WO2016017531A1 - 硬化性樹脂組成物及びその硬化物、光半導体素子搭載用基板、並びに光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
本発明の目的は、高い反射率（光反射性）を有し、耐熱性に優れる硬化物を形成できる硬化性エポキシ樹脂組成物を提供することにある。 本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、脂環式エポキシ化合物（Ａ）と、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）と、硬化剤（Ｄ）と、硬化促進剤（Ｅ）と、を含む硬化性エポキシ樹脂組成物であって、化合物（Ｂ）の含有量が、脂環式エポキシ化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との総量（１００重量％）に対して、５０～９５重量％であり、かつ、無機充填剤（Ｃ）の含有量が、前記硬化性エポキシ樹脂組成物全量（１００重量％）に対して、３０～９５重量％である。
Description
本発明は、硬化性エポキシ樹脂組成物及びその硬化物、該硬化物により形成されたリフレクターを有する光半導体素子搭載用基板、並びに、該基板と光半導体素子とを有する光半導体装置に関する。本願は、２０１４年７月３１日に、日本に出願した特願２０１４－１５７１９７号の優先権を主張し、その内容をここに援用する。
近年、各種の屋内又は屋外表示板、画像読み取り用光源、交通信号、大型ディスプレイ用ユニット等においては、光半導体素子（ＬＥＤ素子）を光源とする発光装置（光半導体装置）の採用が進んでいる。このような光半導体装置としては、一般に、基板（光半導体素子搭載用基板）上に光半導体素子が搭載され、さらに該光半導体素子が透明な封止材により封止された光半導体装置が普及している。このような光半導体装置における基板には、光半導体素子から発せられる光の取り出し効率を高めるため、光を反射させるための部材（リフレクター）が形成されている。
上記リフレクターには、高い光反射性を有することが求められている。従来、上記リフレクターの構成材としては、テレフタル酸単位を必須の構成単位とするポリアミド樹脂（ポリフタルアミド樹脂）中に、無機フィラー等を分散させた樹脂組成物等が知られている（特許文献１～３参照）。
また、上記リフレクターの構成材としては、その他に、例えば、エポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂と、屈折率１．６～３．０の無機酸化物とを特定割合で含有する光反射用硬化性エポキシ樹脂組成物が知られている（特許文献４参照）。さらに、熱硬化性樹脂成分と１以上の充填剤成分とを含有し、熱硬化性樹脂成分全体の屈折率と各充填剤成分の屈折率との差、及び、各充填剤成分の体積割合より算出されるパラメータを特定範囲に制御した光反射用硬化性エポキシ樹脂組成物が知られている（特許文献５参照）。
しかしながら、特許文献１～３に記載の上記ポリアミド樹脂からなるリフレクターは、特に、高出力の青色光半導体や白色光半導体を光源とする発光装置において、光半導体素子から発せられる光や熱によって経時で黄変するなどして劣化し、十分な光反射性を維持できないという問題を有していた。さらに、鉛フリーハンダの採用に伴い、発光装置の製造の際のリフロー工程（ハンダリフロー工程）における加熱温度がより高くなる傾向にある中、このような製造工程において加わる熱によっても上記リフレクターが経時で劣化し、光反射性が低下するという問題も発生していた。
また、特許文献４、５に記載の光反射用硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物からなるリフレクターにおいては、上記熱硬化性樹脂の主成分としてトリスグリシジルイソシアヌレートが使用されており、耐熱性が十分でなく、光半導体素子から発せられる熱やリフロー工程における熱によって、光反射性が経時で低下するという問題が発生していた。
さらに、上記リフレクターには、上述の耐熱性、耐光性以外にも、切削加工や温度変化（例えば、リフロー工程のような非常に高温での加熱や、冷温サイクルなど）等による応力が加わった場合に、クラック（ひび割れ）を生じにくい（このような特性を「耐クラック性」と称する場合がある）等、強靭であることが求められている。リフレクターにクラックが生じてしまうと、光反射性が低下して（即ち、光の取り出し効率が低下して）、発光装置の信頼性を担保することが困難となるためである。
このため、より高出力、短波長の光や高温によっても劣化やクラック発生等の不具合を生じず、光反射性が経時で低下しにくいリフレクターを形成可能な、耐熱性及び耐光性に優れ、なおかつ強靭な材料が求められているのが現状である。
従って、本発明の目的は、高い反射率（光反射性）を有し、耐熱性に優れる硬化物を形成できる硬化性エポキシ樹脂組成物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、さらに、耐光性に優れ、強靱な硬化物を形成できる硬化性エポキシ樹脂組成物を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、高い反射率を有し、耐熱性に優れる硬化物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、さらに、耐光性に優れ、強靱な硬化物を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、耐熱性に優れ、高い反射率を有するリフレクターを有する光半導体素子搭載用基板を提供することにある。また、本発明の他の目的は、さらに、耐光性に優れ、強靱なリフレクターを有する光半導体素子搭載用基板を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、光の取り出し効率が高く、耐久性の高い光半導体装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、高い反射率を有し、耐熱性に優れる硬化物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、さらに、耐光性に優れ、強靱な硬化物を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、耐熱性に優れ、高い反射率を有するリフレクターを有する光半導体素子搭載用基板を提供することにある。また、本発明の他の目的は、さらに、耐光性に優れ、強靱なリフレクターを有する光半導体素子搭載用基板を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、光の取り出し効率が高く、耐久性の高い光半導体装置を提供することにある。
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、脂環式エポキシ化合物と、特定のイソシアヌル酸誘導体と、無機充填剤と、硬化剤と、硬化促進剤とを含有する硬化性エポキシ樹脂組成物であって、前記イソシアヌル酸誘導体及び無機充填剤を一定量以上含有する硬化性エポキシ樹脂組成物が、反射率が高く、耐熱性に優れる硬化物を形成でき、特に、光半導体素子搭載用基板及び該基板を有する光半導体装置におけるリフレクターを形成するための樹脂組成物（リフレクター形成用樹脂組成物）として有用であることを見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。
すなわち、本発明は、脂環式エポキシ化合物（Ａ）と、下記式（１）
［式（１）中、Ｒ1及びＲ2は水素または炭素数１～８のアルキル基を示す］
で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）と、硬化剤（Ｄ）と、硬化促進剤（Ｅ）とを含む硬化性エポキシ樹脂組成物であって、化合物（Ｂ）の含有量が、脂環式エポキシ化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との総量（１００重量％）に対して、５０～９５重量％であり、かつ、無機充填剤（Ｃ）の含有量が、前記硬化性エポキシ樹脂組成物全量（１００重量％）に対して、３０～９５重量％であることを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）と、硬化剤（Ｄ）と、硬化促進剤（Ｅ）とを含む硬化性エポキシ樹脂組成物であって、化合物（Ｂ）の含有量が、脂環式エポキシ化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との総量（１００重量％）に対して、５０～９５重量％であり、かつ、無機充填剤（Ｃ）の含有量が、前記硬化性エポキシ樹脂組成物全量（１００重量％）に対して、３０～９５重量％であることを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
さらに、白色顔料（Ｆ）を含み、かつ、白色顔料（Ｆ）の含有量が、無機充填剤（Ｃ）及び白色顔料（Ｆ）の合計量に対して、３～４０重量％である前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
さらに、脂環式エポキシ化合物（Ａ）が、シクロヘキセンオキシド基を有する化合物、下記式（ＩＩ）
［式（ＩＩ）中、Ｒ'は、ｐ価のアルコールの構造式からｐ個の水酸基（－ＯＨ）を除いた基（ｐ価の有機基）であり、ｐ、ｎはそれぞれ自然数を表す。］
で表される化合物、及び水素化芳香族グリシジルエーテル系エポキシ化合物からなる群より選択される少なくとも１つである前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
で表される化合物、及び水素化芳香族グリシジルエーテル系エポキシ化合物からなる群より選択される少なくとも１つである前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
さらに、シクロヘキセンオキシド基を有する化合物が、下記式（Ｉ）
［式（Ｉ）中、Ｘは単結合又は連結基（１以上の原子を有する二価の基）を示す。］
で表される化合物である前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
で表される化合物である前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
さらに、脂環式エポキシ化合物（Ａ）が、下記式（Ｉ－１）
で表される化合物である前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
さらに、トランスファー成型用又はコンプレッション成型用樹脂組成物である前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
さらに、リフレクター形成用樹脂組成物である前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
また、本発明は、前記の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化させることにより得られる硬化物を提供する。
また、本発明は、前記の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物により形成されたリフレクターを有する光半導体素子搭載用基板を提供する。
また、本発明は、前記の光半導体素子搭載用基板と、該基板に搭載された光半導体素子とを有する光半導体装置を提供する。
すなわち、本発明は以下に関する。
［１］脂環式エポキシ化合物（Ａ）と、下記式（１）
［式（１）中、Ｒ1及びＲ2は水素または炭素数１～８のアルキル基を示す］
で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）と、硬化剤（Ｄ）と、硬化促進剤（Ｅ）と、を含む硬化性エポキシ樹脂組成物であって、
化合物（Ｂ）の含有量が、脂環式エポキシ化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との総量（１００重量％）に対して、５０～９５重量％であり、かつ、
無機充填剤（Ｃ）の含有量が、前記硬化性エポキシ樹脂組成物全量（１００重量％）に対して、３０～９５重量％である、硬化性エポキシ樹脂組成物。
［２］さらに、白色顔料（Ｆ）を含み、かつ、白色顔料（Ｆ）の含有量が、無機充填剤（Ｃ）及び白色顔料（Ｆ）の合計量に対して、３～４０重量％である［１］に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［３］前記脂環式エポキシ化合物（Ａ）が、シクロヘキセンオキシド基を有する化合物、下記式（ＩＩ）
［式（ＩＩ）中、Ｒ'は、ｐ価のアルコールの構造式からｐ個の水酸基（－ＯＨ）を除いた基（ｐ価の有機基）であり、ｐ、ｎはそれぞれ自然数を表す。］
で表される化合物、及び水素化芳香族グリシジルエーテル系エポキシ化合物からなる群より選択される少なくとも１つである［１］または［２］に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［４］前記シクロヘキセンオキシド基を有する化合物が、下記式（Ｉ）
［式（Ｉ）中、Ｘは単結合又は連結基（１以上の原子を有する二価の基）を示す。］
で表される化合物である［３］に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［５］前記脂環式エポキシ化合物（Ａ）が、下記式（Ｉ－１）
で表される化合物である［１］～［４］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［６］前記硬化剤（Ｄ）が、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、及びメチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物からなる群より選択される少なくとも一つである［１］～［５］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［７］脂環式エポキシ化合物（Ａ）の含有量が、硬化性エポキシ樹脂組成物の全量に対して０．３～１０重量％である［１］～［６］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［８］脂環式エポキシ化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との総量に対する、脂環式エポキシ化合物（Ａ）の使用量が５～５０重量％である［１］～［７］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［９］前記硬化剤（Ｄ）の使用量が、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量（１００重量部）に対して５０～２００重量部である［１］～［８］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［１０］前記硬化促進剤（Ｅ）が、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７、及びその塩、１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン－５、及びその塩、３級アミン、イミダゾール類、ホスホニウム化合物、有機金属塩、及び金属キレートからなる群より選択される少なくとも一種である［１］～［９］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［１１］前記硬化促進剤（Ｅ）の使用量が、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量（１００重量部）に対して０．０５～５重量部である［１］～［１０］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［１２］前記無機充填剤（Ｃ）がシリカである［１］～［１１］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［１３］前記白色顔料（Ｆ）が、無機酸化物及び無機中空粒子からなる群より選択される少なくとも一種である［２］～［１２］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［１４］前記無機充填剤（Ｃ）と白色顔料（Ｆ）とを合わせた使用量が、硬化性エポキシ樹脂組成物の全量に対して６０～９５重量％である［２］～［１３］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［１５］トランスファー成型用又はコンプレッション成型用樹脂組成物である［１］～［１４］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［１６］リフレクター形成用樹脂組成物である［１］～［１５］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［１７］［１］～［１６］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化させることにより得られる硬化物。
［１８］［１７］に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物により形成されたリフレクターを有する光半導体素子搭載用基板。
［１９］［１８］に記載の光半導体素子搭載用基板と、該基板に搭載された光半導体素子とを有する光半導体装置。
［１］脂環式エポキシ化合物（Ａ）と、下記式（１）
で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）と、硬化剤（Ｄ）と、硬化促進剤（Ｅ）と、を含む硬化性エポキシ樹脂組成物であって、
化合物（Ｂ）の含有量が、脂環式エポキシ化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との総量（１００重量％）に対して、５０～９５重量％であり、かつ、
無機充填剤（Ｃ）の含有量が、前記硬化性エポキシ樹脂組成物全量（１００重量％）に対して、３０～９５重量％である、硬化性エポキシ樹脂組成物。
［２］さらに、白色顔料（Ｆ）を含み、かつ、白色顔料（Ｆ）の含有量が、無機充填剤（Ｃ）及び白色顔料（Ｆ）の合計量に対して、３～４０重量％である［１］に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［３］前記脂環式エポキシ化合物（Ａ）が、シクロヘキセンオキシド基を有する化合物、下記式（ＩＩ）
で表される化合物、及び水素化芳香族グリシジルエーテル系エポキシ化合物からなる群より選択される少なくとも１つである［１］または［２］に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［４］前記シクロヘキセンオキシド基を有する化合物が、下記式（Ｉ）
で表される化合物である［３］に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［５］前記脂環式エポキシ化合物（Ａ）が、下記式（Ｉ－１）
［６］前記硬化剤（Ｄ）が、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、及びメチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物からなる群より選択される少なくとも一つである［１］～［５］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［７］脂環式エポキシ化合物（Ａ）の含有量が、硬化性エポキシ樹脂組成物の全量に対して０．３～１０重量％である［１］～［６］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［８］脂環式エポキシ化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との総量に対する、脂環式エポキシ化合物（Ａ）の使用量が５～５０重量％である［１］～［７］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［９］前記硬化剤（Ｄ）の使用量が、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量（１００重量部）に対して５０～２００重量部である［１］～［８］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［１０］前記硬化促進剤（Ｅ）が、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７、及びその塩、１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン－５、及びその塩、３級アミン、イミダゾール類、ホスホニウム化合物、有機金属塩、及び金属キレートからなる群より選択される少なくとも一種である［１］～［９］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［１１］前記硬化促進剤（Ｅ）の使用量が、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量（１００重量部）に対して０．０５～５重量部である［１］～［１０］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［１２］前記無機充填剤（Ｃ）がシリカである［１］～［１１］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［１３］前記白色顔料（Ｆ）が、無機酸化物及び無機中空粒子からなる群より選択される少なくとも一種である［２］～［１２］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［１４］前記無機充填剤（Ｃ）と白色顔料（Ｆ）とを合わせた使用量が、硬化性エポキシ樹脂組成物の全量に対して６０～９５重量％である［２］～［１３］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［１５］トランスファー成型用又はコンプレッション成型用樹脂組成物である［１］～［１４］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［１６］リフレクター形成用樹脂組成物である［１］～［１５］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
［１７］［１］～［１６］のいずれか一つに記載の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化させることにより得られる硬化物。
［１８］［１７］に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物により形成されたリフレクターを有する光半導体素子搭載用基板。
［１９］［１８］に記載の光半導体素子搭載用基板と、該基板に搭載された光半導体素子とを有する光半導体装置。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は上記構成を有するため、該硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物は、高い光反射性を有し、さらに、耐熱性及び耐光性に優れ、なおかつ強靭でクラックが生じにくいため、光反射性が経時で低下しにくい。このため、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、光半導体装置関連の様々な用途、特に、ＬＥＤパッケージ用の光反射用硬化性樹脂組成物として好ましく使用できる。さらに、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物（光反射用硬化性樹脂組成物）の硬化物からなるリフレクター（反射材）は、高い光反射性を長期間発揮し続けることができるため、光半導体素子と上記リフレクターとを少なくとも備える光半導体装置（発光装置）は、長寿命の光半導体装置として高い信頼性を発揮できる。
＜硬化性エポキシ樹脂組成物＞
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、脂環式エポキシ化合物（Ａ）と、下記式（１）
［式（１）中、Ｒ1及びＲ2は水素または炭素数１～８のアルキル基を示す］
で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）と、硬化剤（Ｄ）と、硬化促進剤（Ｅ）とを必須成分として含有し、化合物（Ｂ）の含有量が、脂環式エポキシ化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との総量（１００重量部）に対して５０重量％以上９５重量％以下であり、かつ、無機充填剤（Ｃ）の含有量が、前記硬化性エポキシ樹脂組成物全量（１００重量％）に対して、３０重量％以上９５重量％以下であることを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物である。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、上記必須成分以外にも、必要に応じてその他の成分を含有していてもよい。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、脂環式エポキシ化合物（Ａ）と、下記式（１）
で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）と、硬化剤（Ｄ）と、硬化促進剤（Ｅ）とを必須成分として含有し、化合物（Ｂ）の含有量が、脂環式エポキシ化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との総量（１００重量部）に対して５０重量％以上９５重量％以下であり、かつ、無機充填剤（Ｃ）の含有量が、前記硬化性エポキシ樹脂組成物全量（１００重量％）に対して、３０重量％以上９５重量％以下であることを特徴とする硬化性エポキシ樹脂組成物である。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、上記必須成分以外にも、必要に応じてその他の成分を含有していてもよい。
［脂環式エポキシ化合物（Ａ）］
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成する脂環式エポキシ化合物（Ａ）は、分子内（１分子内）に脂環（脂肪族環）構造とエポキシ基とを少なくとも有する化合物である。より具体的には、脂環式エポキシ化合物（Ａ）には、例えば、（ｉ）脂環を構成する隣接する２つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基（「脂環エポキシ基」と称する場合がある）を有する化合物、（ｉｉ）脂環にエポキシ基が直接単結合で結合している化合物、及び（ｉｉｉ）水素化芳香族グリシジルエーテル系エポキシ化合物等が含まれる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成する脂環式エポキシ化合物（Ａ）は、分子内（１分子内）に脂環（脂肪族環）構造とエポキシ基とを少なくとも有する化合物である。より具体的には、脂環式エポキシ化合物（Ａ）には、例えば、（ｉ）脂環を構成する隣接する２つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基（「脂環エポキシ基」と称する場合がある）を有する化合物、（ｉｉ）脂環にエポキシ基が直接単結合で結合している化合物、及び（ｉｉｉ）水素化芳香族グリシジルエーテル系エポキシ化合物等が含まれる。
（ｉ）脂環を構成する隣接する２つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基（脂環エポキシ基）を有する化合物としては、公知乃至慣用のものの中から任意に選択して使用することができる。中でも、上記化合物は、シクロヘキサン環を構成する隣接する２つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基を有すること、即ち、シクロヘキセンオキシド基を有する化合物（脂環式エポキシ化合物）であることが好ましい。
（ｉ）脂環を構成する隣接する２つの炭素原子と酸素原子とで構成されるエポキシ基（脂環エポキシ基）を有する化合物としては、特に、耐熱性、耐光性の点で、下記式（Ｉ）で表される脂環式エポキシ化合物（脂環式エポキシ樹脂）が好ましい。
式（Ｉ）中、Ｘは単結合又は連結基（１以上の原子を有する二価の基）を示す。上記連結基としては、例えば、二価の炭化水素基、炭素－炭素二重結合の一部又は全部がエポキシ化されたアルケニレン基、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合、カーボネート基、アミド基、これらが複数個連結した基等が挙げられる。なお、式（Ｉ）におけるシクロヘキサン環（シクロヘキセンオキシド基）を構成する炭素原子の１以上には、アルキル基等の置換基が結合していてもよい。
式（Ｉ）中のＸが単結合である脂環式エポキシ化合物としては、３，４，３'，４'－ジエポキシビシクロヘキサン等が挙げられる。
上記二価の炭化水素基としては、例えば、炭素数が１～１８の直鎖又は分岐鎖状のアルキレン基、二価の脂環式炭化水素基等が挙げられる。炭素数が１～１８の直鎖又は分岐鎖状のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、メチルメチレン基、ジメチルメチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基等が挙げられる。二価の脂環式炭化水素基としては、例えば、１，２－シクロペンチレン基、１，３－シクロペンチレン基、シクロペンチリデン基、１，２－シクロヘキシレン基、１，３－シクロヘキシレン基、１，４－シクロヘキシレン基、シクロヘキシリデン基等の二価のシクロアルキレン基（シクロアルキリデン基を含む）などが挙げられる。
上記炭素－炭素二重結合の一部又は全部がエポキシ化されたアルケニレン基（「エポキシ化アルケニレン基」と称する場合がある）におけるアルケニレン基としては、例えば、ビニレン基、プロペニレン基、１－ブテニレン基、２－ブテニレン基、ブタジエニレン基、ペンテニレン基、ヘキセニレン基、ヘプテニレン基、オクテニレン基等の炭素数２～８の直鎖又は分岐鎖状のアルケニレン基等が挙げられる。特に、上記エポキシ化アルケニレン基としては、炭素－炭素二重結合の全部がエポキシ化されたアルケニレン基が好ましく、より好ましくは炭素－炭素二重結合の全部がエポキシ化された炭素数２～４のアルケニレン基である。
上記連結基Ｘとしては、特に、酸素原子を含有する連結基が好ましく、具体的には、－ＣＯ－、－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－Ｏ－、－ＣＯＮＨ－、エポキシ化アルケニレン基；これらの基が複数個連結した基；これらの基の１又は２以上と二価の炭化水素基の１又は２以上とが連結した基等が挙げられる。二価の炭化水素基としては上記で例示したものが挙げられる。
上記式（Ｉ）で表される脂環式エポキシ化合物の代表的な例としては、下記式（Ｉ－１）～（Ｉ－１０）で表される化合物、ビス（３，４－エポキシシクロヘキシルメチル）エーテル、１，２－ビス（３，４－エポキシシクロヘキサン－１－イル）エタン、１，２－エポキシ－１，２－ビス（３，４－エポキシシクロヘキサン－１－イル）エタン、２，２－ビス（３，４－エポキシシクロヘキサン－１－イル）プロパンなどが挙げられる。これらの化合物として、例えば、商品名「セロキサイド２０２１Ｐ」、「セロキサイド２０８１」（（株）ダイセル製）等の市販品を使用することもできる。なお、下記式（Ｉ－５）、（Ｉ－７）中のｌ、ｍは、それぞれ１～３０の整数を表す。下記式（Ｉ－５）中のＲは炭素数１～８のアルキレン基であり、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、ｓ－ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基等の直鎖又は分岐鎖状アルキレン基が挙げられる。これらの中でも、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基等の炭素数１～３の直鎖又は分岐鎖状アルキレン基が好ましい。また、下記式（Ｉ－９）、（Ｉ－１０）中のｎ１～ｎ６は、それぞれ１～３０の整数を示す。なお、ビス（３，４－エポキシシクロヘキシルメチル）エーテルは、例えば、国際公開第２０１４／１８１７８７号に記載の方法、又はこれに準じた方法により製造することができる。
（ｉｉ）脂環にエポキシ基が直接単結合で結合している化合物としては、例えば、下記式（ＩＩ）で表される化合物が挙げられる。
式（ＩＩ）中、Ｒ'はｐ価のアルコールからｐ個の－ＯＨを除した基であり、ｐ、ｎは、それぞれ自然数を表す。ｐ価のアルコール［Ｒ'－（ＯＨ）p］としては、例えば、炭素数１～１５のアルコール等が挙げられ、より具体的には、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）－１－ブタノール等の多価アルコールなどが挙げられる。ｐは１～６が好ましく、ｎは１～３０が好ましい。ｐが２以上の場合、それぞれの（ ）内（丸括弧内）の基におけるｎは同一でもよく異なっていてもよい。上記化合物としては、具体的には、２，２－ビス（ヒドロキシメチル）－１－ブタノールの１，２－エポキシ－４－（２－オキシラニル）シクロヘキサン付加物、商品名「ＥＨＰＥ３１５０」（（株）ダイセル製）などが挙げられる。
（ｉｉｉ）水素化芳香族グリシジルエーテル系エポキシ化合物としては、例えば、２，２－ビス［４－（２，３－エポキシプロポキシ）シクロへキシル］プロパン、２，２－ビス［３，５－ジメチル－４－（２，３－エポキシプロポキシ）シクロへキシル］プロパンなどのビスフェノールＡ型エポキシ化合物を水素化した化合物（核水添ビスフェノールＡ型エポキシ化合物）；ビス［ｏ，ｏ－（２，３－エポキシプロポキシ）シクロへキシル］メタン、ビス［ｏ，ｐ－（２，３－エポキシプロポキシ）シクロへキシル］メタン、ビス［ｐ，ｐ－（２，３－エポキシプロポキシ）シクロへキシル］メタン、ビス［３，５－ジメチル－４－（２，３－エポキシプロポキシ）シクロへキシル］メタンなどのビスフェノールＦ型エポキシ化合物を水素化した化合物（核水添ビスフェノールＦ型エポキシ化合物）；水添ビフェノール型エポキシ化合物；水添フェノールノボラック型エポキシ化合物；水添クレゾールノボラック型エポキシ化合物；ビスフェノールＡのクレゾールノボラック型エポキシ化合物の水添エポキシ化合物；水添ナフタレン型エポキシ化合物；トリスフェノールメタンから得られるエポキシ化合物の水添エポキシ化合物などが挙げられる。
脂環式エポキシ化合物（Ａ）は単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。上記の中でも、脂環式エポキシ化合物（Ａ）としては、上記式（Ｉ－１）で表される３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（３，４－エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート、商品名「セロキサイド２０２１Ｐ」が特に好ましい。
また、脂環式エポキシ化合物（Ａ）とモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）との総量（１００重量％）に対する、脂環式エポキシ化合物（Ａ）の使用量（含有量）は、５～５０重量％が好ましく、より好ましくは１０～５０重量％、さらに好ましくは２０～５０重量％、特に好ましくは３０～５０重量％である。脂環式エポキシ化合物（Ａ）の使用量が５重量％未満では、リフロー後の反射率が低下する場合がある。一方、脂環式エポキシ化合物（Ａ）の使用量が５０重量％を超えると、硬化物の強靭性が低下し、クラックが生じやすくなる場合がある。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物における脂環式エポキシ化合物（Ａ）の含有量（配合量）は、硬化性エポキシ樹脂組成物の全量（１００重量％）に対して、０．３～１０重量％が好ましく、より好ましくは０．３～７重量％、さらに好ましくは０．５～５重量％である。脂環式エポキシ化合物（Ａ）の含有量が０．３重量％未満であると、配合物（硬化性エポキシ樹脂組成物）の流動性が不足してトランスファー成型で未充填になる場合があったり、硬化物の耐熱性及び耐候性（耐黄変製）が不十分となる傾向がある。一方、脂環式エポキシ化合物（Ａ）の含有量が１０重量％を超えると、硬化物の線膨張係数が大きくなり、リードフレームとの間に反りが発生しやすくなる場合がある。
［モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）］
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成するモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）は、下記の一般式（１）で表される。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成するモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）は、下記の一般式（１）で表される。
上記式（１）中、Ｒ1及びＲ2は、同一又は異なって、水素原子又は炭素数１～８のアルキル基を示す。
炭素数１～８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の直鎖又は分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等の炭素数１～３の直鎖又は分岐鎖状のアルキル基が好ましい。上記式（１）中のＲ1及びＲ2は、水素原子であることが特に好ましい。
モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）の代表的な例としては、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、１－アリル－３，５－ビス（２－メチルエポキシプロピル）イソシアヌレート、１－（２－メチルプロペニル）－３，５－ジグリシジルイソシアヌレート、１－（２－メチルプロペニル）－３，５－ビス（２－メチルエポキシプロピル）イソシアヌレート等が挙げられる。なお、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）は単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
また、脂環式エポキシ化合物（Ａ）とモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）との総量（１００重量％）に対する、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）の使用量（含有量）は、５０～９５重量％であり、好ましくは５０～９０重量％、より好ましくは５０～８０重量％、さらに好ましくは５０～７０重量％である。モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）の使用量が５０重量％未満では、硬化物の強靭性が低下し、クラックが生じやすくなる傾向がある。一方、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）の使用量が９５重量％を超えると、リフロー後の反射率が低下する傾向がある。
［無機充填剤（Ｃ）］
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物の必須成分である無機充填剤（Ｃ）を含有することにより、無機充填剤（Ｃ）は成形性を向上させる役割を担う。無機充填剤（Ｃ）としては、公知乃至慣用の無機充填剤（Ｃ）を使用することができ、特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ等が挙げられる。成形性の観点から、無機充填剤（Ｃ）としては、シリカ（特に、シリカフィラー）が好ましい。無機充填剤（Ｃ）の平均粒径は、１～１００μｍであることが好ましい。なお、本明細書において、無機充填剤（Ｃ）には、下記白色顔料（Ｆ）は含まれない。また、上記平均粒径は、レーザー回折・散乱法で測定した粒度分布における積算値５０％での粒径（メディアン径）を意味する。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物の必須成分である無機充填剤（Ｃ）を含有することにより、無機充填剤（Ｃ）は成形性を向上させる役割を担う。無機充填剤（Ｃ）としては、公知乃至慣用の無機充填剤（Ｃ）を使用することができ、特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ等が挙げられる。成形性の観点から、無機充填剤（Ｃ）としては、シリカ（特に、シリカフィラー）が好ましい。無機充填剤（Ｃ）の平均粒径は、１～１００μｍであることが好ましい。なお、本明細書において、無機充填剤（Ｃ）には、下記白色顔料（Ｆ）は含まれない。また、上記平均粒径は、レーザー回折・散乱法で測定した粒度分布における積算値５０％での粒径（メディアン径）を意味する。
無機充填剤（Ｃ）の使用量（含有量）は、硬化性エポキシ樹脂組成物全量（１００重量％）に対して、３０～９５重量％であり、好ましくは４０～８５重量％である。無機充填剤（Ｃ）の使用量が、３０重量％を下回ると、硬化物の線膨張係数が低減されなかったり、硬化物の強度が不足する傾向がある。一方、無機充填剤（Ｃ）の使用量が、９５重量％を上回る量では、物理的に充填できない。
［硬化剤（Ｄ）］
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成する硬化剤（Ｄ）は、エポキシ基を有する化合物を硬化させる役割を担う。硬化剤（Ｄ）としては、エポキシ樹脂用硬化剤として公知乃至慣用の硬化剤を使用することができる。硬化剤（Ｄ）としては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物などが挙げられる。なお、硬化剤（Ｄ）は単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。硬化剤（Ｄ）としては、耐熱性、耐光性、耐クラック性の観点で、特に、飽和単環炭化水素ジカルボン酸の無水物（環にアルキル基等の置換基が結合したものも含む）が好ましい。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を構成する硬化剤（Ｄ）は、エポキシ基を有する化合物を硬化させる役割を担う。硬化剤（Ｄ）としては、エポキシ樹脂用硬化剤として公知乃至慣用の硬化剤を使用することができる。硬化剤（Ｄ）としては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物などが挙げられる。なお、硬化剤（Ｄ）は単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。硬化剤（Ｄ）としては、耐熱性、耐光性、耐クラック性の観点で、特に、飽和単環炭化水素ジカルボン酸の無水物（環にアルキル基等の置換基が結合したものも含む）が好ましい。
また、本発明においては、硬化剤（Ｄ）として、商品名「リカシッド ＭＨ－７００」（新日本理化（株）製）、商品名「ＨＮ－５５００」（日立化成工業（株）製）等の市販品を使用することもできる。
硬化剤（Ｄ）の使用量（含有量）は、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量（１００重量部）に対して、５０～２００重量部が好ましく、より好ましくは１００～１４５重量部である。より具体的には、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物中に含有する全てのエポキシ基を有する化合物におけるエポキシ基１当量当たり、０．５～１．５当量となる割合で使用することが好ましい。硬化剤（Ｄ）の使用量が５０重量部を下回ると、硬化が不十分となり、硬化物の強靱性が低下する傾向がある。一方、硬化剤（Ｄ）の使用量が２００重量部を上回ると、硬化物が着色して色相が悪化する場合がある。
［硬化促進剤（Ｅ）］
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物において硬化促進剤（Ｅ）は、エポキシ基を有する化合物が硬化剤（Ｄ）により硬化する際に、硬化速度を促進する機能を有する化合物である。硬化促進剤（Ｅ）としては、公知乃至慣用の硬化促進剤を使用することができ、特に限定されないが、例えば、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７（ＤＢＵ）、及びその塩（例えば、フェノール塩、オクチル酸塩、ｐ－トルエンスルホン酸塩、ギ酸塩、テトラフェニルボレート塩）；１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン－５（ＤＢＮ）、及びその塩（例えば、フェノール塩、オクチル酸塩、ｐ－トルエンスルホン酸塩、ギ酸塩、テトラフェニルボレート塩）；ベンジルジメチルアミン、２，４，６－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、Ｎ，Ｎ－ジメチルシクロヘキシルアミンなどの３級アミン；２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾールなどのイミダゾール類；リン酸エステル、トリフェニルホスフィンなどのホスフィン類；テトラフェニルホスホニウムテトラ（ｐ－トリル）ボレートなどのホスホニウム化合物；オクチル酸スズ、オクチル酸亜鉛などの有機金属塩；金属キレートなどが挙げられる。なお、硬化促進剤（Ｅ）は単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物において硬化促進剤（Ｅ）は、エポキシ基を有する化合物が硬化剤（Ｄ）により硬化する際に、硬化速度を促進する機能を有する化合物である。硬化促進剤（Ｅ）としては、公知乃至慣用の硬化促進剤を使用することができ、特に限定されないが、例えば、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７（ＤＢＵ）、及びその塩（例えば、フェノール塩、オクチル酸塩、ｐ－トルエンスルホン酸塩、ギ酸塩、テトラフェニルボレート塩）；１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン－５（ＤＢＮ）、及びその塩（例えば、フェノール塩、オクチル酸塩、ｐ－トルエンスルホン酸塩、ギ酸塩、テトラフェニルボレート塩）；ベンジルジメチルアミン、２，４，６－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、Ｎ，Ｎ－ジメチルシクロヘキシルアミンなどの３級アミン；２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾールなどのイミダゾール類；リン酸エステル、トリフェニルホスフィンなどのホスフィン類；テトラフェニルホスホニウムテトラ（ｐ－トリル）ボレートなどのホスホニウム化合物；オクチル酸スズ、オクチル酸亜鉛などの有機金属塩；金属キレートなどが挙げられる。なお、硬化促進剤（Ｅ）は単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
また、本発明においては、硬化促進剤（Ｅ）として、商品名「Ｕ－ＣＡＴ ＳＡ ５０６」、「Ｕ－ＣＡＴ ＳＡ １０２」、「Ｕ－ＣＡＴ ５００３」、「Ｕ－ＣＡＴ １８Ｘ」、「１２ＸＤ（開発品）」（以上、サンアプロ（株）製）、商品名「ＴＰＰ－Ｋ」、「ＴＰＰ－ＭＫ」（以上、北興化学工業（株）製）、商品名「ＰＸ－４ＥＴ」（日本化学工業（株）製）等の市販品を使用することもできる。
硬化促進剤（Ｅ）の使用量（含有量）は、特に限定されないが、硬化性エポキシ樹脂組成物中に含まれるエポキシ基を有する化合物の全量（１００重量部）に対して、０．０５～５重量部が好ましく、より好ましくは０．１～３重量部、さらに好ましくは０．２～３重量部、特に好ましくは０．２５～２．５重量部である。硬化促進剤（Ｅ）の使用量が０．０５重量部を下回ると、硬化促進効果が不十分となる場合がある。一方、硬化促進剤（Ｅ）の使用量が５重量部を上回ると、硬化物が着色して色相が悪化する場合がある。
［白色顔料（Ｆ）］
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物の白色顔料（Ｆ）は、上記硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化して得られる硬化物に対し、高い光反射性を発揮させる役割を担う。白色顔料（Ｆ）としては、公知乃至慣用の白色顔料を使用することができ、特に限定されないが、例えば、ガラス、クレー、雲母、タルク、カオリナイト（カオリン）、ハロイサイト、ゼオライト、酸性白土、活性白土、ベーマイト、擬ベーマイト、無機酸化物、アルカリ土類金属塩等の金属塩などの無機白色顔料；スチレン系樹脂、ベンゾグアナミン系樹脂、尿素－ホルマリン系樹脂、メラミン－ホルマリン系樹脂、アミド系樹脂等の樹脂顔料などの有機白色顔料（プラスチックピグメントなど）；中空構造（バルーン構造）を有する中空粒子などが挙げられる。これらの白色顔料は単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物の白色顔料（Ｆ）は、上記硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化して得られる硬化物に対し、高い光反射性を発揮させる役割を担う。白色顔料（Ｆ）としては、公知乃至慣用の白色顔料を使用することができ、特に限定されないが、例えば、ガラス、クレー、雲母、タルク、カオリナイト（カオリン）、ハロイサイト、ゼオライト、酸性白土、活性白土、ベーマイト、擬ベーマイト、無機酸化物、アルカリ土類金属塩等の金属塩などの無機白色顔料；スチレン系樹脂、ベンゾグアナミン系樹脂、尿素－ホルマリン系樹脂、メラミン－ホルマリン系樹脂、アミド系樹脂等の樹脂顔料などの有機白色顔料（プラスチックピグメントなど）；中空構造（バルーン構造）を有する中空粒子などが挙げられる。これらの白色顔料は単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
白色顔料（Ｆ）の使用量（含有量）は、無機充填剤（Ｃ）及び白色顔料（Ｆ）の合計量（１００重量％）に対して、３～４０重量％が好ましく、より好ましくは１０～３０重量％である。白色顔料（Ｆ）の使用量が３重量％を下回ると、初期反射率が低下しリフレクター材として適さなくなる。一方、白色顔料（Ｆ）の使用量が４０重量％を上回ると流動性が低下し未充填になる傾向がある。
また、無機充填剤（Ｃ）と白色顔料（Ｆ）とを合わせた使用量（含有量）は、硬化性エポキシ樹脂組成物の全量（１００重量％）に対して、６０～９５重量％が好ましく、より好ましくは７０～９０重量％である。無機充填剤（Ｃ）と白色顔料（Ｆ）の合計量が、硬化性エポキシ樹脂組成物の全量（１００重量％）に対して、６０重量％を下回ると線膨張係数が大きくなりリードフレームに成形した場合、反りが発生する傾向があり、一方、９５重量％を上回ると流動性が悪くなり未充填が発生しやすくなる傾向がある。
上記無機酸化物としては、例えば、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン（ルチル型酸化チタン、アナターゼ型酸化チタン、ブルッカイト型酸化チタン）、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化ケイ素（二酸化ケイ素）などが挙げられる。また、上記アルカリ土類金属塩としては、例えば、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、水酸化マグネシウム、リン酸マグネシウム、リン酸水素マグネシウム、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウムなどが挙げられる。また、アルカリ土類金属塩以外の金属塩としては、例えば、ケイ酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、硫化亜鉛などが挙げられる。
上記中空粒子としては、特に限定されないが、例えば、無機ガラス（例えば、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス、石英など）、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸ニッケル、珪酸カルシウム等の金属塩などの無機物により構成された無機中空粒子（シラスバルーンなどの天然物も含む）；スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、アクリル－スチレン系樹脂、塩化ビニル系樹脂、塩化ビニリデン系樹脂、アミド系樹脂、ウレタン系樹脂、フェノール系樹脂、スチレン－共役ジエン系樹脂、アクリル－共役ジエン系樹脂、オレフィン系樹脂等のポリマー（これらポリマーの架橋体も含む）などの有機物により構成された有機中空粒子；無機物と有機物のハイブリッド材料により構成された無機－有機中空粒子などが挙げられる。なお、上記中空粒子は、単一の材料より構成されたものであってもよいし、２種以上の材料より構成されたものであってもよい。また、上記中空粒子の中空部（中空粒子の内部の空間）は、真空状態であってもよいし、媒質で満たされていてもよいが、特に、反射率向上の観点では、屈折率が低い媒質（例えば、窒素、アルゴン等の不活性ガスや空気等）で満たされた中空粒子が好ましい。
なお、白色顔料（Ｆ）は、公知乃至慣用の表面処理（例えば、金属酸化物、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、有機酸、ポリオール、シリコーン等の表面処理剤による表面処理など）が施されたものであってもよい。このような表面処理を施すことにより、硬化性エポキシ樹脂組成物における白色顔料（Ｆ）の他の成分との相溶性や分散性を向上させることができる場合がある。
中でも、白色顔料（Ｆ）としては、入手性、耐熱性、耐光性の観点で、無機酸化物、無機中空粒子が好ましく、より好ましくは酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、及び無機中空粒子からなる群より選ばれた１種以上の白色顔料である。特に、白色顔料（Ｆ）としては、より高い屈折率を有する点で、酸化チタンが好ましい。
白色顔料（Ｆ）の形状は、特に限定されないが、例えば、球状、破砕状、繊維状、針状、鱗片状、ウィスカー状などが挙げられる。中でも、白色顔料（Ｆ）の分散性の観点で、球状の白色顔料が好ましく、特に真球状の白色顔料（例えば、アスペクト比が１．２以下の球状の白色顔料）が好ましい。
白色顔料（Ｆ）の中心粒径は、特に限定されないが、光反射性向上の観点で、０．１～５０μｍが好ましい。特に、白色顔料（Ｆ）として無機酸化物を用いる場合、該無機酸化物の中心粒径は、特に限定されないが、０．１～５０μｍが好ましく、より好ましくは０．１～３０μｍ、さらに好ましくは０．１～２０μｍ、特に好ましくは０．１～１０μｍ、最も好ましくは０．１～５μｍである。一方、白色顔料（Ｆ）として中空粒子（特に、無機中空粒子）を用いる場合、該中空粒子の中心粒径は、特に限定されないが、０．１～５０μｍが好ましく、より好ましくは０．１～３０μｍである。なお、上記中心粒径は、レーザー回折・散乱法で測定した粒度分布における積算値５０％での粒径（メディアン径）を意味する。
なお、白色顔料（Ｆ）は、公知乃至慣用の製造方法により製造することができる。また、白色顔料（Ｆ）としては、市販品を用いることもでき、例えば、商品名「ＳＲ－１」、「Ｒ－４２」、「Ｒ－４５Ｍ」、「Ｒ－６５０」、「Ｒ－３２」、「Ｒ－５Ｎ」、「ＧＴＲ－１００」、「Ｒ－６２Ｎ」、「Ｒ－７Ｅ」、「Ｒ－４４」、「Ｒ－３Ｌ」、「Ｒ－１１Ｐ」、「Ｒ－２１」、「Ｒ－２５」、「ＴＣＲ－５２」、「Ｒ－３１０」、「Ｄ－９１８」、「ＦＴＲ－７００」（以上、堺化学工業（株）製）、商品名「タイペークＣＲ－５０」、「ＣＲ－５０－２」、「ＣＲ－６０」、「ＣＲ－６０－２」、「ＣＲ－６３」、「ＣＲ－８０」、「ＣＲ－９０」、「ＣＲ－９０－２」、「ＣＲ－９３」、「ＣＲ－９５」、「ＣＲ－９７」（以上、石原産業（株）製）、商品名「ＪＲ－３０１」、「ＪＲ－４０３」、「ＪＲ－４０５」、「ＪＲ－６００Ａ」、「ＪＲ－６０５」、「ＪＲ－６００Ｅ」、「ＪＲ－６０３」、「ＪＲ－８０５」、「ＪＲ－８０６」、「ＪＲ－７０１」、「ＪＲＮＣ」、「ＪＲ－８００」、「ＪＲ」（以上、テイカ（株）製）、商品名「ＴＲ－６００」、「ＴＲ－７００」、「ＴＲ－７５０」、「ＴＲ－８４０」、「ＴＲ－９００」（以上、富士チタン工業（株）製）、商品名「ＫＲ－３１０」、「ＫＲ－３８０」、「ＫＲ－３８０Ｎ」（以上、チタン工業（株）製）、商品名「ＳＴ－４１０ＷＢ」、「ＳＴ－４５５」、「ＳＴ－４５５ＷＢ」、「ＳＴ－４５７ＳＡ」、「ＳＴ－４５７ＥＣ」、「ＳＴ－４８５ＳＡ１５」、「ＳＴ－４８６ＳＡ」、「ＳＴ－４９５Ｍ」（以上、チタン工業（株）製）などのルチル型酸化チタン；商品名「Ａ－１１０」、「ＴＣＡ－１２３Ｅ」、「Ａ－１９０」、「Ａ－１９７」、「ＳＡ－１」、「ＳＡ－１Ｌ」、「ＳＳＰシリーズ」、「ＣＳＢシリーズ」（以上、堺化学工業（株）製）、商品名「ＪＡ－１」、「ＪＡ－Ｃ」、「ＪＡ－３」（以上、テイカ（株）製）、商品名「ＫＡ－１０」、「ＫＡ－１５」、「ＫＡ－２０」、「ＳＴＴ－６５Ｃ－Ｓ」、「ＳＴＴ－３０ＥＨＪ」（以上、チタン工業（株）製）などのアナターゼ型酸化チタンなどが使用できる。
［その他のエポキシ化合物］
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、脂環式エポキシ化合物（Ａ）以外のエポキシ化合物（「その他のエポキシ化合物」と称する場合がある）を含んでいてもよい。上記その他のエポキシ化合物としては、公知乃至慣用のエポキシ化合物が挙げられ、特に限定されないが、例えば、芳香族グリシジルエーテル系エポキシ化合物［例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビフェノール型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ビスフェノールＡのクレゾールノボラック型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、トリスフェノールメタンから得られるエポキシ化合物等］等の芳香族エポキシ化合物等が挙げられる。なお、その他のエポキシ化合物は１種を単独で使用することもできるし、２種以上を組み合わせて使用することもできる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、脂環式エポキシ化合物（Ａ）以外のエポキシ化合物（「その他のエポキシ化合物」と称する場合がある）を含んでいてもよい。上記その他のエポキシ化合物としては、公知乃至慣用のエポキシ化合物が挙げられ、特に限定されないが、例えば、芳香族グリシジルエーテル系エポキシ化合物［例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビフェノール型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ビスフェノールＡのクレゾールノボラック型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、トリスフェノールメタンから得られるエポキシ化合物等］等の芳香族エポキシ化合物等が挙げられる。なお、その他のエポキシ化合物は１種を単独で使用することもできるし、２種以上を組み合わせて使用することもできる。
［添加剤］
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、上記以外にも、本発明の効果を損なわない範囲で各種添加剤を使用することができる。添加剤としては、例えば、消泡剤、レベリング剤、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシランや３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤、酸化防止剤、離型剤、界面活性剤、難燃剤、紫外線吸収剤、イオン吸着体、蛍光体などの慣用の添加剤を使用することができる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、上記以外にも、本発明の効果を損なわない範囲で各種添加剤を使用することができる。添加剤としては、例えば、消泡剤、レベリング剤、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシランや３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤、酸化防止剤、離型剤、界面活性剤、難燃剤、紫外線吸収剤、イオン吸着体、蛍光体などの慣用の添加剤を使用することができる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、特に限定されないが、上述の各成分を、必要に応じて加熱した状態で配合及び混練することにより調製することができる。上記混練の方法は、特に限定されず、例えば、ディゾルバー、ホモジナイザー等の各種ミキサー、ニーダー、ロール、ビーズミル、自公転式撹拌装置等の公知乃至慣用の混練手段を使用できる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物が室温（例えば、２５℃）で固体として得られる場合、該硬化性エポキシ樹脂組成物は、特に、トランスファー成型用樹脂組成物やコンプレッション成型用樹脂組成物として好ましく使用できる。具体的には、例えば、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を調製する際にタブレット状に成型することによって、これらトランスファー成型又はコンプレッション成型用樹脂組成物として使用できる。また、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物が室温（例えば、２５℃）で粘土状として得られる場合、該硬化性エポキシ樹脂組成物は、コンプレッション成型用樹脂組成物として使用でき、一方、トランスファー成型用樹脂組成物とするには、加熱処理（例えば、２５℃で２４時間、または４０℃で５時間など）を行ってもよい。
なお、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物をさらに加熱して、該硬化性エポキシ樹脂組成物におけるエポキシ基を有する化合物の一部を反応させることによって、Ｂステージ化した硬化性エポキシ樹脂組成物（Ｂステージ状態の硬化性エポキシ樹脂組成物）を得ることもできる。
＜硬化物＞
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物（又はＢステージ状態の硬化性エポキシ樹脂組成物）を加熱によって硬化させることにより、金型（例えば、トランスファー成型用金型、コンプレッション成型用金型等）からの離型性に優れ、高い反射率を有し、耐熱性及び耐光性に優れ、なおかつ強靭な硬化物（「本発明の硬化物」と称する場合がある）を得ることができる。硬化の際の加熱温度（硬化温度）は、特に限定されないが、１００～２００℃が好ましく、より好ましくは１５０～１９０℃である。また、硬化の際に加熱する時間（加熱時間）は、特に限定されないが、４０～３００秒が好ましく、より好ましくは６０～１２０秒である。硬化温度と硬化時間が上記範囲の下限値より低い場合は硬化が不十分となり、逆に上記範囲の上限値より高い場合は熱分解による黄変が発生したり、タクトタイムが長くなり生産性が低下するので、いずれも好ましくない。硬化条件は種々の条件に依存するが、例えば、硬化温度を高くした場合は硬化時間を短く、硬化温度を低くした場合は硬化時間を長くする等により、適宜調整することができる。また、加熱硬化処理は１段階（例えば、トランスファー成型のみ）で行ってもよいし、例えば、トランスファー成型後にポストキュアー（２次硬化）としてオーブン等でさらに加熱してもよい。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物（又はＢステージ状態の硬化性エポキシ樹脂組成物）を加熱によって硬化させることにより、金型（例えば、トランスファー成型用金型、コンプレッション成型用金型等）からの離型性に優れ、高い反射率を有し、耐熱性及び耐光性に優れ、なおかつ強靭な硬化物（「本発明の硬化物」と称する場合がある）を得ることができる。硬化の際の加熱温度（硬化温度）は、特に限定されないが、１００～２００℃が好ましく、より好ましくは１５０～１９０℃である。また、硬化の際に加熱する時間（加熱時間）は、特に限定されないが、４０～３００秒が好ましく、より好ましくは６０～１２０秒である。硬化温度と硬化時間が上記範囲の下限値より低い場合は硬化が不十分となり、逆に上記範囲の上限値より高い場合は熱分解による黄変が発生したり、タクトタイムが長くなり生産性が低下するので、いずれも好ましくない。硬化条件は種々の条件に依存するが、例えば、硬化温度を高くした場合は硬化時間を短く、硬化温度を低くした場合は硬化時間を長くする等により、適宜調整することができる。また、加熱硬化処理は１段階（例えば、トランスファー成型のみ）で行ってもよいし、例えば、トランスファー成型後にポストキュアー（２次硬化）としてオーブン等でさらに加熱してもよい。
また、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物の線膨張係数は、特に限定されないが、１０～３０ｐｐｍ／℃が好ましく、より好ましくは１０～２０ｐｐｍ／℃、さらに好ましくは１１～１８ｐｐｍ／℃である。線膨張係数が３０ｐｐｍ／℃を超えると、リードフレームとの間に反りが発生しやすくなる。また、線膨張係数が１０ｐｐｍ／℃未満であるとリードフレームとの間に反りが発生しやすくなったり、無機充填剤が多すぎることにより流動性が低下して成形不良（未充填）が発生する傾向がある。なお、上記線膨張係数はＪＩＳ Ｋ７１９７に準拠して測定される。
＜リフレクター形成用樹脂組成物＞
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、光半導体装置における光半導体素子の基板（光半導体素子搭載用基板）が有するリフレクター（光反射部材）を形成するための材料（リフレクター形成用樹脂組成物）として好ましく使用できる。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物をリフレクター用樹脂組成物として使用することにより、金型からの離型性に優れるために生産性が高く、高い反射率を有し、耐熱性及び耐光性に優れ、なおかつ強靭なリフレクターを有する光半導体素子搭載用基板を製造することができる。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、光半導体装置における光半導体素子の基板（光半導体素子搭載用基板）が有するリフレクター（光反射部材）を形成するための材料（リフレクター形成用樹脂組成物）として好ましく使用できる。本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物をリフレクター用樹脂組成物として使用することにより、金型からの離型性に優れるために生産性が高く、高い反射率を有し、耐熱性及び耐光性に優れ、なおかつ強靭なリフレクターを有する光半導体素子搭載用基板を製造することができる。
＜光半導体素子搭載用基板＞
本発明の光半導体素子搭載用基板は、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物（本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化させることにより得られる硬化物）により形成されたリフレクターを少なくとも有する基板である。図１は、本発明の光半導体素子搭載用基板の一例を示す概略図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図を示す。図１における１００はリフレクター、１０１は金属配線（リードフレーム）、１０２は光半導体素子の搭載領域を示す。本発明の光半導体素子搭載用基板においてリフレクター１００は、光半導体素子の搭載領域１０２の周囲を環状に取り囲み、上方に向かってその環の径が拡大するように傾斜した凹状の形状を有している。本発明の光半導体素子搭載用基板は、上記凹状の形状の内側の表面が少なくとも本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物により形成されていればよい。
本発明の光半導体素子搭載用基板は、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物（本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化させることにより得られる硬化物）により形成されたリフレクターを少なくとも有する基板である。図１は、本発明の光半導体素子搭載用基板の一例を示す概略図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図を示す。図１における１００はリフレクター、１０１は金属配線（リードフレーム）、１０２は光半導体素子の搭載領域を示す。本発明の光半導体素子搭載用基板においてリフレクター１００は、光半導体素子の搭載領域１０２の周囲を環状に取り囲み、上方に向かってその環の径が拡大するように傾斜した凹状の形状を有している。本発明の光半導体素子搭載用基板は、上記凹状の形状の内側の表面が少なくとも本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物により形成されていればよい。
本発明の光半導体素子搭載用基板におけるリフレクターを形成する方法としては、公知乃至慣用の成型方法を利用することができ、特に限定されないが、例えば、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物（リフレクター形成用樹脂組成物）を、トランスファー成型、コンプレッション成型、インジェクション成型、ＬＩＭ成型（インジェクション成型）、ディスペンスによるダム成型等の各種成型方法に付す方法等が挙げられる。
具体的には、例えば、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物（リフレクター形成用樹脂組成物）を所定の金型（トランスファー成型用金型、コンプレッション成型用金型等）内に注入し、加熱硬化することにより、リフレクターを形成することができる。この際の加熱硬化条件としては、例えば、上述の硬化物を形成する際の条件から適宜選択することができる。
本発明の光半導体素子搭載用基板を光半導体装置の基板として使用し、該基板に対して光半導体素子を搭載することによって、本発明の光半導体装置が得られる。
＜光半導体装置＞
本発明の光半導体装置は、本発明の光半導体素子搭載用基板と、該基板に搭載された光半導体素子とを少なくとも有する光半導体装置である。本発明の光半導体装置は、リフレクターとして本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物により形成されたリフレクターを有するため、光の取り出し効率が高く、また、経時で光度が低下しにくい等、耐久性にも優れる。図２は、本発明の光半導体装置の一例を示す概略図（断面図）である。図２における１００はリフレクター、１０２は金属配線（リードフレーム）、１０３はボンディングワイヤ、１０４は封止材、１０５はダイボンディング材、１０６は光半導体素子（ＬＥＤ素子）を示す。図２に示す光半導体装置においては、光半導体素子１０６から発せられた光がリフレクター１００の表面（反射面）で反射されるため、高い効率で光半導体素子１０６からの光が取り出される。なお、図２に示すように、本発明の光半導体装置における光半導体素子は、通常、透明な封止材（図２における１０４）によって封止されている。
本発明の光半導体装置は、本発明の光半導体素子搭載用基板と、該基板に搭載された光半導体素子とを少なくとも有する光半導体装置である。本発明の光半導体装置は、リフレクターとして本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物により形成されたリフレクターを有するため、光の取り出し効率が高く、また、経時で光度が低下しにくい等、耐久性にも優れる。図２は、本発明の光半導体装置の一例を示す概略図（断面図）である。図２における１００はリフレクター、１０２は金属配線（リードフレーム）、１０３はボンディングワイヤ、１０４は封止材、１０５はダイボンディング材、１０６は光半導体素子（ＬＥＤ素子）を示す。図２に示す光半導体装置においては、光半導体素子１０６から発せられた光がリフレクター１００の表面（反射面）で反射されるため、高い効率で光半導体素子１０６からの光が取り出される。なお、図２に示すように、本発明の光半導体装置における光半導体素子は、通常、透明な封止材（図２における１０４）によって封止されている。
本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物は、上述のリフレクター形成用樹脂組成物としての用途に限定されず、例えば、接着剤、電気絶縁材、積層板、コーティング、インク、塗料、シーラント、レジスト、複合材料、基材、シート、フィルム、光学素子、光学レンズ、光学部材、光造形、電子ペーパー、タッチパネル、太陽電池基板、光導波路、導光板、ホログラフィックメモリ等のその他の各種用途にも使用することができる。
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。なお、表１における硬化性エポキシ樹脂組成物の各成分の配合量の単位は、重量部である。また、表１における「フィラー量（ｗｔ％）」は、硬化性エポキシ樹脂組成物全量に対する、白色顔料と無機充填剤の含有量の合計の割合（重量％）である。
実施例１
表1に示すようにイソシアヌル酸誘導体（商品名「ＭＡ－ＤＧＩＣ」、四国化成工業（株）製）４０重量部、脂環式エポキシ樹脂（商品名「セロキサイド２０２１Ｐ」、（株）ダイセル製）４０重量部、硬化剤（商品名「リカシッドＭＨ－７００」、新日本理化（株）製）８０重量部、硬化促進剤（商品名「ヒシコーリンＰＸ－４ＥＴ」、日本化学工業（株）製）２重量部、酸化防止剤（商品名「ＨＣＡ」、三光（株）製）２重量部、離型剤（商品名「リコワックスＯＰ」、クラリアントジャパン（株）製）１重量部、離型剤（商品名「リコワックスＰＥＤ１９１」、クラリアントジャパン（株）製）１重量部、白色顔料（商品名「ＦＴＲ－７００」、堺化学工業（株）製）２００重量部、無機充填剤（商品名「ＦＢ－９５０」、電気化学工業（株）製）７００重量部をプラネタリーミキサーに入れ、８０℃３０分加熱撹拌後、得られた混合物を冷却することによって粘土状の硬化性エポキシ樹脂組成物を得た。
表1に示すようにイソシアヌル酸誘導体（商品名「ＭＡ－ＤＧＩＣ」、四国化成工業（株）製）４０重量部、脂環式エポキシ樹脂（商品名「セロキサイド２０２１Ｐ」、（株）ダイセル製）４０重量部、硬化剤（商品名「リカシッドＭＨ－７００」、新日本理化（株）製）８０重量部、硬化促進剤（商品名「ヒシコーリンＰＸ－４ＥＴ」、日本化学工業（株）製）２重量部、酸化防止剤（商品名「ＨＣＡ」、三光（株）製）２重量部、離型剤（商品名「リコワックスＯＰ」、クラリアントジャパン（株）製）１重量部、離型剤（商品名「リコワックスＰＥＤ１９１」、クラリアントジャパン（株）製）１重量部、白色顔料（商品名「ＦＴＲ－７００」、堺化学工業（株）製）２００重量部、無機充填剤（商品名「ＦＢ－９５０」、電気化学工業（株）製）７００重量部をプラネタリーミキサーに入れ、８０℃３０分加熱撹拌後、得られた混合物を冷却することによって粘土状の硬化性エポキシ樹脂組成物を得た。
実施例２～１０、比較例１～５
硬化性エポキシ樹脂組成物の配合組成を表１に示すように変更したこと以外は、実施例１と同様にして硬化性エポキシ樹脂組成物を得た。
硬化性エポキシ樹脂組成物の配合組成を表１に示すように変更したこと以外は、実施例１と同様にして硬化性エポキシ樹脂組成物を得た。
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた硬化性エポキシ樹脂組成物について、下記の評価を実施した。なお、下記の評価において用いた各試験片（硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物）は、トランスファー成型機を使用してトランスファー成型により作製した（硬化条件：１８０℃×１８０秒）。成型後の硬化物は１５０℃で４時間のポストキュアーを行った。
実施例及び比較例で得られた硬化性エポキシ樹脂組成物について、下記の評価を実施した。なお、下記の評価において用いた各試験片（硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物）は、トランスファー成型機を使用してトランスファー成型により作製した（硬化条件：１８０℃×１８０秒）。成型後の硬化物は１５０℃で４時間のポストキュアーを行った。
［初期反射率］
硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて、３０ｍｍ×３０ｍｍ×３ｍｍ厚の試験片（硬化物）を成形し、分光光度計を用いて、上記試験片の波長４６０ｎｍの反射率測定を行った。結果を表１に示す。
測定装置：分光光度計 ＵＶ－２４５０ （株）島津製作所製
硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて、３０ｍｍ×３０ｍｍ×３ｍｍ厚の試験片（硬化物）を成形し、分光光度計を用いて、上記試験片の波長４６０ｎｍの反射率測定を行った。結果を表１に示す。
測定装置：分光光度計 ＵＶ－２４５０ （株）島津製作所製
［耐熱性］
初期反射率の評価において使用したものと同様の試験片（硬化物；３０ｍｍ×３０ｍｍ×３ｍｍ厚）を用いて、当該試験片を１５０℃の乾燥機に入れて１０００時間放置後、４６０ｎｍでの反射率の測定を行った。結果を表１に示す。
初期反射率の評価において使用したものと同様の試験片（硬化物；３０ｍｍ×３０ｍｍ×３ｍｍ厚）を用いて、当該試験片を１５０℃の乾燥機に入れて１０００時間放置後、４６０ｎｍでの反射率の測定を行った。結果を表１に示す。
［リフロー後耐熱性］
初期反射率の評価において使用したものと同様の試験片（硬化物；３０ｍｍ×３０ｍｍ×３ｍｍ厚）を用いて、当該試験片をリフロー炉（商品名「ＵＮＩ－５０１６Ｆ」、日本アントム（株）製、温度条件：２６０℃×１０ｓｅｃ）を５回通した後、４６０ｎｍでの反射率の測定を行った。結果を表１に示す。
初期反射率の評価において使用したものと同様の試験片（硬化物；３０ｍｍ×３０ｍｍ×３ｍｍ厚）を用いて、当該試験片をリフロー炉（商品名「ＵＮＩ－５０１６Ｆ」、日本アントム（株）製、温度条件：２６０℃×１０ｓｅｃ）を５回通した後、４６０ｎｍでの反射率の測定を行った。結果を表１に示す。
［総合判定］
各試験の結果、下記（１）～（３）をいずれも満たすものを○（良好）と判定した。一方、下記（１）～（３）のいずれかを満たさない場合には×（不良）と判定した。
（１）初期反射率が９５％以上
（２）１５０℃１０００ｈ後反射率が８０％以上
（３）リフロー２６０℃１０ｓｅｃ５回後反射率が９５％以上
結果を表１の「総合判定」の欄に示す。
各試験の結果、下記（１）～（３）をいずれも満たすものを○（良好）と判定した。一方、下記（１）～（３）のいずれかを満たさない場合には×（不良）と判定した。
（１）初期反射率が９５％以上
（２）１５０℃１０００ｈ後反射率が８０％以上
（３）リフロー２６０℃１０ｓｅｃ５回後反射率が９５％以上
結果を表１の「総合判定」の欄に示す。
表１記載の硬化性エポキシ樹脂組成物の構成成分の説明を以下に示す。
（イソシアヌレート化合物）
ＭＡ－ＤＧＩＣ：商品名「ＭＡ－ＤＧＩＣ」（モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、四国化成工業（株）製）
（脂環式エポキシ化合物）
２０２１Ｐ：商品名「セロキサイド２０２１Ｐ」（３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（３，４－エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート、（株）ダイセル製）
ビス（３，４－エポキシシクロヘキシルメチル）エーテル：国際公開第２０１４／１８１７８７号に記載の方法により製造したもの。
ＥＨＰＥ３１５０：商品名「ＥＨＰＥ３１５０」（２，２－ビス（ヒドロキシメチル）－１－ブタノールの１，２－エポキシ－４－（２－オキシラニル）シクロヘキサン付加物、（株）ダイセル製）
ＹＸ８０４０：商品名「ＹＸ８０４０」（水素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、三菱化学（株）製）
ＳＴ－４０００Ｄ：商品名「ＳＴ－４０００Ｄ」（水素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、新日鉄住金化学（株）製）
（硬化剤）
ＭＨ－７００：商品名「リカシッドＭＨ－７００」（４－メチルヘキサヒドロ無水フタル酸／ヘキサヒドロ無水フタル酸＝７０／３０、新日本理化（株）製）
リカシッドＴＨ：商品名「リカシッドＴＨ」（１，２，３，６－テトラヒドロ無水フタル酸、新日本理化（株）製）
（硬化促進剤）
ＰＸ－４ＥＴ：商品名「ヒシコーリンＰＸ－４ＥＴ」（テトラ－ｎ－ブチルホスホニウム－ｏ，ｏ－ジエチルホスホロジチオネート、日本化学工業（株）製）
（酸化防止剤）
ＨＣＡ：商品名「ＨＣＡ」（９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－ホスファフェナントレン－１０－オキサイド、三光（株）製）
（離型剤）
リコワックスＯＰ：商品名「リコワックスＯＰ」（モンタン酸の部分ケン化エステルワックス、クラリアントジャパン（株）製）
ＰＥＤ１９１：商品名「リコワックスＰＥＤ１９１」（酸化ポリエチレンワックス、クラリアントジャパン（株）製）
（白色顔料）
ＦＴＲ－７００：商品名「ＦＴＲ－７００」（酸化チタン、堺化学工業（株）製）
（無機充填剤）
ＦＢ－９５０：商品名「ＦＢ－９５０」（シリカ、電気化学工業（株）製）
（イソシアヌレート化合物）
ＭＡ－ＤＧＩＣ：商品名「ＭＡ－ＤＧＩＣ」（モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、四国化成工業（株）製）
（脂環式エポキシ化合物）
２０２１Ｐ：商品名「セロキサイド２０２１Ｐ」（３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（３，４－エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート、（株）ダイセル製）
ビス（３，４－エポキシシクロヘキシルメチル）エーテル：国際公開第２０１４／１８１７８７号に記載の方法により製造したもの。
ＥＨＰＥ３１５０：商品名「ＥＨＰＥ３１５０」（２，２－ビス（ヒドロキシメチル）－１－ブタノールの１，２－エポキシ－４－（２－オキシラニル）シクロヘキサン付加物、（株）ダイセル製）
ＹＸ８０４０：商品名「ＹＸ８０４０」（水素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、三菱化学（株）製）
ＳＴ－４０００Ｄ：商品名「ＳＴ－４０００Ｄ」（水素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、新日鉄住金化学（株）製）
（硬化剤）
ＭＨ－７００：商品名「リカシッドＭＨ－７００」（４－メチルヘキサヒドロ無水フタル酸／ヘキサヒドロ無水フタル酸＝７０／３０、新日本理化（株）製）
リカシッドＴＨ：商品名「リカシッドＴＨ」（１，２，３，６－テトラヒドロ無水フタル酸、新日本理化（株）製）
（硬化促進剤）
ＰＸ－４ＥＴ：商品名「ヒシコーリンＰＸ－４ＥＴ」（テトラ－ｎ－ブチルホスホニウム－ｏ，ｏ－ジエチルホスホロジチオネート、日本化学工業（株）製）
（酸化防止剤）
ＨＣＡ：商品名「ＨＣＡ」（９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－ホスファフェナントレン－１０－オキサイド、三光（株）製）
（離型剤）
リコワックスＯＰ：商品名「リコワックスＯＰ」（モンタン酸の部分ケン化エステルワックス、クラリアントジャパン（株）製）
ＰＥＤ１９１：商品名「リコワックスＰＥＤ１９１」（酸化ポリエチレンワックス、クラリアントジャパン（株）製）
（白色顔料）
ＦＴＲ－７００：商品名「ＦＴＲ－７００」（酸化チタン、堺化学工業（株）製）
（無機充填剤）
ＦＢ－９５０：商品名「ＦＢ－９５０」（シリカ、電気化学工業（株）製）
本発明の硬化性樹脂組成物は、例えば、接着剤、電気絶縁材、積層板、コーティング、インク、塗料、シーラント、レジスト、複合材料、基材、シート、フィルム、光学素子、光学レンズ、光学部材、光造形、電子ペーパー、タッチパネル、太陽電池基板、光導波路、導光板、ホログラフィックメモリ等の各種用途に使用することができる。特に、本発明の硬化性樹脂組成物は、リフレクター形成用樹脂組成物として好ましく使用できる。
１００：リフレクター
１０１：金属配線
１０２：光半導体素子の搭載領域
１０３：ボンディングワイヤ
１０４：光半導体素子の封止材
１０５：ダイボンディング材
１０６：光半導体素子
１０１：金属配線
１０２：光半導体素子の搭載領域
１０３：ボンディングワイヤ
１０４：光半導体素子の封止材
１０５：ダイボンディング材
１０６：光半導体素子
Claims (10)
- 脂環式エポキシ化合物（Ａ）と、下記式（１）
で表されるモノアリルジグリシジルイソシアヌレート化合物（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）と、硬化剤（Ｄ）と、硬化促進剤（Ｅ）と、を含む硬化性エポキシ樹脂組成物であって、
化合物（Ｂ）の含有量が、脂環式エポキシ化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との総量（１００重量％）に対して、５０～９５重量％であり、かつ、
無機充填剤（Ｃ）の含有量が、前記硬化性エポキシ樹脂組成物全量（１００重量％）に対して、３０～９５重量％である、硬化性エポキシ樹脂組成物。 - さらに、白色顔料（Ｆ）を含み、かつ、白色顔料（Ｆ）の含有量が、無機充填剤（Ｃ）及び白色顔料（Ｆ）の合計量に対して、３～４０重量％である請求項１に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
- 前記脂環式エポキシ化合物（Ａ）が、シクロヘキセンオキシド基を有する化合物、下記式（ＩＩ）
で表される化合物、及び水素化芳香族グリシジルエーテル系エポキシ化合物からなる群より選択される少なくとも１つである請求項１または２に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。 - 前記シクロヘキセンオキシド基を有する化合物が、下記式（Ｉ）
で表される化合物である請求項３に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。 - 前記脂環式エポキシ化合物（Ａ）が、下記式（Ｉ－１）
- トランスファー成型用又はコンプレッション成型用樹脂組成物である請求項１～５のいずれか１項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
- リフレクター形成用樹脂組成物である請求項１～６のいずれか１項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物。
- 請求項１～７のいずれか１項に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物を硬化させることにより得られる硬化物。
- 請求項８に記載の硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物により形成されたリフレクターを有する光半導体素子搭載用基板。
- 請求項９に記載の光半導体素子搭載用基板と、該基板に搭載された光半導体素子とを有する光半導体装置。
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|---|---|
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