TW202348781A - 組成物及使用該組成物之發光元件的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可用於發光效率優異之發光元件之製造之組成物。本發明提供一種使用該組成物而形成的發光元件的製造方法。

本發明之組成物為含有：選自由式(1)所示之金屬錯合物及包含具有自上述式(1)所示之金屬錯合物中去除1個以上的氫原子後所得之基的構成單元之高分子化合物A所成組群中的至少1種化合物A，包含式(2)所示之構成單元之高分子化合物B，以及溶劑之組成物，上述溶劑在25℃中的表面張力γ₀[mN/m]與上述溶劑含有100質量ppm的上述高分子化合物B之情形時在25℃中之表面張力γ₁₀₀[mN/m]滿足γ₀-γ₁₀₀>1.0[mN/m]。

Description

組成物及使用該組成物之發光元件的製造方法

本發明係關於組成物及使用該組成物之發光元件的製造方法。

有機電致發光元件等發光元件可適用於顯示器及照明之用途。形成發光元件之有機層的方法，就對大面積元件之製造步驟之簡化、製造成本之降低之觀點而言，較佳為使用溶劑之濕式法。例如，於專利文獻1中，作為濕式法所使用之組成物，係記載一種含有磷光發光性化合物與溶劑之組成物。又，該組成物係不含包含後述式(2)所示之構成單元的高分子化合物B之組成物。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2012-036388號公報

然而，使用上述組成物形成的發光元件的發光效率不一定充分。

因此，本發明之目的在於提供一種可用於發光效率優異之發光元件之製造中的組成物。另外，本發明之目的在於提供一種使用該組成物而形成的發光元件的製造方法。

本發明提供以下之[1]至[13]。

[1]一種組成物，其含有：選自由式(1)所示之金屬錯合物及包含具有自上述式(1)所示之金屬錯合物中去除1個以上的氫原子而成之基之構成單元的高分子化合物A所成組群中之至少1種化合物A、包含式(2)所示之構成單元的高分子化合物B、及溶劑，且上述溶劑在25℃中之表面張力γ₀[mN/m]與上述溶劑含有100質量ppm之上述高分子化合物B之情形時在25℃中之表面張力γ₁₀₀[mN/m]滿足γ₀-γ₁₀₀>1.0[mN/m]。

[式中，

M表示銠原子、鈀原子、銥原子或鉑原子。

n¹表示1以上的整數，n²表示0以上的整數。其中，M為銠原子或銥原子之情形時，n¹+n²為3，M為鈀原子或鉑原子之情形時，n¹+n²為2。

E¹及E²分別獨立地表示碳原子或氮原子。存在複數個E¹及E²之情形時，該等可分別相同亦可不同。

環L¹表示單環式之芳香族雜環，該環可具有取代基。該取代基存在複數個時，該等可相同亦可不同。存在複數個環L¹之情形時，該等環L¹可相同亦可不同。

環L²表示芳香族烴環或芳香族雜環，該等環可具有取代基。存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。存在複數個環L²之情形時，該等環L²可相同亦可不同。

環L¹可具有的取代基與環L²可具有的取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。

A¹-G¹-A²表示陰離子性的雙牙配位基。A¹及A²分別獨立地表示碳原子、氧原子或氮原子，該等原子可為構成環的原子。G¹表示單鍵、或與A¹及A²一起構成雙牙配位基的原子團。存在複數個A¹-G¹-A²之情形時，該等可相同亦可不同。]

[式中，

B¹表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、羥基烷基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環基、取代胺基或鹵素原子，該等基可具有取代基。存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。存在複數個之B¹可相同亦可不同。

s表示0以上的整數。存在複數個之s可相同亦可不同。]

[2]如[1]所述之組成物，其中相對於上述溶劑，上述高分子化合物B的含量超出0質量ppm且為1000質量ppm以下。

[3]如[1]或[2]所述之組成物，其中上述環L¹為5員環的芳香族雜環或6員環的芳香族雜環，該環可具有取代基，且上述環L²為包含5員環或6員環的芳香族烴環、或者包含5員環或6員環的芳香族雜環，該等環可具有取代基。

[4]如[1]至[3]中任一項所述之組成物，其中上述環L¹為吡啶環、二氮雜苯環、二唑環或三唑環，該等環可具有取代基，且上述環L²為苯環、吡啶環或二氮雜苯環，該等環可具有取代基。

[5]如[1]至[4]中任一項所述之組成物，其中上述環L¹為可具有取代基之吡啶環，且上述環L²為可具有取代基之苯環。

[6]如[1]至[5]中任一項所述之組成物，其中上述B¹為烷基或芳基，該等基可具有取代基。

[7]如[1]至[6]中任一項所述之組成物，其進一步含有選自由式(H-1)所示的化合物、以及包含選自由式(X)所示的構成單元及式(Y)所示的構成單元所成組群中的至少1種構成單元的高分子化合物所成組群中的至少1種化合物。

[式中，

Ar^H1及Ar^H2各自獨立地表示芳基、1價雜環基或取代胺基，該等基可具有取代基。存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。

n^H1表示0以上的整數。

L^H1表示2價基，該等基可具有取代基。存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。存在複數個L^H1之情形時，該等可相同亦可不同，該等可相互直接鍵結或隔著2價基鍵結而形成環。

Ar^H1與Ar^H2可直接鍵結或隔著2價基鍵結而形成環。L^H1與Ar^H1可直接鍵結或隔著2價基鍵結而形成環。L^H1與Ar^H2可直接鍵結或隔著2價基鍵結而形成環。]

[式中，

a^X1及a^X2分別獨立地表示0以上的整數。

Ar^X1及Ar^X3分別獨立地表示伸芳基或2價雜環基，該等基可具有取代基。存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。

Ar^X2及Ar^X4分別獨立地表示伸芳基、2價雜環基、或至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基，該等基可具有取代基。存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。存在複數個Ar^X2之情形時，該等可分別相同亦可不同。存在複數個Ar^X4之情形時，該等可分別相同亦可不同。

R^X1、R^X2及R^X3分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，該等基可具有取代基。存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。存在複數個R^X2之情形時，該等可相同亦可不同。存在複數個R^X3之情形時，該等可相同亦可不同。]

[式中，Ar^Y1表示伸芳基、2價雜環基、或至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成之2價基，該等基可具有取代基。存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。]

[8]如[1]至[7]中任一項所述之組成物，其更含有選自由電洞傳輸材料、電洞注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料、發光材料及抗氧化劑所成組群中的至少1種。

[9]如[1]至[8]中任一項所述之組成物，其中上述溶劑為芳香族烴系溶劑或芳香族醚系溶劑。

[10]如[1]至[9]中任一項所述之組成物，其中上述溶劑包含2種以上之溶劑。

[11]如[10]所述之組成物，其中上述2種以上之溶劑中之至少1種為芳香族烴系溶劑或芳香族醚系溶劑。

[12]如[10]或[11]所述之組成物，其中上述2種以上之溶劑中之至少2種為選自由芳香族烴系溶劑及芳香族醚系溶劑所成組群中之至少2種。

[13]一種發光元件之製造方法，該發光元件具有陽極、陰極、及設置於上述陽極與上述陰極之間的1層或複數層之有機層，該製造方法係包含使用如[1]或[12]所述之組成物藉由濕式法來形成上述有機層的至少1層之步驟。

根據本發明，可提供一種可用於發光效率優異之發光元件之製造的組成物。另外，根據本發明，可提供一種使用該組成物而形成的發光元件的製造方法。

以下，詳細說明本發明之較佳實施形態。

<共同術語之說明>

除非另有說明，本說明書中常用之術語具有以下含義。

Me表示甲基，Et表示乙基，Bu表示丁基，i-Pr表示異丙基，t-Bu表示第三丁基。

氫原子可為氘原子，亦可為氕原子。

呈示金屬錯合物的式中，表示與中心金屬的鍵之實線是指離子鍵、共價鍵或配位鍵。

所謂「低分子化合物」，意指不具有分子量分佈且分子量為1×10⁴以下之化合物。

所謂「高分子化合物」，意指具有分子量分佈且聚苯乙烯換算之數量平均分子量為1×10³至1×10⁸之聚合物。

高分子化合物可為嵌段共聚物、無規共聚物、交替共聚物、接枝共聚物之任一者，亦可為其他態樣。

高分子化合物之末端基係將高分子化合物用於發光元件之情形時，由於發光元件之發光特性優異，故較佳為穩定之基。作為高分子化合物之末 端基，較佳為與高分子化合物之主鏈共軛鍵結之基，可列舉例如：經由碳-碳鍵而與高分子化合物之主鏈鍵結之芳基或1價雜環基。

「構成單元」係指高分子化合物中存在1個以上之單元之意。高分子化合物中存在2個以上之構成單元，一般亦稱為「重複單位」。

「烷基」可為直鏈及分支的任一種。直鏈之烷基之碳原子數不包含取代基之碳原子數，通常為1至50，較佳為1至30，更佳為1至20，又更佳為1至10。分支之烷基之碳原子數不包含取代基之碳原子數，通常為3至50，較佳為3至30，更佳為4至20，又更佳為4至10。

烷基可具有取代基。作為烷基，可列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、2-丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3,7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基癸基、十二烷基及，該等基中氫原子之一部分或全部經取代基取代之基(例如三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯基丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3,5-二-己基苯基)丙基及6-乙基氧基己基)。

「環烷基」之碳原子數不包含取代基之碳原子數，通常為3至50，較佳為3至30，更佳為4至20，又更佳為4至10。

環烷基可具有取代基。作為環烷基，可列舉例如：環己基、甲基環己基、乙基環己基、及該等基中的氫原子的一部分或全部經取代基取代的基。

「芳基」意指自芳香族烴中去除1個直接鍵結於構成環之碳原子之氫原子之剩餘原子團。芳基之碳原子數不包含取代基之碳原子數，通常為6至60，較佳為6至40，更佳為6至20，又更佳為6至10。

芳基可具有取代基。作為芳基，可列舉例如：苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-茀基、3-茀基、4-茀基、2-苯基苯基、3-苯基苯基、4-苯基苯基、及該等基中的氫原子的一部分或全部經取代基取代的基。

「烷氧基」可為直鏈及分支的任一種。直鏈之烷氧基之碳原子數不包含取代基之碳原子數，通常為1至50，較佳為1至20，更佳為1至10。分支之烷氧基之碳原子數不包含取代基之碳原子數，通常為3至50，較佳為4至20，更佳為4至10。

烷氧基可具有取代基。作為烷氧基，可列舉例如：甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、月桂氧基、及該等基中的氫原子的一部分或全部經取代基取代的基。

「環烷氧基」之碳原子數不包含取代基之碳原子數，通常為3至40，較佳為4至10。

環烷氧基可具有取代基。作為環烷氧基，可列舉例如：環己氧基、及該基中之氫原子之一部分或全部經取代基取代之基。

「芳氧基」之碳原子數不包含取代基之碳原子數，通常為6至60，較佳為6至40，更佳為6至20，又更佳為6至10。

芳氧基可具有取代基。作為芳氧基，可列舉例如：苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1-蒽氧基、9-蒽氧基、1-芘氧基、及該等基中之氫原子之一部分或全部經取代基取代之基。

所謂「p價雜環基」(p表示1以上的整數。)，意指自雜環式化合物中去除直接鍵結於構成環之碳原子或雜原子之氫原子中之p個氫原子後剩餘之原子團。p價雜環基之中，較佳為自芳香族雜環式化合物中直接鍵結於構成環之碳原子或雜原子之氫原子中去除p個氫原子後之剩餘原子團，亦即「p價芳香族雜環基」。

「芳香族雜環式化合物」為

二唑、噻二唑、噻唑、

唑、噻吩、吡咯、磷雜環戊二烯、呋喃、吡啶、吡

、嘧啶、三

、嗒

、喹啉、異喹啉、咔唑、二苯并磷雜環戊二烯等雜環本身顯示芳香族性的化合物，及啡

、啡噻

、二苯并硼雜環戊二烯、二苯并矽雜環戊二烯，苯并吡喃等之雜環本身即使不顯示芳香族性，亦有芳香環稠合而成之化合物。

1價雜環基之碳原子數不包含取代基之碳原子數，通常為1至60，較佳為2至40，更佳為3至20。1價雜環基之雜原子數不包含取代基之雜原子數，通常為1至30，較佳為1至10，更佳為1至5，又更佳為1至3。

1價雜環基可具有取代基。作為1價雜環基，可列舉例如：噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基、嘧啶基、三

基、及該等基中的氫原子的一部分或全部經取代基取代的基。

所謂「鹵素原子」表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。

「胺基」可具有取代基，較佳為取代胺基。作為胺基所具有之取代基，較佳為烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，該等基可進一步具有取代基。

取代胺基可進一步具有取代基。作為取代胺基，可列舉例如：二烷基胺基、二環烷基胺基、二芳基胺基、及該等基中之氫原子之一部分或全部經取代基取代之基。

作為胺基及取代胺基，可列舉例如：二甲基胺基、二乙基胺基、二苯基胺基、雙(4-甲基苯基)胺基、雙(4-第三丁基苯基)胺基、雙(3,5-二-第三丁基苯基)胺基、及該等基中之氫原子之一部分或全部經取代基取代之基。

「烯基」可為直鏈及分支的任一種。直鏈之烯基之碳原子數不包含取代基之碳原子數，通常為2至50，較佳為2至20，更佳為2至10。分支之烯基之碳原子數不包含取代基之碳原子數，通常為3至50，較佳為4至20，更佳為4至10。

「環烯基」之碳原子數不包含取代基之碳原子數，通常為3至30，較佳為4至20，更佳為4至10。

烯基及環烯基可具有取代基。作為烯基及環烯基，可列舉例如：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、5-己烯基、7-辛烯基、及該等基中之氫原子之一部分或全部經取代基取代之基。

「炔基」可為直鏈及分支的任一種。炔基之碳原子數不包含取代基之碳原子，通常為2至50，較佳為3至20，更佳為3至10。分支之炔基之碳原子數不含取代基之碳原子，通常為4至30，較佳為4至20，更佳為4至10。

「環炔基」之碳原子數不包含取代基之碳原子，通常為4至50，較佳為5至20，更佳為6至10。

炔基及環炔基可具有取代基。作為炔基及環炔基，可列舉例如：乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、5-己炔基、及該等基中之氫原子之一部分或全部經取代基取代之基。

「伸芳基」意指自芳香族烴中去除2個直接鍵結於構成環之碳原子之氫原子後之剩餘原子團。伸芳基之碳原子數不包含取代基之碳原子數，通常為6至60，較佳為6至40，更佳為6至20。

伸芳基可具有取代基。作為伸芳基，可列舉例如：伸苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氫菲二基、稠四苯二基、茀二基、芘二基、苝二基、

二基、及該等基中的氫原子的一部分或全部經取代基取代的基，較佳為式(A-1)至式(A-20)所示的基。伸芳基包含複數個該等基鍵結而成的基。

[式中，R及R^a分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環基、取代胺基或氟原子，該等基可具有取代基。存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。存在複數個的R可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。存在複數個的R^a可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。]

2價雜環基之碳原子數不包含取代基之碳原子數，通常為1至60，較佳為2至40，更佳為3至20。2價雜環基之雜原子數不包含取代基之雜原子數，通常為1至30，較佳為1至10，更佳為1至5，又更佳為1至3。

2價雜環基可具有取代基。作為2價雜環基，可列舉例如：可自吡啶、二氮雜苯、三

、氮雜萘、二氮雜萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并矽雜環戊二烯、吩

、吩噻

、吖啶、二氫吖啶、二氫吩

、呋喃、噻吩、唑、二唑、三唑，中去除2個直接鍵結於構成環之碳原子或雜原子之氫原子中的氫原子之2價基、及該基中之氫原子之一部分或全部經取代基取代之2價基，較佳為式(AA-1)至式(AA-34)所示之基。2價雜環基包含複數個該等基鍵結而成的基。

[式中，R及R^a表示與上述相同之含義。]

所謂「交聯基」，是指可藉由供於加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可見光照射、紅外線照射、自由基反應等而生成新的鍵結之基。 作為交聯基，較佳為式(XL-1)至式(XL-19)之任一者所示之基。交聯基可具有取代基。

[式中，R^XL表示亞甲基、氧原子或硫原子，n^XL表示0至5之整數。存在複數個R^XL之情形時，該等可相同亦可不同。存在複數個之n^XL可相同亦可不同。＊1表示鍵結位置。該等交聯基可具有取代基。存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。]

作為「取代基」，可列舉例如：鹵素原子、氰基、烷基、環烷基、芳基、1價雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基、取代胺基、烯基、環烯基、炔基及環炔基。取代基可為交聯基。再者，存在複數個取代基之情形時，該等取代基可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環，但較佳為不形成環。

<本實施形態之組成物>

本實施形態之組成物係含有：選自由式(1)所示之金屬錯合物及包含具有自上述式(1)所示之金屬錯合物中去除1個以上的氫原子所得之基之構成 單元的高分子化合物A所成組群中之至少1種化合物A(以下，亦稱為「化合物A」。)、包含式(2)所示之構成單元之高分子化合物B及溶劑之組成物。又，本實施形態之組成物，上述溶劑在25℃中之表面張力γ₀[mN/m]，與上述溶劑含有100質量ppm之上述高分子化合物B之情形時在25℃中之表面張力γ₁₀₀[mN/m]滿足γ₀-γ₁₀₀>1.0[mN/m]。由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而γ₀-γ₁₀₀較佳為1.5至15.0[mN/m]，更佳為2.0至14.0[mN/m]，又更佳為2.5至13.0[mN/m]，特佳為3.0至12.0[mN/m]。

於本實施形態之組成物中，化合物A、高分子化合物B、及溶劑不同。

本實施形態的組成物可分別僅含有1種化合物A、高分子化合物B及溶劑，亦可含有2種以上。

本實施形態之組成物例如可適用作為發光元件用組成物。使用本實施形態的組成物而形成的發光元件(以下，亦稱為「本實施形態之發光元件」。)的發光效率更為優異。

本實施形態之組成物中，化合物A、高分子化合物B及溶劑之合計含量只要為可發揮作為組成物(例如為發光元件用組成物，以下相同。)之功能之範圍即可。於本實施形態之組成物中，化合物A、高分子化合物B及溶劑之合計含量例如以組成物之總量基準計可為1至100質量%，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故較佳為10至100質量%，更佳為30至100質量%，又更佳為50至100質量%，特佳為70至100質量%，最佳為90至100質量%。

於本實施形態之組成物中，高分子化合物B之含量只要為發揮作為組成物之功能之範圍即可。於本實施形態之組成物中，相對於溶劑之含量，高分子化合物B之含量例如可為超出0質量ppm且在100質量%以下，可為超出0質量ppm且在50質量%以下，可為超出0質量ppm且在10質量%以下，亦可為超出0質量ppm且在1質量%以下，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為超出0質量ppm且在5000質量ppm以下，更佳為超出0質量ppm且在1000質量ppm以下，又更佳為0.01質量ppm以上1000質量ppm以下，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為0.1質量ppm以上1000質量ppm以下，更佳為0.5質量ppm以上1000質量ppm以下，又更佳為1質量ppm以上且未達1000質量ppm，特佳為5質量ppm以上500質量ppm以下，最佳為10質量ppm以且100質量ppm以下。

於本實施形態的組成物中，由於本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此化合物A的含量較佳為多於高分子化合物B的含量。於本實施形態的組成物中，由於本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此溶劑的含量較佳為多於化合物A的含量。於本實施形態的組成物中，由於本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此較佳為化合物A的含量多於高分子化合物B的含量，且溶劑的含量多於化合物A的含量。

<化合物A>

化合物A係式(1)所示之金屬錯合物或高分子化合物A。由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而化合物A較佳為式(1)所示之金屬錯合物。

[式(1)所示之金屬錯合物]

式(1)所示的金屬錯合物較佳為低分子化合物。

式(1)所示之金屬錯合物之分子量較佳為3×10²至1×10⁴，更佳為5×10²至7×10³，又更佳為7×10²至5×10³，特佳為1×10³至3×10³。

由於本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，故M較佳為銥原子或鉑原子，更佳為銥原子。

M為銠原子或銥原子之情形時，n¹較佳為2或3，更佳為3。

M為鈀原子或鉑原子時，n¹較佳為2。

E¹及E²之至少一者較佳為碳原子，E¹及E²更佳為碳原子。

由於可容易地合成式(1)所示之金屬錯合物，故而E¹與E²較佳為相同。又，由於可容易地合成式(1)所示之金屬錯合物，故而存在複數個E¹之情形時，較佳為存在複數個之E¹中之至少2個相同，更佳為存在複數個之E¹全部相同。又，由於可容易地合成式(1)所示之金屬錯合物，故而存在複數個E²之情形時，較佳為存在複數個之E²中之至少2個相同，更佳為存在複數個之E2全部相同。

環L¹中之單環式之芳香族雜環之碳原子數不包含取代基之碳原子數，較佳為1至10，更佳為2至5，又更佳為3至5，特佳為5。環L¹中之單環式之芳香族雜環之雜原子數不包含取代基之雜原子數，較佳為1至10，更佳為1至5，又更佳為1至3，特佳為1。

作為環L¹，可列舉例如：於芳香族雜環中於環內含有1個以上氮原子之單環式芳香族雜環，該芳香族雜環可具有取代基。其中，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而環L¹較佳為5員環之芳香族雜環或6員環之芳香族雜環，更佳為環內含有2個以上4個以下之氮原子之5員環之芳香族雜環、或環內含有1個以上4個以下之氮原子之6員環之芳香族雜環，又更佳為環內含有2個或3個氮原子之5員環之芳香族雜環、或，環內含有1個或2個氮原子之6員環之芳香族雜環，特佳為環內含有1個或2個氮原子之6員環之芳香族雜環，該等環可具有取代基。其中，環L¹為6員環的芳香族雜環之情形時，E¹較佳為碳原子。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而環L¹較佳為吡啶環、二氮雜苯環、三唑環或二唑環，更佳為吡啶環或二氮雜苯環，又更佳為吡啶環，該等環可具有取代基。

由於可容易地合成式(1)所示之金屬錯合物，故而存在複數個環L¹之情形時，較佳為存在複數個之環L¹中之至少2個相同，更佳為存在複數個之環L¹全部相同。

環L²中之芳香族烴環之碳原子數不包含取代基之碳原子數，較佳為6至60，更佳為6至40，又更佳為6至20。

作為環L²中之芳香族烴環，較佳為包含5員環或6員環之芳香族烴環，該等芳香族烴環可具有取代基。其中，環L²中之芳香族烴環由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為單環式、2環式或3環式之芳香族烴環(較佳為包含5員環或6員環之芳香族烴環)，更佳為苯環、 萘環、茀環、菲環或二氫菲環，又更佳為苯環或茀環，特佳為苯環，該等環亦可具有取代基。

環L²中之芳香族雜環之碳原子數不包含取代基之碳原子數，較佳為1至60，更佳為2至40，又更佳為3至20。環L²中之芳香族雜環之雜原子數不包含取代基之雜原子數，較佳為1至10，更佳為1至5，又更佳為1至3。

作為環L²中之芳香族雜環，較佳為包含5員環或6員環之芳香族雜環，該等芳香族雜環可具有取代基。其中，環L²中的芳香族雜環由於本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此較佳為單環式、2環式或3環式的芳香族雜環(較佳為包含5員環或6員環的芳香族雜環)，更佳為吡啶環、二氮雜苯環、氮雜萘環、二氮雜萘環、吲哚環、苯并呋喃環、苯并噻吩環、咔唑環、氮雜咔唑環、二氮雜咔唑環，二苯并呋喃環或二苯并噻吩環，更佳為吡啶環、二氮雜苯環、咔唑環、二苯并呋喃環或二苯并噻吩環，特佳為吡啶環或二氮雜苯環，該等環可具有取代基。

環L²由於本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，故較佳為單環式、2環式或3環式的芳香族烴環(較佳為包含5員環或6員環的芳香族烴環)、或者單環式、二2式或3環式的芳香族雜環(較佳為包含5員環或6員環的芳香族雜環)，更佳為苯環、茀環、吡啶環、二氮雜苯環、咔唑環、二苯并呋喃環或二苯并噻吩環，又更佳為苯環、吡啶環或二氮雜苯環，特佳為苯環，該等環可具有取代基。

由於可容易地合成式(1)所示之金屬錯合物，故而存在複數個環L²之情形時，較佳為存在複數個之環L²中之至少2個相同，更佳為存在複數個之環L²全部相同。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳係環L¹為5員環之芳香族雜環或6員環之芳香族雜環，且環L²為包含5員環或6員環之芳香族烴環(較佳為單環式、2環式或3環式之芳香族烴環)、或包含5員環或6員環之芳香族雜環(較佳為單環式、2環式或3環式之芳香族雜環)，更佳係環L¹為吡啶環、二氮雜苯環、二唑環或三唑環，且環L²為苯環、茀環、吡啶環、二氮雜苯環、咔唑環、二苯并呋喃環或二苯并噻吩環，又更佳係環L¹為吡啶環或二氮雜苯環，且環L²為苯環、茀環、吡啶環、二氮雜苯環、咔唑環、二苯并呋喃環或二苯并噻吩環，特佳係環L¹為吡啶環或二氮雜苯環，且環L²為苯環、吡啶環或二氮雜苯環，最佳係環L¹為吡啶環，且環L²為苯環，該等環可具有取代基。

作為環L¹及環L²可具有之取代基(以下，亦稱為「一次取代基」。)，較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環基、取代胺基或氟原子，更佳為烷基、環烷基、芳基、1價雜環基或取代胺基，又更佳為烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，特佳為烷基、環烷基或芳基，該等基可進一步具有取代基(以下，亦稱為「二次取代基」。)。

環L¹及環L²中的至少1個由於本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此較佳為具有一次取代基。

式(1)所示的金屬錯合物中，於環L¹及環L²中的至少1個具有一次取代基，且存在複數個環L¹及環L²之情形時，只要存在複數個的環L¹及環 L²中的至少1個環具有一次取代基即可，但本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此較佳為存在複數個的環L¹及環L²中的至少2個具有一次取代基，更佳為存在複數個的環L¹及環L²中的至少3個具有一次取代基。另外，式(1)所示的金屬錯合物中，於環L¹及環L²中的至少1個具有一次取代基，且存在複數個環L¹及環L²之情形時，由於本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此較佳為存在複數個的環L¹中的至少2個具有一次取代基，或存在複數個的環L²中的至少2個具有一次取代基，更佳係存在複數個的環L¹全部具有一次取代基，或，存在複數個的環L²全部具有一次取代基，又更佳為存在複數個的環L²全部具有一次取代基。

式(1)所示的金屬錯合物中，環L¹及環L²中的至少1個具有一次取代基之情形時，環L¹及環L²中的至少1個所具有的一次取代基的個數通常為1個至10個，可容易地合成式(1)所示的金屬錯合物，且本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此較佳為1個至5個，更佳為1個至3個，進而佳為1個或2個，特佳為1個。

式(1)所示之金屬錯合物中，環L¹及環L²中之至少1個具有一次取代基，且M為銠原子或銥原子之情形時，環L¹及環L²所具有之一次取代基之合計個數通常為1個至30個，可容易地合成式(1)所示之金屬錯合物，且本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，因此較佳為1個至18個，更佳為2個至12個，又更佳為3個至6個，特佳為3個。

於式(1)所示之金屬錯合物中，環L¹及環L²中之至少1個具有一次取代基且M為鈀原子或鉑原子之情形時，環L¹及環L²所具有之一次取代基之合計個數通常為1個至20個，可容易地合成式(1)所示之金屬錯合物， 且本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，因此較佳為1個至12個，更佳為1個至8個，又更佳為2個至4個，特佳為2個。

作為一次取代基中之芳基，較佳為自單環式、2環式或3環式之芳香族烴中去除1個直接鍵結於構成環之碳原子之氫原子而成之基，更佳為苯基、萘基或茀基，又更佳為苯基，該等基可具有取代基。

作為一次取代基中的1價雜環基，較佳為自單環式、2環式或3環式的雜環式化合物中去除1個直接鍵結於構成環的碳原子或雜原子的氫原子而成的基，更佳為自吡啶環、二氮雜苯環、三

環、氮雜萘環、二氮雜萘環、咔唑環、二苯并呋喃環或二苯并噻吩環中去除1個直接鍵結於構成環的碳原子或雜原子之氫原子而成的基，更佳為自吡啶環、二氮雜苯環或三

環中去除1個直接鍵結於構成環的碳原子之氫原子而成的基，該等基可具有取代基。

一次取代基中的取代胺基中，作為胺基所具有的取代基，較佳為芳基或1價雜環基，更佳為芳基，該等基可更具有取代基。胺基所具有的取代基中的芳基及1價雜環基之例及較佳範圍分別與一次取代基中的芳基及1價雜環基之例及較佳範圍相同。

二次取代基(一次取代基可進一步具有的取代基)之例及較佳範圍與一次取代基之例及較佳範圍相同。

二次取代基可進一步具有取代基(以下，亦稱為「三次取代基」。)。三次取代基(二次取代基可進一步具有的取代基)之例及較佳範圍與一次取代基之例及較佳範圍相同。

三次取代基可進一步具有取代基(以下，亦稱為「四次取代基」。)。作為四次取代基(三次取代基可進一步具有之取代基)，較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環基、取代胺基或氟原子，更佳為烷基、環烷基、芳基、1價雜環基或取代胺基，又更佳為烷基、環烷基或芳基，特佳為烷基或環烷基，該等基可進一步具有取代基，但由於可容易地合成式(1)所示之金屬錯合物，故而較佳為進而不具有取代基者。

二次取代基、三次取代基及四次取代基中的芳基、1價雜環基及取代胺基之例及較佳範圍分別與一次取代基中的芳基、1價雜環基及取代胺基之例及較佳範圍相同。

(陰離子性雙牙配位基)

作為A¹-G¹-A²所示之陰離子性的雙牙配位基，可列舉例如下述式所示之配位基。其中，A¹-G¹-A²所示之陰離子性之雙牙配位基與以下標n¹定義其數量之配位基不同。

[式中，＊表示與M鍵結之部位。1

作為式(1)所示之金屬錯合物，例如可例示以下所示之金屬錯合物。

本實施形態之組成物中，式(1)所示之金屬錯合物之含量只要為發揮作為組成物之功能之範圍即可。本實施形態之組成物中，相對於溶劑之含量，式(1)所示之金屬錯合物之含量例如可為超出0質量ppm且在100質量%以下，可為1質量ppm以上100質量%以下，可為10質量ppm以上100質量%以下，亦可為50質量ppm以上50質量%以下，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為100質量ppm以上30質量%以下，更佳為500質量ppm以上10質量%以下，又更佳為1000質量ppm以上5質量%以下，特佳為2000質量ppm以上2質量%以下，最佳為5000質量ppm以上1質量%以下。

[高分子化合物A]

高分子化合物A係包含具有自式(1)所示之金屬錯合物中去除1個以上氫原子所得之基的構成單元(以下，亦稱為「構成單元A」。)之高分子化合物。高分子化合物A較佳為不含式(2)所示的構成單元的高分子化合物。

因高分子化合物A之合成容易，故構成單元A較佳為具有自式(1)所示之金屬錯合物中去除1個以上5個以下之氫原子之基之構成單元，更佳為具有自式(1)所示之金屬錯合物中去除1個以上3個以下之氫原子之基之構成單元，又更佳為具有自式(1)所示之金屬錯合物中去除1個或2個氫原子之基之構成單元。

由於高分子化合物A之合成容易，且本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故構成單元A較佳為式(AP-1)、式(AP-2)或式(AP-3)所示之構成單元，更佳為式(AP-1)或式(AP-2)所示之構成單元。

[式中，

M^AP1表示自式(1)所示的金屬錯合物中去除1個氫原子而成的基。

M^AP2表示自式(1)所示的金屬錯合物中去除2個氫原子而成的基。

M^AP3表示自式(1)所示的金屬錯合物中去除3個氫原子而成的基。

L^AP1分別獨立地表示伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價雜環基、-N(R^AP1)-所示之基、氧原子或硫原子，該等基可具有取代基。存在複數個該取代基 之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。R^AP1表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，該等基可具有取代基。存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。存在複數個L^AP1之情形時，該等可分別相同亦可不同。

n^AP1表示0以上且10以下之整數。

Ar^AP1表示烴基或雜環基，該等基可具有取代基。存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。]

L^AP1較佳為伸烷基、伸環烷基、伸芳基或2價雜環基，更佳為伸烷基或伸芳基，又更佳為伸芳基，該等基可具有取代基。

L^AP1中的伸芳基及2價雜環基之例及較佳範圍分別與後述Ar^Y1中的伸芳基及2價雜環基之例及較佳範圍相同。

作為L^AP1中之伸烷基，較佳為亞甲基、伸乙基或伸丙基，更佳為亞甲基，該等基可具有取代基。

R^AP1之例及較佳範圍與後述R^X1至R^X3之例及較佳範圍相同。

n^AP1較佳為0至5之整數，較佳為0至3之整數，更佳為0或1，又更佳為0。

作為Ar^AP1中之烴基，可列舉如：可具有取代基之芳香族烴基及可具有取代基之脂肪族烴基。Ar^AP1中的烴基包含複數個該等基鍵結而成的基。

Ar^AP1中，脂肪族烴基，可列舉例如：自伸烷基或伸環烷基中去除n^AP1個氫原子而成之基，較佳為自伸烷基中去除n^AP1個氫原子而成之基，該等基可具有取代基。作為該伸烷基之例及較佳的範圍，可列舉如：後述L^H1中的伸烷基之例及較佳範圍。

Ar^AP1中，作為芳香族烴基係可列舉如：自伸芳基中去除n^AP1個氫原子而成之基，該基可具有取代基。作為該伸芳基之例及較佳範圍，可列舉如：後述Ar^Y1中的伸芳基之例及較佳範圍。

作為Ar^AP1中之雜環基係可列舉如：自2價雜環基中去除n^AP1個氫原子而成之基，該基可具有取代基。作為該2價雜環基之例及較佳範圍，可列舉如：下述Ar^Y1中之2價雜環基之例及較佳範圍。

L^AP1及Ar^AP1可具有的取代基之例及較佳例與後述Ar^Y1所示之基可具有的取代基之例及較佳範圍相同。

作為構成單元A，可列舉例如下述式所示之構成單元。下述式之＊部表示與構成高分子化合物A之其他結構之鍵結部位。

[式中，

Z²表示-CH=所示之基或-N=所示之基。存在複數個Z²之情形時，該等可相同亦可不同。

R^A表示氫原子或一次取代基。存在複數個R^A之情形時，該等可相同亦可不同。]

高分子化合物A中所含的構成單元A的含量只要為發揮作為高分子化合物A的功能的範圍即可。高分子化合物A中所含之構成單元A之含量相對於高分子化合物A中所含之構成單元之合計含量，例如為0.01至100莫耳%，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為0.1至99莫耳%，更佳為0.5至90莫耳%，又更佳為1至70莫耳%，特佳為5至50莫耳%，最佳為10至30莫耳%。高分子化合物A中可僅含有1種構成單元A，亦可含有2種以上。

(其他構成單元)

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而高分子化合物A較佳為進一步包含選自由下述式(X)所示之構成單元及下述式(Y)所示之構成單元所成組群中之至少1種構成單元。亦即，高分子化合物A較佳為包含選自由後述的式(X)所示的構成單元及後述的式(Y)所示的構成單元所成組群中的至少1種構成單元、與構成單元A的高分子化合物。

高分子化合物A包含選自由後述式(X)所示的構成單元及後述式(Y)所示的構成單元所成組群中的至少1種構成單元、及構成單元A之情形時，較佳為構成單元A與後述式(X)所示的構成單元及後述式(Y)所示的構成單元不同。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳高分子化合物A為進一步包含下述式(Y)所示之構成單元。

由於高分子化合物A之電洞傳輸性優異，且本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而高分子化合物A較佳為進一步包含下述式(X)所示之構成單元。

由於高分子化合物A之電洞傳輸性優異，且本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而高分子化合物A較佳為進一步包含下述式(X)所示之構成單元及下述式(Y)所示之構成單元。

高分子化合物A包含後述式(X)所示之構成單元時，後述式(X)所示之構成單元的含量只要為發揮作為高分子化合物A之功能之範圍即可。高分子化合物A包含下述式(X)所示之構成單元之情形時，相對於高分子化合物A中所含之構成單元之合計含量，下述式(X)所示之構成單元之含量例如為0.01至99.9莫耳%，高分子化合物B之電洞傳輸性優異，且本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，因此較佳為0.05至90莫耳%，更佳為0.1至70莫耳%，又更佳為0.2至50莫耳%，特佳為0.5至30莫耳%，最佳為1至10莫耳%。

式(X)所示之構成單元於高分子化合物A中可僅包含1種，亦可包含2種以上。

高分子化合物A包含式(Y)所示之構成單元時，式(Y)所示之構成單元的含量只要為發揮作為高分子化合物A之功能之範圍即可。高分子化合物A包含式(Y)所示之構成單元之情形時，相對於高分子化合物A中所含之構成單元之合計含量，式(Y)所示之構成單元之含量例如為0.1至 99.99莫耳%，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為1至99.9莫耳%，更佳為10至99.5莫耳%，又更佳為30至99莫耳%，特佳為50至95莫耳%，最佳為70至90莫耳%。

式(Y)所示之構成單元於高分子化合物A中可僅包含1種，亦可包含2種以上。

高分子化合物A包含式(X)所示之構成單元及/或式(Y)所示之構成單元、以及構成單元A時，式(X)所示之構成單元、式(Y)所示之構成單元及構成單元A的合計含量只要為發揮作為高分子化合物A之功能之範圍即可。高分子化合物A包含式(X)所示之構成單元及/或式(Y)所示之構成單元、以及構成單元A之情形時，式(X)所示之構成單元、相對於高分子化合物A中所含之構成單元之合計含量，式(Y)所示之構成單元及構成單元A之合計含量例如為1至100莫耳%，高分子化合物A之電洞傳輸性優異，且本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，因此較佳為10至100莫耳%，更佳為30至100莫耳%，又更佳為50至100莫耳%，特佳為70至100莫耳%，最佳為90至100莫耳%。

‧式(Y)所示之構成單元

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而Ar^Y1所示之伸芳基較佳為伸苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氫菲二基、茀二基或芘二基，更佳為伸苯基、菲二基、二氫菲二基或茀二基，該等基可具有取代基。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而Ar^Y1所示之伸芳基較佳為式(A-1)至式(A-14)、式(A-19)或式(A-20)所示之基，更佳為式 (A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)至式(A-11)、式(A-13)或式(A-19)所示之基，又更佳為式(A-1)、式(A-7)、式(A-9)或式(A-19)所示之基。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而Ar^Y1所示之2價雜環基較佳為自吡啶、二氮雜苯、三

、氮雜萘、二氮雜萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、啡

、啡噻

、9，10-二氫吖啶或5,10-二氫啡

中去除2個直接鍵結於構成環之原子之氫原子而成之基，更佳為自吡啶、二氮雜苯、三

、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、啡

或啡噻

中去除2個直接鍵結於構成環的原子的氫原子而成的基，該等基可具有取代基。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而Ar^Y1所示之2價雜環基較佳為式(AA-1)至式(AA-15)、式(AA-18)至式(AA-22)、式(AA-33)或式(AA-34)所示之基，更佳為式(AA-1)至式(AA-6)、式(AA-10)至式(AA-15)或式(AA-18)至式(AA-22)，又更佳為式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-13)、式(AA-15)，式(AA-18)或式(AA-20)所示之基，特佳為式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-18)或式(AA-20)所示之基。

Ar^Y1所示之至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基中的伸芳基及2價雜環基的較佳範圍分別與Ar^Y1所示之伸芳基及2價雜環基的較佳範圍相同。

於Ar^Y1中，作為「至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成之2價基」，可列舉例如下述式所示之基，該等基可具有取代基。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而Ar^Y1較佳為可具有取代基之伸芳基。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而Ar^Y1所示之基可具有之取代基較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環基、取代胺基或氟原子，更佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、1價雜環基或取代胺基，又更佳為，烷基、環烷基、芳基、1價雜環基或取代胺基，特佳為烷基、環烷基或芳基，此等基可進一步具有取代基。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而Ar^Y1所示之基可具有之取代基中之芳基較佳為自苯、萘、蒽、菲、二氫菲或茀中去除1個直接鍵結於構成環之原子之氫原子而成之基，更佳為自苯、菲、二氫菲或茀中去除1個直接鍵結於構成環之原子之氫原子之基，又更佳為苯基，該等基可進一步具有取代基。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而Ar^Y1所示之基可具有之取代基中之1價雜環基較佳為自吡啶、二氮雜苯、三

、氮雜萘、二氮雜萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、啡

、啡噻

、9,10-二氫吖啶或5,10-二氫啡

中去除1個直接鍵結於構成環之原子之氫原子而成之基，更佳為自吡啶、二氮雜苯、三

、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、啡

或啡噻

中去除1個直接鍵結於構成環的原子的氫原子而成的基， 又更佳為自吡啶、二氮雜苯或三

中去除1個直接鍵結於構成環的原子的氫原子而成的基，該等基可進一步具有取代基。

於Ar^Y1所示之基可具有之取代基的取代胺基中，作為胺基所具有之取代基，較佳為芳基或1價雜環基，更佳為芳基，該等基可進一步具有取代基。胺基所具有的取代基中的芳基及1價雜環基之例及較佳範圍分別與Ar^Y1所示之基可具有的取代基中的芳基及1價雜環基之例及較佳範圍相同。

作為Ar^Y1所示之基可具有之取代基可進一步具有之取代基，較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環基、取代胺基或氟原子，更佳為烷基、環烷基、芳基、1價雜環基或取代胺基，又更佳為烷基、環烷基或芳基，特佳為烷基或環烷基，該等基可進一步具有取代基，較佳為進而不具有取代基。

Ar^Y1所示之基可具有之取代基可進而具有之取代基中之芳基、1價雜環基及取代胺基之例及較佳之範圍分別與Ar^Y1所示之基可具有之取代基中之芳基、1價雜環基及取代胺基之例及較佳之範圍相同。

作為式(Y)所示之構成單元，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為包含式(Y-1)或式(Y-2)所示之構成單元，更佳為式(Y-2)所示之構成單元。

[式中，

R^Y1表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環基、取代胺基或氟原子，該等基可具有取代基。存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。存在複數個的R^Y1可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的碳原子一起形成環。

X^Y1表示-C(R^Y2)₂-、-C(R^Y2)=C(R^Y2)-或-C(R^Y2)₂-C(R^Y2)₂-所示之基。R^Y2表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環基、取代胺基或氟原子，該等基可具有取代基。存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。存在複數個的R^Y2可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的碳原子一起形成環。]

R^Y1較佳為氫原子、烷基、環烷基、芳基、1價雜環基或取代胺基，更佳為氫原子、烷基、環烷基或芳基，又更佳為氫原子或烷基，該等基可具有取代基。

式(Y-1)中，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而R^Y1之至少1個(較佳為R^Y1之至少2個)較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環基、取代胺基或氟原子，更佳為烷基、環烷基、芳基、1價雜環基或取代胺基，又更佳為，烷基、環烷基或芳基，特佳為烷基，該等基可具有取代基。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而R^Y2較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、1價雜環基或取代胺基， 更佳為烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，又更佳為烷基、環烷基或芳基，該等基可具有取代基。

R^Y1及R^Y2中的芳基、1價雜環基及取代胺基之例及較佳範圍分別與Ar^Y1所示之基可具有的取代基中的芳基、1價雜環基及取代胺基之例及較佳範圍相同。

R^Y1及R^Y2可具有的取代基之例及較佳範圍與Ar^Y1所示之基可具有的取代基之例及較佳範圍相同。

於X^Y1中，-C(R^Y2)₂-所示之基中之2個R^Y2之組合較佳為兩者為烷基或環烷基、兩者為芳基、兩者為1價雜環基、或者一者為烷基或環烷基且另一者為芳基或1價雜環基，更佳為一者為烷基或環烷基且另一者為芳基，該等基可具有取代基。存在兩個的R^Y2可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環，R^Y2形成環之情形時，作為-C(R^Y2)₂-所示之基，較佳係式(Y-A1)至式(Y-A5)所示的基，更佳係式(Y-A4)所示的基，該等基可具有取代基。

於X^Y1中，-C(R^Y2)=C(R^Y2)-所示之基中之2個R^Y2之組合較佳係兩者為烷基或環烷基、或一者為烷基或環烷基且另一者為芳基，該等基可具有取代基。

於X^Y1中，-C(R^Y2)₂-C(R^Y2)₂-所示之基中之4個R^Y2較佳為可具有取代基之烷基或可具有取代基之環烷基。存在複數個的R^Y2可相互 鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環，R^Y2形成環之情形時，-C(R^Y2)₂-C(R^Y2)₂-所示之基較佳為式(Y-B1)至式(Y-B5)所示的基，更佳為式(Y-B3)所示的基，該等基可具有取代基。

[式中，R^Y2表示與上述相同之含義。]

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而X^Y1較佳為-C(R^Y2)₂-或-C(R^Y2)₂-C(R^Y2)₂-所示之基，更佳為-C(R^Y2)₂-所示之基。

作為式(Y)所示之構成單元，可列舉例如下述式所示之構成單元。

‧式(X)所示之構成單元

a^X1及a^X2通常為0至10之整數，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為0至5之整數，更佳為0至3之整數，又更佳為0至2之整數，特佳為0或1。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而R^X1、R^X2及R^X3較佳為烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，更佳為芳基或1價雜環基，又更佳為芳基，該等基可具有取代基。

R^X1、R^X2及R^X3中的芳基及1價雜環基之例及較佳範圍分別與Ar^Y1所示之基可具有的取代基中的芳基及1價雜環基之例及較佳範圍相同。

Ar^X1、Ar^X2、Ar^X3及Ar^X4中的伸芳基及2價雜環基之例及較佳範圍分別與Ar^Y1中的伸芳基及2價雜環基之例及較佳範圍相同。

Ar^X2及Ar^X4所示之至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基中的伸芳基及2價雜環基之例及較佳範圍分別與Ar^Y1中的伸芳基及2價雜環基之例及較佳範圍相同。

作為Ar^X2及Ar^X4中之至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成之2價基，可列舉與Ar^Y1中之至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成之2價基相同者。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而Ar^X1、Ar^X2、Ar^X3及Ar^X4較佳為可具有取代基之伸芳基。

Ar^X1至Ar^X4及R^X1至R^X3所示之基可具有之取代基之例及較佳之範圍與Ar^Y1所示之基可具有之取代基之例及較佳之範圍相同。

作為式(X)所示之構成單元，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為式(X-1)至式(X-7)所示之構成單元。

[式中，R^X4及R^X5分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環基、取代胺基或氟原子，該等基可具有取代基。存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。存在複數個的R^X4可相同亦可不同，可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。存在複數個的R^X5可相同亦可不同，可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。]

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而R^X4及R^X5較佳為氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、1價雜環基或取代胺基，更佳為氫原子、烷基、環烷基、芳基、1價雜環基或取代胺基，特佳為氫原子、烷基、環烷基或芳基，該等基可進一步具有取代基。

R^X4及R^X5中的芳基、1價雜環基及取代胺基之例及較佳範圍分別與後述Ar^Y1所示之基可具有的取代基中的芳基、1價雜環基及取代胺基之例及較佳範圍相同。

R^X4及R^X5可具有的取代基之例及較佳範圍分別與後述Ar^Y1所示之基可具有的取代基之例及較佳範圍相同。

作為式(X)所示之構成單元，可列舉下述式所示之構成單元。

作為高分子化合物A，可列舉例如：下述表1所示之高分子化合物AP-1至AP-4。此處，所謂「其他」，是指構成單元A、式(X)所示的構成單元及式(Y)所示的構成單元以外的構成單元。

[表1]

[表中，p^a、q^a、r^a及s^a表示各構成單元之莫耳比率(莫耳%)。p^a+q^a+r^a+s^a=100，且70≦p^a+q^a+r^a≦100。]

高分子化合物A可為嵌段共聚物、無規共聚物、交替共聚物、接枝共聚物之任一者，亦可為其他態樣，較佳為複數種原料單體經共聚而成之共聚物。

高分子化合物A之聚苯乙烯換算之數量平均分子量之例及較佳範圍與後述第1高分子化合物之聚苯乙烯換算之數量平均分子量之例及較佳範圍相同。高分子化合物A的聚苯乙烯換算的重量平均分子量之例及較佳範圍與後述第1高分子化合物的聚苯乙烯換算的重量平均分子量之例及較佳範圍相同。

(高分子化合物A之製造方法)

高分子化合物A可藉由與後述第1高分子化合物的製造方法相同的方法來製造。

於本實施形態之組成物中，高分子化合物A之含量只要為發揮作為組成物之功能之範圍即可。本實施形態之組成物中，相對於溶劑之含量，高分子化合物A之含量例如可為超出0質量ppm且在100質量%以下，可為10質量ppm以上100質量%以下，可為100質量ppm以上100質量%以下，亦可為1000質量ppm以上50質量%以下，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為超出1000質量ppm且在30質量%以下，更佳為2000質量ppm以上10質量%以下，又更佳為3000質量ppm以上5質量%以下，特佳為4000質量ppm以上2質量%以下，最佳為5000質量ppm以上。

[高分子化合物B]

高分子化合物B係包含式(2)所示之構成單元之高分子化合物。高分子化合物A較佳為不含構成單元A的高分子化合物。

(式(2)所示之構成單元)

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而B¹較佳為烷基、環烷基、烷氧基、羥基烷基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環基或取代胺基，更佳為烷基、環烷基、烷氧基、羥基烷基、環烷氧基、芳基或芳氧基，又更佳為烷基，環烷基或芳基，特佳為烷基或芳基，特佳為烷基，該等基可具有取代基。

B¹中的芳基、1價雜環基及取代胺基之例及較佳範圍分別與Ar^Y1所示之基可具有的取代基中的芳基、1價雜環基及取代胺基之例及較佳範圍相同。

作為B¹中之羥基烷基，可列舉：1個氫原子經羥基取代而成之烷基。

B¹可具有的取代基之例及較佳範圍分別與Ar^Y1所示之基可具有的取代基之例及較佳範圍相同。

高分子化合物B中所含之式(2)所示之構成單元之重複單元數(聚合度)通常為5至10000之整數，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故較佳為10至5000之整數，更佳為20至2000之整數，又更佳為50至1000之整數。

s通常為0至10之整數，較佳為0至5之整數，更佳為0至2之整數，又更佳為0或1，特佳為0。

作為式(2)所示之構成單元，可列舉例如下述式所示之構成單元。

高分子化合物B中所含的式(2)所示的構成單元的含量只要為發揮作為高分子化合物B的功能的範圍即可。相對於高分子化合物B中所含之構成單元之合計含量，高分子化合物B中所含之式(2)所示之構成單元之含量例如為1至100莫耳%，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為10至100莫耳%，更佳為30至100莫耳%，又更佳為50至100莫耳%，特佳為70至100莫耳%，最佳為90至100莫耳 %。式(2)所示之構成單元可於高分子化合物B中僅含有1種，亦可含有2種以上。

高分子化合物B可自陶氏東麗股份有限公司、信越化學工業股份有限公司及日本畢克化學(BYK-Chemie)股份有限公司等取得。除此以外，例如可使用日本特表2011-505448號公報、日本特開2012-68417號公報及日本特開2015-147930號公報等中記載的公知的聚合方法來製造。

高分子化合物B可為嵌段共聚物、無規共聚物、交替共聚物、接枝共聚物之任一者，亦可為其他態樣，亦可為複數種原料單體經共聚而成之共聚物。

高分子化合物B之聚苯乙烯換算之數量平均分子量較佳為1×10³至1×10⁶，更佳為2×10³至5×10⁵，又更佳為2×10³至2×10⁵。高分子化合物B之聚苯乙烯換算之重量平均分子量較佳為2×10³至2×10⁶，更佳為5×10³至1×10⁶，又更佳為5×10³至5×10⁵。

[溶劑]

本實施形態之組成物所含有之溶劑(以下，亦稱為「印墨溶劑」。)只要為溶解或分散化合物A及高分子化合物B，且不與化合物A及高分子化合物B反應者，則無特別限定。

由於本實施形態之組成物之製造變得容易，故而較佳為單獨使用印墨溶劑。又，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而印墨溶劑較佳為混合2種以上而使用者。

作為印墨溶劑，可列舉例如：氯系溶劑、芳香族烴系溶劑、芳香族醚系溶劑、脂肪族烴系溶劑、脂肪族醚系溶劑、醇系溶劑、酮系溶劑、醯胺 系溶劑、酯系溶劑、碳酸酯系溶劑，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為氯系溶劑、芳香族烴系溶劑、芳香族醚系溶劑、脂肪族烴系溶劑、脂肪族醚系溶劑、酮系溶劑，醯胺系溶劑或酯系溶劑，更佳為芳香族烴系溶劑、芳香族醚系溶劑、脂肪族烴系溶劑、脂肪族醚系溶劑、酮系溶劑或酯系溶劑，又更佳為芳香族烴系溶劑、芳香族醚系溶劑、脂肪族烴系溶劑或脂肪族醚系溶劑，特佳為芳香族烴系溶劑或芳香族醚系溶劑。

於使用2種以上之印墨溶劑之情形時，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而印墨溶劑中之至少1種較佳為氯系溶劑、芳香族烴系溶劑、芳香族醚系溶劑、脂肪族烴系溶劑、脂肪族醚系溶劑、酮系溶劑、醯胺系溶劑或酯系溶劑，更佳為芳香族烴系溶劑、芳香族醚系溶劑、脂肪族烴系溶劑、脂肪族醚系溶劑、酮系溶劑或酯系溶劑，又更佳為芳香族烴系溶劑、芳香族醚系溶劑、脂肪族烴系溶劑或脂肪族醚系溶劑，特佳為芳香族烴系溶劑或芳香族醚系溶劑。

使用2種以上之印墨溶劑之情形時，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而印墨溶劑中之至少2種較佳為選自由氯系溶劑、芳香族烴系溶劑、芳香族醚系溶劑、脂肪族烴系溶劑、脂肪族醚系溶劑、酮系溶劑、醯胺系溶劑及酯系溶劑所成組群中之至少2種，更佳為選自由芳香族烴系溶劑、芳香族醚系溶劑、脂肪族烴系溶劑、脂肪族醚系溶劑、酮系溶劑及酯系溶劑所成組群中之至少2種，又更佳為選自由芳香族烴系溶劑、芳香族醚系溶劑、脂肪族烴系溶劑及脂肪族醚系溶劑所成組群中之至 少2種，特佳為選自由芳香族烴系溶劑及芳香族醚系溶劑所成組群中之至少2種。

使用2種以上之印墨溶劑之情形時，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而印墨溶劑中之至少2種之組合較佳為芳香族烴系溶劑及芳香族醚系溶劑中之1種與芳香族烴系溶劑、芳香族醚系溶劑、脂肪族烴系溶劑、脂肪族醚系溶劑、酮系溶劑、醯胺系溶劑及酯系溶劑中之1種之組合，更佳係芳香族烴系溶劑及芳香族醚系溶劑中之1種與芳香族烴系溶劑、芳香族醚系溶劑、脂肪族烴系溶劑、脂肪族醚系溶劑、酮系溶劑及酯系溶劑中之1種之組合，又更佳為芳香族烴系溶劑2種之組合、芳香族醚系溶劑2種之組合、或芳香族烴系溶劑與芳香族醚系溶劑之組合。

作為氯系溶劑，可列舉例如：二氯乙烷、三氯乙烷、氯苯及二氯苯。

作為芳香族烴系溶劑，可列舉例如：甲苯、二甲苯、乙基苯、三甲基苯、四甲基苯、丙基苯、丁基苯、戊基苯、環戊基苯、甲基環戊基苯、己基苯、環己基苯、甲基環己基苯、庚基苯、環庚基苯、甲基環庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一烷基苯、十二烷基苯、十三烷基苯、十四烷基苯及四氫萘。

作為芳香族醚系溶劑，可列舉例如：苯甲醚、二甲基苯、三甲氧基苯、乙氧基苯、丙氧基苯、丁氧基苯、甲基丙氧基苯、丁氧基苯、甲氧基甲苯、乙氧基甲苯、甲氧基萘、乙氧基萘及苯氧基甲苯。

作為脂肪族烴系溶劑，可列舉例如：環己烷、甲基環己烷、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十二烷及聯環己烷。

作為脂肪族醚系溶劑，可列舉例如：二異丙醚、甲基丁醚、二丁醚、四氫呋喃、二

烷、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、二乙二醇二甲醚及三乙二醇二甲醚。

作為醇系溶劑，可列舉例如：乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、環戊醇、己醇、環己醇、庚醇、辛醇、苄醇、苯基乙醇、乙二醇、丙二醇、二乙二醇單甲醚、丙二醇及甘油。

作為酮系溶劑，可列舉例如：丙酮、甲基乙基酮、甲基丁基酮、二丁基酮、環己酮、甲基環己酮、己酮、辛酮、壬酮、苯基丙酮、乙醯丙酮、丙酮基丙酮、苯乙酮、甲基萘基酮及異佛爾酮。

作為醯胺系溶劑，可列舉例如：N-甲基吡咯啶酮、N-乙基吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺及1,3-二甲基-2-咪唑啶酮。

作為酯系溶劑，可列舉例如：乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸戊酯、丙酸乙酯、丁酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、甲酸丙酯、乳酸丙酯、苯基乙酸乙酯、苯甲酸乙酯、β-丙內酯、γ-丁內酯、及δ-戊內酯。

作為碳酸酯系溶劑，可列舉例如：碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、碳酸乙二酯、及碳酸丙二酯。

本實施形態之組成物中，印墨溶劑中之至少1種於1大氣壓下之沸點通常為40℃至500℃，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為60℃至450℃，更佳為80℃至400℃，又更佳為100℃至300℃。

使用2種以上之印墨溶劑之情形時，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而印墨溶劑中之至少1種在1大氣壓下之沸點較佳為100℃至450℃，更佳為150℃至400℃，又更佳為200℃至300℃。

使用2種以上的印墨溶劑之情形時，本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此較佳為印墨溶劑中的至少1種於1大氣壓下的沸點為60℃以上且未滿200℃，且至少1種於1大氣壓下的沸點為200℃以上450℃以下，更佳為至少1種於1大氣壓下的沸點為80℃以上195℃以下，且至少1種於1大氣壓下的沸點為210℃以上400℃以下，又更佳為至少1種於1大氣壓下之沸點為100℃以上190℃以下，且至少1種於1大氣壓下之沸點為220℃以上300℃以下。

使用2種以上之印墨溶劑之情形時，印墨溶劑之合計含量設為100質量份之情形時，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而印墨溶劑中含量最少之印墨溶劑之含量較佳為1至50質量份，更佳為5至45質量份，又更佳為10至40質量份。

使用2種以上之印墨溶劑之情形時，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而印墨溶劑中含量最少之印墨溶劑在1大氣壓下之沸點較佳為60℃以上且未達200℃，更佳為80℃以上195℃以下，又更佳為100℃以上190℃以下。

使用2種以上之印墨溶劑之情形時，印墨溶劑之合計含量設為100質量份之情形時，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，因此印墨溶劑中含量最多之印墨溶劑之含量較佳為50至99質量份，更佳為55至95質量份，又更佳為60至90質量份。

使用2種以上之印墨溶劑之情形時，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而印墨溶劑中含量最多之印墨溶劑在1大氣壓下之沸點較佳為200℃以上450℃以下，更佳為210℃以上400℃以下，又更佳為220℃以上300℃以下。

使用2種以上之印墨溶劑之情形時，印墨溶劑之種類通常為2種至20種，由於本實施形態之組成物之製造變得容易，且本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為2種至10種，更佳為2至5種，又更佳為2種或3種，特佳為2種。

使用2種以上之印墨溶劑之情形時，只要混合溶劑於25℃及1大氣壓下為液體即可。

[組成物(1)]

本實施形態之組成物可為含有：化合物A、高分子化合物B、溶劑、以及選自由式(H-1)所示之化合物以及包含選自由式(X)所示之構成單元及式(Y)所示之構成單元所成組群中之至少1種構成單元的高分子化合物(以下，亦稱為「第1高分子化合物」。)所成組群所選出之至少1種化合物(以下，亦稱為「第1化合物」。)的組成物(以下，亦稱為「組成物(1)」。)。亦即，組成物(1)係含有化合物A、高分子化合物B、溶劑及第1化合物之組成物。

組成物(1)可分別僅含有1種化合物A、高分子化合物B、溶劑及第1化合物，亦可含有2種以上。

組成物(1)中的化合物A、高分子化合物B、溶劑及第1化合物的合計含量只要為發揮作為組成物(1)的功能的範圍即可。組成物(1)中之化合物 A、高分子化合物B、溶劑及第1化合物之合計含量例如以組成物(1)之總量基準計可為1至100質量%，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故較佳為10至100質量%，更佳為30至100質量%，又更佳為50至100質量%，特佳為70至100質量%，最佳為90至100質量%。

組成物(1)中的第1化合物的含量只要為發揮作為組成物(1)的功能的範圍即可。化合物A及第1化合物之合計含量設為100質量份之情形時，組成物(1)中之第1化合物之合計含量例如為0.01至99.9質量份，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為10至99質量份，更佳為20至98質量份，又更佳為30至97質量份，特佳為50至95質量份，最佳為60至90質量份。

本實施形態的組成物(例如組成物(1))中，由於本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此第1化合物較佳為主體材料。

本實施形態的組成物(例如組成物(1))中，由於本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此化合物A較佳為客體材料。

本實施形態之組成物(例如組成物(1))中，第1化合物(主體材料)較佳為與化合物A(客體材料)物理性、化學性或電性相互作用之材料。藉由該等相互作用，例如可提高或調整本實施形態的組成物的發光特性、電荷傳輸特性或電荷注入特性，本實施形態的發光元件的發光效率更為優異。

若將本實施形態的組成物(例如組成物(1))中的發光材料作為一例進行說明，則第1化合物(主體材料)與化合物A(客體材料)電性相互作用，自第 1化合物(主體材料)向化合物A(客體材料)有效率地傳遞電能，藉此可使客體材料更有效率地發光，本實施形態的發光元件的發光效率更為優異。

就上述觀點而言，本實施形態的組成物(例如組成物(1))中，本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此第1化合物(主體材料)更佳為具有選自電洞注入性、電洞傳輸性、電子注入性及電子傳輸性中的至少1種功能。

就上述觀點而言，本實施形態的組成物(例如組成物(1))中，本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此化合物A(客體材料)較佳為具有發光性。

就上述觀點而言，本實施形態的組成物(例如組成物(1))中，本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此第1化合物(主體材料)所具有的最低激發單重態(S₁)較佳為高於化合物A(客體材料)所具有的最低激發單重態(S₁)的能階。

就上述觀點而言，本實施形態的組成物(例如組成物(1))中，本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此第1化合物(主體材料)所具有的最低激發三重態(T₁)較佳為高於化合物A(客體材料)所具有的最低激發三重態(T₁)的能階。

作為第1化合物(主體材料)，由於可藉由濕式法製作本實施形態之發光元件，故而較佳為對可溶解化合物A(客體材料)之溶劑顯示出溶解性者。

[第1化合物]

第1化合物係選自由式(H-1)所示之化合物及第1高分子化合物所成組群中之至少1種。

由於本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此較佳係組成物含有第1化合物。

式(H-1)所示之化合物之分子量較佳為1×10²至5×10³，更佳為2×10²至3×10³，又更佳為3×10²至1.5×10³，特佳為4×10²至1×10³。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而Ar^H1及Ar^H2中之芳基較佳為自單環式或2至7環式之芳香族烴中去除1個直接鍵結於構成環之原子之氫原子而成之基，更佳為自單環式或2至5環式之芳香族烴中去除1個直接鍵結於構成環之原子之氫原子而成之基，又更佳為單環式，由2環式或3環式之芳香族烴中去除1個直接鍵結於構成環之原子的氫原子所得之基，該等基可具有取代基。

由於本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此Ar^H1及Ar^H2中的芳基較佳為自苯、萘、蒽、菲、二氫菲、茀、苯并蒽、苯并菲、苯并茀、二苯并蒽、二苯并菲、二苯并茀、茚并茀或苯并1,2-苯并苊中去除1個直接鍵結於構成環的原子的氫原子而成的基，更佳為自苯、萘、蒽、菲、二氫菲、茀、苯并蒽、苯并菲或苯并茀中去除1個直接鍵結於構成環的原子的氫原子而成的基，又更佳為自苯、萘、蒽、菲、二氫菲或茀中去除1個直接鍵結於構成環的原子的氫原子而成的基，特佳為自苯、萘或蒽中去除1個直接鍵結於構成環之原子之氫原子之基，該等基可具有取代基。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而Ar^H1及Ar^H2中之1價雜環基較佳為自單環式或2至7環式之雜環式化合物中去 除1個直接鍵結於構成環之原子之氫原子而成之基，更佳為自單環式或2至5環式之雜環式化合物中去除1個直接鍵結於構成環之原子之氫原子而成之基，又更佳為自單環式，2環式或3環式之雜環式化合物中去除1個直接鍵結於構成環之原子的氫原子而成之基，特佳為自3環式之雜環式化合物中去除1個直接鍵結於構成環之原子的1個氫原子所得之基，該等基可具有取代基。

由於本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此Ar^H1及Ar^H2中的1價雜環基較佳為自呋喃、噻吩、

二唑、噻二唑、吡咯、二唑、三唑、吡啶、二氮雜苯、三

、氮雜萘、二氮雜萘、苯并呋喃、苯并噻吩、吲哚、氮雜吲哚、二氮雜吲哚、苯并二唑、苯并噻二唑、苯并三唑，二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、氮雜咔唑、二氮雜咔唑、吩

、吩噻

、9,10-二氫吖啶、5,10-二氫吩

、氮雜蒽、二氮雜蒽、氮雜菲、二氮雜菲、苯并咔唑、氮雜苯并咔唑、二氮雜苯并咔唑、苯并萘并呋喃、苯并萘并噻吩、二苯并咔唑，吲哚并咔唑、茚并咔唑、氮雜吲哚并咔唑、二氮雜吲哚并咔唑、氮雜茚并咔唑或二氮雜茚并咔唑中去除1個直接鍵結於構成環的原子的氫原子而成的基，更佳為自吡啶、二氮雜苯、三

、氮雜萘、二氮雜萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、氮雜咔唑、二氮雜咔唑，吩

、吩噻

、9,10-二氫吖啶、5,10-二氫吩

、苯并咔唑、氮雜苯并咔唑、二氮雜苯并咔唑、苯并萘并呋喃、苯并萘并噻吩、二苯并咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、氮雜吲哚并咔唑、二氮雜吲哚并咔唑、氮雜茚并咔唑或二氮雜茚并咔唑中去除1個直接鍵結於構成環之原子的氫原子而成之基，又更佳為自吡啶、二氮雜苯、三

、氮雜萘、二氮雜萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔 唑、氮雜咔唑、二氮雜咔唑、啡

、啡噻

、9,10-二氫吖啶或5,10-二氫吩

中去除1個直接鍵結於構成環之原子的氫原子而成之基，特佳為自吡啶、二氮雜苯、三

、氮雜萘、二氮雜萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩或咔唑中去除1個直接鍵結於構成環之原子的氫原子之基，最佳為自二苯并呋喃、二苯并噻吩或咔唑中去除1個直接鍵結於構成環的原子的氫原子而成的基，該等基可具有取代基。

Ar^H1及Ar^H2之取代胺基中，胺基所具有之取代基，以芳基或1價雜環基為佳，以芳基更佳，該等基可進一步具有取代基。屬於胺基所具有的取代基的芳基之例及較佳範圍與Ar^H1及Ar^H2中的芳基之例及較佳的範圍相同。屬於胺基所具有的取代基的1價雜環基之例及較佳範圍與Ar^H1及Ar^H2中的1價雜環基之例及較佳範圍相同。

由於本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，故較佳係Ar^H1及Ar^H2的至少1者為芳基或1價雜環基，更佳係Ar^H1及Ar^H2兩者為芳基或1價雜環基，該等基可具有取代基。

作為Ar^H1及Ar^H2中的芳基及1價雜環基，由於本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此較佳為自單環式、2環式或3環式的芳香族烴，或者自單環式、2環式或3環式的雜環式化合物中去除1個直接鍵結於構成環的原子的氫原子而成的基，更佳為自苯、萘、茀、吡啶、二氮雜苯、三

、氮雜萘、二氮雜萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩或咔唑中去除1個直接鍵結於構成環的原子的氫原子而成的基，又更佳為苯基、萘基、茀基、咔唑基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基，特佳為苯基、萘基或咔唑基，該等基可具有取代基。

作為Ar^H1及Ar^H2可具有之取代基，較佳為鹵素原子、氰基、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、芳基、1價雜環基或取代胺基，更佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳基、1價雜環基或取代胺基，又更佳為烷基、環烷基、芳基、1價雜環基或取代胺基，特佳為烷基、環烷基或芳基，該等基可進一步具有取代基。

Ar^H1及Ar^H2可具有之取代基中之芳基、1價雜環基及取代胺基之例及較佳範圍分別與Ar^H1及Ar^H2中之芳基、1價雜環基及取代胺基之例及較佳範圍相同。

作為Ar^H1及Ar^H2可具有之取代基可進而具有之取代基，較佳為鹵素原子、氰基、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、芳基、1價雜環基或取代胺基，更佳為烷基、環烷基、芳基、1價雜環基或取代胺基，又更佳為烷基、環烷基或芳基，特佳為烷基或環烷基，該等基可進一步具有取代基，較佳為進而不具有取代基。

Ar^H1及Ar^H2可具有之取代基可進一步具有之取代基中之芳基、1價雜環基及取代胺基之例及較佳範圍分別與Ar^H1及Ar^H2中之芳基、1價雜環基及取代胺基之例及較佳範圍相同。

作為L^H1中之2價基，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故較佳為伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價雜環基、-N(R⁰)-所示之基、-(O=)P(R⁰)-所示之基、-O-所示之基、-S-所示之基、-S(=O)₂-所示之基或-C(=O)-所示之基，更佳為伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價雜環基，-N(R⁰)-所示之基、-O-所示之基或-S-所示之基，又更佳為伸烷基、伸 環烷基、伸芳基或2價雜環基，特佳為伸芳基或2價雜環基，該等基可具有取代基。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而L^H1中之2價基之至少1個較佳為伸烷基、伸環烷基、伸芳基或2價雜環基，更佳為伸芳基或2價雜環基，該等基可具有取代基。

L^H1中之2價基中，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故伸芳基較佳為自單環式或2至7環式之芳香族烴中去除2個直接鍵結於構成環之原子的氫原子而成之基，更佳為自單環式或2至5環式之芳香族烴中去除2個直接鍵結於構成環之原子的氫原子而成之基，又更佳為自單環式、2環式或3環式之芳香族烴中去除2個直接鍵結於構成環之原子的氫原子而成之基，該等基可具有取代基。

L^H1中的2價基中，由於本實施形態的發光元件的發光效率更為優異，因此伸芳基較佳為苯、萘、蒽、菲、二氫菲、茀、苯并蒽、苯并菲、苯并茀、二苯并蒽、二苯并菲、二苯并茀、茚并茀或苯并1,2-苯并苊中去除2個直接鍵結於構成環之原子之氫原子而成之基，更佳為自苯、萘、蒽、菲、二氫菲、茀、苯并蒽、苯并菲或苯并茀中去除2個直接鍵結於構成環之原子之氫原子而成之基，又更佳為自苯、萘、蒽、菲、二氫菲或茀中去除2個直接鍵結於構成環之原子之氫原子而成之基，特佳為自苯、萘或蒽中去除2個直接鍵結於構成環之原子之氫原子之基，該等基可具有取代基。

L^H1中之2價基中，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故2價雜環基較佳為自單環式或2至7環式之雜環式化合物中去除2個直接鍵結於構成環之原子(較佳為碳原子)的氫原子而成之基，更佳 為自單環式或2至5環式之雜環式化合物中去除2個直接鍵結於構成環之原子(較佳為碳原子)的氫原子而成之基，又更佳為自單環式、2環式或3環式之雜環式化合物中去除2個直接鍵結於構成環之原子(較佳為碳原子)之氫原子而成之基，特佳為自3環式之雜環式化合物中去除2個直接鍵結於構成環之原子(較佳為碳原子)之氫原子而成之基，該等基可具有取代基。

L^H1中之2價基中，由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故2價雜環基較佳為自呋喃、噻吩、

二唑、噻二唑、吡咯、二唑、三唑、吡啶、二氮雜苯、三

、氮雜萘、二氮雜萘、苯并呋喃、苯并噻吩、吲哚、氮雜吲哚、二氮雜吲哚、苯并二唑、苯并噻二唑，苯并三唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、氮雜咔唑、二氮雜咔唑、吩

、吩噻

、9,10-二氫吖啶、5,10-二氫吩

、氮雜蒽、二氮雜蒽、氮雜菲、二氮雜菲、苯并咔唑、氮雜苯并咔唑、二氮雜苯并咔唑、苯并萘并呋喃、苯并萘并噻吩、二苯并咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、氮雜吲哚并咔唑、二氮雜吲哚并咔唑、氮雜茚并咔唑或二氮雜茚并咔唑中去除2個直接鍵結於構成環之原子(較佳為碳原子)之氫原子而成之基，又更佳為自吡啶、二氮雜苯、三

、氮雜萘、二氮雜萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑，氮雜咔唑、二氮雜咔唑、啡

、啡噻

、9,10-二氫吖啶、5,10-二氫啡

、苯并咔唑、氮雜苯并咔唑、二氮雜苯并咔唑、苯并萘并呋喃、苯并萘并噻吩、二苯并咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、氮雜吲哚并咔唑、二氮雜吲哚并咔唑、氮雜茚并咔唑或二氮雜茚并咔唑中去除2個直接鍵結於構成環之原子(較佳為碳原子)之氫原子而成之基，又更佳為自吡啶、二氮雜苯、三

、氮雜萘、二氮雜萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、氮雜咔唑、二氮雜咔唑、啡

、啡噻

、 9,10-二氫吖啶或5,10-二氫吩

中去除2個直接鍵結於構成環之原子(較佳為碳原子)的氫原子而成之基，特佳為自吡啶、二氮雜苯、三

、氮雜萘、二氮雜萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩或咔唑中去除2個直接鍵結於構成環之原子(較佳為碳原子)的氫原子而成之基，最佳為自二苯并呋喃、二苯并噻吩或咔唑中去除2個直接鍵結於構成環的原子(較佳為碳原子)的氫原子而成的基，該等基可具有取代基。

於L^H1中之2價基中，作為伸烷基，較佳為亞甲基、伸乙基或伸丙基，更佳為亞甲基，該等基可具有取代基。

^LH1可具有的取代基之例及較佳範圍與Ar^H1及Ar^H2可具有的取代基之例及較佳範圍相同。

L^H1中之2價基中，R⁰較佳為烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，更佳為芳基或1價雜環基，又更佳為芳基，該等基可具有取代基。

L^H1中之2價基中，R⁰中之芳基及1價雜環基之例及較佳範圍，分別與Ar^H1及Ar^H2中之芳基及1價雜環基之例及較佳範圍相同。

L^H1中之2價基中，R⁰可具有之取代基之例及較佳範圍係與Ar^H1及Ar^H2可具有之取代基之例及較佳範圍相同。

n^H1通常為0以上10以下之整數，較佳為0以上7以下之整數，更佳為1以上5以下之整數，又更佳為1以上3以下之整數，特佳為1或2。

Ar^H1與Ar^H2可直接鍵結或隔著2價基鍵結而形成環，但由於式(H-1)所示的化合物的合成容易，因此較佳為不形成環。

Ar^H1與Ar^H2隔著2價基鍵結而形成環之情形時，作為2價基，較佳為伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價雜環基、-N(R⁰)-所示之基、-(O=)P(R⁰)-所示之基、-O-所示之基、-S-所示之基、-S(=O)₂-所示之基或-C(=O)-所示之基，更佳為伸烷基、伸環烷基、-N(R⁰)-所示之基，-O-所示之基或-S-所示之基，又更佳為伸烷基、-O-所示之基或-S-所示之基，該等基可具有取代基。

Ar^H1與Ar^H2隔著2價基鍵結而形成環之情形時，2價基中的伸芳基、2價雜環基及伸烷基之例及較佳範圍分別與L^H1中的伸芳基、2價雜環基及伸烷基之例及較佳範圍相同。

ArH1與ArH2隔著2價基鍵結而形成環之情形時，2價基中的R⁰之例及較佳範圍與L^H1的2價基中的R⁰之例及較佳範圍相同。

ArH1與ArH2隔著2價基鍵結而形成環之情形時，2價基可具有的取代基之例及較佳範圍與Ar^H1及Ar^H2可具有的取代基之例及較佳範圍相同。

L^H1與Ar^H1可直接鍵結或隔著2價基鍵結而形成環，但由於式(H-1)所示的化合物的合成容易，因此較佳為不形成環。L^H1與Ar^H1隔著2價基鍵結而形成環時的2價基之例及較佳範圍與Ar^H1與Ar^H2隔著2價基鍵結而形成環時的2價基之例及較佳範圍相同。

L^H1與Ar^H2可直接鍵結或隔著2價基鍵結而形成環，但由於式(H-1)所示的化合物的合成容易，因此較佳為不形成環。L^H1與Ar^H2隔著2價基鍵結而形成環時的2價基之例及較佳範圍與Ar^H1與Ar^H2隔著2價基鍵結而形成環時的2價基之例及較佳範圍相同。

作為式(H-1)所示之化合物，可列舉例如：下述式所示之化合物。

(第1高分子化合物)

第1高分子化合物係包含選自由式(X)所示之構成單元及式(Y)所示之構成單元所成組群中之至少1種構成單元的高分子化合物。

第1高分子化合物較佳為與高分子化合物A及高分子化合物B不同之高分子化合物，更佳為不含構成單元A及式(2)所示之構成單元之高分子化合物。

由於本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而第1高分子化合物較佳為包含式(Y)所示之構成單元。

第1高分子化合物包含式(Y)所示之構成單元時，第1高分子化合物中所含之式(Y)表示之構成單元之含量只要為發揮作為第1高分子化合物之功能之範圍即可。第1高分子化合物包含式(Y)所示之構成單元之情形時，相對於第1高分子化合物中所含之構成單元之合計含量，第1高分子化合物中所含之式(Y)所示之構成單元之含量例如為1至100莫耳%，由於本實 施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為10至100莫耳%，更佳為30至100莫耳%，又更佳為50至100莫耳%，特佳為70至100莫耳%，最佳為90至100莫耳%。

第1高分子化合物中，式(Y)所示之構成單元，於第1高分子化合物中，可僅含有1種，亦可含有2種以上。

第1高分子化合物由於第1高分子化合物之電洞傳輸性優異，且本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為包含式(X)所示之構成單元。

第1高分子化合物包含式(X)所示之構成單元時，第1高分子化合物中所含之式(X)所示之構成單元之含量只要為發揮作為第1高分子化合物之功能之範圍即可。第1高分子化合物包含式(X)所示之構成單元之情形時，相對於第1高分子化合物中所含之構成單元之合計含量，第1高分子化合物中所含之式(X)所示之構成單元之含量例如為0.01至100莫耳%，第1高分子化合物之電洞傳輸性優異，且本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，因此較佳為0.05至90莫耳%，更佳為0.1至70莫耳%，又更佳為0.2至50莫耳%，特佳為0.5至30莫耳%，最佳為1至10莫耳%。

第1高分子化合物中，式(X)所示之構成單元，於第1高分子化合物中可僅含有1種，亦可含有2種以上。

第1高分子化合物由於第1高分子化合物之電洞傳輸性優異，且本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，故而較佳為包含式(Y)所示之構成單元及式(X)所示之構成單元。

第1高分子化合物包含式(Y)所示之構成單元及式(X)所示之構成單元時，第1高分子化合物中所含之式(Y)所示之構成單元及式(X)所示之構成單元之合計含量只要為發揮作為第1高分子化合物之功能之範圍即可。第1高分子化合物包含式(Y)所示之構成單元及式(X)所示之構成單元之情形時，第1高分子化合物中所含之式(Y)所示之構成單元及式(X)所示之構成單元之合計含量例如為1至100莫耳%，第1高分子化合物之電洞傳輸性優異，且本實施形態之發光元件之發光效率更為優異，因此較佳為10至100莫耳%，更佳為30至100莫耳%，又更佳為50至100莫耳%，特佳為70至100莫耳%，最佳為90至100莫耳%。

作為第1高分子化合物，可列舉例如：下述表2所示之高分子化合物HP-1至HP-3。

[表2]

[表中，p、q及r表示各構成單元之莫耳比率(莫耳%)。P+q+r=100，且100≧p+q≧70。所謂其他構成單元，是指式(Y)所示的構成單元及式(X)所示的構成單元以外的構成單元。]

第1高分子化合物可為嵌段共聚物、無規共聚物、交替共聚物、接枝共聚物之任一者，亦可為其他態樣，較佳為複數種原料單體經共聚而成之共聚物。

第1高分子化合物之聚苯乙烯換算之數量平均分子量較佳為5×10³至1×10⁶，更佳為1×10⁴至5×10⁵，又更佳為2×10⁴至2×10⁵。第1高分子化合物之聚苯乙烯換算之重量平均分子量較佳為1×10⁴至2×10⁶，更佳為2×10⁴至1×10⁶，又更佳為5×10⁴至5×10⁵。

(第1高分子化合物之製造方法)

第1高分子化合物可使用Chem.Rev..第109卷，897-1091頁(2009年)等中所記載之公知之聚合方法而製造，可例示藉由使用Suzuki反應、Yamamoto反應、Buchwald反應、Stille反應、Negishi反應及Kumada反應等過渡金屬觸媒之偶合反應而進行聚合之方法。

於上述聚合方法中，作為添加單體之方法，可列舉如：將單體總量一次性添加於反應系中之方法；添加一部分單體並使其反應後，將剩餘之單體以一次性、連續或分次而添加之方法；將單體連續或分割而添加之方法等。

作為過渡金屬觸媒，可列舉如：鈀觸媒、鎳觸媒等。

聚合反應之後處理係單獨或組合進行公知之方法，例如藉由分液去除水溶性雜質之方法、於甲醇等低級醇中添加聚合反應後之反應液，將析出之沈澱過濾後，使其乾燥之方法等。第1高分子化合物之純度較低之情形時，例如可藉由再結晶、再沈澱、利用索氏萃取器之連續萃取、管柱層析法等一般方法進行純化。

[其他成分]

本實施形態的組成物可為含有化合物A、高分子化合物B、以及選自由第1化合物、電洞傳輸材料、電洞注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料、發光材料及抗氧化劑所成組群中的至少1種的組成物。其中，電洞傳輸材料、電洞注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料及發光材料與化合物A及高分子化合物B不同。

(電洞傳輸材料)

電洞傳輸材料分類為低分子化合物與高分子化合物。電洞傳輸材料可具有交聯基。

作為低分子化合物，可列舉例如：三苯基胺及其衍生物、N,N’-二-1-萘基-N,N’-二苯基聯苯胺(α-NPD)、以及N,N’-二苯基-N,N’-二(間甲苯基)聯苯胺(TPD)等芳香族胺化合物。

作為高分子化合物，可列舉例如：聚乙烯咔唑及其衍生物；於側鏈或主鏈具有芳香族胺結構的聚伸芳基及其衍生物。高分子化合物可為富勒烯、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯及三硝基茀酮等鍵結有電子接受性部位的化合物。

本實施形態之組成物中，包含電洞傳輸材料之情形時，將化合物A及高分子化合物B之合計含量設為100質量份之情形時，電洞傳輸材料之含量通常為1至10000質量份。

電洞傳輸材料可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

(電子傳輸材料)

電子傳輸材料分類為低分子化合物與高分子化合物。電子傳輸材料可具有交聯基。

作為低分子化合物，可列舉例如：以8-羥基喹啉作為配位基的金屬錯合物、

二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、茀酮、二苯基二氰基乙烯及聯苯醌、以及該等的衍生物。

作為高分子化合物，可列舉例如：聚苯、聚茀、及該等的衍生物。高分子化合物可摻雜有金屬。

本實施形態之組成物中，於包含電子傳輸材料之情形時，將化合物A及高分子化合物B之合計含量設為100質量份之情形時，電子傳輸材料之含量通常為1至10000質量份。

電子傳輸材料可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

(電洞注入材料及電子注入材料)

電洞注入材料及電子注入材料分別分類為低分子化合物與高分子化合物。電洞注入材料及電子注入材料可具有交聯基。

作為低分子化合物，可列舉例如：銅酞菁等金屬酞菁；碳；鉬、鎢等金屬氧化物；氟化鋰、氟化鈉、氟化銫、氟化鉀等金屬氟化物。

作為高分子化合物，可列舉例如：聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚伸苯乙烯、聚噻吩乙烯、聚喹啉及聚喹

啉、以及該等之衍生物；主鏈或側鏈中含有芳香族胺結構之聚合物等導電性高分子。

本實施形態之組成物中，於包含電洞注入材料及/或電子注入材料之情形時，分別將化合物A及高分子化合物B之合計含量設為100質量份之情形時，電洞注入材料及電子注入材料之含量通常為1至10000質量份。

電洞注入材料及電子注入材料分別可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

‧離子摻雜

電洞注入材料或電子注入材料可摻雜有離子。例如電洞注入材料或電子注入材料包含導電性高分子之情形時，導電性高分子之導電度較佳為1×10^-5S/cm至1×10³S/cm。為了將導電性高分子之導電度設為該範圍，可對導電性高分子摻雜適量之離子。

在電洞注入材料或電子注入材料中摻雜之離子種類，例如：若為電洞注入材料，則可列舉陰離子，若為電子注入材料，則可列舉陽離子。作為陰離子，可列舉例如：聚苯乙烯磺酸根離子、烷基苯磺酸根離子及樟腦磺酸根離子。作為陽離子，可列舉例如：鋰離子、鈉離子、鉀離子及四丁基銨離子。

摻雜之離子可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

(發光材料)

發光材料分類為低分子化合物與高分子化合物。發光材料可具有交聯基。

作為低分子化合物，可列舉例如：萘及其衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物、以及以銥、鉑或銪為中心金屬之磷光發光性化合物。

高分子化合物係可列舉例如：含有式(Y)所示之構成單元及/或式(X)所示之構成單元的高分子化合物。

作為磷光發光性化合物，可列舉例如以下所示的金屬錯合物。

本實施形態之組成物中，於包含發光材料之情形時，將化合物A及高分子化合物B之合計含量設為100質量份之情形時，發光材料之含量通常為1至10000質量份。

發光材料可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

(抗氧化劑)

抗氧化劑只要為可溶於與化合物A及高分子化合物B相同的溶劑中且不阻礙發光及電荷傳輸的化合物即可，可列舉例如：酚系抗氧化劑及磷系抗氧化劑。

本實施形態之組成物中，包含抗氧化劑之情形時，於將化合物A及高分子化合物B設為100質量份之情形時，抗氧化劑之含量通常為0.001至10質量份。

抗氧化劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

<膜>

膜可使用本實施形態的組成物，藉由例如旋塗法、澆鑄法、微凹版塗佈法、凹版塗佈法、棒塗法、輥塗法、線棒塗佈法、浸漬塗佈法、噴霧塗佈法、網版印刷法、柔版印刷法、平版印刷法、噴墨印刷法、毛細管塗佈法、噴嘴塗佈法等濕式法來製作。

使用本實施形態的組成物並藉由濕式法來製作膜之情形時，視需要將印墨溶劑去除。作為去除印墨溶劑之方法，可列舉例如自然乾燥、真空乾燥及加熱乾燥，較佳為自然乾燥或真空乾燥。乾燥之溫度通常為0℃至300℃，較佳為5℃至150℃，更佳為10℃至75℃，又更佳為15℃至40℃。

本實施形態之組成物之黏度只要根據濕式法之種類進行調整即可，於應用於噴墨印刷法等之溶液經由噴出裝置之印刷法之情形時，不易產生噴出時之堵塞及飛行彎曲，因此較佳係於25℃中為1至50mPa‧s，更佳為1至20mPa‧s。

膜適合作為發光元件中的發光層。

膜之厚度通常為1nm至1μm。

<發光元件之製造方法>

本實施形態之發光元件之製造方法係具有陽極、陰極、及設置於上述陽極與上述陰極之間之1層或複數層的有機層之發光元件之製造方法，且包含使用本實施形態之組成物藉由濕式法形成上述有機層之至少1層之步驟。

本實施形態之發光元件係具有使用本實施形態之組成物藉由濕式法形成之至少1層有機層之發光元件。

作為本實施形態之發光元件之構成，例如具有包含陽極及陰極之電極、及使用設置於該電極間之本實施形態之組成物藉由濕式法而形成之至少1層的有機層。

本實施形態之發光元件中，作為濕式法，可列舉如上述<膜>之項中所說明之濕式法。

使用本實施形態的組成物並藉由濕式法來形成有機層的步驟中，視需要將印墨溶劑去除。作為去除印墨溶劑之方法，可列舉去除上述<膜>之項中所說明之印墨溶劑之方法。

[層結構]

發光元件所具有之有機層通常為發光層、電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層、電子注入層之1種以上之層。使用本實施形態之組成物藉由濕式法形成之至少1層有機層通常為發光層、電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層、電子注入層之1種以上之層，較佳為發光層、電洞傳輸層或電洞注入層，更佳為發光層。該等層分別包含發光材料、電洞傳輸材料、電洞注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料。該等層可分別使發光材料、電洞傳輸材料、電洞注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料溶解於上述印墨溶劑中而調製組成物並使用，以與上述膜的製作相同的方法來形成。

發光元件在陽極與陰極之間具有發光層。就電洞注入性及電洞傳輸性的觀點而言，本實施形態的發光元件較佳為於陽極與發光層之間具有電洞注入層及電洞傳輸層的至少1層，就電子注入性及電子傳輸性的觀點而言，較佳為於陰極與發光層之間具有電子注入層及電子傳輸層的至少1層。

作為電洞傳輸層、電子傳輸層、發光層、電洞注入層及電子注入層，除了本實施形態之組成物以外，亦可分別使用上述電洞傳輸材料、電子傳輸材料、發光材料、電洞注入材料及電子注入材料等而形成。

電洞傳輸層之材料、電子傳輸層之材料及發光層之材料於發光元件之製作中，分別溶解於電洞傳輸層、電子傳輸層及與發光層相鄰之層之形成時所使用之溶劑中之情形時，為了避免該材料溶解於該溶劑中，較佳為該材料具有交聯基者。使用具有交聯基之材料形成各層後，藉由使該交聯基交聯，可使該層不溶。

本實施形態之發光元件之製造方法中，作為發光層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電洞注入層、電子注入層等各層之形成方法，於使用低分子化合物之情形時，可列舉例如：真空蒸鍍法等乾式法及濕式法，使用高分子化合物之情形時，可列舉例如：濕式法。

本實施形態之發光元件中，陽極、電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極可分別視需要而設置2層以上。存在複數個陽極、電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極之情形時，該等可分別相同亦可不同。

本實施形態之發光元件中，陽極、電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極之厚度通常分別為1nm至1μm，較佳為2nm至500nm，更佳為5nm至150nm。

本實施形態之發光元件中，積層之層之順序、數量、及厚度只要考慮發光元件之亮度壽命、驅動電壓及發光效率而進行調整即可。

[基板/電極]

發光元件中的基板只要是能夠形成電極且在形成有機層時不發生化學變化的基板即可，例如是由玻璃、塑膠、矽等材料構成的基板。不透明基板之情形時，離基板最遠之電極較佳為透明或半透明者。

作為陽極之材料，可列舉例如：導電性之金屬氧化物、半透明之金屬，較佳為氧化銦、氧化鋅、氧化錫；氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅等導電性化合物；銀、鈀及銅之複合物(APC)；NESA、金、鉑、銀、銅。

作為陰極之材料，可列舉例如：鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹，鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鋅、銦等金屬；該等中2種以上之合金；該等中之1種以上與銀、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中之1種以上之合金；以及石墨及石墨層間化合物。作為合金，可列舉例如：鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金。

陽極及陰極可分別設為2層以上之積層構造。

本實施形態之發光元件例如可藉由於基板上依序積層各層而製造。具體而言，於基板上設置陽極，於其上設置電洞注入層、電洞傳輸層等層，於其上設置發光層，於其上設置電子傳輸層、電子注入層等層，進而於其上積層陰極，藉此可製造發光元件。作為其他製造方法，可藉由於基板上設置陰極，於其上設置電子注入層、電子傳輸層、發光層、電洞傳輸層、電洞注入層等層，進而於其上積層陽極而製造發光元件。進而，作為其他製造方法，可藉由使於陽極或陽極上積層有各層之陽極側基材與於陰極或陰極上積層有各層之陰極側基材對向接合而製造。

[用途]

本實施形態之發光元件可較佳地用作液晶顯示裝置之背光用之光源、照明用之光源、有機EL照明、電腦、電視及行動終端等顯示裝置(例如有機EL顯示器及有機EL電視)。

[實施例]

以下，藉由實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。

於實施例中，高分子化合物之聚苯乙烯換算之數量平均分子量(Mn)及聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)係於移動層中使用四氫呋喃，藉由下述尺寸排除層析法(SEC)而求出。再者，SEC之測定條件如下所述。

使所測定之高分子化合物以約0.05質量%之濃度溶解於四氫呋喃中，並注入至SEC中10μL。流動相以2.0mL/min之流速流動。使用PLgel MIXED-B(Polymer Laboratories製)作為管柱。檢測器係使用UV-VIS檢測器(島津製作所製，商品名：SPD-10Avp)。

<合成例1>化合物M1至M7之合成

化合物M1是依據日本特開2011-174062號公報中記載的方法來合成。

化合物M2係依據國際公開第2005/049546號記載之方法合成。

化合物M3係依據國際公開第2002/045184號所記載之方法而合成。

化合物M4是依據日本特開2008-106241號公報中記載的方法來合成。

化合物M5及化合物M7是依據日本特開2010-189630號公報中記載的方法來合成。

化合物M6是依據國際公開第2012/086671號中記載的方法來合成。

<合成例2>高分子化合物1之合成

高分子化合物1係使用化合物M1、化合物M2、化合物M3及化合物M4，依照日本特開2012-144722號公報記載之方法合成。高分子化合物1之Mn為7.8×10⁴，Mw為2.6×10⁵。

高分子化合物1，由添加原料之量所求得之理論值中，係由化合物M1所衍生之構成單元，與由化合物M2所衍生之構成單元，與由化合物M3所衍生之構成單元，與由化合物M4所衍生之構成單元，以50：30：12.5：7.5之莫耳比所構成之共聚物。

<合成例3>高分子化合物2之合成

高分子化合物2係使用化合物M5、化合物M6及化合物M7，依照日本特開2012-036388號公報記載之方法合成。高分子化合物4之Mn為9.6×10⁴，Mw為2.2×10⁵。

高分子化合物2，由添加原料之量所求得之理論值中，係由化合物M5所衍生之構成單元，與由化合物M6所衍生之構成單元，與由化合物M7所衍生之構成單元，以50：40：10之莫耳比所構成之共聚物。

<合成例4>磷光發光性化合物E1之合成

下述所示之磷光發光性化合物E1係依據國際公開第2009/131255號記載之方法合成。

磷光發光性化合物E1

<合成例5>磷光發光性化合物E2之合成

下述所示之磷光發光性化合物E2係依據日本特開2008-179617號公報記載之方法合成。

磷光發光性化合物E2

<化合物H1之取得>

化合物H1係購自Luminescence Technology公司。

<比較例CD1>發光元件CD1之製作與評定

(陽極及電洞注入層之形成)

藉由濺鍍法於玻璃基板上以45nm之厚度貼附ITO膜，藉此形成陽極。於該陽極上，將屬於電洞注入材料之ND-3202(日產化學工業製)藉由旋轉塗佈法成膜為65nm之厚度。將積層有電洞注入層之基板於大氣環境下， 於加熱板上以50℃加熱3分鐘，進而以230℃加熱15分鐘，藉此形成電洞注入層。

(電洞傳輸層之形成)

使高分子化合物1以相對於有機溶劑1之量為0.6質量%之濃度溶解於將環己基苯與二甲苯以質量比成為61.8：38.2之方式混合而成之溶劑(以下，亦稱為「有機溶劑1」。)中。使用所得之溶液，於電洞注入層上藉由旋轉塗佈法成膜為20nm之厚度，於氮氣環境下，於加熱板上以200℃加熱30分鐘，藉此形成電洞傳輸層。

(發光層之形成)

使高分子化合物2及磷光發光性化合物E1(高分子化合物2/磷光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)以相對於有機溶劑1的量為2.0質量%的濃度溶解於有機溶劑1中。使用所得之溶液，於電洞傳輸層上，藉由旋轉塗佈法以85nm之厚度成膜，於氮氣環境下，於加熱板上以180℃加熱.10分鐘，藉此形成發光層。

(電子注入層及陰極之形成)

將形成有發光層之基板於蒸鍍機內減壓至1×10^-4Pa以下後，於發光層上蒸鍍4nm之屬於電子注入材料之氟化鈉而形成電子注入層，繼而，於電子注入層上蒸鍍約80nm之鋁而形成陰極。在蒸鍍之後，使用玻璃基板進行密封，由此製造發光元件CD1。

(發光元件之評定)

藉由對發光元件CD1施加電壓，觀測到EL發光。發光元件CD1在1000cd/m²的發光效率為47.6cd/A。

<實施例D1>發光元件D1之製作與評定

比較例CD1之(發光層之形成)中，除了使用「有機溶劑1中，將屬於聚矽氧油之KF-96 1000cs(信越化學工業公司製，具有式(2)(式中，B¹為甲基，s為0)所示之構成單元，且聚合度為300至400之高分子化合物B)，相對於有機溶劑1之量，以10質量ppm之濃度混合所得之溶劑」取代「有機溶劑1」以外，進行與比較例CD1之相同操作以製作發光元件D1。

藉由對發光元件D1施加電壓，觀測到EL發光。發光元件D1在1000cd/m²的發光效率為53.9cd/A。

此時，25℃中之有機溶劑1之表面張力γ₀為31.7mN/m，有機溶劑1中以100質量ppm之濃度混合有KF-96 1000cs之溶劑在25℃中之表面張力γ₁₀₀為24.6mN/m。

<實施例D2>發光元件D2之製作與評定

比較例CD1之(發光層之形成)中，除了使用「有機溶劑1中以相對於有機溶劑1之量為100質量ppm之濃度混合KF-96 1000cs(信越化學工業公司製造)而成之溶劑」取代「有機溶劑1」以外，進行與比較例CD1之相同操作以製作發光元件D2。

藉由對發光元件D2施加電壓，觀測到EL發光。發光元件D2在1000cd/m²的發光效率為54.1cd/A。

<實施例D3>發光元件D3之製作與評定

比較例CD1之(發光層之形成)中，除了使用「有機溶劑1中以相對於有機溶劑1之量為1000質量ppm之濃度混合KF-96 1000cs(信越化學工 業公司製造)而成之溶劑」取代「有機溶劑1」以外，進行與比較例CD1之相同操作以製作發光元件D3。

藉由對發光元件D3施加電壓，觀測到EL發光。發光元件D3在1000cd/m²的發光效率為50.6cd/A。

將比較例CD1、以及實施例D1、D2及D3之結果呈示於表3。

[表3]

<比較例CD2>發光元件CD2之製作與評定

比較例CD1之(發光層之形成)中，除了使用「於有機溶劑1中，以相對於有機溶劑1之量為10質量ppm之濃度混合屬於脂肪酸酯型非離子性界面活性劑之RHEODOL SP-O30V(花王公司製造)而成之溶劑」取代「有機溶劑1」以外，進行與比較例CD1之相同操作以製作發光元件CD2。

藉由對發光元件CD2施加電壓，觀測到EL發光。發光元件CD2在1000cd/m²的發光效率為46.8cd/A。

此時，25℃中之有機溶劑1之表面張力γ₀為31.7mN/m，於有機溶劑1中以100質量ppm之濃度混合SP-O30V而成之溶劑在25℃中之表面張力γ₁₀₀為31.8mN/m。

<比較例CD3>發光元件CD3之製作與評定

比較例CD1之(發光層之形成)中，除了使用「於有機溶劑1中，以相對於有機溶劑1之量為100質量ppm之濃度混合屬於脂肪酸酯型非離子性界面活性劑之RHEODOL SP-O30V(花王公司製造)而成之溶劑」取代「有機溶劑1」以外，進行與比較例CD1之相同操作以製作發光元件CD3。

藉由對發光元件CD3施加電壓，觀測到EL發光。發光元件CD3在1000cd/m²的發光效率為41.7cd/A。

<比較例CD4>發光元件CD4之製作與評定

比較例CD1之(發光層之形成)中，除了使用「有機溶劑1中，以相對於有機溶劑1之量為1000質量ppm之濃度混合屬於脂肪酸酯型非離子性界面活性劑之RHEODOL SP-O30V(花王公司製造)而成之溶劑」取代「有機溶劑1」以外，進行與比較例CD1之相同操作以製作發光元件CD4。

藉由對發光元件CD4施加電壓，觀測到EL發光。發光元件CD4在1000cd/m²的發光效率為36.0cd/A。

將比較例CD1、CD2、CD3及CD4之結果呈示於表4。

[表4]

<比較例CD5>發光元件CD5之製作與評定

除了以如下方式形成電洞傳輸層及發光層以外，進行與比較例CD1之相同操作以製作發光元件CD5。

(電洞傳輸層之形成)

以質量比成為48.39：29.97：21.63：0.01之方式混合環己基苯、4-甲氧基甲苯、3-苯氧基甲苯、2,6-二-第三丁基-4-甲基酚而成之溶劑(以下，亦稱為「有機溶劑2」。)中，使高分子化合物1以相對於有機溶劑2之量為0.6質量%之濃度溶解。使用所得之溶液，於電洞注入層上藉由旋轉塗佈法成膜為20nm之厚度，於氮氣環境下，於加熱板上以200℃加熱30分鐘，藉此形成電洞傳輸層。

2,6-二-第三丁基-4-甲基酚

(發光層之形成)

除了使用「使化合物H1及磷光發光性化合物E2(化合物H1/磷光發光性化合物E2=90質量%/10質量%)以相對於有機溶劑2的量為2.0質量%的濃度溶解於有機溶劑2中而成的溶液」取代比較例CD1之(發光層之形成)中之「使高分子化合物2及磷光發光性化合物E1(高分子化合物2/磷光發光性化合物E1=70質量%/30質量%)以相對於有機溶劑1之量為2.0質量%之濃度溶解於有機溶劑1中而成之溶液」以外，進行與比較例CD1之相同操作以形成發光層。

藉由對發光元件CD5施加電壓，觀測到EL發光。發光元件CD5在1000cd/m²的發光效率為6.4cd/A。

<實施例D4>發光元件D4之製作與評定

比較例CD5之(發光層之形成)中，除了使用「以相對於有機溶劑2之量為10質量ppm之濃度混合有「有機溶劑2中，具有屬於聚矽氧油之KF-50 100cs(信越化學工業公司製，式(2)(式中，B¹為甲基，s為0)所示之構成單元，與式(2)(式中，B¹為苯基，s為0)所示之構成單元所構成)所示之構成單元的高分子化合物B」之溶劑」取代「有機溶劑2」以外，進行與比較例CD5之相同操作以製作發光元件D4。

藉由對發光元件D4施加電壓，觀測到EL發光。發光元件D4的1000cd/m2下的發光效率為8.8cd/A。此時，25℃中之有機溶劑2之表面 張力γ₀為34.8mN/m，有機溶劑2中以100質量ppm之濃度混合有KF-50 100cs之溶劑於25℃中之表面張力γ₁₀₀為27.9mN/m。

<實施例D5>發光元件D5之製作與評定

比較例CD5之(發光層之形成)中，除了使用「有機溶劑2中以相對於有機溶劑2之量為100質量ppm之濃度混合KF-50 100cs(信越化學工業公司製造)而成之溶劑」取代「有機溶劑2」以外，進行與比較例CD5之相同操作以製作發光元件D5。

藉由對發光元件D5施加電壓，觀測到EL發光。發光元件D5在1000cd/m²的發光效率為8.8cd/A。

<實施例D6>發光元件D6之製作與評定

比較例CD5之(發光層之形成)中，除了使用「有機溶劑2中以相對於有機溶劑2之量為1000質量ppm之濃度混合有KF-50 100cs(信越化學工業公司製造)之溶劑」取代「有機溶劑2」以外，進行與比較例CD5之相同操作以製作發光元件D6。

藉由對發光元件D6施加電壓，觀測到EL發光。發光元件D6在1000cd/m²的發光效率為7.8cd/A。

將比較例CD5、以及實施例D4、D5及D6之結果呈示於表5。

[表5]

使用磷光發光性化合物E1及KF-96 1000cs的實施例D1、D2及D3、以及使用磷光發光性化合物E2及KF-50 100cs的實施例D4、D5及D6具有優異的發光效率。磷光發光性化合物E1與磷光發光性化合物E2相當於化合物A，KF-96 1000cs與KF-50 100cs相當於高分子化合物B。實施例D1、D2及D3、以及實施例D4、D5及D6具有優異的發光效率的理由，本發明者等人推測其原因在於併用化合物A與高分子化合物B者。化合物A為發光材料，較佳為分散於主體材料中的狀態。認為若成為複數分子之化合物A聚集之狀態(凝聚)，則用於發光之激子彼此反應而消光。本發明者等人推測，高分子化合物B於溶劑中的溶解性高，均勻地溶解於溶劑中，因此若併用化合物A與高分子化合物B，則成膜時化合物A凝聚受到阻礙，其結果發光效率會提高。再者，高分子化合物B的化學穩定性優異，不會使有機EL元件的發光特性降低，因此適合作為與高分子化合物A併用的材料。

Claims (13)

1. 一種組成物，其含有：選自由式(1)所示之金屬錯合物及包含具有自上述式(1)所示之金屬錯合物去除1個以上的氫原子而成之基之構成單元的高分子化合物A所成組群中之至少1種化合物A、包含式(2)所示之構成單元的高分子化合物B、及溶劑，且上述溶劑在25℃中之表面張力γ₀[mN/m]與上述溶劑含有100質量ppm之上述高分子化合物B之情形時在25℃中之表面張力γ₁₀₀[mN/m]滿足γ₀-γ₁₀₀>1.0[mN/m]；

   

   式中，

   M表示銠原子、鈀原子、銥原子或鉑原子，

   n¹表示1以上的整數，n²表示0以上的整數，其中，M為銠原子或銥原子之情形時，n¹+n²為3，M為鈀原子或鉑原子之情形時，n¹+n²為2，

   E¹及E²分別獨立地表示碳原子或氮原子，存在複數個E¹及E²之情形時，該等可分別相同亦可不同，

   環L¹表示單環式之芳香族雜環，該環可具有取代基，該取代基存在複數個時，該等可相同亦可不同，存在複數個環L¹之情形時，該等環L¹可相同亦可不同，

   環L²表示芳香族烴環或芳香族雜環，該等環可具有取代基，存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環，存在複數個環L²之情形時，該等環L²可相同亦可不同，

   環L¹可具有的取代基與環L²可具有的取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環，

   A¹-G¹-A²表示陰離子性的雙牙配位基，A¹及A²分別獨立地表示碳原子、氧原子或氮原子，該等原子可為構成環的原子，G¹表示單鍵、或與A¹及A²一起構成雙牙配位基的原子團，存在複數個A¹-G¹-A²之情形時，該等可相同亦可不同；

   

   式中，

   B¹表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、羥基烷基、環烷氧基、芳基、芳氧基、1價雜環基、取代胺基或鹵素原子，該等基可具有取代基，存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環，存在複數個之B¹可相同亦可不同，

   s表示0以上的整數，存在複數個之s可相同亦可不同。
2. 如請求項1所述之組成物，其中相對於上述溶劑，上述高分子化合物B的含量超出0質量ppm且為1000質量ppm以下。
3. 如請求項1或2所述之組成物，其中上述環L¹為5員環的芳香族雜環或6員環的芳香族雜環，該環可具有取代基，且上述環L²為包含5員環或6員環的芳香族烴環、或者包含5員環或6員環的芳香族雜環，該等環可具有取代基。
4. 如請求項1或2所述之組成物，其中上述環L¹為吡啶環、二氮雜苯環、二唑環或三唑環，該等環可具有取代基，且上述環L²為苯環、吡啶環或二氮雜苯環，該等環可具有取代基。
5. 如請求項1或2所述之組成物，其中上述環L¹為可具有取代基的吡啶環，且上述環L²為可具有取代基的苯環。
6. 如請求項1或2所述之組成物，其中上述B¹為烷基或芳基，該等基可具有取代基。
7. 如請求項1或2所述之組成物，其更含有選自由式(H-1)所示的化合物、以及包含選自由式(X)所示的構成單元及式(Y)所示的構成單元所成組群中的至少1種構成單元的高分子化合物所成組群中的至少1種化合物，

   

   式中，

   Ar^H1及Ar^H2各自獨立地表示芳基、1價雜環基或取代胺基，該等基可具有取代基，存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環，

   n^H1表示0以上的整數，

   L^H1表示2價基，該等基可具有取代基，存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環，存在複數個L^H1之情形時，該等可相同亦可不同，該等可相互直接鍵結或隔著2價基鍵結而形成環，

   Ar^H1與Ar^H2可直接鍵結或隔著2價基鍵結而形成環，L^H1與Ar^H1可直接鍵結或隔著2價基鍵結而形成環，L^H1與Ar^H2可直接鍵結或隔著2價基鍵結而形成環；

   

   式中，

   a^X1及a^X2分別獨立地表示0以上的整數，

   Ar^X1及Ar^X3分別獨立地表示伸芳基或2價雜環基，該等基可具有取代基，存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環，

   Ar^X2及Ar^X4分別獨立地表示伸芳基、2價雜環基、或至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成的2價基，該等基可具有取代基，存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環，存在複數個Ar^X2之情形時，該等可分別相同亦可不同，存在複數個Ar^X4之情形時，該等可分別相同亦可不同，

   R^X1、R^X2及R^X3分別獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基或1價雜環基，該等基可具有取代基，存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環，存在複數個R^X2之情形時，該等可相同亦可不同，存在複數個R^X3之情形時，該等可相同亦可不同；

   

   式中，Ar^Y1表示伸芳基、2價雜環基、或至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結而成之2價基，該等基可具有取代基，存在複數個該取代基之情形時，該等取代基可相同亦可不同，亦可相互鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。
8. 如請求項1或2所述之組成物，其更含有選自由電洞傳輸材料、電洞注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料、發光材料及抗氧化劑所成組群中的至少1種。
9. 如請求項1或2所述之組成物，其中上述溶劑為芳香族烴系溶劑或芳香族醚系溶劑。
10. 如請求項1或2所述之組成物，其中上述溶劑包含2種以上之溶劑。
11. 如請求項10所述之組成物，其中上述2種以上之溶劑中之至少1種為芳香族烴系溶劑或芳香族醚系溶劑。
12. 如請求項10所述之組成物，其中上述2種以上之溶劑中之至少2種為選自由芳香族烴系溶劑及芳香族醚系溶劑所成組群中之至少2種。
13. 一種發光元件之製造方法，該發光元件具有陽極、陰極、及設置於上述陽極與上述陰極之間的1層或複數層之有機層，該製造方法係包含使用如請求項1或2所述之組成物藉由濕式法來形成上述有機層的至少1層之步驟。