JP2013051449A - 発光素子実装用基体および発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 発光素子を実装する実装部5を有する発光素子実装用基体であって、セラミック焼結体からなり、実装部5側にあたる第1の主面1aおよび第1の主面1aに対向する第2の主面1bを備える基体本体20と、第1の主面1aに設けられた第1の電極2a,2bと、第2の主面1bに設けられた銀を主成分とする第2の電極6a,6bとを有し、基体本体20における第2の電極6a,6bと対向する部位に、銀を含有する領域が存在していない発光素子実装用基体である。
【選択図】 図1
Description
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態の発光素子実装用基体を示す断面図である。
1の電極2a,2bは、基体本体20の内部を貫通する貫通孔に設けられたスルーホール電極7a,7bを介して、第1の主面1aと対向する第2の主面1bに被着された第2の電極6a,6bと電気的に導通する。
(第2の実施形態)
図2は、第2の実施形態の発光素子実装用基体の構成を示し、セラミック焼結体からなる基体本体の第1の主面上に、発光素子と電気的に接続されていない反射層が設けられている例の断面図である。
らなる基体本体20と、第1の主面1aに設けられた発光素子を実装するための実装部5と、発光素子と電気的に接続されない反射層2cとを備えている。第2の実施形態において、反射層2cが金属部2に該当する。
合部(基体本体20と、反射層2cとの界面)を介して対向する部位に、銀を含有する領域4が存在する。
(第3の実施形態)
図3は第3の実施形態の発光素子実装用基体の構成を示し、基体本体の第1の主面上に、実装部を取り囲むように配置されたセラミック焼結体の内周面に、銀を含有する反射層が設けられている例の断面図である。
ミック焼結体からなり、表面に発光素子を実装するための実装部5が設けられる実装用基体20’と、実装部5を取り囲むように配置されたセラミック焼結体からなる反射部材11とを有しており、この反射部材11の内周面に反射層2dを有している。第3の実施形態において、反射層2dが金属部2に該当する。なお、その他の構成は、第1の実施形態または第2の実施形態と同様であることから説明は省略する。
され、内周面に反射層2dを有する反射部材11を備えることで、発光素子を実装し光を放出させたとき、反射層2dの表面に照射された光の一部が、反射部材11の開口方向に反射される。ここで、反射層2dは銀を含有してなることで、高い反射率が得られる。
する形状であってもよい。さらに、開口方向側から平面視したときの反射部材11の外形は、円形状、四角形状またはコーナーに面取りを行なった四角形状でもよく、多角形状であっても構わない。さらに、反射部材11は、実装用基体20’と一体成形されたもの、あるいは、実装用基体20’に反射部材11を接合したもののいずれであってもよい。
れたセラミック焼結体からなる反射部材11において、内周面に設けられた反射層2dに対し接合部3を介して対向する部位に、銀を含有する領域4が存在する。
た、金属部2と領域4とが、同じ成分である銀,マグネシウムおよびビスマスを含有するときには強固に接合される。そして、基体本体20および金属部2はマグネシウムを含有することによって、領域4において基体本体20のマグネシウムと金属部2のマグネシウムとが、接合部3付近で凝集しやすく、接合強度がより高くなりやすい。
,200においては、凹部1dが銀によって埋められているため、基体本体20を含む発光素
子実装用基体1,100,200の酸洗浄工程において、酸洗浄による酸が凹部1dに残留するのを抑制でき、凹部1dが腐食の起点となって金属部2の腐食が進行することを抑制できる。その結果、金属部2の反射率を高く維持できる傾向がある。
上であるものを多く含むと判断すればよい。さらに金属部2および領域4に含まれる銀や、凹部1dに銀が埋まっているかを確認するには、領域4を、WDS(波長分散型X線分光器)を搭載したEPMA(電子マイクロアナライザ)を用いてWDS分析すればよい。
本体20と金属部2とが領域4を介して接合させることで十分な接合強度を確保できるとともに、金属部2を形成するための焼成温度が高いために、金属部2が溶け出すことによる、金属部2の端部の滲みを抑制できる。
存在するようになることから、ガラス相13を伝わって銀およびビスマスが基体本体20の内部1cに侵入しやすくなり金属部2と基体本体20との接合強度がより高くなりやすい。なおここで言う表面側とは、基体本体20を厚み方向に均等に三等分した際の、実装部5側の部位を言う。
子顕微鏡(例えば日本電子製のJSM-7001F)で1000〜3000倍の倍率で撮影して画像のデー
タを作成し、画像解析装置(例えば三谷商事製のWin ROOF)を用いて各セラミック粒子の粒径を求め、その粒径の平均値を算出し求めればよい。なお、セラミック粒子が酸化アルミニウム粒子であるか否かは、EDS(エネルギー分散型X線分光)法による元素分析をして確認すればよい。
を表面から10μmの深さまで鏡面研磨加工し、倍率が100倍の金属顕微鏡の画像をCCD
カメラによって取り込み、画像解析装置を用いて数値化すればよい。例えば、金属顕微鏡に株式会社キーエンス製のマイクロスコープ(型名:VHX−500)を用い、CCDカメ
ラに株式会社ニコン製のデジタルSIGHT(型名:DS−2Mv)を用い、また画像解析のソフトウェアには株式会社三谷商事製(型名:Win ROOF)を使用して、9.074×105μm2の表面積に対して、円相当径0.8μmを閾値として各測定値を算出すればよい。
ようになっている。
した混合粉末を水とともに回転ミルに投入して、高純度のアルミナボールを用いて混合する。また、必要に応じて酸化カルシウム(CaO)を混合してもよい。なお、焼結助剤の秤量を調整することによって、酸化アルミニウムの結晶粒子間に形成される粒界相13aの平均幅を調整することができる。
対して4〜8質量%程度を添加し、高純度のアルミナボールを用いて、回転ミルで混合してスラリーを得る。なお、バインダの添加量は4〜8質量%の範囲内であれば、成形体の強度および可撓性がよく、また、焼成時にバインダの脱脂が十分にできる。
造する方法のほか、粉末プレス成型により反射部材11と基体本体20とを一体成型する方法を採用することができる。
たときに、15〜25質量%程度添加すればよい。
射部材11の内周面のみ厚膜ペーストを被着させるにあたっては、ナイロン製のスクリーンを用いるとよい。また、厚膜ペーストの厚みは、厚膜焼成後の厚みが10〜50μm程度になるように被着させるとよい。
理を行ない、その後、最高温度が800〜900℃で焼成時間が0.3〜1.3時間で焼成を行なう
ことによって形成することができる。
り、領域4の及ぼす効果が少なくなる。また、最高温度が900℃を超えると、金属部2の
主成分である銀が溶けだす可能性がある。それゆえ、焼成の最高温度は800〜900℃が好ましい。そして、前記焼成条件にて焼成を行なうことで、それぞれの金属の比重および融点の関係からマグネシウムが第2の領域より多い第1の領域4aと、ビスマスを第1の領域より多く含む第2の領域4bとができると考えられる。
浸漬する。酸の濃度を1〜20%とすると、脱脂や表面の酸化物の除去がしやすく、銀など
が腐食されにくい。
ことができる。
構わない。
の実装部5に発光素子31を実装することで、発光装置40が得られる。さらに、実装部5については、図9と同様の構成とすれば、反射率が高く、金属部2の接合強度の高い発光装置40とすることができる。
、金属部2の接合強度の高い発光装置50とすることができる。
O2)と酸化マグネシウム(MgO)および酸化カルシウム(CaO)の粉末とを準備し、そして、各粉末の合計含有量が100質量%となるように秤量した混合粉末を水等の溶媒
とともに回転ミルに投入して混合した。
%に対して6質量%とした。
形体を作製した。機械的強度を測定するために用いる試料として、焼成後の寸法が長さ30mm、幅10mm、厚み0.8mmとなる成形体も作製した。
μmで、組成は、酸化ジルコニウム(ZrO2)が91.3質量%、酸化イットリウム(Y2O3)が5.5質量%および酸化アルミニウム(Al2O3)1.0質量%で、その他不可避不純物として、酸化ハフニウム(HfO2)が2.0質量%、酸化鉄(Fe2O3)が0.2%であった。
して0.1質量%である。金属粉末の平均粒径は0.4μmである。また、バインダとして、エチルセルロースと混合溶剤を金属粉末の合計含有量を100質量%としたときに、17.6質量
%添加した。以下、このペーストをペーストAとする。
溶剤を、金属粉末の合計含有量を100質量%としたときに、約15質量%添加したものであ
る。以下、このペーストをペーストBとする。
IN−OUTの焼成時間は1時間とした。試料No.101および102の付番A,Bで、使用した厚膜ペーストを区分した。
)とを用い、光源に50Wハロゲンランプと重水素ランプとを使用し、波長範囲を200〜1000nmとし、測定範囲は拡散反射率(スリット20nm時7×9mm)としてフィルターお
よびマスクは使用しないで、反射率の基準として硫酸バリウム粉体を用いて測定した。なお、測定試料数は基体本体20の厚みが0.635mmのもの各10個について第1の主面1aの
1箇所について測定し、波長500nmのときの平均値をデータとした。
Snメッキ)35を導体34に半田付けした。
離するときの強度を測定して基体本体20に対する導体の接合強度とした。この試験装置は、ANZA TECH社製のダイ・シェアリング・テスタ(型番:520D)を使用した。また、測定数は各試料数10個について測定し、その平均値を求めた。なお、メッキ導線36が導体34から剥離した場合はデータから除外し、導体34が基体本体20から剥離したときのデータを導体34の接合強度とした。
膜印刷するペーストはペーストAを用いるが、厚膜焼成の最高温度を840℃、IN−OU
Tの時間を1時間として金属部2(導体34)を形成した。
8mmの直線度を測定し、各試料10個の平均値をデータとした。
第1の電極2a,2bは形成せずに、第2の主面1bへのみ第2の電極6a,6bを形成した。
間の厚膜焼成を行なった。
℃とし基体本体20の第1の主面1aに金属部2を形成した。厚膜焼成時間は1時間とし、焼成後の金属部2の厚みは10.5μmとした。
の含有量が0.45〜2.8質量%であって、その合計量が0.5質量%以上3.0質量%以下である
試料No.13〜16は、領域4の厚みtが5μm以上15μm以下であって、金属部2の接合強度が10MPa以上となり、より高い値を示すとともに、金属部2のパターンの直線度が10μm以下と電気的な絶縁性を容易に確保し易くなることが分かった。
幅が表2に示す値となるように焼成を行ない、試料No.18〜24となる基体本体20を得た。
時間を1時間として金属部2(導体34)を形成した。
成し、画像解析装置(三谷商事製のWin ROOF)を用いて各結晶粒の面積を求め、その面積から各結晶の円相当径を算出して平均結晶粒径を求めた。
拡散反射光が多くなるので、反射率がより高くなることがわかる。
多く界面14aも多く存在するようになることから、金属部2に含有される銀,ビスマスおよびマグネシウムが粒界相13に拡散しやすくなり、基体本体20と金属部2との接合強度が向上することが分かる。
2:金属部
2a,2b:第1の電極,2c,2d:反射層
4:領域
4a:第1の領域,4b:第2の領域,4c:界面、
5:実装部
6a,6b:第2の電極
11:反射部材
20:基体本体
30:発光装置
31:発光素子
t:厚み
Claims (8)
- 発光素子を実装する実装部を有する発光素子実装用基体であって、
セラミック焼結体からなり、前記実装部側にあたる第1の主面および該第1の主面に対向する第2の主面を備える基体本体と、
前記第1の主面に設けられた第1の電極と、
前記第2の主面に設けられた銀を主成分とする第2の電極とを有し、
前記基体本体における前記第2の電極と対向する部位に、銀を含有する領域が存在していないことを特徴とする発光素子実装用基体。 - 前記第1の電極の主成分が銀であり、前記基体本体における前記第1の電極と対向する部位に、銀を含有する領域が存在することを特徴とする請求項1に記載の発光素子実装用基体。
- 前記第2の電極の副成分が、パラジウム,白金,ジルコニウム,アルミニウムおよび亜鉛の少なくとも1種であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光素子実装用基板。
- 前記第1の電極が、マグネシウムおよびビスマスを含有することを特徴とする請求項2に記載の発光素子実装用基板。
- 前記基体本体が、酸化アルミニウム質焼結体からなり、酸化マグネシウムを含有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の発光素子実装用基板。
- 前記基体本体が、前記実装部を取り囲む反射部材を有しており、前記実装部に面する前記反射部材の内周面に反射層を有していることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の発光素子実装用基板。
- 前記反射層の主成分が銀であり、前記反射部材における前記反射層と対向する部位に、銀を含有する領域が存在することを特徴とする請求項6に記載の発光素子実装用基板。
- 請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の発光素子実装用基板に発光素子が実装してなることを特徴とする発光装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017036166A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 共立エレックス株式会社 | セラミックス反射板製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9036359B2 (en) * | 2010-10-15 | 2015-05-19 | Leonovo Innovations Limited (Hong Kong) | Component built-in module, electronic device including same, and method for manufacturing component built-in module |
EP2645435B1 (en) * | 2010-11-25 | 2017-08-09 | Kyocera Corporation | Substrate for mounting light-emitting element, and light-emitting device |
JP2013239540A (ja) * | 2012-05-14 | 2013-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光半導体装置用基板とその製造方法、及び光半導体装置とその製造方法 |
CN104205372B (zh) * | 2012-05-31 | 2018-03-02 | 松下知识产权经营株式会社 | Led模块、照明装置和灯 |
US9680075B2 (en) * | 2012-08-31 | 2017-06-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device |
US9799812B2 (en) | 2014-05-09 | 2017-10-24 | Kyocera Corporation | Light emitting element mounting substrate and light emitting device |
DE102015112967A1 (de) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
EP3913591A1 (en) | 2016-01-29 | 2021-11-24 | KiwiSecurity Software GmbH | Methods and apparatus for using video analytics to detect regions for privacy protection within images from moving cameras |
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KR20210157935A (ko) * | 2020-06-22 | 2021-12-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광학 검사 장치 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005020338A1 (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 半導体発光素子搭載部材、それを用いた発光ダイオード構成部材、およびそれを用いた発光ダイオード |
JP2006228856A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用配線基板 |
JP2008277349A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基体、及びその製造方法、ならびに発光装置 |
JP2009231440A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Nippon Carbide Ind Co Inc | 発光素子搭載用配線基板及び発光装置 |
JP2010010279A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Sharp Corp | 発光装置およびその製造方法 |
JP2010135729A (ja) * | 2008-05-21 | 2010-06-17 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
WO2012070648A1 (ja) * | 2010-11-25 | 2012-05-31 | 京セラ株式会社 | 発光素子実装用基体および発光装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP4851137B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2012-01-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 発光素子用セラミックパッケージ及びその製造方法 |
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JP2008192635A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置、リードフレームおよび光半導体装置の製造方法 |
-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005020338A1 (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 半導体発光素子搭載部材、それを用いた発光ダイオード構成部材、およびそれを用いた発光ダイオード |
JP2006228856A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用配線基板 |
JP2008277349A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基体、及びその製造方法、ならびに発光装置 |
JP2009231440A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Nippon Carbide Ind Co Inc | 発光素子搭載用配線基板及び発光装置 |
JP2010135729A (ja) * | 2008-05-21 | 2010-06-17 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
JP2010010279A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Sharp Corp | 発光装置およびその製造方法 |
WO2012070648A1 (ja) * | 2010-11-25 | 2012-05-31 | 京セラ株式会社 | 発光素子実装用基体および発光装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017036166A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 共立エレックス株式会社 | セラミックス反射板製造方法 |
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