CN109791990A - 发光元件及对于制造该发光元件而言有用的组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明提供外部量子效率优异的发光元件。一种发光元件，其是具有阳极、阴极、设置于阳极与阴极之间的第一有机层、以及设置于阳极与阴极之间的第二有机层的发光元件，上述第一有机层是含有最低三重态激发状态的能级与最低单态激发状态的能级之差的绝对值为0.5eV以下的化合物(T)、且不含有磷光发光性金属络合物的层，上述第二有机层是含有包含交联结构单元的高分子化合物的交联体的层，且该高分子化合物的最低三重态激发状态的能级为2.25eV以上。

Description

发光元件及对于制造该发光元件而言有用的组合物
技术领域
本发明涉及发光元件及对于制造该发光元件而言有用的组合物。
背景技术
有机电致发光元件(以下也称作发光元件)能够适合地使用在显示器及照明的用途中，因而进行了研究开发。例如，在专利文献1中记载了一种发光元件，其具有：含有下述式所示的高分子化合物(P-2)的有机层和含有具有咔唑骨架的发光材料的发光层。
[化1]
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2016/091351号
发明内容
发明要解决的课题
然而，上述发光元件的外部量子效率未必充分。
为此，本发明的目的在于提供外部量子效率优异的发光元件。本发明的目的还在于提供对于制造上述发光元件而言有用的组合物。
用于解决课题的手段
本发明提供以下的[1]～[13]。
[1]一种发光元件，其是具有阳极、阴极、设置于阳极与阴极之间的第一有机层、以及设置于阳极与阴极之间的第二有机层的发光元件，
上述第一有机层是含有最低三重态激发状态的能级与最低单态激发状态的能级之差的绝对值为0.5eV以下的化合物(T)、且不含有磷光发光性金属络合物的层，
上述第二有机层是含有包含交联结构单元的高分子化合物的交联体的层，且该高分子化合物的最低三重态激发状态的能级为2.25eV以上。
[2]根据[1]所述的发光元件，其中，上述交联结构单元为具有选自交联基A组中的至少1种交联基的结构单元。
(交联基A组)
[化2]
[式中，RXL表示亚甲基、氧原子或硫原子，nXL表示0～5的整数。在存在多个RXL的情况下，它们任选相同或不同。在存在多个nXL的情况下，它们任选相同或不同。*1表示键合位置。这些交联基任选具有取代基。]
[3]根据[2]所述的发光元件，其中，上述交联结构单元为式(2)所示的结构单元或式(2’)所示的结构单元。
[化3]
[式中，
nA表示0～5的整数，n表示1或2。在存在多个nA的情况下，它们任选相同或不同。
Ar3表示芳香族烃基或杂环基，这些基团任选具有取代基。
LA表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、二价杂环基、-N(R’)-所示的基团、氧原子或硫原子，这些基团任选具有取代基。R’表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。在存在多个LA的情况下，它们任选相同或不同。
X表示选自上述交联基A组中的交联基。在存在多个X的情况下，它们任选相同或不同。]
[化4]
[式中，
mA表示0～5的整数，m表示1～4的整数，c表示0或1。在存在多个mA的情况下，它们任选相同或不同。
Ar5表示芳香族烃基、杂环基、或者至少1种芳香族烃环与至少1种杂环直接键合而成的基团，这些基团任选具有取代基。
Ar4及Ar6分别独立地表示亚芳基或二价杂环基，这些基团任选具有取代基。
Ar4、Ar5及Ar6任选分别与键合在该基团所键合的氮原子上的除了该基团以外的基团直接键合、或者经由氧原子或硫原子键合而形成环。
KA表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、二价杂环基、-N(R’)-所示的基团、氧原子或硫原子，这些基团任选具有取代基。R’表示与上述相同的含义。在存在多个KA的情况下，它们任选相同或不同。
X’表示选自上述交联基A组中的交联基、氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。在存在多个X’的情况下，它们任选相同或不同。但是，至少1个X’为选自上述交联基A组中的交联基。]
[4]根据[1]～[3]中任一项所述的发光元件，其中，上述化合物(T)为式(T-1)所示的化合物。
[化5]
[式中，
nT1表示0以上且5以下的整数。在存在多个nT1的情况下，它们任选相同或不同。
ArT1表示芳基、取代氨基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。在存在多个ArT1的情况下，它们任选相同或不同，任选直接键合或者经由二价基团键合而形成环。其中，至少1个ArT1为取代氨基、或者为在环内包含不具有双键的氮原子且在环内不包含＝N-所示的基团、硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2-所示的基团及式(P)所示的基团的一价杂环基。ZT1表示氧原子、硫原子或＝N(RZT1)所示的基团。RZT1表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。
[化6]
LT1表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、二价杂环基、-N(RT1′)-所示的基团、氧原子或硫原子，这些基团任选具有取代基。RT1′表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。在存在多个LT1的情况下，它们任选相同或不同，任选直接键合或者经由二价基团键合而形成环。
ArT2为硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2-所示的基团、上述式(P)所示的基团、具有吸电子性基团的芳香族烃基、或者在环内包含＝N-所示的基团的杂环基，这些基团任选具有取代基。
nT2表示1以上且15以下的整数。其中，在ArT2为硼原子或上述式(P)所示的基团的情况下，nT2为3。在ArT2为-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团或-S(＝O)2-所示的基团的情况下，nT2为2。
ArT1与LT1任选直接键合或者经由二价基团键合而形成环。ArT2与LT1任选直接键合或者经由二价基团键合而形成环。ArT1与ArT2任选直接键合或者经由二价基团键合而形成环。]
[5]根据[4]所述的发光元件，其中，至少1个上述ArT1为式(T1-1)所示的基团。
[化7]
[式中，
环RT1及环RT2分别独立地表示在环内不包含-C(＝ZT1)-所示的基团的芳香族烃环、或者表示在环内不包含＝N-所示的基团、硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2-所示的基团及上述式(P)所示的基团的杂环，这些环任选具有取代基。ZT1表示与上述相同的含义。
XT1表示单键、氧原子、硫原子、-N(RXT1)-所示的基团或-C(RXT1′)2-所示的基团。RXT1及RXT1′分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、取代氨基、卤素原子或氰基，这些基团任选具有取代基。存在的多个RXT1′任选相同或不同，任选彼此键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。
RXT1和环RT1所任选具有的取代基、RXT1和环RT2所任选具有的取代基、RXT1′和环RT1所任选具有的取代基、以及RXT1′和环RT2所任选具有的取代基任选分别直接键合或者经由二价基团键合并与各自所键合的原子一起形成环。]
[6]根据[5]所述的发光元件，其中，上述式(T1-1)所示的基团为式(T1-1A)所示的基团、式(T1-1B)所示的基团、式(T1-1C)所示的基团或式(T1-1D)所示的基团。
[化8]
[式中，
XT1表示与上述相同的含义。
XT2及XT3分别独立地表示单键、氧原子、硫原子、-N(RXT2)-所示的基团或-C(RXT2′)2-所示的基团。RXT2及RXT2′分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、取代氨基、卤素原子或氰基，这些基团任选具有取代基。存在的多个RXT2′任选相同或不同，任选直接键合或者经由二价基团键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。
RT1、RT2、RT3、RT4、RT5、RT6、RT7、RT8、RT9、RT10、RT11及RT12分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、取代氨基、卤素原子或氰基，这些基团任选具有取代基。
RT1与RT2、RT2与RT3、RT3与RT4、RT5与RT6、RT6与RT7、RT7与RT8、RT9与RT10、RT10与RT11、以及RT11与RT12任选分别直接键合或者经由二价基团键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。]
[7]根据[4]～[6]中任一项所述的发光元件，其中，上述ArT2为在环内包含＝N-所示的基团的杂环基(该基团任选具有取代基)。
[8]根据[7]所述的发光元件，其中，上述ArT2为从二唑环、三唑环、噁二唑环、噻二唑环、噻唑环、噁唑环、异噻唑环、异噁唑环、苯并二唑环、苯并三唑环、苯并噁二唑环、苯并噻二唑环、苯并噻唑环、苯并噁唑环、氮杂咔唑环、二氮杂咔唑环、吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、氮杂萘环、二氮杂萘环、三氮杂萘环、四氮杂萘环、氮杂蒽环、二氮杂蒽环、三氮杂蒽环、四氮杂蒽环、氮杂菲环、二氮杂菲环、三氮杂菲环或四氮杂菲环中除去与构成环的原子直接键合的1个以上氢原子后的基团(该基团任选具有取代基)。
[9]根据[1]～[8]中任一项所述的发光元件，其中，上述化合物(T)的振子强度为0.0001以上。
[10]根据[1]～[9]中任一项所述的发光元件，其中，上述第一有机层还含有选自主体材料、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、荧光发光材料及抗氧化剂中的至少1种。
[11]根据[1]～[10]中任一项所述的发光元件，其中，上述第一有机层与上述第二有机层邻接。
[12]根据[1]～[11]中任一项所述的发光元件，其中，上述第二有机层为设置于上述阳极与上述第一有机层之间的层。
[13]一种组合物，其含有最低三重态激发状态的能级与最低单态激发状态的能级之差的绝对值为0.5eV以下的化合物(T)和包含式(Y)所示的结构单元的高分子化合物，并且不含有磷光发光性金属络合物。
[化9]
[式中，ArY1表示亚芳基、二价杂环基、或者至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团，这些基团任选具有取代基。]
发明的效果
根据本发明，可以提供外部量子效率优异的发光元件及对于制造该发光元件而言有用的组合物。
具体实施方式
以下，针对本发明的适合实施方式详细地进行说明。
<通用术语的说明>
本说明书中通用的术语只要没有特别记载则为以下的含义。
Me表示甲基，Et表示乙基，Bu表示丁基，i-Pr表示异丙基，t-Bu表示叔丁基。
氢原子可以为氘原子，也可以为氕原子。
在表示金属络合物的式中，表示与中心金属形成的键的实线是指共价键或配位键。
“高分子化合物”表示具有分子量分布且聚苯乙烯换算的数均分子量为1×103～1×108的聚合物。
高分子化合物可以为嵌段共聚物、无规共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任一者，也可以为其它形态。
关于高分子化合物的末端基团，若聚合活性基团原样残留，则在将高分子化合物用于发光元件的制作的情况下，有发光特性或亮度寿命降低的可能性，因此优选为稳定的基团。作为高分子化合物的末端基团，优选为与主链共轭键合的基团，可举出例如通过碳-碳键与高分子化合物的主链键合的芳基或者键合有一价杂环基的基团。
“低分子化合物”是指不具有分子量分布且分子量为1×104以下的化合物。
“结构单元”是指在高分子化合物中存在1个以上的单元。
“烷基”可以为直链及支链中的任一种。直链烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为1～50，优选为3～30，更优选为4～20。支链烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～50，优选为3～30，更优选为4～20。
烷基任选具有取代基，例如可举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、2-丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3，7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基癸基、十二烷基、以及这些基团中的氢原子被环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基团(例如三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯基丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3，5-二己基苯基)丙基、6-乙氧基己基)。
“环烷基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～50，优选为3～30，更优选为4～20。
环烷基任选具有取代基，例如可举出环己基、环己基甲基、环己基乙基。
“芳基”是指从芳香族烃中除去与构成环的碳原子直接键合的1个氢原子后余下的原子团。芳基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为6～60，优选为6～20，更优选为6～10。
芳基任选具有取代基，例如可举出：苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、2-苯基苯基、3-苯基苯基、4-苯基苯基、以及这些基团中的氢原子被烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基团。
“烷氧基”可以为直链及支链中的任一种。直链烷氧基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为1～40，优选为4～10。支链烷氧基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～40，优选为4～10。
烷氧基任选具有取代基，例如可举出：甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、月桂氧基、以及这些基团中的氢原子被环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、氟原子等取代后的基团。
“环烷氧基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～40，优选为4～10。
环烷氧基任选具有取代基，例如可举出环己氧基。
“芳氧基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为6～60，优选为6～48。
芳氧基任选具有取代基，例如可举出：苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1-蒽氧基、9-蒽氧基、1-芘氧基、以及这些基团中的氢原子被烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、氟原子等取代后的基团。
“p价的杂环基”(p表示1以上的整数)是指：从杂环式化合物中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子之中的p个氢原子后余下的原子团。p价的杂环基之中，优选为从芳香族杂环式化合物中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子之中的p个氢原子后余下的原子团、即“p价的芳香族杂环基”。
“芳香族杂环式化合物”是指：噁二唑、噻二唑、噻唑、噁唑、噻吩、吡咯、磷杂环戊二烯、呋喃、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪、哒嗪、喹啉、异喹啉、咔唑、二苯并磷杂环戊二烯等杂环自身表现出芳香族性的化合物；以及、吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并硼杂环戊二烯、二苯并噻咯、苯并吡喃等杂环自身不表现出芳香族性、但在杂环上稠合有芳香环的化合物。
一价杂环基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为2～60，优选为4～20。
一价杂环基任选具有取代基，例如可举出：噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基、嘧啶基、三嗪基、以及这些基团中的氢原子被烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基等取代后的基团。
“卤素原子”表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
“氨基”任选具有取代基，优选为取代氨基。作为氨基所具有的取代基，优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基。
作为取代氨基，例如可举出：二烷基氨基、二环烷基氨基及二芳基氨基。
作为氨基，例如可举出：二甲基氨基、二乙基氨基、二苯基氨基、双(4-甲基苯基)氨基、双(4-叔丁基苯基)氨基、双(3，5-二叔丁基苯基)氨基。
“链烯基”可以为直链及支链中的任一种。直链烯基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为2～30，优选为3～20。支链烯基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～30，优选为4～20。
“环烯基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～30，优选为4～20。
链烯基及环烯基任选具有取代基，例如可举出：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、5-己烯基、7-辛烯基、以及这些基团具有取代基而成的基团。
“链炔基”可以为直链及支链中的任一种。链炔基的碳原子数不包括取代基的碳原子，通常为2～20，优选为3～20。支链炔基的碳原子数不包括取代基的碳原子，通常为4～30，优选为4～20。
“环炔基”的碳原子数不包括取代基的碳原子，通常为4～30，优选为4～20。
链炔基及环炔基任选具有取代基，例如可举出：乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、5-己炔基、以及这些基团具有取代基而成的基团。
“亚芳基”是指从芳香族烃中除去与构成环的碳原子直接键合的2个氢原子后余下的原子团。亚芳基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为6～60，优选为6～30，更优选为6～18。
亚芳基任选具有取代基，例如可举出亚苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氢菲二基、并四苯二基、芴二基、芘二基、苝二基、二基、以及这些基团具有取代基而成的基团，优选为式(A-1)～式(A-20)所示的基团。亚芳基包括键合有多个这些基团的基团。
[化10]
[化11]
[化12]
[化13]
[式中，R及Ra各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基。所存在的多个R及Ra各自相同或不同，Ra任选彼此相互键合并与各自所键合的原子一起形成环。]
二价杂环基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为2～60，优选为3～20，更优选为4～15。
二价杂环基任选具有取代基，例如可举出：从吡啶、二氮杂苯、三嗪、氮杂萘、二氮杂萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并噻咯、吩噁嗪、吩噻嗪、吖啶、二氢吖啶、呋喃、噻吩、唑、二唑、三唑中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子中的2个氢原子后的二价基团，优选为式(AA-1)～式(AA-34)所示的基团。二价杂环基包括键合有多个这些基团的基团。
[化14]
[化15]
[化16]
[化17]
[化18]
[化19]
[化20]
[式中，R及Ra表示与上述相同的含义。]
“交联基”是通过供于加热处理、紫外线照射处理、近紫外线照射处理、可见光照射处理、红外线照射处理、自由基反应等而能够生成新键的基团，优选为上述交联基A组的式(XL-1)～式(XL-17)所示的交联基。
“取代基”表示卤素原子、氰基、烷基、环烷基、芳基、一价杂环基、烷氧基、环烷氧基、芳氧基、氨基、取代氨基、链烯基、环烯基、链炔基或环炔基。取代基可以为交联基。
<发光元件>
本发明的发光元件是具有阳极、阴极、设置于阳极与阴极之间的第一有机层、以及设置于阳极与阴极之间的第二有机层的发光元件，
上述第一有机层是含有最低三重态激发状态的能级与最低单态激发状态的能级之差的绝对值(以下也称作“ΔEST”)为0.5eV以下的化合物(T)、且不含有磷光发光性金属络合物的层，
上述第二有机层是含有包含交联结构单元的高分子化合物的交联体的层，且该高分子化合物的最低三重态激发状态的能级为2.25eV以上。
予以说明，磷光发光性金属络合物是在室温(25℃)下显示来自三重态激发状态的发光的金属络合物。
作为第一有机层及第二有机层的形成方法，可列举例如：真空蒸镀法等干式法；以及旋涂法及喷墨印刷法等湿式法，优选湿式法。
在利用湿式法形成第一有机层的情况下，优选使用后述的第一油墨。
在利用湿式法形成第二有机层的情况下，优选使用后述的第二油墨。通过在形成第二有机层后进行加热或光照射，从而可以使第二有机层中所含有的包含交联结构单元(即具有交联基的结构单元)的高分子化合物发生交联，优选通过加热而使第二有机层中所含有的包含交联结构单元的高分子化合物发生交联。第二有机层以已交联的状态(包含交联结构单元的高分子化合物的交联体)含有包含交联结构单元的高分子化合物，因此，第二有机层实质上不溶解于溶剂。因此，第二有机层可以适合地用于发光元件的层叠化。
用于使之交联的加热温度通常为25℃～300℃，优选为50℃～260℃，更优选为130℃～230℃，进一步优选为180℃～210℃。
加热的时间通常为0.1分钟～1000分钟，优选为0.5分钟～500分钟，更优选为1分钟～120分钟，进一步优选为10分钟～60分钟。
光照射中所使用的光的种类例如为紫外光、近紫外光、可见光。
作为第一有机层或第二有机层中所含有的成分的分析方法，可列举例如：萃取等化学性分离分析法；红外分光法(IR)、核磁共振分光法(NMR)、质谱分析法(MS)等设备分析法；以及将化学性分离分析法与设备分析法组合的分析法。
通过对第一有机层或第二有机层使用甲苯、二甲苯、氯仿、四氢呋喃等有机溶剂进行固液萃取，从而可以分离成实质上不溶于有机溶剂的成分(不溶成分)和溶解于有机溶剂的成分(溶解成分)。不溶成分可以利用红外分光法或核磁共振分光法进行分析，溶解成分可以利用核磁共振分光法或质谱分析法进行分析。
<第一有机层>
[化合物(T)]
化合物(T)优选为热活化延迟荧光(TADF)材料。TADF材料优选为低分子化合物。
化合物(T)的ΔEST优选为0.45eV以下，更优选为0.40eV以下，进一步优选为0.30eV以下，特别优选为0.20eV以下，尤其优选为0.13eV以下，尤其更优选为0.11eV以下。化合物(T)的ΔEST优选为0.0001eV以上，更优选为0.001eV以上，进一步优选为0.005eV以上，特别优选为0.01eV以上。从本发明的发光元件的外部量子效率优异的方面出发，化合物(T)的ΔEST优选为0.0001eV以上且0.45eV以下，更优选为0.0001eV以上且0.40eV以下，进一步优选为0.001eV以上且0.20eV以下，特别优选为0.005eV以上且0.13eV以下，尤其优选为0.01eV以上且0.11eV以下。
化合物(T)的振子强度优选为0.0001以上，更优选为0.001以上，进一步优选为0.01以上，特别优选为0.05以上，尤其优选为0.1以上。化合物(T)的振子强度优选为1以下，更优选为0.8以下，进一步优选为0.6以下，特别优选为0.3以下。从本发明的发光元件的外部量子效率优异的方面出发，化合物(T)的振子强度优选为0.0001以上且1以下，更优选为0.001以上且0.8以下，进一步优选为0.01以上且0.6以下，特别优选为0.1以上且0.3以下。
关于化合物的ΔEST及振子强度的值的计算，利用B3LYP水平的密度泛函数法，将化合物的基态进行结构优化，此时，使用6-31G*作为基底函数。而且，使用Gaussian09作为量子化学计算程序，利用B3LYP水平的时间依赖密度泛函数法来计算化合物的ΔEST及振子强度。但是，在包含不能使用6-31G*的原子的情况下，对该原子使用LANL2DZ。
化合物(T)的分子量优选为1×102～1×104，更优选为2×102～5×103，进一步优选为3×102～3×103，特别优选为5×102～1.5×103。
从本发明的发光元件的外部量子效率优异的方面出发，化合物(T)优选为式(T-1)所示的化合物。
从本发明的发光元件的外部量子效率优异的方面出发，nT1优选为0以上且3以下的整数，更优选为0以上且2以下的整数，进一步优选为0或1。
从本发明的发光元件的外部量子效率优异的方面出发，nT2优选为1以上且10以下的整数，更优选为1以上且7以下的整数，进一步优选为1以上且5以下的整数，特别优选为2或3。
ArT1表示芳基、取代氨基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。其中，至少1个ArT1为取代氨基、或者为在环内包含不具有双键的氮原子且在环内不包含＝N-所示的基团、硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2-所示的基团及式(P)所示的基团的一价杂环基。
作为ArT1所示的芳基，可列举例如从苯环、萘环、蒽环、菲环、二氢菲环、并四苯环、芴环、螺二芴环、茚环、芘环、苝环、环或这些环稠合而成的环中除去与构成环的碳原子直接键合的1个氢原子后的基团，优选为从苯环、萘环、蒽环、菲环、二氢菲环、并四苯环、芴环、螺二芴环、茚环、芘环、苝环或环中除去与构成环的碳原子直接键合的1个氢原子后的基团，更优选为从苯基、萘基、蒽基、菲基、二氢菲基、芴基或螺二芴基，进一步优选为苯基、萘基、芴基或螺二芴基，特别优选为苯基，这些基团任选具有取代基。
作为ArT1所示的一价杂环基，可列举例如后述的一价供体型杂环基及除了后述的一价供体型杂环基以外的一价杂环基，优选为从咔唑环、9，10-二氢吖啶环、5，10-二氢吩嗪环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、吲哚并咔唑环、茚并咔唑环、吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、氮杂萘环、二氮杂萘环、氮杂蒽环、二氮杂蒽环、氮杂菲环、二氮杂菲环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、氮杂咔唑环或二氮杂咔唑环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团，更优选为从咔唑环、吲哚并咔唑环、茚并咔唑环、吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团，进一步优选为从咔唑环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。
在ArT1所示的取代氨基中，作为氨基所具有的取代基，优选烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选芳基或一价杂环基，进一步优选芳基，这些基团任选还具有取代基。氨基所具有的取代基中的芳基的例子及优选的范围与ArT1所示的芳基的例子及优选的范围相同。氨基所具有的取代基中的一价杂环基的例子及优选的范围与ArT1所示的一价杂环基的例子及优选的范围相同。
“不具有双键的氮原子”是指在氮原子与键合于该氮原子的所有原子之间仅具有单键的氮原子。
“在环内包含不具有双键的氮原子”是指在环内包含-N(-RN)-(式中，RN表示氢原子或取代基)或下式所示的基团。
[化21]
在环内包含不具有双键的氮原子且在环内不包含＝N-所示的基团、硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2-所示的基团及上述式(P)所示的基团的一价杂环基(在本说明书中，也称作“一价供体型杂环基”)中，构成环的不具有双键的氮原子的数量通常为1～10，优选为1～5，更优选为1～3，进一步优选为1或2，特别优选为1。
在一价供体型杂环基中，构成环的碳原子的数量通常为2～60，优选为5～40，更优选为10～25。
作为一价供体型杂环基，可列举例如从吡咯环、吲哚环、异吲哚环、咔唑环、9，10-二氢吖啶环、5，10-二氢吩嗪环、吖啶酮环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、吲哚并咔唑环、茚并咔唑环、或者在这些杂环上稠合芳香族烃环和/或杂环而成的环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。其中，在杂环上任选稠合的芳香族烃环为在后述的环内不含有-C(＝ZT1)-所示的基团的芳香族烃环。在杂环上任选稠合的杂环为在后述的环内不包含＝N-所示的基团、硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2-所示的基团及上述式(P)所示的基团的杂环。
一价供体型杂环基优选为从吡咯环、吲哚环、异吲哚环、咔唑环、9，10-二氢吖啶环、5，10-二氢吩嗪环、吖啶酮环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、吲哚并咔唑环或茚并咔唑环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团，更优选为从咔唑环、9，10-二氢吖啶环、5,10-二氢吩嗪环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、吲哚并咔唑环或茚并咔唑环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团，进一步优选为从咔唑环、吲哚并咔唑环或茚并咔唑环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团，特别优选为从咔唑环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。
除了一价供体型杂环基以外的一价杂环基的不包含取代基的碳原子数在内的碳原子数通常为2～60，优选为3～20。
作为除了一价供体型杂环基以外的一价杂环基，可列举例如从二唑环、三唑环、呋喃环、噻吩环、噁二唑环、噻二唑环、吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、氮杂萘环、二氮杂萘环、三氮杂萘环、氮杂蒽环、二氮杂蒽环、三氮杂蒽环、氮杂菲环、二氮杂菲环、三氮杂菲环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、二苯并硅杂环戊二烯环、二苯并磷杂环戊二烯环、氮杂咔唑环、二氮杂咔唑环、这些杂环稠合而成的环、以及在这些杂环上稠合芳香族烃环而成的环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团，优选为从二唑环、三唑环、呋喃环、噻吩环、噁二唑环、噻二唑环、吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、氮杂萘环、二氮杂萘环、三氮杂萘环、氮杂蒽环、二氮杂蒽环、三氮杂蒽环、氮杂菲环、二氮杂菲环、三氮杂菲环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、二苯并硅杂环戊二烯环、二苯并磷杂环戊二烯环、氮杂咔唑环或二氮杂咔唑环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团，更优选为从吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、氮杂萘环、二氮杂萘环、氮杂蒽环、二氮杂蒽环、氮杂菲环、二氮杂菲环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、氮杂咔唑环或二氮杂咔唑环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个以上氢原子后的基团，进一步优选为从吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环中除去与构成环的碳原子直接键合的1个氢原子后的基团，特别优选为从二苯并呋喃环或二苯并噻吩环中除去与构成环的碳原子直接键合的1个氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。
作为ArT1所任选具有的取代基，优选烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、取代氨基、卤素原子或氰基，更优选烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、一价杂环基、取代氨基或氰基，进一步优选烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，特别优选烷基、芳基或取代氨基，尤其优选取代氨基，这些基团任选还具有取代基。
ArT1所任选具有的取代基中的芳基、一价杂环基及取代氨基的例子及优选的范围分别与ArT1所示的芳基、一价杂环基及取代氨基的例子及优选的范围相同。
作为ArT1所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基，优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、取代氨基、卤素原子或氰基，更优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、一价杂环基或取代氨基，进一步优选为烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，特别优选为烷基或环烷基，这些基团任选还具有取代基。
ArT1所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基中的芳基、一价杂环基及取代氨基的例子及优选的范围分别与ArT1所示的芳基、一价杂环基及取代氨基的例子及优选的范围相同。
从本发明的发光元件的外部量子效率优异的方面出发，至少1个ArT1优选为一价供体型杂环基，更优选为式(T1-1)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
即，一价供体型杂环基优选为式(T1-1)所示的基团。
在ArT1不为取代氨基及一价供体型杂环基的情况下，从本发明的发光元件的外部量子效率优异的方面出发，ArT1优选为芳基或除了一价供体型杂环基以外的一价杂环基，更优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，ArT1优选为芳基或一价供体型杂环基，更优选为芳基或式(T1-1)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
在存在多个ArT1的情况下，它们任选相同或不同，任选直接键合或者经由二价基团键合而形成环，但优选不形成环。
作为“二价基团”，可列举亚烷基、亚环烷基、亚芳基、二价杂环基、-N(RArT1)-所示的基团、-B(RArT1)-所示的基团、-P(RArT1)-所示的基团、-(O＝)P(RArT1)-所示的基团、-Si(RArT1′)2-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2所示的基团、-C(＝ZT1)-所示的基团、氧原子或硫原子，优选为亚烷基、亚环烷基、亚芳基、二价杂环基、-N(RArT1)-所示的基团、-P(RArT1)-所示的基团、-Si(RArT1′)2-所示的基团、氧原子或硫原子，更优选为亚烷基、亚环烷基、-N(RArT1)-所示的基团、-P(RArT1)-所示的基团、-Si(RArT1′)2-所示的基团、氧原子或硫原子，进一步优选为亚烷基、-N(RArT1)-所示的基团、氧原子或硫原子，特别优选为氧原子或硫原子，这些基团任选具有取代基。
二价基团所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArT1所任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
二价基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围与ArT1所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
二价基团中的亚烷基的例子及优选的范围与后述的LA所示的亚烷基的例子及优选的范围相同。二价基团中的亚环烷基的例子及优选的范围与后述的LA所示的亚环烷基的例子及优选的范围相同。
二价基团中的亚芳基的例子及优选的范围与后述的LT1所示的亚芳基的例子及优选的范围相同。二价基团中的二价杂环基的例子及优选的范围与后述的LT1所示的二价杂环基的例子及优选的范围相同。
RArT1及RArT1′分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、取代氨基、卤素原子或氰基，这些基团任选具有取代基。
RArT1的例子及优选的范围与后述的RXT1的例子及优选的范围相同。
RArT1′的例子及优选的范围与后述的RXT1′的例子及优选的范围相同。
·式(T1-1)所示的基团
“在环内不包含-C(＝ZT1)-所示的基团的芳香族烃环”的不包含取代基的碳原子数在内的碳原子数通常为6～60，优选为6～30，更优选为6～18。
作为在环内不包含-C(＝ZT1)-所示的基团的芳香族烃环，可列举例如苯环、萘环、蒽环、菲环、二氢菲环、并四苯环、芴环、螺二芴环、茚环、芘环、苝环、环及这些环稠合而成的环，优选为苯环、萘环、蒽环、菲环、二氢菲环、并四苯环、芴环、螺二芴环、茚环、芘环、苝环或环，更优选为苯环、萘环、蒽环、菲环、二氢菲环、芴环或螺二芴环，进一步优选为苯环、萘环、芴环或螺二芴环，特别优选为苯环或芴环，尤其优选为苯环，这些环任选具有取代基。
“在环内不包含＝N-所示的基团、硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2-所示的基团及上述式(P)所示的基团的杂环”的不包含取代基的碳原子数在内的碳原子数通常为2～60，优选为3～30，更优选为4～15。
作为在环内不包含＝N-所示的基团、硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2-所示的基团及上述式(P)所示的基团的杂环，可列举吡咯环、呋喃环、噻吩环、硅杂环戊二烯环、磷杂环戊二烯环、吲哚环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、苯并硅杂环戊二烯环、苯并磷杂环戊二烯环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、二苯并硅杂环戊二烯环、二苯并磷杂环戊二烯环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、9,10-二氢吖啶环、5，10-二氢吩嗪环、这些环稠合而成的环、以及在这些环上稠合有在环内不包含-C(＝ZT1)-所示的基团的芳香族烃环而成的环，优选为吡咯环、呋喃环、噻吩环、硅杂环戊二烯环、磷杂环戊二烯环、吲哚环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、苯并硅杂环戊二烯环、苯并磷杂环戊二烯环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、二苯并硅杂环戊二烯环、二苯并磷杂环戊二烯环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、9，10-二氢吖啶环或5，10-二氢吩嗪环，更优选为吲哚环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、9，10-二氢吖啶环或5，10-二氢吩嗪环，进一步优选为咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、9,10-二氢吖啶环或5，10-二氢吩嗪环，特别优选为咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环，尤其优选为咔唑环，这些环任选具有取代基。
环RT1及环RT2所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArT1所任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
环RT1及环RT2所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围与ArT1所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
环RT1及环RT2之中的至少一者优选为在环内不包含-C(＝ZT1)-所示的基团的芳香族烃环，更优选为苯环，这些环任选具有取代基。
环RT1及环RT2两者优选为在环内不包含-C(＝ZT1)-所示的基团的芳香族烃环，更优选为苯环，这些环任选具有取代基。
XT1优选为单键、氧原子、硫原子或-C(RXT1′)2-所示的基团，更优选为单键、氧原子或硫原子，进一步优选为单键。
RXT1优选为烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，更优选为芳基或一价杂环基，进一步优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
RXT1′优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为烷基、环烷基或芳基，进一步优选为烷基或环烷基，这些基团任选具有取代基。
存在的多个RXT1′任选相同或不同，任选相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环，但是优选不形成环。
RXT1及RXT1′所示的芳基、一价杂环基及取代氨基的例子及优选的范围分别与ArT1所示的芳基、一价杂环基及取代氨基的例子及优选的范围相同。
RXT1及RXT1′所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArT1所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
RXT1和环RT1所任选具有的取代基、RXT1和环RT2所任选具有的取代基、RXT1′和环RT1所任选具有的取代基、以及RXT1′和环RT2所任选具有的取代基任选分别直接键合或者经由二价基团键合并与各自所键合的原子一起形成环，但是优选不形成环。
式(T1-1)所示的基团优选为式(T1-1A)所示的基团、式(T1-1B)所示的基团、式(T1-1C)所示的基团或式(T1-ID)所示的基团，更优选为式(T1-1A)所示的基团、式(T1-1B)所示的基团或式(T1-1C)所示的基团，进一步优选为式(T1-1A)所示的基团。
XT2及XT3优选为单键、-N(RXT2)-所示的基团或-C(RXT2′)2-所示的基团，更优选为单键或-C(RXT2′)2-所示的基团。
XT2及XT3中的至少一者优选为单键，更优选XT3为单键。
在XT2及XT3中的至少一者为单键的情况下，另一者优选为氧原子、硫原子、-N(RXT2)-所示的基团或-C(RXT2′)2-所示的基团，更优选为-N(RXT2)-所示的基团或-C(RXT2′)2-所示的基团，进一步优选为-C(RXT2′)2-所示的基团。
RXT2的例子及优选的范围与RXT1的例子及优选的范围相同。
RXT2′的例子及优选的范围与RXT1′的例子及优选的范围相同。
RXT2及RXT2′所任选具有的取代基的例子及优选的范围与RXT1及RXT1′所任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
RT1、RT2、RT3、RT4、RT5、RT6、RT7、RT8、RT9、RT10、RT11及RT12优选为氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、一价杂环基、取代氨基或氰基，更优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，这些基团任选还具有取代基。
在式(T1-1A)所示的基团中，RT1、RT2、RT4、RT5、RT7及RT8优选为氢原子、烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，更优选为氢原子或烷基，进一步优选为氢原子，这些基团任选还具有取代基。
在式(T1-1A)所示的基团中，RT3及RT6优选为烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，更优选为芳基、一价杂环基或取代氨基，进一步优选为取代氨基，这些基团任选还具有取代基。
在式(T1-1B)、式(T1-1C)及式(T1-1D)所示的基团中，RT1、RT2、RT3、RT4、RT5、RT6、RT7、RT8、RT9、RT10、RT11及RT12优选为氢原子、烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，更优选为氢原子或烷基，进一步优选为氢原子，这些基团任选还具有取代基。
RT1、RT2、RT3、RT4、RT5、RT6、RT7、RT8、RT9、RT10、RT11及RT12所示的芳基、一价杂环基及取代氨基的例子及优选的范围分别与ArT1所示的芳基、一价杂环基及取代氨基的例子及优选的范围相同。
RT1、RT2、RT3、RT4、RT5、RT6、RT7、RT8、RT9、RT10、RT11及RT12所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArT1所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
RT1与RT2、RT2与RT3、RT3与RT4、RT5与RT6、RT6与RT7、RT7与RT8、RT9与RT10、RT10与RT11、以及RT11与RT12任选分别直接键合或者经由二价基团键合并与各自所键合的碳原子一起形成环，但是优选不形成环。
LT1表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、二价杂环基、-N(RT1′)-所示的基团、氧原子或硫原子，这些基团任选具有取代基。
LT1优选为亚烷基、亚环烷基、亚芳基或二价杂环基，更优选为亚芳基或二价杂环基，进一步优选为亚芳基，这些基团任选具有取代基。
作为LT1所示的亚芳基，优选为亚苯基、萘二基、芴二基、菲二基或二氢菲二基，更优选为式(A-1)～式(A-9)、式(A-19)或式(A-20)所示的基团，进一步优选为式(A-1)～式(A-3)所示的基团，特别优选为式(A-1)或(A-2)所示的基团，尤其优选为式(A-1)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
作为LT1所示的二价杂环基，优选为式(AA-1)～式(AA-34)所示的基团，更优选为式(AA-1)～式(AA-6)、式(AA-10)～式(AA-21)或式(AA-24)～式(AA-34)所示的基团，进一步优选为式(AA-1)～式(AA-4)、式(AA-10)～式(AA-15)或式(AA-29)～式(AA-34)所示的基团，特别优选为式(AA-2)、式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)或式(AA-14)所示的基团。
LT1所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArT1所任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
LT1所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围与ArT1所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
RT1′优选为芳基或一价杂环基，更优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
RT1′所示的芳基及一价杂环基的例子及优选的范围分别与ArT1所示的芳基及一价杂环基的例子及优选的范围相同。
RT1′所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArT1所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
在存在多个LT1的情况下，它们任选相同或不同，任选直接键合或经由二价基团键合而形成环，但是优选不形成环。
ArT2为硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2-所示的基团、上述式(P)所示的基团、具有吸电子性基团的芳香族烃基、或者在环内包含＝N-所示的基团的杂环基，这些基团任选具有取代基。
从本发明的发光元件的外部量子效率优异的方面出发，ArT2优选为硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)2所示的基团、上述式(P)所示的基团、具有吸电子性基团的芳香族烃基、或者在环内包含＝N-所示的基团的杂环基，更优选为硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)2所示的基团、具有吸电子性基团的芳香族烃基、或者在环内包含＝N-所示的基团的杂环基，进一步优选为-S(＝O)2所示的基团、具有吸电子性基团的芳香族烃基、或者在环内包含＝N-所示的基团的杂环基，特别优选为具有吸电子性基团的芳香族烃基、或者在环内包含＝N-所示的基团的杂环基，尤其优选为在环内包含＝N-所示的基团的杂环基，这些基团任选具有取代基。
ZT1优选为氧原子。
RZT1优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为芳基或一价杂环基，进一步优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
RZT1所示的芳基及一价杂环基的例子及优选的范围分别与ArT1所示的芳基及一价杂环基的例子及优选的范围相同。
RZT1所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArT1所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
在具有吸电子性基团的芳香族烃基中，芳香族烃基的不包含取代基的碳原子数在内的碳原子数通常为6～60，优选为6～30，更优选为6～18。
作为具有吸电子性基团的芳香族烃基中的芳香族烃基，可列举例如从苯环、萘环、蒽环、菲环、二氢菲环、并四苯环、芴环、螺二芴环、茚环、芘环、苝环、环及这些环稠合而成的环中除去与构成环的碳原子直接键合的1个以上氢原子后的基团，优选为从苯环、萘环、蒽环、菲环、二氢菲环、并四苯环、芴环、螺二芴环、茚环、芘环、苝环或环中除去与构成环的碳原子直接键合的1个以上氢原子后的基团，更优选为从苯环、萘环、蒽环、菲环、二氢菲环、芴环或螺二芴环中除去与构成环的碳原子直接键合的1个以上氢原子后的基团，进一步优选为从苯环、萘环、芴环或螺二芴环中除去与构成环的碳原子直接键合的1个以上氢原子后的基团，特别优选为从苯环或芴环中除去与构成环的碳原子直接键合的1个以上氢原子后的基团，尤其优选为从苯环中除去与构成环的碳原子直接键合的1个以上氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。
作为吸电子性基团，可列举例如具有氟原子作为取代基的烷基、氟原子、氰基及硝基，优选为具有氟原子作为取代基的烷基、氟原子或氰基，更优选为氰基。
作为具有氟原子作为取代基的烷基，优选为三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基。
在具有吸电子性基团的芳香族烃基中，芳香族烃基所具有的吸电子性基团的数量通常为1～10个，优选为1～5个，更优选为1～3个，进一步优选为1个或2个。
在环内包含＝N-所示的基团的杂环基中，构成环的具有双键的氮原子的数量通常为1～10，优选为1～7，更优选为1～5，进一步优选为1～3，特别优选为3。
在环内包含＝N-所示的基团的杂环基中，构成环的碳原子的数量通常为1～60，优选为2～30，更优选为3～15，特别优选为3～5。
作为在环内包含＝N-所示的基团的杂环基，可列举例如从二唑环、三唑环、噁二唑环、噻二唑环、噻唑环、噁唑环、异噻唑环、异噁唑环、苯并二唑环、苯并三唑环、苯并噁二唑环、苯并噻二唑环、苯并噻唑环、苯并噁唑环、氮杂咔唑环、二氮杂咔唑环、吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、氮杂萘环、二氮杂萘环、三氮杂萘环、四氮杂萘环、氮杂蒽环、二氮杂蒽环、三氮杂蒽环、四氮杂蒽环、氮杂菲环、二氮杂菲环、三氮杂菲环、四氮杂菲环、或者在这些杂环上稠合有芳香环的环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个以上氢原子后的基团，优选为从二唑环、三唑环、噁二唑环、噻二唑环、噻唑环、噁唑环、异噻唑环、异噁唑环、苯并二唑环、苯并三唑环、苯并噁二唑环、苯并噻二唑环、苯并噻唑环、苯并噁唑环、氮杂咔唑环、二氮杂咔唑环、吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、氮杂萘环、二氮杂萘环、三氮杂萘环、四氮杂萘环、氮杂蒽环、二氮杂蒽环、三氮杂蒽环、四氮杂蒽环、氮杂菲环、二氮杂菲环、三氮杂菲环、四氮杂菲环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个以上氢原子后的基团，更优选为从三唑环、噁二唑环、噻二唑环、氮杂咔唑环、二氮杂咔唑环、吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、氮杂萘环、二氮杂萘环、三氮杂萘环、四氮杂萘环、氮杂蒽环、二氮杂蒽环、三氮杂蒽环、四氮杂蒽环、氮杂菲环、二氮杂菲环、三氮杂菲环或四氮杂菲环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个以上氢原子后的基团，进一步优选为从三唑环、噁二唑环、噻二唑环、吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、氮杂萘环、二氮杂萘环、氮杂蒽环、二氮杂蒽环、氮杂菲环或二氮杂菲环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个以上氢原子后的基团，特别优选为从吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、喹唑啉环、喹喔啉环、吖啶环、吩嗪环或菲咯啉环中除去与构成环的碳原子直接键合的1个以上氢原子后的基团，尤其优选为从吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环中除去与构成环的碳原子直接键合的1个以上氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。
作为ArT2所任选具有的取代基(与后述的式(1T’)所示的基团不同。以下同样)，优选烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、卤素原子或氰基，更优选烷基、环烷基、氟原子或氰基，进一步优选烷基或环烷基，这些基团任选具有取代基。
ArT2所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围与ArT1所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
ArT1与LT1优选不直接键合或者经由二价基团键合而形成环。ArT2与LT1优选不直接键合或者经由二价基团键合而形成环。ArT1与ArT2优选不直接键合或经由二价基团键合而形成环。
在式(T-1)所示的化合物中，在ArT2为在环内包含＝N-所示的基团的杂环基的情况下，从本发明的发光元件的外部量子效率优异的方面出发，式(T-1)所示的化合物优选为式(T’-1)～式(T’-14)所示的化合物，更优选为式(T’-1)～式(T’-8)或式(T’-12)～式(T’-14)所示的化合物，进一步优选为式(T’-1)～式(T’-4)或式(T’-12)～式(T’-14)所示的化合物，特别优选为式(T’-1)～式(T’-4)所示的化合物，尤其优选为式(T’-4)所示的化合物。
在式(T-1)所示的化合物中，在ArT2为具有吸电子性基团的芳香族烃基的情况下，从本发明的发光元件的外部量子效率优异的方面出发，式(T-1)所示的化合物优选为式(T’-15)～式(T’-18)所示的化合物，更优选为式(T’-15)、式(T’-17)或式(T’-18)所示的化合物，进一步优选为式(T’-15)所示的化合物。
在式(T-1)所示的化合物中，在ArT2为硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2-所示的基团或上述式(P)所示的基团的情况下，从本发明的发光元件的外部量子效率优异的方面出发，式(T-1)所示的化合物优选为式(T’-18)～式(T’-22)所示的化合物，更优选为式(T’-19)～式(T’-22)所示的化合物，进一步优选为式(T’-20)或式(T’-21)所示的化合物，特别优选为式(T’-21)所示的化合物。
从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，式(T-1)所示的化合物优选为式(T’-1)～式(T’-4)、式(T’-12)～式(T’-14)、式(T’-15)、式(T’-17)、式(T’-18)、式(T’-20)或式(T’-21)所示的化合物，更优选为式(T’-1)～式(T’-4)、式(T’-15)或式(T’-21)所示的化合物，进一步优选为式(T’-1)～式(T’-4)所示的化合物，特别优选为式(T’-4)所示的化合物。
从本发明的发光元件的CIE色度坐标的x及y的值变小(例如色度坐标的x为0.25以下、色度坐标的y为0.45以下)、且本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，式(T-1)所示的化合物优选为式(T’-1)～式(T’-4)或式(T’-19)～式(T’-22)所示的化合物，更优选为式(T’-4)或式(T’-19)～式(T’-21)所示的化合物，进一步优选为式(T’-19)所示的化合物。
[化22]
[化23]
[化24]
[化25]
[化26]
[化27]
[式中，
R1T表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、卤素原子、氰基或式(1T’)所示的基团，这些基团任选具有取代基。存在的多个R1T任选相同或不同，任选直接键合或者经由二价基团键合而形成环。其中，存在的多个R1T中的至少1个为式(1T’)所示的基团。
R1T′表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、吸电子性基团或式(1T’)所示的基团，这些基团任选具有取代基。存在的多个R1T′任选相同或不同，任选直接键合或者经由二价基团键合而形成环。其中，存在的多个R1T′中的至少1个为式(1T’)所示的基团，且至少1个为吸电子性基团。]
存在的多个R1T中的1个或2个R1T优选为式(1T’)所示的基团。
存在的多个R1T′中的1个或2个R1T′优选为式(1T’)所示的基团。
存在的多个R1T′中的1～5个R1T′优选为吸电子性基团，更优选1～3个R1T′为吸电子性基团，进一步优选1个或2个R1T′为吸电子性基团。
[化28]
[式中，LT1、nT1及ArT1表示与上述相同的含义。]
R1T优选为氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、氟原子、氰基或式(1T’)所示的基团，更优选为氢原子、烷基、环烷基或式(1T’)所示的基团，进一步优选为氢原子、烷基或式(1T’)所示的基团，特别优选为氢原子或式(1T’)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
R1T′优选为氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、吸电子性基团或式(1T’)所示的基团，更优选为氢原子、烷基、环烷基、吸电子性基团或式(IT’)所示的基团，进一步优选为氢原子、烷基、吸电子性基团或式(1T’)所示的基团，特别优选为氢原子、吸电子性基团或式(1T’)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
R1T及R1T′所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArT1所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
作为化合物(T)，可列举例如下述式所示的化合物。予以说明，式中，Z1表示-N＝所示的基团或-CH＝所示的基团。Z2表示氧原子或硫原子。存在的多个Z1及Z2任选各自相同或不同。
[化29]
[化30]
[化31]
[化32]
[化33]
[化34]
[化35]
[化36]
[化37]
[化38]
[化39]
[化40]
[化41]
[化42]
[化43]
[化44]
[化45]
[化46]
[化47]
[化48]
[化49]
[化50]
[化51]
[化52]
[化53]
[化54]
Z1优选为-N＝所示的基团。Z2优选为氧原子。
化合物(T)能够从Aldrich、Luminescence Technology Corp.等获得。此外，可以按照例如在国际公开第2007/063754号、国际公开第2008/056746号、国际公开第2011/032686号、国际公开第2012/096263号、日本特开2009-227663号公报、日本特开2010-275255号公报、Advanced Materials(Adv.Mater)，26卷，7931-7958页，2014年中记载的方法来合成。
[主体材料]
从本发明的发光元件的外部量子效率优异的方面出发，第一有机层优选为包含化合物(T)和具有空穴注入性、空穴传输性、电子注入性及电子传输性中的至少1种功能的主体材料的层。
主体材料被分成低分子化合物和高分子化合物，优选为高分子化合物，更优选为包含式(Y)所示的结构单元的高分子化合物。
换言之，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，第一有机层优选为含有如下组合物的层，所述组合物含有化合物(T)和包含式(Y)所示的结构单元的高分子化合物、且不含有磷光发光性金属络合物。
在第一有机层为含有化合物(T)和主体材料的层的情况下，主体材料可以单独含有1种，也可以含有2种以上。但是，化合物(T)不同于主体材料。
在第一有机层为含有化合物(T)和主体材料的层的情况下，化合物(T)优选为发光材料。
主体材料是指担负着将电能传递给发光材料这一功能的材料。通过从主体材料向发光材料有效地传递电能，能够使发光材料更有效地发光，因此，优选使主体材料的最低激发三重态为比发光材料的最低激发三重态更高的能级，并且使主体材料的最低激发单态为比发光材料的最低激发单态更高的能级。
在第一有机层为含有化合物(T)和主体材料的层的情况下，在将化合物(T)和主体材料的合计设为100质量份时，化合物(T)的含量通常为0.1～50质量份，优选为1～45质量份，更优选为5～40质量份，进一步优选为10～20质量份。
为了能够以溶液涂布工艺来制作本发明的发光元件，作为主体材料，优选为对能够溶解第一有机层中所含有的化合物(T)的溶剂显示溶解性的主体材料。
[低分子主体]
作为主体材料而优选的低分子化合物(以下称作“低分子主体”)优选为式(H-1)所示的化合物或式(H-2)所示的化合物，更优选为式(H-1)所示的化合物。但是，式(H-1)所示的化合物及式(H-2)所示的化合物不同于化合物(T)。式(H-1)所示的化合物不同于式(H-2)所示的化合物。
[化55]
[式中，
nH1表示0以上且10以下的整数。
ArH1及ArH2分别独立地表示从在环内不包含-C(＝ZT1)-所示的基团的芳香族烃环中除去与构成环的碳原子直接键合的1个氢原子后的基团(该基团任选具有除了吸电子基团以外的取代基)、或者从在环内不包含＝N-所示的基团、硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2-所示的基团及上述式(P)所示的基团的杂环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团(该基团任选具有取代基)。
LH1为任选具有取代基的亚烷基或任选具有取代基的亚环烷基，或者为从在环内不包含-C(＝ZT1)-所示的基团的芳香族烃环中除去与构成环的碳原子直接键合的2个氢原子后的基团(该基团任选具有除了吸电子基团以外的取代基)，或者为从在环内不包含＝N-所示的基团、硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2-所示的基团及上述式(P)所示的基团的杂环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的2个氢原子后的基团(该基团任选具有取代基)。在存在多个LH1的情况下，它们任选相同或不同。
ZT1表示与上述相同的含义。]
nH1优选为0以上且5以下的整数，更优选为0以上且3以下的整数，进一步优选为1或2，特别优选为1。
ArH1及ArH2优选为从苯环、萘环、蒽环、菲环、二氢菲环、并四苯环、芴环、螺二芴环、茚环、芘环、苝环、环、吡咯环、呋喃环、噻吩环、硅杂环戊二烯环、磷杂环戊二烯环、吲哚环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、苯并硅杂环戊二烯环、苯并磷杂环戊二烯环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、二苯并硅杂环戊二烯环、二苯并磷杂环戊二烯环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、9，10-二氢吖啶环、5，10-二氢吩嗪环及这些环稠合而成的环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团，更优选为从苯环、萘环、蒽环、菲环、二氢菲环、并四苯环、芴环、螺二芴环、茚环、芘环、苝环、环、吡咯环、呋喃环、噻吩环、硅杂环戊二烯环、磷杂环戊二烯环、吲哚环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、苯并硅杂环戊二烯环、苯并磷杂环戊二烯环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、二苯并硅杂环戊二烯环、二苯并磷杂环戊二烯环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、9，10-二氢吖啶环或5，10-二氢吩嗪环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团，进一步优选为从苯环、芴环、螺二芴环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、9，10-二氢吖啶环或5，10-二氢吩嗪环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团，特别优选为从苯环、芴环、螺二芴环、咔唑环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团，尤其优选为从咔唑环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。
LH1优选为从苯环、萘环、蒽环、菲环、二氢菲环、并四苯环、芴环、螺二芴环、茚环、芘环、苝环、环、吡咯环、呋喃环、噻吩环、硅杂环戊二烯环、磷杂环戊二烯环、吲哚环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、苯并硅杂环戊二烯环、苯并磷杂环戊二烯环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、二苯并硅杂环戊二烯环、二苯并磷杂环戊二烯环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、9，10-二氢吖啶环、5，10-二氢吩嗪环及这些环稠合而成的环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的2个氢原子后的基团，更优选为从苯环、萘环、蒽环、菲环、二氢菲环、并四苯环、芴环、螺二芴环、茚环、芘环、苝环、环、吡咯环、呋喃环、噻吩环、硅杂环戊二烯环、磷杂环戊二烯环、吲哚环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、苯并硅杂环戊二烯环、苯并磷杂环戊二烯环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、二苯并硅杂环戊二烯环、二苯并磷杂环戊二烯环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、9，10-二氢吖啶环或5,10-二氢吩嗪环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的2个氢原子后的基团，进一步优选为从苯环、芴环、螺二芴环、咔唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、9，10-二氢吖啶环或5，10-二氢吩嗪环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的2个氢原子后的基团，特别优选为从苯环、芴环、螺二芴环、咔唑环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的2个氢原子后的基团，尤其优选为从咔唑环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的2个氢原子后的基团，这些基团任选具有取代基。
作为ArH1、ArH2及LH1所任选具有的取代基，优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、一价杂环基或取代氨基，更优选为烷基、环烷基、芳基、一价杂环基或取代氨基，进一步优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，特别优选为烷基或环烷基，这些基团任选还具有取代基。
但是，ArH1、ArH2及LH1所任选具有的取代基中的芳基为从在环内不包含-C(＝ZT1)-所示的基团的芳香族烃环中除去与构成环的碳原子直接键合的1个氢原子后的基团(该基团任选具有除了吸电子基团以外的取代基)。ArH1、ArH2及LH1所任选具有的取代基中的一价杂环基为从在环内不包含＝N-所示的基团、硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2-所示的基团及上述式(P)所示的基团的杂环中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团(该基团任选具有取代基)。
作为ArH1、ArH2及LH1所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基，优选为烷基、环烷基、烷氧基或环烷氧基，更优选为烷基或环烷基。
[化56]
[式中，
nH2表示1以上且10以下的整数。
ArH3及ArH4分别独立地表示在环内包含＝N-所示的基团的一价杂环基、氢原子、卤素原子、氰基、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳氧基或芳基，这些基团任选具有取代基。
LH2表示在环内包含＝N-所示的基团的二价杂环基、亚烷基、亚环烷基或亚芳基，这些基团任选具有取代基。在存在多个LH2的情况下，它们任选相同或不同。其中，LH2中的至少1个为在环内包含＝N-所示的基团的二价杂环基。]
ArH3及ArH4优选为在环内包含＝N-所示的基团的一价杂环基、氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基或芳基，更优选为在环内包含＝N-所示的基团的一价杂环基、烷基、环烷基或芳基，进一步优选为在环内包含＝N-所示的基团的一价杂环基或芳基，特别优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
ArH3及ArH4所示的芳基的例子及优选的范围与ArT1所示的芳基的例子及优选的范围相同。
在环内包含＝N-所示的基团的一价杂环基为从在环内包含＝N-所示的基团的杂环基中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的1个氢原子后的基团。
nH2优选为1以上且5以下的整数，更优选为1以上且3以下的整数，进一步优选为1或2，特别优选为1。
LH2优选为在环内包含＝N-所示的基团的二价杂环基或亚芳基，更优选为在环内包含＝N-所示的基团的二价杂环基，这些基团任选具有取代基。
LH2所示的亚芳基的例子及优选的范围与LT1所示的亚芳基的例子及优选的范围相同。
在环内包含＝N-所示的基团的二价杂环基为从在环内包含＝N-所示的基团的杂环基中除去与构成环的碳原子或杂原子直接键合的2个氢原子后的基团。
作为LH2、ArH3及ArH4所任选具有的取代基，为包含＝N-所示的基团的一价杂环基、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基或芳基，更优选为包含＝N-所示的基团的一价杂环基、烷基、环烷基或芳基，进一步优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团任选还具有取代基。
LH2、ArH3及ArH4所任选具有的取代基中的芳基的例子及优选的范围与ArT1所示的芳基的例子及优选的范围相同。
作为LH2、ArH3及ArH4所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基，优选为烷基、环烷基、烷氧基或环烷氧基，更优选为烷基或环烷基。
作为式(H-1)所示的化合物，可例示式(H-101)～式(H-106)及式(H-113)～式(H-118)所示的化合物。作为式(H-2)所示的化合物，可例示式(H-107)～式(H-112)所示的化合物。
[化57]
[化58]
[化59]
[化60]
作为在主体材料中所使用的高分子化合物，可列举例如作为后述的空穴传输材料的高分子化合物、作为后述的电子传输材料的高分子化合物。
[高分子主体]
作为主体化合物而优选的高分子化合物(以下称作“高分子主体”)优选为包含式(Y)所示的结构单元的高分子化合物。
ArY1所示的亚芳基更优选为式(A-1)～式(1-10)、式(A-19)或式(A-20)所示的基团，进一步优选为式(A-1)～式(A-3)、式(A-6)-式(A-10)、式(A-19)或式(A-20)所示的基团，特别优选为式(A-1)～式(A-3)、式(A-7)～式(A-9)、式(A-19)或式(A-20)所示的基团，尤其优选为式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)或式(A-19)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
ArY1所示的二价杂环基更优选为式(AA-1)-式(AA-4)、式(AA-10)-式(AA-15)、式(AA-18)-式(AA-21)、式(AA-33)或式(AA-34)所示的基团，进一步优选为式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)、式(AA-14)或式(AA-33)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
ArY1所示的至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团之中的亚芳基及二价杂环基的更优选的范围、进一步优选的范围分别与上述的ArY1所示的亚芳基及二价杂环基的更优选的范围、进一步优选的范围同样。
作为“至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团”，可列举例如下述式所示的基团，它们任选具有取代基。
[化61]
[式中，RXX表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。]
RXX优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。
ArY1所示的基团所任选具有的取代基优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、一价杂环基、取代氨基、氟原子或氰基，更优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、一价杂环基或取代氨基，进一步优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，特别优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团任选还具有取代基。
作为ArY1所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基，优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、一价杂环基、取代氨基、氟原子或氰基，更优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，进一步优选为烷基或环烷基，这些基团任选还具有取代基。
作为式(Y)所示的结构单元，可列举例如式(Y-1)-式(Y-10)所示的结构单元，从本发明的发光元件的外部量子效率的观点出发，优选为式(Y-1)-式(Y-3)所示的结构单元，从本发明的发光元件的电子传输性的观点出发，优选为式(Y-4)-式(Y-7)所示的结构单元，从本发明的发光元件的空穴传输性的观点出发，优选为式(Y-8)-式(Y-10)所示的结构单元。
[化62]
[式中，
RY1表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。在存在多个RY1的情况下，它们任选相同或不同，邻接的RY1彼此任选相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。
nY1表示4。]
RY1优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，进一步优选为氢原子、烷基或环烷基，特别优选为氢原子或烷基，这些基团任选具有取代基。
RY1所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArY1所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
式(Y-1)所示的结构单元优选为式(Y-1-1)或式(Y-1-2)所示的结构单元，更优选为式(Y-1-1)所示的结构单元。
[化63]
[式中，RY1表示与上述相同的含义。]
式(Y-1-1)所示的结构单元优选为式(Y-1-1′)或式(Y-1-1″)所示的结构单元，更优选为式(Y-1-1′)所示的结构单元。
式(Y-1-2)所示的结构单元优选为式(Y-1-2′)或式(Y-1-2″)所示的结构单元，更优选为式(Y-1-2′)所示的结构单元。
[化64]
[式中，
RY1表示与上述相同的含义。
RY11表示烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。存在的多个RY11任选相同或不同。]
RY11优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为烷基、环烷基或芳基，进一步优选为烷基或环烷基，特别优选为烷基，这些基团任选具有取代基。
RY11所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArY1所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
[化65]
[式中，
RY1表示与上述相同的含义。
XY1表示-C(RY2)2-、-C(RY2)＝C(RY2)-或-C(RY2)7-C(RY2)2-所示的基团。RY2表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。存在的多个RY2任选相同或不同，RY2彼此任选相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。
nY2表示6。]
RY2优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团任选具有取代基。
RY2所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArY1所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
在XY1中，-C(RY2)2-所示的基团中的2个RY2的组合优选的是：两者为烷基或环烷基、两者为芳基、两者为一价杂环基、或者一者为烷基或环烷基而另一者为芳基或一价杂环基，更优选一者为烷基或环烷基而另一者为芳基，这些基团任选具有取代基。存在的2个RY2任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环，在RY2形成环的情况下，作为-C(RY2)2-所示的基团，优选为式(Y-A1)-式(Y-A5)所示的基团，更优选为式(Y-A4)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
[化66]
在XY1中，-C(RY2)＝C(RY2)-所示的基团中的2个RY2的组合优选的是：两者为烷基或环烷基、或者一者为烷基或环烷基而另一者为芳基，这些基团任选具有取代基。
在XY1中，-C(RY2)2-C(RY2)2-所示的基团中的4个RY2优选为任选具有取代基的烷基或环烷基。存在的多个RY2任选相互键合并与各自所键合的原子一起形成环，在RY2形成环的情况下，-C(RY2)2-C(RY2)2-所示的基团优选为式(Y-B1)-(Y-B5)所示的基团，更优选为式(Y-B3)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
[化67]
[式中，RY2表示与上述相同的含义。]
式(Y-2)所示的结构单元优选为式(Y-2-1)～(Y-2-4)所示的结构单元，更优选为式(Y-2-1)～式(Y-2-3)所示的结构单元。
[化68]
[式中，RY1、RY11及XY1表示与上述相同的含义。]
[化69]
[式中，nY1、nY2、RY1及XY1表示与上述相同的含义。]
式(Y-3)所示的结构单元优选为式(Y-3-1)～式(Y-3-4)所示的结构单元，更优选为式(Y-3-1)～式(Y-3-3)所示的结构单元。
[化70]
[化71]
[式中，nY1、nY2、RY1、RY11及XY1表示与上述相同的含义。]
[化72]
[化73]
[式中，
RY1表示与上述相同的含义。
RY3表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。]
RY3优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为芳基或一价杂环基，进一步优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
RY3所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArY1所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
式(Y-4)所示的结构单元优选为式(Y-4′)所示的结构单元。
式(Y-6)所示的结构单元优选为式(Y-6′)所示的结构单元。
[化74]
[式中，RY1及RY3表示与上述相同的含义。]
[化75]
[式中，RY1表示与上述相同的含义。RY4表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。]
RY4优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为芳基或一价杂环基，进一步优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
RY4所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArY1所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
作为式(Y)所示的结构单元，可列举例如式(Y-101)-式(Y-121)所示的包含亚芳基的结构单元、式(Y-201)-式(Y-206)所示的包含二价杂环基的结构单元、式(Y-300)-式(Y-304)所示的包含至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团的结构单元。
[化76]
[化77]
[化78]
[化79]
[化80]
[化81]
[化82]
[化83]
[化84]
从本发明的发光元件的外部量子效率优异的方面出发，ArY1为亚芳基的式(Y)所示的结构单元相对于高分子主体中所含的结构单元的合计量优选为0.5～99摩尔％，更优选为30～95摩尔％，进一步优选为50～95摩尔％。
从本发明的发光元件的电荷传输性优异的方面出发，ArY1为二价杂环基、或者至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团的式(Y)所示的结构单元相对于高分子主体中所含的结构单元的合计量优选为0.5～50摩尔％，更优选为1～40摩尔％，进一步优选为5～30摩尔％。
在高分子主体中可以仅包含1种式(Y)所示的结构单元，也可以包含2种以上式(Y)所示的结构单元。
从空穴传输性优异的方面出发，高分子主体优选还包含下述式(X)所示的结构单元。
[化85]
[式中，
aX1及aX2分别独立地表示0以上的整数。
ArX1及ArX3分别独立地表示亚芳基或二价杂环基，这些基团任选具有取代基。
ArX2及ArX4分别独立地表示亚芳基、二价杂环基、或者至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团，这些基团任选具有取代基。在存在多个ArX2及ArX4的情况下，它们任选相同或不同。
RX1、RX2及RX3分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基。在存在多个RX2及RX3的情况下，它们任选相同或不同。]
从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，aX1优选为2以下，更优选为1或0，进一步优选为0。
从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，aX2优选为2以下，更优选为0。
RX1、RX2及RX3优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，更优选为芳基或一价杂环基，进一步优选为芳基，这些基团任选具有取代基。
ArX1及ArX3所示的亚芳基更优选为式(A-1)或式(A-9)所示的基团，进一步优选为式(A-1)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
ArX1及ArX3所示的二价杂环基更优选为式(AA--1)、式(AA-2)或式(AA-7)-式(AA-26)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
ArX1及ArX3优选为任选具有取代基的亚芳基。
作为ArX2及ArX4所示的亚芳基，更优选为式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)-式(A-11)或式(A-19)所示的基团，这些基团任选具有取代基。
ArX2及ArX4所示的二价杂环基的更优选的范围与ArX1及ArX3所示的二价杂环基的更优选的范围相同。
ArX2及ArX4所示的至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团中的亚芳基及二价杂环基的更优选的范围、进一步优选的范围分别与ArX1及ArX3所示的亚芳基及二价杂环基的更优选的范围、进一步优选的范围相同。
作为ArX2及ArX4所示的至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团，可列举与式(Y)的ArY1所示的至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团同样的二价基团。
ArX2及ArX4优选为任选具有取代基的亚芳基。
ArX1～ArX4及RX1～RX3所示的基团所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArY1所示的基团所任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
ArX1～ArX4及RX1～RX3所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围与ArY1所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
式(X)所示的结构单元优选为式(X-1)-式(X-7)所示的结构单元，更优选为式(X-1)-式(X-6)所示的结构单元，进一步优选为式(X-3)-(X-6)所示的结构单元。
[化86]
[化87]
[化88]
[化89]
[式中，RX4及RX5分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、卤素原子、一价杂环基或氰基，这些基团任选具有取代基。存在的多个RX4任选相同或不同。存在的多个RX5任选相同或不同，邻接的RX5彼此任选相互键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。]
RX4优选为氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，更优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，进一步优选为氢原子、烷基、环烷基或芳基，特别优选为氢原子或烷基，这些基团任选还具有取代基。
RX5优选为氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基或一价杂环基，更优选为氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，进一步优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，特别优选为烷基或芳基，这些基团任选还具有取代基。
RX4及RX5所示的基团所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArY1所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
从空穴传输性优异的方面出发，式(X)所示的结构单元相对于高分子主体中所含的结构单元的合计量优选为0.1～50摩尔％，更优选为1～40摩尔％，进一步优选为5～30摩尔％。
作为式(X)所示的结构单元，可列举例如式(X1-1)-式(X1-11)所示的结构单元，优选为式(X1-3)-式(X1-10)所示的结构单元。
[化90]
[化91]
[化92]
[化93]
[化94]
[化95]
在高分子主体中，可以仅包含1种式(X)所示的结构单元，也可以包含2种以上式(X)所示的结构单元。
作为高分子主体，可列举例如高分子化合物P-1～P-6。
[表1]
[表中，p、q、r、s及t表示各结构单元的摩尔比率。p+q+r+s+t＝100，且100≥p+q+r+s≥70。其他结构单元是指除了式(Y)所示的结构单元、式(X)所示的结构单元以外的结构单元。]
高分子主体可以为嵌段共聚物、无规共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任一种，也可以为其他的形态，但优选为将多种原料单体共聚得到的共聚物。
高分子主体的聚苯乙烯换算的数均分子量优选为5×103～1×106，更优选为1×104～5×105，进一步优选为1.5×104～1.5×105。
[高分子主体的制造方法]
高分子主体可以使用Chemical Review(Chem.Rev.)，第109卷，897-1091页(2009年)等中记载的公知的聚合方法来制造，可例示利用Suzuki反应、Yamamoto反应、Buchwald反应、Stille反应、Negishi反应及Kumada反应等使用过渡金属催化剂的偶联反应进行聚合的方法。
在上述聚合方法中，作为投入单体的方法，可列举：将全部量的单体一并投入反应体系的方法；投入单体的一部分使其反应后，一并、连续或分批地投入其余单体的方法；连续或分批地投入单体的方法等。
作为过渡金属催化剂，可列举钯催化剂、镍催化剂等。
聚合反应的后处理通过单独或组合公知的方法来进行，例如：通过分液来除去水溶性杂质的方法；在甲醇等低级醇中加入聚合反应后的反应液，过滤所析出的沉淀后，使其干燥的方法等。高分子主体的纯度低的情况下，例如可以用重结晶、再沉淀、利用索氏提取器的连续萃取、柱色谱等通常的方法进行纯化。
[第一组合物]
第一有机层可以为含有包含化合物(T)和选自上述的主体材料、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、荧光发光材料及抗氧化剂中的至少1种材料的组合物(以下也称为“第一组合物”)的层。但是，空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料及荧光发光材料不同于化合物(T)。
[空穴传输材料]
空穴传输材料被分类成低分子化合物和高分子化合物，优选为高分子化合物。空穴传输材料任选具有交联基。
作为高分子化合物，可列举例如：聚乙烯基咔唑及其衍生物；在侧链或主链上具有芳香族胺结构的聚亚芳基及其衍生物。高分子化合物可以为结合有受电子性部位的化合物。作为受电子性部位，可列举例如富勒烯、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、三硝基芴酮等，优选为富勒烯。
在第一组合物中，在将化合物(T)设为100质量份的情况下，空穴传输材料的配合量通常为0.1～1000质量份，优选为1～400质量份，更优选为5～150质量份。
空穴传输材料可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[电子传输材料]
电子传输材料被分类成低分子化合物和高分子化合物。电子传输材料任选具有交联基。
作为低分子化合物，可列举例如以8-羟基喹啉为配位体的金属络合物、噁二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、芴酮、二苯基二氰基乙烯、联苯醌、以及它们的衍生物。
作为高分子化合物，可列举例如聚亚苯基、聚芴及它们的衍生物。高分子化合物可以掺杂金属。
在第一组合物中，在将化合物(T)设为100质量份的情况下，电子传输材料的配合量通常为0.1～1000质量份，优选为1～400质量份，更优选为5～150质量份。
电子传输材料可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[空穴注入材料及电子注入材料]
空穴注入材料及电子注入材料各自被分类成低分子化合物和高分子化合物。空穴注入材料及电子注入材料任选具有交联基。
作为低分子化合物，可列举例如：铜酞菁等金属酞菁；碳；钼、钨等的金属氧化物；氟化锂、氟化钠、氟化铯、氟化钾等金属氟化物。
作为高分子化合物，可列举例如：聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚亚苯基亚乙烯基、聚亚噻吩基亚乙烯基、聚喹啉、聚喹喔啉以及它们的衍生物；在主链或侧链包含芳香族胺结构的聚合物等导电性高分子。
在第一组合物中，在将化合物(T)设为100质量份的情况下，空穴注入材料及电子注入材料的配合量各自通常为0.1～1000质量份，优选为1～400质量份，更优选为5～150质量份。
电子注入材料及空穴注入材料各自可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[离子掺杂]
在空穴注入材料或电子注入材料包含导电性高分子的情况下，导电性高分子的电导率优选为1×10-5S/cm～1×103S/cm。为了使导电性高分子的电导率为该范围，可以在导电性高分子中掺杂适量的离子。
关于掺杂的离子的种类，如果是空穴注入材料，则为阴离子，如果是电子注入材料，则为阳离子。作为阴离子，可列举例如聚苯乙烯磺酸根离子、烷基苯磺酸根离子、樟脑磺酸根离子。作为阳离子，可列举例如锂离子、钠离子、钾离子、四丁基铵离子。
所掺杂的离子可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[荧光发光材料]
荧光发光材料被分类成低分子化合物和高分子化合物。荧光发光材料任选具有交联基。
作为低分子化合物，可列举例如萘及其衍生物、蒽及其衍生物、以及苝及其衍生物。
作为高分子化合物，可列举例如包含亚苯基、萘二基、蒽二基、芴二基、菲二基、二氢菲二基、式(X)所示的基团、咔唑二基、吩噁嗪二基、吩噻嗪二基、芘二基等的高分子化合物。
在第一组合物中，在将化合物(T)设为100质量份的情况下，荧光发光材料的配合量通常为0.1～1000质量份，优选为0.1～400质量份，更优选为5～150质量份。
在第一组合物为包含化合物(T)和荧光发光材料的组合物的情况下，化合物(T)优选为主体材料。
在第一组合物为包含化合物(T)和荧光发光材料的组合物、且化合物(T)为主体材料的情况下，在将化合物(T)和荧光发光材料的合计设为100质量份的情况下，荧光发光材料的含量通常为0.1～50质量份，优选为1～45质量份，更优选为5～40质量份，进一步优选为10～30质量份。
在第一组合物为包含化合物(T)和荧光发光材料的组合物、且化合物(T)为主体材料的情况下，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，在将化合物(T)和荧光发光材料的合计设为100质量份时，荧光发光材料的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，更优选为0.5～5质量份。
荧光发光材料可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[抗氧化剂]
抗氧化剂只要是能够和化合物(T)溶解于相同的溶剂、且不阻碍发光及电荷传输的化合物即可，可列举例如酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂。
在第一组合物中，在将化合物(T)设为100质量份的情况下，抗氧化剂的配合量通常为0.001～10质量份。
抗氧化剂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[第一油墨]
含有化合物(T)和溶剂的组合物(以下也称作“第一油墨”)可以适合地用于旋涂法、流延法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法、毛细管涂布法、喷嘴涂布法等涂布法。
第一油墨的粘度只要根据涂布法的种类进行调整即可，在应用于喷墨印刷法等溶液经由喷出装置的印刷法的情况下，从不易发生喷出时的堵塞和飞行弯曲的方面出发，优选在25℃下为1～20mPa·s。
第一油墨所含有的溶剂优选为可使油墨中的固体成分溶解或均匀分散的溶剂。作为溶剂，例如可举出：1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯系溶剂；四氢呋喃、二噁烷、苯甲醚、4-甲基苯甲醚等醚系溶剂；甲苯、二甲苯、三甲苯、乙苯、正己基苯、环己基苯等芳香族烃系溶剂；环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷、正十二烷、联环己烷等脂肪族烃系溶剂；丙酮、甲乙酮、环己酮、苯乙酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯、苯甲酸甲酯、乙酸苯酯等酯系溶剂；乙二醇、甘油、1，2-己二醇等多元醇系溶剂；异丙醇、环己醇等醇系溶剂；二甲亚砜等亚砜系溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂。溶剂可以使用单独一种，也可以合用两种以上。
在第一油墨中，在将化合物(T)设为100质量份的情况下，溶剂的配合量通常为1000～100000质量份，优选为2000～20000质量份。
<第二有机层>
第二有机层为含有包含交联结构单元的高分子化合物(以下也称作“第二有机层的高分子化合物”)的交联体的层。
第二有机层的高分子化合物的交联体通过将第二有机层的高分子化合物利用上述的方法制成交联的状态而得到。
[第二有机层的高分子化合物]
从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，第二有机层的高分子化合物的最低三重态激发状态的能级优选为2.30eV以上，更优选为2.33eV以上，进一步优选为2.40eV以上，特别优选为2.46eV以上。
从第二有机层的高分子化合物的稳定性优异的方面出发，第二有机层的高分子化合物的最低三重态激发状态的能级优选为4.00eV以下，更优选为3.50eV以下，进一步优选为3.00eV以下，特别优选为2.70eV以下，尤其优选为2.60eV以下。
从本发明的发光元件的外部量子效率更优异、且第二有机层的高分子化合物的稳定性优异的方面出发，第二有机层的高分子化合物的最低三重态激发状态的能级优选为2.30eV以上且4.50eV以下，更优选为2.33eV以上且4.00eV以下，进一步优选为2.40eV以上且3.50eV以下，特别优选为2.46eV以上且3.00eV以下。
高分子化合物的最低三重态激发状态的能级可以通过制作包含高分子化合物的膜、测定该膜在77K下的磷光发光光谱、并将所得的磷光发光光谱中的最短波长的极大峰波长换算成能量来求得。膜的厚度通常为10nm～1μm。膜的形成方法可列举例如旋涂法及滴注流延法等涂布法，优选为滴注流延法(drop cast method)。
高分子化合物的最低三重态激发状态的能级的大小关系可以利用计算科学的方法来进行比较。具体而言，可以利用计算科学的方法算出各高分子化合物的最低三重态激发状态的能级，并利用所得的计算结果来比较大小关系。
在计算科学的方法中，使用Gaussian09作为量子化学计算程序，并且利用B3LYP水平的密度泛函数法将单体单元的二聚物的基态进行结构优化，此时，使用6-31G*作为基底函数。而且，利用B3LYP水平的时间依赖密度泛函数法，算出高分子化合物的最低三重态激发状态的能级。其中，在包含无法使用6-31G*的原子的情况下，对该原子使用LANL2DZ。在高分子化合物仅包含1种单体单元的情况下，对该单体单元的二聚物算出最低激发三重态能量，作为该高分子化合物的最低激发三重态能量。在高分子化合物包含2种以上的单体单元的情况下，对在含有摩尔比率为1％以上的单体单元的聚合方面可能产生的全部二聚物算出最低激发三重态能量，并将其中最小的值作为该高分子化合物的最低激发三重态能量。
从本发明的发光元件的外部量子效率优异的方面出发，第二有机层的高分子化合物优选为包含具有选自交联基A组中的至少1种交联基的交联结构单元的高分子化合物。
作为选自交联基A组中的交联基，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，优选为式(XL-1)～式(XL-4)、式(XL-7)～式(XL-10)或式(XL-14)～式(XL-17)所示的交联基，更优选为式(XL-1)、式(XL-3)、式(XL-9)、式(XL-10)、式(XL-16)或式(XL-17)所示的交联基，进一步优选为式(XL-1)、式(XL-16)或式(XL-17)所示的交联基，特别优选为式(XL-1)或式(XL-17)所示的交联基，尤其优选为式(XL-17)所示的交联基。
作为选自交联基A组中的交联基，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异、且第二有机层的高分子化合物的交联性更优选的方面出发，优选为式(XL-2)～式(XL-4)、式(XL-7)～式(XL-10)、式(XL-14)、式(XL-15)或式(XL-17)所示的交联基，更优选为式(XL-9)、式(XL-10)或式(XL-17)所示的交联基，特别优选为式(XL-17)所示的交联基。
第二有机层的高分子化合物中所含的、具有选自交联基A组中的至少一种交联基的结构单元优选为式(2)所示的结构单元或式(2′)所示的结构单元，也可以为下述所示的结构单元。
[化96]
在第二有机层的高分子化合物包含2种以上具有选自交联基A组中的至少1种交联基的结构单元的情况下，优选使具有选自交联基A组中的至少1种交联基的结构单元的至少2种结构单元的交联基互不相同。作为互不相同的交联基的组合，优选为式(XL-1)、式(XL-2)、式(XL-5)～式(XL-8)或式(XL-14)～式(XL-16)所示的交联基与式(XL-3)、式(XL-4)、式(XL-13)或式(XL-17)所示的交联基的组合，更优选为式(XL-1)或式(XL-16)所示的交联基与式(XL-17)所示的交联基的组合，进一步优选为式(XL-1)所示的交联基与式(XL-17)所示的交联基的组合。
·式(2)所示的结构单元
从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，nA优选为0～3的整数，更优选为0～2的整数，进一步优选为1。
从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，n优选为2。
从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，Ar3优选为任选具有取代基的芳香族烃基。
Ar3所示的芳香族烃基的不包含取代基的碳原子数在内的碳原子数通常为6～60，优选为6～30，更优选为6～18。
Ar3所示的芳香族烃基的除去n个取代基后的亚芳基部分的例子及优选的范围与ArY1所示的亚芳基的例子及优选的范围相同。
Ar3所示的杂环基的不包含取代基的碳原子数在内的碳原子数通常为2～60，优选为3～30，更优选为4～18。
Ar3所示的杂环基的除去n个取代基后的二价杂环基部分的例子及优选的范围与ArY1所示的二价杂环基的例子及优选的范围相同。
Ar3所示的基团所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArY1所示的基团所任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
Ar3所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围与ArY1所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
LA所示的亚烷基的不包含取代基的碳原子数在内的碳原子数通常为1～20，优选为1～15，更优选为1～10。LA所示的亚环烷基的不包含取代基的碳原子数在内的碳原子数通常为3～20。
LA所示的亚烷基及亚环烷基任选具有取代基，可列举例如亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚己基、亚环己基、亚辛基及这些基团中的氢原子被烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、一价杂环基、氟原子等取代后的基团。
LA所示的亚芳基的例子及优选的范围与ArY1所示的亚芳基的例子及优选的范围相同，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，LA所示的亚芳基优选为亚苯基或芴二基，更优选为间亚苯基、对亚苯基、芴-2，7-二基、芴-9，9-二基，这些基团任选还具有取代基。
LA所示的二价杂环基的例子及优选的范围与ArY1所示的二价杂环基的例子及优选的范围相同。
从容易制造第二有机层的高分子化合物的方面出发，LA优选为亚芳基或亚烷基，更优选为亚苯基、芴二基或亚烷基，进一步优选为亚烷基，这些基团任选具有取代基。
LA所示的基团所任选具有的取代基优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、一价杂环基、取代氨基、氟原子、氰基或选自交联基A组中的交联基，更优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、一价杂环基或选自交联基A组中的交联基，进一步优选为烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，特别优选为烷基、环烷基或芳基，这些基团任选还具有取代基。
LA所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围与ArY1所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
作为X所示的交联基，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，优选为式(XL-1)～式(XL-4)、式(XL-7)～式(XL-10)或式(XL-14)～式(XL-17)所示的交联基，更优选为式(XL-1)、式(XL-3)、式(XL-9)、式(XL-10)、式(XL-16)或式(XL-17)所示的交联基，进一步优选为式(XL-1)、式(XL-16)或式(XL-17)所示的交联基，特别优选为式(XL-1)或式(XL-17)所示的交联基，尤其优选为式(XL-17)所示的交联基。
作为X所示的交联基，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异、且第二有机层的高分子化合物的交联性更优异的方面出发，优选为式(XL-2)～式(XL-4)、式(XL-7)～式(XL-10)、式(XL-14)、式(XL-15)或式(XL-17)所示的交联基，更优选为式(XL-9)、式(XL-10)或式(XL-17)所示的交联基，特别优选为式(XL-17)所示的交联基。
从第二有机层的高分子化合物的稳定性及交联性优异的方面出发，相对于第二有机层的高分子化合物中所含的结构单元的合计量，式(2)所示的结构单元优选为0.5～80摩尔％，更优选为3～65摩尔％，进一步优选为5～50摩尔％。
在第二有机层的高分子化合物中可以仅包含1种式(2)所示的结构单元，也可以包含2种以上式(2)所示的结构单元。
在第二有机层的高分子化合物包含2种以上式(2)所示的结构单元的情况下，优选使式(2)所示的结构单元的至少2种结构单元的X所示的交联基互不相同。互不相同的X所示的交联基的组合的优选范围与上述互不相同的交联基的组合的优选范围相同。
·式(2’)所示的结构单元
从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，mA优选为0～3的整数，更优选为0～2的整数，进一步优选为0或1，特别优选为0。
从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，m优选为1或2，更优选为2。
从容易制造第二有机层的高分子化合物、且本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，c优选为0。
从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，Ar5优选为任选具有取代基的芳香族烃基。
Ar5所示的芳香族烃基的除去m个取代基后的亚芳基部分的定义及例子与式(X)中的ArX2所示的亚芳基的定义及例子相同。
Ar5所示的杂环基的除去m个取代基后的二价杂环基部分的定义及例子与式(X)中的ArX2所示的二价杂环基部分的定义及例子相同。
Ar5所示的至少1种芳香族烃环与至少1种杂环直接键合而成的基团的除去m个取代基后的二价基团的定义及例子与式(X)中的ArX2所示的至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团的定义及例子相同。
从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，Ar4及Ar6优选为任选具有取代基的亚芳基。
Ar4及Ar6所示的亚芳基的定义及例子与式(X)中的ArX1及ArX3所示的亚芳基的定义及例子相同。
Ar4及Ar6所示的二价杂环基的定义及例子与式(X)中的ArX1及ArX3所示的二价杂环基的定义及例子相同。
Ar4、Ar5及Ar6所示的基团所任选具有的取代基的例子及优选的范围与ArY1所示的基团所任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。Ar4、Ar5及Ar6所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围与ArY1所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
KA所示的亚烷基、亚环烷基、亚芳基、二价杂环基的定义及例子分别与LA所示的亚烷基、亚环烷基、亚芳基、二价杂环基的定义及例子相同。
从容易制造第二有机层的高分子化合物的方面出发，KA优选为亚芳基或亚烷基，更优选为亚苯基、芴二基或亚烷基，进一步优选为亚苯基或亚甲基，这些基团任选具有取代基。
KA所示的基团所任选具有的取代基的例子及优选的范围与LA所示的基团所任选具有的取代基的例子及优选的范围相同。
KA所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围与ArY1所示的基团所任选具有的取代基上任选进一步具有的取代基的例子及优选的范围相同。
X’所示的交联基的定义及例子与上述X所示的交联基的定义及例子相同。
从第二有机层的高分子化合物的稳定性优异、且第二有机层的高分子化合物的交联性优异的方面出发，式(2′)所示的结构单元相对于第二有机层的高分子化合物中所含的结构单元的合计量优选为0.5～50摩尔％，更优选为3～30摩尔％，进一步优选为5～20摩尔％。
在第二有机层的高分子化合物中，可以仅包含1种式(2’)所示的结构单元，也可以包含2种以上式(2’)所示的结构单元。
在第二有机层的高分子化合物包含2种以上式(2’)所示的结构单元的情况下，优选使式(2’)所示的结构单元的至少2种结构单元的X’所示的交联基互不相同。互不相同的X’所示的交联基的组合的优选范围与上述互不相同的交联基的组合的优选范围相同。
·式(2)或(2′)所示的结构单元的优选形态
作为式(2)所示的结构单元，可列举例如式(2-1)～式(2-30)所示的结构单元，作为式(2′)所示的结构单元，可列举例如式(2′-1)～式(2′-9)所示的结构单元。其中，从第二有机层的高分子化合物的交联性优异的方面出发，优选为式(2-1)～式(2-30)所示的结构单元，更优选为式(2-1)～式(2-15)、式(2-19)、式(2-20)、式(2-23)、式(2-25)或式(2-30)所示的结构单元，进一步优选为式(2-1)～式(2-9)或式(2-30)所示的结构单元。
[化97]
[化98]
[化99]
·其他的结构单元
从空穴传输性优异的方面出发，第二有机层的高分子化合物优选还包含式(X)所示的结构单元。另外，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，第二有机层的高分子化合物优选还包含式(Y)所示的结构单元。
从空穴传输性优异、且本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，第二有机层的高分子化合物优选还包含式(X)所示的结构单元及式(Y)所示的结构单元。
第二有机层的高分子化合物所任选包含的式(X)所示的结构单元的定义及例子与上述高分子主体所任选包含的式(X)所示的结构单元的定义及例子相同。
在第二有机层的高分子化合物包含式(X)所示的结构单元的情况下，从第二有机层的高分子化合物的最低三重态激发状态的能级变高的方面出发，优选ArX1及ArX3中的至少一者为式(X-1-1′)、式(X-1-1″)、式(X-1-2′)、式(X-1-2″)或式(X-2-1)～式(X-2-4)所示的基团，更优选为式(X-1-1′)、式(X-1-1″)、式(X-1-2′)、式(X-2-2)或式(X-2-3)所示的基团，进一步优选为式(X-1-1′)、式(X-1-1″)或式(X-1-2′)所示的基团，特别优选为式(X-1-1″)所示的基团。
在第二有机层的高分子化合物包含式(X)所示的结构单元的情况下，从第二有机层的高分子化合物的最低三重态激发状态的能级变得更高的方面出发，ArX1及ArX3优选为式(X-1-1′)、式(X-1-1″)、式(X-1-2′)、式(X-1-2″)或式(X-2-1)～式(X-2-4)所示的基团，更优选为式(X-1-1′)、式(X-1-1″)、式(X-1-2′)、式(X-2-2)或式(X-2-3)所示的基团，进一步优选为式(X-1-1′)、式(X-1-1″)或式(X-1-2′)所示的基团，特别优选为式(X-1-1″)所示的基团。
[化100]
[化101]
[式中，RY1、RY11及XY1表示与上述相同的含义。]
第二有机层的高分子化合物所任选包含的式(Y)所示的结构单元的定义及例子与上述高分子主体所任选包含的式(Y)所示的结构单元的定义及例子相同。
在第二有机层的高分子化合物包含式(Y)所示的结构单元的情况下，从第二有机层的高分子化合物的最低三重态激发状态的能级变得更高的方面出发，优选包含式(Y-1-1)、式(Y-1-2)、式(Y-2-1)～(Y-2-4)或式(Y-Y3-1)～式(Y-Y3-4)所示的结构单元，更优选包含式(Y-1-1′)、式(Y-1-1″)、式(Y-1-2′)、式(Y-1-2″)、式(Y-2-2)、式(Y-2-3)或式(Y-Y3-1)～式(Y-Y3-3)所示的结构单元，进一步优选包含式(Y-1-1′)、式(Y-1-1″)、式(Y-1-2′)、式(Y-2-3)或式(Y-Y3-1)，特别优选包含式(Y-1-1′)。
在第二有机层的高分子化合物包含式(Y)所示的结构单元的情况下，从第二有机层的高分子化合物的最低三重态激发状态的能级变高、且第二有机层的高分子化合物的空穴传输性更优异的方面出发，优选包含式(Y-8)～式(Y-10)中任一者所示的结构单元，更优选包含式(Y-10)所示的结构单元。
在第二有机层的高分子化合物中，可以仅包含1种式(X)所示的结构单元，也可以包含2种以上式(X)所示的结构单元。在第二有机层的高分子化合物中，可以仅包含1种式(Y)所示的结构单元，也可以包含2种以上式(Y)所示的结构单元。
在第二有机层的高分子化合物包含式(X)所示的结构单元的情况下，从空穴传输性优异的方面出发，式(X)所示的结构单元相对于第二有机层的高分子化合物中所含的结构单元的合计量优选为0.1～90摩尔％，更优选为1～70摩尔％，进一步优选为10～50摩尔％。
在第二有机层的高分子化合物包含式(Y)所示的结构单元、且式(Y)所示的结构单元是ArY1为亚芳基的结构单元的情况下，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，相对于第二有机层的高分子化合物中所含的结构单元的合计量，优选为0.5～90摩尔％，更优选为30～60摩尔％。
在第二有机层的高分子化合物包含式(Y)所示的结构单元、且式(Y)所示的结构单元是ArY1为二价杂环基、或者至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团的结构单元的情况下，从第二有机层的高分子化合物的电荷传输性优异的方面出发，相对于第二有机层的高分子化合物中所含的结构单元的合计量，优选为0.1～90摩尔％，更优选为1～70摩尔％，进一步优选为10～50摩尔％。
作为第二有机层的高分子化合物，可列举例如高分子化合物P-7～P-14。在此，“其他的结构单元”是指除了式(2)、式(2′)、式(X)及式(Y)所示的结构单元以外的结构单元。
[表2]
[表中，p’、q’、r’、s’及t’表示各结构单元的摩尔比率。p’+q’+r’+s’+t’＝100，且70≤p’+q’+r’+s’≤100。]
第二有机层的高分子化合物可以为嵌段共聚物、无规共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任一种，也可以为其他形态，但优选为将多种原料单体共聚得到的共聚物。
第二有机层的高分子化合物的聚苯乙烯换算的数均分子量优选为5×103～1×106，更优选为1×104～5×105，更优选为1.5×104～1×105。
[第二有机层的高分子化合物的制造方法]
第二有机层的高分子化合物可以利用与上述高分子主体的制造方法同样的方法来制造。
[第二组合物]
第二有机层可以为含有包含第二有机层的高分子化合物的交联体和选自空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂中的至少1种材料的组合物(以下也称作“第二组合物”)的层。
第二组合物中所含有的空穴传输材料、电子传输材料、空穴注入材料及电子注入材料的例子及优选的范围与第一组合物中所含有的空穴传输材料、电子传输材料、空穴注入材料及电子注入材料的例子及优选的范围相同。
作为第二组合物中所含有的发光材料，可列举例如第一组合物所任选含有的荧光发光材料、以及以铱、铂或铕为中心金属的磷光发光性金属络合物。发光材料可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
在第二组合物中，在将第二有机层的高分子化合物的交联体设为100质量份的情况下，空穴传输材料、电子传输材料、空穴注入材料、电子注入材料及发光材料的配合量各自通常为1～400质量份，优选为5～150质量份。
第二组合物中所含有的抗氧化剂的例子及优选的范围与第一组合物中所含有的抗氧化剂的例子及优选的范围相同。在第二组合物中，在将第二有机层的高分子化合物的交联体设为100质量份的情况下，抗氧化剂的配合量通常为0.001～10质量份。
含有第二有机层的高分子化合物和溶剂的组合物(以下也称作“第二油墨”)可以适合地使用在第一油墨一项中说明的湿式法中。第二油墨的粘度的优选范围与第一油墨的粘度的优选范围相同。第二油墨中所含有的溶剂的例子及优选的范围与第一油墨中所含有的溶剂的例子及优选的范围相同。
在第二油墨中，在将第二有机层的高分子化合物设为100质量份的情况下，溶剂的配合量通常为1000～100000质量份，优选为2000～20000质量份。
<发光元件的层结构>
本发明的发光元件可以具有除了阳极、阴极、第一有机层及第二有机层以外的层。
在本发明的发光元件中，第一有机层通常为发光层(以下称作“第一发光层”)。
在本发明的发光元件中，第二有机层通常为空穴传输层、第二发光层或电子传输层，优选为空穴传输层或第二发光层，更优选为空穴传输层。
在本发明的发光元件中，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，优选使第一有机层与第二有机层邻接。
在本发明的发光元件中，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，第二有机层优选为设置于阳极与第一有机层之间的层，更优选为设置于阳极与第一有机层之间的空穴传输层或第二发光层，进一步优选为设置于阳极与第一有机层之间的空穴传输层。
在本发明的发光元件的第一有机层中，可以含有单独1种化合物(T)，也可以含有2种以上化合物(T)。在本发明的发光元件的第二有机层中，可以含有单独1种的第二有机层的高分子化合物的交联体，也可以含有2种以上的第二有机层的高分子化合物的交联体。
在本发明的发光元件中，在第二有机层为设置于阳极与第一有机层之间的空穴传输层的情况下，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，优选在阳极与第二有机层之间还具有空穴注入层。在第二有机层为设置于阳极与第一有机层之间的空穴传输层的情况下，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，优选在阴极与第一有机层之间还具有电子注入层及电子传输层中的至少1层。
在本发明的发光元件中，在第二有机层为设置于阳极与第一有机层之间的第二发光层的情况下，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，优选在阳极与第二有机层之间还具有空穴注入层及空穴传输层中的至少1层。在第二有机层为设置于阳极与第一有机层之间的第二发光层的情况下，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，优选在阴极与第一有机层之间还具有电子注入层及电子传输层中的至少1层。
在本发明的发光元件中，在第二有机层为设置于阴极与第一有机层之间的第二发光层的情况下，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，优选在阳极与第一有机层之间还具有空穴注入层及空穴传输层中的至少1层。在第二有机层为设置于阴极与第一有机层之间的第二发光层的情况下，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，优选在阴极与第二有机层之间还具有电子注入层及电子传输层中的至少1层。
在本发明的发光元件中，在第二有机层为设置于阴极与第一有机层之间的电子传输层的情况下，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，优选在阳极与第一有机层之间还具有空穴注入层及空穴传输层中的至少1层。在第二有机层为设置于阴极与第一有机层之间的电子传输层的情况下，从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，优选在阴极与第二有机层之间还具有电子注入层。
作为本发明的发光元件的具体的层结构，可列举例如(D1)～(D15)所示的层结构。本发明的发光元件通常具有基板，可以在基板上从阳极开始层叠，也可以在基板上从阴极开始层叠。
(D1)阳极/第二发光层(第二有机层)/第一发光层(第一有机层)/阴极
(D2)阳极/空穴传输层(第二有机层)/第一发光层(第一有机层)/阴极
(D3)阳极/空穴注入层/第二发光层(第二有机层)/第一发光层(第一有机层)/阴极
(D4)阳极/空穴注入层/第二发光层(第二有机层)/第一发光层(第一有机层)/电子传输层/阴极
(D5)阳极/空穴注入层/第二发光层(第二有机层)/第一发光层(第一有机层)/电子注入层/阴极
(D6)阳极/空穴注入层/第二发光层(第二有机层)/第一发光层(第一有机层)/电子传输层/电子注入层/阴极
(D7)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第二有机层)/第一发光层(第一有机层)/阴极
(D8)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第二有机层)/第一发光层(第一有机层)/电子传输层/阴极
(D9)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第二有机层)/第一发光层(第一有机层)/电子注入层/阴极
(D10)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第二有机层)/第一发光层(第一有机层)/电子传输层/电子注入层/阴极
(D11)阳极/空穴注入层/空穴传输层/第二发光层(第二有机层)/第一发光层(第一有机层)/电子传输层/电子注入层/阴极
(D12)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第二有机层)/第一发光层(第一有机层)/第二发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
(D13)阳极/空穴注入层/空穴传输层/第一发光层(第一有机层)/第二发光层(第二有机层)/电子传输层/电子注入层/阴极
(D14)阳极/空穴注入层/空穴传输层/第一发光层(第一有机层)/电子传输层(第二有机层)/电子注入层/阴极
(D15)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第二有机层)/第二发光层/第一发光层(第一有机层)/电子传输层/电子注入层/阴极
在(D1)～(D15)中，“/”是指其前后的层邻接并层叠。具体而言，“第二发光层(第二有机层)/第一发光层(第一有机层)”是指第二发光层(第二有机层)和第一发光层(第一有机层)邻接并层叠。
从本发明的发光元件的外部量子效率更优异的方面出发，优选(D3)～(D12)所示的层结构，更优选(D7)～(D10)所示的层结构。
在本发明的发光元件中，阳极、空穴注入层、空穴传输层、第二发光层、电子传输层、电子注入层及阴极可以分别根据需要设置2层以上。
在存在多个阳极、空穴注入层、空穴传输层、第二发光层、电子传输层、电子注入层及阴极的情况下，它们任选分别相同或不同。
阳极、空穴注入层、空穴传输层、第一发光层、第二发光层、电子传输层、电子注入层及阴极的厚度通常为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～150nm。
在本发明的发光元件中，所层叠的层的顺序、数量及厚度只要斟酌发光元件的发光效率、驱动电压及元件寿命进行调整即可。
[第二发光层]
第二发光层通常为包含第二有机层或发光材料的层，优选为含有发光材料的层。在第二发光层为含有发光材料的层的情况下，作为第二发光层中所含有的发光材料，可列举例如上述第二组合物所任选含有的发光材料。可以含有单独1种的第二发光层中所含有的发光材料，也可以含有2种以上的第二发光层中所含有的发光材料。
在本发明的发光元件具有第二发光层、且后述空穴传输层及后述电子传输层不为第二有机层的情况下，第二发光层优选为第二有机层。
[空穴传输层]
空穴传输层通常为含有第二有机层或空穴传输材料的层，优选为第二有机层。在空穴传输层为含有空穴传输材料的层的情况下，作为空穴传输材料，可列举例如上述第一组合物所任选含有的空穴传输材料。可以含有单独1种的空穴传输层中所含有的空穴传输材料，也可以含有2种以上的空穴传输层中所含有的空穴传输材料。
在本发明的发光元件具有空穴传输层、且上述第二发光层及后述的电子传输层不为第二有机层的情况下，空穴传输层优选为第二有机层。
[电子传输层]
电子传输层通常为含有第二有机层或电子传输材料的层，优选为含有电子传输材料的层。在电子传输层为含有电子传输材料的层的情况下，作为电子传输层中所含有的电子传输材料，可列举例如上述第一组合物所任选含有的电子传输材料。可以含有单独1种的电子传输层中所含有的电子传输材料，也可以含有2种以上的电子传输层中所含有的电子传输材料。
在本发明的发光元件具有电子传输层、且上述第二发光层及上述空穴传输层不为第二有机层的情况下，电子传输层优选为第二有机层。
[空穴注入层及电子注入层]
空穴注入层为含有空穴注入材料的层。作为空穴注入层中所含有的空穴注入材料，可列举例如上述第一组合物所任选含有的空穴注入材料。可以含有单独1种的空穴注入层中所含有的空穴注入材料，也可以含有2种以上的空穴注入层中所含有的空穴注入材料。
电子注入层为含有电子注入材料的层。作为电子注入层中所含有的电子注入材料，可列举例如上述第一组合物所任选含有的电子注入材料。可以单独含有1种的电子注入层中所含有的电子注入材料，也可以含有2种以上的电子注入层中所含有的电子注入材料。
[基板/电极]
发光元件中的基板只要是可以形成电极、且在形成有机层时不发生化学变化的基板即可，例如为由玻璃、塑料、硅等材料形成的基板。在使用不透明基板的情况下，优选使距离基板最远的电极为透明或半透明。
作为阳极的材料，可列举例如导电性的金属氧化物、半透明的金属，优选为氧化铟、氧化锌、氧化锡；铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物等导电性化合物；银与钯与铜的复合体(APC)；NESA、金、铂、银、铜。
作为阴极的材料，可列举例如：锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、锌、铟等金属；它们当中的2种以上的合金；它们当中的1种以上与银、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中的1种以上形成的合金；以及石墨及石墨层间化合物。作为合金，可列举例如镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金。
在本发明的发光元件中，阳极及阴极中的至少一者通常为透明或半透明，但是优选使阳极为透明或半透明。
作为阳极及阴极的形成方法，可列举例如真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、镀敷法及层压法。
[发光元件的制造方法]
在本发明的发光元件中，作为第一发光层、第二发光层、空穴传输层、电子传输层、空穴注入层、电子注入层等各层的形成方法，在使用低分子化合物的情况下，例如可举出利用粉末的真空蒸镀法、基于利用溶液或熔融状态的成膜的方法，在使用高分子化合物的情况下，例如可举出基于利用溶液或熔融状态的成膜的方法。
第一发光层、第二发光层、空穴传输层、电子传输层、空穴注入层及电子注入层可以使用分别含有第一油墨、第二油墨以及上述的发光材料、空穴传输材料、电子传输材料、空穴注入材料及电子注入材料的油墨，并利用旋涂法、喷墨印刷法等涂布法来形成。
[发光元件的用途]
为了使用发光元件而得到面状的发光，以面状的阳极与阴极重合的方式配置即可。为了得到图案状的发光，有下述方法：在面状的发光元件的表面设置设有图案状窗的掩模的方法、使欲作为非发光部的层形成得极端厚而实质上不发光的方法、以图案状形成阳极或阴极、或者这两种电极的方法。利用这些中的任一方法形成图案，并以能够独立进行开关(ON/OFF)的方式配置若干电极，由此可得到能够显示数字、文字等的分段型的显示装置。为了形成点阵显示装置，将阳极和阴极以共同形成条状并正交的方式进行配置即可。通过分别涂布多种发光色不同的高分子化合物的方法、使用滤色器或荧光转换过滤器的方法，能够进行部分彩色显示、多彩显示。点阵显示装置可以进行无源驱动，也可以与TFT等组合进行有源驱动。这些显示装置可以用于计算机、电视、便携终端等的显示器。面状的发光元件可以适宜地用作液晶显示装置的背光用面状光源、或者面状的照明用光源。如果使用柔性的基板，则也可以用作曲面状的光源和显示装置。
实施例
以下，利用实施例对本发明进行更详细地说明，但是，本发明并不受这些实施例的限定。
在实施例中，高分子化合物的聚苯乙烯换算的数均分子量(Mn)及聚苯乙烯换算的重均分子量(Mw)使用四氢呋喃作为流动相，并且利用尺寸排阻色谱法(SEC)来求得。予以说明，SEC的各测定条件如下所示。
使所测定的高分子化合物以约0.05质量％的浓度溶解于四氢呋喃，在SEC中注入10μL。流动相以2.0mL/分钟的流量流动。作为色谱柱，使用PLgel MIXED-B(Polymerlaboratories公司制)。检测器使用UV-VIS检测器(岛津制作所制、商品名：SPD-10Avp)。
LC-MS利用下述的方法来测定。
使测定试样以浓度达到约2mg/mL的方式溶解于氯仿或四氢呋喃，在LC-MS(Agilent公司制、商品名：1100LCMSD)中注入约1μL。关于LC-MS的流动相，一边改变乙腈及四氢呋喃的比率一边使用这两者，并且以0.2mL/分钟的流量流动。色谱柱使用L-column2ODS(3μm)(化学物质评价研究机构制、内径：2.1mm、长度：100mm、粒径：3μm)。
NMR利用下述的方法来测定。
使5～10mg的测定试样溶解于约0.5mL的氘代氯仿(CDCl3)、氘代四氢呋喃、氘代二甲基亚砜、氘代丙酮、氘代N，N-二甲基甲酰胺、氘代甲苯、氘代甲醇、氘代乙醇、氘代2-丙醇或氘代二氯甲烷，使用NMR装置(Agilent公司制、商品名：INOVA300或MERCURY 400VX)进行测定。
作为化合物的纯度的指标，使用高效液相色谱(HPLC)面积百分率的值。只要没有特别记载，则该值均为基于HPLC(岛津制作所制、商品名：LC-20A)的UV＝254nm时的值。此时，所测定的化合物以浓度达到0.01～0.2质量％的方式溶解于四氢呋喃或氯仿，并且根据浓度而在HPLC中注入1～10μL。关于HPLC的流动相，一边使乙腈/四氢呋喃的比率变化至100/0～0/100(容积比)一边使用这两者，并且以1.0mL/分钟的流量流动。色谱柱使用Kaseisorb LC ODS 2000(东京化成工业公司制)或具有同等性能的ODS色谱柱。检测器使用光电二极管阵列检测器(岛津制作所制、商品名：SPD-M20A)。
关于化合物的ΔEST及振子强度的值的计算，利用B3LYP水平的密度泛函数法，将化合物的基态进行结构优化，此时，使用6-31G*作为基底函数。然后，使用Gaussian09作为量子化学计算程序，利用B3LYP水平的时间依赖密度泛函数法算出化合物的ΔEST及振子强度。
高分子化合物的最低三重态激发状态的能级通过测定高分子化合物在77K下的磷光发光光谱来求得。
具体而言，使高分子化合物以3.0质量％的浓度溶解于二甲苯。使用所得的二甲苯溶液，在玻璃基板上利用滴注流延法进行成膜后，在室温下进行真空干燥，由此形成高分子化合物的膜。将形成有高分子化合物的膜的玻璃基板投入设为氧浓度不足5ppm的氮气气氛下的玻璃管中，之后，将玻璃管进行封管。将封管后的玻璃管在液体氮中冷却至77K，作为测定试样。对所得的测定试样照射激发光(激发波长：325nm)，测定高分子化合物的磷光发光光谱。在所得的高分子化合物的磷光发光光谱中，将最短波长的极大峰波长换算成能量，将所得的值作为高分子化合物的最低三重态激发状态的能级。
在高分子化合物的磷光发光光谱的测定中，使用旋转式的截光器。激发光源使用He-Cd激光(金门光波公司制)。检测器使用滨松光子学公司制的多通道分光器(商品名：PMA-12)。
<合成例T1及T2>化合物T1及T2的合成
化合物T1依据国际公开第2010/136109号中记载的方法来合成。
化合物T2依据国际公开第2007/063754号中记载的方法来合成。
[化102]
化合物T1的ΔEST及振子强度分别为0.1295eV及0.0011。
化合物T2的ΔEST及振子强度分别为0.1072eV及0.0062。
<合成例T3>化合物T3的合成
[化103]
[化104]
(化合物T3-3的合成)
将反应容器内设为氩气气氛后，加入化合物T3-1(2.5g)、化合物T3-2(2.8g)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.25g)、三叔丁基鏻四氟硼酸盐(0.13g)、叔丁醇钠(1.3g)及甲苯(75mL)，在室温下搅拌1小时。之后，向其中添加己烷及硅胶，在50℃下搅拌后，用铺设有硅胶的过滤器进行过滤。将所得的滤液进行减压浓缩，由此得到固体。将所得的固体用硅胶柱色谱(己烷及甲苯的混合溶剂)进行纯化后，使其在50℃下减压干燥，由此得到化合物T3-3的粗提纯物(3.1g、茶色油)。在所得的粗提纯物中加入己烷及活性炭，在室温下搅拌后，进行减压过滤。将所得的滤液进行减压浓缩，由此得到化合物T3-3(2.7g、黄色固体)。化合物T3-3的HPLC面积百分率值为98.5％。
1H-NMR(CDCl3，400MHz)：δ(ppm)＝8.20-8.11(m，2H).7.74-6.85(m，26H)，2.50-2.30(m，7H)，1.53-0.82(m，22H).
(化合物T3-4的合成)
将反应容器内设为氮气气氛后，加入化合物T3-3(2.6g)、四氢呋喃(26mL)、二甲基亚砜(16mL)及33质量％氢氧化钾水溶液(5.4g)，在回流下搅拌6.5小时。将所得的混合物冷却至室温后，使用离子交换水及甲苯的混合液进行萃取，再将所得的有机层用离子交换水进行清洗。将所得的有机层用无水硫酸钠干燥后，进行过滤，将所得的滤液进行减压浓缩，由此得到粗提纯物。将所得的粗提纯物用硅胶柱色谱(己烷及甲苯的混合溶剂)纯化后，使其在50℃下减压干燥，由此得到化合物T3-4(2.1g、茶色油)。化合物T3-4的HPLC面积百分率值为97.6％。
(化合物T3的合成)
将反应容器内设为氮气气氛后，加入化合物T3-4(2.1g)、化合物T3-5(1.3g)、乙酸钯(0.071g)、三叔丁基鏻四氟硼酸盐(0.096g)及二甲苯(84mL)。之后，向其中添加叔丁醇钠(0.76g)，在100℃下搅拌1小时。将所得的混合物冷却至室温后，加入己烷及硅胶，在室温下搅拌后，用铺设有硅胶的过滤器过滤。将所得的滤液进行减压浓缩，由此得到粗提纯物。将所得的粗提纯物用己烷及乙醇的混合溶剂进行晶化，由此得到固体。将所得的固体用硅胶柱色谱(己烷及甲苯的混合溶剂)进行纯化，再用甲苯、乙酸乙酯及乙腈的混合溶剂进行晶化。将所得的固体在50℃下减压干燥，由此得到化合物T3(1.2g、黄色固体)。化合物T3的HPLC面积百分率值为99.5％以上。
LC-MS(APCI，positive)：m/z＝977.5[M+H]+
1H-NMR(CDCl3，400MHz)：δ(ppm)＝9.06-8.98(m，2H)，8.82-8.80(m，4H)，7.90-6.80(m，32H)，2.54-2.43(m，4H)，1.53-1.49(m，4H)，1.25(m，12H)，0.85-0.83(m，6H).
化合物T3的ΔEST及振子强度分别为0.1088eV及0.1848。
<化合物T4～T12>化合物T4～T12的合成或获得
化合物T4、T5、T6、T7及T10从Luminescense Technology公司购入。
化合物T8依据国际公开第2008/056746号中记载的方法来合成。
化合物T9依据国际公开第2006/114966号中记载的方法来合成。
化合物T11依据国际公开第2015/102118号中记载的方法来合成。
化合物T12依据日本特开2010-254676号公报中记载的方法来合成。
[化105]
[化106]
[化107]
化合物T4的ΔEST及振子强度分别为0.1563eV及0.0069。
化合物T5的ΔEST及振子强度分别为0.0265eV及0.0323。
化合物T6的ΔEST及振子强度分别为0.0065eV及0。
化合物T7的ΔEST及振子强度分别为0.1185eV及0.0574。
化合物T8的ΔEST及振子强度分别为0.0659eV及0.0007。
化合物T9的ΔEST及振子强度分别为0.3215eV及0.0448。
化合物T10的ΔEST及振子强度分别为0.0102eV及0。
化合物T11的ΔEST及振子强度分别为0.4464eV及0.4672。
化合物T12的ΔEST及振子强度分别为0.5762eV及0.3640。
<化合物HM-1及E1>化合物HM-1及E1的合成或获得
化合物E1按照国际公开第2007/058368号中记载的方法来合成。
化合物HM-1从Luminescense Technology公司购入。
[化108]
化合物HM-1的ΔEST及振子强度分别为0.2966eV及0.0082。
化合物E1的ΔEST及振子强度分别为0.7881eV及0.1353。
<合成例M>化合物M1～M25的合成
化合物M1及化合物M3按照日本特开2010-189630号公报中记载的方法来合成。
化合物M2按照国际公报第2012/086671号中记载的方法来合成。
化合物M4、化合物M5、化合物M20及化合物M21按照国际公开第2013/191088号中记载的方法来合成。
化合物M6及化合物M7按照国际公开第2002/045184号中记载的方法来合成。
化合物M8按照国际公开第2011/049241号中记载的方法来合成。
化合物M9及化合物M10按照国际公开第2013/146806号中记载的方法来合成。
化合物M11按照国际公开第2005/049546号中记载的方法来合成。
化合物M12按照国际公开第2015/145871号中记载的方法来合成。
化合物M13按照日本特开2010-215886号公报中记载的方法来合成。
化合物M14按照日本特开2008-106241号公报中记载的方法来合成。
化合物M15按照日本特开2010-215886号公报中记载的方法来合成。
化合物M16及化合物M24依据国际公开第2016/031639号中记载的方法来合成。
化合物M17及化合物M19按照日本特开2011-174062号公报中记载的方法来合成。
化合物M18、化合物M22及化合物M23按照国际公开第2016/031639号中记载的方法来合成。
化合物M25依据国际公开第2002/045184号中记载的方法来合成。
[化109]
[化110]
[化111]
[化112]
[化113]
[化114]
[化115]
<合成例HP1>高分子化合物HP-1的合成
高分子化合物HP-1是使用化合物M1、化合物M2及化合物M3，并且按照日本特开2012-036388号公报中记载的方法来合成的。高分子化合物HP-1的Mn为9.6×104，Mw为2.2×105。
高分子化合物HP-1是由化合物M1衍生的结构单元、由化合物M2衍生的结构单元和由化合物M3衍生的结构单元按照由投入原料的量求得的理论值计为50∶40∶10的摩尔比构成的共聚物。
<合成例HP2>高分子化合物HP-2的合成
高分子化合物HP-2是使用化合物M1、化合物M4及化合物M5，并且按照国际公开第2015/008851号中记载的方法来合成的。高分子化合物HP-2的Mn为8.5×104，Mw为2.2×105。
高分子化合物HP-2是由化合物M1衍生的结构单元、由化合物M4衍生的结构单元和由化合物M5衍生的结构单元按照由投入原料的量求得的理论值计为50∶26∶24的摩尔比构成的共聚物。
<合成例HTL1>高分子化合物HTL-1的合成
高分子化合物HTL-1是使用化合物M6及化合物M7，并且按照日本特开2012-36381号公报中记载的方法来合成的。高分子化合物HTL-1的聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝8.1×104及Mw＝3.4×105。
高分子化合物HTL-1是由化合物M6衍生的结构单元和由化合物M7衍生的结构单元按照由投入原料的量求得的理论值计为50∶50的摩尔比构成的共聚物。
高分子化合物HTL-1的最低三重态激发状态的能级为2.16eV。
<合成例HTL2>高分子化合物HTL-2的合成
高分子化合物HTL-2是使用化合物M19、化合物M11、化合物M25及化合物M15，并且依据日本特开2012-144722号公报中记载的方法来合成的。高分子化合物HTL-2的Mn为5.0×104，Mw为2.5×105。
高分子化合物HTL-2是由化合物M19衍生的结构单元、由化合物M11衍生的结构单元、由化合物M25衍生的结构单元和由化合物M15衍生的结构单元按照由投入原料的量求得的理论值计为50∶30∶12.5∶7.5的摩尔比构成的共聚物。
高分子化合物HTL-2的最低三重态激发状态的能级为2.16eV。
<合成例HTL3>高分子化合物HTL-3的合成
高分子化合物HTL-3是使用化合物M1及化合物M11，并且按照国际公开第2015/194448号中记载的方法来合成的。高分子化合物HTL-3的聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝4.5×104及Mw＝1.5×105。
高分子化合物HTL-3是由化合物M1衍生的结构单元和由化合物M11衍生的结构单元按照由投入原料的量求得的理论值计为50：50的摩尔比构成的共聚物。
高分子化合物HTL-3的最低三重态激发状态的能级为2.33eV。
<合成例HTL4>高分子化合物HTL-4的合成
高分子化合物HTL-4是使用化合物M1、化合物M11及化合物M8，并且按照国际公开第2013/146806号中记载的方法来合成的。高分子化合物HTL-4的Mn为1.9×104，Mw为9.9×104。
高分子化合物HTL-4是由化合物M1衍生的结构单元、由化合物M11衍生的结构单元和由化合物M8衍生的结构单元按照由投入原料的量求得的理论值计为50∶42.5∶7.5的摩尔比构成的共聚物。
高分子化合物HTL-4的最低三重态激发状态的能级为2.33eV。
<合成例HTL5>高分子化合物HTL-5的合成
(工序1)将反应容器内设为不活性气体气氛后，加入化合物M9(1.07g)、化合物M10(0.198g)、化合物M7(0.919g)、双〔三(2-甲氧基苯基)膦〕二氯化钯(1.8mg)及甲苯(50ml)，加热至100℃。
(工序2)在所得的反应液中滴加20质量％氢氧化四乙基铵水溶液(8.7ml)，使其回流6小时。
(工序3)之后，向其中添加2-乙基苯基硼酸(60.0mg)、20质量％氢氧化四乙基铵水溶液(8.7ml)及双〔三(2-甲氧基苯基)膦〕二氯化钯(1.8mg)，使其回流16小时。
(工序4)之后，向其中添加二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在80℃下搅拌2小时。将所得的反应液冷却后，用3.6质量％的盐酸清洗2次，用2.5质量％的氨水溶液清洗2次，再用水清洗6次，将所得的溶液滴加到甲醇时，产生沉淀。使所得的沉淀物溶解于甲苯，依次通液于氧化铝柱、硅胶柱，由此进行纯化。将所得的溶液滴加到甲醇中，进行搅拌时，产生沉淀。滤取所得的沉淀物，使其干燥，由此得到1.14g的高分子化合物HTL-5。高分子化合物HTL-5的Mn为3.6×104，Mw为2.0×105。
高分子化合物HTL-5是由化合物M9衍生的结构单元、由化合物M10衍生的结构单元和由化合物M7衍生的结构单元按照由投入原料的量求得的理论值计为40∶10∶50的摩尔比构成的共聚物。
高分子化合物HTL-5的最低三重态激发状态的能级为2.46eV。
<合成例HTL6>高分子化合物HTL-6的合成
高分子化合物HTL-6是使用化合物M12、化合物M10及化合物M24，并且依据国际公开第2015/145871号中记载的方法来合成的。高分子化合物HTL-6的Mn为2.8×104，Mw为1.1×105。
高分子化合物HTL-6是由化合物M12衍生的结构单元、由化合物M10衍生的结构单元和由化合物M24衍生的结构单元按照由投入原料的量求得的理论值计为40∶10∶50的摩尔比构成的共聚物。
高分子化合物HTL-6的最低三重态激发状态的能级为2.69eV。
<合成例HTL7>高分子化合物HTL-7的合成
高分子化合物HTL-7是使用化合物M1、化合物M13、化合物M14及化合物M15，并且依据国际公开第2016/031639号中记载的方法来合成的。高分子化合物HTL-7的Mn为2.4×104，Mw为1.7×105。
高分子化合物HTL-7是由化合物M1衍生的结构单元、由化合物M13衍生的结构单元、由化合物M14衍生的结构单元和由化合物M15衍生的结构单元按照由投入原料的量求得的理论值计为50∶40∶5∶5的摩尔比构成的共聚物。
高分子化合物HTL-7的最低三重态激发状态的能级为2.49eV。
<合成例HTL8>高分子化合物HTL-8的合成
(工序1)将反应容器内设为不活性气体气氛后，加入化合物M1(0.995g)、化合物M7(0.736g)、化合物M14(0.106g)、化合物M15(0.0924g)、双〔三(2-甲氧基苯基)膦〕二氯化钯(1.8mg)及甲苯(50ml)，加热至105℃。
(工序2)在所得的反应液中滴加20质量％氢氧化四乙基铵水溶液(6.6ml)，使其回流5.5小时。
(工序3)之后，向其中添加苯基硼酸(24.4mg)、20质量％氢氧化四乙基铵水溶液(6.6ml)及双(三(2-甲氧基苯基)膦〕二氯化钯(1.8mg)，使其回流14小时。
(工序4)之后，向其中添加二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在80℃下搅拌2小时。将所得的反应液冷却后，用水清洗2次，用3质量％乙酸水溶液清洗2次，再用水清洗2次，将所得的溶液滴加到甲醇时，产生沉淀。使所得的沉淀物溶解于甲苯中，依次通液于氧化铝柱、硅胶柱，由此进行纯化。将所得的溶液滴加到甲醇中，进行搅拌时，产生沉淀。滤取所得的沉淀物，使其干燥，由此得到0.91g的高分子化合物HTL-8。高分子化合物HTL-8的Mn为5.2×104，Mw为2.5×105。
高分子化合物HTL-8是由化合物M1衍生的结构单元、由化合物M7衍生的结构单元、由化合物M14衍生的结构单元和由化合物M15衍生的结构单元按照由投入原料的量求得的理论值计为50∶40∶5∶5的摩尔比构成的共聚物。
高分子化合物HTL-8的最低三重态激发状态的能级为2.45eV。
<合成例HTL9>高分子化合物HTL-9的合成
高分子化合物HTL-9是使用化合物M16、化合物M17、化合物M14及化合物M15，并且依据国际公开第2016/125560号中记载的方法来合成的。高分子化合物HTL-9的Mn为3.5×104，Mw为1.6×105。
高分子化合物HTL-9是由化合物M16衍生的结构单元、由化合物M17衍生的结构单元、由化合物M14衍生的结构单元和由化合物M15衍生的结构单元按照由投入原料的量求得的理论值计为50∶40∶5∶5的摩尔比构成的共聚物。
高分子化合物HTL-9的最低三重态激发状态的能级为2.39eV。
<合成例HTL10>高分子化合物HTL-10的合成
高分子化合物HTL-10是使用化合物M18、化合物M17、化合物M14及化合物M15，并且按照国际公开第2016/031639号中记载的方法来合成的。高分子化合物HTL-10的Mn为5.3×104，Mw为2.0×105。
高分子化合物HTL-10是由化合物M18衍生的结构单元、由化合物M17衍生的结构单元、由化合物M14衍生的结构单元和由化合物M15衍生的结构单元按照由投入原料的量求得的理论值计为50∶40∶5∶5的摩尔比构成的共聚物。
高分子化合物HTL-10的最低三重态激发状态的能级为2.37eV。
<合成例HTL11>高分子化合物HTL-11的合成
高分子化合物HTL-11是使用化合物M19、化合物M20、化合物M21及化合物M22，并且按照国际公开第2016/031639号中记载的方法来合成的。高分子化合物HTL-11的Mn为5.1×104，Mw为2.0×105。
高分子化合物HTL-11是由化合物M19衍生的结构单元、由化合物M20衍生的结构单元、由化合物M21衍生的结构单元和由化合物M22衍生的结构单元按照由投入原料的量求得的理论值计为40∶5∶5∶50的摩尔比构成的共聚物。
高分子化合物HTL-11的最低三重态激发状态的能级为2.33eV。
<合成例HTL12>高分子化合物HTL-12的合成
高分子化合物HTL-12是使用化合物M23、化合物M17、化合物M14及化合物M15，并且按照国际公开第2016/125560号中记载的方法来合成的。高分子化合物HTL-12的Mn为5.2×104，Mw为2.2×105。
高分子化合物HTL-12是由化合物M23衍生的结构单元、由化合物M17衍生的结构单元、由化合物M14衍生的结构单元和由化合物M15衍生的结构单元按照由投入原料的量求得的理论值计为50∶40∶5∶5的摩尔比构成的共聚物。
高分子化合物HTL-12的最低三重态激发状态的能级为2.33eV。
<合成例HTL13>高分子化合物HTL-13的合成
高分子化合物HTL-13是使用化合物M12、化合物M10及化合物M11，并且按照国际公开第2015/145871号中记载的方法来合成的。高分子化合物HTL-13的Mn为2.3×104，Mw为1.2×105。
高分子化合物HTL-13是由化合物M12衍生的结构单元、由化合物M10衍生的结构单元和由化合物M11衍生的结构单元按照由投入原料的量求得的理论值计为45∶5∶50的摩尔比构成的共聚物。
高分子化合物HTL-13的最低三重态激发状态的能级为2.33eV。
<实施例D1>发光元件D1的制作和评价
(阳极及空穴注入层的形成)
在玻璃基板上利用溅射法以45nm的厚度赋予ITO膜，由此形成阳极。在该阳极上利用旋涂法以50nm的厚度成膜作为空穴注入材料的ND-3202(日产化学工业公司制)。在大气气氛下，在50℃加热3分钟，再在230℃加热15分钟，由此形成空穴注入层。
(第二有机层的形成)
使高分子化合物HTL-5以0.6质量％的浓度溶解于二甲苯。使用所得的二甲苯溶液，在空穴注入层上利用旋涂法以20nm的厚度成膜，在氮气气氛下，使其在热板上以200℃加热30分钟，由此形成第二有机层。利用该加热，高分子化合物HTL-5成为交联体。
(第一有机层的形成)
使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯。使用所得的二甲苯溶液，在第二有机层上利用旋涂法以70nm的厚度成膜，在氮气气氛下，使其以130℃加热10分钟，由此形成第一有机层。
(阴极的形成)
将形成有第一有机层的基板在蒸镀机内减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在第一有机层上蒸镀约4nm的氟化钠，接着，在氟化钠层上蒸镀约80nm的铝。蒸镀后，使用玻璃基板进行密封，由此制作发光元件D1。
(发光元件的评价)
通过对发光元件D1施加电压，从而观测到EL发光。在2mA/cm2下的外部量子效率为12.0[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.29，0.57)。
<实施例D2>发光元件D2的制作和评价
除了代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“高分子化合物HP-1”而使用“高分子化合物HP-2”以外，与实施例D1同样地制作发光元件D2。通过对发光元件D2施加电压，从而观测到EL发光。在2mA/cm2下的外部量子效率为14.2[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.27，0.56)。
<实施例D3>发光元件D3的制作和评价
除了代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物MM-1及化合物T3(化合物HM-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以2质量％的浓度溶解于甲苯”以外，与实施例D1同样地制作发光元件D3。通过对发光元件D3施加电压，从而观测到EL发光。在2mA/cm2下的外部量子效率为11.3[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.31，0.57)。
<实施例D4>发光元件D4的制作和评价
代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物HM-1及化合物T3(化合物HM-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以2质量％的浓度溶解于甲苯”，并且，代替实施例D1的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-5”而使用“高分子化合物HTL-4”，除此以外，与实施例D1同样地制作发光元件D4。通过对发光元件D4施加电压，从而观测到EL发光。在2mA/cm2下的外部量子效率为7.4[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.31，0.58)。
<比较例CD1>发光元件CD1的制作和评价
代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物HM--1及化合物T3(化合物HM-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以2质量％的浓度溶解于甲苯”，并且，代替实施例D1的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-5”而使用“高分子化合物HTL-3”，除此以外，与实施例D1同样地制作发光元件CD1。通过对发光元件CD1施加电压，从而观测到EL发光。在2mA/cm2下的外部量子效率为4.6[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.31，0.58)。
<比较例CD2>发光元件CD2的制作和评价
代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物HM-1及化合物T3(化合物HM-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以2质量％的浓度溶解于甲苯”，并且，代替实施例D1的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-5”而使用“高分子化合物HTL-1”，除此以外，与实施例D1同样地制作发光元件CD2。通过对发光元件CD2施加电压，从而观测到EL发光。在2mA/cm2下的外部量子效率为2.3[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.31，0.57)。
[表3]
<实施例D5>发光元件D5的制作和评价
代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物HM--1及化合物T3(化合物HM-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以2质量％的浓度溶解于甲苯”，并且，代替实施例D1的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-5”而使用“高分子化合物HTL-6”，除此以外，与实施例D1同样地制作发光元件D5。
通过对发光元件D5施加电压，从而观测到EL发光。在0.5mA/cm2下的外部量子效率为7.2[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.32，0.57)。
<实施例D6>发光元件D6的制作和评价
除了代替实施例D5的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-6”而使用“高分子化合物HTL-7”以外，与实施例D5同样地制作发光元件D6。
通过对发光元件D6施加电压，从而观测到EL发光。在0.5mA/cm2下的外部量子效率为11.1[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.30，0.56)。
<实施例D7>发光元件D7的制作和评价
除了代替实施例D5的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-6”而使用“高分子化合物HTL-5”以外，与实施例D5同样地制作发光元件D7。
通过对发光元件D7施加电压，从而观测到EL发光。在0.5mA/cm2下的外部量子效率为12.4[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.32，0.57)。
<实施例D8>发光元件D8的制作和评价
除了代替实施例D5的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-6”而使用“高分子化合物HTL-8”以外，与实施例D5同样地制作发光元件D8。
通过对发光元件D8施加电压，从而观测到EL发光。在0.5mA/cm2下的外部量子效率为10.6[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.31，0.57)。
<实施例D9>发光元件D9的制作和评价
除了代替实施例D5的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-6”而使用“高分子化合物HTL-9”以外，与实施例D5同样地制作发光元件D9。
通过对发光元件D9施加电压，从而观测到EL发光。在0.5mA/cm2下的外部量子效率为8.6[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.32，0.57)。
<实施例D10>发光元件D10的制作和评价
除了代替实施例D5的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-6”而使用“高分子化合物HTL-10”以外，与实施例D5同样地制作发光元件D10。
通过对发光元件D10施加电压，从而观测到EL发光。在0.5mA/cm2下的外部量子效率为8.7[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.31，0.57)。
<实施例D11>发光元件D11的制作和评价
除了代替实施例D5的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-6”而使用“高分子化合物HTL-4”以外，与实施例D5同样地制作发光元件D11。
通过对发光元件D11施加电压，从而观测到EL发光。在0.5mA/cm2下的外部量子效率为8.0[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.32，0.58)。
<实施例D12>发光元件D12的制作和评价
除了代替实施例D5的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-6”而使用“高分子化合物HTL-11”以外，与实施例D5同样地制作发光元件D12。
通过对发光元件D12施加电压，从而观测到EL发光。在0.5mA/cm2下的外部量子效率为7.3[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.32，0.57)。
<实施例D13>发光元件D13的制作和评价
除了代替实施例D5的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-6”而使用“高分子化合物HTL-12”以外，与实施例D5同样地制作发光元件D13。
通过对发光元件D13施加电压，从而观测到EL发光。在0.5mA/cm2下的外部量子效率为7.9[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.31，0.58)。
<比较例CD3>发光元件CD3的制作和评价
除了代替实施例D5的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-6”而使用“高分子化合物HTL-3”以外，与实施例D5同样地制作发光元件CD3。
通过对发光元件CD3施加电压，从而观测到EL发光。在0.5mA/cm2下的外部量子效率为4.7[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.32，0.58)。
<比较例CD4>发光元件CD4的制作和评价
除了代替实施例D5的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-6”而使用“高分子化合物HTL-2”以外，与实施例D5同样地制作发光元件CD4。
通过对发光元件CD4施加电压，从而观测到EL发光。在0.5mA/cm2下的外部量子效率为4.2[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.31，0.57)。
<比较例CD5>发光元件CD5的制作和评价
除了代替实施例D5的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-6”而使用“高分子化合物HTL-1”以外，与实施例D5同样地制作发光元件CD5。
通过对发光元件CD5施加电压，从而观测到EL发光。在0.5mA/cm2下的外部量子效率为2.3[％]、CIE色度坐标(x，y)＝(0.31，0.58)。
[表4]
<实施例D14>发光元件D14的制作和评价
代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物HM--1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)以2.6质量％的浓度溶解于氯苯”，并且，代替实施例D1的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-5”而使用“高分子化合物HTL-13”，除此以外，与实施例D1同样地制作发光元件D14。
通过对发光元件D14施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为3.9[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.29，0.63)。
<实施例D15>发光元件D15的制作和评价
代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物MM-1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)以2.6质量％的浓度溶解于氯苯”，并且，代替实施例D1的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-5”而使用“高分子化合物HTL-4”，除此以外，与实施例D1同样地制作发光元件D15。
通过对发光元件D15施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为3.8[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.29，0.63)。
<实施例D16>发光元件D16的制作和评价
除了代替实施例D14的(第一有机层的形成)中的“化合物HM-1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM-1、化合物T2及化合物E1(化合物HM-1/化合物T2/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”以外，与实施例D14同样地制作发光元件D16。
通过对发光元件D16施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为5.2[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.29，0.63)。
<实施例D17>发光元件D17的制作和评价
除了代替实施例D15的(第一有机层的形成)中的“化合物HM-1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM-1、化合物T2及化合物E1(化合物HM-1/化合物T2/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”以外，与实施例D15同样地制作发光元件D17。
通过对发光元件D17施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为4.6[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.29，0.63)。
<实施例D18>发光元件D18的制作和评价
除了代替实施例D14的(第一有机层的形成)中的“化合物HM-1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM-1、化合物T4及化合物E1(化合物HM-1/化合物T4/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”以外，与实施例D14同样地制作发光元件D18。
通过对发光元件D18施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为4.6[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.29，0.64)。
<实施例D19>发光元件D19的制作和评价
除了代替实施例D15的(第一有机层的形成)中的“化合物HM-1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM-1、化合物T4及化合物E1(化合物HM-1/化合物T4/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”以外，与实施例D15同样地制作发光元件D19。
通过对发光元件D19施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为3.7[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.29，0.63)。
<实施例D20>发光元件D20的制作和评价
除了代替实施例D14的(第一有机层的形成)中的“化合物HM-1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM-1、化合物T3及化合物E1(化合物HM-1/化合物T3/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”以外，与实施例D14同样地制作发光元件D20。
通过对发光元件D20施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为6.0[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.31，0.62)。
<实施例D21>发光元件D21的制作和评价
除了代替实施例D15的(第一有机层的形成)中的“化合物HM-1、化合物T1及化合物E1(化合物HM--1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM--1、化合物T3及化合物E1(化合物HM-1/化合物T3/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”以外，与实施例D15同样地制作发光元件D21。
通过对发光元件D21施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为4.7[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.31，0.62)。
<实施例D22>发光元件D22的制作和评价
除了代替实施例D14的(第一有机层的形成)中的“化合物NM-1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM--1、化合物T3及化合物E1(化合物HM-1/化合物T3/化合物E1＝82质量％/15质量％/3质量％)”以外，与实施例D14同样地制作发光元件D22。
通过对发光元件D22施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为8.1[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.32，0.61)。
<实施例D23>发光元件D23的制作和评价
除了代替实施例D14的(第一有机层的形成)中的“化合物HM-1、化合物T1及化合物El(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM-1、化合物T3及化合物E1(化合物HM-1/化合物T3/化合物E1＝84质量％/15质量％/1质量％)”以外，与实施例D14同样地制作发光元件D23。
通过对发光元件D23施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为9.8[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.32，0.60)。
<实施例D24>发光元件D24的制作和评价
除了代替实施例D15的(第一有机层的形成)中的“化合物HM-1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM-1、化合物T3及化合物E1(化合物HM-1/化合物T3/化合物E1＝84质量％/15质量％/1质量％)”以外，与实施例D15同样地制作发光元件D24。
通过对发光元件D24施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为7.5[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.31，0.60)。
<实施例D25>发光元件D25的制作和评价
代替实施例D14的(第一有机层的形成)中的“化合物HM--1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM-1、化合物T3及化合物E1(化合物HM-1/化合物T3/化合物E1＝84质量％/15质量％/1质量％)”，并且，代替实施例D14的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-13”而使用“高分子化合物HTL-5”，除此以外，与实施例D14同样地制作发光元件D25。
通过对发光元件D25施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为12.1[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.32，0.59)。
<实施例D26>发光元件D26的制作和评价
代替实施例D14的(第一有机层的形成)中的“化合物HM-1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM-1、化合物T3及化合物E1(化合物HM-1/化合物T3/化合物E1＝84质量％/15质量％/1质量％)”，并且，代替实施例D14的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-13”而使用“高分子化合物HTL-6”，除此以外，与实施例D14同样地制作发光元件D26。
通过对发光元件D26施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为6.3[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.32，0.59)。
<实施例D27>发光元件D27的制作和评价
除了代替实施例D14的(第一有机层的形成)中的“化合物HM-1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM-1、化合物T5及化合物E1(化合物HM-1/化合物T5/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”以外，与实施例D14同样地制作发光元件D27。
通过对发光元件D27施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为3.7[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.29，0.63)。
<实施例D28>发光元件D28的制作和评价
除了代替实施例D15的(第一有机层的形成)中的“化合物HM-1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM-1、化合物T5及化合物E1(化合物HM-1/化合物T5/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”以外，与实施例D15同样地制作发光元件D28。
通过对发光元件D28施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为3.2[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.29，0.64)。
<实施例D29>发光元件D29的制作和评价
除了代替实施例D14的(第一有机层的形成)中的“化合物HM-1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM-1、化合物T8及化合物E1(化合物HM-1/化合物T8/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”以外，与实施例D14同样地制作发光元件D29。
通过对发光元件D29施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为3.8[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.29，0.63)。
<实施例D30>发光元件D30的制作和评价
除了代替实施例D14的(第一有机层的形成)中的“化合物HM-1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM-1、化合物T6及化合物E1(化合物HM-1/化合物T6/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”以外，与实施例D14同样地制作发光元件D30。
通过对发光元件D30施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为4.8[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.29，0.63)。
<实施例D31>发光元件D31的制作和评价
除了代替实施例D15的(第一有机层的形成)中的“化合物HM-1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM-1、化合物T6及化合物E1(化合物HM-1/化合物T6/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”以外，与实施例D15同样地制作发光元件D31。
通过对发光元件D31施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为4.1[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.29，0.63)。
<比较例CD6>发光元件CD6的制作和评价
代替实施例D14的(第一有机层的形成)中的“化合物HM--1、化合物T1及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1＝75质量％/15质量％/10质量％)”而使用“化合物HM-1、化合物T6及化合物E1(化合物HM--1/化合物T6/化合物F1＝75质量％/15质量％/10质量％)”，并且，代替实施例D14的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-13”而使用“高分子化合物HTL-3”，除此以外，与实施例D14同样地制作发光元件CD6。
通过对发光元件CD6施加电压，从而观测到EL发光。在0.15mA/cm2下的外部量子效率为1.6[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.29，0.62)。
[表5]
<实施例D32>发光元件D32的制作和评价
除了代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物HM--1及化合物T7(化合物HM-1/化合物T7＝85质量％/15质量％)以2质量％的浓度溶解于氯苯”以外，与实施例D1同样地制作发光元件D32。
通过对发光元件D32施加电压，从而观测到EL发光。在0.25mA/cm2下的外部量子效率为5.0[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.32，0.59)。
<比较例CD7>发光元件CD7的制作和评价
代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物MM--1及化合物T7(化合物HM-1/化合物T7＝85质量％/15质量％)以2质量％的浓度溶解于氯苯”，并且，代替实施例D1的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-5”而使用“高分子化合物HTL-2”，除此以外，与实施例D1同样地制作发光元件CD7。
通过对发光元件CD7施加电压，从而观测到EL发光。在0.25mA/cm2下的外部量子效率为0.8[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.32，0.57)。
[表6]
<实施例D33>发光元件D33的制作和评价
除了代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)”而使用“高分子化合物HP-2及化合物T9(高分子化合物HP-2/化合物T9＝85质量％/15质量％)”以外，与实施例D1同样地制作发光元件D33。
通过对发光元件D33施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为1.7[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.24，0.41)。
<实施例D34>发光元件D34的制作和评价
除了代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)”而使用“高分子化合物HP-1及化合物T9(高分子化合物HP-1/化合物T9＝85质量％/15质量％)”以外，与实施例D1同样地制作发光元件D34。
通过对发光元件D34施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为1.7[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.24，0.40)。
<实施例D35>发光元件D35的制作和评价
除了代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)”而使用“高分子化合物HP-2及化合物T10(高分子化合物HP-2/化合物T10＝85质量％/15质量％)”以外，与实施例D1同样地制作发光元件D35。
通过对发光元件D35施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为3.4[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.17，0.31)。
<实施例D36>发光元件D36的制作和评价
除了代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)”而使用“高分子化合物HP-2及化合物T6(高分子化合物HP-2/化合物T6＝85质量％/15质量％)”以外，与实施例D1同样地制作发光元件D36。
通过对发光元件D36施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为4.3[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.18，0.36)。
<实施例D37>发光元件D37的制作和评价
代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)”而使用“高分子化合物HP-2及化合物T6(高分子化合物HP-2/化合物T6＝85质量％/15质量％)”，并且，代替实施例D1的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-5”而使用“高分子化合物HTL-4”，除此以外，与实施例D1同样地制作发光元件D37。
通过对发光元件D37施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为2.4[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.24，0.40)。
<实施例D38>发光元件D38的制作和评价
除了代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)”而使用“高分子化合物HP-1及化合物T5(高分子化合物HP-1/化合物T5＝85质量％/15质量％)”以外，与实施例D1同样地制作发光元件D38。
通过对发光元件D38施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为1.8[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.24，0.47)。
<实施例D39>发光元件D39的制作和评价
除了代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)”而使用“高分子化合物HP-2及化合物T1(高分子化合物HP-2/化合物T1＝85质量％/15质量％)”以外，与实施例D1同样地制作发光元件D39。
通过对发光元件D39施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为3.3[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.24，0.46)。
<实施例D40>发光元件D40的制作和评价
除了代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)”而使用“高分子化合物HP-1及化合物Tl(高分子化合物HP-1/化合物T1＝85质量％/15质量％)”以外，与实施例D1同样地制作发光元件D40。
通过对发光元件D40施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为2.7[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.24，0.47)。
<实施例D41>发光元件D41的制作和评价
除了代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物HM-1及化合物T9(化合物HM-1/化合物T9＝85质量％/15质量％)以2质量％的浓度溶解于甲苯”以外，与实施例D1同样地制作发光元件D41。
通过对发光元件D41施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为1.2[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.17，0.24)。
<实施例D42>发光元件D42的制作和评价
除了代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物HM-1及化合物T1(化合物HM-1/化合物T1＝85质量％/15质量％)以2质量％的浓度溶解于甲苯”以外，与实施例D1同样地制作发光元件D42。
通过对发光元件D42施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为1.5[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.26，0.47)。
<实施例D43>发光元件D43的制作和评价
除了代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物EM-1及化合物T2(化合物EM-1/化合物T2＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于氯苯”以外，与实施例D1同样地制作发光元件D43。
通过对发光元件D43施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为2.1[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.18，0.27)。
<实施例D44>发光元件D44的制作和评价
除了代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物HM-1及化合物T11(化合物HM-1/化合物T11＝85质量％/15质量％)以2质量％的浓度溶解于甲苯”以外，与实施例D1同样地制作发光元件D44。
通过对发光元件D44施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为2.8[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.14，0.09)。
<实施例D45>发光元件D45的制作和评价
代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物HM-1及化合物T11(化合物HM-1/化合物T11＝85质量％/15质量％)以2质量％的浓度溶解于甲苯”，并且，代替实施例D1的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-5”而使用“高分子化合物HTL-13”，除此以外，与实施例D1同样地制作发光元件D45。
通过对发光元件D45施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为5.5[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.14，0.09)。
<实施例D46>发光元件D46的制作和评价
代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物HM-1及化合物T11(化合物HM-1/化合物T11＝85质量％/15质量％)以2质量％的浓度溶解于甲苯”，并且，代替实施例D1的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-5”而使用“高分子化合物HTL-4”，除此以外，与实施例D1同样地制作发光元件D46。
通过对发光元件D46施加电压を，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为4.4[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.14，0.09)。
<实施例D47>发光元件D47的制作和评价
代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)”而使用“高分子化合物HP-2及化合物T11(高分子化合物HP-2/化合物T11＝85质量％/15质量％)”，并且，代替实施例D1的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-5”而使用“高分子化合物HTL-7”，除此以外，与实施例D1同样地制作发光元件D47。
通过对发光元件D47施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为6.3[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.14，0.22)。
<实施例D48>发光元件D48的制作和评价
除了代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)”而使用“高分子化合物HP-2及化合物T11(高分子化合物HP-2/化合物T11＝85质量％/15质量％)”以外，与实施例D1同样地制作发光元件D48。
通过对发光元件D48施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为6.6[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.15，0.26)。
<实施例D49>发光元件D49的制作和评价
代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)”而使用“高分子化合物HP-2及化合物T11(高分子化合物HP-2/化合物T11＝85质量％/15质量％)”，并且，代替实施例D1的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-5”而使用“高分子化合物HTL-4”，除此以外，与实施例D1同样地制作发光元件D49。
通过对发光元件D49施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为8.6[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.15，0.28)。
<比较例CD8>发光元件CD8的制作和评价
代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物HM-1及化合物T1(化合物HM-1/化合物T1＝85质量％/15质量％)以2质量％的浓度溶解于甲苯”，并且，代替实施例D1的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-5”而使用“高分子化合物HTL-2”，除此以外，与实施例D1同样地制作发光元件CD8。
通过对发光元件CD8施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为0.7[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.20，0.30)。
<比较例CD9>发光元件CD9的制作和评价
代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“使高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)以1.8质量％的浓度溶解于二甲苯”而采用“使化合物HM-1及化合物T1(化合物HM-1/化合物T1＝85质量％/15质量％)以2质量％的浓度溶解于甲苯”，并且，代替实施例D1的(第二有机层的形成)中的“高分子化合物HTL-5”而使用“高分子化合物HTL-3”，除此以外，与实施例D1同样地制作发光元件CD9。
通过对发光元件CD9施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为0.5[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.31，0.48)。
<比较例CD10>发光元件CD10的制作和评价
除了代替实施例D1的(第一有机层的形成)中的“高分子化合物HP-1及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3＝85质量％/15质量％)”而使用“高分子化合物HP-1及化合物T12(高分子化合物HP-1/化合物T12＝85质量％/15质量％)”以外，与实施例D1同样地制作发光元件CD10。
通过对发光元件CD10施加电压，从而观测到EL发光。在0.75mA/cm2下的外部量子效率为0.7[％]，CIE色度坐标(x，y)＝(0.19，0.21)。
[表7]
产业上的可利用性
根据本发明，可以提供外部量子效率优异的发光元件、以及对于制造该发光元件而言有用的组合物。

Claims (13)

1.一种发光元件，其是具有阳极、阴极、设置于阳极与阴极之间的第一有机层、以及设置于阳极与阴极之间的第二有机层的发光元件，
所述第一有机层是含有最低三重态激发状态的能级与最低单态激发状态的能级之差的绝对值为0.5eV以下的化合物T、且不含有磷光发光性金属络合物的层，
所述第二有机层是含有包含交联结构单元的高分子化合物的交联体的层，且该高分子化合物的最低三重态激发状态的能级为2.25eV以上。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述交联结构单元为具有选自交联基A组中的至少1种交联基的结构单元，
交联基A组：
式中，RXL表示亚甲基、氧原子或硫原子，nXL表示0～5的整数，在存在多个RXL的情况下，它们任选相同或不同，在存在多个nXL的情况下，它们任选相同或不同，*1表示键合位置，这些交联基任选具有取代基。
3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述交联结构单元为式(2)所示的结构单元或式(2’)所示的结构单元，
式(2)中，
nA表示0～5的整数，n表示1或2，在存在多个nA的情况下，它们任选相同或不同，
Ar3表示芳香族烃基或杂环基，这些基团任选具有取代基，
LA表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、二价杂环基、-N(R’)-所示的基团、氧原子或硫原子，这些基团任选具有取代基，R’表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基，在存在多个LA的情况下，它们任选相同或不同，
X表示选自所述交联基A组中的交联基，在存在多个X的情况下，它们任选相同或不同，
式(2’)中，
mA表示0～5的整数，m表示1～4的整数，c表示0或1，在存在多个mA的情况下，它们任选相同或不同，
Ar5表示芳香族烃基、杂环基、或者至少1种芳香族烃环与至少1种杂环直接键合而成的基团，这些基团任选具有取代基，
Ar4及Ar6分别独立地表示亚芳基或二价杂环基，这些基团任选具有取代基，
Ar4、Ar5及Ar6任选分别与键合在该基团所键合的氮原子上的除了该基团以外的基团直接键合、或者经由氧原子或硫原子键合而形成环，
KA表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、二价杂环基、-N(R’)-所示的基团、氧原子或硫原子，这些基团任选具有取代基，R’表示与上述相同的含义，在存在多个KA的情况下，它们任选相同或不同，
X’表示选自所述交联基A组中的交联基、氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基，在存在多个X’的情况下，它们任选相同或不同，其中，至少1个X’为选自所述交联基A组中的交联基。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光元件，其中，所述化合物T为式(T-1)所示的化合物，
式(T-1)中，
nT1表示0以上且5以下的整数，在存在多个nT1的情况下，它们任选相同或不同，
ArT1表示芳基、取代氨基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基，在存在多个ArT1的情况下，它们任选相同或不同，任选直接键合或者经由二价基团键合而形成环，其中，至少1个ArT1为取代氨基、或者为在环内包含不具有双键的氮原子且在环内不包含＝N-所示的基团、硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2-所示的基团及式(P)所示的基团的一价杂环基，ZT1表示氧原子、硫原子或＝N(RZT1)所示的基团，RZT1表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基，
LT1表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、二价杂环基、-N(RT1′)-所示的基团、氧原子或硫原子，这些基团任选具有取代基，RT1′表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或一价杂环基，这些基团任选具有取代基，在存在多个LT1的情况下，它们任选相同或不同，任选直接键合或者经由二价基团键合而形成环，
ArT2为硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2-所示的基团、所述式(P)所示的基团、具有吸电子性基团的芳香族烃基、或者在环内包含＝N-所示的基团的杂环基，这些基团任选具有取代基，
nT2表示1以上且15以下的整数，其中，在ArT2为硼原子或所述式(P)所示的基团的情况下，nT2为3，在ArT2为-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团或-S(＝O)2-所示的基团的情况下，nT2为2，
ArT1与LT1任选直接键合或者经由二价基团键合而形成环，ArT2与LT1任选直接键合或者经由二价基团键合而形成环，ArT1与ArT2任选直接键合或者经由二价基团键合而形成环。
5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，至少1个所述ArT1为式(T1-1)所示的基团，
式(T1-1)中，
环RT1及环RT2分别独立地表示在环内不包含-C(＝ZT1)-所示的基团的芳香族烃环、或者表示在环内不包含＝N-所示的基团、硼原子、-C(＝ZT1)-所示的基团、-S(＝O)-所示的基团、-S(＝O)2-所示的基团及所述式(P)所示的基团的杂环，这些环任选具有取代基，ZT1表示与上述相同的含义，
XT1表示单键、氧原子、硫原子、-N(RXT1)-所示的基团或-C(RXT1′)2-所示的基团，RXT1及RXT1′分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、取代氨基、卤素原子或氰基，这些基团任选具有取代基，存在的多个RXT1′任选相同或不同，任选彼此键合并与各自所键合的碳原子一起形成环，
RXT1和环RT1所任选具有的取代基、RXT1和环RT2所任选具有的取代基、RXT1′和环RT1所任选具有的取代基、以及RXT1′和环RT2所任选具有的取代基任选分别直接键合或者经由二价基团键合并与各自所键合的原子一起形成环。
6.根据权利要求5所述的发光元件，其中，所述式(T1-1)所示的基团为式(T1-1A)所示的基团、式(T1-1B)所示的基团、式(T1-1C)所示的基团或式(T1-1D)所示的基团，
式中，
XT1表示与上述相同的含义，
XT2及XT3分别独立地表示单键、氧原子、硫原子、-N(RXT2)-所示的基团或-C(RXT2′)2-所示的基团，RXT2及RXT2′分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、取代氨基、卤素原子或氰基，这些基团任选具有取代基，存在的多个RXT2′任选相同或不同，任选直接键合或者经由二价基团键合并与各自所键合的碳原子一起形成环，
RT1、RT2、RT3、RT4、RT5、RT6、RT7、RT8、RT9、RT10、RT11及RT12分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳氧基、一价杂环基、取代氨基、卤素原子或氰基，这些基团任选具有取代基，
RT1与RT2、RT2与RT3、RT3与RT4、RT5与RT6、RT6与RT7、RT7与RT8、RT9与RT10、RT10与RT11、以及RT11与RT12任选分别直接键合或者经由二价基团键合并与各自所键合的碳原子一起形成环。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的发光元件，其中，所述ArT2为在环内包含＝N-所示的基团的杂环基，该基团任选具有取代基。
8.根据权利要求7所述的发光元件，其中，所述ArT2为从二唑环、三唑环、噁二唑环、噻二唑环、噻唑环、噁唑环、异噻唑环、异噁唑环、苯并二唑环、苯并三唑环、苯并噁二唑环、苯并噻二唑环、苯并噻唑环、苯并噁唑环、氮杂咔唑环、二氮杂咔唑环、吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、氮杂萘环、二氮杂萘环、三氮杂萘环、四氮杂萘环、氮杂蒽环、二氮杂蒽环、三氮杂蒽环、四氮杂蒽环、氮杂菲环、二氮杂菲环、三氮杂菲环或四氮杂菲环中除去与构成环的原子直接键合的1个以上氢原子后的基团，该基团任选具有取代基。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的发光元件，其中，所述化合物T的振子强度为0.0001以上。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的发光元件，其中，所述第一有机层还含有选自主体材料、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、荧光发光材料及抗氧化剂中的至少1种。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的发光元件，其中，所述第一有机层与所述第二有机层邻接。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的发光元件，其中，所述第二有机层为设置于所述阳极与所述第一有机层之间的层。
13.一种组合物，其含有：
最低三重态激发状态的能级与最低单态激发状态的能级之差的绝对值为0.5eV以下的化合物T；以及
包含式(Y)所示的结构单元的高分子化合物，
并且不含有磷光发光性金属络合物，
式(Y)中，ArY1表示亚芳基、二价杂环基、或者至少1种亚芳基与至少1种二价杂环基直接键合而成的二价基团，这些基团任选具有取代基。
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