CN107924762A - 储能分子材料、结晶电介质层和电容器 - Google Patents

储能分子材料、结晶电介质层和电容器 Download PDF

Info

Publication number
CN107924762A
CN107924762A CN201680029192.6A CN201680029192A CN107924762A CN 107924762 A CN107924762 A CN 107924762A CN 201680029192 A CN201680029192 A CN 201680029192A CN 107924762 A CN107924762 A CN 107924762A
Authority
CN
China
Prior art keywords
energy storage
molecular material
material according
storage molecular
polarizability
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680029192.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107924762B (zh
Inventor
P·I·拉扎列夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Capacitor Sciences Inc
Original Assignee
Capacitor Sciences Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Capacitor Sciences Inc filed Critical Capacitor Sciences Inc
Publication of CN107924762A publication Critical patent/CN107924762A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107924762B publication Critical patent/CN107924762B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/14—Organic dielectrics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D519/00—Heterocyclic compounds containing more than one system of two or more relevant hetero rings condensed among themselves or condensed with a common carbocyclic ring system not provided for in groups C07D453/00 or C07D455/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

本发明提供一种储能分子材料、结晶电介质层、以及电容器，其能够解决与一些储能器件相关联的进一步提高储存能量的体积和质量密度的问题，同时降低材料的成本。

Description

储能分子材料、结晶电介质层和电容器
背景技术
电容器是用于以静电场的形式储存能量的无源电子部件，并且包括由电介质层隔开的一对电极。当在两个电极之间存在电位差时，在电介质层中存在电场。理想的电容器的特征在于其电容值的单一恒定值。其是每个电极上的电荷与它们之间的电位差的比值。实际上，位于电极之间的电介质层能够传递少量的漏电流。电极和引线引入等效的串联电阻，并且电介质层对导致击穿电压的电场强度有限制。最简单的储能器件由介电常数为ε的电介质层隔开的两个平行的电极组成，每个电极具有面积S并且彼此隔开距离d地设置。电极被认为均匀地在区域S上延伸，并且表面电荷密度可以由下式表示：±ρ＝±Q/S。由于电极的宽度比间隔(距离)d大得多，电容器中心附近的电场均匀地为幅度E＝ρ/ε。电压被定义为电极之间的电场的线积分。理想的电容器的特征在于由公式(1)定义的恒定电容C，
C＝Q/V (1)
这表明电容随着面积而增加，随着距离减小。因此，由高介电常数的材料制成的器件的电容最大。
被称为击穿强度Ebd的特征电场是使电容器中的电介质层变为导电性的电场。发生这种情况时的电压被称为器件的击穿电压，由介电强度和电极之间的间隔的乘积给出，
Vbd＝Ebdd (2)
存储在电容器中的最大体积能量密度被与～ε×E2 bd成比例的值所限制，其中ε是介电常数，Ebd是击穿强度。因此，为了增加电容器的存储能量，需要增加电介质的介电常数ε和击穿介电强度Ebd。
通常在电场的强度变得足够高使得电子从储能分子材料的原子中释放出来并使它们从一个电极传导到另一个电极时，产生电介质层的击穿。储能分子材料中的杂质的存在或结晶电介质层的缺陷可能导致如在电容器中观察到的雪崩击穿。
储能分子材料的其他重要特征是其介电常数。不同类型的储能分子材料被用于电容器，包括不同种类的陶瓷、聚合物膜、纸和电解质电容器。最广泛使用的薄膜材料是聚丙烯和聚酯。介电常数的增加能够提高体积能量密度，这使其成为重要的技术任务。
用掺杂了磺化十二烷基苯(DBSA)的聚丙烯酸(PAA)的水分散体中的苯胺的原位聚合合成了一种超高介电常数的聚苯胺合成物，PANI-DBSA/PAA(参见Chao-Hsien Hoa等，“High dielectric constant polyaniline/poly(acrylic acid)composites preparedby in situ polymerization”，Synthetic Metals 158(2008),pp.630–637)。水溶性PAA被用作聚合物稳定剂，保护PANI颗粒不会宏观聚集。含有30重量％的PANI的复合材料得到了2.0×105(在1kHz下)的非常高的介电常数。研究了PANI含量对复合材料的形态、电介质和电学性能的影响。在0.5kHz至10MHz的频率范围内分析了介电常数、介电损耗、损耗角正切和电模量的频率依赖关系。SEM显微照相显示，具有高PAN I含量(即20重量％)的复合材料由均匀分布在PAA基质内的许多纳米级PAN I颗粒组成。高介电常数归因于PANI颗粒的小电容的总和。这种材料的缺点是可能发生渗透并在电场下形成至少一个连续导电路径，而这种状况的概率随着电场的增加而增加。当在电容器的电极之间形成通过相邻的导电PANI颗粒的至少一个连续路径(轨道)时，会使得这种电容器的击穿电压变得相对较低。
通过一种简单的基于溶解的自组装方法来制造掺杂了苯胺低聚物的单晶体(参见Yue Wang等，“Morphological and Dimensional Controlvia Hierarchical Assembly ofDoped Oligoaniline Single Crystals”，J.Am.Chem.Soc.2012,134,pp.9251-9262)。详细的机械学研究表明通过“自底向上”的分层组装，能够产生不同形态和维度的晶体，由此一维(1-D)的纳米纤维那样的结构能够聚合为更高等级的结构。通过控制晶体的成核以及掺杂的低聚物之间的非共价相互作用，能够得到各种各样的结晶纳米结构，包括一维的纳米纤维和纳米线、二维的纳米带和纳米片、三维的纳米板、层叠片、纳米花、渗透网、空心球、绞线圈。与基于形状的结晶度那样的所关注的结构性能关系一样，这些纳米级的晶体与它们的体材料(bu l k counterparts)相比显示出较强的导电性。进而，专业研究表明通过监控分子溶剂作用，能够很大地预测这些结构的形态和维数并使其合理化。通过使用掺杂的四价苯胺作为模型系统，本文所述的结果和策略能够提供一种对有机材料的形状和大小的控制的普通方法。
电容器作为储能器件相对于电化学储能器件例如电池具有公知的优点。与电池相比，电容器能够以非常高的能量密度即充电/放电速率来储存能量，具有长生命期而很少退化，并且能够充电和放电(周期性)数十万乃至数百万次。
然而，电容器经常并不如电池那样小体积或轻重量地、或者低能量储存成本地储存能量，使得电容并不适合于一些应用，例如电动汽车。因此，需要一种能量储存技术的改进，使得相对于单位体积和/或质量而更密集地储存能量。
本发明的各方面所要解决的问题是：进一步提高储能器件的容量和所储存的能量的质量密度，同时降低材料和制造工序的成本。
发明内容
本发明提供一种储能分子材料、结晶电介质层和电容器，其能够解决与一些储能器件相关联的进一步提高储存能量的体积和质量密度的问题，同时降低材料的成本。储能分子材料是具有分子结构的分子量较低的结晶电介质材料。其他电介质材料，例如聚合物也是分子，但其特征在于分子量的分布。
一方面，本发明提供一种具有以下一般分子结构式的储能分子材料：
其中，Cor是主要为平面的多环分子系统，其通过π-π相互作用形成柱状超分子堆叠，P是提供极化的极化性单元，I是高击穿绝缘取代基(high-breakdown insulatingsubstituent group)，n是1、2、3、4、5、6、7或8，m为1、2、3、4、5、6、7或8。
另一方面，本发明提供一种具有以下一般分子结构式的储能分子材料：
其中D-moiety(D-部分)是通过π-π相互作用形成柱状超分子堆叠的极化性单元，I是高击穿绝缘取代基，m是1、2、3、4、5、6、7或8。
另一方面，本发明提供一种包含所述的储能分子材料的结晶电介质层。
另一方面，本发明提供一种电容器，包括第一电极、第二电极和设置在所述第一和第二电极之间的结晶电介质层。电极是平坦且平面并且彼此平行的。结晶电介质层包括所述的储能分子材料。
交叉引用
在此通过参考同样地合并本说明书中提及的所有出版物、专利和专利申请，犹如每个单独的出版物、专利或专利申请被具体和单独地引用。
附图说明
图1是表示基于本发明的一个方面的电容器的示意图。
具体实施方式
尽管在本文中已经示出和描述了本发明的各个方面，但是对于本领域技术人员显而易见的是，仅以示例的方式提供这些方面。在不脱离本发明的情况下，本领域技术人员可以想到许多变更、变化和替换。应当理解为能够采用本文描述的各方面的各种替代方案。
本发明提供一种储能分子材料。根据本发明的一个方面，储能分子材料包含执行不同(各种)功能的三个组分。主要为平面的多环分子系统(Cors)使得储能分子材料具有形成超分子的能力。进而，超分子使得形成结晶电介质层的晶体结构。极化性单元(P)用于提供具有高介电磁导率(dielectric permeability)的分子材料。有几种类型的极化，如具有金属导电性的分子、单体和聚合物的偶极子极化、离子极化和超电子极化。能够在本发明的方面中使用具有列出的极化类型的所有极化性单元。绝缘取代基(I)在结晶电介质层中提供超分子彼此的电隔离，并提供储能分子材料的高击穿电压。
根据本发明的一个方面，平面多环分子系统可以包含具有选自表1所给出的结构1～6的通式结构式的四环大环片段(tetrapirolic macro-cyclic fragments)，其中M表示金属原子或两个质子(2H)。
表1.包含四环大环片段的多环分子系统的实例
根据本发明的另一方面，平面多环分子系统可以包含选自以下的平面稠合多环烃，即三萜烯、十碳环烯、二苯并芘(antanthrene)、六苯并菲(hexabenzotriphenylene)、1.2,3.4,5.6,7.8-四-(亚萘基)-蒽(1.2,3.4,5.6,7.8-tetra-(peri-naphthylene)-anthracene)、二苯并三苯、四苯并庚烯(tetrabenzoheptacene)、过苝(peropyrene)、六苯并己烯(hexabenzocoronene)，并具有选自如表2所示的结构7～17的通式结构式。
表2.包含平面稠合多环烃的多环分子系统的实例
根据本发明的另一方面，平面多环分子系统可以包含具有选自如表3中给出的结构18～25的通式结构式的六苯并苯片段(coronene fragments)。
表3.包含六苯并苯片段的多环分子系统的实例
在本发明的另一方面中，极化性单元可以包含如表4中给出的结构26～32的导电低聚物，其中X＝2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12。
表4.包含导电低聚物的极化性单元的实例
在本发明的另一方面中，极化性单元可以包含具有选自如表5中给出的结构33～53的通式结构式的萘嵌苯(ry l ene)片段。
表5.包含萘嵌苯片段的极化性单元的实例
根据本发明的一个方面，极化性单元可以选自掺杂的低聚苯胺和对-低聚-亚苯基(p-oligo-phenylene)。在本发明的另一个实施方式中，掺杂的低聚苯胺是在苯胺苯环上具有SO3-基团或COO-基团的自掺杂的低聚苯胺。在本发明的另一个实施方式中，掺杂的低聚苯胺通过酸性化合物而混合掺杂，所述酸性化合物选自烷基-SO3H酸或烷基-COOH而以氧化态与低聚苯胺混合。
在本发明的另一方面中，高击穿绝缘取代基中的至少一个可以独立地选自–(CH2)n–CH3、–CH((CH2)nCH3)2)(其中n＝1～50)、烷基、芳基、取代烷基、取代芳基、支链烷基、支链芳基及其任何组合，其中，烷基选自甲基、乙基、丙基、丁基、异丁基和叔丁基，芳基选自苯基、苄基和萘基。
在本发明的另一方面中，储能分子材料还可以包含选自如表6中给出的54～63的结构的至少一个连接单元，其将主要为平面的多环分子系统(Cor)与极化性单元(P)连接起来。
表6.连接单元的实例
根据本发明的另一方面，主要为平面的多环分子系统(Cor)是二萘嵌苯(perylene)，其包含通过连接单元(L)连接到二萘嵌苯结构的间位(bay positions)的极化性单元(P)，其中s等于0、1、2、3、4、5或6：
在本发明的另一方面中，主要为平面的多环分子系统(Cor)可以是二萘嵌苯，其包含通过连接单元(L)连接到二萘嵌苯结构的顶位(apex position)的极化性单元(P)，其中s等于0、1、2、3、4、5或6：
在本发明的另一方面中，主要为平面的多环分子系统(Cor)可以是以下结构式的二萘嵌苯，其中P是极化性单元，I是高击穿绝缘取代基：
在本发明的另一方面中，主要为平面的多环分子系统(Cor)可以是以下结构式的二萘嵌苯：
其中P是极化性单元，I是高击穿绝缘取代基。
在本发明的一个方面中，主要为平面的多环分子系统(Cor)可以是以下结构式的二萘嵌苯：
其中P是极化性单元，I是高击穿绝缘取代基。
本发明的方面还包括具有以下通式分子结构式的储能分子材料：
其中D-moiety(D-部分)是通过π-π相互作用形成柱状超分子堆叠的极化性单元，I是高击穿绝缘取代基，m是1、2、3、4、5、6、7或8。因此，储能分子材料含有执行不同(各种)功能的两个组分。D-部分使得储能分子材料具有形成超分子的能力。进而，超分子使得能够形成结晶电介质层的晶体结构。此外，D-部分还用于提供具有高介电磁导率的分子材料。有几种类型的极化，如具有金属导电性的分子、单体和聚合物的偶极子极化、离子极化和超电子极化。能够在本发明中利用具有列出的极化类型的所有D-部分。绝缘取代基(I)在结晶电介质层中提供超分子彼此的电隔离并提供储能分子材料的高击穿电压。
在本发明的一个方面中，D-部分包含如表7中给出的结构64～70的导电低聚物，其中X＝2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12。
表7.包含导电低聚物的D-部分的实例
在本发明的另一方面中，D-部分可以选自掺杂的低聚苯胺和对-低聚-亚苯基。在本发明的另一个实施方式中，掺杂的低聚苯胺是在苯胺苯环上具有SO3-基团或COO-基团的自掺杂的低聚苯胺。在本发明的另一个实施方式中，掺杂的低聚苯胺通过酸性化合物而混合掺杂，所述酸性化合物选自烷基-SO3H酸或烷基-COOH而以氧化态与低聚苯胺混合。在本发明的一个实施方式中，高击穿绝缘取代基(I)中的至少一个独立地选自–(CH2)n–CH3、–CH((CH2)nCH3)2)(其中n＝1……50)、烷基、芳基、取代烷基、取代芳基、支链烷基、支链芳基及其任何组合，其中，烷基选自甲基、乙基、丙基、丁基、异丁基和叔丁基，芳基选自苯基、苄基和萘基。在本发明的另一个实施方式中，储能分子材料进一步包含将极化性单元(D-部分)与高击穿绝缘取代基连接起来的表8中给出的结构71～80所示的至少一个连接单元。
表8.连接单元的实例
在本发明的另一个方面中，储能分子材料可以包含作为D-部分的二萘嵌苯，并且高击穿绝缘取代基(I)可以通过连接单元(L)连接到二萘嵌苯结构的间位，其中s等于0、1、2、3、4、5和6：
在本发明的另一个方面中，储能分子材料可以包含作为D-部分的二萘嵌苯，并且高击穿绝缘取代基(I)可以通过连接单元(L)连接到二萘嵌苯结构的顶位，其中s等于0、1、2、3、4、5和6：
在本发明的一个方面中，储能分子材料可具有以下通式结构式，其中m为1：
根据本发明的相关方面，储能分子材料可以具有以下通式结构式，其中m为2：
本发明的方面包括包含所述的储能分子材料的结晶电介质层。当溶解在合适的溶剂中时，这种储能分子材料形成胶体系统(溶致液晶)，其中分子聚集为构成系统的动力学单元的超分子复合物(supramolecular complexes)。该溶致液晶相基本上是系统的有序状态的前体，在超分子复合物的随后的校准(alignment)和除去溶剂的期间，由该前体形成结晶电介质层。
作为实例而非限制，用于由具有超分子复合物的胶体系统制备结晶电介质层的方法可以包括以下步骤：
-将胶体系统应用于基材上。胶体系统通常具有触变特性(thixotropicproperties)，通过保持预设温度和一定浓度的分散相来提供；
-对系统进行外部校准，其可以利用机械要素或通过任何其他方式而进行，例如在具有或不具有附加照明、磁场或光场(例如，相干光伏效应)的情况下，在正常或升高的温度下施加外部电场；外部校准的程度应该足以形成必要的取向使得产生胶体系统的动力学单元，并形成一个用作结晶电介质层的晶格的基底的结构；
-干燥以除去溶剂而形成最终的结晶电介质层结构。
在所得到的结晶电介质层中，主要为平面的多环分子系统的分子平面彼此平行，储能分子材料的至少部分的晶体形成三维晶体结构。生产技术的优化能够允许形成单晶电介质层。
如图1所示，本发明的方面包括电容器100，其包括第一电极102、第二电极104和设置在所述第一和第二电极之间的结晶电介质层106。结晶电介质层106包括所述的储能分子材料，其具有以下的通式分子结构式：
或本文所讨论的任何所公开的变化形式或通式分子结构式：
或其所公开的任何变形。
这种材料的特征在于介电常数κ在约100和约1000000之间，击穿电场Ebd在约0.01V/m到约2.0V/nm之间。
电极可以由任何合适的导电材料制成，例如金属，例如铝(Al)或铜(Cu)。在一些实施方式中，一个或两个电极可以由泡沫金属制成，例如泡沫铝。电极102、104可以是平坦的并且平面的并且彼此平行。或者，电极可以是平面的并且平行的，但不一定是平坦的，例如，它们可以以盘绕(coiled)、卷绕(rolled)、弯曲、折叠或其他方式成形，以减小电容器的整体形状因数。电极也可以是非平坦的、非平面的或不平行的、或它们中的两个或更多个的某些组合。作为示例而不是限制，对应于结晶电介质层106的厚度的电极102、104之间的间隔d可以在约1μm至约10000μm的范围内。如上述等式(2)所述，电极102、103之间的最大电压Vbd近似为击穿电场和电极间距d的乘积。例如，如果Ebd＝0.1V/nm，间距d为10000微米(100000nm)，则最大电压Vbd为100000伏。
电极可以具有彼此相同的形状、相同的尺寸和相同的面积A。作为示例而非限制，每个电极102、104的面积A可以在约0.01m2至约1000m2的范围内。作为示例而非限制，对于卷绕的电容器，通过类似于用于制造磁带或照相胶片那样的卷对卷(roll-to-roll)工艺，甚至能够制造出例如1000m长和1m宽的电极。
这些范围是非限制性的。电极间距d和面积A的其他范围也处于本发明的各方面的范围内。
如果间距d与电极的特征线性尺寸(例如长度和/或宽度)相比较小，则电容器100的电容C可以近似为公式：
C＝κ εoA/d (3)
其中ε0是自由空间的介电常数(8.85×10-12库仑2/(牛顿·米2))，κ是结晶电介质层106的介电常数。电容器100的储能容量U可以近似为：
U＝1/2CVbd 2 (4)
其可以使用等式(2)和(3)重写为：
U＝1/2κ εoAEbd 2 (5)
储能容量U由介电常数κ、面积A和击穿电场Ebd决定。通过适当的设计，能够将电容器或电容器组设计成具有任意所需的储能容量U。作为示例而非限制，给定介电常数κ、电极面积A和击穿电场Ebd的上述范围，根据本发明的各方面的电容器，能够具有范围从约500焦耳至约2×1016焦耳的储能容量U。
对于例如约100至约1000000的介电常数κ和例如约0.1至0.5V/nm之间的恒定击穿电场Ebd，本文所述类型的电容器可以具有约10W×h/kg至高达约100000W×h/kg的每单位质量的比能量容量，但实施并不限于此。
为了更容易地理解本发明的各方面，而参考以下用于说明本发明但并不限制范围的实施例。
实施例1
本实施例描述了由通式结构式I表示的包含由结构式6和35表示的片段(表1和5)的卟啉-(苯基-二萘嵌苯二酰亚胺)4-化合物(TPP-PD I4)的合成方法，
所述方法包括几个步骤。
在第一步骤中，进行由通式结构式81表示的1,7-二溴联-3,4:9,10-四羧酸二酐的合成：
为此，将3,4:9,10-苝四羧酸二酐(28.52g，72.7mmol)加入到420ml浓硫酸中，并在55℃下搅拌24小时。向反应混合物中加入碘(0.685g，2.70mmol)，在55℃下再搅拌5小时。在超过1小时的时间，将溴(8.3ml，162mmol)滴加到反应烧瓶中，在85℃下搅拌24小时。然后用氮气N2将过量的溴置换。将水(66ml)滴加到冷却的混合物中，滤出沉淀。用220ml的86％的H2SO4对粗产物进行洗涤，然后用水洗涤，该过程重复两次，得到粗产物(32.32g，81％)。该产物进一步使用而无需任何纯化。M.S.：549.0(计算值550.11)。
在第二步骤中，进行由通式结构式82表示的1,7-(3',5'-二叔丁基苯氧基)二萘嵌苯-3,4:9,10-四羧酸二酐(PDA)的合成。
为此，将1,7-二溴联-3,4,:9,10-四羧酸二氢化物(0.89g，1.61mmol)、3,5-二叔丁基苯酚(1.0g，4.85mmol)和Cs2CO3(1.1g，3.38mmol)放入到配备有磁力搅拌棒、空气冷凝器和氩气出口的两颈烧瓶中。然后加入DMF(15mL)，所得的悬浮液在剧烈搅拌下回流1.5小时。最初的红色悬浮液变成深紫色。将反应混合物冷却至室温，加入乙酸(10mL)。将形成的沉淀物在室温下搅拌过夜，过滤，用冰冷的乙酸(40mL)和热MeOH(40mL)洗涤，在60℃下真空干燥6小时，得到纯产物1.2g(87％)。M.S.：799.9(计算值800.3)。1H NMR(CDCl3)δ：9.69(d，J＝8.4Hz，2H)，8.68(d，J＝8.4Hz，2H)，8.37(s，2H)，7.42(t，J＝1.7，2H)，7.03(d，J＝1.7，4H)，1.35(s，36H)。
在第三步骤中，进行了由通式结构式83表示的N-(2-乙基己基)-1,7-(3',5'-二叔丁基苯氧基)二萘嵌苯-3,4-二羧酸酐-9,10-二甲酰亚胺(PIA)的合成：
为此，将1,7-(3'5'-二叔丁基苯氧基)二萘嵌苯-3,4,:9,10-四羧酸二氢化物(PDA)(0.85g，1.06mmol)、咪唑(0.85g，12.4mmol)放入到装有磁力搅拌棒、空气冷凝器、氩气入口管和滴液漏斗的三颈烧瓶中。加入氯仿(250mL，从CaH2中新蒸馏)。将所得的悬浮液在剧烈搅拌下回流1小时，将氯仿(8mL)中的2-乙基己胺(0.136g，1.06mmol)滴加1小时，然后滴加5滴CF3COOH。将反应混合物回流3天，冷却，减压除去溶剂。产物在硅胶色谱柱上纯化(洗脱剂CHCl3-己烷4:1)，得到分析纯的单酐(PIA)，为红色固体物质(产率：0.24g，24％)。M.S.：911.50(计算值911.48)。1H NMR(CDCl3)δ：9.70(d，J＝2.6Hz，1H)，9.68(d，J＝2.6Hz，1H)，8.64(d，J＝5.03Hz，1H)，8.62(d，J＝5.03，1H)，8.36(s，1H)，8.33(s，1H)，7.38(t，J＝1.7Hz，1H)，7.37(t，J＝1.7Hz，1H)，7.027(d，J＝1.7 2H)，7.02(d，J＝1.7Hz，2H)，4.10(m，2H)，1.98(m，1H)，1.34(m，6H)，1.21(s，18H)，1.20(s，18H)，0.91(m，8H)。
在最后一个步骤中，进行由通式I表示的卟啉-(苯基-二萘嵌苯二酰亚胺)4-化合物(TPP-PDI4)的最终制备。为此，将5,10,15,20-四(对氨基苯基)卟啉(50mg，0.074mmol)、PIA(334mg，0.36mmol)和咪唑(3.0g)加入到10ml的吡啶中。将反应混合物在干燥氮气下加热回流2天，同时搅拌。反应缓慢(通过MALDI监测)，并加入另外的PIA(252mg，0.28mmol)。将反应混合物再回流2天，然后用氯仿稀释，用2N盐酸洗涤1次，用水洗涤2次，用无水碳酸钾干燥，在旋转蒸发器上去除溶剂。残留物经硅胶色谱柱纯化，得到TPP-PDI4(130mg，40％)。质谱：4245(计算值4245)1H NMR δ(CDCl3)9.8(宽，4H)，9.7(宽，4H)，8.8(宽，4H)，8.6(宽，4H)，8.5(宽，4H)，8.2(宽，4H)，7.7(宽，4H)，7.5(宽，4H)，7.47(宽，8H)，7.39(宽，8H)，7.15(宽，24H)，4.1(m，8H)，2.7(s，12H)，2.7(宽，24H)，2.0(宽，4H)，1.3(宽，24H)，1.4(宽，144H)，0.8(宽，32H)。根据已知的文献程序进行TPP-PDI4的合成(参见vander Boom，T.、Hayes，R.T.、Zhao，Y、Bushard，P.J.、Weiss，E.A.、Wasielewski，M.R.J.Am。化工学报2002，124，9582；M.J.Ahrens、L.E.Sinks、B.Rybtchinski、W.Liu、B.A.Jones、J.M.Giaimo、A.V.Gusev、A.J.Goshe、D.M.Tiede、M.R.Wasielewski、J.Am。化工学报，2004，126，8284)。
尽管以上是本发明的优选实施例的完整描述，但是可以使用各种替代方案、修改和等价物。因此，不应依照上述描述来确定本发明的范围，而是应参考所附的权利要求以及其等同物的全部范围来确定。无论是否优选，本文描述的任何特征都可以与本文所描述的任何其他特征组合，无论是否优选。在权利要求中，不定冠词“A”或“An”指的是本文中的一个或多个项目的数量，除非另有明确说明。如本文所使用的那样，在替代方案中的元件列表中，术语“或”用作包括性的含义，例如，“X或Y”单独包括X，单独Y，或X和Y一起，除非明确说明除此以外。作为备选项列出的两个或多个元素可以组合在一起。所附的权利要求不应被解释为包括装置加功能的限定，除非在该权利要求中使用短语“means for”明确地叙述了这种限定。

Claims (29)

1.一种储能分子材料，其特征在于，具有以下通式分子结构式：
其中Cor是主要为平面的多环分子系统，其通过π-π-相互作用形成柱状超分子堆叠，P是极化性单元，I是高击穿绝缘取代基，n是1、2、3、4、5、6、7或8，m为1、2、3、4、5、6、7或8。
2.根据权利要求1所述的储能分子材料，其特征在于，
所述平面多环分子系统包含具有选自以下结构1～6的通式结构式的四环大环片段，其中M表示金属原子或两个质子(2H)。
3.根据权利要求1所述的储能分子材料，其特征在于，
所述平面多环分子系统包含选自三萜烯、十碳环烯、二苯并芘、六苯并菲、1.2,3.4,5.6,7.8-四-(亚萘基)-蒽、二苯并三苯、四苯并庚烯、过苝、六苯并己烯的平面稠合多环烃，并具有选自以下结构7～17的通式结构式。
4.根据权利要求1所述的储能分子材料，其特征在于，
所述平面多环分子系统包含具有选自以下结构18～25的通式结构式的六苯并苯片段。
5.根据权利要求1所述的储能分子材料，其特征在于，
所述极化性单元包含具有选自以下结构26～32的通式结构式的导电低聚物，其中X＝2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12。
6.根据权利要求1所述的储能分子材料，其特征在于，
所述极化性单元包含具有选自以下结构33～53的通式结构式的萘嵌苯片段。
7.根据权利要求1所述的储能分子材料，其特征在于，
所述极化性单元选自掺杂的低聚苯胺和对低聚亚苯基。
8.根据权利要求7所述的储能分子材料，其特征在于，
所述掺杂的低聚苯胺是在苯胺苯环上具有SO3-基团或COO-基团的自掺杂的低聚苯胺。
9.根据权利要求7所述的储能分子材料，其特征在于，
所述掺杂的低聚苯胺通过酸性化合物而混合掺杂，所述酸性化合物选自烷基-SO3H酸或烷基-COOH而以氧化态与低聚苯胺混合。
10.根据权利要求1所述的储能分子材料，其特征在于，
所述高击穿绝缘取代基中的至少一个独立地选自–(CH2)n–CH3、–CH((CH2)nCH3)2)(其中n＝1……50)、烷基、芳基、取代烷基、取代芳基、支链烷基、支链芳基及其任何组合，其中，烷基选自甲基、乙基、丙基、丁基、异丁基和叔丁基，芳基选自苯基、苄基和萘基。
11.根据权利要求1所述的储能分子材料，其特征在于，
还包含选自以下结构33～42的至少一个连接单元，其将主要为平面的多环分子系统(Cor)与极化性单元(P)连接起来。
12.根据权利要求1所述的储能分子材料，其特征在于，
所述主要为平面的多环分子系统(Cor)是以下的二萘嵌苯，其包含通过连接单元(L)连接到二萘嵌苯结构的间位的极化性单元(P)，其中s等于0、1、2、3、4、5或6。
13.根据权利要求1所述的储能分子材料，其特征在于，
主要为平面的多环分子系统(Cor)可以是以下的二萘嵌苯，其包含通过连接单元(L)连接到二萘嵌苯结构的顶位的极化性单元(P)，其中s等于0、1、2、3、4、5或6。
14.根据权利要求1所述的储能分子材料，其特征在于，
所述主要为平面的多环分子系统(Cor)是具有以下结构式的二萘嵌苯：
其中P是极化性单元，I是高击穿绝缘取代基。
15.根据权利要求1所述的储能分子材料，其特征在于，
所述主要为平面的多环分子系统(Cor)是具有以下结构式的二萘嵌苯：
其中P是极化性单元，I是高击穿绝缘取代基。
16.根据权利要求1所述的储能分子材料，其特征在于，
所述主要为平面的多环分子系统(Cor)是具有以下结构式的二萘嵌苯：
其中P是极化性单元，I是高击穿绝缘取代基。
17.一种储能分子材料，其特征在于，
具有以下的通式分子结构式：
其中，D-moiety即D-部分是通过π-π相互作用形成柱状超分子堆叠的极化性单元，I是高击穿绝缘取代基，m是1、2、3、4、5、6、7或8。
18.根据权利要求17所述的储能分子材料，其特征在于，
所述D-部分包含选自以下结构43～49的导电低聚物，其中X＝2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12。
19.根据权利要求17所述的储能分子材料，其特征在于，
所述D-部分选自掺杂的低聚苯胺和对低聚亚苯基。
20.根据权利要求19所述的储能分子材料，其特征在于，
所述掺杂的低聚苯胺是在苯胺苯环上具有SO3-基团或COO-基团的自掺杂的低聚苯胺。
21.根据权利要求19所述的储能分子材料，其特征在于，
所述掺杂的低聚苯胺通过酸性化合物而混合掺杂，所述酸性化合物选自烷基-SO3H酸或烷基-COOH而以氧化态与低聚苯胺混合。
22.根据权利要求17所述的储能分子材料，其特征在于，
所述高击穿绝缘取代基(I)中的至少一个选自–(CH2)n–CH3、–CH((CH2)-nCH3)2)(其中n＝1……50)、烷基、芳基、取代烷基、取代芳基、支链烷基、支链芳基及其任何组合，其中，烷基选自甲基、乙基、丙基、丁基、异丁基和叔丁基，芳基选自苯基、苄基和萘基。
23.根据权利要求17所述的储能分子材料，其特征在于，
还包含选自以下结构50～59的至少一个连接单元，其将所述极化性单元(D-部分)与所述高击穿绝缘取代基连接起来。
24.根据权利要求17所述的储能分子材料，其特征在于，
包含以下的二萘嵌苯作为所述D-部分，所述高击穿绝缘取代基(I)通过连接单元(L)连接到二萘嵌苯结构的间位，其中s等于0、1、2、3、4、5或6。
25.根据权利要求17所述的储能分子材料，其特征在于，
包括以下的二萘嵌苯作为所述D-部分，并且所述高击穿绝缘取代基(I)可以通过连接单元(L)连接到二萘嵌苯结构的顶位，其中s等于0、1、2、3、4、5和6。
26.根据权利要求17所述的储能分子材料，其特征在于，
m为1，其通式结构式为以下。
27.根据权利要求17所述的储能分子材料，其特征在于，
m为2，其通式结构式为以下。
28.一种结晶电介质层，其特征在于，
包含权利要求1～26中的任意一项所述的储能分子材料。
29.一种电容器，其特征在于，包括：
第一电极；
第二电极；
设置在所述第一电极和所述第二电极之间的结晶电介质层，其中
所述结晶电介质层包含权利要求1～26的任意一项所述的储能分子材料。
CN201680029192.6A 2015-05-21 2016-05-20 储能分子材料、结晶电介质层和电容器 Active CN107924762B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/719,072 2015-05-21
US14/719,072 US9932358B2 (en) 2015-05-21 2015-05-21 Energy storage molecular material, crystal dielectric layer and capacitor
PCT/US2016/033628 WO2016187584A1 (en) 2015-05-21 2016-05-20 Energy storage molecular material, crystal dielectric layer and capacitor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107924762A true CN107924762A (zh) 2018-04-17
CN107924762B CN107924762B (zh) 2019-12-20

Family

ID=57320946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680029192.6A Active CN107924762B (zh) 2015-05-21 2016-05-20 储能分子材料、结晶电介质层和电容器

Country Status (13)

Country Link
US (3) US9932358B2 (zh)
EP (1) EP3298616A4 (zh)
JP (1) JP6612897B2 (zh)
KR (1) KR102073078B1 (zh)
CN (1) CN107924762B (zh)
AU (1) AU2016264757A1 (zh)
BR (1) BR112017024842A2 (zh)
CA (1) CA2986573A1 (zh)
IL (1) IL255681A (zh)
MX (1) MX2017014729A (zh)
PH (1) PH12017502124A1 (zh)
RU (1) RU2017139761A (zh)
WO (1) WO2016187584A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109712822A (zh) * 2018-12-27 2019-05-03 东莞理工学院 基于四对羟基苯基锰卟啉-邻苯二甲酸酯的超级电容器
CN112271081A (zh) * 2015-06-26 2021-01-26 电容器科学股份公司 卷绕式电容器

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10347423B2 (en) 2014-05-12 2019-07-09 Capacitor Sciences Incorporated Solid multilayer structure as semiproduct for meta-capacitor
SG11201609435WA (en) 2014-05-12 2016-12-29 Capacitor Sciences Inc Energy storage device and method of production thereof
US10319523B2 (en) 2014-05-12 2019-06-11 Capacitor Sciences Incorporated Yanli dielectric materials and capacitor thereof
US20170301477A1 (en) 2016-04-04 2017-10-19 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US10340082B2 (en) 2015-05-12 2019-07-02 Capacitor Sciences Incorporated Capacitor and method of production thereof
JP6668341B2 (ja) 2014-11-04 2020-03-18 キャパシタ サイエンシス インコーポレイテッド エネルギー蓄積デバイスおよびその製造方法
MX2017010875A (es) 2015-02-26 2017-12-15 Capacitor Sciences Inc Capacitor autorregenerante y métodos de producción del mismo.
US9932358B2 (en) 2015-05-21 2018-04-03 Capacitor Science Incorporated Energy storage molecular material, crystal dielectric layer and capacitor
US10026553B2 (en) 2015-10-21 2018-07-17 Capacitor Sciences Incorporated Organic compound, crystal dielectric layer and capacitor
US10305295B2 (en) 2016-02-12 2019-05-28 Capacitor Sciences Incorporated Energy storage cell, capacitive energy storage module, and capacitive energy storage system
US10636575B2 (en) 2016-02-12 2020-04-28 Capacitor Sciences Incorporated Furuta and para-Furuta polymer formulations and capacitors
US10566138B2 (en) 2016-04-04 2020-02-18 Capacitor Sciences Incorporated Hein electro-polarizable compound and capacitor thereof
US11092142B2 (en) * 2017-11-20 2021-08-17 Capacitor Sciences Incorporated Plasma electric propulsion device
US10153087B2 (en) 2016-04-04 2018-12-11 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US9978517B2 (en) 2016-04-04 2018-05-22 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US10395841B2 (en) * 2016-12-02 2019-08-27 Capacitor Sciences Incorporated Multilayered electrode and film energy storage device
US10163575B1 (en) 2017-11-07 2018-12-25 Capacitor Sciences Incorporated Non-linear capacitor and energy storage device comprising thereof
US10403435B2 (en) 2017-12-15 2019-09-03 Capacitor Sciences Incorporated Edder compound and capacitor thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101541890A (zh) * 2006-09-26 2009-09-23 克里斯凯德太阳能有限公司 有机化合物、光伏层及有机光伏器件
US7837902B2 (en) * 2004-04-13 2010-11-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compositions of electrically conductive polymers and non-polymeric fluorinated organic acids
CN103250216A (zh) * 2010-07-21 2013-08-14 克林伏特能源有限公司 有机和有机金属高介电常数材料在改进的能量存储装置中的应用及相关方法
WO2015003725A1 (en) * 2013-07-09 2015-01-15 Friedrich-Schiller-Universität Jena Electroactive polymers, manufacturing process thereof, electrode and use thereof

Family Cites Families (197)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB547853A (en) 1941-03-12 1942-09-15 Norman Hulton Haddock New perylene derivatives
GB923148A (en) 1960-03-24 1963-04-10 Ici Ltd New anthraquinone dyestuffs
US3407394A (en) 1964-10-23 1968-10-22 Xerox Corp Selenium trapping memory
GB2084585B (en) 1980-09-25 1983-11-30 Dearborn Chemicals Ltd The preparation of high molecular weight hydrophilic polymer gels
JPS60146405A (ja) 1983-12-30 1985-08-02 日石三菱株式会社 精製された電気絶縁油および油含浸電気機器
DE3401338A1 (de) 1984-01-17 1985-07-25 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Fluessigkristall-phase
US4694377A (en) 1986-05-28 1987-09-15 Aerovox Incorporated Segmented capacitor
JPS6385731A (ja) 1986-09-30 1988-04-16 Mita Ind Co Ltd 光学部支持装置
EP0268354A3 (en) 1986-10-07 1988-06-15 Imperial Chemical Industries Plc Substituted pyrazoline
DE3904797A1 (de) 1989-02-17 1990-08-30 Merck Patent Gmbh Nichtlinear optische materialien mit vicinalen donor- und akzeptorgruppen
DE3926563A1 (de) 1989-08-11 1991-02-14 Hoechst Ag Sulfonsaeuregruppenhaltige perylenverbindungen, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
JP2786298B2 (ja) 1990-03-02 1998-08-13 株式会社日立製作所 フイルムコンデンサ及びその製造方法
US6294593B1 (en) 1990-12-07 2001-09-25 University Of Massachusetts Lowell Method and crosslinkable polymers for forming crosslinked second order nonlinear optical polymers
US5395556A (en) 1990-12-12 1995-03-07 Enichem S.P.A. Tricyanovinyl substitution process for NLO polymers
US5514799A (en) 1993-08-02 1996-05-07 Enichem S.P.A. 1,1-vinyl substituted nonlinear optical materials
US5516785A (en) 1991-03-01 1996-05-14 University Of Florida Research Foundation, Incorporated Use of nicotinic analogs for treatment of degenerative diseases of the nervous system
JP3362865B2 (ja) 1991-03-21 2003-01-07 クラリアント・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング ペリレン化合物の分子内塩、その製造方法およびその用途
JP2741804B2 (ja) 1991-06-14 1998-04-22 松下電器産業株式会社 コンデンサ及びその製造方法
EP0585999A1 (en) 1992-08-14 1994-03-09 ENICHEM S.p.A. Functional heteroaromatics for NLO applications
US5384521A (en) 1992-09-25 1995-01-24 Coe; Carlos J. Power capacitor powertrain
US5312896A (en) 1992-10-09 1994-05-17 Sri International Metal ion porphyrin-containing poly(imide)
US5597661A (en) 1992-10-23 1997-01-28 Showa Denko K.K. Solid polymer electrolyte, battery and solid-state electric double layer capacitor using the same as well as processes for the manufacture thereof
EP0602654A1 (en) 1992-12-18 1994-06-22 ENICHEM S.p.A. Efficient electron-donating groups for nonlinear optical applictions
FR2713387B1 (fr) 1993-11-30 1996-01-12 Merlin Gerin Condenseur de puissance.
US6501093B1 (en) 1994-04-04 2002-12-31 Alvin M. Marks Quantum energy storage or retrieval device
US5679763A (en) 1995-02-24 1997-10-21 Enichem S.P.A. Polyquinoline-based nonlinear optical materials
US5583359A (en) 1995-03-03 1996-12-10 Northern Telecom Limited Capacitor structure for an integrated circuit
EP0791849A1 (en) 1996-02-26 1997-08-27 ENICHEM S.p.A. Non-linear optical compounds
JP3637163B2 (ja) 1996-10-01 2005-04-13 本田技研工業株式会社 蓄電式電源装置
US5742471A (en) 1996-11-25 1998-04-21 The Regents Of The University Of California Nanostructure multilayer dielectric materials for capacitors and insulators
FR2760911B1 (fr) 1997-03-13 1999-05-07 Renault Dispositif d'alimentation electrique avec batterie d'accumulateurs et supercondensateur
US6555027B2 (en) 1998-07-27 2003-04-29 Pacific Wave Industries, Inc. Second-order nonlinear optical chromophores containing dioxine and/or bithiophene as conjugate bridge and devices incorporating the same
JP4103975B2 (ja) 1998-09-10 2008-06-18 富士フイルム株式会社 電解質、光電気化学電池、及び電解質層を形成する方法
DE10006839A1 (de) 1999-02-17 2000-08-24 Hitachi Maxell Elektrode für einen Kondensator, Verfahren zur deren Herstellung und ein Kondensator
US6426861B1 (en) 1999-06-22 2002-07-30 Lithium Power Technologies, Inc. High energy density metallized film capacitors and methods of manufacture thereof
JP2001093778A (ja) 1999-09-20 2001-04-06 Toray Ind Inc 金属蒸着フィルムおよびそれを用いたコンデンサ
US6426863B1 (en) 1999-11-25 2002-07-30 Lithium Power Technologies, Inc. Electrochemical capacitor
US6341056B1 (en) 2000-05-17 2002-01-22 Lsi Logic Corporation Capacitor with multiple-component dielectric and method of fabricating same
AU2001296313B2 (en) 2000-09-27 2005-06-02 The Procter & Gamble Company Melanocortin receptor ligands
MXPA02011693A (es) 2000-10-10 2004-05-17 American Electric Power Compan Un sistema nivelador de carga de potencia y paquete de almacenamiento electrico.
EP1202299B1 (fr) 2000-10-25 2006-08-16 Montena Components S.A. Dispositif d'accumulation d'énergie électrique constitué par enroulement de rubans superposés et procédé de fabrication
US6391104B1 (en) 2000-12-01 2002-05-21 Bayer Corporation Perylene pigment compositions
US7033406B2 (en) 2001-04-12 2006-04-25 Eestor, Inc. Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries
JP4633960B2 (ja) 2001-05-10 2011-02-16 日清紡ホールディングス株式会社 自動車用蓄電システム
WO2003028125A2 (en) 2001-09-27 2003-04-03 3M Innovative Properties Company Substituted pentacene semiconductors
UA77459C2 (en) 2001-11-03 2006-12-15 Thin-film capacitor and a method for producing the capacitor
US6765781B2 (en) 2001-12-03 2004-07-20 Tdk Corporation Multilayer capacitor
RU2199450C1 (ru) 2002-01-08 2003-02-27 Московский государственный авиационный институт (технический университет) Источник энергоснабжения мобильного объекта
US6798642B2 (en) 2002-01-24 2004-09-28 Toray Plastics (America), Inc. Polymer coated capacitor films
DE10203918A1 (de) 2002-01-31 2003-08-21 Bayerische Motoren Werke Ag Elektrischer Speicher in einem Kraftfahrzeug, insbesondere für einen Hybridantrieb
US6519136B1 (en) 2002-03-29 2003-02-11 Intel Corporation Hybrid dielectric material and hybrid dielectric capacitor
US7371336B2 (en) 2002-09-24 2008-05-13 E.I. Du Pont Nemours And Company Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications
DE10248722A1 (de) 2002-10-18 2004-05-06 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung mit Kondensator und Herstellungsverfahren
KR101049431B1 (ko) 2003-02-07 2011-07-15 쇼와 덴코 가부시키가이샤 콘덴서 및 그 콘덴서의 제조방법
JP4734823B2 (ja) 2003-06-11 2011-07-27 富士通株式会社 膜多層構造体及びこれを用いるアクチュエータ素子、容量素子、フィルタ素子
US7025900B2 (en) 2003-06-25 2006-04-11 Nitto Denko Corporation Perylenetetracarboxylic acid dibenzimidazole sulfoderivatives containing oxo-groups in the perylene core which form part of a para-quinoid system of bonds, lyotropic liquid crystal systems and anisotropic films containing the same, and methods for making the same
JP4715079B2 (ja) 2003-06-26 2011-07-06 パナソニック株式会社 車両用電源装置
CN1591936A (zh) 2003-09-05 2005-03-09 日本电池株式会社 含锂物质及含该物质的非水电解质电化学储能装置的制法
WO2005089094A2 (en) 2003-11-21 2005-09-29 The Board Of Regents Of The University And Community College System Of Nevada Materials and methods for the preparation of anisotropically-ordered solids
JP2005272460A (ja) 2004-02-25 2005-10-06 Asahi Kasei Corp ポリアセン化合物及び有機半導体薄膜
WO2005124453A2 (en) 2004-06-14 2005-12-29 Georgia Tech Research Corporation Perylene charge-transport materials, methods of fabrication thereof, and methods of use thereof
US7466536B1 (en) 2004-08-13 2008-12-16 Eestor, Inc. Utilization of poly(ethylene terephthalate) plastic and composition-modified barium titanate powders in a matrix that allows polarization and the use of integrated-circuit technologies for the production of lightweight ultrahigh electrical energy storage units (EESU)
US7211824B2 (en) 2004-09-27 2007-05-01 Nitto Denko Corporation Organic semiconductor diode
DE102004048729A1 (de) 2004-10-05 2006-04-06 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von halogenierten Rylencarbonsäureimiden
JP2006147606A (ja) 2004-11-16 2006-06-08 Nec Toppan Circuit Solutions Inc シート状コンデンサとその製造方法
US7428137B2 (en) 2004-12-03 2008-09-23 Dowgiallo Jr Edward J High performance capacitor with high dielectric constant material
US7342755B1 (en) 2005-01-26 2008-03-11 Horvat Branimir L High energy capacitor and charging procedures
DE102005010162B4 (de) 2005-03-02 2007-06-14 Ormecon Gmbh Leitfähige Polymere aus Teilchen mit anisotroper Morphologie
DE102005018172A1 (de) 2005-04-19 2006-10-26 Conti Temic Microelectronic Gmbh Leistungskondensator
JP3841814B1 (ja) 2005-04-28 2006-11-08 三井金属鉱業株式会社 キャパシタ層形成材及びそのキャパシタ層形成材の製造方法
WO2007005642A2 (en) 2005-06-30 2007-01-11 Derochemont L Pierre Electrical components and method of manufacture
US7244999B2 (en) 2005-07-01 2007-07-17 Alps Electric Co., Ltd. Capacitor applicable to a device requiring large capacitance
DE102005053995A1 (de) 2005-11-10 2007-05-24 Basf Ag Verwendung von Rylenderivaten als Photosensibilisatoren in Solarzellen
JP4241714B2 (ja) 2005-11-17 2009-03-18 パナソニック電工株式会社 電動工具用の電池パック
DE102005055075A1 (de) 2005-11-18 2007-05-24 Bayerische Motoren Werke Ag Kraftfahrzeug mit einer Kondensatoreinrichtung zur Speicherung elektrischer Energie
KR20080083325A (ko) 2005-12-28 2008-09-17 더 펜 스테이트 리서어치 파운데이션 유전 물질로서 독특한 폴리(비닐리덴 플루오라이드)공중합체 및 3원 공중합체에 기초한, 빠른 방전 속도 및높은 효율을 갖는 고 전기 에너지 밀도 중합체 축전지
US7460352B2 (en) 2006-01-09 2008-12-02 Faradox Energy Storage, Inc. Flexible dielectric film and method for making
US20070181973A1 (en) 2006-02-06 2007-08-09 Cheng-Chou Hung Capacitor structure
CN101389737A (zh) 2006-03-01 2009-03-18 巴斯夫欧洲公司 萘嵌苯作为液体标记物的用途
JP2007287829A (ja) 2006-04-14 2007-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金属化フィルムコンデンサ
JP4501893B2 (ja) 2006-04-24 2010-07-14 トヨタ自動車株式会社 電源システムおよび車両
WO2007128774A1 (en) 2006-05-04 2007-11-15 Basf Se Method for producing organic field-effect transistors
US20080002329A1 (en) 2006-07-02 2008-01-03 Pohm Arthur V High Dielectric, Non-Linear Capacitor
US7990679B2 (en) 2006-07-14 2011-08-02 Dais Analytic Corporation Nanoparticle ultracapacitor
GB0616358D0 (en) 2006-08-16 2006-09-27 Crysoptix Ltd Anisotropic polymer film and method of production thereof
GB0622150D0 (en) 2006-11-06 2006-12-20 Kontrakt Technology Ltd Anisotropic semiconductor film and method of production thereof
US7994657B2 (en) 2006-12-22 2011-08-09 Solarbridge Technologies, Inc. Modular system for unattended energy generation and storage
WO2008085942A2 (en) 2007-01-08 2008-07-17 Polyera Corporation Methods for preparing arene-bis(dicarboximide)-based semiconducting materials and related intermediates for preparing same
FR2912265B1 (fr) 2007-02-06 2009-04-24 Batscap Sa Batterie a modules de cellules en serie, et vehicule equipe de celle-ci
US20110110015A1 (en) 2007-04-11 2011-05-12 The Penn State Research Foundation Methods to improve the efficiency and reduce the energy losses in high energy density capacitor films and articles comprising the same
US7804678B2 (en) 2007-04-25 2010-09-28 Industrial Technology Research Institute Capacitor devices
JP4825167B2 (ja) * 2007-05-11 2011-11-30 株式会社リコー 電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ
US7745821B2 (en) 2007-05-15 2010-06-29 Eastman Kodak Company Aryl dicarboxylic acid diimidazole-based compounds as n-type semiconductor materials for thin film transistors
US20100193777A1 (en) 2007-09-12 2010-08-05 Fujifilm Corporation Method of producing a desubstituted compound, organic semiconductor film and method of producing the same
WO2009062975A1 (en) 2007-11-12 2009-05-22 Cismi Aerogel compositions
EP2062944A1 (en) 2007-11-20 2009-05-27 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Water-soluble rylene dyes, methods for preparing the same and uses thereof as fluorescent labels for biomolecules
DE102008061452A1 (de) 2007-12-12 2010-07-08 Langhals, Heinz, Prof. Dr. Imidazoloperylenbisimide
FR2925790B1 (fr) 2007-12-19 2010-01-15 Sagem Defense Securite Convertisseur alternatif/continu a isolement galvanique
CN101952988B (zh) 2008-02-05 2015-12-16 巴斯夫欧洲公司 苝半导体及其制备方法和用途
GB0802912D0 (en) 2008-02-15 2008-03-26 Carben Semicon Ltd Thin-film transistor, carbon-based layer and method of production thereof
GB0804082D0 (en) 2008-03-04 2008-04-09 Crysoptix Kk Polycyclic organic compounds, polarizing elements and method of production t hereof
EP2108673A1 (en) 2008-04-11 2009-10-14 DuPont Teijin Films U.S. Limited Partnership Plastic film having a high breakdown voltage
WO2009144205A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-03 Basf Se Rylene-based semiconductor materials and methods of preparation and use thereof
US20100173134A1 (en) 2008-06-26 2010-07-08 Carben Semicon Limited Film and Device Using Layer Based on Ribtan Material
WO2010020928A2 (en) 2008-08-19 2010-02-25 Crysoptix Kk Composition of organic compounds, optical film and method of production thereof
JP4868183B2 (ja) 2008-09-30 2012-02-01 日産化学工業株式会社 新規なフッ素化テトラカルボン酸二無水物、これより得られるポリイミド前駆体、ポリイミドとその利用
US8611068B2 (en) 2008-10-16 2013-12-17 Case Western Reserve University Multilayer polymer dialectric film having a charge-delocalizing interface
JP5024454B2 (ja) 2008-10-31 2012-09-12 トヨタ自動車株式会社 電動車両の電源システムおよびその制御方法
US20100157527A1 (en) 2008-12-23 2010-06-24 Ise Corporation High-Power Ultracapacitor Energy Storage Pack and Method of Use
JP2010160989A (ja) 2009-01-09 2010-07-22 Toyo Ink Mfg Co Ltd 導電性被膜の製造方法
JP2012515448A (ja) 2009-01-16 2012-07-05 ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ 量子ドット型ウルトラキャパシタ及び電子バッテリー
KR20100096625A (ko) 2009-02-25 2010-09-02 삼성전기주식회사 커패시터 및 그 제조방법
TWI471424B (zh) 2009-03-30 2015-02-01 Mitsubishi Materials Corp 鋁多孔質燒結體的製造方法及鋁多孔質燒結體
CN102325947B (zh) 2009-03-31 2014-04-16 日立建机株式会社 具备电源系统的建筑机械以及工业车辆
JP2012523117A (ja) 2009-04-01 2012-09-27 ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ 面積を増大させた電極を有する全電子バッテリー
US7989919B2 (en) 2009-06-03 2011-08-02 Infineon Technologies Ag Capacitor arrangement and method for making same
US8410755B2 (en) 2009-06-15 2013-04-02 Hak Hon Chau Fault tolerant modular battery management system
US7911029B2 (en) 2009-07-11 2011-03-22 Ji Cui Multilayer electronic devices for imbedded capacitor
JP2011029442A (ja) 2009-07-27 2011-02-10 Daikin Industries Ltd フィルムコンデンサ用フィルム、該フィルムを用いたフィルムコンデンサ、該フィルム及びフィルムコンデンサの製造方法
US20110079773A1 (en) 2009-08-21 2011-04-07 Wasielewski Michael R Selectively Functionalized Rylene Imides and Diimides
WO2011056903A1 (en) 2009-11-03 2011-05-12 Henry Tran Compositions and methods for generating conductive films and coatings of oligomers
US9013144B2 (en) 2010-12-21 2015-04-21 Fastcap Systems Corporation Power system for high temperature applications with rechargeable energy storage
CN101786864B (zh) 2009-12-22 2012-12-05 广东风华高新科技股份有限公司 一种与镍内电极匹配的陶瓷介质材料及所得电容器的制备方法
BR112012015318A2 (pt) 2009-12-28 2017-09-05 Akzo Nobel Chemicals Int Bv Material autossustentável, composição, artigo de fabricação e uso de um material autossustentável
US20110228442A1 (en) 2010-03-16 2011-09-22 Strategic Polymer Sciences, Inc. Capacitor having high temperature stability, high dielectric constant, low dielectric loss, and low leakage current
DE102010012949A1 (de) 2010-03-26 2011-09-29 Siemens Aktiengesellschaft Kondensatormodul
US20110269966A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Deepak Shukla Semiconducting articles
KR20110122051A (ko) 2010-05-03 2011-11-09 제일모직주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
US20120008251A1 (en) 2010-07-12 2012-01-12 Wei-Ching Yu Film capacitors comprising melt-stretched films as dielectrics
US8929054B2 (en) 2010-07-21 2015-01-06 Cleanvolt Energy, Inc. Use of organic and organometallic high dielectric constant material for improved energy storage devices and associated methods
JP5562169B2 (ja) 2010-08-09 2014-07-30 小島プレス工業株式会社 積層形フィルムコンデンサ及びその製造方法
JP5257708B2 (ja) 2010-08-25 2013-08-07 株式会社豊田中央研究所 ナノ複合体およびそれを含む分散液
US9572880B2 (en) 2010-08-27 2017-02-21 Sienna Biopharmaceuticals, Inc. Ultrasound delivery of nanoparticles
PL3222266T3 (pl) 2010-08-27 2018-10-31 Sienna Biopharmaceuticals, Inc. Kompozycje i sposoby do termomodulacji celowanej
US20120056600A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Nevin Donald M Capacitor vehicle having high speed charging ability and method of operating a capacitor vehicle
WO2012064618A1 (en) 2010-11-09 2012-05-18 Crysoptix Kk Negative dispersion retardation plate and achromatic circular polarizer
US8766566B2 (en) 2010-12-20 2014-07-01 Nippon Soken, Inc. System for causing temperature rise in battery
DE102010063718A1 (de) 2010-12-21 2012-06-21 Siemens Aktiengesellschaft Dielektrische Schicht für ein elektrisches Bauelement, elektrisches Bauelement mit dielektrischer Schicht und Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelements mit dielektrischer Schicht
CN103548167B (zh) 2011-03-10 2016-12-28 克里斯凯德太阳能有限公司 有机化合物及包含其的光电器件
US9457496B2 (en) 2011-03-23 2016-10-04 Akron Polymer Systems, Inc. Aromatic polyamide films for transparent flexible substrates
EP2697236A1 (en) * 2011-04-15 2014-02-19 Georgia Tech Research Corporation Stannyl derivatives of naphthalene diimides and related compositions and methods
US8922063B2 (en) 2011-04-27 2014-12-30 Green Charge Networks, Llc Circuit for rendering energy storage devices parallelable
DE102011101304A1 (de) 2011-05-12 2012-11-15 Hans-Josef Sterzel Halbleiterspeicher hoher Energiedichte
WO2013005468A1 (ja) 2011-07-05 2013-01-10 株式会社村田製作所 誘電体薄膜、誘電体薄膜素子および薄膜コンデンサ
US10056609B2 (en) 2011-07-11 2018-08-21 Quantumscape Corporation Solid state energy storage devices
CA2848223A1 (en) 2011-09-09 2013-03-14 SZ DJI Technology Co., Ltd Dual-axis platform for use in a small unmanned aerial vehicle and tri-axis platform for use in a small unmanned aerial vehicle
WO2013033954A1 (zh) 2011-09-09 2013-03-14 深圳市大疆创新科技有限公司 陀螺式动态自平衡云台
JP6009579B2 (ja) 2011-12-09 2016-10-19 ナンヤン テクノロジカル ユニヴァーシティー ポリ（フッ化ビニリデン）系ポリマーおよび少なくとも１種の導電性ポリマーのグラフトコポリマーの形成方法
US9508488B2 (en) 2012-01-10 2016-11-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Resonant apparatus for wireless power transfer
WO2013110273A1 (en) 2012-01-27 2013-08-01 Kk-Electronic A/S Control system for power stacks in a power converter, power converter with such control system and wind turbine with such power converter
US9087645B2 (en) 2012-01-30 2015-07-21 QuantrumScape Corporation Solid state energy storage devices
FR2987180B1 (fr) 2012-02-16 2014-12-05 Alstom Transport Sa Chaine de stockage d'energie pour vehicule, comprenant au moins un module de supercondensateurs, systeme de stockage d'energie comprenant une telle chaine et vehicule ferroviaire comprenant un tel systeme
US20130224473A1 (en) 2012-02-23 2013-08-29 Research Foundation Of The City University Of New York Prevention of hydrophobic dewetting through nanoparticle surface treatment
JP2013247206A (ja) 2012-05-25 2013-12-09 Kojima Press Industry Co Ltd フィルムコンデンサ素子及びフィルムコンデンサ並びにフィルムコンデンサ素子の製造方法
US20130334657A1 (en) 2012-06-15 2013-12-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Planar interdigitated capacitor structures and methods of forming the same
TWI450907B (zh) 2012-06-26 2014-09-01 Far Eastern New Century Corp 製造導電聚合物分散液的方法、由其形成之導電聚合物材料及利用該導電聚合物材料之固態電容
GB201212487D0 (en) 2012-07-13 2012-08-29 Secr Defence A device for measuring the hydration level of humans
RU2512880C2 (ru) 2012-08-16 2014-04-10 Общество с ограниченной ответственностью "Системы Постоянного Тока" Система накопления электрической энергии на базе аккумуляторных батарей и суперконденсатора с функцией улучшения качества сети
DE102012016438A1 (de) 2012-08-18 2014-02-20 Audi Ag Energiespeicheranordnung und Kraftfahrzeug
CN203118781U (zh) 2012-08-21 2013-08-07 深圳圣融达科技有限公司 一种多层复合介质薄膜电容器
US8878341B2 (en) 2012-10-09 2014-11-04 Saudi Basic Industries Corporation Graphene-based composite materials, method of manufacture and applications thereof
US9805869B2 (en) 2012-11-07 2017-10-31 Carver Scientific, Inc. High energy density electrostatic capacitor
CN104937685A (zh) 2012-11-21 2015-09-23 3M创新有限公司 包括第一介电层和第二介电层的多层膜
US20140158340A1 (en) 2012-12-11 2014-06-12 Caterpillar Inc. Active and passive cooling for an energy storage module
JP2014139296A (ja) 2012-12-21 2014-07-31 Toray Ind Inc 芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドフィルムおよび積層体
US9928966B2 (en) 2012-12-28 2018-03-27 Intel Corporation Nanostructured electrolytic energy storage devices
WO2014130046A1 (en) 2013-02-25 2014-08-28 Ut-Battelle, Llc Buffering energy storage systems for reduced grid and vehicle battery stress for in-motion wireless power transfer systems
TWI478185B (zh) 2013-03-12 2015-03-21 Univ Nat Taiwan 超級電容器及其製造方法
US8818601B1 (en) 2013-03-14 2014-08-26 GM Global Technology Operations LLC Extended-range electric vehicle with supercapacitor range extender
CN105283926B (zh) 2013-03-15 2019-05-10 克林伏特能源有限公司 利用有机和有机金属高介电常数材料改进能量存储设备中的电极和电流及其改进方法
CN103258656B (zh) 2013-04-25 2015-08-19 华中科技大学 一种基于泡沫镍的超级电容器电极的制备方法及其产品
DK2821640T3 (en) 2013-07-05 2017-03-13 Alstom Renovables España S L Pitch drive system with emergency power supply controlled by a switching device and method thereof
JP5867459B2 (ja) 2013-07-08 2016-02-24 トヨタ自動車株式会社 電力システム
CN203377785U (zh) 2013-07-15 2014-01-01 深圳桑达国际电源科技有限公司 一种充放电式dc-dc转换电路及新能源发电系统
US9592744B2 (en) 2013-12-06 2017-03-14 SZ DJI Technology Co., Ltd Battery and unmanned aerial vehicle with the battery
CN103986224A (zh) 2014-03-14 2014-08-13 北京工业大学 一种风光电互补型移动电源
US10319523B2 (en) 2014-05-12 2019-06-11 Capacitor Sciences Incorporated Yanli dielectric materials and capacitor thereof
KR20170005821A (ko) 2014-05-12 2017-01-16 캐패시터 사이언시스 인코포레이티드 커패시터 및 이의 생산 방법
US10340082B2 (en) 2015-05-12 2019-07-02 Capacitor Sciences Incorporated Capacitor and method of production thereof
SG11201609435WA (en) 2014-05-12 2016-12-29 Capacitor Sciences Inc Energy storage device and method of production thereof
CN105517664B (zh) 2014-05-30 2018-11-20 深圳市大疆创新科技有限公司 无人飞行器对接系统及方法
JP6668341B2 (ja) 2014-11-04 2020-03-18 キャパシタ サイエンシス インコーポレイテッド エネルギー蓄積デバイスおよびその製造方法
MX2017010875A (es) 2015-02-26 2017-12-15 Capacitor Sciences Inc Capacitor autorregenerante y métodos de producción del mismo.
US9932358B2 (en) 2015-05-21 2018-04-03 Capacitor Science Incorporated Energy storage molecular material, crystal dielectric layer and capacitor
US20180137984A1 (en) 2015-05-21 2018-05-17 Capacitor Sciences Incorporated Solid state energy storage device
US9941051B2 (en) 2015-06-26 2018-04-10 Capactor Sciences Incorporated Coiled capacitor
US10460873B2 (en) 2015-11-09 2019-10-29 Facebook Technologies, Llc Enhancing dielectric constants of elastomer sheets
US20180126857A1 (en) 2016-02-12 2018-05-10 Capacitor Sciences Incorporated Electric vehicle powered by capacitive energy storage modules
US10636575B2 (en) 2016-02-12 2020-04-28 Capacitor Sciences Incorporated Furuta and para-Furuta polymer formulations and capacitors
US20170236641A1 (en) 2016-02-12 2017-08-17 Capacitor Sciences Incorporated Furuta co-polymer and capacitor
US20170232853A1 (en) 2016-02-12 2017-08-17 Capacitor Sciences Incorporated Electric vehicle powered by capacitive energy storage modules
US20170236642A1 (en) 2016-02-12 2017-08-17 Capacitor Sciences Incorporated para-FURUTA POLYMER AND CAPACITOR
US20180122143A1 (en) 2016-03-15 2018-05-03 Sutherland Cook Ellwood, JR. Hybrid photonic vr/ar systems
US10153087B2 (en) 2016-04-04 2018-12-11 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US10566138B2 (en) 2016-04-04 2020-02-18 Capacitor Sciences Incorporated Hein electro-polarizable compound and capacitor thereof
US9978517B2 (en) 2016-04-04 2018-05-22 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US10395841B2 (en) 2016-12-02 2019-08-27 Capacitor Sciences Incorporated Multilayered electrode and film energy storage device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7837902B2 (en) * 2004-04-13 2010-11-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compositions of electrically conductive polymers and non-polymeric fluorinated organic acids
CN101541890A (zh) * 2006-09-26 2009-09-23 克里斯凯德太阳能有限公司 有机化合物、光伏层及有机光伏器件
CN103250216A (zh) * 2010-07-21 2013-08-14 克林伏特能源有限公司 有机和有机金属高介电常数材料在改进的能量存储装置中的应用及相关方法
WO2015003725A1 (en) * 2013-07-09 2015-01-15 Friedrich-Schiller-Universität Jena Electroactive polymers, manufacturing process thereof, electrode and use thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112271081A (zh) * 2015-06-26 2021-01-26 电容器科学股份公司 卷绕式电容器
CN109712822A (zh) * 2018-12-27 2019-05-03 东莞理工学院 基于四对羟基苯基锰卟啉-邻苯二甲酸酯的超级电容器

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018520503A (ja) 2018-07-26
BR112017024842A2 (pt) 2018-08-07
JP6612897B2 (ja) 2019-11-27
MX2017014729A (es) 2018-06-28
KR102073078B1 (ko) 2020-02-04
US9932358B2 (en) 2018-04-03
US20160340368A1 (en) 2016-11-24
US20180222924A1 (en) 2018-08-09
RU2017139761A (ru) 2019-06-21
US20200255453A1 (en) 2020-08-13
IL255681A (en) 2018-01-31
KR20180008510A (ko) 2018-01-24
PH12017502124A1 (en) 2018-05-28
EP3298616A1 (en) 2018-03-28
EP3298616A4 (en) 2018-10-24
CA2986573A1 (en) 2016-11-24
AU2016264757A1 (en) 2017-12-07
WO2016187584A1 (en) 2016-11-24
US10597407B2 (en) 2020-03-24
CN107924762B (zh) 2019-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107924762A (zh) 储能分子材料、结晶电介质层和电容器
Ma et al. Tuning polyaniline nanostructures via end group substitutions and their morphology dependent electrochemical performances
TWI637005B (zh) Ｓｈａｒｐ聚合物及電容器
Zhuang et al. Two‐dimensional soft nanomaterials: a fascinating world of materials
Wang et al. Morphological and dimensional control via hierarchical assembly of doped oligoaniline single crystals
CN106463618B (zh) 电容器及其制造方法
JP2019501870A (ja) 有機化合物、結晶誘電体層およびコンデンサ
TW201806952A (zh) 可電－極化之化合物與電容器
Xu et al. Asymmetric and symmetric dipole− dipole interactions drive distinct aggregation and emission behavior of intramolecular charge-transfer molecules
WO2015129877A1 (ja) 熱電変換材料および熱電変換素子
Islam et al. Self-assembly of a set of hydrophilic–solvophobic–hydrophobic coil–rod–coil molecules based on perylene diimide
Lee et al. Selective sorting of semiconducting single-walled carbon nanotubes using thienylenevinylene-based conjugated polymers with high alkyl side-chain density
Bu et al. Donor–acceptor liquid crystalline conjugated cooligomers for the preparation of films with the ideal morphology for bulk heterojunction solar cells
Xing et al. Control of supramolecular nanoassemblies by tuning the polarities of linkages and solvents
Wang et al. Gelation and self-assembly of glutamate bolaamphiphiles with hybrid linkers: effect of the aromatic ring and alkyl spacers
CN110256456A (zh) 噻吩螺环二醇外消旋体的有机纳米材料及其制备方法和用途
Tian et al. Helical self-assembly and nonlinear optical properties of optically active phthalocyanine derivatives bearing eight optically active diethyleneglycol mono-(S)-2-methylbutyl ether moieties on the β-position of the phthalocyanine ring
Pal et al. Ionic discotic liquid crystals: recent advances and applications
Liu et al. Properties of meso-tetrakis (4-n-alkanoyloxyphenyl) porphyrin liquid crystal Co and Ni complexes
Song et al. Controllable morphology and self-assembly of one-dimensional luminescent crystals based on alkyl-fluoro-substituted dithienophenazines
EP3717485A1 (en) Hein electro-polarizable compound and capacitor thereof
Li Hydrogen Bond-directed Self-assembly of Perylene Bisimide Organogelators
Marangoni et al. H‐Bond‐Based Nanostructuration of Supramolecular Organic Materials

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant