JP6735422B2 - 発光素子実装用基板およびこれを備える発光素子実装用回路基板ならびに発光素子モジュール - Google Patents

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Description

本開示は、発光素子実装用基板およびこれを備える発光素子実装用回路基板ならびに発光素子モジュールに関する。
一般照明または電光表示板の光源、さらには、携帯電話機、パソコンおよびテレビ等の液晶のバックライトには、発光素子（ＬＥＤ）モジュールが広く利用されている。この発光素子モジュールは、輝度が高く、寿命が長く、消費電力が少ない等のメリットを有している。
この発光素子モジュールは、発光素子実装用基板から個片とされた基体上に金属層を介して発光素子が搭載されてなる。そして、この基体、すなわち発光素子実装用基板の材質の一つとして、絶縁性および機械的特性に優れ、経年劣化が少ない、アルミナ質セラミックスが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
国際公開第２０１２／０４３６５９号
本開示の発光素子実装用基板は、酸化アルミニウムの結晶粒子を含有し、全成分１００質量％のうち、ＡｌをＡｌ2Ｏ3に換算した値で９７質量％以上含有するアルミナ質セラミックスからなる。そして、この結晶粒子は、円相当径の平均値が１．１μｍ以上１．８μｍ以下であり、円相当径の標準偏差が０．６μｍ以上１．４μｍ以下である。
また、本開示の発光素子実装用回路基板は、上記構成の発光素子実装用基板から個片とされた基体と、該基体上に位置する金属層とを備える。
また、本開示の発光素子モジュールは、上記構成の発光素子実装用回路基板と、前記金属層上に位置する発光素子とを備える。
本開示の発光素子モジュールの構成の一例を示す断面図である。
発光素子の搭載に用いられる基体は、量産性の観点から、所望サイズの個片となるように、一枚のアルミナ質セラミックスからなる発光素子実装用基板を、工業用ダイヤモンドを埋め込んだ回転円盤等を用いて切断して分割することで製造される。いわゆる、多数個取りである。そこで、発光素子実装用基板には、高い反射率だけではなく、分割しやすいことが求められている。
以下、本開示の発光素子実装用基板および発光素子実装用基板から個片とされた基体上に金属層を備える発光素子実装用回路基板ならびに発光素子モジュールの一例について、図１を用いて説明する。なお、図１は、本開示の発光素子モジュールの構成の一例を示す断面図である。
本開示の発光素子モジュール１０は、基体１の表面１ａ上に位置する金属層２ａ（２）を介して発光素子４が搭載されてなる。言い換えるならば、本開示の発光素子モジュール１０は、本開示の発光素子実装用回路基板３における金属層２上に発光素子４を備えるものとも言える。そして、基体１と金属層２とを備える構成であるのが、本開示の発光素子実装用回路基板３である。
ここで、図１においては、発光素子４と金属層２ｂとが、ボンディングワイヤ５により電気的に接続されている例を示している。また、図１においては、発光素子４、金属層２およびボンディングワイヤ５が、樹脂等からなる封止部材６によって覆われている例を示している。
そして、本開示の発光素子モジュール１０および発光素子実装用回路基板３を構成する基体１は、発光素子実装用基板を分割することで得られる。
ここで、本開示の発光素子実装用基板は、酸化アルミニウムの結晶粒子（以下、単に結晶粒子とも記載する）を含有し、全成分１００質量％のうち、ＡｌをＡｌ2Ｏ3に換算した値で９７質量％以上含有するアルミナ質セラミックスからなる。このように、本開示の発光素子実装用基板は、アルミナ質セラミックスからなることから、高い熱伝導率と優れた絶縁性とを有する。
ここで、本開示の発光素子実装用基板における、ＡｌをＡｌ2Ｏ3に換算した値の含有量は、ＩＣＰ発光分光分析装置（ＩＣＰ）または蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）を用いてＡｌの含有量を測定した後、これをＡｌ2Ｏ3に換算することで算出すればよい。なお、Ａｌ以外の含有成分の含有量について、ＸＲＦを用いて定性分析を行なった後、検出された元素についてＩＣＰまたはＸＲＦでその含有量を求めて、１００質量％から差し引いた値をＡｌ2Ｏ3の含有量としてもよい。
さらに、本開示の発光素子実装用基板における結晶粒子は、円相当径の平均値が１．１μｍ以上１．８μｍ以下であり、円相当径の標準偏差が０．６μｍ以上１．４μｍ以下である。
本開示の発光素子実装用基板は、上記構成を満たしていることにより、高い反射率および高い分割性を兼ね備える。ここで、高い反射率とは、５００ｎｍにおける反射率が９１．０％以上であることを言う。なお、５００ｎｍにおける反射率の測定方法としては、分光測色計（ミノルタ製 ＣＭ−３７００Ａ）を用いて、基準光源Ｄ６５、波長範囲３６０〜７４０ｎｍ（可視光領域）、視野１０°、照明径３×５ｍｍの条件で測定を行ない、測定結果から５００ｎｍの反射率を読めばよい。
結晶粒子の円相当径の平均値が１．１μｍ未満では、発光素子実装用基板の機械的強度が高くなり過ぎて、分割性が低下する。また、結晶粒子の円相当径の平均値が１．８μｍを超えるならば、円相当径の大きい結晶粒子が多くなり、円相当径の大きい結晶粒子は可視光領域の波長を減衰させやすいことから、反射率が低下する。また、結晶粒子の円相当径の標準偏差が０．６μｍ未満では、分割する際に亀裂が入りやすい円相当径の大きい結晶粒子の数が少な過ぎて、分割性が低下する。また、結晶粒子の円相当径の標準偏差が１．４μｍを超えるならば、可視光領域の波長を減衰させやすい円相当径の大きい結晶粒子の数が多過ぎて、反射率が低下する。
ここで、本開示の発光素子実装用基板の結晶粒子における、円相当径の平均値および円相当径の標準偏差は、以下の方法で測定すればよい。
まず、本開示の発光素子実装用基板の表面を、１０μｍ程度の深さまで鏡面研磨し、焼成温度よりも５０〜１００℃低い温度でサーマルエッチングを行なう。ここで、サーマルエッチングを行なった面の測定結果を、本開示の発光素子実装用基板の表面の測定結果とみなす。次に、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて５００〜３０００倍の倍率で観察し、面積が１３４４μｍ2（例えば、横方向の長さが４２μｍ、縦方向の長さが３２μｍ）となる範囲を撮影する。そして、撮影した写真に対して、結晶粒子の輪郭をトレースした後、画像解析ソフト「Ａ像くん」（登録商標、旭化成エンジニアリング（株）製、なお、以降に画像解析ソフト「Ａ像くん」と記した場合、旭化成エンジニアリング（株）製の画像解析ソフトを示すものとする。）の粒子解析という手法を適用して画像解析を行なうことにより、円相当径の平均値および円相当径の標準偏差を求めることができる。ここで、画像解析ソフト「Ａ像くん」の解析条件としては、結晶粒子の明度を「明」、２値化の方法を「手動」、小図形除去面積を０．００２μｍ、画像の明暗を示す指標であるしきい値を５０以上２００以下とすればよい。
また、結晶粒子の円相当径の平均値をＡ、結晶粒子の円相当径の標準偏差をＢとしたとき、比Ｂ／Ａが０．６以上０．８以下であってもよい。このような構成を満足するならば、本開示の発光素子実装用基板は、さらに優れた反射率および分割性を兼ね備える。
また、本開示の発光素子実装用基板における結晶粒子は、全個数１００％のうち、円相当径が０．８μｍ以下である結晶粒子が２５％以上４０％以下であってもよい。ここで、円相当径が０．８μｍ以下である結晶粒子は、可視光の乱反射を低減し、反射率を高める。そして、円相当径が０．８μｍ以下である結晶粒子の個数比率が上記数値範囲を満足するならば、本開示の発光素子実装用基板は、分割性を維持しつつ、反射率がより向上する。
ここで、円相当径が０．８μｍ以下である結晶粒子の個数比率は、上述した結晶粒子の円相当径の平均値および結晶粒子の円相当径の標準偏差を測定した同じ方法で、画像解析ソフト「Ａ像くん」の粒子解析という手法を適用して画像解析することで、算出すればよい。
また、本開示の発光素子実装用基板の表面の１３４４μｍ2の面積の範囲において、円相当径が２μｍ以上であり、かつアスペクト比が２以上である結晶粒子の個数が、１０個以上２５個以下であってもよい。ここで、円相当径が２μｍ以上であり、かつアスペクト比が２以上である結晶粒子は、分割性を高める。そして、円相当径が２μｍ以上であり、かつアスペクト比が２以上である結晶粒子の個数が上記数値範囲を満足するならば、本開示の発光素子実装用基板は、反射率を維持しつつ、分割性がより向上する。
ここで、円相当径が２μｍ以上であり、かつアスペクト比が２以上である結晶粒子の個数は、上述した結晶粒子の円相当径の平均値および結晶粒子の円相当径の標準偏差を測定した同じ方法で、画像解析ソフト「Ａ像くん」の粒子解析という手法を適用して画像解析し、得られた「最大／最小」をアスペクト比とすることで、算出すればよい。
また、本開示の発光素子実装用基板における結晶粒子は、円相当径の分布曲線における歪度が０より大きくてもよい。ここで、結晶粒子の円相当径の分布曲線とは、２次元のグラフにおける横軸を結晶粒子の円相当径、縦軸を結晶粒子の個数とした、結晶粒子の円相当径の分布を示す曲線をいい、結晶粒子の円相当径の分布範囲を示すものである。
また、歪度とは、分布の非対称性を示す指標であり、Excel（登録商標、Microsoft Corporation）に備えられている関数ＳＫＥＷを用いて求めることができる。
なお、歪度が０より大きければ、結晶粒子の円相当径の分布曲線において、結晶粒子の円相当径の平均値Ａよりも小さい円相当径を有する結晶粒子の個数が、結晶粒子の円相当径の平均値Ａよりも大きい円相当径を有する結晶粒子の個数よりも多いことを意味する。
よって、このような構成を満足するならば、可視光の乱反射を低減に寄与する、円相当径の平均値Ａよりも小さい円相当径を有する結晶粒子の割合が多いことから、分割性を維持しつつ、反射率がより向上する。
なお、結晶粒子の円相当径の分布曲線における歪度は、上述した測定方法により得られた結晶粒子の円相当径のデータから算出すればよい。
また、本開示の発光素子実装用基板は、気孔を有し、気孔率が４面積％以上７面積％以下であるとともに、気孔の重心間距離の平均値が３μｍ以上９μｍ以下であってもよい。このような構成を満足するならば、気孔が反射率の向上に効果的に寄与し、かつ気孔同士を繋ぐように亀裂が発生しやすくなることから、反射率および分割性が向上する。
ここで、気孔率は、上述した結晶粒子の円相当径の平均値および結晶粒子の円相当径の標準偏差を測定した同じ方法において、結晶粒子ではなく気孔を対象にし、画像解析ソフト「Ａ像くん」の粒子解析という手法を適用して画像解析を行なうことにより求めればよい。ここで、画像解析ソフト「Ａ像くん」の解析条件としては、結晶粒子の明度を「明」、２値化の方法を「手動」、小図形除去面積を０．００２μｍ、画像の明暗を示す指標であるしきい値を５０以上２５０以下とすればよい。
また、気孔の重心間距離の平均値は、上述した気孔率を測定した同じ方法において、「Ａ像くん」の粒子解析ではなく、「Ａ像くん」の分散解析という手法を適用して画像解析を行なうことにより求めればよい。
また、本開示の発光素子実装用基板において、気孔の重心間距離の平均値をＣ、気孔の重心間距離の標準偏差をＤとしたとき、比Ｄ／Ｃが０．７未満であってもよい。このような構成を満足するならば、気孔同士を繋ぐように亀裂が発生しやすくなることから、分割性が向上する。
次に、本開示の発光素子実装用基板の製造方法の一例について説明する。
まず、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）粉末と、焼結助剤である炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）粉末、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）2）粉末および酸化珪素（ＳｉＯ2）粉末とを準備する。
ここで、アルミナ粉末としては、平均粒径が異なる２種類のアルミナ粉末（第１アルミナ粉末、第２アルミナ粉末）を準備する。ここで、第１アルミナ粉末の平均粒径は、第２アルミナ粉末の平均粒径の５倍以上８倍以下大きいものとする。そして、この第１アルミナ粉末および第２アルミナ粉末を適宜割合で配合し、レーザー回折・散乱法で測定した粉砕粒度が２．６μｍ以上３．０μｍ以下となるまで粉砕することで、１次原料粉末を得る。なお、レーザー回折・散乱法では、複数の微小な粒子が凝集した凝集粒の粒径も測定することから、レーザー回折・散乱法で測定された平均粒径よりも、実際のアルミナ粉末の粒径は小さいものとなる。
次に、発光素子実装用基板を構成する全成分１００質量％のうち、ＡｌをＡｌ2Ｏ3に換算した値が９７質量％以上となるように、１次原料粉末および焼結助剤である各粉末（炭酸カルシウム粉末、水酸化マグネシウム粉末および酸化珪素粉末）を秤量する。
そして、一次原料粉末と、焼結助剤である各粉末と、一次原料粉末および焼結助剤である各粉末の合計１００質量部に対し、３質量部以上１０質量部以下の水溶性アクリル樹脂等のバインダと、２０質量部以上６０質量部以下の溶媒とを攪拌機内に入れて混合・攪拌することで、スラリーを得る。
次に、このスラリーを用いてドクターブレード法でシートを形成する。または、スラリーを噴霧造粒装置（スプレードライヤー）で噴霧造粒することによって得られた顆粒を用いてロールコンパクション法でシートを形成する。
次に、金型プレスまたはレーザー加工によって、上記シートを加工することにより、所定の製品形状または製品近似形状の成形体を得る。
そして、大気（酸化）雰囲気の焼成炉に得られた成形体を入れて、最高温度１５１０℃以上１５６０℃以下の温度で０．２時間以上４時間以下保持して焼成することで、焼結体を得る。このように、上記最高温度で上記粉砕粒度の一次原料粉末を用いた成形体を焼成することで、結晶粒子の円相当径の平均値を１．１μｍ以上１．８μｍ以下とし、円相当径の標準偏差を０．６μｍ以上１．４μｍ以下とすることができる。
そして、この焼結体の表面を研磨することで、本開示の発光素子実装用基板を得る。なお、この研磨により、表面の算術平均粗さＲａを０．３μｍ以下にするのがよい。
なお、本開示の発光素子実装用基板における結晶粒子の全個数１００％のうち、円相当径が０．８μｍ以下である結晶粒子が２５％以上４０％以下となるようにするには、最高温度での保持時間が０．５時間以上２時間以下となるように焼成すればよい。
また、本開示の発光素子実装用基板の表面の１３４４μｍ2の面積の範囲において、円相当径が２μｍ以上であり、かつアスペクト比が２以上である結晶粒子の個数が、１０個以上２５個以下となるようにするには、焼成時における、最高温度までの昇温速度を調整すればよい。
また、本開示の発光素子実装用基板における結晶粒子が、円相当径の分布曲線における歪度が０より大きくするのは、１次原料粉末を作成する際における、第１アルミナ粉末と第２アルミナ粉末との配合比率をＥ：Ｆとしたとき、このＥとＦとの比Ｅ／Ｆが１以下となるようにすればよい。
また、本開示の発光素子実装用基板において、気孔率が４面積％以上７面積％以下であるとともに、気孔の重心間距離の平均値が３μｍ以上９μｍ以下となるようにするには、第１アルミナ粉末と第２アルミナ粉末との配合比率を１：１とした１次原料粉末を用い、最高温度１５２０℃以上１５３０℃以下で０．５時間以上２時間以下保持して焼成を行なえばよい。
また、本開示の発光素子実装用基板において、気孔の重心間距離の平均値Ｃと、気孔の重心間距離の標準偏差Ｄとの比Ｄ／Ｃを０．７未満となるようにするのは、第１アルミナ粉末と第２アルミナ粉末との配合比率を１：１とし、粉砕粒度が２．７μｍ以上２．９μｍ以下とになるように調整した１次原料粉末を用いればよい。
次に、本開示の発光素子実装用回路基板３の製造方法の一例について説明する。まず、本開示の発光素子実装用基板を準備する。そして、発光素子実装用基板の表面に、厚膜印刷法により、金、銀、銅またはこれらの混合物等を含むペーストを塗布し、熱処理して金属層２を設ける。ここで、発光素子実装用基板は、金属層２を形成した後、所望サイズの個片となるように、工業用ダイヤモンドを埋め込んだ回転円盤等を用いて切断して分割し、多数個取りすることで、基体１上に金属層２を備える、本開示の発光素子実装用回路基板３を得る。
なお、発光素子実装用基板に対し、ドリル加工またはレーザー加工によって貫通孔を設け、この貫通孔にペーストを充填し、これに接するように、発光素子実装用基板の表面および裏面にペーストを塗布した後に熱処理すれば、表面および裏面に金属層２を備えるとともに、これらを繋ぐ貫通導体を備える発光素子実装用回路基板３とすることができる。なお、金属層２および貫通導体は、ペーストで形成する方法以外にも、公知のめっき法、スパッタリング法、活性金属法等によって形成してもよい。
また、金属層２の表面には部分的もしくは全面にめっき処理を行なってもよい。このようにめっき処理を行なうことによって、金属層２が酸化腐蝕するのを抑制することができる。めっきの種類としては公知のめっきであればよく、例えば、金めっき、銀めっきまたはニッケル−金めっき等が挙げられる。
そして、本開示の発光素子実装用回路基板３における金属層２上に半導体からなる発光素子４を実装することによって本開示の発光素子モジュール１０を得ることができる。なお、図１に示す例の構成とするには、発光素子４を金属層２ａ上に実装し、発光素子４と金属層２ｂとをボンディングワイヤ５を介して電気的に接続した後に、樹脂等からなる封止部材６で被覆すればよい。
以下、本開示の実施例を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。
結晶粒子の円相当径の平均値および結晶粒子の円相当径の標準偏差を異ならせた試料を作製し、反射率および分割性を評価した。
まず、主原料となるアルミナ粉末と、焼結助剤である炭酸カルシウム粉末、水酸化マグネシウム粉末および酸化珪素粉末とを準備した。ここで、アルミナ粉末としては、平均粒径が異なる２種類のアルミナ粉末（第１アルミナ粉末、第２アルミナ粉末）を準備する。ここで、第１アルミナ粉末の平均粒径は、第２アルミナ粉末の平均粒径の６倍大きいものとする。そして、この第１アルミナ粉末および第２アルミナ粉末を適宜割合で配合し、レーザー回折・散乱法で測定した粉砕粒度が表１の値となるまで粉砕することで、１次原料粉末を得た。
次に、発光素子実装用基板を構成する全成分１００質量％のうち、ＡｌをＡｌ2Ｏ3に換算した値が９９質量％、残部の１質量％が、珪素、カルシウムおよびマグネシウムを、それぞれＳｉＯ2、ＣａＯおよびＭｇＯに換算した値の合計となるように、１次原料粉末および焼結助剤である各粉末（炭酸カルシウム粉末、水酸化マグネシウム粉末および酸化珪素粉末）を秤量した。
そして、一次原料粉末と、焼結助剤である各粉末と、一次原料粉末および焼結助剤である各粉末の合計１００質量部に対し、７質量部の水溶性アクリル樹脂のバインダと、５０質量部の水とを攪拌機内に入れて混合・攪拌することで、スラリーを得た。
次に、得られたスラリーを噴霧造粒装置で噴霧造粒することによって得られた顆粒を用いてロールコンパクション法でシートを形成した。なお、このシート厚みは、焼成後の厚みが１ｍｍとなるように調整した。
次に、金型プレスによって、上記シートを加工することにより、焼成後のサイズ（縦×横）が１１０ｍｍ×１１０ｍｍとなる成形体を得た。
次に、大気雰囲気の焼成炉に得られた成形体を入れて、表１に示す最高温度で４時間保持して焼成することで、焼結体を得た。なお、最高温度までの昇温速度が１１００℃／ｈとなるようにした。
次に、この焼結体の表面を研磨することで、表面の算術平均粗さＲａを０．３μｍにし、各試料を得た。
次に、各試料の表面から１０μｍの深さまで鏡面研磨し、焼成温度よりも約１００℃低い温度でサーマルエッチングを行なった。次に、ＳＥＭを用いて３０００倍の倍率で観察し、面積が１３４４μｍ2（横方向の長さが４２μｍ、縦方向の長さが３２μｍ）となる範囲を撮影した。そして、撮影した写真に対して、結晶粒子の輪郭をトレースした後、画像解析ソフト「Ａ像くん」の粒子解析という手法を適用して画像解析を行なうことにより、結晶粒子の円相当径の平均値および結晶粒子の円相当径の標準偏差を求めた。ここで、画像解析ソフト「Ａ像くん」の解析条件としては、結晶粒子の明度を「明」、２値化の方法を「手動」、小図形除去面積を０．００２μｍ、画像の明暗を示す指標であるしきい値を１００とした。
次に、各試料の表面に対して、分光測色計（ミノルタ製 ＣＭ−３７００Ａ）を用いて、基準光源Ｄ６５、波長範囲３６０〜７４０ｎｍ、視野１０°、照明径３×５ｍｍの条件で測定を行ない、各試料の５００ｎｍの反射率を求めた。
また、各試料において、分割性を評価した。まず、各試料の表面に粒径１μｍのダイヤモンド砥粒を敷設した回転円盤を用いて、回転数２０００ｒｐｍで各試料の切断を行なった。この時、回転円盤の回転軸の負荷電流を測定した。そして、この負荷電流が小さかった試料から順に各試料に順位を付けた。ここで、最も負荷電流が小さかった試料を１位とし、最も負荷電流が大きかった試料を最下位とした。ここで、負荷電流が小さい程、分割しやすいことを示している。結果を表１に示す。
Figure 0006735422
表１に示すように、試料Ｎｏ．１、２、１０、１１に比べて、試料Ｎｏ．３〜９は、反射率が９１．２％以上であるとともに、分割性の順位が９位以上であった。この結果から、結晶粒子の円相当径の平均値が１．１μｍ以上１．８μｍ以下であり、結晶粒子の円相当径の標準偏差が０．６μｍ以上１．４μｍ以下である発光素子実装用基板であれば、高い反射率および高い分割性を兼ね備えることがわかった。
また、試料Ｎｏ．３〜９の中でも、試料Ｎｏ．４〜８は、反射率が９１．７％以上であるとともに、分割性の順位が８位以上であった。この結果から、結晶粒子の円相当径の平均値Ａと結晶粒子の円相当径の標準偏差Ｂとの比Ｂ／Ａが０．６以上０．８以下である発光素子実装用基板であれば、反射率および分割性がさらに向上したものとなることがわかった。
次に、円相当径が０．８μｍ以下である結晶粒子の個数比率を異ならせた試料を作製し、反射率および分割性を評価した。
なお、各試料の作製方法としては、最高温度での保持時間が表２の値になるように焼成したこと以外は実施例１の試料Ｎо．６の作製方法と同様とした。なお、試料Ｎｏ．１２は、実施例１の試料Ｎｏ．６と同じである。
次に、各試料における、円相当径が０．８μｍ以下である結晶粒子の個数比率を、実施例１の円相当径の平均値や円相当径の標準偏差を求めた方法と同じ方法で、画像解析ソフト「Ａ像くん」の粒子解析という手法を適用して画像解析することで、算出した。
次に、各試料の反射率および分割性を、実施例１と同じ方法で評価した。
結果を表２に示す。なお、表２における分割性の順位付けは、表２に示す試料のみを比較して付けている。また、表２においては、円相当径が０．８μｍ以下である結晶粒子の個数比率を、単に個数比率として記載している。
Figure 0006735422
表２に示すように、試料Ｎｏ．１２、１６に比べて、試料Ｎｏ．１３〜１５は反射率が９２．７％以上であるとともに、分割性の順位が４位以上であった。この結果から、円相当径が０．８μｍ以下である結晶粒子が２５％以上４０％以下である発光素子実装用基板であれば、反射率および分割性がさらに向上したものとなることがわかった。
次に、円相当径が２μｍ以上であり、かつアスペクト比が２以上である結晶粒子の個数を異ならせた試料を作製し、反射率および分割性を評価した。
なお、各試料の作製方法としては、焼成時における、最高温度までの昇温速度が表３の値となるように混合した１次原料粉末を用いたこと以外は実施例２の試料Ｎо．１４の作製方法と同様とした。なお、試料Ｎｏ．１７は、実施例２の試料Ｎｏ．１４と同じである。
次に、各試料における、円相当径が２μｍ以上であり、かつアスペクト比が２以上である結晶粒子の個数を、実施例１の円相当径の平均値や円相当径の標準偏差を求めた方法と同じ方法で、画像解析ソフト「Ａ像くん」の粒子解析という手法を適用して画像解析し、得られた「最大／最小」をアスペクト比とすることで、算出した。
次に、各試料の反射率および分割性を、実施例１と同じ方法で評価した。
結果を表３に示す。なお、表３における分割性の順位付けは、表３に示す試料のみを比較して付けている。また、表３においては、円相当径が２μｍ以上であり、かつアスペクト比が２以上である結晶粒子の個数を、単に結晶粒子の個数として記載している。
Figure 0006735422
表３に示すように、試料Ｎｏ．１７、２１に比べて、試料Ｎｏ．１８〜２０は反射率が９２．１％以上であるとともに、分割性の順位が４位以上であった。この結果から、円相当径が２μｍ以上であり、かつアスペクト比が２以上である結晶粒子の個数が、１０個以上２５個以下である発光素子実装用基板であれば、反射率および分割性がさらに向上したものとなることがわかった。
１：基体
２：金属層
３：発光素子実装用回路基板
４：発光素子
５：ボンディングワイヤ
６：封止部材
１０：発光素子モジュール

Claims (9)

  1. 酸化アルミニウムの結晶粒子を含有し、全成分１００質量％のうち、ＡｌをＡｌ2Ｏ3に換算した値で９７質量％以上含有するアルミナ質セラミックスからなり、
    前記結晶粒子は、円相当径の平均値が１．１μｍ以上１．８μｍ以下であり、円相当径の標準偏差が０．６μｍ以上１．４μｍ以下である発光素子実装用基板。
  2. 前記結晶粒子の円相当径の平均値をＡ、前記結晶粒子の円相当径の標準偏差をＢとしたとき、比Ｂ／Ａが０．６以上０．８以下である請求項１に記載の発光素子実装用基板。
  3. 前記結晶粒子は、全個数１００％のうち、円相当径が０．８μｍ以下である結晶粒子が２５％以上４０％以下である請求項１または請求項２に記載の発光素子実装用基板。
  4. 表面の１３４４μｍ2の面積の範囲において、円相当径が２μｍ以上であり、かつアスペクト比が２以上である結晶粒子の個数が、１０個以上２５個以下である請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発光素子実装用基板。
  5. 前記結晶粒子は、円相当径の分布曲線における歪度が０より大きい請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の発光素子実装用基板。
  6. 気孔を有し、気孔率が４面積％以上７面積％以下であるとともに、前記気孔の重心間距離の平均値が３μｍ以上９μｍ以下である請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の発光素子実装用基板。
  7. 前記気孔の重心間距離の平均値をＣ、前記気孔の重心間距離の標準偏差をＤとしたとき、比Ｄ／Ｃが０．７未満である請求項６に記載の発光素子実装用基板。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の発光素子実装用基板から個片とされた基体と、該基体上に位置する金属層とを備える発光素子実装用回路基板。
  9. 請求項８に記載の発光素子実装用回路基板と、前記金属層上に位置する発光素子とを備える発光素子モジュール。
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