JPS59193096A - 厚膜混成集積回路板 - Google Patents
厚膜混成集積回路板Info
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- JPS59193096A JPS59193096A JP6631283A JP6631283A JPS59193096A JP S59193096 A JPS59193096 A JP S59193096A JP 6631283 A JP6631283 A JP 6631283A JP 6631283 A JP6631283 A JP 6631283A JP S59193096 A JPS59193096 A JP S59193096A
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- JP
- Japan
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- insulating layer
- layer
- thick film
- filler
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高密度小型化の厚膜混成集積回路板に関する
。
。
セラミック基板上に厚膜ペーストをスクリーン印刷し、
配線導体、抵抗体等を形成し、これに半導体素子その他
の電子部品を塔載してなる厚膜混成集積回路板は、電子
機器の小型化のために広く用いられている。計算機やビ
デオ機器、携帯用音響機器などの小型化が進むＫしたが
って、厚膜混成集積回路もより一層の小型化が要求され
るようになった。この要求を満たすため、従来、配線導
体とともに抵抗体をも多層化した厚膜混成集積回踏板が
製作されている。
配線導体、抵抗体等を形成し、これに半導体素子その他
の電子部品を塔載してなる厚膜混成集積回路板は、電子
機器の小型化のために広く用いられている。計算機やビ
デオ機器、携帯用音響機器などの小型化が進むＫしたが
って、厚膜混成集積回路もより一層の小型化が要求され
るようになった。この要求を満たすため、従来、配線導
体とともに抵抗体をも多層化した厚膜混成集積回踏板が
製作されている。
第１図はその一例を示すもので、セラミック基板１上に
設けられた第１層配線導体２と、これに接続するように
設けられた第１層抵抗体３と、これらを被覆する絶縁層
４と、その上に設けられた第２層配線導体５と、これに
接続するように設けられた第２層抵抗体６とからなる。
設けられた第１層配線導体２と、これに接続するように
設けられた第１層抵抗体３と、これらを被覆する絶縁層
４と、その上に設けられた第２層配線導体５と、これに
接続するように設けられた第２層抵抗体６とからなる。
従来、このような抵抗体を多層化した厚膜混成集積回路
板においては、前記絶縁層４は、ペースト状にしたガラ
ス粉末材料を印刷、焼成し、結晶化することにより形成
されているが、このガラス材料の組成が適切ではなかっ
たため、 （１）ガラス材料と第１層抵抗体３との反応およびガラ
ス材料の焼成に必要な高温度の影響によって、第１層抵
抗体３の設計値に対する抵抗値変化が大きく、抵抗値精
度が悪い （２）第２層配線導体６が上記ガラス材料との反応によ
って半田付は性が悪くなる （３）絶縁層４０強度が不十分でクラックが生じ易く、
絶縁特性の耐湿不良が起る 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、抵抗値精
度が優れ、半田付は性が良好であり、しかも絶縁層の強
度が大きく耐湿性の高い絶縁特性を有する高密度厚膜混
成集積回路板を提供することにある。
板においては、前記絶縁層４は、ペースト状にしたガラ
ス粉末材料を印刷、焼成し、結晶化することにより形成
されているが、このガラス材料の組成が適切ではなかっ
たため、 （１）ガラス材料と第１層抵抗体３との反応およびガラ
ス材料の焼成に必要な高温度の影響によって、第１層抵
抗体３の設計値に対する抵抗値変化が大きく、抵抗値精
度が悪い （２）第２層配線導体６が上記ガラス材料との反応によ
って半田付は性が悪くなる （３）絶縁層４０強度が不十分でクラックが生じ易く、
絶縁特性の耐湿不良が起る 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、抵抗値精
度が優れ、半田付は性が良好であり、しかも絶縁層の強
度が大きく耐湿性の高い絶縁特性を有する高密度厚膜混
成集積回路板を提供することにある。
この目的を達成するために、本発明者等は、初めに第１
層抵抗体および第２層配線導体と反応しにくいガラス組
成を種々検討した。その結果、５５０°Ｃ〜６５０℃の
結晶化温度を有する、鉛元素を含まない結晶化ガラスが
適していることがわかった。また、その最適組成は、重
量％表示で、ＳｉＯ’ ５〜２ Ｑ 、 Ａｌ２Ｏ３：
０．５〜１０ 、ＺｒＬ０１ ：５２〜６５ 、Ｂ２Ｏ３：１５〜３０ 、Ｎａ２ｏ
−ｉたはに２０またはＬ ｔ ２０ ： ０，１〜２
、 ＭｇＯまたはｃａｏ ｔたはＢａｏ ： ０．
５〜１０．ＴｉＯ□またｋｔＳ ｎ Ｏ２： Ｏ〜５で
あることがわかった。
層抵抗体および第２層配線導体と反応しにくいガラス組
成を種々検討した。その結果、５５０°Ｃ〜６５０℃の
結晶化温度を有する、鉛元素を含まない結晶化ガラスが
適していることがわかった。また、その最適組成は、重
量％表示で、ＳｉＯ’ ５〜２ Ｑ 、 Ａｌ２Ｏ３：
０．５〜１０ 、ＺｒＬ０１ ：５２〜６５ 、Ｂ２Ｏ３：１５〜３０ 、Ｎａ２ｏ
−ｉたはに２０またはＬ ｔ ２０ ： ０，１〜２
、 ＭｇＯまたはｃａｏ ｔたはＢａｏ ： ０．
５〜１０．ＴｉＯ□またｋｔＳ ｎ Ｏ２： Ｏ〜５で
あることがわかった。
さらに、太発明者等は、実験を重ねた結果、上記結晶化
ガラスにフィラーとしてアルミナ（ＡＪ ２０ｔ）、ジ
ルコｙ（ＺｒＯ□−８ｉＯ２）、コージエライ）（２Ｍ
ｙ０・２Ａ７２０３・５ Ｓ ＊ ０２ ） のうち
少なくとも１種以上を混合せしめた場合、絶縁層の強度
が大きくなって、クランクによる絶縁特性の耐湿不良が
なくなり、しかも第２層配線導体の半田付は性も良好に
なるという効果が得られることを見出した。
ガラスにフィラーとしてアルミナ（ＡＪ ２０ｔ）、ジ
ルコｙ（ＺｒＯ□−８ｉＯ２）、コージエライ）（２Ｍ
ｙ０・２Ａ７２０３・５ Ｓ ＊ ０２ ） のうち
少なくとも１種以上を混合せしめた場合、絶縁層の強度
が大きくなって、クランクによる絶縁特性の耐湿不良が
なくなり、しかも第２層配線導体の半田付は性も良好に
なるという効果が得られることを見出した。
すなわち、本発明は、厚膜混成集積回路板の絶縁層とし
て、上記結晶化ガラスとこれに添加した上記フィラーと
の混合体を使用することを特徴とするものであり、その
混合比は、重量比で、結晶化ガラス８５〜９５％、フィ
ラー５〜１５％である。フィラーが５％より少ないとき
には、フィラーの添加による絶縁層の耐湿改善効果が得
られずまた。１５％より多い時には、絶縁層の緻密性が
そこなわれ、耐湿性が不十分となるので、本発明の範囲
外とした。
て、上記結晶化ガラスとこれに添加した上記フィラーと
の混合体を使用することを特徴とするものであり、その
混合比は、重量比で、結晶化ガラス８５〜９５％、フィ
ラー５〜１５％である。フィラーが５％より少ないとき
には、フィラーの添加による絶縁層の耐湿改善効果が得
られずまた。１５％より多い時には、絶縁層の緻密性が
そこなわれ、耐湿性が不十分となるので、本発明の範囲
外とした。
以下、本発明を具体的実施例について詳細に説明する。
本発明の厚膜混成集積回路板における第１層配線導体は
、セラミック基板上に、例えばｋｇ／ Ｐ ｄ系導体ペ
ーストを印刷し、８５０℃で焼成して形成されたもので
、また、第１層抵抗体は、上記第１層配線導体が形成さ
れた後、該配線導体に接続するように、例えばＲｕ、０
□系抵抗ペーストを印刷し、これを焼成して形成された
ものであり、これらは前記従来技術と同様のものである
。
、セラミック基板上に、例えばｋｇ／ Ｐ ｄ系導体ペ
ーストを印刷し、８５０℃で焼成して形成されたもので
、また、第１層抵抗体は、上記第１層配線導体が形成さ
れた後、該配線導体に接続するように、例えばＲｕ、０
□系抵抗ペーストを印刷し、これを焼成して形成された
ものであり、これらは前記従来技術と同様のものである
。
上記第１層配線導体と第１層抵抗体を被覆する絶縁層は
、ガラス粉末とフィラー（アルミナ）との混合粉末を有
機ビヒクル（テルピネオールにエチルセルローズを溶解
させたもの）と混練した絶縁層ペーストを印刷した後、
これを上記ガラス粉、 末の結晶化温度で焼成し、結
晶化ガラスとフィラーとの混合体としたものである。
、ガラス粉末とフィラー（アルミナ）との混合粉末を有
機ビヒクル（テルピネオールにエチルセルローズを溶解
させたもの）と混練した絶縁層ペーストを印刷した後、
これを上記ガラス粉、 末の結晶化温度で焼成し、結
晶化ガラスとフィラーとの混合体としたものである。
上記結晶化ガラスの組成例と、その結晶化温度を下記表
１に示す。表１において、［ガラスＮｏ。
１に示す。表１において、［ガラスＮｏ。
１ 、２ 、３Ｊは３つの異なった組成例で、「ガラス
組成（重量％）」は、各結晶化ガラスの組成成分を重量
％で示している。なお、組成成分中、Ｒ２０，ＲＯ、Ｒ
Ｏ２は、それぞれ■α、■α、■族の金属元素の酸化物
を意味し、これら酸化物としては、各結晶化ガラス毎に
表１中に示すものが用いられている。
組成（重量％）」は、各結晶化ガラスの組成成分を重量
％で示している。なお、組成成分中、Ｒ２０，ＲＯ、Ｒ
Ｏ２は、それぞれ■α、■α、■族の金属元素の酸化物
を意味し、これら酸化物としては、各結晶化ガラス毎に
表１中に示すものが用いられている。
表 １
このような組成の結晶化ガラスを得るための上記粉末ガ
ラスは、表１に示す酸化物組成成分の混合体を通常の方
法により溶解し、溶解物を水中に流し出してガラス化し
た後、適宜粉砕することにより得ることができる。
ラスは、表１に示す酸化物組成成分の混合体を通常の方
法により溶解し、溶解物を水中に流し出してガラス化し
た後、適宜粉砕することにより得ることができる。
上記絶縁層上には、例えばＡｙ／Ｐｄ系導体ペースト（
ソーダ石灰ガラス基板用またはほうろう被覆金属基板用
として市販されているもの）を印刷し、６００℃で焼成
して第２層配線導体が形成され、更に、該配線導体に接
続するように例えばＲ，ｕ、Ｏ□系低抵抗ペースト印刷
、焼成して第２層抵抗体が形成されるが、これらは前記
従来技術と同様のものであるのでその詳細は省略する。
ソーダ石灰ガラス基板用またはほうろう被覆金属基板用
として市販されているもの）を印刷し、６００℃で焼成
して第２層配線導体が形成され、更に、該配線導体に接
続するように例えばＲ，ｕ、Ｏ□系低抵抗ペースト印刷
、焼成して第２層抵抗体が形成されるが、これらは前記
従来技術と同様のものであるのでその詳細は省略する。
次に、絶縁層として、上記実施例のごとき組成の結晶化
ガラスとこれに添加したフィラーとの混合体を用いた場
合の第１層抵抗体の抵抗値変化率、第２層配線導体の半
田付は性および絶縁層の耐湿性についての測定結果につ
いて説明する。。
ガラスとこれに添加したフィラーとの混合体を用いた場
合の第１層抵抗体の抵抗値変化率、第２層配線導体の半
田付は性および絶縁層の耐湿性についての測定結果につ
いて説明する。。
（１）第１層抵抗体の抵抗値変化率
上記特性を次のように試料を作成し、測定した。
９６％アルミナ基板にＡｇ／Ｐｄ系導体ペーストを印刷
し、８５０℃で焼成して抵抗体の端子を形成した。この
基板に、シート抵抗（厚膜抵抗体を正方形に形成した場
合の抵抗値）１０にΩ／口のｆ（ｕＯ□系抵抗抵抗ペー
スト刷して焼成し、第１層抵抗体に相当する抵抗体を形
成し、さらにその上に前記実施例の絶縁層ペーストを印
刷した。表１に示すガラスＮ００１とフィラー系絶縁層
を得る場合には５５０°Ｃ、ガラスＮｏ、２とフィラー
系絶縁層を得る場合には６００℃、ガラスＮ０９３とフ
ィラー系絶縁層を得る場合には６５０℃でそれぞれの絶
縁層ペーストを焼成した。各ガラス−フィラー系絶縁層
で被覆された抵抗体の抵抗値変化率を第２図に示す。第
２図中の番号は、表１のガラス番号と一致する。抵抗値
変化率は、絶縁層被覆前の抵抗値を基準とし、絶縁層被
覆後の抵抗値の変化率として求めたものである。
し、８５０℃で焼成して抵抗体の端子を形成した。この
基板に、シート抵抗（厚膜抵抗体を正方形に形成した場
合の抵抗値）１０にΩ／口のｆ（ｕＯ□系抵抗抵抗ペー
スト刷して焼成し、第１層抵抗体に相当する抵抗体を形
成し、さらにその上に前記実施例の絶縁層ペーストを印
刷した。表１に示すガラスＮ００１とフィラー系絶縁層
を得る場合には５５０°Ｃ、ガラスＮｏ、２とフィラー
系絶縁層を得る場合には６００℃、ガラスＮ０９３とフ
ィラー系絶縁層を得る場合には６５０℃でそれぞれの絶
縁層ペーストを焼成した。各ガラス−フィラー系絶縁層
で被覆された抵抗体の抵抗値変化率を第２図に示す。第
２図中の番号は、表１のガラス番号と一致する。抵抗値
変化率は、絶縁層被覆前の抵抗値を基準とし、絶縁層被
覆後の抵抗値の変化率として求めたものである。
第２図かられかるとおり、表ＩＫ示した組成の結晶化ガ
ラスにフィラー（アルミナ）を添加した絶縁層を用いた
場合には、フィラー添加量が１５％以下においては、焼
成時の抵抗値変化率が１０％以下と小さく・、３０％以
上の抵抗値変化を生じた従来技術に比して優れた精度を
もつ第１層抵抗体が得られる。
ラスにフィラー（アルミナ）を添加した絶縁層を用いた
場合には、フィラー添加量が１５％以下においては、焼
成時の抵抗値変化率が１０％以下と小さく・、３０％以
上の抵抗値変化を生じた従来技術に比して優れた精度を
もつ第１層抵抗体が得られる。
なお、フィラーとして、アルミナの代りにジルコンまた
はコージェライトを用いた場合にも同様の結果が得られ
た。
はコージェライトを用いた場合にも同様の結果が得られ
た。
（２）第２層配線導体の半田付は性
上記特性を次のように試料を作成し、測定した。
９６％アルミナ基板に前記実施例の絶縁層ペーストを印
刷し、上記（１）と同様の条件で焼成した後、ｋｇ／
Ｐｄ系導体ペースト（ソーダ石灰ガラス基板用またはほ
うろう被覆金属基板用として市販されているもの）を印
刷し、６００°Ｃで焼成し、第２層配線導体を形成した
。この第２層配線導体に半田フラックスを塗布した後、
半田円柱（４ｙｘｍφ。
刷し、上記（１）と同様の条件で焼成した後、ｋｇ／
Ｐｄ系導体ペースト（ソーダ石灰ガラス基板用またはほ
うろう被覆金属基板用として市販されているもの）を印
刷し、６００°Ｃで焼成し、第２層配線導体を形成した
。この第２層配線導体に半田フラックスを塗布した後、
半田円柱（４ｙｘｍφ。
２．５ ｍ ｍ ｌ 、 ６０ Ｓｎ／ ４ Ｑｐｂ）
を載せ、２３０℃でその半田円柱を溶融した時の拡がり
径を測定し、半田付は性を評価した。
を載せ、２３０℃でその半田円柱を溶融した時の拡がり
径を測定し、半田付は性を評価した。
第３図に、各ガラス−フィラー系絶縁層上の第２層配線
導体の半田拡がり径を示す。第３図中の番号は、表１の
ガラス番号と一致する。
導体の半田拡がり径を示す。第３図中の番号は、表１の
ガラス番号と一致する。
第３図かられかるとおり、表１に示した結晶化ガラスに
フィラー（アルミナ）を添加した絶縁層を用いた場合に
は、従来４．５ ｍ ｍ〜５．５ ｍ ｍ程度であった
半田拡がり径が増大し、しかもその増大量は、フィラー
の添加量とともに向上するから、半田付は性の優れた第
２層配線導体を得ることができる。
フィラー（アルミナ）を添加した絶縁層を用いた場合に
は、従来４．５ ｍ ｍ〜５．５ ｍ ｍ程度であった
半田拡がり径が増大し、しかもその増大量は、フィラー
の添加量とともに向上するから、半田付は性の優れた第
２層配線導体を得ることができる。
なお、フィラーとして、アルミナのかわりにジルコンま
たはコージェライトを用いた場合にも同様の結果が得ら
れた。
たはコージェライトを用いた場合にも同様の結果が得ら
れた。
（３）絶縁層の耐湿性
上記特性を、試料として、絶縁層を誘電体とする厚膜コ
ンデンサを作成して測定した。該コンデンサは次のよう
にして作られた。
ンデンサを作成して測定した。該コンデンサは次のよう
にして作られた。
９６％アルミナ基板にＡｇ／Ｐｄ系導体ペーストを印刷
し、８５０℃で焼成してコンデンサの下部電極を形成し
、この下部電極を覆うように、前記実施例の絶縁層ペー
ストを印刷して上記（１）と同様の条件で焼成した。さ
らにその上に、上部電極として、下部電極より小さな形
状にＡｇ／Ｐｄ系導体ペースト（ソーダ石灰ガラス基板
用またはほうろう被覆金属基板用として市販されている
もの）を印刷し、６００℃で焼成した。このようにして
作成した厚膜コンデンサを数百側ポリ容器に入れ、それ
を手で振って厚膜コンデンサをお互いに衝突させるよう
にした。しかる後、それらの厚膜コンデンサを６０℃、
９５％ＲＨに保った恒温、恒湿槽に入れ、上下電極間に
０．１ （Ａ）のヒユーズを介して直流７５ （Ｖｌを
印加し、絶縁層の耐湿性を測定した。
し、８５０℃で焼成してコンデンサの下部電極を形成し
、この下部電極を覆うように、前記実施例の絶縁層ペー
ストを印刷して上記（１）と同様の条件で焼成した。さ
らにその上に、上部電極として、下部電極より小さな形
状にＡｇ／Ｐｄ系導体ペースト（ソーダ石灰ガラス基板
用またはほうろう被覆金属基板用として市販されている
もの）を印刷し、６００℃で焼成した。このようにして
作成した厚膜コンデンサを数百側ポリ容器に入れ、それ
を手で振って厚膜コンデンサをお互いに衝突させるよう
にした。しかる後、それらの厚膜コンデンサを６０℃、
９５％ＲＨに保った恒温、恒湿槽に入れ、上下電極間に
０．１ （Ａ）のヒユーズを介して直流７５ （Ｖｌを
印加し、絶縁層の耐湿性を測定した。
耐湿性が悪（、絶縁不良が生じたものは、上記ヒーーズ
が断線することにより識別できる。
が断線することにより識別できる。
上記耐湿試験の１０００時間における不良率を第４図に
示す。第４図かられかるとおり、表１に示した組成の結
晶化ガラスにフィラー（アルミナ）を５〜１５重量％添
加した絶縁層を用いた場合には、不良率がＯであり、耐
湿性が非常に良い。フィラーが５重量％より少ない場合
には、絶縁層の強度が十分ではなく、上記機械的衝撃に
よって微少なりラックが生じ、そのため耐湿不良が起き
ている。一方、フィラーが１５重量％より多い場合には
、絶縁層の緻密性が十分ではなく、耐湿不良が起きてい
る。
示す。第４図かられかるとおり、表１に示した組成の結
晶化ガラスにフィラー（アルミナ）を５〜１５重量％添
加した絶縁層を用いた場合には、不良率がＯであり、耐
湿性が非常に良い。フィラーが５重量％より少ない場合
には、絶縁層の強度が十分ではなく、上記機械的衝撃に
よって微少なりラックが生じ、そのため耐湿不良が起き
ている。一方、フィラーが１５重量％より多い場合には
、絶縁層の緻密性が十分ではなく、耐湿不良が起きてい
る。
なお、フィラーとしてアルミナの代りにジルコンまたは
コージェライトを用いた場合にも同様の結果が得られた
。
コージェライトを用いた場合にも同様の結果が得られた
。
以上説明したように、本発明によれば、絶縁層の下の第
１層抵抗体の抵抗値変化を小さく（±１０％以内ンする
ことができるので、その抵抗値変化率を見込んで第１層
抵抗体の幅もしくは長さをレーザまたはザンドプラスト
などによってわずかにトリミングすることにより、高精
度の抵抗値を必要とする抵抗体を多数含有する高密度厚
膜混成集積回路板を得ることができる。また、絶縁層上
の第２層配線溝体の半田付は性が良好であるので、歩留
りが向上し、高密度厚膜混成集積回路板の製造コストを
低減できる。さらに、絶縁層の強度が大きく、耐湿性に
優れているので、信頼性の高い高密度厚膜混成集積回路
板を得ることができる。
１層抵抗体の抵抗値変化を小さく（±１０％以内ンする
ことができるので、その抵抗値変化率を見込んで第１層
抵抗体の幅もしくは長さをレーザまたはザンドプラスト
などによってわずかにトリミングすることにより、高精
度の抵抗値を必要とする抵抗体を多数含有する高密度厚
膜混成集積回路板を得ることができる。また、絶縁層上
の第２層配線溝体の半田付は性が良好であるので、歩留
りが向上し、高密度厚膜混成集積回路板の製造コストを
低減できる。さらに、絶縁層の強度が大きく、耐湿性に
優れているので、信頼性の高い高密度厚膜混成集積回路
板を得ることができる。
第１図は、厚膜混成集積回路板の構成を説明するための
断面図、第２図〜第４図は、それぞれ本発明による厚膜
混成集積回路板の第１層抵抗体の抵抗値変化率、第２層
配線溝体の半田波がり径、絶縁層の耐湿試験による不良
率を示す図である。 １・・・・・・セラミック基板 ２・・・・・・第１層
配線溝体３・・・・・・第１層抵抗体 ４・・・・・
・絶縁層５・・・・・・第２層配線溝体 ６・・・・・
・第２層抵抗体第１図 第２図 ０ ５ ＩＯ１５２０ フイ −７−ｔ （型費％） 第３図 Ｑ ５ ＩＱ ｒ５ ２０ フイラー１ ｉｔ量％ノ 第４図 直 フィラー蓋 （支）１％ノ
断面図、第２図〜第４図は、それぞれ本発明による厚膜
混成集積回路板の第１層抵抗体の抵抗値変化率、第２層
配線溝体の半田波がり径、絶縁層の耐湿試験による不良
率を示す図である。 １・・・・・・セラミック基板 ２・・・・・・第１層
配線溝体３・・・・・・第１層抵抗体 ４・・・・・
・絶縁層５・・・・・・第２層配線溝体 ６・・・・・
・第２層抵抗体第１図 第２図 ０ ５ ＩＯ１５２０ フイ −７−ｔ （型費％） 第３図 Ｑ ５ ＩＱ ｒ５ ２０ フイラー１ ｉｔ量％ノ 第４図 直 フィラー蓋 （支）１％ノ
Claims (2)
- （１）セラミック基板上に形成した第１層配線溝体、第
１層抵抗体と、これらを被覆するようにして形成した絶
縁層と、この絶縁層の上に形成した第２層配線溝体、第
２層抵抗体とからなる厚膜混成集積回路板において、前
記絶縁層として、５５０℃〜６５０°Ｃの結晶化温度を
有し、しかもｐｂ元素を含まない結晶化ガラスとこれに
添加したフィラーとからなる混合体であって、その混合
比が重量％で結晶化ガラス８５〜９５％、フィラー５〜
１５％であるものを使用したことを特徴とする厚膜混成
集積回路板。 - （２）前記結晶化ガラスは重量％表示でまたはに２０ま
たはＬＬ２０ ： ０．１〜２．ＭｆＯまたはＣα０ま
たはＢａＯ：０．５〜１０．ＴｉＯ２または５ｒＬＯ８
二〇〜５ の組成を有し、前記フィラーはアルミナ（Ａｇ２Ｏ３）
＋ジルコン（ＺｒＯ２＠５ｔＯ２）９コージエライト（
２Ｍ２Ｏ・２Ａ１２０３・５８′Ｌ０２ ）のうち少な
くとも１種からなるものである、特許請求の範囲第１項
記載の厚膜混成集積回路板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6631283A JPS59193096A (ja) | 1983-04-16 | 1983-04-16 | 厚膜混成集積回路板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6631283A JPS59193096A (ja) | 1983-04-16 | 1983-04-16 | 厚膜混成集積回路板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59193096A true JPS59193096A (ja) | 1984-11-01 |
| JPH0136995B2 JPH0136995B2 (ja) | 1989-08-03 |
Family
ID=13312177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6631283A Granted JPS59193096A (ja) | 1983-04-16 | 1983-04-16 | 厚膜混成集積回路板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59193096A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284795A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-26 | Nippon Denso Co Ltd | 集積回路装置 |
-
1983
- 1983-04-16 JP JP6631283A patent/JPS59193096A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284795A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-26 | Nippon Denso Co Ltd | 集積回路装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0136995B2 (ja) | 1989-08-03 |
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