TWI664760B - 發光元件 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供一種亮度壽命優異的發光元件。
解決方式為提供一種發光元件，其係具有陽極、陰極、陽極及陰極之間的第1有機層(含有1種以上的磷光發光性化合物之層)、與陽極及第1有機層之間的第2有機層(含有1種以上的磷光發光性化合物與交聯材料的交聯體之層)，其中，第1有機層中含有的至少1種之磷光發光性化合物與第2有機層中含有的至少1種之磷光發光性化合物，係式(1)表示的相同之磷光發光性化合物。
[式中，M表示銥原子等，n1表示1以上的整數，n2表示0以上的整數，E1及E2表示碳原子等，環L1表示芳香族雜環，環L2表示芳香族烴環等，A1-G1-A2表示陰離子性的雙 牙配位子。環L1及環L2的至少1個環具有芳基、1價的雜環基或取代胺基。]

Description

發光元件
本發明係關於發光元件。
有機電激發光元件(有機EL元件)等發光元件，因發光效率高、低電壓驅動等特性，可適用於顯示器及照明的用途上，而在近年來受到矚目。此種發光元件係具備發光層、電荷輸送層等有機層。
專利文獻1中，所述之發光元件係具有：使用磷光發光性化合物而形成的發光層，使用含有茀構成單元、芳香族胺構成單元及交聯性構成單元的高分子化合物而形成之電洞輸送層。又，於電洞輸送層的形成，僅使用含有茀構成單元、芳香族胺構成單元及交聯性構成單元的高分子化合物。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-036388號公報
然而，上述專利文獻1中所述之發光元件的亮度壽命並不一定充分。
因此，本發明的目的在於提供亮度壽命優異的發光元件。
本發明係可提供以下的[1]至[10]。
[1]一種發光元件，其係具有陽極、陰極、設在陽極及陰極之間的第1有機層、設在陽極及第1有機層之間的第2有機層，其中，第1有機層係含有1種以上的磷光發光性化合物之層，第2有機層係含有1種以上的磷光發光性化合物與交聯材料的交聯體之層，第1有機層中含有的至少1種之磷光發光性化合物與第2有機層中含有的至少1種之磷光發光性化合物，係式(1)表示的相同之磷光發光性化合物； [式中，M表示釕原子、銠原子、鈀原子、銥原子或鉑原子。
n1表示1以上的整數，n2表示0以上的整數，n1+n2是 2或3。M為釕原子、銠原子或銥原子時，n1+n2是3，M為鈀原子或鉑原子時，n1+n2是2。
E1及E2分別獨立地表示碳原子或氮原子。惟，E1及E2的至少一者是碳原子。
環L1表示5員環或6員環的芳香族雜環，此等環也可具有取代基。存在複數個該取代基時，該等可以是相同，也可不相同，也可彼此鍵結而分別與所鍵結的原子一同形成環。存在複數個環L1時，該等可以是相同，也可不相同。惟，環L1為6員環的芳香族雜環時，E1是碳原子。
環L2表示5員環或6員環的芳香族烴環，或5員環或6員環的芳香族雜環，此等環也可具有取代基。存在複數個該取代基時，該等可以是相同，也可不相同，也可彼此鍵結而分別與所鍵結的原子一同形成環。存在複數個環L2時，該等可以是相同，也可不相同。惟，環L2為6員環的芳香族雜環時，E2是碳原子。
而且，選自環L1及環L2所形成之群中的至少1個的環，具有式(2)表示的基。
A1-G1-A2表示陰離子性的雙牙配位子。A1及A2分別獨立地表示碳原子、氧原子或氮原子，此等原子也可以是構成環的原子。G1表示單鍵，或與A1及A2一起構成雙牙配位子的原子團。存在複數個A1-G1-A2時，該等可以是相同，也可不相同。]
-R2 (2)[式中，R2表示芳基、1價的雜環基或取代胺基，此等基也 可具有取代基。]
[2]如[1]所述之發光元件，其中，前述式(2)表示的基係式(D-A)表示的基或式(D-B)表示的基。
[式中，mDA1、mDA2及mDA3分別獨立地表示0以上的整數。
GDA表示氮原子、芳香族烴基或雜環基，此等基也可具有取代基。
ArDA1、ArDA2及ArDA3分別獨立地表示伸芳基或2價的雜環基，此等基也可具有取代基。ArDA1、ArDA2及ArDA3為複數個時，該等可分別是相同或不相同。
TDA表示芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基。複數個TDA可以是相同，也可不相同。]
[式中，mDA1、mDA2、mDA3、mDA4、mDA5、mDA6及mDA7分別獨立地表示0以上整數。
GDA表示氮原子、芳香族烴基或雜環基，此等基也可具有取代基。複數個GDA可以是相同，也可不相同。
ArDA1、ArDA2、ArDA3、ArDA4、ArDA5、ArDA6及ArDA7分別獨立地表示伸芳基或2價的雜環基，此等基也可具有取代基。ArDA1、ArDA2、ArDA3、ArDA4、ArDA5、ArDA6及ArDA7為複數個時，該等可分別是相同或不相同。
TDA表示芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基。複數個TDA可以是相同，也可不相同。]
[3]如[1]或[2]所述之發光元件，其中，前述交聯材料是一種含有交聯構成單元之高分子化合物，該交聯構成單元具有選自交聯基A群的至少1種的交聯基。
(交聯基A群)
[式中，RXL表示亞甲基、氧原子或硫原子，nXL表示0至5 的整數。存在複數個RXL時，該等可為相同或不相同；存在複數個nXL時，該等可為相同或不相同。*1係表示鍵結位置。此等交聯性基也可具有取代基。]
[4]如[3]所述之發光元件，其中，前述交聯構成單元是式(3)表示的構成單元或式(4)表示的構成單元。
[式中，nA表示0至5的整數，n表示1或2。
Ar1表示芳香族烴基或雜環基，此等基也可具有取代基。
LA表示伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基、-NR’-表示的基、氧原子或硫原子，此等基也可具有取代基。R’表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基。存在複數個LA時，該等可以是相同，也可不相同。
X表示選自交聯基A群的交聯基。存在複數個X時，該等可以是相同，也可不相同。]
[式中，mA表示0至5的整數，m表示1至4的整數，c表示0或1。存在複數個mA時，該等可以是相同，也可不相同。
Ar3表示芳香族烴基、雜環基、或至少1種的芳香烴環與至少1種的雜環直接鍵結而成之基，此等基也可具有取代基。
Ar2及Ar4分別獨立地表示伸芳基或2的雜環基，此等基也可具有取代基。
Ar2、Ar3及Ar4，也可分別與鍵結在該基所鍵結的氮原子上之該基以外之基直接鍵結、或經由氧原子或硫原子鍵結而形成環。
KA表示伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基、-NR”-表示的基、氧原子或硫原子，此等基也可具有取代基。R”表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基。存在複數個KA時，該等可以是相同，也可不相同。
X’表示選自交聯基A群的交聯基、氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基。惟，至少1個X’是選自交聯基A群的交聯基。]
[5]如[1]至[4]的任一項所述之發光元件，其中，前述式(1)表示的磷光發光性化合物係式(1-A)表示的磷光發光性化合物。
[式中，M、n1、n2、E1及A1-G1-A2係表示與前述者同義。
E11A、E12A、E13A、E21A、E22A、E23A及E24A分別獨立地表示氮原子或碳原子。存在複數個E11A、E12A、E13A、E21A、E22A、E23A及E24A時，該等可以是分別相同或不相同。E11A、E12A及E13A為氮原子時，R11A、R12A及R13A可以存在也可不存在。E21A、E22A、E23A及E24A為氮原子時，R21A、R22A、R23A及R24A是不存在。
R11A、R12A、R13A、R21A、R22A、R23A及R24A分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價的雜環基、取代胺基或鹵素原子，此等基也可具有取代基。存在複數個R11A、R12A、R13A、R21A、R22A、R23A及R24A時，該等可以是分別相同或不相同。R11A與R12A、R12A與R13A、R11A與R21A、R21A與R22A、R22A與R23A及R23A與R24A也可分別鍵結而分別與所鍵結的原子一同形成環。惟，選自R11A、R12A、R13A、R21A、R22A、R23A及R24A所成群 組中的至少1個係式(2)表示的基。
環L1A表示可用氮原子、E1、E11A、E12A及E13A構成的三唑環或咪唑環。
環L2A表示可用2個碳原子、E21A、E22A、E23A及E24A構成的苯環、吡啶環或嘧啶環。]
[6]如[5]所述之發光元件，其中，前述式(1-A)表示的磷光發光性化合物，係式(1-A1)、(1-A2)、(1-A3)或(1-A4)表示的磷光發光性化合物； [式中，M、n1、n2、R11A、R12A、R13A、R21A、R22A、R23A、R24A及A1-G1-A2表示與前述者同義]。
[7]如[1]至[4]的任一項所述之發光元件，其中，前述式(1)表示的磷光發光性化合物，係式(1-B)表示的磷光發光性化 合物； [式中，M、n1、n2及A1-G1-A2係表示與前述者同義。
E11B、E12B、E13B、E14B、E21B、E22B、E23B及E24B分別獨立地表示氮原子或碳原子。存在複數個E11B、E12B、E13B、E14B、E21B、E22B、E23B及E24B時，該等可分別是相同或不相同。E11B、E12B、E13B、E14B、E21B、E22B、E23B及E24B為氮原子時，R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B是不存在。
R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價的雜環基或鹵素原子，此等基也可具有取代基。存在複數個R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B時，該等可分別是相同或不相同。R11B與R12B、R12B與R13B、R13B與R14B、R11B與R21B、R21B與R22B、R22B與R23B及R23B與R24B也可分別鍵結而分別與所鍵結的原子一 同形成環。惟，選自R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B所成群組中的至少1個，係式(2)表示的基。
環L1B表示可用氮原子、碳原子、E11B、E12B、E13B及E14B構成的吡啶環或嘧啶環。
環L2B表示可用2個碳原子、E21B、E22B、E23B及E24B構成的苯環、吡啶環或嘧啶環。]
[8]如[7]所述之發光元件，其中，前述式(1-B)表示的磷光發光性化合物，係式(1-B1)、(1-B2)或(1-B3)表示的磷光發光性化合物； [式中，M、n1、n2、A1-G1-A2、R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B係表示與前述者同義。
n11及n12分別獨立地表示1以上的整數，n11+n12是2 或3。M為釕原子、銠原子或銥原子時，n11+n12是3，M為鈀原子或鉑原子時，n11+n12是2。
R15B、R16B、R17B及R18B分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價的雜環基、取代胺基或鹵素原子，此等基也可具有取代基。存在複數個R15B、R16B、R17B及R18B時，該等可分別是相同或不相同。R13B與R15B、R15B與R16B、R16B與R17B、R17B與R18B及R18B與R21B也可分別鍵結而分別與所鍵結的原子一同形成環。
惟，選自R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B所成群組中的至少1個，係式(2)表示的基。]
[9]如[1]至[8]的任一項所述之發光元件，其中，前述第1有機層，係含有1種以上的磷光發光性化合物與包含式(Y)表示的構成單元之高分子化合物之層。
[式中，ArY1，係表示伸芳基、2價的雜環基、或至少1種的伸芳基與至少1種的2價雜環基直接鍵結而成的2價基，此等基也可具有取代基。]
[10]如[1]至[8]的任一項所述之發光元件，其中，前述第1有機層，係含有1種以上的磷光發光性化合物與式(H-1)表示的化合物之層。
[式中，ArH1及ArH2分別獨立地表示芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基。
nH1及nH2分別獨立地表示0或1。存在複數個nH1時，該等可為相同或不相同。存在複數個nH2時，可為相同或不相同。
nH3表示0以上的整數。
LH1表示伸芳基、2價的雜環基或-[C(RH11)2]nH11-表示的基，此等基也可具有取代基。存在複數個LH1時，該等可以是相同，也可不相同。nH11表示1以上10以下的整數。RH11表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基。複數個存在的RH11，可以是相同或不相同，也可彼此鍵結而分別與所鍵結的碳原子一同形成環。LH2表示-N(-LH21-RH21)-表示的基。存在複數個LH2時，該等可以是相同也可不相同。LH21表示單鍵、伸芳基或2價的雜環基，此等基也可具有取代基。RH21表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基。]
若藉由本發明，可提供亮度壽命優異的發光元件。
以下，詳細說明本發明的理想實施形態。
<共通用語的說明>
本說明書中共通使用的用語，除非另有說明，係以下的意義。
Me表示甲基、Et表示乙基、Bu表示丁基、i-Pr表示異丙基、t-Bu表示第三丁基。
氫原子，可以是重氫原子，也可以是輕氫原子。
表示金屬錯合物的式中，表示與中心金屬鍵結的實線，係指共價鍵或配位鍵之意。
「高分子化合物」，係指具有分子量分布、換算聚苯乙烯的數平均分子量為1×103至1×108的聚合物。
高分子化合物，可以是嵌段共聚物、隨機共聚物、交替共聚物、接枝共聚物的任一種，也可以是其他的形態。
由於在使用高分子化合物製作發光元件時，若聚合活性基以原本狀態殘留時，則發光特性或亮度壽命可能會降低，故高分子化合物的末端基是以安定的基為佳。此末端基，係以與主鏈共軛鍵結的基為佳，可列舉例如：經由碳-碳鍵而與芳基或1價的雜環基鍵結之基。
「低分子化合物」，係指不具有分子量分布、分子量為1×104以下的化合物。
「構成單元」，係指在高分子化合物中存在的 1個以上之單元。
「烷基」，可以是直鏈及分枝的任一種。直鏈的烷基之碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是1至50，並以3至30為佳，而以4至20更佳。分枝的烷基之碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是3至50，並以3至30為佳，而以4至20更佳。
烷基，也可具有取代基，可列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3,7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基癸基、十二基及此等基中的氫原子經環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代的基，可列舉例如：三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯基丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3,5-二-己基苯基)丙基、6-乙基氧己基。
「環烷基」的碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是3至50，並以3至30為佳，而以4至20更佳。
環烷基，也可具有取代基，可列舉例如：環己基、環己基甲基、環己基乙基。
「芳基」，係指自芳香族烴去除直接鍵結在構成環之碳原子上的1個氫原子之後留下的原子團。芳基的碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是6至60，並以6至20為佳，而以6至10更佳。
芳基，也可具有取代基，可列舉例如：苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基、2-芘基、4-芘 基、2-茀基、3-茀基、4-茀基、2-苯基苯基、3-苯基苯基、4-苯基苯基及此等基中的氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代的基。
「烷氧基」，可以是直鏈及分枝的任一種。直鏈烷氧基的碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是1至40，並以4至10為佳。分枝烷氧基的碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是3至40，並以4至10為佳。
烷氧基，也可具有取代基，可列舉例如：甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、月桂氧基及此等基中的氫原子經環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、氟原子等取代的基。
「環烷氧基」的碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是3至40，並以4至10為佳。
環烷氧基，也可具有取代基，可列舉例如：環己氧基。
「芳氧基」的碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是6至60，並以7至48為佳。
芳氧基，也可具有取代基，可列舉例如：苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1-蒽氧基、9-蒽氧基、1-芘氧基及此等基中的氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、氟原子等取代的基。
「p價的雜環基」(p表示1以上的整數)，係指自環式化合物中去除直接鍵結在構成環的碳原子或雜原 子上的氫原子中的p個氫原子之後留下的原子團。p價的雜環基之中，尤以自芳香族雜環式化合物中去除直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子上的氫原子中的p個氫原子之後留下的原子團之「p價的芳香族雜環基」為佳。
「芳香族雜環式化合物」，係指二唑、噻二唑、噻唑、唑、噻吩、吡咯、磷雜環戊二烯(phosphole)、呋喃、吡啶、吡、嘧啶、三、嗒、喹啉、異喹啉、咔唑、二苯并磷雜環戊二烯等雜環本身顯示芳香族性的化合物；及啡、啡噻、二苯并硼雜環戊二烯(dibenzoborole)、二苯并矽雜環戊二烯(dibenzosirole)、苯并哌喃等雜環本身不顯示芳香族性，且雜環上的芳香環經縮環的化合物。
1價的雜環基的碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是2至60，並以4至20為佳。
1價的雜環基，也可具有取代基，可列舉例如：噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基、嘧啶基、三基及此等基中的氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基等取代的基。
「鹵素原子」，係表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
「胺基」，也可具有取代基，並以取代胺基為佳。胺基具有的取代基，係以烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基為佳。
取代胺基，可列舉例如：二烷基胺基、二環烷基胺基及二芳基胺基。
胺基，可列舉例如：二甲基胺基、二乙基胺基、二苯基胺基、雙(4-甲基苯基)胺基、雙(4-第三丁基苯基)胺基、雙(3,5-二-第三丁基苯基)胺基。
「烯基」，可以是直鏈及分枝的任一種。直鏈的烯基之碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是2至30，並以3至20為佳。分枝的烯基之碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是3至30，並以4至20為佳。
「環烯基」的碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是3至30，並以4至20為佳。
烯基及環烯基，也可具有取代基，可列舉例如：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、5-己烯基、7-辛烯基及此等基為具有取代基之基。
「炔基」，可以是直鏈及分枝的任一種。直鏈的炔基之碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是2至20，並以3至20為佳。分枝的炔基之碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是4至30，並以4至20為佳。
「環炔基」的碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是4至30，並以4至20為佳。
炔基及環炔基，也可具有取代基，可列舉例如：乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、5-己炔基及此等基為具有取代基之基。
「伸芳基」，係指自芳香族烴去除2個直接鍵結在構成環的碳原子上的氫原子之後留下的原子團。伸芳 基的碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是6至60，並以6至30為佳，而以6至18更佳。
伸芳基，也可具有取代基，可列舉例如：伸苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氫菲二基、稠四苯二基、茀二基、芘二基、苝二基、稠二萘二基及此等基為具有取代基之基，並以式(A-1)至式(A-20)表示的基為佳。伸芳基，含有複數個此等的基鍵結成之基。
[式中，R及Ra分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基。存在複數個的R及Ra，可分別相同或不同，也可是Ra之間彼此鍵結而分別與所鍵結的原子一同形成環。]
2價的雜環基之碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是2至60，並以3至20為佳，而以4至15更佳。
2價的雜環基，也可具有取代基，可列舉例如：自吡啶、二氮雜苯、三、氮雜萘、二氮雜萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并矽雜環戊二烯、啡、啡噻、吖啶、二氫吖啶、呋喃、噻吩、唑、二唑、三唑中去除直接鍵結在構成環的碳原子或雜原子上的氫原子中之2個氫原子之後的2價基，並以式(AA-1)至式(AA-34)表示的基為佳。2價的雜環基，含有複數個此等的基鍵結成之基。
[式中，R及Ra係表示與前述者同義。]
「交聯基」，係指藉由供至加熱處理、紫外線照射處理、自由基反應等中，而可生成新的鍵結之基，並以上述交聯基A群的式(XL-1)至(XL-17)表示之交聯基為佳。
「取代基」，係表示鹵素原子、氰基、烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基、取代胺基、烯基、環烯基、炔基或環炔基。取代基也可以是交聯基。
<發光元件>
接著，說明本發明的發光元件。
本發明的發光元件，係具有陽極、陰極、設在陽極及陰極之間的第1有機層、與設在陽極及第1有機層之間的第2有機層，其中，第1有機層是使用1種以上的磷光發光性化合物而形成之層，第2有機層是使用1種以上的磷光發光性化合物與含有交聯材料的組成物而形成之層；第1有機層的形成中使用的至少1種磷光發光性化合物與第2有機層的形成中使用的至少1種磷光發光性化合物，為式(1)表示的相同之磷光發光性化合物。
第1有機層與磷光發光性化合物之關係中所 稱之「使用…而形成」，係指使用磷光發光性化合物而形成第1有機層。可使磷光發光性化合物以原本狀態被含在第1有機層中，也可使磷光發光性化合物以分子內、分子間、或該等的兩方經交聯的狀態(磷光發光性化合物的交聯體)被含在第1有機層中。
第2有機層與組成物之關係中所稱之「使用…而形成」，係指使用組成物而形成第2有機層。可使含在組成物中的磷光發光性化合物及交聯材料以原本狀態被含在第2有機層中，也可使含在組成物中的磷光發光性化合物或交聯材料以分子內、分子間、或該等的兩方經交聯的狀態(磷光發光性化合物的交聯體或交聯材料的交聯體)被含在第2有機層中。
第1有機層及第2有機層的形成方法，可列舉例如：真空蒸鍍法，以及以旋轉塗佈法及噴墨印刷法為代表的塗佈法。
藉由塗佈法形成第1有機層時，係以使用後述的第1有機層之油墨為佳。形成第1有機層後，可藉由加熱或光照射使磷光發光性化合物交聯。磷光發光性化合物係以交聯的狀態(磷光發光性化合物的交聯體)而被含在第1有機層中時，第1有機層實質上係不溶於溶劑中。因此，該第1有機層可適用於發光元件的積層化。
藉由塗佈法形成第2有機層時，係以使用後述的第2有機層之油墨為佳。形成第2有機層後，可藉由加熱或光照射使組成物中含有的磷光發光性化合物或交聯 材料交聯。磷光發光性化合物或交聯材料係以交聯的狀態(磷光發光性化合物的交聯體)而被含在第2有機層中時，第2有機層實質上係不溶於溶劑中。因此，該第2有機層可適用於發光元件的積層化。
本發明的發光元件，係以使含在組成物中的交聯材料以交聯的狀態(交聯材料的交聯體)被含在第2有機層中為佳。
亦即，本發明的發光元件，係具有陽極、陰極、設在陽極及陰極之間的第1有機層、與設在陽極及第1有機層之間的第2有機層之發光元件，而第1有機層為含有1種以上的磷光發光性化合物之層、第2有機層為含有1種以上的磷光發光性化合物與交聯材料的交聯體之層，第1有機層中含有的至少1種之磷光發光性化合物與第2有機層中含有的至少1種之磷光發光性化合物，係式(1)表示的相同之磷光發光性化合物為佳。
交聯用的加熱溫度，通常是25至300℃，並以50至250℃為佳，而以150至200℃更佳。
交聯用的光照射中所使用的光之種類，係例如紫外光、近紫外光、可見光。
第1有機層的形態(以原本狀態含有磷光發光性化合物，或是含有磷光發光性化合物的交聯體)及第2有機層的形態(以原本狀態含有磷光發光性化合物及交聯材料，或是含有磷光發光性化合物的交聯體或交聯材料的交聯體)之分析方法，可列舉例如：以萃取等為代表的化學分 離分析法，以紅外線分光法(IR)、核磁共振分光法(NMR)、質量分析法(MS)等為代表的儀器分析法，以及將化學分離分析法及儀器分析法組合的分析法。
對於第1有機層或第2有機層，係進行使用以甲苯、二甲苯、氯仿、四氫呋喃等為代表的有機溶劑之固液萃取，藉此可使實質上對於有機溶劑為不溶的成分(不溶成分)與對於有機溶劑為可溶解的成分(溶解成分)分離。所得的不溶成分，可藉由紅外線分光法(IR)或核磁共振分光法(NMR)分析，所得的溶解成分可藉由核磁共振分光法(NMR)或質量分析法(MS)分析。
<第1有機層>
第1有機層，係使用1種以上的磷光發光性化合物而形成之層。如前述，第1有機層是以含有1種以上的磷光發光性化合物之層為佳。
[磷光發光性化合物]
第1有機層的形成中使用的磷光發光性化合物，係以式(1)表示的磷光發光性化合物為佳。後述的第2有機層之形成中使用的磷光發光性化合物，也是以式(1)表示的磷光發光性化合物為佳。惟，第1有機層的形成中使用的至少1種的磷光發光性化合物與第2有機層的形成中使用的至少1種磷光發光性化合物，係式(1)表示的相同之磷光發光性化合物。
式(1)表示的磷光發光性化合物，係由中心金屬的M、以n1標示的數定義之配位子與以n2標示的數定義之配位子所構成。
為使本發明的發光元件之發光效率優異，M是以銥原子或鉑原子為佳，並以銥原子更佳。
M為釕原子、銠原子或銥原子時，n1是以2或3為佳，並以3更佳。
M為鈀原子或鉑原子時，n1是以2為佳。
E1及E2，係以碳原子為佳。
環L1，係以吡啶環、嘧啶環、咪唑環或三唑環為佳，此等環也可具有取代基。
環L2，係以苯環、萘環、茀環、菲環、吡啶環、二氮雜苯環或三環為佳，並以苯環、吡啶環或嘧啶環更佳，此等環也可具有取代基。
選自環L1及環L2所成群組中的至少一個環，係具有式(2)表示的基。環L2，係以具有式(2)表示的基為佳。
存在複數個環L1及環L2時，只要該等的至少1個環具有式(2)表示的基即可，以存在複數個的環L1之全 部、存在複數個的環L2之全部或存在複數個的環L1及環L2之全部係具有式(2)表示的基為佳，；以存在複數個的環L2之全部係具有式(2)表示的基更佳。
式(2)中，R2係以芳基或1價的雜環基為佳，並以芳基更佳，此等基也可具有取代基。
R2表示的芳基、1價的雜環基及可具有取代胺基的取代基，係以烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基或取代胺基為佳，並以烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、芳氧基或環烷氧基更佳，而以烷基、環烷基或芳基又更佳，而以烷基尤佳，此等基也可進一步具有取代基。
為使本發明的發光元件之亮度壽命更優，R2表示的芳基、1價的雜環基或取代胺基係以樹枝狀(dendron)為佳。
「樹枝狀」，係指具有以原子或環為分枝點的規則性之樹枝狀分枝結構(亦即，樹狀體(dendrimer)結構)的基。具有樹枝狀的化合物(以下稱為「樹狀體」)，可列舉例如：國際公開第02/067343號、日本特開2003-231692號公報、國際公開第2003/079736號、國際公開第2006/097717號等文獻中所述之結構。
樹枝狀係以式(D-A)或(D-B)表示的基為佳。
mDA1、mDA2、mDA3、mDA4、mDA5、mDA6及mDA7，通常是10以下的整數，並以5以下的整數為佳，而以0或1更佳。mDA1、mDA2、mDA3、mDA4、mDA5、mDA6及mDA7，係以相同的整數為佳。
GDA係以(GDA-11)至(GDA-15)表示的基為佳，此等基也可具有取代基。
[式中，*係表示與式(D-A)中的ArDA1、式(D-B)中的ArDA1、式(D-B)中的ArDA2或式(D-B)中的ArDA3之鍵結。
**係表示與式(D-A)中的ArDA2、式(D-B)中的ArDA2、式(D-B)中的ArDA4或式(D-B)中的ArDA6之鍵結。
***係表示與式(D-A)中的ArDA3、式(D-B)中的ArDA3、式(D-B)中的ArDA5、或式(D-B)中的ArDA7之鍵結。
RDA係表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價的雜環基，此等基可進一步具有取代基。有複數個RDA時，該等可以是相同也可不相同。]
RDA係以氫原子、烷基、環烷基、烷氧基或環烷氧基為佳，並以氫原子、烷基或環烷基更佳，此等基也可具有取代基。
ArDA1、ArDA2、ArDA3、ArDA4、ArDA5、ArDA6及ArDA7，係以式(ArDA-1)至(ArDA-3)表示的基為佳。
[式中，RDA是與表示與前述者同義。
RDB表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基。有複數個RDB時，該等可以是相同也可不相同。]
RDB係以烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基為佳，並以芳基或1價的雜環基更佳，而以芳基又更佳，此等基也可具有取代基。
TDA係以式(TDA-1)至(TDA-3)表示的基為佳。
[式中，RDA及RDB表示與前述者同義。]
式(D-A)表示的基，係以式(D-A1)至(D-A3)表示的基為佳。
[式中，Rp1、Rp2及Rp3分別獨立地表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基或鹵素原子。有複數個Rp1及Rp2時，該等可以是相同也可不相同。
np1表示0至5的整數，np2表示0至3的整數，np3表示0或1。複數個np1，可以是相同也可不相同。]
式(D-B)表示的基，係以式(D-B1)至(D-B3)表示的基為佳。
[式中，Rp1、Rp2及Rp3分別獨立地表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基或鹵素原子。有複數個Rp1及Rp2時，該等可以是相同也可不相同。
np1表示0至5的整數，np2表示0至3的整數，np3表示0或1。np1及np2為複數個時，該等可以是相同也可不相同。]
np1係以0或1為佳，並以1更佳。np2，係以0或1為佳，並以0更佳。np3是以0為佳。
Rp1、Rp2及Rp3係以烷基或環烷基為佳。
A1-G1-A2表示的陰離子性之雙牙配位子，可列舉例如下述表示的配位子。
[式中，*係表示與M鍵結的部位。]
A1-G1-A2表示的陰離子性之雙牙配位子，也可以是下述表示的配位子。惟，A1-G1-A2表示的陰離子性之雙牙配位子，係與以n1標示的數定義之配位子不同。
[式中，*係表示與M鍵結的部位。
RL1係表示氫原子、烷基、環烷基或鹵素原子，此等基也可具有取代基。存在複數個的RL1，可以是相同也可不相 同。
RL2係表示烷基、環烷基或鹵素原子，此等基也可具有取代基。]
為使本發明的發光元件之發光效率優異，式(1)表示的磷光發光性化合物係以式(1-A)表示的磷光發光性化合物或式(1-B)表示的磷光發光性化合物為佳。
環L1A為咪唑環時，係以E11A為氮原子的咪唑環、或E12A為氮原子的咪唑環為佳，並以E11A為氮原子的咪唑環更佳。
環L1A為三唑環時，係以E11A及E12A為氮原子的三唑環、或E11A及E12A為氮原子的三唑環為佳，並以E11A及E12A為氮原子的三唑環更佳。
E11A為氮原子、且存在R11A時，R11A是以烷基、環烷基或式(2)表示的基為佳，此等基也可具有取代基。
E11A為碳原子時，R11A是以氫原子、烷基、 環烷基、芳基或1價的雜環基為佳，並以氫原子、烷基、環烷基或芳基更佳，而以氫原子、烷基或環烷基又更佳，此等基也可具有取代基。
E12A為氮原子、且存在R12A時，R12A是以烷基、環烷基或式(2)表示的基為佳，此等基也可具有取代基。
E12A為碳原子時，R12A是以氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基為佳，並以氫原子、烷基、環烷基或芳基更佳，而以氫原子、烷基或環烷基又更佳，此等基也可具有取代基。
E13A為氮原子、且存在R13A時，R13A是以烷基、環烷基或式(2)表示的基為佳，此等基也可具有取代基。
E13A為碳原子時，R13A是以氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基為佳，並以氫原子、烷基、環烷基或芳基更佳，而以氫原子、烷基或環烷基又更佳，此等基也可具有取代基。
環L1A為具有式(2)表示的基時，R11A或R12A是以式(2)表示的基為佳，並以R11A是以式(2)表示的基更佳。式(2)表示的基，係以樹枝狀為佳。
環L2A為吡啶環時，係以E21A為氮原子的吡啶環、E22A為氮原子的吡啶環或E23A為氮原子的吡啶環為佳，並以E22A為氮原子的吡啶環更佳。
環L2A為嘧啶環時，係以E21A及E23A為氮原子的嘧啶環、或E22A及E24A為氮原子的吡嘧啶環為佳，並以E22A及E24A為氮原子的嘧啶環更佳。
環L2A係以苯環為佳。
R21A、R22A、R23A及R24A，係以氫原子、烷基、環烷基或式(2)表示的基為佳，並以氫原子或式(2)表示的基更佳，此等基也可具有取代基。
環L2A為具有式(2)表示的基時，以R22A或R23A是以式(2)表示的基為佳，R22A是以式(2)表示的基更佳。式(2)表示的基，係以樹枝狀為佳。
環L1B為嘧啶環時，係以E11B為氮原子的嘧啶環或E13B為氮原子的嘧啶環為佳，並以E11B為氮原子的嘧啶環更佳。
R11B、R12B、R13B及R214B，係以氫原子、烷基、環烷基或式(2)表示的基為佳，並以氫原子或式(2)表示的基更佳，此等基也可具有取代基。
環L1B為具有式(2)表示的基時，R11B、R12B或R13B是以式(2)表示的基為佳，並以R11B或R13B為式(2) 表示的基更佳。式(2)表示的基，係以樹枝狀為佳。
環L2B為吡啶環時，係以E21B為氮原子的吡啶環、E22B為氮原子的吡啶環或E23B為氮原子的吡啶環為佳，並以E22B為氮原子的吡啶環更佳。
環L2B為嘧啶環時，係以E21B及E23B為氮原子的嘧啶環或E22B及E24B為氮原子的嘧啶環為佳，並以E22B及E24B為氮原子的嘧啶環更佳。
環L2B係以苯環為佳。
R21B、R22B、R23B及R24B，係以氫原子、烷基、環烷基或式(2)表示的基為佳，並以氫原子或式(2)表示的基更佳，此等基也可具有取代基。
環L2B為具有式(2)表示的基時，以R22B或R23B為式(2)表示的基為佳，並以R22B為式(2)表示的基更佳。式(2)表示的基，係以樹枝狀為佳。
式(1-A)表示的磷光發光性化合物，係以式(1-A1)表示的磷光發光性化合物、式(1-A2)表示的磷光發光性化合物、式(1-A3)表示的磷光發光性化合物或式(1-A4)表示的磷光發光性化合物為佳，並以式(1-A1)表示的磷光發光性化合物或式(1-A3)表示的磷光發光性化合物更佳，而以式(1-A3)表示的磷光發光性化合物又更佳。
式(1-B)表示的磷光發光性化合物，係以式(1-B1)表示的磷光發光性化合物、式(1-B2)表示的磷光發光性化合物或式(1-B3)表示的磷光發光性化合物為佳，並以式(1-B1)表示的磷光發光性化合物或式(1-B2)表示的磷光發光性化合物更佳。
式(1)表示的磷光發光性化合物，可列舉例如下述表示的磷光發光性化合物。
如上述，第1有機層的形成中使用的至少1種磷光發光性化合物，雖然是式(1)表示的磷光發光性化合物(與第2有機層的形成中使用的至少1種磷光發光性化合物相同的磷光發光性化合物)，惟，第1有機層也可以是將式(1)表示的磷光發光性化合物與其他的磷光發光性化合物併用而形成之層，亦可是含有式(1)表示的磷光發光性化合物與其他的磷光發光性化合物之層。其他的磷光發光性化合物，可列舉例如下述式表示的磷光發光性化合物。
第1有機層的形成中使用的磷光發光性化合物，例如可依照日本特表2004-530254號公報、日本特開2008-179617號公報、日本特開2011-105701號公報、日本特表2007-504272號公報、日本特開2013-147449號公報、日本特開2013-147450號公報中所述之方法合成。
[主體材料]
為使本發明的發光元件之發光效率優異，第1有機層，係以使用含有1種以上的磷光發光性化合物與具有選自電洞注入性、電洞輸送性、電子注入性及電子輸送性所成群組中的至少1種機能之主體材料的組成物所形成之層為佳，並以含有1種以上的磷光發光性化合物與具有選自電洞注入性、電洞輸送性、電子注入性及電子輸送性所成群組中的至少1種機能之主體材料之層為更佳。該組成物中，主體材料可單獨含有1種，也可含有2種以上。
含有磷光發光性化合物與主體材料的組成物中，將磷光發光性化合物與主體材料的合計設為100重量份時，磷光發光性化合物的含量通常是0.1至50重量份，並以1至45重量份為佳，而以5至40重量份更佳。
為使本發明的發光元件之發光效率優異，主體材料具有的最低激發三重態(T1)，係以與第1有機層的形成中使用的磷光發光性化合物所具有的T1為同等之能階或較高的能階為佳。
因可用溶液塗佈製程製作本發明的發光元件，故主體材料以對於可溶解第1有機層的形成中使用的磷光發光性化合物之溶劑係表現溶解性者為佳。
主體材料可分類為低分子化合物與高分子化合物。
[低分子主體]
說明作為主體材料的較佳低分子化合物(以下，稱為「低分子主體」。)。
低分子主體係以式(H-1)表示的化合物為佳。
ArH1及ArH2係以苯基、茀基、螺旋雙茀基、吡啶基、嘧啶基、三基、喹啉基、異喹啉基、噻吩基、 苯并噻吩基、二苯并噻吩基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、吡咯基、吲哚基、氮雜吲哚基、咔唑基、氮雜咔唑基、二氮雜咔唑基、啡基或啡噻基為佳，並以苯基、螺旋雙茀基、吡啶基、嘧啶基、三基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基或氮雜咔唑基更佳，以苯基、吡啶基、咔唑基或氮雜咔唑基又更佳，以上述式(TDA-1)或(TDA-3)表示的基尤佳，以上述式(TDA-3)表示的基又尤佳，此等基也可具有取代基。
ArH1及ArH2可具有的取代基，係以鹵素原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價的雜環基為佳，並以烷基、環烷基、烷氧基或環烷氧基更佳，而以烷基或環烷氧基又更佳，此等基可進一步具有取代基。
nH1係以1為佳。nH2，係以0為佳。
nH3通常是以0以上10以下的整數，並以0以上5以下的整數為佳，而以1以上3以下的整數更佳，而以1尤佳。
nH11係以1以上5以下的整數為佳，並以1以上3以下的整數更佳，而以1又更佳。
RH11係以氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基為佳，並以氫原子、烷基或環烷基更佳，而以氫原子或烷基又更佳，此等基也可具有取代基。
LH1係以伸芳基或2價的雜環基為佳。
LH1係以式(A-1)至(A-3)、式(A-8)至(A-10)、式(AA-1)至(AA-6)、式(AA-10)至(AA-21)或式(AA-24)至 (AA-34)表示的基為佳，並以式(A-1)、式(A-2)、式(A-8)、式(A-9)、式(AA-1)至(AA-4)、式(AA-10)至(AA-15)或式(AA-29)至(AA-34)表示的基更佳，而以式(A-1)、式(A-2)、式(A-8)、式(A-9)、式(AA-2)、式(AA-4)、式(AA-10)至(AA-15)表示的基又更佳，而以式(A-1)、式(A-2)、式(A-8)、式(AA-2)、式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)或式(AA-14)表示的基尤佳，而以式(A-1)、式(A-2)、式(AA-2)、式(AA-4)或式(AA-14)表示的基又尤佳。
LH1可具有的取代基，係以鹵素原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價的雜環基為佳，並以烷基、烷氧基、芳基或1價的雜環基更佳，而以烷基、芳基或1價的雜環基又更佳，此等基也可具有取代基。
LH21係以單鍵或伸芳基為佳，並以單鍵更佳，此伸芳基也可具有取代基。
LH21表示的伸芳基或2價的雜環基之定義及例子，係與LH1表示的伸芳基或2價的雜環基之定義及例子相同。
RH21係以芳基或1價的雜環基為佳，此等基也可具有取代基。
RH21表示的芳基或1價的雜環基之定義及例子，係與ArH1及ArH2表示的芳基或1價的雜環基之定義及例子相同。
RH21可具有的取代基之定義及例子，係與ArH1及ArH2具有的取代基之定義及例子相同。
式(H-1)表示的化合物，係以式(H-2)表示的化合物為佳。
[式中，ArH1、ArH2、nH3及LH1是與前述者同義。]
式(H-1)表示的化合物，可例示如下述式(H-101)至(H-118)表示的化合物。
主體材料中使用的高分子化合物，可列舉例如：後述的電洞輸送材料之高分子化合物、後述的電子輸送材料之高分子化合物。
[高分子主體]
說明作為主體化合物的較佳高分子化合物(以下稱為「高分子主體」。)。
高分子主體係以包含式(Y)表示的構成單元之高分子化合物為佳。
ArY1表示的伸芳基，較佳的是式(A-1)、式 (A-2)、式(A-6)至(A-10)、式(A-19)或式(A-20)表示的基，更佳是式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)或式(A-19)表示的基，此等基也可具有取代基。
ArY1表示的2價雜環基，較佳的是式(AA-1)至(AA-4)、式(AA-10)至(AA-15)、式(AA-18)至(AA-21)、式(AA-33)或式(AA-34)表示的基，更佳是式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)、式(AA-14)或式(AA-33)表示的基，此等基也可具有取代基。
ArY1表示的至少1種伸芳基與至少1種2價的雜環基直接鍵結而成之2價基中，伸芳基及2價的雜環基之較佳範圍、更佳的範圍，係分別與前述的ArY1表示的伸芳基與2價的雜環基之較佳範圍、更佳的範圍相同。
「至少1種伸芳基與至少1種2價的雜環基直接鍵結而成之2價基」，可列舉例如：下述式表示的基，此等基也可具有取代基。
[式中，RXX表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基。]
RXX係以烷基、環烷基或芳基為佳，此等基也可具有取代基。
ArY1表示的基可具有之取代基，係以烷基、 環烷基或芳基為佳，此等基可進一步具有取代基。
式(Y)表示的構成單元，可列舉例如式(Y-1)至(Y-10)表示的構成單元，就本發明的發光元件之亮度壽命之觀點而言，係以式(Y-1)至(Y-3)表示之構成單元為佳，就本發明的發光元件之電子輸送性之觀點而言，係以式(Y-4)至(Y-7)表示的構成單元為佳，就本發明的發光元件之電洞輸送性之觀點而言，係以式(Y-8)至(Y-10)表示的構成單元為佳。
[式中，RY1表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基。存在複數個的RY1，可以是相同也可不相同，相鄰的RY1之間也可彼此鍵結而分別與所鍵結的碳原子一同形成環。]
RY1係以氫原子、烷基、環烷基或芳基為佳，此等基也可具有取代基。
式(Y-1)表示的構成單元，係以式(Y-1')表示的構成單元為佳。
[式中，RY11表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基。存在複數個的RY11，可以是相同也可不相同。]
RY11係以烷基、環烷基或芳基為佳，並以烷基或環烷基更佳，此等基也可具有取代基。
[式中，RY1係表示與前述者同義。XY1表示-C(RY2)2-、-C(RY2)=C(RY2)-或-C(RY2)2-C(RY2)2-表示的基。RY2係表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基。存在複數個的RY2，可以是相同或不相同，RY2之間也可以彼此鍵結，而分別與所鍵結的碳原子一同形成環。]
RY2係以烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基為佳，並以烷基、環烷基或芳基更佳，此等基也可具有取代基。
XY1中，-C(RY2)2-表示的基中之2個RY2的組合，係以兩者為烷基或環烷基、兩者為芳基、兩者為1價的雜環基、或一者為烷基或環烷基且另一者為芳基或1價的雜環基為佳，並以一者為烷基或環烷基且另一者為芳基更佳，此等基也可具有取代基。存在2個的RY2也可彼此鍵結，而分別與所鍵結的原子一同形成環，如RY2形成環 時，-C(RY2)2-表示的基是以式(Y-A1)至(Y-A5)表示之基為佳，並以式(Y-A4)表示的基更佳，此等基也可具有取代基。
XY1中，使-C(RY2)=C(RY2)-表示的基中之2個RY2之組合，係以兩者為烷基或環烷基、或一者為烷基或環烷基且另一者為芳基為佳，此等基也可具有取代基。
XY1中，-C(RY2)2-C(RY2)2-表示的基中之4個RY2，係以可具有取代基的烷基或環烷基為佳。複數個RY2也可彼此鍵結，而分別與所鍵結的原子一同形成環，RY2形成環時，-C(RY2)2-C(RY2)2-表示的基，係以式(Y-B1)至(Y-B5)表示的基為佳，並以式(Y-B3)表示基更佳，此等基也可具有取代基。
[式中，RY2表示與前述者同義。]
式(Y-2)表示的構成單元，係以式(Y-2')表示的構成單元為佳。
[式中，RY1及XY1表示與前述者同義。]
[式中，RY1及XY1表示與前述者同義。]
式(Y-3)表示的構成單元，係以式(Y-3')表示的構成單元為佳。
[式中，RY11及XY1表示與前述者同義。]
[式中，RY1表示與前述者同義。RY3，係表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基。]
RY3係以烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價雜環基為佳，並以芳基更佳，此等基也可具有取代基。
式(Y-4)表示的構成單元，係以式(Y-4')表示的構成單元為佳，式(Y-6)表示的構成單元，係以式(Y-6')表示的構成單元為佳。
[式中，RY1及RY3表示與前述者同義。]
[式中，RY1表示與前述者同義。RY4係表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基。]
RY4係以烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價的雜環基為佳，並以芳基更佳，此等基也可具有取代基。
式(Y)表示的構成單元，可列舉例如：包含式(Y-101)至(Y-121)表示的伸芳基之構成單元、包含式(Y-201)至(Y-206)表示的2價雜環基之構成單元、包含式(Y-301)至(Y-304)表示的至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結成的2價基之構成單元。
為使本發明的發光元件之亮度壽命更優，相對於高分子化合物中含有的構成單元之合計量，為式(Y)表示的構成單元、且ArY1為伸芳基之構成單元係以0.5至80莫耳%為佳，並以30至60莫耳%更佳。
為使本發明的發光元件之電荷輸送性優異，相對於對於高分子化合物中含有的構成單元之合計 量，為式(Y)表示的構成單元、且ArY1為2價的雜環基或至少1種伸芳基與至少1種2價的雜環基直接鍵結而成之2價基的構成單元，係以0.5至30莫耳%為佳，並以3至20莫耳%更佳。
在高分子主體中，式(Y)表示的構成單元可僅含有1種，也可含有2種以上。
為使電洞輸送性優異，高分子主體以進一步含有下述式(X)表示的構成單元為佳。
[式中，aX1及aX2分別獨立地表示0以上的整數。
ArX1及ArX3分別獨立地表示伸芳基或2價的雜環基，此等基也可具有取代基。
ArX2及ArX4分別獨立地表示伸芳基、2價的雜環基或至少1種伸芳基與至少1種2價的雜環基直接鍵結而成之2價基，此等基也可具有取代基。
RX1、RX2及RX3分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基。]
為使本發明的發光元件之亮度壽命更優 異，aX1係以2以下為佳，並以1更佳。
為使本發明的發光元件之亮度壽命更優異，aX2係以2以下為佳，並以0更佳。
RX1、RX2及RX3係以烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基為佳，並以芳基更佳，此等基也可具有取代基。
ArX1及ArX3表示的伸芳基，係以式(A-1)或式(A-9)表示的基更佳，並以式(A-1)表示的基又更佳，此等基也可具有取代基。
ArX1及ArX3表示的2價雜環基，係以式(AA-1)、式(AA-2)或式(AA-7)至(AA-26)表示的基更佳，此等基也可具有取代基。
ArX1及ArX3係以可具有取代基的伸芳基為佳。
ArX2及ArX4表示的伸芳基，係以式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)至(A-11)或式(A-19)表示的基更佳，此等基也可具有取代基。
ArX2及ArX4表示的2價雜環基之更佳範圍，係與ArX1及ArX3表示的2價雜環基之更佳範圍相同。
ArX2及ArX4表示的至少1種伸芳基與至少1種2價的雜環基直接鍵結成的2價基中，伸芳基及2價的雜環基之更佳範圍、又更佳的範圍，係與ArX1及ArX3表示的伸芳基及2價的雜環基之更佳範圍、又更佳的範圍相同。
ArX2及ArX4表示的至少1種伸芳基與至少1 種2價的雜環基直接鍵結成的2價基，可舉出與式(Y)的ArY1表示的至少1種伸芳基與至少1種2價的雜環基直接鍵結成的2價基相同者。
ArX2及ArX4係以可具有取代基的伸芳基為佳。
ArX1至ArX4及RX1至RX3表示的基可具有的取代基，係以烷基、環烷基或芳基為佳，此等基可進一步具有取代基。
式(X)表示的構成單元，係以式(X-1)至(X-7)表示的構成單元為佳，並以式(X-1)至(X-6)表示的構成單元更佳，而以式(X-3)至(X-6)表示的構成單元又更佳。
[式中，RX4及RX5分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、鹵素原子、1價雜環基或氰基，此等基也可具有取代基。存在複數個的RX4，可以是相同也可不同。存在複數個的RX5，可以是相同也可不同，相鄰的RX5也可彼此鍵結，而分別與所鍵結的碳原子一同形成環。]
為使電洞輸送性優異，相對於高分子主體中含有的構成單元之合計量，式(X)表示的構成單元係以0.1至50莫耳%為佳，並以1至40莫耳%更佳，而以5至30莫耳%又更佳。
式(X)表示的構成單元，可列舉例如式(X1-1)至(X1-11)表示的構成單元，並以式(X1-3)至(X1-10)表示的構成單元為佳。
高分子主體中，式(X)表示的構成單元，可以僅含有1種，也可含有2種以上。
高分子主體，可列舉例如表1的高分子化合物(P-1)至(P-6)。
[表中，p、q、r、s及t表示各構成單元的莫耳比率。p+q+r+s+t=100，且100≧p+q+r+s≧70。其他的構成單元， 係指式(Y)表示的構成單元、式(X)表示的構成單元以外的構成單元。]
高分子主體可以是嵌段共聚物、隨機共聚物、交替共聚物、接枝共聚物的任何一種共聚物，也可以是其他的形態，惟以複數種的原料單體共聚合而成的共聚物為佳。
[高分子主體的製造方法]
高分子主體可利用Chemical Reviews(Chem.Rev.)，第109卷，897至1091頁(2009年)等中所述之習知聚合方法製造，可例示如藉由Suzuki反應、Yamamoto反應、Buchwald反應、Stille反應、Negishi反應及Kumada反應等使用過渡金屬觸媒的偶合反應而聚合之方法。
前述聚合方法中，裝入單體的方法，可舉出將單體的全部量一次裝入反應系中的方法、將單體的一部分裝入使其反應之後，再將剩餘的單體一次、連續或分割裝入的方法、將單體連續或分割裝入的方法等。
過渡金屬觸媒可舉出鈀觸媒、鎳觸媒等。
聚合反應的後處理可單獨或組合進行習知方法，該習知方法例如：藉由分液以去除水溶性雜質的方法；在甲醇等低級醇中加入聚合反應後的反應液，將析出的沉澱過濾之後，使其乾燥的方法等。高分子主體的純度低時，可用例如再結晶、再沉澱、藉由索司勒萃取器連續萃取、管柱層析等通常的方法精製。
[第1有機層的組成物]
第1有機層也可以是使用含有1種以上的磷光發光性化合物與選自前述的主體材料、電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、發光材料(與磷光發光性化合物不同)、抗氧化劑及溶劑所成群組中的至少1種材料之組成物(以下，亦稱為「第1有機層的組成物」)而形成之層。亦即，第1有機層也可以是含有1種以上的磷光發光性化合物與選自前述的主體材料、電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、發光材料(與磷光發光性化合物不同)及抗氧化劑所成群組中的至少1種材料之層。
[電洞輸送材料]
電洞輸送材料可分類為低分子化合物與高分子化合物，並以高分子化合物為佳。電洞輸送材料也可具有交聯基。
高分子化合物可列舉例如：聚乙烯咔唑及其衍生物；側鏈或主鏈上具有芳香族胺結構的聚伸芳及其衍生物。高分子化合物也可以是鍵結有電子接受性部位的化合物。電子接受性部位可列舉例如：富勒烯、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、三硝基茀酮等，並以富勒烯為佳。
第1有機層的組成物中，將磷光發光性化合物設為100重量份時，電洞輸送材料的調配量通常是1至 400重量份，並以5至150重量份為佳。
電洞輸送材料可單獨使用一種，也可將二種以上併用。
[電子輸送材料]
電子輸送材料可分類為低分子化合物與高分子化合物。電子輸送材料，也可具有交聯基。
低分子化合物，可列舉例如：將8-羥基喹啉作為配位子的金屬錯合物、二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、茀酮、二苯基二氰基乙烯及二苯醌，以及此等的衍生物。
高分子化合物，可列舉例如：聚伸苯、聚茀及此等的衍生物。高分子化合物，也可用金屬摻雜。
第1有機層的組成物中，將磷光發光性化合物設為100重量份時，電子輸送材料的調配量通常是1至400重量份，並以5至150重量份為佳。
電子輸送材料可單獨使用一種，也可將二種以上併用。
[電洞注入材料及電子注入材料]
電洞注入材料及電子注入材料，可分別分類為低分子化合物與高分子化合物。電洞注入材料及電子注入材料，也可具有交聯基。
低分子化合物，可列舉例如：銅酞青素等 金屬酞青素；碳；鉬、鎢等的金屬氧化物；氟化鋰、氟化鈉、氟化銫、氟化鉀等金屬氟化物。
高分子化合物，可列舉例如：聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚伸苯基伸乙烯(polyphenylene-vinylene)、聚伸噻吩伸乙烯(polythienylene-vinylene)、聚喹啉及聚喹啉，以及此等的衍生物；主鏈或側鏈上含有芳香族胺結構的聚合物等導電性高分子。
第1有機層的組成物中，將磷光發光性化合物設為100重量份時，電洞注入材料及電子注入材料分別的調配量，通常是1至400重量份，並以5至150重量份為佳。
電子注入材料及電洞注入材料可分別單獨使用一種，也可將二種以上併用。
[離子摻雜]
電洞注入材料或電子注入材料含有導電性高分子時，導電性高分子的導電度是以1×10-5S/cm至1×103S/cm為佳。欲使導電性高分子的導電度為此範圍時，可在導電性高分子中摻雜適量的離子。
摻雜的離子之種類，於電洞注入材料時為陰離子，於電子注入材料時為陽離子。陰離子，可列舉例如：聚苯乙烯磺酸離子、烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子。陽離子，可列舉例如：鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子。
摻雜的離子可單獨使用一種，也可將二種以上併用。
[發光材料]
發光材料(與磷光發光性化合物不同)可分類為低分子化合物與高分子化合物。發光材料，也可具有交聯基。
低分子化合物，可列舉例如：萘及其衍生物、蒽及其衍生物以及苝及其衍生物。
高分子化合物，可列舉例如：含有伸苯基、萘二基、蒽二基、茀二基、菲二基、二氫菲二基、式(X)表示的基、咔唑二基、啡二基、啡噻二基、芘二基等之高分子化合物。
第1有機層的組成物中，將磷光發光性化合物設為100重量份時，發光材料的調配量通常是1至400重量份，並以5至150重量份為佳。
發光材料可單獨使用一種，也可將二種以上併用。
[抗氧化劑]
抗氧化劑，只要是可溶於與磷光發光性化合物相同的溶劑中，不阻礙發光及電荷輸送的化合物即可，可列舉例如：酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑。
第1有機層的組成物中，將磷光發光性化合物設為100重量份時，抗氧化劑的調配量通常是0.001至 10重量份。
抗氧化劑可單獨使用一種，也可將二種以上併用。
[第1有機層的油墨]
含有溶劑的第1有機層之組成物(以下，亦稱為「第1有機層的油墨」)，可適用旋轉塗佈法、流延法、微凹板塗佈法、凹板塗佈法、棒塗法、輥塗法、線棒塗佈法、浸塗法、噴塗法、網版印刷法、柔版印刷法、套版印刷法、噴墨印刷法、毛細管塗佈法、噴嘴塗佈法等塗佈法。
第1有機層的油墨之黏度，只要依塗佈法的種類調整即可，惟在適用於噴墨印刷法等經由裝置使溶液吐出之印刷法時，為不產生吐出時的堵塞與偏斜，故係以25℃中1至20mPa‧s為佳。
第1有機層的油墨中含有的溶劑，係以可將油墨中的固形成分溶解或均勻分散的溶劑為佳。溶劑，可列舉例如：1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯、鄰-二氯苯等氯系溶劑；THF、二烷、苯甲醚、4-甲基苯甲醚等醚系溶劑；甲苯、二甲苯、均三甲苯、乙基苯、正-己基苯、環己基苯等芳香族烴系溶劑；環己烷、甲基環己烷、正-戊烷、正-己烷、正-庚烷、正-辛烷、正-壬烷、正-癸烷、正-十二烷、聯環己烷等脂肪族烴系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、苯乙酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基賽路蘇乙酸酯、苯甲酸甲酯、乙酸苯酯等酯系溶劑； 乙二醇、甘油、1,2-己二醇等多元醇系溶劑；異丙醇、環己醇等醇系溶劑；二甲基亞碸等亞碸系溶劑；N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺等醯胺系溶劑。溶劑可單獨使用一種，也可將二種以上併用。
第1有機層的油墨中，將磷光發光性化合物設為100重量份時，溶劑的調配量通常是1000至100000重量份，並以2000至20000重量份為佳。
<第2有機層>
第2有機層，係使用含有1種以上的磷光發光性化合物與交聯材料之組成物而形成之層。如前述，第2有機層，係以含有1種以上的磷光發光性化合物與交聯材料的交聯體之層為佳。
[磷光發光性化合物]
第2有機層的形成中使用的磷光發光性化合物，係以式(1)表示的磷光發光性化合物為佳。前述的第1有機層之形成中使用的磷光發光性化合物，亦以式(1)表示的磷光發光性化合物為佳。惟，第2有機層的形成中使用的至少1種磷光發光性化合物與第1有機層的形成中使用的至少1種磷光發光性化合物，係式(1)表示的相同之磷光發光性化合物。
第2有機層的形成中使用的式(1)表示之磷光發光性化合物的定義及例子，係與第1有機層的形成中 使用的式(1)表示之磷光發光性化合物的定義及例子相同。
而且，第2有機層的形成中使用的至少1種磷光發光性化合物，係式(1)表示的磷光發光性化合物(與第1有機層的形成中使用之至少1種的磷光發光性化合物相同的磷光發光性化合物)，惟第2有機層亦可以是將式(1)表示的磷光發光性化合物與其他的磷光發光性化合物併用而形成之層，也可以是含有式(1)表示的磷光發光性化合物與其他的磷光發光性化合物之層。第2有機層的形成中使用的其他磷光發光性化合物之例，係與第1有機層的形成中使用的其他磷光發光性化合物之例相同。
[交聯材料]
交聯材料，可以是低分子化合物也可以是高分子化合物，惟為使本發明的發光元件之發光效率優異，是以具有選自交聯基A群中的至少1種交聯基為佳，以含有具有選自交聯基A群中的至少1種交聯基的交聯構成單元之高分子化合物(以下，亦稱為「第2有機層的高分子化合物」)為佳。
為使本發明的發光元件之發光效率優異，選自交聯基A群中的交聯基，係以式(XL-1)、(XL-3)、(XL-9)、(XL-16)或(XL-17)表示的交聯基為佳，並以式(XL-1)、(XL-16)或(XL-17)表示的交聯基更佳，而以式(XL-1)或(XL-17)表示的交聯基又更佳。
具有選自交聯基A群中的至少1種交聯基 之低分子化合物，可列舉例如：下述表示的低分子化合物。
含在第2有機層的高分子化合物中之具有選自交聯基A群中的至少1種交聯基之交聯構成單元，係以後述的式(3)表示之構成單元及式(4)表示之構成單元為佳，也可以是下述式表示的構成單元。
含在第2有機層的高分子化合物中之具有選自交聯基A群中的至少1種交聯基之交聯構成單元，係以式(3)表示的構成單元或式(4)表示的構成單元為佳。
為使本發明的發光元件之發光效率優異，nA是以0或1為佳，並以0更佳。
為使本發明的發光元件之發光效率優異，n是以2為佳。
為使本發明的發光元件之發光效率優異，Ar1是以可具有取代基的芳香族烴基為佳。
Ar1表示的芳香族烴基之碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是6至60，並以6至30為佳，而以6至18更佳。
去除Ar1表示的芳香族烴基之n個取代基之後的伸芳基部分，係以式(A-1)至式(A-20)表示的基為佳，並以式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)至式(A-10)、式(A-19)或式(A-20)表示的基更佳，而以式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)或式(A-19)表示的基又更佳，此等基也可具有取代基。
Ar1表示的雜環基之碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是6至60，並以6至30為佳，而以6至18更佳。
去除Ar1表示的雜環基之n個取代基之後的2價雜環基部分，係以式(AA-1)至(AA-34)表示的基為佳。
Ar1表示的芳香族烴基及雜環基也可具有取 代基。芳香族烴基及雜環基可具有的取代基，可列舉例如：烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、鹵素原子、1價的雜環基及氰基。
LA表示的伸烷基之碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是1至10，並以1至5為佳，而以1至3更佳。LA表示的伸環烷基之碳原子數，不包含取代基的碳原子數，通常是3至10。
伸烷基及伸環烷基，也可具有取代基，可列舉例如：亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基、伸環己基、伸辛基。
LA表示的伸烷基及伸環烷基，也可具有取代基。伸烷基及伸環烷基可具有的取代基，可列舉例如：烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、鹵素原子及氰基。
LA表示的芳基，也可具有取代基。芳基，可舉出：鄰-伸苯基、間-伸苯基、對-伸苯基。芳基可具有的取代基，可列舉例如：烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價的雜環基、鹵素原子、氰基及選自交聯基A群中的交聯基。
為使第2有機層的高分子化合物之合成變得容易，LA是以伸苯基或亞甲基為佳，此等基也可有取代基。
X表示的交聯基之較佳範圍、更佳的範圍，係與前述的選自交聯基A群中的交聯基之較佳範圍、更佳的範圍及又更佳的範圍相同。
為使第2有機層的高分子化合物之交聯性優異，相對於第2有機層的高分子化合物中含有的構成單元之合計量，式(3)表示的構成單元是以0.5至25莫耳%為佳，並以3至25莫耳%更佳，而以3至20莫耳%又更佳。
在第2有機層的高分子化合物中，式(3)表示的構成單元可僅含有1種，也可含有2種以上。
為使本發明的發光元件之發光效率優異，mA是以0或1為佳，並以0更佳。
為使本發明的發光元件之發光效率優異，m是以2為佳。
為使第2有機層的高分子化合物之合成變得容易，且本發明的發光元件之發光效率優異，c是以0為佳。
為使本發明的發光元件之發光效率優異，Ar3是以可具有取代基的芳香族烴基為佳。
去除Ar3表示的芳香族烴基之m個取代基之後的伸芳基部分之定義和例子，係與前述式(X)中的ArX2表示的伸芳基部分之定義和例子相同。
去除Ar3表示的雜環基之m個取代基之後的 2價雜環基部分之定義和例子，係與前述式(X)中的ArX2表示的2價雜環基部分之定義和例子相同。
去除Ar3表示的至少1種的芳香族烴環與至少1種雜環基直接鍵結而成之基的m個取代基之後的2價基之定義和例子，係與前述式(X)中的ArX2表示的至少1種的伸芳基與至少1種的2價雜環基直接鍵結之2價基的定義和例子相同。
為使本發明的發光元件之亮度壽命更優，Ar2及Ar4是以可具有取代基的伸芳基為佳。
Ar2及Ar4表示的伸芳基之定義和例子，係與前述式(X)中的ArX1及ArX3表示的伸芳基之定義和例子相同。
Ar2及Ar4表示的2價雜環基之定義和例子，係與前述式(X)中的ArX1及ArX3表示的2價雜環基之定義和例子相同。
Ar2、Ar3及Ar4表示的基也可具有取代基，取代基可舉出烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、鹵素原子、1價的雜環基及氰基。
KA表示的伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基之定義和例子，係分別與LA表示的伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基之定義和例子相同。
為使第2有機層的高分子化合物之合成變得容易，KA係以伸苯基或亞甲基為佳，此等基也可具有取代基。
X’表示的交聯基之較佳範圍、更佳的範圍及又更佳的範圍，係與選自前述的交聯基A群中之交聯基的較佳範圍、更佳的範圍及又更佳的範圍相同。
為使第2有機層的交聯性優異，相對於第2有機層的高分子化合物中含有的構成單元之合計量，式(4)表示的構成單元是以0.5至25莫耳%為佳，並以3至25莫耳%更佳，而以3至20莫耳%又更佳。
在第2有機層的高分子化合物中，式(4)表示的構成單元可僅含有1種，也可含有2種以上。
式(3)表示的構成單元，可列舉例如：式(3-1)至式(3-30)表示的構成單元，式(4)表示的構成單元，可列舉例如：式(4-1)至式(4-13)表示的構成單元。為使第2有機層的高分子化合物之交聯性優異，此等構成單元之中，係以式(3-1)至式(3-30)表示的構成單元為佳，並以式(3-1)至式(3-15)、式(3-19)、式(3-20)、式(3-23)、式(3-25)或式(3-30)表示的構成單元更佳，而以式(3-1)至式(3-13)或式(3-30)表示的構成單元又更佳，而以式(3-1)至式(3-9)或式(3-30)表示的構成單元尤佳。
為使電洞輸送性優異，第2有機層的高分子化合物，以進一步含有式(X)表示的構成單元為佳。
第2有機層的高分子化合物可含有的式(X)表示之構成單元的定義及例子，係與前述的高分子主體可含有的式(X)表示之構成單元的定義及例子相同。
第2有機層的高分子化合物中，可僅含有1種式(X)表示的構成單元，也可含有2種以上。
為使本發明的發光元件之發光效率優異，第2有機層的高分子化合物，係以進一步含有式(Y)表示的構成單元為佳。
第2有機層的高分子化合物可含有的式(Y)表示之構成單元的定義及例子，係與前述的高分子主體可含有的式(Y)表示之構成單元的定義及例子相同。
第2有機層的高分子化合物中，可僅含有1種式(Y)表示的構成單元，也可含有2種以上。
為使本發明的發光元件之發光效率優異，第2有機層的高分子化合物，係以進一步含有式(X)表示的構成單元及式(Y)表示的構成單元之兩者為佳。
第2有機層的高分子化合物，可列舉例如：表2的高分子化合物(P-11)至(P-25)。
[表中，p’、q’、r’、s’、u’及v’表示各構成單元的莫耳比率。p’+q’+r’+s’+u’+v’=100，且70≦p’+q’+r’+s’+u’≦100。其他的構成單元，係指式(3)表示的構成單元、式(4)表示的構成單元、式(X)表示的構成單元、式(Y)表示的構成單元以外的構成單元。]
第2有機層的高分子化合物，可以是嵌段共聚物、隨機共聚物、交替共聚物、接枝共聚物的任一種共聚物，也可以是其他的形態，惟以複數種的原料單體共聚合而成的共聚物為佳。
[第2有機層的高分子化合物之製造方法]
第2有機層的高分子化合物，可用與前述的高分子主體之製造方法相同的方法製造。
[組成比等]
第2有機層的形成所使用的組成物中，將磷光發光性 化合物與交聯材料的合計設為100重量份時，磷光發光性化合物的含量通常是0.1至50，並以0.2至45為佳，而以0.3至40更佳。
[第2有機層的組成物]
第2有機層也可以是使用含有1種以上的磷光發光性化合物、交聯材料與選自電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、發光材料(與磷光發光性化合物不同)、抗氧化劑及溶劑所成群組中的至少1種材料之組成物(以下，亦稱為「第2有機層的組成物」。)而形成之層。亦即，第2有機層，可以是含有1種以上的磷光發光性化合物、交聯材料與選自電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、發光材料(與磷光發光性化合物不同)及抗氧化劑所成群組中的至少1種材料之層，並以含有1種以上的磷光發光性化合物、交聯材料的交聯體與選自電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、發光材料(與磷光發光性化合物不同)及抗氧化劑所成群組中的至少1種材料之層為佳。
第2有機層的組成物中含有的電洞輸送材料、電子輸送材料、電洞注入材料、電子注入材料及發光材料之例及較佳範圍，係與第1有機層的組成物中含有的電洞輸送材料、電子輸送材料、電洞注入材料、電子注入材料及發光材料之例及較佳範圍相同。第2有機層的組成物中，將磷光發光性化合物與交聯材料之合計設為100重 量份時，通常，電洞輸送材料、電子輸送材料、電洞注入材料、電子注入材料及發光材料的調配量分別是1至400重量份，並以5至150重量份為佳。
第2有機層的組成物中含有的抗氧化劑之例及較佳範圍，係與第1有機層的組成物中含有的抗氧化劑之例及較佳範圍相同。第2有機層的組成物中，將磷光發光性化合物與交聯材料之合計設為100重量份時，通常抗氧化劑的調配量是0.001至10重量份。
[第2有機層的油墨]
含有溶劑的第2有機層之組成物(以下，亦稱為「第2有機層的油墨」)，係與第1有機層的油墨相同，可適用旋轉塗佈法、噴墨印刷法等塗佈法。
第2有機層的油墨之黏度的較佳範圍，係與第1有機層的油墨之黏度的較佳範圍相同。
第2有機層的油墨中含有的溶劑之例子及較佳範圍，係與第1有機層的油墨中含有的溶劑之例子及較佳範圍相同。
第2有機層的油墨中，將磷光發光性化合物與交聯材料之合計設為100重量份時，溶劑的調配量通常是1000至100000重量份，並以2000至20000重量份為佳。
<發光元件的層構成>
本發明的發光元件係具有陽極、陰極、設在陽極及陰 極之間的第1有機層、設在陽極及第1有機層之間的第2有機層。本發明的發光元件，也可具有陽極、陰極、第1有機層及第2有機層以外的層。
本發明的發光元件中，第1有機層通常是發光層。
為使本發明的發光元件之亮度壽命更優，本發明的發光元件中，第1有機層與第2有機層是以相鄰接為佳。
為使本發明的發光元件之發電效率更優，本發明的發光元件是以在陽極與第2有機層之間進一步具有選自電洞輸送層及電洞注入層所成群組中的至少1層為佳。而且，為使本發明的發光元件之發電效率優異，本發明的發光元件是以在陰極與第1有機層之間具有選自電子輸送層及電子注入層所成群組中的至少1層為佳。
本發明的發光元件之具體的層構成，可列舉例如：下述(D1)至(D19)表示之層構成。本發明的發光元件通常是具有基板，而可於基板上由陽極開始積層，也可於基板上由陰極開始積層。
(D1)陽極/第2有機層/第1有機層/陰極
(D2)陽極/第2有機層/第1有機層/電子輸送層/陰極
(D3)陽極/第2有機層/第1有機層/電子注入層/陰極
(D4)陽極/第2有機層/第1有機層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(D5)陽極/電洞注入層/第2有機層/第1有機層/陰極
(D6)陽極/電洞注入層/第2有機層/第1有機層/電子輸送層/陰極
(D7)陽極/電洞注入層/第2有機層/第1有機層/電子注入層/陰極
(D8)陽極/電洞注入層/第2有機層/第1有機層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(D9)陽極/電洞輸送層/第2有機層/第1有機層/陰極
(D10)陽極/電洞輸送層/第2有機層/第1有機層/電子輸送層/陰極
(D11)陽極/電洞輸送層/第2有機層/第1有機層/電子注入層/陰極
(D12)陽極/電洞輸送層/第2有機層/第1有機層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(D13)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/第2有機層/第1有機層/陰極
(D14)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/第2有機層/第1有機層/電子輸送層/陰極
(D15)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/第2有機層/第1有機層/電子注入層/陰極
(D16)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/第2有機層/第1有機層/電子輸送層/電子注入層/陰極
上述(D1)至(D16)中，「/」是指其前後之層為相鄰而積層。具體而言，「第2有機層/第1有機層」係指 第2有機層與第1有機層為相鄰而積層。
本發明的發光元件中，電洞注入層、電洞輸送層、電子輸送層及電子注入層，也可分別視需要而設置2層以上。
陽極、陰極、第1有機層、第2有機層、電洞注入層、電洞輸送層、電子注入層及電子輸送層的厚度，通常是1nm至1μm，並以2nm至500nm為佳，而以5nm至150nm更佳。
本發明的發光元件中，積層的層之順序、數量及厚度，只要考量發光元件的發光效率及元件壽命而調整即可。
[電洞輸送層]
電洞輸送層通常是使用電洞輸送材料而形成之層，係含有電洞輸送材料之層。電洞輸送層的形成中使用的電洞輸送材料，可列舉例如：前述的第1有機層之組成物可含有的電洞輸送材料。電洞輸送材料可單獨使用1種，也可將2種以上併用。
[電子輸送層]
電子輸送層通常是使用電子輸送材料而形成之層，係含有電子輸送材料之層。電子輸送層的形成中使用的電子輸送材料，可列舉例如：前述的第1有機層之組成物可含有的電子輸送材料、含有選自式(ET-1)表示的構成單元及 式(ET-2)表示的構成單元所成群組中之至少1種的構成單元的高分子化合物，並以含有選自式(ET-1)表示的構成單元及式(ET-2)表示的構成單元所成群組中之至少1種的構成單元的高分子化合物為佳。電子輸送材料可單獨使用1種，也可將2種以上併用。
[式中，nE1表示1以上的整數。
ArE1表示芳香族烴基或雜環基，此等基也可具有RE1以外的取代基。
RE1表示(ES-1)表示的基。存在複數個RE1時，該等可以是相同或不相同。]
-(RE3)cE1-(QE1)nE4-YE1(ME2)aE1(ZE1)bE1 (ES-1)[式中，cE1表示0或1，nE4表示0以上的整數，aE1表示1以上的整數，bE1表示0以上的整數。
RE3表示伸芳基或2價的雜環基，此等基也可具有取代基。
QE1表示伸烷基、伸芳基、氧原子或硫原子，此等基也可具有取代基。存在複數個QE1時，該等可以是相同或不 相同。
YE1表示-CO2 -、-SO3 -、-SO2 -或PO3 2-。
ME2表示金屬陽離子或銨陽離子，此銨陽離子也可具有取代基。存在複數個ME2時，該等可以是相同或不相同。
ZE1表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RE4SO3 -、RE4COO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、BF4 -或PF6 -。RE4表示烷基、環烷基或芳基，此等基也可具有取代基。存在複數個ZE1時，該等可以是相同或不相同。
aE1及bE1，係以使式(ES-1)表示的基之電荷為0之方式選擇。]
nE1，係以1至4的整數為佳，並以1或2更佳。
ArE1表示的芳香族烴基或雜環基，係以自1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、1,2-伸苯基、2,6-萘二基、1,4-萘二基、2,7-茀二基、3,6-茀二基、2,7-菲二基或2,7-咔唑二基去除nE1個直接鍵結在構成環的原子上之氫原子後留下的原子團為佳，也可具有RE1以外的取代基。
ArE1可具有的RE1以外之取代基，可舉出鹵素原子、氰基、烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基、取代胺基、烯基、環烯基、炔基、環炔基、羧基、式(ES-3)表示的基。
-O(Cn’H2n’O)nxCm’H2m’+1 (ES-3) [式中，n’、m’及nx表示1以上的整數。]
cE1以0或1為佳，nE4以0至6的整數為佳。
RE3以伸芳基為佳。
QE1以伸烷基、伸芳基或氧原子為佳。
YE1以-CO2 -或-SO3 -為佳。
ME2以Li+、Na+、K+、Cs+、N(CH3)4 +、NH(CH3)3 +、NH2(CH3)2 +或N(C2H5)4 +為佳。
ZE1以F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RE4SO3 -或RE4COO-為佳。
RE3可具有的取代基，可舉出烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基及式(ES-3)表示的基。為使本發明的發光元件之發光效率優異，RE3以具有式(ES-3)表示的基作為取代基為佳。
式(ES-1)表示的基，可列舉例如下述式表示的基。
-COO-M+ -CH2-COO-M+ -C2H4-COO-M+
-O-CH2-COO-M+ -O-C2H4COO-M+
-SO3 -M+ -CH2-SO3 -M+ -C2H4-SO3 -M+
-O-CH2-SO3 -M+ -O-C2H4．SO3 -M+
[式中，M+表示Li+、Na+、K+、Cs+、N(CH3)4 +、NH(CH3)3 +、NH2(CH3)2 +或N(C2H5)4 +。]
[式中，nE2表示2以上的整數。
ArE2表示芳香族烴基或雜環基，此等基也可具有RE2以外的取代基。
RE2表示式(ES-2)表示的基。存在複數個RE2時，該等可以是相同，也可不相同。]
-(RE6)cE2-(QE2)nE6-YE2(ME3)bE2(ZE2)aE2 (ES-2)[式中，cE2表示0或1，nE6表示0以上的整數，bE2表示1 以上的整數，aE2表示0以上的整數。
RE6表示伸芳基或2價的雜環基，此等基也可具有取代基。
QE2表示伸烷基、伸芳基、氧原子或硫原子，此等基也可具有取代基。存在複數個QE2時，該等可以是相同，也可不相同。
YE2表示碳陽離子、銨陽離子、膦陽離子或磺醯基陽離子。
ME3表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RE7SO3 -、RE7COO-、ClO-、ClO2 -、ClO3 -、ClO4 -、SCN-、CN-、NO3 -、SO4 2-、HSO4 -、PO4 3-、HPO4 2-、H2PO4 -、四苯基硼酸酯、BF4 -或PF6 -。RE7表示烷基、全氟烷基或芳基，此等基也可具有取代基。存在複數個ME3時，該等可以是相同，也可不相同。
ZE2表示金屬離子或銨離子，此銨離子也可具有取代基。存在複數個ZE2時，該等可以是相同也可不相同。
aE2及bE2係以使式(ES-2)表示的基之電荷為0之方式選擇。]
nE2係以1至4的整數為佳，並以1或2更佳。
ArE2表示的芳香族烴基或雜環基，係以自1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、1,2-伸苯基、2,6-萘二基、1,4-萘二基、2,7-茀二基、3,6-茀二基、2,7-菲二基或2,7-咔唑二基去除nE2個直接鍵結在構成環的原子上之氫原子後留下的原子團為佳，也可具有RE2以外的取代基。
ArE2可具有的RE2以外之取代基，係與ArE1可具有的RE1以外之取代基相同。
cE2以0或1為佳，nE6以0至6的整數為佳。
RE6以可具有取代基伸芳基為佳。
QE2以伸烷基、伸芳基或氧原子為佳，此等基也可具有取代基。
YE2以碳陽離子或銨陽離子為佳。
ME3以F-、Cl-、Br-、I-、四苯基硼酸酯、CF3SO3 -或CH3COO-為佳。
ZE2以Li+、Na+、K+、Cs+、N(CH3)4 +、NH(CH3)3 +、NH2(CH3)2 +或N(C2H5)4 +為佳。
RE6可具有的取代基，可舉出烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基及式(ES-3)表示的基。為使本發明的發光元件之發光效率優異，RE6是以具有式(ES-3)表示的基作為取代基為佳。
式(ES-2)表示的基，可列舉例如下述式表示的基。
-N(CH3)2H+X- -CH2-N(CH3)2H+X- -C2H4-N(CH3)2H+X-
-N(CH3)2C2H5 +X- -CH2-N(CH3)2C2H5 +X- -C2H4-N(CH3)2C2H5 +X-
-O-CH2-N(CH3)2C2H5 +X- -O-C2H4．N(CH3)2C2H5 +X-
[式中，X-表示F-、Cl-、Br-、I-、四苯基硼酸酯、CF3SO3 -或CH3COO-。]
式(ET-1)及式(ET-2)表示的結構單元，可列舉例如：下述式(ET-31)至式(ET-34)表示的結構單元。
後述的電洞注入層之形成中使用的材料、電洞輸送層的形成中使用的材料、第2有機層的形成中使用的材料、第1有機層的形成中使用的材料、電子輸送層的形成中使用的材料、後述的電子注入層之形成中使用的材料，於發光元件的作製中，溶解於各個相鄰在電洞注入層、電洞輸送層、第2有機層、第1有機層、電子輸送層 及電子注入層之層形成時所使用的溶劑中時，係以避免該材料溶解於該溶劑者為佳。避免材料溶解的方法，係以i)使用具有交聯基的材料之方法、或ii)在相鄰之層的溶解性上設計差值的方法為佳。在上述i)的方法中，使用具有交聯基的材料而形成之後，可藉由使該交聯基交聯而使該層不溶化。
在第1有機層之上，利用溶解性之差值而積層電子輸送層時，可藉由使用對於第1有機層的溶解性低之溶液而積層電子輸送層。
在第1有機層之上，利用溶解性之差值而積層電子輸送層時使用的溶劑，係以水、醇類、醚類、酯類、腈基化合物類、硝基化合物類、氟化醇、硫醇類、硫醚類、亞碸類、硫酮類、醯胺類、羧酸類等為佳。該溶劑的具體例，可舉出：甲醇、乙醇、2-丙醇、1-丁醇、第三丁基醇、乙腈、1,2-乙二醇、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、乙酸、硝基甲烷、碳酸丙烯酯、吡啶、二硫化碳及此等溶劑之混合溶劑。使用混合溶劑時，可以是選自水、醇類、醚類、酯類、腈基化合物類、硝基化合物類、氟化醇、硫醇類、硫醚類、亞碸類、硫酮類、醯胺類、羧酸類等的1種以上之溶劑，與選自氯系溶劑、芳香族烴系溶劑、脂肪族烴系及酮系中的1種以上之溶劑的混合溶劑。
[電洞注入層及電子注入層]
電洞注入層通常是使用電洞注入材料而形成的層，係 含有電洞注入材料之層。電洞注入層的形成中使用的電洞注入材料，可列舉例如前述第1有機層的組成物可含有的電洞注入材料。電洞注入材料可單獨使用1種，也可將2種以上併用。
電子注入層通常是使用電子注入材料而形成的層，係含有電子注入材料之層。電子注入層的形成中使用的電子注入材料，可列舉例如：前述第1有機層的組成物可含有的電子注入材料。電子注入材料可單獨使用1種，也可將2種以上併用。
[基板/電極]
發光元件中的基板，只要是可形成電極，且在形成有機層時無化學變化的基板即可，例如由玻璃、塑膠、矽等材料形成的基板。在使用不透明的基板時，宜使距離基板最遠的電極為透明或半透明。
陽極的材料，可列舉例如：導電性的金屬氧化物、半透明的金屬，並以氧化銦、氧化鋅、氧化錫；銦-錫-氧化物(ITO)、銦-鋅-氧化物等導電性化合物為佳；銀、鈀及銅的複合物(APC)；NESA、金、鉑、銀、銅。
陰極的材料，可列舉例如：鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鋅、銦等；此等金屬中的2種以上之合金；此等金屬中的1種以上與銀、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中的1種以上之合金；以及石墨及石墨層間化合物。合金，可列舉例如：鎂-銀合金、鎂- 銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金。
陽極及陰極，可分別為2層以上的積層結構。
本發明的發光元件中，通常陽極及陰極的至少一者是透明或半透明，而以陽極為透明或半透明為佳。
陽極及陰極的形成方法，可列舉例如：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法、電鍍法及積層法。
[發光元件的製造方法]
本發明的發光元件中，第1有機層、第2有機層、電洞輸送層、電子輸送層、電洞注入層、電子注入層等各層的形成方法，當使用低分子化合物時，可列舉例如：藉由粉末的真空蒸鍍法、由溶液或熔融狀態成膜的方法；當使用高分子化合物時，可列舉例如：由溶液或熔融狀態成膜的方法。
第1有機層可使用第1有機層的油墨，第2有機層可使用第1有機層的油墨，電洞輸送層、電子輸送層、電洞注入層及電子注入層可分別使用含有的上述電洞輸送材料、電子輸送材料、電洞注入材料及電子注入材料之油墨，藉由以旋轉塗佈法、噴墨印刷法為代表的塗佈法而形成。
[發光元件的用途]
欲使用發光元件而得面狀的發光時，只要使面狀的陽極與陰極以重疊之方式配置即可。欲得圖案狀的發光時，係有：在面狀的發光元件之表面上設置已設有圖案狀窗口的遮罩之方法，於欲作為非發光部處形成極厚之層而使成為實質上非發光的方法，將陽極或陰極、或兩電極形成圖案狀的方法。藉由使用此等方法中的任一種方法形成圖案狀，並以可獨立的開/關(ON/OFF)之方式配置數個電極，可得到可以顯示數字、文字等的段類型顯示器。欲作成點矩陣顯示器時，只要使陽極與陰極形成條紋狀並以垂直相交的方式配置即可。藉由區分塗佈複數種發光色不同的高分子化合物之方法、利用彩色濾光片或螢光轉換濾光片的方法，可成為局部彩色顯示、多色顯示。點矩陣顯示器，可被動驅動，也可與TFT等組合而主動驅動。此等顯示器，可用於電腦、電視、可攜式終端的顯示器。面狀的發光元件，可適用作為液晶顯示器的背光用面狀光源或面狀的照明用光源。若使用軟性基板，也可使用球面狀的光源及顯示器。
[實施例]
以下藉由實施例更詳細的說明本發明，但本發明並不侷限於此等實施例。
實施例中，高分子化合物換算聚苯乙烯的數平均分子量(Mn)及換算聚苯乙烯的重量平均分子量(Mw)，係藉由粒徑篩析層析法法(size exclusion chromatography,SEC)(島津製作所製，商品名：LC-10Avp)求得。又。SEC 的測定條件是如下述。
[測定條件]
使測定的高分子化合物以大約0.05重量%的濃度溶解於THF中，注入10μL至SEC中。使用THF作為SEC的流動相，以2.0mL/分鐘的流量流動。管柱係使用PLgel MIXED-B(Polymer Laboratories製)。檢測器，係使用UV-VIS檢出器(島津製作所製，商品名：SPD-10Avp)。
NMR的測定，係以下述的方法進行。
使5至10mg的測定試料溶解於大約0.5mL的氘代氯仿(CDCl3)、氘代四氫呋喃(THF-d8)或氘化二氯甲烷(CD2Cl2)中，利用NMR裝置(Agilent製，商品名：INOVA300或MERCURY 400VX)測定。
<合成例1>化合物G1的合成
化合物G1，係依照國際公開第2009/131255號中所述之方法合成。
<合成例2>化合物G2的合成
化合物G2，係依照國際公開第2008/090795號中所述之方法合成。
<合成例3>化合物G3的合成
化合物G3，係依照日本特開第2006-188673號公告中所述之方法合成。
<合成例4>高分子化合物P1的合成
(步驟1)使反應容器內成為惰性氣體環境之後，加入依照日本特開2010-189630號公報中所述之方法合成的單體CM1(0.9950g)、依照日本特開2008-106241號公報中所述之方法合成的單體CM2(0.1064g)、依照日本特開2010-215886號公報中所述之方法合成的單體CM3(0.0924g)、依照日本特表2002-539292號公報中所述之方法合成的單體CM4(0.7364g)、二氯雙[參(2-甲氧基苯基)膦]鈀(1.8mg)及甲苯(47mL)，加熱至105℃。
(步驟2)在反應液中，滴下20重量%羥化四乙基銨水溶液(6.6mL)，使其回流5.5小時。
(步驟3)然後，在其中加入苯基硼酸酯(24.4mg)、20重量%羥化四乙基銨水溶液(6.6mL)及二氯雙[參(2-甲氧基苯基)膦]鈀(1.8mg)，使其回流14小時。
(步驟4)然後，在其中加入二乙基二硫胺甲酸鈉水溶液，以80℃攪拌2小時。冷卻後，以水2次、3重量%乙酸水溶液2次、水2次清洗反應液，將所得的溶液滴入甲醇中時，產生沉澱。使沉澱物溶解於甲苯中，藉由依序通過氧化鋁管柱、矽膠管柱而精製。將所得的溶液滴入甲醇中，攪拌之後，濾取所得的沉澱物，使其乾燥，藉此得到0.91g的高分子化合物P1。高分子化合物P1的Mn是5.2× 104，Mw是2.5×105。
就由裝入原料之量求得的理論值而言，高分子化合物P1係由單體CM1衍生的構成單元、單體CM2衍生的構成單元、單體CM3衍生的構成單元單量體、單體CM4衍生的構成單元以50：5：5：40之莫耳比構成的共聚物。
<合成例5>高分子化合物P2的合成
高分子化合物P2係使用單體CM1、依照國際公開第2012/86671號中所述之方法合成的單體CM5及依照日本特開2010-189630號公報中所述之方法合成的單體CM6，依照日本特開2012-036388號公報中所述之方法合成。高分子化合物P2的Mn是9.1×104，Mw是2.3×105。
就由裝入原料之量求得的理論值而言，高分子化合物P2係由單體CM1衍生的構成單元、單體CM5衍生的構成單元、單體CM6衍生的構成單元以50：40：10之莫耳比構成的共聚物。
<合成例6>高分子化合物P3的合成
(步驟1)使反應容器內成為惰性氣體環境之後，加入依照日本特開2012-33845號公報中所述之方法合成的單體CM7(0.55g)、依照日本特開2012-33845號公報中所述之方法合成的單體CM8(0.61g)、三苯基膦鈀(0.01g)、甲基三辛基氯化銨(Aldrich製，商品名Aliquat336(註冊商標))(0.20g)及甲苯(10mL)，加熱至105℃。
(步驟2)在反應液中，滴下2M碳酸鈉水溶液(6mL)，使其回流8小時。
(步驟3)然後，在其中加入4-第三丁基苯基硼酸(0.01g)，使其回流6小時。
(步驟4)然後，在其中加入二乙基二硫胺甲酸鈉水溶液(10mL，濃度：0.05g/mL)，攪拌2小時。將所得的反應溶液滴入甲醇(300mL)中，攪拌1小時。然後，將析出的沉澱過濾，使其減壓乾燥2小時，溶解於四氫呋喃(20mL)中。將所得的溶液滴入甲醇(120mL)及3重量%乙酸水溶液(50mL)的混合溶劑中，攪拌1小時。然後，將析出的沉澱過濾，使其溶解於四氫呋喃(20mL)中。
(步驟5)將所得的溶液滴入甲醇(200mL)中，攪拌30分鐘。然後，將析出的沉澱過濾。使所得的固體溶解於四氫呋喃之後，藉由依序通過氧化鋁管柱、矽膠管柱而精製。將所得的溶液滴入甲醇中，攪拌之後，將析出的沉澱過濾。 使所得的固體乾燥，藉此得到520mg的高分子化合物P3。高分子化合物P3的Mn是5.2×104、Mw是1.5×105。
就由裝入原料之量求得的理論值而言，高分子化合物P3係由單體CM7衍生的構成單元與單體CM8衍生的構成單元以50：50之莫耳比構成的共聚物。
<合成例7>高分子化合物P4的合成
將高分子化合物P3(200mg)加入反應容器中之後，使反應容器內成為氮氣氣體環境。然後，將四氫呋喃(20mL)及乙醇(20mL)加入其中，昇溫至55℃。然後，在其中加入已在水(2mL)中溶解氫氧化銫(200mg)的氫氧化銫水溶液，以55℃攪拌6小時。將所得的反應混合物冷卻至室溫之後，將溶劑減壓餾去。用水清洗所得的固體之後，使其減壓乾燥，藉此得到高分子化合物P4(150mg)。藉由高分子化合物P4的1H-NMR解析，確認高分子化合物P4中的乙基酯部位的訊號消失、反應完畢。
就由裝入原料之量求得的理論值而言，高分子化合物P4係由下述表示旳構成單元形成之共聚物。
<實施例1>發光元件1的製作與評估 (陽極及電洞注入層的形成)
在玻璃基板上藉由濺鍍法形成45nm厚度且附ITO膜的陽極。在該陽極上，藉由旋轉塗佈法將聚噻吩/磺酸系的電洞注入劑之AQ-1200(Plextronics公司製)成膜為35nm的厚度，於大氣氣體環境下，在加熱器上以170℃加熱15分鐘而形成電洞注入層。
(電洞輸送層的形成)
在二甲苯中，使高分子化合物P1及化合物G1(高分子化合物P1/化合物G1=80重量%/20重量%)溶解為0.6重量%的濃度。使用所得的二甲苯溶液，以旋轉塗佈法在電洞注入層之上成膜為20nm的厚度，於氮氣氣體環境下，在加熱器上以180℃加熱60分鐘，形成電洞輸送層。藉由在加熱器上以180℃加熱60分鐘，使高分子化合物P1成為高分子化合物P1的交聯體。
(發光層的形成)
在二甲苯中，使高分子化合物P2及化合物G1(高分子化合物P2/化合物G1=70重量%/30重量%)溶解為2.5重量%的濃度。使用所得的二甲苯溶液，以旋轉塗佈法在電洞輸送層之上成膜為80nm的厚度，於氮氣氣體環境下，以130℃加熱10分鐘，藉此形成發光層。
(陰極的形成)
將已形成發光層的基板置於蒸鍍機內，減壓至1.0×10-4Pa以下之後，在發光層之上蒸鍍氟化鈉約4nm，接著在氟化鈉層之上蒸鍍鋁約80nm，作為陰極。蒸鍍後，藉由使用玻璃基板密封，製作成發光元件1。
(發光元件的評估)
藉由在發光元件1外加電壓，觀測EL發光。於1000cd/m2的驅動電壓是6.1[V]、發光效率是76.5[cd/A]、色度座標(x,y)是(0.30,0.64)。以使初期亮度成為28000cd/m2之方式設定電流值後，以定電流驅動，測定之亮度半衰期為7.3小時。
<實施例2>發光元件2的製作與評估
除了使用已溶解高分子化合物P1及化合物G1的二甲苯溶液(0.6重量%，高分子化合物P1/化合物G1=70重量%/30重量%)取代實施例1中之已溶解高分子化合物P1及化合物G1的二甲苯溶液(0.6重量%，高分子化合物P1/化合物G1=80重量%/20重量%)以外，進行與實施例1相同的操作，製作成發光元件2。
(發光元件的評估)
藉由在發光元件2外加電壓，觀測EL發光。於1000cd/m2的驅動電壓是5.7[V]、發光效率是74.0[cd/A]、色度座標(x,y)是(0.30,0.64)。以使初期亮度成為28000cd/m2之 方式設定電流值後，以定電流驅動，測定之亮度半衰期為8.5小時。
<實施例3>發光元件3的製作與評估
除了使用已溶解高分子化合物P1及化合物G1的二甲苯溶液(0.6重量%，高分子化合物P1/化合物G1=60重量%/40重量%)取代實施例1中已溶解高分子化合物P1及化合物G1的二甲苯溶液(0.6重量%，高分子化合物P1/化合物G1=80重量%/20重量%)以外，進行與實施例1相同的操作，製作成發光元件3。
(發光元件的評估)
藉由在發光元件3外加電壓，觀測EL發光。於1000cd/m2的驅動電壓是5.7[V]、發光效率是70.2[cd/A]、色度座標(x,y)是(0.30,0.64)。以使初期亮度成為28000cd/m2之方式設定電流值後，以定電流驅動，測定之亮度半衰期為9.6小時。
<比較例1>發光元件C1的製作與評估
除了使用僅溶解有高分子化合物P1的二甲苯溶液(0.6重量%)取代實施例1中已溶解高分子化合物P1及化合物G1的二甲苯溶液(0.6重量%，高分子化合物P1/化合物G1=80重量%/20重量%)以外，進行與實施例1相同的操作，製作成發光元件C1。
(發光元件的評估)
藉由在發光元件C1外加電壓，觀測EL發光。於1000cd/m2的驅動電壓是6.1[V]、發光效率是82.7[cd/A]、色度座標(x,y)是(0.30,0.64)。以使初期亮度成為28000cd/m2之方式設定電流值後，以定電流驅動，測定之亮度半衰期為5.2小時。
<實施例4>發光元件4的製作與評估 (陽極及電洞注入層的形成)
在玻璃基板上，藉由濺鍍法形成45nm厚度且附ITO膜的陽極。在該陽極上，藉由旋轉塗佈法將聚噻吩/磺酸系的電洞注入劑之AQ-1200(Plextronics公司製)成膜為35nm的厚度，於大氣氣體環境下，在加熱器上以170℃加熱15分鐘而形成電洞注入層。
(電洞輸送層的形成)
在氯苯中，使高分子化合物P1及化合物G2(高分子化合物P1/化合物G2=85重量%/15重量%)溶解為0.5重量%的濃度。使用所得的氯苯溶液，以旋轉塗佈法在電洞注入層之上成膜為20nm的厚度，於氮氣氣體環境下，在加熱器上以180℃加熱60分鐘，形成電洞輸送層。藉由加熱器上以180℃加熱60分鐘，高分子化合物P1可成為高分子化合物P1的交聯體。
(發光層的形成)
在氯苯中，使2,8-二(9H-咔唑-9-基)二苯并[b,d]噻吩(2,8-di(9H-carbazol-9-yl)dibenzo[b,d]thiophene)(DCzDBT)(Luminescence Technology Corp公司製)及化合物G2(DCzDBT/化合物G2=70重量%/30重量%)溶解為2.0重量%的濃度。使用所得的氯苯溶液，以旋轉塗佈法在電洞輸送層之上成 膜為60nm的厚度，於氮氣氣體環境下，以130℃加熱10分鐘，形成發光層。
(電子輸送層的形成)
在2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1-戊醇中，使高分子化合物P4溶解為0.25重量%的濃度。使用所得的2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1-戊醇溶液，藉由旋轉塗佈法在發光層之上成膜為10nm的厚度，於氮氣氣體環境下，以130℃加熱10分鐘，藉此形成電子輸送層。
(陰極的形成)
將已形成電子輸送層的基板置於蒸鍍機內，減壓至1.0×10-4Pa以下之後，在發光層之上蒸鍍氟化鈉約4nm，接著在氟化鈉層之上蒸鍍鋁約80nm，作為陰極。蒸鍍後，藉由使用玻璃基板密封，製作成發光元件4。
(發光元件的評估)
藉由在發光元件4外加電壓，觀測EL發光。於1000cd/m2的驅動電壓是6.1[V]、發光效率是3.5[cd/A]、色度座標(x,y)是(0.19,0.40)。以使初期亮度成為400cd/m2之方式 設定電流值後，以定電流驅動，測定之亮度半衰期為94.1小時。
<實施例5>發光元件5的製作與評估
除了使用已溶解高分子化合物P1及化合物G2的氯苯溶液(0.5重量%，高分子化合物P1/化合物G2=70重量%/30重量%)取代實施例4中已溶解高分子化合物P1及化合物G2的氯苯溶液(0.5重量%，高分子化合物P1/化合物G2=85重量%/15重量%)以外，進行與實施例4相同的操作，製作成發光元件5。
(發光元件的評估)
藉由在發光元件5外加電壓，觀測EL發光。於1000cd/m2的驅動電壓是5.9[V]、發光效率是3.5[cd/A]、色度座標(x,y)是(0.19,0.39)。以使初期亮度成為400cd/m2之方式設定電流值後，以定電流驅動，測定之亮度半衰期為45.4小時。
<比較例2>發光元件C2的製作與評估
除了使用僅溶解有高分子化合物P1的氯苯溶液(0.5重量%)取代實施例4中已溶解高分子化合物P1及化合物G2的氯苯溶液(0.5重量%，高分子化合物P1/化合物G2=85重量%/15重量%)以外，進行與實施例4相同的操作，製作成發光元件C2。
(發光元件的評估)
藉由在發光元件C2外加電壓，觀測EL發光。於1000cd/m2的驅動電壓是7.6[V]、發光效率是1.4[cd/A]、色度座標(x,y)是(0.19,0.40)。以使初期亮度成為400cd/m2之方式設定電流值後，以定電流驅動，測定之亮度半衰期為2.7小時。
<實施例6>發光元件6的製作與評估
除了使用已溶解高分子化合物P1及化合物G2的氯苯 溶液(0.5重量%，高分子化合物P1/化合物G2=70重量%/30重量%)取代實施例4中已溶解高分子化合物P1及化合物G2的氯苯溶液(0.5重量%，高分子化合物P1/化合物G2=85重量%/15重量%)，並且使用已溶解DCzDBT、化合物G2、化合物G1及化合物G3的氯苯溶液(2.0重量%，DCzDBT/化合物G2/化合物G1/化合物G3=69重量%/30重量%/0.6重量%/0.4重量%)取代已溶解DCzDBT及化合物G2的氯苯溶液(2.0重量%、DCzDBT/化合物G2=70重量%/30重量%)以外，進行與實施例4相同的操作，製作成發光元件6。
(發光元件的評估)
藉由在發光元件6外加電壓，觀測EL發光。於1000cd/m2的驅動電壓是8.5[V]、發光效率是4.5[cd/A]、色度座標(x,y)是(0.26,0.41)。以使初期亮度成為1000cd/m2之方式設定電流值後，以定電流驅動，測定之亮度半衰期為21.8小時。
<實施例7>發光元件7的製作與評估
除了使用已溶解高分子化合物P1、化合物G1及化合物G3的氯苯溶液(0.5重量%，高分子化合物P1/化合物G1/化合物G3=95重量%/3重量%/2重量%)，取代實施例4中已溶解高分子化合物P1及化合物G2的氯苯溶液(0.5重量%，高分子化合物P1/化合物G2=85重量%/15重量%)，並且使用已溶解DCzDBT、化合物G2、化合物G1及化合物 G3的氯苯溶液(2.0重量%，DCzDBT/化合物G2/化合物G1/化合物G3=69重量%/30重量%/0.6重量%/0.4重量%)，取代已溶解DCzDBT及化合物G2的氯苯溶液(2.0重量%，DCzDBT/化合物G2=70重量%/30重量%)以外，進行與實施例4相同的操作，製作成發光元件7。
(發光元件的評估)
藉由在發光元件7外加電壓，觀測EL發光。於1000cd/m2的驅動電壓是9.3[V]、發光效率是6.2[cd/A]、色度座標(x,y)是(0.23,0.40)。以使初期亮度成為1000cd/m2之方式設定電流值後，以定電流驅動，測定之亮度半衰期為11.2小時。
<實施例8>發光元件8的製作與評估
除了使用已溶解高分子化合物P1、化合物G1及化合物G3的氯苯溶液(0.5重量%，高分子化合物P1/化合物G1/化合物G3=90重量%/6重量%/4重量%)，取代實施例4中已溶解高分子化合物P1及化合物G2的氯苯溶液(0.5重量%，高分子化合物P1/化合物G2=85重量%/15重量%)，並且使用已溶解DCzDBT、化合物G2、化合物G1及化合物G3的氯苯溶液(2.0重量%，DCzDBT/化合物G2/化合物G1/化合物G3=69重量%/30重量%/0.6重量%/0.4重量%)，取代已溶解DCzDBT及化合物G2的氯苯溶液(2.0重量%，DCzDBT/化合物G2=70重量%/30重量%)以外，進行與實施例4相同的操作，製作成發光元件8。
(發光元件的評價)
藉由在發光元件8外加電壓，觀測EL發光。於1000cd/m2的驅動電壓是8.7[V]、發光效率是7.1[cd/A]、色度座標(x,y)是(0.24,0.40)。以使初期亮度成為1000CD/M2之方式設定電流值後，以定電流驅動，測定之亮度半衰期為14.0小時。
<比較例3>發光元件C3的製作與評估
除了使用僅溶解有高分子化合物P1的氯苯溶液(0.5重量%)取代實施例4中已溶解高分子化合物P1及化合物G2的氯苯溶液(0.5重量%，高分子化合物P1/化合物G2=85重量%/15重量%)，並且使用已溶解DCzDBT及化合物G2、化合物G1及化合物G3的氯苯溶液(2.0重量%，DCzDBT/化合物G2/化合物G1/化合物G3=69重量%/30重量%/0.6重量%/0.4重量%)，取代已溶解DCzDBT及化合物G2的氯苯溶液(2.0重量%，DCzDBT/化合物G2=70重量%/30重量%)以外，進行與實施例4相同的操作，製作成發光元件C3。
(發光元件的評估)
藉由在發光元件C3外加電壓，觀測EL發光。於1000cd/m2的驅動電壓是10.4[V]、發光效率是3.8[cd/A]、色度座標(x,y)是(0.23,0.40)。以使初期亮度成為1000cd/m2之方式設定電流值後，以定電流驅動，測定之亮度半衰期為2.6小時。
[產業上應用的可能性]
藉由本發明，可提供亮度壽命優異的發光元件。

Claims (10)

  1. 一種發光元件，其係具有陽極，陰極，設在陽極及陰極之間的第1有機層，與設在陽極及第1有機層之間的第2有機層；其中，第1有機層係含有1種以上的磷光發光性化合物之層，第2有機層係含有1種以上的磷光發光性化合物與交聯材料的交聯體之層，第1有機層中含有的至少1種磷光發光性化合物與第2有機層中含有的至少1種磷光發光性化合物，係式(1)表示的相同之磷光發光性化合物；[式中，M表示銥原子；n1表示1以上的整數，n2表示0以上的整數，n1+n2是3；E1及E2分別獨立地表示碳原子或氮原子；惟，E1及E2的至少一者是碳原子；環L1表示5員環或6員環的芳香族雜環，此等環也可具有氰基、烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基或取代胺基作為取代基；存在複數個該取代基時，該等基可以是相同也可不相同，也可彼此鍵結而分別與所鍵結的原子一同形成環；存在複數個環L1時，該等環可以是相同也可不相同；惟，環L1為6員環的芳香族雜環時，E1是碳原子；環L2表示5員環或6員環的芳香族烴環，或表示5員環或6員環的芳香族雜環，此等環也可具有氰基、烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基或取代胺基作為取代基；存在複數個該取代基時，該等基可以是相同也可不相同，也可彼此鍵結而分別與所鍵結的原子一同形成環；存在複數個環L2時，該等環可以是相同也可不相同；惟，環L2為6員環的芳香族雜環時，E2是碳原子；而且，選自環L1及環L2所成群組中的至少1個環係具有式(2)表示的基；A1-G1-A2表示陰離子性的雙牙配位子；A1及A2分別獨立地表示碳原子、氧原子或氮原子，此等原子也可以是構成環的原子；G1表示單鍵，或與A1及A2一起構成雙牙配位子的原子團；存在複數個A1-G1-A2時，該等可以是相同也可不相同]-R2 (2)[式中，R2表示芳基、1價的雜環基或取代胺基，此等基也可具有氰基、烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基或取代胺基作為取代基]。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中，前述式(2)表示的基，係式(D-A)表示的基或式(D-B)表示的基；[式中，mDA1、mDA2及mDA3分別獨立地表示0以上的整數；GDA表示氮原子、芳香族烴基或雜環基，此等基也可具有氰基、烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基或取代胺基作為取代基；ArDA1、ArDA2及ArDA3分別獨立地表示伸芳基或2價的雜環基，此等基也可具有氰基、烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基或取代胺基作為取代基；ArDA1、ArDA2及ArDA3為複數個時，該等可分別是相同或不相同；TDA表示芳基或1價的雜環基，此等基也可具有氰基、烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基或取代胺基作為取代基；複數個TDA可以是相同，也可不同]；[式中，mDA1、mDA2、mDA3、mDA4、mDA5、mDA6及mDA7分別獨立地表示0以上的整數；GDA表示氮原子、芳香族烴基或雜環基，此等基也可具有氰基、烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基或取代胺基作為取代基；複數個GDA可以是相同，也可不相同；ArDA1、ArDA2、ArDA3、ArDA4、ArDA5、ArDA6及ArDA7分別獨立地表示伸芳基或2價的雜環基，此等基也可具有氰基、烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基或取代胺基作為取代基；ArDA1、ArDA2、ArDA3、ArDA4、ArDA5、ArDA6及ArDA7為複數個時，該等可分別是相同，或不相同；TDA表示芳基或1價的雜環基，此等基也可具有氰基、烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基或取代胺基作為取代基；複數個TDA可以是相同，也可不相同]。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之發光元件，其中，前述交聯材料為一種含有交聯構成單元之高分子化合物，該交聯構成單元具有選自交聯基A群的至少1種的交聯基；交聯基A群：[式中，RXL表示亞甲基、氧原子或硫原子，nXL表示0至5的整數；存在複數個RXL時，該等可以是相同也可不相同；存在複數個nXL時，該等可以是相同也可不同；*1表示鍵結位置；此等交聯性基也可具有取代基]。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光元件，其中，前述交聯構成單元係式(3)表示的構成單元或式(4)表示的構成單元；[式中，nA表示0至5的整數，n表示1或2；Ar1表示芳香族烴基或雜環基，此等基也可具有取代基；LA表示伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基、-NR’-表示的基、氧原子或硫原子，此等基也可具有取代基；R’表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基；存在複數個LA時，該等可以是相同，也可不相同；X表示選自交聯基A群的交聯基；存在複數個X時，該等可以是相同，也可不相同]；[式中，mA表示0至5的整數，m表示1至4的整數，c表示0或1；存在複數個mA時，該等可以是相同，也可不相同；Ar3表示芳香族烴基、雜環基、或至少1種的芳香烴環與至少1種的雜環直接鍵結而成之基，此等基也可具有取代基；Ar2及Ar4分別獨立地表示伸芳基或2價的雜環基，此等基也可具有取代基；Ar2、Ar3及Ar4也可分別與鍵結在該基所鍵結的氮原子上之該基以外之基直接鍵結、或經由氧原子或硫原子鍵結而形成環；KA表示伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價的雜環基、-NR”-表示的基、氧原子或硫原子，此等基也可具有取代基；R”表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基；存在複數個KA時，該等可以是相同，也可不相同；X’表示選自交聯基A群的交聯基、氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基；惟，至少1個X’是選自交聯基A群的交聯基]。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之發光元件，其中，前述式(1)表示的磷光發光性化合物係式(1-A)表示的磷光發光性化合物；[式中，M、n1、n2、E1及A1-G1-A2表示與前述者同義；E11A、E12A、E13A、E21A、E22A、E23A及E24A分別獨立地表示氮原子或碳原子；存在複數個E11A、E12A、E13A、E21A、E22A、E23A及E24A時，該等可以分別是相同也可不同；E11A、E12A及E13A為氮原子時，R11A、R12A及R13A可以存在也可不存在；E21A、E22A、E23A及E24A為氮原子時，R21A、R22A、R23A及R24A是不存在；R11A、R12A、R13A、R21A、R22A、R23A及R24A分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價的雜環基或取代胺基，此等基也可具有氰基、烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基或取代胺基作為取代基；存在複數個R11A、R12A、R13A、R21A、R22A、R23A及R24A時，該等可以分別是相同，也可不相同；R11A與R12A、R12A與R13A、R11A與R21A、R21A與R22A、R22A與R23A及R23A與R24A也可分別鍵結而分別與所鍵結的原子一同形成環；惟，選自R11A、R12A、R13A、R21A、R22A、R23A及R24A所成群組中的至少1個係式(2)表示的基；環L1A表示可用氮原子、E1、E11A、E12A及E13A構成之三唑環或咪唑環；環L2A表示可用2個碳原子、E21A、E22A、E23A及E24A構成之苯環、吡啶環或嘧啶環]。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件，其中，前述式(1-A)表示的磷光發光性化合物係式(1-A1)、(1-A2)、(1-A3)或(1-A4)表示的磷光發光性化合物；[式中，M、n1、n2、R11A、R12A、R13A、R21A、R22A、R23A、R24A及A1-G1-A2表示與前述者同義]。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之發光元件，其中，前述式(1)表示的磷光發光性化合物係式(1-B)表示的磷光發光性化合物；[式中，M、n1、n2及A1-G1-A2表示與前述者同義；E11B、E12B、E13B、E14B、E21B、E22B、E23B及E24B分別獨立地表示氮原子或碳原子；存在複數個E11B、E12B、E13B、E14B、E21B、E22B、E23B及E24B時，該等可分別是相同或不相同；E11B、E12B、E13B、E14B、E21B、E22B、E23B及E24B為氮原子時，R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B是不存在；R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基或1價的雜環基，此等基也可具有氰基、烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基或取代胺基作為取代基；存在複數個R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B時，該等可分別是相同或不相同；R11B與R12B、R12B與R13B、R13B與R14B、R11B與R21B、R21B與R22B、R22B與R23B及R23B與R24B也可分別鍵結而分別與所鍵結的原子一同形成環；惟，選自R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B所成群組中的至少1個係式(2)表示的基；環L1B表示可用氮原子、碳原子、E11B、E12B、E13B及E14B構成的吡啶環或嘧啶環；環L2B表示可用2個碳原子、E21B、E22B、E23B及E24B構成的苯環、吡啶環或嘧啶環]。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之發光元件，其中，前述式(1-B)表示的磷光發光性化合物，係式(1-B1)、(1-B2)或(1-B3)表示的磷光發光性化合物；[式中，M、n1、n2、A1-G1-A2、R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B表示與前述者同義；n11及n12分別獨立地表示1以上的整數，n11+n12是3；R15B、R16B、R17B及R18B分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價的雜環基或取代胺基，此等基也可具有氰基、烷基、環烷基、芳基、1價的雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基或取代胺基作為取代基；存在複數個R15B、R16B、R17B及R18B時，該等可分別是相同或不相同；R13B與R15B、R15B與R16B、R16B與R17B、R17B與R18B及R18B與R21B也可分別鍵結而分別與所鍵結的原子一同形成環；惟，選自R11B、R12B、R13B、R14B、R21B、R22B、R23B及R24B所成群組中的至少1個係式(2)表示的基]。
  9. 如申請專利範圍第1或2項所述之發光元件，其中，前述第1有機層係含有1種以上的磷光發光性化合物與包含式(Y)表示的構成單元之高分子化合物之層；[式中，ArY1表示伸芳基、2價的雜環基、或至少1種的伸芳基與至少1種的2價雜環基直接鍵結而成的2價基，此等基也可具有取代基]。
  10. 如申請專利範圍第1或2項所述之發光元件，其中，前述第1有機層係含有1種以上的磷光發光性化合物與式(H-1)表示的化合物之層；[式中，ArH1及ArH2分別獨立地表示芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基；nH1及nH2分別獨立地表示0或1；存在複數個nH1時，該等可以是相同或不相同；存在複數個nH2時，可以是相同或不相同；nH3表示0以上的整數；LH1表示伸芳基、2價的雜環基或-[C(RH11)2]nH11-表示的基，此等基也可具有取代基；存在複數個LH1時，該等可以是相同，也可不相同；nH11表示1以上10以下的整數；RH11表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基；存在複數個RH11時，該等可以是相同或不相同；複數個存在的RH11，可以是相同，也可不相同，也可彼此鍵結而分別與所鍵結的碳原子一同形成環；LH2表示-N(-LH21-RH21)-表示的基；存在複數個LH2時，該等可以是相同，也可不相同；LH21表示單鍵、伸芳基或2價的雜環基，此等基也可具有取代基；RH21表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價的雜環基，此等基也可具有取代基]。
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