JPS62211993A - 多層セラミツク回路基板の製造方法 - Google Patents
多層セラミツク回路基板の製造方法Info
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- JPS62211993A JPS62211993A JP5361586A JP5361586A JPS62211993A JP S62211993 A JPS62211993 A JP S62211993A JP 5361586 A JP5361586 A JP 5361586A JP 5361586 A JP5361586 A JP 5361586A JP S62211993 A JPS62211993 A JP S62211993A
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
多層セラミック回路基板において導体パターン上部にガ
ラス質層を形成して導体パターンとセラミック層との密
着強度を向上させる。
ラス質層を形成して導体パターンとセラミック層との密
着強度を向上させる。
本発明は多層セラミック回路基板の製造方法に係り、特
にセラミック回路基板の内部導体に対して密着力を向上
させる方法に関する。
にセラミック回路基板の内部導体に対して密着力を向上
させる方法に関する。
セラミック回路基板の内層導体に用いるＣｕ等の導体ペ
ーストは通常アルミナ等のセラミック基板の表面用とし
て開発されており、内層導体としての使用、特に導体と
セラミックとの密着性については従来は何ら考慮されて
いない。
ーストは通常アルミナ等のセラミック基板の表面用とし
て開発されており、内層導体としての使用、特に導体と
セラミックとの密着性については従来は何ら考慮されて
いない。
すなわち、導体下部とセラミックの界面との密着性は良
好であるが導体の反対側の面である導体上部と上方に配
設されたセラミックとの界面との密着性は問題とされて
いなかった。
好であるが導体の反対側の面である導体上部と上方に配
設されたセラミックとの界面との密着性は問題とされて
いなかった。
しかしながら多層セラミック回路基板内に使用される内
層導体は導体の下部は勿論、上部にもセラミックが存在
しており、導体下部、上部の両方の部位でセラミックと
密着させる必要がある。
層導体は導体の下部は勿論、上部にもセラミックが存在
しており、導体下部、上部の両方の部位でセラミックと
密着させる必要がある。
また導体上にセラミック（グリーンシート）を加圧積層
する焼成の際にセラミック中のガラス分が導体中に移行
しセラミックス中に密着強度等の品質が劣化したガラス
層が形成される問題があった。
する焼成の際にセラミック中のガラス分が導体中に移行
しセラミックス中に密着強度等の品質が劣化したガラス
層が形成される問題があった。
本発明は多層セラミック回路基板の内部導体とセラミッ
クあるいはグリーンシートとの密着性を向上させる多層
セラミック回路基板の製法を提供することを目的とする
。
クあるいはグリーンシートとの密着性を向上させる多層
セラミック回路基板の製法を提供することを目的とする
。
更に本発明は均一なガラス分を含有するセラミック回路
基板の製法を提供することを目的とする。
基板の製法を提供することを目的とする。
上記問題点は本発明によればセラミ・ツク層上に配設さ
れた導体パターンＬに更にセラミ・ツク層を形成する工
程を複数回繰返す多層セラミ・ツク回路基板の製法にお
いて 前記導体パターン」二面にガラス質層を形成することを
特徴とする多層セラミック回路基板の製法によって解決
される。
れた導体パターンＬに更にセラミ・ツク層を形成する工
程を複数回繰返す多層セラミ・ツク回路基板の製法にお
いて 前記導体パターン」二面にガラス質層を形成することを
特徴とする多層セラミック回路基板の製法によって解決
される。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
実施例Ｉ
アルミナ２５重量％、はうけい酸ガラス２５重量％、Ｐ
、Ｖ、Ｂ、 （ポリビニールビフェニル）５重量％、Ｄ
、Ｂ、Ｐ、 （ジ、ブチルフタレート）２重量％及びア
セトン４３重量％を通常のボールミルにより２４時間混
練しスラリーを得る。得られたスラリーをドクターブレ
ード法で厚さ約３００ ｐ ｍのグリーンシートとした
。このグリーンシート上にＡｕペーストをスクリーン印
刷し導体パターンを形成した。次にＡｕペースト上部に
はうけい酸ガラスからなる絶縁ペースト（ガラス質５０
重量％）で約１０μｍの厚さに印刷した。
、Ｖ、Ｂ、 （ポリビニールビフェニル）５重量％、Ｄ
、Ｂ、Ｐ、 （ジ、ブチルフタレート）２重量％及びア
セトン４３重量％を通常のボールミルにより２４時間混
練しスラリーを得る。得られたスラリーをドクターブレ
ード法で厚さ約３００ ｐ ｍのグリーンシートとした
。このグリーンシート上にＡｕペーストをスクリーン印
刷し導体パターンを形成した。次にＡｕペースト上部に
はうけい酸ガラスからなる絶縁ペースト（ガラス質５０
重量％）で約１０μｍの厚さに印刷した。
次にこれらのグリーンシートを積層圧３０ＭＰａで１０
枚順次積層した。この積層体を大気中、約８５０℃の温
度で２時間焼成し多層セラミック回路基板を得た。本実
施例により得られた基板と、上記実施例においてＡｕペ
ースト上にはうけい酸ガラスの絶縁ペーストを印刷しな
い工程によって得られた従来法の基板の基板強度及び耐
湿性（吸水率）を比較調査した。その結果を第１表に示
す。
枚順次積層した。この積層体を大気中、約８５０℃の温
度で２時間焼成し多層セラミック回路基板を得た。本実
施例により得られた基板と、上記実施例においてＡｕペ
ースト上にはうけい酸ガラスの絶縁ペーストを印刷しな
い工程によって得られた従来法の基板の基板強度及び耐
湿性（吸水率）を比較調査した。その結果を第１表に示
す。
なお基板強度の測定方法は三点曲げ強度法による。
第１表
第１表に示された結果から本発明は基板強度および耐湿
性が向上しているのがわかる。
性が向上しているのがわかる。
実施例２
粒径約１．２１Ｊｍ （Ｄｓｏ＝ １．２１１ｍ ）
のＣｕ粉末１００部、粒径２μｍのガラスフリット８部
及びアクリル系ビヒクル２１部をボールミリングで約２
時間焼成した。その後らいかい機で４時間混練し、さら
に３本ロールミルズで混練しＣｕペーストを作製した。
のＣｕ粉末１００部、粒径２μｍのガラスフリット８部
及びアクリル系ビヒクル２１部をボールミリングで約２
時間焼成した。その後らいかい機で４時間混練し、さら
に３本ロールミルズで混練しＣｕペーストを作製した。
一方粒径４μｍのアルミナ粉末５０部と、粒径４μｍの
はうけい酸ガラス粉末５０部にアクリル系バインダーと
溶剤をボールミリングで４８時間混合しスラリーを得た
。このスラリーをドクターブレード法により厚さ０．３
鰭のグリーンシートに作製した。
はうけい酸ガラス粉末５０部にアクリル系バインダーと
溶剤をボールミリングで４８時間混合しスラリーを得た
。このスラリーをドクターブレード法により厚さ０．３
鰭のグリーンシートに作製した。
このようにして得られたグリーンシート上に上記Ｃｕペ
ーストをスクリーン印刷し、これら複数枚を加圧積層し
た後、窒素雰囲気中で１０００℃の温度、約２時間焼成
し、多層セラミック回路基板を得た。
ーストをスクリーン印刷し、これら複数枚を加圧積層し
た後、窒素雰囲気中で１０００℃の温度、約２時間焼成
し、多層セラミック回路基板を得た。
上記本発明法によって得られた基板と従来法によって得
られた基板の密着強度を比較した。
られた基板の密着強度を比較した。
内層ベタパターンを試験用に用い、パターン部を１５Ｘ
１５龍に切断し、１２．５ Ｘ １２．５ｆｌの金属棒
を試料の両側に接着剤で付着し両端の金属棒を引張り密
着強度を測定した。その結果を第２表に示す。
１５龍に切断し、１２．５ Ｘ １２．５ｆｌの金属棒
を試料の両側に接着剤で付着し両端の金属棒を引張り密
着強度を測定した。その結果を第２表に示す。
第２表
第２表に示された結果から本発明は密着強度が向上して
いるのがわかる。
いるのがわかる。
以上説明したように本発明によればセラミック層と導体
パターンとの密着性を向上させることができるので信頼
性の高い多層セラミック回路基板を得る。なお本発明で
は導体パターン間にグリーンシートと同一組成のペース
トを流し込んで平坦化を図ることも有効であることが理
解されよう。
パターンとの密着性を向上させることができるので信頼
性の高い多層セラミック回路基板を得る。なお本発明で
は導体パターン間にグリーンシートと同一組成のペース
トを流し込んで平坦化を図ることも有効であることが理
解されよう。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、セラミック層上に配設された導体パターン上に更に
セラミック層を形成する工程を複数回繰返す多層セラミ
ック回路基板の製造方法において前記導体パターン上面
にガラス質層を形成することを特徴とする多層セラミッ
ク回路基板の製造方法。 ２、前記導体パターン上にガラス質絶縁層を形成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、前記導体パターンに小粒径のガラスフリットを混合
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法
。 ４、前記ガラスフリットの粒径が約１μｍであることを
特徴とする特許請求の範囲第３項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5361586A JPS62211993A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 多層セラミツク回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5361586A JPS62211993A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 多層セラミツク回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62211993A true JPS62211993A (ja) | 1987-09-17 |
Family
ID=12947805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5361586A Pending JPS62211993A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 多層セラミツク回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62211993A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6784534B1 (en) | 2002-02-06 | 2004-08-31 | Amkor Technology, Inc. | Thin integrated circuit package having an optically transparent window |
| US6861720B1 (en) | 2001-08-29 | 2005-03-01 | Amkor Technology, Inc. | Placement template and method for placing optical dies |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5036964A (ja) * | 1973-08-08 | 1975-04-07 |
-
1986
- 1986-03-13 JP JP5361586A patent/JPS62211993A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5036964A (ja) * | 1973-08-08 | 1975-04-07 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6861720B1 (en) | 2001-08-29 | 2005-03-01 | Amkor Technology, Inc. | Placement template and method for placing optical dies |
| US6784534B1 (en) | 2002-02-06 | 2004-08-31 | Amkor Technology, Inc. | Thin integrated circuit package having an optically transparent window |
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