JP5429038B2 - 発光素子搭載用基板および発光装置 - Google Patents
発光素子搭載用基板および発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5429038B2 JP5429038B2 JP2010112608A JP2010112608A JP5429038B2 JP 5429038 B2 JP5429038 B2 JP 5429038B2 JP 2010112608 A JP2010112608 A JP 2010112608A JP 2010112608 A JP2010112608 A JP 2010112608A JP 5429038 B2 JP5429038 B2 JP 5429038B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- light emitting
- glass
- silver
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 93
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 196
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 146
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 105
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 95
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 74
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 71
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 49
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 25
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 6
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Pt] Chemical compound [Ag].[Pt] IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 29
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 23
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 16
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 14
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 13
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 12
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 6
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 6
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 6
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 5
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 5
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 5
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 5
- -1 silver ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 4
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 4
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 3
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N Butylbenzyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Description
しかしながら、発光素子から基板内に入射した光は、そのほとんどが基板内を拡散放射するため、基板の前方に反射する光の割合を十分に高められないという問題があった。
しかしながら、銀は腐食されやすいため、露出状態で放置すると、銀反射層の表面で酸化や硫化が発生して光反射率が低下し、十分な光取出し効率を得られない。
しかしながら、これらの樹脂で銀反射層を被覆しても、その封止性が十分でないため、腐食性の気体または液体が樹脂自体を通過したり、または樹脂と基板との界面から気体または液体が侵入したりするおそれがあり、銀反射層の酸化または硫化による光反射率の低下を十分に防止できないことがある。
ガラスによる保護層は、樹脂による保護層と比較して封止性に優れるうえ、光の透過率が高く、光反射層に到達する光の量が増すため、高い反射率を得ることができる。また、ガラスは熱伝導性に優れるため、光反射層の保護層としてガラス層を設けた場合、樹脂層を設けた場合よりも高い放熱性を得ることができる。
また、搭載部に凹凸があると、発光素子が傾いて固定されるおそれがあり、その後のワイヤボンディングにより損傷し、また光軸ずれが発生するおそれもある。
また、ガラス層にセラミックスフィラーを含有させた場合、発光素子からガラス層に入射した光の反射方向を分散させることができ、配光特性のばらつきも低減できる。
この場合、金属イオン6Aは、高濃度状態となりながら、ガラス層70内を表層側に向けて移動するため、ガラス層70表面に金属イオン6Aが凝集して金属粒子となり、その一部がガラス層70から露出することがある。
このような発光素子搭載用基板表面を、シリコーン樹脂等の封止材で封止した場合、表面に露出した銀粒子が、封止材(モールド材)に含まれる白金触媒等と接触して再度イオン化し、これが凝集してコロイド化することがある。この状態で、恒温、恒湿の環境下に長時間放置すると、コロイド粒子が凝集し、封止材(モールド材)やガラス層が茶色や黄色等に発色する、いわゆる銀発色と呼ばれる現象が発生する。
封止材に発色が生じると、発光素子から生じた光が発色体で吸収されるため、発光装置としての光度が低下するおそれがある。
また、本発明によれば、このような発光素子搭載用基板に発光素子を搭載することで、発光素子から供給される光の損失が少なく、十分な発光輝度を得ることができ、また発光素子の損傷や光軸ずれが抑制された発光装置とできる。
発光素子搭載用基板1は、略平板状の基板本体2を有している。基板本体2は、一方の主面が、発光ダイオード素子のような発光素子の搭載される搭載面2aとなっている。搭載面2aには、発光素子と電気的に接続される接続端子3が設けられている。また、基板本体2の他方の主面は、発光素子の搭載されない非搭載面2bとされており、この非搭載面2bには、外部回路と電気的に接続される外部電極端子4が設けられている。そして、基板本体2の内部に、これら接続端子3と外部電極端子4とを電気的に接続する貫通導体5が設けられている。
また、搭載面2aの長手方向両端部にも、発光素子から放射される光を反射させるための反射層6bがそれぞれ設けられている。この反射層6bの上に、反射層6b全面を覆うように第1保護層7bが設けられており、この第1保護層7bの上面に、第2保護層8b(以下、反射層6a及び反射層6bを反射層6と示し、第1保護層7a及び第1保護層7bを第1保護層7と示し、第2保護層8a及び第2保護層8bを第2保護層8と示す。)が設けられている。
第1保護層7は、ガラス粉末焼結体を主体として構成されており、反射層6を完全に被覆するように設けられている。また、第2保護層8は、第1保護層7の上面に設けられており、セラミックスフィラー9を含有するガラス粉末焼結体で構成されている。
この第1保護層7、第2保護層8により、反射層6への気体または液体の侵入を抑制し、反射層6の酸化や硫化を防止できる。
なお、本明細書において「アルミナ系フィラー」とは、化学成分としてAl2O3を50質量%以上含有するセラミックスフィラーをいい、「アルミナ系フィラーを実質的に含まない」とは、第1保護層7のアルミナ系フィラーの含有量が0.1%未満であることをいう。
このような第1保護層7とすることで、第2保護層8の表面に露出する銀の量が極めて低減された発光素子搭載用基板とできる。
すなわち、例えば図6に示すように、アルミナ系フィラー90を含有する保護層70を、反射層6の上に接触させて設けた場合、反射層6の銀(Ag)原子は、加熱、焼成の際に、反射層6から銀(Ag)イオンとして遊離し、マイグレーション現象により保護層70内を移動し、この層内及び表層に堆積すると考えられる。
具体的には、反射層6から遊離した銀イオン6Aが保護層70に移行し、これがアルミナ系フィラー90とガラス粉末との界面に到達して、銀(Ag)イオン6A−アルミナ系フィラー90間でアルカリ置換が生じたとき、銀(Ag)イオン6Aが他のアルミナ系フィラー90表面に順次移行して、保護層7内を表層側に移動することでマイグレーション現象が発生すると考えられる。
したがって、このようなアルミナ系フィラー90を実質的に含有しない第1保護層7とすることで、第1保護層7内を移動する銀(Ag)イオンの量を低減できるため、第1保護層7の銀イオンの濃度の上昇を抑制でき、第2保護層8に到達する銀(Ag)イオンが低減された発光素子搭載用基板とすることができる。
なお、銀反射層6と接する保護層に、アルミナ系フィラー以外のセラミックスフィラーが含まれる場合でも、上述したマイグレーション現象が生じる可能性があるが、アルミナ系フィラーの場合と比較して、その程度は相対的に相当低いため、第1保護層7が、アルミナ系フィラーを実質的に含有しないことが重要である。
第1保護層7に対するアルミナ系フィラー以外のセラミックスフィラーの含有量が30質量%を超えると、保護層7が焼成不足となり易く、その耐酸性や強度が低下して、反射層6の保護層として十分に機能できなくなるおそれがある。
第1保護層7に対するアルミナ系フィラー以外のセラミックスフィラーの含有量は、0.5質量%以下であることが特に好ましい。
ガラス粉末の軟化点(Ts)が900℃を超える場合、このガラス粉末を焼成して緻密な焼結体を得るためには焼成温度が900℃を超えることが必要となるが、この場合、反射層6として好適に用いられる銀反射層(以下、銀反射層6と示す。)と同時に焼成したときに、銀反射層が変形するおそれがある。
第1保護層用ガラス粉末として、軟化点(Ts)が900℃以下のものを用いることにより、銀反射層の変形を生じさせることなく、第1保護層用ガラスペーストと銀反射層とを同時に焼成できる。
第1保護層用のガラス粉末焼結体に発色が生じると、第1保護層7の反射率が低下する。したがって、銀と同時に焼成しても、発色を生じないガラス粉末を用いることが好ましい。
B2O3の含有量は、好ましくは12mol%以上である。
Na2O、K2Oは、そのいずれか1以上を含有することが好ましく、Na2OおよびK2Oの合計した含有量が0.9mol%以上であることが好ましい。
SiO2の含有量とAl2O3の含有量の合計が62mol%未満であると、化学的耐久性が不十分になるおそれがある。一方、SiO2の含有量とAl2O3の含有量の合計が84mol%を超えると、軟化点(Ts)やガラス点移転(Tg)が過度に高くなるおそれがある。
MgOの含有量が10mol%を超えると、銀発色が生じやすくなるおそれがある。
MgOの含有量は、好ましくは8mol%以下である。
また、第1保護層7に用いるガラス粉末は、上記含有比率を有するものに限定されず、これとは異なる含有比率を有するガラス粉末を用いることもできる。
第1保護層7の耐酸性が100μg/cm2を超えると、反射層6のメッキ処理溶液中に第1保護層7のガラス成分が溶出し、基板を製造する際に、連続運転が妨げられたり、第1保護層7が白濁し、反射率が低下したりするおそれがある。
なお、第1保護層7の耐酸性は、pH1.68、温度85℃のシュウ酸塩緩衝液700cm3の中に浸漬し、1時間経過後の質量減少量を測定することにより評価したものである。
SiO2はガラスのネットワークフォーマとなるものである。SiO2の含有量が78mol%未満であると、化学的耐久性が低下するおそれがある。一方、SiO2の含有量が83mol%を超えると、軟化点(Ts)やガラス転移点(Tg)が過度に高くなるおそれがある。
SiO2の含有量は、好ましくは80mol%以上である。また、SiO2の含有量は、好ましくは82mol%以下、より好ましくは81mol%以下である。
B2O3の含有量が16mol%未満の場合、軟化点(Ts)やガラス転移点(Tg)が過度に高くなるおそれがある。一方、B2O3の含有量が18mol%を超えると、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性が低下するおそれもある。
B2O3の含有量は、好ましくは17mol%以下である。
Na2OおよびK2Oの含有量の合計が0.9mol%未満の場合、軟化点(Ts)やガラス転移点(Tg)が過度に高くなるおそれがある。一方、Na2OおよびK2Oの含有量の合計が4mol%を超える場合、化学的耐久性、特に耐酸性が低下するおそれがあり、電気絶縁性も低下するおそれがある。また、Na2OおよびK2Oの含有量の合計が4mol%を超える場合、銀発色が生じやすくなるおそれがある。
Na2OおよびK2Oの含有量の合計は、好ましくは1.0mol%以上、より好ましくは1.5mol%以上である。また、Na2OおよびK2Oの含有量の合計は、好ましくは3mol%以下、より好ましくは2mol%以下である。
CaOの含有量が0.6mol%を超えると、軟化点(Ts)やガラス移転点(Tg)が過度に低くなるおそれがあり、また結晶化を促進するため、透明なガラスを得られないおそれがある。また、CaOの含有量が0.6mol%を超えると、銀発色が生じやすくなるおそれがある。
SiO2はガラスのネットワークフォーマとなるものである。SiO2の含有量が72mol%未満のとき、化学的耐久性が低下するおそれがある。一方、SiO2の含有量が78mol%を超えると、ガラスの軟化点(Ts)やガラス転移点(Tg)が過度に高くなるおそれがある。
SiO2の含有量は、好ましくは73mol%以上である。また、SiO2の含有量は、好ましくは76mol%以下である。
B2O3の含有量が13mol%未満の場合、ガラスの軟化点(Ts)やガラス転移点(Tg)が過度に高くなるおそれがある。一方、B2O3の含有量が18mol%を超えると、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性が低下するおそれもある。
B2O3の含有量は、好ましくは17mol%以下である。
MgOの含有量が2mol%未満のとき、軟化点(Ts)やガラス点移転(Tg)が過度に高くなるおそれがあり、またガラスが不安定となるおそれがある。一方、MgOの含有量が10mol%を超えると、銀発色が生じやすくなるおそれがある。
MgOの含有量は、好ましくは4mol%以上である。また、MgOの含有量は、好ましくは8mol%以下、より好ましくは6mol%以下である。
Na2OおよびK2Oの含有量の合計が0.9mol%未満のとき、軟化点(Ts)やガラス移転点(Tg)が過度に高くなるおそれがある。一方、Na2OおよびK2Oの含有量の合計が4mol%を超えると、化学的耐久性、特に耐酸性が低下するおそれがあり、電気絶縁性も低下するおそれがある。また、Na2OおよびK2Oの含有量の合計が4mol%を超えると、銀発色が生じやすくなるおそれがある。
Na2OおよびK2Oの含有量の合計は、好ましくは1.0mol%以上、より好ましくは1.5mol%以上である。また、Na2OおよびK2Oの含有量の合計は、好ましくは3mol%以下である。
なお、本明細書において、50%粒径(D50)は、レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置を用いて測定したものをいう。
ガラス粉末の最大粒径は、より好ましくは10μm以下である。
第2保護層8は、セラミックスフィラー9を含有するガラス粉末焼結体からなり、未焼成状態での流動性が低減されている。このような第2保護層8を、第1保護層7の上面に設けることで、焼成体の表面の凹凸面の発生が低減される。したがって、発光素子の搭載部10の平坦度を向上させることができ、熱抵抗を低減し、また、発光素子を搭載したときの傾きも抑制できる。
なお、第2保護層8のガラス粉末は、第1保護層7のガラス粉末と同一のものを用いることが好ましいが、上述した第1保護層用のガラス粉末であれば、他のガラス粉末を用いることも可能である。
このようなセラミックスフィラーとしては、例えばアルミナ系フィラー、アルミナ粉末、ジルコニア粉末、チタニア粉末、またはこれらの混合物を好適に用いることができる。セラミックスフィラーの50%粒径(D50)は、例えば0.5μm以上4μm以下であることが好ましい。
セラミックスフィラー9の含有量が10質量%未満の場合、第2保護層8の未焼成状態での流動性が高すぎて、焼成時にうねり等が発生し、焼成体表面に凹凸面が生じて搭載部10の平坦度が低下するおそれがある。
一方、セラミックスフィラー9の含有量が30質量%を超えると、焼成が困難となり、焼成中にガラス粉末の流動が不十分となって、各セラミックフィラー9がガラス粉末焼結体によって均一に包まれた焼結体を得難くなり、第2保護層8の平坦性が低下したり、耐酸性や強度が低下したりして、反射層6の保護層として、十分に機能できなくなるおそれがある。
セラミックスフィラー9の含有量は、好ましくは25質量%以下である。
第1保護層7の厚みが10μm未満の場合、反射層6表面から第2保護層8までの距離が短すぎて、焼成の際に、銀イオンが第2保護層8に到達し、第2保護層8の表面8Aに銀が露出するおそれがある。一方、第1保護層7の厚みが30μmを超える場合、第1保護層7の体積が過大となって熱伝導性が低下したり、さらに第1保護層7の焼成時のうねり等の影響が第2保護層8の表面8Aに及んで搭載部10の平坦度が低下したりするおそれがある。第1保護層7の厚みは、より好ましくは20μm以上25μm以下である。
第2の保護層8aの厚みが10μm未満の場合、第1保護層7の表層面(第2保護層8との接触面)の影響が、第2保護層8の表面8Aに及ぶおそれがあり、搭載部10の平坦度が低下するおそれがある。
一方、第2保護層8の厚みが30μmを超えると、熱伝導性が低下するおそれがある。第2保護層8の厚みは、より好ましくは20μm以上25μm以下である。
無機材料の中でも、アルミナセラミックス、低温同時焼成セラミックス(Low Temperature Co−fired Ceramic。以下、LTCCと示す。)、窒化アルミニウム等は、熱伝導性、放熱性、強度、および製造コスト等の点で優れており、好ましく用いられる。
上記の無機材料の中でも、特に、LTCCを基板本体2として採用した場合には、基板本体2、反射層6、第1保護層7、および第2保護層8とを一括して同時に焼成できるため、発光素子搭載用基板1を効率的に製造できる。
まず、グリーンシートを形成する。グリーンシートは、基板本体用ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物にバインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加してスラリーを調整し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで製造できる。
湿式粉砕法の場合には、溶媒として水を用いることが好ましい。粉砕は、例えばロールミル、ボールミル、ジェットミル等の粉砕機を用いて行うことができる。
焼成は、特に860℃以上880℃以下の温度で行うことが好ましい。反射層6の形成に、銀を主成分とする金属粉末を含有する金属ペーストを用いた場合には、焼成温度が880℃を超えると、金属ペーストが過度に軟化して所定の形状を維持できなくなるおそれがある。
本発明の発光装置20によれば、第2保護層8の表面8Aに露出する銀の量が極めて低減されているため、上記白金触媒等が表面8Aに接触したときの、銀イオンのコロイド化現象が抑制されており、コロイド粒子の凝集に伴うモールド材13及びその近傍領域での発色現象が抑制されている。
発光色の調整としては、例えば、蛍光体を封止剤に混合、分散させることにより、発光素子11から放射された光によって蛍光体が励起されて可視光を発光し、この可視光と発光素子11から放射される光とが混色して、発光装置20として所望の発光色を得ることができる。
また、発光素子11から放射される光と蛍光体から発光される可視光とが混色したり、または可視光同士が混色したりすることでも、発光装置20として所望の発光色を得ることができる。
蛍光体の種類は特に限定されるものではなく、発光素子から放射される光の種類や目的とする発光色に応じて適宜に選択される。
また、本発明の発光装置20によれば、搭載部10の平坦度に優れ、熱抵抗の小さい発光素子搭載用基板1を用いることで、発光素子11の過度な温度上昇を抑制し、高輝度に発光させることができる。さらに、本発明の発光装置20によれば、配光特性のばらつきが低減された、良質の光を得ることができる。
また、保護層用ガラス粉末の軟化点(Ts)を、示差熱分析装置(ブルカーAXS社製、商品名:TG−DTA2000)を用いて昇温速度10℃/分の条件で1000℃まで昇温して測定した。ガラス粉末の軟化点(Ts)は、775℃であった。
耐酸性試験は、ガラス粉末4gを金型に入れてプレスし、焼成して直径14mm、高さ15mmの焼結体を得た後、この焼結体をpH1.68、温度85℃のシュウ酸塩緩衝液700cm3の中に浸漬し、1時間経過後の質量減少量を測定することにより行った。なお、浸漬後の質量については、100℃で1時間乾燥した後に測定した。
ガラス粉末焼結体の単位表面積あたりの質量減少量は、0μg/cm2であった。
また、上記の保護層用ガラス粉末に、50%粒径(D50)が2μmであるアルミナ粉末(昭和電工社製、商品名:AL−45H)を、30質量%となるように配合し、混合することにより第2保護層用ガラスセラミックス組成物1を製造した。
なお、表中、ガラス粉末とアルミナフィラーとの混合割合は、質量%で表示したものである。
上記の第1保護層用組成物1と樹脂成分とを、ガラスセラミックス組成物を60質量%、樹脂成分を40質量%の割合で配合し、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って、第1保護層用ガラスペースト1を作製した。
また、第2保護層用ガラスセラミックス組成物1と樹脂成分とを、ガラスセラミックス組成物を60質量%、樹脂成分を40質量%の割合で配合し、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って、第2保護層用ガラスペースト1を作製した。なお、樹脂成分は、エチルセルロースとαテレピネオールとを質量比85:15の割合で調合し分散したものを使用した。
まず、SiO2を60.4mol%、B2O3を15.6mol%、Al2O3を6mol%、CaOを15mol%、K2Oを1mol%、Na2Oを2mol%となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600℃で60分溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより40時間粉砕して基板本体用ガラス粉末を製造した。なお、粉砕の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
銀反射膜用ペースト層6上に第1保護層7を形成せず、銀反射膜用ペースト層6上に直接第2保護層用ガラスペーストを塗布して第2保護層8を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、発光素子搭載用基板1を製造した(比較例1)。
また、銀反射膜用ペースト層6上に第1保護層用ガラスペースト1を塗布して第1保護層7のみを形成し、第2保護層8を形成しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、発光素子搭載用基板1を製造した(比較例2)。
なお、実施例1及び比較例1では、アルミナ粉末を配合した第2保護層8における、Al2O3近傍領域のガラス粉末焼結体について銀(Ag)成分の濃度測定を行った。また、比較例2では、第1保護層7における、ガラス粉末焼結体の任意領域について銀(Ag)成分の濃度測定を行った。測定結果を表1に示す。
この状態で、温度85℃、湿度85%の環境下で250時間放置して、モールド材13の発色状態を観察した。
この発光ダイオード素子が搭載された発光素子用基板1について、熱抵抗測定器(嶺光音電機株式会社製、商品名:TH−2167)を用いて熱抵抗を測定した。なお、印加電流は35mAとし、電圧降下が飽和する時間まで通電し、降下した電圧と発光ダイオード素子の温度−電圧降下特性から導かれる温度係数によって飽和温度Tj(℃)を算出した。評価結果を表1に示す。
なお、表1では、実施例1の飽和温度Tjの測定値を100とし、比較例1及び2については、各飽和温度Tjの測定値から、実施例1の測定値を基準とした相対値を算出したものを表記した。
次に、各実施例及び比較例の発光装置20について、発光素子11(発光ダイオード素子)に対し、電圧/電流発生器(アドバンテスト社製、商品名:R6243)を用いて35mAを印加し、各発光装置20から得られる光の全光束量(ルーメン)を測定した。
全光束量の測定は、積分球(直径6インチ)内に発光装置20を設置し、全光束測定装置(スペクトラコープ社製、商品名:SOLIDLAMBDA・CCD・LED・MONITOR・PLUS)を用いて行った。測定結果を表1に示す。
なお、表1では、実施例1の光束量の測定値を100とし、比較例1及び2については、各光束量の測定値から、実施例1の測定値を基準とした相対値を算出したものを表記した。
一方、実施例1の発光素子搭載用基板1を用いた発光装置20では、モールド材13における発色がなく、高い光束量を得られるとともに、熱抵抗の上昇も抑制されることが認められた。
Claims (9)
- 基板本体と、
前記基板本体の一部に形成された、銀(Ag)又は銀合金を主体とする反射層と、
前記反射層の全面を覆うように形成された、ガラス粉末焼結体を主体とする第1保護層と、前記第1保護層の上に形成され、一部が発光素子の搭載される搭載部となる第2保護層と、を有する発光素子搭載用基板であって、前記第1保護層がアルミナ系フィラーを実質的に含有せず、かつ前記第2保護層がセラミックスフィラーを含有するガラス粉末焼結体からなることを特徴とする発光素子搭載用基板。 - 前記第1保護層に含まれる銀(Ag)又は銀合金の濃度が0.3%以下である請求項1記載の発光素子搭載用基板。
- 前記第2保護層に含まれるセラミックスフィラーの含有量が、10質量%以上30質量%以下である請求項1又は2記載の発光素子搭載用基板。
- 前記第2保護層に含まれるセラミックスフィラーがアルミナ粉末、ジルコニア粉末、チタニア粉末、シリカ粉末から選択される1種又は2種以上の混合物からなる請求項1乃至3のいずれか1項記載の発光素子搭載用基板。
- 前記第1保護層の厚みが10μm以上30μm以下である請求項1乃至4のいずれか1項記載の発光素子搭載用基板。
- 前記第2保護層の厚みが10μm以上30μm以下である請求項1乃至5のいずれか1項記載の発光素子搭載用基板。
- 前記反射層が、銀又は銀パラジウム合金、銀白金合金のような銀と白金族元素との合金から選択される金属を含む層で構成される請求項1乃至6のいずれか1項記載の発光素子搭載用基板。
- 請求項1乃至7のいずれか1項記載の発光素子搭載用基板と、
前記発光素子搭載用基板の搭載部に搭載される発光素子と、を有する
ことを特徴とする発光装置。 - 前記基板本体及び前記第2保護層の表面の一部又は全部が、白金触媒を含むシリコーン樹脂で封止されてなる請求項8記載の発光装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010112608A JP5429038B2 (ja) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
TW100112012A TW201208151A (en) | 2010-05-14 | 2011-04-07 | Substrate for mounting light-emitting element and light-emitting device |
CN2011101303046A CN102280559A (zh) | 2010-05-14 | 2011-05-12 | 发光元件搭载用基板及发光装置 |
EP11003990A EP2387083B1 (en) | 2010-05-14 | 2011-05-13 | Substrate for mounting light-emitting element and light-emitting device |
KR1020110045062A KR20110126066A (ko) | 2010-05-14 | 2011-05-13 | 발광 소자 탑재용 기판 및 발광 장치 |
US13/107,462 US20110278618A1 (en) | 2010-05-14 | 2011-05-13 | Substrate for mounting light-emitting element and light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010112608A JP5429038B2 (ja) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011243660A JP2011243660A (ja) | 2011-12-01 |
JP5429038B2 true JP5429038B2 (ja) | 2014-02-26 |
Family
ID=44276190
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010112608A Active JP5429038B2 (ja) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110278618A1 (ja) |
EP (1) | EP2387083B1 (ja) |
JP (1) | JP5429038B2 (ja) |
KR (1) | KR20110126066A (ja) |
CN (1) | CN102280559A (ja) |
TW (1) | TW201208151A (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10008637B2 (en) | 2011-12-06 | 2018-06-26 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output |
CN102347426A (zh) * | 2010-07-26 | 2012-02-08 | 旭硝子株式会社 | 发光元件搭载用基板、其制造方法及发光装置 |
US10686107B2 (en) * | 2011-07-21 | 2020-06-16 | Cree, Inc. | Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods |
US10211380B2 (en) | 2011-07-21 | 2019-02-19 | Cree, Inc. | Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods |
WO2013013154A2 (en) * | 2011-07-21 | 2013-01-24 | Cree, Inc. | Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods |
EP2626918B8 (de) * | 2012-02-13 | 2020-06-03 | Tridonic GmbH & Co. KG | LED-Modul mit hoch-reflektivem Träger und Verfahren zum Herstellen eines LED-Moduls mit hoch-reflektivem Träger |
AT14124U1 (de) * | 2012-02-13 | 2015-04-15 | Tridonic Jennersdorf Gmbh | LED-Modul mit Flächenverguß |
JP2013239546A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Asahi Glass Co Ltd | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
US20150077982A1 (en) * | 2012-05-31 | 2015-03-19 | Panasonic Corporation | Led module, lighting device, and lamp |
TW201405861A (zh) * | 2012-07-09 | 2014-02-01 | Ceramtec Gmbh | Led用途之反射光的基材 |
US20160260880A1 (en) * | 2012-11-27 | 2016-09-08 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device using mounting substrate |
US9368707B2 (en) | 2012-11-27 | 2016-06-14 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Mounting substrate and light-emitting device using the same |
JP6179857B2 (ja) | 2013-09-24 | 2017-08-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置 |
JP2017111176A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | セイコーエプソン株式会社 | 波長変換素子、照明装置、プロジェクター、および波長変換素子の製造方法 |
DE102016106494A1 (de) | 2016-04-08 | 2017-10-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements |
US10439114B2 (en) * | 2017-03-08 | 2019-10-08 | Cree, Inc. | Substrates for light emitting diodes and related methods |
CN108870119A (zh) * | 2017-05-12 | 2018-11-23 | 深圳市光峰光电技术有限公司 | 波长转换装置及其制备方法、激光荧光转换型光源 |
JP7348587B2 (ja) * | 2018-03-07 | 2023-09-21 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスセラミック誘電体 |
KR101995179B1 (ko) * | 2018-12-13 | 2019-07-01 | 박용순 | 투명 led 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
CN215813649U (zh) * | 2020-04-13 | 2022-02-11 | 日亚化学工业株式会社 | 面状光源 |
JP7140999B2 (ja) * | 2020-04-13 | 2022-09-22 | 日亜化学工業株式会社 | 面状光源及びその製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5112393B1 (ja) * | 1970-12-21 | 1976-04-19 | ||
JPS60233882A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-20 | 田中マツセイ株式会社 | 厚膜ic回路基板 |
JP2001217461A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合発光素子 |
JP2002299801A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 回路基板 |
JP2007067116A (ja) | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
TWI394300B (zh) * | 2007-10-24 | 2013-04-21 | Advanced Optoelectronic Tech | 光電元件之封裝結構及其製造方法 |
CN101341628A (zh) * | 2006-08-02 | 2009-01-07 | 株式会社村田制作所 | 芯片元件 |
JP4963950B2 (ja) * | 2006-12-12 | 2012-06-27 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP5104490B2 (ja) * | 2007-04-16 | 2012-12-19 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2009007524A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Asahi Glass Co Ltd | 透光封止用の硬化性組成物 |
JP2009206124A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Led装置の封止方法及びled装置 |
JP5345363B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2013-11-20 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JP5555989B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2014-07-23 | 横浜ゴム株式会社 | シリコーン樹脂組成物、これを用いるシリコーン樹脂および光半導体素子封止体 |
KR101235489B1 (ko) * | 2008-08-21 | 2013-02-20 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
JP5280153B2 (ja) | 2008-11-05 | 2013-09-04 | 株式会社コロナ | 貯湯タンク装置およびその組立方法 |
JP5381800B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2014-01-08 | 旭硝子株式会社 | 発光素子搭載用基板およびこの基板を用いた発光装置 |
-
2010
- 2010-05-14 JP JP2010112608A patent/JP5429038B2/ja active Active
-
2011
- 2011-04-07 TW TW100112012A patent/TW201208151A/zh unknown
- 2011-05-12 CN CN2011101303046A patent/CN102280559A/zh active Pending
- 2011-05-13 KR KR1020110045062A patent/KR20110126066A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-05-13 US US13/107,462 patent/US20110278618A1/en not_active Abandoned
- 2011-05-13 EP EP11003990A patent/EP2387083B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011243660A (ja) | 2011-12-01 |
EP2387083B1 (en) | 2012-11-28 |
CN102280559A (zh) | 2011-12-14 |
EP2387083A1 (en) | 2011-11-16 |
KR20110126066A (ko) | 2011-11-22 |
TW201208151A (en) | 2012-02-16 |
US20110278618A1 (en) | 2011-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5429038B2 (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
JP5071555B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5206770B2 (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
US9054287B2 (en) | Substrate for mounting light-emitting element, production process thereof and light-emitting device | |
JP5729375B2 (ja) | 発光装置 | |
KR20110111243A (ko) | 발광 소자 탑재 기판 및 이 기판을 사용한 발광 장치 | |
WO2010150830A1 (ja) | 発光装置 | |
JP5720454B2 (ja) | 発光素子搭載用基板とその製造方法および発光装置 | |
JP5644771B2 (ja) | 発光素子用基板および発光装置 | |
JP2013254820A (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
JP5381800B2 (ja) | 発光素子搭載用基板およびこの基板を用いた発光装置 | |
JP2011258866A (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
JP5812092B2 (ja) | 発光素子用基板および発光装置 | |
JP2011192980A (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
JP2011176083A (ja) | 発光装置 | |
JP5381799B2 (ja) | 発光素子搭載用基板およびこの基板を用いた発光装置 | |
JP2013239546A (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
WO2012036132A1 (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
JP2011176106A (ja) | 発光素子搭載用基板およびこれを用いた発光装置 | |
JP2012238855A (ja) | 発光素子用基板および発光装置 | |
JP2011176303A (ja) | 発光素子搭載用基板およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130802 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131118 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5429038 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |