CN110603654B - 电路基板以及具备其的发光装置 - Google Patents

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Abstract

本公开的电路基板具备：基板；位于该基板上的导体层；位于该导体层上的反射层；以及位于所述基板上并且与所述导体层和所述反射层相接地设置的树脂层。此外，关于所述反射层的表面，根据粗糙度曲线求得的算术平均粗糙度Ra不足0.2μm，并且根据粗糙度曲线求得的峭度Rku相对于根据粗糙度曲线求得的偏斜度Rsk之比为5以上且15以下。

Description

电路基板以及具备其的发光装置
技术领域
本公开涉及一种电路基板以及具备其的发光装置。
背景技术
作为功率消耗小的发光元件，LED(发光二极管)不断受到关注。并且，在这样的发光元件的搭载中，使用的是具备绝缘性基板、以及位于该基板上的成为电路(布线)的导电层的电路基板。
此外，关于在上述结构的电路基板中搭载发光元件而构成的发光装置，不断要求发光效率的提高，为了提高发光效率，进行了利用白色系色调的树脂覆盖基板的表面的处理(例如，参照专利文献1)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-129801号公报
发明内容
本公开的电路基板具备：基板；位于该基板上的导体层；位于该导体层上的反射层；以及位于所述基板上并且与所述导体层和所述反射层相接地设置的树脂层。此外，关于所述反射层的表面，根据粗糙度曲线求得的算术平均粗糙度Ra不足0.2μm，并且根据粗糙度曲线求得的峭度(kurtosis)Rku相对于根据粗糙度曲线求得的偏斜度(skewness)Rsk之比为5以上且15以下。
附图说明
图1是示意性表示本公开的发光装置中的发光元件周边的一例的剖视图。
具体实施方式
近年来，为了将基板的表面利用白色系色调的树脂进行覆盖，并且为了提高发光效率，不断进行在导电层上设置反射层这一处理。并且，本次，为了进一步提高发光效率，需要反射层的反射率的改善。
本公开的电路基板具有高的反射率。以下，一边参照图1一边详细说明本公开的电路基板。
如图1所示，本公开的电路基板10具备：基板1、位于基板1上的导体层2、位于导体层2上的反射层3、以及位于基板1上并且与导体层2和反射层3相接地设置位置的树脂层4。
此外，关于本公开的电路基板10中的反射层3的表面，根据粗糙度曲线求得的算术平均粗糙度Ra不足0.2μm，并且根据粗糙度曲线求得的峭度(kurtosis)Rku对根据粗糙度曲线求得的偏斜度(skewness)Rsk的比(Rku/Rsk)为5以上且15以下。此外，反射层3的表面是指反射光的反射层3所露出的面。
这里，算术平均粗糙度Ra意指的是由JISB 0601(2013)规定的值。此外，偏斜度Rsk是指，由JISB 0601(2013)规定、表示以粗糙度曲线的平均高度为中心线时的峰部与谷部的比率的指标。此外，峭度Rku是指，由JISB 0601(2013)规定、表示表面的锐利度的尺度即尖度的指标。
此外，关于本公开的电路基板10的反射层3的表面，算术平均粗糙度Ra不足0.2μm，由此，能够抑制光的漫反射。此外，Rku/Rsk为5以上且15以下，由此，呈现峰部的顶点附近变尖锐但谷部所占比率大的表面性状，因而光容易进行全反射。由此，本公开的电路基板10具有高的反射率。此外，在本公开的电路基板10的反射层3的表面，例如，偏斜度Rsk是1.8以上且2.3以下，峭度Rku是9.0以上且31.9以下。
这里，反射层3的表面的算术平均粗糙度Ra、偏斜度Rsk以及峭度Rku，能够通过依据JISB 0601(2013)进行测定来求得。此外，作为测定条件，例如，可以设测定长度为2.5mm，设裁切值为0.08mm，使用触针半径为2μm的触针，并将扫描速度设定为0.6mm/秒。并且，可以在反射层3的表面在至少3个以上的部位进行测定，求取其平均值。
此外，关于本公开的电路基板10的反射层3的表面，根据粗糙度曲线求得的突出谷部的中心部分的负荷长度率Mr2对根据粗糙度曲线求得的突出峰部的中心部分的负荷长度率Mr1的比(Mr2/Mr1)可以大于3。这里，突出峰部的中心部分的负荷长度率Mr1和突出谷部的中心部分的负荷长度率Mr2是由JISB 0671-2(2002)规定的，并基于以下定义。首先，将在包含粗糙度曲线的40％测定点的负荷曲线的中央部分，以负荷长度率的差为40％而引出的负荷曲线的割线为最缓和斜率的直线，设为等效直线。接着，将该等效直线在负荷长度率为0％和100％的位置与纵轴相交的两个高度位置之间，设为中心部。然后，在粗糙度曲线上，位于中心部之上的突出的峰部与中心部的分离线的交点的负荷长度率是Mr1。此外，在粗糙度曲线上，位于中心部之下的突出的谷部与中心部的分离线的交点的负荷长度率是Mr2。
并且，如果满足这样的结构，则在反射层3的表面突出的谷部的底宽，因此，反射层3的光的正反射率变高，本公开的电路基板10的反射率更优异。
此外，在本公开的电路基板10的反射层3的表面，例如，突出峰部的中心部分的负荷长度率Mr1是24以下，突出谷部的中心部分的负荷长度率Mr2是74以上。
此外，关于本公开的电路基板10的反射层3的表面，根据粗糙度曲线求得的突出谷部深度Rvk可以小于根据粗糙度曲线求得的突出峰部高度Rpk。这里，突出谷部深度Rvk和突出峰部高度Rpk是由JISB 0671-2(2002)规定的，在粗糙度曲线上，位于上述的中心部之下的突出的谷部的平均深度是突出谷部深度Rvk，位于上述的中心部之上的突出的峰部的平均高度是突出峰部高度Rpk。
并且，如果满足这样的结构，则在反射层3的表面突出的谷部少，因此，反射层3的光的正反射率变高，本公开的电路基板10进一步地具有优异的反射率。
此外，在本公开的电路基板10的反射层3的表面，例如，突出谷部深度Rvk是0.07μm以下，突出峰部高度Rpk是0.10μm以上。
此外，关于本公开的电路基板10的反射层3的表面，根据粗糙度曲线求得的相对负荷长度为10～60％的平坦率(plateau ratio)Hp(10-60％)是0.30μm以下，平坦率Hp(10-60％)对根据粗糙度曲线求得的相对负荷长度为10～20％的平坦率Hp(10-20％)之比(Hp(10-60％)/Hp(10-20％))可以为不足3.5。
这里，平坦率Hp是由JISB 0671-2(2002)规定的，并基于以下定义。相对负荷长度为10～60％的平坦率Hp(10-60％)表示将反射层3削至某深度时的表面与虚拟平面的接触面积比达10％的深度、与接触面积比达60％的深度之间的距离。此外，相对负荷长度为10～20％的平坦率Hp(10-20％)表示将反射层3削至某深度时的表面与虚拟平面的接触面积比达10％的深度、与接触面积比达20％的深度之间的距离。
并且，如果满足这样的结构，则反射层3的表面由于峰部、谷部少因而正反射成分变多，本公开的电路基板10的反射率被进一步提高。
此外，关于反射层3的表面的突出峰部中的中心部分的负荷长度率Mr1、突出谷部的负荷长度率Mr2、突出谷部深度Rvk、突出峰部高度Rpk、以及平坦率Hp，能够通过依据JISB0671-2(2002)按照与上述的算术平均粗糙度Ra、偏斜度Rsk、峭度Rku相同的测定条件进行测定来求得。
此外，本公开的电路基板10的基板1可以是绝缘体，例如列举了氧化铝质陶瓷、氧化锆质陶瓷、氧化铝与氧化锆的复合陶瓷、氮化硅质陶瓷、氮化铝质陶瓷、碳化硅质陶瓷、或莫来石质陶瓷等。此外，如果基板1由氧化铝质陶瓷构成，则加工容易，并且机械强度优异。此外，如果基板1由氮化铝质陶瓷构成，则散热性优异。
这里，例如，氧化铝质陶瓷是指，在构成陶瓷的100质量％的全部成分中含有70质量％以上的氧化铝。并且，本公开的电路基板10中的基板1的材质能够通过以下方法进行确认。首先，使用X射线衍射装置(XRD)对基板1进行测定，并根据所得到的2θ(2θ是衍射角度。)的值，使用JCPDS卡进行同定。接着，使用ICP发光分光分析装置(ICP)或X射线荧光分析装置(XRF)，进行含有成分的定量分析。如果通过上述同定确认了氧化铝的存在，并且从利用XRF测定出的铝(Al)的含有量换算成氧化铝(Al2O3)而得的值为70质量％以上，则确认是氧化铝质陶瓷。此外，关于其他陶瓷，也能够利用相同的方法来求取。
此外，本公开的电路基板10的导体层2可以由具有导电性的任意材料构成。导体层2是以铜或银为主要成分的、电阻率低且热传导率高的导体层，因此能够进行散热量大的发光元件5的搭载。此外，导体层2中的主要成分是指，构成导体层2的100质量％的全部成分中的超过了50质量％的成分。
此外，本公开的电路基板10的反射层3可以含有金和银中的至少任一者，且在构成反射层3的100质量％的全部成分中含有金和银合计90质量％以上。特别地，本公开的电路基板10的反射层3，可以在构成反射层3的100质量％的全部成分中含有95质量％以上的金。这样，如果反射层3含有95质量％以上的金，则当反射层3中流过电流时，反射层3中难以发生迁移，因此，本公开的电路基板10的长期可靠性优异。
此外，关于本公开的电路基板10的树脂层4，与基板1相比反射率可以更高，具体地，可以是呈现白色系色调的树脂。作为这样的呈现白色系色调的树脂，列举了在硅酮树脂或环氧树脂等中含有氧化钛、氧化铝、氧化锆、氧化钡、硫酸钡、氧化锌、钛酸钡、钛酸钾等白色无机填料而得的树脂。
这里，构成导体层2、反射层3和树脂层4的成分可以通过以下方法进行确认。首先，切断电路基板10以便成为图1所示的截面，并通过截面抛光机(CP)对切断后的截面进行研磨。接着，将研磨后的截面作为观察面，使用扫描电子显微镜(SEM)进行观察，并可以通过使用SEM附带的能量分散型X射线分析装置(EDS)来分别确认构成导体层2、反射层3以及树脂层4的成分。或者，也可以分别削取导体层2、反射层3和树脂层4，并通过使用ICP或XRF来进行确认。
此外，本公开的电路基板10的基板1还可以具有贯通孔。并且，如果在基体1的贯通孔内具有由导电性物质构成的电极，则能够与外部电源连接而进行供电。此外，如果在基体1的贯通孔内具有由高热传导性物质构成的热过孔(thermal via)，则能够使基板1的散热性改善。
此外，本公开的发光装置20具备：上述结构的电路基板10、以及位于电路基板10上的发光元件5。此外，在图1中示出了，发光元件5位于反射层3上，且发光元件5通过接合线(bonding wire)6与反射层3电连接的例子。此外，尽管未图示出，但是，为了保护发光元件5，可以在发光装置20中包含发光元件5的、搭载了发光元件5的一侧的面利用密封材料等覆盖。此外，密封材料可以是含有用于波长变换的荧光物质等的材料。
以下，说明本公开的电路基板10的制造方法的一例。
首先，作为基板1，例如通过公知的成形方法和烧成方法来准备氮化铝质陶瓷或氧化铝质陶瓷。此外，当形成氧化铝质陶瓷时，为了改善基板1的反射率，可以使其含有氧化钡(BaO)和氧化锆(ZrO2)中的至少任一者。
此外，在基板1中要形成贯通孔的情况下，可以在形成成形体时与外部形状一起形成贯通孔，可以针对仅加工了外部形状后的成形体通过冲孔、碎裂(blast)或激光形成贯通孔，或者可以在烧结体中通过碎裂或激光形成贯通孔。此外，基板1的厚度例如是0.15mm以上1.5mm以下。
接着，在基板1上通过溅射形成钛和铜的薄层。这里，在薄膜中，例如，钛层的平均膜厚是0.03μm以上0.2μm以下，铜层的平均膜厚是0.5μm以上2μm以下。
接着，在薄膜上通过光刻蚀法形成抗蚀图案，并使用电解镀铜形成新的铜层，由此，得到导体层2。这里，通过电解镀铜形成的铜层的平均膜厚例如是40μm以上100μm以下。此外，也可以对导体层2的表面进行抛光、化学研磨。
接着，进行电解镀镍-银、非电解镀银，由此，在导体层2上得到银的反射层3。此外，在进行了非电解镀镍之后，进行非电解镀金，由此，在导体层2上得到金的反射层3。此外，通过按照顺序进行非电解镀镍、非电解镀钯、非电解镀金，在导体层2上得到金的反射层3。这里，在导体层2与反射层3之间设置了镍层的情况下，反射层3容易带有光泽，并能够提高反射率。此外，镍层的平均膜厚例如是1μm以上10μm以下。此外，钯层的平均膜厚例如是0.05μm以上0.5μm以下。此外，反射层3的平均膜厚例如是0.1μm以上10μm以下。此外，如果反射层3的平均膜厚为0.2μm以上，则具有特别高的反射率。
接着，除去抗蚀图案，并通过蚀刻除去溢出的钛和铜的薄层。
接着，准备要作为树脂层4的膏(以下记载为树脂层用膏。)。树脂层用膏例如是将硅酮树脂原料和白色无机填料粉末分散于有机溶剂中而得的物质。
此时，作为硅酮树脂原料，能够使用有机聚硅氧烷、有机氢化聚硅氧烷、含有铂的聚硅氧烷等。此外，作为白色无机填料，能够使用氧化钛、氧化铝、氧化锆、氧化钡、硫酸钡、氧化锌、钛酸钡、钛酸钾等。此外，作为有机溶剂，能够从卡必醇、醋酸卡必醇酯、萜品醇、间甲苯酚、二甲基咪唑、二甲基咪唑酮、二甲基甲酰胺、双丙酮醇、三甘醇、对二甲苯、乳酸乙酯、异佛尔酮中选择一种或选择两种以上进行混合而使用。
此外，作为树脂层用膏中的质量比率，例如，调配成：相对于1份的硅酮树脂原料，白色无机填料为0.5～4份，有机溶剂为20～100份。然后，将树脂层用膏在基板1上进行印刷，以便与导体层2和反射层3相接。此外，这里，设树脂层用膏的厚度为：与将导体层2与反射层3合计的厚度相同的程度。
接着，在140℃以上200℃以下的最高温度下，保持0.5小时以上且3小时以下，来进行热处理。
接着，对反射层3和树脂层4的表面进行抛光。这里，作为抛光的条件，可以使用由碳化硅、白色氧化铝、或者金刚石构成的、编号为#400以上#3000以下的磨粒，并设进给速度为500mm/秒以上2000mm/秒以下。此外，在抛光之后，可以追加进行化学研磨。作为化学研磨的条件，可以是，将在过氧化氢水中添加硫酸而得的溶液加热到50℃以上且65℃以下的温度，在该溶液中浸泡15分以上且45分以下。然后，通过在上述条件内改变该抛光和化学研磨，能够使反射层3的表面为任意的表面性状，得到本公开的电路基板10。
接着，例如通过在本公开的电路基板10的反射层3上搭载发光元件5，能够得到本公开的发光装置20。
以下，具体说明本公开的实施例，但是本公开并不限于这些实施例。
实施例1
制作反射层的表面的算术平均粗糙度Ra、偏斜度Rsk以及峭度Rku不同的试样，进行了反射率的测定。
首先，准备了由氮化铝质陶瓷构成的、厚度为0.38mm的基板。
接着，通过溅射，在基板上形成了钛和铜的薄层。并且，设钛层的平均膜厚为0.1μm，铜层的平均膜厚为1.0μm。
接着，在薄膜上通过光刻蚀法形成抗蚀图案，并使用电解镀铜形成了平均膜厚为60μm的铜层，得到了导体层。
接着，进行电解镀镍-银，在导体层上得到了由银构成的反射层。并且，设导体层与反射层之间的镍层的平均膜厚为5μm，反射层的平均膜厚为3μm。
接着，除去抗蚀图案，并通过蚀刻除去溢出的钛和铜的薄膜，得到了面积为101mm×101mm的导体层和反射层的层叠体。
接着，作为树脂层用膏，准备了在有机溶剂中分散作为硅酮树脂原料的聚硅氧烷和作为白色无机填料粉末的氧化钛而得的物质。
接着，将树脂层用膏在基板上进行印刷，以便与导体层和反射层相接。之后，在150℃的最高温度下保持1小时，来进行热处理。
然后，通过进行抛光和化学研磨以使反射层的表面的表面性状成为表1的值，由此得到各个试样。
接着，针对所得的各个试样，使用接触型的表面粗糙度仪，依据JISB0601(2013)，进行了反射层的表面的算术平均粗糙度Ra、偏斜度Rsk、峭度Rku的测定。这里，作为测定条件，设测定长度为2.5mm，裁切值为0.08mm，使用触针半径为2μm的触针，并将扫描速度设定为0.6mm/秒。然后，在反射层的表面在3个部位进行测定，求取其平均值。
接着，针对各个试样，使用分光色度计(美能达制，CM-3700A)，在基准光源D65、波长范围360～740nm、视野10°、照明径3×5mm的条件下进行测定，根据测定结果，测定出了500nm的反射率。
结果示出在表1中。
[表1]
Figure GDA0003870641830000091
如表1所示，与试样No.1、2、8相比，试样No.3～7的反射率高达90.2％以上。从该结果可知，如果在反射层的表面算术平均粗糙度Ra不足0.2μm，并且峭度Rku对偏斜度Rsk的比为5以上15以下，则具有高的反射率。
实施例2
接着，制作在反射层的表面突出峰部的中心部分的负荷长度率Mr1以及突出谷部的中心部分的负荷长度率Mr2不同的试样，进行了反射率的测定。
此外，作为各个试样的制作方法，设为除了进行抛光和化学研磨以外与实施例1的试样No.4的制作方法相同，以使反射层的表面的表面性状成为表2的值。此外，试样No.9与实施例1的试样No.4相同。
然后，针对所得的各个试样，测定了反射层的表面的突出峰部中的中心部分的负荷长度率Mr1以及突出谷部中的中心部分的负荷长度率Mr2。此外，测定条件与基于JISB0671-2(2002)的实施例1相同。此外，通过与实施例1相同的方法来评价各试样的反射率。
结果示出在表2中。
[表2]
Figure GDA0003870641830000101
如表2所示，与试样No.9相比，试样No.10～13的反射率高达93.0％以上。从该结果可知，如果在反射层的表面突出谷部的中心部分的负荷长度率Mr2对突出峰部的中心部分的负荷长度率Mr1的比大于3，则具有进一步提高的反射率。
实施例3
接着，制作反射层的表面的突出谷部深度Rvk以及突出峰部高度Rpk的大小关系不同的试样，进行了反射率的测定。
此外，作为各个试样的制作方法，设为除了进行抛光和化学研磨以外与实施例1的试样No.4的制作方法相同，以使反射层的表面的表面性状成为表3的值。此外，试样No.15与实施例1的试样No.4相同。
然后，针对所得的各个试样，测定了反射层的表面的突出谷部深度Rvk以及突出峰部高度Rpk。此外，测定条件与基于JISB 0671-2(2002)的实施例1相同。此外，通过与实施例1相同的方法来评价各试样的反射率。
结果示出在表3中。
[表3]
Figure GDA0003870641830000111
如表3所示，与试样No.15相比，试样No.14的反射率高达93.7％。从该结果可知，如果在反射层的表面突出谷部深度Rvk小于突出峰部高度Rpk，则具有进一步高的反射率。
实施例4
接着，制作反射层的表面的平坦率Hp(10-60％)以及平坦率Hp(10-20％)不同的试样，进行了反射率的测定。
此外，作为各个试样的制作方法，设为除了进行抛光和化学研磨以外与实施例1的试样No.4的制作方法相同，以使反射层的表面的表面性状成为表4的值。此外，试样No.16与实施例1的试样No.4相同。
然后，针对所得的各个试样，测定了反射层的表面的平坦率Hp(10-60％)以及平坦率Hp(10-20％)。此外，测定条件与基于JISB 0671-2(2002)的实施例1相同。此外，通过与实施例1相同的方法来评价各试样的反射率。
结果示出在表4中。
[表4]
Figure GDA0003870641830000121
如表4所示，与试样No.16、No.17相比，试样No.18～21的反射率高达93.5％以上。从该结果可知，如果在反射层的表面
平坦率Hp(10-60％)是0.30μm以下，平坦率Hp(10-60％)对平坦率Hp(10-20％)的比不足3.5，则具有进一步高的反射率。
实施例5
接着，制作构成反射层的成分不同的试样，进行了反射率的测定、以及迁移试验。
首先，准备了由氮化铝质陶瓷构成的、厚度为0.38mm的基板。
接着，通过溅射，在基板上形成了钛和铜的薄层(以下简称为薄膜)。这里，设钛层的平均膜厚为0.1μm，铜层的平均膜厚为1.0μm。
接着，在薄膜上通过光刻蚀法形成抗蚀图案，并使用电解镀铜形成了平均膜厚为60μm的铜层，得到了导体层。这里，关于该抗蚀图案设为，当除去了抗蚀图案时导体层的个数成为两个。具体地，设为，两个导体层朝向各自的长度方向对齐后的方向，且导体层彼此的间隔为80μm。这里，设两个导体层分别为长度方向×宽度方向为400μm×250μm的长方形。
接着，对作为试样No.22的试样进行电解镀镍-银，在两个导体层上得到了银的反射层。并且，设导体层与反射层之间的镍层的平均膜厚为5μm，反射层的平均膜厚为3μm。
另一方面，对作为试样No.23的试样，在进行了非电解镀镍后，进行非电解镀金，在两个导体层上得到了金的反射层。并且，设导体层与反射层之间的镍层的平均膜厚为5μm，反射层的平均膜厚为3μm。
接着，除去抗蚀图案，并通过蚀刻除去溢出的钛和铜的薄膜，得到了两个长度方向×宽度方向为400μm×250μm的长方形的导体层和反射层的层叠体。
接着，作为树脂层用膏，准备了在有机溶剂中分散作为硅酮树脂原料的聚硅氧烷和作为白色无机填料粉末的氧化钛而得的物质。
接着，将树脂层用膏在基板上印刷成长度方向×宽度方向为800μm×800μm的正方形，以便将两个层叠体彼此的间隙掩埋，并将层叠体的周围覆盖。之后，在150℃的最高温度下保持1小时，来进行热处理。
然后，进行抛光和化学研磨，以使反射层的表面的表面性状与实施例4的试样No.20相同，由此得到了试样No.22、No.23。
接下来，通过以下方法确认了各个试样的构成反射层的成分。首先，将各个试样切断，并通过CP对切断后的截面进行研磨。接着，以研磨后的截面作为观察面，使用SEM进行观察，并通过使用SEM附带的EDS来确认构成反射层的成分。其结果，试样No.22的反射层在构成反射层的100质量％的全部成分中含有95质量％以上的银。另一方面，试样No.23的反射层在构成反射层的100质量％的全部成分中含有95质量％以上的金。
接着，通过与实施例1相同的方法评价了各个试样的反射率。
此外，针对各个试样，进行了迁移试验。首先，利用导线将各个试样的两个反射层彼此连接。接着，将各个试样置于高温(85℃)/高湿(85％)的环境下，并在各个试样的反射层中流过电流的状态下进行放置。然后，从流过电流起每隔50小时将各个试样从上述环境下取出，拆除将两个反射层彼此连接的导线，并确认了在两个反射层之间是否不存在导通。之后，将从流过电流起确认导通直到250小时为止的试样评价为“×”；将从流过电流起确认导通直到1000小时为止的试样评价为“△”；将从流过电流起直到1000小时为止未确认导通的试样评价为“○”。
结果示出在表5中。
[表5]
Figure GDA0003870641830000141
如表5所示，试样No.23的迁移试验的结果是“○”。从该结果可知，如果反射层在构成反射层的100质量％的全部成分中含有95质量％以上的金，则具有优异的长期可靠性。
-符号说明-
1：基板；
2：导体层；
3：反射层；
4：树脂层；
5：发光元件；
6：接合线；
10：电路基板；
20：发光装置。

Claims (9)

1.一种电路基板，其特征在于，
该电路基板具备：
基板；
位于该基板上的导体层；
位于该导体层上的反射层；以及
位于所述基板上并且与所述导体层及所述反射层相接地设置的树脂层，
关于所述反射层的表面，根据粗糙度曲线求得的算术平均粗糙度Ra不足0.2μm，并且根据粗糙度曲线求得的峭度Rku相对于根据粗糙度曲线求得的偏斜度Rsk之比为5以上且15以下。
2.根据权利要求1所述的电路基板，其特征在于，
关于所述反射层的表面，根据粗糙度曲线求得的突出谷部的中心部分的负荷长度率Mr2相对于根据粗糙度曲线求得的突出峰部的中心部分的负荷长度率Mr1之比大于3。
3.根据权利要求1或2所述的电路基板，其特征在于，
关于所述反射层的表面，根据粗糙度曲线求得的突出谷部深度Rvk小于根据粗糙度曲线求得的突出峰部高度Rpk。
4.根据权利要求1或2所述的电路基板，其特征在于，
关于所述反射层的表面，根据粗糙度曲线求得的相对负荷长度为10％～60％的平坦率Hp(10％-60％)是0.30μm以下，所述平坦率Hp(10％-60％)相对于根据粗糙度曲线求得的相对负荷长度为10％～20％的平坦率Hp(10％-20％)之比不足3.5。
5.根据权利要求3所述的电路基板，其特征在于，
关于所述反射层的表面，根据粗糙度曲线求得的相对负荷长度为10％～60％的平坦率Hp(10％-60％)是0.30μm以下，所述平坦率Hp(10％-60％)相对于根据粗糙度曲线求得的相对负荷长度为10％～20％的平坦率Hp(10％-20％)之比不足3.5。
6.根据权利要求1或2所述的电路基板，其特征在于，
所述反射层在构成该反射层的100质量％的全部成分中含有95质量％以上的金。
7.根据权利要求3所述的电路基板，其特征在于，
所述反射层在构成该反射层的100质量％的全部成分中含有95质量％以上的金。
8.根据权利要求4所述的电路基板，其特征在于，
所述反射层在构成该反射层的100质量％的全部成分中含有95质量％以上的金。
9.一种发光装置，其特征在于，具备：
权利要求1至8中任一项所述的电路基板；以及
位于该电路基板上的发光元件。
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