JPWO2019004247A1

JPWO2019004247A1 - 発光素子及びその製造に有用な高分子化合物

Info

Publication number: JPWO2019004247A1
Application number: JP2019526960A
Authority: JP
Inventors: 孝和斎藤; 龍二松本; 吉田　大泰; 大泰吉田; 大介福島
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2017-06-30
Filing date: 2018-06-27
Publication date: 2020-04-30
Anticipated expiration: 2038-06-27
Also published as: JP7213181B2; WO2019004247A1

Abstract

外部量子効率が優れる発光素子を提供する。陽極と、陰極と、陽極及び陰極の間に設けられた第１の有機層及び第２の有機層とを有する発光素子であって、第１の有機層が、高分子化合物（ＴＰ）を含有する層であり、第２の有機層が、架橋材料の架橋体を含有する層であり、高分子化合物（ＴＰ）が、最低三重項励起状態のエネルギー準位と最低一重項励起状態のエネルギー準位との差の絶対値が０．５ｅＶ以下である低分子化合物（Ｔ）から１個以上の水素原子を除いてなる基を含む構成単位を含み、架橋材料が、特定の架橋基を有する低分子化合物、又は、特定の架橋基を有する架橋構成単位を含む高分子化合物である、発光素子。

Description

本発明は、発光素子及びその製造に有用な高分子化合物に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子は、ディスプレイ及び照明の用途に好適に使用することが可能であり、研究開発が行われている。例えば、特許文献１には、高分子化合物（ＨＴ−１）を含有する有機層と、式（Ｃ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物を含有する発光層とを有する発光素子が記載されている。

特開２０１０−１９６０４０号公報

しかし、上述した発光素子は、外部量子効率が必ずしも十分ではなかった。
そこで、本発明は、外部量子効率が優れる発光素子を提供することを目的とする。

本発明は、以下の［１］〜［１４］を提供する。

［１］陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた第１の有機層と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた第２の有機層とを有する発光素子であって、
前記第１の有機層が、高分子化合物（ＴＰ）を含有する層であり、
前記第２の有機層が、架橋材料の架橋体を含有する層であり、
前記高分子化合物（ＴＰ）が、最低三重項励起状態のエネルギー準位と最低一重項励起状態のエネルギー準位との差の絶対値が０．５ｅＶ以下である低分子化合物（Ｔ）から１個以上の水素原子を除いてなる基を含む構成単位を含み、
前記架橋材料が、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する低分子化合物、又は、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する架橋構成単位を含む高分子化合物である、前記発光素子。

＜架橋基Ａ群＞

［式中、Ｒ^XLは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、ｎ^XLは、０〜５の整数を表す。Ｒ^XLが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、ｎ^XLが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。＊１は結合位置を表す。これらの架橋基は置換基を有していてもよい。］
［２］前記架橋材料が、前記架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する架橋構成単位を含む高分子化合物であり、且つ、前記架橋構成単位が、式（２）で表される構成単位又は式（２’）で表される構成単位である、［１］に記載の発光素子。

［式中、
ｎＡは０〜５の整数を表し、ｎは１又は２を表す。ｎＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ³は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｌ^Aは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−Ｎ(Ｒ’)−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Aが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘは、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍＡは０〜５の整数を表し、ｍは１〜４の整数を表し、ｃは０又は１を表す。ｍＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ⁵は、芳香族炭化水素基、複素環基、又は、芳香族炭化水素環と複素環とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ⁴及びＡｒ⁶は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ⁴、Ａｒ⁵及びＡｒ⁶はそれぞれ、該基が結合している窒素原子に結合している該基以外の基と、直接結合又は酸素原子若しくは硫黄原子を介して結合して、環を形成していてもよい。
Ｋ^Aは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−Ｎ(Ｒ’)−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、前記と同じ意味を表す。Ｋ^Aが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘ’は、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｘ’が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＸ’は、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基である。］
［３］前記架橋材料が、前記架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する低分子化合物であり、且つ、前記低分子化合物が式（３）で表される低分子化合物である、［１］に記載の発光素子。

［式中、
ｍ^B1及びｍ^B2は、それぞれ独立に、０以上１０以下の整数を表す。ｍ^B3は、０以上５以下の整数を表す。複数存在するｍ^B1は、同一でも異なっていてもよい。ｍ^B3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ⁷は、芳香族炭化水素基、複素環基、又は、芳香族炭化水素環と複素環とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ⁷が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｌ^B1は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−Ｎ(Ｒ''')−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ'''は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^B1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘ''は、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＸ''は、同一でも異なっていてもよい。但し、複数存在するＸ''のうち、少なくとも１つは、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基である。］
［４］前記低分子化合物（Ｔ）から１個以上の水素原子を除いてなる基を含む構成単位が、式（１Ｃ）で表される構成単位、式（２Ｃ）で表される構成単位、式（３Ｃ）で表される構成単位又は式（４Ｃ）で表される構成単位である、［１］〜［３］のいずれかに記載の発光素子。

［式中、
Ｔ^1Cは、前記低分子化合物（Ｔ）から１個の水素原子を除いてなる基を表す。
Ｌ^Cは、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ^A）−、−Ｃ（Ｒ^B）₂−、−Ｃ（Ｒ^B）＝Ｃ（Ｒ^B）−、−Ｃ≡Ｃ−、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Aは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Bは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Bは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｌ^Cが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ^c1は０以上１０以下の整数を表す。］

［式中、
Ｔ^1Cは、前記と同じ意味を表す。
Ｌ^d及びＬ^eは、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ^A）−、−Ｃ（Ｒ^B）₂−、−Ｃ（Ｒ^B）＝Ｃ（Ｒ^B）−、−Ｃ≡Ｃ−、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^A及びＲ^Bは、前記と同じ意味を表す。Ｌ^d及びＬ^eが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎ^d1及びｎ^e1は、それぞれ独立に、０以上１０以下の整数を表す。複数存在するｎ^d1は、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^1Mは、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

［式中、
Ｌ^d及びｎ^d1は、前記と同じ意味を表す。
Ｔ^2Cは、前記低分子化合物（Ｔ）から２個の水素原子を除いてなる基を表す。］

［式中、
Ｌ^d及びｎ^d1は、前記と同じ意味を表す。
Ｔ^3Cは、前記低分子化合物（Ｔ）から３個の水素原子を除いてなる基を表す。］
［５］前記高分子化合物（ＴＰ）が、式(Ｙ)で表される構成単位を更に含む、［１］〜［４］のいずれかに記載の発光素子。

［式中、Ａｒ^Y1は、置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。］
［６］前記式(Ｙ)で表される構成単位が、式(Y-1)、式(Y-2)又は式(Y-3)で表される構成単位である、［５］に記載の発光素子。

［式中、
Ｒ^Y1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Y1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。
但し、少なくとも１つのＲ^Y1は水素原子ではない。］

［式中、
Ｒ^Y1は、前記と同じ意味を表す。
Ｘ^Y1は、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−又は−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基を表す。Ｒ^Y2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y2は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Y2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。
但し、少なくとも１つのＲ^Y1は水素原子ではない。］

［式中、
Ｒ^Y1及びＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。
但し、少なくとも１つのＲ^Y1は水素原子ではない。］
［７］前記低分子化合物（Ｔ）の振動子強度が０．０００１以上１以下である、［１］〜［６］のいずれかに記載の発光素子。
［８］前記低分子化合物（Ｔ）が式（Ｔ−１）で表される低分子化合物である、［１］〜［７］のいずれかに記載の発光素子。

［式中、
ｎ^T1は、０以上５以下の整数を表す。ｎ^T1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^T1は、置換アミノ基、又は、１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^T1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、環を形成してもよい。但し、Ａｒ^T1の少なくとも１つは、置換アミノ基であるか、或いは、二重結合を有さない窒素原子を環内に含み、且つ、＝Ｎ−で表される基、ホウ素原子、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）₂−で表される基、及び、式（Ｐ）：

で表される基を環内に含まない、１価の複素環基である。Ｚ^T1は、酸素原子、硫黄原子又は＝ＮＲ^ZT1で表される基を表す。Ｒ^ZT1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｌ^T1は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−Ｎ(Ｒ^T1')−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^T1'は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^T1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、環を形成してもよい。
Ａｒ^T2は、ホウ素原子、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）₂−で表される基、前記式（Ｐ）で表される基、電子求引性基を有する芳香族炭化水素基、ホウ素原子を環内に含む複素環基、又は、＝Ｎ−で表される基を環内に含む複素環基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ^T2は、１以上１５以下の整数を表す。但し、Ａｒ^T2がホウ素原子又は前記式（Ｐ）で表される基である場合、ｎ^T2は３である。Ａｒ^T2が−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、又は、−Ｓ（＝Ｏ）₂−で表される基である場合、ｎ^T2は２である。
Ａｒ^T1とＬ^T1とは直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、環を形成してもよい。Ａｒ^T2とＬ^T1とは直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、環を形成してもよい。Ａｒ^T1とＡｒ^T2とは直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、環を形成してもよい。］
［９］前記第１の有機層が、ホスト材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料及び酸化防止剤からなる群より選ばれる少なくとも１種を更に含有する、［１］〜［８］のいずれかに記載の発光素子。
［１０］前記第１の有機層が、前記発光材料として、式Ir-1で表される燐光発光性化合物を含有する、［９］に記載の発光素子。

［式中、
Ｒ^D1、Ｒ^D2、Ｒ^D3、Ｒ^D4、Ｒ^D5、Ｒ^D6、Ｒ^D7及びＲ^D8は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^D1、Ｒ^D2、Ｒ^D3、Ｒ^D4、Ｒ^D5、Ｒ^D6、Ｒ^D7及びＲ^D8が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
−Ａ^D1---Ａ^D2−は、アニオン性の２座配位子を表し、Ａ^D1及びＡ^D2は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。−Ａ^D1---Ａ^D2−が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ_D1は、１、２又は３を表す。
ｎ_D2は、１又は２を表す。］
［１１］前記第１の有機層が、前記発光材料として、蛍光発光性化合物を含有する、［９］に記載の発光素子。
［１２］前記第１の有機層と前記第２の有機層とが隣接している、［１］〜［１１］のいずれかに記載の発光素子。
［１３］前記第２の有機層が、前記陽極及び前記第１の有機層との間に設けられた層である、［１］〜［１２］のいずれかに記載の発光素子。
［１４］式（Ｓ２−１’）で表される構成連鎖を含み、且つ、
前記構成連鎖が、最低三重項励起状態のエネルギー準位と最低一重項励起状態のエネルギー準位との差の絶対値が０．５ｅＶ以下である低分子化合物（Ｔ）から１個以上の水素原子を除いてなる基を含む構成単位を含む、高分子化合物（以下、「高分子化合物Ａ」と言う）。

［式中、
ｋは、０又は１を表す。複数存在するｋは、同一でも異なっていてもよい。
ｍ^DA1は、０以上１０以下の整数を表す。ｍ^DA1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ^d1は、０以上１０以下の整数を表す。複数存在するｎ^d1は、同一でも異なっていてもよい。
ｎ^T1は、１又は２を表す。
Ａｒ^DA1は、置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。Ａｒ^DA1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^L1は、Ｔ^DAで表される基から１個の水素原子を除いてなる基を表す。Ａｒ^L1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｔ^DAは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^TWは、前記式(Y-1)、前記式(Y-2)又は前記式(Y-3)で表される構成単位を表す。複数存在するＡｒ^TWは、同一でも異なっていてもよい。
Ｌ^dは、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ^A）−、−Ｃ（Ｒ^B）₂−、−Ｃ（Ｒ^B）＝Ｃ（Ｒ^B）−、−Ｃ≡Ｃ−、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^dが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ^Aは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Bは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Bは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｌ^T1は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−Ｎ(Ｒ^T1')−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^T1'は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^T1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、環を形成してもよい。
環Ｒ^T1及び環Ｒ^T2は、それぞれ独立に、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基を環内に含まない芳香族炭化水素環、又は、＝Ｎ−で表される基、ホウ素原子、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）₂−で表される基、及び、前記式（Ｐ）で表される基を環内に含まない複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。
Ｚ^T1は、酸素原子、硫黄原子又は＝ＮＲ^ZT1で表される基を表す。Ｒ^ZT1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｘ^T1は、単結合、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ(Ｒ^XT1)−で表される基、又は、−Ｃ(Ｒ^XT1')₂−で表される基を表す。Ｒ^XT1及びＲ^XT1'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^XT1'は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｒ^XT1と環Ｒ^T1が有していてもよい置換基、Ｒ^XT1と環Ｒ^T2が有していてもよい置換基、Ｒ^XT1'と環Ｒ^T1が有していてもよい置換基、及び、Ｒ^XT1'と環Ｒ^T2が有していてもよい置換基は、それぞれ直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ｚ³は、−Ｎ＝で表される基、又は−ＣＨ＝で表される基を表す。複数存在するＺ³は、同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＺ³は、−Ｎ＝で表される基を表す。

本発明によれば、外部量子効率が優れる発光素子、及びその製造に有用な高分子化合物を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。

Meはメチル基、Etはエチル基、Buはブチル基、i-Prはイソプロピル基、t-Buはtert-ブチル基を表す。

水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合又は配位結合を意味する。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×10³〜１×10⁸である重合体を意味する。
高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。
高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性又は輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基又は１価の複素環基と結合している基が挙げられる。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×10⁴以下の化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「アルキル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-プロピルヘプチル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-ヘキシルデシル基、ドデシル基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基（例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-ヘキシルフェニル)プロピル基、6-エチルオキシヘキシル基）が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜20であり、より好ましくは６〜10である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜40であり、好ましくは４〜10である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜48である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香族炭化水素環が縮合されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜60であり、好ましくは４〜20である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジニル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル)アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル)アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル)アミノ基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜30であり、より好ましくは６〜18である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式(A-1)〜式(A-20)で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、Ｒ及びＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ及びＲ^aは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^a同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜60であり、好ましくは、３〜20であり、より好ましくは、４〜15である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式(AA-1)〜式(AA-34)で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、Ｒ及びＲ^aは、前記と同じ意味を表す。］

「架橋基」とは、加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可視光照射、赤外線照射、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、架橋基Ａ群の式(XL-1)〜式(XL-17)で表される架橋基である。

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基又は置換アミノ基を表す。

＜発光素子＞
本発明の発光素子は、陽極と、陰極と、陽極及び陰極の間に設けられた第１の有機層と、陽極及び陰極の間に設けられた第２の有機層とを有する発光素子であって、
前記第１の有機層が、高分子化合物（ＴＰ）を含有する層であり、
前記第２の有機層が、架橋材料の架橋体を含有する層であり、
前記高分子化合物（ＴＰ）が、最低三重項励起状態のエネルギー準位と最低一重項励起状態のエネルギー準位との差の絶対値（以下、「ΔＥ_ST」ともいう。）が０．５ｅＶ以下である低分子化合物（Ｔ）から１個以上の水素原子を除いてなる基を含む構成単位（以下、「構成単位（Ｃ）」ともいう。）を含み、
前記架橋材料が、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する低分子化合物、又は、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する架橋構成単位を含む高分子化合物である、前記発光素子である。

第１の有機層及び第２の有機層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法等の乾式法、並びに、スピンコート法及びインクジェット法等の湿式法が挙げられ、湿式法が好ましい。

第１の有機層を湿式法により形成する場合、後述する第１のインクを用いることが好ましい。

第２の有機層を湿式法により形成する場合、後述する第２のインクを用いることが好ましい。第２の有機層を形成後、加熱又は光照射することで、第２の有機層に含有される架橋材料を架橋させることができ、加熱することで、第２の有機層に含有される架橋材料を架橋させることが好ましい。架橋材料が架橋した状態（架橋材料の架橋体）で、第２の有機層に含有されている場合、第２の有機層は溶媒に対して実質的に不溶化されている。そのため、第２の有機層は、発光素子の積層化に好適に使用することができる。

架橋させるための加熱の温度は、通常、25℃〜300℃であり、好ましくは50℃〜260℃であり、より好ましくは130℃〜230℃であり、更に好ましくは180℃〜210℃である。
加熱の時間は、通常、0.1分〜1000分である。

光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。

第１の有機層又は第２の有機層に含有される成分の分析方法としては、例えば、抽出等の化学的分離分析法、赤外分光法(IR)、核磁気共鳴分光法(NMR)、質量分析法(MS)等の機器分析法、並びに、化学的分離分析法及び機器分析法を組み合わせた分析法が挙げられる。

第１の有機層又は第２の有機層に対して、トルエン、キシレン、クロロホルム、テトラヒドロフラン等の有機溶媒を用いた固液抽出を行うことで、有機溶媒に対して実質的に不溶な成分（不溶成分）と、有機溶媒に対して溶解する成分（溶解成分）とに分離することが可能である。不溶成分は赤外分光法又は核磁気共鳴分光法により分析することが可能であり、溶解成分は核磁気共鳴分光法又は質量分析法により分析することが可能である。

＜第１の有機層＞
第１の有機層に含有される高分子化合物（ＴＰ）は、ΔＥ_STが０．５ｅＶ以下である低分子化合物（Ｔ）から１個以上の水素原子を除いてなる基を含む構成単位（Ｃ）を含む。
低分子化合物（Ｔ）は、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料であることが好ましい。

低分子化合物（Ｔ）のΔＥ_STは、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは、０．０００１ｅＶ以上０．４５ｅＶ以下であり、より好ましくは、０．００１ｅＶ以上０．２０ｅＶ以下であり、更に好ましくは０．０１ｅＶ以上０．１１ｅＶ以下である。

低分子化合物（Ｔ）の振動子強度は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは０．００５以上１以下であり、より好ましくは０．０１以上０．３以下である。

化合物のΔＥ_ST及び振動子強度の算出には、量子化学計算プログラムであるGaussian09を用いることができる。例えば、B3LYPレベルの密度汎関数法を用いて、化合物の基底状態を構造最適化した後、B3LYPレベルの時間依存密度汎関数法を用いることで、ΔＥ_ST及び振動子強度を算出することができる。基底関数としては、通常、6-31G*を使用するが、6-31G*を使用できない原子が化合物に含まれる場合は、該原子に対してLANL2DZを使用することができる。

低分子化合物（Ｔ）は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、式（Ｔ−１）で表される低分子化合物であることが好ましい。

ｎ^T1は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは１又は２であり、より好ましくは１である。

ｎ^T2は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは１以上３以下の整数であり、より好ましくは１である。

Ａｒ^T1で表される１価の複素環基としては、例えば、後述の１価のドナー型複素環基及び後述の１価のドナー型複素環基以外の１価の複素環基が挙げられ、好ましくは、カルバゾリル基、1,2,3,4-テトラヒドロカルバゾリル基、ジベンゾフリル基又はジベンゾチエニル基であり、より好ましくは、カルバゾリル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^T1で表される置換アミノ基において、アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。アミノ基が有する置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、後述のＡｒ^T1が有していてもよい置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

「二重結合を有さない窒素原子」とは、窒素原子と、その窒素原子と結合するすべての原子との間に単結合のみを有する窒素原子を意味する。
「二重結合を有さない窒素原子を環内に含む」とは、−Ｎ（−Ｒ^N）−（式中、Ｒ^Nは水素原子又は置換基を表す。）、又は、式：

で表される基を環内に含むことを意味する。

二重結合を有さない窒素原子を環内に含み、且つ、＝Ｎ−で表される基、ホウ素原子、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）₂−で表される基、及び、前記式（Ｐ）で表される基を環内に含まない、１価の複素環基（以下、「１価のドナー型複素環基」ともいう。）において、環を構成する二重結合を有さない窒素原子の数は、通常、１〜10である。

１価のドナー型複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜60である。

１価のドナー型複素環基としては、例えば、ピロリル基、インドリル基、イソインドリル基、カルバゾリル基、1,2,3,4-テトラヒドロカルバゾリル基、9,10-ジヒドロアクリジニル基、5,10-ジヒドロフェナジニル基、アクリドニル基、フェノキサジニル基又はフェノチアジニル基が挙げられ、好ましくは、ピロリル基、インドリル基、カルバゾリル基、1,2,3,4-テトラヒドロカルバゾリル基、9,10-ジヒドロアクリジニル基、フェノキサジニル基又はフェノチアジニル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

１価のドナー型複素環基以外の１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜60である。

１価のドナー型複素環基以外の１価の複素環基としては、例えば、ジアゾリル基、トリアゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ピリジニル基、ジアザフェニル基、トリアジニル基、アザナフチル基、ジアザナフチル基、トリアザナフチル基、アザアントラセニル基、ジアザアントラセニル基、トリアザアントラセニル基、アザフェナントレニル基、ジアザフェナントレニル基、トリアザフェナントレニル基、ジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾシロリル基、アザカルバゾリル基及びジアザカルバゾリル基が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。

１価のドナー型複素環基及びドナー型複素環基以外の１価の複素環基は、好ましくは、複素環を構成するヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いてなる基である。

Ａｒ^T1が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基が好ましく、アルキル基、アリール基、置換アミノ基又は１価の複素環基がより好ましく、アリール基又は１価の複素環基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ａｒ^T1が有していてもよい置換基であるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、ナフタセニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、クリセニル基、又はこれらの基が縮合した基が挙げられ、好ましくは、フェニル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^T1が有していてもよい置換基である１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^T1で表される１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^T1は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、置換基として１価の複素環基を有することが好ましい。

Ａｒ^T1が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、アルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ａｒ^T1が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基であるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^T1が有していてもよい置換基であるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^T1の少なくとも１つは、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは、後述の式（T１−１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^T1は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは、１価のドナー型複素環基であり、より好ましくは、後述の式（T１−１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^T1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、環を形成してもよい。

「２価の基」としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−Ｎ（Ｒ^ArT1）−で表される基、−Ｂ（Ｒ^ArT1）−で表される基、−Ｐ（Ｒ^ArT1）−で表される基、−（Ｏ＝）Ｐ（Ｒ^ArT1）−で表される基、−Ｓｉ(Ｒ^ArT1')₂−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）₂で表される基、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、酸素原子又は硫黄原子が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^ArT1及びＲ^ArT1'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。

２価の基であるアルキレン基及びシクロアルキレン基の例及び好ましい範囲は、後述のＬ^Aで表されるアルキレン基及びシクロアルキレン基の例及び好ましい範囲と同じである。

２価の基であるアリーレン基及び２価の複素環基の例及び好ましい範囲は、後述のＬ^T1で表されるアリーレン基及び２価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^ArT1及びＲ^ArT1'の例及び好ましい範囲は、各々、後述のＲ^XT1及びＲ^XT1'の例及び好ましい範囲と同じである。

２価の基が有していてもよい置換基及び該置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^T1が有していてもよい置換基及び該置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

・式（T１−１）で表される基

［式中、
環Ｒ^T1及び環Ｒ^T2は、それぞれ独立に、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基を環内に含まない芳香族炭化水素環、又は、＝Ｎ−で表される基、ホウ素原子、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）₂−で表される基、及び、前記式（Ｐ）で表される基を環内に含まない複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。Ｚ^T1は前記と同じ意味を表す。
Ｘ^T1は、単結合、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ(Ｒ^XT1)−で表される基、又は、−Ｃ(Ｒ^XT1')₂−で表される基を表す。Ｒ^XT1及びＲ^XT1'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^XT1'は、同一でも異なっていてもよい。］

「−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基を環内に含まない芳香族炭化水素環」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜18である。

−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基を環内に含まない芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ナフタセン環、ピレン環、ペリレン環、クリセン環及びこれらの環が縮合した環が挙げられ、好ましくは、ベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。

「＝Ｎ−で表される基、ホウ素原子、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）₂−で表される基、及び、前記式（Ｐ）で表される基を環内に含まない複素環」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜60である。

＝Ｎ−で表される基、ホウ素原子、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）₂−で表される基、及び、前記式（Ｐ）で表される基を環内に含まない複素環としては、例えば、ピロール環、フラン環、チオフェン環、シロール環、及びホスホール環が挙げられ、これらの環は置換基を有していてもよい。

本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、環Ｒ^T1が置換基として１価の複素環基若しくは置換アミノ基を有すること、又は、環Ｒ^T2が置換基として１価の複素環基若しくは置換アミノ基を有することが好ましく、環Ｒ^T1が置換基として１価の複素環基を有すること、又は、環Ｒ^T2が置換基として１価の複素環基を有することがより好ましく、環Ｒ^T1及び環Ｒ^T2のいずれか一方のみが置換基として１価の複素環基を有することが更に好ましい。

環Ｒ^T1及び環Ｒ^T2が有していてもよい置換基及び該置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^T1が有していてもよい置換基及び該置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

環Ｒ^T1及び環Ｒ^T2のうち、少なくとも１つは、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基を環内に含まない芳香族炭化水素環であることが好ましく、ベンゼン環であることがより好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｒ^T1及び環Ｒ^T2の両方が−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基を環内に含まない芳香族炭化水素環であることが好ましく、ベンゼン環であることがより好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。

Ｘ^T1は、好ましくは単結合、酸素原子又は−Ｃ(Ｒ^XT1')₂−で表される基であり、より好ましくは単結合である。

Ｒ^XT1は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^XT1'は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

複数存在するＲ^XT1'は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。

Ｒ^XT1及びＲ^XT1'で表されるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^T1が有していてもよい置換基であるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^XT1及びＲ^XT1'が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^T1が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（T１−１）で表される基は、好ましくは、式（T１−１Ａ）で表される基である。

［式中、
Ｘ^T1は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^T1、Ｒ^T2、Ｒ^T3、Ｒ^T4、Ｒ^T5、Ｒ^T6、Ｒ^T7及びＲ^T8は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^T1〜Ｒ^T8は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることが好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^T1、Ｒ^T2、Ｒ^T4、Ｒ^T5、Ｒ^T7及びＲ^T8は、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^T3及びＲ^T6のうち、少なくとも１つは、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることが好ましく、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることがより好ましく、１価の複素環基であることが更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、Ｒ^T3及びＲ^T6のいずれか一方のみが、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることが好ましく、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることがより好ましく、１価の複素環基であることが更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^T1〜Ｒ^T8で表されるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^T1が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^T1〜Ｒ^T8が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^T1が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｌ^T1は、アリーレン基又は２価の複素環基であることが好ましく、アリーレン基であることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^T1で表されるアリーレン基としては、好ましくは、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基又はジヒドロフェナントレンジイル基であり、より好ましくは、式(A-1)〜式(A-3)で表される基であり、更に好ましくは、式(A-1)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^T1で表される２価の複素環基としては、好ましくは、式(AA-1)〜式(AA-34)で表される基である。

Ｌ^T1が有していてもよい置換基及び該置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、各々、Ａｒ^T1が有していてもよい置換基及び該置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^T1'は、好ましくは、アリール基又は１価の複素環基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^T1'で表されるアリール基、１価の複素環基及び置換基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^T1が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^T2は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは、ホウ素原子、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）₂で表される基、前記式（Ｐ）で表される基、電子求引性基を有する芳香族炭化水素基、ホウ素原子を環内に含む複素環基、又は、＝Ｎ−で表される基を環内に含む複素環基であり、より好ましくは、ホウ素原子を環内に含む複素環基、又は、＝Ｎ−で表される基を環内に含む複素環基であり、更に好ましくは＝Ｎ−で表される基を環内に含む複素環基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｚ^T1は、好ましくは、酸素原子である。
Ｒ^ZT1は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^ZT1で表されるアリール基、１価の複素環基及び置換基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^T1が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

電子求引性基を有する芳香族炭化水素基において、芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜18である。

電子求引性基を有する芳香族炭化水素基における芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環、ナフタセン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、インデン環、ピレン環、ペリレン環、クリセン環、及びこれらの環が直接結合してなる環から一部又は全部の水素原子を除いてなる基が挙げられ、好ましくは、ベンゼン環から一部又は全部の水素原子を除いてなる基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

電子求引性基としては、例えば、フッ素原子を置換基として有するアルキル基、フッ素原子、シアノ基及びニトロ基が挙げられる。

フッ素原子を置換基として有するアルキル基としては、好ましくは、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基である。

電子求引性基を有する芳香族炭化水素基において、芳香族炭化水素基が有する電子求引性基の数は、通常、１〜10個であり、好ましくは、１個又は２個である。

ホウ素原子を環内に含む複素環基において、環を構成する炭素原子の数は、通常1〜60であり、好ましくは12〜18である。

ホウ素原子を環内に含む複素環基としては、例えば、ボロール環、ベンゾボロール環、ジベンゾボロール環基、ボリン環、ベンゾボリン環、ジベンゾボリン環、フェナザボリン環、フェノキサボリン環、フェノチアボリン環、フェノセレナボリン環、式（ＤＢ）：

で表される環、又は、これらの環が縮合してなる環から一部又は全部の水素原子を除いてなる基が挙げられ、好ましくは、フェナザボリン環又は式（ＤＢ）で表される環から一部又は全部の水素原子を除いてなる基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

＝Ｎ−で表される基を環内に含む複素環基において、環を構成する二重結合を有する窒素原子の数は、通常、１〜10であり、好ましくは３である。

＝Ｎ−で表される基を環内に含む複素環基において、環を構成する炭素原子の数は、通常１〜60であり、好ましくは３〜５である。

＝Ｎ−で表される基を環内に含む複素環基としては、例えば、ジアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、イソチアゾール環、イソオキサゾール環、ベンゾジアゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、アクリジン環、ベンゾキノリン環、フェナントロリン環、又は、これらの環が縮合してなる環から一部又は全部の水素原子を除いてなる基が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ピリミジン環又はトリアジン環から一部又は全部の水素原子を除いてなる基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^T2は、置換基として少なくとも１つの式（１T'）で表される基を有する。

［式中、Ｌ^T1、ｎ^T1及びＡｒ^T1は、前記と同じ意味を表す。］

Ａｒ^T2は、置換基としてｎ^T3個の式(D-C)で表される基を有していてもよく、少なくとも１つの式(D-C)で表される基を有することが好ましい。

ｎ^T3は０以上１５以下の整数を表し、好ましくは０以上５以下の整数であり、より好ましくは１又は２である。

［式中、
ｍ^DA1は、０以上１０以下の整数を表す。
Ａｒ^DA1は、置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。Ａｒ^DA1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^DAは、置換基を有していてもよいアリール基を表す。］

ｍ^DA1は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。

Ａｒ^DA1は、好ましくは、フェニレン基又はフルオレンジイル基であり、より好ましくは式(ArDA-1)〜(ArDA-4)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1が複数存在する場合、それらは同一であることが好ましい。

［式中、
Ｒ^DAは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリール基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^DAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^DBは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^DBが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^DAは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^DBは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^DA1が有していてもよい置換基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリール基であり、より好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｔ^DAは、好ましくは式(TDA-1)又は式(TDA-2)で表される基であり、より好ましくは式(TDA-1)で表される基である。

［式中、Ｒ^DA及びＲ^DBは、前記と同じ意味を表す。］

式(D-C)で表される基は、好ましくは式(D-C1)〜式(D-C4)で表される基であり、より好ましくは式(D-C1)で表される基である。

［式中、
Ｒ^p4、Ｒ^p5及びＲ^p6は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^p4、Ｒ^p5及びＲ^p6が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ４は、０〜４の整数を表す。
ｎｐ５及びｎｐ６は、それぞれ独立に、は０〜５の整数を表す。］

ｎｐ４は、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０である。ｎｐ５は、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０である。ｎｐ６は、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０である。

Ｒ^p4〜Ｒ^p6は、好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基であり、より好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基又はtert−オクチル基である。

Ａｒ^T2が有していてもよい置換基（式（１T’）で表される基及び式（D-C）で表される基とは異なる。以下、同様である。）としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基が好ましく、アルキル基又はシクロアルキル基がより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^T2が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^T1が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（Ｔ−１）で表される化合物において、Ａｒ^T2が＝Ｎ−で表される基を環内に含む複素環基である場合、式（Ｔ−１）で表される化合物は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは、後述の式（T’−１）〜式（T’−１４）で表される化合物であり、より好ましくは、式（T’−４）で表される化合物である。

式（Ｔ−１）で表される化合物において、Ａｒ^T2が電子求引性基を有する芳香族炭化水素基である場合、式（Ｔ−１）で表される化合物は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは、後述の式（T’−１５）〜式（T’−１８）で表される化合物であり、より好ましくは、式（T’−１５）で表される化合物である。

式（Ｔ−１）で表される化合物において、Ａｒ^T2がホウ素原子、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）₂−で表される基又は前記式（Ｐ）で表される基である場合、式（Ｔ−１）で表される化合物は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは、後述の式（T’−１９）〜式（T’−２２）で表される化合物であり、より好ましくは、式（T’−２１）で表される化合物である。

式（Ｔ−１）で表される化合物において、Ａｒ^T2がホウ素原子を環内に含む複素環基である場合、式（Ｔ−１）で表される化合物は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは、後述の式（T’−２３）又は式（T’−２４）で表される化合物であり、より好ましくは、式（T’−２４）で表される化合物である。

式（Ｔ−１）で表される化合物は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは、式（T’−１）〜式（T’−４）、式（T’−１２）〜式（T’−１４）、式（T’−１５）、式（T’−１７）、式（T’−１８）、式（T’−２０）、式（T’−２１）、式（T’−２３）又は式（T’−２４）で表される化合物であり、より好ましくは式（T’−４）又は式（T’−２４）で表される化合物であり、更に好ましくは式（T’−４）で表される化合物である。

［式中、
Ｒ^1Tは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、式（１T’）で表される基又は式（D-C）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^1Tは、同一でも異なっていてもよく、直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、環を形成してもよい。但し、複数存在するＲ^1Tのうち、少なくとも１個は式（１T’）で表される基である。
Ｒ^1T'は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、電子求引性基、式（１T’）で表される基又は式（D-C）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^1T'は、同一でも異なっていてもよく、直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、環を形成してもよい。但し、複数存在するＲ^1T'のうち、少なくとも１個は式（１T’）で表される基であり、且つ、少なくとも１個は電子求引性基である。］

複数存在するＲ^1T及びＲ^1T'のうち、各々、ｎ^T3個は式（D-C）で表される基であることが好ましく、少なくとも１個は式（D-C）で表される基であることがより好ましい。

複数存在するＲ^1T'のうち、１〜５個は電子求引性基であることが好ましく、１個又は２個が電子求引性基であることがより好ましい。

Ｒ^1Tは、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子、シアノ基、式（１T’）で表される基又は式（D-C）で表される基であり、より好ましくは、水素原子、式（１T’）で表される基又は式（D-C）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^1T'は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、電子求引性基、式（１T’）で表される基又は式（D-C）で表される基であり、より好ましくは、水素原子、電子求引性基、式（１T’）で表される基又は式（D-C）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^1T及びＲ^1T'が、それぞれ、式（１T’）で表される基又は式（D-C）で表される基ではない場合、Ｒ^1T及びＲ^1T'が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^T2が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

低分子化合物（Ｔ）としては、例えば、下記式で表される化合物が挙げられる。

［式中、
Ｚ¹は、−Ｎ＝で表される基、又は、−ＣＨ＝で表される基を表す。
Ｚ²は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
複数存在するＺ¹及びＺ²は、各々、同一でも異なっていてもよい。］

Ｚ¹は−Ｎ＝で表される基であることが好ましい。Ｚ²は酸素原子であることが好ましい。

低分子化合物（Ｔ）は、Aldrich、Luminescence Technology Corp.等から入手可能である。その他には、例えば、国際公開第２００７／０６３７５４号、国際公開第２００８／０５６７４６号、国際公開第２０１１／０３２６８６号、国際公開第２０１２／０９６２６３号、特開２００９−２２７６６３号公報、特開２０１０−２７５２５５号公報、Advanced Materials，26巻，7931-7958頁，2014年に記載されている方法に従って合成することができる。

［高分子化合物（ＴＰ）］
第１の有機層において、高分子化合物（ＴＰ）は、１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。

高分子化合物（ＴＰ）に含まれる構成単位（Ｃ）は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れ、且つ、高分子化合物（ＴＰ）の製造が容易であるので、好ましくは、低分子化合物（Ｔ）から１個以上５個以下の水素原子を除いてなる基を含む構成単位であり、より好ましくは、式（１Ｃ）〜式（４Ｃ）で表される構成単位であり、更に好ましくは式（３Ｃ）で表される構成単位である。

・式（１Ｃ）で表される構成単位
Ｌ^Cで表されるアリーレン基及び２価の複素環基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、後述のＡｒ^Y1で表されるアリーレン基及び２価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｌ^Cは、好ましくは酸素原子、−Ｃ（Ｒ^B）₂−又はアリーレン基である。

Ｒ^A、Ｒ^B及びＬ^Cが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、後述のＡｒ^Y1で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

ｎ^c1は、好ましくは１以上４以下の整数である。

・式（２Ｃ）で表される構成単位
Ｌ^d及びＬ^eで表されるアリーレン基及び２価の複素環基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、後述のＡｒ^Y1で表されるアリーレン基及び２価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｌ^d及びＬ^eは、好ましくは酸素原子、−Ｃ（Ｒ^B）₂−又はアリーレン基であり、より好ましくはアリーレン基である。

ｎ^d1は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、０であることが好ましい。

ｎ^e1は、好ましくは１以上４以下の整数である。

Ａｒ^1Mは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、カルバゾール環、フェノキサジン環又はフェノチアジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子３個を除いてなる基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^d、Ｌ^e及びＡｒ^1Mが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、後述のＡｒ^Y1で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

・式（３Ｃ）で表される構成単位
Ｔ^2Cは、式(T-2C-1)〜式(T-2C-5)で表される基であることが好ましく、式(T-2C-2)又は式(T-2C-5)で表される基であることがより好ましく、式(T-2C-2)で表される基であることが更に好ましい。

［式中、
ｍ^DA1、ｎ^T1、ｎ^T2、ｎ^T3、Ａｒ^DA1、Ａｒ^T1、Ｌ^T1及びＴ^DAは前記と同じ意味を表す。ｍ^DA1、ｎ^T1、Ａｒ^DA1、Ａｒ^T1、Ｌ^T1及びＴ^DAが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^T2'は、Ａｒ^T2から１個の水素原子を除いてなる基を表す。
Ａｒ^T2''は、Ａｒ^T2から２個の水素原子を除いてなる基を表す。
Ａｒ^T3は、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）₂−で表される基、電子求引性基を有する芳香族炭化水素基、ホウ素原子を環内に含む複素環基、又は、＝Ｎ−で表される基を環内に含む複素環基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^T1は前記と同じ意味を表す。
Ａｒ^T3'は、Ａｒ^T3で表される電子求引性基を有する芳香族炭化水素基、ホウ素原子を環内に含む複素環基、又は、＝Ｎ−で表される基を環内に含む複素環基から、１個の水素原子を除いてなる基を表す。
Ａｒ^L1は、Ｔ^DAから１個の水素原子を除いてなる基を表す。複数存在するＡｒ^L1は、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^L2は、Ｔ^DAから２個の水素原子を除いてなる基を表す。
Ａｒ^K1は、Ａｒ^T1から１個の水素原子を除いてなる基を表す。複数存在するＡｒ^K1は、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^K2は、Ａｒ^T1から２個の水素原子を除いてなる基を表す。］

Ａｒ^T3で表される−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）₂−で表される基、電子求引性基を有する芳香族炭化水素基、ホウ素原子を環内に含む複素環基、及び、＝Ｎ−で表される基を環内に含む複素環基の例及び好ましい範囲は、各々、Ａｒ^T2で表される−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）₂−で表される基、電子求引性基を有する芳香族炭化水素基、ホウ素原子を環内に含む複素環基、及び、＝Ｎ−で表される基を環内に含む複素環基の例及び好ましい範囲と同様である。

式(T-2C-1)〜式(T-2C-5)における、ｍ^DA1、ｎ^T1、ｎ^T2、ｎ^T3、Ａｒ^DA1及びＬ^T1の例及び好ましい範囲は、それぞれ、低分子化合物（Ｔ）におけるｍ^DA1、ｎ^T1、ｎ^T2、ｎ^T3、Ａｒ^DA1及びＬ^T1の例及び好ましい範囲と同様である。

式(T-2C-1)〜式(T-2C-5)において、ｍ^DA1、ｎ^T1、Ａｒ^DA1、Ａｒ^T1、Ｌ^T1及びＴ^DAが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であることが好ましい。

・式（４Ｃ）で表される構成単位
式（１Ｃ）〜式（４Ｃ）で表される構成単位における、Ｔ^1C、Ｔ^2C及びＴ^3Cで表される基は、低分子化合物（Ｔ−１）のＡｒ^T1、Ａｒ^T2又はＴ^DAから１個以上の水素原子を除いてなる基であることが好ましく、Ａｒ^T1又はＴ^DAから１個以上の水素原子を除いてなる基であることがより好ましく、Ｔ^DAから１個以上の水素原子を除いてなる基であることが更に好ましい。

式（３Ｃ）で表される構成単位は、好ましくは、式(3C-1)〜式(3C-3)で表される構成単位である。

［式中、
環Ｒ^T1、環Ｒ^T2、ｍ^DA1、ｎ^d1、ｎ^T1、Ａｒ^DA1、Ａｒ^L1、Ｌ^d、Ｌ^T1、Ｒ^1T及びＸ^T1は前記と同じ意味を表す。環Ｒ^T1、環Ｒ^T2、ｍ^DA1、ｎ^d1、ｎ^T1、Ａｒ^DA1、Ａｒ^L1、Ｌ^d、Ｌ^T1、Ｒ^1T及びＸ^T1が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｋは、０又は１を表す。ｋが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ³は、−Ｎ＝で表される基、−ＣＨ＝で表される基、又は−ＣＲ^1T＝で表される基を表す。複数存在するＺ³は、同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＺ³は、−Ｎ＝で表される基を表す。］

式(3C-1)で表される構成単位において、環Ｒ^T1又は環Ｒ^T2の定義、例及び好ましい範囲は、低分子化合物（Ｔ）における環Ｒ^T1又は環Ｒ^T2の定義、例及び好ましい範囲と同様である。

式(3C-2)又は式(3C-3)で表される構成単位において、環Ｒ^T1又は環Ｒ^T2が有する−（Ｌ^d）ｎ^d1−を除いた部分の定義、例及び好ましい範囲は、低分子化合物（Ｔ）における環Ｒ^T1又は環Ｒ^T2の定義、例及び好ましい範囲と同様である。

式(3C-1)〜式(3C-3)で表される構成単位における、ｍ^DA1、ｎ^T1、Ａｒ^DA1、Ｌ^T1、Ｒ^1T及びＸ^T1の例及び好ましい範囲は、それぞれ低分子化合物（Ｔ）におけるｍ^DA1、ｎ^T1、Ａｒ^DA1、Ｌ^T1、Ｒ^1T及びＸ^T1の例及び好ましい範囲と同じである。

式(3C-1)〜式(3C-3)で表される構成単位における、ｎ^d1及びＬ^dの例及び好ましい範囲は、それぞれ式（３Ｃ）で表される構成単位におけるｎ^d1及びＬの例及び好ましい範囲と同じである。

式(3C-1)〜式(3C-3)で表される構成単位において、環Ｒ^T1、環Ｒ^T2、ｍ^DA1、ｎ^d1、ｎ^T1、Ａｒ^DA1、Ａｒ^L1、Ｌ^d、Ｌ^T1、Ｒ^1T及びＸ^T1が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であることが好ましい。

Ｚ³は−Ｎ＝で表される基であることが好ましく、複数存在するＺ³は同一であることが好ましい。

ｋは１であることが好ましく、ｋが複数存在する場合、それらは同一であることが好ましい。

構成単位（Ｃ）としては、例えば、下記式で表される構成単位が挙げられる。

［式中、
ｋ、ｎ^c1、ｎ^e1、Ｌ^c、Ｌ^e、Ｒ^1T、Ｒ^Y2、Ｚ¹、Ｚ²及びＺ³は前記と同じ意味を表す。
ｊは、０又は１を表す。ｊが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^TSは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^TSは、同一でも異なっていてもよい。］

ｊは０であることが好ましく、ｊが複数存在する場合、それらは同一であることが好ましい。

Ｒ^TSは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、置換アミノ基又はシアノ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又は１価の複素環基であることがより好ましい。

Ｒ^TSで表されるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^T1が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^TSが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^T1が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

高分子化合物（ＴＰ）において、構成単位（Ｃ）の合計量は、本発明の外部量子効率が優れるので、高分子化合物（ＴＰ）に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.01〜50モル％であり、より好ましくは0.1〜30モル％であり、更に好ましくは1〜20モル％であり、特に好ましくは6〜15モル％である。

高分子化合物（ＴＰ）は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、前記式(Ｙ)で表される構成単位を更に含むことが好ましい。

Ａｒ^Y1は、好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)-式(A-10)、式(A-19)又は式(A-20)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される基は置換基を有することが好ましく、Ａｒ^Y1で表される基が有していてもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、より好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｙ)で表される構成単位としては、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、式(Y-1)、式（Y-2）又は式(Y-3)で表される構成単位であることが好ましく、式(Y-1)又は式(Y-2)で表される構成単位であることがより好ましく、式(Y-1)で表される構成単位であることが更に好ましく。

式(Y-1)において、Ｒ^Y1は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Y-1)で表される構成単位は、好ましくは、式(Y-1')で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Y11は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y11は、同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^Y11は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、より好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Y-2)において、Ｒ^Y2は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、両方がアリール基、又は、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基としては、好ましくは式(Y-A1)-式(Y-A5)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、又は、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基中の４個のＲ^Y2は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基又はシクロアルキル基である。複数あるＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基は、好ましくは式(Y-B1)-(Y-B5)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y2は前記と同じ意味を表す。］

式(Y-2)で表される構成単位は、式(Y-2')で表される構成単位であることが好ましく、式(Y-2'')で表される構成単位であることがより好ましい。

［式中、Ｒ^Y1及びＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Y2及びＲ^Y11は前記と同じ意味を表す。］

式(Y-3)で表される構成単位は、式(Y-3')で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Y11及びＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-101)-式(Y-108)で表される構成単位が挙げられる。

式(Ｙ)で表される構成単位の合計量は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、高分子化合物（ＴＰ）に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜80モル％であり、より好ましくは30〜60モル％である。

高分子化合物（ＴＰ）は、後述の式(Ｘ)で表される構成単位を更に含有していてもよい。高分子化合物（ＴＰ）が含有していてもよい式(Ｘ)で表される構成単位の例及び好ましい範囲は、それぞれ、後述の第２の高分子化合物が含有していてもよい式(Ｘ)で表される構成単位の例及び好ましい範囲と同じである。

高分子化合物（ＴＰ）において、式(Ｘ)で表される構成単位及び式(Ｙ)で表される構成単位は、それぞれ、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。

・式（Ｓ−１)〜式（Ｓ−３）で表される構成連鎖
高分子化合物（ＴＰ）は、式（Ｓ−１)〜式（Ｓ−３）のいずれかで表される構成連鎖を有することが好ましく、式（Ｓ−２）で表される構成連鎖を有することがより好ましい。

［式中、
Ａｒ^TWは、前記式(Y-1)〜式(Y-3)で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１つの構成単位である。Ａｒ^TWが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｌ^S1は、前記式（１Ｃ）で表される構成単位である。
Ｌ^S2は、前記式（２Ｃ）で表される構成単位又は前記式（３Ｃ）で表される構成単位である。
Ｌ^S3は、前記式（４Ｃ）で表される構成単位である。］

式（Ｓ−１）〜式（Ｓ−３）で表される構成連鎖において、Ａｒ^TWが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。式（Ｓ−１）〜式（Ｓ−３）におけるＡｒ^TWの例及び好ましい範囲は、それぞれ、前記式(Y-1)〜式(Y-3)で表される構成単位の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｌ^S1で表される構成単位の例及び好ましい範囲は、それぞれ、式（１Ｃ）で表される構成単位の例及び好ましい範囲と同じであり、Ｌ^S2で表される構成単位の例及び好ましい範囲は、それぞれ、式（２Ｃ）で表される構成単位及び式（３Ｃ）で表される構成単位の例及び好ましい範囲と同じであり、Ｌ^S3で表される構成単位の例及び好ましい範囲は、それぞれ、式(４Ｃ)で表される構成単位の例及び好ましい範囲と同じである。

式（Ｓ−２）で表される構成連鎖において、Ｌ^S2で表される構成単位は、好ましくは、式（３Ｃ）で表される構成単位である。

式（Ｓ−２）で表される構成連鎖は、式(S2-1)〜式(S2-3)で表される構成連鎖であることが好ましく、式(S2-1)で表される構成連鎖であることがより好ましい。

［式中、
環Ｒ^T1、環Ｒ^T2、ｋ、ｍ^DA1、ｎ^d1、ｎ^T1、Ａｒ^DA1、Ａｒ^L1、Ａｒ^TW、Ｌ^d、Ｌ^T1、Ｒ^1T、Ｘ^T1及びＺ³は前記と同じ意味を表す。環Ｒ^T1、環Ｒ^T2、ｋ、ｍ^DA1、ｎ^T1、Ａｒ^DA1、Ａｒ^L1、Ｌ^d、Ｌ^T1、Ｒ^1T、Ｘ^T1及びＺ³が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎ^d1及びＡｒ^TWは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。］

式(S2-1)〜式(S2-3)で表される構成連鎖における、環Ｒ^T1、環Ｒ^T2、ｍ^DA1、ｎ^T1、Ａｒ^DA1、Ｌ^T1、Ｒ^1T及びＸ^T1の例及び好ましい範囲は、それぞれ、低分子化合物（Ｔ）における環Ｒ^T1、環Ｒ^T2、ｍ^DA1、ｎ^T1、Ａｒ^DA1、Ｌ^T1、Ｒ^1T及びＸ^T1の例及び好ましい範囲と同じである。環Ｒ^T1、環Ｒ^T2、ｍ^DA1、ｎ^T1、Ａｒ^DA1、Ｌ^T1、Ｒ^1T及びＸ^T1が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であることが好ましい。

式(S2-1)〜式(S2-3)で表される構成連鎖における、ｋ、ｎ^d1、Ａｒ^L1、Ｌ^d及びＺ³の例及び好ましい範囲は、それぞれ式（３Ｃ）で表される構成単位におけるｋ、ｎ^d1、Ａｒ^L1、Ｌ^d及びＺ³の例及び好ましい範囲と同じである。ｋ、Ａｒ^L1、Ｌ^d及びＺ³が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であることが好ましい。複数存在するｎ^d1は、同一であることが好ましい。

式(S2-1)〜式(S2-3)で表される構成連鎖における、Ａｒ^TWの例及び好ましい範囲は、式（Ｓ−２）表される構成連鎖における、Ａｒ^TWの例及び好ましい範囲と同じである。Ａｒ^TWが複数存在する場合、それらは同一であることが好ましい。

式（Ｓ−１)〜式（Ｓ−３）で表される構成連鎖としては、例えば、下記式で表される構成連鎖が挙げられる。なお、式中、ｋ、ｎ^e1、Ｌ^e、Ｒ^1T、Ｒ^TS、Ｒ^Y2、Ｒ^Y4、Ｒ^Y11、Ｚ²及びＺ³の定義、例及び好ましい範囲は前記と同じであり、それらが複数存在する場合、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

式（Ｓ−１)〜式（Ｓ−３）で表される構成連鎖において、Ａｒ^TWで表される基とＬ^S1で表される基との結合、Ａｒ^TWで表される基とＬ^S2で表される基との結合、及び、Ａｒ^TWで表される基とＬ^S3で表される基との結合は、それぞれ、炭素−炭素結合であることが好ましい。

式（Ｓ−１)〜式（Ｓ−３）で表される構成連鎖において、Ａｒ^TWで表される基とＬ^S1で表される基との間の二面角をθ¹、Ａｒ^TWで表される基とＬ^S2で表される基との間の二面角のうち、最小の二面角をθ²、Ａｒ^TWで表される基とＬ^S3で表される基との間の二面角のうち、最小の二面角をθ³とするとき、θ¹、θ²及びθ³は、それぞれ、45°以上であることが好ましく、50°以上であることがより好ましく、55°以上であることが更に好ましい。

θ¹、θ²及びθ³の算出には、量子化学計算プログラムであるGaussian09を用いることができる。例えば、式（Ｓ−１)〜式（Ｓ−３）で表される構成連鎖における結合手を、各々、水素原子に置き換えた化合物について、半経験的分子軌道法であるAM1を用いて、該化合物の基底状態を構造最適化することで、θ¹、θ²及びθ³を算出することができる。

高分子化合物（ＴＰ）において、式（Ｓ−１)〜式（Ｓ−３）で表される構成連鎖は、それぞれ、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよいが、１種のみ含まれていることが好ましい。

式（Ｓ−１)〜式（Ｓ−３）で表される構成連鎖の合計量は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、高分子化合物（ＴＰ）に含まれる構成単位（Ｃ）の合計量に対して、好ましくは20〜100モル％であり、より好ましくは50〜100モル％であり、更に好ましくは80〜100モル％であり、特に好ましくは100モル％である。

高分子化合物（ＴＰ）としては、例えば、高分子化合物Ａ、及び、高分子化合物TP-A〜TP-Gが挙げられる。ここで、「その他」の構成単位とは、構成単位（Ｃ）、式(Ｘ)で表される構成単位及び式(Ｙ)で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｐ''、ｑ''、ｒ''、ｓ''、ｔ''及びｕ''は、各構成単位のモル比率を表す。ｐ''＋ｑ''＋ｒ''＋ｓ''＋ｔ''＝100であり、且つ、70≦ｐ''＋ｑ''＋ｒ''＋ｓ''＋ｔ''＋ｕ''≦100である。］

高分子化合物（ＴＰ）は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。

高分子化合物（ＴＰ）のポリスチレン換算の数平均分子量は、好ましくは5×10³〜１×10⁶であり、より好ましくは1.5×10⁴〜1×10⁵である。

［高分子化合物（ＴＰ）の製造方法］
次に、高分子化合物（ＴＰ）の製造方法について説明する。

高分子化合物（ＴＰ）は、例えば、式(M-1)で表される化合物と、式(MT-1)〜式(MT-4)で表される化合物と、他の化合物（例えば、式(M-2)〜式(M-4)で表される化合物）とを縮合重合させることにより製造することができる。本明細書において、本発明の高分子化合物（ＴＰ）の製造に使用される化合物を総称して、「原料モノマー」ということがある。

［式中、
ｃ、ｍ、ｍＡ、ｎ、ｎＡ、ｎ^c1、ｎ^d1、ｎ^e1、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³、Ａｒ⁴、Ａｒ^1M、Ａｒ^Y1、Ｋ^A、Ｌ^c、Ｌ^d、Ｌ^e、Ｔ^1C、Ｔ^2C、Ｔ^3C、Ｘ及びＸ’は、前記と同じ意味を表す。
Ｚ^C1〜Ｚ^C16は、それぞれ独立に、置換基Ａ群及び置換基Ｂ群からなる群から選ばれる基を表す。］

例えば、Ｚ^C1及びＺ^C2が置換基Ａ群から選ばれる基である場合、Ｚ^C3〜Ｚ^C16は、それぞれ、置換基Ｂ群から選ばれる基を選択する。

例えば、Ｚ^C1及びＺ^C2が置換基Ｂ群から選ばれる基である場合、Ｚ^C3〜Ｚ^C16は、それぞれ、置換基Ａ群から選ばれる基を選択する。

＜置換基Ａ群＞
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ(＝Ｏ)₂Ｒ^C1（式中、Ｒ^C1は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基。

＜置換基Ｂ群＞
−Ｂ(ＯＲ^C2)₂（式中、Ｒ^C2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^C2は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基；
−ＢＦ₃Ｑ'（式中、Ｑ'は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓを表す。）で表される基；
−ＭｇＹ'（式中、Ｙ'は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される基；
−ＺｎＹ''（式中、Ｙ''は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される基；及び、
−Ｓｎ(Ｒ^C3)₃（式中、Ｒ^C3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^C3は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基。

−Ｂ(ＯＲ^C2)₂で表される基としては、下記式で表される基が例示される。

置換基Ａ群から選ばれる基を有する化合物と置換基Ｂ群から選ばれる基を有する化合物とは、公知のカップリング反応により縮合重合して、置換基Ａ群から選ばれる基及び置換基Ｂ群から選ばれる基と結合する炭素原子同士が結合する。そのため、置換基Ａ群から選ばれる基を２個有する化合物と、置換基Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物を公知のカップリング反応に供すれば、縮合重合により、これらの化合物の縮合重合体を得ることができる。

縮合重合は、通常、触媒、塩基及び溶媒の存在下で行われるが、必要に応じて、相間移動触媒を共存させて行ってもよい。

触媒としては、例えば、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、ビス（トリス-o-メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、酢酸パラジウム等のパラジウム錯体、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、［1,3-ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン）ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、ビス（1,4-シクロオクタジエン）ニッケル（０）等のニッケル錯体等の遷移金属錯体；これらの遷移金属錯体が、更にトリフェニルホスフィン、トリ（o-トリル）ホスフィン、トリ（tert-ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、1,3-ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ビピリジル等の配位子を有する錯体が挙げられる。触媒は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

触媒の使用量は、原料モノマーのモル数の合計に対する遷移金属の量として、通常、0.00001〜３モル当量である。

塩基及び相間移動触媒としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基；フッ化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基；塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム等の相間移動触媒が挙げられる。塩基及び相間移動触媒は、それぞれ、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

塩基及び相間移動触媒の使用量は、それぞれ、原料モノマーの合計モル数に対して、通常0.001〜100モル当量である。

溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、水が挙げられる。溶媒は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

溶媒の使用量は、通常、原料モノマーの合計100質量部に対して、10〜100000質量部である。

縮合重合の反応温度は、通常-100〜200℃である。縮合重合の反応時間は、通常１時間以上である。

重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独、又は組み合わせて行う。高分子化合物の純度が低い場合、例えば、晶析、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。

［第１の組成物］
第１の有機層は、高分子化合物（ＴＰ）と、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含む組成物（以下、「第１の組成物」ともいう。）を含有する層であってもよい。但し、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料及び発光材料と、高分子化合物（ＴＰ）とは異なる。

第１の組成物が、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料又は電子注入材料を含む場合、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料及び電子注入材料は、それぞれ、高分子化合物（ＴＰ）の有する最低励起三重項状態より高いエネルギー準位を有し、且つ、高分子化合物（ＴＰ）の有する最低励起一重項状態より高いエネルギー準位を有することが好ましい。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。

高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノンが挙げられ、好ましくはフラーレンである。

第１の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、高分子化合物（ＴＰ）を100質量部とした場合、通常、1〜400質量部であり、好ましくは5〜150質量部である。
正孔輸送材料は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。

低分子化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン及びジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、及び、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。

第１の組成物において、電子輸送材料の配合量は、高分子化合物（ＴＰ）を100質量部とした場合、通常、1〜400質量部であり、好ましくは5〜150質量部である。
電子輸送材料は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

［正孔注入材料及び電子注入材料］
正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。

低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン及びポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。

第１の組成物において、正孔注入材料及び電子注入材料の配合量は、各々、高分子化合物（ＴＰ）を100質量部とした場合、通常、1〜400質量部であり、好ましくは5〜150質量部である。
電子注入材料及び正孔注入材料は、各々、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

正孔注入材料又は電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×10^-5S/cm〜１×10³S/cmである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。
ドープするイオンは、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

［発光材料］
発光材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、発光材料は低分子化合物であることが好ましい。

低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体に代表される蛍光発光性化合物、並びに、イリジウム、白金又はユーロピウムを中心金属とする燐光発光性化合物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、後述の式(Ｘ)で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。

発光材料としては、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、式Ir-1〜Ir-5で表される燐光発光性化合物が好ましく、式Ir-1で表される燐光発光性化合物がより好ましい。

［式中、
Ｒ^D11〜Ｒ^D20、Ｒ^D21〜Ｒ^D26及びＲ^D31〜Ｒ^D37は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^D11〜Ｒ^D20、Ｒ^D21〜Ｒ^D26及びＲ^D31〜Ｒ^D37が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
−Ａ^D1---Ａ^D2−、ｎ_D1、ｎ_D2及びＲ^D1〜Ｒ^D8は、前記と同じ意味を表す。］

−Ａ^D1---Ａ^D2−で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。

［式中、＊は、Ｉｒと結合する部位を表す。］

燐光発光性化合物としては、例えば、以下に示す燐光発光性化合物が挙げられる。

第１の組成物が発光材料を含む場合、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、高分子化合物（ＴＰ）は、発光材料の有する最低励起三重項状態より高いエネルギー準位を有し、且つ、発光材料の有する最低励起一重項状態より高いエネルギー準位を有することが好ましい。

第１の組成物において、発光材料の含有量は、高分子化合物（ＴＰ）と発光材料との合計を100質量部とした場合、通常、0.1〜50質量部である。
発光材料は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

［酸化防止剤］
酸化防止剤は、高分子化合物（ＴＰ）と同じ溶媒に可溶であり、発光及び電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。

第１の組成物において、酸化防止剤の配合量は、高分子化合物（ＴＰ）を100質量部とした場合、通常、0.001〜10質量部である。
酸化防止剤は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

［第１のインク］
高分子化合物（ＴＰ）と、溶媒とを含有する組成物（以下、「第１のインク」ともいう。）は、スピンコート法、インクジェット法等の湿式法に好適に使用することができる。

第１のインクの粘度は、湿式法の種類によって調整すればよいが、インクジェット法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりが起こりづらいので、好ましくは25℃において１〜20mPa・sである。

第１のインクに含有される溶媒は、好ましくは、インク中の固形分を溶解又は均一に分散できる溶媒である。溶媒としては、例えば、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、4-メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン、n-ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

第１のインクにおいて、溶媒の配合量は、高分子化合物（ＴＰ）を100質量部とした場合、通常、1000〜100000質量部である。

＜第２の有機層＞
架橋材料の架橋体は、架橋材料を上述した方法及び条件等により架橋した状態にすることで得られる。

架橋材料は、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する低分子化合物（以下、「第２の有機層の低分子化合物」ともいう。）、又は、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する架橋構成単位を含む高分子化合物（以下、「第２の有機層の高分子化合物」ともいう。）であり、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する架橋構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。

架橋基Ａ群から選ばれる架橋基としては、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは、式(XL-1)〜式(XL-4)、式(XL-7)〜式(XL-10)又は式(XL-14)〜式(XL-17)で表される架橋基であり、より好ましくは、式(XL-1)又は式(XL-17)で表される架橋基であり、更に好ましくは、式(XL-17)で表される架橋基である。

［第２の有機層の高分子化合物］
第２の有機層の高分子化合物に含まれる、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する構成単位は、式（２）で表される構成単位又は式（２'）で表される構成単位であることが好ましいが、下記式で表される構成単位であってもよい。

第２の有機層の高分子化合物が、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する構成単位を２種以上含む場合、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する構成単位の少なくとも２種は、架橋基が互いに異なることが好ましい。互いに異なる架橋基の組み合わせとしては、式（ＸＬ−１）、式（ＸＬ−２）、式（ＸＬ−５）〜式（ＸＬ−８）又は式（ＸＬ−１４）〜式（ＸＬ−１６）で表される架橋基と、式（ＸＬ−３）、式（ＸＬ−４）、式（ＸＬ−１３）又は式（ＸＬ−１７）で表される架橋基との組み合わせが好ましく、式（ＸＬ−１）又は式（ＸＬ−１６）で表される架橋基と、式（ＸＬ−１７）で表される架橋基との組み合わせがより好ましく、式（ＸＬ−１）で表される架橋基と、式（ＸＬ−１７）で表される架橋基との組み合わせが更に好ましい。

・式（２）で表される構成単位
ｎＡは、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは１である。

ｎは、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは２である。

Ａｒ³は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。

Ａｒ³で表される芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜30であり、より好ましくは６〜18である。
Ａｒ³で表される芳香族炭化水素基のｎ個の置換基を除いたアリーレン基部分としては、好ましくは、式(A-1)〜式(A-20)で表される基であり、より好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)又は式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ³で表される複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜60であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜18である。
Ａｒ³で表される複素環基のｎ個の置換基を除いた２価の複素環基部分としては、好ましくは、式(AA-1)〜式(AA-34)で表される基である。

Ａｒ³で表される芳香族炭化水素基及び複素環基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基が好ましい。

Ｌ^Aで表されるアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜20であり、好ましくは１〜15であり、より好ましくは１〜10である。Ｌ^Aで表されるシクロアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜20である。
アルキレン基及びシクロアルキレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基、オクチレン基が挙げられる。

Ｌ^Aで表されるアルキレン基及びシクロアルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基及びシクロアルキレン基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基が好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｌ^Aで表されるアリーレン基は、置換基を有していてもよい。アリーレン基としては、フェニレン基又はフルオレンジイル基が好ましく、m-フェニレン基、p-フェニレン基、フルオレン−2,7-ジイル基、フルオレン−9,9−ジイル基がより好ましい。アリーレン基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子、シアノ基又は架橋基Ａ群から選ばれる架橋基が好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｌ^Aで表される２価の複素環基としては、好ましくは式(AA-1)〜式(AA-34)で表される基である。

Ｌ^Aは、第２の有機層の高分子化合物の製造が容易になるので、好ましくは、アリーレン基又はアルキレン基であり、より好ましくは、フェニレン基、フルオレンジイル基又はアルキレン基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘで表される架橋基としては、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは、式(XL-1)〜式(XL-4)、式(XL-7)〜式(XL-10)又は式(XL-14)〜式(XL-17)で表される架橋基であり、より好ましくは、式(XL-1)又は式(XL-17)で表される架橋基であり、更に好ましくは、式(XL-17)で表される架橋基である。

式（２）で表される構成単位の合計量は、第２の有機層の高分子化合物の安定性及び架橋性が優れるので、第２の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜80モル％であり、より好ましくは3〜65モル％であり、更に好ましくは5〜50モル％である。
式（２）で表される構成単位は、第２の有機層の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

第２の有機層の高分子化合物が、式（２）で表される構成単位を２種以上含む場合、式（２）で表される構成単位の少なくとも２種は、Ｘで表される架橋基が互いに異なることが好ましい。互いに異なるＸで表される架橋基の組み合わせの好ましい範囲は、前述の互いに異なる架橋基の組み合わせの好ましい範囲と同じである。

・式（２'）で表される構成単位
ｍＡは、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０である。

ｍは、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは１又は２であり、より好ましくは２である。

ｃは、第２の有機層の高分子化合物の製造が容易になり、且つ、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは０である。

Ａｒ⁵は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。

Ａｒ⁵で表される芳香族炭化水素基のｍ個の置換基を除いたアリーレン基部分の定義及び例は、後述の式（Ｘ）におけるＡｒ^X2で表されるアリーレン基の定義及び例と同じである。

Ａｒ⁵で表される複素環基のｍ個の置換基を除いた２価の複素環基部分の定義及び例は、後述の式（Ｘ）におけるＡｒ^X2で表される２価の複素環基部分の定義及び例と同じである。

Ａｒ⁵で表される「芳香族炭化水素環と複素環とが直接結合した基」のｍ個の置換基を除いた２価の基の定義及び例は、後述の式（Ｘ）におけるＡｒ^X2で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基の定義及び例と同じである。

Ａｒ⁴及びＡｒ⁶は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ⁴及びＡｒ⁶で表されるアリーレン基及び２価の複素環基の定義及び例は、後述の式（Ｘ）におけるＡｒ^X1及びＡｒ^X3で表されるアリーレン基及び２価の複素環基の定義及び例と同じである。

Ａｒ⁴、Ａｒ⁵及びＡｒ⁶で表される基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基及びシアノ基が好ましい。

Ｋ^Aで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義及び例は、それぞれ、Ｌ^Aで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義及び例と同じである。

Ｋ^Aは、第２の有機層の高分子化合物の製造が容易になるので、フェニレン基又はメチレン基であることが好ましい。

Ｘ’で表される架橋基の定義及び例は、前述のＸで表される架橋基の定義及び例と同じである。

式（２'）で表される構成単位の合計量は、第２の有機層の高分子化合物の安定性が優れ、且つ、第２の有機層の高分子化合物の架橋性が優れるので、第２の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜50モル％であり、より好ましくは3〜30モル％であり、更に好ましくは5〜20モル％である。
式（２'）で表される構成単位は、第２の有機層の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

第２の有機層の高分子化合物が、式（２'）で表される構成単位を２種以上含む場合、式（２'）で表される構成単位の少なくとも２種は、Ｘ’で表される架橋基が互いに異なることが好ましい。互いに異なるＸ’で表される架橋基の組み合わせの好ましい範囲は、前述の互いに異なる架橋基の組み合わせの好ましい範囲と同じである。

・式（２）又は（２'）で表される構成単位の好ましい態様
式（２）で表される構成単位としては、例えば、式(2-1)〜式(2-13)で表される構成単位が挙げられる。式（２'）で表される構成単位としては、例えば、式(2'-1)〜式(2'-4)で表される構成単位が挙げられる。これらの中でも、第２の有機層の高分子化合物の架橋性が優れるので、好ましくは式(2-1)〜式(2-13)で表される構成単位であり、より好ましくは式(2-1)〜式(2-6)又は式(2-13)で表される構成単位である。

・その他の構成単位
第２の有機層の高分子化合物は、正孔輸送性が優れるので、更に、式(Ｘ)で表される構成単位を含むことが好ましい。また、第２の有機層の高分子化合物は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、更に、前記式(Ｙ)で表される構成単位を含むことが好ましい。

［式中、
ａ^X1及びａ^X2は、それぞれ独立に、０以上１０以下の整数を表す。
Ａｒ^X1及びＡｒ^X3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^X2及びＡｒ^X4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^X2及びＡｒ^X4が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^X1、Ｒ^X2及びＲ^X3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^X2及びＲ^X3が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］

ａ^X1は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは２以下の整数であり、より好ましくは１である。
ａ^X2は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは２以下の整数であり、より好ましくは０である。

Ｒ^X1、Ｒ^X2及びＲ^X3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表されるアリーレン基は、より好ましくは式(A-1)又は式(A-9)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表される２価の複素環基は、より好ましくは式(AA-1)、式(AA-2)又は式(AA-7)-式(AA-26)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1及びＡｒ^X3は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)-式(A-11)又は式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表される「少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^XXは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^XXは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X2及びＡｒ^X4は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X1〜Ａｒ^X4及びＲ^X1〜Ｒ^X3で表される基が有していてもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｘ)で表される構成単位は、好ましくは式(X-1)-式(X-7)で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^X4及びＲ^X5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^X4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^X5は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^X5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

式(Ｘ)で表される構成単位としては、例えば、式(X1-1)-式(X1-11)で表される構成単位が挙げられる。

第２の有機層の高分子化合物は、正孔輸送性が優れ、且つ、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、更に、式(Ｘ)で表される構成単位及び式(Ｙ)で表される構成単位を含むことが好ましい。

第２の有機層の高分子化合物が含んでいてもよい式(Ｙ)で表される構成単位の定義及び例は、前述の高分子化合物（ＴＰ）が含んでいてもよい式(Ｙ)で表される構成単位の定義及び例と同じである。

式(Ｘ)で表される構成単位は、第２の有機層の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。式(Ｙ)で表される構成単位は、第２の有機層の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

第２の有機層の高分子化合物が式(Ｘ)で表される構成単位を含む場合、式(Ｘ)で表される構成単位の合計量は、正孔輸送性が優れるので、第２の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.1〜90モル％であり、より好ましくは35〜70モル％であり、更に好ましくは45〜50モル％である。

第２の有機層の高分子化合物が式(Ｙ)で表される構成単位を含む場合、式(Ｙ)で表される構成単位の合計量は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、第２の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜90モル％であり、より好ましくは30〜60モル％である。

第２の有機層の高分子化合物としては、例えば、高分子化合物IP-A〜IP-Hが挙げられる。ここで、「その他の構成単位」とは、式（２）、式（２’）、式(Ｘ)及び式(Ｙ)で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｐ’、ｑ’、ｒ’、ｓ’及びｔ’は、各構成単位のモル比率を表す。ｐ’＋ｑ’＋ｒ’＋ｓ’＋ｔ’＝100であり、かつ、70≦ｐ’＋ｑ’＋ｒ’＋ｓ’≦100である。］

第２の有機層の高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーが共重合した共重合体であることが好ましい。

第２の有機層の高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、好ましくは5×10³〜１×10⁶であり、より好ましくは1.5×10⁴〜1×10⁵である。

［第２の有機層の高分子化合物の製造方法］
第２の有機層の高分子化合物は、前述の高分子化合物（ＴＰ）の製造方法と同様の方法で製造することができる。

［第２の有機層の低分子化合物］
第２の有機層の低分子化合物は、式（３）で表される低分子化合物が好ましい。

ｍ^B1は、架橋材料の合成が容易になるので、好ましくは０〜５の整数であり、より好ましくは０である。

ｍ^B2は、架橋材料の合成が容易となり、且つ、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは０〜５の整数であり、より好ましくは１である。

ｍ^B3は、架橋材料の合成が容易になるので、好ましくは０〜４の整数であり、より好ましくは０である。

Ａｒ⁷で表される芳香族炭化水素基のｍ^B3個の置換基を除いたアリーレン基部分の定義及び例は、前述の式(Ｘ)におけるＡｒ^X2で表されるアリーレン基の定義及び例と同じである。

Ａｒ⁷で表される複素環基のｍ^B3個の置換基を除いた２価の複素環基部分の定義及び例は、前述の式(Ｘ)におけるＡｒ^X2で表される２価の複素環基部分の定義及び例と同じである。

Ａｒ⁷で表される少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環が直接結合した基のｍ^B3個の置換基を除いた２価の基の定義及び例は、前述の式(Ｘ)におけるＡｒ^X2で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基の定義及び例と同じである。

Ａｒ⁷で表される基が有していてもよい置換基の定義及び例は、前述の式(Ｘ)におけるＡｒ^X2で表される基が有していてもよい置換基の定義及び例と同じである。

Ａｒ⁷は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは芳香族炭化水素基であり、この芳香族炭化水素基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^B1で表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義及び例は、それぞれ、前述のＬ^Aで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義及び例と同じである。

Ｌ^B1は、架橋材料の合成が容易になるので、好ましくは、アルキレン基、アリーレン基又は酸素原子であり、より好ましくはフェニレン基又はアルキレン基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ''は、好ましくは、式(XL-1)〜式(XL-17)のいずれかで表される架橋基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、式(XL-16)で表される架橋基、又は、ナフチル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

第２の有機層の低分子化合物としては、例えば、式(3-1)〜式(3-16)で表される低分子化合物が挙げられる。

第２の有機層の低分子化合物は、例えば、Aldrich、Luminescence Technology Corp.、American Dye Source等から入手可能である。第２の有機層の低分子化合物は、その他には、例えば、国際公開第１９９７／０３３１９３号、国際公開第２００５／０３５２２１号、国際公開第２００５／０４９５４８号に記載されている方法に従って合成することができる。

第２の有機層において、架橋材料の架橋体は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

［第２の組成物］
第２の有機層は、架橋材料の架橋体と、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含む組成物（以下、「第２の組成物」ともいう。）を含有する層であってもよい。

第２の組成物に含有される正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料及び電子注入材料の例及び好ましい範囲は、第１の組成物に含有される正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料及び電子注入材料の例及び好ましい範囲と同じである。

第２の組成物に含有される発光材料としては、例えば、第１の組成物が含有していてもよい蛍光発光性化合物、及び、イリジウム、白金又はユーロピウムを中心金属とする燐光発光性化合物が挙げられる。発光材料は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

第２の組成物において、正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料及び発光材料の配合量は、各々、架橋材料の架橋体を100質量部とした場合、通常、1〜400質量部である。

第２の組成物に含有される酸化防止剤の例及び好ましい範囲は、第１の組成物に含有される酸化防止剤の例及び好ましい範囲と同じである。第２の組成物において、酸化防止剤の配合量は、架橋材料の架橋体を100質量部とした場合、通常、0.001〜10質量部である。

［第２のインク］
架橋材料と、溶媒とを含有する組成物（以下、「第２のインク」ともいう。）は、第１のインクの項で説明した湿式法に好適に使用することができる。第２のインクの粘度の好ましい範囲は、第１のインクの粘度の好ましい範囲と同じである。第２のインクに含有される溶媒の例及び好ましい範囲は、第１のインクに含有される溶媒の例及び好ましい範囲と同じである。

第２のインクにおいて、溶媒の配合量は、架橋材料を100質量部とした場合、通常、1000〜100000質量部である。

＜発光素子の層構成＞
本発明の発光素子は、陽極、陰極、第１の有機層及び第２の有機層以外の層を有していてもよい。

本発明の発光素子において、第１の有機層は、通常、発光層（以下、「第１の発光層」とも言う。）である。

本発明の発光素子において、第２の有機層は、通常、正孔輸送層、第２の発光層又は電子輸送層であり、好ましくは正孔輸送層又は第２の発光層であり、より好ましくは正孔輸送層である。

本発明の発光素子において、第１の有機層と第２の有機層とは、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、隣接していることが好ましい。
本発明の発光素子において、第２の有機層は、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、陽極及び第１の有機層の間に設けられた層であることが好ましく、陽極及び第１の有機層の間に設けられた正孔輸送層又は第２の発光層であることがより好ましく、陽極及び第１の有機層の間に設けられた正孔輸送層であることが更に好ましい。

本発明の発光素子の第１の有機層において、高分子化合物（ＴＰ）は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。本発明の発光素子の第２の有機層において、架橋材料の架橋体は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

本発明の発光素子において、第２の有機層が陽極及び第１の有機層の間に設けられた正孔輸送層である場合、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、陽極と第２の有機層との間に、正孔注入層を更に有することが好ましい。第２の有機層が陽極及び第１の有機層の間に設けられた正孔輸送層である場合、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、陰極と第１の有機層との間に、電子注入層及び電子輸送層のうちの少なくとも１つの層を更に有することが好ましい。

本発明の発光素子において、第２の有機層が陽極及び第１の有機層の間に設けられた第２の発光層である場合、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、陽極と第２の有機層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層のうちの少なくとも１つの層を更に有することが好ましい。第２の有機層が陽極及び第１の有機層の間に設けられた第２の発光層である場合、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、陰極と第１の有機層との間に、電子注入層及び電子輸送層のうちの少なくとも１つの層を更に有することが好ましい。

本発明の発光素子において、第２の有機層が陰極及び第１の有機層の間に設けられた第２の発光層である場合、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、陽極と第１の有機層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層のうちの少なくとも１つの層を更に有することが好ましい。第２の有機層が陰極及び第１の有機層の間に設けられた第２の発光層である場合、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、陰極と第２の有機層との間に、電子注入層及び電子輸送層のうちの少なくとも１つの層を更に有することが好ましい。

本発明の発光素子において、第２の有機層が陰極及び第１の有機層の間に設けられた電子輸送層である場合、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、陽極と第１の有機層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層のうちの少なくとも１つの層を更に有することが好ましい。第２の有機層が陰極及び第１の有機層の間に設けられた電子輸送層である場合、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、陰極と第２の有機層との間に、電子注入層を更に有することが好ましい。

本発明の発光素子の具体的な層構成としては、例えば、（Ｄ１）〜（Ｄ１５）で表される層構成が挙げられる。本発明の発光素子は、通常、基板を有するが、基板上に陽極から積層されていてもよく、基板上に陰極から積層されていてもよい。

（Ｄ１）陽極／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／陰極
（Ｄ２）陽極／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／陰極
（Ｄ３）陽極／正孔注入層／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／陰極
（Ｄ４）陽極／正孔注入層／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層／陰極
（Ｄ５）陽極／正孔注入層／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ６）陽極／正孔注入層／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／陰極
（Ｄ８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層／陰極
（Ｄ９）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ１０）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ１１）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ１２）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／第２の発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ１３）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／第１の発光層（第１の有機層）／第２の発光層（第２の有機層）／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ１４）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層（第２の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ１５）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第２の発光層／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層／電子注入層／陰極

（Ｄ１）〜（Ｄ１５）中、「／」は、その前後の層が隣接して積層されていることを意味する。具体的には、「第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）」とは、第２の発光層（第２の有機層）と第１の発光層（第１の有機層）とが隣接して積層されていることを意味する。

本発明の発光素子において、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、第２の発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極は、それぞれ、必要に応じて、２層以上設けられていてもよい。
陽極、正孔注入層、正孔輸送層、第２の発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。

陽極、正孔注入層、正孔輸送層、第１の発光層、第２の発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極の厚さは、通常、1ｎｍ〜１μｍである。

本発明の発光素子において、積層する層の順番、数、及び厚さは、発光素子の外部量子効率、駆動電圧及び輝度寿命を勘案して調整すればよい。

［第２の発光層］
第２の発光層は、通常、第２の有機層又は発光材料を含有する層であり、好ましくは、発光材料を含有する層である。第２の発光層が発光材料を含有する層である場合、第２の発光層に含有される発光材料としては、例えば、前述の第２の組成物が含有していてもよい発光材料が挙げられる。第２の発光層に含有される発光材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。
本発明の発光素子が第２の発光層を有し、且つ、後述の正孔輸送層及び後述の電子輸送層が第２の有機層ではない場合、第２の発光層は第２の有機層であることが好ましい。

［正孔輸送層］
正孔輸送層は、通常、第２の有機層又は正孔輸送材料を含有する層であり、好ましくは、第２の有機層である。正孔輸送層が正孔輸送材料を含有する層である場合、正孔輸送材料としては、例えば、前述の第１の組成物が含有していてもよい正孔輸送材料が挙げられる。正孔輸送層に含有される正孔輸送材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。
本発明の発光素子が正孔輸送層を有し、且つ、前述の第２の発光層及び後述の電子輸送層が第２の有機層ではない場合、正孔輸送層は第２の有機層であることが好ましい。

［電子輸送層］
電子輸送層は、通常、第２の有機層又は電子輸送材料を含有する層であり、好ましくは、電子輸送材料を含有する層である。電子輸送層が電子輸送材料を含有する層である場合、電子輸送層に含有される電子輸送材料としては、例えば、前述の第１の組成物が含有していてもよい電子輸送材料が挙げられる。電子輸送層に含有される電子輸送材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。
本発明の発光素子が電子輸送層を有し、且つ、前述の第２の発光層及び前述の正孔輸送層が第２の有機層ではない場合、電子輸送層は第２の有機層であることが好ましい。

［正孔注入層及び電子注入層］
正孔注入層は、正孔注入材料を含有する層である。正孔注入層に含有される正孔注入材料としては、例えば、前述の第１の組成物が含有していてもよい正孔注入材料が挙げられる。正孔注入層に含有される正孔注入材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。
電子注入層は、電子注入材料を含有する層である。電子注入層に含有される電子注入材料としては、例えば、前述の第１の組成物が含有していてもよい電子注入材料が挙げられる。電子注入層に含有される電子注入材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。

［基板／電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。

陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体(APC)；NESA、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、スズのうち１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。

本発明の発光素子において、陽極及び陰極の少なくとも一方は、通常、透明又は半透明である。
陽極及び陰極の形成方法としては、例えば、真空蒸着法等の乾式法が挙げられる。

［発光素子の製造方法］
本発明の発光素子において、第１の発光層、第２の発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、乾式法及び湿式法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、湿式法が挙げられる。
第１の発光層、第２の発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層及び電子注入層は、第１のインク、第２のインク、並びに、上述した発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料及び電子注入材料をそれぞれ含有するインクを用いて、湿式法により形成することができる。

［発光素子の用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源及び表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)及びポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、移動相にテトラヒドロフランを用い、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー(SEC)により求めた。なお、SECの各測定条件は、次のとおりである。

測定する高分子化合物を約0.05質量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、SECに10μＬ注入した。移動相は、2.0ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、PLgel MIXED-B（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはUV-VIS検出器（島津製作所製、商品名：SPD-10Avp）を用いた。

LC-MSは、下記の方法で測定した。
測定試料を約2ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させ、LC-MS（Agilent製、商品名：1100LCMSD）に約1μＬ注入した。LC-MSの移動相には、アセトニトリル及びテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、0.2ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、L-column 2 ODS（3μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：2.1ｍｍ、長さ：100ｍｍ、粒径3μｍ）を用いた。

NMRは、下記の方法で測定した。
5〜10ｍｇの測定試料を約0.5ｍＬの重クロロホルム（CDCl₃）、重テトラヒドロフラン、重ジメチルスルホキシド、重アセトン、重N,N-ジメチルホルムアミド、重トルエン、重メタノール、重エタノール、重２−プロパノール又は重塩化メチレンに溶解させ、NMR装置（Agilent製、商品名：INOVA300又はMERCURY 400VX）を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（HPLC）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、HPLC（島津製作所製、商品名：LC-20A）でのUV＝254nmにおける値とする。この際、測定する化合物は、0.01〜0.2質量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてHPLCに1〜10μＬ注入した。HPLCの移動相には、アセトニトリル／テトラヒドロフランの比率を100／0〜0／100（容積比）まで変化させながら用い、1.0ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Kaseisorb LC ODS 2000（東京化成工業製）又は同等の性能を有するODSカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：SPD-M20A）を用いた。

化合物のΔＥ_ST、振動子強度、θ¹、θ²及びθ³の算出には、量子化学計算プログラムであるGaussian09を用いた。B3LYPレベルの密度汎関数法を用いて化合物の基底状態を構造最適化した後、B3LYPレベルの時間依存密度汎関数法を用いることで、ΔＥ_ST及び振動子強度を算出した。高分子化合物が前記式（Ｓ−１)〜式（Ｓ−３）で表される構成連鎖を含む場合、該構成連鎖における結合手を、各々、水素原子に置き換えた化合物について、半経験的分子軌道法であるAM1を用いて該化合物の基底状態を構造最適化した後、θ¹、θ²及びθ³を算出した。

＜合成例１＞化合物Ｔ１の合成
化合物Ｔ１は、特開２０１０−１９６０４０号公報に記載の方法に従って合成した。

＜合成例２＞化合物Ｔ２の合成
（化合物Ｔ２−１の合成）

撹拌器を備えたフラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、1-ブロモ-3-ヘキシルベンゼン(60.0g)、［1,1'-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）ジクロリドジクロロメタン付加物（PdCl₂(dppf)・CH₂Cl₂）(10.2g)、ビスピナコラートジボロン(75.8g)、酢酸カリウム(35.9g)及び1,2-ジメトキシエタン(510mL)を加え、還流温度まで昇温し、２４時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、ヘプタン(510mL)及びCelite545(Aldrich製、72g)を加えた。得られた混合液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（展開溶媒：ヘキサン／トルエン）を用いて精製して、薄黄色油状物として化合物Ｔ２−１を56.4g得た。HPLC面積百分率値(UV=220nm)は97.6％であった。

（化合物Ｔ２−２の合成）

撹拌器を備えたフラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、3,6-ジブロモカルバゾール(13.0g)、化合物Ｔ２−１(25.4g)、トルエン(390mL)及びエタノール(130mL)を加えた。得られた混合物を攪拌しながらアルゴンガスで５分間バブリングした後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）(2.3g)を加え、次いで、炭酸カリウム(33.2g)と水(130mL)とから調製した炭酸カリウム水溶液を加え、７時間加熱還流した。得られた混合物を室温まで冷却した後、水層を分離し、得られた有機層をさらに水で洗浄した。得られた有機層に硫酸マグネシウムを加えた。得られた混合液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（展開溶媒：ヘキサン／トルエン）を用いて精製して、薄黄色固体として化合物Ｔ２−２を12.8g得た。HPLC面積百分率値は96.1％であった。
¹H-NMR(CDCl₃,300MHz)δ(ppm)：8.35-8.30(m,2H),8.07(brs,1H),7.75-7.30(m,10H),7.18-7.16(m,2H),2.72(t,4H),1.76-1.64(m,4H),1.48-1.20(m,12H),0.98-0.84(m,6H).

（化合物Ｔ２−４の合成）

撹拌器を備えたフラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｔ２−３（Eur. J. Org. Chem. 2013, 6619に記載の方法に準じて合成；4.6g）、化合物Ｔ２−２(8.6g)、ヨウ化銅（I）(1.5g)、trans-1,2-シクロヘキサンジアミン(1.1g)及びキシレン(106mL)を加えた。得られた混合物をアルゴンガスで５分間バブリングした後、リン酸カリウム(6.8g)を加え、130℃まで昇温し、130℃で８時間攪拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、ヘプタン(70mL)を加え、得られた混合液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をワコーゲル50C18（和光純薬工業製、展開溶媒：アセトニトリル／酢酸エチル）を用いて精製して、白色固体として化合物Ｔ２−４を8.8g得た。HPLC面積百分率値は99.3％であった。
¹H-NMR(CDCl₃,300MHz)δ(ppm)：8.50(d,2H),8.39(d,4H),8.17(d,2H),7.96(d,2H),7.81(dd,2H),7.68-7.63(m,4H),7.55-7.50(m,8H),7.48-7.43(m,4H),7.40-7.31(m,6H),7.19-7.13(m,4H),2.70(t,8H),2.41(s,3H),1.74-1.63(m,8H),1.45-1.23(m,24H),0.94-0.84(m,12H).

（化合物Ｔ２−５の合成）

撹拌器を備えたフラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｔ２−４(8.8g)、テトラヒドロフラン(70mL)、ジメチルスルホキシド(42mL)及び33質量％水酸化カリウム水溶液(11.6g)を加え、２時間加熱還流した。得られた混合物を室温まで冷却した後、水(141mL)及びトルエン(211mL)を加え、水層を分離した後、得られた有機層をさらに水で洗浄した。得られた有機層に硫酸マグネシウムを加え、得られた混合液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（展開溶媒：ヘキサン／トルエン）を用いて精製して、白色固体として化合物Ｔ２−５を7.2g得た。HPLC面積百分率値は98.9％であった。この操作を繰り返し行うことで、化合物Ｔ２−５の必要量を得た。

（化合物Ｔ２−６の合成）

撹拌器を備えたフラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｔ２−５(8.3g)、1-ブロモ-4-ヨードベンゼン(6.2g)、ヨウ化銅（I）(1.4g)、trans-1,2-シクロヘキサンジアミン(1.0g)及びキシレン(83mL)を加えた。得られた混合物をアルゴンガスで５分間バブリングした後、リン酸カリウム(6.2g)加え、80℃まで昇温し、80℃で８時間攪拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、ヘプタン(83mL)を加え、得られた混合液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（展開溶媒：ヘキサン／トルエン）を用いて精製して、白色固体として化合物Ｔ２−６を8.8g得た。HPLC面積百分率値は94.9％であった。

（化合物Ｔ２−７の合成）

撹拌器を備えたフラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｔ２−６(8.5g)、1,1'-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）ジクロリドジクロロメタン付加物（PdCl₂(dppf)・CH₂Cl₂）(0.5g)、ビスピナコラートジボロン(3.4g)、酢酸カリウム(1.3g)及び1,2-ジメトキシエタン(85mL)を加え、還流温度まで昇温し、還流温度で17時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、トルエン(85mL)及びCelite545（Aldrich製、7g）を加え、得られた混合液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（展開溶媒：ヘキサン／トルエン）を用いて精製して、白色固体として化合物Ｔ２−７を6.1g得た。HPLC面積百分率値は99.0％であった。

（化合物Ｔ２の合成）

撹拌器を備えたフラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｔ２−７(6.1g)、化合物Ｔ２−８（特開２０１０−２６０８７９号公報に記載の方法に準じて合成；2.9g）、トルエン(109mL)及びエタノール(22mL)を加えた。得られた混合物を攪拌しながらアルゴンガスで５分間バブリングした後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）(0.5g)を加え、次いで、20質量％水酸化テトラエチルアンモニウム(15.1g)と水(38mL)との混合液を加え、50℃に昇温し、50℃で１時間攪拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、水層を分離し、得られた有機層をさらに水で洗浄した。得られた有機層に硫酸マグネシウムを加え、得られた混合液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をアルミナカラム（展開溶媒：ヘキサン／トルエン）を用いて精製し、次いで、シリカゲルカラム（展開溶媒：ヘキサン／トルエン）を用いて精製して、薄黄色固体として化合物Ｔ２を4.6g得た。HPLC面積百分率値は99.5％以上であった。
LC-MS(ESI,positive)：1602[M+H]⁺
¹H-NMR(CDCl₃,300MHz)δ(ppm)：9.09(d,2H),8.70-8.65(m,4H),8.44-8.37(m,6H),8.00(d,2H),7.84(d,2H),7.77-7.65(m,10H),7.57-7.46(m,12H),7.41-7.35(m,4H),7.18-7.15(m,4H),2.70(t,8H),1.75-1.64(m,8H),1.44-1.26(m,24H),0.95-0.84(m,12H).

＜合成例３＞化合物Ｔ３の合成
（化合物Ｔ３−１の合成）

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、4-ヘキシルアニリン(19.2g)、3-ブロモトリフェニルアミン(28.0g)、Pd₂(dba)₃(dba)_0.73(1.45g)、t-Bu₃PHBF₄(0.75g)、t-BuONa(16.6g)及びトルエン(350mL)を加え、50℃で2.5時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、シリカゲルショートカラムでろ過した。得られたろ液を減圧濃縮して茶色のオイルを得た。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）を用いて精製した後、減圧濃縮し、乾燥させて、化合物Ｔ３−１（29.6g、無色オイル）を得た。化合物Ｔ３−１のHPLC面積百分率値は99.2%であった。

（化合物Ｔ３−２の合成）

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、3-ブロモ-4,5-ジクロロトルエン(8.2g)、化合物Ｔ３−１(14.8g)、Pd₂(dba)₃(dba)_0.73(0.56g)、t-Bu₃PHBF₄(0.30g)、t-BuONa(6.6g)及びo-キシレン(130g)を加え、50℃で2.5時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、シリカゲル・セライトを積層したショートカラムでろ過した。得られたろ液を減圧濃縮して茶色のオイルを得た。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）を用いて精製した後、減圧濃縮し、乾燥させて、化合物Ｔ３−２（14.9g、無色オイル）を得た。化合物Ｔ３−２のHPLC面積百分率値は99.0%であった。

（化合物Ｔ３−３の合成）

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、ビス(4-tert-ブチルフェニル)アミン(7.0g)、化合物Ｔ３−２(12.5g)、Pd₂(dba)₃(dba)_0.73(0.42g)、t-Bu₃PHBF₄(0.23g)、t-BuONa(3.7g)及びo-キシレン(42g)を加え、50℃で10時間撹拌し、次いで、70℃で１時間攪拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、シリカゲル・セライトを積層したショートカラムでろ過した。得られたろ液を減圧濃縮して茶色のオイルを得た。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）を用いて精製した後、減圧濃縮し、乾燥させて、化合物Ｔ３−３（9.2g、無色オイル）を得た。化合物Ｔ３−３のHPLC面積百分率値は92.2%であった。

（化合物Ｔ３−Ｈの合成）

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｔ３−３(7.5g)及びtert-ブチルベンゼン(56mL)を加え、０℃に冷却した後、０℃を維持しながらt-BuLi・ペンタン溶液(1.5M,9.6mL)をゆっくりと加えた。得られた混合物を60℃で３時間撹拌した後、減圧下でペンタンを留去した。得られた混合物を-50℃まで冷却した後、BBr₃(4.5g)を加え、-50℃で0.5時間撹拌した。得られた混合物を120℃まで昇温し、120℃で３時間反応させた。得られた混合物を室温まで冷却した後、酢酸ナトリウム水溶液及び酢酸エチルを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層を減圧濃縮して黄色のオイルを得た。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）により精製した後、減圧濃縮し、乾燥させて、黄色の固体を得た。得られた固体をアセトニトリルに分散させた後、ろ過して、化合物Ｔ３−Ｈ（1.1g、黄色固体）を得た。化合物Ｔ３−ＨのHPLC面積百分率値は99.4％であった。
LC-MS(APCI,positive)：m/z=798.5 [M+H]+
¹H-NMR(CD₂Cl₂,400MHz)δ(ppm)：0.92(m,3H),1.36(m,6H),1.39(s,9H),1.44(s,9H),1.58(m,2H),2.08(s,3H),2.61(dd,2H),5.92(d,2H),6.19(d,1H),6.61(d,1H),6.87(dd,1H),7.02(t,2H),7.07(m,6H),7.2-7.3(m,8H),7.42(dd,1H),7.68(d,2H),8.67(d,1H),8.79(d,1H).

（化合物Ｔ３の合成）

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｔ３−Ｈ(0.91g)、ビス（ピナコラト）ジボロン(B₂pin₂;0.58g)、4,4’-ジ-tert-ブチル-2,2’-ビピリジル(dtbpy;0.013g)、(1,5-シクロオクタジエン)（メトキシ）イリジウム(I)ダイマー([Ir(cod)(OMe)]₂;0.0155g)及びシクロヘキサン(23mL)を加え、90℃で２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層を分液し、有機層に不溶の固体をろ過して取り除き、得られたろ液を減圧濃縮して黄色のオイルを得た。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）により精製した後、減圧濃縮し、乾燥させて、化合物Ｔ３（0.21g、黄色オイル）を得た。化合物Ｔ３のＨＰＬＣ面積百分率値は97.4%であった。化合物Ｔ３は、４種の異性体の混合物として得られ、そのモル比は化合物Ｔ３−ａ：化合物Ｔ３−ｂ：化合物Ｔ３−ｃ：化合物Ｔ３−ｄ＝7.5：37.1：43.0：12.4であった。
¹H-NMR(CD₂Cl₂,400MHz)δ(ppm)：0.92(m,3H),1.30,1.32,1.38,1.39,1.44(s,計33H),1.3-1.4(m,(6H)),1.44(s,9H),1.58(m,2H),2.08(m,3H),2.59(t,2H),5.92(m,2H),6.09(d,0.12H:化合物Ｔ３−ｄ),6.11(d,0.43H:化合物Ｔ３−ｃ),6.20(d,0.37H:化合物Ｔ３−ｂ),6.26(d,0.08H:化合物Ｔ３−ａ),6.60(d,0.6H),6.61(d,0.4H),6.80(m,0.6H),6.86(m,0.4H),7.0-7.1(m,4.3H),7.1-7.2(m,1.2H),7.2-7.3(m,5.5H),7.4-7.5(m,2.6H),7.51(m,0.27H:化合物Ｔ３−ｄ),7.59(m,1H),7.68(d,2H),7.83(m,0.13H:化合物Ｔ３−ｄ),8.6-8.7(m,1H),8.79(m,1H).

＜合成例４＞化合物Ｔ４の合成
（化合物Ｔ４−１の合成）

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、３−メチル−９Ｈ−カルバゾール(6.05g)、１−クロロ―４−ヨードベンゼン(9.95g)、Pd₂(dba)₃(dba)_0.75(0.55g)、t-Bu₃PHBF₄(0.30g)、t-BuONa(4.18g)及びキシレン(121mL)を加え、５０℃で２時間撹拌した。得られた混合物にトルエン(121mL)を加えた後、室温まで冷却し、得られた混合物をシリカゲルショートカラムでろ過した。得られたろ液を減圧濃縮して茶色のオイルを得た。得られたオイルをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）により精製した後、減圧濃縮し、乾燥させて、化合物Ｔ４−１(5.4g、薄黄色固体)を得た。化合物Ｔ４−１のHPLC面積百分率値は96.1%であった。

（化合物Ｔ４−２の合成）

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｔ４−１(4.44g)、クロロホルム(58mL)及びトリフルオロ酢酸(8.9mL)を仕込み、氷冷した。得られた混合物にＮ−ヨードスクシンイミド(3.39g)を２分割して加えた後、１時間保温攪拌した。得られた混合物に１０質量％亜硫酸ナトリウム水溶液(20mL)を加え、次いで、水(58mL)及びヘキサン(115mL)を加えた後、分液し、得られた有機層を水(58mL)で洗浄した。得られた有機層に硫酸マグネシウムを加えた後、シリカゲルショートカラムでろ過した。得られたろ液を減圧濃縮して黄褐色固体を得た。得られた固体をトルエンとエタノールとの混合液で再結晶した。
これらの操作を繰り返して、化合物Ｔ４−２(6.3g、白色固体)を得た。化合物Ｔ４−２のHPLC面積百分率値は98.8%であった。
¹H-NMR(CDCl₃,400MHz)δ(ppm)：8.39 (d, 1H), 7.85(s, 1H), 7.61(dd, 1H), 7.58-7.52 (m, 2H), 7.47-7.41 (m, 2H), 7.25-7.22 (m, 2H), 7.10 (d, 1H), 2.50 (s, 3H).

（化合物Ｔ４−３の合成）

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｔ４−２(5.50g)、３，６−ジメチル−９Ｈ−カルバゾール(3.09g)、ヨウ化銅（I）(1.25g)、trans-1,2-シクロヘキサンジアミン(0.90g)及びキシレン(110mL)を加えた。得られた混合物をアルゴンガスで５分間バブリングした後、リン酸カリウム(11.18g)を加え、130℃まで昇温し、130℃で２時間攪拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、ヘプタン(220mL)を加え、得られた混合液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）により精製した後、減圧濃縮し、乾燥させて、化合物Ｔ４−３(6.3g、白色固体)得た。HPLC面積百分率値は99.5%であった。
¹H-NMR(CDCl₃,400MHz)δ(ppm)：8.22-8.19 (m, 1H), 7.94-7.91 (m, 2H), 7.90-7,87 (m, 1H), 7.64-7.55 (m, 4H), 7.52-7.49 (m, 2H), 7.33-7.17 (m, 6H), 2.56 (s, 6H), 2.53 (s, 3H).

（化合物Ｔ４−４の合成）

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｔ４−３(4.00g)、パラジウム触媒（ (2-Dicyclohexylphosphino-2’,4’,6’-triisopropyl-1,1’-biphenyl)[2-(2’-amino-1,1’-biphenyl)]palladium(II) methanesulfonate、Xphos Pd G3、Aldrich製）（0.21g)、ビスピナコラートジボロン(6.28g)、酢酸カリウム(3.17g)及びシクロペンチルメチルエーテル(48mL)を加え、還流温度まで昇温し、還流温度で1時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、ヘプタン(34mL)及びセライト（Celite545、Aldrich製）（5g）を加え、得られた混合液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（展開溶媒：ヘキサン／トルエン）を用いて精製した。
これらの操作を繰り返して、白色固体として化合物Ｔ４−４ (5.5g、薄黄色固体)得た。HPLC面積百分率値は99.4％であった。

（化合物Ｔ４の合成）

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｔ４−４(4.33g)、化合物Ｔ２−８（4.79g）、トルエン(153mL)及びエタノール(31mL)を加えた。得られた混合物を攪拌しながらアルゴンガスで５分間バブリングした後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）(0.87g)を加え、次いで、20質量％水酸化テトラエチルアンモニウム(24.9g)と水(53mL)との混合液を加えた後、50℃に昇温して50℃で１時間攪拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、トルエンで希釈し、水層を分離し、得られた有機層を水で洗浄した。得られた有機層に硫酸マグネシウムを加え、得られた混合液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をアルミナカラム（展開溶媒：ヘキサン／トルエン）を用いて精製し、次いで、シリカゲルカラム（展開溶媒：ヘキサン／トルエン）を用いて精製して、薄黄色固体として化合物Ｔ４(4.0g、薄黄色固体)得た。HPLC面積百分率値は99.5％以上であった。
¹H-NMR(CDCl₃,400MHz)δ(ppm)：9.92-8.97 (m, 2H), 8.67-8.63 (m, 4H), 8.24 (d, 1H), 7.96-7.85 (m, 5H), 7.75-7.68 (m, 5H), 7.56-7.48 (m, 2H), 7.33-7.27 (m, 3H), 7.23-7.19 (m, 2H), 2.57-2.54 (m, 9H).

＜合成例ＭＣ１及びＭＣ２＞燐光発光性化合物ＭＣ−１及びＭＣ−２の合成
燐光発光性化合物ＭＣ−１は、国際公開第２００９／１３１２５５号に記載の方法に従って合成した。
燐光発光性化合物ＭＣ−２は、特開２００８−１７９６１７号公報に記載の方法に従って合成した。

＜合成例Ｅ１＞蛍光発光性化合物Ｅ１の合成
蛍光発光性化合物Ｅ１は、国際公開第２００７／０５８３６８号に記載の方法に従って合成した。

＜合成例Ｍ１〜Ｍ１５＞化合物Ｍ１〜Ｍ１５の合成及び入手
化合物Ｍ１、Ｍ２及びＭ６は、国際公開第２００２／０４５１８４号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ３は、国際公開第２０１１／０４９２４１号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ４は、特開２０１１―１７４０６２号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ５は、国際公開第２００５／０４９５４６号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ７は、特開２００８−１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ８、Ｍ９及びＭ１５は、国際公開第２０１３／１４６８０６号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１０は、国際公開第２０１５／１４５８７１号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１１は、特開２０１０−１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１２は、市販品を利用した。
化合物Ｍ１３は、国際公開第２０１２／０８６６７１号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１４は、国際公開第２０１３／１９１０８６号に記載の方法に従って合成した。

＜合成例ＴＰ１＞高分子化合物ＴＰ−１の合成
高分子化合物ＴＰ−１は、化合物Ｍ１１、化合物Ｍ６及び化合物Ｔ１を用いて、特開２０１０−１９６０４０号公報に記載の方法に従って合成した。高分子化合物ＴＰ−１のMnは1.2×10⁵であり、Mwは4.0×10⁵であった。

高分子化合物ＴＰ−１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ６から誘導される構成単位と、化合物Ｔ１から誘導される構成単位とが、50：40：10のモル比で構成された共重合体である。なお、化合物Ｔ１−ＨのΔＥ_ST及び振動子強度は、それぞれ、０．１６ｅＶ及び０．０００１であった。

高分子化合物ＴＰ−１は、下記式で表される構成連鎖を含み、該構成連鎖のθ²は57°であった。

＜実施例ＴＰ２＞高分子化合物ＴＰ−２の合成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｍ１１(825mg)、化合物Ｍ６(772mg)、化合物Ｔ２(547mg)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(1.5mg)及びトルエン(35mL)を加え、105℃に加熱した。得られた反応液に、20質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(26mL)を滴下し、5.5時間還流させた。その後、そこへ、フェニルボロン酸(83mg)及びジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(1.5mg)を加え、17時間還流させた。得られた反応液を冷却後、水で１回、10質量％希塩酸水で２回、3質量％アンモニア水溶液で２回、水で２回洗浄した。得られた溶液に硫酸マグネシウムを加えた後、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物ＴＰ−２を1.1g得た。高分子化合物ＴＰ−２のMnは5.7×10⁴であり、Mwは1.2×10⁵であった。

高分子化合物ＴＰ−２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ６から誘導される構成単位と、化合物Ｔ２から誘導される構成単位とが、50：40：10のモル比で構成された共重合体である。なお、化合物Ｔ２−ＨのΔＥ_ST及び振動子強度は、それぞれ、０．０６ｅＶ及び０．０９２２であった。

高分子化合物ＴＰ−２は、下記式で表される構成連鎖を含み、該構成連鎖のθ²は57°であった。

＜実施例ＴＰ３＞高分子化合物ＴＰ−３の合成
化合物Ｔ３(0.104g)、化合物Ｍ１２(0.502g)、化合物Ｍ１３(0.628g)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(0.86mg)及びトルエン(27mL)を混合し、105℃に加熱した。その後、そこへ、10質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(18mL)を滴下し、４時間還流させた。その後、そこへ、フェニルボロン酸(48.8mg)及びジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(0.9mg)を加え、６時間還流させた。得られた反応混合物を冷却した後、水で２回、10質量％塩酸水溶液で２回、３質量％アンモニア水で２回、水で２回洗浄した。得られた溶液をメタノールに滴下し、攪拌したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番に通液することにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物ＴＰ−３を0.68ｇ得た。高分子化合物ＴＰ−３のMnは4.5×10⁴であり、Mwは1.1×10⁵であった。

高分子化合物ＴＰ−３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１２から誘導される構成単位と、化合物Ｔ３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位とが、45：5：50のモル比で構成された共重合体である。なお、化合物Ｔ３−ＨのΔＥ_ST及び振動子強度は、それぞれ、０．４４ｅＶ及び０．３７８２であった。

＜実施例ＴＰ４＞高分子化合物ＴＰ−４の合成
化合物Ｍ１１(0.643g)、化合物Ｍ１４(0.613g)、化合物Ｔ２(0.427g)、ジクロロビス(トリ-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(1.22mg)及びトルエン(２４．２ｇ)を混合し、８０℃に加熱した。その後、そこへ、10質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(20mL)を滴下し、１２時間還流させた。その後、そこへ、フェニルボロン酸(64.7mg)及びジクロロビス(トリ-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(0.12mg)を加え、１１時間還流させた。得られた反応混合物を冷却した後、水で１回、１０質量％塩酸水溶液で２回、３質量％アンモニア水溶液で２回、水で２回洗浄した。得られた混合物を減圧下で蒸留することにより水分を除いた。得られた溶液を、アルミナとシリカゲルとの混合物を充填したカラムに通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物ＴＰ−４を0.76ｇ得た。高分子化合物ＴＰ−４のMnは5.3×10⁴であり、Mwは1.1×10⁵であった。

高分子化合物ＴＰ−４は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１４から誘導される構成単位と、化合物Ｔ２から誘導される構成単位とが、50：40：10のモル比で構成された共重合体である。高分子化合物ＴＰ−４は、高分子化合物ＴＰ−２と同じ構成連鎖を含む。

＜実施例ＴＰ５＞高分子化合物ＴＰ−５の合成
化合物Ｍ１１(0.626g)、化合物Ｍ１５(0.629g)、化合物Ｔ２(0.414g)、ジクロロビス(トリ-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(1.28mg)及びトルエン(２４．５ｇ)を混合し、８０℃に加熱した。その後、そこへ、10質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(20mL)を滴下し、７時間還流させた。その後、そこへ、フェニルボロン酸(62.9mg)及びジクロロビス(トリ-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(0.12mg)を加え、１０時間還流させた。得られた反応混合物を冷却した後、水で１回、１０質量％塩酸水溶液で２回、３質量％アンモニア水溶液で２回、水で２回洗浄した。得られた混合物を減圧下で蒸留することにより水分を除いた。得られた溶液を、アルミナとシリカゲルとの混合物を充填したカラムに通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物ＴＰ−５を0.98ｇ得た。高分子化合物ＴＰ−５のMnは5.2×10⁴であり、Mwは1.1×10⁵であった。

高分子化合物ＴＰ−５は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１５から誘導される構成単位と、化合物Ｔ２から誘導される構成単位とが、50：40：10のモル比で構成された共重合体である。高分子化合物ＴＰ−５は、高分子化合物ＴＰ−２と同じ構成連鎖を含む。

＜実施例ＴＰ６＞高分子化合物ＴＰ−６の合成
化合物Ｍ１１(0.798g)、化合物Ｍ６(0.730g)、化合物Ｔ４(0.280g)、ジクロロビス(トリ-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(1.48mg)及びトルエン(２４．２ｇ)を混合し、８０℃に加熱した。その後、そこへ、20質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(20mL)を滴下し、２．５時間還流させた。その後、そこへ、フェニルボロン酸(81.2mg)及びジクロロビス(トリ-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(1.47mg)を加え、６時間還流させた。得られた反応混合物を冷却した後、水で１回、１０質量％塩酸水溶液で２回、３質量％アンモニア水溶液で２回、水で２回洗浄した。得られた混合物を減圧下で蒸留することにより水分を除いた。得られた溶液を、アルミナとシリカゲルとの混合物を充填したカラムに通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物ＴＰ−６を0.71ｇ得た。高分子化合物ＴＰ−６のMnは9.5×10⁴であり、Mwは2.2×10⁵であった。

高分子化合物ＴＰ−６は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ６から誘導される構成単位と、化合物Ｔ４から誘導される構成単位とが、50：40：10のモル比で構成された共重合体である。なお、化合物Ｔ４−ＨのΔＥ_ST及び振動子強度は、それぞれ、０．０６ｅＶ及び０．０７８１であった。

高分子化合物ＴＰ−６は、下記式で表される構成連鎖を含み、該構成連鎖のθ²は57°であった。

＜合成例ＩＰ１＞高分子化合物ＩＰ−１の合成
高分子化合物ＩＰ−１は、化合物Ｍ１及び化合物Ｍ２を用いて、特開２０１２−３６３８１号公報に記載の方法に従って合成した。高分子化合物ＩＰ−１のMnは8.1×10⁴であり、Mwは3.4×10⁵であった。
高分子化合物ＩＰ−１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位とが、50：50のモル比で構成された共重合体である。

＜合成例ＩＰ２＞高分子化合物ＩＰ−２の合成
高分子化合物ＩＰ−２は、化合物Ｍ１、化合物Ｍ２及び化合物Ｍ３を用いて、国際公開第２０１１／０４９２４１号に記載の方法に従って合成した。高分子化合物ＩＰ−２のMnは8.9×10⁴であり、Mwは4.2×10⁵であった。
高分子化合物ＩＰ−２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位とが、50：42.5：7.5のモル比で構成された共重合体である。

＜合成例ＩＰ３＞高分子化合物ＩＰ−３の合成
高分子化合物ＩＰ−３は、化合物Ｍ４、化合物Ｍ５、化合物Ｍ６及び化合物Ｍ７を用いて、特開２０１２−１４４７２２号公報に記載の方法に準じて合成した。高分子化合物ＩＰ−３のMnは5.0×10⁴であり、Mwは2.5×10⁵であった。
高分子化合物ＩＰ−３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ４から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ６から誘導される構成単位と、化合物Ｍ７から誘導される構成単位とが、50：30：12.5：7.5のモル比で構成された共重合体である。

＜合成例ＩＰ４＞高分子化合物ＩＰ−４の合成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｍ８(1.07g)、化合物Ｍ９(0.198g)、化合物Ｍ２(0.919g)、ジクロロビス〔トリス（2-メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム(1.8mg)及びトルエン(50mL)を加え、100℃に加熱した。得られた反応液に、20質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(8.7mL)を滴下し、6時間還流させた。その後、そこへ、2-エチルフェニルボロン酸(60.0mg)、20質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(8.7mL)及びジクロロビス〔トリス（2-メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム(1.8mg)を加え、16時間還流させた。その後、そこへ、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80℃で2時間撹拌した。得られた反応液を冷却後、3.6質量％塩酸で２回、2.5質量％アンモニア水溶液で２回、水で６回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通液することにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物ＩＰ−４を1.14g得た。高分子化合物ＩＰ−４のMnは3.6×10⁴であり、Mwは2.0×10⁵であった。
高分子化合物ＩＰ−４は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ８から誘導される構成単位と、化合物Ｍ９から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位とが、40：10：50のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例ＩＰ５＞高分子化合物ＩＰ−５の合成
高分子化合物ＩＰ−５は、化合物Ｍ１０、化合物Ｍ９及び化合物Ｍ５を用いて、国際公開第２０１５／１４５８７１号に記載の方法に従って合成した。高分子化合物ＩＰ−５のMnは2.3×10⁴であり、Mwは1.2×10⁵であった。
高分子化合物ＩＰ−５は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位と、化合物Ｍ９から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位とが、45：5：50のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例ＩＰ６＞高分子化合物ＩＰ−６の合成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｍ１１(1.74g)、化合物Ｍ５(3.19g)、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(2.5mg)及びトルエン(40mL)を加え、80℃に加熱した。反応液に、20質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(12mL)を滴下し、8時間還流させた。反応後、そこへ、フェニルボロン酸(0.427g)及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(2.5mg)を加え、17時間還流させた。その後、そこへ、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80℃で2時間撹拌した。得られた反応液を冷却後、水で２回、3質量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物ＩＰ−６を3.00g得た。高分子化合物ＩＰ−６のMnは4.5×10⁴であり、Mwは1.5×10⁵であった。
高分子化合物ＩＰ−６は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位とが、50：50のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例ＩＰ７＞高分子化合物ＩＰ−７の合成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｍ１１(3.995g)、化合物Ｍ５(6.237g)、化合物Ｍ７(0.519g)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(7.1mg)及びトルエン(190mL)を加え、105℃に加熱した。その後、そこへ、20質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(28mL)を滴下し、４時間還流させた。その後、そこへ、フェニルボロン酸(97.5mg)、20質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(28mL)及びジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(7.1mg)を加え、６時間還流させた。得られた反応混合物を冷却した後、水で２回、10質量％塩酸水溶液で２回、３質量％アンモニア水で２回、水で２回洗浄した。得られた溶液をメタノールに滴下し、攪拌したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番に通液することにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物ＩＰ−７を6.65g得た。高分子化合物ＩＰ−７のMnは2.6×10⁴であり、Mwは1.4×10⁵であった。
高分子化合物ＩＰ−７は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ７から誘導される構成単位とが、50：42.5：7.5のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜比較例ＣＤ１＞発光素子ＣＤ１の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により45ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるAQ-1200（Plectronics社製）をスピンコート法により65ｎｍの厚さで成膜した。大気雰囲気下において、ホットプレート上で170℃、15分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（第２の有機層の形成）
キシレンに高分子化合物ＩＰ−１を0.6質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により20ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で180℃、60分間加熱させることにより第２の有機層を形成した。

（第１の有機層の形成）
キシレンに、高分子化合物ＴＰ−１及び燐光発光性化合物ＭＣ−１（高分子化合物ＴＰ−１／燐光発光性化合物ＭＣ−１＝70質量％／30質量％）を1.6質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、第２の有機層の上にスピンコート法により80ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、150℃、10分間加熱させることにより第１の有機層を形成した。

（陰極の形成）
第１の有機層を形成した基板を蒸着機内において、1.0×10^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、第１の有機層の上にフッ化ナトリウムを約4ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約80ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子ＣＤ１を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子ＣＤ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。1000cd/m²における外部量子効率（EQE）を測定した。結果を表３に示す。

＜実施例Ｄ１＞発光素子Ｄ１の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により45ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるAQ-1200（Plectronics社製）をスピンコート法により65ｎｍの厚さで成膜した。大気雰囲気下において、ホットプレート上で170℃、15分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（第２の有機層の形成）
キシレンに高分子化合物ＩＰ−２を0.6質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により20ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で180℃、60分間加熱させることにより第２の有機層を形成した。この加熱により、高分子化合物ＩＰ−２は、架橋体となった。

（陰極の形成）
第１の有機層を形成した基板を蒸着機内において、1.0×10^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、第１の有機層の上にフッ化ナトリウムを約4ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約80ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。1000cd/m²におけるEQEを測定した。結果を表３に示す。

＜実施例Ｄ２〜Ｄ１６、Ｄ４’、Ｄ１４’、Ｄ１５’及び比較例ＣＤ２＞発光素子Ｄ２〜Ｄ１６、Ｄ４’、Ｄ１４’、Ｄ１５’及びＣＤ２の作製と評価
実施例Ｄ１において、第１の有機層及び第２の有機層を表３に示すとおりとした以外は、実施例Ｄ１と同様にして発光素子Ｄ２〜Ｄ１６、Ｄ４’、Ｄ１４’及びＤ１５’を作製し、EQEを測定した。比較例ＣＤ１において、第１の有機層及び第２の有機層を表３に示すとおりとした以外は、比較例ＣＤ１と同様にして発光素子ＣＤ２を作製し、EQEを測定した。結果を表３に示す。

Claims

陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた第１の有機層と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた第２の有機層とを有する発光素子であって、
前記第１の有機層が、高分子化合物（ＴＰ）を含有する層であり、
前記第２の有機層が、架橋材料の架橋体を含有する層であり、
前記高分子化合物（ＴＰ）が、最低三重項励起状態のエネルギー準位と最低一重項励起状態のエネルギー準位との差の絶対値が０．５ｅＶ以下である低分子化合物（Ｔ）から１個以上の水素原子を除いてなる基を含む構成単位を含み、
前記架橋材料が、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する低分子化合物、又は、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する架橋構成単位を含む高分子化合物である、前記発光素子。

＜架橋基Ａ群＞

［式中、Ｒ^XLは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、ｎ^XLは、０〜５の整数を表す。Ｒ^XLが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、ｎ^XLが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。＊１は結合位置を表す。これらの架橋基は置換基を有していてもよい。］
前記架橋材料が、前記架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する架橋構成単位を含む高分子化合物であり、且つ、前記架橋構成単位が、式（２）で表される構成単位又は式（２’）で表される構成単位である、請求項１に記載の発光素子。

［式中、
ｎＡは０〜５の整数を表し、ｎは１又は２を表す。ｎＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ³は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｌ^Aは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−Ｎ(Ｒ’)−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Aが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘは、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍＡは０〜５の整数を表し、ｍは１〜４の整数を表し、ｃは０又は１を表す。ｍＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ⁵は、芳香族炭化水素基、複素環基、又は、芳香族炭化水素環と複素環とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ⁴及びＡｒ⁶は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ⁴、Ａｒ⁵及びＡｒ⁶はそれぞれ、該基が結合している窒素原子に結合している該基以外の基と、直接結合又は酸素原子若しくは硫黄原子を介して結合して、環を形成していてもよい。
Ｋ^Aは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−Ｎ(Ｒ’)−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、前記と同じ意味を表す。Ｋ^Aが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘ’は、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｘ’が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＸ’は、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基である。］
前記架橋材料が、前記架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する低分子化合物であり、且つ、前記低分子化合物が式（３）で表される低分子化合物である、請求項１に記載の発光素子。

［式中、
ｍ^B1及びｍ^B2は、それぞれ独立に、０以上１０以下の整数を表す。ｍ^B3は、０以上５以下の整数を表す。複数存在するｍ^B1は、同一でも異なっていてもよい。ｍ^B3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ⁷は、芳香族炭化水素基、複素環基、又は、芳香族炭化水素環と複素環とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ⁷が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｌ^B1は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−Ｎ(Ｒ''')−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ'''は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^B1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘ''は、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＸ''は、同一でも異なっていてもよい。但し、複数存在するＸ''のうち、少なくとも１つは、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基である。］
前記低分子化合物（Ｔ）から１個以上の水素原子を除いてなる基を含む構成単位が、式（１Ｃ）で表される構成単位、式（２Ｃ）で表される構成単位、式（３Ｃ）で表される構成単位又は式（４Ｃ）で表される構成単位である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子。

［式中、
Ｔ^1Cは、前記低分子化合物（Ｔ）から１個の水素原子を除いてなる基を表す。
Ｌ^Cは、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ^A）−、−Ｃ（Ｒ^B）₂−、−Ｃ（Ｒ^B）＝Ｃ（Ｒ^B）−、−Ｃ≡Ｃ−、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Aは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Bは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Bは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｌ^Cが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ^c1は０以上１０以下の整数を表す。］

［式中、
Ｔ^1Cは、前記と同じ意味を表す。
Ｌ^d及びＬ^eは、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ^A）−、−Ｃ（Ｒ^B）₂−、−Ｃ（Ｒ^B）＝Ｃ（Ｒ^B）−、−Ｃ≡Ｃ−、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^A及びＲ^Bは、前記と同じ意味を表す。Ｌ^d及びＬ^eが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎ^d1及びｎ^e1は、それぞれ独立に、０以上１０以下の整数を表す。複数存在するｎ^d1は、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^1Mは、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

［式中、
Ｌ^d及びｎ^d1は、前記と同じ意味を表す。
Ｔ^2Cは、前記低分子化合物（Ｔ）から２個の水素原子を除いてなる基を表す。］

［式中、
Ｌ^d及びｎ^d1は、前記と同じ意味を表す。
Ｔ^3Cは、前記低分子化合物（Ｔ）から３個の水素原子を除いてなる基を表す。］
前記高分子化合物（ＴＰ）が、式(Ｙ)で表される構成単位を更に含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子。

［式中、Ａｒ^Y1は、置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。］
前記式(Ｙ)で表される構成単位が、式(Y-1)、式(Y-2)又は式(Y-3)で表される構成単位である、請求項５に記載の発光素子。

［式中、
Ｒ^Y1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Y1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。
但し、少なくとも１つのＲ^Y1は水素原子ではない。］

［式中、
Ｒ^Y1は、前記と同じ意味を表す。
Ｘ^Y1は、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−又は−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基を表す。Ｒ^Y2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y2は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Y2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。
但し、少なくとも１つのＲ^Y1は水素原子ではない。］

［式中、
Ｒ^Y1及びＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。
但し、少なくとも１つのＲ^Y1は水素原子ではない。］
前記低分子化合物（Ｔ）の振動子強度が０．０００１以上１以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光素子。
前記低分子化合物（Ｔ）が式（Ｔ−１）で表される低分子化合物である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光素子。

［式中、
ｎ^T1は、０以上５以下の整数を表す。ｎ^T1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^T1は、置換アミノ基、又は、１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^T1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、環を形成してもよい。但し、Ａｒ^T1の少なくとも１つは、置換アミノ基であるか、或いは、二重結合を有さない窒素原子を環内に含み、且つ、＝Ｎ−で表される基、ホウ素原子、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）₂−で表される基、及び、式（Ｐ）：

で表される基を環内に含まない、１価の複素環基である。Ｚ^T1は、酸素原子、硫黄原子又は＝ＮＲ^ZT1で表される基を表す。Ｒ^ZT1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｌ^T1は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−Ｎ(Ｒ^T1')−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^T1'は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^T1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、環を形成してもよい。
Ａｒ^T2は、ホウ素原子、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）₂−で表される基、前記式（Ｐ）で表される基、電子求引性基を有する芳香族炭化水素基、ホウ素原子を環内に含む複素環基、又は、＝Ｎ−で表される基を環内に含む複素環基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ^T2は、１以上１５以下の整数を表す。但し、Ａｒ^T2がホウ素原子又は前記式（Ｐ）で表される基である場合、ｎ^T2は３である。Ａｒ^T2が−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、又は、−Ｓ（＝Ｏ）₂−で表される基である場合、ｎ^T2は２である。
Ａｒ^T1とＬ^T1とは直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、環を形成してもよい。Ａｒ^T2とＬ^T1とは直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、環を形成してもよい。Ａｒ^T1とＡｒ^T2とは直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、環を形成してもよい。］
前記第１の有機層が、ホスト材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料及び酸化防止剤からなる群より選ばれる少なくとも１種を更に含有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光素子。
前記第１の有機層が、前記発光材料として、式Ir-1で表される燐光発光性化合物を含有する、請求項９に記載の発光素子。

［式中、
Ｒ^D1、Ｒ^D2、Ｒ^D3、Ｒ^D4、Ｒ^D5、Ｒ^D6、Ｒ^D7及びＲ^D8は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^D1、Ｒ^D2、Ｒ^D3、Ｒ^D4、Ｒ^D5、Ｒ^D6、Ｒ^D7及びＲ^D8が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
−Ａ^D1---Ａ^D2−は、アニオン性の２座配位子を表し、Ａ^D1及びＡ^D2は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。−Ａ^D1---Ａ^D2−が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ_D1は、１、２又は３を表す。
ｎ_D2は、１又は２を表す。］
前記第１の有機層が、前記発光材料として、蛍光発光性化合物を含有する、請求項９に記載の発光素子。
前記第１の有機層と前記第２の有機層とが隣接している、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の発光素子。
前記第２の有機層が、前記陽極及び前記第１の有機層との間に設けられた層である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の発光素子。
式（Ｓ２−１’）で表される構成連鎖を含み、且つ、
前記構成連鎖が、最低三重項励起状態のエネルギー準位と最低一重項励起状態のエネルギー準位との差の絶対値が０．５ｅＶ以下である低分子化合物（Ｔ）から１個以上の水素原子を除いてなる基を含む構成単位を含む、高分子化合物。

［式中、
ｋは、０又は１を表す。複数存在するｋは、同一でも異なっていてもよい。
ｍ^DA1は、０以上１０以下の整数を表す。ｍ^DA1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ^d1は、０以上１０以下の整数を表す。複数存在するｎ^d1は、同一でも異なっていてもよい。
ｎ^T1は、１又は２を表す。
Ａｒ^DA1は、置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。Ａｒ^DA1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^L1は、Ｔ^DAで表される基から１個の水素原子を除いてなる基を表す。Ａｒ^L1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｔ^DAは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^TWは、式(Y-1)、式(Y-2)又は式(Y-3)で表される構成単位を表す。複数存在するＡｒ^TWは、同一でも異なっていてもよい。
Ｌ^dは、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ^A）−、−Ｃ（Ｒ^B）₂−、−Ｃ（Ｒ^B）＝Ｃ（Ｒ^B）−、−Ｃ≡Ｃ−、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^dが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ^Aは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Bは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Bは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｌ^T1は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−Ｎ(Ｒ^T1')−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^T1'は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^T1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、環を形成してもよい。
環Ｒ^T1及び環Ｒ^T2は、それぞれ独立に、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基を環内に含まない芳香族炭化水素環、又は、＝Ｎ−で表される基、ホウ素原子、−Ｃ（＝Ｚ^T1）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）−で表される基、−Ｓ（＝Ｏ）₂−で表される基、及び、式（Ｐ）：

で表される基を環内に含まない複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。
Ｚ^T1は、酸素原子、硫黄原子又は＝ＮＲ^ZT1で表される基を表す。Ｒ^ZT1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｘ^T1は、単結合、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ(Ｒ^XT1)−で表される基、又は、−Ｃ(Ｒ^XT1')₂−で表される基を表す。Ｒ^XT1及びＲ^XT1'は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^XT1'は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｒ^XT1と環Ｒ^T1が有していてもよい置換基、Ｒ^XT1と環Ｒ^T2が有していてもよい置換基、Ｒ^XT1'と環Ｒ^T1が有していてもよい置換基、及び、Ｒ^XT1'と環Ｒ^T2が有していてもよい置換基は、それぞれ直接結合して、又は、２価の基を介して結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ｚ³は、−Ｎ＝で表される基、又は−ＣＨ＝で表される基を表す。複数存在するＺ³は、同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＺ³は、−Ｎ＝で表される基を表す。

［式中、
Ｒ^Y1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Y1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。
但し、少なくとも１つのＲ^Y1は水素原子ではない。］

［式中、
Ｒ^Y1は、前記と同じ意味を表す。
Ｘ^Y1は、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−又は−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基を表す。Ｒ^Y2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y2は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Y2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。
但し、少なくとも１つのＲ^Y1は水素原子ではない。］

［式中、
Ｒ^Y1及びＸ^Y1は、前記と同じ意味を表す。
但し、少なくとも１つのＲ^Y1は水素原子ではない。］