CN104737443B - 具有噪声拆分的放大器 - Google Patents

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Abstract

公开了具有噪声拆分以改善噪声指数的放大器。在示例性设计中，一种装置(例如，无线设备、集成电路等)包括多个放大器电路(550a、550b、550m)和至少一个互连电路(580a、580b)。这些放大器电路(550a、550b、550m)接收输入射频(RF)信号(RFin)。(诸)互连电路(580a、580b)被耦合在多个放大器电路(550a、550b、550m)之间。每个互连电路(580a、580b)被闭合以短接耦合至该互连电路(580a、580b)的两个放大器电路的输出端或内部节点。该多个放大器电路(550a、550b、550m)可包括耦合至多个电流缓冲器(570a、570b、570m)的多个增益电路(560a、560b、560m)，每个放大器电路具有一个增益电路和一个电流缓冲器。

Description

具有噪声拆分的放大器
技术领域
本公开一般涉及电子器件，尤其涉及放大器。
背景技术
无线通信系统中的无线设备(例如，蜂窝电话或智能电话)可以发射和接收数据以用于双向通信。无线设备可包括用于数据传输的发射机以及用于数据接收的接收机。对于数据传输，发射机可以用数据来调制射频(RF)载波信号以获得经调制RF信号，放大经调制RF信号以获得具有恰当输出功率电平的经放大RF信号，并经由天线将该经放大的RF信号发射到基站。对于数据接收，接收机可经由天线获得收到RF信号并且可放大和处理该收到RF信号以恢复由基站发送的数据。
无线设备可支持载波聚集，其是多个载波上的同时操作。载波可指被用于通信的频率范围并且可与某些特性相关联。例如，载波可与描述该载波上的操作的系统信息相关联。载波也可被称为分量载波(CC)、频率信道、蜂窝小区等。期望无线设备高效地支持载波聚集。
发明内容
本公开提供了一种单输入多输出SIMO低噪声放大器LNA，包括：多个放大器电路，被配置成接收输入射频RF信号；以及至少一个互连电路，被配置成短接耦合至至少一个互连电路的多个放大器电路中的至少两个放大器电路，其中多个放大器电路包括第一和第二放大器电路，第一放大器电路包括第一增益晶体管和第一共源共栅晶体管，而第二放大器电路包括第二增益晶体管和第二共源共栅晶体管，以及其中至少一个互连电路包括：第三共源共栅晶体管，其耦合在第一增益晶体管的漏极与第二共源共栅晶体管的漏极之间；以及第四共源共栅晶体管，其耦合在第二增益晶体管的漏极与第一共源共栅晶体管的漏极之间；或者耦合在第一和第二共源共栅晶体管的漏极之间的开关，开关在第一和第二放大器电路两者被启用时被闭合。
本公开还提供一种用于执行信号放大的方法，包括：将输入射频RF信号施加于多个放大器电路；启用多个放大器电路中的至少一个放大器电路以放大输入RF信号并且提供至少一个输出RF信号；以及当多个放大器电路被启用时短接多个放大器电路，其中多个放大器电路包括第一和第二放大器电路，第一放大器电路包括第一增益晶体管和第一共源共栅晶体管，而第二放大器电路包括第二增益晶体管和第二共源共栅晶体管，以及其中短接包括利用耦合在第一增益晶体管的漏极与第二共源共栅晶体管的漏极之间的第三共源共栅晶体管以及耦合在第二增益晶体管的漏极与第一共源共栅晶体管的漏极之间的第四共源共栅晶体管；或者耦合在第一和第二共源共栅晶体管的漏极之间的开关，开关在第一和第二放大器电路两者被启用时被闭合。
本公开还提供了相应的设备。
附图说明
图1示出了无线设备与无线系统通信。
图2A到2D示出了载波聚集(CA)的四个示例。
图3示出了图1中的无线设备的框图。
图4示出了没有噪声拆分的单输入多输出(SIMO)低噪声放大器(LNA)。
图5示出了在电流缓冲器输出端处具有噪声拆分的SIMO LNA。
图6A到7C示出了在电流缓冲器输出端处具有噪声拆分的SIMO LNA的一些示例性设计。
图8示出了在增益电路输出端处具有噪声拆分的SIMO LNA。
图9A到9C示出了在增益电路输出端处具有噪声拆分的SIMO LNA的一些示例性设计。
图10示出了用于执行信号放大的过程。
具体实施方式
以下阐述的详细描述旨在作为本公开的示例性设计的描述，而无意表示可在其中实践本公开的仅有设计。术语“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何设计不必被解释为优于或胜过其他设计。本详细描述包括具体细节以提供对本公开的示例性设计的透彻理解。对于本领域技术人员将明显的是，没有这些具体细节也可实践本文描述的示例性设计。在一些实例中，公知的结构和器件以框图形式示出以免湮没本文中给出的示例性设计的新颖性。
本文公开了具有噪声拆分且具有良好性能和其它期望特性的放大器。这些放大器可包括支持多个所发射信号的同时接收的SIMO LNA。这些放大器可被用于各种类型的电子设备，诸如无线通信设备。
图1示出了无线设备110正与无线通信系统120通信。无线系统120可以是长期演进(LTE)系统、码分多址(CDMA)系统、全球移动通信(GSM)系统、无线局域网(WLAN)系统或其他某个无线系统。CDMA系统可实现宽带CDMA(WCDMA)、CDMA 1X、演进数据最佳化(EVDO)、时分同步CDMA(TD-SCDMA)、或其他某个版本的CDMA。为简明起见，图1示出了无线系统120包括两个基站130和132以及一个系统控制器140。一般而言，无线系统可包括任何数目的基站以及任何网络实体集合。
无线设备110还可以指用户装备(UE)、移动站、终端、接入终端、订户单元、站等。无线设备110可以是蜂窝电话、智能电话、平板设备、无线调制解调器、个人数字助理(PDA)、手持式设备、膝上型计算机、智能本、上网本、无绳电话、无线本地环路(WLL)站、蓝牙设备、等等。无线设备110可与无线系统120通信。无线设备110还可接收来自广播站(例如广播站134)的信号、来自一个或多个全球导航卫星系统(GNSS)中的卫星(例如，卫星150)的信号等。无线设备110可以支持用于无线通信的一种或多种无线电技术，诸如LTE、WCDMA、CDMA1X、EVDO、TD-SCDMA、GSM、802.11等等。
无线设备110可以支持载波聚集，其是多个载波上的操作。载波聚集也可被称为多载波操作。无线设备110可以能够在从698兆赫兹(MHz)到960MHz的低频带、从1475MHz到2170MHz的中频带、和/或从2300MHz到2690MHz以及从3400MHz到3800MHz的高频带中操作。低频带、中频带和高频带指的是三群频带(或频带群)，其中每个频带群包括数个频带(或简称为“带”)。每个频带可以覆盖至多达200MHz并且可以包括一个或多个载波。在LTE中每个载波可以覆盖至多达20MHz。LTE版本11支持35个频带，这些频带被称为LTE/UMTS频带并且在3GPP TS 36.101中列出。在LTE版本11中，无线设备110可以配置成具有在一个或两个频带中的至多达5个载波。
一般而言，载波聚集(CA)可以被分类为两种类型——带内CA和带间CA。带内CA是指同一频带内的多个载波上的操作。带间CA是指不同频带中的多个载波上的操作。
图2A示出了毗连带内CA的示例。在图2A中示出的示例中，无线设备110配置有在低频带中的一个频带中的四个毗连载波。无线设备110可在同一频带内的多个毗连载波上发送和/或接收传输。
图2B示出了非毗连带内CA的示例。在图2B中示出的示例中，无线设备110配置有在低频带中的一个频带中的四个非毗连载波。各载波可分隔5MHz、10MHz或者其他某个量。无线设备110可在同一频带内的多个非毗连载波上发送和/或接收传输。
图2C示出了在同一频带群中的带间CA的示例。在图2C中所示的示例中，无线设备110配置成具有在低频带中的两个频带中的四个载波。无线设备110可在同一频带群中的不同频带中的多个载波上发送和/或接收传输。
图2D示出了不同频带群中的带间CA的示例。在图2D中示出的示例中，无线设备110配置成具有在不同频带群中的两个频带中的四个载波，其包括在低频带中的一个频带中的两个载波以及在中频带中的另一频带中的两个载波。无线设备110可在不同频带群中的不同频带中的多个载波上发送和/或接收传输。
图2A到2D示出了载波聚集的四个示例。对于频带和频带群的其他组合也可支持载波聚集。
图3示出了图1中的无线设备110的示例性设计的框图。在这一示例性设计中，无线设备110包括耦合至主天线310的收发机320、耦合至副天线312的收发机322、以及数据处理器/控制器380。收发机320包括多个(K个)接收机330pa至330pk和多个(K个)发射机350pa至350pk以支持多个频带、多种无线电技术、载波聚集等等。收发机322包括L个接收机330sa到330sl以及L个发射机350sa到350sl以支持多个频带、多种无线电技术、载波聚集、接收分集、从多个发射天线到多个接收天线的多输入多输出(MIMO)传输等等。
在图3示出的示例性设计中，每个接收机330包括接收LNA 340和接收电路342。对于数据接收，天线310接收来自基站和/或其他发射机站的信号并且提供收到RF信号，该收到RF信号被路由通过天线接口电路324并作为输入RF信号呈现给所选接收机。天线接口电路324可包括开关、双工器、发射滤波器、接收滤波器、匹配电路等。以下描述假定接收机330pa是所选接收机。在接收机330pa内，LNA 340pa放大输入RF信号并提供输出RF信号。接收电路342pa将输出RF信号从RF下变频到基带，对经下变频的信号进行放大和滤波，并且将模拟输入信号提供给数据处理器380。接收电路342pa可包括混频器、滤波器、放大器、匹配电路、振荡器、本地振荡器(LO)生成器、锁相环(PLL)等。收发机320和322中的每个其余接收机330可按与接收机330pa类似的方式来操作。
在图3中示出的示例性设计中，每个发射机350包括发射电路352和功率放大器(PA)354。对于数据传输，数据处理器380处理(例如，编码和调制)要传送的数据，并且将模拟输出信号提供给所选发射机。以下描述假定发射机350pa是所选发射机。在发射机350pa内，发射电路352pa对模拟输出信号进行放大、滤波并将其从基带上变频至RF，并且提供经调制的RF信号。发射电路352a可包括放大器、滤波器、混频器、匹配电路、振荡器、LO生成器、PLL等等。PA 354pa接收并且放大经调制RF信号，并且提供具有恰当输出功率电平的发射RF信号。发射RF信号被路由通过天线接口电路324并经由天线310来发射。收发机320和322中的每个其余发射机350可按与发射机350pa类似的方式来操作。
图3示出了接收机330和发射机350的示例性设计。接收机和发射机还可包括图3中未示出的其他电路，诸如滤波器、匹配电路等。收发机320和322的全部或部分可实现在一个或多个模拟集成电路(IC)、RF IC(RFIC)、混合信号IC等上。例如，LNA 340、以及接收电路342可实现在一个模块上，该模块可以是RFIC等等。收发机320和322中的这些电路也可按其他方式来实现。
数据处理器/控制器380可为无线设备110执行各种功能。例如，数据处理器380可对经由接收机330接收到的数据以及经由发射机350传送的数据执行处理。控制器380可以控制收发机320和322中的各种电路的操作。存储器382可存储供数据处理器/控制器380使用的程序代码和数据。数据处理器/控制器380可以实现在一个或多个专用集成电路(ASIC)和/或其他IC上。
无线设备110可包括一个或多个SIMO LNA。SIMO LNA包括单个输入端和多个(M个)输出端并且可以在其输入端处接收单个输入RF信号并且提供来自多达M个输出端的多达M个输出RF信号。SIMO LNA可被用于同时接收(i)在用于带内CA的同一频带中的多个载波上发送的多个传输或者(ii)来自不同的无线系统(例如，LTE和WCDMA)的多个已传送信号。
图4示出了没有噪声拆分的SIMO LNA 440的示例性设计的框图。SIMO LNA 440包括分别耦合至M个负载电路490a到490m的多个(M个)放大器电路450a到450m。所有M个放大器电路450a到450m的输入端耦合在一起。每个放大器电路450包括耦合至电流缓冲器470的增益电路460。每个放大器电路450可通过经由相应的Venb控制信号开启其电流缓冲器470来启用。
An input RF signal(RFin)is applied to the M amplifier circuits 450ato 450m.输入RF信号(RFin)被提供给M个放大器电路450a到450m。一个或多个放大器电路450可通过开启相关联的电流缓冲器470来启用。例如，N个放大器电路450可被启用以并发地接收用于带内CA的同一频带中的N个载波集上的传输，其中1≤N≤M。每个载波集可包括一个或多个载波。每个已启用的放大器电路450可以放大输入RF信号并将输出RF信号提供给其负载电路490。
SIMO LNA 440中的这N个已启用的放大器电路450独立地操作并具有彼此分离的输出端以便提供被处理的不同传输或信号之间的隔离。每个增益电路460输出信号电流is和噪声电流in。每个放大器电路450的噪声指数(NF)取决于来自相关联的增益电路460的信号电流和噪声电流。与仅一个放大器电路450操作相比，放大器电路450通常在同时操作时因输入匹配的降级或不同放大器电路之间的噪声耦合而具有较差的噪声指数。
在本公开的一方面，具有噪声拆分的SIMO LNA可被用于支持多个传输或信号的同时接收。噪声拆分指的是多个输出之间的噪声的“拆分”，以使得每个输出观察到较少的噪声并且可达成更好/更低的噪声指数。
图5示出了在电流缓冲器输出端处具有噪声拆分的SIMO LNA 540的示例性设计的框图。SIMO LNA 540可被用于图3中的一个或多个LNA 340。SIMO LNA 540包括分别耦合至M个负载电路590a到590m的多个(M个)放大器电路550a到550m。每个放大器电路550包括耦合至电流缓冲器570的增益电路560。每个放大器电路550可通过经由相应的Venb控制信号开启其电流缓冲器570来启用。
在图5中示出的示例性设计中，SIMO LNA 540进一步包括耦合在放大器电路550的输出端之间的互连电路580。每个互连电路580可以用开关582(如图5中所示)，或者用其他某个电路来实现。每个开关582可以被(i)断开以隔离耦合至该开关的两个放大器电路550或者(ii)闭合以连接两个放大器电路550的输出端并对来自这些放大器电路的输出电流进行加总。
一般，任何数目个放大器电路550和放大器电路550中的任一个放大器电路可在任何给定时刻被启用。另外，任何数目个开关582和开关582中的任一个开关可在任何给定时刻被闭合。给定的放大器电路550可以由其自身驱动其负载电路590。替换地，多个放大器电路550可使其输出端经由其已闭合开关582耦合在一起并且可以共同驱动它们的负载电路590。使其输出端耦合在一起的放大器电路550的噪声指数可通过噪声拆分来改善。
如果所有开关582被断开，则每个放大器电路550可以仅驱动其负载电路590。由每个放大器电路550提供给其负载电路590的输出电流可被表达为：
im＝is,m+in,m 式(1)
其中is,m是来自第m个放大器电路550的信号电流，
in,m是来自第m个放大器电路550的噪声电流，以及
im是来自第m个放大器电路550的输出电流。
每个负载电路590处的噪声功率可被表达为：
其中Rload(R负载)是每个负载电路590的阻抗，以及
Pnosie,m是在没有噪声拆分的情况下第m个负载电路590处的噪声功率。
如果所有开关582被闭合，则所有M个放大器电路550a到550m的输出端在求和节点X处被短接在一起。在这一情形中，该求和节点处的总电流itotal(i总)可被表达为：
itotal＝(is,1+in,1)+(is,2+in,2)+...+(is,M+in,M)
≈M*is+(in,1+in,2+...+in,M) 式(3)
其中is是来自每个放大器电路550的平均信号电流，以及
itotal是来自所有M个放大器电路550a到550m的总电流。
来自M个放大器电路550a到550m(或者更具体的，来自M个增益电路560a到560m)的信号电流is,1到is,M应该是类似的，因为它们是基于同一输入RF信号生成的，该输入RF信号被施加于所有M个放大器电路550。
因此，总的信号电流可以大约等于M*is。来自M个放大器电路550a到550m的噪声电流in,1到in,M应该是不相关的。因此，总的噪声电流等于来自M个放大器电路550a到550m的噪声电流的总和。
求和节点处的总电流可被拆分并提供给M个负载电路590a到590m。由每个负载电路590接收到的电流可被表达为：
其中iload(i负载)是提供给每个负载电路590的负载电流。
来自M个放大器电路550a到550m的噪声电流应该是不相关的并且可以相长或相消地相加。因此，每个负载电路590处的噪声功率可被表达为：
其中in是来自每个放大器电路570的平均噪声电流，以及
Pnosie(P噪声)是具有噪声拆分的每个负载电路590处的噪声功率。
如式(2)和(5)中所示，噪声拆分可以将每个负载电路590处的噪声功率降低到1/M，M对应于使其输出端短接在一起的放大器电路550的数量。噪声功率的降低是因为来自M个放大器电路550a到550m的噪声电流是不相关的。每个负载电路590处的信号功率可能大约是相同的，无论放大器电路550的输出端是否被短接在一起。具有或没有噪声拆分的恒定信号功率是因为来自M个放大器电路550a到550m的信号电流是类似或高度相关的。每个负载电路590处的噪声指数可以用噪声拆分来改善，因为信号功率大约是相同的，而噪声功率用噪声拆分来降低到1/M。
在电流缓冲器输出端处具有噪声拆分的SIMO LNA 540可以用各种电路架构来实现。SIMO LNA 540的一些示例性设计在以下描述。SIMO LNA540也可以用各种类型的晶体管来实现。以下描述了用N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管来实现的SIMO LNA 540的一些示例性设计。
图6A示出了具有分立的电感衰退和在电流缓冲器输出端处的噪声拆分的SIMOLNA 640a的示例性设计的示意图。SIMO LNA 640a是图5中的SIMO LNA 540的一个示例性设计。SIMO LNA 640a包括两个放大器电路650a和650b和开关682a。每个放大器电路650包括增益电路660和电流缓冲器670。SIMO LNA 640a接收输入RF信号，输入RF信号被提供给放大器电路650a和650b两者。输入RF信号可包括一个或两个载波集上的传输以供载波聚集，其中每一载波集包括一个或多个载波。替换地，输入RF信号可包括要被同时接收的两个已传送信号(例如，来自两个无线系统)。
在图6A中示出的示例性设计中，每个增益电路660包括增益晶体管664和源极衰退电感器666。在增益电路660a内，增益晶体管664a的栅极接收输入RF信号，其源极耦合至电感器666a的一端，而其漏极形成增益电路660a的输出端。电感器666a的另一端耦合至电路接地。在图6A中示出的示例性设计中，每个电流缓冲器670包括共源共栅晶体管674。在电流缓冲器670a内，共源共栅晶体管674a的源极形成电流缓冲器670a的输入端并被耦合至增益晶体管664a的漏极，其栅极接收Venb1控制信号，而其漏极形成电流缓冲器670a的输出端并被耦合至负载电路690a。放大器电路650b包括增益晶体管664b、源极衰退电感器666b、和共源共栅晶体管674b，它们按与放大器电路650a中的增益晶体管664a、电感器666a、和共源共栅晶体管674a类似的方式来耦合。增益晶体管664和共源共栅晶体管674可以如图6A中所示用NMOS晶体管来实现，或可以用其他类型的晶体管来实现。
在图6A中示出的示例性设计中，开关682a包括NMOS晶体管684a、684b和686。
NMOS晶体管684a的漏极耦合至节点A，其栅极接收Sw控制信号，并且其源极耦合至共源共栅晶体管674a的漏极，共源共栅晶体管674a的漏极是电流缓冲器670a的输出端。NMOS晶体管684b的漏极耦合至节点A，其栅极接收Sw控制信号，并且其源极耦合至共源共栅晶体管674b的漏极，共源共栅晶体管674b的漏极是电流缓冲器670b的输出端。NMOS晶体管686的漏极耦合至节点A，其栅极接收控制信号，并且其源极耦合至电路接地。信号与Sw信号互补。开关682a在其被闭合时不需要具有低电阻。特别是，开关682a的导通电阻与负载电路690的阻抗相比应该是较低的。开关682a可通过以下操作来闭合：(i)用Sw信号上的高电压来导通NMOS晶体管684a和684b以及(ii)用信号上的低电压来截止NMOS晶体管686。相反，开关682a可通过以下操作来断开：(i)用Sw信号上的低电压来截止NMOS晶体管684a和684b以及(ii)用信号上的高电压来导通NMOS晶体管686。
放大器电路650a和650b也可按其他方式来实现。在另一示例性设计中，放大器电路可包括其源极直接耦合至电路接地(而非源极衰退电感器)的增益晶体管。在又一示例性设计中，放大器电路可包括并联耦合且其栅极接收输入RF信号的两个增益晶体管。第一增益晶体管的源极可耦合至源极衰退电感器，如图6A中所示。第二增益晶体管的源极可直接耦合至电路接地。第一或第二增益晶体管中的任一者可取决于输入RF信号的收到功率被选择。
在图6A中所示的示例性设计中，每个负载电路690包括变压器692，变压器692包括初级线圈694和次级线圈696。线圈也可被称为电感器线圈、绕组、导体，等等。在负载电路690a内，变压器692a包括(i)耦合在放大器电路650a的输出端与电源(VDD)之间的初级线圈694a，以及(ii)向第一下变频器(图6A中未示出)提供第一差分经放大RF信号的次级线圈696a。负载电路690b包括变压器692b，该变压器692b具有：(i)耦合在放大器电路650b的输出端与VDD电源之间的初级线圈694b，以及(ii)向第二下变频器(图6A中未示出)提供第二差分经放大RF信号的次级线圈696b。每个下变频器可包括两个混频器以执行经放大RF信号从RF到基带或中频的正交下变频。
负载电路690也可按其他方式来实现。在另一示例性设计中，负载电路可包括耦合在放大器电路的输出端与VDD电源之间的电感器以及可能的电容器。在又一示例性设计中，负载电路可包括其源极耦合至VDD电源并且其漏极耦合至共源共栅晶体管674的漏极的P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。PMOS晶体管可为共源共栅晶体管674提供有源负载。
出于简洁起见，图6A示出了SIMO LNA 640a包括耦合至两个负载电路690a和690b的两个放大器电路650a和650b。SIMO LNA 640a可包括耦合至两个以上负载电路690的两个以上放大器电路650。
SIMO LNA 640a可按单输出模式或多输出模式来操作。在单输出模式中，SIMO LNA640a接收输入RF信号并向一个负载电路690提供一个输出RF信号。单输出模式可被用于接收(i)没有载波聚集的一个载波上的传输，或(ii)用于带间CA的不同频带中的多个载波集上的传输之中的一个载波集上的传输，或(iii)来自一个无线系统的已传送信号。在多输出模式中，SIMO LNA 640a接收输入RF信号并向两个负载电路690提供两个输出RF信号。多输出模式可被用于接收(i)用于带内CA的两个载波集上的传输或(ii)来自两个无线系统的两个已传送信号。
图6B示出了SIMO LNA 640a在具有已启用的RFout1(RF输出1)的单输出模式中的操作。在这一情形中，共源共栅晶体管674a被导通而共源共栅晶体管674b被截止。此外，开关682a通过截止晶体管684a和684b并导通晶体管686来断开。放大器电路650a放大输入RF信号并提供第一输出RF信号(RFout1)。放大器电路650a经由已断开的开关682a与放大器电路650b隔离。
图6C示出了SIMO LNA 640a在具有已启用的RFout2(RF输出2)的单输出模式中的操作。在这一情形中，共源共栅晶体管674b被导通，共源共栅晶体管674a被截止，而开关682a被断开。放大器电路650b放大输入RF信号并提供第二输出RF信号(RFout2)。放大器电路650b经由已断开的开关682a与放大器电路650a隔离。
图6D示出了SIMO LNA 640a在多输出模式中的操作。在这一情形中，共源共栅晶体管674a和674b两者都被导通。此外，开关682a通过导通晶体管684a和684b并截止晶体管686来闭合。放大器电路650a和650b放大输入RF信号，并且其输出电流被加总。总电流的大约一半作为RFout1信号被提供。其余的电流作为RFout2信号被提供。
图7A示出了具有分立的电感衰退和在电流缓冲器输出端处的噪声拆分的SIMOLNA 640b的示例性设计的示意图。SIMO LNA 640b是图5中的SIMO LNA 540的另一示例性设计。SIMO LNA 640b包括两个放大器电路650a和650b和开关682b。每个放大器电路650包括(i)包括增益晶体管664和源极衰退电感器666的增益电路660和(ii)包括共源共栅晶体管674的电流缓冲器670。开关682b包括NMOS晶体管688，NMOS晶体管688的源极耦合至放大器电路650a的输出端，其栅极接收Sw控制信号，并且其漏极耦合至放大器电路650b的输出端。MOS晶体管(例如，NMOS晶体管688)可用对称结构来实现，并且MOS晶体管的源极和漏极可以是可互换的。SIMO LNA 640b可按单输出模式或多输出模式来操作，如以上针对图6B到6D所述的。
图6A和7A示出了可被用于短接两个放大器电路的输出端的开关的两种示例性设计。开关还可以按其他方式来实现。在另一示例性设计中，电容器和/或电阻器可与一个或多个MOS晶体管串联耦合，并且该串联组合可耦合在两个放大器电路的输出端之间。电容器和/或电阻器可以用噪声指数的折衷来改善隔离。
图7B示出了具有共享的电感衰退和在电流缓冲器输出端处的噪声拆分的SIMOLNA 640c的示例性设计的示意图。SIMO LNA 640c是图5中的SIMO LNA 540的又一示例性设计。SIMO LNA 640c包括两个放大器电路652a和652b和开关682a。每个放大器电路652包括(i)包括增益晶体管664的增益电路662和(ii)包括共源共栅晶体管674的电流缓冲器670。增益电路662a和662b中的增益晶体管664a和664b共享源极衰退电感器666，该源极衰退电感器666使其一端耦合至增益晶体管664a和664b的源极，并且另一端耦合至电路接地。SIMOLNA 640c可按单输出模式或多输出模式来操作，如以上针对图6B到6D所述的。
图7C示出了在电流缓冲器输出端处具有噪声拆分以及具有基于变压器的信号拆分的负载电路691的SIMO LNA 640c的示例性设计的示意图。SIMO LNA 640c包括共享源极衰退电感器666以及开关682a的两个放大器电路652a和652b，它们如图7B中所述的那样耦合。负载电路691耦合至放大器电路652a和652b。在图7C中示出的示例性设计中，负载电路691包括变压器，该变压器具有初级线圈693和两个次级线圈695a和695b。初级线圈693的一端耦合至放大器电路652a的输出端，另一端耦合至放大器电路652b的输出端，并且中心抽头耦合至VDD电源。次级线圈695a和695b被磁耦合至初级线圈693。次级线圈695a向第一下变频器提供第一差分经放大RF信号。次级线圈695b向第二下变频器提供第二差分经放大RF信号。在一示例性设计中，次级线圈695a和695b可以关于彼此对称。
图8示出了在增益电路输出端处具有噪声拆分的SIMO LNA 840的示例性设计的框图。MIMO LNA 840可被用于图3中的一个或多个LNA 340。SIMO LNA 840包括分别耦合至M个负载电路890a到890m的多个(M个)放大器电路850a到850m。每个放大器电路850包括耦合至电流缓冲器870的增益电路860。每个放大器电路850可通过经由相应的Venb控制信号开启其电流缓冲器870来启用。
在图8中示出的示例性设计中，SIMO LNA 840进一步包括耦合在增益电路860的输出端之间的互连电路880。互连电路880允许来自所有已启用的增益电路860的输出电流被加总在一起。来自所有已启用的增益电路860的总电流可随后在所有已启用的放大器电路850的电流缓冲器870之间被拆分。如以下所描述的，可以按各种方式来实现互连电路880。
在增益电路输出端处具有噪声拆分的SIMO LNA 840可以用各种电路架构和各种类型的晶体管来实现。在以下描述用NMOS晶体管实现的SIMO LNA 840的一些示例性设计。
图9A示出了具有分立的电感衰退和在增益电路输出端处的噪声拆分的SIMO LNA940a的示例性设计的示意图。SIMO LNA 940a是图8中的SIMO LNA 840的一种示例性设计。SIMO LNA 940a包括两个放大器电路950a和950b和互连电路980a，互连电路980a用AC耦合电容器982来实现。每个放大器电路950包括(i)包括增益晶体管9640和源极衰退电感器966的增益电路960和(ii)包括共源共栅晶体管974的电流缓冲器970。电容器982耦合在增益电路960a与960b的输出端之间并且用于电短接增益电路960a和960b的输出端。因为电流缓冲器970a和970b能提供隔离，所以增益电路960的输出端可在不需要使用开关的情况下经由电容器982被有效地短接在一起。SIMO LNA 940a接收输入RF信号，输入RF信号被施加给放大器电路950a和950b两者。放大器电路950a和950b分别提供两个输出RF信号RFout1和RFout2。
图9A示出了其中用电容器982来实现互连电路980a的示例性设计。电容器982应该足够大以使得其阻抗与共源共栅晶体管974的跨导(或1/gm)相比较小。互连电路还可用其他电路以其它方式来实现。
SIMO LNA 940a可按单输出模式或多输出模式来操作。在单输出模式中，SIMO LNA940a接收输入RF信号并提供一个输出RF信号，该输出RF信号可以是RFout1或RFout2。在多输出模式中，SIMO LNA 940a接收输入RF信号并提供两个输出RF信号RFout1和RFout2。
图9B示出了具有共享的电感衰退和在增益电路输出端处的噪声拆分的SIMO LNA940b的示例性设计的示意图。SIMO LNA 940b是图8中的SIMO LNA 840的另一示例性设计。SIMO LNA 940b包括两个放大器电路952a和952b和互连电路980a。每个放大器电路952包括(i)包括增益晶体管964的增益电路962和(ii)包括共源共栅晶体管974的电流缓冲器970。增益电路962a和962b中的增益晶体管964a和964b共享源极衰退电感器966，该源极衰退晶体管966使其一端耦合至增益晶体管964a和964b的源极，并且另一端耦合至电路接地。SIMOLNA 940b可按单输出模式或多输出模式来操作。
图9C示出了具有共享的电感衰退和在增益电路输出端处的噪声拆分的SIMO LNA940c的示例性设计的示意图。SIMO LNA 940c是图8中的SIMO LNA 840的又一示例性设计。SIMO LNA 940c包括两个放大器电路952a和952b、源极衰退电感器966、和互连电路980b。互连电路980b包括两个交叉耦合的共源共栅晶体管984a和984b。共源共栅晶体管984a的源极耦合至增益晶体管964a的漏极，其栅极接收Venb12控制信号，并且其漏极耦合至放大器电路952b的输出端。共源共栅晶体管984b的源极耦合至增益晶体管964b的漏极，其栅极接收Venb21控制信号，并且其漏极耦合至放大器电路952a的输出端。
SIMO LNA 940c可按单输出模式或多输出模式来操作。在具有已启用的RFout1的单输出模式中，放大器电路952a可被启用，放大器电路952b可被禁用，NMOS晶体管984a和984b可被截止，并且放大器电路952a可以提供RFout1信号。替换地，放大器电路952a可被启用，增益晶体管964b和共源共栅晶体管984b可被启用，共源共栅晶体管974b和984a可被禁用，并且放大器电路952a可以提供RFout1信号。
在具有已启用的RFout2的单输出模式中，放大器电路952b可被启用，放大器电路952a可被禁用，NMOS晶体管984a和984b可被截止，并且放大器电路952b可以提供RFout2信号。替换地，放大器电路952b可被启用，增益晶体管964a和共源共栅晶体管984a可被启用，共源共栅晶体管974a和984b可被禁用，并且放大器电路952b可以提供RFout2信号。
在多输出模式中，放大器电路952a和952b两者可被启用，NMOS晶体管984a和984b可被启用，并且放大器电路952a和952b可以分别提供RFout1和RFout2信号。在多输出模式中，增益电路962a可以向共源共栅晶体管974a提供其输出电流的一半，并且向共源共栅晶体管984a提供其输出电流的另一半。类似地，增益电路962b可以向共源共栅晶体管974b提供其输出电流的一半，并且向共源共栅晶体管984b提供其输出电流的另一半。来自共源共栅晶体管974a和984b的电流可在放大器电路952a的输出端处被加总。来自共源共栅晶体管974b和984a的电流可在放大器电路952b的输出端处被加总。共源共栅晶体管984a和984b有效地将增益晶体管964a和964b的漏极短接在一起，同时防止对增益晶体管964a和964b的低阻抗。放大器电路952a和952b的噪声指数可藉由通过在多输出模式中导通共源共栅晶体管984a和984b并拆分增益晶体管964a和964b的输出电流获得的噪声拆分来改善。
图9A和9C示出了增益电路960之间的互连电路980的两种示例性设计。增益电路之间的互连电路还可按其他方式来实现。在另一示例性设计中，互连电路可用NMOS晶体管来实现，该NMOS晶体管可如图7A中针对NMOS晶体管688所示的那样被耦合。在又一示例性设计中，互连电路可用两个串联NMOS晶体管和分路NMOS晶体管来实现，这两个串联NMOS晶体管和分路NMOS晶体管可如图6A中针对串联NMOS晶体管684a和684b以及分路NMOS晶体管686所示的那样被耦合。互连电路可按各种方式来实现并且应该具有向互连电路看进去的低阻抗。
图6A到9C示出了包括增益晶体管和共源共栅晶体管的LNA的若干示例性设计。在另一示例性设计中，LNA可包括以类似于反相器的方式耦合的NMOS晶体管和P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。在又一示例性设计中，LNA可包括差分对。LNA还可以按其他方式来实现。
本文中描述的具有噪声拆分的SIMO LNA可被用于各种应用。SIMO LNA可被用于接收多个载波(例如，同一频带中)上的传输以供载波聚集。SIMO LNA还可被用于从多个无线系统(例如，LTE和GSM、EVDO和CDMA1X、WLAN和蓝牙等)并发地接收已传送信号(例如，同一频带中)。SIMO LNA还可被用于并发地接收针对不同服务(例如，语音和数据)的传输。SIMOLNA可以在单输出模式中提供单个输出RF信号或在多输出模式中提供多个输出RF信号。
具有本文描述的噪声拆分的SIMO LNA可以提供各种优点。首先，这些SIMO LNA可具有因噪声拆分引起的更好的噪声指数而不牺牲其它性能度量(诸如线性度)。其次，SIMOLNA可以用极少的附加管芯面积来实现并且没有增加电流消耗。第三，噪声拆分可被应用于具有共享同一输入RF信号的两个或更多个放大器电路的任何电路。
在一示例性设计中，一装置(例如，无线设备、IC、电路模块等)可包括多个放大器电路和至少一个互连电路。多个放大器电路(例如，图5中的放大器电路550a到550m或图8中的放大器电路850a到850m)可使其输入端耦合在一起并且可接收输入RF信号。至少一个互连电路(例如，图5中的互连电路580或图8中的互连电路880)可以短接耦合至该至少一个互连电路的多个放大器电路中的至少两个放大器电路。每个互连电路可被闭合以短接耦合至该互连电路的两个放大器电路的输出端或内部节点。
在示例性设计中，该多个放大器电路可包括多个增益电路(例如，图5中的增益电路560或图8中的增益电路860)和多个电流缓冲器(例如，图5中的电流缓冲器570或图7中的电流缓冲器870)。每个放大器电路可包括耦合至一个电流缓冲器的一个增益电路。在示例性设计中，每个增益电路可以包括在该增益电路被启用时接收输入RF信号并提供经放大信号的增益晶体管。在示例性设计中，每个电流缓冲器可包括在该电流缓冲器被启用时从相关联的增益电路接收经放大信号并提供输出RF信号的共源共栅晶体管。
在示例性设计中，该多个放大器电路中的一个放大器电路可以在这一个放大器电路被启用时放大输入RF信号并提供一个输出RF信号。其余的放大器电路可被禁用。在示例性设计中，该多个放大器电路可被启用以放大输入RF信号并且提供多个输出RF信号。每个放大器电路可以在该多个放大器电路被启用时提供包括来自多个增益电路中的每个增益电路的电流的一部分的输出电流。
在示例性设计中，电流缓冲器输出端处的噪声拆分可例如如图5中所示地实现。该至少一个互连电路可包括耦合在多个放大器电路的输出端之间的至少一个开关(例如，图5中的开关582)。每个开关可被闭合以短接耦合至该开关的两个放大器电路的输出端。该至少一个互连电路或开关可以在多个放大器电路被启用时短接该多个放大器电路的输出端。
在另一示例性设计中，增益电路输出端处的噪声拆分可例如如图8中所示地实现。在示例性设计中，该至少一个互连电路可包括耦合在多个增益电路的输出端之间的至少一个电容器(例如，图9A中的电容器982)。每个电容器可以短接耦合至该电容器的两个增益电路的输出端。该至少一个互连电路可以在多个放大器电路被启用时短接多个增益电路的输出端。在另一示例性设计中，该至少一个互连电路可包括耦合在多个增益电路与多个电流缓冲器之间的多个共源共栅晶体管(例如，图9C中的共源共栅晶体管984)。每个共源共栅晶体管可被耦合在一个放大器电路中的增益电路与另一放大器电路中的电流缓冲器之间。多个共源共栅晶体管可在多个放大器电路被启用时被导通。
在示例性设计中，该多个放大器电路可包括第一和第二放大器电路。第一放大器电路(例如，图6A中的放大器电路650a)可包括第一增益晶体管(例如，增益晶体管664a)和第一共源共栅晶体管(例如，共源共栅晶体管674a)。第二放大器电路(例如，放大器电路650b)可包括第二增益晶体管(例如，增益晶体管664a)和第二共源共栅晶体管(例如，共源共栅晶体管674a)。在示例性设计中，分立的源极衰退电感器可被用于每个增益电路。第一放大器电路可包括耦合在第一增益晶体管的源极与电路接地之间的第一电感器(例如，电感器666a)。第二放大器电路可包括耦合在第二增益晶体管的源极与电路接地之间的第二电感器(例如，电感器666b)。在另一示例性设计中，共享的源极衰退电感器(例如，图7B中的电感器666)可被用于第一和第二增益晶体管并且可被耦合在这些增益晶体管的源极与电路接地之间。
在示例性设计中，该至少一个互连电路可包括耦合在第一和第二共源共栅晶体管的漏极之间的开关(例如，图6A中的开关682a或图7A中的开关682b)。该开关可仅在第一或第二放大器电路被启用时被断开并且在第一和第二放大器电路两者被启用时被闭合。在示例性设计中，该开关可包括第一、第二和第三晶体管。第一晶体管(例如，图6A中的NMOS晶体管684a)可被耦合在第一共源共栅晶体管的漏极与中间节点之间。第二晶体管(例如，图6A中的NMOS晶体管684b)可被耦合在中间节点与第二共源共栅晶体管的漏极之间。第三晶体管(例如NMOS晶体管686)可以被耦合在中间节点与电路接地之间。在另一示例性设计中，该开关可包括耦合在第一和第二共源共栅晶体管的漏极之间的晶体管(例如，图7A中的NMOS晶体管688)。该开关还可以按其他方式来实现。
在另一示例性设计中，该至少一个互连电路可包括耦合在第一和第二增益晶体管的漏极之间的电容器(例如，图9A中的电容器982)。当第一放大器电路被启用时，第一共源共栅晶体管可被导通而第二共源共栅晶体管可被截止。当第二放大器电路被启用时，第二共源共栅晶体管可被导通而第一共源共栅晶体管可被截止。当第一和第二放大器电路被启用时，第一和第二共源共栅晶体管两者可被导通。
在又一示例性设计中，该至少一个互连电路可以包括第三和第四共源共栅晶体管。第三共源共栅晶体管(例如，图9C中的共源共栅晶体管984a)可被耦合在第一增益晶体管的漏极与第二共源共栅晶体管的漏极之间。第四共源共栅晶体管(例如，共源共栅晶体管984b)可被耦合在第二增益晶体管的漏极与第一共源共栅晶体管的漏极之间。当第一和第二放大器电路两者被启用时，第三和第四共源共栅晶体管可被导通。当第一放大器电路被启用时，仅第一共源共栅晶体管可被导通，或者第一和第四共源共栅晶体管两者可被导通。当第二放大器电路被启用时，仅第二共源共栅晶体管可被导通，或者第二和第三共源共栅晶体管两者可被导通。
该装置可包括分别耦合至第一和第二放大器电路的第一和第二负载电路。在示例性设计中，第一负载电路(例如，图6A中的负载电路690a)可包括耦合至第一放大器电路的第一变压器(例如，变压器692a)。第二负载电路(例如，负载电路690b)可包括耦合至第二放大器电路的第二变压器(例如，变压器692b)。第一和第二负载电路也可按其他方式来实现。
图10示出了用于执行信号放大的过程1000的示例性设计。过程1000可由无线设备执行或由某个其他实体来执行。输入RF信号可被施加于多个放大器电路，该多个放大器电路可使其输入端耦合在一起(框1012)。该多个放大器电路中的至少一个放大器电路可被启用以放大输入RF信号并且提供至少一个输出RF信号(框1014)。该多个放大器电路可在该多个放大器电路被启用时经由至少一个互连电路被短接以便执行噪声拆分和改善噪声指数(框1016)。每个互连电路可以短接耦合至该互连电路的两个放大器电路的输出端或内部节点。
在框1014的示例性设计中，输入RF信号可以用该多个放大器电路中的多个增益电路来放大。该多个放大器电路可以提供输出电流。来自每个放大器电路的输出电流可包括来自多个增益电路中的每个增益电路的电流的一部分。
本文描述的具有噪声拆分的放大器(例如，SIMO LNA)可实现在IC、模拟IC、RFIC、混合信号IC、ASIC、印刷电路板(PCB)、电子设备等上。具有噪声拆分的这些放大器还可用各种IC工艺技术来制造，诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)、NMOS、PMOS、双极结型晶体管(BJT)、双极CMOS(BiCMOS)、硅锗(SiGe)、砷化镓(GaAs)、异质结双极型晶体管(HBT)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、绝缘体上硅(SOI)等。
实现本文描述的具有噪声拆分的放大器的装置可以是独立设备或者可以是较大设备的一部分。设备可以是(i)自立的IC，(ii)具有一个或多个IC的集合，其可包括用于存储数据和/或指令的存储器IC，(iii)RFIC，诸如RF接收机(RFR)或RF发射机/接收机(RTR)，(iv)ASIC，诸如移动站调制解调器(MSM)，(v)可嵌入在其他设备内的模块，(vi)接收机、蜂窝电话、无线设备、手持机、或者移动单元，(vii)其他等等。
在一个或多个示例性设计中，所描述的功能可以在硬件、软件、固件、或其任何组合中实现。如果在软件中实现，则各功能可以作为一条或多条指令或代码存储在计算机可读介质上或藉其进行传送。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质两者，包括促成计算机程序从一地向另一地转移的任何介质。存储介质可以是能被计算机访问的任何可用介质。作为示例而非限定，这样的计算机可读介质可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储、磁盘存储或其它磁存储设备、或能被用来携带或存储指令或数据结构形式的期望程序代码且能被计算机访问的任何其它介质。任何连接也被正当地称为计算机可读介质。例如，如果软件是使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术从web网站、服务器、或其它远程源传送而来，则该同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术就被包括在介质的定义之中。如本文中所使用的盘(disk)和碟(disc)包括压缩碟(CD)、激光碟、光碟、数字多用碟(DVD)、软盘和蓝光碟，其中盘(disk)往往以磁的方式再现数据，而碟(disc)用激光以光学方式再现数据。上述的组合也应被包括在计算机可读介质的范围内。
提供对本公开的先前描述是为使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对于本领域技术人员将是显而易见的，并且本文中定义的普适原理可被应用于其他变形而不会脱离本公开的范围。由此，本公开并非旨在被限定于本文中所描述的示例和设计，而是应被授予与本文中所公开的原理和新颖性特征相一致的最广范围。

Claims (19)

1.一种单输入多输出低噪声放大器，包括：
多个放大器电路，被配置成接收输入射频RF信号；以及
至少一个互连电路，被配置成短接耦合至所述至少一个互连电路的所述多个放大器电路中的至少两个放大器电路，
其中所述多个放大器电路包括第一和第二放大器电路，所述第一放大器电路包括第一增益晶体管和第一共源共栅晶体管，而所述第二放大器电路包括第二增益晶体管和第二共源共栅晶体管，以及
其中所述至少一个互连电路包括：
第三共源共栅晶体管，其耦合在所述第一增益晶体管的漏极与所述第二共源共栅晶体管的漏极之间；以及
第四共源共栅晶体管，其耦合在所述第二增益晶体管的漏极与所述第一共源共栅晶体管的漏极之间；或者
耦合在所述第一和第二共源共栅晶体管的漏极之间的开关，所述开关在所述第一和第二放大器电路两者被启用时被闭合。
2.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述多个放大器电路包括多个增益电路和多个电流缓冲器，每个放大器电路具有一个增益电路和一个电流缓冲器。
3.如权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，每个放大器电路被配置成提供输出电流，所述输出电流包括在所述多个放大器电路被启用以放大所述输入RF信号并提供多个输出RF信号时来自所述多个增益电路中的每个增益电路的电流的一部分。
4.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个互连电路被配置成在所述多个放大器电路被启用时短接所述多个放大器电路的输出端。
5.如权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个互连电路被配置成在所述多个放大器电路被启用时短接所述多个增益电路的输出端。
6.如权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个互连电路包括：
耦合在所述多个增益电路与所述多个电流缓冲器之间的多个共源共栅晶体管，每个共源共栅晶体管被耦合在一个放大器电路中的增益电路与另一放大器电路中的电流缓冲器之间，所述多个共源共栅晶体管在所述多个放大器电路被启用时被导通。
7.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述多个放大器电路中的一个放大器电路被配置成在所述一个放大器电路被启用并且所述多个放大器电路中的其余各个放大器电路被禁用时放大所述输入RF信号并提供输出RF信号。
8.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述开关仅在所述第一或第二放大器电路被启用时被断开。
9.如权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，所述开关包括：
第一晶体管，其耦合在所述第一共源共栅晶体管的漏极与中间节点之间；
第二晶体管，其耦合在所述中间节点与所述第二共源共栅晶体管的漏极之间；以及
第三晶体管，其耦合在所述中间节点与电路接地之间。
10.如权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，所述开关包括：
晶体管，其耦合在所述第一和第二共源共栅晶体管的漏极之间。
11.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个互连电路包括耦合在所述第一和第二增益晶体管的漏极之间的电容器，当所述第一放大器电路被启用时所述第一共源共栅晶体管被导通并且所述第二共源共栅晶体管被截止，当所述第二放大器电路被启用时所述第二共源共栅晶体管被导通并且所述第一共源共栅晶体管被截止，并且当所述第一和第二放大器电路被启用时所述第一和第二共源共栅晶体管两者被导通。
12.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第三和第四共源共栅晶体管在所述第一和第二放大器电路两者被启用时被导通。
13.如权利要求12所述的低噪声放大器，其特征在于，当所述第一放大器电路被启用时，仅所述第一共源共栅晶体管被导通，或者所述第一和第四共源共栅晶体管两者被导通。
14.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，进一步包括：
电感器，其耦合在所述第一和第二增益晶体管的源极与电路接地之间。
15.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，进一步包括：
第一负载电路，包括耦合至所述第一放大器电路的第一变压器；以及
第二负载电路，包括耦合至所述第二放大器电路的第二变压器。
16.一种用于执行信号放大的方法，包括：
将输入射频RF信号施加于多个放大器电路；
启用所述多个放大器电路中的至少一个放大器电路以放大所述输入RF信号并且提供至少一个输出RF信号；以及
当所述多个放大器电路被启用时短接所述多个放大器电路，
其中所述多个放大器电路包括第一和第二放大器电路，所述第一放大器电路包括第一增益晶体管和第一共源共栅晶体管，而所述第二放大器电路包括第二增益晶体管和第二共源共栅晶体管，以及
其中所述短接包括利用
耦合在所述第一增益晶体管的漏极与所述第二共源共栅晶体管的漏极之间的第三共源共栅晶体管以及耦合在所述第二增益晶体管的漏极与所述第一共源共栅晶体管的漏极之间的第四共源共栅晶体管；或者
耦合在所述第一和第二共源共栅晶体管的漏极之间的开关，所述开关在所述第一和第二放大器电路两者被启用时被闭合。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括：
用所述多个放大器电路中的多个增益电路来放大所述输入RF信号；以及
提供来自所述多个放大器电路的输出电流，来自每个放大器电路的输出电流包括来自所述多个增益电路中的每个增益电路的电流的一部分。
18.一种单输入多输出低噪声放大器，包括：
多个放大装置，被配置成接收输入射频RF信号；以及
至少一个互连装置，被配置成短接耦合至所述至少一个互连装置的所述多个放大装置中的至少两个放大装置，
其中所述多个放大装置包括第一和第二放大装置，所述第一放大装置包括第一增益装置和第一共源共栅装置，而所述第二放大装置包括第二增益装置和第二共源共栅装置，以及
其中所述至少一个互连装置包括：
第三共源共栅装置，其耦合在所述第一增益装置的漏极与所述第二共源共栅装置的漏极之间；以及
第四共源共栅装置，其耦合在所述第二增益装置的漏极与所述第一共源共栅装置的漏极之间；或者
耦合在所述第一和第二共源共栅装置的漏极之间的开关装置，所述开关装置在所述第一和第二放大装置两者被启用时被闭合。
19.如权利要求18所述的低噪声放大器，其特征在于，所述多个放大装置包括：
多个增益装置，被配置成放大所述输入RF信号；以及
耦合至所述多个增益装置的多个缓冲器装置，每个放大装置被配置成提供输出电流，所述输出电流包括在所述多个放大装置被启用时来自所述多个增益装置中的每个增益装置的电流的一部分。
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