JPS60233882A - 厚膜ｉｃ回路基板 - Google Patents
厚膜ｉｃ回路基板Info
- Publication number
- JPS60233882A JPS60233882A JP8985284A JP8985284A JPS60233882A JP S60233882 A JPS60233882 A JP S60233882A JP 8985284 A JP8985284 A JP 8985284A JP 8985284 A JP8985284 A JP 8985284A JP S60233882 A JPS60233882 A JP S60233882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- insulating film
- film
- thick film
- conductor lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、絶縁膜を挟んで交叉する導体ラインが印刷さ
れた厚膜１０回路基板の改良に関する。
れた厚膜１０回路基板の改良に関する。
（従来技術）
厚１１ｔ！ＩＧ回路基板に於いて、導体ラインがクロス
する際、上部の導体ラインと下部の導体ラインは絶縁し
なければならない。従来、上下の導体ラインを絶縁する
には、第１図に示す如くセラミックス基板例えばアルミ
ナ基板１上に印ψｊした下部導体ライン２の上に、ガラ
ス粉末を有機バインダーに分散して成るペーストをスク
リーン印刷し焼成してガラス絶縁膜３を形成し、その上
に上部導体ライン４を印刷することで、上下の導体ライ
ン２．４を絶縁した厚１１１１Ｃ回路基板５を得ている
。
する際、上部の導体ラインと下部の導体ラインは絶縁し
なければならない。従来、上下の導体ラインを絶縁する
には、第１図に示す如くセラミックス基板例えばアルミ
ナ基板１上に印ψｊした下部導体ライン２の上に、ガラ
ス粉末を有機バインダーに分散して成るペーストをスク
リーン印刷し焼成してガラス絶縁膜３を形成し、その上
に上部導体ライン４を印刷することで、上下の導体ライ
ン２．４を絶縁した厚１１１１Ｃ回路基板５を得ている
。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、絶縁膜に要求される特性は、ｆｌ＋ 上下の
導体ラインが短絡しないこと。
導体ラインが短絡しないこと。
（２） 上下の導体ラインに電圧を印加しても必要な時
間絶縁を保つこと。
間絶縁を保つこと。
（３）−上部の導体ラインの半田漏れ性が良いこと。
などである。
然るに従来のガラス絶縁膜３は、（１１，＋２１の特性
を備えさせる為に、その膜厚を３０μ以上に塗布するこ
とが必要であった。その為図示の如くガラス絶縁１！ｆ
’３が周囲に比べて盛上がり、上部の導体ラインを印刷
する際、さらには他の回路を印刷する際支障を来たして
いた。
を備えさせる為に、その膜厚を３０μ以上に塗布するこ
とが必要であった。その為図示の如くガラス絶縁１！ｆ
’３が周囲に比べて盛上がり、上部の導体ラインを印刷
する際、さらには他の回路を印刷する際支障を来たして
いた。
ガラス絶縁膜３が３０μ以上の膜厚を必要とする理由は
、ガラス粉末を有機バインダーに分散させたペーストが
焼成特有機バインダーの焼成ガスにより、またガラス粉
末同志の融合により膜内部にクランク、ボイド等の欠陥
が生じ、そのクランク１ボイド等を通して上下の導体ラ
イン２，４の材料中のＡｇが移行し、上下の導体ライン
２．４が短絡してしまうからである。
、ガラス粉末を有機バインダーに分散させたペーストが
焼成特有機バインダーの焼成ガスにより、またガラス粉
末同志の融合により膜内部にクランク、ボイド等の欠陥
が生じ、そのクランク１ボイド等を通して上下の導体ラ
イン２，４の材料中のＡｇが移行し、上下の導体ライン
２．４が短絡してしまうからである。
本発明は斯かる問題を解消し、前記特性とりわけ＋１１
． ＋２１の特性を備えた絶縁膜を挟んで交叉する導体
ラインが印刷された厚膜ｔＣ回路基板を提供せんとする
ものである。
． ＋２１の特性を備えた絶縁膜を挟んで交叉する導体
ラインが印刷された厚膜ｔＣ回路基板を提供せんとする
ものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明の厚膜ＩＣ回路基板の１つは、絶縁膜を挟んで交
叉する導体ラインが印刷された厚膜ＩＣ回路基板に於い
て、前記絶縁膜が、脂肪族モノカルボン酸ジルコニウム
又はセリウムの溶液が乾燥焼成された上さらに金属アル
コレートが乾燥焼成されたものであることを特徴とする
ものである。
叉する導体ラインが印刷された厚膜ＩＣ回路基板に於い
て、前記絶縁膜が、脂肪族モノカルボン酸ジルコニウム
又はセリウムの溶液が乾燥焼成された上さらに金属アル
コレートが乾燥焼成されたものであることを特徴とする
ものである。
本発明の厚膜１０回路基板の抽の１つは、絶縁膜を挟ん
で交叉する導体ラインが印刷された厚膜ＩＣ回路基板に
於いて、前記絶縁膜が、脂肪族モノカルボン酸ジルコニ
ウム又はセリウムと金属アルコレートとの混合液が乾燥
焼成された上さらに金属アルコレートが乾燥焼成された
ものであること特徴とするものである。
で交叉する導体ラインが印刷された厚膜ＩＣ回路基板に
於いて、前記絶縁膜が、脂肪族モノカルボン酸ジルコニ
ウム又はセリウムと金属アルコレートとの混合液が乾燥
焼成された上さらに金属アルコレートが乾燥焼成された
ものであること特徴とするものである。
本発明の厚膜ｌＣ回路基板の更に他の１つは、絶縁膜を
挟んで交叉する導体ラインが印刷された厚１！ｔｉＩｃ
回路基板に於いて、前記絶縁膜が、脂肪族モノカルボン
酸ジルコニウム又はセリウムの溶液にＡｌ１０３．７ｉ
Ｏｚ、ＺｒＯ２，ｓｔ’ｏ２の少なくとも１種を１〜８
０％分散したペーストが乾燥焼成された上さらに金属ア
ルコレートが乾燥焼成されたものであることを特徴とす
るものである。
挟んで交叉する導体ラインが印刷された厚１！ｔｉＩｃ
回路基板に於いて、前記絶縁膜が、脂肪族モノカルボン
酸ジルコニウム又はセリウムの溶液にＡｌ１０３．７ｉ
Ｏｚ、ＺｒＯ２，ｓｔ’ｏ２の少なくとも１種を１〜８
０％分散したペーストが乾燥焼成された上さらに金属ア
ルコレートが乾燥焼成されたものであることを特徴とす
るものである。
（作用）
このように本発明の厚膜１Ｇ回路基板は、交叉する導体
ラインの絶縁膜が、無機質材料が混合している溶液或い
は分散しているペーストが乾燥焼成された上さらに金属
アルコレートが乾燥焼成されているので、金属材料の絶
縁膜の金属アルコレートが浸み込んだ状態で焼成され、
絶縁膜の表面に無機質の薄い膜が形成されていて、これ
が上下の導体ラインの材料中のＡｇの移行を阻止するこ
ととなって、上下の導体ラインの短ｈｇｈ’＜−防止さ
れることになる。
ラインの絶縁膜が、無機質材料が混合している溶液或い
は分散しているペーストが乾燥焼成された上さらに金属
アルコレートが乾燥焼成されているので、金属材料の絶
縁膜の金属アルコレートが浸み込んだ状態で焼成され、
絶縁膜の表面に無機質の薄い膜が形成されていて、これ
が上下の導体ラインの材料中のＡｇの移行を阻止するこ
ととなって、上下の導体ラインの短ｈｇｈ’＜−防止さ
れることになる。
また金属材料の絶縁膜に金属アルコレートが浸み込んだ
状態で焼成されることにより絶縁膜の内部のクランク、
ボイド等に薄膜を形成した無機質が浸透して埋めるので
、絶縁膜の組織が改善されて、電圧を印加しても長時間
絶縁が保たれる。
状態で焼成されることにより絶縁膜の内部のクランク、
ボイド等に薄膜を形成した無機質が浸透して埋めるので
、絶縁膜の組織が改善されて、電圧を印加しても長時間
絶縁が保たれる。
次に本発明の厚膜ＩＣ回路基板の具体的な実施例と従来
例について説明する。
例について説明する。
〔実施例１〕
第２図に示す如＜９６％アルミナ基板１上にＡｇ／Ｐｄ
（２０％）ペーストを印刷し１時間焼成（ビーク：８５
０℃×１０分間）して下部導体ライン２を形成し、次に
オクチル酸ジルコニウムとシリカアルコレートとの混合
液を下部導体ライン２上の所要位置に印刷し８５０℃１
０分間焼成して２μの絶縁膜３′を形成し、次いでエチ
ルシリケート液を絶縁膜３′に浸み込ませて１２０℃で
乾燥して０．５μのシリカの薄膜３″を形成し、然る後
その薄膜３″の上にＡｇ／Ｐｄ（２０％）ペーストを印
刷し１時間焼成くピーク：８５０℃×１０分間）して上
部導体ライン４を形成し、厚膜ＩＣ回路基板５′を得た
。
（２０％）ペーストを印刷し１時間焼成（ビーク：８５
０℃×１０分間）して下部導体ライン２を形成し、次に
オクチル酸ジルコニウムとシリカアルコレートとの混合
液を下部導体ライン２上の所要位置に印刷し８５０℃１
０分間焼成して２μの絶縁膜３′を形成し、次いでエチ
ルシリケート液を絶縁膜３′に浸み込ませて１２０℃で
乾燥して０．５μのシリカの薄膜３″を形成し、然る後
その薄膜３″の上にＡｇ／Ｐｄ（２０％）ペーストを印
刷し１時間焼成くピーク：８５０℃×１０分間）して上
部導体ライン４を形成し、厚膜ＩＣ回路基板５′を得た
。
〔実施例２〕
第２図に示す如＜９６％アルミナ基板１上にＡｇ／Ｐｄ
（２０％）ペーストを印刷し１時間焼成（ピーク＝８５
０°Ｃ×１０分間）して下部導体ライン２を形成し、次
にオクチル酸ジルコニウムとシリカアルコレートとの混
合液を下部導体ライン２上の所要位置に印刷し８５０℃
１０分間焼成して２μの絶縁１１９３’を形成し、次い
でＡＩ−イソプロポキシド（ＩＰＡｉ液にエチルアルコ
ールを１０％とかしたもの）を絶縁膜３′に印刷し８５
０℃１０分間焼成して２μの酸化ＡＩの薄膜３′を形成
し、然る後その薄膜３ ＩＩの上にＡｇ／Ｐｄ（２０％
）ペーストを印刷し１時間焼成（ピーり二８５０°Ｃ×
１０分間）して上部導体ライン４を形成し、厚膜ＩＣ回
路基板５′を得た。
（２０％）ペーストを印刷し１時間焼成（ピーク＝８５
０°Ｃ×１０分間）して下部導体ライン２を形成し、次
にオクチル酸ジルコニウムとシリカアルコレートとの混
合液を下部導体ライン２上の所要位置に印刷し８５０℃
１０分間焼成して２μの絶縁１１９３’を形成し、次い
でＡＩ−イソプロポキシド（ＩＰＡｉ液にエチルアルコ
ールを１０％とかしたもの）を絶縁膜３′に印刷し８５
０℃１０分間焼成して２μの酸化ＡＩの薄膜３′を形成
し、然る後その薄膜３ ＩＩの上にＡｇ／Ｐｄ（２０％
）ペーストを印刷し１時間焼成（ピーり二８５０°Ｃ×
１０分間）して上部導体ライン４を形成し、厚膜ＩＣ回
路基板５′を得た。
〔実施例３〕
第２図に示す如＜９６％アルミナ基板ｌ上にＡｇ／Ｐｄ
（２０％）ペーストを印刷し１時間焼成（ビーり：８５
０℃ＸＩＯ分間）して下部導体ライン２を形成し、次に
オクチル酸ジルコニウム溶液にＡｌ２Ｏ３を１０％分散
したペーストを下部導体ライン２上の所要位置して乾燥
し８５０℃で焼成して２μの絶縁膜３′を形成し、次い
でエチルシリケート液を絶縁膜３′に浸み込ませて１２
０℃で乾燥して０．５μのシリカの薄膜３ ＩＩを形成
し、然る後その薄膜３ ＩＩの上にＡｇ／Ｐｄ（２０％
）ペーストを印刷し、１時間焼成（ピーり二り５０℃×
１０分間）して上部導体ライン４を形成し、厚膜ＩＣ回
路基板５を得た。
（２０％）ペーストを印刷し１時間焼成（ビーり：８５
０℃ＸＩＯ分間）して下部導体ライン２を形成し、次に
オクチル酸ジルコニウム溶液にＡｌ２Ｏ３を１０％分散
したペーストを下部導体ライン２上の所要位置して乾燥
し８５０℃で焼成して２μの絶縁膜３′を形成し、次い
でエチルシリケート液を絶縁膜３′に浸み込ませて１２
０℃で乾燥して０．５μのシリカの薄膜３ ＩＩを形成
し、然る後その薄膜３ ＩＩの上にＡｇ／Ｐｄ（２０％
）ペーストを印刷し、１時間焼成（ピーり二り５０℃×
１０分間）して上部導体ライン４を形成し、厚膜ＩＣ回
路基板５を得た。
第１図に示される９６％アルミナ基板１上に、Ａｇ−Ｐ
ｄ ２０％の下部導体ライン２を印刷して乾燥し、８
５０℃（ピーク）で１０分間焼成し、次にガラス粉末を
有機バインダーに分散して成るペーストを下部導体ライ
ン２上の所要位置に印刷して乾燥し、８５０℃（ピーク
）で１０分間焼成して１０μの絶縁膜３を形成し、さら
にこの上に同様にして１０μの絶縁膜３を形成して総厚
２０μの絶縁膜となし、次いでその絶縁膜の上にＡ ｇ
−Ｐ ｄ ２０％の上部導体ライン４を印刷して乾燥
し、８５０℃（ピーク）で１０分間焼成して厚膜ｔＣ回
路基板５を得た。
ｄ ２０％の下部導体ライン２を印刷して乾燥し、８
５０℃（ピーク）で１０分間焼成し、次にガラス粉末を
有機バインダーに分散して成るペーストを下部導体ライ
ン２上の所要位置に印刷して乾燥し、８５０℃（ピーク
）で１０分間焼成して１０μの絶縁膜３を形成し、さら
にこの上に同様にして１０μの絶縁膜３を形成して総厚
２０μの絶縁膜となし、次いでその絶縁膜の上にＡ ｇ
−Ｐ ｄ ２０％の上部導体ライン４を印刷して乾燥
し、８５０℃（ピーク）で１０分間焼成して厚膜ｔＣ回
路基板５を得た。
然してこれら実施例１，２．３及び従来例１゜２の厚ｌ
ｉｔ Ｉ Ｃ回路基板５各１００個についてショート試
験を行った処下記の表に示すような結果を得た。
ｉｔ Ｉ Ｃ回路基板５各１００個についてショート試
験を行った処下記の表に示すような結果を得た。
＊初期ショート率を除く
上記の表で明らかなように実施例１乃至３の厚膜１０回
路基板５に於ける上下導体ライン２．４間の絶縁膜３′
は、金属アルコレートが浸の込んだ状態で焼成されて表
面に無機質の薄膜３゛′が形成されている為、絶縁膜３
′の薄膜が極めて薄くても表面に無Ｒ質の薄膜３′′の
無い従来例の厚膜ｒｃ回１／３基板５に於ける上下導体
ライン２．４間の絶縁１ｔ９ｉｉ３に比ベショート率が
１桁以上減少し、また初期ショートは皆無となって、極
めて絶縁性の高いことが判る。
路基板５に於ける上下導体ライン２．４間の絶縁膜３′
は、金属アルコレートが浸の込んだ状態で焼成されて表
面に無機質の薄膜３゛′が形成されている為、絶縁膜３
′の薄膜が極めて薄くても表面に無Ｒ質の薄膜３′′の
無い従来例の厚膜ｒｃ回１／３基板５に於ける上下導体
ライン２．４間の絶縁１ｔ９ｉｉ３に比ベショート率が
１桁以上減少し、また初期ショートは皆無となって、極
めて絶縁性の高いことが判る。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明の厚膜ＩＣ回路基板は、
上下の導体ラインを絶縁する絶縁膜の表面に無機質の薄
膜が形成されているので、上下の導体ラインの材料中の
Ａｇの移行が阻止されて、上下の導体ラインの短絡が防
止され、また前記絶縁膜の内部のクラック、ボイド等に
薄膜を形成した無機質が浸透して埋めるので、絶縁膜の
組織が改善されて電圧を印加しても長時間絶縁が保たれ
る等の優れた効果を奏する。
上下の導体ラインを絶縁する絶縁膜の表面に無機質の薄
膜が形成されているので、上下の導体ラインの材料中の
Ａｇの移行が阻止されて、上下の導体ラインの短絡が防
止され、また前記絶縁膜の内部のクラック、ボイド等に
薄膜を形成した無機質が浸透して埋めるので、絶縁膜の
組織が改善されて電圧を印加しても長時間絶縁が保たれ
る等の優れた効果を奏する。
第１図は従来の厚膜ｔＣ回路基板の要部拡大縦断面図、
第２図は本発明の厚膜ＩＣ回路基板の要部拡大縦断面図
である。 １−−−アルミナ基板、２−−−一下部導体ライン、３
′−−−一絶縁膜、３ ＩＩ 、−−−−−薄膜、４−
−−−−一上部導体ライン、５−−−−−−厚膜ＩＣ回
路基板。 出願人 田中マソセイ株式会社
第２図は本発明の厚膜ＩＣ回路基板の要部拡大縦断面図
である。 １−−−アルミナ基板、２−−−一下部導体ライン、３
′−−−一絶縁膜、３ ＩＩ 、−−−−−薄膜、４−
−−−−一上部導体ライン、５−−−−−−厚膜ＩＣ回
路基板。 出願人 田中マソセイ株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）絶縁膜を挟んで交叉する導体ラインが印刷された厚
膜１０回路基板に於いて、前記絶縁膜が、脂肪族モノカ
ルボン酸ジルコニウム又はセリウムの溶液が乾燥焼成さ
れた上さらに金属アルコレートが乾燥焼成されたもので
あることを特徴とする厚膜ＩＣ回路基板。 ２）絶縁板を挟んで交叉する導体ラインが印刷された厚
膜ＩＣ回路基板に於いて、前記絶縁膜が、脂肪族モノカ
ルボン酸ジルコニウム又はセリウムと金属アルコレート
との混合液が乾燥焼成された上さらに金属アルコレート
が乾燥焼成されたものであることを特徴とする厚１１Ｉ
Ｉｃ回路基板。 ３）絶縁膜を挟んで交叉する導体ラインが印刷された厚
膜ＩＣ回路基板に於いて、前記絶縁膜が、脂肪族モノカ
ルボン酸ジルコニウム又はセリウムの溶液に八１２０３
．ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，５ｉ０２の少なくとも一種を１
〜８０％分散したペーストが乾燥焼成された上さらに金
属アルコレートが乾燥焼成されたものであることを特徴
とする厚膜１０回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8985284A JPS60233882A (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | 厚膜ｉｃ回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8985284A JPS60233882A (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | 厚膜ｉｃ回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60233882A true JPS60233882A (ja) | 1985-11-20 |
Family
ID=13982307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8985284A Pending JPS60233882A (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | 厚膜ｉｃ回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60233882A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011243660A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Asahi Glass Co Ltd | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
-
1984
- 1984-05-04 JP JP8985284A patent/JPS60233882A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011243660A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Asahi Glass Co Ltd | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
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