JPS6265399A - ホ−ロ−基板への厚膜回路の形成方法 - Google Patents
ホ−ロ−基板への厚膜回路の形成方法Info
- Publication number
- JPS6265399A JPS6265399A JP20338385A JP20338385A JPS6265399A JP S6265399 A JPS6265399 A JP S6265399A JP 20338385 A JP20338385 A JP 20338385A JP 20338385 A JP20338385 A JP 20338385A JP S6265399 A JPS6265399 A JP S6265399A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- enamel
- paste
- substrate
- glass
- thick film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（並業上の利用分野）
本発明はホーロー基板の改良に係り、特にホーロー基板
の表面に接膚強度の高い厚膜回路を形成する方法に関す
るものである。
の表面に接膚強度の高い厚膜回路を形成する方法に関す
るものである。
（従来の技術）
従来のホーロープリント基板の製造法は第２因に示すよ
うに鋼板など金蝙コＴ１の上に例えば厚さくＪ、１３５
ｍ程度のホーローエナメルを焼成した−ので、このホー
ローエナメル〜２の表面に導体ペースト４を厚く印刷し
焼成することにより印刷回路を形成するものであり念。
うに鋼板など金蝙コＴ１の上に例えば厚さくＪ、１３５
ｍ程度のホーローエナメルを焼成した−ので、このホー
ローエナメル〜２の表面に導体ペースト４を厚く印刷し
焼成することにより印刷回路を形成するものであり念。
（発明が解決しようとする問題点）
このような従来の方法による場合、基板に用いられるホ
ーローガラスの種類と、該ホーローガラスの上に印刷さ
れる導体ペーストの構成成分の組合せがよければ、導体
向路と基板とのｒ髪増強度は高い−が得られるが、不適
当な組合せの場合は光分な接着強度が祷られなめ。又、
従来無機員基板として最も多く用いられているのはアル
ミナ基板であるために、市販の導体イーストの多くはア
ルミナ基板に用いたときに強いｍＭ強度を示すように設
計されているものが多く、このようなペーストをホーロ
ー基板に用いると光分な接層Δ度が得られないことが多
い。
ーローガラスの種類と、該ホーローガラスの上に印刷さ
れる導体ペーストの構成成分の組合せがよければ、導体
向路と基板とのｒ髪増強度は高い−が得られるが、不適
当な組合せの場合は光分な接着強度が祷られなめ。又、
従来無機員基板として最も多く用いられているのはアル
ミナ基板であるために、市販の導体イーストの多くはア
ルミナ基板に用いたときに強いｍＭ強度を示すように設
計されているものが多く、このようなペーストをホーロ
ー基板に用いると光分な接層Δ度が得られないことが多
い。
又、ホーロー基板と通っても基板に用いられるホーロー
ガラスＶＣ＃ｉさ１ざまの組成を有するものがあり、あ
る組成のホーローガラスには接−７＃を強度の大きい導
体イーストであっても、他の組成のホ−〇−ガラスに対
しては充分な接着強度が得られないことが多い。従って
、全く新しｈ組成のホーローガラスを用いた基板を開発
しても、その基板に合った導体イーストを同時に開発す
る必要を生じるのが常であり、このため多大の労力を要
するという問題があった。
ガラスＶＣ＃ｉさ１ざまの組成を有するものがあり、あ
る組成のホーローガラスには接−７＃を強度の大きい導
体イーストであっても、他の組成のホ−〇−ガラスに対
しては充分な接着強度が得られないことが多い。従って
、全く新しｈ組成のホーローガラスを用いた基板を開発
しても、その基板に合った導体イーストを同時に開発す
る必要を生じるのが常であり、このため多大の労力を要
するという問題があった。
（問題点を解決しようとするための手段）本発明は上記
の従来法における線点を鳥決するためＫなさｎ−ａもの
で、１４１図に示す如く金属コアｌの上にホーローエナ
メル層２ｆ：設けたホーロー基板に於て絶縁層に用いら
れているホーローガラスと同−成分又は近似質のがラス
フリットよりなるがラス（−スト３をコーティングし、
更に導体ペースト４を印刷して厚膜印刷囲路を構成し、
ガラスイースト３と導体ペースト４とを同時焼成する方
法で、これにより基板に対する印＠回路の接層を３固に
しようとするものである。
の従来法における線点を鳥決するためＫなさｎ−ａもの
で、１４１図に示す如く金属コアｌの上にホーローエナ
メル層２ｆ：設けたホーロー基板に於て絶縁層に用いら
れているホーローガラスと同−成分又は近似質のがラス
フリットよりなるがラス（−スト３をコーティングし、
更に導体ペースト４を印刷して厚膜印刷囲路を構成し、
ガラスイースト３と導体ペースト４とを同時焼成する方
法で、これにより基板に対する印＠回路の接層を３固に
しようとするものである。
（作用）
本発明によれは下塗夛に用いられたガラスペースト３が
、基板のホーローガラスと同一のがラスフリットを用い
ているので、容易に相溶するので基徐に強い接着力を示
す。又未焼成のホーローがラスペーストとその上に印刷
され九厚脱導体に一ストはどちらも粉末成分をビヒクル
とともに混林したものであるので、乾熱、焼成により印
ＩＩＩされたペースＨｉ中の溶剛成分や有憾物成分が蒸
発あるいは分解５ｎ散するとともに収縮し、その際ガラ
スペースト中のがラスフリット粉床と、導体イースト中
の導体憾妬粉末及びバインダ粉末は界面において入り混
った層を形成し、これが焼成後任固な反応層となるので
、直ちにホーロー基板上に導体ペーストが印刷焼成され
次場合に比べて高い接着強度を示す。
、基板のホーローガラスと同一のがラスフリットを用い
ているので、容易に相溶するので基徐に強い接着力を示
す。又未焼成のホーローがラスペーストとその上に印刷
され九厚脱導体に一ストはどちらも粉末成分をビヒクル
とともに混林したものであるので、乾熱、焼成により印
ＩＩＩされたペースＨｉ中の溶剛成分や有憾物成分が蒸
発あるいは分解５ｎ散するとともに収縮し、その際ガラ
スペースト中のがラスフリット粉床と、導体イースト中
の導体憾妬粉末及びバインダ粉末は界面において入り混
った層を形成し、これが焼成後任固な反応層となるので
、直ちにホーロー基板上に導体ペーストが印刷焼成され
次場合に比べて高い接着強度を示す。
本発明で用いるホーローガラスにはＢａＯと、ＭｇＯｚ
はＭｇＯとＺｎＯ及びＣａＯとの混合物とＢ１０．と、
８１０２とからなるガラス組成物が好ましく、特に、特
−陥５６−７３６４３号に示された如き、約６モル９４
〜ｌ’Ｊ２５％ｈ％のＢａＯと、約３０モルｔＩｂ〜６
０モル−のＭｇＯ或はＭｇＯとＺｎＯ及びＣａＯとの混
合物と、約１３モルチル約３５モルチのＢ２０．と、約
１０モルチル約２５モル−の８１０□とからなるもので
。
はＭｇＯとＺｎＯ及びＣａＯとの混合物とＢ１０．と、
８１０２とからなるガラス組成物が好ましく、特に、特
−陥５６−７３６４３号に示された如き、約６モル９４
〜ｌ’Ｊ２５％ｈ％のＢａＯと、約３０モルｔＩｂ〜６
０モル−のＭｇＯ或はＭｇＯとＺｎＯ及びＣａＯとの混
合物と、約１３モルチル約３５モルチのＢ２０．と、約
１０モルチル約２５モル−の８１０□とからなるもので
。
熱膨張係数？よ、ｌ０ＸＩＯ／Ｃ以上という高い値を持
ち、塗布される金−のそれと侃めて近いので、くり返し
、焼成後にクラックを生じ勧く、かつ電気絶縁性にも優
れている特徴がある。従って、ホーロー基板上にコーテ
ィングされるガラスペーストも、これと同一材質は勿論
のこと、その組成中の７０〜８０チを同様な組成即ち、
組成物の配合比を若干変更したシ、誠化物の一部を省略
又は、増力Ｈしたシしても、両者の質的近似性から、一
体化し易いものを適用し得ることは、勿−でるる。
ち、塗布される金−のそれと侃めて近いので、くり返し
、焼成後にクラックを生じ勧く、かつ電気絶縁性にも優
れている特徴がある。従って、ホーロー基板上にコーテ
ィングされるガラスペーストも、これと同一材質は勿論
のこと、その組成中の７０〜８０チを同様な組成即ち、
組成物の配合比を若干変更したシ、誠化物の一部を省略
又は、増力Ｈしたシしても、両者の質的近似性から、一
体化し易いものを適用し得ることは、勿−でるる。
実施例１
ｙ、、ｏ ５８，０ ％ル＊、Ｂａ０７． Ｑ ％ ＃
チ、Ｂ２０，２０．０モル−１Ｓｉｎ２１５．０モルチ
のがラスを用い、銅板上に厚さ約０．１３■に塗布脚付
けて、ホーローエナメルＪ−を有する基板を作シ、これ
と同一成分のがラスフリットよシなるガラスペーストを
戚基板の回路形成部分にスクリーン印刷し、その上に、
日中マツセイ（ａ：）製ＴＲ３９１０アルミナ川導体ペ
ーストを用いて、２閣角の導体パターンをスクリーン印
刷し、１５０℃Ｘ １ ｈｒ乾燥後、ピーク温度８５０
ＣＸ１０ｍｉｎで、同時焼成し次。
チ、Ｂ２０，２０．０モル−１Ｓｉｎ２１５．０モルチ
のがラスを用い、銅板上に厚さ約０．１３■に塗布脚付
けて、ホーローエナメルＪ−を有する基板を作シ、これ
と同一成分のがラスフリットよシなるガラスペーストを
戚基板の回路形成部分にスクリーン印刷し、その上に、
日中マツセイ（ａ：）製ＴＲ３９１０アルミナ川導体ペ
ーストを用いて、２閣角の導体パターンをスクリーン印
刷し、１５０℃Ｘ １ ｈｒ乾燥後、ピーク温度８５０
ＣＸ１０ｍｉｎで、同時焼成し次。
上記の焼成済基板の導体パターン上に、 ０．８ｍφの
すずめりき軟銅線を半田付けした後、１５０℃の恒温槽
に入れ、３００ ｈｒ の加熱劣化を行っ九恢、銅線を
基板と垂直方向に引賊り、２；Ｊ導体ノリーンが剥がれ
るのに要する荷重を測定し次。
すずめりき軟銅線を半田付けした後、１５０℃の恒温槽
に入れ、３００ ｈｒ の加熱劣化を行っ九恢、銅線を
基板と垂直方向に引賊り、２；Ｊ導体ノリーンが剥がれ
るのに要する荷重を測定し次。
（比較例１）
ホーロー基板上にガラスペーストを下血シしないで、厘
ちに上記導体ペーストを印刷・焼成したものを作成し、
実施例１とＩ′Ｂ１様な試験を行った。
ちに上記導体ペーストを印刷・焼成したものを作成し、
実施例１とＩ′Ｂ１様な試験を行った。
両者の比較試験結果は、第３図に示す通りで、実施例１
によるものは、比較９Ｉ１１に比べ初期値で約１ｋｇ加
熱劣化後でＩＩＪ ３ゆの接増強屋の上昇が見られた。
によるものは、比較９Ｉ１１に比べ初期値で約１ｋｇ加
熱劣化後でＩＩＪ ３ゆの接増強屋の上昇が見られた。
実施例２
Ｍｇ０５８．０％ル％、Ｂａ０７．０ ％ ＃ ５１
、 Ｂ２０．１８．０モル−５Ｓ１０□１７．０モルチ
のがラスを用い、銅板上に厚さ約０．１３簡に、塗布脚
付けて、ホーローエナメル層を有する基板を作り、この
上に、Ｍｇ０５６．０モルチ、Ｂａ０９．０モル％、Ｂ
２０，２０．０モルチ、８１０□１５．０モル−〇ガラ
スペーストラ用イテ、回路形成部分上にスクリーン印ｈ
１］シ、次に導体ペーストとして田中マツセイ（株）表
、ＴＲ−４８４６、アルミナ用感体ペーストを用いた他
は、実施例１と同様にして厚膜回路基板を製造した。
、 Ｂ２０．１８．０モル−５Ｓ１０□１７．０モルチ
のがラスを用い、銅板上に厚さ約０．１３簡に、塗布脚
付けて、ホーローエナメル層を有する基板を作り、この
上に、Ｍｇ０５６．０モルチ、Ｂａ０９．０モル％、Ｂ
２０，２０．０モルチ、８１０□１５．０モル−〇ガラ
スペーストラ用イテ、回路形成部分上にスクリーン印ｈ
１］シ、次に導体ペーストとして田中マツセイ（株）表
、ＴＲ−４８４６、アルミナ用感体ペーストを用いた他
は、実施例１と同様にして厚膜回路基板を製造した。
（比較例２）
実施例２に示したホーローエナメル層を有する基板上に
ガラスペーストの下塗をすることなく、直ちに実施例２
に示した導体ペーストを印刷焼付して、厚膜回路基板を
製造し九。
ガラスペーストの下塗をすることなく、直ちに実施例２
に示した導体ペーストを印刷焼付して、厚膜回路基板を
製造し九。
１ｌｉｌｌ省の比較試験の結果は、第４図に示す通りで
、初Ｊ４１１Ｊ値も刀ａ ｐ ％化後も、豹１時の接層
強度の上昇が見られた。
、初Ｊ４１１Ｊ値も刀ａ ｐ ％化後も、豹１時の接層
強度の上昇が見られた。
（発明の効果）
不発明によればホーロー基板上に、そのホーローガラス
と同−成分又は近似員のがラスフリットを用いて血布し
てから導電性イーストを印刷しているので、導体回路の
緑Ｎ強度は大幅に上昇し、未発刷の方法１に実施するこ
とによって本来ホーロー基板用に設計されてｂない４体
ペーストテアっても充分な接！３強度が得られ、第１ｊ
用可能になる等の利点も生ずる。
と同−成分又は近似員のがラスフリットを用いて血布し
てから導電性イーストを印刷しているので、導体回路の
緑Ｎ強度は大幅に上昇し、未発刷の方法１に実施するこ
とによって本来ホーロー基板用に設計されてｂない４体
ペーストテアっても充分な接！３強度が得られ、第１ｊ
用可能になる等の利点も生ずる。
第１図は本発明による基板の１例を示す断面図、第２図
は従来の基板の１９ｉ１を示す断面図、第３図は実施例
１と比較例１の接着’ｉ！ｉｉ度と加熱時間のグラフで
、第４ｖは実施例２と比較ψ１」２の級、Ｖ強度と加熱
時間のグラフを示す。 ｌ・・・金員ホーロー基板、２・・・ホーロ、−ガラス
、３・・・ガラスイースト、４・・・導体イースト。
は従来の基板の１９ｉ１を示す断面図、第３図は実施例
１と比較例１の接着’ｉ！ｉｉ度と加熱時間のグラフで
、第４ｖは実施例２と比較ψ１」２の級、Ｖ強度と加熱
時間のグラフを示す。 ｌ・・・金員ホーロー基板、２・・・ホーロ、−ガラス
、３・・・ガラスイースト、４・・・導体イースト。
Claims (1)
- ホーロー基板表面に、該ホーロー基板の絶縁層に用い
られているホーローガラスと同一成分もしくは近似質の
がラスフリットよりなるガラスペーストをコーティング
し、更に該ガラスペーストの上に導体ペーストを印刷し
た後、ガラスペースト及び導体ペーストを同時に焼成す
ることを特徴とするホーロー基板への厚膜回路の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20338385A JPS6265399A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | ホ−ロ−基板への厚膜回路の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20338385A JPS6265399A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | ホ−ロ−基板への厚膜回路の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6265399A true JPS6265399A (ja) | 1987-03-24 |
Family
ID=16473126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20338385A Pending JPS6265399A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | ホ−ロ−基板への厚膜回路の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6265399A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010500779A (ja) * | 2006-08-11 | 2010-01-07 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | デバイスチップキャリア、モジュールおよびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045458B2 (ja) * | 1978-05-17 | 1985-10-09 | 日本電気株式会社 | 画像端末装置用外部メモリ制御方式 |
-
1985
- 1985-09-17 JP JP20338385A patent/JPS6265399A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045458B2 (ja) * | 1978-05-17 | 1985-10-09 | 日本電気株式会社 | 画像端末装置用外部メモリ制御方式 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010500779A (ja) * | 2006-08-11 | 2010-01-07 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | デバイスチップキャリア、モジュールおよびその製造方法 |
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