CN110800118A

CN110800118A - 电路基板以及具备该电路基板的发光装置

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Publication number: CN110800118A
Application number: CN201880043148.XA
Authority: CN
Inventors: 阿部裕一
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2017-06-29
Filing date: 2018-05-30
Publication date: 2020-02-14
Anticipated expiration: 2038-05-30
Also published as: US11304291B2; WO2019003775A1; US20200214123A1; TW201906208A; CN110800118B; JP6815507B2; TWI699021B; JPWO2019003775A1

Abstract

本发明的电路基板具备基板、位于该基板上的导体层、位于该导体层上的反射层、和位于所述基板上并且位于与所述导体层及所述反射层相接的位置的有机硅树脂层。并且，所述有机硅树脂层含有45质量％以上的多种填料。进而，在所述填料的总个数100％中，长径比大于5的第一填料占5％以上。

Description

电路基板以及具备该电路基板的发光装置

技术领域

本发明涉及一种电路基板以及具备该电路基板的发光装置。

背景技术

作为消耗电力少的发光元件，LED(发光二极管)受到关注。而且，这种发光元件的搭载使用具备绝缘性的基板和位于该基板上的、成为电路(布线)的导电层的电路基板。

另外，对于在上述构成的电路基板上搭载发光元件而成的发光装置，要求提高发光效率，为了提高发光效率，用白色系的色调的树脂覆盖基板的表面(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-129801号公报

发明内容

另外，本发明的发光装置具备所述电路板和位于该电路板上的发光元件。

附图说明

图1是示意性表示本发明的发光装置中的发光元件周边的一例的截面图。

具体实施方式

近年来，为了提高发光效率，在导电层上设置反射层。进而，也通过在基板的表面上用白色系的色调的树脂覆盖除了导电层及反射层所处的位置以外的位置来提高发光效率。

在此，在设为具有树脂及反射层两者的构成的情况下，通常设为以下的构成，即，在电路基板的基板上，利用树脂将导电层及设置在导电层上的反射层不存在的部分填埋。但是，在制造这样的电路基板时，为了调整树脂和反射层的高度，需要进行树脂和反射层的研磨处理的工序。此时，如果树脂的硬度低，则在研磨处理中树脂可能受到损伤，无法得到所希望的反射率。

以下参照图1对本发明的电路基板及发光装置进行说明。

如图1所示，本发明的电路基板10具备基板1、位于基板1上的导体层2、位于导体层2上的反射层3、位于基板1上并且位于与导体层2及反射层3相接的位置的有机硅树脂层4。

并且，本发明的电路基板10的有机硅树脂层4含有45质量％以上的多种填料。进一步，在该填料的全部个数100％中，长径比大于5的第一填料占5％以上。

与呈现白色系的色调的其他树脂(例如环氧树脂)相比，有机硅树脂对紫外线的耐受性强，能够长期维持高反射率。并且，在有机硅树脂中的长径比大的第一填料彼此之间发生缠绕的有机硅树脂层4具有高硬度。并且，通过形成这样的高硬度的有机硅树脂层4，即使为了调整有机硅树脂层4和反射层3的高度而对有机硅树脂层4和反射层3进行研磨处理，有机硅树脂层4的损伤也能受到抑制。因此，本发明的电路基板10具有高反射率。

在此，作为有机硅树脂层4所含有的填料，由二氧化硅、钛酸钾、氧化铝、二氧化硅、氧化钡、硫酸钡、氧化锌、二氧化钛、钛酸钡或氧化锆构成。并且，在填料中，第一填料也可以由二氧化硅或钛酸钾构成。

需要说明的是，长径比是指填料的长径除以短径时的值。填料的长径是指填料的截面的最大长度。填料的短径是指在长径的线段的中央与长径的线段正交的直线的长度。并且，第一填料的长径的平均值可以是5μm以上且15μm以下。另外，第一填料的短径的平均值可以是0.5μm以上且2.5μm以下。

另外，本发明的电路基板10中的有机硅树脂层4可以含有80质量％以下的填料。如果满足这样的构成，则在有机硅树脂层4的表面，由填料引起的凹凸变少，因此本发明的电路基板10的反射率提高。

另外，本发明的电路基板10中的第一填料可以为填料的总个数的40％以下。如果满足这样的构成，则在有机硅树脂层4的表面，长径比大的第一填料引起的凹凸变少，因此本发明的电路基板10的反射率提高。

另外，在本发明的电路基板10中，填料的总个数100％中，由二氧化钛构成的第二填料可以占40％以上且55％以下。如果满足这样的构成，则通过由对可见光具有高反射率的二氧化钛构成的第二填料，有机硅树脂层4的反射率变高。因此，本发明的电路基板10的反射率提高。

需要说明的是，第二填料的当量圆直径的平均值可以为0.5μm以上且3μm以下。在此，当量圆直径是指置换成与第二填料的截面积相等的圆时的圆的直径。如果满足这样的构成，则各第二填料有效地反射可见光，从而本发明的电路基板10的反射率提高。

另外，在本发明的电路基板10中，在填料的总个数100％中，由钛酸钡构成的第三填料可以占5％以上且10％以下。如果满足这样的构成，则通过由对可见光具有高反射率的钛酸钡构成的第三填料，有机硅树脂层4的反射率变高。因此，本发明的电路基板10的反射率提高。

需要说明的是，第三填料的当量圆直径的平均值可以为0.3μm以上且2μm以下。如果满足这样的构成，则各第三填料有效地反射可见光，从而本发明的电路基板10的反射率提高。

在此，可以通过以下的方法算出有机硅树脂层4中的填料的含量。首先，将有机硅树脂层4切割，利用截面抛光机(CP)进行研磨，从而得到研磨面。然后，将该研磨面作为观察面，使用附设在扫描电子显微镜(SEM)上的能量色散X射线分析装置(EDS)，测定构成有机硅树脂层4的成分的含量。或者，削去有机硅树脂层4，使用ICP发光分光分析装置(ICP)或荧光X射线分析装置(XRF)，测定构成有机硅树脂层4的成分的含量。并且，如果计算构成上述填料的二氧化硅、钛酸钾、氧化铝、二氧化硅、氧化钡、硫酸钡、氧化锌、二氧化钛、钛酸钡和氧化锆的总含量，则其就是填料的含量。

另外，可以通过以下的方法算出有机硅树脂层4中的、长径比大于5的第一填料的个数的比例。首先，切割有机硅树脂层4，利用CP进行研磨后，将该研磨面作为观察面，使用SEM在1500倍下进行观察，拍摄面积为10000μm²左右(例如，100μm×100μm)的照片。接着，使用该照片，应用图像解析软件“A像君”(日文：A像くん，注册商标，旭化成工程株式会社制，需要说明的是，下文中记作图像解析软件“A像君”的情况下，表示旭化成工程株式会社制的图像解析软件)的粒子解析这样的方法进行图像解析。需要说明的是，作为“A像君”的解析条件，例如将晶体粒子的亮度设为“明”，将二值化的方法设为“自动”，将阴影设为“有”即可。然后，通过该粒子解析，算出各填料的长径及短径。然后，通过长径除以短径来计算各填料的长径比，数出长径比为5以上的填料的个数，将其除以全部填料的个数，由此可以计算出长径比大于5的第一填料的个数的比例。另外，构成第一填料的成分可以通过使用SEM附设的EDS来进行确认。

另外，通过EDS确认构成各填料的成分，数出由二氧化钛构成的第二填料的个数，除以全部填料的个数，由此能够算出第二填料的个数的比例。另外，第二填料的当量圆直径的平均值与上述方法相同，可以通过应用“A像君”的粒子解析这样的方法进行图像解析来算出。

另外，通过EDS确认构成各填料的成分，数出由钛酸钡构成的第三填料的个数，除以全部填料的个数，由此能够算出第三填料的个数的比例。另外，第三填料的当量圆直径的平均值与上述方法相同，可以通过应用“A像君”的粒子解析这样的方法进行图像解析来算出。

另外，在本发明的电路基板10中，有机硅树脂层4的表面的高度可以比反射层3的表面的高度低5μm以上。如果满足这样的构成，则可以使发光元件的光优先照射到反射率比有机硅树脂层4高的反射层4。因此，本发明的电路基板10的反射率提高。

另外，在本发明的电路基板10中，从有机硅树脂层4的表面的粗糙度曲线求出的算术平均粗糙度Ra1可以大于从反射层3的表面的粗糙度曲线求出的算术平均粗糙度Ra2。如果满足这样的构成，则容易使发光元件的光在反射率比有机硅树脂层4高的反射层4上发生反射。因此，本发明的电路基板10的反射率提高。

在此，算术平均粗糙度Ra是指JIS B 0601(2013)规定的值。并且，算术平均粗糙度Ra可以通过根据JIS B 0601(2013)进行测定而求出。需要说明的是，作为测定条件，例如，将测定长度设定为2.5mm、将临界值设定为0.08mm、使用触针半径为2μm的触针并将扫描速度设定为0.6mm/秒即可。然后，在反射层3和有机硅树脂层4的表面，分别测定至少3处以上，求出其平均值即可。

另外，本发明的电路基板10中的有机硅树脂层4含有当量圆直径为5μm以下的金属粒子，关于金属粒子的个数，可以是有机硅树脂层4的表面比有机硅树脂层4的内部多。如果满足这样的构成，则可以维持有机硅树脂层4的硬度，同时可以利用金属粒子反射发光元件的光。因此，本发明的电路基板10的反射率提高。需要说明的是，如果有机硅树脂层4的内部不存在金属粒子，则可以将有机硅树脂层4的硬度维持得更高。

在此，金属粒子是指由选自铜(Cu)、钛(Ti)和银(Ag)中的至少1种构成的粒子。另外，有机硅树脂层4的内部是指比距离有机硅树脂层4的表面10μm的位置更靠基板1侧的区域。

另外，本发明的电路基板10中的有机硅树脂层4的表面的1mm²的面积范围中的金属粒子的个数可以为2个以上且5个以下。如果满足这样的构成，则可以利用金属粒子良好地反射发光元件的光，并且在有机硅树脂层4的表面，由金属粒子引起的凹凸变少。因此，本发明的电路基板10的反射率提高。

另外，本发明的电路基板10中的基板1只要是绝缘体即可，可以举出例如氧化铝质陶瓷、氧化锆质陶瓷、氧化铝和氧化锆的复合陶瓷、氮化硅质陶瓷、氮化铝质陶瓷、碳化硅质陶瓷或莫来石质陶瓷等。需要说明的是，如果基板1由氧化铝质陶瓷构成，则加工容易，同时机械强度优异。另外，如果基板1由氮化铝质陶瓷构成，则散热性优异。

在此，例如，氧化铝质陶瓷是指，在构成陶瓷的全部成分100质量％中，含有70质量％以上的氧化铝的陶瓷。并且，本发明的电路基板10中的基板1的材质能够通过以下的方法确认。首先，使用X射线衍射装置(XRD)测定基板1，根据得到的2θ(2θ是衍射角度)的值使用JCPDS卡进行鉴定。接着，使用荧光X射线分析装置(XRF)进行含有成分的定量分析。并且，例如，如果通过XRD鉴定确认氧化铝的存在，并且从用XRF测定的A1的含量换算成氧化铝(Al₂O₃)的含量为70质量％以上，则为氧化铝质陶瓷。

另外，如果本发明的电路基板10中的导体层2具有导电性，则可以由任意材料构成。如果导体层2以铜或银为主要成分，则电阻率低，热传导率高，因此能够搭载发热量大的发光元件。需要说明的是，导体层2中的主成分是指在构成导体层2的全部成分100质量％中超过50质量％的成分。

另外，本发明的电路基板10中的反射层3含有金和银中的至少任一种，在构成反射层3的全部成分100质量％中，可以含有90质量％以上的金和银。特别是，在构成反射层3的全部成分100质量％中，反射层3可以含有95质量％以上的金。像这样，如果反射层3包含95质量％以上的金，当电流经反射层3时，反射层3的迁移现象难以发生，因此，本发明的电路板10具有优异的长期可靠性。

在此，作为构成导体层2和反射层3的成分的确认方法，例如，切割电路基板10使其成为图1所示的截面，将利用CP研磨后的截面作为观察面，使用SEM进行观察，通过使用SEM附设的EDS进行确认即可。或者，也可以分别削去导体层2和反射层3，使用ICP、XRF来进行确认。

另外，本发明的电路基板10中的基板1也可以具有通孔。并且，如果在基体1的通孔内具有由导电性物质构成的电极，则能够与外部电源等连接而供电。另外，如果在基体1的通孔内具有由高热传导性物质构成的热通道，则能够提高基板1的散热性。

另外，如图1所示，本发明的发光装置20具备上述构成的电路基板10和位于电路基板10上的发光元件5。需要说明的是，在图1中，示出了发光元件5位于反射层3a上，且发光元件5通过接合线6与反射层3b电连接的例子。需要说明的是，虽未图示，但为了保护发光元件5，也可以用封装材料等覆盖发光装置20中的、包含发光元件5的、搭载有发光元件5的一侧的面。另外，封装材料也可以含有用于波长转换的荧光物质等。

以下，对本发明的电路基板的制造方法的一例进行说明。

首先，通过公知的成形方法以及烧成方法，例如准备氮化铝质陶瓷或氧化铝质陶瓷作为基板。需要说明的是，在制作氧化铝质陶瓷时，为了提高基板的反射率，可以含有氧化钡(BaO)和氧化锆(ZrO₂)中的至少任一种。

另外，在基板上形成通孔的情况下，在成形体形成时与外形一起形成通孔，或者对仅外形经加工的成形体通过冲孔、喷砂或激光来形成通孔，或者对烧结体通过喷砂或激光来形成通孔即可。需要说明的是，基板的厚度例如为0.15mm以上且1.5mm以下。

接着，在基板上通过溅射形成钛和铜的薄层。在此，在薄膜中，例如，钛的薄层的平均膜厚为0.03μm以上且0.2μm以下，铜的薄层的平均膜厚为0.5μm以上且2μm以下。

接着，利用光刻法在薄膜上形成抗蚀剂图案，使用电解镀铜形成新的铜的厚层，由此得到导体层。在此，通过电解镀铜形成的铜层的平均膜厚例如为40μm以上且100μm以下。另外，也可以对导体层的表面进行抛光研磨或化学研磨。

接着，通过进行电解镀镍-银或化学镀银，在导体层上得到银的反射层。或者，在进行了化学镀镍之后，进行化学镀金，由此在导体层上得到金的反射层。或者，通过依次进行化学镀镍、化学镀钯、化学镀金，在导体层上得到金的反射层。需要说明的是，镍层的平均膜厚例如为1μm以上且10μm以下。另外，钯层的平均膜厚例如为0.05μm以上且0.5μm以下。另外，反射层的平均膜厚例如为0.1μm以上且10μm以下。需要说明的是，如果反射层的平均膜厚为0.2μm以上，则具有特别高的反射率。

接着，除去抗蚀剂图案，并通过蚀刻除去露出的钛和铜的薄层。

接着，准备成为有机硅树脂层的糊剂(以下，记载为树脂层用糊剂)。树脂层用糊剂是将有机硅树脂原料和填料粉末分散在有机溶剂中而得到的糊剂。需要说明的是，有机硅树脂原料与填料粉末的配合比率为，相对于有机硅树脂原料和填料粉末的总量100质量份，填料粉末为45质量％以上。需要说明的是，相对于有机硅树脂原料和填料粉末的总量100质量份，填料粉末也可以为80质量％以下。

在此，作为有机硅树脂原料，可以使用有机聚硅氧烷、有机氢聚硅氧烷、含铂聚硅氧烷等。

另外，作为填料粉末，可以使用二氧化硅、钛酸钾、氧化铝、二氧化硅、氧化钡、硫酸钡、氧化锌、二氧化钛、钛酸钡或氧化锆。

在此，填料粉末调整为，在填料的总个数100％中，长径比大于5的第一填料占5％以上。需要说明的是，也可以将长径比大于5的第一填料调整为40％以下。另外，也可以用二氧化硅或钛酸钾来构成长径比大于5的第一填料。

另外，也可以将填料粉末调整为，在填料的总个数100％中，由二氧化钛构成的第二填料占40％以上且55％以下。并且，作为第二填料，可以使用当量圆直径的平均值为0.5μm以上且3μm以下的填料。

另外，也可以将填料粉末调整为，在填料的总个数100％中，由钛酸钡构成第三填料占5％以上且10％以下。并且，作为第三填料，可以使用当量圆直径的平均值为0.3μm以上且2μm以下的填料。

另外，作为有机溶剂，可以混合使用选自卡必醇、卡必醇乙酸酯、萜品醇、间甲酚、二甲基咪唑、二甲基咪唑啉酮、二甲基甲酰胺、二丙酮醇、三乙二醇、对二甲苯、乳酸乙酯、异佛尔酮中的1种或2种以上。

需要说明的是，若将有机硅树脂原料设为1，则有机溶剂的质量比率调整为20～100即可。

另外，为了使有机硅树脂层含有金属粒子，只要将由选自铜、钛和银中的至少1种构成的、当量圆直径为5μm以下的金属粒子添加于树脂层用糊剂即可。

然后，在基板上以与导体层和反射层接触的方式印刷树脂层用糊剂。在此，需要说明的是，使树脂层用糊剂的厚度与导体层和反射层相加的厚度为同等程度。另外，使表面的金属粒子个数多于有机硅树脂层的内部时，准备两种添加的金属粒子个数不同的树脂层用糊剂，先印刷金属粒子个数少的树脂层糊剂，之后，在其上印刷金属粒子个数多的树脂层糊剂即可。

接着，在140℃以上且200℃以下的最高温度下保持0.5小时以上且3小时以下，进行热处理。

接着，对反射层和有机硅树脂层的表面进行作为研磨处理的抛光研磨。在此，作为抛光研磨的条件，使用由碳化硅、白氧化铝或金刚石构成的、粒度号为#400以上且#3000以下的磨粒，并将进给速度设为500mm/秒以上且2000mm/秒以下即可。并且，通过在上述条件内改变该抛光研磨，可以使反射层和有机硅树脂层的表面成为任意的表面性状。另外，对有机硅树脂层的表面比对反射层的表面更重点地进行抛光研磨，由此，能够使有机硅树脂层的表面高度比反射层的表面高度低5μm以上。由此，得到本发明的电路基板。需要说明的是，也可以根据需要通过切割而分割为单片。

接着，本发明的发光装置例如可以通过在本发明的电路基板的反射层上搭载发光元件而得到。

以下，具体地说明本发明的实施例，但本发明不限定于这些实施例。

实施例1

制作有机硅树脂层中的填料的含量以及长径比大于5的第一填料的个数比率不同的试样，进行反射率的测定。

首先，准备由氮化铝质陶瓷构成的、厚度×长×宽为0.38mm×200mm×200mm的基板。

接着，通过溅射在基板上形成钛和铜的薄层。需要说明的是，使钛的薄层的平均膜厚为0.1μm，使铜的薄层的平均膜厚为1.0μm。

接着，通过光刻法在薄膜上形成抗蚀剂图案，使用电解镀铜形成平均膜厚为60μm的铜的厚层，得到导体层。

接着，进行电解镀镍-银，在导体层上得到由银构成的反射层。需要说明的是，使导体层与反射层之间的镍层的平均膜厚为5μm，使反射层的平均膜厚为3μm。

接着，除去抗蚀剂图案，通过蚀刻除去露出的钛和铜的薄膜，得到由导体层及反射层的层叠体构成的电路图案。

接着，作为树脂层用糊剂，准备使有机硅树脂原料和填料粉末分散于有机溶剂中而成的糊剂。在此，调整有机硅树脂原料与填料粉末的配合比率，使得在有机硅树脂层中填料的含量为表1所示的值。

在此，作为有机硅树脂原料，使用有机聚硅氧烷。另外，将填料粉末调整为，在填料的总个数100％中，长径比大于5的、由二氧化硅构成的第一填料为表1所示的值，长径比为5以下的、由二氧化钛构成的第二填料为38％，剩余部分为长径比为5以下的、由二氧化硅构成的填料。需要说明的是，第二填料使用当量圆直径的平均值为3.7μm的填料。

另外，作为有机溶剂，使用卡必醇，作为质量比率，相对于1份有机硅树脂原料调整为60份。

接着，在基板上以与导体层及反射层相接、并且完全覆盖基板的方式印刷树脂层用糊剂。然后，在150℃的最高温度下保持1小时，进行热处理。

然后，对反射层和有机硅树脂层的表面进行抛光研磨，进行切割，从而得到长×宽为9mm×9mm的单片状的各试样。

接着，使用分光测色计(美能达制CM-3700A)，在基准光源为D65、波长范围为360～740nm、视野为10°、照明直径为3×5mm的条件下对各试样进行测定，并由测定结果测定500nm的反射率。

结果示于表1。

【表1】

如表1所示，与试样No.1、2相比，试样No.3～8的反射率高达91.3％以上。由该结果可知，如果是在有机硅树脂层中含有45质量％以上的多种填料、且在填料的总个数100％中长径比大于5的第一填料占5％以上的电路基板，则具有高的反射率。

另外，在试样No.3～8中，试样No.3～7的反射率高达92.4％以上。由该结果可知，在有机硅树脂层中，如果是填料的含量为80质量％以下的电路基板，则具有更高的反射率。

另外，在试样No.3～7中，试样No.3～6的反射率高达93.0％以上。从该结果可知，如果是第一填料为填料的总个数的40％以下的电路基板，则具有更高的反射率。

实施例2

接着，制作有机硅树脂层中的第二填料的个数比率不同的试样，进行反射率的测定。

需要说明的是，作为各试样的制作方法，除了按照填料的总个数100％中由二氧化钛构成的第二填料为表2的值的方式来调整填料粉末以外，与实施例1的试样No.4的制作方法相同。需要说明的是，试样No.9与实施例1的试样No.4相同。

然后，用与实施例1相同的方法对得到的各试样的反射率进行评价。

结果示于表2。

【表2】

如表2所示，与试样No.9、13相比，试样No.10～12的反射率高达95.0％以上。由该结果可知，如果是填料的总个数100％中由二氧化钛构成的第二填料占40％以上且55％以下的电路基板，则具有更高的反射率。

实施例3

接着，制作有机硅树脂层中的第二填料的当量圆直径的平均值不同的试样，进行反射率的测定。

需要说明的是，作为各试样的制作方法，除了使用成为表3的当量圆直径的平均值的第二填料以外，与实施例2的试样No.11的制作方法相同。需要说明的是，试样No.18与实施例2的试样No.11相同。

结果示于表3。

【表3】

如表3所示，与试样No.18相比，试样No.14～17的反射率高达96.1％以上。另外，试样No.14和试样No.15具有相同的反射率。由该结果可知，如果是第二填料的当量圆直径的平均值为0.5μm以上且3μm以下的电路基板，则具有更高的反射率。

实施例4

接着，制作有机硅树脂层中的第三填料的个数比率不同的试样，进行反射率的测定。

需要说明的是，作为各试样的制作方法，调整为在填料的总个数100％中，第一填料为8％、第二填料为47％、长径比为5以下且由钛酸钡构成的第三填料为表4所示的值、剩余部分为由二氧化硅构成的填料，除此以外，与实施例3的试样No.17的制作方法相同。需要说明的是，第三填料使用当量圆直径的平均值为2.6μm的填料。另外，试样No.19与实施例3的试样No.17相同。

结果示于表4。

【表4】

如表4所示，与试样No.19、20相比，试样No.21～24的反射率高达96.8％以上。另外，试样No.23和试样No.24具有相同的反射率。由该结果可知，如果是在填料的总个数100％中由钛酸钡构成的第三填料占5％以上且10％以下的电路基板，则具有更高的反射率。

实施例5

接着，制作有机硅树脂层中的第三填料的当量圆直径的平均值不同的试样，进行反射率的测定。

需要说明的是，作为各试样的制作方法，除了使用成为表5的当量圆直径的平均值的第三填料之外，与实施例4的试样No.21的制作方法相同。需要说明的是，试样No.25与实施例4的试样No.21相同。

结果示于表5。

【表5】

如表5所示，与试样No.25、29相比，试样No.26～28的反射率高达97.3％以上。由该结果可知，如果是第三填料的当量圆直径的平均值为0.3μm以上且2μm以下的电路基板，则具有更高的反射率。

实施例6

接着，制作有机硅树脂层以及反射层的表面的高度关系不同的试样，进行反射率的测定。

需要说明的是，作为各试样的制作方法，除了进行抛光研磨以使从反射层的表面高度减去有机硅树脂层的表面高度的值为表6的值以外，与实施例2的试样No.11的制作方法相同。需要说明的是，试样No.30与实施例2的试样No.11相同。

结果示于表6。

【表6】

如表6所示，与试样No.30、31相比，试样No.32、33的反射率高达96.1％以上。由该结果可知，如果是有机硅树脂层的表面高度比反射层的表面高度低5μm以上的电路基板，则具有更高的反射率。

实施例7

接着，制作有机硅树脂层以及反射层的表面的算术平均粗糙度Ra不同的试样，进行反射率的测定。

需要说明的是，作为各试样的制作方法，除了进行抛光研磨以使有机硅树脂层的表面的算术平均粗糙度Ra1和反射层的表面的算术平均粗糙度Ra2为表7的值以外，与实施例6的试样No.33的制备方法相同。需要说明的是，试样No.34与实施例6的试样No.33相同。

结果示于表7。

【表7】

如表7所示，与试样No.34相比，试样No.35的反射率高达96.5％。由该结果可知，若是有机硅树脂层的表面的算术平均粗糙度Ra1大于反射层的表面的算术平均粗糙度Ra2的电路基板，则具有更高的反射率。

实施例8

接着，制作有机硅树脂层中的当量圆直径为5μm以下的金属粒子的个数不同的试样，进行反射率的测定。

需要说明的是，作为各试样的制作方法，准备由铜构成的、当量圆直径为5μm以下的金属粒子的添加量不同的两种树脂层用糊剂，以1mm²的面积范围中的金属粒子的个数为表8的值的方式进行树脂层用糊剂的印刷，除此以外，与实施例7的试样No.35的制作方法相同。需要说明的是，试样No.36与实施例7的试样No.35相同。

结果示于表8。

【表8】

如表8所示，与试样No.36、37相比，试样No.38～41的反射率高达97.0％以上。由该结果可知，如果是金属粒子的个数在有机硅树脂层的表面比在有机硅树脂层的内部多的电路基板，则具有更高的反射率。

另外，在试样No.38～41中，试样No.39、40的反射率高达97.3％以上。由该结果可知，如果是表面的1mm²的面积范围中的金属粒子的个数为2个以上且5个以下的电路基板，则具有更高的反射率。

附图标记说明

1：基板

2、2a、2b：导体层

3、3a、3b：反射层

4：有机硅树脂层

5：发光元件

6：接合线

10：电路基板

20：发光装置

Claims

1.一种电路基板，其具备基板、位于该基板上的导体层、位于该导体层上的反射层、和位于所述基板上并且位于与所述导体层及所述反射层相接的位置的有机硅树脂层，

所述有机硅树脂层含有45质量％以上的多种填料，在所述填料的总个数100％中，长径比大于5的第一填料占5％以上。

2.根据权利要求1所述的电路基板，其中，所述第一填料由二氧化硅或钛酸钾构成。

3.根据权利要求1或2所述的电路基板，其中，所述有机硅树脂层含有80质量％以下的所述填料。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电路基板，其中，所述第一填料为所述填料的总个数的40％以下。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电路基板，其中，在所述填料的总个数100％中，由二氧化钛构成的第二填料占40％以上且55％以下。

6.根据权利要求5所述的电路基板，其中，所述第二填料的当量圆直径的平均值为0.5μm以上且3μm以下。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电路基板，其中，在所述填料的总个数100％中，由钛酸钡构成的第三填料占5％以上且10％以下。

8.根据权利要求7所述的电路基板，其中，所述第三填料的当量圆直径的平均值为0.3μm以上且2μm以下。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的电路基板，其中，所述有机硅树脂层的表面高度比所述反射层的表面高度低5μm以上。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的电路基板，其中，由所述有机硅树脂层的表面的粗糙度曲线求出的算术平均粗糙度Ra1大于由所述反射层的表面的粗糙度曲线求出的算术平均粗糙度Ra2。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的电路基板，其中，所述有机硅树脂层含有当量圆直径为5μm以下的金属粒子，该金属粒子的个数在所述有机硅树脂层的表面比在其内部多。

12.根据权利要求11所述的电路基板，其中，所述表面的1mm²的面积范围中的所述金属粒子的个数为2个以上且5个以下。

13.一种发光装置，其具备权利要求1至12中任一项所述的电路基板和位于该电路基板上的发光元件。