KR20140130161A - 커버레이 필름, 발광 소자 탑재용 기판, 및 광원 장치 - Google Patents

커버레이 필름, 발광 소자 탑재용 기판, 및 광원 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140130161A
KR20140130161A KR1020147024910A KR20147024910A KR20140130161A KR 20140130161 A KR20140130161 A KR 20140130161A KR 1020147024910 A KR1020147024910 A KR 1020147024910A KR 20147024910 A KR20147024910 A KR 20147024910A KR 20140130161 A KR20140130161 A KR 20140130161A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reflectance
resin layer
wavelength
inorganic filler
resin
Prior art date
Application number
KR1020147024910A
Other languages
English (en)
Inventor
준 마츠이
슈지 스즈키
Original Assignee
미쓰비시 쥬시 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쓰비시 쥬시 가부시끼가이샤 filed Critical 미쓰비시 쥬시 가부시끼가이샤
Publication of KR20140130161A publication Critical patent/KR20140130161A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2237—Oxides; Hydroxides of metals of titanium
    • C08K2003/2241—Titanium dioxide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2054—Light-reflecting surface, e.g. conductors, substrates, coatings, dielectrics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

가시광 영역에서 반사율이 높고, 고온 열 부하 환경 하, 내광성 시험 환경 하에서의 반사율의 저하가 적은, 대면적화에 대응 가능한, 특히 LED 실장용 프린트 배선 기판에 사용 가능한 커버레이 필름 등을 제공하는 것. 폴리오가노실록세인 및 무기 충전제를 함유하는 수지층을 구비하여 이루어지고, 파장 400∼800nm에서의 평균 반사율이 85% 이상이고, 또한 260℃에서 10분간 열처리한 후의 파장 450nm에서의 반사율의 저하율이 5% 이하인 프린트 배선판의 도체 회로 보호용 커버레이 필름.

Description

커버레이 필름, 발광 소자 탑재용 기판, 및 광원 장치{COVERLAY FILM, PRINTED WIRING BOARD TO BE EQUIPPED WITH LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND LIGHT SOURCE DEVICE}
본 발명은, 프린트 배선판, 특히 LED 등의 발광 소자를 탑재한 기판의 표면을 보호하는, 금속 배선 등의 도체 회로 보호용 커버레이 필름, 해당 커버레이 필름을 적층하여 이루어지는 발광 소자 탑재용 기판, 및 광원 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 고반사율을 갖고, 고온 열 부하 환경 하나 내광성 시험 환경을 거친 후에 있어서도 반사율 저하가 억제되고, 즉 높은 반사율이 유지되고, 형광체를 분산시킨 봉지 수지를 충전할 때의 댐재로서도 사용 가능한 커버레이 필름 등에 관한 것이다.
프린트 배선 기판의 패턴 상에 LED가 직접 실장되어 수지 봉지된 칩 타입 LED는, 소형화, 박형화에 유리하기 때문에, 휴대전화의 숫자 키 조명이나, 소형 액정 디스플레이의 백라이트 등 전자 기기에 폭넓게 사용되고 있다.
최근, LED의 고휘도화 기술의 향상이 현저하여, LED는 보다 고휘도화되고 있다. 그것에 수반하여 LED 소자 자체의 발열량이 증대되고, LED 소자 주변 온도는 100℃ 초과로 되는 경우가 있는 등, 프린트 배선 기판 등의 구성 부품에 걸리는 열 부하가 증대되고 있다. 또한, LED 탑재 기판의 제조 공정을 보면, 봉지 수지의 열경화 처리나, 무연(Pb-free) 땜납에 의한 접합 후의 리플로우 처리 등에 있어서, 가열 온도가 260∼300℃ 정도에 달하는 등, LED 소자 주변은 그의 사용 중뿐만 아니라 제조 공정에 있어서도 고온 열 환경 하에 노출되도록 되어 있다.
종래 사용되어 온 백색의 광경화성 수지 기판, 예컨대 열경화성의 솔더 레지스트(solder resist)를 피복 형성하여 이루어지는 열경화계 수지 조성물 등의 백색 프린트 배선 기판은, 전술한 바와 같이 열 부하가 걸리는 환경 하에서는, 솔더 레지스트나 프린트 배선판이 황변되는 등 백색도가 저하되어 반사 효율이 저하되는 경향이 확인되었다. 따라서, 금후의 차세대 고휘도 LED 탑재용 기판을 개발할 때는, 이와 같은 반사 효율의 저하를 개량할 필요가 있다.
또한, 백색의 솔더 레지스트를 피복 형성하여 이루어지는, 백색의 프린트 배선판을 탑재한 제품에 관해서는, 자외선이 조사되는 환경 하에서도, 상기 열 부하 환경 하와 마찬가지로 황변되는 등, 백색도가 저하되어 반사율이 저하되는 경향이 보였다.
한편, 세라믹으로 이루어지는 기판은, 내열성의 점에서는 우수하지만, 경성이고 취성인 성질을 갖고 있기 때문에, 대면적화 및 박형화를 도모하기 위해서는 한계가 있었다. 따라서, 해당 세라믹으로 이루어지는 기판은, 금후의 일반 조명 용도나, 디스플레이 용도에 이용하는 기판으로서는 대응이 곤란하게 될 가능성이 있다. 그래서, 고온 열 부하 하에서도 변색이나 반사율의 저하를 일으키지 않고, 대면적화에 대응 가능하고, 내열성을 갖는 기판으로서, 커버레이 필름을 적층하여 이루어지는 프린트 배선 기판의 개발이 요구되고 있었다.
또한, 프린트 배선 기판에 LED 칩을 실장하는 공정에 있어서, 그 실장 부분에 형광체를 분산시킨 봉지 수지(실리콘 수지나 에폭시 수지 등)를 충전하는 것이 행해지고 있다. 이때, 봉지 수지가 주변 부분으로 새어나가지 않도록, 열경화 수지(예컨대 실리콘 수지나 에폭시 수지)로 이루어지는 댐재를 형성하는 것이 행해지고 있다.
이와 같은 댐 부재의 형성에 있어서는, 일반적으로는 디스펜서 등으로 댐재를 형성하여 열경화시키는 것이 통상이다. 그런데, 수지를 열경화시킬 때에 배선 부분을 오염시켜 와이어 본딩성에 영향을 미치거나, 백색 솔더 레지스트나 프린트 배선 기판 재료의 열 열화를 야기하거나 하는 경우가 있기 때문에, 댐재를 형성할 때의 과제로 되어 있었다. 또, 제조 비용이 들기 때문에, 금속 배선 등의 도체 보호층과 댐재를 일체화시킨 커버레이 필름이나, 이와 같은 커버레이 필름을 적층하여 이루어지는 프린트 배선판의 개발이 요구되고 있었다.
전술한 과제에 관해서는, 종래, 예컨대 결정 융해 피크 온도 260℃ 이상의 폴리아릴케톤 수지와 비결정성 폴리에터이미드 수지로 이루어지는 수지 조성물 100질량부에 대하여 무기 충전제를 5∼100질량부를 함유하는 수지 조성물을 이용하는 것에 의해, 고온 열 부하 환경 하나, 내광성 시험 환경 하에서도 반사율 저하가 억제된 커버레이 필름이 제안되어 있다(예컨대 특허문헌 1 참조).
이 특허문헌 1에는, 열가소성 수지 조성물의 결정성을 이용하여, 260℃ 이하의 저온으로 가열했을 때에, 프린트 배선판의 표면과의 접착에 적합한 특성을 나타내어, 비교적 단시간에 접착 가능하고, 또한 열 융착 후에는 내열 온도 260℃를 나타내는 커버레이 필름이 개시되어 있다.
일본 특허공개 2009-302110호
상기 특허문헌 1에 기재된 필름은, 초기의 반사율이나 내광 변색성이 불충분했다. 또한, 댐재로서도 이용할 수 있다는 것 등과 같이, 광범위하게 응용 가능한 기술에 대해서는 기재도 시사도 없었다.
본 발명의 목적은, 가시광 영역에서 반사율이 높고, 내열성이 높고, 고온 열 부하 환경 하나 내광 환경 하에서의 반사율의 저하가 적은 커버레이 필름으로서, 대면적화에 대응 가능하고, 특히 LED 실장용 프린트 배선 기판에 사용 가능한 커버레이 필름, 및 해당 커버레이 필름을 적층하여 이루어지는 발광 소자 탑재용 기판 및 광원 장치를 제공하는 것이다.
상기 반사율의 문제점을 더욱 개량하기 위해, 본 발명자들이 예의 검토한 결과, 열경화성 수지로서 폴리오가노실록세인을 이용하고, 이 수지와 무기 충전제를 함유하는 수지 조성물을 γ선 등의 방사선에 의해 경화시키는 것에 의해, 가시광 영역, 구체적으로는 파장 400∼800nm에서의 평균 반사율이 높고, 또한 자외선 영역인 파장 350∼400nm에서의 반사율도 높을 뿐만 아니라, 나아가 고온 열 부하 환경 하나 내광 환경 하에서도 반사율의 저하를 억제할 수 있다는 것을 발견했다. 그리고, 이것을 이용한 프린트 배선판의 도체 회로 보호용 커버레이 필름이 상기 과제를 해결한다는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명에 있어서의 제 1 발명은, 폴리오가노실록세인 및 무기 충전제를 함유하는 수지층을 구비하고 있고, 파장 400∼800nm에서의 평균 반사율이 85% 이상이고, 또한 260℃에서 10분간 열처리한 후의 파장 450nm에서의 반사율의 저하율이 5% 이하인 프린트 배선판의 도체 회로 보호용 커버레이 필름이다.
또한, 제 1 발명에 있어서는, 이하에 나타내는 내광성 시험 후의 파장 450nm에서의 반사율의 저하율이 5% 이하인 것이 바람직하다.
(내광성 시험): 제논 웨더 미터(Xenon weather meter)를 이용하여, 온도 63℃(블랙 패널 온도), 습도 50%, 방사 조도(295∼400nm) 60W/m2로 50시간 조사.
또한, 제 1 발명에 있어서는, 상기 수지층이 방사선에 의해 경화되어 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 제 1 발명에 있어서는, 무기 충전제가 산화타이타늄인 것이 바람직하다.
또한, 제 1 발명에 있어서는, 커버레이 필름의 두께가 30∼500㎛인 것이 바람직하다.
또한, 제 1 발명에 있어서는, 파장 350∼400nm에서의 평균 반사율이 40% 이상인 것이 바람직하다.
또한, 제 1 발명에 있어서는, 상기 수지층(A)와, 폴리오가노실록세인, 및 수지층(A)에 포함되는 무기 충전제와는 다른 무기 충전제를 함유하는 수지층(B)를 구비하여 이루어지는 것이 바람직하다.
이때, 상기 수지층(B)에 포함되는 무기 충전제가 알루미나인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서의 제 2 발명은, 적어도 1개 이상의 발광 소자를 탑재하기 위해서 이용하는 기판 상에, 폴리오가노실록세인 및 무기 충전제를 함유하는 수지층(A)를 갖는 보호층을 형성하여 이루어지는 구성을 구비하고, 상기 보호층은, 파장 400∼800nm에서의 평균 반사율이 85% 이상이고, 또한 260℃에서 10분간 열처리한 후의 파장 450nm에서의 반사율의 저하율이 5% 이하인 것을 특징으로 하는 발광 소자 탑재용 기판이다.
그리고, 본 발명에 있어서의 제 3 발명은, 기판 상에 도체 회로를 형성하고, 해당 도체 회로 상에 보호층을 적층함과 더불어, 상기 기판 상에 발광 소자를 탑재하여 상기 도체 회로와 상기 발광 소자를 도통(導通)시키고, 해당 발광 소자를 수지 봉지하여 이루어지는 구성을 구비한 광원 장치에 있어서,
상기 보호층은, 폴리오가노실록세인 및 무기 충전제를 함유하는 수지층(A)를 구비한 층이고, 파장 400∼800nm에서의 평균 반사율이 85% 이상이고, 또한 260℃에서 10분간 열처리한 후의 파장 450nm에서의 반사율의 저하율이 5% 이하인 것을 특징으로 하는 광원 장치이다.
본 발명의 커버레이 필름은, 가시광 영역뿐만 아니라 자외선 영역에서도 반사율이 높고, 내열성이 높고, 또한 고온 열 부하 환경 하나 내광성 시험 환경 하에서의 반사율의 저하가 적다는 효과를 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명의 커버레이 필름은, 프린트 배선 기판의 도체 회로 보호용 커버레이 필름으로서 유용하다. 그리고, 본 발명의 커버레이 필름을 이용하는 것에 의해, 도체 회로 보호층이 형성된 발광 소자 탑재용 기판 및 광원 장치를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 발광 소자 탑재용 기판의 일 실시형태의 일례를 설명하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 발광 소자 탑재용 기판의 일 실시형태의 일례를 설명하는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다. 단, 본 발명의 범위가 이 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
<본 커버레이 필름>
본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버레이 필름(「본 커버레이 필름」이라고 칭한다)은, 폴리오가노실록세인 및 무기 충전제를 함유하는 수지층(A)를 구비하고 있고, 파장 400∼800nm에서의 평균 반사율이 85% 이상이고, 또한 260℃에서 10분간 열처리한 후의 파장 450nm에서의 반사율의 저하율이 5% 이하인 프린트 배선판의 도체 회로 보호용 커버레이 필름이다.
(반사율)
상기한 대로, 본 커버레이 필름은, 파장 400∼800nm에서의 평균 반사율이 85% 이상인 것을 필요로 한다. 이것은, 가시광 영역의 반사율이 높을수록 기판에 탑재하는 LED의 휘도가 높아지는 경향이 있고, 상기 범위이면, LED 탑재용 기판의 커버레이 필름으로서 적합하게 이용 가능하기 때문이다. 이러한 관점에서, 당해 평균 반사율은 90% 이상, 특히 95% 이상인 것이 바람직하다.
또한, 청색 LED의 평균 파장(450nm)에 대응한 450nm 부근의 반사율이 높을수록 휘도가 높아지는 경향이 있기 때문에, 450nm에서의 반사율이 85% 이상인 것이 보다 바람직하고, 그 중에서도 90% 이상, 특히 95% 이상인 것이 바람직하다.
또한, 현재 주류인 청색 LED를 이용한 백색광을 얻는 경우에는, 450nm 부근의 반사율이 중요해진다. 따라서, 보다 높은 연색성(演色性)의 백색광을 얻기 위해서, 자외(근자외) LED와 적, 녹, 청색의 형광체를 조합한 타입이 개발되어 있다. 그 경우에는, 자외(근자외) LED의 발광 파장에 대응하여, 커버레이 필름도 350∼400nm의 파장의 광과 가시광 영역(400∼800nm)의 파장의 광의 양쪽을 반사하는 것이 필요해진다.
따라서, 본 커버레이 필름은, 350∼400nm의 평균 반사율이 40% 이상인 것이 바람직하고, 그 중에서도 60% 이상, 특히 80% 이상인 것이 바람직하다.
한편, 파장 400∼800nm에서의 평균 반사율이나, 450nm에서의 반사율, 나아가 자외(근자외) 영역(350∼400nm)의 파장의 반사율을, 소정의 범위까지 높이는 방법으로서는, 폴리오가노실록세인에 무기 충전제를 함유시켜 수지층(A)를 형성함으로써 극히 우수한 반사 특성을 얻음과 더불어, 사용하는 무기 충전제의 종류나 함유량을 적절히 조정하는 방법을 들 수 있다. 그 중에서도, 파장 400∼800nm에서의 평균 반사율이나, 450nm에서의 반사율을 높일 때에는, 폴리오가노실록세인과의 굴절률차가 크다고 하는 관점에서, 무기 충전제로서 산화타이타늄을 선택하는 것이 바람직하다. 다른 한편, 자외(근자외) 영역(350∼400nm)의 파장의 반사율을 높일 때에는, 무기 충전제로서 알루미나를 선택하는 것이 바람직하다.
또한, 자외(근자외) 영역(350∼400nm)과 가시광 영역(400∼800nm)의 양쪽의 파장의 반사율을 높이기 위해서는, 각각의 파장에서의 반사율을 부여하기 위해서 바람직한 첨가제를 폴리오가노실록세인에 대하여 따로따로 배합하여, 각각의 수지 조성물로 이루어지는 수지층을 적층화시키는 것도 가능하다.
단, 이들 방법에 한정하는 것은 아니다.
(열처리 후의 반사율의 저하율)
본 커버레이 필름은, 260℃에서 10분간 열처리한 후의 파장 450nm에서의 반사율의 저하율이, 해당 열처리 전의 반사율의 5% 이하인 것을 필요로 한다.
상기 조건의 근거에 대하여 이하에 기재한다.
LED 탑재 기판을 제조할 때에는, 도전 접착제나 에폭시, 실리콘 수지 등의 봉지제의 열경화 공정(100∼200℃, 수시간), 납땜 공정(무연 땜납 리플로우, 피크 온도 260℃, 수분간), 와이어 본딩 공정 등, 고열 부하가 걸리는 공정을 거칠 필요가 있다. 또한, LED를 탑재한 발광 장치의 사용 환경 하에서도, 고휘도 LED의 개발이 진행되어, 기판에의 열 부하는 높아지는 경향이 있어, LED 소자 주변 온도는 100℃ 초과로 되는 경우도 있다. 그 때문에, 금후 이와 같은 고열 부하 환경 하에서도 변색되는 일 없이, 높은 반사율을 유지하는 것이 중요해지고 있다.
또한, 파장 450nm는 청색 LED의 평균 파장이다.
따라서, 260℃에서 10분간 열처리한 후의 파장 450nm에서의 반사율의 저하율이, 해당 열처리 전의 반사율의 5% 이하이면, 제조 공정에서의 반사율의 저하를 억제하는 것이 가능하고, 또한 실제 사용 시의 반사율의 저하를 억제하는 것이 가능하기 때문에, LED 탑재 기판에 적합하게 사용할 수 있다.
이러한 관점에서, 당해 저하율은, 그 중에서도 4% 이하인 것이 바람직하고, 특히 3% 이하인 것이 더 바람직하고, 그 중에서도 특히 2% 이하인 것이 더 바람직하다.
(내광성 시험 후의 반사율의 저하율)
또한, 본 커버레이 필름은, 다음 내광성 시험 후의 반사율의 저하율이 내광성 시험 전의 반사율의 5% 이하인 것이 바람직하다.
(내광성 시험): 제논 웨더 미터를 이용하여, 온도 63℃(블랙 패널 온도), 습도 50%, 방사 조도(295∼400nm) 60W/m2로 50시간 조사.
상기 조건의 근거에 대하여 이하에 기재한다.
전술한 바와 같이, LED를 탑재한 발광 장치의 사용 환경 하에서도, 고휘도 LED의 개발이 진행되어, 기판에 대한 내광성의 요구는 높아지는 경향이 있다. 그래서, 금후 이와 같은 고출력의 광이 조사되는 환경 하에서도, 변색되는 일 없이, 높은 반사율을 유지할 수 있는 내광성이 필요해진다.
따라서, 상기 내광성 시험 후의 반사율의 저하율이 내광성 시험 전의 반사율의 5% 이하이면, 실제 사용 시의 반사율의 저하를 억제하는 것이 가능하기 때문에, LED 탑재 기판에 적합하게 사용할 수 있다.
이러한 관점에서, 당해 저하율은, 그 중에서도 4% 이하인 것이 바람직하고, 특히 3% 이하인 것이 더 바람직하고, 그 중에서도 특히 2% 이하인 것이 더 바람직하다.
한편, 본 커버레이 필름에 있어서, 열처리 후의 반사율의 저하율 및 내광성 시험 후의 반사율의 저하율을 원하는 범위로 하기 위해서는, 수지층(A)를 형성할 때, 폴리오가노실록세인 및 무기 충전제를 함유하는 수지 조성물을, 후술하는 바와 같이, 방사선에 의해 경화, 특히 γ선에 의해 경화시키는 것이 바람직하다. 단, 이 방법에 한정하는 것은 아니다.
[수지층(A)]
본 커버레이 필름은, 폴리오가노실록세인 및 무기 충전제를 함유하는 수지층(A)를 구비하는 것이다.
본 커버레이 필름에 이용하는 폴리오가노실록세인으로서는, 구체적으로는 예컨대 화학식 1에 기재된 실록세인 골격을 갖는 물질이며, 가교 반응을 일으킬 수 있는 것을 말한다. 폴리오가노실록세인으로서는 특별히 제한은 없고, 종래 공지된 임의의 것을 적절히 선택하여 결정하면 된다.
Figure pct00001
여기서, 화학식 1 중 「R」은 메틸기나 에틸기 등의 알킬기, 바이닐기, 페닐기 등의 탄화수소기, 또는 플루오로알킬기 등의 할로젠 치환 탄화수소기 등을 나타낸다.
구체적으로는, 화학식 1 중 「R」이 모두 메틸기인 폴리다이메틸실록세인이나, 폴리다이메틸실록세인의 메틸기의 일부가 상기 탄화수소기 또는 상기 할로젠 치환 탄화수소기의 1종 또는 복수종에 의해서 치환된 각종 폴리오가노실록세인을 들 수 있다.
본 커버레이 필름에 이용하는 폴리오가노실록세인으로서는, 상기의 폴리다이메틸실록세인이나 각종 폴리알킬실록세인을 단독 또는 2종류 이상 혼합하여 이용할 수 있다.
수지층(A)를 형성할 때는, 폴리오가노실록세인 수지를 경화시키면 좋다.
폴리오가노실록세인의 경화 수단으로서는, 부가형, 축합형, 과산화물 경화형 등, 종래 공지된 임의의 방법으로부터 적절히 선택하여 결정하면 된다.
축합형으로서는, 탈알코올, 탈아세트산, 탈옥심, 탈수소형을 들 수 있다. 이들 중에서도, 경화 시에 부생성물이 생기지 않는 부가형의 폴리오가노실록세인을 이용하는 것이 바람직하다.
폴리오가노실록세인을 경화시키는 방법은, 경화 촉매를 첨가하는 방법, 고온 가열하는 방법, 가교제를 첨가하는 방법, 그리고 방사선 조사에 의한 가교 방법 등을 들 수 있다.
경화 촉매로서는, 예컨대 아미노실레인계, 니켈염계, 암모늄염계의 촉매를 들 수 있다. 또한, Al, Fe, Co, Mn, Zn 등의 옥틸산염, 나프텐산염 등의 금속 비누류, 백금 촉매 등도 들 수 있다.
고온 가열하는 경우에는, 그 조건으로서는 일반적으로 150℃∼250℃, 30분∼2시간 정도 가열함으로써 경화할 수 있다. 한편, 가열 시에 상기의 촉매를 첨가해도 좋다. 이 촉매 첨가에 의해서, 가열 온도를 저하시킬 수 있다. 구체적으로는, 가열 온도를, 예컨대 100℃∼180℃로 할 수 있다. 그리고, 가열 시간도, 예컨대 10분∼30분 정도로 단축할 수 있기 때문에 바람직하다.
그 중에서도, 본 커버레이 필름에 이용하는 폴리오가노실록세인을 포함하는 수지층(A)의 경화는, 방사선에 의해 행하는 것이 바람직하다.
방사선에 의한 경화(폴리오가노실록세인의 가교)는, 폴리오가노실록세인에 열이 가해지지 않는 방법이며, 가교재의 잔사 등에 의한 내열, 내광 신뢰성을 손상시킬 염려가 없어, 본 발명의 효과가 현저해지기 때문에 바람직하다.
본 커버레이 필름에 있어서, 폴리오가노실록세인의 경화에 이용하는 방사선으로서는, 예컨대 전자선, X선, γ선 등을 들 수 있다. 이들 방사선은 공업적으로도 널리 이용되고 있는 것이며, 용이하게 이용 가능하고, 에너지 효율이 좋은 방법이다. 이들 중에서도, 흡수 손실이 거의 없고, 투과성이 높은 γ선을 이용하는 것이 바람직하다.
본 커버레이 필름에 있어서는, 미가교 상태의 폴리오가노실록세인에, 예컨대 γ선을 조사하는 것에 의해 가교 반응을 일으켜, 폴리오가노실록세인을 경화시킨다. γ선의 조사로 가교 반응을 진행시킬 수 있기 때문에, 가교제를 이용하지 않아도 가교 반응을 일으킬 수 있다.
이것에 의해, 가교제를 이용하여 가교했을 때에 보이는 가교제에 의한 색 변화를 회피할 수 있고, 또한 가교제의 반응에 의한 부생성물의 잔류도 방지할 수 있기 때문에, 보다 내열성, 내광성이 우수한 수지층(A)를 얻는 것이 가능하다.
γ선의 조사선량으로서는, 수지 종이나 가교기의 양, 그리고 선원의 종류에 따라 적절히 선택하여 결정하면 되지만, 일반적으로 10∼150kGy이다. 그 중에서도 20∼100kGy인 것이 바람직하고, 특히 30∼60kGy인 것이 바람직하다.
또한, 이 조사선량의 선정에는, 폴리오가노실록세인의 가교 밀도 외에, 열가소성 수지층, 공정 필름으로서 사용하는 플라스틱 필름의 내방사선성도 고려에 넣는 것이 바람직하다. 이 점에서, 결정성 폴리에스터계 수지는, 일반적으로 방사선에 대한 내성이 우수하여, 본 발명의 공정 필름에 적합한 기재이다.
[수지층(A)에 이용하는 무기 충전제]
상기 수지층(A)에 이용하는 무기 충전제로서는, 특별히 제한은 없고, 종래 공지된 임의의 것을 사용할 수 있다. 예컨대, 탈크, 마이카, 운모, 유리 플레이크, 질화붕소(BN), 질화알루미늄, 탄산칼슘, 수산화알루미늄, 실리카, 타이타늄산염(타이타늄산칼륨 등), 황산바륨, 알루미나, 카올린, 클레이, 산화타이타늄, 산화아연, 황화아연, 타이타늄산납, 산화지르코늄, 산화안티몬, 산화마그네슘 등을 들 수 있다. 이들은 1종류를 단독으로 첨가해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 첨가해도 좋다.
상기 수지층(A)에 이용하는 무기 충전제는, 추가로, 폴리오가노실록세인으로 이루어지는 수지층(A)에 대한 분산성을 향상시키기 위해서, 무기 충전제의 표면이, 실리콘계 화합물, 다가 알코올계 화합물, 아민계 화합물, 지방산, 지방산 에스터 등으로 표면 처리된 것을 사용할 수 있다. 그 중에서도 실리콘계 화합물(실록세인이나 실레인 커플링제 등)로 처리된 것이 바람직하다.
상기 수지층(A)에 이용하는 무기 충전제로서는, 본 커버레이 필름의 광 반사성을 고려하여, 폴리오가노실록세인과의 굴절률차가 큰 것을 이용하는 것이 바람직하다. 그 중에서도 굴절률이 1.6 이상인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 예컨대 전술한 것 중에서는 탄산칼슘, 황산바륨, 산화아연, 산화타이타늄, 타이타늄산염 등을 들 수 있고, 특히 산화타이타늄이 바람직하다.
또한, 저파장 영역의 반사율을 높일 수 있다는 관점에서는, 알루미나가 바람직하다.
산화타이타늄은 다른 무기 충전제에 비하여 현저히 굴절률이 높아, 베이스 수지가 되는 폴리오가노실록세인과의 굴절률차를 크게 할 수 있으므로, 다른 충전제를 사용한 경우보다도 적은 배합량으로 우수한 반사성을 얻을 수 있기 때문에 바람직하다.
상기 수지층(A)에 있어서, 폴리오가노실록세인에 배합하는 산화타이타늄으로서는, 아나타제형이나 루틸형과 같은 결정형 산화타이타늄이 바람직하고, 그 중에서도 폴리오가노실록세인과의 굴절률차가 커지는 관점에서, 루틸형의 산화타이타늄이 바람직하다.
또한, 반도체 발광 소자로서 자외(근자외) LED와 적, 녹, 청색의 형광체를 조합한 타입의 소자를 사용하는 기판에 적용하는 커버레이 필름의 경우에는, 커버레이 필름에도 자외(근자외) LED의 발광 파장에 대응한, 350∼400nm의 파장의 광을 반사하는 것과, 가시광 영역(400∼800nm)의 파장의 광을 반사하는 것이 필요해지기 때문에, 400nm 영역의 광 흡수가 적은 아나타제형 쪽이 바람직하다.
산화타이타늄의 제조 방법은, 일반적으로 염소법과 황산법이 있지만, 본 발명에 이용하는 산화타이타늄의 제조 방법으로서는, 백색도의 점에서 염소법으로 제조된 산화타이타늄을 사용하는 것이 바람직하다.
산화타이타늄은, 그 표면이 불활성 무기 산화물로 피복 처리된 것이 바람직하다. 산화타이타늄의 표면을 불활성 무기 산화물로 피복 처리하는 것에 의해, 산화타이타늄의 광촉매 활성을 억제할 수 있고, 본 발명의 커버레이 필름의 열화를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
불활성 무기 산화물로서는, 구체적으로는 예컨대, 실리카, 알루미나 및 지르코니아로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류를 이용하는 것이 바람직하다. 이들 불활성 무기 산화물을 이용하는 것에 의해, 높은 반사성을 손상시키는 일 없이, 고온 용융 시에, 수지의 분자량 저하나 황변을 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
또, 산화타이타늄은, 수지 조성물 중에서의 분산성을 높이기 위해서, 그 표면이 실록세인 화합물, 실레인 커플링제 등으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 무기 화합물이나, 폴리올, 폴리에틸렌글리콜 등으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 유기 화합물로 표면 처리된 것이 바람직하다. 특히, 내열성의 점에서는, 실레인 커플링제로 처리된 것이 바람직하고, 분산성의 점에서는, 실록세인 화합물로 처리된 것이 바람직하다.
상기 수지층(A)에 이용하는 무기 충전제의 입경은 임의이며, 본 발명의 커버레이 필름의 용도나 두께에 따라 적절히 선택하여 결정하면 된다. 일반적으로는 커버레이 필름 두께 이하의 입경을 갖는 것을 이용하고, 구체적으로는 예컨대 평균 입경으로서 0.05∼50㎛인 것이 바람직하고, 그 중에서도 0.1∼30㎛이고, 특히 0.15∼15㎛인 것이 바람직하다.
무기 충전제의 입경이 0.05㎛∼50㎛이면, 수지에의 분산성이 양호해지고, 수지와의 계면이 치밀하게 형성되어, 높은 반사성을 부여할 수 있기 때문에 바람직하다.
그 중에서도, 상기 수지층(A)에 이용하는 무기 충전제로서 산화타이타늄을 이용하는 경우에는, 그 입경은 0.1㎛∼1.0㎛인 것이 바람직하고, 그 중에서도 0.2㎛∼0.5㎛인 것이 바람직하다. 산화타이타늄의 입경이 상기 범위이면, 수지에의 분산성이 양호해지고, 수지와의 계면이 치밀하게 형성되어, 높은 반사성을 부여할 수 있기 때문에 바람직하다.
상기 수지층(A)에 이용하는 무기 충전제의 함유량은, 폴리오가노실록세인 100질량부에 대하여 10∼1000질량부인 것이 바람직하고, 그 중에서도 20∼500질량부, 나아가서 25∼200질량부, 특히 30∼100질량부인 것이 바람직하다. 이 범위 내로 함으로써, 양호한 반사 특성을 얻을 수 있고, 또한 필름의 두께가 얇아져도 양호한 반사 특성을 얻는 것이 가능해지기 때문에 바람직하다.
[수지층(B)]
본 커버레이 필름은, 상기 수지층(A)와는 별도로, 폴리오가노실록세인과, 수지층(A)에 포함되는 무기 충전제와는 다른 무기 충전제를 함유하는 수지층(B)를 구비할 수도 있다.
예컨대, 수지층(A)를 가시광 영역(400∼800nm)에서 고반사율을 갖는 층으로 하고, 수지층(B)를 자외(근자외) 영역(350∼400nm)에서 고반사율을 갖는 층으로 하는 등, 상이한 작용을 갖는 수지층(A), (B)를 조합할 수 있다.
상기 수지층(B)의 폴리오가노실록세인은, 전술한 수지층(A)와 마찬가지로, 특별히 제한은 없고, 종래 공지된 임의의 것을 적절히 선택하여 결정하면 된다. 또한, 폴리오가노실록세인의 경화 수단도 전술한 수지층(A)와 마찬가지의 수단을 이용할 수 있다.
[수지층(B)에 이용하는 무기 충전제]
상기 수지층(B)에 이용하는 무기 충전제로서는, 상기 수지층(A)에 포함되는 무기 충전제와는 다른 무기 충전제이면 특별히 제한은 없다. 예컨대, 탈크, 마이카, 운모, 유리 플레이크, 질화붕소(BN), 질화알루미늄, 탄산칼슘, 수산화알루미늄, 실리카, 타이타늄산염(타이타늄산칼륨 등), 황산바륨, 알루미나, 카올린, 클레이, 산화타이타늄, 산화아연, 황화아연, 타이타늄산납, 산화지르코늄, 산화안티몬, 산화마그네슘 등을 들 수 있다. 이들은 1종류를 단독으로 첨가해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 첨가해도 좋다.
예컨대, 수지층(A)에 이용하는 무기 충전제가 산화타이타늄인 경우, 특히 루틸형 산화타이타늄인 경우에는, 자외(근자외) 영역(350∼400nm)에서 광 흡수가 생기기 때문에, 수지층(B)에 이용하는 무기 충전제로서는, 400nm 영역의 광 흡수가 적은 아나타제형 산화타이타늄 또는 알루미나를 선택하는 것이 바람직하다.
또, 상기의 수지층(A), (B)로 이루어지는 커버레이 필름을, 후술하는 「본 발광 소자 탑재용 기판」에 이용할 때에는, 무기 충전제로서 400nm 영역의 광 흡수가 적은 아나타제형 산화타이타늄 또는 알루미나를 사용한 수지층(B)가 사용면이 되도록(노출되는 쪽이 되도록), 금속층과 적층하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 자외(근자외) 영역(350∼400nm)의 광은 수지층(B)에서 반사되고, 가시광 영역(400∼800nm)의 광은, 수지층(B)과 루틸형 산화타이타늄이 포함되는 수지층(A)의 양쪽에서 반사되기 때문에, 넓은 파장 영역에서 반사율을 높이는 것이 가능해진다.
상기 수지층(B)에 이용하는 무기 충전제의 입경은 임의이고, 본 발명의 커버레이 필름의 용도나 두께에 따라 적절히 선택하여 결정하면 된다. 일반적으로는 커버레이 필름 두께 이하의 입경을 갖는 것을 이용하며, 예컨대 평균 입경으로서 0.05∼50㎛인 것이 바람직하고, 그 중에서도 0.1㎛ 이상 또는 30㎛ 이하이고, 그 중에서도 특히 0.15㎛ 이상 또는 15㎛ 이하인 것이 더 바람직하다.
무기 충전제의 입경이 0.05㎛∼50㎛이면, 수지에의 분산성이 양호해지고, 수지와의 계면이 치밀하게 형성되어, 높은 반사성을 부여할 수 있기 때문에 바람직하다.
수지층(B)에 이용하는 무기 충전제의 함유량은, 폴리오가노실록세인 100질량부에 대하여 10∼1000질량부인 것이 바람직하고, 그 중에서도 20질량부 이상 또는 500질량부 이하, 그 중에서도 30질량부 이상 또는 300질량부 이하, 그 중에서도 특히 50질량부 이상 또는 200질량부 이하인 것이 더 바람직하다. 이 범위 내로 함 으로써, 양호한 반사 특성을 얻을 수 있고, 또한 필름의 두께가 얇아져도 양호한 반사 특성을 얻는 것이 가능해지기 때문에 바람직하다.
(첨가제 등)
상기 수지층(A) 및 수지층(B)는, 그 성질을 손상시키지 않을 정도로, 다른 수지나 무기 충전제 이외의 각종 첨가제를 함유해도 좋다. 예컨대, 열 안정제, 자외선 흡수제, 광 안정제, 핵제, 착색제, 활제, 난연제 등을 적절히 배합해도 좋다.
(커버레이 필름의 두께)
본 커버레이 필름의 두께는 특별히 제한은 없고, 적절히 선택하여 결정하면 된다. 일반적으로는 1㎛∼1000㎛이고, 본 커버레이 필름에 있어서는 10㎛∼1000㎛인 것이 바람직하다. 그 중에서도 10㎛∼800㎛, 나아가서 20㎛∼500㎛, 특히 20㎛∼300㎛, 특별히 30㎛∼200㎛인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 효과인 반사율의 저하율이 적다고 하는 효과를 높은 반사율의 영역에서 요구하는 경우에는, 본 커버레이 필름의 두께를 50㎛ 이상, 특히 100㎛로 하는 것이 바람직하고, 그 상한은 통상 1000㎛, 그 중에서도 500㎛인 것이 바람직하다.
이러한 범위이면, 박형이 요구되는 휴대전화용 백라이트나, 액정 디스플레이용 백라이트용의 면광원으로서 사용되는 칩 LED 탑재 기판의 도체 회로 보호용 커버레이 필름으로서, 반사율을 확보할 수 있기 때문에, 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 댐재로서 사용할 때에도, LED 칩이나 금 와이어를 봉지하는 데에는 충분한 두께이다.
(커버레이 필름의 제조 방법)
상기 수지층(A) 및 수지층(B)를 형성하기 위한 수지 조성물, 즉 폴리오가노실록세인을 함유하는 수지층을 형성하는 수지 조성물의 조제 방법으로서는, 특별히 제한되는 것은 아니고, 공지된 방법을 이용할 수 있다. 예컨대, (a) 각종 첨가제를 폴리오가노실록세인 등의 적당한 베이스 수지에 고농도(대표적인 함유량으로서는 10∼90중량%)로 혼합한 마스터배치를 별도 제작해 두고, 이것을 사용하는 수지에 농도를 조정하여 혼합하고, 니더나 압출기 등을 이용하여 기계적으로 블렌딩하는 방법을 들 수 있다. 또한, (b) 사용하는 수지에 직접 각종 첨가제를 니더나 압출기 등을 이용하여 기계적으로 블렌딩하는 방법 등을 들 수 있다.
이들 방법 중에서는, 분산성이나 작업성의 점에서, (a)의 마스터배치를 제작하여 혼합하는 방법이 바람직하다.
다음으로, 상기 수지 조성물을 제막하는 방법으로서는, 공지된 제막 방법, 예컨대 폴리오가노실록세인과 무기 충전제를 혼합하여 얻어지는 수지 조성물을 이용하여, T 다이를 사용한 압출 캐스팅법이나 캘린더법, 또는 기재 필름(PET 필름 등) 상에 코팅하는 방법 등에 의해 성막하는 방법을 들 수 있다.
이와 같이 성막한 필름을, 열 경화나 방사선 경화 등에 의해 미가교 상태의 폴리오가노실록세인을 경화시키면 좋다.
(커버레이 필름의 용도)
본 커버레이 필름은, 프린트 배선 기판의 도체 회로 보호용 커버레이 필름으로서 사용할 수 있다. 예컨대, 기판 상에 도체 회로를 형성하고, 상기 도체 회로 상에 본 커버레이 필름을 적층하는 한편, 상기 기판 상에 발광 소자를 탑재하여 상기 도체 회로와 당해 발광 소자를 도통시키도록 하여 사용할 수 있다. 이때, 당해 커버레이 필름을 적층함으로써, 도체 회로에 흠집이 들어가 단선되는 것을 방지할 수 있음과 더불어, 발광 소자를 실장할 때의 땜납 부착에 의한 단락을 방지할 수 있고, 또 전원 단자부에 손가락 등이 닿아 감전되는 것을 방지하는 등의 기능을 발휘할 수 있다.
<본 발광 소자 탑재용 기판>
본 발명의 제 2 실시형태에 따른 발광 소자 탑재용 기판(「본 발광 소자 탑재용 기판」이라고 칭한다)은, 적어도 1개 이상의 발광 소자를 탑재하기 위해서 이용하는 기판 상에, 폴리오가노실록세인 및 무기 충전제를 함유하는 수지층(A)를 갖는 보호층을 구비하고, 상기 보호층은, 파장 400∼800nm에서의 평균 반사율이 85% 이상이고, 또한 260℃에서 10분간 열처리한 후의 파장 450nm에서의 반사율의 저하율이 5% 이하인 것을 특징으로 하는 발광 소자 탑재용 기판이다.
본 발광 소자 탑재용 기판에 있어서는, 전술한 조건을 만족시키면 특별히 기판 등의 형상이나 재료에 특별히 제한은 없고, 종래 공지된 임의의 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예컨대 「발광 소자를 탑재하기 위해서 이용하는 기판」으로서는, 열경화성 수지나 열가소성 수지로 이루어지는 수지제 기판 재료의 적어도 편면에 금속층을 적층하여 이루어지는 수지/금속 적층체나, 상기 수지제 기판 재료의 적어도 편면에 배선 패턴(도체 회로)을 형성하여 이루어지는 구성인 것을 들 수 있다.
이와 같은 「발광 소자를 탑재하기 위해서 이용하는 기판」 상에, 전술한 특정 물성을 구비한, 폴리오가노실록세인 및 무기 충전제를 함유하는 수지층을 갖는 보호층을 형성하면, 즉 상기의 본 커버레이 필름을 적층하면, 도체 회로를 보호하는 것이 가능해진다. 그리고, 당해 보호층은, 높은 반사율을 갖기 때문에 리플렉터로서의 기능도 발휘하여, 해당 기판의 반사율의 향상에도 기여한다는 우수한 효과를 발휘한다.
(금속층)
본 발광 소자 탑재용 기판에 이용하는 수지/금속 적층체에 있어서의 금속층으로서는, 예컨대 금속 종으로서는 구리, 금, 은, 알루미늄, 니켈, 주석 등을 들 수 있다. 또한, 금속층의 두께는 임의이고, 적절히 선택하여 결정하면 되지만, 통상 1㎛∼100㎛, 그 중에서도 바람직하게는 5㎛∼70㎛이다.
그 중에서도 금속 종으로서는 구리나 구리 합금이 바람직하고, 추가로 표면을 흑색 산화 처리 등의 화성 처리를 실시한 것이 바람직하다. 이 금속층인 도체박은, 접착 효과를 높이기 위해서, 커버레이 필름과의 접촉면(겹치는 면) 측을, 미리 화학적 또는 기계적으로 조면화시킨 것을 이용하는 것이 바람직하다. 표면 조면화 처리된 도체박의 구체예로서는, 구체적으로는, 예컨대 전해 구리박을 제조할 때에 전기 화학적으로 처리된 조면화 구리박 등을 들 수 있다.
또한, 본 발광 소자 탑재용 기판에 이용하는 기판인 수지/금속 적층체는, 복수를 적층한 것이어도 좋다. 이 적층 방법은, 접착층을 개재하지 않는 열 융착 방법으로서, 가열, 가압에 의한 방법이면 공지된 방법을 채용할 수 있고, 예컨대 열 프레스법이나 열 라미네이트 롤법, 압출시킨 수지에 캐스팅 롤로 적층하는 압출 라미네이트법, 또는 이들을 조합한 방법을 적합하게 채용할 수 있다.
또한, 「발광 소자를 탑재하기 위해서 이용하는 기판」으로서는, 전술한 대로 수지/금속 적층체 대신에, 보다 방열성이 요구되는 경우에는, 구리판, 알루미늄판 등의 금속 재료, 질화알루미늄 등의 세라믹, 또는 흑연판 등의 열 전도율이 높은 재료와 복합화하는 것에 의해 방열성을 향상시키는 것도 가능하다.
예컨대, 알루미늄판과의 복합 기판의 구성으로서는, 알루미늄판 전면에, 상기와 같은 금속 적층체를 적층하는 경우나, 해당 금속 적층체에 캐비티(오목부) 구조용 창틀을 뽑아내고, 적층하는 경우를 들 수 있다. 사용하는 알루미늄에 대해서는, 수지와의 밀착성을 고려하면 조면화되어 있는 것이 바람직하지만, 캐비티 구조를 고려한 경우에는, LED로부터의 광을 효율 좋게 반사시키기 위해서, 고반사 알루미늄을 이용하는 것이 바람직하다.
고반사 알루미늄으로서는, 표면을 연마한 것, 알루마이트 처리한 것, 또한 타이타늄, 실리카 등의 무기 산화물 외에, 은 등의 금속을 증착한 증반사막(增反射膜) 처리를 한 것을 들 수 있다. 그리고, 이 알루미늄의 반사율은, 파장 400∼800nm의 평균 반사율이 80% 이상인 것이 바람직하고, 그 중에서도 90% 이상, 특히 95% 이상인 것이 바람직하다.
(발광 소자 탑재용 기판의 제조 방법)
본 발광 소자 탑재용 기판의 제조 방법은 임의이며, 특별히 제한되는 것은 아니다. 여기서는 우선, 본 발광 소자 탑재용 기판의 구체적인 제조 방법으로서, 기판의 양면에 금속층을 적층하여 이루어지는 양면 기판의 제조 방법을, 도 1에 기초하여 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, (a): 우선, 열가소성 수지 또는 열경화성 수지로 이루어지는 기판(100)과, 금속층으로 이루어지는 2매의 구리박(10)을 준비하고, (b): 열가소성 수지 또는 열경화성 수지로 이루어지는 기판(100)의 양면에 구리박(10)을 진공 프레스에 의해 적층하여 수지/금속 적층체를 제조한다.
(c): 그리고, 구리박(10)을 에칭 또는 구리 상에 도금하여 배선 패턴(20)을 형성하여, 「발광 소자를 탑재하기 위해서 이용하는 기판」을 제작한다. (d): 이 기판에, 실장되는 개소를 창 내기 가공한, 폴리오가노실록세인에 무기 충전제를 함유하여 이루어지는 수지층(30)을 구비하여 이루어지는 보호층(200)을 적층하여(한편, 여기서는 본 커버레이 필름을 적층하고 있다), 발광 소자 탑재용 기판으로 한다.
(e): 그 후, 금 도금 가공하여, LED(300)를 실장시키고, 본딩 와이어(40)에 의해 배선 패턴(20)과 접속시키고, 소정의 수지로 봉지(도시하지 않음)하여, 광원 장치로 할 수 있다.
한편, 창 내기 가공하는 방법은 임의이며, 특별히 제한되는 것은 아니다. 구체적으로는, 예컨대 비크 형(型)을 이용하는 방법이나, 라우터 가공하는 방법, 레이저 가공하는 방법 등을 이용할 수 있다. 또한, 보호층의 형성에 있어서, 상기 이외에도, 폴리오가노실록세인 및 무기 충전제를 함유하는 수지층(30)을 도공시켜 보호층을 형성해도 좋다.
다음으로, 알루미늄 복합 기판으로서의 본 발광 소자 탑재용 기판의 제조 방법을, 도 2에 기초하여 설명한다.
예컨대, 도 2에 나타내는 바와 같이, (a): 열가소성 수지 또는 열경화성 수지로 이루어지는 기판(100)의 편면에 구리박(10)을 적층하여 금속 적층체를 제조한다. 그리고, (b): 구리박(10)을 에칭하여 배선 패턴(20)을 형성하여 금 도금 가공을 실시하고, 추가로 기판(100)을 비크 형을 이용하여 캐비티 틀로 타발(打拔)한다(50).
다음으로, (c): 창 내기 가공한 보호층(200)과 배선 패턴(20)이 형성된 면과는 반대면에 알루미늄판(400)을 진공 프레스에 의해 적층하여 발광 소자 탑재용 기판으로 한다. 이 기판에, (d): LED(300)를 실장시키고, 본딩 와이어(40)에 의해 배선 패턴(20)과 접속시키고, 소정의 수지로 봉지(도시하지 않음)하여, 광원 장치로 할 수 있다.
한편, 캐비티 틀로 타발하는 방법으로서는, 상기 비크 형을 이용하는 방법으로 제한되는 것은 아니고, 예컨대 라우터 가공이나, 레이저를 이용하여 형성할 수도 있다. 한편, 상기 제조 방법에 있어서는, 편면 구리박 부착 필름(도 2 중 (b)), 보호층 및 알루미늄판의 적층을 일괄해서 행하고 있지만, 이들을 축차적으로 적층시키고, 그 후에 틀 뽑아내기 및 도체 패턴을 형성해도 좋다.
<본 광원 장치>
본 발명의 제 3 실시형태에 따른 광원 장치(「본 광원 장치」라고 칭한다)로서는, 상기의 본 발광 소자 탑재용 기판에 도체 회로를 형성하여, 해당 기판과 해당 기판에 탑재된 발광 소자를 도통시키고, 해당 발광 소자를 수지 봉지하여 이루어지는 것이면 특별히 제한되는 것은 아니다. 구체적으로는, 기판 상에 도체 회로를 형성하고, 해당 도체 회로 상에 보호층을 적층함과 더불어, 상기 기판 상에 발광 소자를 탑재하여 상기 도체 회로와 상기 발광 소자를 도통시키고, 해당 발광 소자를 수지 봉지하여 이루어지는 구성의 것을 들 수 있다.
본 광원 장치에 있어서의 보호층은, 상기 수지층(A)의 특성을 구비하고 있기 때문에, 예컨대 파장 400∼800nm에서의 평균 반사율이 85% 이상이고, 또한 260℃에서 10분간 열처리한 후의 파장 450nm에서의 반사율의 저하율이 5% 이하인 것 등의 특성을 구비한 것으로 된다. 따라서, 이와 같이 보호층이 형성되어 있는 것에 의해, 도체 회로를 효과적으로 보호하는 것이 가능해지고, 고온 열 부하 환경 하나 내광성 시험 환경 하에서도 반사율의 저하를 야기하는 일이 없기 때문에, 본 발명의 광원 장치는, 조명용, 프로젝터 광원, 액정 표시 장치 등의 백라이트 장치, 차재 용도, 휴대전화 용도 등의 각종 용도에 이용할 수 있다.
<어구의 설명>
일반적으로 「시트」란, JIS에 있어서의 정의상, 얇고, 일반적으로 그 두께가 길이와 폭에 비해 작고 평평한 제품을 말하며, 일반적으로 「필름」이란, 길이 및 폭에 비해 두께가 극히 작고, 최대 두께가 임의로 한정되어 있는 얇은 평평한 제품으로, 통상, 롤의 형태로 공급되는 것을 말한다(일본공업규격 JIS K6900). 예컨대, 두께에 관하여 말하면, 협의에서는 100㎛ 이상인 것을 시트로 칭하고, 100㎛ 미만인 것을 필름으로 칭한다. 그러나, 시트와 필름의 경계는 확정되지 않고, 본 발명에 있어서 문언상 양자를 구별할 필요가 없기 때문에, 본 발명에 있어서는, 「필름」이라고 칭한 경우에도 「시트」를 포함하는 것으로 하고, 「시트」라고 칭하는 경우에도 「필름」을 포함하는 것으로 한다.
본 명세서에 있어서 「X∼Y」(X, Y는 임의의 숫자)로 표현하는 경우, 특별히 부정하지 않는 한 「X 이상 Y 이하」의 의미와 함께, 「바람직하게는 X보다 크다」 또는 「바람직하게는 Y보다 작다」의 의미도 포함한다.
또한, 「X 이상」(X는 임의의 숫자) 또는 「Y 이하」(Y는 임의의 숫자)로 표현한 경우, 「X보다 큰 것이 바람직하다」 또는 「Y 미만인 것이 바람직하다」는 취지의 의도도 포함한다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예에 의해 더 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 그 요지를 벗어나지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
한편, 본 명세서 중에 나타내는 필름 등에 대한 여러 가지의 측정값 및 평가는 이하와 같이 하여 구했다.
(평균 반사율)
분광 광도계(「U-4000」, 주식회사히타치제작소사제)에 적분구를 장치하여, 알루미나 백판(白板)의 반사율을 100%로 했을 때의 반사율을, 파장 400nm∼800nm에 걸쳐서 0.5nm 간격으로 측정했다. 얻어진 측정값의 평균값을 계산하여, 이 값을 평균 반사율로 했다. 그리고, 파장 350∼400nm의 평균 반사율도 마찬가지로 측정했다.
(가열처리 후의 반사율)
얻어진 백색 필름을 고정 지그로 고정하고, 열풍 순환식 오븐에서, 260℃에서 10분간 가열처리하고, 가열처리 후의 반사율을 상기의 방법과 마찬가지로 측정하여, 450nm에서의 반사율을 판독했다.
(제논 웨더 미터에 의한 시험)
얻어진 커버레이 필름을 스가시험기사제의 제논 웨더 미터(형식: SX-75)를 이용하여, 온도 63℃(블랙 패널 온도), 습도 50%, 방사 조도(295∼400nm) 60W/m2로 50시간 조사하고, 그 후 상기의 방법과 마찬가지로 반사율을 측정하여, 450nm에서의 반사율을 판독했다.
<실시예 1>
폴리오가노실록세인(TSE2571-5U, 모멘티브사제) 100질량부와, 루틸형의 산화타이타늄(R105, 듀퐁사제, 평균 입경 0.31㎛) 67질량부를 플라네터리 믹서로 혼합하여 얻어진 수지 조성물을, 압출기를 이용하여 설정 온도 100℃에서 이형 PET 필름 상에 두께 100㎛의 커버레이 필름 전구체를 얻었다. 그 후, γ선에 의해 50kGy의 조사선량으로 경화시켜 얻어진 수지층(A)로 이루어지는 커버레이 필름을 전술한 방법에 의해 평가했다. 결과를 표 1에 기재했다.
<실시예 2>
폴리오가노실록세인(TSE2571-5U, 모멘티브사제) 100질량부에 대하여 열 가교재로서의 가황제(TC-12, 모멘티브사제) 1.5질량부, 산화타이타늄(R105, 듀퐁사제, 평균 입경 0.31㎛) 67질량부를 플라네터리 믹서로 혼합하여 얻어진 수지 조성물을, 압출기를 이용하여 설정 온도 100℃에서 이형 PET 필름 상에 두께 100㎛의 커버레이 필름 전구체를 얻었다. 그 후, 125℃에서 15분간, 이어서 200℃에서 4시간 열처리하는 것에 의해 경화시켜 얻어진 수지층(A)로 이루어지는 커버레이 필름을 평가했다. 결과를 표 1에 기재했다.
<실시예 3>
두께를 300㎛로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 수지층(A)로 이루어지는 커버레이 필름을 제작하여, 평가했다. 결과를 표 1에 기재했다.
<실시예 4>
산화타이타늄을 400질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 수지층(A)로 이루어지는 커버레이 필름을 제작하여, 평가했다. 결과를 표 1에 기재했다.
<실시예 5>
산화타이타늄을 25질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 수지층(A)로 이루어지는 커버레이 필름을 제작하여, 평가했다. 결과를 표 1에 기재했다.
<실시예 6>
두께 50㎛로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 수지층(A)로 이루어지는 커버레이 필름을 제작하여, 평가했다. 결과를 표 1에 기재했다.
<실시예 7>
산화타이타늄으로서, 아나타제형의 산화타이타늄(SA-1, 사카이화학공업사제, 평균 입경 0.3㎛) 25질량부를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 수지층(A)로 이루어지는 커버레이 필름을 제작하여, 평가했다. 결과를 표 1에 기재했다.
<실시예 8>
폴리오가노실록세인으로서, 폴리오가노실록세인(TSE2913-U, 모멘티브사제)을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 수지층(A)로 이루어지는 커버레이 필름을 제작하여, 평가했다. 결과를 표 1에 기재했다.
<실시예 9>
산화타이타늄 대신에 알루미나(AA04, 스미토모화학사제, 평균 입경 0.4㎛) 150질량부를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 수지층(A)로 이루어지는 커버레이 필름을 제작하여, 평가했다. 결과를 표 1에 기재했다.
<실시예 10>
두께를 150㎛로 한 것 이외에는, 실시예 8과 마찬가지의 방법으로 수지층(A)로 이루어지는 커버레이 필름을 제작하여, 평가했다. 결과를 표 1에 기재했다.
<실시예 11>
두께를 150㎛로 한 것 이외에는, 실시예 9와 마찬가지의 방법으로 수지층(A)로 이루어지는 커버레이 필름을 제작하여, 평가했다. 결과를 표 1에 기재했다.
<실시예 12>
실시예 8과 마찬가지의 방법으로, 두께 100㎛의 수지층(A)로 이루어지는 커버레이 필름 전구체를 얻은 후, 실시예 9와 마찬가지의 방법으로 두께 50㎛의 수지층(B)로 이루어지는 커버레이 필름 전구체를 작성하여, 양 전구체의 커버레이 필름면을 접합한 후, γ선으로 경화시킨 적층 구성에 의한 커버레이 필름을 제작하여, 평가했다. 결과를 표 1에 기재했다. 한편, 반사율의 측정은 수지층(B)로 이루어지는 면을 측정했다.
<실시예 13>
수지층(B)의 두께를 100㎛로 한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지의 방법으로 적층 구성에 의한 커버레이 필름을 제작하여, 평가했다. 결과를 표 1에 기재했다. 한편, 반사율의 측정은 수지층(B)로 이루어지는 면을 측정했다.
<비교예 1>
폴리에터에터케톤 수지(PEEK450G, Tm = 335℃) 40질량%, 및 비결정성 폴리에터이미드 수지(Ultem 1000) 60질량%로 이루어지는 수지 조성물 100질량부에 대하여, 루틸형의 산화타이타늄(R108, 듀퐁사제, 평균 입경 0.23㎛) 67질량부를 혼합하여 얻어진 조성물을 용융 혼련하고, T 다이를 구비한 압출기를 이용하여 설정 온도 380℃에서 두께 100㎛의 커버레이 필름을 제작하여, 실시예 1과 마찬가지로 평가했다. 결과를 표 1에 기재했다.
Figure pct00002
표 1에 나타낸 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1∼13에 있어서는, 반사율 특성이 양호하고, 가열 시험 후나 내광성 시험(제논 웨더 미터 시험) 후에도 반사율 변화가 적은, 우수한 커버레이 필름을 얻을 수 있었다. 예컨대, 실시예 9, 11에서는 폴리오가노실록세인에 알루미나를 충전하고 있기 때문에, 비교예에 비하여 가시광 영역에서의 반사율도 높지만, 자외광 영역(350∼400nm)에서의 반사율이 현저히 향상되어 있다. 한편, 비교예 1에 있어서는 가시광 영역에서의 반사율, 내광성 시험 후의 반사율이 뒤떨어지는 것이었다.
또한, 실시예 1∼8, 10은 폴리오가노실록세인에 산화타이타늄을 충전하고 있기 때문에, 특히 가시광 영역(400∼800nm)에서도 특히 높은 반사율을 나타내었다. 그리고, 실시예 7은 아나타제형의 산화타이타늄을 충전하고 있기 때문에, 자외광 영역의 반사율이 루틸형을 충전한 실시예 1∼6, 8, 10에 비하여 높은 반사율을 나타내었다.
또, 실시예 12, 13에 있어서는, 폴리오가노실록세인에 루틸형의 산화타이타늄을 충전한 수지층(A)와, 폴리오가노실록세인에 알루미나를 충전한 수지층(B)의 적층 구성으로 하는 것에 의해, 자외광 영역(350∼400nm)과 가시광 영역(400∼800nm)의 양쪽에서 높은 반사율을 나타내었다.
10: 구리박
20: 배선 패턴
30: 폴리오가노실록세인 및 무기 충전제를 함유하는 수지층
40: 본딩 와이어
100: 열가소성 수지 또는 열경화성 수지로 이루어지는 기판
200: 보호층
300: LED
400: 알루미늄판

Claims (10)

  1. 폴리오가노실록세인 및 무기 충전제를 함유하는 수지층(A)를 구비하고 있고, 파장 400∼800nm에서의 평균 반사율이 85% 이상이고, 또한 260℃에서 10분간 열처리한 후의 파장 450nm에서의 반사율의 저하율이 5% 이하인 프린트 배선판의 도체 회로 보호용 커버레이 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    이하에 나타내는 내광성 시험 후의 반사율의 저하율이 5% 이하인 것을 특징으로 하는 커버레이 필름.
    (내광성 시험): 제논 웨더 미터를 이용하여, 온도 63℃(블랙 패널 온도), 습도 50%, 방사 조도(295∼400nm) 60W/m2로 50시간 조사.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 수지층(A)가 방사선에 의해 경화되어 이루어지는 층인 것을 특징으로 하는 커버레이 필름.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지층(A)에 포함되는 무기 충전제가 산화타이타늄인 것을 특징으로 하는 커버레이 필름.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    필름의 두께가 30㎛∼500㎛인 것을 특징으로 하는 커버레이 필름.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    파장 350∼400nm에서의 평균 반사율이 40% 이상인 것을 특징으로 하는 커버레이 필름.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지층(A)와, 폴리오가노실록세인, 및 수지층(A)에 포함되는 무기 충전제와는 다른 무기 충전제를 함유하는 수지층(B)를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 커버레이 필름.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 수지층(B)에 포함되는 무기 충전제가 알루미나인 것을 특징으로 하는 커버레이 필름.
  9. 적어도 1개 이상의 발광 소자를 탑재하기 위해서 이용하는 기판 상에, 폴리오가노실록세인 및 무기 충전제를 함유하는 수지층(A)를 갖는 보호층을 형성하여 이루어지는 구성을 구비하고,
    상기 보호층은, 파장 400∼800nm에서의 평균 반사율이 85% 이상이고, 또한 260℃에서 10분간 열처리한 후의 파장 450nm에서의 반사율의 저하율이 5% 이하인 것을 특징으로 하는 발광 소자 탑재용 기판.
  10. 기판 상에 도체 회로를 형성하고, 해당 도체 회로 상에 보호층을 적층함과 더불어, 상기 기판 상에 발광 소자를 탑재하여 상기 도체 회로와 상기 발광 소자를 도통(導通)시키고, 해당 발광 소자를 수지 봉지하여 이루어지는 구성을 구비한 광원 장치에 있어서,
    상기 보호층은, 폴리오가노실록세인 및 무기 충전제를 함유하는 수지층(A)를 구비한 층이고, 파장 400∼800nm에서의 평균 반사율이 85% 이상이고, 또한 260℃에서 10분간 열처리한 후의 파장 450nm에서의 반사율의 저하율이 5% 이하인 것을 특징으로 하는 광원 장치.
KR1020147024910A 2012-02-10 2013-02-06 커버레이 필름, 발광 소자 탑재용 기판, 및 광원 장치 KR20140130161A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012026792 2012-02-10
JPJP-P-2012-026792 2012-02-10
PCT/JP2013/052685 WO2013118752A1 (ja) 2012-02-10 2013-02-06 カバーレイフィルム、発光素子搭載用基板、及び光源装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140130161A true KR20140130161A (ko) 2014-11-07

Family

ID=48947513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147024910A KR20140130161A (ko) 2012-02-10 2013-02-06 커버레이 필름, 발광 소자 탑재용 기판, 및 광원 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5676785B2 (ko)
KR (1) KR20140130161A (ko)
CN (1) CN104025726A (ko)
WO (1) WO2013118752A1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6720470B2 (ja) * 2014-11-28 2020-07-08 三菱ケミカル株式会社 蛍光体含有シリコーンシートの製造方法
JP2018060989A (ja) * 2016-10-04 2018-04-12 日本特殊陶業株式会社 枠体部材、発光装置、およびこれらの製造方法
JP2018085368A (ja) * 2016-11-21 2018-05-31 日本特殊陶業株式会社 蓋部材、該蓋部材を用いた発光装置、およびこれらの製造方法
JP6815507B2 (ja) * 2017-06-29 2021-01-20 京セラ株式会社 回路基板およびこれを備える発光装置
MX2020004269A (es) 2017-10-26 2020-07-29 Syed Taymur Ahmad Composicion que comprende fluidos no newtonianos para revestimientos hidrofobicos, oleofobicos, y oleofilicos, y metodos para sus usos.
JP7077400B2 (ja) * 2018-04-12 2022-05-30 三菱電機株式会社 保護フィルムで被覆されたプリント回路基板の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11327150A (ja) * 1998-03-17 1999-11-26 Mitsubishi Chemical Corp 感光性樹脂組成物
JP4645793B2 (ja) * 2003-10-14 2011-03-09 信越化学工業株式会社 電極回路保護用シリコーンゴム組成物、電極回路保護材及び電気・電子部品
JP4460524B2 (ja) * 2005-11-14 2010-05-12 信越化学工業株式会社 放射線硬化性シリコーンゴム組成物
US8169129B2 (en) * 2007-11-29 2012-05-01 Mitsubishi Plastics, Inc. Metal laminated body, LED-mounted substrate, and white film
JP2009302110A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Mitsubishi Plastics Inc カバーレイフィルム
JP5108825B2 (ja) * 2009-04-24 2012-12-26 信越化学工業株式会社 光半導体装置用シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104025726A (zh) 2014-09-03
WO2013118752A1 (ja) 2013-08-15
JPWO2013118752A1 (ja) 2015-05-11
JP5676785B2 (ja) 2015-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101496061B1 (ko) 금속박 적층체, ｌｅｄ 탑재용 기판 및 광원 장치
JP5676785B2 (ja) カバーレイフィルム、発光素子搭載用基板、及び光源装置
US8742432B2 (en) Metal substrate and light source device
TWI639603B (zh) 含有烯丙基乙炔脲類的組成物
JP5385685B2 (ja) カバーレイフィルム、発光素子搭載用基板及び光源装置
WO2014119693A1 (ja) 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法
JP2010263165A (ja) Ｌｅｄ用反射基板及び発光装置
JP2012256651A (ja) 半導体発光装置用樹脂パッケージ及びその製造方法並びに該樹脂パッケージを有してなる半導体発光装置
WO2015076399A1 (ja) 官能基を有するグリコールウリル類とその利用
JP5919903B2 (ja) 半導体発光装置用パッケージ及び該パッケージを有してなる半導体発光装置並びにそれらの製造方法
JP2009302110A (ja) カバーレイフィルム
JP5230532B2 (ja) 白色フィルム、金属積層体、ｌｅｄ搭載用基板及び光源装置
JP2011195709A (ja) 白色樹脂成形体及びｌｅｄ用リフレクタ
WO2017086334A1 (ja) Ｌｅｄ反射板用ポリエステル組成物、ｌｅｄ反射板、該反射板を備える発光装置
JP2007138016A (ja) 絶縁性白色基板及び光半導体装置
JP2011195710A (ja) 白色樹脂成形体及びｌｅｄ用リフレクタ
JP2009298832A (ja) 白色フィルム及び金属積層体
JP6720470B2 (ja) 蛍光体含有シリコーンシートの製造方法
WO2016017531A1 (ja) 硬化性樹脂組成物及びその硬化物、光半導体素子搭載用基板、並びに光半導体装置
JP5514702B2 (ja) カバーレイフィルム、発光素子搭載用基板及び光源装置
JP6277592B2 (ja) リフレクター用電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、成形体の製造方法、及び半導体発光装置の製造方法
JP2013181123A (ja) リフレクター用樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形方法
KR20160140660A (ko) 반도체 발광 장치 및 광 반도체 실장용 기판
JP2012116003A (ja) 金属積層体、ｌｅｄ搭載用基板及び光源装置
JP2010275404A (ja) ガラスクロス含有白色フィルム、金属積層体及びｌｅｄ搭載用基板

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application