JP2014024722A - 反射材およびこの反射材上に発光素子を搭載してなる発光素子モジュール - Google Patents
反射材およびこの反射材上に発光素子を搭載してなる発光素子モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014024722A JP2014024722A JP2012167201A JP2012167201A JP2014024722A JP 2014024722 A JP2014024722 A JP 2014024722A JP 2012167201 A JP2012167201 A JP 2012167201A JP 2012167201 A JP2012167201 A JP 2012167201A JP 2014024722 A JP2014024722 A JP 2014024722A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mass
- light
- reflector
- anorthite
- content
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】構成する全成分を100質量%としたとき、Alの含有量がAl2O3換算で75質量%以上84質量%以下、Baの含有量がBaO換算で10質量%以上14質量%以下、SiをSiO2換算で3質量%以上13質量%以下含む焼結体からなり、該焼結体中に、アルミナ、酸化バリウムおよびアノーサイトの結晶とSiを含むガラス相とを有する反射材。
【選択図】図1
Description
nm付近の短波長帯の光が目の疲れやすさに影響しているとの報告が挙げられている。また、短波長帯の光の反射率を抑制することにより、植物を瑞々しく見せたり、美術品の劣化を抑えたりすることができるとの報告が挙げられている。そのため、セラミック材料からなる基体には、機械的特性に優れていることに加えて、可視光領域において、短波長帯の光の反射率を抑制しつつ、短波長帯以外の領域における光の反射率が高いことが求められている。
3換算で75質量%以上84質量%以下、Baの含有量がBaO換算で10質量%以上14質量%以下、SiをSiO2換算で3質量%以上13質量%以下含む焼結体からなり、該焼結体中に、アルミナ、酸化バリウムおよびアノーサイトの結晶とSiを含むガラス相とを有することを特徴とするものである。
の光をアノーサイトが吸収することによって短波長帯の光の反射率を抑制し、屈折率の大きい酸化バリウムの存在によって短波長帯以外の領域における光の反射率の高い反射材とすることができる。
有量がAl2O3換算で75質量%以上84質量%以下、Baの含有量がBaO換算で10質量%以上14質量%以下、SiをSiO2換算で3質量%以上13質量%以下含む焼結体からなり、該焼結体中に、アルミナ、酸化バリウムおよびアノーサイトの結晶とSiを含むガラス相とを有することを特徴とする。
有量がAl2O3換算で75質量%以上84質量%以下、Baの含有量がBaO換算で10質量%以上14質量%以下、SiをSiO2換算で3質量%以上13質量%以下含むものであることから明らかなように、焼結体中において、アルミナは結晶中で最も多い(以下、主結晶と記載することもある。)ものである。このように、焼結体の主結晶がアルミナであることにより、本実施形態の反射材1は、優れた機械的特性を有する。
たとき、Baの含有量がBaO換算で10質量%以上14質量%以下含むことにより、短波長
帯(450nm付近)を含む可視光(400〜760nm)の全領域において光の反射率の高い焼
結体とすることができる。しかし、短波長帯の光の反射率が高いときには、目を疲れにくくしたり、植物を瑞々しく見せたり、美術品の劣化を抑える効果が低い。そこで、本発明者らは、鋭意検討した結果、焼結体がアノーサイトの結晶を有していることにより、短波長帯の光の反射率を抑制できることを見出した。なお、短波長帯の光の反射率を抑制することができるのは、アノーサイトが短波長帯の光を吸収するためと考えられる。
よび付属品の積分球ユニット:ISR−3100)を用いて測定することができる。具体的には
、光源に50Wハロゲンランプと重水素ランプとを使用し、波長範囲を200〜1000nm、測
定範囲を7mm×9mmとして、フィルターおよびマスクを使用せず測定する。なお、ここでいう反射率とは、基準に用いる硫酸バリウム粉体の反射率を100%としたときの相対
値である。
であることが好ましい。このように、アノーサイトの含有量が1.4質量%以上3.4質量%以下であるときには、機械的特性および短波長帯以外の領域における高い光の反射率を維持しつつ、短波長帯の光の反射率を抑制することができる。
質量部程度とすればよい。このようにして、予め合成したアノーサイトを用いれば、アノーサイトの含有量の調整を容易に行なうことができる。また、予め合成したアノーサイトを用いれば、Al2O3−SiO2−CaO系状態図に照らしてアノーサイトが存在しにくい組成であっても、アノーサイトを含有させることが可能となる。
3、CaCO3、MgCO3)を用いたのは、溶媒として水を用いる場合において各粉末の分散状態を良好にすることができるからである。なお、酸化物粉末(BaO、CaO、MgO)を用いてもよいことはいうまでもない。
末と、炭酸カルシウム粉末と、酸化珪素粉末とを準備し、アノーサイトの組成比になるように秤量して、水とともに回転ミルに入れて混合した。そして、これを乾燥した後、大気雰囲気において、1000℃の温度で2時間保持して仮焼することにより、アノーサイトに合成された仮焼体を得た。
してスラリーを得た。
、5時間保持して焼成することによって、見掛け密度が95%以上の焼結体(試料No.1〜17)を得た。なお、試料No.18については、仮焼体を作製する工程を除いて試料No.1〜17と同様の工程で作製した。
ユニット:ISR−3100)を用いて、光源に50Wハロゲンランプと重水素ランプとを使用し
、波長測定範囲を200〜1000nm、測定範囲を7mm×9mmとしてフィルターおよびマ
スクは使用せず測定した。なお、反射率は、測定した硫酸バリウム粉体の反射率を100%
としたときの相対値のことであり、表1には450nm(短波長帯)および600nmにおける反射率を示した。
算で75質量%以上84質量%以下、Baの含有量がBaO換算で10質量%以上14質量%以下、SiをSiO2換算で3質量%以上13質量%以下含む焼結体からなり、焼結体中に、アルミナ、酸化バリウムおよびアノーサイトの結晶とSiを含むガラス相とを有する試料No.2〜5,8〜11,13〜17は、3点曲げ強度が260MPa以上であり、450nmにおける光の反射率が80.5%以上89.3%以下であり、600nmにおける反射率が90%を超える結果
が得られており、機械的特性に優れているとともに、可視光領域における短波長帯の光の反射率を抑制しつつ、短波長帯以外の領域における光の反射率が高い反射材となることが分かった。
a以上であり、450nmにおける光の反射率が86.5%以上87.5%以下であり、600nmにおける反射率が90%を超える結果が得られており、アノーサイトの含有量は、1.4質量%以
上3.4質量%以下であることが好ましいことが分かった。
.19は、実施例1の試料No.15と同じである。
の焼成時間は1時間とした。これにより、表面1aに電極3を形成した試料No.19〜23を得た。
、この電極3の表面に、厚みが0.6mmのめっき導線21(銅線にSnめっき)を接合(半
田付け)した。
ときの強度を測定した。なお、測定数は各試料につき11個測定し、最小値と最大値を省き、残り9点の平均値を密着強度として表2に示した。
上かつ電極3との接合強度が12N/2×2mm2以上の結果が得られており、SiO2換算での含有量が8質量%以上11質量%以下であることが好ましいことが分かった。
1a:表面
2 :発光素子
3 :電極
4 :電極パッド
5 :ボンディングワイヤ
6 :封止部材
10 :発光素子モジュール
Claims (4)
- 構成する全成分を100質量%としたとき、Alの含有量がAl2O3換算で75質量%以上84質量%以下、Baの含有量がBaO換算で10質量%以上14質量%以下、SiをSiO2換算で3質量%以上13質量%以下含む焼結体からなり、該焼結体中に、アルミナ、酸化バリウムおよびアノーサイトの結晶とSiを含むガラス相とを有することを特徴とする反射材。
- 前記アノーサイトの含有量が1.4質量%以上3.4質量%以下であることを特徴とする請求項1に記載の反射材。
- Siの含有量が、SiO2換算で8質量%以上11質量%以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の反射材。
- 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の反射材上に発光素子が搭載されていることを特徴とする発光素子モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012167201A JP5829582B2 (ja) | 2012-07-27 | 2012-07-27 | 反射材およびこの反射材上に発光素子を搭載してなる発光素子モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012167201A JP5829582B2 (ja) | 2012-07-27 | 2012-07-27 | 反射材およびこの反射材上に発光素子を搭載してなる発光素子モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014024722A true JP2014024722A (ja) | 2014-02-06 |
JP5829582B2 JP5829582B2 (ja) | 2015-12-09 |
Family
ID=50198724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012167201A Expired - Fee Related JP5829582B2 (ja) | 2012-07-27 | 2012-07-27 | 反射材およびこの反射材上に発光素子を搭載してなる発光素子モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5829582B2 (ja) |
-
2012
- 2012-07-27 JP JP2012167201A patent/JP5829582B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5829582B2 (ja) | 2015-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5106676B2 (ja) | 発光素子搭載用セラミックス基体 | |
JP5429038B2 (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
JP4688633B2 (ja) | 光反射体、発光素子搭載用配線基板、および発光装置 | |
JP5071555B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5111686B2 (ja) | 発光素子搭載用セラミックス基体および発光装置 | |
KR20110111243A (ko) | 발광 소자 탑재 기판 및 이 기판을 사용한 발광 장치 | |
WO2011096126A1 (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
JP6034484B2 (ja) | 発光素子実装用基板および発光素子モジュール | |
JPWO2010150830A1 (ja) | 発光装置 | |
US9056788B2 (en) | Glass ceramic sinter, reflective member and substrate for mounting a light-emitting-element, and light-emitting device | |
JP5720454B2 (ja) | 発光素子搭載用基板とその製造方法および発光装置 | |
JP6150159B2 (ja) | 発光ダイオードパッケージ用ガラスセラミック、それを用いたセラミック基板、および発光ダイオードパッケージ | |
JP2012140289A (ja) | 被覆アルミナフィラー、ガラスセラミックス組成物、発光素子用基板、および発光装置 | |
JP6122367B2 (ja) | 発光素子実装用基板およびこれを用いた発光素子モジュール | |
JP2017079328A (ja) | 発光素子実装用基板、発光素子実装用回路基板、発光素子モジュールおよび発光素子実装用基板の製造方法 | |
JP5829582B2 (ja) | 反射材およびこの反射材上に発光素子を搭載してなる発光素子モジュール | |
JP2011258866A (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
JP5623587B2 (ja) | 光反射体、発光素子搭載用配線基板、および発光装置 | |
JP2011192980A (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
JP2011176106A (ja) | 発光素子搭載用基板およびこれを用いた発光装置 | |
JP2011176083A (ja) | 発光装置 | |
JP2013228603A (ja) | 反射材およびこの反射材上に発光素子を搭載してなる発光素子モジュール | |
JP5383636B2 (ja) | 光反射体、発光素子搭載用配線基板、および発光装置 | |
JP2014075452A (ja) | ガラスセラミックス体、発光素子搭載用基板、および発光装置 | |
JP2011176107A (ja) | 発光素子搭載用基板およびこれを用いた発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150819 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150924 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5829582 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |