WO2023204174A1

WO2023204174A1 - 組成物及びそれを用いた発光素子

Info

Publication number: WO2023204174A1
Application number: PCT/JP2023/015305
Authority: WO
Inventors: 元章臼井; 智志和田
Original assignee: 住友化学株式会社
Priority date: 2022-04-18
Filing date: 2023-04-17
Publication date: 2023-10-26
Also published as: JP2023158646A

Abstract

式（ＦＨ）で表される化合物と、ホウ素原子及び二重結合を形成していない窒素原子から選ばれる１種の原子を環内に含む縮合複素環骨格（ｂ）を有する構成単位を含む高分子化合物（Ｂ）と、を含む組成物。［式中、ｎ^１Ｈは、０以上の整数を表す。Ａｒ^１Ｈは、多環式の芳香族炭化水素から、環を構成する原子に直接結合する水素原子ｎ^１Ｈ個を除いた基を表し、この基はアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基以外の置換基を有していてもよい。Ｒ^１Ｈは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、前記１価の複素環基は、前記縮合複素環骨格（ｂ）とは異なる環骨格を有する。］

Description

組成物及びそれを用いた発光素子

　本発明は、組成物及びそれを用いた発光素子に関する。

　有機発光現象とは、有機物質に電気エネルギーを加えた場合に、光エネルギーに変換される現象をいう。有機発光現象を利用する発光素子は、陽極と陰極とを備え、これらの間に、発光機能を奏する有機物層を備える構造を有する。

　発光材料の中でも、高分子発光材料は、インクジェット法及びスピンコート法等の塗布法を使用して、均一な発光層を容易に形成することができる。そのため、高分子発光材料は、発光素子を製造する際に真空プロセスが要らず、発光素子の大面積化が容易である。更に、高分子発光材料は、様々な機能を１つの材料に導入することが容易である等の利点を提供することができる。

　高分子発光材料として、例えば、下記式で表される構成単位を含む高分子化合物と、アントラセン環又はピレン環の連鎖を含む構成単位を含む高分子化合物とを含有する組成物が知られている（特許文献１）。

特開２０１２－１４４７２２号公報

　しかし、この組成物を用いて製造される発光素子は、発光素子の駆動電圧が高いという課題があった。
　そこで、本発明は、発光素子の駆動電圧を下げることができる組成物、及びこれを用いた発光素子を提供することを目的とする。

　本発明は、以下の［１］～［１３］の態様を提供する。

［１］
　式（ＦＨ）で表される化合物（Ａ）と、ホウ素原子及び二重結合を形成していない窒素原子から選ばれる１種の原子を環内に含む縮合複素環骨格（ｂ）を有する構成単位を含む高分子化合物（Ｂ）と、を含む組成物。

［式中、
　ｎ^１Ｈは、０以上の整数を表す。
　Ａｒ^１Ｈは、多環式の芳香族炭化水素から、環を構成する原子に直接結合する水素原子ｎ^１Ｈ個を除いた基を表し、この基はアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基以外の置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
　Ｒ^１Ｈは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^１Ｈが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、前記１価の複素環基は、前記縮合複素環骨格（ｂ）とは異なる環骨格を有する。］

［２］
　式（Ｃ）で表される化合物と、ホウ素原子及び二重結合を形成していない窒素原子から選ばれる１種の原子を環内に含む縮合複素環骨格（ｂ）を有する構成単位を含む高分子化合物（Ｂ）と、を含む組成物。

［式中、
　環Ｒ^1C及び環Ｒ^2Cは、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
　Ｙ^aは、－Ｃ（Ｒ^Xa）₂－で表される基、－Ｃ（Ｒ^Xa）₂－Ｃ（Ｒ^Xa）₂－で表される基、－Ｃ（Ｒ^Xa）＝Ｃ（Ｒ^Xa）－又は式（Ｃ’）で表される基を表す。Ｒ^Xaは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。複数存在するＲ^Xaは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］

［式中、
　環Ｒ^3C及び環Ｒ^4Cは、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］

［３］
　前記高分子化合物（Ｂ）が、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物である、［１］又は［２］に記載の組成物。

[式中、
　Ａ環、Ｂ環及びＣ環は、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
　Ｘは、ホウ素原子又は窒素原子を表す。
　Ｙ¹、Ｙ²及びＹ³は、それぞれ独立に、単結合、酸素原子、－Ｎ（Ｒｙ）－で表される基、－B（Ｒｙ）－で表される基、硫黄原子、セレン原子、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。Ｒｙは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。Ｒｙが複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。Ｒｙは、直接又は連結基を介して、前記Ａ環、前記Ｂ環又は前記Ｃ環と結合していてもよい。
　ｎ２は、０又は１である。ｎ２が０である場合、－Ｙ²－は存在しない。
　ｎ３は、０又は１である。ｎ３が０である場合、－Ｙ³－は存在しない。]

［４］
　前記Ｙ^aが、－Ｃ（Ｒ^Xa）₂－で表される基又は式（Ｃ’）で表される基である、［１］～［３］のいずれかに記載の組成物。

［５］
　前記Ｒ^Xaが、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、これらの基は置換基を有していてもよい、［１］～［４］のいずれかに記載の組成物。

［６］
　前記Ｙ¹、前記Ｙ²及び前記Ｙ³が、酸素原子又は－Ｎ（Ｒｙ）－で表される基である、［３］～［５］のいずれかに記載の組成物。

［７］
　前記式（Ｃ）で表される化合物が、式（Ｃ－２）で表される化合物又は式（Ｃ’－２）で表される化合物である、［２］～［６］のいずれかに記載の組成物。

［式中、Ｒ^Xaは、前記と同じ意味を表す。
　Ｅ^11C、Ｅ^12C、Ｅ^13C、Ｅ^14C、Ｅ^21C、Ｅ^22C、Ｅ^23C、Ｅ^24Cは、炭素原子を表し、Ｅ^31C、Ｅ^32C、Ｅ^33C、Ｅ^34C、Ｅ^41C、Ｅ^42C、Ｅ^43C及びＥ^44Cは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。
　Ｒ^11C、Ｒ^12C、Ｒ^13C、Ｒ^14C、Ｒ^21C、Ｒ^22C、Ｒ^23C、Ｒ^24C、Ｒ^31C、Ｒ^32C、Ｒ^33C、Ｒ^34C、Ｒ^41C、Ｒ^42C、Ｒ^43C及びＲ^44Cは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ｅ^31Cが窒素原子の場合、Ｒ^31Cは存在しない。Ｅ^32Cが窒素原子の場合、Ｒ^32Cは存在しない。Ｅ^33Cが窒素原子の場合、Ｒ^33Cは存在しない。Ｅ^34Cが窒素原子の場合、Ｒ^34Cは存在しない。Ｅ^41Cが窒素原子の場合、Ｒ^41Cは存在しない。Ｅ^42Cが窒素原子の場合、Ｒ^42Cは存在しない。Ｅ^43Cが窒素原子の場合、Ｒ^43Cは存在しない。Ｅ^44Cが窒素原子の場合、Ｒ^44Cは存在しない。
　Ｒ^11CとＲ^12C、Ｒ^12CとＲ^13C、Ｒ^13CとＲ^14C、Ｒ^14CとＲ^34C、Ｒ^34CとＲ^33C、Ｒ^33CとＲ^32C、Ｒ^32CとＲ^31C、Ｒ^31CとＲ^41C、Ｒ^41CとＲ^42C、Ｒ^42CとＲ^43C、Ｒ^43CとＲ^44C、Ｒ^44CとＲ^24C、Ｒ^24CとＲ^23C、Ｒ^23CとＲ^22C、Ｒ^22CとＲ^21C、及び、Ｒ^21CとＲ^11Cは、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］

［８］
　前記Ｅ^31C、前記Ｅ^32C、前記Ｅ^33C、前記Ｅ^34C、前記Ｅ^41C、前記Ｅ^42C、前記Ｅ^43C及び前記Ｅ^44Cが、炭素原子である、［７］に記載の組成物。

［９］
　前記式（Ｃ）で表される化合物が、前記式（Ｃ－２）で表される化合物である、［２］～［７］のいずれかに記載の組成物。

［１０］
　前記高分子化合物（B）が、式（Ｙ）で表される構成単位を更に含む、［１］～［９］のいずれかに記載の組成物。

［式中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、式（Ｙ）で表される構成単位は、前記ホウ素原子及び二重結合を形成していない窒素原子から選ばれる１種の原子を環内に含む縮合複素環骨格（ｂ）を有する構成単位とは異なる。］

［１１］
　前記高分子化合物（B）が、式（Ｘ）で表される構成単位を更に含む、［１］～［１０］のいずれかに記載の組成物。

［式中、
　ａ^１及びａ^２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
　Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
　Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［１２］
　正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種を更に含有する、［１］～［１１］のいずれかに記載の組成物。

［１３］
　［１］～［１２］のいずれかに記載の組成物を含有する発光素子。

　本発明によれば、駆動電圧が低い発光素子の製造に有用な組成物を提供することができる。また、本発明によれば、この組成物を含有する発光素子を提供することができる。

　以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

　＜共通する用語の説明＞
　本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。

　「室温」とは、２５℃を意味する。
　Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｂｕはブチル基、ｉ－Ｐｒはイソプロピル基、ｔ－Ｂｕはｔｅｒｔ－ブチル基を表す。
　水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
　金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合又は配位結合を意味する。

　「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０^４以下の化合物を意味する。

　「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０^３以上（例えば、１×１０^３～１×１０^８）である重合体を意味する。
　「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。高分子化合物中に２個以上含まれる構成単位は、一般に、「繰り返し単位」とも呼ばれる。
　高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。
　高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合、発光特性が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。高分子化合物の末端基としては、好ましくは主鎖と共役結合している基であり、例えば、炭素－炭素結合を介して高分子化合物の主鎖と結合するアリール基又は１価の複素環基が挙げられる。

　「アルキル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～２０である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～５０であり、好ましくは３～３０であり、より好ましくは４～２０である。

　アルキル基は、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、２－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、２－エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－プロピルヘプチル基、デシル基、３，７－ジメチルオクチル基、２－エチルオクチル基、２－ヘキシルデシル基及びドデシル基が挙げられる。また、アルキル基は、これらの基における水素原子の一部又は全部が、置換基（例えば、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等）で置換された基（例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３－フェニルプロピル基、３－（４－メチルフェニル）プロピル基、３－（３，５－ジ－ヘキシルフェニル）プロピル基、６－エチルオキシヘキシル基）であってもよい。

　「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～５０であり、好ましくは３～３０であり、より好ましくは４～２０である。
　シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、例えば、シクロヘキシル基、及び、該基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。

　「アルケニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～３０であり、好ましくは３～２０である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～３０であり、好ましくは４～２０である。
　アルケニル基は、置換基を有していてもよい。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、３－ペンテニル基、４－ペンテニル基、１－ヘキセニル基、５－ヘキセニル基、７－オクテニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。

　「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～３０であり、好ましくは４～２０である。
　シクロアルケニル基は、置換基を有していてもよい。シクロアルケニル基としては、例えば、５－シクロヘキセニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。

　「アルキニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２～２０であり、好ましくは３～２０である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４～３０であり、好ましくは４～２０である。
　アルキニル基は、置換基を有していてもよい。アルキニル基としては、例えば、エチニル基、１－プロピニル基、２－プロピニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、３－ペンチニル基、４－ペンチニル基、１－ヘキシニル基、５－ヘキシニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。

　「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４～３０であり、好ましくは４～２０である。
　シクロアルキニル基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキニル基としては、例えば、５－シクロヘキシニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。

　「アルコキシ基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～４０であり、好ましくは４～１０である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～４０であり、好ましくは４～１０である。
　アルコキシ基は、置換基を有していてもよい。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７－ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基（例えば、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等）で置換された基が挙げられる。

　「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～４０であり、好ましくは４～１０である。
　シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよい。シクロアルコキシ基としては、例えば、シクロヘキシルオキシ基、及び、該基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。

　「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６～６０であり、好ましくは６～４８である。
　アリールオキシ基は、置換基を有していてもよい。アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、１－ナフチルオキシ基、２－ナフチルオキシ基、１－アントラセニルオキシ基、９－アントラセニルオキシ基、１－ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基（例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等）で置換された基が挙げられる。

　「芳香族炭化水素基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個以上を除いた基を意味する。芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基を「アリール基」ともいう。芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた基を「アリーレン基」ともいう。
　芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６～６０であり、好ましくは６～４０であり、より好ましくは６～２０である。

　「芳香族炭化水素基」としては、例えば、単環式の芳香族炭化水素（例えば、ベンゼンが挙げられる。）、又は、多環式の芳香族炭化水素（例えば、ナフタレン、インデン、ナフトキノン、インデノン及びテトラロン等の２環式の芳香族炭化水素；アントラセン、フェナントレン、ジヒドロフェナントレン、フルオレン、アントラキノン、フェナントキノン及びフルオレノン等の３環式の芳香族炭化水素；ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレン、ベンゾフルオレン、ピレン及びフルオランテン等の４環式の芳香族炭化水素；ジベンゾアントラセン、ジベンゾフェナントレン、ジベンゾフルオレン、インデノフルオレン、ペリレン及びベンゾフルオランテン等の５環式の芳香族炭化水素；スピロビフルオレン等の６環式の芳香族炭化水素；並びに、ベンゾスピロビフルオレン及びアセナフトフルオランテン等の７環式の芳香族炭化水素が挙げられる。）から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個以上を除いた基が挙げられる。芳香族炭化水素基は、これらの基が複数結合した基を含む。芳香族炭化水素基は置換基を有していてもよい。

　アリール基としては、例えば、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、１－アントラセニル基、２－アントラセニル基、９－アントラセニル基、１－ピレニル基、２－ピレニル基、４－ピレニル基、２－フルオレニル基、３－フルオレニル基、４－フルオレニル基、２－フェニルフェニル基、３－フェニルフェニル基、４－フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基（例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等）で置換された基が挙げられる。

　アリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基が挙げられる。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。アリーレン基は、好ましくは、式（Ａ－１）～式（Ａ－２０）で表される基である。

［式中、Ｒ及びＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ及びＲ^aは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^a同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

　「複素環基」とは、複素環式化合物から環を構成する原子（炭素原子又はヘテロ原子）に直接結合する水素原子１個以上を除いた基を意味する。複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から環を構成する原子に直接結合する水素原子１個以上を除いた基である「芳香族複素環基」が好ましい。複素環式化合物から環を構成する原子に直接結合する水素原子ｐ個（ｐは、１以上の整数を表す。）を除いた基を「ｐ価の複素環基」ともいう。芳香族複素環式化合物から環を構成する原子に直接結合する水素原子ｐ個を除いた基を「ｐ価の芳香族複素環基」ともいう。

　「芳香族複素環式化合物」としては、例えば、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮合されている化合物が挙げられる。

　複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～６０であり、好ましくは２～４０であり、より好ましくは３～２０である。複素環基のヘテロ原子数は、置換基のヘテロ原子数を含めないで、通常１～３０であり、好ましくは、１～１０であり、より好ましくは、１～５であり、更に好ましくは１～３である。

　複素環基としては、例えば、単環式の複素環式化合物（例えば、フラン、チオフェン、オキサジアゾール、チアジアゾール、ピロール、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾール、ピリジン、ジアザベンゼン及びトリアジンが挙げられる。）、又は、多環式の複素環式化合物（例えば、アザナフタレン、ジアザナフタレン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、アザインドール、ジアザインドール、ベンゾジアゾール、ベンゾチアジアゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチオフェンジオキシド、ベンゾチオフェンオキシド及びベンゾピラノン等の２環式の複素環式化合物；ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェンジオキシド、ジベンゾチオフェンオキシド、ジベンゾピラノン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ジベンゾホスホール、ジベンゾセレノフェン、カルバゾール、アザカルバゾール、ジアザカルバゾール、フェノキサジン、フェノチアジン、９，１０－ジヒドロアクリジン、５，１０－ジヒドロフェナジン、アクリドン、フェナザボリン、フェノホスファジン、フェノセレナジン、フェナザシリン、アザアントラセン、ジアザアントラセン、アザフェナントレン及びジアザフェナントレン等の３環式の複素環式化合物；ヘキサアザトリフェニレン、ベンゾカルバゾール、アザベンゾカルバゾール、ジアザベンゾカルバゾール、ベンゾナフトフラン及びベンゾナフトチオフェン等の４環式の複素環式化合物；ジベンゾカルバゾール、インドロカルバゾール、インデノカルバゾール、アザインドロカルバゾール、ジアザインドロカルバゾール、アザインデノカルバゾール及びジアザインデノカルバゾール等の５環式の複素環式化合物；カルバゾロカルバゾール、ベンゾインドロカルバゾール及びベンゾインデノカルバゾール等の６環式の複素環式化合物；並びに、ジベンゾインドロカルバゾール及びジベンゾインデノカルバゾール等の７環式の複素環式化合物が挙げられる。）から、環を構成する原子に直接結合する水素原子１個以上を除いた基が挙げられる。複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。複素環基は置換基（例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等）を有していてもよい。

　１価の複素環基としては、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基（例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子）等で置換された基が挙げられる。

　２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２～６０であり、好ましくは、３～２０であり、より好ましくは、４～１５である。
　２価の複素環基としては、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール又はトリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられる。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。２価の複素環基は、好ましくは、式（ＡＡ－１）～式（ＡＡ－３４）で表される基である。

［式中、Ｒ及びＲ^aは、前記と同じ意味を表す。］

　「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。

　「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基（すなわち、第２級アミノ基又は第３級アミノ基、好ましくは第３級アミノ基）が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。アミノ基が有する置換基が複数存在する場合、それらは同一で異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する窒素原子とともに環を形成していてもよい。

　置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基（例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等）で置換された基が挙げられる。

　置換アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（メチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アミノ基、及び、これらの基における水素原子の一部又は全部が置換基（例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等）で置換された基が挙げられる。

　「架橋基」とは、加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可視光照射、赤外線照射、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、式（Ｂ－１）～式（Ｂ－１７）のいずれかで表される基である。これらの基は、置換基を有していてもよい。

　「置換基」としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基が挙げられる。置換基は架橋基であってもよい。なお、置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。また、置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよいが、環を形成しないことが好ましい。

　＜化合物（Ａ）＞
　化合物（Ａ）は、式（ＦＨ）で表される化合物又は式（Ｃ）で表される化合物である。本実施形態の組成物において、化合物（Ａ）としては、有機発光現象を示さない化合物を使用することが好ましい。化合物（Ａ）は、好ましくは、低分子化合物である。化合物（Ａ）には、本実施形態の組成物の有機発光現象に悪影響を及ぼさない特性が要求され、かかる観点から、好ましい一形態は、縮合複素環骨格（ｂ）を有しない化合物である。より好ましい一形態は、化合物（Ａ）は、炭素原子及び水素原子のみから構成される化合物である。化合物（Ａ）は、単一種類の化合物であってよく、複数種類の化合物を組み合わせて使用するものであってもよい。

　化合物（Ａ）の分子量は、通常、１×１０^２～１×１０^４であり、好ましくは２×１０^２～５×１０^３であり、より好ましくは３×１０^２～２×１０^３であり、更に好ましくは４×１０^２～１×１０^３である。

　ｎ^１Ｈは、通常、１０以下の整数であり、式（ＦＨ）で表される化合物の合成が容易であるので、好ましくは７以下の整数であり、より好ましくは５以下の整数であり、更に好ましくは３以下の整数であり、特に好ましくは２以下の整数である。

　Ａｒ^１Ｈは、多環式の芳香族炭化水素から、環を構成する原子に直接結合する水素原子ｎ^１Ｈ個を除いた基（以下、「多環式の芳香族炭化水素基」ともいう。）であり、この多環式の芳香族炭化水素基はアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基以外の置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^１Ｈにおける多環式の芳香族炭化水素としては、例えば、前述の芳香族炭化水素基の項で説明した芳香族炭化水素における多環式の芳香族炭化水素が挙げられる。

　Ａｒ^１Ｈにおける、多環式の芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、７～６０であり、好ましくは８～４０であり、より好ましくは１０～３０であり、１２～２５であってもよい。Ａｒ^１Ｈにおいて、多環式の芳香族炭化水素基における多環式の芳香族炭化水素は、本実施形態の発光素子の駆動電圧が低下するので、好ましくは２環式～７環式の芳香族炭化水素であり、より好ましくは２環式～６環式の芳香族炭化水素であり、３～５環式の芳香族炭化水素であってもよい。Ａｒ^１Ｈにおいて、多環式の芳香族炭化水素基における多環式の芳香族炭化水素は、本実施形態の発光素子の駆動電圧が更に低下するので、好ましくは、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ジヒドロフェナントレン、フルオレン、ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレン、ベンゾフルオレン、ピレン、フルオランテン、ジベンゾアントラセン、ジベンゾフェナントレン、ジベンゾフルオレン、ペリレン、ベンゾフルオランテン、スピロビフルオレン、ベンゾスピロビフルオレン又はアセナフトフルオランテンであり、より好ましくは、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ジヒドロフェナントレン、フルオレン、ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレン、ベンゾフルオレン、ピレン、フルオランテン、ジベンゾアントラセン、ジベンゾフェナントレン、ジベンゾフルオレン、ベンゾフルオランテン又はスピロビフルオレンであり、更に好ましくは、ナフタレン、フェナントレン、ジベンゾフェナントレン、フルオレン、ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレン、ベンゾフルオレン、ベンゾフルオランテン又はスピロビフルオレンであり、特に好ましくは、フェナントレン、ジベンゾフェナントレン、フルオレン又はスピロビフルオレンであり、とりわけ好ましくは、フルオレン又はスピロビフルオレンである。

　Ａｒ^１Ｈが有していてもよい置換基としては、アリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基以外の置換基であり、好ましくは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アルケニル基又はシクロアルケニル基であり、より好ましくは、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、更に好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、特に好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

　Ａｒ^１Ｈが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、後述のＲ^１Ｈが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

　Ｒ^１Ｈは、アリール基又は１価の複素環基であり、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　Ｒ^１Ｈにおけるアリール基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、インデン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、又は、これらの環が縮合した環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基が挙げられ、好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環又はトリフェニレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、より好ましくは、ベンゼン環、フルオレン環又はスピロビフルオレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、更に好ましくは、フェニル基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

　Ｒ^１Ｈにおける１価の複素環基としては、例えば、ピロール環、ジアゾール環、トリアゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、トリアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザアントラセン環、トリアザアントラセン環、アザフェナントレン環、ジアザフェナントレン環、トリアザフェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾシロール環、ジベンゾホスホール環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環、ジヒドロフェナジン環、又は、これらの環に芳香環が縮合した環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環又はフェノチアジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環又はジヒドロフェナジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、更に好ましくは、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環又はジヒドロフェナジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、特に好ましくは、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、これらの環は置換基を有していてもよい。

　Ｒ^１Ｈが有していてもよい置換基としては、好ましくは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

　Ｒ^１Ｈが有していてもよい置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^１Ｈにおけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

　Ｒ^１Ｈが有していてもよい置換基における置換アミノ基において、アミノ基が有する置換基としては、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。アミノ基が有する置換基であるアリール基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^１Ｈにおけるアリール基の例及び好ましい範囲と同じである。アミノ基が有する置換基である１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^１Ｈにおける１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

　Ｒ^１Ｈが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、好ましくはハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、特に好ましくはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよいが、更に置換基を有さないことが好ましい。

　Ｒ^１Ｈが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^１Ｈが有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

＜式（Ｃ）で表される化合物＞
　環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃにおいて、芳香族炭化水素環の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６～６０であり、好ましくは６～３０であり、より好ましくは６～１８である。

　環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃにおける芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、インデン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピレン環、クリセン環及びトリフェニレン環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環又はジヒドロフェナントレン環であり、より好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環又はスピロビフルオレン環であり、更に好ましくはベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。

　環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃが有していてもよい置換基としては、好ましくは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、特に好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

　環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃが有していてもよい置換基おけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^１Ｈが有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

　環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、好ましくは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、更に好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、特に好ましくは、アリール基又はシクロアルキル基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよいが、更に置換基を有さないことが好ましい。

　環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ｒ^１Ｈが有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

　Ｒ^Ｘａは、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、好ましくは、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、アリール基又は１価の複素環基であり、更に好ましくは、アリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

　Ｒ^Ｘａが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^１Ｈが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

　Ｒ^Ｘａが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^１Ｈが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

　本明細書において、アリール基は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、好ましくは、式（Ｄ－Ａ）、式（Ｄ－Ｂ）又は式（Ｄ－Ｃ）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ－Ａ）又は式（Ｄ－Ｃ）で表される基である。

［式中、
　ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２及びｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
　Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
　Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
　但し、ｍ^ＤＡ１が０である場合、Ｇ^ＤＡは芳香族炭化水素基であり、ｍ^ＤＡ１が１以上の整数である場合、環Ｒ^１Ｃ、環Ｒ^２Ｃ、環Ｒ^３Ｃ又は環Ｒ^４Ｃに直接結合するＡｒ^ＤＡ１はアリーレン基である。］

［式中、
　ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
　Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＧ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
　Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
　Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
　但し、ｍ^ＤＡ１が０である場合、Ｇ^ＤＡは芳香族炭化水素基であり、ｍ^ＤＡ１が１以上の整数である場合、環Ｒ^１Ｃ、環Ｒ^２Ｃ、環Ｒ^３Ｃ又は環Ｒ^４Ｃに直接結合するＡｒ^ＤＡ１はアリーレン基である。］

［式中、
　ｍ^ＤＡ１は、０以上の整数を表す。
　Ａｒ^ＤＡ１は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
　Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
　但し、ｍ^ＤＡ１が０である場合、Ｔ^ＤＡはアリール基であり、ｍ^ＤＡ１が１以上の整数である場合、環Ｒ^１Ｃ、環Ｒ^２Ｃ、環Ｒ^３Ｃ又は環Ｒ^４Ｃに直接結合するＡｒ^ＤＡ１はアリーレン基である。］

　ｍ^ＤＡ１～ｍ^ＤＡ７は、通常１０以下の整数であり、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは０又は１である。ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、同一の整数であることが好ましい。

　Ｇ^ＤＡは、好ましくは式（ＧＤＡ－１１）～式（ＧＤＡ－１５）で表される基であり、より好ましくは式（ＧＤＡ－１１）～式（ＧＤＡ－１４）で表される基であり、更に好ましくは、式（ＧＤＡ－１１）又は式（ＧＤＡ－１４）で表される基であり、特に好ましくは、式（ＧＤＡ－１１）で表される基である。

［式中、
　＊は、式（Ｄ－Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、又は、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３との結合を表す。
　＊＊は、式（Ｄ－Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ４、又は、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ６との結合を表す。
　＊＊＊は、式（Ｄ－Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ５、又は、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ７との結合を表す。
　Ｒ^ＤＡは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＡが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

　Ｒ^ＤＡは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよいが、更に置換基を有さないことが好ましい。

　Ａｒ^ＤＡ１～Ａｒ^ＤＡ７は、好ましくは、フェニレン基、フルオレンジイル基又はカルバゾールジイル基であり、より好ましくは式（Ａ－１）～式（Ａ－３）、式（Ａ－８）、式（Ａ－９）、式（ＡＡ－１０）、式（ＡＡ－１１）、式（ＡＡ－３３）又は式（ＡＡ－３４）で表される基であり、更に好ましくは式（ＡｒＤＡ－１）～式（ＡｒＤＡ－５）で表される基であり、特に好ましくは式（ＡｒＤＡ－１）～式（ＡｒＤＡ－３）で表される基であり、とりわけ好ましくは式（ＡｒＤＡ－１）又は式（ＡｒＤＡ－２）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
　Ｒ^ＤＡは前記と同じ意味を表す。
　Ｒ^ＤＢは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＢが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

　Ｒ^ＤＢは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　Ｔ^ＤＡは、好ましくは式（ＴＤＡ－１）～式（ＴＤＡ－３）で表される基であり、より好ましくは式（ＴＤＡ－１）で表される基である。

［式中、Ｒ^ＤＡ及びＲ^ＤＢは前記と同じ意味を表す。］

　Ｒ^ＤＡ、Ａｒ^ＤＡ１～Ａｒ^ＤＡ７、Ｒ^ＤＢ及びＴ^ＤＡが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^１Ｈが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

　式（Ｄ－Ａ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ－Ａ１）で表される基である。

［式中、
　Ｒ^ｐ１及びＲ^ｐ２は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１及びＲ^ｐ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
　ｎｐ１は、０～５の整数を表し、ｎｐ２は、０～３の整数を表す。複数存在するｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］

　式（Ｄ－Ｂ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ－Ｂ１）で表される基である。

［式中、
　Ｒ^ｐ１及びＲ^ｐ２は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１及びＲ^ｐ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
　ｎｐ１は、０～５の整数を表し、ｎｐ２は、０～３の整数を表す。複数存在するｎｐ１及びｎｐ２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。］

　式（Ｄ－Ｃ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ－Ｃ１）～式（Ｄ－Ｃ４）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ－Ｃ１）～式（Ｄ－Ｃ３）で表される基であり、更に好ましくは式（Ｄ－Ｃ１）又は式（Ｄ－Ｃ２）で表される基であり、特に好ましくは式（Ｄ－Ｃ１）で表される基である。

［式中、
　Ｒ^ｐ４及びＲ^ｐ５は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ４及びＲ^ｐ５が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
　ｎｐ４は、０～５の整数を表し、ｎｐ５は、０～４の整数を表す。］

　ｎｐ１は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。ｎｐ４は、好ましくは０～２である。ｎｐ５は、好ましくは０～２であり、より好ましくは０である。

　Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ４及びＲ^ｐ５は、好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基である。

　式（Ｄ－Ａ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ－Ａ－１）～式（Ｄ－Ａ－４）、式（Ｄ－Ａ－７）、式（Ｄ－Ａ－８）又は式（Ｄ－Ａ－１０）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^Ｄは、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ヘキシル基、２－エチルヘキシル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基又はシクロへキシルオキシ基を表す。複数存在するＲ^Ｄは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。］

　式（Ｄ－Ｂ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ－Ｂ－１）又は式（Ｄ－Ｂ－４）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^Ｄは前記と同じ意味を表す。］

　式（Ｄ－Ｃ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ－Ｃ－１）～式（Ｄ－Ｃ－１３）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^Ｄは前記と同じ意味を表す。］

　Ｒ^Ｄは、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ヘキシル基、２－エチルヘキシル基又はｔｅｒｔ－オクチル基であることが好ましく、ｔｅｒｔ－ブチル基であることがより好ましい。

　本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃのうち、少なくとも１つはアリール基又は１価の複素環基を置換基として有していても良い。

　環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃのうち、少なくとも１つがアリール基又は１価の複素環基を有する場合、環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃが有するアリール基及び１価の複素環基の合計の個数は、好ましくは１～５個であり、より好ましくは１～３個であり、更に好ましくは１又は２個でありる。

　本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、Ｙ^ａは、－Ｃ（Ｒ^Xa）₂－で表される基、－Ｃ（Ｒ^Xa）＝Ｃ（Ｒ^Xa）－又は式（Ｃ’）で表される基であることが好ましく、－Ｃ（Ｒ^Xa）₂－で表される基又は式（Ｃ’）で表される基であることがより好ましく、－Ｃ（Ｒ^Xa）₂－で表される基であることが特に好ましい。

　＜式（Ｃ’）で表される基＞
　本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、環Ｒ^３Ｃ及び環Ｒ^４Ｃのうち、少なくとも１つが芳香族炭化水素環であることが好ましく、両方が芳香族炭化水素環であることがより好ましい。

　環Ｒ^３Ｃ及び環Ｒ^４Ｃで表される芳香族炭化水素環の例及び好ましい範囲は、それぞれ、環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃで表される芳香族炭化水素環の例及び好ましい範囲の例及び好ましい範囲と同じである。

　環Ｒ^３Ｃ及び環Ｒ^４Ｃにおいて、芳香族複素環の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～６０であり、好ましくは、３～３０であり、より好ましくは、４～１５である。

　環Ｒ^３Ｃ及び環Ｒ^４Ｃにおける芳香族複素環としては、例えば、ピロール環、ジアゾール環、トリアゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、トリアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザアントラセン環、トリアザアントラセン環、アザフェナントレン環、ジアザフェナントレン環、トリアザフェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾシロール環、ジベンゾホスホール環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環及びジヒドロフェナジン環が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザフェナントレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジヒドロアクリジン環又はジヒドロフェナジン環であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環又はカルバゾール環であり、更に好ましくは、ピリジン環又はジアザベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。

　環Ｒ^３Ｃ及び環Ｒ^４Ｃが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

　環Ｒ^３Ｃ及び環Ｒ^４Ｃが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

　環Ｒ^３Ｃ及び環Ｒ^４Ｃのうち、少なくとも１つがアリール基又は１価の複素環基を有する場合、環Ｒ^３Ｃ及び環Ｒ^４Ｃが有するアリール基及び１価の複素環基の合計の個数は、好ましくは１～５個であり、より好ましくは、１～３個であり、更に好ましくは１個又は２個である。

　環Ｒ^１Ｃ、環Ｒ^２Ｃ、環Ｒ^３Ｃ及び環Ｒ^４Ｃの少なくとも一つが、置換基としてアリール基を有していても良い。

　式（C）で表される化合物の好ましい一態様は、環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃが芳香族炭化水素環である化合物である。環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃがベンゼン環である化合物であってもよい。
　式（C）で表される化合物の好ましい一態様は、Ｙ^aが－Ｃ（Ｒ^Xa）₂－で表される基であり、環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃが芳香族炭化水素環である化合物である。Ｙ^aが－Ｃ（Ｒ^Xa）₂－で表される基であり、環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃがベンゼン環である化合物であったもよい。
　式（C）で表される化合物の好ましい他の一態様は、Ｙ^aが式（Ｃ’）で表される基であり、環Ｒ^１Ｃ、環Ｒ^２Ｃ、環Ｒ^３Ｃ及び環Ｒ^４Ｃが芳香族炭化水素環である化合物である。Ｙ^aが式（Ｃ’）で表される基であり、環Ｒ^１Ｃ、環Ｒ^２Ｃ、環Ｒ^３Ｃ及び環Ｒ^４Ｃがベンゼン環である化合物であってもよい。

　式（Ｃ）で表される化合物は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、式（Ｃ’－２）で表される化合物又は式（Ｃ－２）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｃ－２）で表される化合物であることがより好ましい。

　＜式（Ｃ’－２）で表される化合物及び式（Ｃ－２）で表される化合物＞
　Ｅ^１１Ｃ、Ｅ^１２Ｃ、Ｅ^１３Ｃ、Ｅ^１４Ｃ、Ｅ^２１Ｃ、Ｅ^２２Ｃ、Ｅ^２３Ｃ、Ｅ^２４Ｃ、Ｅ^３１Ｃ、Ｅ^３２Ｃ、Ｅ^３３Ｃ、Ｅ^３４Ｃ、Ｅ^４１Ｃ、Ｅ^４２Ｃ、Ｅ^４３Ｃ及びＥ^４４Ｃは、炭素原子であることが好ましい。

　Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^１３Ｃ、Ｒ^１４Ｃ、Ｒ^２１Ｃ、Ｒ^２２Ｃ、Ｒ^２３Ｃ及びＲ^２４Ｃは、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、特に好ましくは、水素原子、アリール基又は１価の複素環基であり、とりわけ好ましくは、水素原子又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

　Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^１３Ｃ、Ｒ^１４Ｃ、Ｒ^２１Ｃ、Ｒ^２２Ｃ、Ｒ^２３Ｃ及びＲ^２４Ｃのうち、少なくとも一つは、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることが好ましく、少なくとも一つは、アリール基又は１価の複素環基であることがより好ましく、少なくとも一つは、アリール基であることが更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

　式（Ｃ－２）において、Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^１３Ｃ、Ｒ^１４Ｃ、Ｒ^２１Ｃ、Ｒ^２２Ｃ、Ｒ^２３Ｃ及びＲ^２４Ｃのうち、少なくとも一つがアリール基又は１価の複素環基を有する場合、Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^１３Ｃ、Ｒ^１４Ｃ、Ｒ^２１Ｃ、Ｒ^２２Ｃ、Ｒ^２３Ｃ及びＲ^２４Ｃのうち、少なくとも一つがアリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^１３Ｃ、Ｒ^２１Ｃ、Ｒ^２２Ｃ及びＲ^２３Ｃのうち、少なくとも一つがアリール基又は１価の複素環基であることがより好ましく、Ｒ^１３Ｃ又はＲ^２３Ｃがアリール基又は１価の複素環基であることが更に好ましく、Ｒ^１３Ｃ及びＲ^２３Ｃがアリール基又は１価の複素環基であることが特に好ましい。

　式（Ｃ’－２）において、Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^１３Ｃ、Ｒ^１４Ｃ、Ｒ^２１Ｃ、Ｒ^２２Ｃ、Ｒ^２３Ｃ及びＲ^２４Ｃのうち、少なくとも一つがアリール基又は１価の複素環基を有する場合、Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^１３Ｃ、Ｒ^１４Ｃ、Ｒ^２１Ｃ、Ｒ^２２Ｃ、Ｒ^２３Ｃ及びＲ^２４Ｃのうち、少なくとも一つがアリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^２１Ｃ及びＲ^２２Ｃのうち、少なくとも一つがアリール基又は１価の複素環基であることがより好ましく、Ｒ^２１Ｃ又はＲ^２２Ｃがアリール基又は１価の複素環基であることが更に好ましい。

　Ｒ^３１Ｃ、Ｒ^３２Ｃ、Ｒ^３３Ｃ、Ｒ^３４Ｃ、Ｒ^４１Ｃ、Ｒ^４２Ｃ、Ｒ^４３Ｃ及びＲ^４４Ｃは、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、特に好ましくは、水素原子、アリール基又は１価の複素環基であり、とりわけ好ましくは、水素原子又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

　Ｒ^３１Ｃ、Ｒ^３２Ｃ、Ｒ^３３Ｃ、Ｒ^３４Ｃ、Ｒ^４１Ｃ、Ｒ^４２Ｃ、Ｒ^４３Ｃ及びＲ^４４Ｃのうち、少なくとも一つがアリール基又は１価の複素環基を有する場合、Ｒ^３１Ｃ、Ｒ^３２Ｃ、Ｒ^３３Ｃ、Ｒ^３４Ｃ、Ｒ^４１Ｃ、Ｒ^４２Ｃ、Ｒ^４３Ｃ及びＲ^４４Ｃのうち、少なくとも一つがアリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、Ｒ^３１Ｃ、Ｒ^３２Ｃ、Ｒ^４１Ｃ及びＲ^４２Ｃのうち、少なくとも一つがアリール基又は１価の複素環基であることがより好ましく、Ｒ^３１Ｃ又はＲ^３２Ｃがアリール基又は１価の複素環基であることが更に好ましい。

　Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^１３Ｃ、Ｒ^１４Ｃ、Ｒ^２１Ｃ、Ｒ^２２Ｃ、Ｒ^２３Ｃ、Ｒ^２４Ｃ、Ｒ^３１Ｃ、Ｒ^３２Ｃ、Ｒ^３３Ｃ、Ｒ^３４Ｃ、Ｒ^４１Ｃ、Ｒ^４２Ｃ、Ｒ^４３Ｃ及びＲ^４４Ｃにおけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ｒ^１Ｈが有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

　Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^１３Ｃ、Ｒ^１４Ｃ、Ｒ^２１Ｃ、Ｒ^２２Ｃ、Ｒ^２３Ｃ、Ｒ^２４Ｃ、Ｒ^３１Ｃ、Ｒ^３２Ｃ、Ｒ^３３Ｃ、Ｒ^３４Ｃ、Ｒ^４１Ｃ、Ｒ^４２Ｃ、Ｒ^４３Ｃ及びＲ^４４Ｃが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^１Ｈが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

　Ｒ^１１ＣとＲ^１２Ｃ、Ｒ^１２ＣとＲ^１３Ｃ、Ｒ^１３ＣとＲ^１４Ｃ、Ｒ^１４ＣとＲ^３４Ｃ、Ｒ^３４ＣとＲ^３３Ｃ、Ｒ^３３ＣとＲ^３２Ｃ、Ｒ^３２ＣとＲ^３１Ｃ、Ｒ^３１ＣとＲ^４１Ｃ、Ｒ^４１ＣとＲ^４２Ｃ、Ｒ^４２ＣとＲ^４３Ｃ、Ｒ^４３ＣとＲ^４４Ｃ、Ｒ^４４ＣとＲ^２４Ｃ、Ｒ^２４ＣとＲ^２３Ｃ、Ｒ^２３ＣとＲ^２２Ｃ、Ｒ^２２ＣとＲ^２１Ｃ、及び、Ｒ^２１ＣとＲ^１１Ｃは、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよいが、環を形成しないことが好ましい。

　化合物（Ａ）としては、例えば、式（Ｃ－１０１）～式（Ｃ－１５０）で表される化合物が挙げられる。これらの式において、Wは－Ｏ－又は－Ｓ－で表される基を表し、Wが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

　これらの中でも好ましい化合物（Ａ）には、式（Ｃ－１０９）、式（Ｃ－１３３）及び式（Ｃ－１５０）で表される化合物が挙げられる。より好ましい化合物（Ａ）は、式（Ｃ－１３３）及び式（Ｃ－１５０）で表される化合物である。

＜高分子化合物（Ｂ）＞
　高分子化合物（Ｂ）は、ホウ素原子及び二重結合を形成していない窒素原子から選ばれる１種の原子を環内に含む縮合複素環骨格（ｂ）を有する構成単位を含む高分子化合物である。本実施形態の組成物において、高分子化合物（Ｂ）としては、有機発光現象を示す高分子化合物を使用することが好ましい。ある好ましい一形態において、高分子化合物（Ｂ）には、蛍光発光高分子が挙げられる。高分子化合物（Ｂ）は、単一種類の高分子化合物であってよく、複数種類の高分子化合物を組み合わせて使用してもよい。

　縮合複素環骨格（ｂ）の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～６０であり、好ましくは５～４０であり、より好ましくは１０～２５である。
　縮合複素環骨格（ｂ）のヘテロ原子数は、置換基のヘテロ原子数を含めないで、通常２～３０であり、好ましくは２～１５であり、より好ましくは２～１０であり、更に好ましくは２～５であり、特に好ましくは２又は３である。
　縮合複素環骨格（ｂ）のホウ素原子数は、置換基のホウ素原子数を含めないで、通常１～１０であり、好ましくは１～５であり、より好ましくは１～３であり、更に好ましくは１である。
　縮合複素環骨格（ｂ）の二重結合を形成していない窒素原子数は、置換基の窒素原子数を含めないで、通常１～２０であり、好ましくは１～１０であり、より好ましくは１～５であり、更に好ましくは１～３であり、特に好ましくは１～２である。
　縮合複素環骨格（ｂ）は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、好ましくは３～１２環式縮合複素環骨格であり、より好ましくは３～６環式縮合複素環骨格であり、更に好ましくは３又は５環式縮合複素環骨格である。

　縮合複素環骨格（ｂ）は、縮合複素環骨格（ｂ）を含む複素環基（ｂ’）を有する化合物ということもできる。

　複素環基（ｂ’）は、ホウ素原子及び二重結合を形成していない窒素原子から選ばれる１種の原子を環内に含む、多環式の複素環式化合物から、環を構成する原子に直接結合する水素原子１個以上を除いた基であってよく、該基は置換基を有していてもよい。

　複素環基（ｂ’）が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基がより好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基が更に好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が特に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

　複素環基（ｂ’）が有していてもよい置換基における、アリール基としては、好ましくは、単環式又は２環式～６環式の芳香族炭化水素から、環を構成する原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、より好ましくは、単環式、２環式又は３環式の芳香族炭化水素から、環を構成する原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、更に好ましくは、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン又はフルオレンから環を構成する原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、特に好ましくは、フェニル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　複素環基（ｂ’）が有していてもよい置換基における、１価の複素環基としては、好ましくは、単環式又は２環式～６環式の複素環式化合物から、環を構成する原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、より好ましくは、単環式、２環式又は３環式の複素環式化合物から、環を構成する原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、更に好ましくは、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、フェノキサジン又はフェノチアジンから環を構
成する原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、特に好ましくは、ピリジン、ジアザベンゼン又はトリアジンから環を構成する原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　複素環基（ｂ’）が有していてもよい置換基における置換アミノ基において、アミノ基が有する置換基としては、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。アミノ基が有する置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、複素環基（ｂ’）が有していてもよい置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

　複素環基（ｂ’）が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基がより好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が更に好ましく、アルキル基又はシクロアルキル基が特に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよいが、更に置換基を有さないことが好ましい。
　複素環基（ｂ’）が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、複素環基（ｂ’）が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

　「二重結合を形成していない窒素原子」とは、他の３つの原子とそれぞれ単結合で結合する窒素原子を意味する。
　「環内に二重結合を形成していない窒素原子を含む」とは、環内に－Ｎ（－Ｒ^Ｎ）－（式中、Ｒ^Ｎは水素原子又は置換基を表す。）又は式：

を含むことを意味する。

　高分子化合物（Ｂ）は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。

　＜式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物＞
　Ａ環、Ｂ環及びＣ環は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、好ましくは、単環式若しくは２環式～６環式の芳香族炭化水素、又は、単環式若しくは２環式～６環式の複素環式化合物から、環を構成する原子に直接結合する水素原子１個以上を除いた基であり、より好ましくは、単環式、２環式若しくは３環式の芳香族炭化水素、又は、単環式、２環式若しくは３環式の複素環式化合物から、環を構成する原子に直接結合する水素原子１個以上を除いた基であり、更に好ましくは、単環式の芳香族炭化水素又は単環式の複素環式化合物から、環を構成する原子に直接結合する水素原子１個以上を除いた基であり、特に好ましくは、ベンゼン、ピリジン又はジアザベンゼンから、環を構成する原子に直接結合する水素原子１個以上を除いた基であり、とりわけ好ましくは、ベンゼンから、環を構成する原子に直接結合する水素原子１個以上を除いた基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａ環、Ｂ環及びＣ環が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、複素環基（ｂ’）が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

　Ｘがホウ素原子の場合、Ｙ¹、Ｙ²及びＹ³は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、好ましくは、酸素原子、硫黄原子、－Ｎ（Ｒｙ）－で表される基又はアルキレン基であり、より好ましくは、酸素原子、硫黄原子又は－Ｎ（Ｒｙ）－で表される基であり、更に好ましくは、－Ｎ（Ｒｙ）－で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　Ｘがホウ素原子の場合、ｎ２は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、好ましくは１である。

　Ｘがホウ素原子の場合、ｎ３は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、好ましくは０である。

　Ｘが窒素原子の場合、Ｙ¹、Ｙ²及びＹ³は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、好ましくは、単結合、酸素原子、硫黄原子、－Ｎ（Ｒｙ）－で表される基又はアルキレン基であり、より好ましくは、単結合、酸素原子又は－Ｎ（Ｒｙ）－で表される基であり、更に好ましくは、酸素原子で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　Ｘが窒素原子の場合、ｎ２は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、好ましくは０である。

　Ｘが窒素原子の場合、ｎ３は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、好ましくは０である。

　Ｙ^１、Ｙ^２及びＹ^３が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、複素環基（ｂ’）が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

　Ｒｙは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒｙにおけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、複素環基（ｂ’）が有していてもよい置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。
　Ｒｙが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、複素環基（ｂ’）が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

　式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位としては、例えば、下記式で表される構成単位が挙げられる。これらの式において、Ｒ^ＴＳは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^ＴＳは、同一でも異なっていてもよい。

　Ｒ^TSにおけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、前述のR^１Hにおけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。
　Ｒ^TSにおける置換アミノ基において、アミノ基が有する置換基としては、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。アミノ基が有する置換基であるアリール基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^１Ｈにおけるアリール基の例及び好ましい範囲と同じである。アミノ基が有する置換基である１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^１Ｈにおける１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。
　Ｒ^TSが有してもよい置換基の例及び好ましい範囲は、後述のＡｒ^Ｙ１で表される基が有してもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

　高分子化合物（Ｂ）が、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む場合、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．０５～９０モル％であり、より好ましくは０．１～７０モル％であり、更に好ましくは０．２～５０モル％であり、特に好ましくは０．５～３０モル％であり、とりわけ好ましくは０．５～１０モル％である。

　高分子化合物（Ｂ）が、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む場合、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物において、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。

　高分子化合物（Ｂ）が、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む場合、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、更に、後述の式(Ｙ)で表される構成単位（式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位とは異なる。）を含むことが好ましい。また、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物は、正孔輸送性が優れるので、更に、後述の式(Ｘ)で表される構成単位を含むことが好ましい。

　［式(Ｙ)で表される構成単位］
　Ａｒ^Y1で表されるアリーレン基は、好ましくは式（Ａ－１）、式（Ａ－６）、式（Ａ－７）、式（Ａ－９）～式（Ａ－１１）、式（Ａ－１３）又は式（Ａ－１９）で表される基であり、より好ましくは式（Ａ－１）、式（Ａ－７）、式（Ａ－９）又は式（Ａ－１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　Ａｒ^Y1で表される２価の複素環基は、好ましくは式（ＡＡ－４）、式（ＡＡ－１０）、式（ＡＡ－１３）、式（ＡＡ－１５）、式（ＡＡ－１８）又は式（ＡＡ－２０）で表される基であり、より好ましくは式（ＡＡ－４）、式（ＡＡ－１０）、式（ＡＡ－１８）又は式（ＡＡ－２０）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　Ａｒ^Y1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基の好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Y1で表されるアリーレン基及び２価の複素環基の好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

　Ａｒ^Y1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式（Ｘ）のＡｒ^X2及びＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。

　Ａｒ^Y1で表される基が有してもよい置換基は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

　式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ－１）～（Ｙ－１０）で表される構成単位が挙げられ、本実施形態の発光素子の駆動電圧の観点からは、好ましくは式（Ｙ－１）～（Ｙ－３）で表される構成単位であり、電子輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ－４）～（Ｙ－７）で表される構成単位であり、正孔輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ－８）～（Ｙ－１０）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Y1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Y1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

　Ｒ^Y1は、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　式（Ｙ－１）で表される構成単位は、好ましくは、式（Ｙ－１’）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Y11は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y11は、同一でも異なっていてもよい。］

　Ｒ^Y11は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、より好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
　Ｒ^Y1は前記と同じ意味を表す。
　Ｘ^Y1は、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－、－Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)－又はＣ(Ｒ^Y2)₂－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基を表す。Ｒ^Y2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y2は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Y2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

　Ｒ^Y2は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　Ｘ^Y1において、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、双方がアリール基、双方が１価の複素環基、又は、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基もしくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基としては、好ましくは式（Ｙ－Ａ１）～（Ｙ－Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ－Ａ４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　Ｘ^Y1において、－Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)－で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、又は、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　Ｘ^Y1において、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基中の４個のＲ^Y2は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基又はシクロアルキル基である。複数あるＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基は、好ましくは式（Ｙ－Ｂ１）～（Ｙ－Ｂ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ－Ｂ３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y2は前記と同じ意味を表す。］

　式（Ｙ－２）で表される構成単位は、式（Ｙ－２’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Y1及びＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Y1及びＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

　式（Ｙ－３）で表される構成単位は、式（Ｙ－３’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Y11及びＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

［式中、
　Ｒ^Y1は前記と同じ意味を表す。
　Ｒ^Y3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

　Ｒ^Y3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　式（Ｙ－４）で表される構成単位は、式（Ｙ－４’）で表される構成単位であることが好ましく、式（Ｙ－６）で表される構成単位は、式（Ｙ－６’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Y1及びＲ^Y3は前記と同じ意味を表す。］

　式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ－１０１）～（Ｙ－１４１）で表されるアリーレン基からなる構成単位、式（Ｙ－２０１）～（Ｙ－２０２）(で表される２価の複素環基からなる構成単位、式（Ｙ－３０１）～（Ｙ－３０６）で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。

　式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１がアリーレン基である構成単位の含有量は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５～９９モル％であり、より好ましくは１０～９５モル％である。

　式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１が２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位の含有量は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５～３０モル％であり、より好ましくは３～２０モル％である。

　式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物において、式（Ｙ）で表される構成単位は、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

　［式(Ｘ)で表される構成単位］
　ａ^X1は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。

　ａ^X2は、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下するので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。

　Ｒ^X1、Ｒ^X2及びＲ^X3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表されるアリーレン基は、好ましくは式（Ａ－１）又は式（Ａ－９）で表される基であり、より好ましくは式（Ａ－１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表される２価の複素環基は、好ましくは式（ＡＡ－１）、式（ＡＡ－２）又は式（ＡＡ－７）～式（ＡＡ－２６）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　Ａｒ^X1及びＡｒ^X3は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

　Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表されるアリーレン基は、好ましくは式（Ａ－１）、式（Ａ－６）、式（Ａ－７）、式（Ａ－９）～式（Ａ－１１）又は式（Ａ－１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表される２価の複素環基の好ましい範囲は、Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表される２価の複素環基の好ましい範囲と同じである。

　Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基の好ましい範囲、より好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表されるアリーレン基及び２価の複素環基の好ましい範囲、より好ましい範囲と同じである。

　Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^XXは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

　Ｒ^XXは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　Ａｒ^X2及びＡｒ^X4は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

　Ａｒ^X1～Ａｒ^X4及びＲ^X1～Ｒ^X3で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

　式（Ｘ）で表される構成単位としては、好ましくは式（Ｘ－１）～（Ｘ－７）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｘ－３）～（Ｘ－７）で表される構成単位であり、更に好ましくは式（Ｘ－３）～（Ｘ－６）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^X4及びＲ^X5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^X4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^X5は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^X5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

　式(Ｘ)で表される構成単位としては、例えば、式（Ｘ１－１）～（Ｘ１－２３）で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式（Ｘ１－６）～（Ｘ１－１４）で表される構成単位である。

　式（Ｘ）で表される構成単位の含有量は、本実施形態の発光素子の正孔輸送性がより優れるので、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１～５０モル％であり、より好ましくは１～４０モル％であり、更に好ましくは５～３０モル％である。

　式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物において、式（Ｘ）で表される構成単位は、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

　［高分子化合物の例示等］
　高分子化合物（B）としては、例えば、高分子化合物（Ｐ－１）～（Ｐ－８）が挙げられる。ここで、「その他」の構成単位とは、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位、式(Ｙ)で表される構成単位、式(Ｘ)で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝100であり、かつ、100≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧70である。］

　高分子化合物（Ｂ）が、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む場合、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、共重合体であることが好ましい。

　高分子化合物（Ｂ）が、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む場合、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、好ましくは5×10³～１×10⁶であり、より好ましくは1×10⁴～5×10⁵であり、更に好ましくは3×10⁴～1.5×10⁵である。

　［製造方法］
　高分子化合物（Ｂ）が、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む場合、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物は、例えば、ケミカルレビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第１０９巻，８９７－１０９１頁（２００９年）、国際公開第１９９８／０１１１５０号、国際公開第２０１３／１９１０８８号、特開２０１２－０３６３８８号公報、特開２０１４－１４８６６３号公報、特開２０１０－１９６０４０号公報、特開２０１０－２６０８７９号公報等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、換言すれば、例えば、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｙａｍａｍｏｔｏ反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応、Ｎｅｇｉｓｈｉ反応及びＫｕｍａｄａ反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応等の重合方法を用いて製造することができる。

　前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続又は分割して仕込む方法、単量体を連続又は分割して仕込む方法等が挙げられる。

　遷移金属触媒としては、パラジウム触媒、ニッケル触媒等が挙げられる。

　重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独又は組み合わせて行う。高分子化合物（Ｂ）の純度が低い場合、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。

＜本実施形態の組成物＞
　本実施形態の組成物において、化合物（Ａ）と高分子化合物（Ｂ）とは、物理的、化学的又は電気的に相互作用することが好ましい。この相互作用により、例えば、本実施形態の組成物の発光特性、電荷輸送特性又は電荷注入特性を向上又は調整することが可能となる。
　本実施形態の組成物において、発光材料を一例として説明すれば、化合物（Ａ）と高分子化合物（Ｂ）とが上記の相互作用をすることにより、発光特性、電荷輸送特性又は電荷注入特性が改善され、高分子化合物（Ｂ）をより効率的に発光させることができ、本実施形態の発光素子の駆動電圧がより低下する。

　上記観点より、本実施形態の組成物において、化合物（Ａ）は有機発光現象を示さない化合物を使用することが好ましい。また、上記観点より、本実施形態の組成物において、高分子化合物（Ｂ）としては、有機発光現象を示す高分子化合物を使用することが好ましい。

　本実施形態の組成物としては、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物と式（ＦＨ）で表される化合物との組成物が挙げられる。

　本実施形態の組成物としては、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物と式（Ｃ）で表される化合物との組成物、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物と式（Ｃ）で表される化合物であって環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃがベンゼン環である化合物との組成物、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物と式（Ｃ）で表される化合物であってＹ^aが－Ｃ（Ｒ^Xa）₂－で表される基であり、かつ、環Ｒ^１Ｃ及び環Ｒ^２Ｃがベンゼン環である化合物との組成物、並びに、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物と式（Ｃ）で表される化合物であってＹ^aが式（Ｃ’）で表される基であり、かつ、環Ｒ^１Ｃ、環Ｒ^２Ｃ、環Ｒ^３Ｃ及び環Ｒ^４Ｃが芳香族炭化水素環である化合物との組成物が挙げられる。

　また、本実施形態の組成物としては、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物と式（Ｃ－２）で表される化合物との組成物、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物と式（Ｃ－２’）で表される化合物との組成物、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物と式（Ｃ－２）で表される化合物であってＥ^11C、Ｅ^12C、Ｅ^13C、Ｅ^14C、Ｅ^21C、Ｅ^22C、Ｅ^23C及びＥ^24Cが炭素原子である化合物との組成物、並びに、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物と式（Ｃ－２’）で表される化合物であってＥ^11C、Ｅ^12C、Ｅ^13C、Ｅ^14C、Ｅ^21C、Ｅ^22C、Ｅ^23C、Ｅ^24C、Ｅ^31C、Ｅ^32C、Ｅ^33C、Ｅ^34C、Ｅ^41C、Ｅ^42C、Ｅ^43C及びＥ^44Cが炭素原子である化合物との組成物が挙げられる。

　＜各成分の含有量等＞
　本実施形態の組成物において、化合物（Ａ）の含有量は、高分子化合物（Ｂ）を１００質量部とした場合、通常、０．０１～１５０質量部であり、好ましくは、０．１～９０質量部であり、より好ましくは０．５～７０質量部であり、更に好ましくは５～６０質量部であり、特に好ましくは１０～５０質量部である。

　本実施形態の組成物において、化合物（Ａ）及び高分子化合物（Ｂ）を、それぞれ、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

　＜その他＞
　本実施形態の組成物は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、及び、酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種を更に含有していてもよい。但し、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料及び電子注入材料は、化合物（Ａ）及び、前記高分子化合物（Ｂ）とは異なる。

　本実施形態の組成物は、溶媒を更に含有していてもよい。
　化合物（Ａ）と、高分子化合物（Ｂ）と、溶媒とを含有する組成物（以下、「インク」と言うことがある。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。

　インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりを防止するために、好ましくは25℃において１～20mPa・sである。

　インクに含まれる溶媒は、該インク中の固形分を溶解又は均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、4-メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン、n-ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。

　インクにおいて、溶媒の配合量は、化合物（Ａ）と、高分子化合物（Ｂ）との合計を１００質量部とした場合、通常、１０００～１０００００質量部であり、好ましくは２０００～２００００質量部である。

　溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

　［正孔輸送材料］
　正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、高分子化合物が好ましく、架橋基を有する高分子化合物がより好ましい。

　高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノンが挙げられ、好ましくはフラーレンである。

　本実施形態の組成物が正孔輸送材料を含む場合、正孔輸送材料の配合量は、化合物（Ａ）と、高分子化合物（Ｂ）との合計を１００質量部とした場合、通常、０．１～１０００質量部であり、好ましくは１～４００質量部であり、より好ましくは５～１５０質量部である。

　本実施形態の組成物において、正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

　［電子輸送材料］
　電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

　低分子化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン、及び、ジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

　高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、及び、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。

　本実施形態の組成物が電子輸送材料を含む場合、電子輸送材料の配合量は、化合物（Ａ）と、高分子化合物（Ｂ）との合計を１００質量部とした場合、通常、０．１～１０００質量部であり、好ましくは１～４００質量部であり、より好ましくは５～１５０質量部である。

　本実施形態の組成物において、電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

　［正孔注入材料及び電子注入材料］
　正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料及び電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。

　低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

　高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン、及び、ポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。

　本実施形態の組成物が正孔注入材料又は電子注入材料を含む場合、正孔注入材料及び電子注入材料の配合量は、各々、化合物（Ａ）と、高分子化合物（Ｂ）との合計を１００質量部とした場合、通常、０．１～１０００質量部であり、好ましくは１～４００質量部であり、より好ましくは５～１５０質量部である。

　本実施形態の組成物において、正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

　［イオンドープ］
　正孔注入材料又は電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×10^-5S/cm～１×10³S/cmである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

　ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。

　ドープするイオンは、一種のみでも二種以上でもよい。

　［発光材料］
　発光材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。

　低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、並びに、イリジウム、白金又はユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。

　高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式(X)で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。

　発光材料は、低分子化合物及び高分子化合物を含んでいてもよく、好ましくは、三重項発光錯体及び高分子化合物を含む。

　三重項発光錯体としては、式Ｉｒ－１～Ｉｒ－５で表される金属錯体であるイリジウム錯体が好ましい。

［式中、
　Ｒ^D1～Ｒ^D8、Ｒ^D11～Ｒ^D20、Ｒ^D21～Ｒ^D26及びＲ^D31～Ｒ^D37は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^D1～Ｒ^D8、Ｒ^D11～Ｒ^D20、Ｒ^D21～Ｒ^D26及びＲ^D31～Ｒ^D37が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
　－Ａ^D1---Ａ^D2－は、アニオン性の２座配位子を表し、Ａ^D1及びＡ^D2は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。－Ａ^D1---Ａ^D2－が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
　ｎ_D1は、１、２又は３を表し、ｎ_D2は、１又は２を表す。］

　式Ｉｒ－１で表される金属錯体において、Ｒ^D1～Ｒ^D8の少なくとも１つは、好ましくは、式（Ｄ－Ｄ）で表される基である。

　式Ｉｒ－２で表される金属錯体において、好ましくはＲ^D11～Ｒ^D20の少なくとも１つは式（Ｄ－Ｄ）で表される基である。

　式Ｉｒ－３で表される金属錯体において、好ましくはＲ^D1～Ｒ^D8及びＲ^D11～Ｒ^D20の少なくとも１つは式（Ｄ－Ｄ）で表される基である。

　式Ｉｒ－４で表される金属錯体において、好ましくはＲ²¹～Ｒ^D26の少なくとも１つは式（Ｄ－Ｄ）で表される基である。

　式Ｉｒ－５で表される金属錯体において、好ましくはＲ^D31～Ｒ^D37の少なくとも１つは式（Ｄ－Ｄ）で表される基である。

［式中、
　ｍ^DＢ1、ｍ^DＢ2及びｍ^DＢ3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
　Ｇ^DＢは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^DＢ1、Ａｒ^DＢ2及びＡｒ^DＢ3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DＢ1、Ａｒ^DＢ2及びＡｒ^DＢ3が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
　Ｔ^DＢは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^DＢは、同一でも異なっていてもよい。］

　ｍ^DＢ1、ｍ^DＢ2及びｍ^DＢ3は、通常１０以下の整数であり、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは０又は１である。ｍ^DＢ1、ｍ^DＢ2及びｍ^DＢ3は、同一の整数であることが好ましい。

　Ｇ^DＢは、好ましくは式（ＧＤＢ－１１）～（ＧＤＢ－１５）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
　＊、＊＊及び＊＊＊は、各々、Ａｒ^DＢ1、Ａｒ^DＢ2、Ａｒ^DＢ3との結合を表す。
　Ｒ^DＥは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^DＥが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

　Ｒ^DＥは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　Ａｒ^DＢ1、Ａｒ^DＢ2及びＡｒ^DＢ3は、好ましくは式（ＡｒＤＢ－１）～（ＡｒＤＢ－３）で表される基である。

［式中、
　Ｒ^DＥは前記と同じ意味を表す。
　Ｒ^DＦは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^DＦが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

　Ｔ^DＢは、好ましくは式（ＴＤＢ－１）～（ＴＤＢ－３）で表される基である。

［式中、Ｒ^DE及びＲ^DFは前記と同じ意味を表す。］

　式（Ｄ－Ｄ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ－Ｄ１）～（Ｄ－Ｄ３）で表される基である。

［式中、
　Ｒ^ｑ1、Ｒ^ｑ2及びＲ^ｑ3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^ｑ1及びＲ^ｑ2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
　ｎｑ１は、０～５の整数を表し、ｎｑ２は０～３の整数を表し、ｎｑ３は０又は１を表す。複数あるｎｑ１は、同一でも異なっていてもよい。］

　ｎｑ１は、好ましくは０～３の整数であり、より好ましくは１～３の整数であり、更に好ましくは１である。ｎｑ２は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。ｎｑ３は好ましくは０である。

　Ｒ^ｑ1、Ｒ^ｑ2及びＲ^ｑ3は、好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基である。

　－Ａ^D1---Ａ^D2－で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。

［式中、＊は、Ｉｒと結合する部位を表す。］

　式Ｉｒ－１で表される金属錯体としては、好ましくは式Ｉｒ－１１～Ｉｒ－１３で表される金属錯体である。式Ｉｒ－２で表される金属錯体としては、好ましくは式Ｉｒ－２１で表される金属錯体である。式Ｉｒ－３で表される金属錯体としては、好ましくは式Ｉｒ－３１～Ｉｒ－３３で表される金属錯体である。式Ｉｒ－４で表される金属錯体としては、好ましくは式Ｉｒ－４１～Ｉｒ－４３で表される金属錯体である。式Ｉｒ－５で表される金属錯体としては、好ましくは式Ｉｒ－５１～Ｉｒ－５３で表される金属錯体である。

［式中、
　ｎ_D2は、１又は２を表す。
　Ｄは、式（Ｄ－Ｄ）で表される基を表す。複数存在するＤは、同一でも異なっていてもよい。
　Ｒ^DCは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^DCは、同一でも異なっていてもよい。
　Ｒ^DDは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^DDは、同一でも異なっていてもよい。］

　三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

　本実施形態の組成物が発光材料を含む場合、発光材料の含有量は、化合物（Ａ）と高分子化合物（Ｂ）との合計を１００質量部とした場合、通常、０．１～１０００質量部であり、好ましくは０．１～４００質量部である。

　発光材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

　［酸化防止剤］
　酸化防止剤は、本実施形態の高分子化合物と同じ溶媒に可溶であり、発光及び電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。

　本実施形態の組成物が酸化防止剤を含む場合、酸化防止剤の配合量は、化合物（Ａ）と、高分子化合物（Ｂ）との合計を１００質量部とした場合、通常、０．００１～１０質量部である。

　酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

　＜膜＞
　本実施形態の組成物は、膜の製造に好適に用いられる。膜は、本実施形態の組成物を含有する。

　膜は、発光素子における発光層として好適である。

　膜は、インクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ－コート法、ノズルコート法により作製することができる。

　膜の厚さは、通常、１ｎｍ～10μｍである。

　＜発光素子＞
　本実施形態の発光素子は、本実施形態の組成物を含有する発光素子である。
　本実施形態の発光素子の構成としては、例えば、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本実施形態の組成物を含有する層とを有する。

　［層構成］
　本実施形態の組成物を含有する層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製して用い、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。

　発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本実施形態の発光素子は、正孔注入性及び正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性及び電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。

　正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び電子注入層の材料としては、例えば、本実施形態の組成物の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料及び電子注入材料が挙げられる。

　正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料及び発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層及び発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。

　本実施形態の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

　積層する層の順番、数及び厚さは、外部量子効率及び輝度寿命を勘案して調整する。

　［基板/電極］
　発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明又は半透明であることが好ましい。

　陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体(APC)；NESA、金、白金、銀、銅である。

　陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－インジウム合金、マグネシウム－アルミニウム合金、インジウム－銀合金、リチウム－アルミニウム合金、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金、カルシウム－アルミニウム合金が挙げられる。
　陽極及び陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。

　［用途］
　発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極、又は、両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源及び表示装置としても使用できる。

　以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

　実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)及びポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、移動層にテトラヒドロフランを用い、下記のサイズエクスクルージョンクロマトグラフィー(SEC)のいずれかにより求めた。なお、SECの各測定条件は、次のとおりである。

　＜測定条件１＞
　測定する高分子化合物を約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。移動相は、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ　ＭＩＸＥＤ－Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ－ＶＩＳ検出器（東ソー製、商品名：ＵＶ－８３２０ＧＰＣ）を用いた。

　＜測定条件２＞
　測定する高分子化合物を約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。移動相は、０．６ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＴＳＫｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎ　ＳｕｐｅｒＡＷ－Ｈと、ＴＳＫｇｅｌ　Ｓｕｐｅｒ　ＡＷＭ－Ｈと、ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＡＷ３０００（いずれも東ソー製）の各１本を直列につないで用いた。検出器にはＵＶ－ＶＩＳ検出器（東ソー製、商品名：ＵＶ－８３２０ＧＰＣ）を用いた。

　化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＨＰＬＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ－２０Ａ）でのＵＶ＝２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１～０．２重量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてＨＰＬＣに１～１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリル／テトラヒドロフランの比率を１００／０～０／１００（容積比）まで変化させながら用い、１.０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ　ＬＣ　ＯＤＳ　２０００（東京化成工業製）又は同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ－Ｍ２０Ａ）を用いた。

　＜化合物ＰＭ１～ＰＭ１７＞
　化合物ＰＭ１及びＰＭ５は、特開２０１１－１７４０６２号公報に記載の方法に従って合成した。
　化合物ＰＭ２は、国際公報第２００５／０４９５４６号に記載の方法に従って合成した。
　化合物ＰＭ３は、国際公報第２００２／０４５１８４号に記載の方法に従って合成した。
　化合物ＰＭ４は、特開２００８－１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した。
　化合物ＰＭ６は、特開２０１２－１４４７２２号公報に記載の方法に従って合成した。
　化合物ＰＭ７は、市販品を用いた。
　化合物ＰＭ８は、特開２００４－１４３４１９号公報に記載の方法に従って合成した。
　化合物ＰＭ９は、特開２０１０－０３１２５９号公報に記載の方法に従って合成した。
　化合物ＰＭ１０は、国際公報第２００９／１３１２５５号に記載の方法に従って合成した。
　化合物ＰＭ１１は、国際公報第２０１６／０３１６３９号に記載の方法に従って合成した。
　化合物ＰＭ１２は、特開２０１０－１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した。
　化合物ＰＭ１３は、国際公報第２０１５／００８８５１号に記載の方法に従って合成した。
　化合物ＰＭ１４は、国際公報第２０１９／００４２４８号に記載の方法に従って合成した。

　＜合成例１＞　化合物１０の合成
（化合物１０－１の合成）

　反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、3,5-ジ-t-ブチルアニリン(4.00g)、1-ブロモ-3,5-ジ-t-ブチルベンゼン(4.77g)、Pd₂(dba)₃(dba)_0.75(0.058g)、t-Bu₃PHBF₄(0.032g)、t-BuONa(2.55g)及びトルエン(143mL)を加え、30℃で1.5時間撹拌した。得られた混合物をシリカゲル・セライトを積層したショートカラムでろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、化合物10-1(9.74g、オイル)を得た。化合物10-1のHPLC面積百分率値は96.9%であった。

（化合物10-2の合成）

　反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物10-1(4.35g)、1,3-ジブロモ-5-ヨードベンゼン(4.00g)、酢酸パラジウム(0.113g)、Xantphos(0.320g)、t-BuONa(1.45g)及びトルエン(65mL)を加え、60℃から80℃まで段階的に昇温しながらで4.5時間撹拌した。得られた混合物をシリカゲル・セライトを積層したショートカラムでろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）により精製した後、減圧濃縮し、乾燥させることにより、化合物10-2(5.26g、薄赤白色粉末)を得た。化合物10-2のHPLC面積百分率値は89.8%であった。

　（化合物10-3の合成）

　反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、2-ブロモ-5-クロロ-m-キシレン(10.00g)、p-t-ブチルアニリン(8.16g)、Pd₂(dba)₃(dba)_0.75(0.746g)、t-Bu₃PHBF₄(0.416g)、t-BuONa(6.57g)及びトルエン(250mL)を加え、30℃で1時間撹拌した。得られた混合物をシリカゲル・セライトを積層したショートカラムでろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）により精製した後、減圧濃縮し、乾燥させることにより、化合物10-3（13.16g、淡黄色固体）を得た。化合物10-3のHPLC面積百分率値は99.3%であった。

（化合物10-4の合成）

　反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物10-2(5.20g)、化合物10-3(5.25g)、Pd₂(dba)₃(dba)_0.75(0.452g)、t-Bu₃PHBF₄(0.252g)、t-BuONa(2.39g)及びトルエン(104mL)を加え、50℃で2時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、シリカゲル・セライトを積層したショートカラムでろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより茶色の固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）により精製した後、減圧濃縮し、乾燥させることにより、化合物10-4（5.69g、白色固体）を得た。化合物10-4のHPLC面積百分率値は98.4%であった。

（化合物10-5の合成）

　反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物10-4(4.60g)、o-ジクロロベンゼン(64mL)及びBBr₃(3.3g)を加え、140℃で6時間攪拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、トルエン（64mL）及びN,N-ジイソプロピルアミン(7.9mL)を加え、攪拌した。得られた混合物をシリカゲル・セライトを積層したショートカラムでろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより茶色のオイルを得た。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）により精製した後、減圧濃縮し、乾燥させることにより黄色粉末を得た。得られた粉末をトルエンとアセトニトリルとの混合溶媒で再結晶することにより、化合物10-5（1.55g、黄色固体）を得た。化合物10-5のHPLC面積百分率値は99.3％であった。これらの操作を繰り返し行うことで、化合物10-5の必要量を得た。

（化合物10の合成）

　反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物10-5(1.85g)、ビス（ピナコラト）ジボロン(B₂pin₂;1.34g)、Pd₂(dba)₃(dba)_0.75(0.048g)、XPhos(0.089g)、酢酸カリウム（1.03g）、1,2-ジメトキシエタン（18mL）及びトルエン(4mL)を加え、85℃で12時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、メタノールを加えて反応を停止させた。得られた混合物をシリカゲル・セライトを積層したショートカラムでろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより黄色のオイルを得た。得られたオイルをアセトニトリルで再結晶することにより、淡黄色粉末を得た。得られた粉末を、トルエンとヘプタンとの混合溶媒に溶解させた後、活性炭を加えて攪拌した。得られた混合物をセライトを用いてろ過した後、減圧濃縮し、乾燥させることにより黄色粉末を得た。得られた粉末を、トルエンとアセトニトリルとの混合液で再結晶した後、乾燥させるという操作を2回繰り返すことにより、化合物10（1.48g、黄色粉末）を得た。化合物10のＨＰＬＣ面積百分率値は99.8%であった。

　LC-MS(ESI,positive)：1232.9[M+H]⁺
　¹H-NMR(CDCl₃,400MHz)δ(ppm)：9.12(s,2H),7.67(s,4H),7.43(d,2H),6.98(s,2H), 6.82(s,4H),6.59(d,2H),5.46(br.s,2H),1.86(s,12H),1.46(s,18H),1.36(s,24H),1.13(s,36H).

　＜合成例ＩＰ１＞　高分子化合物ＩＰ１の合成
　高分子化合物ＩＰ１は、化合物ＰＭ１と、化合物ＰＭ２と、化合物ＰＭ３と、化合物ＰＭ４とを用いて、特開２０１２－１４４７２２号公報に記載の方法で合成した。高分子化合物ＩＰ１のＭｎは７．６×１０^４であり、Ｍｗは３．２×１０^５であった。

　高分子化合物ＩＰ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＰＭ１から誘導される構成単位と、化合物ＰＭ２から誘導される構成単位と、化合物ＰＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＰＭ４から誘導される構成単位とが、５０：３０：１２．５：７．５のモル比で構成されてなる共重合体である。

　＜合成例Ｐ１＞　高分子化合物Ｐ１の合成　
　高分子化合物Ｐ１は、化合物ＰＭ５と、化合物ＰＭ６と、化合物ＰＭ３と、化合物ＰＭ８と、化合物ＰＭ９とを用いて、特開２０１２－１４４７２２号公報に記載の方法に従って合成した。高分子化合物Ｐ１のＭｎは７．８×１０^４であり、Ｍｗは２．１×１０^５であった。

　高分子化合物Ｐ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＰＭ５から誘導される構成単位と、化合物ＰＭ６から誘導される構成単位と、化合物ＰＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＰＭ８から誘導される構成単位と、化合物ＰＭ９から誘導される構成単位とが、５０：３２：１０：３：５のモル比で構成されてなる共重合体である。

　＜合成例Ｐ２＞　高分子化合物Ｐ２の合成　
　反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＰＭ７(1.267g)、化合物ＰＭ１１(0.127g)、化合物10(0.057g)、化合物ＰＭ１０(1.486g)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(2.09mg)及びトルエン(30.5g)を混合し、８０℃に加熱した。その後、そこへ、20質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(25mL)を滴下し、３．５時間還流させた。その後、そこへ、フェニルボロン酸(112.2g)及びジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(2.13mg)を加え、５時間還流させた。得られた反応混合物を冷却した後、反応液を水で１回、１０重量％塩酸水溶液で２回、３重量％アンモニア水溶液で２回、水で２回洗浄した。得られた有機層を減圧下で蒸留することにより水分を除いた。得られた溶液を、アルミナとシリカゲルとの混合物を充填したカラムに通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ２を1.06ｇ得た。高分子化合物Ｐ２のMnは7.7×10⁴であり、Mwは1.7×10⁵であった。

　高分子化合物Ｐ２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、ＰＭ７から誘導される構成単位と、ＰＭ１１から誘導される構成単位と、化合物１０から誘導される構成単位と、ＰＭ１０から誘導される構成単位とが、44：5：1：50のモル比で構成されてなる共重合体である。

　＜合成例Ｐ３＞　高分子化合物Ｐ３の合成　
高分子化合物Ｐ３は、化合物ＰＭ１２と、化合物ＰＭ１３と、化合物ＰＭ１４とを用いて、特開２０２１－１６３９６４号公報に記載の方法で合成した。高分子化合物Ｐ３のＭｎは６．２×１０^４であり、Ｍｗは１．５×１０^４であった。

　高分子化合物Ｐ３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＰＭ１２から誘導される構成単位と、化合物ＰＭ１３から誘導される構成単位と、化合物ＰＭ１４から誘導される構成単位とが、５０：４５：５のモル比で構成されてなる共重合体である。

　＜合成例Ｐ４＞　高分子化合物Ｐ４の合成　
高分子化合物Ｐ４は、化合物ＰＭ３と、化合物ＰＭ１５とを用いて、特開２００４－２６５４号公報に記載の方法に準じて合成した。高分子化合物Ｐ４のＭｎは１．９×１０^５であり、Ｍｗは５．６×１０^５であった。

　高分子化合物Ｐ４は、仕込み原料の量から求めた理論値では、ＰＭ３から誘導される構成単位と、化合物１５から誘導される構成単位とが、７０：３０のモル比で構成されてなる共重合体である。

　＜合成例Ｐ５＞　高分子化合物Ｐ５の合成　
高分子化合物Ｐ５は、化合物ＰＭ３と、化合物ＰＭ１６とを用いて、特開２００４－２６５４号公報に記載の方法に準じて合成した。高分子化合物Ｐ５のＭｎは５．０×１０^４であり、Ｍｗは１．１×１０^５であった。

　高分子化合物Ｐ５は、仕込み原料の量から求めた理論値では、ＰＭ３から誘導される構成単位と、化合物１６から誘導される構成単位とが、７０：３０のモル比で構成されてなる共重合体である。

　＜合成例Ｐ６＞　高分子化合物Ｐ６の合成　
　高分子化合物Ｐ６は、化合物ＰＭ３と、化合物ＰＭ１７とを用いて、特開２００４－２６５４号公報に記載の方法に準じて合成した。高分子化合物６のＭｎは３．２×１０^４であり、Ｍｗは６．１×１０^４であった。

　高分子化合物Ｐ６は、仕込み原料の量から求めた理論値では、ＰＭ３から誘導される構成単位と、化合物１７から誘導される構成単位とが、７０：３０のモル比で構成されてなる共重合体である。

　＜化合物ＨＭ－１～ＨＭ－１４＞
化合物ＨＭ－３は、東京化成工業株式会社製を用いた。
化合物ＨＭ－４は、国際公報第２０１８／１９８９７１号に記載の方法に従って合成した。
化合物ＨＭ－５は、Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ社製を用いた。
化合物ＨＭ－６は、国際公報第２０１２／０４８８２０号に記載の方法に従って合成した。
化合物ＨＭ－７は、国際公報第２０１６／１９４６９５号に記載の方法に従って合成した。
化合物ＨＭ－８は、東京化成工業株式会社製を用いた。
化合物ＨＭ－９は、１－Ｍａｔｅｒｉａｌ社製を用いた。
化合物ＨＭ－１０は、国際公報第２００７／０５８３６８号に記載の方法に従って合成した。
化合物ＨＭ－１２は、国際公報第２０１７／１７０３２５号に記載の方法に準じて合成した。
化合物ＨＭ－１３は、国際公報第２０１７／１７０３１４号に記載の方法に従って合成した。
化合物ＨＭ－１４は、国際公報第２０１８／１９８９７５号に記載の方法に従って合成した。

　＜合成例ＨＭ－１＞　化合物ＨＭ－１の合成

　（Ｓｔａｇｅ１：化合物ＨＭ－１ａの合成）
　反応容器内を窒素雰囲気とした後、３－ブロモヨードベンゼン（３００．０ｇ）、３－ビフェニルボロン酸（２００．０ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２２．２ｇ）、炭酸カリウム（４１８．８ｇ）、イオン交換水（１６００ｍＬ）、エタノール（８００ｍＬ）、及びトルエン（１６００ｍＬ）を加え、７５℃で９時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、セライトを敷いたろ過器でろ過を行い、得られたろ液から水層を除去した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ－ヘキサン溶媒）により精製し、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＨＭ－１ａ（２７８．２ｇ）を得た。化合物ＨＭ－１ａのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

　（Ｓｔａｇｅ２：化合物ＨＭ－１ｃの合成）
　反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物ＨＭ－１ｂ（５５．０ｇ）、ビス(ピナコラト)ジボロン（３８．７ｇ）、酢酸カリウム（４０．９ｇ）、[１,１'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(ＩＩ)－ジクロロメタン付加体（３．４１ｇ）、１,２-ジメトキシエタン（８２５ｍＬ）加え、９０℃で７時間加熱攪拌した。その後、トルエンを加え、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。その後、トルエン及び活性炭を加え、室温で３０分攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮し、更にトルエン／アセトニトリルの混合溶媒で晶析することにより、化合物ＨＭ－１ｃ（５３．９ｇ）を白色固体として得た。化合物ＨＭ－１ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．８％以上であった。

（Ｓｔａｇｅ２：化合物ＨＭ－１の合成）
　反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＨＭ－１ｃ（２６．５ｇ）、化合物ＨＭ－１ａ（１８．０ｇ）、トルエン（４５０ｍＬ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．７９ｇ）、２-ジシクロヘキシルホスフィノ-２',６'-ジメトキシ-１,１'-ビフェニル（１．１９ｇ）及び２０質量％水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液（２３０ｇ）を加え、９０℃で３時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液をイオン交換水で洗浄した後、得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を、トルエン／アセトニトリルの混合溶媒で再結晶し、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＨＭ－１（２７．４ｇ）を得た。化合物ＨＭ－１のＬＣ面積百分率値は９９．９％以上であった。

　＜合成例ＨＭ－２＞　化合物ＨＭ－２の合成

　（Ｓｔａｇｅ１：化合物ＨＭ－２ｂの合成）
反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物ＨＭ－２ａ（１９．２ｇ）、及びジクロロメタン（２８５ｍＬ）を加え、０℃に冷却した。そこへ、硫酸（８．７ｇ）をゆっくりと加え、０℃で１時間撹拌した。そこに、一塩化ヨウ素（４１．４６ｇ）をジクロロメタン（９５ｍＬ）に溶解させた溶液をゆっくりと滴下し、０℃で１時間撹拌した。

　亜硫酸ナトリウム水溶液を滴下後、室温まで昇温させた。ジクロロメタンを加え、得られた有機層をイオン交換水で４回分液洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えて脱水後、濾過し、得られた溶液を減圧濃縮し、粗生成物を得た。粗生成物をメタノールで洗浄することで、化合物ＨＭ－２ｂ（２５．９ｇ）を白色固体として得た。化合物ＨＭ－２ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

　（Ｓｔａｇｅ２：化合物ＨＭ－２ｃの合成）
　反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物ＨＭ－２ｂ（２４．３３ｇ）、３－ビフェニルボロン酸（２４．７５ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（３．４４ｇ）、炭酸カリウム（４９．３５ｇ）、イオン交換水（２４３ｍＬ）、エタノール（７３ｍＬ）、及びトルエン（２４３ｍＬ）を加え、７５℃で２２時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、セライトを敷いたろ過器でろ過を行い、得られたろ液から水層を除去した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を、トルエン／エタノールの混合溶媒で再結晶し、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＨＭ－２ｃ（２２．０ｇ）を得た。化合物ＨＭ－２ｃのＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

　（Ｓｔａｇｅ３：化合物ＨＭ－２eの合成）
　反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物ＨＭ－２ｃ（１９．８２ｇ）、及びテトラヒドロフラン（２０７ｍＬ）を加え、－７０℃に冷却した。そこへ、１．０Ｍｓｅｃ－ブチルリチウムｎ－ヘキサン／シクロヘキサン溶液（４２ｍＬ）をゆっくり加え、－７０℃で１時間撹拌した。そこへ、化合物ＨＭ－２ｄ（４．１４ｇ）、及びテトラヒドロフラン（６２ｍＬ）をゆっくり滴下し、その後、－６５℃で１時間撹拌した。メタノール（１．７ｍＬ）をゆっくり加えた後、得られた反応液を室温とし、イオン交換水とトルエンを加え、水層を除去した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及びｎ－ヘキサンの混合溶媒）により精製し、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＨＭ－２e（１８．３ｇ）を得た。化合物ＨＭ－８eのＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

　（Ｓｔａｇｅ４：化合物ＨＭ－２の合成）
　反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物ＨＭ－２e（１８．２ｇ）、及びトルエン（３６４ｍＬ）を加え、０℃に冷却した。そこへ、硫酸（１．９ｇ）をゆっくりと加え、０℃で２時間撹拌した。イオン交換水をゆっくりと加え、得られた反応液を室温まで冷却した後、水層を除去した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を、トルエン／アセトニトリルの混合溶媒で再結晶し、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＨＭ－２（１５．２ｇ）を得た。化合物ＨＭ－２のＬＣ面積百分率値は９９．９％以上であった。

１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２-ｄ２，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．８４（ｄ，２Ｈ），７．７９（ｓ，２Ｈ），７．７４（ｓ，４Ｈ），７．６４（ｄ，２Ｈ），７．５８－７．３５（ｍ，４０Ｈ）.

　＜合成例ＨＭ－１１＞　化合物ＨＭ－１１の合成

　（Ｓｔａｇｅ１：化合物Xの合成）
　反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物ＨＭ－１ａ（１３８ｇ）、及びテトラヒドロフラン（１５７５ｍＬ）を加え、－７０℃に冷却した。そこへ、１．６Ｍｎ－ブチルリチウムｎ－ヘキサン溶液（１５６ｍＬ）をゆっくり加え、－７０℃で２時間撹拌した。そこへ、２，７－ジブロモフェナントレン－９，１０－ジオン（６３ｇ）を添加し、その後、－６５℃で３時間撹拌した。メタノール（６３ｍＬ）をゆっくり加えた後、得られた反応液を室温とし、イオン交換水とトルエンを加え、水層を除去した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及びｎ－ヘキサンの混合溶媒）により精製し、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物X（１０８ｇ）を得た。化合物XのＬＣ面積百分率値は９８．０％以上であった。

　（Ｓｔａｇｅ２：化合物Ｙの合成）
　反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物X（９７ｇ）、及び酢酸（１９４０ｍＬ）を加え、１１０℃に昇温した。そこへ、亜鉛粉末（５３ｇ）及び３５％塩酸水（２５ｍｌ）をゆっくりと加え、９５℃で２４時間撹拌した。イオン交換水をゆっくりと加え、得られた反応液を室温まで冷却した後、水層を除去した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及びｎ－ヘキサンの混合溶媒）及びトルエン／アセトニトリルの混合溶媒で再結晶し、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物Ｙ（３９ｇ）を得た。化合物ＹのＬＣ面積百分率値は９９．８％以上であった。

　（Ｓｔａｇｅ３：化合物ＨＭ－１１の合成）
　反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｙ（９．０ｇ）、及びテトラヒドロフラン（２７０ｍＬ）を加え、－７０℃に冷却した。そこへ、１．０Ｍｓｅｃ－ブチルリチウムｎ－ヘキサン/シクロヘキサン溶液（２３．７ｍＬ）をゆっくり加え、－７０℃で２時間撹拌した。そこへ、メタノール（１８ｍＬ）をゆっくり加えた後、得られた反応液を室温とし、イオン交換水とトルエンを加え、水層を除去した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及びｎ－ヘキサンの混合溶媒）及びトルエン／アセトニトリルの混合溶媒で再結晶し、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＨＭ－１１（５．２ｇ）を得た。化合物ＨＭ－１１のＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

　＜実施例Ｄ１＞
（陽極及び正孔注入層の形成）
　ガラス基板に、ＩＴＯ膜をスパッタ法により４５ｎｍの厚みで形成することで陽極を形成した。正孔注入材料であるＮＤ－３２０２（日産化学工業製）を陽極の上にスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で２４０℃、１５分間加熱した。これにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
　キシレンに高分子化合物ＩＰ１を０．６０質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で２００℃、３０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
　キシレンに、高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）を１．５質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により６０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１７０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。

（陰極の形成）
　発光層の形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^－４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。

（発光素子の評価）
　発光素子Ｄ１に電圧を印加することにより、４６０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。結果を表２に示す。

＜実施例Ｄ２＞　発光素子Ｄ２の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－２（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－２＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２を作製した。

　発光素子Ｄ２に電圧を印加することにより、４６０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。結果を表２に示す。

＜比較例ＣＤ１＞　発光素子ＣＤ１の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ１」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ１を作製した。

　発光素子ＣＤ１に電圧を印加することにより、４６０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。結果を表２に示す。

＜実施例Ｄ３＞　発光素子Ｄ３の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ２及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ２／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ３を作製した。

　発光素子Ｄ３に電圧を印加することにより、４５０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。結果を表２に示す。

＜実施例Ｄ４＞　発光素子Ｄ４の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ２及び化合物ＨＭ－２（高分子化合物Ｐ２／化合物ＨＭ－２＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ４を作製した。

　発光素子Ｄ４に電圧を印加することにより、４５０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。結果を表２に示す。

＜比較例ＣＤ２＞　発光素子ＣＤ２の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ２」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ２を作製した。

　発光素子ＣＤ２に電圧を印加することにより、４５０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。結果を表２に示す。

＜実施例Ｄ５＞　発光素子Ｄ５の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ２及び化合物ＨＭ－３（高分子化合物Ｐ２／化合物ＨＭ－３＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ５を作製した。

　発光素子Ｄ５に電圧を印加することにより、４５０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１００ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

＜実施例Ｄ６＞　発光素子Ｄ６の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ２及び化合物ＨＭ－４（高分子化合物Ｐ２／化合物ＨＭ－４＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ６を作製した。

　発光素子Ｄ６に電圧を印加することにより、４５０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１００ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

＜比較例ＣＤ３＞　発光素子ＣＤ３の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ２及び化合物ＨＭ－５（高分子化合物Ｐ２／化合物ＨＭ－５＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ３を作製した。

　発光素子ＣＤ３に電圧を印加することにより、４５０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１００ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

　実施例Ｄ５～Ｄ６及び比較例ＣＤ３の結果を表３に示す。表３において、駆動電圧差［Ｖ］とは、発光素子ＣＤ３の駆動電圧に対する、発光素子Ｄ５及びＤ６の駆動電圧の差を示す。

＜実施例Ｄ７＞　発光素子Ｄ７の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ２及び化合物ＨＭ－６（高分子化合物Ｐ２／化合物ＨＭ－６＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ７を作製した。

　発光素子Ｄ７に電圧を印加することにより、４５０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度２００ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

＜比較例ＣＤ４＞　発光素子ＣＤ４の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ２及び化合物ＨＭ－７（高分子化合物Ｐ２／化合物ＨＭ－７＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ４を作製した。

　発光素子ＣＤ４に電圧を印加することにより、４５０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度２００ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

　実施例Ｄ７及び比較例ＣＤ４の結果を表４に示す。表４において、駆動電圧差［Ｖ］とは、発光素子ＣＤ４の駆動電圧に対する、発光素子Ｄ７の駆動電圧の差を示す。

＜実施例Ｄ８＞　発光素子Ｄ８の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ２及び化合物ＨＭ－８（高分子化合物Ｐ２／化合物ＨＭ－８＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ８を作製した。

　発光素子Ｄ８に電圧を印加することにより、４５０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１５０ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

＜実施例Ｄ９＞　発光素子Ｄ９の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ２及び化合物ＨＭ－９（高分子化合物Ｐ２／化合物ＨＭ－９＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ９を作製した。

　発光素子Ｄ９に電圧を印加することにより、４５０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１５０ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

＜比較例ＣＤ５＞　発光素子ＣＤ５の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ２及び化合物ＨＭ－１０（高分子化合物Ｐ２／化合物ＨＭ－１０＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ５を作製した。

　発光素子ＣＤ５に電圧を印加することにより、５２０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１５０ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

　実施例Ｄ８～Ｄ９及び比較例ＣＤ５の結果を表５に示す。表５において、駆動電圧差［Ｖ］とは、発光素子ＣＤ５の駆動電圧に対する、発光素子Ｄ８及びＤ９の駆動電圧の差を示す。

＜実施例Ｄ１０＞　発光素子Ｄ１０の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ３及び化合物ＨＭ－１１（高分子化合物Ｐ３／化合物ＨＭ－１１＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１０を作製した。

　発光素子Ｄ１０に電圧を印加することにより、４７０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度７０ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

＜実施例Ｄ１１＞　発光素子Ｄ１１の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ３及び化合物ＨＭ－１２（高分子化合物Ｐ３／化合物ＨＭ－１２＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１１を作製した。

　発光素子Ｄ１１に電圧を印加することにより、４７０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度７０ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

＜実施例Ｄ１２＞　発光素子Ｄ１２の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ３及び化合物ＨＭ－１３（高分子化合物Ｐ３／化合物ＨＭ－１３＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１２を作製した。

　発光素子Ｄ１２に電圧を印加することにより、４７０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度７０ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

＜実施例Ｄ１３＞　発光素子Ｄ１３の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ３及び化合物ＨＭ－６（高分子化合物Ｐ３／化合物ＨＭ－６＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１３を作製した。

　発光素子Ｄ１３に電圧を印加することにより、４７０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度７０ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

＜実施例Ｄ１４＞　発光素子Ｄ１４の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ３及び化合物ＨＭ－１４（高分子化合物Ｐ３／化合物ＨＭ－１４＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１４を作製した。

　発光素子Ｄ１４に電圧を印加することにより、４６５ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度７０ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

＜比較例ＣＤ６＞　発光素子ＣＤ６の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ３」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ６を作製した。

　発光素子ＣＤ６に電圧を印加することにより、４６５ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度７０ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

　実施例Ｄ１０～Ｄ１４及び比較例ＣＤ６の結果を表６に示す。表６において、駆動電圧差［Ｖ］とは、発光素子ＣＤ６の駆動電圧に対する、発光素子Ｄ１０～Ｄ１４の駆動電圧の差を示す。

＜実施例Ｄ１５＞　発光素子Ｄ１５の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ４及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ４／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１５を作製した。

　発光素子Ｄ１５に電圧を印加することにより、４５０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１００ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

＜比較例ＣＤ７＞　発光素子ＣＤ７の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ４」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ７を作製した。

　発光素子ＣＤ７に電圧を印加することにより、４５０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１００ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

＜比較例ＣＤ８＞　発光素子ＣＤ８の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ５及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ５／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ８を作製した。

　発光素子ＣＤ８に電圧を印加することにより、４４５ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１００ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

　実施例Ｄ１５、比較例ＣＤ７及び比較例ＣＤ８の結果を表７に示す。表７において、駆動電圧差［Ｖ］とは、発光素子ＣＤ８の駆動電圧に対する、発光素子Ｄ１及びＣＤ７の駆動電圧の差を示す。

＜実施例Ｄ１６＞　発光素子Ｄ１６の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ６及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ６／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％））」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１６を作製した。

　発光素子Ｄ１６に電圧を印加することにより、４５０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１００ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

＜比較例ＣＤ９＞　発光素子ＣＤ９の作製と評価
　実施例Ｄ１における、「高分子化合物Ｐ１及び化合物ＨＭ－１（高分子化合物Ｐ１／化合物ＨＭ－１＝５０質量％／５０質量％）」に代えて、「高分子化合物Ｐ６」を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ９を作製した。

　発光素子ＣＤ９に電圧を印加することにより、４５０ｎｍに発光スペクトルの最大ピーク波長を有するＥＬ発光が観測された。電流密度１００ｍＡ／ｃｍ^２で定電流駆動させ、駆動電圧を測定した。

　実施例Ｄ１６及び比較例ＣＤ９の結果を表８に示す。表８において、駆動電圧差［Ｖ］とは、発光素子ＣＤ９の駆動電圧に対する、発光素子Ｄ１６の駆動電圧の差を示す。

Claims

　式（ＦＨ）で表される化合物と、ホウ素原子及び二重結合を形成していない窒素原子から選ばれる１種の原子を環内に含む縮合複素環骨格（ｂ）を有する構成単位を含む高分子化合物（Ｂ）と、を含む組成物。

［式中、
　ｎ^１Ｈは、０以上の整数を表す。
　Ａｒ^１Ｈは、多環式の芳香族炭化水素から、環を構成する原子に直接結合する水素原子ｎ^１Ｈ個を除いた基を表し、この基はアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基以外の置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
　Ｒ^１Ｈは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^１Ｈが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、前記１価の複素環基は、前記縮合複素環骨格（ｂ）とは異なる環骨格を有する。］
　式（Ｃ）で表される化合物と、ホウ素原子及び二重結合を形成していない窒素原子から選ばれる１種の原子を環内に含む縮合複素環骨格（ｂ）を有する構成単位を含む高分子化合物（Ｂ）と、を含む組成物。

［式中、
　環Ｒ^1C及び環Ｒ^2Cは、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
　Ｙ^aは、－Ｃ（Ｒ^Xa）₂－で表される基、－Ｃ（Ｒ^Xa）₂－Ｃ（Ｒ^Xa）₂－で表される基、－Ｃ（Ｒ^Xa）＝Ｃ（Ｒ^Xa）－又は式（Ｃ’）で表される基を表す。Ｒ^Xaは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。複数存在するＲ^Xaは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］

［式中、
　環Ｒ^3C及び環Ｒ^4Cは、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
　前記高分子化合物（Ｂ）が、式（１）で表される化合物の残基を有する構成単位を含む高分子化合物である、請求項１又は２に記載の組成物。

[式中、
　Ａ環、Ｂ環及びＣ環は、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
　Ｘは、ホウ素原子又は窒素原子を表す。
　Ｙ¹、Ｙ²及びＹ³は、それぞれ独立に、単結合、酸素原子、－Ｎ（Ｒｙ）－で表される基、－B（Ｒｙ）－で表される基、硫黄原子、セレン原子、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。Ｒｙは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。Ｒｙが複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。Ｒｙは、直接又は連結基を介して、前記Ａ環、前記Ｂ環又は前記Ｃ環と結合していてもよい。
　ｎ２は、０又は１である。ｎ２が０である場合、－Ｙ²－は存在しない。　
　ｎ３は、０又は１である。ｎ３が０である場合、－Ｙ³－は存在しない。]
　前記Ｙ^aが、－Ｃ（Ｒ^Xa）₂－で表される基又は式（Ｃ’）で表される基である、請求項２に記載の組成物。
　前記Ｒ^Xaが、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、これらの基は置換基を有していてもよい、請求項４に記載の組成物。
　前記Ｙ¹、前記Ｙ²及び前記Ｙ³が、酸素原子又は－Ｎ（Ｒｙ）－で表される基である、請求項３に記載の組成物。
　前記式（Ｃ）で表される化合物が、式（Ｃ－２）で表される化合物又は式（Ｃ’－２）で表される化合物である、請求項２に記載の組成物。

［式中、Ｒ^Xaは、前記と同じ意味を表す。
　Ｅ^11C、Ｅ^12C、Ｅ^13C、Ｅ^14C、Ｅ^21C、Ｅ^22C、Ｅ^23C、Ｅ^24Cは、炭素原子を表し、Ｅ^31C、Ｅ^32C、Ｅ^33C、Ｅ^34C、Ｅ^41C、Ｅ^42C、Ｅ^43C及びＥ^44Cは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。
　Ｒ^11C、Ｒ^12C、Ｒ^13C、Ｒ^14C、Ｒ^21C、Ｒ^22C、Ｒ^23C、Ｒ^24C、Ｒ^31C、Ｒ^32C、Ｒ^33C、Ｒ^34C、Ｒ^41C、Ｒ^42C、Ｒ^43C及びＲ^44Cは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ｅ^31Cが窒素原子の場合、Ｒ^31Cは存在しない。Ｅ^32Cが窒素原子の場合、Ｒ^32Cは存在しない。Ｅ^33Cが窒素原子の場合、Ｒ^33Cは存在しない。Ｅ^34Cが窒素原子の場合、Ｒ^34Cは存在しない。Ｅ^41Cが窒素原子の場合、Ｒ^41Cは存在しない。Ｅ^42Cが窒素原子の場合、Ｒ^42Cは存在しない。Ｅ^43Cが窒素原子の場合、Ｒ^43Cは存在しない。Ｅ^44Cが窒素原子の場合、Ｒ^44Cは存在しない。
　Ｒ^11CとＲ^12C、Ｒ^12CとＲ^13C、Ｒ^13CとＲ^14C、Ｒ^14CとＲ^34C、Ｒ^34CとＲ^33C、Ｒ^33CとＲ^32C、Ｒ^32CとＲ^31C、Ｒ^31CとＲ^41C、Ｒ^41CとＲ^42C、Ｒ^42CとＲ^43C、Ｒ^43CとＲ^44C、Ｒ^44CとＲ^24C、Ｒ^24CとＲ^23C、Ｒ^23CとＲ^22C、Ｒ^22CとＲ^21C、及び、Ｒ^21CとＲ^11Cは、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
　前記Ｅ^31C、前記Ｅ^32C、前記Ｅ^33C、前記Ｅ^34C、前記Ｅ^41C、前記Ｅ^42C、前記Ｅ^43C及び前記Ｅ^44Cが、炭素原子である、請求項７に記載の組成物。
　前記式（Ｃ）で表される化合物が、前記式（Ｃ－２）で表される化合物である、請求項請求項２に記載の組成物。
　前記高分子化合物（Ｂ）が、式（Ｙ）で表される構成単位を更に含む、請求項１又は２に記載の組成物。

［式中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、式（Ｙ）で表される構成単位は、前記ホウ素原子及び二重結合を形成していない窒素原子から選ばれる１種の原子を環内に含む縮合複素環骨格（ｂ）を有する構成単位とは異なる。］
　前記高分子化合物（B）が、式（Ｘ）で表される構成単位を更に含む、請求項１又は２に記載の組成物。

［式中、
　ａ^１及びａ^２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
　Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
　Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
　正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種を更に含有する、請求項１、２、４、５及び７～９のいずれか一項に記載の組成物。
　請求項１、２、４、５及び７～９のいずれか一項に記載の組成物を含有する発光素子。