TWI732044B

TWI732044B - 發光元件

Info

Publication number: TWI732044B
Application number: TW106133130A
Authority: TW
Inventors: 佐佐田敏明; 松本龍二; 吉田大泰
Original assignee: 日商住友化學股份有限公司
Priority date: 2016-09-29
Filing date: 2017-09-27
Publication date: 2021-07-01
Also published as: EP3490019A4; US20190221744A1; CN109791991B; TW201817851A; EP3490019A1; KR20190047099A; CN109791991A; WO2018062277A1; US20200152882A1; JPWO2018062277A1; KR102120300B1; EP3490019B1; JP6399248B2

Abstract

本發明提供一種發光效率優異的發光元件。

本發明之發光元件係具有陽極、陰極、及設置在陽極與陰極之間之第1有機層及第2有機層，其中，第1有機層係含有式(T)表示的化合物及式(B)表示的螢光發光性化合物之層，第2有機層係含有交聯材料的交聯體之層，

[式中，n^T1表示0至5的整數，n^T2表示1至10的整數，Ar^T1表示含有不具有雙鍵的氮原子作為環構成原子，而且不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之單環或縮合環的一價雜環基，L^T1表示伸烷基、伸芳基等，Ar^T2表示含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之單環或縮合環的雜環基]；

[式中，n^1B表示0至15的整數，Ar^1B表示縮合環的芳香族烴基，R^1B表示芳基、一價雜環基、取代胺基等]。

Description

發光元件

本發明係關於一種發光元件。

有機電致發光元件(以下，亦稱為發光元件)能夠適用於顯示器及照明用途且已進行研究開發。例如專利文獻1係記載一種發光元件，其具有含α-NPD之電洞輸送層、以及含有下述式表示的化合物(D-5)及下述式表示的螢光發光性化合物(TTPA)之發光層。又，在專利文獻1所記載的電洞輸送層，係不含有交聯材料的交聯體之層。又，化合物(D-5)不是後述式(T)表示之化合物。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開2016-092280號公報

但是，上述的發光元件之發光效率未必充分。

因此，本發明之目的係提供一種具有優異的發光效率之發光元件。

本發明係提供以下的[1]至[14]。

[1]一種發光元件，係具有陽極、陰極、及設置在陽極與陰極之間之第1有機層及第2有機層之發光元件，前述第1有機層係含有式(T)表示的化合物及式(B)表示的螢光發光性化合物之層，前述第2有機層係含有交聯材料的交聯體之層，

[式中，n^T1表示0至5的整數，n^T1存在複數個時，該複數個n^T1可相同亦可不同，n^T2表示1以上且10以下的整數，Ar^T1係含有不具有雙鍵的氮原子作為環構成原子，而且不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之單環或縮合環的一價雜環基，該基亦可具有取代基，取代基存在複數個時，該複數個取代基亦可互相鍵結且與各自鍵結之原子一起形成環，Ar^T1存在複數個時該複數個Ar^T1可相同亦可不同， L^T1表示伸烷基、環伸烷基、伸芳基、二價雜環基、-N(R^T1')-表示之基、氧原子或硫原子，該等基亦可具有取代基，R^T1'表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基，L^T1存在複數個時，該複數個L^T1可相同亦可不同，Ar^T2係含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之單環或縮合環的雜環基，該基亦可具有取代基，該取代基存在複數個時，該複數個取代基亦可互相鍵結且與各自鍵結之原子一起形成環]；

[式中，n^1B表示0以上且15以下的整數，Ar^1B表示縮合環的芳香族烴基，該等基亦可具有取代基，該取代基存在複數個時，該複數個取代基亦可互相鍵結且與各自鍵結之原子一起形成環，R^1B表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、一價雜環基、取代胺基、烯基、環烯基、炔基或環炔基，該等基亦可具有取代基。R^1B存在複數個時，可相同亦可不同，亦可互相鍵結且與各自鍵結之碳原子一起形成環]。

[2]如[1]所述之發光元件，其中，前述Ar^1B係從萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、聯伸三苯環、稠四苯環、茀環、螺旋雙芴環(spirobifluorene)、芘環、苝環、1,2-苯并菲環、茚環、1,2-苯并苊(fluoranthene)環、苯并1,2-苯并苊環或苊并1,2-苯并苊環，將直接鍵結在構成環的碳原子之氫原子 1個以上去除後之基(該基亦可具有取代基)。

[3]如[1]或[2]所述之發光元件，其中，前述R^1B係烷基、芳基或取代胺基(該等基亦可具有取代基)。

[4]如[1]至[3]項中任一項所述之發光元件，其中，前述交聯材料係具有選自交聯基A群組的至少1種交聯基之低分子化合物、或含有選自交聯基A群組的至少1種交聯基的交聯結構單元之高分子化合物，(交聯基A群組)

[式中，R^XL表示亞甲基、氧原子或硫原子，n^XL表示0至5的整數，R^XL存在複數個時，該複數個R^XL可相同亦可不同，n^XL存在複數個時，該複數個n^XL可相同亦可不同，*1表示鍵結位置，該等交聯基亦可具有取代基]。

[5]如[4]所述之發光元件，其中，前述交聯材料係含有具有選自前述交聯基A群組的至少1種的交聯基之交聯結構單元之高分子化合物，而且前述交聯結構單元以式(2)表示的結構單元或式(2’)表示之結構單元，

[式中，nA表示0至5的整數，n表示1或2，nA存在複數個時，該複數個nA可相同亦可不同，Ar³表示芳香族烴基或雜環基，該等基亦可具有取代基，L^A表示伸烷基、環伸烷基、伸芳基、二價雜環基、-N(R’)-表示之基、氧原子或硫原子，該等基亦可具有取代基，R’表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基，L^A存在複數個時，該複數個L^A可相同亦可不同，X表示選自前述交聯基A群組之交聯基，X存在複數個時，該複數個X可相同亦可不同]，

[式中，mA表示0至5的整數，m表示1至4的整數，c表示0或1的整數。mA存在複數個時，該複數個mA可相同亦可不同，Ar⁵表示芳香族烴基、雜環基、或至少1種芳香族烴環與至少1種雜環直接鍵結而成之基，該等基亦可具有取代基，Ar⁴及Ar⁶係各自獨立地表示伸芳基或二價雜環基，該等基亦可具有取代基，Ar⁴、Ar⁵及Ar⁶係各自亦可與鍵結在該基所鍵結的氮原子之該基以外的基，直接鍵結或透過氧原子或硫原子而鍵結形成環，K^A表示伸烷基、環伸烷基、伸芳基、二價雜環基、-N(R’)-表示之基、氧原子或硫原子，該等基亦可具有取代基，R’表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基，K^A存在複數個時，該複數個K^A可相同亦可不同，X’表示選自前述交聯基A群組之交聯基、氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基，X’存在複數個時，該複數個X’可相同亦可不同，但是，至少1個X’係選自前述交聯基A群組之交聯基]。

[6]如[1]至[3]項中任一項所述之發光元件，其中前述交聯材料係式(3)表示之低分子化合物，

[式中，m^B1、m^B2及m^B3係各自獨立地表示0以上且10以下的整數，存在複數個之m^B1可相同亦可不同，m^B3存在複數個時，該複數個m^B3可相同亦可不同，Ar⁷表示芳香族烴基、雜環基、或至少1種芳香族烴環與至少1種雜環直接鍵結而成之基，該等基亦可具有取代基，Ar⁷存在複數個時，該複數個Ar⁷可相同亦可不同，L^B1表示伸烷基、環伸烷基、伸芳基、二價雜環基、-N(R’’’)-表示之基、氧原子或硫原子，該等基亦可具有取代基，R’’’表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基，L^B1存在複數個時，該複數個L^B1可相同亦可不同，X’’表示選自前述交聯基A群組之交聯基、氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基，存在複數個之X’’可相同亦可不同，但是，存在複數個之X’’之中，至少1個係選自前述交聯基A群組之交聯基]。

[7]如[1]至[6]項中任一項所述之發光元件，其中前述Ar^T1係式(T1-1)表示之基，

[式中，環R^T1及環R^T2係各自獨立地表示芳香族烴環、或不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之雜環，該等環亦可具有取代基，該取代基存在複數個時，亦可互相鍵結且與各自鍵結之原子一起形成環，X^T1表示單鍵、氧原子、硫原子、-N(R^XT1)-表示之基、或-C(R^XT1')₂-表示之基，R^XT1及R^XT1'，係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、取代胺基、鹵素原子或氰基，該等基亦可具有取代基。存在複數個之R^XT1'可相同亦可不同、亦可互相鍵結且與各自鍵結之碳原子一起形成環，R^XT1與環R^T1亦可具有的取代基、R^XT1與環R^T2亦可具有的取代基、R^XT1'與環R^T1亦可具有的取代基、及R^XT1'與環R^T2亦可具有的取代基，亦可各自鍵結而與各自鍵結之原子一起形成環]。

[8]如[7]所述之發光元件，其中，前述式(T1-1)表示之基係式(T1-1A)表示之基、式(T1-1B)表示之基、式(T1-1C)表示之基或式(T1-1D)表示之基，

[式中，X^T1表示與前述相同意思，X^T2及X^T3係各自獨立地表示單鍵、氧原子、硫原子、-N(RX^T2)-表示之基、或-C(RX^T2')₂-表示之基，RX^T2及RX^T2'係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、取代胺基、鹵素原子或氰基，該等基亦可具有取代基。存在複數個之RX^T2'可相同亦可不同、亦可互相鍵結且與各自鍵結之碳原子一起形成環，R^T1、R^T2、R^T3、R^T4、R^T5、R^T6、R^T7、R^T8、R^T9、R^T10、R^T11及R^T12係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、取代胺基、鹵素原子或氰基，該等基亦可具有取代基，R^T1與R^T2、R^T2與R^T3、R^T3與R^T4、R^T5與R^T6、R^T6與R^T7、R^T7與R^T8、R^T9與R^T10、R^T10與R^T11、及R^T11與R^T12亦可各自鍵結而與各自鍵結之碳原子一起形成環]。

[9]如[1]至[8]項中任一項所述之發光元件，其中前述Ar^T2係從二唑環、三唑環、

二唑環、噻二唑環、噻唑環、

唑環、異噻唑環、異

唑環、苯并二唑環、苯并三唑環、苯并

二唑環、苯并噻二唑環、苯并噻唑環、苯并

唑環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三

環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、四氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、四氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環或四氮雜菲環，將直接鍵結在構成環的原子之氫原子1個以上去除後的基(該基亦可具有取代基)。

[10]如[1]至[9]項中任一項所述之發光元件，其中前述式(T)表示之化合物的最低三重態激發狀態的能量位準(energy level)與最低一重態激發狀態的能量位準之差的絕對值為0.50eV以下，前述式(B)表示之螢光發光性化合物的最低三重態激發狀態的能量位準與最低一重態激發狀態的能量位準之差的絕對值為0.55eV以上且2.5eV以下。

[11]如[1]至[10]項中任一項所述之發光元件，其中前述第1有機層係不含有磷光發光性金屬錯合物之層。

[12]如[1]至[11]項中任一項所述之發光元件，其中前述第1有機層係進一步含有選自由電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、發光材料及抗氧化劑所組成群組之至少1種。

[13]如[1]至[12]項中任一項所述之發光元件，其中前述第1有機層與前述第2有機層為鄰接。

[14]如[1]至[13]項中任一項所述之發光元件，其中前述第2有機層係設置在前述陽極與前述第1有機層之間之層。

依照本發明，能夠提供一種具有優異的發光效率之發光元件。

(用以實施發明之形態)

以下，詳細地說明本發明的較佳實施形態。

<共同用語的說明>

在本說明書共同被使用之用語係只要未特別記載，就是下述意思。

Me表示甲基，Et表示乙基，Bu表示丁基，i-Pr表示異丙基，t-Bu表示第三丁基。

氫原子可為氘(deuterium)原子，亦可為氕(protium)原子。

表示金屬錯合物之式中，表示與中心金屬鍵結之實線意指共價鍵或配位鍵。

所謂「高分子化合物」意指具有分子量分布且聚苯乙烯換算的數量平均分子量為1×10³至1×10⁸之聚合物。

高分子化合物可為嵌段共聚物、無規共聚物、交替共聚物、接枝共聚物的任一者，亦可為其他態樣。

若高分子化合物的末端基直接殘留有聚合活性基時，由於將高分子化合物使用於製造發光元件時，有發光特性或亮度壽命會降低之可能性，所以較佳為安定的基。作為高分子化合物的末端基，較佳是與主鏈有共軛鍵結之基，例如，可舉出透過碳-碳鍵而與高分子化合物的主鏈鍵結之芳基或與一價雜環基鍵結之基。

所謂「低分子化合物」意指不具有分子量分布且分子量為1×10⁴以下的化合物。

所謂「結構單元」意指在高分子化合物中存在1個以上之單元。

「烷基」可為直鏈及分枝的任一種。直鏈烷基的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為1至50，較佳為3至30，更佳為4至20。分枝烷基的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為3至50，較佳為3至30，更佳為4至20。

烷基亦可具有取代基，例如可舉出：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、2-丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3,7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基癸基、十二基、及在該等基之氫原子經環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代而成之基(例如，三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯基丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3,5-二己基苯基)丙基、6-乙氧基己基)。

「環烷基」的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為3至50，較佳為3至30，更佳為4至20。

環烷基亦可具有取代基，例如可舉出環己基、環己基甲基、環己基乙基。

「芳基」意指從芳香族烴將直接鍵結在構成環的碳原子之氫原子1個去除後之剩餘部分的原子團。芳基的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為6至60，較佳為6至20，更佳為6至10。

芳基亦可具有取代基、例如可舉出：苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-茀基、3-茀基、4-茀基、2-苯基苯基、3-苯基苯基、4-苯基苯基、及在該等基之氫原子中經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代而成之基。

「烷氧基」可為直鏈及分枝的任一種。直鏈烷氧基的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為1至40，較佳為4至10。分枝烷氧基的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為3至40，較佳為4至10。

烷氧基亦可具有取代基，例如可舉出：甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、月桂氧基、及在該等基之氫原子經環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代而成之基。

「環烷氧基」的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為3至40，較佳為4至10。

環烷氧基亦可具有取代基，例如可舉出環己氧基。

「芳氧基」的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為6至60，較佳為6至48。

芳氧基亦可具有取代基，例如可舉出：苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1-蒽氧基、9-蒽氧基、1-芘氧基、及在該等基之氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、氟原子等取代而成之基。

所謂「p價雜環基」(p表示1以上的整數)意指從雜環式化合物，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之氫原子中之p個氫原子去除後剩餘部分的原子團。p價雜環基之中，較佳是從芳香族雜環式化合物將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之氫原子中之p個氫原子去除後剩餘部分的原子團之「p價芳香族雜環基」。

「芳香族雜環式化合物」意指

二唑、噻二唑、噻唑、

唑、噻吩、吡咯、含磷雜環戊二烯(phosphole)、呋喃、吡啶、吡

、嘧啶、三

、嗒

、喹啉、異喹啉、咔唑、二苯并含磷雜環戊二烯等雜環本身顯示芳香族性之化合物、及啡

(phenoxazine)、啡噻

、二苯并硼雜環戊二烯、二苯并矽雜環戊二烯、苯并吡喃等雜環本身不顯示芳香族性且芳香環被縮環在雜環而成之化合物。

一價雜環基的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為2至60，較佳為4至20。

一價雜環基亦可具有取代基，例如可舉出：噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基、嘧啶基、三

基、及在該等基之氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基等取代而成之基。

所謂「鹵素原子」表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。

「胺基」亦可具有取代基，較佳為取代胺基。作為胺基所具有的取代基者，較佳為烷基、環烷基、芳基或一價雜環基。

作為取代胺基者，例如可舉出：二烷基胺基、二環烷基胺基及二芳基胺基。

作為胺基者，例如可舉出：二甲基胺基、二乙基胺基、二苯基胺基、雙(4-甲基苯基)胺基、雙(4-第三丁基苯基)胺基、雙(3,5-二-第三丁基苯基)胺基。

「烯基」可為直鏈及分枝的任一種。直鏈烯基的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為2至30，較佳為3至20。分枝烯基的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為3至30，較佳為4至20。

「環烯基」的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為3至30，較佳為4至20。

烯基及環烯基亦可具有取代基、例如可舉出乙烯基、 1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、5-己烯基、7-辛烯基、及該等基為具有取代基之基。

「炔基」可為直鏈及分枝的任一種。炔基的碳原子數不包含取代基的碳原子時通常為2至20，較佳為3至20。分枝炔基的碳原子數不包含取代基的碳原子時通常為4至30，較佳為4至20。

「環炔基」的碳原子數不包含取代基的碳原子時通常為4至30，較佳為4至20。

炔基及環炔基亦可具有取代基，例如可舉出：乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、5-己炔基、及該等基為具有取代基之基。

「伸芳基」意指從芳香族烴將直接鍵結在構成環的碳原子之氫原子2個去除後之剩餘部分的原子團。伸芳基的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為6至60，較佳為6至30，更佳為6至18。

伸芳基亦可具有取代基，例如可舉出：伸苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氫菲二基、稠四苯二基、茀二基、芘二基、苝二基、1,2-苯并菲二基、及該等基為具有取代基之基，較佳為式(A-1)至式(A-20)表示之基。伸芳基包含該等基複數個鍵結而成之基。

[式中，R及R^a係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基。存在複數個之R及R^a係各自可相同亦可不同、R^a之間亦可互相鍵結且與各自鍵結之原子一起形成環]。

二價雜環基的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為2至60，較佳為3至20為佳，更佳為4至15。

二價雜環基亦可具有取代基，例如可舉出：從吡啶、二氮雜苯、三

、氮雜萘、二氮雜萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并矽雜環戊二烯、啡

、啡噻

、吖啶、二氫吖啶、呋喃、噻吩、唑、二唑、三唑將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之氫原子中的2個氫原子去除後的二價基，較佳為式(AA-1)至式(AA-34)表示之基。二價雜環基包含該等基複數個鍵結而成之基。

[式中，R及R^a表示與前述相同意思]。

所謂「交聯基」意指藉由施行加熱處理、紫外線照射處理、近紫外線照射處理、可見光照射處理、紅外線照射處理、自由基反應等，而可生成新鍵結之基，較佳為交聯基A群組的式(XL-1)至式(XL-17)表示之交聯基。

所謂「取代基」表示：鹵素原子、氰基、烷基、環烷基、芳基、一價雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基、取代胺基、烯基、環烯基、炔基或環炔基。取代基亦可為交聯基。

<發光元件>

本發明的發光元件，係一種發光元件其具有陽極、陰極、設置在陽極及陰極之間的第1有機層、及設置在陽極及陰極之間的第2有機層之發光元件，前述第1有機層係含有式(T)表示的化合物及式(B)表示的螢光發光性化合物之層，前述第2有機層係含有交聯材料的交聯體之層。

作為第1有機層及第2有機層的形成方法，例如可舉出：真空蒸鍍法等乾式法、以及旋轉塗佈法及噴墨印刷法等的濕式法，以濕式法為佳。

使用濕式法形成第1有機層時，係以使用後述的第1印墨為佳。

藉由濕式法形成第2有機層時，係以使用後述的第2印墨為佳。較佳是形成第2有機層後，能夠藉由加熱或光照射而使在第2有機層所含有的交聯材料交聯，藉由加熱而使在第2有機層所含有的交聯材料交聯。因為第2有機層係交聯狀態下(交聯材料的交聯體)含有交聯材料，所以第2有機層係實質上不會被溶劑溶化。因此第2有機層係能夠適合使用於發光元件的積層化。

用以進行交聯之加熱溫度通常為25℃至300℃，較佳為50℃至260℃，更佳為130℃至230℃，又更佳為180℃至210℃。

加熱時間通常為0.1分鐘至1000分鐘，較佳為0.5分鐘至500分鐘，更佳為1分鐘至120分鐘，又更佳為10分鐘至60分鐘。

在光照射所使用的光線之種類，係例如紫外光、近紫外光、可見光。

作為分析第1有機層或第2有機層所含有的成分之方法，例如可舉出：萃取等化學性分離分析法、紅外分光法(IR)、核磁共振分光法(NMR)、質量分析法(MS)等機器分析法、以及組合化學性分離分析法及機器分析法之分析法。

藉由對第1有機層或第2有機層使用甲苯、二甲苯、氯仿、四氫呋喃等有機溶劑進行固液萃取，而能夠分離對有機溶劑實質上為不溶的成分(不溶成分)、及會對有機溶劑溶解之成分(溶解成分)。不溶成分係能夠使用紅外分光法或核磁共振分光法來分析，溶解成分係能夠使用核磁共振分光法或質量分析法來分析。

<第1有機層>

[式(T)表示之化合物]

式(T)表示之化合物，係以具有選自由發光性、電洞注入性、電洞輸送性、電子注入性及電子輸送性所組成群組之至少1種功能之化合物為佳，以具有選自由電洞注入性、電洞輸送性、電子注入性及電子輸送性所組成群組之至少1種功能之主體材料為較佳。

主體材料意指擔任將電能移交至發光材料的任務之材料。藉由有效率地將電能從主體材料移交至發光材料，故能夠使發光材料有效率地發光，所以較佳為主體材料的最低激發三重態狀態為高於發光材料的最低激發三重態狀態的能量位準，並且，主體材料的最低激發一重態狀態為高於發光材料的最低激發一重態狀態的能量位準。

式(T)表示之化合物係以熱活性化遲延螢光(TADF)材料為佳。

式(T)表示之化合物的最低三重態激發狀態之能量位準、與最低一重態激發狀態的能量位準之差的絕對值(△E_ST)，通常為0.50eV以下，較佳為0.40eV以下，更佳為0.30eV以下，又更佳為0.20eV以下，特佳為0.16eV以下，更特佳為0.13eV以下。式(T)表示之化合物的△E_ST較佳為0.0001eV以上，更佳為0.001eV以上，又更佳為0.005eV以上，特佳為0.01eV以上。因為本發明的發光元件的發光效率優異，式(T)表示之化合物的△E_ST為0.0001eV以上且0.40eV以下，較佳為0.001eV以上且0.20eV以下，更佳為0.005eV以上且0.16eV以下，特佳為0.01eV以上且0.13eV以下。

式(T)表示之化合物的振盪子強度較佳為0.0001以上，更佳為0.001以上，又更佳為0.1以上。式(T) 表示之化合物的振盪子強度較佳為1以下，更佳為0.8以下，又更佳為0.6以下，特佳為0.3以下。因為本發明的發光元件的發光效率優異，式(T)表示之化合物的振盪子強度較佳為0.0001以上且1以下，更佳為0.001以上且0.3以下，又更佳為0.1以上且0.3以下。

化合物的△E_ST及振盪子強度之值的算出，係使用B3LYP水準的密度泛函數法，將化合物的基底狀態進行構造最佳化，此時，使用6-31G*作為基底函數。而且，使用Gaussian09作為量子化學計算程式且使用B3LYP水準的時間依存密度泛函數法，來算出化合物的△E_ST及振盪子強度。但是，6-31G*含有無法使用的原子時，針對該原子使用LANL2DZ。

式(T)表示的化合物之分子量，較佳為1×10²至1×10⁴，更佳為2×10²至5×10³，又更佳為3×10²至3×10³，特佳為5×10²至1.5×10³。

因為本發明的發光元件的發光效率優異，n^T1較佳為0以上且3以下的整數，更佳為0以上且2以下的整數，又更佳為0或1，特佳為0。

因為本發明的發光元件的發光效率優異，n^T2較佳為1以上且7以下的整數，更佳為1以上且5以下的整數，又更佳為1以上且3以下的整數，特佳為1或2，更特佳為1。

Ar^T1係含有不具有雙鍵的氮原子作為環構成原子，而且不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之單環或縮合環的一價雜環基。該一價雜環基亦可具有取代基。

所謂「不具有雙鍵之氮原子」意指在氮原子與鍵結該氮原子之全部原子之間只具有單鍵之氮原子。

所謂「在環構成原子含有不具有雙鍵的氮原子」意指在環內含有-N(-R^N)-(式中，R^N表示氫原子或取代基)、或下式表示之基：

所謂「具有雙鍵之氮原子」意指在氮原子與鍵結該氮原子之原子之間具有雙鍵之氮原子。

所謂「在環構成原子含有具有雙鍵之氮原子」意指在環內含有-N=表示之基。

在含有不具有雙鍵的氮原子作為環構成原子，而且不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之單環或縮合環的一價雜環基中，構成環之不具有雙鍵之氮原子的數目通常為1至10，較佳為1至5，更佳為1至3，又更佳為1或2，特佳為1。

在含有不具有雙鍵的氮原子作為環構成原子，而且不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之單環或縮合環之一價雜環基中，構成環之碳原子的數目通常為2至60，較佳為5至40，更佳為10至25。

就含有不具有雙鍵的氮原子作為環構成原子，而且不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之單環的一價雜環基而言，例如可舉出從吡咯環將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之1個氫原子去除後之基，該等基亦可具有取代基。

就含有不具有雙鍵的氮原子作為環構成原子，而且不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子的縮合環之一價雜環基而言，例如可舉出：從吲哚環、異吲哚環、咔唑環、9,10-二氫吖啶環、5,10-二氫啡

環、吖啶酮環、喹吖酮(quinacridone)環、啡

環、啡噻

環、吲哚咔唑環、茚咔唑環、或是芳香族烴環及/或不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之雜環在該等雜環縮合而成之環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之1個氫原子去除後之基，該等基亦可具有取代基。可在雜環縮合之芳香族烴環的例子及較佳範圍，係與後述的環R^T1及環R^T2表示之芳香族烴環的例子及較佳範圍相同。可在雜環縮合之不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之雜環的例子及較佳範圍，係與後述環R^T1及環R^T2表示之不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之雜環的例子及較佳範圍相同。

就含有不具有雙鍵的氮原子作為環構成原子，而且不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子的縮合環之一價雜環基而言，係以從咔唑環、9,10-二氫吖啶環、5,10-二氫啡

環、啡

環、啡噻

環、吲哚咔唑環、茚咔唑環、或是芳香族烴環及/或不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之雜環在該等雜環縮合而成之環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之1個氫原子去除後之基，較佳為從咔唑環、9,10-二氫吖啶環、5,10-二氫啡

環、啡

環、啡噻

環、吲哚咔唑環或茚咔唑環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之1個氫原子去除後之基，更佳為從咔唑環、吲哚咔唑環或茚咔唑環、將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之1個氫原子去除後之基，特佳為從茚咔唑環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之1個氫原子去除後之基，該等基亦可具有取代基。

作為Ar^T1亦可具有的取代基，係以烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、取代胺基、鹵素原子或氰基為佳，以烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、一價雜環基、取代胺基或氰基為較佳，以烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或取代胺基為更佳，以烷基、芳基或取代胺基為特佳，以烷基為更特佳，該等基可更具有取代基。

作為在Ar^T1亦可具有的取代基之芳基，例如可舉出：從苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、稠四苯環、茀環、螺旋雙芴環、茚環、芘環、苝環、1,2-苯并菲環、或該等環縮合而成的環，將直接鍵結在構成環的碳原子之1個氫原子去除後之基，較佳為從苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、稠四苯環、茀環、螺旋雙芴環、茚環、芘環、苝環、或1,2-苯并菲環，將直接鍵結在構成環的碳原子之1個氫原子去除後之基，更佳為苯基、萘基、蒽基、菲基、二氫菲基、茀基或螺聯茀基，又更佳為苯基、萘基、茀基或螺聯茀基，特佳為苯基，該等基亦可具有取代基。

作為在Ar^T1亦可具有的取代基之一價雜環基，例如可舉出：從吡咯環、二唑環、三唑環、呋喃環、噻吩環、

二唑環、噻二唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三

環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、二苯并矽雜環戊二烯環、二苯并含磷雜環戊二烯環、咔唑環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、啡

環、啡噻

環、或芳香環在該等雜環縮合而成之環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之1個氫原子去除後之基，較佳為從吡咯環、二唑環、三唑環、

二唑環、噻二唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三

環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、咔唑環、氮雜咔唑環或二氮雜咔唑環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之1個氫原子去除後之基，更佳為從吡啶環、二氮雜苯環、三

環、氮雜萘環、二氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、咔唑環、氮雜咔唑環或二氮雜咔唑環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之氫原子1個以上去除後之基，又更佳為從吡啶環、二氮雜苯環、三

環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環或咔唑環，特佳為從二苯并呋喃環、二苯并噻吩環或咔唑環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之氫原子1個以上去除後之基，該等基亦可具有取代基。

在Ar^T1可具有的取代基之取代胺基，作為胺基所具有之取代基，係以芳基或一價雜環基為佳，以芳基為較佳，該等基可更具有取代基。在胺基所具有的取代基之芳基的例子及較佳範圍，係與在Ar^T1亦可具有的取代基之芳基的例子及較佳範圍相同。在胺基所具有之取代基之一價雜環基的例子及較佳範圍，係與在Ar^T1亦可具有的取代基之一價雜環基的例子及較佳範圍相同。

Ar^T1可具有的取代基存在複數個時，該複數個Ar^T1係以互相鍵結而不與各自鍵結之原子一起形成環為佳。

作為Ar^T1可具有的取代基可更具有的取代基者，較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、取代胺基、鹵素原子或氰基，更佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、一價雜環基或取代胺基，又更佳為烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或取代胺基，特佳為烷基或環烷基，該等基可更具有取代基。

在Ar^T1可具有的取代基可更具有的取代基之芳基、一價雜環基及取代胺基的例子及較佳範圍，係各自與在Ar^T1可具有的取代基之芳基、一價雜環基及取代胺基的例子及較佳範圍相同。

Ar^T1較佳為含有不具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之縮合環的一價雜環基，更佳為式(T1-1)表示之基，該等基亦可具有取代基。

‧式(T1-1)表示之基

環R^T1及環R^T2表示之芳香族烴環的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為6至60，較佳為6至30，更佳為6至18。

作為環R^T1及環R^T2表示之芳香族烴環者，例如可舉出：苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、稠四苯環、茀環、螺旋雙芴環、茚環、芘環、苝環、1,2-苯并菲環及該等環縮合而成之環，較佳為苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、稠四苯環、茀環、螺旋雙芴環、茚環、芘環、苝環或1,2-苯并菲環，更佳為苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、茀環或螺旋雙芴環，又更佳為苯環、萘環、茀環或螺旋雙芴環，特佳為苯環或茀環，該等環亦可具有取代基。

環R^T1及環R^T2表示之不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之雜環的碳原子數，係不包含取代基的碳原子數時通常為2至60，較佳為3至30，更佳為4至15。

就環R^T1及環R^T2表示之不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之雜環而言，例如可舉出：吡咯環、呋喃環、噻吩環、矽雜環戊二烯環、含磷雜環戊二烯環、吲哚環、苯并呋喃環、苯并噻吩環、苯并矽雜環戊二烯環、苯并含磷雜環戊二烯環、咔唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、二苯并矽雜環戊二烯環、二苯并含磷雜環戊二烯環、啡

環、啡噻

環、9,10-二氫吖啶環、吖啶酮環、啡

環、5,10-二氫啡

環、該等環縮合而成的環、及芳香族烴環在該等環縮合而成的環，較佳為吡咯環、呋喃環、噻吩環、矽雜環戊二烯環、含磷雜環戊二烯環、吲哚環、苯并呋喃環、苯并噻吩環、苯并矽雜環戊二烯環、苯并含磷雜環戊二烯環、咔唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、二苯并矽雜環戊二烯環、二苯并含磷雜環戊二烯環、啡

環、啡噻

環、9,10-二氫吖啶環、吖啶酮環、啡

環或5,10-二氫啡

環，更佳為吲哚環、苯并呋喃環、苯并噻吩環、咔唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、啡

環、啡噻

環、9,10-二氫吖啶環或5,10-二氫啡

環，又更佳為咔唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、啡

環、啡噻

環、9,10-二氫吖啶環或5,10-二氫啡

環，特佳為咔唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環，更特佳為咔唑環，該等環亦可具有取代基。

環R^T1及環R^T2可具有的取代基的例子及較佳範圍，係與Ar^T1可具有的取代基的例子及較佳範圍相同。

環R^T1及環R^T2可具有的取代基可更具有的取代基的例子及較佳範圍，係與Ar^T1可具有的取代基可更具有的取代基的例子及較佳範圍相同。

環R^T1及環R^T2之中，以至少1個為芳香族烴環為佳，以苯環為較佳，該等環亦可具有取代基。

環R^T1及環R^T2係以芳香族烴環為佳，以苯環或茀環為較佳，該等環亦可具有取代基。

X^T1較佳為單鍵、氧原子、硫原子或-C(R^XT1')₂-表示之基，更佳為單鍵、氧原子或硫原子，又更佳為單鍵。

R^XT1較佳為烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或取代胺基，更佳為芳基或一價雜環基，又更佳為芳基，該等基亦可具有取代基。

R^XT1'較佳為烷基、環烷基、芳基或一價雜環基為佳，更佳為烷基、環烷基或芳基，又更佳為烷基或環烷基，該等基亦可具有取代基。

存在複數個之R^XT1'可相同亦可不同，亦可互相鍵結且與各自鍵結之碳原子一起形成環，以不形成環為佳。

R^XT1及R^XT1'表示之芳基、一價雜環基及取代胺基的例子及較佳範圍，係各自與在Ar^T1可具有的取代基之芳基、一價雜環基及取代胺基的例子及較佳範圍相同。

R^XT1及R^XT1'可具有的取代基的例子及較佳範圍，係與Ar^T1可具有的取代基可更具有的取代基的例子及較佳範圍相同。

R^XT1與環R^T1可具有的取代基、R^XT1與環R^T2可具有的取代基、R^XT1'與環R^T1可具有的取代基、及R^XT1'與環R^T2可具有的取代基，係以各自鍵結而不與各自鍵結之原子一起形成環為佳。

式(T1-1)表示之基較佳為式(T1-1A)表示之基、式(T1-1B)表示之基、式(T1-1C)表示之基或式(T1-1D) 表示之基，更佳為式(T1-1A)表示之基、式(T1-1B)表示之基或式(T1-1C)表示之基，又更佳為式(T1-1B)表示之基。

X^T2及X^T3較佳為單鍵、-N(RX^T2)-表示之基、或-C(RX^T2')₂-表示之基，更佳為單鍵或-C(RX^T2')₂-表示之基。

X^T2及X^T3之中，係以至少一方為單鍵為佳，以X^T3為單鍵為較佳。

X^T2及X^T3之中，至少一方為單鍵時，另一方係以氧原子、硫原子、-N(RX^T2)-表示之基、或-C(RX^T2')₂-表示之基為佳，以-N(RX^T2)-表示之基、或-C(RX^T2')₂-表示之基為較佳，以-C(RX^T2')₂-表示之基為更佳。

RX^T2的例子及較佳範圍，係與R^XT1的例子及較佳範圍相同。

RX^T2'的例子及較佳範圍，係與R^XT1'的例子及較佳範圍相同。

RX^T2及RX^T2'亦可具有的取代基的例子及較佳範圍，係與R^XT1及R^XT1'亦可具有的取代基的例子及較佳範圍相同。

R^T1、R^T2、R^T3、R^T4、R^T5、R^T6、R^T7、R^T8、R^T9、R^T10、R^T11及R^T12，係以氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、一價雜環基、取代胺基或氰基為佳，以氫原子、烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或取代胺基為較佳，該等基亦可更具有取代基。

在式(T1-1A)表示之基，R^T1、R^T2、R^T4、R^T5、R^T7及R^T8係以氫原子、烷基、芳基、一價雜環基或取代胺基為佳，以氫原子或烷基為較佳，以氫原子為更佳，該等基亦可更具有取代基。

在式(T1-1A)表示之基，R^T3及R^T6係以烷基、芳基、一價雜環基或取代胺基為佳，以芳基、一價雜環基或取代胺基為較佳，以取代胺基為更佳，該等基亦可更具有取代基。

在式(T1-1B)、式(T1-1C)及式(T1-1D)表示之基，R^T1、R^T2、R^T3、R^T4、R^T5、R^T6、R^T7、R^T8、R^T9、R^T10、R^T11及R^T12係以氫原子、烷基、芳基、一價雜環基或取代胺基為佳，以氫原子或烷基為較佳，以氫原子為更佳，該等基亦可更具有取代基。

R^T1、R^T2、R^T3、R^T4、R^T5、R^T6、R^T7、R^T8、R^T9、R^T10、R^T11及R^T12表示之芳基、一價雜環基及取代胺基的例子及較佳範圍，係各自與在Ar^T1可具有的取代基之芳基、一價雜環基及取代胺基的例子及較佳範圍相同。

R^T1、R^T2、R^T3、R^T4、R^T5、R^T6、R^T7、R^T8、R^T9、R^T10、R^T11及R^T12可具有的取代基的例子及較佳範圍，係與Ar^T1可具有的取代基可更具有的取代基的例子及較佳範圍相同。

R^T1與R^T2、R^T2與R^T3、R^T3與R^T4、R^T5與R^T6、R^T6與R^T7、R^T7與R^T8、R^T9與R^T10、R^T10與R^T11、及R^T11與R^T12，亦可各自鍵結而與各自鍵結之碳原子一起形成環，但以不形成環為佳。

L^T1係伸烷基、環伸烷基、伸芳基、二價雜環基、-N(R^T1')-表示之基、氧原子或硫原子，該等基亦可具有取代基。

L^T1係以伸烷基、環伸烷基、伸芳基或二價雜環基為佳，以伸芳基或二價雜環基為較佳，以伸芳基為更佳，該等基亦可具有取代基。

作為L^T1表示之伸芳基者，較佳為伸苯基、萘二基、茀二基、菲二基或二氫菲二基，更佳為式(A-1)至式(A-9)、式(A-19)或式(A-20)表示之基，又更佳為式(A-1)至式(A-3)表示之基，特佳為式(A-1)或式(A-2)表示之基，更特佳為式(A-1)表示之基，該等基亦可具有取代基。

作為L^T1表示之二價雜環基者，較佳為式(AA-1)至式(AA-34)表示之基為佳，更佳為式(AA-1)至式(AA-6)、式(AA-10)至式(AA-21)或式(AA-24)至式(AA-34)表示之基，又更佳為式(AA-1)至式(AA-4)、式(AA-10)至式(AA-15)或式(AA-29)至式(AA-34)表示之基，特佳為式(AA-2)、式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)或式(AA-14)表示之基。

L^T1可具有的取代基的例子及較佳範圍，係與Ar^T1可具有的取代基的例子及較佳範圍相同。

L^T1可具有的取代基可更具有的取代基的例子及較佳範圍，係與Ar^T1可具有的取代基可更具有的取代基的例子及較佳範圍相同。

R^T1'較佳為芳基或一價雜環基，更佳為芳基，該等基亦可具有取代基。

R^T1'表示之芳基及一價雜環基的例子及較佳範圍，係各自與在Ar^T1可具有的取代基之芳基及一價雜環基的例子及較佳範圍相同。

R^T1'可具有的取代基的例子及較佳範圍，係與Ar^T1可具有的取代基可更具有的取代基的例子及較佳範圍相同。

Ar^T2係含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之單環或縮合環的雜環基。該雜環基亦可具有取代基。

在含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之單環或縮合環的雜環基，構成環之具有雙鍵的氮原子之數目通常為1至10，較佳為1至7，更佳為1至5，又更佳為1至3，特佳為3。

在含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之單環或縮合環的雜環基，構成環之碳原子的數目通常為1至60，較佳為2至30，更佳為3至10，特佳為3至5。

作為含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之單環或縮合環的雜環基，可舉出：從二唑環、三唑環、

二唑環、噻二唑環、噻唑環、

唑環、異噻唑環、異

唑環、苯并二唑環、苯并三唑環、苯并

二唑環、苯并噻二唑環、苯并噻唑環、苯并

環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、四氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、四氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環、四氮雜菲環、或芳香環在該等在雜環縮環而成之環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之氫原子 1個以上去除後之基，較佳為從二唑環、三唑環、

二唑環、噻二唑環、噻唑環、

唑環、異噻唑環、異

唑環、苯并二唑環、苯并三唑環、苯并

二唑環、苯并噻二唑環、苯并噻唑環、苯并

環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、四氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、四氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環、四氮雜菲環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之氫原子1個以上去除後之基，更佳為從三唑環、

二唑環、噻二唑環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三

環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、四氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、四氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環或四氮雜菲環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之氫原子1個以上去除後之基，又更佳為從三唑環、

二唑環、噻二唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三

環、氮雜萘環、二氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、氮雜菲環或二氮雜菲環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之氫原子1個以上去除後之基，特佳為從吡啶環、二氮雜苯環或三

環，將直接鍵結在構成環的碳原子之氫原子1個以上去除後之基，更特佳為從三

環，將直接鍵結在構成環的碳原子之氫原子1個以上去除後之基，該等基亦可具有取代基。

作為Ar^T2可具有的取代基(與後述的式(1T’)表示之基為不同，以下同樣)，係含有不具有雙鍵的氮原子作為環構成原子，而且不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之單環或縮合環的一價雜環基以外之一價雜環基(以下，亦稱為「供體型雜環基以外的一價雜環基」)，以烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、取代胺基、鹵素原子或氰基為佳，以烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、供體型雜環基以外的一價雜環基、取代胺基或氰基為較佳，以烷基、環烷基、芳基、供體型雜環基以外的一價雜環基或取代胺基為更佳，以烷基或芳基為特佳，以芳基為更特佳，該等基可更具有取代基。

在Ar^T2可具有的取代基之芳基的例子及較佳範圍，係與在Ar^T1可具有的取代基之芳基的例子及較佳範圍相同。

在Ar^T2可具有的取代基之供體型雜環基以外的一價雜環基中，構成環之碳原子的數目不包含取代基的碳原子數時通常為2至60，較佳為3至20。

作為在Ar^T2可具有的取代基之供體型雜環基以外的一價雜環基，例如可舉出：從二唑環、三唑環、呋喃環、噻吩環、

二唑環、噻二唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三

環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、二苯并矽雜環戊二烯環、二苯并含磷雜環戊二烯環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、該等雜環縮合而成的環、及芳香族烴環縮合在該等雜環而成之環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之1個氫原子去除後之基，較佳為從二唑環、三唑環、呋喃環、噻吩環、

二唑環、噻二唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三

環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、二苯并矽雜環戊二烯環、二苯并含磷雜環戊二烯環、氮雜咔唑環或二氮雜咔唑環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之1個氫原子去除後之基，更佳為從吡啶環、二氮雜苯環、三

環、氮雜萘環、二氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、氮雜咔唑環或二氮雜咔唑環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之氫原子1個以上去除後之基，又更佳為從吡啶環、二氮雜苯環、三

環、二苯并呋喃環或二苯并噻吩環，將直接鍵結在構成環的碳原子之1個氫原子去除後之基，特佳為從二苯并呋喃環或二苯并噻吩環，將直接鍵結在構成環的碳原子之1個氫原子去除後之基，該等基亦可具有取代基。

在Ar^T2可具有的取代基之取代胺基中，作為胺基所具有的取代基，係以芳基、或供體型雜環基以外的一價雜環基為佳，以芳基為較佳，該等基可更具有取代基。在胺基所具有之取代基之芳基的例子及較佳範圍，係與在Ar^T1可具有的取代基之芳基的例子及較佳範圍相同。在胺基所具有的取代基之供體型雜環基以外的一價雜環基的例子及較佳範圍，係與在Ar^T2可具有的取代基之供體型雜環基以外的一價雜環基的例子及較佳範圍相同。

作為Ar^T2可具有的取代基可更具有的取代基，較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、供體型雜環基以外的一價雜環基、取代胺基、鹵素原子或氰基，更佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、供體型雜環基以外的一價雜環基或取代胺基，又更佳為烷基、環烷基、芳基、供體型雜環基以外的一價雜環基或取代胺基，特佳為烷基或芳基，該等基可更具有取代基。

因為本發明的發光元件的發光效率優異，式(T)表示之化合物較佳為式(T’-1)至式(T’-14)表示之化合物，更佳為式(T’-1)至式(T’-11)表示之化合物，又佳為式(T’-1)至式(T’-8)表示之化合物表示之化合物，特佳為式(T’-1)至式(T’-4)表示之化合物，更特佳為式(T’-4)表示之化合物。

[式中，R^1T表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、供體型雜環基以外的一價雜環基、取代胺基、鹵素原子、氰基或式(1T’)表示之基，該等基亦可具有取代基。存在複數個之R^1T可相同亦可不同。但是，存在複數個之R^1T之中，至少1個為式(1T’)表示之基]。

存在複數個之R^1T之中，係以1個或2個R^1T為式(1T’)表示之基為佳。

[式中，L^T1、n^T1及Ar^T1表示與前述相同意思]。

R^1T較佳為氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、供體型雜環基以外的一價雜環基、取代胺基、氰基或式(1T’)表示之基，更佳為氫原子、烷基、環烷基、芳基、供體型雜環基以外的一價雜環基、取代胺基或式(1T’)表示之基，又更佳為氫原子、烷基、芳基或式(1T’)表示之基，特佳為氫原子、芳基或式(1T’)表示之基，該等基亦可具有取代基。

R^1T表示之芳基、供體型雜環基以外的一價雜環基及取代胺基的例子及較佳範圍，係各自與在Ar^T2可具有的取代基之芳基、供體型雜環基以外的一價雜環基及取代胺基的例子及較佳範圍相同。

R^1T可具有的取代基的例子及較佳範圍，係與Ar^T2可具有的取代基可更具有的取代基的例子及較佳範圍相同。

作為式(T’-1)至式(T’-14)表示之化合物者，例如，可舉出式(T’’-1)至式(T’’-25)表示之化合物，較佳為式(T’’-1)至式(T’’-22)表示之化合物，更佳為式(T’’-1)至式(T’’-18)表示之化合物，又更佳為式(T’’-1)至式(T’’-8)表示之化合物，特佳為式(T’’-8)表示之化合物。

[式中，R^2T表示烷基、環烷基、芳基、供體型雜環基以外的一價雜環基、取代胺基或式(1T’)表示之基，該等基亦可具有取代基。存在複數個之R^2T可相同亦可不同。但是，存在複數個之R^2T之中，至少1個為式(1T’)表示之基]。

存在複數個之R^2T之中，以1個或2個R^2T為式(1T’)表示之基為佳。

R^2T較佳為烷基、芳基或式(1T’)表示之基，更佳為芳基或式(1T’)表示之基，該等基可更具有取代基。

R^2T表示之芳基、一價雜環基及取代胺基的例子及較佳範圍，係各自與在Ar^T2亦可具有的取代基之芳基、一價雜環基及取代胺基的例子及較佳範圍相同。

R^2T可具有的取代基的例子及較佳範圍，係與Ar^T2可具有的取代基可更具有的取代基的例子及較佳範圍相同。

作為式(T)表示之化合物，例如可舉出下述式表示之化合物。又，式中，Z¹表示-N=表示之基、或-CH=表示之基。Z²表示氧原子或硫原子。存在複數個之Z¹及Z²係各自可相同亦可不同。

Z¹係以-N=表示之基為佳。Z²係以氧原子為佳。

式(T)表示之化合物，係能夠從Aldrich、Luminescence Technology Corp.等取得。此外，例如能夠依照國際公開第2007/063754號、國際公開第2008/056746號、國際公開第2011/032686號、國際公開第2012/096263號、特開2009-227663號公報、特開2010-275255號公報、Advanced Materials(Adv.Mater)(先進材料)，第26卷，第 7931-7958頁，2014年所記載的方法來合成。

[式(B)表示之螢光發光性化合物]

式(B)表示之螢光發光性化合物的△E_ST較佳為0.55eV以上，更佳為0.60eV以上，又更佳為0.65eV以上，特佳為0.70eV以上，更特佳為0.75eV以上。式(B)表示之螢光發光性化合物的△E_ST較佳為2.5eV以下，更佳為2.0eV以下，又更佳為1.5eV以下，特佳為1.0eV以下。因為本發明的發光元件的發光效率優異，式(B)表示之螢光發光性化合物的△E_ST較佳為0.55eV以上且2.5eV以下，更佳為0.60eV以上且2.0eV以下，又更佳為0.65eV以上且1.5eV以下，特佳為0.70eV以上且1.0eV以下，更特佳為0.75eV以上且1.0eV以下。

式(B)表示之螢光發光性化合物的振盪子強度，較佳為0.001以上，更佳為0.01以上，又更佳為0.1以上。式(B)表示之螢光發光性化合物的振盪子強度，較佳為1以下，更佳為0.6以下，又更佳為0.3以下。因為本發明的發光元件的發光效率優異，式(B)表示之螢光發光性化合物的振盪子強度較佳為0.001以上且1以下，更佳為0.01以上且0.6以下，又更佳為0.1以上且0.3以下。

n^1B較佳為1至8的整數，更佳為1至6的整數，更佳為1至4的整數，特佳為2。

Ar^1B表示之縮合環的芳香族烴基的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為7至60，較佳為8至 40，更佳為9至30，又更佳為10至20。

作為Ar^1B表示之縮合環的芳香族烴基，例如可舉出：從萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、聯伸三苯環、稠四苯環、茀環、螺旋雙芴環、芘環、苝環、1,2-苯并菲環、茚環、1,2-苯并苊環、苯并1,2-苯并苊環或苊并1,2-苯并苊環，將直接鍵結在構成環的碳原子之氫原子1個以上去除後之基，因為本發明的發光元件的發光效率優異，較佳為從萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、聯伸三苯環、稠四苯環、茀環、螺旋雙芴環、芘環、苝環、1,2-苯并菲環、1,2-苯并苊環、苯并1,2-苯并苊環或苊并1,2-苯并苊環，將直接鍵結在構成環的碳原子之氫原子1個以上去除後之基，更為從萘環、蒽環、菲環、聯伸三苯環、稠四苯環、芘環、苝環或1,2-苯并菲環，將直接鍵結在構成環的碳原子之氫原子1個以上去除後之基，又更佳為從蒽環、稠四苯環、芘環或苝環，將直接鍵結在構成環的碳原子之氫原子1個以上去除後之基，特佳為從蒽環將直接鍵結在構成環的碳原子之氫原子1個以上去除後之基，該等基亦可具有取代基。

作為Ar^1B可具有的取代基者，較佳為鹵素原子、氰基、芳氧基或胺基，更佳為氟原子或氰基，該等基可更具有取代基。

Ar^1B可具有的取代基可更具有的取代基的例子及較佳範圍，係與後述R^1B可具有的取代基的例子及較佳範圍相同。

因為本發明的發光元件的發光效率優異，R^1B較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、一價雜環基、取代胺基、烯基或環烯基為佳，更佳為烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或取代胺基，又更佳為烷基、芳基或取代胺基，特佳為芳基或取代胺基，更特佳為取代胺基，該等基亦可具有取代基。

R^1B表示之芳基的碳原子數，係不包含取代基的碳原子數時通常為6至60，以6至40為佳，較佳為6至30，更佳為6至14。

作為R^1B表示之芳基者，例如可舉出：從苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、聯伸三苯環、稠四苯環、茀環、螺旋雙芴環、芘環、苝環、1,2-苯并菲環、茚環、1,2-苯并苊環、苯并1,2-苯并苊環或苊并1,2-苯并苊環，將直接鍵結在構成環的碳原子之1個氫原子去除後之基，較佳為從苯環、萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、茀環、螺旋雙芴環、芘環、1,2-苯并苊環或苯并1,2-苯并苊環，將直接鍵結在構成環的碳原子之1個氫原子去除後之基，更佳為從苯環、萘環、蒽環、菲環、茀環、螺旋雙芴環或芘環，將直接鍵結在構成環的碳原子之1個氫原子去除後之基，又更佳為從苯環、萘環或蒽環，將直接鍵結在構成環的碳原子之1個氫原子去除後之基，特佳為苯基，該等基可更具有取代基。

R^1B表示之一價雜環基的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為2至60，較佳為3至30，更佳為 3至20。

作為R^1B表示之一價雜環基者，例如可舉出：從吡咯環、二唑環、三唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三

環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、吲哚環、咔唑環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、啡

環、啡噻

環、吖啶環、9,10-二氫吖啶環、吖啶酮環、啡

環及5,10-二氫啡

環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之1個氫原子去除後之基，較佳為從吡啶環、二氮雜苯環、三

環、氮雜萘環、二氮雜萘環、咔唑環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、啡

環、啡噻

環、9,10-二氫吖啶環或5,10-二氫啡

環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之1個氫原子去除後之基，更佳為從吡啶環、二氮雜苯環、三

環、氮雜萘環、二氮雜萘環、咔唑環、二苯并呋喃環或二苯并噻吩環，將直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子之1個氫原子去除後之基，又更佳為從二苯并呋喃環或二苯并噻吩環，將直接鍵結在構成環的碳原子之1個氫原子去除後之基，該等基可更具有取代基。

在R^1B表示之取代胺基，作為胺基所具有之取代基，以芳基或一價雜環基為佳，以芳基為較佳，該等基可更具有取代基。在胺基所具有之取代基之芳基的例子及較佳範圍，係與R^1B表示之芳基的例子及較佳範圍相同。在胺基所具有之取代基之一價雜環基的例子及較佳範圍，係與R^1B表示之一價雜環基的例子及較佳範圍相同。

作為R^1B可具有的取代基者，較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、一價雜環基、取代胺基或鹵素原子，更佳為烷基、環烷基、芳基、一價雜環基或取代胺基，又更佳為烷基、環烷基或芳基，特佳為烷基或環烷基，該等基可更具有取代基。

在R^1B可具有的取代基之芳基、一價雜環基及取代胺基的例子及較佳範圍，係各自與R^1B表示之芳基、一價雜環基及取代胺基的例子及較佳範圍相同。

作為R^1B可具有的取代基可更具有的取代基，較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、一價雜環基、取代胺基或鹵素原子，更佳為烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，又更佳為烷基或環烷基，該等基可更具有取代基。

在R^1B可具有的取代基可更具有的取代基之芳基、一價雜環基及取代胺基的例子及較佳範圍，係各自與R^1B表示之芳基、一價雜環基及取代胺基的例子及較佳範圍相同。

R^1B存在複數個時，係以互相鍵結而不與各自鍵結之原子一起形成環為佳。

作為式(B)表示之螢光發光性化合物，例如可舉出下述式表示之化合物。

[第1有機層的組成比等]

第1有機層之式(T)表示之化合物，可含有單獨1種亦可含有2種以上。

第1有機層之式(B)表示之螢光發光性化合物，可含有單獨1種亦可含有2種以上。

在第1有機層，將式(T)表示之化合物與式(B)表示之螢光發光性化合物的合計設為100質量份時，式(B)表示之螢光發光性化合物的含量通常為0.1至50質量份，較佳為1至45質量份，更佳為5至40質量份，又更佳為10至30質量份。

第1有機層可為含有式(T)表示之化合物、式(B)表示之螢光發光性化合物、及選自由電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、發光材料及抗氧化劑所組成群組之至少1種的材料之組成物(以下，亦稱為「第1組成物」)之層。但是，在第1組成物中，發光材料係與式(B)表示之螢光發光性化合物不同。又，在第1組成物中，電洞輸送材料、電洞注入材料、發光材料、電子輸送材料及電子注入材料係與式(T)表示之化合物不同。

[電洞輸送材料]

電洞輸送材料係被分類成為低分子化合物及高分子化合物，較佳為高分子化合物。電洞輸送材料亦可具有交聯基。

作為高分子化合物，例如可舉出聚乙烯基咔唑及其衍生物；在側鏈或主鏈具有芳香族胺結構之聚伸芳基及其衍生物。高分子化合物亦可為鍵結有電子接受性部位之化合物。作為電子接受性部位，例如可舉出：富勒烯(fullerene)、四氟四氰氧基二甲烷、四氰基乙烯、三硝基茀酮等，較佳為富勒烯。

在第1組成物，將式(T)表示之化合物與式(B)表示之螢光發光性化合物的合計設為100質量份時，電洞輸送材料的調配量通常為0.1至1000質量份，較佳為1至400質量份，更佳為5至150質量份。

電洞輸送材料可單獨使用1種亦可併用2種以上。

[電子輸送材料]

電子輸送材料係被分類為低分子化合物及高分子化合物。電子輸送材料亦可具有交聯基。

作為低分子化合物者，例如將8-羥基喹啉設為配位體之金屬錯合物，可舉出：

二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、茀酮、二苯基二氰基乙烯及二苯酚合苯醌、以及該等衍生物。

作為高分子化合物者，例如可舉出：聚伸苯(polyphenylene)、聚茀、及該等衍生物。高分子化合物亦可摻雜有金屬。

在第1組成物，將式(T)表示之化合物與式(B)表示之螢光發光性化合物的合計設為100質量份時，電子輸送材料的調配量通常為0.1至1000質量份，較佳為1至400質量份，更佳為5至150質量份。

電子輸送材料可單獨使用1種亦可併用2種以上。

[電洞注入材料及電子注入材料]

電洞注入材料及電子注入材料係各自被分類為低分子化合物及高分子化合物。電洞注入材料及電子注入材料亦可具有交聯基。

作為低分子化合物，例如可舉出：銅酞花青等金屬酞花青；碳；鉬、鎢等金屬氧化物；氟化鋰、氟化鈉、氟化銫、氟化鉀等金屬氟化物。

作為高分子化合物者，例如可舉出：聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚伸苯基伸乙烯、聚伸噻吩基伸乙烯、聚喹啉及聚喹

啉、以及該等衍生物；在主鏈或側鏈含有芳香族胺結構之聚合物等導電性高分子。

在第1組成物，將式(T)表示之化合物與式(B)表示之螢光發光性化合物之合計設為100質量份時電洞注入材料及電子注入材料的調配量分別通常為0.1至1000質量份，較佳為1至400質量份，更佳為5至150質量份。

電子注入材料及電洞注入材料係各自可單獨使用1種亦可併用2種以上。

[離子摻雜]

電洞注入材料或電子注入材料含有導電性高分子時，導電性高分子的導電度較佳為1×10^-5S/cm至1×10³S/cm。為了使導電性高分子的導電度成為此種範圍，能夠將適量的離子摻雜在導電性高分子。

摻雜離子的種類，係電洞注入材料時為陰離子、電子注入材料時為陽離子。作為陰離子者，例如可舉出：聚苯乙烯磺酸離子、甲基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子。作為陽離子者，例如可舉出：鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子。

摻雜離子可單獨使用1種亦可併用2種以上。

[發光材料]

發光材料係被分類為低分子化合物及高分子化合物。發光材料亦可具有交聯基。

作為低分子化合物者，可舉出以銥、鉑或銪作為中心金屬之磷光發光性金屬錯合物。

作為高分子化合物者，例如可舉出：含有伸苯基、萘二基、蒽二基、茀二基、菲二基、二氫菲二基、式(X)表示之基、咔唑二基、啡

二基、啡噻

二基、芘二基等之高分子化合物。

在第1組成物中，將將式(T)表示之化合物與式(B)表示之螢光發光性化合物之合計設為100質量份時，發光材料的調配量通常為0.1至1000質量份，較佳為1至400質量份，更佳為5至150質量份。

發光材料可單獨使用1種亦可併用2種以上。

[抗氧化劑]

抗氧化劑係可溶於與式(T)表示之化合物及式(B)表示之螢光發光性化合物相同的溶劑，只要為不阻礙發光及電荷輸送的化合物即可，例如可舉出酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑。

在第1組成物中，將式(T)表示之化合物與式(B)表示之螢光發光性化合物之合計設為100質量份時，抗氧化劑的調配量通常為0.001至10質量份。

抗氧化劑可單獨使用1種亦可併用2種以上。

[第1印墨]

含有式(T)表示之化合物、式(B)表示之螢光發光性化合物、及溶劑之組成物(以下，亦稱為「第1印墨」)，係能夠適合使用於：旋轉塗佈法、澆注法、微凹版塗佈法、凹版塗佈法、棒塗佈法、輥塗佈法、繞線棒塗佈法、浸漬塗佈法、噴霧塗佈法、網版印刷法、柔版(flexo)印刷法、平版印刷法、噴墨印刷法、毛細管塗佈法、噴嘴塗佈法等塗佈法。

第1印墨的黏度依照塗佈法的種類而調整即可，應用在噴墨印刷法等溶液係經由吐出裝置之印刷法時，因為不容易產生吐出時的孔眼堵塞及飛行彎曲，較佳是在25℃為1至20mPa．s。

在第1印墨所含有的溶劑，較佳為能夠將印墨中的固體成分溶解或均勻地分散之溶劑。作為溶劑，例如可舉出：1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯系溶劑；四氫呋喃、二

烷、茴香醚、4-甲基茴香醚等醚系溶劑；甲苯、二甲苯、1,3,5-三甲苯(mesitylene)、乙苯、正己苯、環己苯等芳香族烴系溶劑；環己烷、甲基環己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷、正十二烷、聯環己烷等脂肪族烴系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、苯乙酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸乙基賽路蘇、苯甲酸甲酯、乙酸苯酯等酯系溶劑；乙二醇、甘油、1,2-己二醇等多元醇系溶劑；異丙醇、環己醇等醇類系溶劑；二甲基亞碸等亞碸系溶劑；N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺等醯胺系溶劑。溶劑可單獨使用1種亦可併用2種以上。

在第1印墨，將式(T)表示之化合物與式(B)表示之螢光發光性化合物之合計設為100質量份時，溶劑的調配量通常為1000至100000質量份，較佳為2000至20000質量份。

<第2有機層>

交聯材料的交聯體，係能夠使用上述方法使交聯材料成為交聯後的狀態而得到。

交聯材料可為低分子化合物，亦可為高分子化合物，因為本發明的發光元件之發光效率較優異，較佳為含有具有選自由交聯基A群組之至少1種交聯基之低分子化合物(以下，亦稱為「第2有機層的低分子化合物」)、或具有選自交聯基A群組之至少1種交聯基之交聯結構單元之高分子化合物(以下，亦稱為「第2有機層的高分子化合物」)，更佳為含有選自交聯基A群組之至少1種交聯基之交聯結構單元之高分子化合物。

作為選自交聯基A群組之交聯基，因為本發明的發光元件之發光效率較優異，較佳為式(XL-1)至式(XL-4)、式(XL-7)至式(XL-10)或式(XL-14)至式(XL-17)表示之交聯基，更佳為式(XL-1)、式(XL-3)、式(XL-9)、式(XL-10)、式(XL-16)或式(XL-17)表示之交聯基，又更佳為式(XL-1)、式(XL-16)或式(XL-17)表示之交聯基，特佳為式(XL-1)或式(XL-17)表示之交聯基，更特佳為式(XL-17)表示之交聯基。

因為本發明的發光元件之發光效率較優異，而且，交聯材料的交聯性較優異，作為選自交聯基A群組之交聯基，較佳為式(XL-2)至式(XL-4)、式(XL-7)至式(XL-10)、式(XL-14)、式(XL-15)或式(XL-17)表示之交聯基，更佳為式(XL-9)、式(XL-10)或式(XL-17)表示之交聯基，特佳為式(XL-17)表示之交聯基。

[第2有機層的高分子化合物]

第2有機層的高分子化合物所含有之具有選自交聯基A群組的至少一種交聯基之結構單元，係以式(2)表示之結構單元或式(2')表示之結構單元為佳，亦可為下述表示之結構單元。

第2有機層的高分子化合物含有2種以上之具有選自交聯基A群組的至少1種交聯基之結構單元時，具有選自交聯基A群組的至少1種交聯基之結構單元的至少2種，係以交聯基為互相不同為佳。作為互相不同之交聯基的組合，係以式(XL-1)、式(XL-2)、式(XL-5)至式(XL-8)或式(XL-14)至式(XL-16)表示之交聯基、與式(XL-3)、式(XL-4)、式(XL-13)或式(XL-17)表示之交聯基的組合為佳，以式(XL-1)或式(XL-16)表示之交聯基、與式(XL-17)表示之交聯基之組合為較佳，以式(XL-1)表示之交聯基、與式(XL-17)表示之交聯基的組合為更佳。

‧式(2)表示之結構單元

因為本發明的發光元件之發光效率較優異，nA較佳為0至3的整數，更佳為0至2的整數，又更佳為1或2，特佳為2。

因為本發明的發光元件之發光效率較優異，n較佳為2。

因為本發明的發光元件之發光效率較優異， Ar³較佳為可具有取代基之芳香族烴基。

Ar³表示之芳香族烴基的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為6至60，較佳為6至30，更佳為6至18。

作為將Ar³表示之芳香族烴基的n個取代基去除後的伸芳基部分，較佳為式(A-1)至式(A-20)表示之基，更佳為式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)至式(A-10)、式(A-19)或式(A-20)表示之基，又更佳為式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)或式(A-19)表示之基，該等基亦可具有取代基。

Ar³表示之雜環基的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為2至60，較佳為3至30，更佳為4至18。

作為將Ar³表示之雜環基的n個取代基去除後的二價雜環基部分，較佳為式(AA-1)至式(AA-34)表示之基。

Ar³表示之芳香族烴基及雜環基亦可具有取代基，作為取代基者，較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、鹵素原子、一價雜環基及氰基。

L^A表示之伸烷基的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為1至20，較佳為1至15，更佳為1至10。L^A表示之環伸烷基的碳原子數不包含取代基的碳原子數時通常為3至20。

伸烷基及環伸烷基亦可具有取代基，例如可舉出：亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基、伸環己基、伸辛基。

L^A表示之伸烷基及環伸烷基亦可具有取代基。作為伸烷基及環伸烷基可具有的取代基，較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、鹵素原子或氰基，該等基可更具有取代基。

L^A表示之伸芳基亦可具有取代基。作為伸芳基者，係以伸苯基或茀二基為佳，以間伸苯基、對伸苯基、茀-2,7-二基、茀-9,9-二基為較佳。作為伸芳基可具有的取代基，以選自烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、鹵素原子、氰基或交聯基A群組之交聯基為佳，該等基可更具有取代基。

作為L^A表示之二價雜環基者，較佳為式(AA-1)至式(AA-34)表示之基。

為了使第2有機層的高分子化合物的製造變容易，L^A較佳為伸芳基或伸烷基，更佳為伸苯基、茀二基或伸烷基，該等基亦可具有取代基。

作為X表示之交聯基，因為本發明的發光元件之發光效率較優異，較佳為式(XL-1)至式(XL-4)、式(XL-7)至式(XL-10)或式(XL-14)至式(XL-17)表示之交聯基，更佳為式(XL-1)、式(XL-3)、式(XL-9)、式(XL-10)、式(XL-16)或式(XL-17)表示之交聯基，又更佳為式(XL-1)、式(XL-16)或式(XL-17)表示之交聯基，特佳為式(XL-1)或式(XL-17)表示之交聯基，更特佳為式(XL-17)表示之交聯基。

因為本發明的發光元件之發光效率較優異，而且，第2有機層的高分子化合物之交聯性較優異，作為 X表示之交聯基，較佳為式(XL-2)至式(XL-4)、式(XL-7)至式(XL-10)、式(XL-14)、式(XL-15)或式(XL-17)表示之交聯基為佳，更佳為式(XL-9)、式(XL-10)或式(XL-17)表示之交聯基，特佳為式(XL-17)表示之交聯基。

因為第2有機層的高分子化合物的安定性及交聯性優異，相對於在第2有機層的高分子化合物所含有的結構單元之合計量，式(2)表示之結構單元較佳為0.5至80莫耳%，更佳為3至65莫耳%，又更佳為5至50莫耳%。

式(2)表示之結構單元在第2有機層的高分子化合物中，可只含有1種亦可含有2種以上。

第2有機層的高分子化合物含有2種以上之式(2)表示的結構單元時，式(2)表示之結構單元的至少2種，係以X表示之交聯基互相不同為佳。互相不同之X表示的交聯基之組合的較佳範圍，係與前述互相不同的交聯基之組合的較佳範圍相同。

‧式(2')表示之結構單元

因為本發明的發光元件之發光效率較優異，mA較佳為0至3的整數，更佳為0至2的整數，又更佳為0或1，特佳為0。

因為本發明的發光元件之發光效率較優異，m較佳為1或2，更佳為2。

因為第2有機層的高分子化合物的製造變容易，而且，本發明的發光元件之發光效率較優異，c較佳為0。

因為本發明的發光元件之發光效率較優異，Ar⁵較佳為可具有取代基之芳香族烴基。

將Ar⁵表示之芳香族烴基的m個取代基去除後的伸芳基部分之定義和例子，係與在後式(X)之Ar^X2表示的伸芳基之定義和例子相同。

將Ar⁵表示之雜環基的m個取代基去除後的二價雜環基部分之定義和例子，係與在後述(X)之Ar^X2表示的二價雜環基部分之定義和例子相同。

將Ar⁵表示之至少1種芳香族烴環與至少1種雜環直接鍵結而成之基的m個取代基去除後的二價基之定義和例子，係與在後述式(X)之Ar^X2表示的至少1種伸芳基與至少1種二價雜環基直接鍵結而成的二價基之定義和例子相同。

因為本發明的發光元件之發光效率較優異，Ar⁴及Ar⁶較佳為可具有取代基之伸芳基。

Ar⁴及Ar⁶表示之伸芳基之定義和例子，係與後述式(X)之Ar^X1及Ar^X3表示的伸芳基之定義和例子相同。

Ar⁴及Ar⁶表示之二價雜環基之定義和例子，係與後述式(X)之Ar^X1及Ar^X3表示的二價雜環基之定義和例子相同。

Ar⁴、Ar⁵及Ar⁶表示之基亦可具有取代基，作為取代基者，係以烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、鹵素原子、一價雜環基及氰基為佳。

K^A表示之伸烷基、環伸烷基、伸芳基、二價雜環基之定義和例子，係各自與L^A表示之伸烷基、環伸烷基、伸芳基、二價雜環基之定義和例子相同。

因為第2有機層的高分子化合物的製造變容易，K^A較佳為伸苯基或亞甲基。

X’表示的交聯基之定義和例子，係與前述X表示之交聯基之定義和例子相同。

因為第2有機層的高分子化合物之安定性優異，而且，第2有機層的高分子化合物之交聯性優異，相對於在第2有機層的高分子化合物所含有的結構單元之合計量，式(2')表示之結構單元較佳為0.5至50莫耳%，更佳為3至30莫耳%，又更佳為5至20莫耳%。

式(2')表示之結構單元在第2有機層的高分子化合物中，可只有含有1種，亦可含有2種以上。

第2有機層的高分子化合物含有2種以上之式(2’)表示的結構單元時，式(2’)表示之結構單元的至少2種，係以X’表示之交聯基為互相不同為佳。互相不同之X’表示的交聯基的組合之較佳範圍，係與前述互相不同之交聯基的組合之較佳範圍相同。

‧式(2)或(2')表示之結構單元的較佳態樣

作為式(2)表示之結構單元，例如可舉出式(2-1)至式(2-30)表示之結構單元，作為式(2')表示之結構單元者，例如可舉出式(2'-1)至式(2'-9)表示之結構單元。該結構單元之中，因為第2有機層的高分子化合物之交聯性優異，較佳為式(2-1)至式(2-30)表示之結構單元，更佳為式(2-1)至式(2-15)、式(2-19)、式(2-20)、式(2-23)、式(2-25)或式(2-30)表示之結構單元，又更佳為式(2-1)至式(2-9)或式(2-30)表示之結構單元。

‧其他結構單元

因為電洞輸送性優異，第2有機層的高分子化合物較佳為更含有式(X)表示之結構單元。又，因為本發明的發光元件之發光效率較優異，第2有機層的高分子化合物較佳為更含有式(Y)表示之結構單元。

第2有機層的高分子化合物，係電洞輸送性優異，而且，本發明的發光元件之發光效率較優異，故較佳為更含有式(X)表示之結構單元及式(Y)表示之結構單元。

[式中，a^X1及a^X2係各自獨立地表示0以上的整數。

Ar^X1及Ar^X3係各自獨立地表示伸芳基或二價雜環基，該等基亦可具有取代基。

Ar^X2及Ar^X4係各自獨立地表示伸芳基、二價雜環基、或至少1種伸芳基與至少1種二價雜環基直接鍵結而成之二價基，該等基亦可具有取代基。Ar^X2及Ar^X4存在複數個時，該複數個Ar^X2及Ar^X4可相同亦可不同。

R^X1、R^X2及R^X3係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基。R^X2及R^X3存在複數個時，該複數個R^X2及R^X3可相同亦可不同]。

因為本發明的發光元件之發光效率較優異，a^X1較佳為2以下的整數，更佳為1。

因為本發明的發光元件之發光效率較優異，a^X2較佳為2以下的整數，更佳為0。

R^X1、R^X2及R^X3較佳為烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，更佳為芳基，該等基亦可具有取代基。

Ar^X1及Ar^X3表示之伸芳基，較佳為式(A-1)或式(A-9)表示之基，更佳為式(A-1)表示之基，該等基亦可具有取代基。

Ar^X1及Ar^X3表示之二價雜環基，較佳為式(AA-1)、式(AA-2)或式(AA-7)至式(AA-26)表示之基，該等基亦可具有取代基。

Ar^X1及Ar^X3較佳為可具有取代基之伸芳基。

Ar^X2及Ar^X4表示之伸芳基更佳為式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)至式(A-11)或式(A-19)表示之基，該等基亦可具有取代基。

Ar^X2及Ar^X4表示之二價雜環基的較佳範圍，係與Ar^X1及Ar^X3表示之二價雜環基的較佳範圍相同。

在Ar^X2及Ar^X4表示之至少1種伸芳基與至少1種二價雜環基直接鍵結而成的二價基之伸芳基及二價雜環基的較佳範圍、更佳範圍，係各自與Ar^X1及Ar^X3表示之伸芳基及二價雜環基的較佳範圍、更佳範圍相同。

作為Ar^X2及Ar^X4表示之至少1種伸芳基與至少1種二價雜環基直接鍵結而成之二價基，例如可舉出下述式表示之基，該等基亦可具有取代基。

[式中，R^XX表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基]。

R^XX較佳為烷基、環烷基或芳基，該等基亦可具有取代基。

Ar^X2及Ar^X4較佳為可具有取代基之伸芳基。

作為Ar^X1至Ar^X4及R^X1至R^X3表示之基可具有的取代基，較佳為烷基、環烷基或芳基，該等基可更具有取代基。

作為式(X)表示之結構單元，較佳為式(X-1)至式(X-7)表示之結構單元，更佳為式(X-3)至式(X-7)表示之結構單元，又更佳為式(X-3)至式(X-6)表示之結構單元。

[式中，R^X4及R^X5係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、鹵素原子、一價雜環基或氰基，該等基亦可具有取代基。存在複數個之R^X4可相同亦可不同。存在複數個之R^X5可相同亦可不同，鄰接之R^X5彼此間亦可互相鍵結且與各自鍵結之碳原子一起形成環]。

因為電洞輸送性優異，相對於在第2有機層的高分子化合物所含有的結構單元之合計量，式(X)表示之結構單元，較佳為0.1至90莫耳%，更佳為1至70莫耳%，又更佳為10至50莫耳%。

作為式(X)表示之結構單元，例如可舉出式(X1-1)至式(X1-19)表示之結構單元，較佳為式(X1-6)至式(X1-14)表示的結構單元。

在第2有機層的高分子化合物，式(X)表示之結構單元可只含有1種，亦可含有2種以上。

[式中，Ar^Y1表示伸芳基、二價雜環基、或至少1種伸芳基與至少1種二價雜環基直接鍵結而成之二價基，該等基亦可具有取代基]。

Ar^Y1表示之伸芳基，較佳為式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)至式(A-11)、式(A-13)或式(A-19)表示之基，更佳為式(A-1)、式(A-7)、式(A-9)或式(A-19)表示之基，該等基亦可具有取代基。

Ar^Y1表示之二價雜環基，較佳為式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-13)、式(AA-15)、式(AA-18)或式(AA-20)表示之基，更特佳為式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-18)或式(AA-20)表示之基，該等基亦可具有取代基。

在Ar^Y1表示之至少1種伸芳基與至少1種二價雜環基直接鍵結而成的二價基之伸芳基及二價雜環基的較佳範圍、更佳範圍係各自與前述的Ar^Y1表示之伸芳基及二價雜環基的較佳範圍、更佳範圍同樣。

作為Ar^Y1表示之至少1種伸芳基與至少1種二價雜環基直接鍵結而成之二價基，可舉出和式(X)的Ar^X2及Ar^X4表示之至少1種伸芳基與至少1種二價雜環基直接鍵結而成之二價基為相同者。

Ar^Y1表示之基可具有的取代基較佳為烷基、環烷基或芳基，該等基可更具有取代基。

作為式(Y)表示之結構單元，例如可舉出式(Y-1)至式(Y-7)表示之結構單元，從本發明的發光元件之發光效率的觀點而言，較佳為式(Y-1)或式(Y-2)表示之結構單元，從第2有機層的高分子化合物之電子輸送性的觀點而言，較佳為式(Y-3)或式(Y-4)表示之結構單元，從第2有機層的高分子化合物之電洞輸送性的觀點而言，較佳為式(Y-5)至式(Y-7)表示之結構單元。

[式中，R^Y1表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基。存在複數個之R^Y1可相同亦可不同，鄰接之R^Y1彼此間亦可互相鍵結且與各自鍵結之碳原子一起形成環]。

R^Y1較佳為氫原子、烷基、環烷基或芳基，該等基亦可具有取代基。

式(Y-1)表示之結構單元較佳為式(Y-1')表示之結構單元。

[式中，R^Y11表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基。存在複數個之R^Y11可相同亦可不同]。

R^Y11較佳為烷基、環烷基或芳基，更佳為烷基或環烷基，該等基亦可具有取代基。

[式中，R^Y1表示與前述相同意思。

X^Y1表示-C(R^Y2)₂-、-C(R^Y2)=C(R^Y2)-或-C(R^Y2)₂-C(R^Y2)₂- 表示之基。R^Y2表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基。存在複數個之R^Y2可相同亦可不同，R^Y2之間亦可互相鍵結且與各自鍵結之碳原子一起形成環]。

R^Y2較佳為烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，更佳為烷基、環烷基或芳基，該等基亦可具有取代基。

在X^Y1，-C(R^Y2)₂-表示之基中的2個R^Y2的組合，較佳為雙方為烷基或是環烷基、雙方為芳基、雙方為一價雜環基、或一方為烷基或環烷基且另一方為芳基或是一價雜環基，更佳微一方為烷基或環烷基且另一方為芳基，該等基亦可具有取代基。2個存在之R^Y2亦可互相鍵結而與各自鍵結之原子一起形成環，R^Y2形成環時，作為-C(R^Y2)₂-表示之基者，較佳為式(Y-A1)至式(Y-A5)表示之基，更佳為式(Y-A4)表示之基，該等基亦可具有取代基。

在X^Y1，-C(R^Y2)=C(R^Y2)-表示之基中2個R^Y2的組合，較佳為雙方為烷基或環烷基、或是一方為烷基或環烷基且另一方面為芳基，該等基亦可具有取代基。

在X^Y1，-C(R^Y2)₂-C(R^Y2)₂-表示之基中4個R^Y2，較佳為可具有取代基之烷基或環烷基。複數個R^Y2亦可互相鍵結且與各自鍵結之原子一起形成環，R^Y2形成環時， (R^Y2)₂-C(R^Y2)₂-表示之基較佳為式(Y-B1)至式(Y-B5)表示之基，更佳為式(Y-B3)表示之基，該等基亦可具有取代基。

[式中，R^Y2表示與前述相同意思]。

式(Y-2)表示之結構單元，係以式(Y-2')表示之結構單元為佳。

[式中，R^Y1及X^Y1表示與前述相同意思]。

[式中，R^Y1表示與前述相同意思。R^Y3表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基]。

R^Y3較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或一價雜環基，更佳為芳基，該等基亦可具有取代基。

[式中，R^Y1表示與前述相同意思。R^Y4表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基]。

R^Y4較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或一價雜環基，更佳為芳基，該等基亦可具有取代基。

作為式(Y)表示之結構單元，例如可舉出式(Y-11)至式(Y-56)表示之結構單元。

式(Y)表示之結構單元，因為本發明的發光元件之發光效率為優異，相對於在第2有機層的高分子化合物所含有的結構單元之合計量，Ar^Y1為伸芳基之結構單元較佳為0.5至80莫耳%，更佳為30至60莫耳%。

因為第2有機層的高分子化合物之電荷輸送性優異，相對於在第2有機層的高分子化合物所含有的結構單元之合計量，式(Y)表示之結構單元，Ar^Y1為二價雜環基、或至少1種伸芳基與至少1種二價雜環基直接鍵結而成的二價基之結構單元，較佳為0.1至90莫耳%，更佳為1至70莫耳%，又更佳為10至50莫耳%。

式(Y)表示之結構單元，在第2有機層的高分子化合物中，可只含有1種亦可含有2種以上。

作為第2有機層的高分子化合物，例如可舉出高分子化合物P-1至P-8。在此，所謂「其他結構單元」意指式(2)、式(2')、式(X)及式(Y)表示之結構單元以外的結構單元。

[表中，p’、q’、r’、s’及t’表示各結構單元的莫耳比率。p’+q’+r’+s’+t’=100，而且，70≦p’+q’+r’+s’≦100]。

第2有機層的高分子化合物，可為嵌段共聚物、無規共聚物、交替共聚物、接枝共聚物的任一種，亦可為其他態樣，較佳為將複數種原料單體共聚合而成之共聚物。

第2有機層的高分子化合物之聚苯乙烯換算的數量平均分子量，較佳為5×10³至1×10⁶，更佳為1×10⁴至5×10⁵，又更佳為1.5×10⁴至1×10⁵。

[第2有機層的高分子化合物之製造方法]

第2有機層的高分子化合物，係能夠使用在化學評論(Chem.Rev.)，第109卷，第897-1091頁(2009年)等所記載之眾所周知的聚合方法而製造，能夠例示藉由Suzuki反應、Yamamoto反應、Buchwald反應、Stille反應、Negishi反應及Kumada反應等使用過渡金屬觸媒之偶合反應來進行聚合之方法。

在前述聚合方法，作為加入單體之方法者，可舉出將單體總量整批加入反應系統之方法；添加單體的一部分使其反應後，將剩餘部分的單體整批、連續或分開地加入之方法；及將單體連續或分開地加入之方法等。

作為過渡金屬觸媒，可舉出鈀觸媒、鎳觸媒等。

聚合反應的後處理，係單獨或組合下列眾所周知的方法來進行：例如藉由分液而將水溶性不純物去除之方法；將甲醇等低級醇添加至聚合反應後的反應液，而且將析出的沈澱過濾後，使其乾燥之方法等。第2有機層的高分子化合物的純度較低時，能夠使用例如晶析、再沈澱、經由索格利特(Soxhlet)萃取器之連續萃取、管柱層析法等通常的方法來進行純化。

[第2有機層的低分子化合物]

第2有機層的低分子化合物，係以式(3)表示之低分子化合物為佳。

因為交聯材料的合成變容易，m^B1較佳為0至5的整數，更佳為0至2的整數，又更佳為0或1，特佳為0。

因為交聯材料的合成變容易且本發明的發光元件之發光效率較優異，m^B2較佳為0至5的整數，更佳為0至3的整數，又更佳為1或2，特佳為1。

因為交聯材料的合成變容易，m^B3較佳為0至4的整數，更佳為0至2的整數，又更佳為0。

將Ar⁷表示之芳香族烴基的m^B3個取代基去除後的伸芳基部分之定義和例子，係與在前述式(X)之Ar^X2表示之伸芳基之定義和例子相同。

將Ar⁷表示之雜環基的m^B3個取代基去除後的二價雜環基部分之定義和例子，係與在前述式(X)之Ar^X2表示之二價雜環基部分之定義和例子相同。

將Ar⁷表示之至少1種芳香族烴環與至少1種雜環直接鍵結而成之基的m^B3個取代基去除後的二價基之定義和例子，係與在前述式(X)之Ar^X2表示之至少1種伸芳基與至少1種二價雜環基直接鍵結而成的二價基之定義和例子相同。

Ar⁷表示之基可具有的取代基之定義和例子，係與在前述的式(X)之Ar^X2表示之基可具有的取代基之定義和例子相同。

因為本發明的發光元件的發光效率優異，Ar⁷較佳為芳香族烴基，該芳香族烴基亦可具有取代基。

L^B1表示之伸烷基、環伸烷基、伸芳基、二價雜環基之定義和例子，係各自與前述的L^A表示之伸烷基、環伸烷基、伸芳基、二價雜環基之定義和例子相同。

因為交聯材料的合成變容易，L^B1較佳為伸烷基、伸芳基或氧原子，更佳為伸烷基或伸芳基，又更佳為伸苯基、茀二基或伸烷基，特佳為伸苯基或伸烷基，該等基亦可具有取代基。

X’’較佳為式(XL-1)至式(XL-17)的任一者表示之交聯基、芳基或一價雜環基，更佳為式(XL-1)、式(XL-3)、式(XL-7)至式(XL-10)、式(XL-16)或式(XL-17)表示之交聯基、或芳基，又更佳為式(XL-1)、式(XL-16)或是式(XL-17)表示之交聯基、苯基、萘基或茀基，特佳為式(XL-16)或是式(XL-17)表示之交聯基、苯基或萘基，更特佳為式(XL-16)表示之交聯基、或萘基，該等基亦可具有取代基。

作為交聯材料，例如可舉出式(3-1)至式(3-16)表示之低分子化合物，較佳為式(3-1)至式(3-10)表示之低分子化合物，更佳為式(3-5)至式(3-9)表示之低分子化合物。

第2有機層的低分子化合物，係能夠從Aldrich、Luminescence Technology Corp.、American Dye Source等取得。此外，例如能夠依照國際公開第1997/033193號、國際公開第2005/035221號、國際公開第2005/049548號所記載的方法而合成。

在第2有機層，交聯材料的交聯體可含有單獨1種，亦可含有2種以上。

[第2組成物]

第2有機層可為含有交聯材料的交聯體、及選自由電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、發光材料及抗氧化劑所組成群組的至少1種材料之組成物(以下，亦稱為「第2組成物」)之層。

在第2組成物所含有的電洞輸送材料、電子輸送材料、電洞注入材料、電子注入材料及發光材料的例子及較佳範圍，係與在第1組成物所含有的電洞輸送材料、電子輸送材料、電洞注入材料、電子注入材料及發光材料的例子及較佳範圍相同。將交聯材料的交聯體設為100質量份時，在第2組成物，電洞輸送材料、電子輸送材料、電洞注入材料、電子注入材料及發光材料的調配量，各自通常為1至400質量份，較佳為5至150質量份。

在第2組成物所含有的抗氧化劑的例子及較佳範圍，係與第1組成物所含有的抗氧化劑的例子及較佳範圍相同。在第2組成物中，將交聯材料的交聯體設為100質量份時，抗氧化劑的調配量通常為0.001至10質量份。

[第2印墨]

含有交聯材料、溶劑之組成物(以下，亦稱為「第2印墨」)係能夠適合使用在第1印墨的項目已說明的濕式法。第2印墨的黏度之較佳範圍，係與第1印墨的黏度之較佳範圍相同。在第2印墨所含有的溶劑之例子及較佳範圍，係與在第1印墨所含有的溶劑之例子及較佳範圍相同。

在第2印墨，將交聯材料設為100質量份時，溶劑的調配量通常為1000至100000質量份，較佳為2000至20000質量份。

[發光元件的層結構]

本發明的發光元件，亦可具有陽極、陰極、第1有機層及第2有機層以外之層。

在本發明的發光元件，第1有機層通常為發光層(以下，稱為「第1發光層」)。第1有機層係以不含有磷光發光性金屬錯合物之層為佳。又，磷光發光性金屬錯合物係在室溫(25℃)顯示從三重態激發狀態發光之金屬錯合物。

在本發明的發光元件，第2有機層通常為電洞輸送層、第2發光層或電子輸送層，較佳為電洞輸送層或第2發光層，更佳為電洞輸送層。

在本發明的發光元件，因為本發明的發光元件之發光效率較優異，第1有機層與第2有機層較佳為鄰接。

在本發明的發光元件，因為本發明的發光元件之發光效率較優異，第2有機層較佳為設置在陽極與第1有機層之間之層，更佳為設置在陽極與第1有機層之間之電洞輸送層或第2發光層，又更佳為設置在陽極與第1有機層之間之電洞輸送層。

在本發明的發光元件，第2有機層為設置在陽極與第1有機層之間之電洞輸送層時，因為本發明的發光元件之發光效率較優異，較佳為在陽極與第2有機層之間更具有電洞注入層。第2有機層為設在陽極與第1有機層之間之電洞輸送層時，因為本發明的發光元件之發光效率較優異，較佳為在陰極與第1有機層之間更具有電子注入層及電子輸送層之中的至少1層

在本發明的發光元件，第2有機層為設置在陽極與第1有機層之間之第2發光層時，因為本發明的發光元件之發光效率較優異，較佳為在陽極與第2有機層之間更具有電洞注入層及電洞輸送層之中的至少1層。在陽極與第1有機層之間設置有第2有機層之第2發光層時，因為本發明的發光元件之發光效率較優異，較佳為在陰極與第1有機層之間更具有電子注入層及電子輸送層之中的至少1層。

在本發明的發光元件，第2有機層為設置在陰極與第1有機層之間之第2發光層時，因為本發明的發光元件之發光效率較優異，較佳為在陽極與第1有機層之間更具有電洞注入層及電洞輸送層之中的至少1層。第2有機層為設置在陰極與第1有機層之間之第2發光層時，因為本發明的發光元件之發光效率較優異，較佳為在陰極與第2有機層之間更具有電子注入層及電子輸送層之中的至少1層。

在本發明的發光元件，第2有機層為設置在陰極與第1有機層之間之電子輸送層時，因為本發明的發光元件之發光效率較優異，較佳為在陽極與第1有機層之間更具有電洞注入層及電洞輸送層之中的至少1層。第2有機層為設置在陰極與第1有機層之間之電子輸送層時，因為本發明的發光元件之發光效率較優異，更佳為在陰極與第2有機層之間更具有電子注入層。

作為本發明的發光元件之具體層結構者，例如可舉出(D1)至(D15)表示之層結構。本發明的發光元件通常具有基板，可在基板上從陽極開始進行積層，亦可在基板上從陰極開始進行積層。

(D1)陽極/第2發光層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/陰極

(D2)陽極/電洞輸送層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/陰極

(D3)陽極/電洞注入層/第2發光層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/陰極

(D4)陽極/電洞注入層/第2發光層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/電子輸送層/陰極

(D5)陽極/電洞注入層/第2發光層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/電子注入層/陰極

(D6)陽極/電洞注入層/第2發光層(第2有機層)/第1 發光層(第1有機層)/電子輸送層/電子注入層/陰極

(D7)陽極/電洞注入層/電洞輸送層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/陰極

(D8)陽極/電洞注入層/電洞輸送層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/電子輸送層/陰極

(D9)陽極/電洞注入層/電洞輸送層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/電子注入層/陰極

(D10)陽極/電洞注入層/電洞輸送層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/電子輸送層/電子注入層/陰極

(D11)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/第2發光層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/電子輸送層/電子注入層/陰極

(D12)陽極/電洞注入層/電洞輸送層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)/第2發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極

(D13)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/第1發光層(第1有機層)/第2發光層(第2有機層)/電子輸送層/電子注入層/陰極

(D14)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/第1發光層(第1有機層)/電子輸送層(第2有機層)/電子注入層/陰極

(D15)陽極/電洞注入層/電洞輸送層(第2有機層)/第2發光層/第1發光層(第1有機層)/電子輸送層/電子注入層/陰極。

(D1)至(D15)中，「/」意指其前後的層為鄰接且積層。具體而言，所謂「第2發光層(第2有機層)/第1發光層(第1有機層)」意指第2發光層(第2有機層)與第1發光層(第1有機層)為鄰接且積層。

因為本發明的發光元件之發光效率較優異，以(D3)至(D12)表示之層結構為佳，以(D7)至(D10)表示之層結構為較佳。

在本發明的發光元件，陽極、電洞注入層、電洞輸送層、第2發光層、電子輸送層、電子注入層及陰極，係各自因應所需可設置2層以上。

陽極、電洞注入層、電洞輸送層、第2發光層、電子輸送層、電子注入層及陰極存在複數個時，該複數個陽極、電洞注入層、電洞輸送層、第2發光層、電子輸送層、電子注入層及陰極為各自可相同亦可不同。

陽極、電洞注入層、電洞輸送層、第1發光層、第2發光層、電子輸送層、電子注入層及陰極的厚度通常為1nm至1μm，較佳是2nm至500nm，更佳為5nm至150nm。

在本發明的發光元件，積層之層的順序、數目、及厚度係考慮發光元件的發光效率、驅動電壓及元件壽命而調整即可。

[第2發光層]

第2發光層通常為含有第2有機層或發光材料之層，較佳為含有發光材料之層。第2發光層為含有發光材料之層時，作為在第2發光層所含有的發光材料者，例如可舉出前述第1組成物可含有之發光材料。第2發光層所含有的發光材料可含有單獨1種，亦可含有2種以上。

本發明的發光元件具有第2發光層，並且，後述電洞輸送層及後述電子輸送層不是第2有機層時，第2發光層較佳為第2有機層。

[電洞輸送層]

電洞輸送層通常為第2有機層或含有電洞輸送材料之層，較佳為第2有機層。電洞輸送層為含有電洞輸送材料之層時，作為電洞輸送材料，例如可舉出前述第1組成物可含有之電洞輸送材料。在電洞輸送層所含有的電洞輸送材料可含有單獨1種，亦可含有2種以上。

本發明的發光元件為具有電洞輸送層，而且前述第2發光層及後述電子輸送層不是第2有機層時，電洞輸送層較佳為第2有機層。

[電子輸送層]

電子輸送層通常為第2有機層或含有電子輸送材料之層，較佳為含有電子輸送材料之層。電子輸送層為含有電子輸送材料之層時，作為在電子輸送層所含有的電子輸送材料者，例如可舉出前述第1組成物可含有的電子輸送材料。在電子輸送層所含有的電子輸送材料可含有單獨1種，亦可含有2種以上。

本發明的發光元件係具有電子輸送層，而且，前述第2發光層及前述電洞輸送層不是第2有機層時，電子輸送層較佳為第2有機層。

[電洞注入層及電子注入層]

電洞注入層係含有電洞注入材料之層。作為在電洞注入層所含有的電洞注入材料者，例如可舉出前述第1組成物可含有的電洞注入材料。在電洞注入層所含有的電洞注入材料可含有單獨1種，亦可含有2種以上。

電子注入層係含有電子注入材料之層。作為在電子注入層所含有的電子注入材料者，例如可舉出前述第1組成物可含有的電子注入材料。在電子注入層所含有的電子注入材料，可含有單獨1種，亦可含有2種以上。

[基板/電極]

在發光元件之基板，係能夠形成電極且形成有機層時不產生化學變化的基板即可，例如由玻璃、塑膠、矽等材料構成之基板。使用不透明的基板時，最遠離基板的電極較佳為透明或半透明。

作為陽極材料者，例如可舉出：導電性金屬氧化物、半透明金屬，較佳為氧化銦、氧化鋅、氧化錫；銦/錫/氧化物(ITO)、銦/鋅/氧化物等導電性化合物；銀與鈀與銅的複合體(APC)；NESA、金、鉑、銀、銅。

作為陰極材料者，例如可舉出：鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鋅、銦等金屬；該等金屬之中2種以上的合金；該等金屬之中1種以上與銀、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫之中1種以上的合金；以及石墨及石墨層間化合物。作為合金者，例如可舉出：鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金。

在本發明的發光元件，陽極及陰極的至少一者通常為透明或半透明，陽極較佳為透明或半透明。

作為陽極及陰極的形成方法，例如可舉出：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子噴鍍法、鍍覆法及層疊法。

[發光元件的製造方法]

在本發明的發光元件，作為第1發光層、第2發光層、電洞輸送層、電子輸送層、電洞注入層、電子注入層等各層的形成方法，使用低分子化合物之情形，例如可舉出由粉末進行的真空蒸鍍法、從溶液或熔融狀態進行成膜之方法，使用高分子化合物之情形，例如可舉出從溶液或熔融狀態進行成膜之方法。

第1發光層、第2發光層、電洞輸送層、電子輸送層、電洞注入層及電子注入層係使用第1印墨、第2印墨、以及各自含有上述發光材料、電洞輸送材料、電子輸送材料、電洞注入材料及電子注入材料之印墨，並且藉由旋轉塗佈法、噴墨印刷法等塗佈法來形成。

[發光元件的用途]

為了使用發光元件來得到面狀發光，面狀陽極與陰極以互相重疊的方式配置即可。為了得到圖案狀發光，有將設置有圖案狀窗口之遮罩設置在面狀發光元件表面之方法；使欲成為非發光部之層以極端厚之方式形成而成為實質上非發光之方法；將陽極或是陰極、或雙方的電極成為圖案狀之方法。藉由使用該等任一種方法來形成圖案且能夠獨立地ON/OFF之方式配置若干電極，能夠得到可顯示數字、文字等之區段形式的顯示裝置。為了成為點矩陣顯示裝置，係將陽極與陰極同時地形成條紋狀且以正交的方式配置即可。藉由分別塗佈複數種類發光顏色不同的高分子化合物之方法、使用彩色濾光片或螢光轉換濾光片之方法，成為能夠部分彩色顯示、多彩色顯示。點矩陣顯示裝置能夠為被動驅動，亦能夠為與TFT等組合而主動驅動。該等顯示裝置係能夠使用在電腦、電視、可攜式終端設備等顯示器。面狀發光元件係能夠適合作為液晶顯示裝置的背光板用面狀光源、或面狀照明用光源使用。使用可撓性基板時，亦能夠使用作為曲面狀光源及顯示裝置。

[實施例]

以下，藉由實施例而進一步詳細地說明本發明，但是本發明係不被該等實施例所限定。

在實施例中，高分子化合物的聚苯乙烯換算數量平均分子量(Mn)及聚苯乙烯換算重量平均分子量(Mw)，係在移動相使用四氫呋喃且藉由分子篩滲透層析儀 (Size-Exclusion Chromatography；SEC)來求取。又，SEC的各測定條件係如下述。

將所測定的高分子化合物，使其以約0.05質量%的濃度溶解在四氫呋喃且注入10μL至SEC。移動相係以2.0mL/分鐘的流量流動。作為管柱，係使用PLgel MIXED-B(Polymer Laboratories製)。檢測器係使用UV-VIS檢測器(島津製作所製，商品名：SPD-10Avp)。

LC-MS係使用下述方法測定。

將測定試料以成為約2mg/mL的濃度之方式使其溶解在氯仿或四氫呋喃，而且將約1μL注入至LC-MS(Agilent製，商品名：1100LCMSD)。LC-MS的移動相，係使乙腈及四氫呋喃的比率邊變化邊使用且以0.2mL/分鐘的流量流動。管柱係使用L-column 2 ODS(3μm)(化學物質評價研究機構製，內徑：2.1mm、長度：100mm、粒徑3μm)。

NMR係使用下述方法測定。

使5至10mg的測定試料溶解在約0.5mL的氘化氯仿(deuterated chloroform)(CDCl₃)、氘化四氫呋喃、氘化二甲基亞碸、氘化丙酮、氘化N,N-二甲基甲醯胺、氘化甲苯、氘化甲醇、氘化乙醇、氘化2-丙醇或氘化二氯甲烷，而且使用NMR裝置(Agilent製，商品名：INOVA300或MERCURY 400VX)來測定。

作為化合物純度的指標，係使用高效液體層析法(HPLC)面積百分率之值。該值只要未特別記載，就是HPLC(島津製作所製、商品名：LC-20A)在UV=254nm之值。此時，測定化合物，係以成為0.01至0.2質量%的濃度之方式使其溶解在四氫呋喃或氯仿且按照濃度而注入1至10μL至HPLC。HPLC的移動相，係將乙腈/四氫呋喃的比率使其在100/0至0/100(容積比)邊變化邊使用且以1.0mL/分鐘的流量流動。管柱係使用Kaseisorb LC ODS 2000(東京化成工業製)或具有同等性能之ODS管柱。檢測器係使用發光二極體陣列檢測器(島津製作所製，商品名：SPD-M20A)。

化合物的△E_ST及振盪子強度之值的算出，係藉由B3LYP水準的密度泛函數法而使化合物的基底狀態進行結構最佳化，此時，作為基底函數，係使用6-31G*。而且，使用Gaussian09作為量子化學計算程式且使用B3LYP水準的時間依存密度泛函數法，來算出化合物的△E_ST及振盪子強度。

<合成例T1及T2>化合物T1及T2的合成

化合物T1係依據國際公開第2010/136109號所記載的方法而合成。

化合物T2係依據國際公開第2007/063754號所記載的方法而合成。

化合物T1的△E_ST及振盪子強度係各自為0.1295eV及0.0011。

化合物T2的△E_ST及振盪子強度係各自為0.1072eV及0.0062。

<合成例T3>化合物T3的合成

(化合物T3-3的合成)

使反應容器內成為氬氣環境後，添加化合物T3-1(2.5g)、化合物T3-2(2.8g)、參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(0.25g)、四氟硼酸三第三丁基鏻(0.13g)、第三丁氧基鈉(1.3g)及甲苯(75mL)且於室溫攪拌1小時。隨後，在此添加己烷及矽膠且於50℃攪拌後，使用舖有矽膠之過濾器過濾。藉由將所得到的濾液減壓濃縮來得到固體。將所得到的固體，使用矽膠管柱層析法(己烷及甲苯的混合溶劑)精製後，藉由在50℃減壓乾燥來得到化合物T3-3的粗精製物(3.1g、茶色油狀物)。在所得到的粗精製物添加己烷及活性碳且於室溫攪拌後，進行減壓過濾。將所得到的濾液藉由減壓濃縮來得到化合物T3-3(2.7g、黃色固體)。化合物T3-3的HPLC面積百分率值為98.5%。

¹H-NMR(CDCl₃,400MHz)：δ(ppm)=8.20-8.11(m,2H),7.74-6.85(m,26H),2.50-2.30(m,7H),1.53-0.82(m,22H).

(化合物T3-4的合成)

使反應容器內成為氮環境後，添加化合物T3-3(2.6g)、四氫呋喃(26mL)、二甲基亞碸(16mL)及33質量%氫氧化鉀水溶液(5.4g)且在回流下攪拌6.5小時。將所得到的混合物冷卻至室溫為止後，使用離子交換水及甲苯的混合液進行萃取，進一步，使用離子交換水將所得到的有機層洗淨。將所得到的有機層使用無水硫酸鈉使其乾燥後，進行過濾且藉由將所得到的濾液減壓濃縮來得到粗精製物。將所得到的粗精製物使用矽膠管柱層析法(己烷及甲苯的混合溶劑)精製後，藉由在50℃使其減壓乾燥，來得到化合物T3-4(2.1g、咖啡色油狀物)。化合物T3-4的HPLC面積百分率值為97.6%。

(化合物T3的合成)

使反應容器內成為氮環境後，添加化合物T3-4(2.1g)、化合物T3-5(1.3g)、乙酸鈀(0.071g)、四氟硼酸三第三丁基鏻(0.096g)及二甲苯(84mL)。隨後，在此，添加第三丁氧基鈉(0.76g)且於100℃攪拌1小時。將所得到的混合物冷卻至室溫後，添加己烷及矽膠且在室溫攪拌後，使用舖設有矽膠之過濾器進行過濾。藉由將所得到的濾液減壓濃縮來得到粗精製物。將所得到的粗精製物，使用己烷與乙醇的混合溶劑進行晶析來得到固體。將所得到的固體，使用矽膠管柱層析法(己烷及甲苯的混合溶劑)進行精製，而且使用甲苯、乙酸乙酯及乙腈的混合溶劑進行晶析。藉由使所得到的固體在50℃減壓乾燥來得到化合物T3(1.2g，黃色固體)。化合物T3的HPLC面積百分率值為99.5%以上。

LC-MS(APCI,positive)：m/z=977.5[M+H]+

¹H-NMR(CDCl₃,400MHz)：δ(ppm)=9.06-8.98(m,2H),8.82-8.80(m,4H),7.90-6.80(m,32H),2.54-2.43(m,4H),1.53-1.49(m,4H),1.25(m,12H),0.85-0.83(m,6H).

化合物T3的△E_ST及振盪子強度各自為0.1088eV及0.1848。

<化合物T4至T8及TC1>化合物T4至T8及TC1的合成或取得

化合物T4、T5、T6及TC1係從Luminescense Technology公司購入。

化合物T7係依據國際公開第2011/070963號所記載的方法合成。

化合物T8係依據國際公開第2008/056746號所記載的方法合成。

化合物T4的△E_ST及振盪子強度各自為0.1563eV及0.0069。

化合物T5的△E_ST及振盪子強度各自為0.0265eV及0.0323。

化合物T6的△E_ST及振盪子強度各自為0.0065eV及0。

化合物T7的△E_ST及振盪子強度各自為0.0957eV及0.0170。

化合物T8的△E_ST及振盪子強度各自為0.0659eV及0.0007。

化合物TC1的△E_ST及振盪子強度各自為0.0102eV及0。

<螢光發光性化合物E1至E3>螢光發光性化合物E1至E3的合成或取得

螢光發光性化合物E1係依照國際公開第2007/058368號所記載的方法合成。

螢光發光性化合物E2係從Luminescense Technology 公司購入。

螢光發光性化合物E3係依據特開2007-142171號公報所記載的方法合成。

螢光發光性化合物E1的△E_ST及振盪子強度各自為0.7881eV及0.1353。

螢光發光性化合物E2的△E_ST及振盪子強度各自為1.2373eV及0.1592。

螢光發光性化合物E3的△E_ST及振盪子強度各自為0.7002eV及0.0161。

<化合物HTL-M1及HM-1>化合物HTL-M1及HM-1的取得

化合物HTL-M1及HM-1係從Luminescense Technology公司購入。

化合物HM-1的△E_ST及振盪子強度各自為0.2966eV及0.0082。

<合成例M1>化合物M1至M10的合成

化合物M1係依照在日本特開2010-189630號公報所記載的方法合成。

化合物M2係依照在國際公開第2011/049241號所記載的方法合成。

化合物M3係依照在國際公開第2015/145871號所記載的方法合成。

化合物M4及M6係依照在國際公開第2013/146806號所記載的方法合成。

化合物M5係依照在國際公開第2005/049546號所記載的方法合成。

化合物M7及M9係依照在國際公開第2002/045184號所記載的方法合成。

化合物M8係依照在日本特開2011-174062號公報所記載的方法合成。

化合物M10係依照在日本特開2010-215886號公報所記載的方法合成。

<合成例HTL1>高分子化合物HTL-1的合成

高分子化合物HTL-1，係使用化合物M1及化合物M5且依照國際公開第2015/194448號所記載的方法合成。高分子化合物HTL-1的聚苯乙烯換算之數量平均分子量及重量平均分子量各自為Mn=4.5×10⁴及Mw=1.5×10⁵。

從添加原料的量所求取的理論值，高分子化合物HTL-1係從化合物M1所衍生的結構單元、與從化合物M5所衍生的結構單元以50：50的莫耳比所構成之共聚物。

<合成例HTL2>高分子化合物HTL-2的合成

高分子化合物HTL-2係使用化合物M1、化合物M5及化合物M2且依照國際公開第2013/146806號所記載的方法合成。高分子化合物HTL-2的Mn為1.9×10⁴，Mw為9.9×10⁴。

從添加原料的量所求取的理論值，高分子化合物HTL-2係從化合物M1所衍生的結構單元、與從化合物M5所衍生的結構單元、與從化合物M2所衍生的結構單元，為以50：42.5：7.5的莫耳比所構成之共聚物。

<合成例HTL3>高分子化合物HTL-3的合成

高分子化合物HTL-3係使用化合物M3、化合物M4及化合物M5且依照國際公開第2015/145871號所記載的方法而合成。高分子化合物HTL-3的聚苯乙烯換算之數量平均分子量及重量平均分子量各自為Mn=2.3×10⁴及Mw=1.2×10⁵。

從添加原料的量所求取的理論值，高分子化合物HTL-3係從化合物M3所衍生的結構單元、與從化合物M4所衍生的結構單元、與從化合物M5所衍生的結構單元以45：5：50的莫耳比所構成之共聚物。

<合成例HTL4>高分子化合物HTL-4的合成

高分子化合物HTL-4係使用化合物M6、化合物M4及化合物M7且依照在國際公開第2016/125560號所記載的方法而合成。高分子化合物HTL-4的Mn為3.6×10⁴，Mw為2.0×10⁵。

從添加原料的量所求取的理論值，高分子化合物HTL-4係從化合物M6所衍生的結構單元、與從化合物M4所衍生的結構單元、與從化合物M7所衍生的結構單元以40：10：50的莫耳比所構成之共聚物。

<合成例HTL5>高分子化合物HTL-5的合成

高分子化合物HTL-5係使用化合物M8、化合物M5、化合物M9及化合物M10且依照在特開2012-144722號公報所記載的方法合成。高分子化合物HTL-5的Mn為5.0×10⁴，Mw為2.5×10⁵。

從添加原料的量所求取的理論值，高分子化合物HTL-5係從化合物M8所衍生的結構單元、與從化合物M5所衍生的結構單元、與從化合物M9所衍生的結構單元、與從化合物M10所衍生的結構單元以50：30：12.5：7.5的莫耳比所構成之共聚物。

<實施例D1>發光元件D1的製造與評估

(陽極及電洞注入層的形成)

藉由濺射法在玻璃基板法賦予厚度45nm的ITO膜而形成陽極。在該陽極上藉由旋轉塗佈法將電洞注入材料之ND-3202(日產化學工業製)以50nm的厚度進行成膜。在大氣環境下，於50℃加熱3分鐘，而且在230℃加熱15分鐘形成電洞注入層。

(第2有機層的形成)

將高分子化合物HTL-3以0.6質量%的濃度溶解在二甲苯。使用所得到的二甲苯溶液，藉由旋轉塗佈法以20nm厚度成膜在電洞注入層上，而且於氮環境下在加熱板上以200℃、30分鐘進行加熱來形成第2有機層。藉由此加熱，高分子化合物HTL-3成為交聯體。

(第1有機層的形成)

使化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)以2.6質量%的濃度溶解在氯苯。使用所得到的氯苯溶液，藉由旋轉塗佈法以70nm的厚度成膜在第2有機層上，而且於氮環境下在加熱板上加熱130℃、10分鐘，來形成第1有機層。

(陰極的形成)

在蒸鍍機內，將形成有第1有機層之基板，減壓至1.0×10^-4Pa以下之後，在第1有機層上將氟化鈉蒸鍍約4nm作為陰極，接著，在氟化鈉層上將鋁蒸鍍約80nm。蒸鍍後，藉由使用玻璃基板進行密封，來製造發光元件D1。

(發光元件的評估)

藉由對發光元件D1施加電壓來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為11.9cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.31,0.63)。

<實施例D2>發光元件D2的製造及評估

除了在實施例D1(第2有機層的形成)，使用「高分子化合物HTL-2」代替「高分子化合物HTL-3」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D2。

藉由對發光元件D2施加電壓，來觀測EL發光。在 100cd/m²之發光效率為8.7cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.30,0.64)。

<實施例D3>發光元件D3的製造及評估

除了在實施例D1(第2有機層的形成)，使用「化合物HTL-M1」代替「高分子化合物HTL-3」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D3。

藉由對發光元件D3施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為12.1cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.29,0.64)。

<實施例D4>發光元件D4的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=80質量%/20質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D4。

藉由對發光元件D4施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為12.5cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.31,0.63)。

<實施例D5>發光元件D5的製造及評估

除了在實施例D1(第2有機層的形成)，使用「高分子化合物HTL-2」代替「高分子化合物HTL-3」，而且在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=80質量%/20質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D5。

藉由對發光元件D5施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為11.8cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.30,0.63)。

<實施例D6>發光元件D6的製造及評估

除了在實施例D1(第2有機層的形成)，使用「高分子化合物HTL-2」代替「高分子化合物HTL-3」，而且在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=90質量%/10質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D6。

藉由對發光元件D6施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為10.8cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.32,0.62)。

<實施例D7>發光元件D7的製造及評估

除了在實施例D1(第2有機層的形成)，使用「高分子化合物HTL-4」代替「高分子化合物HTL-3」，而且在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=90質量%/10質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D7。

藉由對發光元件D7施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為12.0cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.29,0.63)。

<比較例CD1>發光元件CD1的製造及評估

除了在實施例D1(第2有機層的形成)，使用「高分子化合物HTL-1」代替「高分子化合物HTL-3」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件CD1。藉由對發光元件CD1施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為3.5cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.30,0.64)。

<實施例D8>發光元件D8的製造及評估

除了在實施例D1(第2有機層的形成)，使用「高分子化合物HTL-2」代替「高分子化合物HTL-3」，而且在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D8。

藉由對發光元件D8施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為11.7cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.29,0.64)。

<實施例D9>發光元件D9的製造及評估

除了在實施例D8(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T2及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T2/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」代替「化合物HM-1、化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」以外，係與實施例D8同樣地進行而製造發光元件D9。

藉由對發光元件D9施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為13.7cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.29,0.64)。

<實施例D10>發光元件D10的製造及評估

除了在實施例D8(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T3及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T3/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」代替「化合物HM-1、化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」以外，係與實施例D8同樣地進行而製造發光元件D10。

藉由對發光元件D10施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為15.4cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.31,0.63)。

<實施例D11>發光元件D11的製造及評估

除了在實施例D8(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T4及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T4/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」代替「化合物HM-1、化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」以外，係與實施例D8同樣地進行而製造發光元件D11。

藉由對發光元件D11施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為11.7cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.29,0.64)。

<實施例D12>發光元件D12的製造及評估

除了在實施例D8(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T5及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T5/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」代替「化合物HM-1、化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」以外，係與實施例D8同樣地進行而製造發光元件D12。

藉由對發光元件D12施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為9.6cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.29,0.64)。

<實施例D13>發光元件D13的製造及評估

除了在實施例D8(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T6及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T6/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」代替「化合物HM-1、化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」以外，係與實施例D8同樣地進行而製造發光元件D13。

藉由對發光元件D13施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為13.2cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.29,0.64)。

<實施例D14>發光元件D14的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D14。

藉由對發光元件D14施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為12.2cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.29,0.64)。

<實施例D15>發光元件D15的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T2及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T2/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D15。

藉由對發光元件D15施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為15.9cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.29,0.64)。

<實施例D16>發光元件D16的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物 HM-1、化合物T4及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T4/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D16。

藉由對發光元件D16施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為14.1cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.29,0.64)。

<實施例D17>發光元件D17的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T5及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T5/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D17。

藉由對發光元件D17施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為10.6cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.29,0.64)。

<實施例D18>發光元件D18的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T6及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T6/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D18。

藉由對發光元件D18施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為16.0cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.29,0.64)。

<實施例D19>發光元件D19的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T8及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T8/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D19。

藉由對發光元件D19施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為13.9cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.29,0.64)。

<實施例D20>發光元件D20的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T3及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T3/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D20。

藉由對發光元件D20施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為19.8cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.31,0.63)。

<實施例D21>發光元件D21的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T3及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T3/螢光發光性化合物E1=82質量%/15質量%/3質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D21。

藉由對發光元件D21施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為27.4cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.31,0.61)。

<實施例D22>發光元件D22的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T3及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T3/螢光發光性化合物E1=84質量%/15質量%/1質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D22。

藉由對發光元件D22施加電壓，來觀測EL發光。在 100cd/m²之發光效率為31.8cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.32,0.60)。

<實施例D23>發光元件D23的製造及評估

除了在實施例D1(第2有機層的形成)，使用「高分子化合物HTL-5」代替「高分子化合物HTL-3」，而且在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D23。

藉由對發光元件D23施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為10.1cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.29,0.64)。

<實施例D24>發光元件D24的製造及評估

除了在實施例D23(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T3及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T3/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」代替「化合物HM-1、化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」以外，係與實施例D23同樣地進行而製造發光元件D24。

藉由對發光元件D22施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為11.4cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.31,0.63)。

<比較例CD2>發光元件CD2的製造及評估

除了在實施例D23(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物TC1及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物TC1/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」代替「化合物HM-1、化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物HM-1/化合物T1/螢光發光性化合物E1=75質量%/15質量%/10質量%)」以外，係與實施例D23同樣地進行而製造發光元件CD2。

藉由對發光元件CD2施加電壓，來觀測EL發光。在100cd/m²之發光效率為7.5cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.29,0.64)。

<實施例D25>發光元件D25的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T6及螢光發光性化合物E2(化合物HM-1/化合物T6/螢光發光性化合物E2=75質量%/20質量%/5質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D25。

藉由對發光元件D25施加電壓，來觀測EL發光。在50cd/m²之發光效率為10.1cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.49,0.50)。

<實施例D26>發光元件D26的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T1及螢光發光性化合物E2(化合物HM-1/化合物T1/螢光發光性化合物E2=75質量%/20質量%/5質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D26。

藉由對發光元件D26施加電壓，來觀測EL發光。在50cd/m²之發光效率為8.1cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.49,0.50)。

<實施例D27>發光元件D27的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T7及螢光發光性化合物E2(化合物HM-1/化合物T7/螢光發光性化合物E2=75質量%/20質量%/5質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D27。

藉由對發光元件D27施加電壓，來觀測EL發光。在50cd/m²之發光效率為7.5cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.49,0.50)。

<實施例D28>發光元件D28的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T3及螢光發光性化合物E2(化合物HM-1/化合物T3/螢光發光性化合物E2=75質量%/20質量%/5質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D28。

藉由對發光元件D28施加電壓，來觀測EL發光。在50cd/m²之發光效率為5.8cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.49,0.50)。

<實施例D29>發光元件D29的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物T1及螢光發光性化合物E2(化合物T1/螢光發光性化合物 E2=70質量%/30質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D29。

藉由對發光元件D29施加電壓，來觀測EL發光。在50cd/m²之發光效率為2.8cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.50,0.50)。

<比較例CD3>發光元件CD3的製造及評估

除了在實施例D1(第2有機層的形成)，使用「高分子化合物HTL-1」代替「高分子化合物HTL-3」，而且在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物T1及螢光發光性化合物E2(化合物T1/螢光發光性化合物E2=70質量%/30質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件CD3。

藉由對發光元件CD3施加電壓，來觀測EL發光。在50cd/m²之發光效率為0.8cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.50,0.50)。

<實施例D30>發光元件D30的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T6及螢光發光性化合物E3(化合物HM-1/化合物T6/螢光發光性化合物E3=75質量%/20質量%/5質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D30。

藉由對發光元件D30施加電壓，來觀測EL發光。在50cd/m²之發光效率為5.3cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.26,0.51)。

<實施例D31>發光元件D31的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T1及螢光發光性化合物E3(化合物HM-1/化合物T1/螢光發光性化合物E3=75質量%/20質量%/5質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D31。

藉由對發光元件D31施加電壓，來觀測EL發光。在50cd/m²之發光效率為4.0cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.26,0.50)。

<實施例D32>發光元件D32的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物HM-1、化合物T7及螢光發光性化合物E3(化合物HM-1/化合物T7/螢光發光性化合物E3=75質量%/20質量%/5質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D32。

藉由對發光元件D32施加電壓，來觀測EL發光。在50cd/m²之發光效率為4.4cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.25,0.49)。

<實施例D33>發光元件D33的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物 HM-1、化合物T3及螢光發光性化合物E3(化合物HM-1/化合物T3/螢光發光性化合物E3=75質量%/20質量%/5質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D33。

藉由對發光元件D33施加電壓，來觀測EL發光。在50cd/m²之發光效率為8.0cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.33,0.57)。

<實施例D34>發光元件D34的製造及評估

除了在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物T1及螢光發光性化合物E3(化合物T1/螢光發光性化合物E3=70質量%/30質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件D34。

藉由對發光元件D34施加電壓，來觀測EL發光。在50cd/m²之發光效率為1.8cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.40,0.53)。

<比較例CD4>發光元件CD4的製造及評估

除了在實施例D1(第2有機層的形成)，使用「高分子化合物HTL-1」代替「高分子化合物HTL-3」，而且在實施例D1(第1有機層的形成)，使用「化合物T1及螢光發光性化合物E3(化合物T1/螢光發光性化合物E3=70質量%/30質量%)」代替「化合物T1及螢光發光性化合物E1(化合物T1/螢光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)」以外，係與實施例D1同樣地進行而製造發光元件CD4。

藉由對發光元件CD4施加電壓，來觀測EL發光。在50cd/m²之發光效率為0.6cd/A、CIE色度座標(x,y)=(0.37,0.52)。

[產業上之可利用性]

依照本發明，能夠提供一種具有優異發光效率之發光元件。

Claims

一種發光元件，係具有陽極、陰極、及設置在陽極與陰極之間之第1有機層及第2有機層之發光元件，前述第1有機層係含有式(T)表示的化合物及式(B)表示的螢光發光性化合物之層，前述式(T)表示之化合物的最低三重態激發狀態的能量位準與最低一重態激發狀態的能量位準之差的絕對值為0.50eV以下，前述式(B)表示之螢光發光性化合物的最低三重態激發狀態的能量位準與最低一重態激發狀態的能量位準之差的絕對值為0.55eV以上且2.5eV以下，前述第2有機層係含有交聯材料的交聯體之層，
式中，n^T1表示0至5的整數，n^T1存在複數個時，該複數個n^T1可相同亦可不同，n^T2表示1以上且10以下的整數，Ar^T1係含有不具有雙鍵的氮原子作為環構成原子，而且不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之單環或縮合環的一價雜環基，該基亦可具有取代基，該取代基存在複數個時，該取代基亦可互相鍵結且與各自鍵結之原子一起形成環，Ar^T1存在複數個時，該複數個Ar^T1可相同亦可不同，L^T1表示伸烷基、環伸烷基、伸芳基、二價雜環基、 -N(R^T1')-表示之基、氧原子或硫原子，該等基亦可具有取代基，R^T1'表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基，L^T1存在複數個時，該複數個L^T1可相同亦可不同，Ar^T2係含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之單環或縮合環的雜環基，該基亦可具有取代基，該取代基存在複數個時，該複數個取代基亦可互相鍵結且與各自鍵結之原子一起形成環；
式中，n^1B表示0以上且15以下的整數，Ar^1B表示縮合環的芳香族烴基，該等基亦可具有取代基，該取代基存在複數個時，該複數個取代基亦可互相鍵結且與各自鍵結之原子一起形成環，R^1B表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、一價雜環基、取代腔基、烯基、環烯基、炔基或環炔基，該等基亦可具有取代基；R^1B存在複數個時，可相同亦可不同，亦可互相鍵結且與各自鍵結之碳原子一起形成環。
如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中，前述Ar^1B係從萘環、蒽環、菲環、二氫菲環、聯伸三苯環、稠四苯環、茀環、螺旋雙芴環、芘環、苝環、1,2-苯并菲環、茚環、1,2-苯并苊環、苯并1,2-苯并苊環或苊并1,2-苯并苊環，將直接鍵結在構成環的碳原子之氫原子 1個以上去除後之基，該基亦可具有取代基。
如申請專利範圍第1或2項所述之發光元件，其中，前述R^1B係烷基、芳基或取代胺基，該等基亦可具有取代基。
如申請專利範圍第1或2項所述之發光元件，其中，前述交聯材料係具有選自交聯基A群組的至少1種交聯基之低分子化合物、或含有選自交聯基A群組的至少1種交聯基的交聯結構單元之高分子化合物，交聯基A群組：
式中，R^XL表示亞甲基、氧原子或硫原子，n^XL表示0至5的整數，R^XL存在複數個時，該複數個R^XL可相同亦可不同，n^XL存在複數個時，該複數個n^XL可相同亦可不同，*1表示鍵結位置，該等交聯基亦可具有取代基。
如申請專利範圍第4項所述之發光元件，其中，前述交聯材料係含有具有選自前述交聯基A群組的至少1種的交聯基之交聯結構單元之高分子化合物，而且前述交聯結構單元係式(2)表示的結構單元或式(2’)表示之結構單元，
式中，nA表示0至5的整數，n表示1或2，nA存在複數個時，該複數個nA可相同亦可不同，Ar³表示芳香族烴基或雜環基，該等基亦可具有取代基，L^A表示伸烷基、環伸烷基、伸芳基、二價雜環基、-N(R’)-表示之基、氧原子或硫原子，該等基亦可具有取代基，R’表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基，L^A存在複數個時，該複數個L^A可相同亦可不同，X表示選自前述交聯基A群組之交聯基，X存在複數個時，該複數個X可相同亦可不同，
式中，mA表示0至5的整數，m表示1至4的整數， c表示0或1的整數，mA存在複數個時，該複數個mA可相同亦可不同，Ar⁵表示芳香族烴基、雜環基、或至少1種芳香族烴環與至少1種雜環直接鍵結而成之基，該等基亦可具有取代基，Ar⁴及Ar⁶係各自獨立地表示伸芳基或二價雜環基，該等基亦可具有取代基，Ar⁴、Ar⁵及Ar⁶係各自亦可與鍵結在該基所鍵結的氮原子之該基以外的基，直接鍵結或透過氧原子或硫原子而鍵結形成環，K^A表示伸烷基、環伸烷基、伸芳基、二價雜環基、-N(R’)-表示之基、氧原子或硫原子，該等基亦可具有取代基，R’表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基，K^A存在複數個時，該複數個K^A可相同亦可不同，X’表示選自前述交聯基A群組之交聯基、氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基，X’存在複數個時，該複數個X’可相同亦可不同，但是，至少1個X’係選自前述交聯基A群組之交聯基。
如申請專利範圍第1或2項所述之發光元件，其中，前述交聯材料係式(3)表示之低分子化合物，
式中，m^B1、m^B2及m^B3係各自獨立地表示0以上且10以下的整數，存在複數個之m^B1可相同亦可不同，m^B3存在複數個時，該複數個m^B3可相同亦可不同，Ar⁷表示芳香族烴基、雜環基、或至少1種芳香族烴環與至少1種雜環直接鍵結而成之基，該等基亦可具有取代基，Ar⁷存在複數個時，該複數個Ar⁷可相同亦可不同，L^B1表示伸烷基、環伸烷基、伸芳基、二價雜環基、-N(R’’’)-表示之基、氧原子或硫原子，該等基亦可具有取代基，R’’’表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基，L^B1存在複數個時，該複數個L^B1可相同亦可不同，X’’表示選自前述交聯基A群組之交聯基、氫原子、烷基、環烷基、芳基或一價雜環基，該等基亦可具有取代基，存在複數個之X’’可相同亦可不同，但是，存在複數個之X’’之中，至少1個係選自前述交聯基A群組之交聯基。
如申請專利範圍第1或2項所述之發光元件，其中，前述Ar^T1係式(T1-1)表示之基，
式中，環R^T1及環R^T2係各自獨立地表示芳香族烴環、或不含有具有雙鍵的氮原子作為環構成原子之雜環，該等環亦可具有取代基，該取代基存在複數個時，亦可互相鍵結且與各自鍵結之原子一起形成環，X^T1表示單鍵、氧原子、硫原子、-N(R^XT1)-表示之基、或-C(R^XT1')₂-表示之基，R^XT1及R^XT1'係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、取代胺基、鹵素原子或氰基，該等基亦可具有取代基，存在複數個之R^XT1'可相同亦可不同，亦可互相鍵結且與各自鍵結之碳原子一起形成環，R^XT1與環R^T1亦可具有的取代基，R^XT1與環R^T2亦可具有的取代基，R^XT1'與環R^T1亦可具有的取代基，及R^XT1'與環R^T2亦可具有的取代基，亦可各自鍵結而與各自鍵結之原子一起形成環。
如申請專利範圍第7項所述之發光元件，其中，前述式(T1-1)表示之基係式(T1-1A)表示之基、式(T1-1B)表示之基、式(T1-1C)表示之基或式(T1-1D)表示之基，
式中，X^T1表示與前述相同意思，X^T2及X^T3係各自獨立地表示單鍵、氧原子、硫原子、-N(RX^T2)-表示之基、或-C(RX^T2')₂-表示之基，RX^T2及RX^T2'係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、取代胺基、鹵素原子或氰基，該等基亦可具有取代基，存在複數個之RX^T2'可相同亦可不同，亦可互相鍵結且與各自鍵結之碳原子一起形成環，R^T1、R^T2、R^T3、R^T4、R^T5、R^T6、R^T7、R^T8、R^T9、R^T10、R^T11及R^T12係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、一價雜環基、取代胺基、鹵素原子或氰基，該等基亦可具有取代基，R^T1與R^T2、R^T2與R^T3、R^T3與R^T4、R^T5與R^T6、R^T6與R^T7、R^T7與R^T8、R^T9與R^T10、R^T10與R^T11、及R^T11與 R^T12亦可各自鍵結而與各自鍵結之碳原子一起形成環。
如申請專利範圍第1或2項所述之發光元件，其中，前述Ar^T2係從二唑環、三唑環、
二唑環、噻二唑環、噻唑環、
唑環、異噻唑環、異
唑環、苯并二唑環、苯并三唑環、苯并
二唑環、苯并噻二唑環、苯并噻唑環、苯并
唑環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環、吡啶環、二氮雜苯環、三環、氮雜萘環、二氮雜萘環、三氮雜萘環、四氮雜萘環、氮雜蒽環、二氮雜蒽環、三氮雜蒽環、四氮雜蒽環、氮雜菲環、二氮雜菲環、三氮雜菲環或四氮雜菲環，將直接鍵結在構成環的原子之氫原子1個以上去除後的基，該基亦可具有取代基。
如申請專利範圍第1或2項所述之發光元件，其中，前述第1有機層係不含有磷光發光性金屬錯合物之層。
如申請專利範圍第1或2項所述之發光元件，其中，前述第1有機層係進一步含有選自由電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、發光材料及抗氧化劑所組成群組之至少1種。
如申請專利範圍第1或2項所述之發光元件，其中，前述第1有機層與前述第2有機層為鄰接。
如申請專利範圍第1或2項所述之發光元件，其中，前述第2有機層係設置在前述陽極與前述第1有機層之間之層。