CN104782053B - 可扩展收发机和接收机 - Google Patents

Abstract

公开了支持在多个频带和多个载波上操作的可扩展收发机和接收机。在一示例性设计中，一种装置(例如，无线设备、集成电路(IC)芯片、或电路模块)包括低噪声放大器(LNA)和接口电路。LNA驻留在IC芯片上且包括第一/片上输出端和第二/片下输出端。接口电路也驻留在IC芯片上，耦合到LNA的第二输出端，且在IC芯片的外部提供经放大RF信号。该装置还可包括缓冲器、负载电路、以及下变频器电路。缓冲器驻留在IC芯片上，耦合到LNA的第一输出端，且接收来自IC芯片的外部的第二经放大RF信号。负载电路耦合到LNA的第一输出端。下变频器电路耦合到负载电路。

Description

可扩展收发机和接收机

背景技术

领域

本公开一般涉及电子器件，尤其涉及接收机和发射机。

背景

无线通信系统中的无线设备(例如，蜂窝电话或智能电话)可以发射和接收数据以用于双向通信。无线设备可包括用于数据传输的发射机以及用于数据接收的接收机。对于数据传送，发射机可以用数据来调制射频(RF)载波信号以获得经调制RF信号，放大经调制RF信号以获得具有恰当输出功率电平的发射RF信号，并经由天线将该发射RF信号传送到基站。对于数据接收，接收机可经由天线获得收到RF信号并且可放大和处理该收到RF信号以恢复由基站发送的数据。

无线设备可以支持多个频带上和/或多种无线电技术的通信。无线设备还可支持载波聚集，其是多个载波上的同时操作。载波可指被用于通信的频率范围并且可与某些特性相关联。例如，载波可与描述该载波上的操作的系统和/或控制信息相关联。载波也可被称为分量载波(CC)、频率信道、蜂窝小区等。无线设备高效地支持通信是合乎需要的。

附图简述

图1示出了无线设备与无线系统通信。

图2A到2D示出了载波聚集(CA)的四个示例。

图3示出了图1中的无线设备的框图。

图4示出了在集成电路(IC)芯片上实现的可扩展收发机。

图5示出了在两个IC芯片上实现的可扩展收发机。

图6A和6B示出了图5中的收发机的两种操作模式。

图7示出了在两个IC芯片上实现的可扩展收发机。

图8示出了在三个IC芯片上实现的可扩展收发机和接收机。

图9A和9B示出了LNA和缓冲器的两种示例性设计。

图10示出了具有多频带接口的可扩展收发机。

图11A到11C示出了在两个IC芯片上实现的具有多频带接口的两个可扩展收发机的三种操作模式。

图12示出了具有共享多频带接口的可扩展收发机。

图13示出用于执行RF接收的过程。

详细描述

以下阐述的详细描述旨在作为本公开的示例性设计的描述，而无意表示可在其中实践本公开的仅有设计。术语“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何设计不必被解释为优于或胜过其他设计。本详细描述包括具体细节以提供对本公开的示例性设计的透彻理解。对于本领域技术人员将明显的是，没有这些具体细节也可实践本文描述的示例性设计。在一些实例中，公知的结构和器件以框图形式示出以免湮没本文中给出的示例性设计的新颖性。

本文公开了可灵活地支持在多个频带、多个载波、多种无线电技术、和/或多个天线上操作的可扩展收发机和接收机。该可扩展收发机和接收机可被用于各种类型的电子设备，诸如无线通信设备。

图1示出了无线设备110正与无线通信系统120通信。无线系统120可以是长期演进(LTE)系统、码分多址(CDMA)系统、全球移动通信(GSM)系统、无线局域网(WLAN)系统或其他某个无线系统。CDMA系统可实现宽带CDMA(WCDMA)、CDMA 1X、演进数据最佳化(EVDO)、时分同步CDMA(TD-SCDMA)、或其他某个版本的CDMA。为简明起见，图1示出了无线系统120包括两个基站130和132以及一个系统控制器140。一般而言，无线系统可包括任何数目的基站以及任何网络实体集合。

无线设备110还可以指用户装备(UE)、移动站、终端、接入终端、订户单元、站等。无线设备110可以是蜂窝电话、智能电话、平板、无线调制解调器、个人数字助理(PDA)、手持式设备、膝上型计算机、智能本、上网本、无绳电话、无线本地环路(WLL)站、蓝牙设备、等等。无线设备110可与无线系统120通信。无线设备110还可接收来自广播站(例如广播站134)的信号、来自一个或多个全球导航卫星系统(GNSS)中的卫星(例如，卫星150)的信号等。无线设备110可以支持用于无线通信的一种或多种无线电技术，诸如LTE、WCDMA、CDMA1X、EVDO、TD-SCDMA、GSM、802.11等等。

无线设备110可以支持载波聚集，其是多个载波上的操作。载波聚集也可被称为多载波操作。无线设备110可以能够覆盖低于1000兆赫兹(MHz)的低频带(LB)、覆盖从1000MHz到2300MHz的频率的中频带(MB)和/或覆盖高于2300MHz的高频带(HB)中操作。例如，低频带可以覆盖698到960MHz，中频带可以覆盖1475到2170MHz，并且高频带可以覆盖2300到2690MHz和3400到3800MHz。低频带、中频带和高频带指的是三群频带(或频带群)，其中每个频带群包括数个频带(或简称为“带”)。每个频带可以覆盖至多达200MHz并且可以包括一个或多个载波。在LTE中每个载波可以覆盖至多达20MHz。LTE版本11支持35个频带，这些频带被称为LTE/UMTS频带并且在3GPP TS 36.101中列出。在LTE版本11中，无线设备110可以配置成具有在一个或两个频带中的至多达5个载波。

一般而言，载波聚集(CA)可以被分类为两种类型——带内CA和带间CA。带内CA是指同一频带内的多个载波上的操作。带间CA是指不同频带中的多个载波上的操作。

图2A示出了毗连带内CA的示例。在图2A中示出的示例中，无线设备110配置有在低频带中的一个频带中的四个毗连载波。无线设备110可在同一频带内的四个毗连载波上发送和/或接收传输。

图2B示出了非毗连带内CA的示例。在图2B中示出的示例中，无线设备110配置有在低频带中的一个频带中的四个非毗连载波。各载波可分隔5MHz、10MHz或者其他某个量。无线设备110可在同一频带内的四个非毗连载波上发送和/或接收传输。

图2C示出了在同一频带群中的带间CA的示例。在图2C中所示的示例中，无线设备110配置成具有在低频带中的两个频带中的四个载波。无线设备110可在同一频带群中的不同频带中的四个载波上发送和/或接收传输。

图2D示出了不同频带群中的带间CA的示例。在图2D中示出的示例中，无线设备110配置成具有在不同频带群中的两个频带中的四个载波，其包括在低频带中的一个频带中的两个载波以及在中频带中的另一频带中的两个载波。无线设备110可在不同频带群中的不同频带中的四个载波上发送和/或接收传输。

图2A到2D示出了载波聚集的四个示例。对于频带和频带群的其他组合也可支持载波聚集。

图3示出了图1中的无线设备110的示例性设计的框图。在这一示例性设计中，无线设备110包括耦合至主天线310的收发机320、耦合至副天线312的收发机322、以及数据处理器/控制器380。收发机320包括多个(K个)接收机330pa至330pk和多个(K个)发射机350pa至350pk以支持多个频带、多种无线电技术、载波聚集等等。收发机322包括L个发射机330sa到330sl以及L个接收机350sa到350sl以支持多个频带、多种无线电技术、载波聚集、接收分集、从多个发射天线到多个接收天线的多输入多输出(MIMO)传输等等。

在图3示出的示例性设计中，每个接收机330包括接收LNA 340和接收电路342。对于数据接收，天线310接收来自基站和/或其他发射机站的信号并且提供收到RF信号，该收到RF信号被路由通过天线接口电路324并作为输入RF信号被呈现给所选接收机。天线接口电路324可包括开关、双工器、发射滤波器、接收滤波器、匹配电路等。以下描述假定接收机330pa是所选接收机。在接收机330pa内，LNA 340pa放大输入RF信号并提供输出RF信号。接收电路342pa将输出RF信号从RF下变频到基带，对经下变频的信号进行放大和滤波，并且将模拟输入信号提供给数据处理器380。接收电路342pa可包括混频器、滤波器、放大器、匹配电路、振荡器、本地振荡器(LO)生成器、锁相环(PLL)等。收发机320和322中的每个其余接收机330可按与接收机330pa类似的方式来操作。

在图3中示出的示例性设计中，每个发射机350包括发射电路352和功率放大器(PA)354。对于数据传输，数据处理器380处理(例如，编码和调制)要传送的数据，并且将模拟输出信号提供给所选发射机。以下描述假定发射机350pa是所选发射机。在发射机350pa内，发射电路352pa对模拟输出信号进行放大、滤波并将其从基带上变频至RF，并且提供经调制的RF信号。发射电路352pa可包括放大器、滤波器、混频器、匹配电路、振荡器、LO生成器、PLL等等。PA 354pa接收并且放大经调制RF信号，并且提供具有恰当输出功率电平的发射RF信号。发射RF信号被路由通过天线接口电路324并经由天线310来发射。收发机320和322中的每个其余发射机350可按与发射机350pa类似的方式来操作。

图3示出了接收机330和发射机350的示例性设计。接收机和发射机还可包括图3中未示出的其他电路，诸如滤波器、匹配电路等。收发机320和322的全部或部分可实现在一个或多个模拟集成电路(IC)、RF IC(RFIC)、混合信号IC等上。例如，收发机320和322内的LNA340和接收电路342可被实现在多个IC芯片上，如下所述。收发机320和322中的这些电路也可按其他方式来实现。

数据处理器/控制器380可为无线设备110执行各种功能。例如，数据处理器380可对经由接收机330接收到的数据以及经由发射机350传送的数据执行处理。控制器380可以控制收发机320和322中的各种电路的操作。存储器382可存储供数据处理器/控制器380使用的程序代码和数据。数据处理器/控制器380可以实现在一个或多个专用集成电路(ASIC)和/或其他IC上。

无线设备110可以支持CA并且可以(i)接收一个或多个蜂窝小区在不同频率处的多个下行链路载波上传送的多个下行链路信号和/或(ii)在多个上行链路载波上向一个或多个蜂窝小区传送多个上行链路信号。支持CA的发射机和接收机可被实现在单个IC芯片上。然而，由于IC芯片上受限的引脚-到-引脚隔离，在某些发射(TX)和接收(RX)频带中满足发射机与接收机之间的隔离要求可能是困难或不可能的。

例如，在CA间模式中，一些TX和RX频带(例如，UMTS频带4和17)之间的隔离要求可能是100分贝(dB)，这可能是难以或不可能达到的，因为引脚-到-引脚隔离比该隔离要求更差。片上发射过滤可以改进引脚-到-引脚RX/TX隔离，但(i)可能使发射机性能降级以及(ii)无法降低同一IC芯片上的其他RX/TX耦合机制。此外，来自同时在同一IC芯片上操作的多个PLL和LO发生器的杂散信号可能使发射机性能降级。接收机的敏感度也可能由于不良的杂散和隔离性能而降级。

在本公开的一方面，实现在多个IC芯片上的可扩展收发机和接收机可被用来支持CA并减轻上述问题。多个IC芯片上的发射机和接收机可被选择以供使用，使得这些发射机和接收机之间的干扰可被减轻。作为示例，对于带间CA，一个IC芯片上的发射机和接收机可被用于一个频带上的通信，且另一IC芯片上的另一发射机和另一接收机可被用于另一频带上的通信。这可以减轻单芯片设计中遇到的杂散和隔离问题。

图4示出了实现在IC芯片410上的可扩展收发机420的示例性设计的框图。收发机420包括可扩展(M，1)接收机430和发射机490。一般而言，(M，L)接收机包括(i)耦合到同一IC芯片上的各下变频器的M个“片上”输出端，以及(ii)耦合到一个或多个其他片下接收机的L个“片下”输出端。在本文的描述中，“片上”指的是IC芯片内的信号预期目的地，且“片下”指的是IC芯片外部的信号预期目的地。“片上输出端”是其信号旨在送给IC芯片内的电路的输出端，且“片下输出端”是其信号旨在送给IC芯片外部的电路的输出端。片上输出端和片下输出端两者可在物理上位于IC芯片上，但来自这些输出端的信号具有不同的预期目的地。

在图4所示的示例性设计中，接收机430包括具有N个输入端(例如，用于N个不同频带)、用于可被同时接收的M个载波集的M个片上输出端、以及一个片下输出端的LNA 440，其中一般而言，N≥1且M≥1。LNA 440可被用于图3中的LNA 330中的任一个。LNA 440的N个输入端接收多达N个输入RF信号，RFin1到RFinN。LNA 440的M个片上输出端耦合到M个负载电路450到452，负载电路450到452进一步分别耦合到M个下变频器460到462。M个下变频器460到462分别从M个负载电路450到452接收输出RF信号。每个下变频器可包括两个混频器以执行其输出RF信号从RF到基带或中间频率的正交下变频。接口电路470具有耦合到LNA 440的片下输出端的输入端以及向另一IC芯片(图4中未示出)上的外部接收机提供经放大RF信号RFampout的输出端。缓冲器480的输入端接收来自另一IC芯片上的另一接收机的经放大RF信号RFampin，并且其输出端耦合到LNA 440的第一片上输出端。

在图4所示的示例性设计中，发射机490包括耦合到PA 494的上变频器电路492。上变频器电路492可包括两个混频器以执行输出基带信号从基带到RF的正交上变频。PA 494耦合到上变频器492的输出端。PA 494接收并放大来自上变频器电路492的经调制RF信号并且提供发射RF信号。

图4示出了可扩展接收机430和发射机490的示例性设计，它也可按照其他方式来实现。在另一示例性设计中，可扩展接收机430可(i)不包括用于驱动任何外部接收机的接口电路470或(ii)包括驱动一个以上外部接收机的一个以上接口电路470。在又一示例性设计中，可扩展接收机430可(i)不包括用于接收来自任何外部接收机的经放大RF信号的缓冲器480或(ii)包括用于接收来自一个以上外部接收机的经放大RF信号的一个以上缓冲器480。

图5示出了分别实现在两个IC芯片510和512上的两个可扩展收发机520和522的示例性设计的框图。收发机520包括(i)具有两个片上输出端和一个片下输出端的可扩展(2，1)接收机530以及(ii)发射机590。收发机522包括(i)具有一个片上输出端和两个片下输出端的可扩展(1，2)接收机532以及(ii)发射机591。

在图5所示的示例性设计中，接收机530包括具有N个输入端(例如，用于N个不同频带)、用于可被同时接收的两个载波集的两个片上输出端、以及一个片下输出端的LNA 540，其中N≥1。LNA 540可被用于图3中的LNA 330中的任一个。LNA 540的N个输入端接收多达N个输入RF信号。LNA 540的两个片上输出端耦合到两个负载电路550和552，负载电路550和552进一步分别耦合到两个下变频器560到562。在图5中所示的示例性设计中，每一负载电路包括包含初级线圈和次级线圈的变压器。负载电路550和552两个变压器的初级线圈耦合到LNA540的两个片上输出端，且其次级线圈耦合到两个下变频器560到562。每一初级线圈的另一端耦合到电源VDD。负载电路550和552也可按其他方式来实现。例如，负载电路可包括耦合在LNA的片上输出端与电源之间的电感器以及可能的电容器。下变频器560和562分别接收来自负载电路550和552的差分输出RF信号。每个下变频器可包括两个混频器以执行其差分输出RF信号从RF到基带或中间频率的正交下变频。

接口电路570具有耦合到LNA 540的片下输出端的输入端以及向另一IC芯片512上的外部接收机532提供经放大RF信号的输出端。在图5所示的示例性设计中，接口电路570包括其初级线圈耦合到LNA 540的片下输出端且其次级线圈提供经放大RF信号的变压器。在另一示例性设计中，接口电路570可包括耦合在接口电路570的输入端和输出端之间的电容器。接口电路570还可以用其他电路来实现。缓冲器580的输入端接收来自另一IC芯片512上的外部接收机532的经放大RF信号，并且其输出端耦合到LNA 540的第一片上输出端。变压器550的初级线圈因而耦合到LNA 540的第一片上输出端以及缓冲器580的输出端两者。

在图5所示的示例性设计中，接收机532包括具有K个输入端(例如，用于K个不同频带)、一个片上输出端、以及两个片下输出端的LNA 542，其中K≥1。LNA 542可被用于图3中的LNA 330中的任一个。LNA 542的K个输入端接收多达K个输入RF信号。LNA 542的片上输出端耦合到负载电路554，负载电路554进一步耦合到下变频器564。在图5所示的示例性设计中，负载电路554包括包含耦合到LNA 542的片上输出端的初级线圈和包含耦合到下变频器564的次级线圈的变压器。负载电路554也可按其他方式来实现。下变频器564接收来自负载电路554的差分输出RF信号并且执行该差分输出RF信号的正交下变频。

两个接口电路572和574耦合到LNA 542的两个片下输出端。在图5所示的示例性设计中，每一接口电路包括其初级线圈耦合到LNA 542的相应片下输出端且其次级线圈提供经放大RF信号的变压器。缓冲器582的输入端接收来自另一IC芯片510上的外部接收机530的经放大RF信号，并且其输出端耦合到LNA 542的片上输出端。

在图5所示的示例性设计中，IC芯片510上的接口电路570的输出端经由信号线576耦合到另一IC芯片512上的缓冲器582的输入端。IC芯片512内的接口电路572的输出端经由信号线578耦合到另一IC芯片510上的缓冲器580的输入端。IC芯片512上的接口电路574的输出端可耦合到另一IC芯片上的另一缓冲器的输入端。信号线576和578可被设计成向IC芯片510和512提供良好输入匹配，且可具有特定特性阻抗(50欧姆)。

在图5所示的示例性设计中，发射机590包括IC芯片510上的上变频器电路592和PA594。发射机591包括IC芯片512上的上变频器电路593和PA 595。每一发射机还可包括其他电路。

图6A示出了接收机530和532在支持两个频带的第一操作模式中的操作。在这一示例中，IC芯片510上的LNA 540向负载电路550提供第一频带的第一输出RF信号，负载电路550向下变频器电路560提供第一差分输出RF信号。IC芯片512上的LNA 542向负载电路554提供第二频带的第二输出RF信号，负载电路554向下变频器电路564提供第二差分输出RF信号。IC芯片510上的接收机530和IC芯片512上的接收机532之间不递送RF信号。

图6B示出了接收机530和532在使用IC芯片510与512之间的互连来支持一个频带的第二操作模式中的操作。在这一示例中，IC芯片510上的LNA 540提供经由IC芯片510上的接口电路570路由到IC芯片512上的接收机532的输出RF信号。在IC芯片512内，输出RF信号由IC芯片512上的缓冲器582缓冲，由负载电路554传递，且被提供给下变频器电路564。IC芯片512上的LNA 542被禁用。

在支持两个频带的第三操作模式中，LNA 540经由负载电路550向下变频器电路560提供第一输出RF信号，如图6A所示。LNA 540还经由接口电路570向缓冲器582、负载电路554、以及下变频器电路564提供第二输出RF信号，如图6B所示。LNA 540因而驱动两个IC芯片510和512上的下变频器560和564两者。

LNA 540和542也可支持各种其他操作模式。一般而言，一个LNA或两个LNA可在任何给定时刻启用。每一启用的LNA可以驱动一个或多个片上下变频器电路和/或片下下变频器电路。一个或多个片上和/或片下下变频器电路可基于隔离和/或其他准则来被选择。

图7示出了分别实现在两个IC芯片710和712上的两个可扩展收发机720和722的示例性设计的框图。在图7所示的示例性设计中，收发机720包括(i)分别用于低频带、中频带、以及高频带的三个可扩展(2，1)接收机730a、730b、以及730c和三个发射机790a、790b以及790c。每一接收机730包括LNA 740、两个负载电路750和752、两个下变频器电路760和762、接口电路770、以及缓冲器780，它们如以上在图5中针对LNA 540、负载电路550和552、下变频器电路560和562、接口电路570以及缓冲器580所描述的那样耦合。每一发射机790包括耦合到PA 794的上变频器电路792。

在图7所示的示例性设计中，收发机722包括(i)分别用于低频带、中频带、以及高频带的三个可扩展(1，2)接收机732a、732b、以及732c和三个发射机791a、791b以及791c。每一接收机732包括LNA 742、负载电路754、下变频器电路764、两个接口电路772和774、以及缓冲器782，它们如以上在图5中针对LNA 542、负载电路554、下变频器电路564、接口电路572和574以及缓冲器582所描述的那样耦合。每一发射机791包括耦合到PA 795的上变频器电路793。

图7还示出了用于每一频带群的接收机730与732之间的互连的示例性设计。对于低频带，IC芯片710上的接口电路770a的输出端耦合到IC芯片712上的缓冲器782a的输入端。IC芯片712内的接口电路772a的输出端耦合到IC芯片710上的缓冲器780a的输入端。用于中频带的接口电路770b和772b以及缓冲器780b和782b以及用于高频带的接口电路770c和772c以及缓冲器780c和782c以与用于低频带的接口电路770a和772a以及缓冲器780a和782a类似的方式相耦合。

接收机730a、732a和发射机790a和791a中的电路被设计成用于低频带。接收机730b和732b以及发射机790b和791b中的电路被设计成用于中频带。接收机730c和732c以及发射机790c和791c中的电路被设计成用于高频带。每一接收机730或732可以支持其频带群中的一个或多个频带。类似地，每一发射机790或791可以支持其频带群中的一个或多个频带。

图8示出了分别实现在三个IC芯片710、712和714上的两个可扩展收发机720和722以及可扩展接收机724的示例性设计的框图。收发机720和722在上文针对图7进行了描述。在图8所示的示例性设计中，接收机724包括分别用于低频带、中频带以及高频带的三个可扩展(1，2)接收机734a、734b以及734c。每一接收机734包括LNA 744、负载电路756、下变频器电路766、两个接口电路776和778、以及缓冲器784，它们按与图5中的LNA 542、负载电路554、下变频器电路564、接口电路572和574以及缓冲器582类似的方式来耦合。IC芯片712上的接口电路774a、774b以及774c的输出端分别耦合到IC芯片714上的缓冲器784a、784b以及784c的输入端。IC芯片714上的接口电路776a、776b、776c、778a、778b以及778c可耦合到其他电路，例如其他IC芯片上的其他接收机。

在另一示例性设计中，两个可扩展收发机和可扩展接收机可被实现在三个IC芯片上。第一可扩展收发机可包括图7中的收发机722(代替收发机720)。第二可扩展收发机可包括图7中的收发机722。可扩展接收机可包括图8中的接收机724。在又一示例性设计中，三个可扩展收发机可被实现在三个IC芯片上。第一可扩展收发机可包括图7中的收发机720，第二可扩展收发机可包括图7中的收发机722，且第三可扩展收发机可包括图7中的收发机722。一般而言，任何数量的可扩展收发机以及任何数量的可扩展接收机可被实现在任何数量的IC芯片上。每一可扩展收发机可包括用于任何数量的频带群、无线电技术等的任何数量的可扩展接收机。每一可扩展接收机可包括任何数量的片上LNA输出端和任何数量的片下LNA输出端。可扩展收发机可包括多个可扩展接收机，所述多个可扩展接收机具有(i)相同或不同数量的片上LNA输出端以及(ii)相同或不同数量的片下LNA输出端。

如图5到8所示，经由多个载波的通信可以用实现在多个IC芯片上的接收机和发射机来支持。给定RX频带的经放大RF信号可以在多个IC芯片之间发送来匹配TX频带，以减少来自非配对TX频带的杂散内容。可扩展收发机的模块化设计可以允许任何数量的IC芯片耦合在一起以支持任何数量的载波、任何数量的频带、以及任何数量的频带群。LO漏泄可由于跨IC芯片的缓冲接口而被降低。

具有一个或多个片上输出端和一个或多个片下输出端的多输出LNA可以用各种电路架构来实现。用于接收传入的经放大RF信号的缓冲器也可以用各种电路架构来实现。下面描述多输出LNA和缓冲器的一些示例性设计。多输出LNA和缓冲器也可使用各种类型的晶体管来实现。以下描述了用N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管来实现的多输出LNA和缓冲器的一些示例性设计。

图9A示出了多输出LNA 940和942以及缓冲器980和982的示例性设计的示意图。IC芯片910上实现的可扩展接收机930包括LNA 940、负载电路950、接口电路970以及缓冲器980。IC芯片912上实现的可扩展接收机932包括LNA 942、负载电路952、接口电路972以及缓冲器982。

在图9A所示的示例性设计中，LNA 940包括两个放大器电路941和951。放大器电路941接收第一输入RF信号(RFin1)并向LNA 940的片上输出端提供第一输出RF信号。放大器电路951接收同一RFin1信号并向LNA 940的片下输出端提供第二输出RF信号。放大器电路941包括增益晶体管946、共源共栅晶体管948、以及源极退化电感器944。增益晶体管946使其栅极接收RFin1信号并且使其源极耦合到电感器944的一端。电感器944的另一端耦合到电路接地。共源共栅晶体管948的源极耦合至增益晶体管946的漏极，其栅极接收V1a控制信号，并且其漏极向负载电路950提供第一输出RF信号。放大器电路951包括增益晶体管956、共源共栅晶体管958、以及源极退化电感器954，它们按与放大器电路941中的增益晶体管946、共源共栅晶体管948、以及源极退化电感器944类似的方式来耦合。增益晶体管956的栅极接收RFin1信号。共源共栅晶体管958的栅极接收V2a控制信号且其漏极向接口电路970提供第二输出RF信号。

在图9A中示出的示例性设计中，缓冲器980包括电流缓冲器晶体管986和共源共栅晶体管988。晶体管986的栅极接收Vb2控制信号且其源极接收传入的经放大RF信号。共源共栅晶体管988的源极耦合到晶体管986的漏极，其栅极接收Vb1控制信号，且其漏极耦合到共源共栅晶体管948的漏极(它是LNA 940的片上输出端)。在图9A所示的示例性设计中，接口电路970包括变压器，所述变压器具有(i)耦合到LNA 940的片下输出端的初级线圈以及(ii)提供经放大RF信号的次级线圈。接口电路970和缓冲器980向接收机930提供低阻抗/宽带接口。

在图9A所示的示例性设计中，LNA 942包括两个放大器电路941和951，它们按与LNA 940中的两个放大器电路941和951相似的方式来实现。缓冲器982按与缓冲器980相似的方式来实现。LNA 940和942以及缓冲器980和982中的晶体管可以用NMOS晶体管(如图9A所示)或用其他类型的晶体管来实现。

图9A示出了接收机930与932之间的示例性互连。IC芯片910上的接口电路970的输出端可耦合到IC芯片912上的缓冲器982的输入端。类似地，IC芯片912上的接口电路972的输出端可耦合到IC芯片910上的缓冲器980的输入端。或者，IC芯片912上的接口电路972的输出端可耦合到第三IC芯片(图9A中未示出)上的缓冲器。

图9B示出了多输入多输出LNA 944的示例性设计的示意图。在图9B所示的示例性设计中，LNA 944包括用于LNA 944的M个片上输出端的M个放大器电路943a到943m，其中M可以是任何整数值。放大器电路943a接收第一输入RF信号(RFin1)并向LNA 940的M个片上输出端之一提供第一输出RF信号。放大器电路943a包括增益晶体管946a、M个共源共栅晶体管948a到949a以及源极退化电感器944a。增益晶体管946a使其栅极接收RFin1信号并且使其源极耦合到电感器944a的一端。电感器944a的另一端耦合至电路接地。共源共栅晶体管948a到949a使其源极耦合至增益晶体管946a的漏极，使其栅极分别接收V1a到V1m控制信号，并且使其漏极分别耦合至负载电路950a到950m。LNA 940内的每一其余放大器电路943可按与放大器电路943a相似的方式来耦合。

LNA 944进一步包括用于LNA 944的片下输出端的M个放大器电路953a到953m。放大器电路953a包括增益晶体管956a、共源共栅晶体管958a、以及源极退化电感器954a，它们按与放大器电路943a中的增益晶体管946a、共源共栅晶体管948a、以及源极退化电感器944a类似的方式来耦合。增益晶体管956a的栅极接收RFin1信号。共源共栅晶体管958a的栅极接收Vna控制信号且其漏极耦合到接口电路970。每一其余放大器电路953可按与放大器电路953a相似的方式来耦合。

图9A和9B示出了LNA 940、942和944以及缓冲器980和982的示例性设计。LNA 940、942和/或944可包括用于附加片上和/或片下输出端的附加放大器电路。

LNA 940、942和944以及缓冲器980还可按其他方式来实现。在示例性设计中，LNA中的放大器电路可包括其源极直接耦合至电路接地(而非源极退化电感器)的增益晶体管。在又一示例性设计中，LNA中的多个放大器电路可以共享同一源极退化电感器。

在另一示例性设计中，放大器电路可包括耦合在放大器电路的输入端和输出端之间的反馈电路。反馈电路可包括电阻器、电容器、开关、某个其他电路组件、或其组合。反馈电路可被用来改进放大器电路的线性度和输入匹配。

在又一示例性设计中，放大器电路可包括并联耦合且其栅极接收输入RF信号的两个增益晶体管。第一增益晶体管的源极可耦合至源极退化电感器，如图9A和9B中所示。第二增益晶体管的源极可直接耦合至电路接地。第一或第二增益晶体管中的任一者可取决于输入RF信号的收到功率被选择。

图10示出了实现在IC芯片1010上的具有多频带接口的可扩展收发机1020的示例性设计的框图。收发机1020包括用于第一频带群(例如，低频带)的可扩展接收机1030a、用于第二频带群(例如，中频带)的可扩展接收机1030b、用于这两个频带群的接口电路1070、以及用于这两个频带群的缓冲器1080。接收机1030a包括用于第一频带群的LNA 1040a、负载电路1050a、以及下变频器电路1060a。LNA 1040a包括耦合到负载电路1050a的片上输出端和耦合到接口电路1070的片下输出端。接收机1030b包括用于第二频带群的LNA 1040b、负载电路1050b、以及下变频器电路1060b。LNA 1040b包括耦合到负载电路1050b的片上输出端和耦合到接口电路1070的片下输出端。缓冲器1080包括耦合到LNA 1040a的片上输出端的第一输出端和耦合到LNA 1040b的片上输出端的第二输出端。

在图10中示出的示例性设计中，接口电路1070由LNA 1040a和1040b两者共享。接口电路1070可以接收来自LNA 1040a或1040b的输出RF信号并且向另一IC芯片上的接收机提供经放大RF信号。类似地，缓冲器1080由LNA 1040a和1040b两者共享。缓冲器1080可以接收来自另一IC芯片上的外部接收机的经放大RF信号并且将经缓冲的RF信号提供给LNA1040a和/或LNA 1040b。

图11A示出了分别实现在两个IC芯片1010和1012上的具有多频带接口的两个可扩展收发机1020和1022的示例性设计的框图。收发机1020是针对图10描述的。收发机1022包括用于第一频带群(例如，低频带)的可扩展接收机1032a、用于第二频带群(例如，中频带)的可扩展接收机1032b、用于这两个频带群的接口电路1072、以及用于这两个频带群的缓冲器1082。接收机1032a包括用于第一频带群的LNA 1042a、负载电路1052a、以及下变频器电路1062a。接收机1032b包括用于该频带群的LNA 1042b、负载电路1052b、以及下变频器电路1062b。接口电路1072由LNA 1042a和1042b两者共享，并且缓冲器1082也由LNA 1042a和1042b两者共享。IC芯片1010上的接口电路1070的输出端耦合到另一IC芯片1012上的缓冲器1082的输入端。IC芯片1012上的接口电路1072的输出端耦合到另一IC芯片1010上的缓冲器1080的输入端。

图11A还示出了收发机1020和1022在支持两个频带的第一操作模式中的操作。在该示例中，LNA 1040a向负载电路1050a提供用于第一频带群的第一输出RF信号，而LNA1040b向负载电路1050b提供用于第二频带群的第二输出RF信号。LNA 1042a和1042b被禁用。IC芯片1010上的收发机1020和IC芯片1012上的收发机1022之间不递送RF信号。虽然图11A中未示出，但IC芯片1010上的两个发射机可被用于第一和第二频带上的传输。

图11B示出了收发机1020和1022在支持两个频带的第二操作模式中的操作。在该示例中，LNA 1040a向IC芯片1010上的负载电路1050a提供用于第一频带群的第一输出RF信号。LNA 1042b向IC芯片1012上的负载电路1052b提供用于第二频带群的第二输出RF信号。LNA 1040b和1042a被禁用。IC芯片1010上的收发机1020和IC芯片1012上的收发机1022之间不递送RF信号。虽然在图11B中未示出，但IC芯片1010上的第一发射机可被用于第一频带群上的传输，且IC芯片1012上的第二发射机可被用于第二频带群上的传输。

图11C示出了收发机1020和1022在使用IC芯片1010与1012之间的互连来支持两个频带的第三操作模式中的操作。在该示例中，IC芯片1010上的LNA 1042a提供用于第一频带群的第一输出RF信号，该第一输出RF信号经由IC芯片1012上的接口电路1072路由到IC芯片1010上的缓冲器1080和负载电路1050a。IC芯片1010上的LNA 1040b提供用于第二频带群的第二输出RF信号，该第二输出RF信号经由IC芯片1010上的接口电路1070路由到IC芯片1012上的缓冲器1082和负载电路1052b。虽然在图11C中未示出，但IC芯片1010上的第一发射机可被用于第一频带群上的传输，且IC芯片1012上的第二发射机可被用于第二频带群上的传输。

收发机1020和1022也可支持各种其他操作模式。一般而言，一个或多个LNA可在任何给定时刻启用。每一启用的LNA可以驱动一个或多个片上下变频器电路和/或片下下变频器电路。片上和/或片下下变频器电路可基于隔离和/或其他准则来被选择。

图12示出了用于两个频带群的两个接收机中的两个LNA 1240a和1240b的示例性设计的示意图。这两个接收机共享接口电路1270和缓冲器1280。在图12所示的示例性设计中，LNA 1240a包括用增益晶体管1246a和1256a、共源共栅晶体管1248a和1258a、以及源极退化电感器1244a和1254a(它们如图12所示地耦合)实现的两个放大器电路1241a和1251a。共源共栅晶体管1248a的漏极形成LNA1240a的片上输出端且耦合到负载电路1250a。类似地，LNA 1240b包括用增益晶体管1246b和1256b、共源共栅晶体管1248b和1258b、以及源极退化电感器1244b和1254b(它们如图12所示地耦合)实现的两个放大器电路1241b和1251b。共源共栅晶体管1248b的漏极形成LNA 1240b的片上输出端且耦合到负载电路1250b。

在图12中示出的示例性设计中，缓冲器1280包括电流缓冲器晶体管1286以及共源共栅晶体管1288a和1288b。晶体管1286的源极接收传入的经放大RF信号。共源共栅晶体管1288a和1288b的源极耦合到晶体管1286的漏极且它们的漏极分别耦合到共源共栅晶体管1248a和1248b的漏极。

图12示出了用于两个频带群的LNA 1240a和1240b以及缓冲器1280的示例性设计。LNA和缓冲器还可以如上所描述地用其它方式来实现。

本文描述的可扩展收发机和接收机可以提供各种优点。第一，实现在多个IC芯片上的可扩展收发机和接收机可以改善隔离。严格的RX/TX隔离要求可通过将接收机输入和发射输出拆分在多个IC芯片之间来得到满足，因为芯片-到-芯片隔离通常好于引脚-到-引脚隔离。与上述实现在单个IC芯片上的收发机之间的隔离相关的问题可被减轻。属于同一频带的RX/TX信号可被配对在同一IC芯片上，使得同一频带的接收下变频和发射上变频处于同一IC芯片上。在CA间模式中，用于不同频带群的接收机的多个PLL可被拆分在多个IC芯片之间(例如，如图11B和11C所示)，这可减轻来自一个频带群的一个PLL的杂波，从而免于干扰另一频带群的接收机。用IC芯片之间的接口电路和缓冲器来缓冲经放大RF信号可以降低从一个接收机到另一接收机的LO漏泄量。第二，与实现在单个IC芯片上的接收机的敏感度相比，实现在不同IC芯片上的接收机的敏感度可不被降级。

第三，可扩展收发机和接收机的模块化设计可以允许任何数量的IC芯片被互连。可扩展收发机和接收机可被实现在两个IC芯片上且被用来支持至少两个载波集上的通信，同时提供多个接收机之间的更多隔离。可扩展收发机和接收机可被实现在三个IC芯片上且被用来支持至少三个载波集上的通信，同时提供多个接收机之间的更多隔离。

在一示例性设计中，一种装置(例如，无线设备、IC、电路模块等)可包括LNA和接口电路。LNA(例如，图4中的LNA 440或图5中的LNA 540)可驻留在IC芯片(例如，图4中的IC芯片410或图5中的IC芯片510)上并且可包括第一/片上输出端和第二/片下输出端。接口电路(例如，图4中的接口电路470或图5中的接口电路570)也可驻留在同一IC芯片上且可接收或耦合到LNA的第二输出端。接口电路可以在IC芯片外部提供经放大RF信号。该装置还可包括缓冲器、负载电路、以及下变频器电路。缓冲器(例如，图4中的缓冲器480或图5中的缓冲器580)可驻留在IC芯片上且可耦合到LNA的第一输出端。缓冲器可以接收来自IC芯片外部的第二经放大RF信号。负载电路(例如，图4中的负载电路450或图5中的负载电路550)可耦合到LNA的第一输出端。下变频器电路(例如，图4中的下变频器电路460或图5中的下变频器电路560)可耦合到负载电路。

在一示例性设计中，负载电路可包括变压器，所述变压器具有耦合到LNA的第一输出端的初级线圈和提供差分输出RF信号的次级线圈，例如，如图5所示。在一示例性设计中，接口电路可包括变压器，所述变压器具有耦合到LNA的第二输出端的初级线圈和提供经放大RF信号的次级线圈，例如，也如图5所示。

在一示例性设计中，该装置可包括第二LNA和第二缓冲器。第二LNA(例如，图5中的LNA 542)可驻留在第二IC芯片(例如，IC芯片512)上，且可包括第一/片上输出端和第二/片下输出端。第二缓冲器(例如，缓冲器582)可驻留在所述第二IC芯片上且可包括耦合到所述第二LNA的第一输出端的输出端和耦合到所述IC芯片上的接口电路的输入端。该装置还可包括驻留在所述第二IC芯片上且起作用地(例如，直接或间接)耦合到所述第二LNA的第一输出端的第二下变频器电路(例如，下变频器电路564)。第二下变频器电路可将LNA的第二输出端所提供的、从IC芯片通过接口电路递送到第二IC芯片、并由第二IC上的第二缓冲器进行缓冲的RF信号进行下变频。该装置还可包括驻留在第二IC芯片上且耦合到第二LNA的第二输出端的第二接口电路(例如，接口电路572)。第二接口电路可以在第二IC芯片外部提供第二经放大RF信号。

在一示例性设计中，该装置可包括同一IC芯片上的且包括第一/片上输出端和第二/片下输出端的第二LNA(例如，图7中的LNA 740b或图10中的LNA 1040b)。LNA可以用于第一频带群(例如，低频带)并且第二LNA可以用于第二频带群(例如，中频带)。接口电路(例如，图10中的接口电路1070)可以由LNA和第二LNA共享且可进一步耦合到第二LNA的第二输出端。接口电路可以接收来自LNA的第一输出RF信号或来自第二LNA的第二输出RF信号，且可在IC芯片的外部提供经放大RF信号。该装置还可包括缓冲器(例如，缓冲器1080)，该缓冲器(i)由LNA和第二LNA两者共享且(ii)耦合到LNA的第一输出端以及第二LNA的第一输出端。缓冲器可以接收来自IC芯片的外部的第二经放大RF信号，并且将经缓冲的RF信号提供给LNA的第一输出端或第二LNA的第一输出端。

在一示例性设计中，LNA可包括第一和第二放大器电路。第一放大器电路(例如，图9A中的放大器电路941或图9B中的放大器电路943a)可以接收输入RF信号并且向LNA的第一输出端提供第一输出RF信号。第二放大器电路(例如，图9A中的放大器电路951或图9B中的放大器电路953a)也可以接收输入RF信号并且向LNA的第二输出端提供第二输出RF信号。LNA还可包括第三放大器电路(例如，图9B中的放大器电路943m)，第三放大器电路可以接收第二输入RF信号并且向LNA的第一输出端提供第三输出RF信号。LNA可包括附加放大器电路。

在一示例性设计中，该装置还可包括与LNA处于同一IC芯片上的功率放大器(例如，图4中的功率放大器494)。

图13示出用于执行RF接收的过程1300的示例性设计。过程1300可由无线设备执行或由某个其他实体来执行。输入RF信号可以用驻留在IC芯片上且包括第一/片上输出端和第二/片下输出端的LNA来放大(框1312)。可以用驻留在IC芯片上且耦合到LNA的第二输出端的接口电路在IC芯片外部提供经放大RF信号(框1314)。可以用驻留在IC芯片上且耦合到LNA的第一输出端的缓冲器缓冲从IC芯片外部接收到的第二经放大RF信号(框1316)。可以用IC芯片上的下变频器电路将来自LNA的第一输出端的第一输出RF信号进行下变频(框1318)。

作为替换或补充，可以用第二IC芯片上的第二缓冲器来缓冲来自IC芯片上的接口电路的经放大RF信号(框1320)。可以用第二IC芯片上的第二下变频器电路将来自第二缓冲器的经缓冲RF信号进行下变频(框1322)。

本文中描述的可扩展收发机和接收机可实现在一个或多个IC、模拟IC、RFIC、混合信号IC、ASIC、印刷电路板(PCB)、电子设备等上。这些可扩展收发机和接收机也可以用各种IC工艺技术来制造，诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)、N沟道MOS(NMOS)、P沟道MOS(PMOS)、双极型结型晶体管(BJT)、双极型CMOS(BiCMOS)、硅锗(SiGe)、砷化镓(GaAs)、异质结双极型晶体管(HBT)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、绝缘体上覆硅(SOI)等。

实现本文描述的可扩展收发机和/或接收机的装置可以是自立设备或者可以是较大设备的一部分。设备可以是(i)自立的IC，(ii)具有一个或多个IC的集合，其可包括用于存储数据和/或指令的存储器IC，(iii)RFIC，诸如RF接收机(RFR)或RF发射机/接收机(RTR)，(iv)ASIC，诸如移动站调制解调器(MSM)，(v)可嵌入在其他设备内的模块，(vi)接收机、蜂窝电话、无线设备、手持机、或者移动单元，(vii)其他等等。

在一个或多个示例性设计中，所描述的功能可以在硬件、软件、固件、或其任何组合中实现。如果在软件中实现，则各功能可以作为一条或多条指令或代码存储在计算机可读介质上或藉其进行传送。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质两者，包括促成计算机程序从一地向另一地转移的任何介质。存储介质可以是能被计算机访问的任何可用介质。作为示例而非限定，这样的计算机可读介质可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储、磁盘存储或其它磁存储设备、或能被用来携带或存储指令或数据结构形式的期望程序代码且能被计算机访问的任何其它介质。任何连接也被正当地称为计算机可读介质。例如，如果软件是使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术从web网站、服务器、或其它远程源传送而来，则该同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术就被包括在介质的定义之中。如本文中所使用的盘(disk)和碟(disc)包括压缩碟(CD)、激光碟、光碟、数字多用碟(DVD)、软盘和蓝光碟，其中盘(disk)往往以磁的方式再现数据，而碟(disc)用激光以光学方式再现数据。上述的组合应当也被包括在计算机可读介质的范围内。

提供对本公开的先前描述是为使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对于本领域技术人员将是显而易见的，并且本文中定义的普适原理可被应用于其他变形而不会脱离本公开的范围。由此，本公开并非旨在被限定于本文中所描述的示例和设计，而是应被授予与本文中所公开的原理和新颖性特征相一致的最广范围。

Claims (16)

1.一种用于处理信号的装置，包括：

集成电路(IC)芯片上的且包括第一输出端和第二输出端的第一低噪声放大器(LNA)；

所述IC芯片上的接口电路，所述接口电路被配置成接收所述第一LNA的第二输出并在所述IC芯片外部提供经放大射频(RF)信号；

所述IC芯片上的且耦合到所述第一LNA的第一输出端的缓冲器，所述缓冲器被配置成接收由第二IC芯片上的第二LNA输出的第二经放大RF信号；

耦合到所述第一LNA的第一输出端的负载电路；以及

耦合到所述负载电路的下变频器电路。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括：

所述负载电路包括变压器，所述变压器具有耦合到所述LNA的第一输出端的初级线圈和提供差分输出RF信号的次级线圈。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述接口电路包括变压器，所述变压器具有耦合到所述LNA的第二输出端的初级线圈和提供所述经放大RF信号的次级线圈。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括：

第二IC芯片上的所述第二LNA包括第一输出端和第二输出端；以及

所述第二IC芯片上的缓冲器，所述缓冲器包括耦合到所述第二LNA的第一输出端的输出端和耦合到所述IC芯片上的接口电路的输入端。

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，进一步包括：

所述第二IC芯片上的且耦合到所述第二LNA的第一输出端的下变频器电路，所述下变频器电路被配置成将所述LNA的第二输出端提供的、从所述IC芯片通过所述接口电路递送到所述第二IC芯片、并由所述第二IC芯片上的缓冲器缓冲的RF信号进行下变频。

6.如权利要求4所述的装置，其特征在于，进一步包括：

所述第二IC芯片上的且耦合到所述第二LNA的第二输出端的第二接口电路，所述第二接口电路被配置成在所述第二IC芯片外部提供第二经放大RF信号。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括：

所述IC芯片上的且包括第一输出端和第二输出端的第二LNA，所述LNA用于第一频带群且所述第二LNA用于第二频带群。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述接口电路进一步耦合到所述第二LNA的第一输出端且被配置成接收来自所述LNA的第一输出RF信号或来自所述第二LNA的第二输出RF信号，并在所述IC芯片外部提供经放大RF信号。

9.如权利要求7所述的装置，其特征在于，进一步包括：

耦合到所述LNA的第一输出端和所述第二LNA的第一输出端的缓冲器，所述缓冲器被配置成接收来自所述IC芯片外部的第二经放大RF信号并向所述LNA的第一输出端或所述第二LNA的第一输出端提供经缓冲RF信号。

10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述LNA包括：

第一放大器电路，所述第一放大器电路被配置成接收输入RF信号并向所述LNA的第一输出端提供第一输出RF信号；以及

第二放大器电路，所述第二放大器电路被配置成接收所述输入RF信号并向所述LNA的第二输出端提供第二输出RF信号。

11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述LNA进一步包括：

第三放大器电路，所述第三放大器电路被配置成接收第二输入RF信号并向所述LNA的第一输出端提供第三输出RF信号。

12.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括：

所述IC芯片上的功率放大器。

13.一种用于处理信号的方法，包括：

使用低噪声放大器(LNA)来放大输入射频(RF)信号，所述LNA在集成电路(IC)芯片上且包括第一输出端和第二输出端；

使用所述IC芯片上的且耦合到所述LNA的第二输出端的接口电路在所述IC芯片外部提供经放大RF信号；

使用所述IC芯片上的且耦合到所述LNA的第一输出端的缓冲器缓冲由来自所述IC芯片外部的第二LNA输出的第二经放大RF信号；以及

使用所述IC芯片上的下变频器电路将来自所述缓冲器的经缓冲RF信号以及来自所述LNA的第一输出的信号进行下变频。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包括：

使用第二IC芯片上的缓冲器来缓冲来自所述IC芯片上的接口电路的经放大RF信号。

15.一种用于处理信号的设备，包括：

驻留在集成电路(IC)芯片上的且包括第一输出端和第二输出端的放大装置；

驻留在所述IC芯片上且耦合到所述放大装置的第二输出端的接口装置；

耦合到所述放大装置的第一输出端的缓冲装置，所述缓冲装置是用于缓冲由来自所述IC芯片外部的第二IC芯片上的第二LNA输出的第二经放大信号的装置；以及

配置成将来自所述缓冲装置的经缓冲RF信号以及来自所述LNA的第一输出的信号进行下变频的下变频装置。

16.如权利要求15所述的设备，其特征在于，进一步包括：

驻留在第二IC芯片上且被配置成对来自所述接口装置的经放大RF信号进行缓冲的缓冲装置。