TWI699021B - 電路基板及具備其之發光裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之電路基板具備：基板；導體層，其位於該基板上；反射層，其位於該導體層上；及聚矽氧樹脂層，其位於上述基板上並且與上述導體層及上述反射層相接而設置。並且，上述聚矽氧樹脂層含有45質量%以上之複數個填料。進而，上述填料之總個數100%中，縱橫比大於5之第1填料占5%以上。
Description
本發明係關於一種電路基板及具備其之發光裝置。
作為消耗電力較少之發光元件，LED(Light Emitting Diode，發光二極體)引人注目。並且，於此種發光元件之搭載時，使用具備絕緣性之基板、位於該基板上之成為電路(配線)之導電層的電路基板。
又，對在上述構成之電路基板上搭載發光元件而成之發光裝置，要求提高發光效率，為了提高發光效率，以白色系色調之樹脂覆蓋基板之表面(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-129801號公報
本發明之電路基板具備：基板；導體層，其位於該基板上；反射層，其位於該導體層上；及聚矽氧樹脂層，其位於上述基板上並且與上述導體層及上述反射層相接而設置。並且，上述聚矽氧樹脂層含有45質量%以上之複數個填料。進而，上述填料之總個數100%中，縱橫比大於5之第1填料占5%以上。
又，本發明之發光裝置具備：上述電路基板、及位於該電路基板上之發光元件。
近年來，為了提高發光效率，而於導電層上設置反射層。進而，藉由於基板之表面以白色系色調之樹脂覆蓋導電層及反射層所處之部位以外，而亦可提高發光效率。
此處，於設為具有樹脂及反射層之兩者之構成之情形時，通常設為於電路基板之基板上，以樹脂覆蓋導電層及不存在設置於導電層上之反射層之部分之構成。然而，於製造此種電路基板時，為了調整樹脂及反射層之高度，必須進行樹脂及反射層之研磨處理之步驟。此時，若樹脂之硬度較低，則有於研磨處理中樹脂受到損傷，無法獲得所需之反射率之虞。
以下，一面參照圖1一面對本發明之電路基板及發光裝置進行說明。
如圖1所示，本發明之電路基板10具備：基板1；導體層2，其位於基板1上；反射層3，其位於導體層2上；及聚矽氧樹脂層4，其位於基板1上並且與導體層2及反射層3相接而設置。
並且，本發明之電路基板10之聚矽氧樹脂層4含有45質量%以上之複數個填料。進而，該填料之總個數100%中，縱橫比大於5之第1填料占5%以上。
聚矽氧樹脂係與呈現白色系色調之其他樹脂(例如環氧樹脂)相比，耐受紫外線，且可長期持較高之反射率。並且，於聚矽氧樹脂中，縱橫比較大之第1填料彼此纏繞之聚矽氧樹脂層4具有較高之硬度。並且，藉由此種硬度較高之聚矽氧樹脂層4，即便為了調整聚矽氧樹脂層4及反射層3之高度而進行聚矽氧樹脂層4及反射層3之研磨處理，亦可抑制聚矽氧樹脂層4之損傷。因此，本發明之電路基板10具有較高之反射率。
此處，作為聚矽氧樹脂層4含有之填料，包含：二氧化矽、鈦酸鉀、氧化鋁、二氧化矽、氧化鋇、硫酸鋇、氧化鋅、二氧化鈦、鈦酸鋇或氧化鋯。並且，於填料中，第1填料亦可包含二氧化矽或鈦酸鉀。
再者，縱橫比係指填料之長徑除以短徑時之值。填料之長徑係指填料之剖面上之最大長度。填料之短徑係指於長徑之線段之中央與長徑之線段正交之直線之長度。並且，第1填料之長徑之平均值亦可為5 μm以上且15 μm以下。又，第1填料之短徑之平均值亦可為0.5 μm以上且2.5 μm以下。
又，本發明之電路基板10中之聚矽氧樹脂層4亦可含有80質量%以下之填料。若滿足此種構成，則於聚矽氧樹脂層4之表面，因填料導致之凹凸減少，故而本發明之電路基板10之反射率提高。
又，本發明之電路基板10中之第1填料亦可為填料之總個數之40%以下。若滿足此種構成，則於聚矽氧樹脂層4之表面，因縱橫比較大之第1填料導致之凹凸減少，故而本發明之電路基板10之反射率提高。
又，於本發明之電路基板10中，填料之總個數100%中，包含二氧化鈦之第2填料亦可占40%以上且55%以下。若滿足此種構成，則藉由包含對可見光具有較高之反射率之二氧化鈦之第2填料，可提高聚矽氧樹脂層4之反射率。因此，本發明之電路基板10之反射率提高。
再者，第2填料之圓當量徑之平均值亦可為0.5 μm以上且3 μm以下。此處，所謂圓當量徑，意指替換為與第2填料之截面面積相等之圓之情形時之圓之直徑。若滿足此種構成，則藉由各第2填料有效地反射可見光，而提高本發明之電路基板10之反射率。
又，於本發明之電路基板10中，填料之總個數100%中，包含鈦酸鋇之第3填料亦可占5%以上且10%以下。若滿足此種構成，則藉由包含對可見光具有較高之反射率之鈦酸鋇之第3填料，而提高聚矽氧樹脂層4之反射率。因此，本發明之電路基板10之反射率提高。
再者，第3填料之圓當量徑之平均值亦可為0.3 μm以上且2 μm以下。若滿足此種構成，則藉由各第3填料有效地反射可見光，而提高本發明之電路基板10之反射率。
此處，聚矽氧樹脂層4中之填料之含量只要利用以下之方法算出即可。首先，將聚矽氧樹脂層4切斷，利用剖面拋光儀(CP，Cross Section Polisher)進行研磨而獲得研磨面。其後，以該研磨面作為觀察面，使用附設掃描式電子顯微鏡(SEM，Scanning Electron Microscope)之能量分散型X射線分析裝置(EDS，Energy Dispersive Spectrometer)，測定構成聚矽氧樹脂層4之成分之含量。或者削取聚矽氧樹脂層4，使用ICP(Inductively Coupled Plasma，感應耦合電漿)發光分光分析裝置(ICP)或螢光X射線分析裝置(XRF，X-ray Fluorescent Analyzer)，測定構成聚矽氧樹脂層4之成分之含量。然後，算出構成上述填料之二氧化矽、鈦酸鉀、氧化鋁、二氧化矽、氧化鋇、硫酸鋇、氧化鋅、二氧化鈦、鈦酸鋇及氧化鋯之合計含量，則其為填料之含量。
又，聚矽氧樹脂層4中之縱橫比大於5之第1填料之個數之比率只要利用以下之方法算出即可。首先，將聚矽氧樹脂層4切斷，利用CP進行研磨後，以該研磨面作為觀察面，使用SEM，以1500倍進行觀察，拍攝面積成為10000 μm2
左右(例如100 μm×100 μm)之照片。繼而，使用該照片，應用圖像解析軟體「A像君」(註冊商標，Asahi Kasei Engineering(股)製造，再者，以下記為圖像解析軟體「A像君」之情形表示Asahi Kasei Engineering (股)製造之圖像解析軟體)之粒子解析之方法而進行圖像解析。再者，作為「A像君」之解析條件，例如將晶粒之亮度設置「亮」，將二值化之方法設為「自動」，將遮光設為「有」即可。並且，藉由該粒子解析，算出各填料之長徑及短徑。其後，藉由用長徑除以短徑而算出各填料之縱橫比，計算縱橫比為5以上之填料之個數，並用其除以總填料之個數，藉此算出縱橫比大於5之第1填料之個數之比率即可。又，構成第1填料之成分只要藉由使用附設SEM之EDS進行確認即可。
又，利用EDS而確認構成各填料之成分，計算包含二氧化鈦之第2填料之個數，並除以總填料之個數，藉此算出第2填料之個數之比率。又，第2填料之圓當量徑之平均值可與上述方法相同地藉由應用「A像君」之粒子解析之方法進行圖像解析而算出。
又，利用EDS確認構成各填料之成分，計算包含鈦酸鋇之第3填料之個數，並除以總填料之個數，藉此算出第3填料之個數之比率。又，第3填料之圓當量徑之平均值可以與上述方法相同地藉由應用「A像君」之粒子解析之方法進行圖像解析而算出。
又，於本發明之電路基板10中，聚矽氧樹脂層4之表面之高度亦可較反射層3之表面之高度低5 μm以上。若滿足此種構成，則可使發光元件之光優先地照射至反射率高於聚矽氧樹脂層4之反射層4。因此，本發明之電路基板10之反射率提高。
又，於本發明之電路基板10中，由聚矽氧樹脂層4之表面之粗糙度曲線所求出之算術平均粗糙度Ra1亦可大於由反射層3之表面之粗糙度曲線所求出之算術平均粗糙度Ra2。若滿足此種構成，則可使發光元件之光容易地由反射率高於聚矽氧樹脂層4之反射層4反射。因此，本發明之電路基板10之反射率提高。
此處，所謂算術平均粗糙度Ra係指JIS B 0601(2013)中規定之值。並且，算術平均粗糙度Ra可藉由依據JIS B 0601(2013)進行測定而求出。再者，作為測定條件，例如將測定長度設為2.5 mm，將臨界值設為0.08 mm，使用觸針半徑2 μm之觸針，將掃描速度設為0.6 mm/秒即可。並且，於反射層3及聚矽氧樹脂層4之表面，分別測定至少3處部位以上，求出其平均值即可。
又，本發明之電路基板10中之聚矽氧樹脂層4含有圓當量徑為5 μm以下之金屬粒子，關於金屬粒子之個數，聚矽氧樹脂層4之表面亦可多於內部。若滿足此種構成，則可一面維持聚矽氧樹脂層4之硬度，一面由金屬粒子反射發光元件之光。因此，本發明之電路基板10之反射率提高。再者，若金屬粒子不存在於聚矽氧樹脂層4之內部，則可將聚矽氧樹脂層4之硬度維持為更高。
此處，所謂金屬粒子係指包含選自銅(Cu)、鈦(Ti)及銀(Ag)中之至少1種者。又，所謂聚矽氧樹脂層4之內部係指距離聚矽氧樹脂層4之表面10 μm之部位至基板1側之區域。
又，本發明之電路基板10中之聚矽氧樹脂層4之表面1 mm2
之面積之範圍內之金屬粒子之個數亦可為2個以上且5個以下。若滿足此種構成，則可由金屬粒子良好地反射發光元件之光，並且於聚矽氧樹脂層4之表面，因金屬粒子導致之凹凸減少。因此，本發明之電路基板10之反射率提高。
又，本發明之電路基板10中之基板1只要為絕緣體即可，例如可列舉：氧化鋁質陶瓷、氧化鋯質陶瓷、氧化鋁及氧化鋯之複合陶瓷、氮化矽質陶瓷、氮化鋁質陶瓷、碳化矽質陶瓷或莫來石質陶瓷等。再者，若基板1包含氧化鋁質陶瓷，則加工較為容易，並且機械強度優異。又，若基板1包含氮化鋁質陶瓷，則散熱性優異。
此處，例如，氧化鋁質陶瓷係指構成陶瓷之總成分100質量%中，含有70質量%以上之氧化鋁者。並且，本發明之電路基板10中之基板1之材質可藉由以下之方法而確認。首先，使用X射線繞射裝置(XRD)，測定基板1，根據所獲得之2θ(2θ為繞射角度)之值，使用JCPDS卡進行鑑定。繼而，使用螢光X射線分析裝置(XRF)，進行含有成分之定量分析。並且，例如藉由基於XRD之鑑定確認氧化鋁之存在，自利用XRF所測得之Al含量換算為氧化鋁(Al2
O3
)之含量若為70質量%以上，則為氧化鋁質陶瓷。
又，本發明之電路基板10中之導體層2只要具有導電性，則亦可由任何材料構成。導體層2只要以銅或銀作為主成分，則成為電阻率較低、熱導率較高者，故而能夠搭載發熱量較大之發光元件。再者，所謂導體層2中之主成分係指構成導體層2之總成分100質量%中超過50質量%之成分。
又，本發明之電路基板10中之反射層3亦可含有金及銀中之至少任一者，構成反射層3之總成分100質量%中，亦可含有90質量%以上之金及銀。尤其是反射層3於構成反射層3之總成分100質量%中，亦可含有95質量%以上之金。如此，若反射層3含有95質量%以上之金，則於使電流於反射層3中流動時，不易產生反射層3之遷移現象，故而本發明之電路基板10之長期可靠性優異。
此處，作為構成導體層2及反射層3之成分之確認方法，例如藉由將以成為圖1所示之剖面之方式將電路基板10切斷並利用CP進行研磨而成之剖面作為觀察面，使用SEM進行觀察，使用附設SEM之EDS進行確認即可。或者亦可藉由分別削取導體層2及反射層3，使用ICP或XRF進行確認。
又，本發明之電路基板10中之基板1亦可具有貫通孔。並且，若於基體1之貫通孔內具有包含導電性物質之電極，則可與外部電源等連接而供電。又，若於基體1之貫通孔內具有包含高導熱性物質之熱通孔，則可提高基板1之散熱性。
又，如圖1所示，本發明之發光裝置20具備：上述構成之電路基板10、及位於電路基板10上之發光元件5。再者，圖1中示出如下例，即發光元件5位於反射層3a上，發光元件5藉由接合線6而電性連接於反射層3b。再者，雖未圖示，但為了保護發光元件5，亦可利用密封材料等覆蓋發光裝置20中之包含發光元件5且搭載有發光元件5之側之面。又，密封材料亦可含有用以實現波長轉換之螢光物質等。
以下，對本發明之電路基板之製造方法之一例進行說明。
首先，作為基板，藉由公知之成形方法及焙燒方法，準備例如氮化鋁質陶瓷或氧化鋁質陶瓷。再者，於製作氧化鋁質陶瓷時，為了提高基板之反射率，亦可含有氧化鋇(BaO)及氧化鋯(ZrO2
)之至少任一者。
又，於在基板上形成貫通孔之情形時，於成形體之形成時在外形狀形成之同時一併形成貫通孔，或對僅加工出外形狀之成形體藉由打孔、噴射或雷射而形成貫通孔，或對燒結體藉由噴射或雷射而形成貫通孔即可。再者，基板之厚度例如為0.15 mm以上且1.5 mm以下。
繼而，於基板上藉由濺鍍形成鈦及銅之薄層。此處，於薄膜中，例如鈦之薄層之平均膜厚為0.03 μm以上且0.2 μm以下，銅之薄層之平均膜厚為0.5 μm以上且2 μm以下。
繼而，於薄膜上利用光微影法形成抗蝕圖案，使用電解鍍銅形成新的銅之厚層，藉此獲得導體層。此處，藉由電解鍍銅所形成之銅層之平均膜厚例如為40 μm以上且100 μm以下。又，亦可對導體層之表面進行拋光研磨或化學研磨。
繼而，進行電解鍍鎳銀、或無電解鍍銀，藉此於導體層上獲得銀之反射層。或者於進行無電解鍍鎳後，進行無電解鍍金，藉此於導體層上獲得金之反射層。或者依序進行無電解鍍鎳、無電解鍍鈀、無電解鍍金，藉此於導體層上獲得金之反射層。再者，鎳層之平均膜厚例如為1 μm以上且10 μm以下。又，鈀層之平均膜厚例如為0.05 μm以上且0.5 μm以下。又，反射層之平均膜厚例如為0.1 μm以上且10 μm以下。再者，若反射層之平均膜厚為0.2 μm以上，則成為具有尤其高之反射率者。
繼而，將抗蝕圖案去除，將伸出之鈦及銅之薄層藉由蝕刻而去除。
繼而，準備成為聚矽氧樹脂層之焊膏(以下，記載為樹脂層用焊膏)。樹脂層用焊膏係於有機溶劑中分散有聚矽氧樹脂原料與填料粉末者。再者，聚矽氧樹脂原料與填料粉末之調配比率係相對於聚矽氧樹脂原料及填料粉末之合計100質量份，將填料粉末設為45質量%以上。再者，亦可相對於聚矽氧樹脂原料及填料粉末之合計100質量份，將填料粉末設為80質量%以下。
此處，作為聚矽氧樹脂原料，可使用有機聚矽氧烷、有機氫化聚矽氧烷、含鉑之聚矽氧烷等。
又，作為填料粉末，可使用二氧化矽、鈦酸鉀、氧化鋁、二氧化矽、氧化鋇、硫酸鋇、氧化鋅、二氧化鈦、鈦酸鋇或氧化鋯。
此處，填料粉末係以填料之總個數100%中，縱橫比大於5之第1填料占5%以上之方式進行調整。再者，亦可以縱橫比大於5之第1填料成為40%以下之方式調整。又，亦可由二氧化矽或鈦酸鉀構成縱橫比大於5之第1填料。
又，亦可以填料之總個數100%中包含二氧化鈦之第2填料占40%以上且55%以下之方式調整填料粉末。並且，作為第2填料，亦可使用圓當量徑之平均值為0.5 μm以上且3 μm以下者。
又，亦可以填料之總個數100%中包含鈦酸鋇之第3填料占5%以上且10%以下之方式調整填料粉末。並且，作為第3填料，亦可使用圓當量徑之平均值為0.3 μm以上且2 μm以下者。
又，作為有機溶劑，亦可將選自卡必醇、卡必醇乙酸酯、松脂醇、間甲酚、二甲基咪唑、二甲基咪唑啶酮、二甲基甲醯胺、二丙酮醇、三乙二醇、對二甲苯、乳酸乙酯、異佛爾酮中之一種或兩種以上混合而使用。
再者，關於有機溶劑，若以質量比率計，將聚矽氧樹脂原料設為1，則以成為20～100之方式進行調整即可。
又，為了於聚矽氧樹脂層中含有金屬粒子，只要將包含選自銅、鈦及銀中之至少1種之圓當量徑為5 μm以下之金屬粒子添加至樹脂層用焊膏中即可。
並且，以與導體層及反射層相接之方式將樹脂層用焊膏印刷至基板上。此處，再者，樹脂層用焊膏之厚度係設為與將導體層和反射層相加所得之厚度相同程度。又，於與聚矽氧樹脂層之內部相比於表面增多金屬粒子之個數之情形時，準備兩種所添加之金屬粒子之個數不同之樹脂層用焊膏，首先印刷金屬粒子之個數較少之樹脂層焊膏後，於其上印刷金屬粒子之個數較多之樹脂層焊膏即可。
繼而，於140℃以上且200℃以下之最高溫度下保持0.5小時以上且3小時以下，進行熱處理。
繼而，對反射層及聚矽氧樹脂層之表面，進行作為研磨處理之拋光研磨。此處，作為拋光研磨之條件，使用包含碳化矽、白氧化鋁或金剛石且粒度號數為#400以上且#3000以下之研磨粒，將進給速度設為500 mm/秒以上且2000 mm/秒以下即可。並且，藉由於上述條件內改變該拋光研磨，可將反射層及聚矽氧樹脂層之表面設為任意之表面性狀。又，藉由相較於反射層之表面而對聚矽氧樹脂層之表面重點地進行拋光研磨，可將聚矽氧樹脂層之表面之高度設為較反射層之表面之高度低5 μm以上。藉此，獲得本發明之電路基板。再者，亦可視需要藉由進行切割而分割為單片。
繼而，本發明之發光裝置例如可藉由於本發明之電路基板之反射層上搭載發光元件而獲得。
以下，對本發明之實施例具體地說明，但本發明並不限定於該等實施例。 [實施例1] 製作使聚矽氧樹脂層中之填料之含量及縱橫比大於5之第1填料之個數比率不同之試樣，進行反射率之測定。
首先，準備包含氮化鋁質陶瓷且厚度×縱×橫為0.38 mm×200 mm×200 mm之基板。
繼而，藉由濺鍍於基板上形成鈦及銅之薄層。再者，將鈦之薄層之平均膜厚設為0.1 μm，將銅之薄層之平均膜厚設為1.0 μm。
繼而，藉由光微影法於薄膜上形成抗蝕圖案，使用電解鍍銅而形成平均膜厚為60 μm之銅之厚層，獲得導體層。
繼而，進行電解鍍鎳銀，於導體層上獲得包含銀之反射層。再者，將導體層與反射層之間之鎳層之平均膜厚設為5 μm，將反射層之平均膜厚設為3 μm。
繼而，將抗蝕圖案去除，將所伸出之鈦及銅之薄膜藉由蝕刻而去除，獲得包含導體層及反射層之積層體之電路圖案。
繼而，作為樹脂層用焊膏，準備有機溶劑中分散有聚矽氧樹脂原料與填料粉末者。此處，聚矽氧樹脂原料與填料粉末之調配比率係以於聚矽氧樹脂層中，填料之含量成為表1所示之值之方式進行調整。
此處，作為聚矽氧樹脂原料，使用有機聚矽氧烷。又，填料粉末係以填料之總個數100%中，縱橫比大於5且包含二氧化矽之第1填料成為表1所示之值，縱橫比為5以下且包含二氧化鈦之第2填料成為38%，且剩餘部分成為包含縱橫比為5以下之二氧化矽之填料之方式進行調整。再者，第2填料係使用圓當量徑之平均值為3.7 μm者。
又，使用卡必醇作為有機溶劑，以相對於聚矽氧樹脂原料1以質量比率計成為60之方式進行調整。
繼而，以與導體層及反射層相接且覆蓋整個基板之方式將樹脂層用焊膏印刷於基板上。其後，於150℃之最高溫度下保持1小時，進行熱處理。
然後，對反射層及聚矽氧樹脂層之表面進行拋光研磨，並進行切割，藉此獲得縱×橫為9 mm×9 mm之單片狀之各試樣。
繼而，針對各試樣，使用分光測色計(Minolta製造之CM-3700A)，於基準光源D65、波長範圍360～740 nm、視野10°、照明直徑3×5 mm之條件下進行測定，根據測定結果測定500 nm之反射率。 將結果示於表1。 [表1] 
如表1所示，與試樣No.1、2相比，試樣No.3～8之反射率較高，為91.3%以上。根據該結果，可知若為於聚矽氧樹脂層中含有45質量%以上之複數個填料，且填料之總個數100%中縱橫比大於5之第1填料占5%以上之電路基板，則具有較高之反射率。
又，於試樣No.3～8中，試樣No.3～7之反射率亦較高，為92.4%以上。根據該結果，可知若為於聚矽氧樹脂層中填料之含量為80質量%以下之電路基板，則具有更高之反射率。
又，於試樣No.3～7中，試樣No.3～6之反射率亦較高，為93.0%以上。根據該結果，可知若為第1填料為填料之總個數之40%以下之電路基板，則具有更高之反射率。
[實施例2] 繼而，製作使聚矽氧樹脂層中之第2填料之個數比率不同之試樣，進行反射率之測定。
再者，作為各試樣之製作方法，以填料之總個數100%中包含二氧化鈦之第2填料成為表2之值之方式調整填料粉末，除此以外設為與實施例1之試樣No.4之製作方法相同。再者，試樣No.9係與實施例1之試樣No.4相同。
並且，利用與實施例1相同之方法評價所獲得之各試樣之反射率。 將結果示於表2。 [表2] 
如表2所示，與試樣No.9、13相比，試樣No.10～12之反射率較高，為95.0%以上。根據該結果，可知若為填料之總個數100%中包含二氧化鈦之第2填料占40%以上且55%以下之電路基板，則具有更高之反射率。
[實施例3] 繼而，製作使聚矽氧樹脂層中之第2填料之圓當量徑之平均值不同之試樣，進行反射率之測定。
再者，作為各試樣之製作方法，使用成為表3之圓當量徑之平均值之第2填料，除此以外設為與實施例2之試樣No.11之製作方法相同。再者，試樣No.18係與實施例2之試樣No.11相同。
並且，利用與實施例1相同之方法評價所獲得之各試樣之反射率。 將結果示於表3。 [表3] 
如表3所示，與試樣No.18相比，試樣No.14～17之反射率較高，為96.1%以上。又，試樣No.14與試樣No.15為相同之反射率。根據該結果，可知若為第2填料之圓當量徑之平均值為0.5 μm以上且3 μm以下之電路基板，則具有更高之反射率。
[實施例4] 繼而，製作使聚矽氧樹脂層中之第3填料之個數比率不同之試樣，進行反射率之測定。
再者，作為各試樣之製作方法，以填料之總個數100%中，第1填料成為8%，第2填料成為47%，且縱橫比成為5以下且包含鈦酸鋇之第3填料成為表4所示之值，剩餘部分成為包含二氧化矽之填料之方式進行調整，除此以外設為與實施例3之試樣No.17之製作方法相同。再者，第3填料係使用圓當量徑之平均值為2.6 μm者。又，試樣No.19係與實施例3之試樣No.17相同。
並且，利用與實施例1相同之方法評價所獲得之各試樣之反射率。 將結果示於表4。 [表4] 
如表4所示，與試樣No.19、20相比，試樣No.21～24之反射率較高，為96.8%以上。又，試樣No.23與試樣No.24為相同之反射率。根據該結果，可知若為填料中總個數100%中包含鈦酸鋇之第3填料占5%以上且10%以下之電路基板，則具有更高之反射率。
[實施例5] 繼而，製作使聚矽氧樹脂層中之第3填料之圓當量徑之平均值不同之試樣，進行反射率之測定。
再者，作為各試樣之製作方法，使用成為表5之圓當量徑之平均值之第3填料，除此以外設為與實施例4之試樣No.21之製作方法相同。再者，試樣No.25係與實施例4之試樣No.21相同。
並且，利用與實施例1相同之方法評價所獲得之各試樣之反射率。 將結果示於表5。 [表5] 
如表5所示，與試樣No.25、29相比，試樣No.26～28之反射率較高，為97.3%以上。根據該結果，可知若為第3填料之圓當量徑之平均值成為0.3 μm以上且2 μm以下之電路基板，則具有更高之反射率。
[實施例6] 繼而，製作使聚矽氧樹脂層及反射層之表面之高度關係不同之試樣，進行反射率之測定。
再者，作為各試樣之製作方法，以自反射層之表面之高度減去聚矽氧樹脂層之表面之高度所得之值成為表6之值之方式進行拋光研磨，除此以外設為與實施例2之試樣No.11之製作方法相同。再者，試樣No.30係與實施例2之試樣No.11相同。
並且，利用與實施例1相同之方法評價所獲得之各試樣之反射率。 將結果示於表6。 [表6] 
如表6所示，與試樣No.30、31相比，試樣No.32、33之反射率較高，為96.1%以上。根據該結果，可知若為聚矽氧樹脂層之表面之高度較反射層之表面之高度低5 μm以上之電路基板，則具有更高之反射率。
[實施例7] 繼而，製作使聚矽氧樹脂層及反射層之表面之算術平均粗糙度Ra不同之試樣，進行反射率之測定。
再者，作為各試樣之製作方法，以聚矽氧樹脂層之表面之算術平均粗糙度Ra1及反射層之表面之算術平均粗糙度Ra2成為表7之值之方式進行拋光研磨，除此以外，設為與實施例6之試樣No.33之製作方法相同。再者，試樣No.34係與實施例6之試樣No.33相同。
並且，利用與實施例1相同之方法評價所獲得之各試樣之反射率。 將結果示於表7。 [表7] 
如表7所示，與試樣No.34相比，試樣No.35之反射率較高，為96.5%。根據該結果，可知若為聚矽氧樹脂層之表面之算術平均粗糙度Ra1大於反射層之表面之算術平均粗糙度Ra2之電路基板，則具有更高之反射率。
[實施例8] 繼而，製作使聚矽氧樹脂層中之圓當量徑為5 μm以下之金屬粒子之個數不同之試樣，進行反射率之測定。
再者，作為各試樣之製作方法，準備包含銅之使圓當量徑為5 μm以下之金屬粒子之添加量不同之兩種樹脂層用焊膏，以1 mm2
之面積之範圍內之金屬粒子之個數成為表8之值之方式進行樹脂層用焊膏之印刷，除此以外設為與實施例7之試樣No.35之製作方法相同。再者，試樣No.36係與實施例7之試樣No.35相同。
並且，利用與實施例1相同之方法評價所獲得之各試樣之反射率。 將結果示於表8。 [表8] 
如表8所示，與試樣No.36、37相比，試樣No.38～41之反射率較高，為97.0%以上。根據該結果，可知若為與聚矽氧樹脂層之內部相比表面之金屬粒子之個數更多之電路基板，則具有更高之反射率。
又，於試樣No.38～41中，試樣No.39、40之反射率較高，為97.3%以上。根據該結果，可知若為表面之1 mm2
之面積之範圍內之金屬粒子之個數為2個以上且5個以下之電路基板，則具有更高之反射率。
1‧‧‧基板2、2a、2b‧‧‧導體層3、3a、3b‧‧‧反射層4‧‧‧聚矽氧樹脂層5‧‧‧發光元件6‧‧‧接合線10‧‧‧電路基板20‧‧‧發光裝置
圖1係模式性地表示本發明之發光裝置中之發光元件周邊之一例的剖視圖。
1‧‧‧基板
2、2a、2b‧‧‧導體層
3、3a、3b‧‧‧反射層
4‧‧‧聚矽氧樹脂層
5‧‧‧發光元件
6‧‧‧接合線
10‧‧‧電路基板
20‧‧‧發光裝置
Claims (12)
- 一種電路基板，其具備：基板；導體層，其位於該基板上；反射層，其位於該導體層上；及聚矽氧樹脂層，其位於上述基板上並且與上述導體層及上述反射層相接而設置；並且上述聚矽氧樹脂層含有45質量%以上且80質量%以下之複數個填料，上述填料之總個數100%中，縱橫比大於5之第1填料占5%以上。
- 如請求項1之電路基板，其中上述第1填料包含二氧化矽或鈦酸鉀。
- 如請求項1或2之電路基板，其中上述第1填料為上述填料之總個數之40%以下。
- 如請求項1或2之電路基板，其中上述填料之總個數100%中，包含二氧化鈦之第2填料占40%以上且55%以下。
- 如請求項4之電路基板，其中上述第2填料之圓當量徑之平均值為0.5μm以上且3μm以下。
- 如請求項1或2任一項之電路基板，其中上述填料之總個數100%中，包含鈦酸鋇之第3填料占5%以上且10%以下。
- 如請求項6之電路基板，其中上述第3填料之圓當量徑之平均值為0.3μm以上且2μm以下。
- 如請求項1或2之電路基板，其中上述聚矽氧樹脂層之表面之高度較上述反射層之表面之高度低5μm以上。
- 如請求項1或2之電路基板，其中由上述聚矽氧樹脂層之表面之粗糙度曲線所求出之算術平均粗糙度Ra1大於由上述反射層之表面之粗糙度曲線所求出之算術平均粗糙度Ra2。
- 如請求項1或2之電路基板，其中上述聚矽氧樹脂層含有圓當量徑為5μm以下之金屬粒子，且該金屬粒子之個數係上述聚矽氧樹脂層之表面多於內部。
- 如請求項10之電路基板，其中上述表面之1mm2之面積之範圍內之上述金屬粒子之個數為2個以上且5個以下。
- 一種發光裝置，其具備：如請求項1至11中任一項之電路基板、及位於該電路基板上之發光元件。
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