TW201819594A - 發光元件及對於該發光元件之製造為有用之組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明是提供外部量子效率優良的發光元件。
本發明之發光元件具有：陽極、陰極、設置在陽極以及陰極之間的第1有機層、與設置在陽極以及陰極之間的第2有機層，前述第1有機層是含有最低三重激發態的能級與最低單重激發態的能級的差之絕對值是在0.5eV以下的化合物(T)，且不含磷光發光性金屬錯體之層，前述第2有機層，係含有具交聯結構單元之高分子化合物的交聯體之層，且該高分子化合物的最低三重激發態之能級是在2.25eV以上。

Description

發光元件及對於該發光元件之製造為有用之組成物
本發明是有關發光元件以及對於該發光元件的製造為有用之組成物。
有機電致發光元件(以下，也稱為發光元件。)，可適合在顯示以及照明的用途上使用，而進行研究開發。例如，在專利文獻1中是記載，具有含有以下述式所示的高分子化合物(P-2)之有機層，與含有具咔唑骨幹的發光材料之發光層的發光元件。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2016/091351號
然而，上述的發光元件，其外部量子效率並不一定充分。
因此，本發明的目的是提供，外部量子效率優良的發光元件。本發明的另外一個目的是提供，對於前述發光元件的製造為有用之組成物。
本發明是提供以下的[1]至[13]之發明。
[1]一種發光元件，為具有陽極、陰極、設置在陽極以及陰極之間的第1有機層與設置在陽極以及陰極之間的第2有機層之發光元件，前述第1有機層是含有最低三重激發態的能級與最低單重激發態的能級的差之絕對值是在0.5eV以下之化合物(T)，且不含磷光發光性金屬錯體之層，前述第2有機層是含有包含交聯結構單元的高分子化合物之交聯體之層，且該高分子化合物的最低三重激發態之能級是在2.25eV以上。
[2]如[1]中記載的發光元件，其中，前述交聯結構單元，為具有自交聯基A群選擇至少1種的交聯基之結構單元。
(交聯基A群)
[式中，RXL是表示亞甲基、氧原子或是硫原子，nXL是表示0至5的整數。RXL是複數存在的情形，此等RXL可相同也可相異。nXL是複數存在的情形，此等nXL可相同也可相異。＊1是表示結合鍵的位置。此等交聯基也可有取代基。]
[3]如[2]中記載的發光元件，其中，前述交聯結構單元，係以式(2)所示的結構單元或是以式(2’)所示的結構單元。
[式中，nA是表示0至5的整數。n是表示1或是2。nA是複數存在的情形，此等可相同也可相異。
Ar3是表示，芳香族烴基或是雜環基，此等基也可有 取代基。
LA是表示伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基、以-N(R’)-所示之基、氧原子或是硫原子，此等基也可有取代基。R’是表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基。LA是複數存在的情形，此等可相同也可相異。
X是表示自前述交聯基A群選擇之交聯基。X是複數存在的情形，此等可相同也可相異。]
[式中，mA是表示0至5的整數，m是表示1至4的整數，c是表示0或是1。mA是複數存在的情形，此等可相同也可相異。
Ar5是表示芳香族烴基、雜環基，或是，至少1種的芳香族烴環與至少1種的雜環直接結合的基，此等基也可有取代基。
Ar4以及Ar6是分別獨立地表示伸芳基或是2價的雜環基，此等基也可有取代基。
Ar4、Ar5以及Ar6可分別獨立地與該基所結合的氮原子所結合之該基以外的基直接結合，或是經由氧原子或是 硫原子結合，而形成環。
KA是表示伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基、以-N(R’)-表示的基、氧原子或是硫原子，此等基也可有取代基。R’是表示與前述相同的意思。KA是複數存在的情形，此等KA可相同也可相異。
X’是表示選自前述交聯基A群中之交聯基、氫原子、烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基。X’是複數存在的情形，此等X’可相同也可相異。但是，至少1個的X’是選自前述交聯基A群中之交聯基。][4]如[1]至[3]的任何1項記載的發光元件，其中，前述化合物(T)是以式(T-1)所示之化合物。
[式中，nT1是表示0以上5以下的整數。nT1是複數存在的情形，此等可相同也可相異。
ArT1是表示芳基、取代胺基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基。ArT1是複數存在的情形，此等ArT1可相同也可相異，可直接結合，或是經由2價的基結合，而形成環。但是，ArT1的至少1個是取代胺基，或是1價的雜環基，該1價雜環基，在環內包含不具有雙鍵的氮原子，並且，在環內不含以=N-表示之基、硼原子、以-C(=ZT1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(=O)2-所示的基， 以及，以式(P)： 所示的基。ZT1是表示氧原子、硫原子或是以=N(RZT1)所示之基。RZT1是表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基。
LT1是表示伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基、以-N(RT1’)-所示之基、氧原子或是硫原子，此等基也可有取代基。RT1’是表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基。LT1是複數存在的情形，此等LT1可相同也可相異，可直接結合，或是經由2價的基結合，而形成環。
ArT2是表示硼原子、以-C(=ZT1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(=O)2-所示的基，前述以式(P)所示的基、有吸電子性基之芳香族烴基，或是，在環內含有以=N-所示的基之雜環基，此等基也可有取代基。
nT2是表示1以上15以下的整數。但是，ArT2是硼原子或是前述以式(P)所示的基之情形，nT2是3。ArT2是以-C(=ZT1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、或是以-S(=O)2-所示的基之情形，nT2是2。
ArT1與LT1可直接結合，或是經由2價的基結合，而形成環。ArT2與LT1可直接結合，或是經由2價的基結合， 而形成環。ArT1與ArT2可直接結合，或是經由2價的基結合，而形成環。]
[5]如[4]中記載的發光元件，其中，前述ArT1的至少1個是以式(T1-1)所示的基。
[式中，環RT1以及環RT2是分別獨立地表示在環內不含以-C(=ZT1)-所示基的芳香族烴環，或是，在環內不含以=N-所示之基、硼原子、以-C(=ZT1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(=O)2-所示的基、以及，以前述式(P)所示基的雜環，此等環也可有取代基。ZT1是表示與前述相同的意思。
XT1是表示單鍵、氧原子、硫原子、以-N(RXT1)-所示的基，或是，以-C(RXT1’)2-所示的基。RXT1以及RXT1’，係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價的雜環基、取代胺基、鹵原子或是氰基，此等基也可有取代基。複數存在的RXT1’，可相同也可相異，亦可互相結合，而與各自結合的碳原子一起形成環。
RXT1與環RT1也可有的取代基、RXT1與環RT2也可有的取代基、RXT1’與環RT1也可以有的取代基、以及RXT1’與環RT2也可有的取代基，係可各自直接結合，或是經由 2價的基結合，而與各自結合的原子一起形成環。]
[6]如在[5]中記載的發光元件，其中，以前述式(T1-1)所示的基，係以式(T1-1A)所示的基、以式(T1-1B)所示的基、以式(T1-1C)所示的基，或是，以式(T1-1D)所示的基。
[式中，XT1是表示與前述相同的意思。
XT2以及XT3是各自獨立地表示單鍵、氧原子、硫原子、以-N(RXT2)-所示的基、或是、以-C(RXT2’)2-所示的基。RXT2以及RXT2’是各自獨立地，表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價的雜環基、取代胺基、鹵原子或是氰基，此等基也可有取代基。複數存在的RXT2’，可相同也可相異，可直接結合，或是經由2價的基結合，而與各自結合的碳原子一起形成環。
RT1、RT2、RT3、RT4、RT5、RT6、RT7、RT8、RT9、RT10、 RT11以及RT12，係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價的雜環基、取代胺基、鹵原子或是氰基，此等基也可有取代基。
RT1與RT2、RT2與RT3、RT3與RT4、RT5與RT6、RT6與RT7、RT7與RT8、RT9與RT10、RT10與RT11、以及，RT11與RT12，係可各自直接結合，或是經由2價的基結合，而與各自結合的碳原子一起形成環。]
[7]如[4]至[6]的任何1項記載的發光元件，其中，前述ArT2是在環內含有以=N-所示的基之雜環基(該基也可以有取代基)。
[8]如在[7]中記載的發光元件，其中，前述ArT2是由二唑環、三唑環、噁二唑環、噻二唑環、噻唑環、噁唑環、異噻唑環、異噁唑環、苯並二唑環、苯並三唑環、苯並噁二唑環、苯並噻二唑環、苯並噻唑環、苯並噁唑環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、四氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、四氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環或是四氮雜菲環，除去直接結合在構成環的原子之1個以上氫原子的基(該基也可有取代基)。
[9]如[1]至[8]中任何1項記載之發光元件，其中，前述化合物(T)的振動器強度是0.0001以上。
[10]如[1]至[9]中任何1項記載之發光元件，其中，前述第1有機層，復含有選自基質材料、電洞輸送材料、電洞 注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料、螢光發光材料以及抗氧化劑所成群組中至少1種。
[11]如[1]至[10]中任何1項記載之發光元件，其中，前述第1有機層與前述第2有機層鄰接。
[12]如[1]至[11]中任何1項記載之發光元件，其中，前述第2有機層，係在前述陽極以及前述第1有機層之間設置之層。
[13]一種組成物，係含有最低三重激發態的能級與最低單重激發態的能級之差的絕對值是在0.5eV以下之化合物(T)，與以式(Y)所示結構單元之高分子化合物，並且，不含磷光發光性金屬錯體之組成物。
[式中，ArY1是表示伸芳基、2價的雜環基、或是，至少1種的伸芳基與至少1種的2價雜環基經直接結合的2價基，此等的基也可有取代基。]
依照本發明的話，可以提供外部量子效率優良的發光元件，以及，對於該發光元件的製造為有用的組成物。
以下，詳細說明有關本發明的適合之實施 形態。
<共通用語的說明>
本說明書中共通使用的用語，若無特別記述限定的話，係表示以下的意思。
Me表示甲基、Et表示乙基、Bu表示丁基、i-Pr表示異丙基、t-Bu表示三級-丁基。
氫原子，可以是氘原子，也可以是輕氫原子。
表示金屬錯體之式中，表示與中心金屬結合的實線，意指共價結合或是配位結合。
「高分子化合物」意指，有分子量分布，苯乙烯換算的數平均分子量是1×103至1×108的聚合物。
高分子化合物，也可以是嵌段共聚物、無規共聚合物、交互共聚合物、接枝共聚合物的任何一種，也可以是其他的態樣。
高分子化合物的末端基若是聚合活性基原樣殘存，則將高分子化合物使用在發光元件的製作時，由於有發光特性或是亮度壽命降低的可能性，故理想的是安定的基。作為高分子化合物的末端基，理想的是與主鏈共軛結合之基，例如，可以列舉經由碳-碳結合與高分子化合物的主鏈結合之芳基或是與1價雜環基結合的基。
「低分子化合物」意指，無分子量分布，分子量是1×104以下的化合物。
「結構單元」是指，高分子化合物中存在1 個以上之單元的意思。
「烷基」可為直鏈以及分歧的任何一種。直鏈烷基的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是1至50，理想的是3至30，較理想的是4至20。分歧烷基的碳原子數，在不含取代基的碳原子數時，通常是3至50，理想的是3至30，較理想的是4至20。
烷基，也可有取代基，例如，可以列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、2-丁基、異丁基、三級-丁基、戊基、異戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3,7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基癸基、十二烷基，以及，此等基之中氫原子經以環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代的基(例如，三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯基丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3,5-二-己基苯基)丙基、6-乙氧基己基)。
「環烷基」的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是3至50，理想的是3至30，較理想的是4至20。
環烷基，也可有取代基，例如，可以列舉環己基、環己基甲基、環己基乙基。
「芳基」意指，由芳香族烴除去直接結合在構成環的碳原子的1個氫原子所殘留的原子團。芳基的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是6至60，理想的是6至20，更理想的是6至10。
芳基，也可有取代基，例如，可以列舉苯基、1-萘基、 2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、2-苯基苯基、3-苯基苯基、4-苯基苯基、以及，此等之基中氫原子經以烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代之基。
「烷氧基」可以是直鏈以及分歧的任何一種。直鏈烷氧基的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是1至40，理想的是4至10。分歧烷氧基的碳原子數，在不含取代基的碳原子數時，通常是3至40，理想的是4至10。
烷氧基也可有取代基，例如，可以列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、三級-丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、月桂氧基，以及，此等基中之氫原子經以環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代的基。
「環烷氧基」的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是3至40，理想的是4至10。
環烷氧基，也可有取代基，例如，可以列舉環己氧基。
「芳氧基」的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是6至60，理想的是6至48。
芳氧基，也可有取代基，例如，可以列舉苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1-蒽氧基、9-蒽氧基、1-芘氧基、以及，此等基中的氫原子經以烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、氟原子等取代的基。
「p價的雜環基」(p是表示1以上的整數。)意指，由雜環式化合物，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子的氫原子中p個氫原子所殘留的原子團。p價的雜環基之中，以由芳香族雜環式化合物，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子的氫原子中p個氫原子所殘留的原子團之「p價芳香族雜環基」為理想。
「芳香族雜環式化合物」，係噁二唑、噻二唑、噻唑、噁唑、噻吩、吡咯、磷雜環戊二烯(Phosphole)、呋喃、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪、噠嗪、喹啉、異喹啉、咔唑、二苯並磷雜環戊二烯等雜環本身為顯示芳香族性的化合物，以及，吩噁嗪、吩噻嗪、二苯並硼雜環戊二烯、二苯並矽雜環戊二烯、苯並吡喃等的雜環本身雖沒顯示芳香族性，但雜環中芳香環是縮環之化合物。
1價雜環基的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是2至60，理想的是4至20。
1價雜環基，也可有取代基，例如，可以列舉噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基、嘧啶基、三嗪基，以及，此等基中的氫原子經以烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基等取代之基。
「鹵原子」是表示氟原子、氯原子，溴原子或是碘原子。
「胺基」，也可有取代基，以取代胺基為佳。作為胺基具有的取代基，係以烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基為佳。
作為取代胺基者，例如，可以列舉二烷基胺基、二環烷基胺基以及二芳基胺基。
作為胺基，例如，可以列舉二甲基胺基、二乙基胺基、二苯基胺基、雙(4-甲基苯基)胺基、雙(4-三級-丁基苯基)胺基、雙(3,5-二-三級-丁基苯基)胺基。
「烯基」，可以是直鏈以及分歧的任何一種。直鏈烯基的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是2至30，理想的是3至20。分歧烯基的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是3至30，理想的是4至20。
「環烯基」的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是3至30，理想的是4至20。
烯基以及環烯基，也可有取代基，例如，可以列舉乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基，3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、5-己烯基、7-辛烯基，以及，此等基具有取代基的基。
「炔基」，可以是直鏈以及分歧的任何一種。炔基的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是2至20，理想的是3至20。分歧的炔基的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是4至30，理想的是4至20。
「環炔基」的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是4至30，理想的是4至20。
炔基以及環炔基，也可有取代基，例如，可以列舉乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、5-己炔基，以及，此等基具有 取代基的基。
「伸芳基」意指，由芳香族烴除去直接結合在構成環的碳原子之2個氫原子所殘留的原子團。伸芳基的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是6至60，理想的是6至30，更理想的是6至18。
伸芳基，也可有取代基，例如，可以列舉伸苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氫菲二基、并四苯二基、芴二基、芘二基、苝二基、二基，以及，此等基具有取代基的基，理想的是，以式(A-1)至式(A-20)所示的基。伸芳基，包含此等基經複數結合的基。
[式中，R以及Ra是各自獨立，表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基。複數存在的R以及Ra，係各自地可相同也可相異，也可Ra相互間是互相結合，與各自結合的原子一起形成環。]
2價雜環基的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是2至60，理想的是3至20，較理想的是4至15。
2價的雜環基，也可有取代基，例如，可以列舉由吡啶、二氮雜苯、三嗪、氮雜萘、二氮雜萘、咔唑、二苯並呋喃、二苯並噻吩、二苯並噻咯、吩噁嗪、吩噻嗪、吖啶、二氫吖啶、呋喃、噻吩、唑、二唑、三唑，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子的氫原子中2個氫原子的2價基，理想的是，以式(AA-1)至式(AA-34)所示的基。2價 的雜環基，包含此等的基經複數結合的基。
[式中，R以及Ra是表示與前述相同的意思。]
「交聯基」是指，藉由供應到加熱處理、紫外線照射處理、近紫外線照射處理、可見光照射處理、紅外線照射處理、自由基反應等，可生成新的結合之基，理想的是，前述交聯基A群的以式(XL-1)至式(XL-17)所示的交聯基。
「取代基」，是表示鹵原子、氰基、烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基、取代胺基、烯基、環烯基、炔基或是環炔基。取代基也可以是交聯基。
<發光元件>
本發明的發光元件，係有陽極、陰極、經設置在陽極以及陰極之間的第1有機層，與經設置在陽極以及陰極之間的第2有機層之發光元件，前述第1有機層，係含有最低三重激發態的能級與最 低單重激發態的能級的差之絕對值(以下，也稱為「△EST」。)為0.5eV以下的化合物(T)，並且，不含磷光發光性金屬錯體之層， 前述第2有機層，係含有含交聯結構單元的高分子化合物之交聯體的層，並且，該高分子化合物的最低三重激發態之能級為2.25eV以上之發光元件。
又，磷光發光性金屬錯體，係於室溫(25℃)中顯示由三重激發態的發光之金屬錯體。
作為第1有機層以及第2有機層的形成方法者，例如，可以列舉真空蒸鍍法等乾式法，並且，旋塗法以及噴墨印刷法等濕式法，而以濕式法為佳。
藉由濕式法形成第1有機層的情形，係以使用後述的第1油墨為佳。
藉由濕式法形成第2有機層的情形，係以使用後述的第2油墨為佳。形成第2有機層之後，於加熱或是光照射下，可以將在第2有機層中含有之含交聯結構單元(即，有交聯基的結構單元)之高分子化合物使其交聯，較佳為藉由加熱，使含有在第2有機層中之含交聯結構單元之高分子化合物交聯。第2有機層，由於含有含交聯結構單元之高分子化合物為經交聯的狀態(含交聯結構單元的高分子化合物之交聯體)，故第2有機層對於溶媒，實質上是不溶化。為此，第2有機層是可以在發光元件的積層化中利用。
用於交聯的加熱溫度，通常是25℃至300 ℃，理想的是50℃至260℃，較理想的是130℃至230℃，更理想的是180℃至210℃。
加熱的時間，通常是0.1分鐘至1000分鐘，理想的是0.5分鐘至500分鐘，較佳的是1分鐘至120分鐘，更理想的是10分鐘至60分鐘。
在光照射中使用的光之種類，例如有紫外光、近紫外光、可見光。
作為第1有機層或是第2有機層中所含有的成分之分析方法，例如，可以列舉萃取等化學分離分析法、紅外線分光法(IR)、核磁共振分光法(NMR)、質量分析法(MS)等機器分析法，並且，組合化學的分離分析法以及機器分析法之分析法。
對第1有機層或是第2有機層，進行使用甲苯、二甲苯、氯仿、四氫呋喃等有機溶媒之固液萃取，係有可能分離出對於有機溶媒實質上不溶的成分(不溶成分)，與對於有機溶媒溶解的成分(溶解成分)。不溶成分可藉由紅外線分光法或是核磁共振分光法分析，溶解成分可藉由核磁共振分析法或是質量分析法分析。
<第1有機層>
[化合物(T)]
化合物(T)，係以熱活化遲延螢光(TADF)材料為佳。TADF材料是以低分子化合物為佳。
化合物(T)的△EST，理想的是0.45eV以下，較理想的是0.40eV以下，更理想的是0.30eV以下，特別 理想的是0.20eV以下，特別的是0.13eV以下，特別更理想的是0.11eV以下。化合物(T)的△EST，理想的是0.0001eV以上，較佳的是0.001eV以上，更理想的是0.005eV以上，特別理想的是0.01eV以上。化合物(T)的△EST，由於本發明的發光元件之外部量子效率是優良的，故理想的是0.0001eV以上0.45eV以下，較佳的是0.0001eV以上0.40eV以下，更理想的是0.001eV以上0.20eV以下，特別理想的是0.005eV以上0.13eV以下，特佳的是0.01eV以上0.11eV以下。
化合物(T)的振動器強度，理想的是0.0001以上，較佳的是0.001以上，更理想的是0.01以上，特別理想的是0.05以上，特別的是0.1以上。化合物(T)的振動器強度，理想的是1以下，較理想的是0.8以下，更理想的是0.6以下，特別理想的是0.3以下。化合物(T)的振動器強度，由於本發明的發光元件之外部量子效率是優良的，故理想的是0.0001以上1以下，較理想的是0.001以上0.8以下，更理想的是0.01以上0.6以下，特別理想的是0.1以上0.3以下。
化合物的△EST以及振動器強度的值之算出，係藉由B3LYP層級的密度汎函理論方法，使化合物的基底狀態構造最適化，此時，作為基底函數，使用6-31G＊。於是，使用作為量子化學計算程式的Gaussian 09，藉由B3LYP層級的時間依頼密度汎函理論方法，算出化合物△EST以及振動器強度。但是含有不能使用6-31G＊的原子 之情形，對於該原子則是使用LANL2DZ。
化合物(T)的分子量，理想的是1×102至1×104，較理想的是2×102至5×103，更理想的是3×102至3×103，特別理想的是5×102至1.5×103。
化合物(T)，由於本發明的發光元件之外部量子效率是優良的，故以式(T-1)所示化合物為佳。
nT1，由於本發明的發光元件之外部量子效率為優良的，故理想的是0以上3以下的整數，較理想的是0以上2以下的整數，更理想的是0或是1。
nT2，由於本發明的發光元件之外部量子效率為優良的，故理想的是1以上10以下的整數，較理想的是1以上7以下的整數，更理想的是1以上5以下的整數，特別理想的是2或是3。
ArT1是表示芳基、取代胺基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基。但是，ArT1的至少1者是取代胺基，或是，1價的雜環基，該1價的雜環基為在環內含有無雙鍵結合之氮原子，並且，在環內不含以=N-所示的基、硼原子、以-C(=ZT1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(=O)2-所示的基，以及，以式(P)所示的基。
作為ArT1所示的芳基，例如，可以列舉由苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、並四苯環、芴環、螺二芴環、茚環、芘環、苝環、環，或是，此等環經縮合的環，除去直接結合在構成環的碳原子的1個氫原子之基，理想的是由苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、並 四苯環、芴環、螺二芴環、茚環、芘環、苝環，或是，環，除去直接結合在構成環的碳原子的1個氫原子之基，較理想的是苯基、萘基、蒽基、菲基、二氫菲基，芴基或是螺二芴基，更理想的是苯基、萘基、芴基或是螺二芴基，特別理想的是苯基，此等基也可有取代基。
作為ArT1所示的1價雜環基，例如，可以列舉後述的1價供予型雜環基，以及後述的1價供予型雜環基之外的1價雜環基，理想的是由咔唑環、9,10-二氫吖啶環、5,10-二氫吩嗪環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、吲哚並咔唑環、茚並咔唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、氮雜萘環、二氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環、氮雜咔唑環或是二氮雜咔唑環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子的1個氫原子之基，較理想的是由咔唑環、吲哚並咔唑環、茚並咔唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、二苯並呋喃環或是二苯並噻吩環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子的1個氫原子之基，更理想的是由咔唑環、二苯並呋喃環或是二苯並噻吩環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子的1個氫原子之基，此等基也可有取代基。
ArT1所示的取代胺基中，作為有胺基的取代基，係以烷基、環烷基、芳基或是1價雜環基為佳，以芳基或是1價雜環基為較佳，以芳基為更佳，此等基也可進一步有取代基。有胺基的取代基中，芳基的例子以及理 想的範圍，係與ArT1所示的芳基的例子以及理想的範圍相同。有胺基的取代基中1價的雜環基的例子以及理想之範圍，係與ArT1所示的1價雜環基之例子以及理想的範圍相同。
「無雙鍵結合的氮原子」意指，氮原子、與和此氮原子結合的全部原子之間，只有單鍵的氮原子。
「環內含有無雙鍵結合的氮原子」意指，含有在環內以-N(-RN)-(式中，RN是表示氫原子或是取代基。)或是以式所示的基：
1價的雜環基(本說明書中，也稱為「1價的供予型雜環基」。)中，該1價的雜環基在環內含有無雙鍵結合的氮原子，且，在環內不含以=N-所示的基、硼原子、以-C(=ZT1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(=O)2-所示的基，以及，前述以式(P)所示的基，構成環的無雙鍵結合之氮原子的數，通常是1至10，理想的是1至5，較理想的是1至3，更理想的是1或是2，特別理想的是1。
1價的供予型雜環基中，構成環的碳原子之數，通常是2至60，理想的是5至40，更理想的是10至25。
作為1價的供予型雜環基，例如，可以列 舉由吡咯環、吲哚環、異吲哚環、咔唑環、9,10-二氫吖啶環、5,10-二氫吩嗪環、吖啶酮環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、吲哚並咔唑環、茚並咔唑環，或是，此等雜環中之芳香族烴環以及/或是雜環為經縮合的環，除去直接結合在構成環的碳原子或是在雜原子的1個氫原子之基，此等基也可有取代基。但是，在雜環中也可縮合之芳香族烴環，係後述的環內不含以-C(=ZT1)-所示的基之芳香族烴環。雜環中也可縮合的雜環，係後述的環內不含以=N-所示的基、硼原子、以-C(=ZT1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(=O)2-所示的基，以及，前述以式(P)所示的基之雜環。
1價的供予型雜環基，理想的是由吡咯環、吲哚環、異吲哚環、咔唑環、9,10-二氫吖啶環、5,10-二氫吩嗪環、吖啶酮環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、吲哚並咔唑環或是茚並咔唑環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子的1個氫原子之基，較佳的是由咔唑環、9,10-二氫吖啶環、5,10-二氫吩嗪環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、吲哚並咔唑環或是茚並咔唑環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子的1個氫原子之基，更理想的是由咔唑環、吲哚並咔唑環或是茚並咔唑環，除去直接結合在構成環的碳原子或是在雜原子的1個氫原子之基，特別理想的是由咔唑環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子的1個氫原子之基，此等基也可有取代基。
1價的供予型雜環基之外的1價雜環基之碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是2至60，理想 的是3至20。
作為1價的供予型雜環基之外的1價雜環基，例如，可以列舉由二唑環、三唑環、呋喃環、噻吩環、噁二唑環、噻二唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環、二苯並噻咯環、二苯並磷雜環戊二烯環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、此等雜環經縮合的環，以及，在此等雜環中之芳香族烴環經縮合的環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子的1個氫原子之基，理想的是由二唑環、三唑環、呋喃環、噻吩環、噁二唑環、噻二唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環、二苯並噻咯環、二苯並磷雜環戊二烯環、氮雜咔唑環或是二氮雜咔唑環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子的1個氫原子之基，較理想的是由吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、氮雜萘環、二氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環、氮雜咔唑環或是二氮雜咔唑環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子的1個氫原子之基，更理想的是由吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、二苯並呋喃環或是二苯並噻吩環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子的1個氫原子之基，特別理想的是由 二苯並呋喃環或是二苯並噻吩環，除去直接結合在構成環的碳原子或是在雜原子的1個氫原子之基，此等基也可有取代基。
作為ArT1也可有的取代基，係以烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價的雜環基、取代胺基、鹵原子或是氰基為佳，以烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、1價的雜環基、取代胺基或是氰基為較佳，以烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基或是取代胺基為更佳，以烷基、芳基或是取代胺基為特佳，以取代胺基為特別理想，此等基進一步也可有取代基。
ArT1為也可有取代基的芳基、1價的雜環基以及取代胺基的例子以及理想的範圍，係各自與ArT1所示的芳基、1價的雜環基以及取代胺基的例子以及理想之範圍相同。
作為也可有取代基的ArT1進一步也可有的取代基，理想的是烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價的雜環基、取代胺基、鹵原子或是氰基，較理想的是烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、1價的雜環基或是取代胺基，更理想的是烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基或是取代胺基，特別的以烷基或是環烷基為特別理想，此等基進一步也可有取代基。
也可有取代基的ArT1進一步也可有取代基的芳基、1價的雜環基以及取代胺基的例子以及理想之範圍，係各自與ArT1所示的芳基、1價的雜環基以及取代胺 基的例子以及理想之範圍相同。
由於本發明的發光元件之外部量子效率為優良的，ArT1的至少1者理想的是1價的供予型雜環基，較理想的是以式(T1-1)所示的基，此等基也可有取代基。
即，1價的供予型雜環基是以式(T1-1)所示的基為佳。
ArT1不為取代胺基以及1價的供予型雜環基之情形，由於本發明的發光元件之外部量子效率是優良的，ArT1理想的是芳基，或是，1價的供予型雜環基之外的1價雜環基，較理想的是芳基，此等基也可有取代基。
由於本發明的發光元件之外部量子效率是更為優良，ArT1理想的是芳基或是1價的供予型雜環基，較理想的是芳基或是以式(T1-1)所示的基，此等基也可有取代基。
ArT1為複數存在的情形，此等ArT1可相同也可相異，可直接結合，或是經由2價的基結合，而形成環，但是以不形成環為佳。
作為「2價的基」，可以列舉伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基、以-N(RArT1)-所示的基、以-B(RArT1)-所示的基、以-P(RArT1)-所示的基、以-(O=)P(RArT1)-所示的基、以-Si(RArT1')2-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(=O)2所示的基、以-C(=ZT1)-所示的基、氧原子或是硫原子，理想的是伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基、以-N(RArT1)-所示的基、以-P(RArT1)-所示的基、以-Si(RArT1')2-所示的基、氧原子或是硫原子，較理 想的是伸烷基、伸環烷基、以-N(RArT1)-所示的基、以-P(RArT1)-所示的基、以-Si(RArT1')2-所示的基、氧原子或是硫原子，更理想的是伸烷基、以-N(RArT1)-所示的基、氧原子或是硫原子，特別理想的是氧原子或是硫原子，此等的基也可有取代基。
2價的基為也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與ArT1為也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
也可有取代基的2價基進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的ArT1進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
2價的基中，伸烷基的例子以及理想之範圍，係與後述的LA所示的伸烷基的例子以及理想之範圍相同。2價的基中，伸環烷基的例子以及理想之範圍，係與後述的LA所示的伸環烷基的例子以及理想之範圍相同。
2價的基中，伸芳基的例子以及理想之範圍，係與後述的LT1所示的伸芳基的例子以及理想之範圍相同。2價的基中，2價的雜環基的例子以及理想之範圍，係與後述的LT1所示的2價的雜環基的例子以及理想之範圍相同。
RArT1以及RArT1'各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價的雜環基、取代胺基、鹵原子或是氰基，此等的基也可有取代基。
RArT1的例子以及理想之範圍，係與後述的RXT1的例子以及理想之範圍相同。
RArT1'的例子以及理想之範圍，係與後述的RXT1'的例子以及理想之範圍相同。
‧式(T1-1)所示的基
「在環內不含以-C(=ZT1)-所示的基之芳香族烴環」的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是6至60，理想的是6至30，更理想的是6至18。
作為在環內不含以-C(=ZT1)-所示的基之芳香族烴環，例如，可以列舉苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、並四苯環、芴環、螺二芴環、茚環、芘環、苝環、環以及此等環經縮合之環，理想的是苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、並四苯環、芴環、螺二芴環、茚環、芘環、苝環或是環，較理想的是苯環，萘環，蒽環，菲環，二氫菲環，芴環或是螺二芴環，更理想的是苯環、萘環、芴環或是螺二芴環，特別理想的是苯環或是芴環，特別的是苯環，此等環也可有取代基。
「在環內不含以=N-所示的基、硼原子、以-C(=ZT1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(=O)2-所示的基，以及，以前述式(P)所示的基之雜環」的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是2至60，理想的是3至30，更理想的是4至15。
作為在環內不含以=N-所示的基、硼原子、以-C(=ZT1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(= O)2-所示的基，以及，以前述式(P)所示的基之雜環，可以列舉吡咯環、呋喃環、噻吩環、噻咯環、磷雜環戊二烯環、吲哚環、苯並呋喃環、苯並噻吩環、苯並噻咯環、苯並磷雜環戊二烯環、咔唑環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環、二苯並噻咯環、二苯並磷雜環戊二烯環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、9,10-二氫吖啶環、5,10-二氫吩嗪環，此等環經縮合的環，以及，在此等的環中，環內不含以-C(=ZT1)-所示的基之芳香族烴環為經縮合的環，理想的是吡咯環、呋喃環、噻吩環、噻咯環、磷雜環戊二烯環、吲哚環、苯並呋喃環、苯並噻吩環、苯並噻咯環、苯並磷雜環戊二烯環、咔唑環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環、二苯並噻咯環、二苯並磷雜環戊二烯環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、9,10-二氫吖啶環或是5,10-二氫吩嗪環，較理想的是吲哚環、苯並呋喃環、苯並噻吩環、咔唑環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、9,10-二氫吖啶環或是5,10-二氫吩嗪環，更理想的是咔唑環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、9,10-二氫吖啶環或是5,10-二氫吩嗪環，特別理想的是咔唑環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環，特別的是咔唑環，此等環也可有取代基。
環RT1以及環RT2也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與ArT1也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
也可有取代基的環RT1以及環RT2進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的 ArT1進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
環RT1以及環RT2之中，至少1個，在環內是以不含-C(=ZT1)-所示的基之芳香族烴環者為佳，以苯環為更佳，此等環也可有取代基。
環RT1以及環RT2兩方都是以在環內不含有以-C(=ZT1)-所示的基之芳香族烴環為佳，以苯環為更佳，此等的環也可有取代基。
XT1，理想的是單鍵、氧原子、硫原子或是以-C(RXT1’)2-所示的基，較理想的是單鍵、氧原子或是硫原子，更理想的是單鍵。
RXT1，理想的是烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基或是取代胺基，較理想的是芳基或是1價的雜環基，更理想的是芳基，此等的基也可有取代基。
RXT1’，理想的是烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，較理想的是烷基、環烷基或是芳基，更理想的是烷基或是環烷基，此等基也可有取代基。
複數存在的RXT1’，可相同也可相異，亦可互相結合，與各自結合之碳原子一起形成環，但是以不形成環為佳。
RXT1以及RXT1’所示的芳基、1價的雜環基以及取代胺基的例子以及理想之範圍，係各自，與ArT1所示的芳基、1價的雜環基以及取代胺基的例子以及理想之範圍相同。
RXT1以及RXT1’也可有取代基的例子以及理 想之範圍，係與也可有取代基的ArT1進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
RXT1與環RT1也可有的取代基、RXT1與環RT2也可有的取代基、RXT1’與環RT1也可有的取代基、以及RXT1’與環RT2也可有的取代基，係可各自直接結合，或是經由2價的基結合，而與各自結合的原子共同形成環，但是以不形成環為佳。
式(T1-1)所示的基，理想的是以式(T1-1A)所示的基、以式(T1-1B)所示的基、以式(T1-1C)所示的基或是以式(T1-1D)所示的基，較理想的是以式(T1-1A)所示的基、以式(T1-1B)所示的基或是以式(T1-1C)所示的基，更理想的是以式(T1-1A)所示的基。
XT2以及XT3，理想的是單鍵、以-N(RXT2)-所示的基，或是，以-C(RXT2’)2-所示的基，更理想的是單鍵或是以-C(RXT2’)2-所示的基。
XT2以及XT3之中，至少一方是單鍵為理想，XT3是以單鍵為更理想。
XT2以及XT3之中，至少一方為單鍵的情形，另一方是以氧原子、硫原子、以-N(RXT2)-所示的基，或是，以-C(RXT2’)2-所示的基為佳，以-N(RXT2)-所示的基，或是，以-C(RXT2’)2-所示的基為較佳，以-C(RXT2’)2-所示的基為更佳。
RXT2的例子以及理想之範圍，係與RXT1的例子以及理想之範圍相同。
RXT2’的例子以及理想之範圍，係與RXT1’的例子以及理想之範圍相同。
RXT2以及RXT2’也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與RXT1以及RXT1’也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
RT1、RT2、RT3、RT4、RT5、RT6、RT7、RT8、RT9、RT10、RT11以及RT12，係以氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、1價的雜環基、取代胺基或是氰基為佳，以氫原子、烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基或是取代胺基為更佳，此等的基進一步也可有取代基。
以式(T1-1A)所示的基中，RT1、RT2、RT4、RT5、RT7以及RT8，係以氫原子、烷基、芳基、1價的雜環基或是取代胺基為佳，氫原子或是烷基為較佳，以氫原子為更佳，此等的基也可進一步有取代基。
以式(T1-1A)所示的基中，RT3以及RT6，係以烷基、芳基、1價的雜環基或是取代胺基為佳，以芳基、1價的雜環基或是取代胺基為較佳，以取代胺基為更佳，此等的基也可進一步有取代基。
在式(T1-1B)、式(T1-1C)以及式(T1-1D)所示的基中，RT1、RT2、RT3、RT4、RT5、RT6、RT7、RT8、RT9、RT10、RT11以及RT12，係以氫原子、烷基、芳基、1價的雜環基或是取代胺基為佳，以氫原子或是烷基為較佳，以氫原子為更佳，此等基也可進一步有取代基。
RT1、RT2、RT3、RT4、RT5、RT6、RT7、RT8、 RT9、RT10、RT11以及RT12所示的芳基、1價的雜環基以及取代胺基的例子以及理想之範圍，係各自與ArT1所示的芳基、1價的雜環基以及取代胺基的例子以及理想之範圍相同。
RT1、RT2、RT3、RT4、RT5、RT6、RT7、RT8、RT9、RT10、RT11以及RT12也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的ArT1進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
RT1與RT2、RT2與RT3、RT3與RT4、RT5與RT6、RT6與RT7、RT7與RT8、RT9與RT10、RT10與RT11、以及，RT11與RT12，係可各自直接結合，或是經由2價的基結合，而與各自結合的碳原子共同形成環，但是以不形成環為佳。
LT1是表示伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基、以-N(RT1’)-所示的基、氧原子或是硫原子，此等的基也可有取代基。
LT1是以伸烷基、伸環烷基、伸芳基或是2價的雜環基為佳，而以伸芳基或是2價的雜環基為較佳，以伸芳基為更佳，此等的基也可有取代基。
作為LT1所示的伸芳基，理想的是伸苯基、萘二基、芴二基、菲二基或是二氫菲二基，較理想的是以式(A-1)至式(A-9)、以式(A-19)或是以式(A-20)所示的基，更理想的是以式(A-1)至式(A-3)所示的基，特別理想的是以式(A-1)或是以式(A-2)所示的基，特別的是以式(A-1)所 示的基，此等的基也可有取代基。
作為LT1所示的2價雜環基，理想的是以式(AA-1)至式(AA-34)所示的基，較佳的是以式(AA-1)至式(AA-6)、以式(AA-10)至式(AA-21)或是以式(AA-24)至式(AA-34)所示的基，更理想的是以式(AA-1)至式(AA-4)、以式(AA-10)至式(AA-15)或是以式(AA-29)至式(AA-34)所示的基，特別理想的是式(AA-2)、式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)或是式(AA-14)所示的基。
LT1也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與ArT1也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
也可有取代基的LT1也可進一步有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的ArT1進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
RT1’，理想的是芳基或是1價的雜環基，更理想的是芳基，此等基也可有取代基。
RT1’所示的芳基以及1價的雜環基的例子以及理想之範圍，係各自與ArT1所示的芳基以及1價的雜環基的例子以及理想之範圍相同。
RT1’也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的ArT1進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
LT1是複數存在的情形，此等LT1可相同也可相異，可直接結合，或是經由2價的基結合，而形成環，但以不形成環為佳。
ArT2是硼原子、以-C(=ZT1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(=O)2-所示的基、以前述式(P)所示的基、有吸電子性基的芳香族烴基，或是，在環內含有以=N-所示的基之雜環基，此等的基也可有取代基。
ArT2，由於本發明的發光元件之外部量子效率是優良的，故理想的是硼原子、以-C(=ZT1)-所示的基、以-S(=O)2所示的基、以前述式(P)所示的基、有吸電子性基的芳香族烴基，或是，在環內含有以=N-所示的基之雜環基，較理想的是硼原子、以-C(=ZT1)-所示的基、以-S(=O)2所示的基、有吸電子性基之芳香族烴基，或是，在環內含有以=N-所示的基之雜環基，更理想的是以-S(=O)2所示的基、有吸電子性基之芳香族烴基，或是，在環內含有以=N-所示的基之雜環基，特別理想的是有吸電子性基之芳香族烴基，或是，在環內含有以=N-所示的基之雜環基，特別理想的是在環內含有以=N-所示的基之雜環基，此等的基也可有取代基。
ZT1理想的是氧原子。
RZT1理想的是烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，較理想的是芳基或是1價的雜環基，更理想的是芳基，此等的基也可以是有取代基。
RZT1所示的芳基以及1價的雜環基的例子以及理想之範圍，係各自與ArT1所示的芳基以及1價的雜環基的例子以及理想之範圍相同。
RZT1也可有取代基的例子以及理想之範 圍，係與也可有取代基的ArT1進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
有吸電子性基之芳香族烴基中，芳香族烴基的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是6至60，理想的是6至30，較理想的是6至18。
在有吸電子性基之芳香族烴基中，作為芳香族烴基，例如，可以列舉由苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、並四苯環、芴環、螺二芴環、茚環、芘環、苝環、環以及此等環經縮合的環，除去直接結合在構成環的碳原子之1個以上氫原子的基，理想的是由苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、並四苯環、芴環、螺二芴環、茚環、芘環、苝環或是環，除去直接結合在構成環的碳原子之1個以上氫原子的基，較理想的是由苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、芴環或是螺二芴環，除去直接結合在構成環的碳原子之1個以上氫原子的基，更理想的是由苯環、萘環、芴環或是螺二芴環，除去直接結合在構成環的碳原子之1個以上氫原子的基，特別理想的是由苯環或是芴環，除去直接結合在構成環的碳原子之1個以上氫原子的基，特別的是由苯環除去直接結合在構成環的碳原子之1個以上氫原子的基，此等基也可有取代基。
作為吸電子性基，例如，可以列舉將氟原子作為取代基之烷基、氟原子、氰基以及硝基，理想的是將氟原子作為取代基之烷基、氟原子或是氰基，較理想的是氰基。
作為將氟原子作為取代基之烷基者，理想的是三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基。
在有吸電子性基之芳香族烴基中，芳香族烴基具有的吸電子性基的數，通常是1至10個，理想的是1至5個，較理想的是1至3個，更理想的是1個或是2個。
在環內含有以=N-所示的基之雜環基中，有構成環之雙鍵結合的氮原子數，通常是1至10，理想的是1至7，較理想的是1至5，更理想的是1至3，特別理想的是3。
在環內含有以=N-所示的基之雜環基中，構成環之碳原子數，通常是1至60，理想的是2至30，較理想的是3至15，特別理想的是3至5。
作為環內含有以=N-所示的基之雜環基，例如，可以列舉由二唑環、三唑環、噁二唑環、噻二唑環、噻唑環、噁唑環、異噻唑環、異噁唑環、苯並二唑環、苯並三唑環、苯並噁二唑環、苯並噻二唑環、苯並噻唑環、苯並噁唑環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、四氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、四氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環、四氮雜菲環、或是，在此等雜環中芳香環是經縮環的環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子之1個以上氫原子的 基，理想的是由二唑環、三唑環、噁二唑環、噻二唑環、噻唑環、噁唑環、異噻唑環、異噁唑環、苯並二唑環、苯並三唑環、苯並噁二唑環、苯並噻二唑環、苯並噻唑環、苯並噁唑環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、四氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、四氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環、四氮雜菲環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子之1個以上氫原子的基，較理想的是由三唑環、噁二唑環、噻二唑環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、四氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、四氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環或是四氮雜菲環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子之1個以上氫原子的基，更理想的是由三唑環、噁二唑環、噻二唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、氮雜萘環、二氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、氮雜菲環或是二氮雜菲環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子之1個以上氫原子的基，特別理想的是由吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、喹啉環、異喹啉環、喹唑啉環、喹喔啉環、吖啶環、吩嗪環或是菲繞啉環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子之1個以上氫原子的基，特別是由吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子之1個以上氫原子的基，此等基也可有取代基。
作為ArT2也可有取代基(是與後述的式(1T’)所示的基為相異。以下，是同樣。)，係以烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、鹵原子或是氰基為佳，以烷基、環烷基、氟原子或是氰基為較佳，以烷基或是環烷基為更佳，此等基也可有取代基。
也可有取代基的ArT2進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的ArT1進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
ArT1與LT1以不直接結合或是經由2價的基結合而形成環為佳。ArT2與LT1以不直接結合或是經由2價的基結合而形成環為佳。ArT1與ArT2以不直接結合或是經由2價的基結合而形成環為佳。
式(T-1)所示的化合物中，ArT2為在環內含有以=N-所示基之雜環基的情形，以式(T-1)所示的化合物，由於本發明的發光元件之外部量子效率為優良的，故理想的是以式(T’-1)至式(T’-14)所示的化合物，較理想的是以式(T’-1)至式(T’-8)或是式(T’-12)至式(T’-14)所示的化合物，更理想的是以式(T’-1)至式(T’-4)或是式(T’-12)至式(T’-14)所示的化合物所示的化合物，特別理想的是以式(T’-1)至式(T’-4)所示的化合物，特別的是以式(T’-4)所示的化合物。
以式(T-1)所示的化合物中，ArT2為有吸電子性基的芳香族烴基之情形，以式(T-1)所示的化合物，由於本發明的發光元件之外部量子效率為優良的，故理想的 是以式(T’-15)至式(T’-18)所示的化合物，較理想的是以式(T’-15)、式(T’-17)或是以式(T’-18)所示的化合物，更理想的是以式(T’-15)所示的化合物。
以式(T-1)所示的化合物中，ArT2是硼原子、以-C(=ZT1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(=O)2-所示的基或是以前述式(P)所示的基之情形，以式(T-1)所示的化合物，由於本發明的發光元件之外部量子效率為優良者，故理想的是以式(T’-18)至式(T’-22)所示的化合物，較理想的是以式(T’-19)至式(T’-22)所示的化合物，更理想的是以式(T’-20)或是式(T’-21)所示的化合物，特別理想的是以式(T’-21)所示的化合物。
以式(T-1)所示的化合物，由於本發明的發光元件之外部量子效率為更優良的，故理想的是以式(T’-1)至式(T’-4)、以式(T’-12)至式(T’-14)、以式(T’-15)、以式(T’-17)、以式(T’-18)、以式(T’-20)或是以式(T’-21)所示的化合物，較理想的是以式(T’-1)至式(T’-4)、以式(T’-15)或是以式(T’21)所示的化合物，更理想的是以式(T’-1)至式(T’-4)所示的化合物，特別理想的是以式(T’-4)所示的化合物。
以式(T-1)所示化合物，由於本發明的發光元件之CIE色度座標的x以及y的值變小(例如，色度座標的x是變成0.25以下，色度座標的y是0.45以下)，並且，本發明的發光元件之外部量子效率為更優良，故理想的是以式(T’-1)至式(T’-4)或是以式(T’-19)至式(T’-22)所示的 化合物，較理想的是以式(T’-4)或是以式(T’-19)至式(T’-21)所示的化合物，更理想的是以式(T’-19)所示的化合物。
[式中，R1T是表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、鹵原子、氰基或是以式(1T’)所示的基，此等的基也可有取代基。複數存在的R1T，可相同也可相異，可直接結合，或是，經由2價的基結合，而形成環。但是，複數存在的R1T之中，至少1個是以式(1T’)所示的基。
R1T’是表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、吸電子性基或是以式(1T’)所示的基，此等的基也可有取代基。複數存在的R1T’，可相同也可相異，可直接結合，或是，經由2價的基結合，而形成環。但是，複數存在的R1T’之中，至少1個是以式(1T’)所示的基，並且，至少1個是吸電子性基。]
複數存在的R1T之中，1個或是2個的R1T，係以式(1T’)所示的基為佳。
複數存在的R1T’之中，1個或是2個的R1T’，係以式(1T’)所示的基為佳。
複數存在的R1T’之中，較佳為1至5個的R1T’是吸電子性基，再佳為1至3個的R1T’是吸電子性基，更佳為1個或是2個的R1T’是吸電子性基。
[式中，LT1、nT1以及ArT1是表示與前述相同的意思。]
R1T，理想的是氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、氟原子、氰基或是以式(1T’)所示的基，較理想的是氫原子、烷基、環烷基或是以式(1T’)所示的基，更理想的是氫原子、烷基或是以式(1T’)所示的基，特別理想的是氫原子或是以式(1T’)所示的基，此等的基也可有取代基。
R1T’，理想的是氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、吸電子性基或是以式(1T’)所示的基，較理想的是氫原子、烷基、環烷基、吸電子性基或是以式(1T’)所示的基，更理想的是氫原子、烷基、吸電子性基或是以式(1T’)所示的基，特別理想的是氫原子、吸電子性基或是以式(1T’)所示的基，此等的基也可有取代基。
R1T以及R1T'也可有取代基的例子以及理想 之範圍，係與也可有取代基的ArT1也可進一步有取代基的例子以及理想之範圍相同。
作為化合物(T)者，例如，可以列舉下述式所示的化合物。又，式中，Z1是表示以N=所示的基，或是，以-CH=所示的基。Z2是表示氧原子或是硫原子。複數存在的Z1以及Z2，係各別地，可相同也可相異。
Z1是以-N=所示的基為佳。Z2是以氧原子為佳。
化合物(T)是可以由Aldrich、Luminescence Technology Corp.等取得。其他，例如，可以依照在國際專 利公開第2007/063754號、國際專利公開第2008/056746號、國際專利公開第2011/032686號、國際專利公開第2012/096263號、日本專利特開2009-227663號公報、日本專利特開2010-275255號公報、Advanced Materials(Adv.Mater)，26巻，7931-7958頁，2014年記載之方法而可以合成。
[基質材料]
由於本發明的發光元件之外部量子效率為優良的，故第1有機層，係以含有化合物(T)，與有電洞注入性、電洞輸送性、電子注入性以及電子輸送性之中的至少1個機能的基質材料之層為佳。
基質材料，係分類成低分子化合物與高分子化合物，而以高分子化合物為佳，含有以式(Y)所示的結構單元之高分子化合物為更理想。
換言之，第1有機層，由於本發明的發光元件之外部量子效率為更優良，故以含有化合物(T)，與以含有式(Y)所示的結構單元之高分子化合物，並且，不含磷光發光性金屬錯體的組成物之層為佳。
第1有機層，含有化合物(T)與基質材料之層的情形，基質材料，可以含有單獨1種，也可以含有2種以上。但是，化合物(T)與基質材料是相異。
第1有機層，係含有化合物(T)與基質材料之層的情形，化合物(T)是以發光材料為佳。
基質材料，係擔負將電氣能量傳遞給有發 光材料功用的材料之意思。由基質材料將電氣能量有效率地傳遞給發光材料，因為可以將發光材料更有效率地發光，故基質材料的最低激發三重態，係比發光材料的最低激發三重態有更高的能級，並且，基質材料的最低激發單重態，係以比發光材料的最低激發單重態有更高的能級為佳。
第1有機層，係含有化合物(T)與基質材料之層的情形，化合物(T)的含量，將化合物(T)與基質材料的合計當作100質量份之情形，通常是0.1至50質量份，理想的是1至45質量份，較理想的是5至40質量份，更理想的是10至20質量份。
作為基質材料，由於可以將本發明的發光元件以溶液塗布製程來製作，故以對於可能溶解在第1有機層所含有的化合物(T)之溶媒有溶解性者為佳。
[低分子基質]
作為基質材料的理想低分子化合物(以下，稱為「低分子基質」。)，理想的是以式(H-1)所示的化合物或是以式(H-2)所示的化合物，更理想的是以式(H-1)所示的化合物。但是，以式(H-1)所示的化合物，以及，以式(H-2)所示的化合物，係與化合物(T)相異。以式(H-1)所示的化合物，係與以式(H-2)所示的化合物相異。
[式中，nH1是表示0以上10以下的整數。
ArH1以及ArH2，係各自獨立地，由在環內不含-C(=ZT1)-所示的基之芳香族烴環，除去直接結合在構成環的碳原子之1個氫原子的基(該基也可有電子吸引基之外的取代基)，或是，由在環內不含以=N-所示的基、硼原子、以-C(=ZT1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(=O)2-所示的基，以及，以前述式(P)所示基之雜環，除去直接結合在構成環的碳原子或是在雜原子之1個氫原子的基(該基也可有取代基)。
LH1，或許是也可有取代基之伸烷基或是也可有取代基之伸環烷基，或是由在環內不含-C(=ZT1)-所示基的芳香族烴環，除去直接結合在構成環的碳原子之2個氫原子的基(該基也可有吸電子基之外的取代基)，由在環內不含以=N-所示的基、硼原子、以-C(=ZT1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(=O)2-所示的基，以及，以前述式(P)所示的基之雜環，除去直接結合在構成環的碳原子或是在雜原子之2個氫原子的基(該基也可有取代基)。LH1為複數存在的情形，此等可相同也可相異。
ZT1是與前述相同的意思。]
nH1，理想的是0以上5以下的整數，較理想的是0以上3以下的整數，更理想的是1或是2，特別理想的是1。
ArH1以及ArH2，理想的是由苯環、萘環、 蒽環、菲環、二氫菲環、並四苯環、芴環、螺二芴環、茚環、芘環、苝環、環、吡咯環、呋喃環、噻吩環、噻咯環、磷雜環戊二烯環、吲哚環、苯並呋喃環、苯並噻吩環、苯並噻咯環、苯並磷雜環戊二烯環、咔唑環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環、二苯並噻咯環、二苯並磷雜環戊二烯環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、9,10-二氫吖啶環、5,10-二氫吩嗪環以及此等環為經縮合的環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子之1個氫原子的基，較理想的是由苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、並四苯環、芴環、螺二芴環、茚環、芘環、苝環、環、吡咯環、呋喃環、噻吩環、噻咯環、磷雜環戊二烯環、吲哚環、苯並呋喃環、苯並噻吩環、苯並噻咯環、苯並磷雜環戊二烯環、咔唑環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環、二苯並噻咯環、二苯並磷雜環戊二烯環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、9,10-二氫吖啶環或是5,10-二氫吩嗪環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子之1個氫原子的基，更理想的是由苯環、芴環、螺二芴環、咔唑環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、9,10-二氫吖啶環或是5,10-二氫吩嗪環，除去直接結合在構成環的碳原子或是在雜原子之1個氫原子的基，特別理想的是由苯環、芴環、螺二芴環、咔唑環、二苯並呋喃環或是二苯並噻吩環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子之1個氫原子的基，特別的是由咔唑環、二苯並呋喃環或是二苯並噻吩環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子之1個氫原子的基，此等基也可 有取代基。
LH1，理想的是由苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、並四苯環、芴環、螺二芴環、茚環、芘環、苝環、環、吡咯環、呋喃環、噻吩環、噻咯環、磷雜環戊二烯環、吲哚環、苯並呋喃環、苯並噻吩環、苯並噻咯環、苯並磷雜環戊二烯環、咔唑環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環、二苯並噻咯環、二苯並磷雜環戊二烯環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、9,10-二氫吖啶環、5,10-二氫吩嗪環以及此等環為經縮合的環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子之2個氫原子的基，較理想的是由苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、並四苯環、芴環、螺二芴環、茚環、芘環、苝環、環、吡咯環、呋喃環、噻吩環、噻咯環、磷雜環戊二烯環、吲哚環、苯並呋喃環、苯並噻吩環、苯並噻咯環、苯並磷雜環戊二烯環、咔唑環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環、二苯並噻咯環、二苯並磷雜環戊二烯環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、9,10-二氫吖啶環或是5,10-二氫吩嗪環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子之2個氫原子的基，更理想的是由苯環、芴環、螺二芴環、咔唑環、二苯並呋喃環、二苯並噻吩環、吩噁嗪環、吩噻嗪環、9,10-二氫吖啶環或是5,10-二氫吩嗪環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子之2個氫原子的基，特別理想的是由苯環、芴環、螺二芴環、咔唑環、二苯並呋喃環或是二苯並噻吩環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子之2個氫原子的基，特別理想的是由咔唑環、二苯並 呋喃環或是二苯並噻吩環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子之2個氫原子的基，此等基也可有取代基。
作為ArH1、ArH2以及LH1也可有的取代基，理想的是烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、1價的雜環基或是取代胺基，較理想的是烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基或是取代胺基，更理想的是烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，特別理想的是烷基或是環烷基，此等基進一步也可有取代基。
但是，ArH1、ArH2以及LH1也可有取代基中之芳基，係由在環內不含以-C(=ZT1)-所示的基之芳香族烴環，除去直接結合在構成環的碳原子的1個氫原子之基(該基也可以有吸電子基之外的取代基)。ArH1、ArH2以及LH1也可有取代基中的1價雜環基，係由環內不含以=N-所示的基、硼原子、以-C(=ZT1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(=O)2-所示的基，以及，前述以式(P)所示的基之雜環，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子的1個氫原子之基(該基也可有取代基)。
作為也可有取代基的ArH1、ArH2以及LH1進一步也可有的取代基，理想的是烷基、環烷基、烷氧基或是環烷氧基，較理想的是烷基或是環烷基。
[式中， nH2是表示1以上10以下的整數。
ArH3以及ArH4，係各自獨立地，表示在環內含有以=N-所示的基之1價雜環基、氫原子、鹵原子、氰基、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基或是芳基，此等基也可有取代基。
LH2，係在環內含有以=N-所示的基之2價的雜環基、伸烷基、伸環烷基或是伸芳基，此等基也可有取代基。LH2為複數存在的情形，此等可相同也可相異。但是，LH2之中，至少1個為環內含有以=N-所示的基之2價雜環基。]
ArH3以及ArH4，理想的是在環內含有以=N-所示的基之1價雜環基、氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基或是芳基，較理想的是在環內含有以=N-所示的基之1價雜環基、烷基、環烷基或是芳基，更理想的是在環內含有以=N-所示的基之1價雜環基或是芳基，特別理想的是芳基，此等基也可有取代基。
ArH3以及ArH4所示的芳基之例子以及理想的範圍，係與ArT1所示的芳基的例子以及理想之範圍相同。
在環內含有以=N-所示的基之1價雜環基，係與在環內含有以=N-所示基的雜環基之中，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子的1個氫原子之基。
nH2，理想的是1以上5以下的整數，較理想的是1以上3以下的整數，更理想的是1或是2，特別理想的是1。
LH2，理想的是在環內含有以=N-所示的基之2價雜環基或是伸芳基，較理想的是在環內含有以=N-所示的基之2價雜環基，此等基也可有取代基。
LH2所示的伸芳基的例子以及理想之範圍，係與LT1所示的伸芳基的例子以及理想之範圍相同。
在環內含有以=N-所示的基之2價雜環基，係在環內含有以=N-所示基的雜環基之中，除去直接結合在構成環的碳原子或是雜原子的2個氫原子之基。
作為LH2、ArH3以及ArH4也可有的取代基，係含有以=N-所示的基之1價雜環基、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基或是芳基，理想的是含有以=N-所示的基之1價雜環基、烷基、環烷基或是芳基，更理想的是烷基、環烷基或是芳基，此等基進一步也可有取代基。
LH2、ArH3以及ArH4也可有的取代基之芳基的例子以及理想之範圍，係與ArT1所示的芳基的例子以及理想之範圍相同。
作為也可有取代基的LH2、ArH3以及ArH4進一步也可有的取代基，理想的是烷基、環烷基、烷氧基或是環烷氧基，較理想的是烷基或是環烷基。
作為式(H-1)所示的化合物，可以例示以式(H-101)至式(H-106)以及以式(H-113)至式(H-118)所示的化合物。作為以式(H-2)所示的化合物，可以例示以式(H-107)至式(H-112)所示的化合物。
作為在基質材料使用的高分子化合物，例如，可以列舉後述的電洞輸送材料之高分子化合物，後述的電子輸送材料的高分子化合物。
[高分子基質]
作為基質化合物的理想高分子化合物(以下，稱為「高分子基質」。)，理想的是含有以式(Y)所示的結構單元之高分子化合物。
ArY1所示的伸芳基，較理想的是以式(A-1)至式(1-10)、以式(A-19)或是以式(A-20)所示的基，更理想的是以式(A-1)至式(A-3)、以式(A-6)-式(A-10)、以式(A-19)或是以式(A-20)所示的基，特別理想的是以式(A-1)至式(A-3)、以式(A-7)至式(A-9)、以式(A-19)或是以式(A-20)所示的基，特別的是以式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)或是以式(A-19)所示的基，此等基也可有取代基。
ArY1所示的2價雜環基，較理想的是以式(AA-1)-式(AA-4)、以式(AA-10)-式(AA-15)、以式(AA-18)-式(AA-21)、以式(AA-33)或是以式(AA-34)所示的基，更理想的是以式(AA-4)、以式(AA-10)、以式(AA-12)、以式 (AA-14)或是以式(AA-33)所示的基，此等基也可有取代基。
ArY1所示的至少1種的伸芳基與至少1種的2價雜環基為直接結合的2價基中，伸芳基以及2價雜環基的較理想的範圍、更理想的範圍，係各自與前述的ArY1所示的伸芳基以及2價的雜環基之較理想的範圍、更理想的範圍相同。
作為「至少1種的伸芳基與至少1種的2價的雜環基為直接結合之2價基」者，例如，可以列舉下述式所示的基，此等也可有取代基。
[式中，RXX是表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基。]
RXX，理想的是烷基、環烷基或是芳基，此等基也可有取代基。
ArY1所示的基也可有的取代基，理想的是烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、1價的雜環基、取代胺基、氟原子或是氰基，較理想的是烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、1價的雜環基或是取代胺基，更理想的是烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，特別理想的是烷基、環烷基或是芳基，此等基進一步也可有取 代基。
作為ArY1所示的基也可有的取代基進一步也可有的取代基，理想的是烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、1價的雜環基、取代胺基、氟原子或是氰基，較理想的是烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，更理想的是烷基或是環烷基，此等基進一步也可有取代基。
作為式(Y)所示的結構單元，例如，可以列舉以式(Y-1)至式(Y-10)所示的結構單元，從本發明的發光元件之外部量子效率的觀點而言，理想的是以式(Y-1)至式(Y-3)所示的結構單元，從本發明的發光元件之電子輸送性的觀點而言，理想的是以式(Y-4)至式(Y-7)所示的結構單元，從本發明的發光元件之電洞輸送性的觀點而言，理想的是以式(Y-8)至式(Y-10)所示的結構單元。
[式中，RY1是表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基。RY1為複數存在的情形，此等可相同也可相異，亦可鄰接的RY1相互間是互相結合，與各自結合的碳原子共同形成環。
nY1是表示4。]
RY1，理想的是氫原子、烷基、環烷基、芳 基或是1價的雜環基，較理想的是氫原子、烷基、環烷基或是芳基，更理想的是氫原子、烷基或是環烷基，特別理想的是氫原子或是烷基，此等基也可有取代基。
RY1也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的ArY1所示的基進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
以式(Y-1)所示的結構單元，理想的是以式(Y-1-1)或是式(Y-1-2)所示的結構單元，較理想的是以式(Y-1-1)所示的結構單元。
[式中，RY1是表示與前述相同意思。]
以式(Y-1-1)所示的結構單元，理想的是以式(Y-1-1’)或是以式(Y-1-1”)所示的結構單元，較理想的是以式(Y-1-1’)所示的結構單元。
以式(Y-1-2)所示的結構單元，理想的是以式(Y-1-2')或是以式(Y-1-2")所示的結構單元，較理想的是以式(Y-1-2')所示的結構單元。
[式中，RY1是表示與前述相同意思。
RY11是表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基。複數存在的RY11，可相同也可相異。]
RY11，理想的是烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，較理想的是烷基、環烷基或是芳基，更理想的是烷基或是環烷基，特別理想的是烷基，此等基也可有取代基。
RY11也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的ArY1所示的基進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
[式中，RY1是與前述相同意思。
XY1是表示-C(RY2)2-、-C(RY2)=C(RY2)-或是-C(RY2)2-C(RY2)2-所示的基。RY2是表示氫原子、烷基、環烷基、烷 氧基、環烷氧基、芳基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基。複數存在的RY2，可相同也可相異，亦可RY2相互間是互相結合，與各自結合的碳原子共同形成環。
nY2是表示6。]
RY2，理想的是烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，較理想的是烷基、環烷基或是芳基，此等基也可有取代基。
RY2也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的ArY1所示的基進一步也可有取基的例子以及理想之範圍相同。
XY1中，以-C(RY2)2-所示的基中2個RY2的組合，理想的是兩方是烷基或是環烷基、兩方是芳基、兩方是1價的雜環基，或是，一方是烷基或是環烷基而另一方是芳基或是1價的雜環基，較理想的是一方是烷基或是環烷基而另一方是芳基，此等基也可有取代基。亦可2個存在的RY2互相結合，與各自結合的原子共同形成環，RY2是形成環的情形，以-C(RY2)2-所示的基，理想的是以式(Y-A1)至式(Y-A5)所示的基，較理想的是以式(Y-A4)所示的基，此等基也可有取代基。
XY1中，以-C(RY2)=C(RY2)-所示的基中之2 個RY2的組合，理想的是兩方為烷基或是環烷基，或是，一方為烷基或是環烷基而另一方是芳基，此等基也可有取代基。
XY1中，以-C(RY2)2-C(RY2)2-所示的基中之4個RY2，理想的為也可有取代基的烷基或是環烷基。複數的RY2亦可互相結合，與各自結合的原子共同形成環，RY2是形成環的情形，以-C(RY2)2-C(RY2)2-所示的基，理想的是以式(Y-B1)-(Y-B5)所示的基，較理想的是以式(Y-B3)所示的基，此等基也可有取代基。
[式中，RY2是表示與前述相同的意思。]
以式(Y-2)所示的結構單元，理想的是以式(Y-2-1)至(Y-2-4)所示的結構單元，較理想的是以式(Y-2-1)至式(Y-2-3)所示的結構單元。
[式中，RY1、RY11以及XY1是表示與前述相同的意思。]
[式中，nY1、nY2、RY1以及XY1是表示與前述相同的意思。]
以式(Y-3)所示的結構單元，理想的是以式(Y-3-1)至式(Y-3-4)所示的結構單元，較理想的是以式(Y-3-1)至式(Y-3-3)所示的結構單元。
[式中，nY1、nY2、RY1、RY11以及XY1是表示與前述相同的意思。]
[式中，RY1是表示與前述相同的意思。
RY3是表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基。]
RY3，理想的是烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，較理想的是芳基或是1價的雜環基，更理想的是芳基，此等基也可有取代基。
RY3也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的ArY1所示的基進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
以式(Y-4)所示的結構單元，係以式(Y-4')所示的結構單元為佳。以式(Y-6)所示的結構單元，係以式(Y-6')所示的結構單元為佳。
[式中，RY1以及RY3是表示與前述相同的意思。]
[式中，RY1是表示與前述相同的意思。RY4是表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基。]
RY4理想的是烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，較理想的是芳基或是1價的雜環基，更理想的是芳基，此等基也可有取代基。
RY4也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的ArY1所示的基進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
作為以式(Y)所示的結構單元者，例如，可以列舉包含以式(Y-101)至式(Y-121)所示的伸芳基的結構單元，包含以式(Y-201)至式(Y-206)所示的2價雜環基的結構單元，包含以式(Y-300)至式(Y-304)所示的至少1種的伸芳基與至少1種的2價雜環基為直接結合的2價基的結構單元。
以式(Y)所示的結構單元中，ArY1為伸芳基的結構單元，由於本發明的發光元件之外部量子效率是優良的，相對於含高分子基質的結構單元之合計量，理想的是0.5至99莫耳%，較理想的是30至95莫耳%，更理想的是50至95莫耳%。
以式(Y)所示的結構單元中，ArY1是2價的雜環基，或是，至少1種的伸芳基與至少1種的2價雜環基為直接結合的2價基之結構單元，由於本發明的發光元件之電荷輸送性為優良的，故相對於高分子基質所含之結構單元的合計量，理想的是0.5至50莫耳%，較理想的是1至40莫耳%，更理想的是5至30莫耳%。
以式(Y)所示的結構單元，在高分子基質中，可只含有1種，也可含有2種以上。
高分子基質，由於電洞傳輸性優良，故進 一步，係以含有下述式(X)所示的結構單元為佳。
[式中，aX1以及aX2，係各自獨立地，表示0以上的整數。
ArX1以及ArX3，係各自獨立地，表示伸芳基或是2價的雜環基，此等基也可有取代基。
ArX2以及ArX4，係各自獨立地，表示伸芳基、2價的雜環基，或是，至少1種的伸芳基與至少1種的2價的雜環基為直接結合的2價基，此等基也可有取代基。ArX2以及ArX4為複數存在的情形，此等可相同也可相異。
RX1、RX2以及RX3，係各自獨立地，表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基。RX2以及RX3為複數存在的情形，此等可相同也可相異。]
aX1，由於本發明的發光元件之外部量子效率是更優良，故理想的是2以下，較理想的是1或是0，更理想的是0。
aX2，由於本發明的發光元件之外部量子效率是更優良，故理想的是2以下，更理想的是0。
RX1、RX2以及RX3，理想的是烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，較理想的是芳基或是1價的雜環基，更理想的是芳基，此等基也可有取代基。
ArX1以及ArX3所示的伸芳基，較理想的是式(A-1)或是式(A-9)所示的基，更理想的是以式(A-1)所示的基，此等基也可有取代基。
ArX1以及ArX3所示的2價雜環基，較理想的是以式(AA-1)、式(AA-2)或是以式(AA-7)至式(AA-26)所示的基，此等基也可有取代基。
ArX1以及ArX3，理想的為也可有取代基的伸芳基。
作為ArX2以及ArX4所示的伸芳基，較理想的是以式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、以式(A-9)至式(A-11)或是式(A-19)所示的基，此等基也可有取代基。
ArX2以及ArX4所示的2價雜環基的較理想範圍，係與ArX1以及ArX3所示的2價雜環基之較理想範圍相同。
ArX2以及ArX4所示的至少1種的伸芳基與至少1種的2價雜環基為直接結合的2價基中，伸芳基以及2價雜環基的較理想的範圍、更理想的範圍，係各自與ArX1以及ArX3所示的伸芳基以及2價雜環基的較理想範圍、更理想的範圍相同。
作為ArX2以及ArX4所示的至少1種的伸芳基與至少1種的2價雜環基為直接結合的2價基，可以列舉與以式(Y)的ArY1所示的至少1種的伸芳基與至少1種的2價雜環基為直接結合的2價基相同者。
ArX2以及ArX4，理想的為也可有取代基的伸芳基。
ArX1至ArX4以及RX1至RX3所示的基為也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與ArY1所示的基為也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
也可有取代基的ArX1至ArX4以及RX1至RX3所示的基為進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的ArY1所示的基進一步也可以取代基的例子以及理想之範圍相同。
式(X)所示的結構單元，理想的是以式(X-1)至式(X-7)所示的結構單元，較理想的是以式(X-1)至式(X-6)所示的結構單元，更理想的是以式(X-3)至(X-6)所示的結構單元。
[式中，RX4以及RX5，係各自獨立地，表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、鹵原子、1價的雜環基或是氰基，此等基也可有取代基。複數存在的RX4，可相同也可相異。複數存在的RX5，可相同也可相異，亦可鄰接的RX5相互間是互相結合，與各自結合的碳原子共同形成環。]
RX4，理想的是氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或是1價的雜環基，較理想的是氫原子、烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，更理想的是氫原子、烷基、環烷基或是芳基，特別理想的是：氫原子或是烷基，此等基進一步也有取代基。
RX5，理想的是氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或是1價的雜環基，較理想的是氫原子、烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，更理想的是烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，特別理想的是烷基或是芳基，此等基進一步也可有取代基。
RX4以及RX5所示的基為也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的ArY1所示的基進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
以式(X)所示的結構單元，由於電洞輸送性是優良的，故相對於在高分子基質所含的結構單元之合計量，理想的是0.1至50莫耳%，較理想的是1至40莫耳%，更理想的是5至30莫耳%。
作為以式(X)所示的結構單元者，例如，可以列舉以式(X1-1)至式(X1-11)所示的結構單元，理想的是以式(X1-3)至式(X1-10)所示的結構單元。
在高分子基質中，以式(X)所示的結構單元，可只含有1種也可含有2種以上。
作為高分子基質，例如，可以列舉高分子化合物P-1至P-6。
[表中，p、q、r、s以及t是表示各結構單元的莫耳比率。p+q+r+s+t=100，並且，100≧p+q+r+s≧70。其他的結構單元，意指以式(Y)所示的結構單元，以式(X)所示的結構單元之外的結構單元。]
高分子基質，可以是嵌段共聚物、無規共聚合物、交互共聚合物、接枝共聚合物的任何一種，雖也可以是其他的態樣，但是以將複數種的原料單體共聚合的共聚合物為佳。
高分子基質的聚苯乙烯換算數平均分子量，理想的是5×103至1×106，較理想的是1×104至5×105，更理想的是1.5×104至1.5×105。
[高分子基質的製造方法]
高分子基質是可以使用在Chemical review(Chem.Rev.)，第109巻，897-1091頁(2009年)等記載的習知聚合方法而製造，例示有Suzuki反應、Yamamoto反應、Buchwald反應、Stille反應、Negishi反應以及Kumada反應等使用過渡金屬觸媒，藉由偶合反應而聚合的方法。
在前述聚合方法中，作為放入單體的方法，可以列舉將單體全量全部一起放入反應系統的方法；將單體的一部份放入反應之後，將殘留的單體全部，連續地或是分批的放入的方法；將單體連續或是分批地放入的方法等。
作為過渡金屬觸媒，可以列舉鈀觸媒、鎳觸媒等。
聚合反應的後處理，以習知的方法，例如，單獨或組合進行藉由分液除去水溶性不純物的方法、將在甲醇等低級醇中加入聚合反應後的反應液，過濾已析出的沈澱物後，乾燥的方法等。高分子基質的純度低的情形，例如，藉由再結晶、再沈澱、索氏萃取器(Soxhlet extractor)連續萃取，在管柱層析分析法等的通常方法而可以精製。
[第1組成物]
第1有機層，係可為含有化合物(T)，與包含由前述的基質材料、電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、螢光發光材料以及抗氧化劑所成群組中選擇至少1種的材料之組成物(以下，也稱為「第1組成物」。)的層。但是，電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材 料、電子注入材料以及螢光發光材料，係與化合物(T)相異。
[電洞輸送材料]
電洞輸送材料，係分類為低分子化合物與高分子化合物，理想的是高分子化合物。電洞輸送材料，也可以有交聯基。
作為高分子化合物，例如，可以列舉聚乙烯基咔唑以及其衍生物；在側鏈或是主鏈中有芳香族胺結構之聚伸芳基以及其衍生物。高分子化合物，也可以是電子接受性部位經結合的化合物。作為電子接受性部位者，例如，可以列舉富勒烯、四氟四氰基二甲烷、四氰基乙烯、三硝基芴酮等，理想的是富勒烯。
第1組成物中，電洞輸送材料的調配量，將化合物(T)當作100質量份的情形，通常是0.1至1000質量份，理想的是1至400質量份，較理想的是5至150質量份。
電洞輸送材料，可以單獨使用一種，也可以併用二種以上。
[電子輸送材料]
電子輸送材料是分類為低分子化合物與高分子化合物。電子輸送材料也可以是有交聯基。
作為低分子化合物，例如，可以列舉將8-羥基喹啉當作配位基的金屬錯體、噁二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、芴醌、二苯基二氰基乙烯以及二苯醌，以及，此等的衍生物。
作為高分子化合物，例如，可以列舉聚苯、聚芴、以及，此等的衍生物。高分子化合物，也可以以金屬摻配。
第1組成物中，電子輸送材料的調配量，將化合物(T)當作100質量份的情形，通常是0.1至1000質量份，理想的是1至400質量份，較理想的是5至150質量份。
電子輸送材料，可以單獨使用一種，也可以併用二種以上。
[電洞注入材料以及電子注入材料]
電洞注入材料以及電子注入材料，分別是分類為有低分子化合物與高分子化合物。電洞注入材料以及電子注入材料，也可以有交聯基。
作為低分子化合物，例如，可以列舉銅酞菁等金屬酞菁；碳；鉬、鎢等的金屬氧化物；氟化鋰、氟化鈉、氟化銫、氟化鉀等的金屬氟化物。
作為高分子化合物者，例如，可以列舉聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚伸苯基伸乙烯、聚噻吩伸乙烯(poly thienylene vinylene)、聚喹啉以及聚喹喔啉，以及，此等的衍生物；在主鏈或是側鏈中含有芳香族胺構造的聚合物等導電性高分子。
第1組成物中，電洞注入材料以及電子注入材料的調配量，分別，將化合物(T)當作100質量份的情形，通常是0.1至1000質量份，理想的是1至400質量份， 更理想的是5至150質量份。
電子注入材料以及電洞注入材料，分別，可以單獨使用一種，也可以併用二種以上。
[離子摻合]
電洞注入材料或是電子注入材料是含有導電性高分子的情形，導電性高分子的電氣傳導度，理想的是1×10-5S/cm至1×103S/cm。為了作為有關的導電性高分子的電氣傳導度之範圍，在導電性高分子中可以摻配適量的離子。
摻配的離子之種類，若是電洞注入材料的話則是陰離子，若是電子注入材料的話則是陽離子。作為陰離子，例如，可以列舉聚苯乙烯磺酸離子、烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子。作為陽離子，例如，可以列舉鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子。
摻配的離子，可以單獨使用一種，也可以併用二種以上。
[螢光發光材料]
螢光發光材料，係分類為低分子化合物與高分子化合物。螢光發光材料也可以是有交聯基。
作為低分子化合物，例如，可以列舉萘以及其衍生物，蒽以及其衍生物，並且，苝以及其衍生物。
作為高分子化合物，例如，可以列舉含有伸苯基、萘二基、蒽二基、芴二基、菲二基、二氫菲二基、以式(X)所示的基、咔唑二基、吩噁嗪二基、吩噻嗪二基、芘二基等高分子化合物。
在第1組成物中，螢光發光材料的調配量，將化合物(T)當作100質量份的情形，通常是0.1至1000質量份，理想的是0.1至400質量份，更理想的是5至150質量份。
第1組成物是含有化合物(T)與螢光發光材料的組成物之情形，化合物(T)較佳為基質材料。
第1組成物是含有化合物(T)與螢光發光材料的組成物，並且，化合物(T)為基質材料的情形，螢光發光材料的含量，將化合物(T)與螢光發光材料的合計量當作100質量份之情形，通常是0.1至50質量份，理想的是1至45質量份，較理想的是5至40質量份，更理想的是10至30質量份。
第1組成物是含有化合物(T)與螢光發光材料的組成物，並且，化合物(T)是基質材料的情形，由於本發明的發光元件之外部量子效率是更優良的，則螢光發光材料的含量，將化合物(T)與螢光發光材料的合計量當作100質量份之情形，理想的是0.01至50質量份，較理想的是0.1至20質量份，更理想的是0.5至5質量份。
螢光發光材料，可以使用單獨一種，也可以併用二種以上。
[抗氧化劑]
抗氧化劑，係可溶於與化合物(T)相同的溶媒，只要不阻礙發光以及電荷輸送的化合物即可，例如，可以列舉酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑。
第1組成物中，抗氧化劑的調配量，將化合物(T)當作100質量份的情形，通常是0.001至10質量份。
抗氧化劑，可以單獨使用一種，也可以併用二種以上。
[第1油墨]
含有化合物(T)，與溶媒的組成物(以下，也稱為「第1油墨」。)，係可以適合使用旋塗法、鑄模法、微凹版塗法、凹版塗法、棒塗布法、滾筒塗布法、線棒塗布法、浸漬塗布法、噴塗法、篩濾印刷法、軟版印刷法、膠版印刷法、油墨噴射印刷法、毛細管塗布法、噴嘴塗布法等塗布法。
第1油墨的黏度雖依照塗布法的種類而調整的話即可，但油墨噴射印刷法等的溶液經由吐出裝置而適用印刷法的情形，由於吐出時的不易產生堵塞與飛行偏差，故理想的是在25℃為1至20mPa‧s。
在第1油墨中含有的溶媒，理想的是可以將油墨中的固形分溶解或是均一分散的溶媒。作為溶媒者，例如，可以列舉1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯、o-二氯苯等氯系溶媒；四氫呋喃、二噁烷、苯甲醚、4-甲苯甲醚等醚系溶媒；甲苯、二甲苯、均三甲苯、乙苯、n-己苯、環己苯等芳香族烴系溶媒；環己烷、甲環己烷、n-戊烷、n-己烷、n-庚烷、n-辛烷、n-壬烷、n-癸烷、n-十二烷、雙環己烷等脂肪族烴系溶媒；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、苯基乙基酮等酮系溶媒；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸溶纖劑乙酸酯、安息香酸甲酯、乙酸苯基等的酯系溶媒； 乙二醇、甘油、1,2-己烷二醇等多元醇系溶媒；異丙醇、環己醇等醇系溶媒；二甲基亞碸等亞碸系溶媒；N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲醯胺等醯胺系溶媒。溶媒，可以單獨使用一種，也可以併用二種以上。
第1油墨中，溶媒的調配量，將化合物(T)當作100質量份的情形，通常是1000至100000質量份，理想的是2000至20000質量份。
<第2有機層>
第2有機層，係含有包含交聯結構單元之高分子化合物(以下，也稱為「第2有機層的高分子化合物」)的交聯物之層。
第2有機層的高分子化合物的交聯物，係將第2有機層的高分子化合物藉由上述的方法，可得到已交聯的狀態。
[第2有機層的高分子化合物]
第2有機層的高分子化合物之最低三重激發態的能級，由於本發明的發光元件之外部量子效率更優良，故理想的是2.30eV以上，較理想的是2.33eV以上，更理想的是2.40eV以上，特別理想的是2.46eV以上。
第2有機層的高分子化合物之最低三重激發態的能級，由於第2有機層的高分子化合物之安定性優良，故理想的是4.00eV以下，較理想的是3.50eV以下，更理想的是3.00eV以下，特別理想的是2.70eV以下，特別的是2.60eV以下。
由於本發明的發光元件之外部量子效率為優良的，且，第2有機層的高分子化合物之安定性優良，故第2有機層的高分子化合物之最低三重激發態的能級，理想的是2.30eV以上4.50eV以下，較理想的是2.33eV以上4.00eV以下，更理想的是2.40eV以上3.50eV以下，特別的是2.46eV以上3.00eV以下。
高分子化合物的最低三重激發態的能級，係由高分子化合物製作的膜，測定在此膜的77K中磷光發光光譜，得到的磷光發光光譜中，將最短波長的極大波峰波長，藉由換算成能量而可以求得。膜的厚度，通常是10nm至1μm。膜的形成方法，例如，可以列舉旋塗法以及滴下鑄模法等的塗布法，理想的是滴下鑄模法。
高分子化合物的最低三重激發態之能級的大小關係，係藉由計算科學的手法，可以比較。具體的，將各高分子化合物的最低三重激發態之能級，藉由計算科學的手法而算出，由得到的算出結果，可以比較大小的關係。
計算科學的手法中，使用作為量子化學計算程序的Gaussian 09，藉由B3LYP層級的密度汎函數理論方法，使單體單元的2量體之基底狀態構造成最適化，此時，作為基底函數，使用6-31G＊。於是，藉由B3LYP層級的時間依頼密度汎函數方法，算出高分子化合物的最低三重激發態之能級。但是，含有不能使用6-31G＊的原子之情形，對於此原子是使用LANL2DZ。高分子化合物為只有1種 單體單元而成的情形，算出在該單體單元的2量體中最低激發三重能量，作為該高分子化合物的最低激發三重能量。高分子化合物為2種以上的單體單元之情形，算出含莫耳比率在1%以上之單體單元的聚合上會產生得到的全部2量體中之最低激勵三重能量，其中將最小的值，當作該高分子化合物的最低激發三重能量。
第2有機層的高分子化合物，由於本發明的發光元件之外部量子效率是優良者，故以含有選自交聯基A群中至少1種的交聯基的交聯結構單元之高分子化合物為佳。
作為選自交聯基A群中之交聯基者，由於本發明的發光元件之外部量子效率是較優良，故理想的是以式(XL-1)至式(XL-4)、以式(XL-7)至式(XL-10)或是式以(XL-14)至式(XL-17)所示的交聯基，較理想的是以式(XL-1)、式(XL-3)、式(XL-9)、式(XL-10)、式(XL-16)或是以式(XL-17)所示的交聯基，更理想的是以式(XL-1)、式(XL-16)或是以式(XL-17)所示的交聯基，特別理想的是以式(XL-1)或是以式(XL-17)所示的交聯基，特別理想的是以式(XL-17)所示的交聯基。
作為選自交聯基A群之交聯基者，由於本發明的發光元件之外部量子效率更優良，且，由於第2有機層的高分子化合物之交聯性更優良，故理想的是以式(XL-2)至式(XL-4)、以式(XL-7)至式(XL-10)、以式(XL-14)、式(XL-15)或是式(XL-17)所示的交聯基，較理想 的是以式(XL-9)、式(XL-10)或是式(XL-17)所示的交聯基，特別理想的是以式(XL-17)所示的交聯基。
第2有機層的高分子化合物中含有，選自交聯基A群中至少一種的交聯基之結構單元者，雖然以式(2)所示的結構單元或是以式(2')所示的結構單元為佳，但也可以是下述所示的結構單元。
第2有機層的高分子化合物，係含有選自交聯基A群中至少1種的交聯基之結構單元2種以上之情形，有選自交聯基A群中至少1種的交聯基之結構單元的至少2種，係以交聯基為互相不同者為佳。作為互相不同的交聯基之組合者，係以式(XL-1)、式(XL-2)、式(XL-5)至式(XL-8)或是式(XL-14)至式(XL-16)所示的交聯基，與以式(XL-3)、式(XL-4)、式(XL-13)或是式(XL-17)所示的交聯基之組合為佳，以式(XL-1)或是式(XL-16)所示的交聯基，與以式(XL-17)所示的交聯基之組合為較佳，以式(XL-1)所示的交聯基，與以式(XL-17)所示的交聯基之組合為更理想。
‧式(2)所示的結構單元
nA，由於本發明的發光元件之外部量子效率是更優良，故理想的是0至3的整數，較理想的是0至2的整數，更理想的是1。
n，由於本發明的發光元件之外部量子效率是更優良，故理想的是2。
Ar3，由於本發明的發光元件之外部量子效率是優良的，故理想的是也可以有取代基芳香族烴基。
Ar3所示的芳香族烴基的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是6至60，理想的是6至30，較理想的是6至18。
除去Ar3所示的芳香族烴基之n個取代基之伸芳基部分的例子以及理想之範圍，係與ArY1所示的伸芳基的例子以及理想之範圍相同。
Ar3所示的雜環基之碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是2至60，理想的是3至30，較理想的是4至18。
除去Ar3所示雜環基之n個的取代基的2價雜環基部分之例子以及理想的範圍，係與ArY1所示的2價的雜環基之例子以及理想的範圍相同。
Ar3所示的基也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與ArY1所示的基也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
也可有取代基的Ar3所示的基進一步也可 有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的ArY1所示的基進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
LA所示的伸烷基的碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是1至20，理想的是1至15，較理想的是1至10。LA所示的伸環烷基之碳原子數，不含取代基的碳原子數時，通常是3至20。
LA所示的伸烷基以及伸環烷基，也可以有取代基，例如，可以列舉亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基、伸環己基、伸辛基，以及，此等基中氫原子經以烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、1價的雜環基、氟原子等所取代的基。
LA所示的伸芳基的例子以及理想之範圍，雖是與ArY1所示的伸芳基的例子以及理想之範圍相同，但本發明的發光元件之外部量子效率是更優良，故LA所示的伸芳基，理想的是伸苯基或是芴二基，較理想的是m-伸苯基、p-伸苯基、芴-2,7-二基、芴-9,9-二基，此等基進一步也可有取代基。
LA所示的2價雜環基之例子以及理想的範圍，係與ArY1所示的2價雜環基之例子以及理想的範圍相同。
LA，由於第2有機層的高分子化合物之製造變為容易，故理想的是伸芳基或是伸烷基，較理想的是伸苯基、芴二基或是伸烷基，更理想的是伸烷基，此等基 也可有取代基。
LA所示的基也可以有取代基，理想的是選自烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、1價的雜環基、取代胺基、氟原子、氰基或是交聯基A群中的交聯基，較理想的是選自烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、1價的雜環基或是交聯基A群之交聯基，更理想的是烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，特別理想的是烷基、環烷基或是芳基，此等基進一步也可有取代基。
也可有取代基的LA所示的基進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的ArY1所示的基進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
作為X所示的交聯基，由於本發明的發光元件之外部量子效率是更優良，故理想的是以式(XL-1)至式(XL-4)、式(XL-7)至式(XL-10)或是式(XL-14)至式(XL-17)所示的交聯基，較理想的是以式(XL-1)、式(XL-3)、式(XL-9)、式(XL-10)、式(XL-16)或是式(XL-17)所示的交聯基，更理想的是以式(XL-1)、式(XL-16)或是式(XL-17)所示的交聯基，特別理想的是以式(XL-1)或是式(XL-17)所示的交聯基，特別的是以式(XL-17)所示的交聯基。
作為X所示的交聯基，由於本發明的發光元件之外部量子效率為更優良，且，第2有機層的高分子化合物之交聯性為更優良，故理想的是以式(XL-2)至式(XL-4)、式(XL-7)至式(XL-10)、式(XL-14)，式(XL-15)或 是式(XL-17)所示的交聯基，較理想的是以式(XL-9)、式(XL-10)或是式(XL-17)所示的交聯基，特別理想的是以式(XL-17)所示的交聯基。
式(2)所示的結構單元，由於第2有機層的高分子化合物之安定性以及交聯性為優良，故相對於在第2有機層的高分子化合物所含的結構單元之合計量，理想的是0.5至80莫耳%，較理想的是3至65莫耳%，更理想的是5至50莫耳%。
式(2)所示的結構單元，在第2有機層的高分子化合物中，可只含有1種，也可含有2種以上。
第2有機層的高分子化合物，含有以式(2)所示的結構單元2種以上的情形，以式(2)所示的結構單元的至少2種，係以X所示的交聯基為互相不同者為佳。互相不同的X所示的交聯基之組合的理想範圍，係與前述的互相不同之交聯基組合的理想範圍相同。
‧式(2’)所示的結構單元
mA，由於本發明的發光元件之外部量子效率為優良，故理想的是0至3的整數，較理想的是0至2的整數，更理想的是0或是1，特別理想的是0。
m，由於本發明的發光元件之外部量子效率為更優良，故理想的是1或是2，較理想的是2。
c，由於第2有機層的高分子化合物之製造變得容易，且，本發明的發光元件之外部量子效率為更優良，故理想的是0。
Ar5，由於本發明的發光元件之外部量子效率為更優良，故理想的為也可有取代基的芳香族烴基。
除去Ar5所示芳香族烴基的m個取代基之伸芳基部分的定義以及例子，係與在式(X)中ArX2所示的伸芳基之定義以及例子相同。
除去Ar5所示雜環基的m個取代基之2價雜環基部分的定義以及例子，係與在式(X)中ArX2所示的2價雜環基部分之定義以及例子相同。
除去在Ar5所示的至少1種芳香族烴環與至少1種雜環為直接結合的基之m個取代基的2價基之定義以及例子，係在式(X)中與ArX2所示的至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基為直接結合的2價基之定義以及例子相同。
Ar4以及Ar6，由於本發明的發光元件之外部量子效率為更優良，故理想的是也可以有取代基的伸芳基。
Ar4以及Ar6所示的伸芳基之定義以及例子，係與式(X)中ArX1以及ArX3所示的伸芳基之定義以及例子相同。
Ar4以及Ar6所示的2價雜環基之定義以及例子，係與式(X)中，ArX1以及ArX3所示的2價雜環基之定義以及例子相同。
Ar4、Ar5以及Ar6所示的基也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與ArY1所示的基也可有取代基的 例子以及理想之範圍相同。也可有取代基的Ar4、Ar5以及Ar6所示的基進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的ArY1所示的基進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
KA所示的伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基的定義以及例，係各自，與LA所示的伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基之定義以及例子相同。
KA，由於第2有機層的高分子化合物之製造會變得容易，故理想的是伸芳基或是伸烷基，較理想的是伸苯基、芴二基或是伸烷基，更理想的是伸苯基或是亞甲基，此等基也可有取代基。
KA所示的基為也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與LA所示的基為也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
也可有取代基的KA所示的基進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍，係與也可有取代基的ArY1所示的基進一步也可有取代基的例子以及理想之範圍相同。
X’所示的交聯基之定義以及例子，係與前述的X所示的交聯基之定義以及例子相同。
式(2’)所示的結構單元，由於第2有機層的高分子化合物之安定性為優良，且，第2有機層的高分子化合物之交聯性為優良，故相對於在第2有機層的高分子化合物中含有的結構單元之合計量，理想的是0.5至50莫 耳%，較理想的是3至30莫耳%，更理想的是5至20莫耳%。
式(2’)所示的結構單元，在第2有機層的高分子化合物中，可只含有1種，也可含有2種以上。
第2有機層的高分子化合物，係式(2’)所示的結構單元含有2種以上的情形，以式(2’)所示的結構單元的至少2種，係以X’所示的交聯基為互相不同為佳。互相不同的X’所示之交聯基組合的理想範圍，係與前述的互相不同交聯基的組合之理想範圍相同。
‧式(2)或是(2')所示的結構單元之理想態樣
作為式(2)所示的結構單元，例如，可以列舉以式(2-1)至式(2-30)所示的結構單元，作為以式(2’)所示的結構單元者，例如，可以列舉以式(2’-1)至式(2’-9)所示的結構單元。此等之中，由於第2有機層的高分子化合物之交聯性為優良，故理想的是以式(2-1)至式(2-30)所示的結構單元，較理想的是以式(2-1)至式(2-15)、以式(2-19)、式(2-20)、式(2-23)、式(2-25)或是式(2-30)所示的結構單元，更理想的是以式(2-1)至式(2-9)或是式(2-30)所示的結構單元。
‧其他的結構單元
第2有機層的高分子化合物，由於電洞輸送性為優良，並且是以含有式(X)所示的結構單元為佳。又，第2有機層的高分子化合物，由於本發明的發光元件之外部量子效率為更優良，並且是以含有式(Y)所示的結構單元為佳。
第2有機層的高分子化合物，由於電洞輸送性為優良，且，本發明的發光元件之外部量子效率為更優良，故以含有式(X)所示的結構單元以及式(Y)所示的結構單元為佳。
第2有機層的高分子化合物也可含有以式(X)所示的結構單元之定義以及例子，係與前述的高分子基 質也可含有以式(X)所示的結構單元之定義以及例子相同。
第2有機層的高分子化合物是含有以式(X)所示的結構單元之情形，由於第2有機層的高分子化合物之最低三重激發態的能級變高，故ArX1以及ArX3之中的至少1個是以式(X-1-1’)、式(X-1-1”)、式(X-1-2’)、式(X-1-2”)或是以式(X-2-1)至式(X-2-4)所示的基為佳，以式(X-1-1’)、式(X-1-1”)、式(X-1-2’)、式(X-2-2)或是以式(X-2-3)所示的基為較佳，以式(X-1-1’)、式(X-1-1”)或是式(X-1-2’)所示的基為更佳，以式(X-1-1”)所示的基為特別理想。
第2有機層的高分子化合物含有以式(X)所示的結構單元之情形，由於第2有機層的高分子化合物之最低三重激發態的能級變得更高，故ArX1以及ArX3，係以式(X-1-1’)、式(X-1-1”)、式(X-1-2’)、式(X-1-2”)或是式(X-2-1)至式(X-2-4)所示的基為佳，以式(X-1-1’)、式(X-1-1”)、式(X-1-2’)、式(X-2-2)或是式(X-2-3)所示的基為較佳，以式(X-1-1’)、式(X-1-1”)或是式(X-1-2’)所示的基為更佳，以式(X-1-1”)所示的基為特別理想。
[式中，RY1、RY11以及XY1是表示與前述相同的意思。]
第2有機層的高分子化合物也可含有以式(Y)所示的結構單元的定義以及例子，係與前述的高分子基質也可含有以式(Y)所示的結構單元之定義以及例子相同。
第2有機層的高分子化合物是含有以式(Y)所示的結構單元之情形，由於第2有機層的高分子化合物之最低三重激發態的能級會變得更高，故以含有式(Y-1-1)、以式(Y-1-2)、式(Y-2-1)至(Y-2-4)或是以式(Y-Y3-1)至式(Y-Y3-4)所示的結構單元為佳，含有以式(Y-1-1’)、式(Y-1-1”)、式(Y-1-2’)、式(Y-1-2”)、式(Y-2-2)、式(Y-2-3)或是以式(Y-Y3-1)至式(Y-Y3-3)所示的結構單元為較佳，以含有式(Y-1-1’)、式(Y-1-1”)、式(Y-1-2’)、式(Y-2-3)或是式(Y-Y3-1)為更佳，以含有式(Y-1-1’)為特別理想。
第2有機層的高分子化合物是含有以式(Y)所示的結構單元之情形，由於第2有機層的高分子化合物之最低三重激發態的能級會變高，並且，第2有機層的高分子化合物之電洞輸送性為更優良，故以含有式(Y-8)至式(Y-10)的任何一個所示的結構單元為佳，以含有式(Y-10)所示的結構單元為更理想。
式(X)所示的結構單元，在第2有機層的高分子化合物中，可只含有1種，也可含有2種以上。式(Y) 所示的結構單元，在第2有機層的高分子化合物中，可只含有1種，也可含有2種以上。
第2有機層的高分子化合物是含有式(X)所示的結構單元之情形，式(X)所示的結構單元，由於電洞輸送性優良，故相對於在第2有機層的高分子化合物中含有之結構單元的合計量，理想的是0.1至90莫耳%，較理想的是1至70莫耳%，更理想的是10至50莫耳%。
第2有機層的高分子化合物是含有以式(Y)所示的結構單元，且，ArY1是伸芳基的結構單元之情形，由於本發明的發光元件之外部量子效率為更優良，故相對於第2有機層的高分子化合物中含有的結構單元的合計量，理想的是0.5至90莫耳%，較理想的是30至60莫耳%。
第2有機層的高分子化合物是含有以式(Y)所示的結構單元，且，ArY1是2價的雜環基，或是，至少1種的伸芳基與至少1種的2價的雜環基為直接結合的2價基的結構單元之情形，由於第2有機層的高分子化合物之電荷輸送性優良，故相對於在第2有機層的高分子化合物中含有的結構單元之合計量，理想的是0.1至90莫耳%，較理想的是1至70莫耳%，更理想的是10至50莫耳%。
作為第2有機層的高分子化合物者，例如，可以列舉高分子化合物P-7至P-14。在此，「其他的結構單元」是指，以式(2)、式(2’)、式(X)以及式(Y)所示結構 單元之外的結構單元。
[表中，p’、q’、r’、s’以及t’，係表示各結構單元的莫耳比率。p’+q’+r’+s’+t’100，並且，70≦p’+q’+r’+s’≦100。]
第2有機層的高分子化合物，可以是嵌段共聚物、無規共聚合物、交替共聚合物、接枝共聚合物的任何一種，也可以是其他的態樣，但以將複數種的原料單體共聚合之共聚合物為佳。
第2有機層的高分子化合物之聚苯乙烯換算數平均分子量，理想的是5×103至1×106，較理想的是1×104至5×105，更理想的是1.5×104至1×105。
[第2有機層的高分子化合物之製造方法]
第2有機層的高分子化合物，係以與前述高分子基質之製造方法相同的方法就可以製造。
[第2組成物]
第2有機層，可以是含有第2有機層的高分子化合物之交聯體，與由電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、發光材料以及抗氧化劑所成群組選擇至少1種的材料之組成物(以下，也稱為「第2組成物」。)的層。
在第2組成物中含有的電洞輸送材料、電子輸送材料、電洞注入材料以及電子注入材料的例子以及理想之範圍，係與在第1組成物中含有的電洞輸送材料、電子輸送材料、電洞注入材料以及電子注入材料的例子以及理想之範圍相同。
作為在第2組成物中含有發光材料，例如，可以列舉第1組成物也可含有的螢光發光材料，以及，將銥、白金或是銪作為中心金屬的磷光發光性金屬錯體。發光材料，可以使用單獨一種，也可以併用二種以上。
在第2組成物中，電洞輸送材料、電子輸送材料、電洞注入材料、電子注入材料以及發光材料的調配量，分別是將第2有機層的高分子化合物之交聯體當作100質量份的情形，通常是1至400質量份，理想的是5至150質量份。
在第2組成物中含有抗氧化劑的例子以及理想之範圍，係與第1組成物中含有抗氧化劑的例子以及 理想之範圍相同。在第2組成物中，抗氧化劑的調配量，係將第2有機層的高分子化合物之交聯體當作100質量份的情形，通常是0.001至10質量份。
含有第2有機層的高分子化合物，與溶媒的組成物(以下，也稱為「第2油墨」。)，係可以適用在第1油墨項中說明的濕式法。第2油墨的黏度之理想範圍，係與第1油墨的黏度之理想範圍相同。在第2油墨中含有的溶媒之例子以及理想之範圍，係與第1油墨中含有的溶媒之例子以及理想之範圍相同。
在第2油墨中，溶媒的調配量，係將第2有機層的高分子化合物當作100質量份之情形，通常是1000至100000質量份，理想的是2000至20000質量份。
<發光元件的層構成>
本發明的發光元件，也可以有陽極、陰極、第1有機層以及第2有機層之外的層。
本發明的發光元件中，第1有機層，通常是發光層(以下，稱為「第1發光層」)。
在本發明的發光元件中，第2有機層，通常是電洞輸送層、第2發光層或是電子輸送層，理想的是電洞輸送層或是第2發光層，較理想的是電洞輸送層。
在本發明的發光元件中，第1有機層與第2有機層，由於本發明的發光元件之外部量子效率為更優良，故以鄰接為佳。
本發明的發光元件中，第2有機層，由於本發明的發 光元件之外部量子效率為更優良，故以在陽極以及第1有機層之間設置的層為佳，在陽極以及第1有機層之間，設置電洞輸送層或是第2發光層為較佳，在陽極以及第1有機層之間，設置電洞輸送層為更理想。
本發明的發光元件的第1有機層中，化合物(T)，可單獨含有1種，也可含有2種以上。本發明的發光元件之第2有機層中，第2有機層的高分子化合物的交聯體，可單獨含有1種，也可含有2種以上。
本發明的發光元件中，第2有機層是在陽極以及第1有機層之間設置的電洞輸送層的情形，由於本發明的發光元件之外部量子效率為更優良，故在陽極與第2有機層之間，以進一步有電洞注入層為佳。第2有機層是在陽極以及第1有機層之間設置的電洞輸送層的情形，由於本發明的發光元件之外部量子效率會更優良，故在陰極與第1有機層之間，進一步，以有電子注入層以及電子輸送層之中的至少1層為佳。
本發明的發光元件中，第2有機層是在陽極以及第1有機層之間設置的第2發光層的情形，由於本發明的發光元件之外部量子效率更優良，在陽極與第2有機層之間，進一步以設有電洞注入層以及電洞輸送層之中的至少1層為佳。第2有機層是在陽極以及第1有機層之間設置的第2發光層的情形，由於本發明的發光元件之外部量子效率更優良，故在陰極與第1有機層之間，進一步，以有電子注入層以及電子輸送層之中的至少1層為佳。
本發明的發光元件中，第2有機層是在陰極以及第1有機層之間設置的第2發光層的情形，由於本發明的發光元件之外部量子效率更優良，故在陽極與第1有機層之間，進一步，以有電洞注入層以及電洞輸送層之中的至少1層為佳。第2有機層是在陰極以及第1有機層之間設置的第2發光層的情形，由於本發明的發光元件之外部量子效率更優良，在陰極與第2有機層之間，進一步以有電子注入層以及電子輸送層之中的至少1層為佳。
本發明的發光元件中，第2有機層是在陰極以及第1有機層之間設置的電子輸送層的情形，由於本發明的發光元件之外部量子效率更優良，故在陽極與第1有機層之間，進一步，以有電洞注入層以及電洞輸送層之中的至少1層為佳。第2有機層是在陰極以及第1有機層之間設置的電子輸送層的情形，由於本發明的發光元件之外部量子效率更優良，故在陰極與第2有機層之間，進一步，以有電子注入層為佳。
作為本發明的發光元件的具體層結構，例如，可以列舉(D1)至(D15)所示的層結構。本發明的發光元件，通常有基板，但在基板上也可以積層陽極，在基板上也可以積層陰極。
(D1)陽極/第2發光層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/陰極
(D2)陽極/電洞輸送層(第2有機層)/第1發光層(第1 有機層)/陰極
(D3)陽極/電洞注入層/第2發光層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/陰極
(D4)陽極/電洞注入層/第2發光層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/電子輸送層/陰極
(D5)陽極/電洞注入層/第2發光層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/電子注入層/陰極
(D6)陽極/電洞注入層/第2發光層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/電子輸送層/電子注入層/陰極
(D7)陽極/電洞注入層/電洞輸送層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/陰極
(D8)陽極/電洞注入層/電洞輸送層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/電子輸送層/陰極
(D9)陽極/電洞注入層/電洞輸送層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/電子注入層/陰極
(D10)陽極/電洞注入層/電洞輸送層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/電子輸送層/電子注入層/陰極
(D11)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/第2發光層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/電子輸送層/電子注入層/陰極
(D12)陽極/電洞注入層/電洞輸送層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/第2發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(D13)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/第1發光層(第1 有機層)/第2發光層(第2有機層)/電子輸送層/電子注入層/陰極
(D14)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/第1發光層(第1有機層)/電子輸送層(第2有機層)/電子注入層/陰極
(D15)陽極/電洞注入層/電洞輸送層(第2有機層)/第2發光層/第1發光層(第1有機層)/電子輸送層/電子注入層/陰極
(D1)至(D15)中，「/」，係表示在其前後的層為鄰接並積層的意思。具體的，「第2發光層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)」是指第2發光層(第2有機層)與第1發光層(第1有機層)是鄰接並積層的意思。
由於本發明的發光元件之外部量子效率更優良，故以(D3)至(D12)所示的層結構為佳，以(D7)至(D10)所示的層結構為更佳。
本發明的發光元件中，陽極、電洞注入層、電洞輸送層、第2發光層、電子輸送層、電子注入層以及陰極，係各自，因應必要，也可以設置2層以上。
陽極、電洞注入層、電洞輸送層、第2發光層、電子輸送層、電子注入層以及陰極是複數存在的情形，此等各自可相同也可相異。
陽極、電洞注入層、電洞輸送層、第1發光層、第2發光層、電子輸送層、電子注入層以及陰極的厚度，通常是1nm至1μm，理想的是2nm至500nm，更理想的是5nm至150nm。
本發明的發光元件中，積層的層順序、數，以及厚度，只要勘查發光元件的發光效率、驅動電壓以及元件壽命就可以調整。
[第2發光層]
第2發光層，通常是含有第2有機層或是發光材料之層，理想的是含有發光材料之層。第2發光層是含有發光材料之層的情形，作為在第2發光層中含有的發光材料者，例如，可以列舉前述的第2組成物也可含有發光材料。第2發光層中含有的發光材料，可單獨含有1種，也可以含有2種以上。
本發明的發光元件有第2發光層，且，後述的電洞輸送層以及後述的電子輸送層是沒有第2有機層的情形，第2發光層是以第2有機層為佳。
[電洞輸送層]
電洞輸送層，通常是含有第2有機層或是電洞輸送材料之層，理想的是第2有機層。電洞輸送層含有電洞輸送材料之層的情形，作為電洞輸送材料，例如，可以列舉前述的第1組成物也可含有的電洞輸送材料。在電洞輸送層中含有的電洞輸送材料，可單獨含有1種，也可含有2種以上。
本發明的發光元件有電洞輸送層，並且，前述的第2發光層以及後述的電子輸送層是無第2有機層的情形，以電洞輸送層為第2有機層為佳。
[電子輸送層]
電子輸送層，通常是含有第2有機層或是電子輸送材料之層，理想的是，含有電子輸送材料之層。電子輸送層是含有電子輸送材料之層的情形，作為在電子輸送層所含有的電子輸送材料，例如，可以列舉前述的第1組成物也可含有的電子輸送材料。在電子輸送層所含有的電子輸送材料，可單獨含有1種，也可含有2種以上。
本發明的發光元件是有電子輸送層，並且，前述的第2發光層以及前述電洞輸送層是沒有第2有機層的情形，以電子輸送層為第2有機層為佳。
[電洞注入層以及電子注入層]
電洞注入層，係含有電洞注入材料之層。作為在電洞注入層中所含有的電洞注入材料者，例如，可以列舉前述的第1組成物也可含有的電洞注入材料。在電洞注入層所含有的電洞注入材料，可單獨含有1種，也可含有2種以上。
電子注入層，係含有電子注入材料之層。作為在電子注入層中所含有的電子注入材料，例如，可以列舉前述的第1組成物也可含有的電子注入材料。在電子注入層中所含有的電子注入材料，可單獨含有1種，也可含有2種以上。
[基板/電極]
在發光元件中基板是可以形成電極，並且，在形成有機層之際，只要沒有起化學性變化的基板就可以，例如，可以由玻璃、塑膠、矽等材料而成基板。在使用不透明的 基板之情形中，由基板到最遠的電極是透明或是半透明為佳。
作為陽極的材料，例如，可以列舉導電性的金屬氧化物、半透明的金屬，理想的是氧化銦、氧化鋅、氧化錫；銦‧錫‧氧化物(ITO)、銦‧鋅‧氧化物等導電性化合物；銀與鈀與銅的複合體(APC)；NESA、金、鉑、銀、銅。
作為陰極的材料，例如，可以列舉鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鋅、銦等金屬；此等之中2種以上的合金；此等之中1種以上，與銀、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫之中1種以上的合金；以及，石墨以及石墨層間化合物。作為合金，例如，可以列舉鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金。
本發明的發光元件中，陽極以及陰極的至少一方，通常雖是透明或是半透明，但陽極是以透明或是半透明為佳。
作為陽極以及陰極的形成方法，例如，可以列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法、鍍覆法以及層壓法。
[發光元件的製造方法]
本發明的發光元件中，作為第1發光層、第2發光層、電洞輸送層、電子輸送層、電洞注入層、電子注入層等各層形成方法，使用低分子化合物的情形，例如，可以列舉由粉末的真空蒸鍍法、藉由溶液或是熔融狀態的成膜方 法。使用高分子化合物的情形，例如，可以列舉藉由溶液或是熔融狀態的成膜方法。
第1發光層、第2發光層、電洞輸送層、電子輸送層、電洞注入層以及電子注入層，係使用各自含有第1油墨、第2油墨、以及，上述的發光材料、電洞輸送材料、電子輸送材料、電洞注入材料以及電子注入材料之油墨，藉由旋塗法、噴墨印刷法等塗布法而可以形成。
[發光元件的用途]
在為了使用發光元件而可以得到面狀的發光中，只要面狀的陽極與陰極是以試圖重疊般配置即可。在為了得到圖案狀的發光，有在面狀的發光元件之表面設置圖案狀開口的遮罩之方法，將想要作成非發光部之層以形成厚度非常大而實質上作成非發光的方法，將陽極或是陰極、或是兩方的電極形成圖案狀的方法。以此等的任何的方法形成圖案，藉由將幾個的電極以可獨立地ON/OFF之方式而配置，得到可以顯示數字、文字等區段型的顯示裝置。在為了作成點矩陣顯示裝置，只要將陽極與陰極共同形成條紋狀且以成垂直方式配置即可。將複數種類的發光色差異之高分子化合物分別塗布的方法，藉由使用彩色濾光片或是螢光變換濾光片的方法，可能成為部分彩色顯示、多色顯示。點矩陣顯示裝置，可能是被動驅動，與TFT等組合也可能是主動驅動。此等顯示裝置，可以在電腦、電視、行動終端等顯示器中使用。面狀的發光元件是可以作為液晶顯示裝置的背光用的面狀光源，或是，作為面狀的照明 用光源而適當利用。若使用可撓性基板的話，也可以作為曲面狀的光源以及顯示裝置來使用。
[實施例]
以下，藉由實施例進一步詳細地說明本發明，但本發明是不侷限於此等的實施例者。
在實施例中，高分子化合物的聚苯乙烯換算的數平均分子量(Mn)以及聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)，係在移動相中使用四氫呋喃，藉由尺寸排除色層分析法(SEC；Size-exclusion chromatography)而求得。又，SEC的各測定條件，係如下所述。
將測定的高分子化合物以四氫呋喃溶解成為約0.05質量%的濃度，在SEC中注入10μL。移動相，係以2.0mL/分鐘的流量流動。作為管柱，係使用PLgel MIXED-B(Polymer laboratories製)。在檢出器是使用UV-VIS檢出器(島津製作所製，商品名：SPD-10Avp)。
LC-MS是以下述的方法測定。
將測定試料以成為約2mg/mL的濃度方式以氯仿或是四氫呋喃溶解，在LC-MS(Agilent公司製，商品名：1100LCMSD)中注入約1μL。在LC-MS的移動相中，係使用一面變化乙腈以及四氫呋喃的比率，一面以0.2mL/分鐘的流量流動。管柱是使用L-管柱2 ODS(3μm)(化學物質評估研究機構製，內徑：2.1mm，長度：100mm，粒徑3μm)。
NMR是以下述的方法測定。
將5至10mg的測定試料溶解到約0.5mL的重氯仿 (CDCl3)、重四氫呋喃、重二甲亞碸、重丙酮、重N,N-二甲基甲醯胺、重甲苯、重甲醇、重乙醇、重2-丙醇或是重二氯甲烷，使用NMR裝置(Agilent製，商品名：INOVA 300或是MERCURY 400 VX)來測定。
作為化合物的純度指標者，係使用高速液體層析分析法(HPLC)面積百分率的值。此值若無特別記載的話則不受限，作為在HPLC(島津製作所製，商品名：LC-20A)中的UV=254nm之值。此時，測定的化合物，係以成為0.01至0.2質量%的濃度方式溶解到四氫呋喃或是氯仿中，因應濃度在HPLC中注入1至10μL。HPLC的移動相中，一面使用變更乙腈/四氫呋喃的比率自100/0至0/100(容積比)為止，一面以1.0mL/分鐘的流量而流動。管柱，係使用Kaseisorb LC ODS 2000(東京化成工業製)或是有同等性能的ODS管柱。檢出器中，使用光電二極管列陣檢出器(島津製作所製，商品名：SPD-M20A)。
化合物的△EST以及振動器強度值的算出，係藉由B3LYP水準的密度汎函數方法，使化合物的基底狀態構造最適化，此時，作為基底函數，係使用6-31G＊。於是，使用作為量子化學計算程序的Gaussian 09，藉由B3LYP水準的時間依頼密度汎函數方法，算出化合物的△EST以及振動器強度。
高分子化合物的最低三重激發態之能級，係藉由在高分子化合物的77K中的磷光發光光譜來測定而求得。
具體的，將高分子化合物，在二甲苯中，溶解成3.0質量%的濃度。使用得到的二甲苯溶液，在玻璃基板上用滴鑄模法而使成膜後，於室溫進行真空乾燥，形成高分子化合物的膜。將形成高分子化合物膜的玻璃基板，投入於氧濃度未達5ppm的氮環境玻璃管中之後，將玻璃管封管。將封管的玻璃管，於液態氮下冷却到77K，作為測定試料。得到的測定試料中照射激發光(激發波長：325nm)，測定高分子化合物的磷光發光光譜。在得的高分子化合物的磷光發光光譜中，將最短波長的極大波峰波長換算成能量之值，將其當作高分子化合物的最低三重激發態之能級。
高分子化合物的磷光發光光譜之測定中，使用旋轉式的光學截波器。在激發光源中使用He-Cd雷射(金門光波公司製)。檢出器是使用濱松光子學公司(Hamamatsu Photonics K.K)製多頻分光器(商品名：PMA-12)。
<合成例T1以及T2>化合物T1以及T2的合成
化合物T1是依照在國際專利公開第2010/136109號中記載的方法而合成。
化合物T2是依照在國際專利公開第2007/063754號中記載的方法而合成。
化合物T1的△EST以及振動器強度，分別是0.1295eV以及0.0011。
化合物T2的△EST以及振動器強度，分別是0.1072eV以及0.0062。
<合成例T3>化合物T3的合成
(化合物T3-3的合成)
將反應容器內作成氬氣環境之後，加入化合物T3-1(2.5g)、化合物T3-2(2.8g)、參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(0.25g)、三-三級-丁基鏻四氟硼酸鹽(0.13g)、鈉-三級-丁醇(1.3g)以及甲苯(75mL)，室溫攪拌1小時。之後，對此加入己烷以及矽膠，於50℃攪拌後，以敷有矽膠的過濾器過濾。得到的濾液藉由減壓濃縮得到固體。得到的固體，以矽膠管柱層析分析法(己烷以及甲苯的混合溶媒)精製之後，在50℃藉由減壓乾燥，得到化合物T3-3的粗精製物(3.1g，茶色油)。得到的粗精製物中，加入己烷以及活性碳，於室溫攪拌之後，減壓過濾。得到的濾液藉由減壓濃縮，可以得到化合物T3-3(2.7g，黃色固體)。化合物T3-3的HPLC面積百分率值是98.5%。
1H-NMR(CDCl3,400MHz)：δ(ppm)=8.20-8.11(m,2H),7.74-6.85(m,26H),2.50-2.30(m,7H),1.53-0.82(m,22H).
(化合物T3-4的合成)
將反應容器內作成氮氣環境之後，加入化合物T3-3(2.6g)、四氫呋喃(26mL)、二甲基亞碸(16mL)以及33質量%氫氧化鉀水溶液(5.4g)，回流下攪拌6.5小時。將得到的混合物冷却到室溫為止後，使用離子交換水以及甲苯的混合液進行萃取，進一步，以離子交換水洗浄已得到的有機層。得到的有機層以無水硫酸鈉乾燥之後，過濾，得到的濾液藉由減壓濃縮而得到粗精製物。得到的粗精製物以矽膠管柱層析分析法(己烷以及甲苯的混合溶媒)精製後，於50℃藉由減壓乾燥，可得到化合物T3-4(2.1g，茶色油)。化合物T3-4的HPLC面積百分率值是97.6%。
(化合物T3的合成)
將反應容器內作成氮氣環境之後，加入化合物T3-4(2.1g)、化合物T3-5(1.3g)、乙酸鈀(0.071g)、三-三級-丁基鏻四氟硼酸鹽(0.096g)以及二甲苯(84mL)。之後，對此，加入鈉-三級-丁醇(0.76g)，於100℃攪拌1小時。將得到的混合物冷却到室溫為止後，加入己烷以及矽膠，於室溫攪拌之後，以敷有矽膠之濾過器過濾。將得到的濾液藉由減壓濃縮得到粗精製物。將得到的粗精製物，以己烷以及乙醇的混合溶媒藉由晶析而得到固體。將得到的固體以矽膠管柱層析分析法(己烷以及甲苯的混合溶媒)精製，進一步，以甲苯、乙酸乙酯以及乙腈的混合溶媒晶析。得到的固體在50℃藉由減壓乾燥，得到化合物T3(1.2g，黃色固體)。化合物T3的HPLC面積百分率值是99.5%以上。
LC-MS(APCI,positive)：m/z=977.5[M+H]+
1H-NMR(CDCl3,400MHz)：δ(ppm)=9.06-8.98(m,2H),8.82-8.80(m,4H),7.90-6.80(m,32H),2.54-2.43(m,4H),1.53-1.49(m,4H),1.25(m,12H),0.85-0.83(m,6H).
化合物T3的△EST以及振動器強度，分別是0.1088eV以及0.1848。
<化合物T4至T12>化合物T4至T12的合成或是取得
化合物T4、T5、T6、T7以及T10，係由Luminescense Technology公司購得。
化合物T8是依照在國際專利公開第2008/056746號中記載的方法而合成。
化合物T9是依照在國際專利公開第2006/114966號中記載的方法而合成。
化合物T11是依照在國際專利公開第2015/102118號中記載的方法而合成。
化合物T12是依照在日本專利特開2010-254676號公報中記載的方法而合成。
化合物T4的△EST以及振動器強度分別是0.1563eV以及0.0069。
化合物T5的△EST以及振動器強度分別是0.0265eV以及0.0323。
化合物T6的△EST以及振動器強度分別是0.0065eV以及0。
化合物T7的△EST以及振動器強度分別是0.1185eV以及0.0574。
化合物T8的△EST以及振動器強度分別是0.0659eV以及0.0007。
化合物T9的△EST以及振動器強度分別是0.3215eV以及0.0448。
化合物T10的△EST以及振動器強度分別是0.0102eV以及0。
化合物T11的△EST以及振動器強度分別是0.4464eV以及0.4672。
化合物T12的△EST以及振動器強度分別是0.5762eV以及0.3640。
<化合物HM-1以及E1>化合物HM-1以及其之合成或是取得
化合物E1是依照在國際專利公開第2007/058368號中記載的方法而合成。
化合物HM-1是由Luminescense Technology公司購得。
化合物HM-1的△EST以及振動器強度分別是0.2966eV以及0.0082。
化合物E1的△EST以及振動器強度分別是0.7881eV以及0.1353。
<合成例M>化合物M1至M25的合成
化合物M1以及化合物M3，係依照在日本專利特開 2010-189630號公報中記載的方法而合成。
化合物M2，係依照在國際專利公報第2012/086671號中記載的方法而合成。
化合物M4、化合物M5、化合物M20以及化合物M21，係依照在國際專利公開第2013/191088號中記載的方法而合成。
化合物M6以及化合物M7，係依照在國際專利公開第2002/045184號中記載的方法而合成。
化合物M8，係依照在國際專利公開第2011/049241號中記載的方法而合成。化合物M9以及化合物M10，係依照在國際公開第2013/146806號中記載的方法而合成。
化合物M11，係依照在國際專利公開第2005/049546號中記載的方法而合成。
化合物M12，係依照在國際專利公開第2015/145871號中記載的方法而合成。
化合物M13，係依照在日本專利特開2010-215886號公報中記載的方法中而合成。
化合物M14，係依照在日本專利特開2008-106241號公報中記載的方法而合成。
化合物M15，係依照在日本專利特開2010-215886號公報中記載的方法而合成。
化合物M16以及化合物M24，係依照在國際專利公開第2016/031639號中記載的方法而合成。
化合物M17以及化合物M19，係依照在日本專利特開 2011-174062號公報中記載的方法而合成。
化合物M18、化合物M22以及化合物M23，係依照在國際專利公開第2016/031639號中記載的方法而合成。
化合物M25，係依照在國際專利公開第2002/045184號中記載的方法而合成。
<合成例HP1>高分子化合物HP-1的合成
高分子化合物HP-1，係使用化合物M1、化合物M2以及化合物M3，依照在日本專利特開2012-036388號公報中記載的方法而合成。高分子化合物HP-1的Mn是9.6×104，Mw是2.2×105。
高分子化合物HP-1，由放入原料的量求得理論值，係由化合物M1所衍生的結構單元，與由化合物M2所衍生的結構單元，與由化合物M3所衍生的結構單元，以50：40：10的莫耳比而構成的共聚合物。
<合成例HP2>高分子化合物HP-2的合成
高分子化合物HP-2是使用化合物M1、化合物M4以及化合物M5，依照在國際專利公開第2015/008851號中記載的方法而合成。高分子化合物HP-2的Mn是8.5×104，Mw是2.2×105。
高分子化合物HP-2，係由放入原料的量求得理論值，由化合物M1所衍生的結構單元，與由化合物M4所衍生的結構單元，與由化合物M5所衍生的結構單元，以0：26：24的莫耳比所構成之共聚合物。
<合成例HTL1>高分子化合物HTL-1的合成
高分子化合物HTL-1，係使用化合物M6以及化合物M7，依照在日本專利特開2012-36381號公報中記載的方法而合成。高分子化合物HTL-1的聚苯乙烯換算的數平均分子量，以及重量平均分子量分別是Mn=8.1×104以及Mw =3.4×105。
高分子化合物HTL-1，係由放入原料的量求得理論值，由化合物M6所衍生的結構單元，與由化合物M7所衍生的結構單元，以50：50的莫耳比所構成之共聚合物。高分子化合物HTL-1的最低三重激發態之能級是2.16eV。
<合成例HTL2>高分子化合物HTL-2的合成
高分子化合物HTL-2，係使用化合物M19、化合物M11、化合物M25以及化合物M15，依照在日本專利特開2012-144722號公報中記載的方法而合成。高分子化合物HTL-2的Mn是5.0×104，Mw是2.5×105。
高分子化合物HTL-2，係由放入原料的量求得理論值，係由化合物M19所衍生的結構單元，與由化合物M11所衍生的結構單元，與由化合物M25所衍生的結構單元，與由化合物M15所衍生的結構單元，以50：30：12.5：7.5的莫耳比所構成之共聚合物。
高分子化合物HTL-2的最低三重激發態之能級，係2.16eV。
<合成例HTL3>高分子化合物HTL-3的合成
高分子化合物HTL-3，係使用化合物M1以及化合物M11，依照在國際專利公開第2015/194448號中記載的方法而合成。高分子化合物HTL-3的聚苯乙烯換算的數平均分子量以及重量平均分子量分別是Mn=4.5×104以及Mw =1.5×105。
高分子化合物HTL-3，係由放入原料的量求得理論值，由化合物M1所衍生的結構單元，與由化合物M11所衍生的結構單元，以50：50的莫耳比所構成之共聚合物。高分子化合物HTL-3的最低三重激發態之能級，係2.33eV。
<合成例HTL4>高分子化合物HTL-4的合成
高分子化合物HTL-4，係使用化合物M1、化合物M11以及化合物M8，依照在國際專利公開第2013/146806號中記載的方法而合成。高分子化合物HTL-4的Mn是1.9×104，Mw是9.9×104。
高分子化合物HTL-4，係由放入原料的量求得理論值，由化合物M1所衍生的結構單元，與由化合物M11所衍生的結構單元，與由化合物M8所衍生的結構單元，以50：42.5：7.5的莫耳比所構成之共聚合物。
高分子化合物HTL-4的最低三重激發態之能級，係2.33eV。
<合成例HTL5>高分子化合物HTL-5的合成
(步驟1)將反應容器內作成惰性氣體環境之後，加入化合物M9(1.07g)、化合物M10(0.198g)、化合物M7(0.919g)、二氯雙〔參(2-甲氧苯基)膦〕鈀(1.8mg)以及甲苯(50mL)，加熱到100℃。
(步驟2)在得到的反應液中，滴下20質量%四乙基氫氧化銨水溶液(8.7mL)，回流6小時。
(步驟3)之後，對此，加入2-乙基苯基硼酸(60.0mg)、20質量%四乙基氫氧化銨水溶液(8.7mL)以及二氯雙〔參(2-甲氧基苯基)膦〕鈀(1.8mg)，回流16小時。
(步驟4)之後，對此，加入二乙基二硫代胺基甲酸鈉水溶液，在80℃攪拌2小時。將得到的反應液冷却後，以3.6質量%鹽酸洗浄2次，以2.5質量%氨水溶液洗淨2次，以水洗淨6次，將得到的溶液滴下到甲醇時，產生沈澱。得到的沈澱物溶解到甲苯中，以二氧化鋁管柱，矽膠管柱的順序藉由通液而精製。將得到的溶液滴下到甲醇，攪拌時，產生沈澱。過濾取得所得到的沈澱物，藉由乾燥，得到1.14g高分子化合物HTL-5。高分子化合物HTL-5的Mn是3.6×104，Mw是2.0×105。
高分子化合物HTL-5，係由放入原料的量求得理論值，為由化合物M9所衍生的結構單元，與由化合物M10所衍生的結構單元，與由化合物M7所衍生的結構單元，以40：10：50的莫耳比所構成之共聚合物。
高分子化合物HTL-5的最低三重激發態之能級，係2.46eV。
<合成例HTL6>高分子化合物HTL-6的合成
高分子化合物HTL-6，係使用化合物M12、化合物M10，以及，化合物M24，依照在國際專利公開第2015/ 145871號中記載的方法而合成。高分子化合物HTL-6的Mn是2.8×104，Mw是1.1×105。
高分子化合物HTL-6，係由放入原料的量而求得理論值，為由化合物M12所衍生的結構單元，與由化合物M10所衍生的結構單元，與由化合物M24所衍生的結構單元，以40：10：50的莫耳比所構成之共聚合物。
高分子化合物HTL-6的最低三重激發態之能級，係2.69eV。
<合成例HTL7>高分子化合物HTL-7的合成
高分子化合物HTL-7，係使用化合物M1、化合物M13、化合物M14，以及，化合物M15，依照在國際專利公開第2016/031639號中記載的方法而合成。高分子化合物HTL-7的Mn是2.4×104，Mw是1.7×105。
高分子化合物HTL-7，係由放入原料的量而求得理論值，為由化合物M1所衍生的結構單元，與由化合物M13所衍生的結構單元，與由化合物M14所衍生的結構單元，與由化合物M15所衍生的結構單元，以50：40：5：5的莫耳比所構成之共聚合物。
高分子化合物HTL-7的最低三重激發態之能級，係2.49eV。
<合成例HTL8>高分子化合物HTL-8的合成
(步驟1)將反應容器內作成惰性氣體環境之後，加入化 合物M1(0.995g)、化合物M7(0.736g)、化合物M14(0.106g)、化合物M15(0.0924g)、二氯雙[參(2-甲氧苯基)膦]鈀(1.8mg)以及甲苯(50mL)，於105℃加熱。
(步驟2)在得到的反應液中，滴下20質量%四乙基氫氧化銨水溶液(6.6mL)，回流5.5小時。
(步驟3)之後，在此，加入苯基硼酸(24.4mg)、20質量%四乙基氫氧化銨水溶液(6.6mL)以及二氯雙〔參(2-甲氧苯基)膦〕鈀(1.8mg)，回流14小時。
(步驟4)之後，在此，加入二乙基二硫代胺基甲酸鈉水溶液，於80℃攪拌2小時。將得到的反應液冷却後，以水洗淨2次，以3質量%乙酸水溶液洗淨2次，以水洗浄2次，將得到的溶液滴到甲醇時，產生沈澱。將得到的沈澱物溶解到甲苯中，藉由以氧化鋁管柱，矽膠管柱的順序通液而精製。將得到的溶液滴到甲醇中，攪拌時，產生沈澱。濾取得到的沈澱物，藉由乾燥，得到0.91g的高分子化合物HTL-8。高分子化合物HTL-8的Mn是5.2×104，Mw是2.5×105。
高分子化合物HTL-8係由放入原料的量求得理論值，為以化合物M1所衍生的結構單元，與由化合物M7所衍生的結構單元，與由化合物M14所衍生的結構單元，與由化合物M15所衍生的結構單元，以50：40：5：5的莫耳比所構成之共聚合物。
高分子化合物HTL-8的最低三重激發態之能級，係2.45eV。
<合成例HTL9>高分子化合物HTL-9的合成
高分子化合物HTL-9，係使用化合物M16、化合物M17、化合物M14，以及，化合物M15，依照在國際專利公開第2016/125560號中記載的方法而合成。高分子化合物HTL-9的Mn是3.5×104，Mw是1.6×105。
高分子化合物HTL-9，係由放入原料的量求得理論值，為以化合物M16所衍生的結構單元，與由化合物M17所衍生的結構單元，與由化合物M14所衍生的結構單元，與由化合物M15所衍生的結構單元，以50：40：5：5的莫耳比所構成之共聚合物。
高分子化合物HTL-9的最低三重激發態之能級，係2.39eV。
<合成例HTL10>高分子化合物HTL-10的合成
高分子化合物HTL-10，係使用化合物M18、化合物M17、化合物M14，以及，化合物M15，依照在國際專利公開第2016/031639號中記載的方法而合成。高分子化合物HTL-10的Mn是5.3×104，Mw是2.0×105。
高分子化合物HTL-10，係由放入原料的量求得理論值，為由化合物M18所衍生的結構單元，與由化合物M17所衍生的結構單元，與由化合物M14所衍生的結構單元，與由化合物M15所衍生的結構單元，以50：40：5：5的莫耳比所構成之共聚合物。
高分子化合物HTL-10的最低三重激發態之能級，係2.37eV。
<合成例HTL11>高分子化合物HTL-11的合成
高分子化合物HTL-11，係使用化合物M19、化合物M20、化合物M21，以及，化合物M22，依照在國際專利公開第2016/031639號中記載的方法而合成。高分子化合物HTL-11的Mn是5.1×104，Mw是2.0×105。
高分子化合物HTL-11，係由放入原料的量求得理論值，為由化合物M19所衍生的結構單元，與由化合物M20所衍生的結構單元，與由化合物M21所衍生的結構單元，與由化合物M22所衍生的結構單元，以40：5：5：50的莫耳比所構成之共聚合物。高分子化合物HTL-11的最低三重激發態之能級，係2.33eV。
<合成例HTL12>高分子化合物HTL-12的合成
高分子化合物HTL-12，係使用化合物M23、化合物M17、化合物M14，以及，化合物M15，依照在國際專利公開第2016/125560號中記載的方法而合成。高分子化合物HTL-12的Mn是5.2×104，Mw是2.2×105。
高分子化合物HTL-12，係由放入原料的量求得理論值，為由化合物M23所衍生的結構單元，與由化合物M17所衍生的結構單元，與由化合物M14所衍生的結構單元， 與由化合物M15所衍生的結構單元，以50：40：5：5的莫耳比所構成之共聚合物。
高分子化合物HTL-12的最低三重激發態之能級，係2.33eV。
<合成例HTL13>高分子化合物HTL-13的合成
高分子化合物HTL-13，係使用化合物M12、化合物M10，以及，化合物M11，依照在國際專利公開第2015/145871號中記載的方法而合成。高分子化合物HTL-13的Mn是2.3×104，Mw是1.2×105。
高分子化合物HTL-13，係由放入原料的量求得理論值，為由化合物M12所衍生的結構單元，與由化合物M10所衍生的結構單元，與由化合物M11所衍生的結構單元，以45：5：50的莫耳比所構成之共聚合物。
高分子化合物HTL-13的最低三重激發態之能級，係2.33eV。
<實施例D1>發光元件D1的製作與評估
(陽極以及電洞注入層的形成)
玻璃基板藉由濺鍍法經由以45nm的厚度賦予ITO膜形成陽極。在該陽極上，藉由旋塗法將電洞注入材料的ND-3202(日產化學工業製)作成厚度50nm的膜。於大氣環境，50℃中，加熱3分鐘，進一步，藉由230℃，15分鐘加熱形成電洞注入層。
(第2有機層的形成)
在二甲苯中溶解高分子化合物HTL-5成0.6質量%的濃度。使用得到的二甲苯溶液，在電洞注入層之上藉由旋塗法作成厚度20nm的膜，於氮氣環境下，藉由在熱盤上200℃，30分鐘加熱可以形成第2有機層。藉由此的加熱，高分子化合物HTL-5變成交聯體。
(第1有機層的形成)
在二甲苯中，將高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)溶解成1.8質量%的濃度。使用得到的二甲苯溶液，於第2有機層之上，藉由旋塗法作成厚度70nm的膜，於氮氣環境下，經由130℃，10分鐘加熱而形成第1有機層。
(陰極的形成)
將形成第1有機層之基板於蒸鍍機內，減壓至1.0×10-4Pa以下之後，作成陰極，於第1有機層之上將氟化鈉蒸鍍成約4nm，其次，於氟化鈉層之上，將鋁蒸鍍成約80nm。蒸鍍後，使用玻璃基板藉由封止，可以製作發光元件D1。
(發光元件的評估)
在發光元件D1藉由施加電壓觀測EL發光。於2mA/cm2中，外部量子效率是12.0[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.29，0.57)。
<實施例D2>發光元件D2的製作與評估
在實施例D1(第1有機層的形成)中，除了使用「高分子化合物HP-2」來取代「高分子化合物HP-1」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D2。在發光元件D2藉由施加電壓而觀測EL發光。在2mA/cm2中，外部量子效率是14.2[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.27，0.56)。
<實施例D3>發光元件D3的製作與評估
在實施例D1(第1有機層的形成)中，除了使用「在甲苯中，將化合物HM-1以及化合物T3(化合物HM-1/化合物T3=85質量%/15質量%)溶解成2質量%的濃度。」取代「在二甲苯中，溶解高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成1.8質量%的濃度。」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D3。在發光元件D3藉由施加電壓觀測EL發光。在2mA/cm2中外部量子效率是11.3[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.31，0.57)。
<實施例D4>發光元件D4的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「在甲苯中，溶解化合物HM-1以及化合物T3(化合物HM-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成2質量%的濃度。」來取代「在二甲苯中，溶解高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質 量%)成1.8質量%的濃度。」，並且，實施例D1的(第2有機層的形成)之中，使用「高分子化合物HTL-4」取代「高分子化合物HTL-5」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D4。在發光元件D4藉由施加電壓，觀測EL發光。在2mA/cm2中，外部量子效率是7.4[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.31，0.58)。
<比較例CD1>發光元件CD1的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「在甲苯中，溶解化合物HM-1以及化合物T3(化合物HM-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成2質量%的濃度。」取代「在二甲苯，溶解高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成1.8質量%的濃度。」，並且，在實施例D1的(第2有機層的形成)之中，使用「高分子化合物HTL-3」取代「高分子化合物HTL-5」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件CD1。在發光元件CD1藉由施加電壓，觀測EL發光。於2mA/cm2中，外部量子效率是4.6[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.31，0.58)。
<比較例CD2>發光元件CD2的製作與評估
實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「在甲苯中，溶解化合物HM-1以及化合物T3(化合物HM-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成2質量%的濃度。」 取代「在二甲苯，溶解高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成1.8質量%的濃度。」，並且，在實施例D1的(第2有機層的形成)之中，使用「高分子化合物HTL-1」取代「高分子化合物HTL-5」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件CD2。在發光元件CD2藉由施加電壓，觀測EL發光。於2mA/cm2中，外部量子效率是2.3[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.31，0.57)。
<實施例D5>發光元件D5的製作與評估
實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「在甲苯中，溶解化合物HM-1以及化合物T3(化合物HM-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成2質量%的濃度。」取代「在二甲苯中，溶解高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量 %)成1.8質量%的濃度。」，並且，在實施例D1的(第2有機層的形成)之中，使用「高分子化合物HTL-6」取代「高分子化合物HTL-5」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D5。
在發光元件D5藉由施加電壓觀測EL發光。在0.5mA/cm2中，外部量子效率是7.2[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.32，0.57)。
<實施例D6>發光元件D6的製作與評估
在實施例D5的(第2有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HTL-7」取代「高分子化合物HTL-6」之外，其餘的是與實施例D5同樣操作，製作發光元件D6。
在發光元件D6藉由施加電壓觀測EL發光。在0.5mA/cm2中，外部量子效率是11.1[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.30，0.56)。
<實施例D7>發光元件D7的製作與評估
在實施例D5的(第2有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HTL-5」取代「高分子化合物HTL-6」之外，其餘的是與實施例D5同樣操作，製作發光元件D7。
在發光元件D7藉由施加電壓觀測EL發光。在0.5mA/cm2，外部量子效率是12.4[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.32，0.57)。
<實施例D8>發光元件D8的製作與評 估
實施例D5的(第2有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HTL-8」取代「高分子化合物HTL-6」之外，其餘的是與實施例D5同樣操作，而製作發光元件D8。
在發光元件D8藉由施加電壓觀測EL發光。0.5mA/cm2中，外部量子效率是10.6[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.31，0.57)。
<實施例D9>發光元件D9的製作與評估
實施例D5的(第2有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HTL-9」取代「高分子化合物HTL-6」之外，其餘的是與實施例D5同樣操作，製作發光元件D9。
在發光元件D9藉由施加電壓觀測EL發光。在0.5mA/cm2中，外部量子效率是8.6[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.32，0.57)。
<實施例D10>發光元件D10的製作與評估
實施例D5的(第2有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HTL-10」取代「高分子化合物HTL-6」之外，其餘的是與實施例D5同樣操作，製作發光元件D10。
在發光元件D10藉由施加電壓觀測EL發光。於0.5mA/cm2中，外部量子效率是8.7[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.31，0.57)。
<實施例D11>發光元件D11的製作與 評估
在實施例D5的(第2有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HTL-4」取代「高分子化合物HTL-6」之外，其餘的是與實施例D5同樣操作，製作發光元件D11。
在發光元件D11藉由施加電壓觀測EL發光。在0.5mA/cm2中，外部量子效率是8.0[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.32，0.58)。
<實施例D12>發光元件D12的製作與評估
在實施例D5的(第2有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HTL-11」取代「高分子化合物HTL-6」之外，其餘的是與實施例D5同樣操作，製作發光元件D12。
在發光元件D12，藉由施加電壓觀測EL發光。於0.5mA/cm2，外部量子效率7.3[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.32，0.57)。
<實施例D13>發光元件D13的製作與評估
實施例D5的(第2有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HTL-12」取代「高分子化合物HTL-6」之外，其餘的是與實施例D5同樣操作，製作發光元件D13。
在發光元件D13藉由施加電壓觀測EL發光。於0.5mA/cm2中，外部量子效率是7.9[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.31，0.58)。
<比較例CD3>發光元件CD3的製作與 評估
在實施例D5的(第2有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HTL-3」取代「高分子化合物HTL-6」之外，其餘的是與實施例D5同樣操作，製作發光元件CD3。
在發光元件CD3藉由施加電壓觀測EL發光。於0.5mA/cm2中，外部量子效率是4.7[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.32，0.58)。
<比較例CD4>發光元件CD4的製作與評估
在實施例D5的(第2有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HTL-2」取代「高分子化合物HTL-6」之外，其餘的是與實施例D5同樣操作，製作發光元件CD4。
在發光元件CD4藉由施加電壓觀測EL發光。於0.5mA/cm2中，外部量子效率4.2[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.31，0.57)。
<比較例CD5>發光元件CD5的製作與評估
在實施例D5的(第2有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HTL-1」取代「高分子化合物HTL-6」之外，其餘的是與實施例D5同樣操作，製作發光元件CD5。
在發光元件CD5藉由施加電壓觀測EL發光。於0.5mA/cm2中，外部量子效率是2.3[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.31，0.58)。
<實施例D14>發光元件D14的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「在氯苯中，溶解化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)成2.6質量%的濃度。」取代「在二甲苯中，溶解高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成1.8質量%的濃度。」，並且，在實施例D1的(第2有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HTL-13」取代「高分子化合物 HTL-5」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D14。
在發光元件D14藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是3.9[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.29，0.63)。
<實施例D15>發光元件D15的製作與評估
實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「在氯苯中，溶解化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)成2.6質量%的濃度。」取代「在二甲苯中，溶解高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成1.8質量%的濃度。」，並且，在實施例D1的(第2有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HTL-4」取代「高分子化合物HTL-5」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D15。
在發光元件D15藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是3.8[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.29，0.63)。
<實施例D16>發光元件D16的製作與評估
在實施例D14的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T2以及化合物E1(化合物HM-1 /化合物T2/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」之外，其餘的是與實施例D14同樣操作，製作發光元件D16。
在發光元件D16藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是5.2[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.29，0.63)。
<實施例D17>發光元件D17的製作與評估
在實施例D15的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T2以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T2/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」之外，其餘的是與實施例D15同樣操作，製作發光元件D17。
在發光元件D17藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中外部量子效率是4.6[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.29，0.63)。
<實施例D18>發光元件D18的製作與評估
在實施例D14的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T4以及化合物E1(化合物HM-1 /化合物T4/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」之外，其餘的是與實施例D14同樣操作，製作發光元件D18。
在發光元件D18藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中外部量子效率是4.6[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.29，0.64)。
<實施例D19>發光元件D19的製作與評估
在實施例D15的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T4以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T4/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」之外，其餘的是與實施例D15同樣操作，製作發光元件D19。
在發光元件D19藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是3.7[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.29，0.63)。
<實施例D20>發光元件D20的製作與評估
在實施例D14的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T3以及化合物E1(化合物HM-1 /化合物T3/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」之外，其餘的是與實施例D14同樣操作，製作發光元件D20。
在發光元件D20藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是6.0[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.31，0.62)。
<實施例D21>發光元件D21的製作與評估
在實施例D15的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T3以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T3/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」之外，其餘的是與實施例D15同樣操作，製作發光元件D21。
在發光元件D21藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是4.7[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.31，0.62)。
<實施例D22>發光元件D22的製作與評估
在實施例D14的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T3以及化合物E1(化合物HM-1 /化合物T3/化合物E1=82質量%/15質量%/3質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」之以外，其餘的是與實施例D14同樣操作，製作發光元件D22。
在發光元件D22藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是8.1[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.32，0.61)。
<實施例D23>發光元件D23的製作與評估
在實施例D14的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T3以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T3/化合物E1=84質量%/15質量%/1質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」之外，其餘的是與實施例D14同樣操作，製作發光元件D23。
在發光元件D23藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是9.8[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.32，0.60)。
<實施例D24>發光元件D24的製作與評估
在實施例D15的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T3以及化合物E1(化合物HM-1 /化合物T3/化合物E1=84質量%/15質量%/1質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」之外，其餘的是與實施例D15同樣操作，製作發光元件D24。
在發光元件D24藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是7.5[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.31，0.60)。
<實施例D25>發光元件D25的製作與評估
在實施例D14的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T3以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T3/化合物E1=84質量%/15質量%/1質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」，並且，在實施例D14的(第2有機層的形成)之中，使用「高分子化合物HTL-5」取代「高分子化合物HTL-13」之外，其餘的是與實施例D14同樣操作，製作發光元件D25。
在發光元件D25藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是12.1[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.32，0.59)。
<實施例D26>發光元件D26的製作與評估
在實施例D14的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T3以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T3/化合物E1=84質量%/15質量%/1質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」，並且，在實施例D14的(第2有機層的形成)之中，使用「高分子化合物HTL-6」取代「高分子化合物HTL-13」之外，其餘的是與實施例D14同樣操作，製作發光元件D26。
在發光元件D26藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是6.3[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.32，0.59)。
<實施例D27>發光元件D27的製作與評估
在實施例D14的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T5以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T5/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」之外，其餘的是與實施例D14同樣操作，製作發光元件D27。
在發光元件D27藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是3.7[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.29，0.63)。
<實施例D28>發光元件D28的製作與評估
在實施例D15的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T5以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T5/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」之外，其餘的是與實施例D15同樣操作，製作發光元件D28。
在發光元件D28藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是3.2[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.29，0.64)。
<實施例D29>發光元件D29的製作與評估
在實施例D14的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T8以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T8/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」之外，其餘的是與實施例D14同樣操作，製作發光元件D29。
在發光元件D29藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是3.8[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.29，0.63)。
<實施例D30>發光元件D30的製作與評估
在實施例D14的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T6以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T6/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」之外，其餘的是與實施例D14同樣操作，製作發光元件D30。
在發光元件D30藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是4.8[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.29，0.63)。
<實施例D31>發光元件D31的製作與評估
在實施例D15的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T6以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T6/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」之外，其餘的是與實施例D15同樣操作，製作發光元件D31。
在發光元件D31藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是4.1[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.29，0.63)。
<比較例CD6>發光元件CD6的製作與評估
在實施例D14的(第1有機層的形成)之中，除了使用「化合物HM-1、化合物T6以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T6/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」取代「化合物HM-1、化合物T1以及化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」，並且，在實施例D14的(第2有機層的形成)之中，使用「高分子化合物HTL-3」取代「高分子化合物HTL-13」之外，其餘的是與實施例D14同樣操作，製作發光元件CD6。
在發光元件CD6藉由施加電壓觀測EL發光。於0.15mA/cm2中，外部量子效率是1.6[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.29，0.62)。
<實施例D32>發光元件D32的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「在氯苯中，溶解化合物HM-1以及化合物T7(化合物HM-1/化合物T7=85質量%/15質量%)成2質量%的濃度。」 取代「在二甲苯中，溶解高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成1.8質量%的濃度。」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D32。
在發光元件D32藉由施加電壓觀測EL發光。於0.25mA/cm2中，外部量子效率是5.0[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.32，0.59)。
<比較例CD7>發光元件CD7的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「在氯苯中，溶解化合物HM-1以及化合物T7(化合物HM-1/化合物T7=85質量%/15質量%)成2質量%的濃度。」取代「在二甲苯中，溶解高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成1.8質量%的濃度。」，並且，在實施例D1的(第2有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HTL-2」取代「高分子化合物HTL-5」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件CD7。
在發光元件CD7藉由施加電壓觀測EL發光。於0.25mA/cm2中，外部量子效率是0.8[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.32，0.57)。
<實施例D33>發光元件D33的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HP-2以及化合物T9(高分子化合物HP-2/化合物T9=85質量%/15質量%)」取代「高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D33。
在發光元件D33藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是1.7[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.24，0.41)。
<實施例D34>發光元件D34的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HP-1以及化合物T9(高分子化合物HP-1/化合物T9=85質量%/15質量%)」取代「高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85 質量%/15質量%)」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D34。
在發光元件D34藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是1.7[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.24，0.40)。
<實施例D35>發光元件D35的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HP-2以及化合物T10(高分子化合物HP-2/化合物T10=85質量%/15質量%)」取代「高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D35。
在發光元件D35藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是3.4[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.17，0.31)。
<實施例D36>發光元件D36的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HP-2以及化合物T6(高分子化合物HP-2/化合物T6=85質量%/15質量%)」取代「高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D36。
在發光元件D36藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是4.3[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.18，0.36)。
<實施例D37>發光元件D37的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HP-2以及化合物T6(高分子化合物HP-2/化合物T6=85質量%/15質量%)」取代「高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)」，並且，在實施例D1的(第2有機層的形成)之中，使用「高分子化合物HTL-4」取代「高分子化合物HTL-5」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D37。
在發光元件D37藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是2.4[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.24，0.40)。
<實施例D38>發光元件D38的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HP-1以及化合物T5(高分子化合物HP-1/化合物T5=85質量%/15質量%)」取代「高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D38。
在發光元件D38藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是1.8[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.24，0.47)。
<實施例D39>發光元件D39的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HP-2以及化合物T1(高分子化合物HP-2/化合物T1=85質量%/15質量%)」取代「高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D39。
在發光元件D39藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是3.3[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.24，0.46)。
<實施例D40>發光元件D40的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HP-1以及化合物T1(高分子化合物HP-1/化合物T1=85質量%/15質量%)」取代「高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D40。
在發光元件D40藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率2.7[%]，CIE色度座標(x,y) =(0.24，0.47)。
<實施例D41>發光元件D41的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「在甲苯中，溶解化合物HM-1以及化合物T9(化合物HM-1/化合物T9=85質量%/15質量%)成2質量%的濃度。」取代「在二甲苯中，溶解高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成1.8質量%的濃度。」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D41。
在發光元件D41藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是1.2[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.17，0.24)。
<實施例D42>發光元件D42的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「在甲苯，溶解化合物HM-1以及化合物T1(化合物HM-1/化合物T1=85質量%/15質量%)成2質量%的濃度。」取代「在二甲苯中，溶解高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成1.8質量%的濃度。」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D42。
在發光元件D42藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是1.5[%]，CIE色度座標(x,y) =(0.26，0.47)。
<實施例D43>發光元件D43的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「在氯苯中，溶解化合物HM-1以及化合物T2(化合物HM-1/化合物T2=85質量%/15質量%)成1.8質量%的濃度。」取代「在二甲苯中，溶解高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成1.8質量%的濃度。」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D43。
在發光元件D43藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是2.1[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.18，0.27)。
<實施例D44>發光元件D44的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「在甲苯中，溶解化合物HM-1以及化合物T11(化合物HM-1/化合物T11=85質量%/15質量%)成2質量%的濃度。」取代「在二甲苯中，溶解高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成1.8質量%的濃度。」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D44。
在發光元件D44藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中外部量子效率是2.8[%]，CIE色度座標(x,y) =(0.14，0.09)。
<實施例D45>發光元件D45的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「在甲苯中，溶解化合物HM-1以及化合物T11(化合物HM-1/化合物T11=85質量%/15質量%)成2質量%的濃度。」取代「在二甲苯中，溶解高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成1.8質量%的濃度。」，並且，在實施例D1的(第2有機層的形成)之中，使用「高分子化合物HTL-13」取代「高分子化合物HTL-5」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D45。
在發光元件D45藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是5.5[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.14，0.09)。
<實施例D46>發光元件D46的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「在甲苯中，溶解化合物HM-1以及化合物T11(化合物HM-1/化合物T11=85質量%/15質量%)成2質量%的濃度。」取代「在二甲苯中，溶解高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成1.8質量%的濃度。」，並且，在實施例D1的(第2有機層的形成)之中，使用「高分子化合物HTL-4」 取代「高分子化合物HTL-5」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D46。
在發光元件D46藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是4.4[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.14，0.09)。
<實施例D47>發光元件D47的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HP-2以及化合物T11(高分子化合物HP-2/化合物T11=85質量%/15質量%)」取代「高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)」，並且，在實施例D1的(第2有機層的形成)之中，使用「高分子化合物HTL-7」取代「高分子化合物HTL-5」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D47。
在發光元件D47藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是6.3[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.14，0.22)。
<實施例D48>發光元件D48的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HP-2以及化合物T11(高分子化合物HP-2/化合物T11=85質量%/15質量%)」取代「高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85 質量%/15質量%)」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D48。
在發光元件D48藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是6.6[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.15，0.26)。
<實施例D49>發光元件D49的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HP-2以及化合物T11(高分子化合物HP-2/化合物T11=85質量%/15質量%)」，取代「高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)」，並且，在實施例D1的(第2有機層的形成)之中，使用「高分子化合物HTL-4」取代「高分子化合物HTL-5」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件D49。
在發光元件D49藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是8.6[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.15，0.28)。
<比較例CD8>發光元件CD8的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「在甲苯中，溶解化合物HM-1以及化合物T1(化合物HM-1/化合物T1=85質量%/15質量%)成2質量%的濃度。」取代「在二甲苯中，高分子化合物HP-1以及化合物T3(高 分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成1.8質量%的濃度。」，並且，在實施例D1的(第2有機層的形成)之中，使用「高分子化合物HTL-2」取代「高分子化合物HTL-5」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件CD8。
在發光元件CD8藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是0.7[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.20，0.30)。
<比較例CD9>發光元件CD9的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「在甲苯中，溶解化合物HM-1以及化合物T1(化合物HM-1/化合物T1=85質量%/15質量%)成2質量%的濃度。」來取代「在二甲苯中，溶解高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)成1.8質量%的濃度。」，並且，在實施例D1的(第2有機層的形成)之中，使用「高分子化合物HTL-3」來取代「高分子化合物HTL-5」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件CD9。
在發光元件CD9藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是0.5[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.31，0.48)。
<比較例CD10>發光元件CD10的製作與評估
在實施例D1的(第1有機層的形成)之中，除了使用「高分子化合物HP-1以及化合物T12高分子化合物HP-1/化合物T12=85質量%/15質量%)」來取代「高分子化合物HP-1以及化合物T3(高分子化合物HP-1/化合物T3=85質量%/15質量%)」之外，其餘的是與實施例D1同樣操作，製作發光元件CD10。
在發光元件CD10藉由施加電壓觀測EL發光。於0.75mA/cm2中，外部量子效率是0.7[%]，CIE色度座標(x,y)=(0.19,0.21)。
[產業上的利用可能性]
根據本發明的話，可以提供外部量子效率優良的發光元件，以及，在該發光元件的製造中為有用的組成物。

Claims (13)

  1. 一種發光元件，為具有陽極、陰極、設置在陽極以及陰極之間的第1有機層、與設置在陽極以及陰極之間的第2有機層之發光元件，前述第1有機層，為含有最低三重激發態的能級與最低單重激發態的能級之差的絕對值是0.5eV以下之化合物(T)，並且，不含磷光發光性金屬錯體之層，前述第2有機層，為含有具交聯結構單元之高分子化合物的交聯體之層，並且，該高分子化合物的最低三重激發態的能級是2.25eV以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中，前述交聯結構單元，為具有自交聯基A群選擇至少1種的交聯基之結構單元；交聯基A群： 式中，R XL是表示亞甲基、氧原子或是硫原子，n XL是表示0至5的整數，R XL為複數存在的情形，此等R XL 可相同也可相異，n XL為複數存在的情形，此等n XL可相同也可相異，＊1是表示結合的位置，此等交聯基也可有取代基。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之發光元件，其中，前述交聯結構單元，係以式(2)所示的結構單元或是以式(2’)所示的結構單元； 式中，nA是表示0至5的整數，n是表示1或是2，nA為複數存在的情形，此等nA可相同也可相異，Ar 3是表示芳香族烴基或是雜環基，此等基也可有取代基，L A是表示伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基、以-N(R’)-所示的基、氧原子或是硫原子，此等基也可有取代基；R’是表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基；L A為複數存在的情形，此等L A可相同也可相異；X是表示選自前述交聯基A群中之交聯基，X是複數存在的情形，此等X可相同也可相異； 式中，mA是表示0至5的整數，m是表示1至4的整數，c是表示0或是1；mA為複數存在的情形，此等mA可相同也可相異，Ar 5是表示芳香族烴基、雜環基，或是，至少1種的芳香族烴環與至少1種的雜環直接結合的基，此等基也可有取代基，Ar 4以及Ar 6，係各自獨立地表示伸芳基或是2價的雜環基，此等基也可有取代基；Ar 4、Ar 5以及Ar 6可各自與該基所結合的氮原子所結合的該基之外的基直接結合，或是經由氧原子或是硫原子結合，而形成環；K A是表示伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基、以-N(R’)-所示的基、氧原子或是硫原子，此等基也可有取代基，R’是表示與前述相同的意思，K A為複數存在的情形，此等K A可相同也可相異；X’是表示選自前述交聯基A群中的交聯基、氫原子、烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基，X’為複數存在的情形，此等X’可相同 也可相異，但是，至少1個的X’是選自前述交聯基A群中的交聯基。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之發光元件，其中，前述化合物(T)是以式(T-1)所示的化合物， 式中，n T1是表示0以上5以下的整數，n T1為複數存在的情形，此等n T1可相同也可相異；Ar T1是表示芳基、取代胺基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基，Ar T1是複數存在的情形，此等Ar T1可相同也可相異，可直接結合，或是經由2價的基結合，而形成環，但是，Ar T1的至少1個是取代胺基或是1價的雜環基，該1價的雜環基在環內不含雙鍵結合的氮原子，並且，在環內不含以=N-所示的基、硼原子、以-C(=Z T1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(=O) 2-所示的基，以及以式(P)所示的基： Z T1是表示氧原子、硫原子或是以=N(R ZT1)所示的基；R ZT1是表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或是1價的 雜環基，此等基也可有取代基；L T1是表示伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基、以-N(R T1’)-所示的基、氧原子或是硫原子，此等基也可有取代基；R T1’是表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或是1價的雜環基，此等基也可有取代基；L T1為複數存在的情形，此等L T1可相同也可相異，可直接結合，或是經內2價的基結合，而形成環；Ar T2是表示硼原子、以-C(=Z T1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(=O) 2-所示的基、前述以式(P)所示的基、有吸電子性基之芳香族烴基，或是，在環內含有以=N-所示的基之雜環基，此等基也可有取代基；n T2是表示1以上15以下的整數，但是，Ar T2為硼原子或是前述以式(P)所示的基之情形，n T2是3；Ar T2為以-C(=Z T1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基，或是以-S(=O) 2-所示的基之情形，n T2是2；Ar T1與L T1可直接結合，或是經由2價的基結合，而形成環；Ar T2與L T1可直接結合，或是經由2價的基結合，而形成環；Ar T1與Ar T2可直接結合，或是經由2價的基結合，而形成環。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之發光元件，其中，前述Ar T1的至少1個是以式(T1-1)所示的基， 式中，環R T1以及環R T2是各自獨立地表示；在環內不含以-C(=Z T1)-所示的基之芳香族烴環，或是，在環內不含以=N-所示的基、硼原子、以-C(=Z T1)-所示的基、以-S(=O)-所示的基、以-S(=O) 2-所示的基，以及，前述以式(P)所示的基之雜環，此等環也可以有取代基；Z T1是表示與前述相同之意思；X T1是表示單鍵、氧原子、硫原子、以-N(R XT1)-所示的基，或是，以-C(R XT1’) 2-所示的基；R XT1以及R XT1’是各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價的雜環基、取代胺基、鹵原子或是氰基，此等基也可有取代基；複數存在之R XT1’，可相同也可相異，也可互相結合，而與各自結合的碳原子共同形成環；R XT1與環R T1也可有的取代基、R XT1與環R T2也可有的取代基、R XT1’與環R T1也可有的取代基、以及R XT1’與環R T2也可有的取代基，係可各自直接結合，或是，經由2價的基結合，而與各自結合的原子共同形成環。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件，其中，前述以式(T1-1)所示的基為以式(T1-1A)所示的基、以式(T1-1B)所示的基、以式(T1-1C)所示的基或是以式 (T1-1D)所示的基； 式中，X T1是表示與前述相同的意思；X T2以及X T3是各自獨立地表示單鍵、氧原子、硫原子、以-N(R XT2)-所示的基，或是，以-C(R XT2’) 2-所示的基；R XT2以及R XT2’是各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價的雜環基、取代胺基、鹵原子或是氰基，此等基也可有取代基；複數存在的R XT2’，可相同也可相異，可直接結合，或是經由2價的基結合，而與各自結合的碳原子共同形成環；R T1、R T2、R T3、R T4、R T5、R T6、R T7、R T8、R T9、R T10、R T11以及R T12是各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價的雜 環基、取代胺基、鹵原子或是氰基，此等基也可有取代基；R T1與R T2、R T2與R T3、R T3與R T4、R T5與R T6、R T6與R T7、R T7與R T8、R T9與R T10、R T10與R T11、以及、R T11與R T12，係可各自直接結合，或是，經由2價的基結合，而與各自結合的碳原子共同形成環。
  7. 如申請專利範圍第4至6項中任一項所述之發光元件，其中，前述Ar T2，為在環內含有以=N-所示的基之雜環基(該基也可有取代基)。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之發光元件，其中，前述Ar T2為由二唑環、三唑環、噁二唑環、噻二唑環、噻唑環、噁唑環、異噻唑環、異噁唑環、苯並二唑環、苯並三唑環、苯並噁二唑環、苯並噻二唑環、苯並噻唑環、苯並噁唑環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三嗪環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、四氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、四氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環或是四氮雜菲環，除去直接結合在構成環的原子之1個以上氫原子的基(該基也可有取代基)。
  9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項所述之發光元件，其中，前述化合物(T)的振動器強度為在0.0001以上。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之發光元件，其中，前述第1有機層復含有選自基質材料、電 洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、螢光發光材料以及抗氧化劑所成群組中之至少1種。
  11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項所述之發光元件，其中，前述第1有機層與前述第2有機層鄰接。
  12. 如申請專利範圍第1至11項中任一項所述之發光元件，其中，前述第2有機層，係設置在前述陽極以及前述第1有機層之間之層。
  13. 一種組成物，係含有最低三重激發態的能級與最低單重項激發態的能級之差的絕對值為0.5eV以下之化合物(T)，與含有以式(Y)所示的結構單元之高分子化合物，並且，不含磷光發光性金屬錯體， 式中，Ar Y1是表示伸芳基、2價的雜環基、或是，至少1種的伸芳基與至少1種的2價雜環基為直接結合的2價基，此等基也可有取代基。
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