JPH02148701A - 抵抗被膜形成物 - Google Patents
抵抗被膜形成物Info
- Publication number
- JPH02148701A JPH02148701A JP63302004A JP30200488A JPH02148701A JP H02148701 A JPH02148701 A JP H02148701A JP 63302004 A JP63302004 A JP 63302004A JP 30200488 A JP30200488 A JP 30200488A JP H02148701 A JPH02148701 A JP H02148701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- oxide
- filler
- film
- xmg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910000174 eucryptite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910009369 Zn Mg Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 229910052909 inorganic silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 229910052844 willemite Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はハイブリットエC1チップ抵抗素子等の電子回
路部品に用いる抵抗被膜形成用組成物に関する。
路部品に用いる抵抗被膜形成用組成物に関する。
抵抗被膜形成用組成物には導電性物質が含有されている
が、主としてルチル型の酸化ルテニウム(RuO)が用
いられている。しかしこの抵抗液膜はシート抵抗値で1
00に27口以上の高抵抗になると極めて抵抗値特性が
不安定となる。これの欠点を補なうため導電性物質とし
てパイロクロア型導電性酸化物、例えばPb Ru O
、Bi Ru 02 2F−z 2 2
7−xを用いる傾向にあるが、パイロクロア型導電性酸
化物は熱膨張係数が大きいので、抵抗被膜形成用組成物
をセラミック基板上へ焼結するとき、同時に含有される
無機ガラス質結合剤と混合焼結された結果、熱膨張率の
差から焼結体内部に強い内部応力が発生残留し、抵抗被
膜の膜強度が著しく脆弱となる。その為抵抗値調整を必
要とするレーザートリミング時に抵抗被膜に微小クラッ
クが多数入り、抵抗値特性を不安定にするという問題点
があった。
が、主としてルチル型の酸化ルテニウム(RuO)が用
いられている。しかしこの抵抗液膜はシート抵抗値で1
00に27口以上の高抵抗になると極めて抵抗値特性が
不安定となる。これの欠点を補なうため導電性物質とし
てパイロクロア型導電性酸化物、例えばPb Ru O
、Bi Ru 02 2F−z 2 2
7−xを用いる傾向にあるが、パイロクロア型導電性酸
化物は熱膨張係数が大きいので、抵抗被膜形成用組成物
をセラミック基板上へ焼結するとき、同時に含有される
無機ガラス質結合剤と混合焼結された結果、熱膨張率の
差から焼結体内部に強い内部応力が発生残留し、抵抗被
膜の膜強度が著しく脆弱となる。その為抵抗値調整を必
要とするレーザートリミング時に抵抗被膜に微小クラッ
クが多数入り、抵抗値特性を不安定にするという問題点
があった。
本発明の課題は上記問題点を解消し、セラミック基板上
で焼結したとき、焼結体内部に生ずる応力を減少させ、
膜強度を脆弱にしない抵抗被膜形成用組成物を提供する
ことにある。
で焼結したとき、焼結体内部に生ずる応力を減少させ、
膜強度を脆弱にしない抵抗被膜形成用組成物を提供する
ことにある。
本発明は、パイロクロア型導電性物質、無機ガラス質結
合剤、金属酸化物添加剤等からなる固形混合物に有機ビ
ヒクルを添加してなる組成物において、前記固形分10
0重量部中にフィラーとしてZn2−xMg、SiO4
,Zn2−xMgxGeO4,Zn2Si、−yGey
O4゜β−ユークリプタイト(L1□o−Al2O3・
2S102)、 コージェライト(2Mgo・2Al2
O3・5S10□)、5102のうち少なくとも1種以
上を1〜30重量部含有せしめることを課題解決の手段
とする。
合剤、金属酸化物添加剤等からなる固形混合物に有機ビ
ヒクルを添加してなる組成物において、前記固形分10
0重量部中にフィラーとしてZn2−xMg、SiO4
,Zn2−xMgxGeO4,Zn2Si、−yGey
O4゜β−ユークリプタイト(L1□o−Al2O3・
2S102)、 コージェライト(2Mgo・2Al2
O3・5S10□)、5102のうち少なくとも1種以
上を1〜30重量部含有せしめることを課題解決の手段
とする。
パイロクロア型導電性酸化物としてはPb Ru0
、 Pb Oa O、Ei Ru O、Bi工rOca
7−X22 アーX 227−X
227’ 2Re20.、 T/2Rh20.、
T12工r207等を挙げることが出来る。
、 Pb Oa O、Ei Ru O、Bi工rOca
7−X22 アーX 227−X
227’ 2Re20.、 T/2Rh20.、
T12工r207等を挙げることが出来る。
無機ガラス質結合剤としてはPbO,Bi O、5in
2゜SnO□、 Al2O3,B2O3,Oak、 M
gO,Bad、 SrO,ZnO等からPb0〜1,y
が0〜8i0〜1,yが0〜At 0〜1,yが0〜B
O、Pb0〜1,yが0〜8i02−B203−Ca
0〜1,yが0〜ZnOのように混合して粉末のガラス
状態にしたものが普通に用いられる。
2゜SnO□、 Al2O3,B2O3,Oak、 M
gO,Bad、 SrO,ZnO等からPb0〜1,y
が0〜8i0〜1,yが0〜At 0〜1,yが0〜B
O、Pb0〜1,yが0〜8i02−B203−Ca
0〜1,yが0〜ZnOのように混合して粉末のガラス
状態にしたものが普通に用いられる。
該金属酸化物添加剤としてはCub、 Tie、 Mn
0 。
0 。
V O、ZrO、Sb O等やPbTi0 、 PbZ
r0 、 PbSnO3等の強誘雇体ペロプスカイト型
酸化物を挙げることができる。
r0 、 PbSnO3等の強誘雇体ペロプスカイト型
酸化物を挙げることができる。
フィラーとしてZn Mg SiO、Zn Mg
Ge0 。
Ge0 。
2−xx 4 2−XX 4
Zn Si Ge O、β−L10・AIo・2S1
0,2Mgo・2A1221−yy4 2 23
2 0・5SiO及びSiO等のうち少なくとも1種類具上
を該パイロクロア型導電性酸化物、無機ガラス質結合剤
、該金属酸化物添加剤及び有機ビヒクルとの混合物に対
して含有させる必要がある。
Zn Si Ge O、β−L10・AIo・2S1
0,2Mgo・2A1221−yy4 2 23
2 0・5SiO及びSiO等のうち少なくとも1種類具上
を該パイロクロア型導電性酸化物、無機ガラス質結合剤
、該金属酸化物添加剤及び有機ビヒクルとの混合物に対
して含有させる必要がある。
該フィラーにおいてXは0〜1、yは0〜1としなけれ
ばならず、Xが1を超えると該フィラーの熱膨張係数が
大となり良くない。該フィラーは固形分100重量部中
に1〜30重量部を含有させるのであるが、1重量部未
満では該抵抗被膜内に発生する内部応力を減少させる効
果・が少なく、−方30重量部を超える場合には該抵抗
膜の表面に凹凸が発生したり、電流ノイズを発生したり
して不都合である。該フィラーの粒径は0.5〜2.0
μmが好適であり、熱膨張係数としては50〜60 X
10−7ん以下が好適である。
ばならず、Xが1を超えると該フィラーの熱膨張係数が
大となり良くない。該フィラーは固形分100重量部中
に1〜30重量部を含有させるのであるが、1重量部未
満では該抵抗被膜内に発生する内部応力を減少させる効
果・が少なく、−方30重量部を超える場合には該抵抗
膜の表面に凹凸が発生したり、電流ノイズを発生したり
して不都合である。該フィラーの粒径は0.5〜2.0
μmが好適であり、熱膨張係数としては50〜60 X
10−7ん以下が好適である。
本発明の抵抗被膜形成用組成物を得る製法は常法に従っ
て行なえば良く、原料粉末を有機ビヒクルと共にスリー
ロールミル等で均一に粉砕混練し、基板上にスクリーン
印刷後、乾燥焼成すれば良い。
て行なえば良く、原料粉末を有機ビヒクルと共にスリー
ロールミル等で均一に粉砕混練し、基板上にスクリーン
印刷後、乾燥焼成すれば良い。
パイロクロア型導電性粉末としてPb Ru O,22
6、冴 無機ガラス質結合剤としてPb0〜1,yが0〜3i0
〜1,yが0〜At 0〜1,yが0〜B O系ガラス
粉末、金属酸化物添加剤としてTiO、フィラー粉末と
してウイレマイト(Zn SiO)及び有機ビヒクルと
してエチルセルローズのターピネオール溶液を30重量
部加えて、第1表に示す割合でスリーロールミルで混合
し、アルミナ基板上にスクリーン印刷して、最高温度1
25Cで25分間乾燥後、空気雰囲気式ベルト焼成炉で
ビーク温度850C,ピーク時間9分間で焼成した。
6、冴 無機ガラス質結合剤としてPb0〜1,yが0〜3i0
〜1,yが0〜At 0〜1,yが0〜B O系ガラス
粉末、金属酸化物添加剤としてTiO、フィラー粉末と
してウイレマイト(Zn SiO)及び有機ビヒクルと
してエチルセルローズのターピネオール溶液を30重量
部加えて、第1表に示す割合でスリーロールミルで混合
し、アルミナ基板上にスクリーン印刷して、最高温度1
25Cで25分間乾燥後、空気雰囲気式ベルト焼成炉で
ビーク温度850C,ピーク時間9分間で焼成した。
アルミナ基板上に焼結された抵抗被膜の機械的強度を次
のように評価した。
のように評価した。
まずダイヤモンド四角錐をもつビッカーズ端子を使って
、焼結抵抗被膜上に500 gf 、 15秒間の同一
条件で荷重をかけて圧痕を形成させる。四角錐中心点と
四角錐フーナ一部から伝播したクラック先端との長さを
顕微鏡で測定して強度を比較したO この結果を焼結抵抗被膜表面の凹凸と共に第1表に示す
。
、焼結抵抗被膜上に500 gf 、 15秒間の同一
条件で荷重をかけて圧痕を形成させる。四角錐中心点と
四角錐フーナ一部から伝播したクラック先端との長さを
顕微鏡で測定して強度を比較したO この結果を焼結抵抗被膜表面の凹凸と共に第1表に示す
。
クラック長さが長くなればなるほど抵抗被膜の機械的強
度は脆弱であると判断でさる。
度は脆弱であると判断でさる。
第1表から本発明の試験厘2.3.4.5.6はビツカ
ーズクラックが短く抵抗被膜表面の凹凸もなく良好であ
る。
ーズクラックが短く抵抗被膜表面の凹凸もなく良好であ
る。
本発明組成物によれば、セラミック基板上に焼結した抵
抗被膜の内部に発生する内部応力を減少させ、膜強度を
脆弱にせず、該膜表面に凹凸を生じない良好な抵抗被膜
が得られる。
抗被膜の内部に発生する内部応力を減少させ、膜強度を
脆弱にせず、該膜表面に凹凸を生じない良好な抵抗被膜
が得られる。
1゜
4゜
手
続
補
正
書
(自発)
事件の表示
昭和
発明の名称
年 特 許 願第302004
抵抗被膜形成用組成物
号
補正をする者
事件との関係
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 パイロクロア型導電性物質、無機ガラス質結合剤、
金属酸化物添加剤等からなる固形混合物に有機ビヒクル
を添加してなる組成物において、前記固形分100重量
部中にフィラーとしてZn_2_−_xMg_xSiO
_4,Zn_2_−_xMg_xGeO_4,Zn_2
Si_1_−_yGe_yO_4,β−ユークリプタイ
ト(Li_2O・Al_2O_3・2SiO_2),コ
ージエライト(2MgO・2Al_2O_3・5SiO
_2),SiO_2のうち少なくとも1種以上を1〜3
0重量部含有せしめてなることを特徴とする抵抗被膜形
成用組成物。 2 Zn_2_−_xMg_xSiO_4,Zn_2_
−_xMg_xGeO_4,Zn_2Si_1_−_y
Ge_yO_4のxが0〜1,yが0〜1であることを
特徴とする請求項1に記載の抵抗被膜形成用組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63302004A JPH02148701A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 抵抗被膜形成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63302004A JPH02148701A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 抵抗被膜形成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02148701A true JPH02148701A (ja) | 1990-06-07 |
Family
ID=17903726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63302004A Pending JPH02148701A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 抵抗被膜形成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02148701A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007107963A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 力学量センサ素子及びそれに用いる抵抗ペースト材料 |
USRE43641E1 (en) | 1995-10-20 | 2012-09-11 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for scaling up and down a video image |
-
1988
- 1988-11-29 JP JP63302004A patent/JPH02148701A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE43641E1 (en) | 1995-10-20 | 2012-09-11 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for scaling up and down a video image |
JP2007107963A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 力学量センサ素子及びそれに用いる抵抗ペースト材料 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3240271B2 (ja) | セラミック基板 | |
JPH107435A (ja) | ガラスセラミック配線基板およびその製造方法 | |
GB2091241A (en) | A process for producing insulating coatings in steel products | |
JPH01179741A (ja) | ガラスセラミックス組成物 | |
JPH02148701A (ja) | 抵抗被膜形成物 | |
JPS5951716B2 (ja) | 発熱体の製造方法 | |
JP3017530B2 (ja) | 厚膜回路用絶縁ペースト | |
JPS6310104B2 (ja) | ||
JPH02212336A (ja) | ガラスセラミック組成物及びその用途 | |
JP3042180B2 (ja) | 厚膜抵抗体及びその製造方法 | |
JPS6246953A (ja) | 絶縁性磁器組成物 | |
JPH0782009A (ja) | 高温電界下で電気化学的安定性に優れるアルミナセラミックス | |
JP2560851B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JPH03131545A (ja) | 抵抗体ペースト及びセラミックス基板 | |
JP2622582B2 (ja) | 低温焼成基板の製造方法 | |
JPS63213302A (ja) | 電気抵抗体及びその製造方法 | |
JPH0821762B2 (ja) | ガラスセラミツクス基板 | |
HU195999B (en) | Gas and humidity sensing device and method for making thereof | |
JPH02288106A (ja) | 抵抗体ペースト及びセラミックス基板 | |
JP2005209738A (ja) | 厚膜抵抗体及びその製造方法 | |
JP2005072485A (ja) | 抵抗体ペースト及び抵抗体、抵抗体の製造方法 | |
JPS628404A (ja) | 絶縁ペ−スト | |
JPS6356997A (ja) | セラミツク多層基板 | |
JPH04326703A (ja) | Ain基板用抵抗ペースト | |
JPH0658841B2 (ja) | 抵抗体を有する電子回路基板 |