CN105073682A - 发光元件安装用基板和发光元件模组 - Google Patents

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Abstract

本发明提供具有高反射率的发光元件安装用基板和可靠性高且高亮度的发光元件模组。包含有氧化铝结晶和氧化锆结晶、及晶界相的氧化铝质烧结体，通过使用Cu的Kα线的X射线衍射装置测定的四方晶系氧化锆结晶的峰强度It(2θ＝30°～30.5°)与单斜晶系氧化锆结晶的峰强度Im(2θ＝28°～28.5°)的强度比It/Im为35(不含0)以下的发光元件安装用基板。另外，是在该发光元件安装用基板上搭载有发光元件的发光元件模组。

Description

发光元件安装用基板和发光元件模组
技术领域
本发明涉及发光元件安装用基板和发光元件模组。
背景技术
在常规照明、电光显示板的光源、以及便携电话、个人电脑和电视等的液晶的背光中广泛利用具有亮度高、寿命长、消耗电力少等优点的发光元件(LED)。
并且，搭载有这样的发光元件的发光元件安装用基体由于在表面形成有电极，因此使用具有绝缘性且机械特性优异的陶瓷材料。例如，在专利文献1中，作为包含这样的陶瓷材料的发光元件安装用基体，提出了由将氧化铝与氧化锆的混合物进行烧制成的陶瓷构成的反射板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-222674号公报
发明所要解决的课题
在该专利文献1中，记载了500nm的反射率最好的是试样No.5且其反射率为91.6％，但现如今要求具有更高的反射率。
发明内容
本发明是为了满足上述要而提出的，其目的在于，提供在可见光区域内具有高反射率的发光元件安装用基板、以及具有高可靠性和高亮度的发光元件模组。
用于解决课题的手段
本发明的发光元件安装用基板的特征在于，其包含含有氧化铝结晶和氧化锆结晶、及晶界相的氧化铝质烧结体，通过使用Cu的Kα线的X射线衍射装置测定的四方晶系氧化锆结晶的峰强度It(2θ＝30°～30.5°)与单斜晶系氧化锆结晶的峰强度Im(2θ＝28°～28.5°)的强度比It/Im为35(不含0)以下。
另外，本发明的发光元件模组的特征在于，在上述构成的发光元件安装基板上搭载有发光元件。
发明效果
本发明的发光元件安装用基板具有绝缘性且机械特性优异，并且在可见光区域内具有高反射率。
另外，本发明的发光元件模组除高可靠性以外，具有高亮度。
附图说明
图1是示出在本实施方式的发光元件安装用基板上搭载发光元件而成的发光元件模组的构成的一例的截面图。
图2是示出本实施方式的发光元件安装用基板所包含的片状组织氧化锆结晶的透射电子显微镜(TEM)照片。
具体实施方式
以下，对本实施方式的发光元件安装用基板和在该发光元件安装用基板上搭载发光元件而成的发光元件模组的一例进行说明。图1是示出在本实施方式的发光元件安装用基板上搭载发光元件而成的发光元件模组的构成的一例的截面图。
图1所出示的发光元件模组10中，在作为基体的发光元件安装用基板1的表面1a上，形成电极3(3a、3b)，进一步形成电极焊盘4(4a、4b)，发光元件2搭载于电极焊盘4a上，发光元件2和电极焊盘4b通过键合线5电连接。并且，发光元件2、电极3、电极焊盘4和键合线5被由树脂等构成的密封构件6覆盖。在此，该密封构件6兼具保护发光元件2的功能和透镜的功能。
需要说明的是，本实施方式的发光元件模组10只要满足在本实施方式的发光元件安装用基板1上搭载有发光元件2即可，不限定于图1中示出的例子。另外，在本实施方式中，发光元件安装用基板1的表面1a是指发光元件2的搭载面。
并且，本实施方式的发光元件安装用基板1包含含有氧化铝(Al2O3)结晶和氧化锆(ZrO2)结晶、以及晶界相的氧化铝质烧结体，通过使用Cu的Kα线的X射线衍射装置(XRD)测定的四方晶系氧化锆结晶的峰强度It(2θ＝30°～30.5°)与单斜晶系氧化锆结晶的峰强度Im(2θ＝28°～28.5°)的强度比It/Im为35(不含0)以下。
本实施方式的发光元件安装用基板1由于满足上述构成，由此具有绝缘性且机械特性优异，并且在可见光区域内具有高反射率。需要说明的是，关于能够提高反射率的理由尚不明确，推测的原因如下：由于四方晶系氧化锆结晶与单斜晶系氧化锆结晶的强度比即存在比例的不同，产生四方晶系氧化锆结晶与单斜晶系氧化锆结晶的折射率差、以及这些氧化锆结晶与氧化铝结晶的折射率差，由于这些折射率差，镜面反射的光量增加。需要说明的是，强度比It/Im优选为15以下(不含0)。由此成为具有更高反射率的发光元件安装用基板1。
并且，本实施方式的发光元件安装用基板1中的氧化铝质烧结体是指，在示出基于使用Cu的Kα线的XRD的测定的结果的图表中，最高的峰为氧化铝结晶的情况。对于该最高峰的鉴定，与JCPDS卡片数据对比即可。另外，氧化铝质烧结体是指，在能够确认构成发光元件安装用基板1的结晶的截面等处使用例如扫描型电子显微镜(SEM)进行确认时的氧化铝结晶的面积占有率大于50％。此外，将使用ICP(InductivelyCoupledPlasma，电感耦合等离子体)发光光谱分析装置(ICP)、荧光X射线分析装置(XRF)测定的Al量换算成Al2O3的含量在构成烧结体的总成分100质量％之中大于50质量％。
并且，若使用SEM确认能够确认构成发光元件安装用基板1的结晶的截面等，则能够识别结晶和晶界相。另外，若使用SEM附带的能量分散型X射线光谱仪(EDS)进行确认，则能够进行结晶是氧化铝结晶还是氧化锆结晶等的判定。在此，如果是氧化铝结晶，则确认到Al和O，如果是氧化锆结晶，则确认到Zr和O。
另外，对于四方晶系氧化锆结晶与单斜晶系氧化锆结晶的强度比It/Im，使用基于使用Cu的Kα线的XRD的测定的存在于2θ＝30°～30.5°的四方晶系氧化锆结晶的峰强度It和存在于2θ＝28°～28.5°之间的单斜晶系氧化锆结晶的峰强度Im的值求出即可。
并且，本实施方式的发光元件安装用基板1在可见光区域内的反射率高，具体而言，由于强度比It/Im为35以下(不含0)，由此500nm的反射率达到93％以上。作为测定方法，可以使用分光测色计(美能达制CM-3700A)，按照基准光源D65、波长范围360～740nm、视野10°、照明径3×5mm的条件进行测定。
另外，本实施方式的发光元件安装用基板1中，优选构成氧化铝质烧结体的总成分100质量％之中，将Zr换算为ZrO2的氧化锆的含量为5质量％以上且35质量％以下。氧化锆的含量为5质量％以上且35质量％以下时，能够进一步提高反射率，并且能够实现机械特性的提高。具体而言，能够使500nm的反射率为94％以上，能够使3点弯曲强度为400MPa以上。
在此，对于氧化锆的含量而言，首先，粉碎作为发光元件安装用基板1的氧化铝质烧结体的一部分，将得到的粉体溶解于盐酸等的溶液中并稀释后，使用ICP进行测定，由得到的Zr的含量换算成ZrO2求出即可。另外，对于三点弯曲强度，依据JISR1601-2008(ISO17565：2003(MOD))进行测定即可。
另外，在本实施方式的发光元件安装基板1中，优选氧化锆结晶的至少一部分为片状组织氧化锆结晶。对于片状组织氧化锆结晶，使用图2的透射电子显微镜(TEM)照片进行说明。
片状组织氧化锆结晶是指，如图2所示，看起来色调不同的层重叠的氧化锆结晶。推测是由于这些层分别由立方晶体、四方晶体或单斜晶体中的任一种结晶结构构成，相邻的层成为不同的结晶结构，因此看起来色调不同。
需要说明的是，在图2中，片状组织氧化锆结晶的面积占有率高，图2中出示的氧化铝结晶仅是示出了结晶的一部分，因此，若将倍率降低至能够确认整个结晶的程度，则氧化铝结晶的面积占有率当然大于50％。另外，如图2所示，本实施方式的发光元件安装用基板1具有氧化铝结晶和氧化锆结晶(在图2中为片状组织氧化锆结晶)、以及晶界相。
并且，氧化锆结晶的至少一部分为片状组织氧化锆结晶时，成为在可见光区域内具有更高反射率的发光元件安装基板1。推测这是由于，片状组织氧化锆结晶中不同的结晶结构的层重叠，由此在片状组织氧化锆结晶内也具有折射率差。
需要说明的是，据推测，成为片状组织氧化锆结晶是由于，在烧制时，由于氧化铝结晶与氧化锆结晶的热膨胀差而产生的应力作为拉伸应力、压缩应力作用于存在于氧化铝结晶间的氧化锆结晶。
另外，氧化锆结晶的数量中的片状组织氧化锆结晶的数量的比例优选为50％以上。氧化锆结晶的数量中的片状组织氧化锆结晶的数量的比例为50％以上时，能够使反射率进一步提高。
在此，对片状组织氧化锆结晶的确认方法进行说明。首先，使用离子减薄装置等加工装置对发光元件安装用基板1的一部分进行蚀刻，形成测定面。接着，使用TEM，以加速电压200kV的条件，用1万倍至10万倍的倍率观察测定面的特定视野，观察到氧化铝结晶为白色，氧化锆结晶黑色，因此，通过在观察为黑色的结晶之中，是否可见色调不同的层重叠，由此可以确认有无片状组织氧化锆结晶。需要说明的是，是否为氧化锆结晶的判定困难时，使用附带的EDS确认有无检出Zr和O即可。
接着，关于氧化锆结晶的数量中的片状组织氧化锆结晶的数量的比例的计算方法，将上述的特定视野中的氧化锆结晶的数量设为X，将看起来色调不同的层重叠的氧化锆结晶(片状组织氧化锆结晶)的数量设为Y，通过Y/X×100的计算式求出1个特定视野中的比例，在剩余的4处(共计5处)求出各特定视野中的比例，将这些比例的平均值作为本实施方式中的氧化锆结晶的数量中的片状组织氧化锆结晶的数量的比例。
另外，本实施方式的发光元件安装用基板1中，在晶界相存在至少包含氧化硅和氧化镁的玻璃，优选玻璃的含量为1质量％以上且6质量％以下。满足上述构成时，能够抑制热导率的降低，并且使反射率进一步提高。在此，能够使反射率提高是由于，使晶界相中存在与氧化铝结晶和氧化锆结晶的折射率均不同的玻璃。需要说明的是，本实施方式中的晶界相是指在氧化铝结晶和氧化锆结晶以外的区域，玻璃除氧化硅和氧化镁以外，还可以包含氧化钙、氧化硼、氧化锌、氧化铋等。需要说明的是，在此，玻璃的含量是指，将构成作为发光元件安装用基板1的氧化铝质烧结体的总成分设为100质量％时的占有率。
并且，玻璃的存在可以通过如下方法确认：将发光元件安装用基板1切断后，对截面进行镜面加工，利用TEM(透射电子显微镜)以1～15万倍的倍率对多个晶界相进行观察，由此进行确认。另外，也可以在基于XRF的测定中确认有无宽广的所谓光晕图案。此外，在依据SEM所附带的EDS、XRF、ICP等的定性分析确认到Al和Zr以外的元素但与此同时在基于XRD的测定中没有确认到氧化铝结晶和氧化锆结晶以外的结晶时，也可以视为玻璃存在。
需要说明的是，在基于XRD的测定中，未确认到氧化铝、氧化锆以外的结晶或只确认到存在于2θ＝34°～36°的氧化铝的峰强度的1/20以下的强度的峰时，本实施方式中的玻璃的含量是，将利用定性分析检出的例如Si、Mg、Ca、B、Zn、Bi元素的定量值分别换算成SiO2、MgO、CaO、B2O3、ZnO、Bi2O3的值的合计。
需要说明的是，作为玻璃的构成，优选构成玻璃的成分100质量％之中，氧化硅为50质量％以上且70质量％以下，氧化镁为30质量％以上且小于50质量％，上述的其他氧化物的合计小于10质量％。
另外，优选作为本实施方式的发光元件安装用基板1的氧化铝质烧结体的相对密度为86％以上且92％以下。相对密度为86％以上且92％以下时，能够抑制机械特性的降低，并且由于发光元件安装用基板1的表面的气孔的存在而使反射率提高。
需要说明的是，相对密度的测定方法可以是依据JISR1634-1998求出包含氧化铝质烧结体的发光元件安装用基板的表观密度，将该表观密度除以构成发光元件安装用基板1的氧化铝质烧结体的理论密度而求出。
另外，优选在本实施方式的发光元件安装用基板1的晶界相中存在MgAl2O4的结晶。在晶界相中存在MgAl2O4的结晶时，按面积占有率计占有率超过50％的氧化铝结晶的晶粒生长被抑制，能够形成更微细且均质的结晶组织，因此能够使机械特性进一步提高。
另外，优选在本实施方式的发光元件安装用基板1的晶界相中存在Al0.52Zr0.48O1.74。在晶界相中存在Al0.52Zr0.48O1.74时，按面积占有率计占有率超过50％的氧化铝结晶的晶粒生长被抑制，能够形成更微细且均质的结晶组织，因此能够使机械特性进一步提高。需要说明的是，对于Al0.52Zr0.48O1.74而言，使用Cu的Kα线的基于XRD的测定中，在2θ＝35.1°～35.2°之间具有主峰，根据有无上述范围内的峰能够确认Al0.52Zr0.48O1.74的存在。
并且，本实施方式的发光元件模组10中，本实施方式的发光元件安装用基板1包含主结晶为氧化铝且包含氧化锆的氧化铝质烧结体，因而绝缘性和机械特性优异，因此具有高可靠性。另外，由于具有高反射率，因而从发光元件发出的光的反射率高，因此具有高可靠性以及高亮度的发光元件模组10。
接着，对本实施方式的发光元件安装用基板1的制造方法的一例进行说明。
首先，准备氧化铝(Al2O3)粉末；作为助烧剂的氢氧化镁(Mg(OH)2)粉末、氧化硅(SiO2)粉末和碳酸钙(CaCO3)粉末；以及未被稳定化的氧化锆(ZrO2)粉末。在此，未被稳定化的氧化锆粉末是指，未被氧化钇(Y2O3)、氧化镝(Dy2O3)、氧化铈(CeO2)、氧化钙(CaO)、氧化镁(MgO)等稳定化剂进行稳定化的氧化锆粉末。
需要说明的是，助烧剂和稳定化剂中有重复的成分，作为初始原料，只要使用未被稳定化的氧化锆粉末即可，与在烧结过程中氧化锆被助烧剂部分地稳定化的量无关。另外，为了使MgAl2O4存在于晶界相中，使氧化铝粉末的平均粒径小于1μm，使氢氧化镁粉末的平均粒径小于1.5μm即可。此外，为了使Al0.52Zr0.48O1.74存在于晶界相中，使用氧化铝粉末和氧化锆粉末均小于1μm的粉末即可。
需要说明的是，在本实施方式的发光元件安装用基板1中，尽管使用未被稳定化的氧化锆粉末，但存在四方晶体氧化锆，被认为是由于相变，或者是由于作为助烧剂的碳酸钙粉末中的Ca和氢氧化镁粉末中的Mg发生固溶。
接着，将这些粉末称量规定量作为一次原料粉末。具体而言，优选按照在助烧剂、氧化铝粉末和氧化锆粉末的合计100质量％之中助烧剂为1～6质量％、氧化锆粉末为5～35质量％、余量为氧化铝粉末称量。
接着，对于该称量出的一次原料粉末100质量％，将1～1.5质量％的PVA(聚乙烯醇)等粘结剂、100质量％的溶剂、0.1～0.5质量％的分散剂加入搅拌机内进行混合、搅拌而得到浆料。
随后，使用该浆料利用刮刀法形成片材，或者利用喷雾造粒装置(喷雾干燥机)对该浆料进行喷雾造粒，使用得到的颗粒，利用辊压法形成片材。接着，通过金属模具压制或激光加工，得到规定的制品形状或近似制品形状的成形体。此时，若考虑到发光元件安装用基板1的量产性，优选成形体以能够获取多个的方式成为形成有狭缝的成形体。
并且，使用大气(氧化)气氛的烧制炉(例如，辊式隧道炉、批次式气氛炉和推盘式隧道炉)，将得到的成形体在1400℃以上且1600℃以下的最高温度保持规定时间并烧制，由此能够得到本实施方式的发光元件安装用基板1。另外，作为获取多个发光元件安装用基板1的方法，当然也可以在烧制后形成狭缝。
另外，要使氧化锆结晶的至少一部分成为片状组织氧化锆结晶，将到最高温度为止的升温速度设为400℃/小时以上进行烧制即可。此外，要使氧化锆结晶的数量中的片状组织氧化锆结晶的数量的比例为50％以上，将到最高温度为止的升温速度设为500℃/小时以上即可。此外，要使相对密度为86％以上且92％以下，使烧制时的最高温度为1400℃以上且1500℃以下即可。
另外，通过在烧制后以500℃以上的温度实施热处理，能够使发光元件安装用基板1的反射率提高。能够使反射率提高的原因被认为是由于在热处理前后，发光元件安装用基板中的四方晶系氧化锆的峰强度It与单斜晶系氧化锆的峰强度Im的强度比It/Im变小，因此由于热处理，单斜晶系氧化锆增加。另外，若热处理温度大于1100℃，则引起由单斜晶体向四方晶体的相变，并且，由于热处理，多伴有机械特性的降低，因此优选该热处理时的温度的上限小于1100℃。
需要说明的是，利用上述的热处理能够使反射率提高，即使将氧化锆的含量减少，例如为5～10质量％，也能够呈现与含有近30质量％时相同程度的反射率，因此为了发挥本申请特有的效果且实现材料成本的降低，优选将氧化锆的含量设定为5～10质量％，并实施热处理。
另外，要使玻璃存在于晶界相，将烧制时的从最高温度至室温的降温速度设为250℃/小时以上且400℃/小时以下即可。
接着，依据图1对本实施方式的发光元件模组10的制造方法的一例进行说明。将本实施方式的发光元件安装用基板1作为基体，利用厚膜印刷法在表面1a形成电极3(3a、3b)。接着，在电极3上通过镀敷等形成电极焊盘4(4a、4b)。接着，在电极焊盘4a上搭载包含半导体的发光元件2。并且，通过使用导电性粘接剂的接合或利用焊料凸块的接合，用键合线5将发光元件2和电极焊盘4b电连接。接着，利用保护涂层玻璃对电极3和电极焊盘4进行保护，最后，利用由树脂等构成的密封构件6进行被覆，由此能够得到本实施方式的发光元件模组10。
以下，对本发明的实施例进行具体说明，但本发明并不限定于这些实施例。
实施例1
制作四方晶系氧化锆结晶与单斜晶系氧化锆结晶的峰强度比It/Im不同的发光元件安装用基板，进行反射率和三点弯曲强度的测定。
(1)试样No.1～12用的颗粒的制作
首先，准备平均粒径为1.0μm的氧化铝粉末；由平均粒径为1.0μm的氢氧化镁粉末、平均粒径为1.0μm的氧化硅粉末和平均粒径为1.0μm的碳酸钙粉末构成的助烧剂；平均粒径为2.0μm的未被稳定化的氧化锆粉末。
接着，对于未被稳定化的氧化锆粉末，按照构成各试样的总成分100质量％之中的含量为表1中示出的值的方式进行称量。另外，对于氢氧化镁粉末、氧化硅粉末和碳酸钙粉末，按照构成各试样的总成分100质量％之中的含量以MgO换算计1.3质量％、以SiO2换算计为1.9质量％、以CaO换算计为0.3质量％进行称量。并且，氧化铝粉末按照余量称量，作为一次原料。
接着，对于称量的一次原料粉末100质量％，将1.0质量％的PVA、100质量％的溶剂、0.2质量％的分散剂放入搅拌机内混合、搅拌而得到浆料。随后，利用喷雾造粒装置(喷雾干燥机)将得到的浆料进行喷雾造粒而得到颗粒。
(2)试样No.13用的颗粒的制作
与(1)相比，除不添加氧化锆粉末以外，利用与(1)同样的制作方法得到颗粒。
(3)试样No.14用的颗粒的制作
与(1)相比，作为氧化锆粉末，使用预先用3摩尔％的Y2O3稳定化的氧化锆粉末，除此以外，利用与(1)同样的制作方法得到颗粒。需要说明的是，对于(3)中的氧化锆粉末，按照构成试样No.14的总成分100质量％之中的氧化锆的含量为20质量％称量。
接着，使用分别得到的颗粒，使用能够得到板状和棒状的金属模具进行压制，得到板状和棒状的成形体。在此，板状的成形体是峰强度和反射率测定用，棒状的成形体是三点弯曲强度测定用。接着，将得到的成形体放入大气(氧化)气氛的烧制炉中，以1500℃的最高温度烧制。随后，通过实施烧制后研削加工，成为1边为10mm的正方形、厚度为1.0mm的板状体，得到依据JISR1601-2008(ISO17565：2003(MOD))的尺寸的棒状体。
并且，对于各试样，利用使用Cu的Kα线的XRD(PANalytical社制：X’PertPRO、)进行测定，使用2θ＝30°～30.5°之间的四方晶系氧化锆结晶的峰强度It、2θ＝28°～28.5°之间的单斜晶系氧化锆结晶的峰强度Im的值算出强度比It/Im。
另外，对于各试样，使用光谱测色计(美能达制CM-3700A)，以基准光源D65、波长范围360～740nm、视野10°、照明径3×5mm的条件进行测定。接着，依据JISR1601-2008(ISO17565：2003(MOD))进行测定。并且，将强度比It/Im的值、可见光波长500nm的反射率、三点弯曲强度的值示于表1中。
需要说明的是，将各试样的一部分粉碎，将得到的粉体溶解于盐酸等的溶液中并稀释后，使用ICP发光光谱分析装置(岛津制作所制：ICPS-8100)进行测定，由得到的Zr的含量换算成氧化物(ZrO2)。另外，对于助烧剂和氧化铝，确认到成为与添加量相同的含量。另外，各试样的相对密度为90％。
[表1]
[表1]
根据表1，未添加氧化锆粉末的试样No.13中，500nm的反射率低至89.5％。另外，添加了被稳定化的氧化锆粉末的试样No.14中，四方晶系氧化锆结晶的比率高，强度比It/Im的值为40.0，500nm的反射率虽然高于试样No.13，但为92.0％。另外，试样No.1中，强度比It/Im的值为36.0，500nm的反射率为93.0％。
相对于此，强度比It/Im为35(不含0)以下的试样No.2～12中，500nm的反射率为93.0％以上，确认到具有高反射率。
此外，氧化锆的含量为5质量％以上且35质量％以下的试样No.4～10中，500nm的反射率为94.0％以上，三点弯曲强度为400MPa以上，可知形成了高反射率和高强度的发光元件安装用基板。
实施例2
接着，利用与实施例1的试样No.5同样的制作方法，得到板状体和棒状体。并且，按表2中出示的温度实施热处理，与实施例1同样地，进行基于XRD的强度比It/Im、反射率和三点弯曲强度的测定。结果示于表2中。
[表2]
[表2]
根据表2可知，通过以500℃以上的温度进行热处理，可实现反射率的提高。另外，以1100℃的温度进行热处理时，不确定是否因为开始引起由单斜晶体向四方晶体的相变，但相比于1000℃时，强度比It/Im的数值变大，未见反射率的提高，三点弯曲强度的降低率也变大，由此可知，热处理温度优选为500℃以上且1000℃以下。
实施例3
接着，制作使烧制时的到最高温度为止的升温速度不同的试样，确定有无片状组织氧化锆结晶、算出氧化锆结晶的数量中的片状组织氧化锆结晶的数量的比例、进行反射率的测定。需要说明的是，除了使烧制时的到最高温度为止的升温速度不同以外，利用与实施例1的试样No.2同样的制作方法制作板状体的试样。另外，对于反射率，利用与实施例1同样的方法测定。
并且，对于有无片状组织氧化锆结晶，将使用离子减薄装置进行蚀刻的面作为测定面，使用TEM(JEOL社制JEM-2010F)，以加速电压200kV的条件、以5万倍的倍率进行观察。另外，对于算出氧化锆结晶的数量中的片状组织氧化锆结晶的数量的比例，将利用TEM观察的特定视野(14μm×12μm)中的氧化锆结晶的数量设为X，将看起来色调不同的层重叠的氧化锆结晶(片状组织氧化锆结晶)的数量设为Y，通过Y/X×100的计算式求出1个特定视野中的比例，在剩余的4处(共计5处)求出各特定视野中的比例，算出这些比例的平均值作为氧化锆结晶的数量中的片状组织氧化锆结晶的数量的比例。结果示于表3中。
[表3]
[表3]
根据表3可知，通过使烧制时的到最高温度为止的升温速度为400℃/小时以上，成为存在片状组织氧化锆结晶，提高反射率。另外可知，通过氧化锆结晶的数量中的片状组织氧化锆结晶的数量的比例为50％以上，进一步提高反射率。
实施例4
接着，制作使助烧剂量不同的试样，进行反射率和热导率的测定。需要说明的是，除了使助烧剂成为示于表4中的含量以外，通过与实施例2的试样No.19同样的制作方法制作试样。并且，利用与实施例1同样的方法进行反射率的测定。另外，对于热导率，依据JISR1611-1997进行。
另外，在基于XRD的测定中，在氧化铝和氧化锆以外，仅确认到存在于2θ＝34°～36°的氧化铝的峰强度的1/20以下的强度的峰，因此，对于根据使用XRF的定性分析确认的Si、Mg、Ca，使用ICP进行定量分析，并分别换算成SiO2、MgO、CaO。需要说明的是，试样No.33与试样No.19是相同的试样。
[表4]
[表4]
根据表4可知，通过在晶界相存在至少包含氧化镁和氧化硅的玻璃，玻璃的含量为1质量％以上且6质量％以下，实现抑制热导率的降低，并且实现反射率的提高。
实施例5
接着，制作使烧制时的最高温度的保持时间不同的试样，进行反射率和三点弯曲强度的测定。需要说明的是，试样No.39与试样No.19是相同的试样，制作了试样No.越大，最高温度的保持时间越短的试样。并且，利用与实施例1同样的方法，进行反射率和三点弯曲强度的测定。另外，对于各试样，算出相对密度。结果示于表5中。
[表5]
[表5]
根据表5可知，为了抑制机械特性的降低，并且由于发光元件安装用基板的表面的气孔的存在而使反射率提高，优选相对密度为86％以上且92％以下。
实施例6
接着，使用平均粒径为0.8μm的氧化铝粉末和平均粒径为1μm的氢氧化镁粉末作为一次原料，除此以外，利用与实施例1的试样No.6同样的制作方法，得到板状体和棒状体。并且，与实施例1同样地，进行基于XRD的测定、反射率和三点弯曲强度的测定。
其结果是，在本实施例中制作的试样中，确认到MgAl2O4的存在，相比于试样No.6，强度比It/Im和反射率相同，但三点弯曲强度提高5％。其结果可知，通过存在MgAl2O4，实现机械特性的提高。
实施例7
接着，使用平均粒径为0.8μm的氧化铝粉末和平均粒径为0.8μm的未被稳定化的氧化锆粉末作为一次原料，除此以外，利用与实施例1的试样No.6同样的制作方法，得到板状体和棒状体。并且，与实施例1同样地，进行基于XRD的测定、反射率和三点弯曲强度的测定。
其结果是，在本实施例中制作的试样中，确认到Al0.52Zr0.48O1.74的存在，相比于试样No.6，强度比It/Im和反射率相同，但三点弯曲强度提高5％。其结果可知，通过存在Al0.52Zr0.48O1.74，实现机械特性的提高。
根据以上的实施例的结果可知，本发明的发光元件安装用基板的绝缘性和机械特性优异，在本发明的发光元件安装用基板上搭载发光元件而成的发光元件模组成为高可靠性且具有高亮度的优异的发光元件模组。
符号说明
1：发光元件安装用基板
1a：表面
2：发光元件
3：电极
4：电极焊盘
5：键合线
6：密封构件
10：发光元件模组

Claims (8)

1.一种发光元件安装用基板，其特征在于，其包含含有氧化铝结晶和氧化锆结晶、及晶界相的氧化铝质烧结体，通过使用Cu的Kα线的X射线衍射装置测定的四方晶系氧化锆结晶的峰强度It(2θ＝30°～30.5°)与单斜晶系氧化锆结晶的峰强度Im(2θ＝28°～28.5°)的强度比It/Im为35以下(不含0)。
2.根据权利要求1所述的发光元件安装用基板，其特征在于，构成所述氧化铝质烧结体的总成分100质量％之中，将Zr换算为ZrO2的含量为5质量％以上且35质量％以下。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的发光元件安装用基板，其特征在于，所述氧化锆结晶的至少一部分为片状组织氧化锆结晶。
4.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的发光元件安装用基板，其特征在于，在所述晶界相中，存在至少包含氧化镁和氧化硅的玻璃，该玻璃的含量为1质量％以上且6质量％以下。
5.根据权利要求1至权利要求4中的任一项所述的发光元件安装用基板，其特征在于，所述氧化铝质烧结体的相对密度为86％以上且92％以下。
6.根据权利要求1至权利要求5中的任一项所述的发光元件安装用基板，其特征在于，在所述晶界相中，存在以MgAl2O4表示的结晶。
7.根据权利要求1至权利要求6中的任一项所述的发光元件安装用基板，其特征在于，在所述晶界相中，存在以Al0.52Zr0.48O1.74表示的结晶。
8.一种发光元件模组，其特征在于，其是在权利要求1至权利要求7中的任一项所述的发光元件安装用基板上搭载发光元件而成的。
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