
案され、実用に供されているものもある。例えば、ポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾールと２，４，７−トリニトロフ
ルオレン−９−オンとからなる感光体（米国特許第３４
８４２３７号明細書に記載）、ポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾールをピリリウム塩系色素で増感してなる感光体（特
公昭４８−２５６５８号公報に記載）、有機顔料を主成
分とする感光体（特開昭４７−３７５４３号公報に記
載）、染料と樹脂とからなる共晶錯体を主成分とする感
光体（特開昭４７−１０７３５号公報に記載）、トリフ
ェニルアミン化合物を色素増感してなる感光体（米国特
許第３，１８０，７３０号）、アミン誘導体を電荷輸送
材料として用いる感光体（特開昭５７−１９５２５４号
公報）、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールとアミン誘導体
を電荷輸送材料として用いる感光体（特開昭５８−１１
５５号公報）、多官能第３アミン化合物なかでもベンジ
ジン化合物を光導電材料として用いる感光体（米国特許
第３，２６５，４９６号、特公昭３９−１１５４６号公
報、特開昭５３−２７０３３号公報）などである。これ
らの感光体は優れた特性を有しており実用的にも価値が
高いと思われるものであるが、電子写真法において、感
光体に対するいろいろな要求を考慮すると、まだ、これ
らの要求を十分に満足するものが得られていないのが実
状である。
めにいろいろな有機物質を用いた電子写真用感光体が提
案され、実用に供されているものもある。例えば、ポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾールと２，４，７−トリニトロフ
ルオレン−９−オンとからなる感光体（米国特許第３４
８４２３７号明細書に記載）、ポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾールをピリリウム塩系色素で増感してなる感光体（特
公昭４８−２５６５８号公報に記載）、有機顔料を主成
分とする感光体（特開昭４７−３７５４３号公報に記
載）、染料と樹脂とからなる共晶錯体を主成分とする感
光体（特開昭４７−１０７３５号公報に記載）、トリフ
ェニルアミン化合物を色素増感してなる感光体（米国特
許第３，１８０，７３０号）、アミン誘導体を電荷輸送
材料として用いる感光体（特開昭５７−１９５２５４号
公報）、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールとアミン誘導体
を電荷輸送材料として用いる感光体（特開昭５８−１１
５５号公報）、多官能第３アミン化合物なかでもベンジ
ジン化合物を光導電材料として用いる感光体（米国特許
第３，２６５，４９６号、特公昭３９−１１５４６号公
報、特開昭５３−２７０３３号公報）などである。これ
らの感光体は優れた特性を有しており実用的にも価値が
高いと思われるものであるが、電子写真法において、感
光体に対するいろいろな要求を考慮すると、まだ、これ
らの要求を十分に満足するものが得られていないのが実
状である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、先に
述べた従来の感光体のもつ種々の欠点を解消し、電子写
真法において要求される条件を十分満足しうる電子写真
感光体に用いる光導電性材料として有用な新規ポリシロ
キサン化合物及びその製造方法、更に、該ポリシロキサ
ン化合物を用いた耐久性にもすぐれた電子写真用感光体
を提供することにある。
述べた従来の感光体のもつ種々の欠点を解消し、電子写
真法において要求される条件を十分満足しうる電子写真
感光体に用いる光導電性材料として有用な新規ポリシロ
キサン化合物及びその製造方法、更に、該ポリシロキサ
ン化合物を用いた耐久性にもすぐれた電子写真用感光体
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記一
般式（Ｉ）で表わされるポリシロキサン化合物が提供さ
れる。
般式（Ｉ）で表わされるポリシロキサン化合物が提供さ
れる。
【化１】
（式中、Ｒは、アルキル基又はフェニル基を表わし、Ｘ
は、単結合、酸素原子、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表
わし、Ａｒ1は、アリレン基を表わし、Ａｒ2、Ａｒ
3は、アリール基を表わし、相互に同一でも異なってい
てもよい。ｎは、２〜２０の整数を表わし、ｌは、重合
度を表わす。） また、本発明によれば、下記一般式（II）で表わされる
ポリシロキサン化合物が提供される。
は、単結合、酸素原子、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表
わし、Ａｒ1は、アリレン基を表わし、Ａｒ2、Ａｒ
3は、アリール基を表わし、相互に同一でも異なってい
てもよい。ｎは、２〜２０の整数を表わし、ｌは、重合
度を表わす。） また、本発明によれば、下記一般式（II）で表わされる
ポリシロキサン化合物が提供される。
【化２】
（式中、Ｒは、アルキル基又はフェニル基を表わし、Ｘ
は、単結合、酸素原子、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表
わし、Ａｒ1は、アリレン基を表わし、Ａｒ2、Ａｒ
3は、アリール基を表わし、相互に同一でも異なってい
てもよい。ｎは、２〜２０の整数を表わし、ｌは、重合
度を表わす。） さらに、本発明によれば、下記一般式（III)
は、単結合、酸素原子、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表
わし、Ａｒ1は、アリレン基を表わし、Ａｒ2、Ａｒ
3は、アリール基を表わし、相互に同一でも異なってい
てもよい。ｎは、２〜２０の整数を表わし、ｌは、重合
度を表わす。） さらに、本発明によれば、下記一般式（III)
【化３】
（式中、Ｒは、アルキル基又はフェニル基を表わし、ｌ
は、重合度を表わす。）で表わされるポリシロキサン化
合物と、下記一般式（IV）
は、重合度を表わす。）で表わされるポリシロキサン化
合物と、下記一般式（IV）
【化４】
（式中、Ｘは、単結合、酸素原子、−ＣＯＯ−又は−Ｏ
ＣＯ−を表わし、Ａｒ1は、アリレン基を表わし、Ａ
ｒ2、Ａｒ3は、アリール基を表わし、相互に同一でも異
なっていてもよい。ｍは、０〜１８の整数を表わす。）
で表わされるアルケニル化合物とを、ヒドロシリル化触
媒の存在下に反応させることを特徴とする、下記一般式
(Ｉ）
ＣＯ−を表わし、Ａｒ1は、アリレン基を表わし、Ａ
ｒ2、Ａｒ3は、アリール基を表わし、相互に同一でも異
なっていてもよい。ｍは、０〜１８の整数を表わす。）
で表わされるアルケニル化合物とを、ヒドロシリル化触
媒の存在下に反応させることを特徴とする、下記一般式
(Ｉ）
【化１】
（式中、Ｒ、Ｘ、Ａｒ1〜Ａｒ3は、ｎ及びｌは、前記の
定義と同一である。）で表わされるポリシロキサン化合
物の製造方法が提供される。またさらに、本発明によれ
ば、導電性支持体上に、下記一般式（Ｉ）で表わされる
ポリシロキサン化合物の少なくとも１種を有効成分とし
て含有する感光層を有することを特徴とする電子写真用
感光体が提供される。
定義と同一である。）で表わされるポリシロキサン化合
物の製造方法が提供される。またさらに、本発明によれ
ば、導電性支持体上に、下記一般式（Ｉ）で表わされる
ポリシロキサン化合物の少なくとも１種を有効成分とし
て含有する感光層を有することを特徴とする電子写真用
感光体が提供される。
【化１】
（式中、Ｒ、Ｘ、Ａｒ1〜Ａｒ3は、ｎ及びｌは、前記の
定義と同一である。）
定義と同一である。）
【０００８】本発明の前記一般式（Ｉ）で表わされるポ
リシロキサン化合物は、新規化合物であり、その分子量
（ＧＰＣによる数平均分子量）は１，０００〜２０万好
ましくは５，０００〜１０万である。新規化合物の具体
例を、前記一般式（Ｉ）に基づいて以下に説明する。
前記一般式（Ｉ）中、Ｒにおけるアルキル基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基等の
直鎖状、又は分岐状のアルキル基が挙げられるが、合成
上の容易性等からメチル基が好ましい。
リシロキサン化合物は、新規化合物であり、その分子量
（ＧＰＣによる数平均分子量）は１，０００〜２０万好
ましくは５，０００〜１０万である。新規化合物の具体
例を、前記一般式（Ｉ）に基づいて以下に説明する。
前記一般式（Ｉ）中、Ｒにおけるアルキル基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基等の
直鎖状、又は分岐状のアルキル基が挙げられるが、合成
上の容易性等からメチル基が好ましい。
【０００９】前記一般式（Ｉ）において、Ａｒ2、Ａｒ3
はアリール基であり、具体例として、非縮合炭素環式
基、縮合多環式炭化水素基及び複素環基が挙げられる。
はアリール基であり、具体例として、非縮合炭素環式
基、縮合多環式炭化水素基及び複素環基が挙げられる。
【００１０】該縮合多環式炭化水素基としては、好まし
くは環を形成する炭素数が１８個以下のもの例えば、ペ
ンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル
基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、ａｓ−インダ
セニル基、フルオレニル基、ｓ−インダセニル基、アセ
ナフチレニル基、プレイアデニル基、アセナフテニル
基、フェナレニル基、フェナントリル基、アントリル
基、フルオランテニル基、アセフェナントリレニル基、
アセアントリレニル基、トリフェニレルニ基、ピレニル
基、クリセニル基、及びナフタセニル基等が挙げられ
る。
くは環を形成する炭素数が１８個以下のもの例えば、ペ
ンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル
基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、ａｓ−インダ
セニル基、フルオレニル基、ｓ−インダセニル基、アセ
ナフチレニル基、プレイアデニル基、アセナフテニル
基、フェナレニル基、フェナントリル基、アントリル
基、フルオランテニル基、アセフェナントリレニル基、
アセアントリレニル基、トリフェニレルニ基、ピレニル
基、クリセニル基、及びナフタセニル基等が挙げられ
る。
【００１１】また、該非縮合炭素環式炭化水素基として
は、ベンゼン、ジフェニルエーテル、ポリエチレングリ
コールジフェニルエーテル、ジフェニルチオエーテル及
びジフェニルスルホン等の単環式炭化水素化合物の１価
基、あるいはビフェニル、ポリフェニル、ジフェニルア
ルカン、ジフェニルアルケン、ジフェニルアルキン、ト
リフェニルメタン、ジスチリルベンゼン、１，１−ジフ
ェニルシクロアルカン、ポリフェニルアルカン及びポリ
フェニルアルケン等の非縮合多環式炭化水素化合物の１
価基、あるいは９，９−ジフェニルフルオレン等の環集
合炭化水素化合物の１価基が挙げられる。
は、ベンゼン、ジフェニルエーテル、ポリエチレングリ
コールジフェニルエーテル、ジフェニルチオエーテル及
びジフェニルスルホン等の単環式炭化水素化合物の１価
基、あるいはビフェニル、ポリフェニル、ジフェニルア
ルカン、ジフェニルアルケン、ジフェニルアルキン、ト
リフェニルメタン、ジスチリルベンゼン、１，１−ジフ
ェニルシクロアルカン、ポリフェニルアルカン及びポリ
フェニルアルケン等の非縮合多環式炭化水素化合物の１
価基、あるいは９，９−ジフェニルフルオレン等の環集
合炭化水素化合物の１価基が挙げられる。
【００１２】更にまた、複素環基である場合、具体例と
してカルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェ
ン、オキサジアゾール及びチアジアゾール等の１価基が
挙げられる。
してカルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェ
ン、オキサジアゾール及びチアジアゾール等の１価基が
挙げられる。
【００１３】前記Ａｒ2、Ａｒ3で表わされるアリール基
は以下に示す置換基を有していてもよい。 （１）ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基 （２）アルキル基、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1
〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、
フェニル基又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基も
しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で、置換されたフェニル
基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、
ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフル
オロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエ
チル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル
基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベ
ンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。
は以下に示す置換基を有していてもよい。 （１）ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基 （２）アルキル基、好ましくは、Ｃ1〜Ｃ12とりわけＣ1
〜Ｃ8、さらに好ましくはＣ1〜Ｃ4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基、
フェニル基又はハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基も
しくはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基で、置換されたフェニル
基を含有してもよい。具体的には、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、
ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、トリフル
オロメチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−シアノエ
チル基、２−エトキシエチル基、２−メトキシエチル
基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベ
ンジル基、４−メトキシベンジル基、４−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。
【００１４】（３）アルコキシ基（−ＯＲ1）；Ｒ1は
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
（２）で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポ
キシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキ
シ基、ｉ−ブトキシ基、２−ヒドロキシエトキシ基、２
−シアノエトキシ基、ベンジルオキシ基、４−メチルベ
ンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられ
る。
【００１５】（４）アリールオキシ基：アリール基とし
てフェニル基、ナフチル基があげられる。これは、Ｃ1
〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基またはハ
ロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的に
は、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチ
ルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフ
ェノキノ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２
−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
てフェニル基、ナフチル基があげられる。これは、Ｃ1
〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基またはハ
ロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的に
は、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチ
ルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフ
ェノキノ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２
−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００１６】（５）アルキルメルカプト基またはアリー
ルメルカプト基；具体的にはメチルチオ基、エチルチオ
基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙
げられる。
ルメルカプト基；具体的にはメチルチオ基、エチルチオ
基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙
げられる。
【００１７】
たアルキル基、又はアリール基を表わし、アリール基と
しては、例えばフェニル基、ビフェニリル基又はナフチ
ル基が挙げられ、これらはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ
1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を置換基として
含有してもよい。Ｒ2とＲ3は共同で環を形成しても良
い。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形成して
もよい。） 具体的には、アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル
−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ
基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリール）アミノ基、ジベンジル
アミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基
等が挙げられる。 （７）メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等の
アルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基、等が挙
げられる。 （８）置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の
β−フェニルスチリル基、ジフェニルアミノフェニル
基、ジトリアミノフェニル基等が挙げられる。
しては、例えばフェニル基、ビフェニリル基又はナフチ
ル基が挙げられ、これらはＣ1〜Ｃ4のアルコキシ基、Ｃ
1〜Ｃ4のアルキル基、又はハロゲン原子を置換基として
含有してもよい。Ｒ2とＲ3は共同で環を形成しても良
い。またアリール基上の炭素原子と共同で環を形成して
もよい。） 具体的には、アミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル
−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ
基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリール）アミノ基、ジベンジル
アミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基
等が挙げられる。 （７）メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等の
アルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基、等が挙
げられる。 （８）置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の
β−フェニルスチリル基、ジフェニルアミノフェニル
基、ジトリアミノフェニル基等が挙げられる。
【００１８】前記Ａｒ1で表わされるアリレン基として
は、前記Ａｒ2、Ａｒ3で表わされるアリール基から誘導
される２価の基である。次に本発明の下記一般式（Ｉ）
で表わされるポリシロキサン化合物の製造方法について
説明する。
は、前記Ａｒ2、Ａｒ3で表わされるアリール基から誘導
される２価の基である。次に本発明の下記一般式（Ｉ）
で表わされるポリシロキサン化合物の製造方法について
説明する。
【化１】
（式中、Ｒ、Ｘ、Ａｒ1〜Ａｒ3は、ｎ及びｌは、前記の
定義と同一。） 本発明の上記一般式（Ｉ）で表わされるポリシロキサン
化合物は、前記したように、下記一般式（III)で表わさ
れるポリシロキサンと、下記一般式（IV）で表わされる
アルケニル化合物とを、ヒドロシリル化触媒の存在下に
反応させて製造することができる。
定義と同一。） 本発明の上記一般式（Ｉ）で表わされるポリシロキサン
化合物は、前記したように、下記一般式（III)で表わさ
れるポリシロキサンと、下記一般式（IV）で表わされる
アルケニル化合物とを、ヒドロシリル化触媒の存在下に
反応させて製造することができる。
【化３】
【化４】
（式中、Ｒ、Ｘ、Ａｒ1〜Ａｒ3は、ｎ及びｌは、前記の
定義と同一。）
定義と同一。）
【００１９】前記ヒドロシリル化触媒としては、白金、
白金炭素、塩化白金酸及びジシクロペンタジエニルプラ
チナムジクロライドなどが挙げられ、触媒の使用量は、
前記一般式（IV）で表わされるアルケニル化合物に対し
て１／１００〜１／１０００当量が好適である。また、
ヒドロシリル化反応は溶媒を用いて不活性気体雰囲気で
実施することが好ましく、溶媒としてはベンゼン、トル
エン、キシレン、ヘプタン、テトラヒドロフラン等が挙
げられる。反応温度は４０℃〜１２０℃で行うことが好
ましい。
白金炭素、塩化白金酸及びジシクロペンタジエニルプラ
チナムジクロライドなどが挙げられ、触媒の使用量は、
前記一般式（IV）で表わされるアルケニル化合物に対し
て１／１００〜１／１０００当量が好適である。また、
ヒドロシリル化反応は溶媒を用いて不活性気体雰囲気で
実施することが好ましく、溶媒としてはベンゼン、トル
エン、キシレン、ヘプタン、テトラヒドロフラン等が挙
げられる。反応温度は４０℃〜１２０℃で行うことが好
ましい。
【００２０】本発明の電子写真用感光体は、前記一般式
（Ｉ）で表わされる本発明のポリシロキサン化合物の１
種又は２種以上を感光層２（２′，２′′，２′′′又
は２′′′′）に含有させたものであるが、本発明のポ
リシロキサン化合物の応用の仕方によって図１、図２、
図３、図４あるいは図５に示したごとくに用いることが
できる。
（Ｉ）で表わされる本発明のポリシロキサン化合物の１
種又は２種以上を感光層２（２′，２′′，２′′′又
は２′′′′）に含有させたものであるが、本発明のポ
リシロキサン化合物の応用の仕方によって図１、図２、
図３、図４あるいは図５に示したごとくに用いることが
できる。
【００２１】図１における感光体は導電性支持体１上に
本発明のポリシロキサン化合物、増感染料および結合剤
（結着樹脂）よりなる感光層２が設けられたものであ
る。ここでの該ポリシロキサン化合物は光導電性物質と
して作用し、光減衰に必要な電荷担体の生成および移動
は該ポリシロキサン化合物を介して行なわれる。しかし
ながら、該ポリシロキサン化合物は光の可視領域におい
てほとんど吸収を有していないので、可視光で画像を形
成する目的のためには可視領域に吸収を有する増感染料
を添加して増感する必要がある。
本発明のポリシロキサン化合物、増感染料および結合剤
（結着樹脂）よりなる感光層２が設けられたものであ
る。ここでの該ポリシロキサン化合物は光導電性物質と
して作用し、光減衰に必要な電荷担体の生成および移動
は該ポリシロキサン化合物を介して行なわれる。しかし
ながら、該ポリシロキサン化合物は光の可視領域におい
てほとんど吸収を有していないので、可視光で画像を形
成する目的のためには可視領域に吸収を有する増感染料
を添加して増感する必要がある。
【００２２】図２における感光体は、導電性支持体１上
に電荷発生物質３を、本発明のポリシロキサン化合物と
結合剤とからなる電荷搬送媒体４の中に分散せしめた感
光層２′が設けられたものである。ここでの該ポリシロ
キサン化合物は結合剤（又は、結合剤及び可塑剤）とと
もに電荷搬送媒体を形成し、一方、電荷発生物質３（無
機又は有機顔料のような電荷発生物質）が電荷担体を発
生する。この場合、電荷搬送媒体４は主として電荷発生
物質３が発生する電荷担体を受入れ、これを搬送する作
用を担当している。そして、この感光体にあっては電荷
発生物質と該ポリシロキサン化合物とが、たがいに、主
として可視領域において吸収波長領域が重ならないとい
うのが基本的条件である。これは、電荷発生物質３に電
荷担体を効率よく発生させるためには電荷発生物質表面
まで、光を透過させる必要があるからである。前記一般
式（Ｉ）で表わされるポリシロキサン化合物は可視領域
にほとんど吸収がなく、一般に可視領域の光線を吸収
し、電荷担体を発生する電荷発生物質３と組合わせた場
合、特に有効に電荷搬送物質として働くのがその特長で
ある。
に電荷発生物質３を、本発明のポリシロキサン化合物と
結合剤とからなる電荷搬送媒体４の中に分散せしめた感
光層２′が設けられたものである。ここでの該ポリシロ
キサン化合物は結合剤（又は、結合剤及び可塑剤）とと
もに電荷搬送媒体を形成し、一方、電荷発生物質３（無
機又は有機顔料のような電荷発生物質）が電荷担体を発
生する。この場合、電荷搬送媒体４は主として電荷発生
物質３が発生する電荷担体を受入れ、これを搬送する作
用を担当している。そして、この感光体にあっては電荷
発生物質と該ポリシロキサン化合物とが、たがいに、主
として可視領域において吸収波長領域が重ならないとい
うのが基本的条件である。これは、電荷発生物質３に電
荷担体を効率よく発生させるためには電荷発生物質表面
まで、光を透過させる必要があるからである。前記一般
式（Ｉ）で表わされるポリシロキサン化合物は可視領域
にほとんど吸収がなく、一般に可視領域の光線を吸収
し、電荷担体を発生する電荷発生物質３と組合わせた場
合、特に有効に電荷搬送物質として働くのがその特長で
ある。
【００２３】図３における感光体は、導電性支持体１上
に電荷発生物質３を主体とする電荷発生層５と、本発明
のポリシロキサン化合物を含有する電荷搬送層４との積
層からなる感光層２′′が設けられたものである。この
感光体では、電荷搬送層４を透過した光が電荷発生層５
に到達し、その領域で電荷担体の発生が起こり、一方、
電荷搬送層４は電荷担体の注入を受け、その搬送を行な
うもので、光減衰に必要な電荷担体の発生は、電荷発生
物質３で行なわれ、また電荷担体の搬送は、電荷搬送層
４（主として該ポリシロキサン化合物が働く）で行なわ
れる。こうした機構は図２に示した感光体においてした
説明と同様である。
に電荷発生物質３を主体とする電荷発生層５と、本発明
のポリシロキサン化合物を含有する電荷搬送層４との積
層からなる感光層２′′が設けられたものである。この
感光体では、電荷搬送層４を透過した光が電荷発生層５
に到達し、その領域で電荷担体の発生が起こり、一方、
電荷搬送層４は電荷担体の注入を受け、その搬送を行な
うもので、光減衰に必要な電荷担体の発生は、電荷発生
物質３で行なわれ、また電荷担体の搬送は、電荷搬送層
４（主として該ポリシロキサン化合物が働く）で行なわ
れる。こうした機構は図２に示した感光体においてした
説明と同様である。
【００２４】図４における感光体は、図３に示す感光体
において、電荷発生層５と本発明のポリシロキサン化合
物を含有する電荷搬送層４の積層順を逆にしたものであ
り、その電荷担体の発生及び搬送の機構は上記の説明と
同様にできる。この場合機械的強度を考慮し、後記図５
の感光体の様に電荷発生層５の上に保護層６を設けるこ
ともできる。
において、電荷発生層５と本発明のポリシロキサン化合
物を含有する電荷搬送層４の積層順を逆にしたものであ
り、その電荷担体の発生及び搬送の機構は上記の説明と
同様にできる。この場合機械的強度を考慮し、後記図５
の感光体の様に電荷発生層５の上に保護層６を設けるこ
ともできる。
【００２５】実際に本発明感光体を作製するには、図１
に示した感光体であれば、結合剤を溶かした溶液に本発
明のポリシロキサン化合物の１種又は２種以上を溶解
し、更にこれに増感染料を加えた液をつくり、これを導
電性支持体１上に塗布し乾燥して感光層２を形成すれば
よい。
に示した感光体であれば、結合剤を溶かした溶液に本発
明のポリシロキサン化合物の１種又は２種以上を溶解
し、更にこれに増感染料を加えた液をつくり、これを導
電性支持体１上に塗布し乾燥して感光層２を形成すれば
よい。
【００２６】感光層の厚さは３〜５０μｍ、好ましくは
５〜２０μｍが適当である。感光層２に占める本発明の
ポリシロキサン化合物の量は３０〜７０重量％、好まし
くは約５０重量％であり、また、感光層２に占める増感
染料の量は０．１〜５重量％、好ましくは０．５〜３重
量％である。増感染料としては、ブリリアントグリー
ン、ビクトリアブルーＢ、メチルバイオレット、クリス
タルバイオレット、アシッドバイオレット６Ｂのような
トリアリールメタン染料、ローダミンＢ、ローダミン６
Ｇ、ローダミンＧエキストラ、エオシンＳ、エリトロシ
ン、ローズベンガル、フルオレセインのようなキサンテ
ン染料、メチレンブルーのようなチアジン染料、シアニ
ンのようなシアニン染料、２，６−ジフェニル−４−
（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニル）チアピリリウムパ
ークロレート、ベンゾピリリウム塩（特公昭４８−２５
６５８号公報に記載）などのピリリウム染料などが挙げ
られる。なお、これらの増感染料は単独で用いられても
２種以上が併用されてもよい。
５〜２０μｍが適当である。感光層２に占める本発明の
ポリシロキサン化合物の量は３０〜７０重量％、好まし
くは約５０重量％であり、また、感光層２に占める増感
染料の量は０．１〜５重量％、好ましくは０．５〜３重
量％である。増感染料としては、ブリリアントグリー
ン、ビクトリアブルーＢ、メチルバイオレット、クリス
タルバイオレット、アシッドバイオレット６Ｂのような
トリアリールメタン染料、ローダミンＢ、ローダミン６
Ｇ、ローダミンＧエキストラ、エオシンＳ、エリトロシ
ン、ローズベンガル、フルオレセインのようなキサンテ
ン染料、メチレンブルーのようなチアジン染料、シアニ
ンのようなシアニン染料、２，６−ジフェニル−４−
（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノフェニル）チアピリリウムパ
ークロレート、ベンゾピリリウム塩（特公昭４８−２５
６５８号公報に記載）などのピリリウム染料などが挙げ
られる。なお、これらの増感染料は単独で用いられても
２種以上が併用されてもよい。
【００２７】また、図２に示した感光体を作製するに
は、１種又は２種以上の本発明のポリシロキサン化合物
と結合剤とを溶解した溶液に電荷発生物質３の微粒子を
分散せしめ、これを導電性支持体１上に塗布し乾燥して
感光層２′を形成すればよい。
は、１種又は２種以上の本発明のポリシロキサン化合物
と結合剤とを溶解した溶液に電荷発生物質３の微粒子を
分散せしめ、これを導電性支持体１上に塗布し乾燥して
感光層２′を形成すればよい。
【００２８】感光層２′の厚さは３〜５０μｍ、好まし
くは５〜２０μｍが適当である。感光層２′に占めるポ
リシロキサン化合物の量は１０〜９５重量％、好ましく
は３０〜９０重量％であり、また、感光層２′に占める
電荷発生物質３の量は０．１〜５０重量％、好ましくは
１〜２０重量％である。電荷発生物質３としては、例え
ばセレン、セレン−テルル、硫化カドミウム、硫化カド
ミウム−セレン、α−シリコンなどの無機顔料、有機顔
料としては例えばシーアイピグメントブルー２５（カラ
ーインデックスＣＩ ２１１８０）、シーアイピグメン
トレッド４１（ＣＩ ２１２００）、シーアイアシッド
レッド５２（ＣＩ ４５１００）、シーアイベーシック
レッド３（ＣＩ４５２１０）、カルバゾール骨格を有す
るアゾ顔料（特開昭５３−９５０３３号公報に記載）、
ジスチリルベンゼン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３
−１３３４４５号公報）、トリフェニルアミン骨格を有
するアゾ顔料（特開昭５３−１３２３４７号公報に記
載）、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料（特開
昭５４−２１７２８号公報に記載）、オキサジアゾール
骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１２７４２号公報
に記載）、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭
５４−２２８３４号公報に記載）、ビススチルベン骨格
を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３３号公報に記
載）、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔
料（特開昭５４−２１２９号公報に記載）、ジスチリル
カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１４
９６７号公報に記載）などのアゾ顔料、例えばシーアイ
ピグメントブルー１６（ＣＩ ７４１００）などのフタ
ロシアニン系顔料、例えばシーアイバットブラウン５
（ＣＩ ７３４１０）、シーアイバットダイ（ＣＩ ７
３０３０）などのインジゴ系顔料、アルゴスカーレット
Ｂ（バイエル社製）、インダンスレンスカーレットＲ
（バイエル社製）などのペリレン系顔料などが挙げられ
る。なお、これらの電荷発生物質は単独で用いられても
２種以上が併用されてもよい。
くは５〜２０μｍが適当である。感光層２′に占めるポ
リシロキサン化合物の量は１０〜９５重量％、好ましく
は３０〜９０重量％であり、また、感光層２′に占める
電荷発生物質３の量は０．１〜５０重量％、好ましくは
１〜２０重量％である。電荷発生物質３としては、例え
ばセレン、セレン−テルル、硫化カドミウム、硫化カド
ミウム−セレン、α−シリコンなどの無機顔料、有機顔
料としては例えばシーアイピグメントブルー２５（カラ
ーインデックスＣＩ ２１１８０）、シーアイピグメン
トレッド４１（ＣＩ ２１２００）、シーアイアシッド
レッド５２（ＣＩ ４５１００）、シーアイベーシック
レッド３（ＣＩ４５２１０）、カルバゾール骨格を有す
るアゾ顔料（特開昭５３−９５０３３号公報に記載）、
ジスチリルベンゼン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３
−１３３４４５号公報）、トリフェニルアミン骨格を有
するアゾ顔料（特開昭５３−１３２３４７号公報に記
載）、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料（特開
昭５４−２１７２８号公報に記載）、オキサジアゾール
骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１２７４２号公報
に記載）、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭
５４−２２８３４号公報に記載）、ビススチルベン骨格
を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３３号公報に記
載）、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔
料（特開昭５４−２１２９号公報に記載）、ジスチリル
カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１４
９６７号公報に記載）などのアゾ顔料、例えばシーアイ
ピグメントブルー１６（ＣＩ ７４１００）などのフタ
ロシアニン系顔料、例えばシーアイバットブラウン５
（ＣＩ ７３４１０）、シーアイバットダイ（ＣＩ ７
３０３０）などのインジゴ系顔料、アルゴスカーレット
Ｂ（バイエル社製）、インダンスレンスカーレットＲ
（バイエル社製）などのペリレン系顔料などが挙げられ
る。なお、これらの電荷発生物質は単独で用いられても
２種以上が併用されてもよい。
【００２９】更に、図３に示した感光体は作製するに
は、導電性支持体１以上に電荷発生物質を真空蒸着する
か或いは、電荷発生物質の微粒子３を必要によって結合
剤を溶解した適当な溶媒中に分散した分散液を塗布し乾
燥するかして、更に必要であればバフ研磨などの方法に
よって表面仕上げ、膜厚調整などを行って電荷発生層５
を形成し、この上に１種又は２種以上の本発明のポリシ
ロキサン化合物と結合剤とを溶解した溶液を塗布し乾燥
して電荷搬送層４を形成すればよい。なお、ここで電荷
発生層５の形成に用いられる電荷発生物質は前記の感光
層２′の説明においてしたのと同じものである。
は、導電性支持体１以上に電荷発生物質を真空蒸着する
か或いは、電荷発生物質の微粒子３を必要によって結合
剤を溶解した適当な溶媒中に分散した分散液を塗布し乾
燥するかして、更に必要であればバフ研磨などの方法に
よって表面仕上げ、膜厚調整などを行って電荷発生層５
を形成し、この上に１種又は２種以上の本発明のポリシ
ロキサン化合物と結合剤とを溶解した溶液を塗布し乾燥
して電荷搬送層４を形成すればよい。なお、ここで電荷
発生層５の形成に用いられる電荷発生物質は前記の感光
層２′の説明においてしたのと同じものである。
【００３０】電荷発生層５の厚さは５μｍ以下、好まし
くは２μｍ以下であり、電荷搬送層４の厚さは３〜５０
μｍ、好ましくは５〜２０μｍが適当である。電荷発生
層５が電荷発生層物質の微粒子３を結合剤中に分散させ
たタイプのものにあっては、電荷発生物質の微粒子３の
電荷発生層５に占める割合は１０〜９５重量％、好まし
くは５０〜９０重量％程度である。また、電荷搬送層４
に占める化合物の量は１０〜９５重量％、好ましくは３
０〜９０重量％である。
くは２μｍ以下であり、電荷搬送層４の厚さは３〜５０
μｍ、好ましくは５〜２０μｍが適当である。電荷発生
層５が電荷発生層物質の微粒子３を結合剤中に分散させ
たタイプのものにあっては、電荷発生物質の微粒子３の
電荷発生層５に占める割合は１０〜９５重量％、好まし
くは５０〜９０重量％程度である。また、電荷搬送層４
に占める化合物の量は１０〜９５重量％、好ましくは３
０〜９０重量％である。
【００３１】図４に示した感光体を作成するには、導電
性支持体１上に本発明のポリシロキサン化合物と結合剤
とを溶解した溶液を塗布し、乾燥して電荷搬送層４を形
成したのち、この電荷搬送層の上に電荷発生層物質の微
粒子を、必要によって結合剤を溶解した溶媒中に分散し
た分散液をスプレー塗工等の方法で塗布乾燥して電荷発
生層５を形成すればよい。電荷発生層あるいは電荷搬送
層の量比は図３で説明した内容と同様である。
性支持体１上に本発明のポリシロキサン化合物と結合剤
とを溶解した溶液を塗布し、乾燥して電荷搬送層４を形
成したのち、この電荷搬送層の上に電荷発生層物質の微
粒子を、必要によって結合剤を溶解した溶媒中に分散し
た分散液をスプレー塗工等の方法で塗布乾燥して電荷発
生層５を形成すればよい。電荷発生層あるいは電荷搬送
層の量比は図３で説明した内容と同様である。
【００３２】このようにして得られた感光体の電荷発生
層５の上に更に適当な樹脂溶液をスプレー塗工等の方法
により保護層６を形成することにより図５に示す感光体
を作成できる。ここで用いる樹脂としては、後記する結
合剤が使用できる。
層５の上に更に適当な樹脂溶液をスプレー塗工等の方法
により保護層６を形成することにより図５に示す感光体
を作成できる。ここで用いる樹脂としては、後記する結
合剤が使用できる。
【００３３】なお、これらのいずれの感光体製造におい
ては導電性支持体１に、アルミニウムなどの金属板又は
金属箔、アルミニウムなどの金属を蒸着したプラスチッ
クフィルム、あるいは導電処理を施した紙などが用いら
れる。
ては導電性支持体１に、アルミニウムなどの金属板又は
金属箔、アルミニウムなどの金属を蒸着したプラスチッ
クフィルム、あるいは導電処理を施した紙などが用いら
れる。
【００３４】また、結合剤としては、ポリアミド、ポリ
ウレタン、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、
ポリカーボネートなどの縮合樹脂や、ポリビニルケト
ン、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポ
リアクリルアミドのようなビニル重合体などが用いられ
るが、絶縁性でかつ接着性のある樹脂はすべて使用でき
る。必要により可塑剤が結合剤に加えられるが、そうし
た可塑剤としてはハロゲン化パラフィン、ポリ塩化ビフ
ェニル、ジメチルナフタリン、ジブチルフタレートなど
が例示できる。
ウレタン、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、
ポリカーボネートなどの縮合樹脂や、ポリビニルケト
ン、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポ
リアクリルアミドのようなビニル重合体などが用いられ
るが、絶縁性でかつ接着性のある樹脂はすべて使用でき
る。必要により可塑剤が結合剤に加えられるが、そうし
た可塑剤としてはハロゲン化パラフィン、ポリ塩化ビフ
ェニル、ジメチルナフタリン、ジブチルフタレートなど
が例示できる。
【００３５】前記図１〜図５に示す本発明の電子写真用
感光体において、本発明のポリシロキサン化合物は結合
剤と併用して使用に供しているが、本発明のポリシロキ
サン化合物自体でも成膜性を有することから結合剤を用
いることなく単独で用いることができる。また、積層構
成からなる感光体を作成する場合には電荷発生層に添加
することもできる。このように結合剤を用いない場合
は、本発明のポリシロキサン化合物により成膜する必要
があることから、該ポリシロキサン化合物の使用量は、
所望の膜厚に応じて任意に選ぶことができる。
感光体において、本発明のポリシロキサン化合物は結合
剤と併用して使用に供しているが、本発明のポリシロキ
サン化合物自体でも成膜性を有することから結合剤を用
いることなく単独で用いることができる。また、積層構
成からなる感光体を作成する場合には電荷発生層に添加
することもできる。このように結合剤を用いない場合
は、本発明のポリシロキサン化合物により成膜する必要
があることから、該ポリシロキサン化合物の使用量は、
所望の膜厚に応じて任意に選ぶことができる。
【００３６】更に、以上のようにして得られる感光体に
は、導電性支持体と感光層の間に、必要に応じて接着層
又はバリヤ層を設けることができる。これらの層に用い
られる材料としては、ポリアミド、ニトロセルロース、
酸化アルミニウムなどであり、また膜厚は１μｍ以下が
好ましい。
は、導電性支持体と感光層の間に、必要に応じて接着層
又はバリヤ層を設けることができる。これらの層に用い
られる材料としては、ポリアミド、ニトロセルロース、
酸化アルミニウムなどであり、また膜厚は１μｍ以下が
好ましい。
【００３７】本発明の感光体を用いて複写を行なうに
は、感光面に帯電、露光を施した後、現像を行ない、必
要によって、紙などへ転写を行なう。
は、感光面に帯電、露光を施した後、現像を行ない、必
要によって、紙などへ転写を行なう。
【００３８】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。な
お、下記実施例において部はすべて重量部である。
お、下記実施例において部はすべて重量部である。
【００３９】実施例１
３−〔４′−ビス（４−メチルフェニルアミノ）ビフェ
ニリル−４−オキシ〕−１−プロペン８．１１ｇ（２
０．０ミリモル）を乾燥トルエン１００ｍｌに溶解し、
７０℃とした。これに窒素気流下塩化白金酸の１％テト
ラヒドロフラン溶液１００μｌを加えた。これにポリ
（ハイドロジエンメチルシロキサン）１．１０ｇ（１
８．３ミリモル）（東レ・ダウコーニング・シリコーン
株式会社製ＳＨ１１０７）を６９〜７４℃にて２０分を
要して滴下した。７０℃で１時間撹拌した後、赤外線吸
収スペクトルにより２１６０ｃｍ-1のＳｉ−Ｈ伸縮振動
の消失を確認した。活性炭を加えてろ過したのち、ろ液
を濃縮しトルエン−メタノールで再沈精製を行い５．６
４ｇの下式で表わされる本発明のポリシロキサン化合物
を得た。
ニリル−４−オキシ〕−１−プロペン８．１１ｇ（２
０．０ミリモル）を乾燥トルエン１００ｍｌに溶解し、
７０℃とした。これに窒素気流下塩化白金酸の１％テト
ラヒドロフラン溶液１００μｌを加えた。これにポリ
（ハイドロジエンメチルシロキサン）１．１０ｇ（１
８．３ミリモル）（東レ・ダウコーニング・シリコーン
株式会社製ＳＨ１１０７）を６９〜７４℃にて２０分を
要して滴下した。７０℃で１時間撹拌した後、赤外線吸
収スペクトルにより２１６０ｃｍ-1のＳｉ−Ｈ伸縮振動
の消失を確認した。活性炭を加えてろ過したのち、ろ液
を濃縮しトルエン−メタノールで再沈精製を行い５．６
４ｇの下式で表わされる本発明のポリシロキサン化合物
を得た。
【化５】
Ｔｇ点 ７９．５℃
元素分析値（％）
Ｃ Ｈ Ｎ
実測値 ７７．１１ ７．０７ ２．７１
（Ｃ30Ｈ31ＮＯ2Ｓｉ)n ７７．３７ ６．７２ ３．０１
としての計算値
ＧＰＣ分析（ポリスチレン換算）
Ｍｎ＝１．２５×１０4
Ｍｗ＝２．２５×１０4
赤外線吸収スペクトルを図６に示した。
【００４０】実施例２
電荷発生物質として下式（VI）で表わされるビスアゾ化
合物７．５部
合物７．５部
【化６】
及びポリエステル樹脂〔（株）東洋紡績製バイロン２０
０〕の０．５％テトラヒドロフラン溶液５００部をボー
ルミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム
蒸着ポリエステルフィルム上にドクターブレードで塗布
し、自然乾燥して約１μｍ厚の電荷発生層を形成した。
次に、実施例１で得られたポリシロキサン化合物２部を
テトラヒドロフラン８部に溶解し、この溶液を前記電荷
発生層上にドクターブレードで塗布し、８０℃で２分
間、次いで１２０℃で５分間乾燥して厚さ約２０μｍの
電荷発生層を形成して感光体を作成した。次に、こうし
て得られた積層型電子写真用感光体の可視域での感度を
調べるため、この感光体に静電複写紙試験装置〔（株）
川口電機製作所ＳＰ４２８型〕を用いて暗所で−６ＫＶ
のコロナ放電を２０秒間行なって帯電させた後、感光体
の表面電位Ｖｍ（ｖ）を測定し、更に２０秒間暗時に放
置した後、タングステンランプ光を感光体表面での照度
が４．５ｌｕｘになるように照射して、Ｖ0が１／２に
なるまでの露光量Ｅ1/2（ｌｕｘ・ｓｅｃ）を測定し
た。 Ｖｍ ＝−３１７ ｖ Ｅ1/2＝０．４９ ｌｕｘ・ｓｅｃ
０〕の０．５％テトラヒドロフラン溶液５００部をボー
ルミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム
蒸着ポリエステルフィルム上にドクターブレードで塗布
し、自然乾燥して約１μｍ厚の電荷発生層を形成した。
次に、実施例１で得られたポリシロキサン化合物２部を
テトラヒドロフラン８部に溶解し、この溶液を前記電荷
発生層上にドクターブレードで塗布し、８０℃で２分
間、次いで１２０℃で５分間乾燥して厚さ約２０μｍの
電荷発生層を形成して感光体を作成した。次に、こうし
て得られた積層型電子写真用感光体の可視域での感度を
調べるため、この感光体に静電複写紙試験装置〔（株）
川口電機製作所ＳＰ４２８型〕を用いて暗所で−６ＫＶ
のコロナ放電を２０秒間行なって帯電させた後、感光体
の表面電位Ｖｍ（ｖ）を測定し、更に２０秒間暗時に放
置した後、タングステンランプ光を感光体表面での照度
が４．５ｌｕｘになるように照射して、Ｖ0が１／２に
なるまでの露光量Ｅ1/2（ｌｕｘ・ｓｅｃ）を測定し
た。 Ｖｍ ＝−３１７ ｖ Ｅ1/2＝０．４９ ｌｕｘ・ｓｅｃ
【００４１】実施例３
実施例２と同様に電荷発生層を形成した。次に、ポリカ
ーボネート樹脂〔（株）帝人製パンライトＫ−１３０
０〕１部とテトラヒドロフラン８部の樹脂溶液に、電荷
輸送物質として実施例１で得られたポリシロキサン化合
物１部を溶解し、この溶液を前記電荷発生層上にドクタ
ーブレードで塗布し、８０℃で２分間、次いで１２０℃
で５分間乾燥して厚さ約２０μｍの電荷輸送層を形成し
て感光体を作成した。次に、こうして得られた積層型電
子写真用感光体の可視域での感度を調べるため、この感
光体に静電複写紙試験装置〔（株）川口電機製作所ＳＰ
４２８型〕を用いて暗所で−６ＫＶのコロナ放電を２０
秒間行なって帯電させた後、感光体の表面電位Ｖｍ
（ｖ）を測定し、更に２０秒間暗時に放置した後、タン
グステンランプ光を感光体表面での照度が４．５ｌｕｘ
になるように照射して、Ｖ0が１／２になるまでの露光
量Ｅ1/2（ｌｕｘ・ｓｅｃ）を測定した。 Ｖｍ ＝−１５９１ ｖ Ｅ1/2＝ ９．２０ ｌｕｘ・ｓｅｃ
ーボネート樹脂〔（株）帝人製パンライトＫ−１３０
０〕１部とテトラヒドロフラン８部の樹脂溶液に、電荷
輸送物質として実施例１で得られたポリシロキサン化合
物１部を溶解し、この溶液を前記電荷発生層上にドクタ
ーブレードで塗布し、８０℃で２分間、次いで１２０℃
で５分間乾燥して厚さ約２０μｍの電荷輸送層を形成し
て感光体を作成した。次に、こうして得られた積層型電
子写真用感光体の可視域での感度を調べるため、この感
光体に静電複写紙試験装置〔（株）川口電機製作所ＳＰ
４２８型〕を用いて暗所で−６ＫＶのコロナ放電を２０
秒間行なって帯電させた後、感光体の表面電位Ｖｍ
（ｖ）を測定し、更に２０秒間暗時に放置した後、タン
グステンランプ光を感光体表面での照度が４．５ｌｕｘ
になるように照射して、Ｖ0が１／２になるまでの露光
量Ｅ1/2（ｌｕｘ・ｓｅｃ）を測定した。 Ｖｍ ＝−１５９１ ｖ Ｅ1/2＝ ９．２０ ｌｕｘ・ｓｅｃ
【００４２】実施例４
実施例３において用いたポリカーボネート樹脂の代りに
下式で示されるポリカーボネートポリシロキサンのブロ
ック共重合体を用いる他は実施例３と同様にして感光体
を作成し同様にその特性を測定した。 Ｖｍ ＝−１４９０ ｖ Ｅ1/2＝ ５．２ ｌｕｘ・ｓｅｃ
下式で示されるポリカーボネートポリシロキサンのブロ
ック共重合体を用いる他は実施例３と同様にして感光体
を作成し同様にその特性を測定した。 Ｖｍ ＝−１４９０ ｖ Ｅ1/2＝ ５．２ ｌｕｘ・ｓｅｃ
【化７】
【００４３】実施例５
電荷発生物質として前記式（VI）で表わされるビスアゾ
化合物７．５部と実施例１で得られたポリシロキサン化
合物７．５部及びテトラヒドロフラン５００部をボール
ミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸
着ポリエステルフィルム上にドクターブレードで塗布
し、自然乾燥して約１μｍ厚の電荷発生層を形成した。
次にポリカーボネート樹脂（前記Ｋ−１３００）１０部
と下式で表わされるα−フェニルスチルベン化合物
化合物７．５部と実施例１で得られたポリシロキサン化
合物７．５部及びテトラヒドロフラン５００部をボール
ミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸
着ポリエステルフィルム上にドクターブレードで塗布
し、自然乾燥して約１μｍ厚の電荷発生層を形成した。
次にポリカーボネート樹脂（前記Ｋ−１３００）１０部
と下式で表わされるα−フェニルスチルベン化合物
【化８】
４部をテトラヒドロフラン８０部に溶解した樹脂液を前
記電荷発生層上にドクターブレードで塗布し、８０℃で
２分間次いで１２０℃で５分間乾燥して厚さ１５．１μ
ｍの電荷輸送層を形成して感光体を作成した。次にこう
して得られた感光体を実施例２と同様に操作してＶｍ及
びＥ1/2を測定した。また露光から３０秒後の電位Ｖ30
を測定した。 Ｖｍ＝−１３９５Ｖ Ｅ1/2＝１．２５ｌｕｘ・ｓｅｃ Ｖ30＝−１Ｖ 更に上記条件の帯電と露光を同時に１時間行なって疲労
させた後、再び前記と同様の測定を行い下記の結果を得
た。 Ｖｍ＝−１１０４Ｖ Ｅ1/2＝０．６８ｌｕｘ・ｓｅｃ Ｖ30＝−１６Ｖ
記電荷発生層上にドクターブレードで塗布し、８０℃で
２分間次いで１２０℃で５分間乾燥して厚さ１５．１μ
ｍの電荷輸送層を形成して感光体を作成した。次にこう
して得られた感光体を実施例２と同様に操作してＶｍ及
びＥ1/2を測定した。また露光から３０秒後の電位Ｖ30
を測定した。 Ｖｍ＝−１３９５Ｖ Ｅ1/2＝１．２５ｌｕｘ・ｓｅｃ Ｖ30＝−１Ｖ 更に上記条件の帯電と露光を同時に１時間行なって疲労
させた後、再び前記と同様の測定を行い下記の結果を得
た。 Ｖｍ＝−１１０４Ｖ Ｅ1/2＝０．６８ｌｕｘ・ｓｅｃ Ｖ30＝−１６Ｖ
【００４４】比較例
実施例５において、電荷発生層にポリシロキサン化合物
を添加しない他は実施例５と同様にして感光体を作成
し、同様にその特性を測定した。 Ｖｍ＝−１３６９Ｖ Ｅ1/2＝１．０７ｌｕｘ・ｓｅｃ Ｖ30＝−１Ｖ 疲労後 Ｖｍ＝−１３７７Ｖ Ｅ1/2＝１．００ｌｕｘ・ｓｅｃ Ｖ30＝−２６Ｖ 実施例５の感光体に比べ疲労による残留電位の蓄積が大
きいことが判る。
を添加しない他は実施例５と同様にして感光体を作成
し、同様にその特性を測定した。 Ｖｍ＝−１３６９Ｖ Ｅ1/2＝１．０７ｌｕｘ・ｓｅｃ Ｖ30＝−１Ｖ 疲労後 Ｖｍ＝−１３７７Ｖ Ｅ1/2＝１．００ｌｕｘ・ｓｅｃ Ｖ30＝−２６Ｖ 実施例５の感光体に比べ疲労による残留電位の蓄積が大
きいことが判る。
【００４５】
【発明の効果】本発明のポリシロキサン化合物は新規で
あって、光導電性材料として有用であり、該化合物を用
いた本発明の感光体は感光特性に優れていることは勿論
のこと、熱や機械的の衝撃に対する強度が大で、しかも
安価に製造することができる。
あって、光導電性材料として有用であり、該化合物を用
いた本発明の感光体は感光特性に優れていることは勿論
のこと、熱や機械的の衝撃に対する強度が大で、しかも
安価に製造することができる。
【図１】本発明にかかわる代表的な電子写真感光体の厚
さ方向に拡大した断面図である。
さ方向に拡大した断面図である。
【図２】本発明にかかわる他の代表的な電子写真感光体
の厚さ方向に拡大した断面図である。
の厚さ方向に拡大した断面図である。
【図３】本発明にかかわる更に他の代表的な電子写真感
光体の厚さ方向に拡大した断面図である。
光体の厚さ方向に拡大した断面図である。
【図４】本発明にかかわる別の電子写真感光体の厚さ方
向に拡大した断面図である。
向に拡大した断面図である。
【図５】本発明にかかわる更に別の電子写真感光体の厚
さ方向に拡大した断面図である。
さ方向に拡大した断面図である。
【図６】実施例１で得られた本発明のポリシロキサンの
赤外線吸収スペクトル図である。
赤外線吸収スペクトル図である。
１ 導電性支持体
２，２′，２′′，２′′′…感光層
３ 電荷発生物質
４ 電荷搬送媒体又は電荷搬送層
５ 電荷発生層
６ 保護層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 田中 千秋
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株
式会社リコー内
(56)参考文献 特開 平２−791（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−236558（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−163559（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−202135（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C08G 77/00 - 77/62
C08L 83/00 - 83/16
Claims (4)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で表わされるポリシロ
キサン化合物。 【化１】 （式中、 Ｒは、アルキル基又はフェニル基を表わし、 Ｘは、単結合、酸素原子、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を
表わし、 Ａｒ1は、アリレン基を表わし、 Ａｒ2、Ａｒ3は、アリール基を表わし、相互に同一でも
異なっていてもよい。ｎは、２〜２０の整数を表わし、 ｌは、重合度を表わす。） - 【請求項２】 下記一般式（II）で表わされるポリシロ
キサン化合物。 【化２】 （式中、 Ｒは、アルキル基又はフェニル基を表わし、 Ｘは、単結合、酸素原子、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を
表わし、 Ａｒ1は、アリレン基を表わし、 Ａｒ2、Ａｒ3は、アリール基を表わし、相互に同一でも
異なっていてもよい。ｎは、２〜２０の整数を表わし、 ｌは、重合度を表わす。） - 【請求項３】 下記一般式（III) 【化３】 （式中、 Ｒは、アルキル基又はフェニル基を表わし、 ｌは、重合度を表わす。）で表わされるポリシロキサン
化合物と、下記一般式（IV） 【化４】 （式中、 Ｘは、単結合、酸素原子、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を
表わし、 Ａｒ1は、アリレン基を表わし、 Ａｒ2、Ａｒ3は、アリール基を表わし、相互に同一でも
異なっていてもよい。ｍは、０〜１８の整数を表わ
す。）で表わされるアルケニル化合物とを、ヒドロシリ
ル化触媒の存在下に反応させることを特徴とする、下記
一般式(Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ、Ｘ、Ａｒ1〜Ａｒ3は、ｎ及びｌは、前記の
定義と同一である。）で表わされるポリシロキサン化合
物の製造方法。 - 【請求項４】導電性支持体上に、下記一般式（Ｉ）で表
わされるポリシロキサン化合物の少なくとも１種を有効
成分として含有する感光層を有することを特徴とする電
子写真用感光体。 【化１】 （式中、Ｒ、Ｘ、Ａｒ1〜Ａｒ3は、ｎ及びｌは、前記の
定義と同一である。）
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|---|---|---|---|
| JP15088395A JP3486705B2 (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | ポリシロキサン化合物ならびにその製造方法及びそれを用いた電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15088395A JP3486705B2 (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | ポリシロキサン化合物ならびにその製造方法及びそれを用いた電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08319353A JPH08319353A (ja) | 1996-12-03 |
| JP3486705B2 true JP3486705B2 (ja) | 2004-01-13 |
Family
ID=15506471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15088395A Expired - Fee Related JP3486705B2 (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | ポリシロキサン化合物ならびにその製造方法及びそれを用いた電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| JP3640444B2 (ja) * | 1995-11-06 | 2005-04-20 | ダウ コーニング アジア株式会社 | ポリシロキサン系正孔輸送材料の製造方法 |
| JP3614222B2 (ja) * | 1995-11-06 | 2005-01-26 | ダウ コーニング アジア株式会社 | ケイ素系正孔輸送材の製造方法 |
| JPH1135687A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-09 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポリシラン共重合体、その製造方法、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子写真感光体 |
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| JP2001249478A (ja) | 2000-03-02 | 2001-09-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成装置、プロセスカートリッジ、及びそれらの再生方法 |
| JP2002318459A (ja) | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、これを用いた電子写真プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
| JP2003149950A (ja) | 2001-11-09 | 2003-05-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成装置 |
| US7390599B2 (en) * | 2005-10-11 | 2008-06-24 | Xerox Corporation | Silicon-containing overcoat layers |
-
1995
- 1995-05-25 JP JP15088395A patent/JP3486705B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH08319353A (ja) | 1996-12-03 |
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