JPS6054721B2 - 絶縁体形成用ペースト組成物 - Google Patents
絶縁体形成用ペースト組成物Info
- Publication number
- JPS6054721B2 JPS6054721B2 JP15129877A JP15129877A JPS6054721B2 JP S6054721 B2 JPS6054721 B2 JP S6054721B2 JP 15129877 A JP15129877 A JP 15129877A JP 15129877 A JP15129877 A JP 15129877A JP S6054721 B2 JPS6054721 B2 JP S6054721B2
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- Japan
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- paste
- parts
- paste composition
- composition
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、主に多層厚膜回路形成に用いられる絶縁体形
成用ペースト組成物に関するものである。
成用ペースト組成物に関するものである。
従来、厚膜回路形成用の絶縁体形成用ペースト組成物と
しては、ガラスペーストあるいはアルミナペーストが用
いられている。
しては、ガラスペーストあるいはアルミナペーストが用
いられている。
ガラスペーストは低温で焼成されるが熱伝導率が小さい
等の欠点がある。またアルミナペーストは、ガラスペー
ストに比べ熱伝導率は大きい焼成温度が１００℃以上と
高い、また焼成温度を下げるため鉛ガラス等の含有量を
多くした場合誘電率が大きくなる等の欠色がある。
等の欠点がある。またアルミナペーストは、ガラスペー
ストに比べ熱伝導率は大きい焼成温度が１００℃以上と
高い、また焼成温度を下げるため鉛ガラス等の含有量を
多くした場合誘電率が大きくなる等の欠色がある。
本発明は、これらの欠但を除去した、低誘電率で低温で
焼成可能な絶縁体形成用ペースト組成物を提供するもの
である。
焼成可能な絶縁体形成用ペースト組成物を提供するもの
である。
→貨のガラス粉末において比較的低温で焼成される鉛ガ
ラスは、誘電率が１徂丈上と大きくなる。
ラスは、誘電率が１徂丈上と大きくなる。
又、比較的誘電率の小さい硼珪酸ガラスは、ペーストに
して厚膜にし焼成した場合、クラックが入り易かつたり
気泡等が出やすい。これらの欠色を除くため、硼珪酸ガ
ラスを主成分とするガラス粉末と各種無機物とからなる
粉末を種々検討した結果、多層厚膜回路形成用として優
れた特性を示す絶縁体形成用ペースト組成物を開発した
。
して厚膜にし焼成した場合、クラックが入り易かつたり
気泡等が出やすい。これらの欠色を除くため、硼珪酸ガ
ラスを主成分とするガラス粉末と各種無機物とからなる
粉末を種々検討した結果、多層厚膜回路形成用として優
れた特性を示す絶縁体形成用ペースト組成物を開発した
。
本発明は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＱ、、Ｌｉ、Ｏ、ＺｎＯ、
Ｚｎ０２、ＣａＯ、ＢａＯ９ＭｇＯ９Ｌｌ２０ａ、Ｔｉ
Ｏ２、Ｎｂ、Ｏ。
Ｚｎ０２、ＣａＯ、ＢａＯ９ＭｇＯ９Ｌｌ２０ａ、Ｔｉ
Ｏ２、Ｎｂ、Ｏ。
、Ｔａ、Ｏ、、のうち少なくとも一種以上を用いたセラ
ミックスの粉末と、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＰｂＯ、Ｎａ
、Ｏ、Ｌｉ、Ｏ、Ａ１２Ｏ、を含み、さらに・ ＢａＯ
、Ｆｅ２ｑ、ＺｎＯ、Ｇｅ０２、に２Ｏのうち少なくと
も１成分を含むガラスの粉末とからなる粉末組成物を用
いることを特徴とする絶縁体形成用ペースト組成物であ
り、粉末組成物の１〜９重量部に対しバインダーおよび
分散媒からなる液状組成物の・ １〜６重量部を混合し
てある。バインダーとしては、ニトロセルロースなどの
セルロースエステル、エチルセルロースなどのセルロー
スエーテル、ポリビニルブチラールなどの樹脂類が入手
し易く良い結果を得るが、他にも適するものも多く特に
これらに限る必要はない。
ミックスの粉末と、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＰｂＯ、Ｎａ
、Ｏ、Ｌｉ、Ｏ、Ａ１２Ｏ、を含み、さらに・ ＢａＯ
、Ｆｅ２ｑ、ＺｎＯ、Ｇｅ０２、に２Ｏのうち少なくと
も１成分を含むガラスの粉末とからなる粉末組成物を用
いることを特徴とする絶縁体形成用ペースト組成物であ
り、粉末組成物の１〜９重量部に対しバインダーおよび
分散媒からなる液状組成物の・ １〜６重量部を混合し
てある。バインダーとしては、ニトロセルロースなどの
セルロースエステル、エチルセルロースなどのセルロー
スエーテル、ポリビニルブチラールなどの樹脂類が入手
し易く良い結果を得るが、他にも適するものも多く特に
これらに限る必要はない。
また分散媒としては、ブチルカルビトールアセテートや
エチルカルビトールアセテートなどの酢酸カルビトール
類やエチルアルコールやブチルアルコールなどのアルコ
ール類などの他とトルエンとキシレンなどの混合溶剤な
ど多くの入手し易く良い結果を得るものがある。ガラス
粉末の組成物を特に吟味する必要のあるときは、ＳｉＯ
２が８重量部以上頒重量％以下、ＧｅＯ２５踵量％以下
、Ｂ２Ｏ３が１５重量％以上７轍量％以下、ＺｒｌＯが
４５重量％以下、ＰｌＯが０．５重量％以上７５重量％
以下、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏが各々５重量％以下、Ｌｉ
２Ｏが４重量％以下、Ｅ２Ｏ，が３重量％以下、Ａｅ２
Ｏ３が１０重量％以下、ＢａＯが１５重量％以下、の範
囲内で少なくとも６つ以上の成分を含むようにするとよ
い。
エチルカルビトールアセテートなどの酢酸カルビトール
類やエチルアルコールやブチルアルコールなどのアルコ
ール類などの他とトルエンとキシレンなどの混合溶剤な
ど多くの入手し易く良い結果を得るものがある。ガラス
粉末の組成物を特に吟味する必要のあるときは、ＳｉＯ
２が８重量部以上頒重量％以下、ＧｅＯ２５踵量％以下
、Ｂ２Ｏ３が１５重量％以上７轍量％以下、ＺｒｌＯが
４５重量％以下、ＰｌＯが０．５重量％以上７５重量％
以下、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏが各々５重量％以下、Ｌｉ
２Ｏが４重量％以下、Ｅ２Ｏ，が３重量％以下、Ａｅ２
Ｏ３が１０重量％以下、ＢａＯが１５重量％以下、の範
囲内で少なくとも６つ以上の成分を含むようにするとよ
い。
ガラス粉末の成分比を上記の範囲内で選び、かつガラス
粉末に対するセラミックス粉末の比率を９踵量％から２
哩量％の範囲内に選ぶときは、誘電率が１０以下の誘電
損損失が０．０１以下で、なおかつ１０σＣ以下の低温
で空孔の少ない状態で焼成できるものが得られる。
粉末に対するセラミックス粉末の比率を９踵量％から２
哩量％の範囲内に選ぶときは、誘電率が１０以下の誘電
損損失が０．０１以下で、なおかつ１０σＣ以下の低温
で空孔の少ない状態で焼成できるものが得られる。
本発明によれば、従来のガラスペーストやアルミナペー
ストではは同時に満足することができなかつた、低温焼
結で機械強度、熱伝導率等の点で優れた絶縁体形成用ペ
ースト組成物が得られる。
ストではは同時に満足することができなかつた、低温焼
結で機械強度、熱伝導率等の点で優れた絶縁体形成用ペ
ースト組成物が得られる。
以下本発明を実施の一例に基いて詳細に説明する。実施
例−１ Ｓ１０２：４踵量％、Ｂ２Ｏ３：３２重量％、ＺｎＯ：
１８重量％、ＰｂＯ：５重量％、Ａｅ２Ｏ：０．踵量％
、Ｎａ２Ｏ：０．４重量％、Ｋ２Ｏ：０．種量％、Ｌｉ
２Ｏ：１．１重量％、からなるガラス粉末４濾量部に対
しαＡｅ２Ｏ３粉末６踵量部をアルミナボールミルポッ
トでエチルアルコールを分散媒として混合し、乾燥して
無機粉末となし、バインダーとしてエチルセルロース、
分散媒としてカルビトールアセテートを選んで調整した
液状組成物を粉末組成物に対し２踵量％加えて混練し減
圧中で脱気をした。
例−１ Ｓ１０２：４踵量％、Ｂ２Ｏ３：３２重量％、ＺｎＯ：
１８重量％、ＰｂＯ：５重量％、Ａｅ２Ｏ：０．踵量％
、Ｎａ２Ｏ：０．４重量％、Ｋ２Ｏ：０．種量％、Ｌｉ
２Ｏ：１．１重量％、からなるガラス粉末４濾量部に対
しαＡｅ２Ｏ３粉末６踵量部をアルミナボールミルポッ
トでエチルアルコールを分散媒として混合し、乾燥して
無機粉末となし、バインダーとしてエチルセルロース、
分散媒としてカルビトールアセテートを選んで調整した
液状組成物を粉末組成物に対し２踵量％加えて混練し減
圧中で脱気をした。
これも本発明の絶縁体形成用ペースト組成物として、既
にＡｕを印刷塗布し焼結形成された導体回路のアルミナ
基板上に印刷し、乾燥後、２３０℃／Ｈの速度で昇温し
８５０Ｃで１時間保持しその後炉冷を行つた。得られた
絶縁膜は、２０μの厚さでほとんど空孔はなく平滑性は
平均１．２μであつた。熱伝導率は、レーザフラッシュ
法で測定した結果０．０ｆ．ａｅ／Ｓｅｃ◆℃●ｄであ
つた。１Ｋ圧における誘電率は６．９であつた。
にＡｕを印刷塗布し焼結形成された導体回路のアルミナ
基板上に印刷し、乾燥後、２３０℃／Ｈの速度で昇温し
８５０Ｃで１時間保持しその後炉冷を行つた。得られた
絶縁膜は、２０μの厚さでほとんど空孔はなく平滑性は
平均１．２μであつた。熱伝導率は、レーザフラッシュ
法で測定した結果０．０ｆ．ａｅ／Ｓｅｃ◆℃●ｄであ
つた。１Ｋ圧における誘電率は６．９であつた。
さらにその上に全ペーストをスクリーン印刷し焼成して
第２層導体回路を得たあと前述と同じ方法で絶縁層を得
た。
第２層導体回路を得たあと前述と同じ方法で絶縁層を得
た。
・実施例−２
Ｓｉ０２：９．５重量％、ＺｎＯ：遁量％、Ａｌ２Ｏ３
：１．０重量％、Ｌｌ２Ｏ：１．５重量％、Ｎａ２Ｏ：
０．５重量％、Ｋ２Ｏ：１．２重量％、Ｂ２Ｏ３：５１
重量％、ＢａＯ：１．鍾量％、ＰｂＯ：１．鍾量％、か
らなるガラス粉末３鍾量部に対し、３Ａｅ２０，・Ｓｉ
Ｏ２の組成を有するセラミックス粉末７鍾量部を実施例
−１と同じ方法で混合してペーストにし、アルミナ基板
にＣｕペーストでスクリーン印刷し焼成して得た導体回
路基板上に塗布し、乾燥後、１％酸素人Ｎ２”中で９２
０℃で１時間焼成した。
：１．０重量％、Ｌｌ２Ｏ：１．５重量％、Ｎａ２Ｏ：
０．５重量％、Ｋ２Ｏ：１．２重量％、Ｂ２Ｏ３：５１
重量％、ＢａＯ：１．鍾量％、ＰｂＯ：１．鍾量％、か
らなるガラス粉末３鍾量部に対し、３Ａｅ２０，・Ｓｉ
Ｏ２の組成を有するセラミックス粉末７鍾量部を実施例
−１と同じ方法で混合してペーストにし、アルミナ基板
にＣｕペーストでスクリーン印刷し焼成して得た導体回
路基板上に塗布し、乾燥後、１％酸素人Ｎ２”中で９２
０℃で１時間焼成した。
その結果、絶縁層は１５μの厚さで空孔が少ない良好な
状態であつた。
状態であつた。
誘電率は７．４、誘電損失は０．００く比抵抗は３×１
０１３Ωｄであつた。又、１０角の基板に同一セラミッ
クペーストを塗布し、焼成後、熱伝導率を測定したとこ
ろ０．０３Ｃａｅ／Ｓｅｃ●℃●ｄであつた。実施例−
３ Ｓ１０２：６５重量％、Ｂ，Ｏ３：ｎ重量％、Ａｅ２Ｏ
３：１．０重量％、Ｌｌ２Ｏ：１．０重量％、Ｎａ２Ｏ
：０．４重量％、Ｋ２Ｏ：０．鍾量％、ＰｂＯ：５重量
％、Ｆｅ２Ｏ，：１．鍾量％、ＺｎＯ：３．踵量％、か
らなるガラス粉末４鍾量部に対し、Ａｅ２Ｏ３・ＳｉＯ
２の組成を有するセラミックス粉末６鍾量部を実施例−
１と同じ方法で混合してペーストにし、アルミナ基板に
塗布し焼成した。
０１３Ωｄであつた。又、１０角の基板に同一セラミッ
クペーストを塗布し、焼成後、熱伝導率を測定したとこ
ろ０．０３Ｃａｅ／Ｓｅｃ●℃●ｄであつた。実施例−
３ Ｓ１０２：６５重量％、Ｂ，Ｏ３：ｎ重量％、Ａｅ２Ｏ
３：１．０重量％、Ｌｌ２Ｏ：１．０重量％、Ｎａ２Ｏ
：０．４重量％、Ｋ２Ｏ：０．鍾量％、ＰｂＯ：５重量
％、Ｆｅ２Ｏ，：１．鍾量％、ＺｎＯ：３．踵量％、か
らなるガラス粉末４鍾量部に対し、Ａｅ２Ｏ３・ＳｉＯ
２の組成を有するセラミックス粉末６鍾量部を実施例−
１と同じ方法で混合してペーストにし、アルミナ基板に
塗布し焼成した。
その結果、良好な絶縁膜を得ることができた。誘電率は
５．２、誘電損失は０．００２であつた。実施例−４ Ｓ１０，：６鍾量％、Ｂ，Ｏ３：２５重量％、Ａｅ２Ｏ
３：２重量％、Ｌｉ２Ｏ：１．８重量％、Ｎａ２Ｏ：０
．４重量％、Ｋ２Ｏ：１．種量％、ＰｂＯ：７．踵量％
、からなるガラス粉末と各種の組成を有するるセラミッ
クス粉末とを第１表に示すように混合し、実施例一１と
同じ方法でペーストにし、誘電率、誘電損失、直流電気
抵抗（比抵抗）を測定した。
５．２、誘電損失は０．００２であつた。実施例−４ Ｓ１０，：６鍾量％、Ｂ，Ｏ３：２５重量％、Ａｅ２Ｏ
３：２重量％、Ｌｉ２Ｏ：１．８重量％、Ｎａ２Ｏ：０
．４重量％、Ｋ２Ｏ：１．種量％、ＰｂＯ：７．踵量％
、からなるガラス粉末と各種の組成を有するるセラミッ
クス粉末とを第１表に示すように混合し、実施例一１と
同じ方法でペーストにし、誘電率、誘電損失、直流電気
抵抗（比抵抗）を測定した。
その結果もまた第１表に併せて示す。本発明によれば、
前記第１表にも示した如く誘電率の小さい絶縁膜が得る
ことができる。
前記第１表にも示した如く誘電率の小さい絶縁膜が得る
ことができる。
これらはいずれも９５０℃以下で空孔が少なく焼結され
ており、さらにこれら絶縁層に導体層を設け多層化する
ことが可能である。
ており、さらにこれら絶縁層に導体層を設け多層化する
ことが可能である。
ガラス粉末の組成物の比較例を第２表に示す。
Claims (1)
- １ ガラス粉末およびセラミックス粉末からなる粉末組
成物１〜９重量部とバインダーおよび分散媒からなる液
状組成物の１〜６重量部とからなる絶縁体形成用ペース
ト組成物であつて、前記粉末組成物が、ＳｉＯ＿２、Ｂ
＿２Ｏ＿３、ＰｂＯ、Ｎａ＿２Ｏ、Ｌｉ＿２Ｏ、Ａｌ＿
２Ｏ＿３を含み、さらにＢａＯ、Ｆｅ＿２Ｏ＿３、Ｚｎ
Ｏ、ＧｅＯ＿２、Ｋ＿２Ｏのうちの少なくとも１成分を
含むガラス粉末の１０〜１重量部とＡｌ＿２Ｏ＿３、Ｓ
ｉＯ＿２、Ｌｉ＿２Ｏ、ＺｎＯ、ＺｎＯ＿２、ＣａＯ、
ＢａＯ、ＭｇＯ、Ｌａ＿２Ｏ＿３、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、Ｔ
ａ＿２Ｏ＿５、の無機酸化物の群から少なくとも１つを
用いてなるセラミックスの粉末の９重量部以下（ただし
０重量部は除く）とを混合してなるものである、ことを
特徴とする絶縁体形成用ペースト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15129877A JPS6054721B2 (ja) | 1977-12-15 | 1977-12-15 | 絶縁体形成用ペースト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15129877A JPS6054721B2 (ja) | 1977-12-15 | 1977-12-15 | 絶縁体形成用ペースト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5482700A JPS5482700A (en) | 1979-07-02 |
| JPS6054721B2 true JPS6054721B2 (ja) | 1985-12-02 |
Family
ID=15515618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15129877A Expired JPS6054721B2 (ja) | 1977-12-15 | 1977-12-15 | 絶縁体形成用ペースト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054721B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62243916A (ja) * | 1986-04-12 | 1987-10-24 | Isuzu Motors Ltd | 内燃機関の燃焼室 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4654095A (en) * | 1985-03-25 | 1987-03-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition |
| US4655864A (en) * | 1985-03-25 | 1987-04-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric compositions and method of forming a multilayer interconnection using same |
| JPH0272695A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 混成集積回路 |
| JPH07101774B2 (ja) * | 1988-09-21 | 1995-11-01 | 日本電装株式会社 | 集積回路装置 |
| KR100496135B1 (ko) * | 2002-09-18 | 2005-06-16 | (주) 알엔투테크놀로지 | 저온 동시소성 유전체 세라믹 조성물, 및 이의 용도 |
-
1977
- 1977-12-15 JP JP15129877A patent/JPS6054721B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62243916A (ja) * | 1986-04-12 | 1987-10-24 | Isuzu Motors Ltd | 内燃機関の燃焼室 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5482700A (en) | 1979-07-02 |
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