CN105009448B - 具有多个输出和可配置退化电感器的放大器 - Google Patents

具有多个输出和可配置退化电感器的放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN105009448B
CN105009448B CN201480009765.XA CN201480009765A CN105009448B CN 105009448 B CN105009448 B CN 105009448B CN 201480009765 A CN201480009765 A CN 201480009765A CN 105009448 B CN105009448 B CN 105009448B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
inductor
signal
coupled
gain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201480009765.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105009448A (zh
Inventor
A·A·约瑟夫
L-C·常
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qualcomm Inc
Original Assignee
Qualcomm Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qualcomm Inc filed Critical Qualcomm Inc
Publication of CN105009448A publication Critical patent/CN105009448A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105009448B publication Critical patent/CN105009448B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/16—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/489—A coil being added in the source circuit of a common source stage, e.g. as degeneration means
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/541—Transformer coupled at the output of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
    • H03G1/0052—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using diodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Abstract

公开了具有可配置源极退化电感并且具有良好性能的多输出放大器。在一示例性设计中，一装置(例如，无线设备或集成电路)包括用于放大器(500)的增益晶体管(534)和可配置退化电感器(520)。该增益晶体管(534)接收输入信号并提供经放大信号。该放大器(500)在第一操作模式中提供单个输出信号或者在第二操作模式中提供多个输出信号。该可配置退化电感器(520)被耦合到该增益晶体管(534)，并且在该第一操作模式中提供第一源极退化电感，或者在该第二操作模式中提供第二源极退化电感。第二源极退化电感小于第一源极退化电感，并且可以取决于第二操作模式中生成的输出信号的数目。

Description

具有多个输出和可配置退化电感器的放大器
相关申请的交叉引用
本申请要求共同拥有的于2013年2月22日提交的美国非临时专利申请No.13/775,036的优先权，该非临时申请的内容通过援引全部明确纳入于此。
领域
本公开一般涉及电子器件，尤其涉及放大器。
背景
无线通信系统中的无线设备(例如，蜂窝电话或智能电话)可以传送和接收数据以供双向通信。无线设备可包括用于数据传送的发射机以及用于数据接收的接收机。对于数据传送，发射机可用数据来调制射频(RF)载波信号以获得经调制信号，放大经调制信号以获得具有恰当发射功率电平的输出RF信号，并经由天线将该输出RF信号发射到基站。对于数据接收，接收机可经由天线获得收到RF信号并且可放大和处理该收到RF信号以恢复由基站发送的数据。
无线设备可支持载波聚集，其是多个载波上的同时操作。载波可指被用于通信的频率范围并且可与某些特性相关联。例如，载波可与描述该载波上的操作的系统信息相关联。载波也可被称为分量载波(CC)、频率信道、蜂窝小区等。期望无线设备高效地支持载波聚集。
附图简述
图1示出无线设备正与无线系统通信。
图2示出了载波聚集(CA)的各种示例。
图3示出了图1中的无线设备的框图。
图4示出了具有固定源极退化电感的单输入多输出(SIMO)低噪声放大器(LNA)的示意图。
图5A到5D示出具有可配置源极退化电感的SIMO LNA的四个示例性设计的示意图。
图6示出了具有可配置源极退化电感的多输入多输出(MIMO)LNA的示例性设计的示意图。
图7示出了用于执行放大的过程。
详细描述
以下阐述的详细描述旨在作为本公开的示例性设计的描述，而无意表示可在其中实践本公开的仅有设计。术语“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何设计不必被解释为优于或胜过其他设计。本详细描述包括具体细节以提供对本公开的示例性设计的透彻理解。对于本领域技术人员将明显的是，没有这些具体细节也可实践本文描述的示例性设计。在一些实例中，公知的结构和器件以框图形式示出以免湮没本文中给出的示例性设计的新颖性。
本文中公开了具有可配置源极退化电感并且具有改善的性能的多输出放大器。这些放大器可以被用以接收并发地发送到无线设备(例如，用于载波聚集)的多个所传送信号。这些放大器也可被用于各种电子设备，诸如无线通信设备(例如，蜂窝电话、智能电话等)、平板计算机、个人数字助理(PDA)、手持式设备、无线调制解调器、膝上型计算机、智能本、上网本、无绳电话、无线本地环路(WLL)站、蓝牙设备、消费电子设备、等等。为了清楚起见，下面描述具有可配置源极退化电感的放大器在无线通信设备中的使用。
图1示出了无线设备110正与无线通信系统120和122通信。每个无线系统可以是长期演进(LTE)系统、码分多址(CDMA)系统、全球移动通信(GSM)系统、无线局域网(WLAN)系统或其他某个无线系统。CDMA系统可实现宽带CDMA(WCDMA)、CDMA 1X、时分同步CDMA(TD-SCDMA)、或其他某个版本的CDMA。为简化起见，图1示出了包括两个基站130和132以及一个系统控制器140的无线系统120以及包括一个基站134的无线系统122。一般而言，无线系统可包括任何数目的基站以及任何网络实体集合。基站还可被称为B节点、演进型B节点(eNB)、接入点等。
无线设备110还可以被称为用户装备(UE)、移动站、终端、接入终端、订户单元、站等。无线设备110可以是蜂窝电话、智能电话、平板设备、无线调制解调器、个人数字助理(PDA)、手持式设备、膝上型计算机、智能本、上网本、无绳电话、无线本地环路(WLL)站、蓝牙设备、等等。无线设备110可与无线系统120和/或122通信。无线设备110还可接收来自广播站的信号、来自一个或多个全球导航卫星系统(GNSS)中的卫星(例如，卫星150)的信号、等等。无线设备110可以支持用于无线通信的一种或多种无线电技术，诸如LTE、WCDMA、CDMA1X、TD-SCDMA、GSM、802.11等等。
无线设备110可以能够在覆盖低于1000兆赫兹(MHz)的频率的低频带(LB)、覆盖从1000 MHz到2300 MHz的频率的中频带(MB)、和/或覆盖高于2300 MHz的频率的高频带(HB)中操作。例如，低频带可以覆盖698到960 MHz，中频带可以覆盖1475到2170 MHz，并且高频带可以覆盖2300到2690 MHz和3400到3800 MHz。低频带、中频带和高频带是指三群频带(或称频带群)，其中每个频带群包括数个频带(或简称为“带”)。每个频带可以覆盖至多达200MHz。LTE版本11支持35个频带，这些频带被称为LTE/UMTS频带并且在公众可获取的文档3GPP TS 36.101中列出。一般而言，可以定义任何数目个频带群。每个频带群可覆盖任何频率范围，这些频率范围可以与以上给出的频率范围中的任何范围相匹配或不相匹配。每个频带群可包括任何数目个频带。
无线设备110可以支持载波聚集，其是多个载波上的操作。载波聚集也可被称为多载波操作。载波可指被用于通信的频率范围并且可与某些特性相关联。例如，载波可与描述该载波上的操作的系统信息和/或控制信息相关联。载波也可被称为分量载波(CC)、频率信道、蜂窝小区等。频带可包括一个或多个载波。在LTE中每个载波可以覆盖至多达20 MHz。在LTE版本11中，无线设备110可以配置成具有在一个或两个频带中的至多达5个载波。
一般而言，载波聚集(CA)可以被分类为两种类型——带内CA和带间CA。带内CA是指同一频带内的多个载波上的操作。带间CA是指不同频带中的多个载波上的操作。
图2示出了无线设备110可以支持的各种CA情景。为了简单起见，图2示出了无线设备110配置成在一频带中仅有一个载波以用于带间CA。一般而言，无线设备110可配置成在给定频带内有一个或多个载波。
场景210覆盖了其中低频带中的频带X中的一个载波C1和中频带中的频带Y中的一个载波C2被配置成用于无线设备110的带间CA。场景220覆盖了其中中频带中的频带X中的一个载波C1和高频带中的频带Y中的一个载波C2被配置成用于无线设备110的带间CA。场景230覆盖了其中低频带中的频带X中的一个载波C1和高频带中的频带Y中的一个载波C2被配置成用于无线设备110的带间CA。
场景240覆盖了其中低频带中的频带X中的一个载波C1和也在低频带中的频带Y中的一个载波C2被配置成用于无线设备110的带间CA。场景250覆盖了其中中频带中的频带X中的一个载波C1和也在中频带中的频带Y中的一个载波C2被配置成用于无线设备110的带间CA。场景260覆盖了其中高频带中的频带X中的一个载波C1和也在高频带中的频带Y中的一个载波C2被配置成用于无线设备110的带间CA。
场景270覆盖了其中低频带、或中频带、或高频带中的频带X中的两个毗邻载波C1和C2被配置成用于无线设备110的毗连带内CA。场景280覆盖了其中低频带、或中频带、或高频带中的频带X中的两个非毗邻载波C1和C2被配置成用于无线设备110的非毗连带内CA。
图2示出了载波聚集的一些示例。对于频带和频带群的其他组合也可支持载波聚集。
无线设备110可以并发地在不同的频率接收多个所传送信号。这些多个所传送的信号可以由一个或多个基站以不同频率在多个载波上发送以供载波聚集。这些多个所传送的信号还可由不同的基站来发送以进行协调式多点(CoMP)传输、切换等。这些多个所传送的信号还可由不同无线系统中的基站来发送以用于并发服务，诸如语音/数据或数据/数据或语音/语音等。例如，无线设备110可支持双SIM/双待(DSDS)和/或双SIM/双通(DSDA)，并且能够并发地与多个无线系统(诸如TD-SCDMA和GSM系统、或LTE和GSM系统、或CDMA和GSM系统等)进行通信。
图3示出了图1中的无线设备110的示例性设计的框图。在这一示例性设计中，无线设备110包括耦合至主天线310的收发机320、耦合至副天线312的收发机322、以及数据处理器/控制器380。收发机320包括天线接口电路324、多(K)个LNA 330a到330k、接收电路340、发射电路350、和K个功率放大器(PA)360a到360k。收发机322包括天线接口电路326、多(M)个LNA 332a到332m、接收电路342、发射电路352、和M个PA 362a到362m。收发机320和322可支持多个频带、载波聚集、多种无线电技术、多个无线系统、接收分集、从多个发射天线到多个接收天线的MIMO传输等等，或者其任何组合。
对于数据接收，天线310接收来自基站和/或其他发射机站的信号并且向天线接口电路324提供收到RF信号，该天线接口电路向一个或多个所选LNA 330提供一个或多个输入RF信号。例如，天线接口电路324可(i)向用于带内CA的一个所选LNA提供一个输入RF信号，该输入RF信号包括同一频带中的多个载波上的多个所传送信号，或者(ii)向用于带间CA的两个LNA提供两个频带的两个输入RF信号。天线接口电路324可包括开关、双工器、共用器、发射滤波器、接收滤波器、匹配电路等。每个所选LNA 330放大其输入RF信号并且向接收电路340提供一个或多个经放大RF信号。接收电路340将每一个经放大RF信号从RF下变频到基带，对经下变频信号进行滤波和放大，并且将输入基带信号提供给数据处理器380。接收电路340可包括混频器、滤波器、放大器、匹配电路、振荡器、本地振荡器(LO)发生器、锁相环(PLL)等。
对于数据传送，数据处理器380处理(例如，编码和调制)要发射的数据，并且将一个或多个输出基带信号提供给发射电路350。发射电路350对各输出基带信号进行放大、滤波并将其从基带上变频至RF，以及将经调制的信号提供给所选PA 360。发射电路350可以将一个经调制信号提供给一个所选PA用于带内CA，或者将多个经调制信号提供给多个所选PA用于带间CA。发射电路350可包括放大器、滤波器、混频器、匹配电路、振荡器、LO发生器、PLL等等。每个所选PA 360放大其经调制信号，并且提供具有恰当发射功率电平的输出RF信号。输出RF信号被路由通过天线接口电路324并经由天线310来发射。
收发机322内的LNA 332、接收电路342、发射电路352和PA 362可以按与收发机320内的LNA 330、接收电路340、发射电路350和PA 360相类似的方式操作。收发机320和322还可包括图3中未示出的其他电路。收发机320和322的全部或部分可被实现在一个或多个模拟集成电路(IC)、RF IC(RFIC)、混合信号IC等上。例如，LNA 330和接收电路340可实现在一个模块上，该模块可以是RFIC等。收发机320和322中的这些电路也可按其他方式来实现。
数据处理器/控制器380可为无线设备110执行各种功能。例如，数据处理器380可对经由接收机电路340和342接收到的数据以及经由发射电路350和352传送的数据执行处理。控制器380可以控制收发机320和322内的各种电路的操作。存储器382可存储供数据处理器/控制器380使用的程序代码和数据。数据处理器/控制器380可以实现在一个或多个专用集成电路(ASIC)和/或其他IC上。
图3示出了具有耦合到两个天线310和312的两个收发机320和322的无线设备110的示例性设计。一般而言，无线设备可以包括用于任何数目的天线的任何数目的收发机。每个收发机可包括任何数目的LNA和任何数目的PA以支持任何数目的频带、任何数目的无线系统、任何数目的无线电技术等。
图3中的LNA 330和332可以是多输出LNA。多输出LNA是具有一个或多个输入和多个输出的放大器。多输出LNA可以是(i)包括单个输入和多个输出的SIMO LNA，或者(ii)包括多个输入和多个输出的MIMO LNA。多输出LNA可以被用以接收被并发地发送到无线设备的多个所传送信号。多输出LNA可按各种方式来实现。下面描述多输出LNA的一些示例性电路设计。多输出LNA也可用各种类型的晶体管来实现。以下描述了用N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管来实现的多输出LNA一些示例性电路设计。
图4示出了SIMO LNA 400的示例性设计的示意图。在图4所示的示例性设计中，LNA400包括源极衰退电感器432、增益晶体管434、以及两个共源共栅晶体管436和438。输入匹配电路412使其输入接收输入RF信号(RFin)，并且其输出耦合到增益晶体管434的栅极。增益晶体管434使其源极耦合电感器432的一端，并且其漏极耦合到共源共栅晶体管436和438的源极。电感器432的另一端耦合到电路接地。共源共栅晶体管436使其栅极接收第一控制信号(Ven1)，并且使其漏极耦合到负载电路480。共源共栅晶体管438使其栅极接收第二控制信号(Ven1)，并且使其漏极耦合到负载电路490。增益晶体管434以及共源共栅晶体管436和438可用NMOS晶体管(如图4所示)或使用其他类型的晶体管来实现。
在图4中所示的示例性设计中，负载电路480包括变压器482，变压器482包括初级线圈484和次级线圈486。初级线圈484耦合在共源共栅晶体管436的漏极与电源(VDD)之间。次级线圈486向第一下变频器(图4中未示出)提供第一差分输出RF信号。负载电路490包括具有以下组件的变压器492：(i)耦合在共源共栅晶体管438的漏极与VDD电源之间的初级线圈494，以及(ii)向第二下变频器(图4中未示出)提供第二差分输出RF信号的次级线圈496。
在LNA 400内，增益晶体管434放大RFin信号并且提供经放大的信号。当被启用时，共源共栅晶体管436缓冲此经放大的信号并且驱动负载电路480，该负载电路480提供第一差分输出RF信号到第一下变频器(未在图4中示出)。当被启用时，共源共栅晶体管438缓冲此经放大的信号并且驱动负载电路490，该负载电路490提供第二差分输出RF信号到第二下变频器(也未在图4中示出)。源极退化电感器432执行数种功能。首先，电感器432启用LNA400以获取好的动态范围(例如，好的噪声系数)，并且以低功耗来为接收机达成高灵敏度。其次，电感器432帮助进行对LNA 400的输入匹配。
SIMO LNA 400在任何给定时刻可按单输出模式或多输出模式操作。在单输出模式中，SIMO LNA 400接收包括至少一个所传送信号(例如，在一个载波集上)的输入RF信号并将一个输出RF信号(例如，Rfout1或Rfout2)提供给一个下变频器。一个共源共栅晶体管436或438被启用以提供一个输出RF信号，而另一共源共栅晶体管被禁用。下变频器可以用恰适频率的LO信号将输出RF信号下变频。在多输出模式中，SIMO LNA 400接收包括至少两个所传送信号(例如，在两个载波集上)的输入RF信号并将两个输出RF信号提供给两个下变频器(例如，每一载波集一个输出RF信号)。两个共源共栅晶体管436或438被启用以提供两个输出RF信号。每个下变频器可以用其恰适频率的LO信号将其输出RF信号下变频。
在单输出模式中(此时LNA 400仅提供一个输出RF信号)，增益晶体管434可以用偏置电流Ib来被偏置。Ib可以被选择来为LNA 400在单输出模式中获取期望的增益和动态范围。在多输出模式中，增益晶体管434可以用偏置电流2*Ib来被偏置从而在LNA 400提供两个输出RF信号时获取类似的动态范围。然而，将偏置电流加倍到2*Ib相对于单输出模式中具有偏置电流Ib的LNA 400的增益来说，减小了多输出模式中LNA 400的增益。可能期望在单输出模式和多输出模式中有相似的增益，从而(i)对于接收机中的电路来说具有一组设计权衡(例如，关于噪声、线性度、功耗等)并且(ii)简化接收机编程。进一步，加倍偏置电流会使得LNA 400在多输出模式中(例如，此时相同的输入匹配电路被用于单输出模式和多输出模式二者)的输入匹配降级。可能需要更加复杂的输入匹配电路412(例如，包括多个电路组件)以在多输出模式中获取LNA 400的良好输入匹配。
在本公开的一方面，多输出LNA可包括在多输出模式中能维持该LNA的增益、动态范围和输入匹配的可配置退化电感器。在多输出模式中该LNA可被施加更高偏置电流，从而维持与在单输出模式中相似的动态范围。在多输出模式中该LNA的增益可以因为此较高偏置电流而被减小。在多输出模式中该退化电感器可以被减小，从而推升该LNA的增益。在多输出模式中，减小该退化电感器也可以改善LNA的输入匹配。
一般而言，可配置退化电感器是包括用以使得增益晶体管退化并且具有可变电感的至少一个电感器的电路。退化电感器也可以被称为源极退化电感器、发射极退化电感器等。可配置退化电感器也可被称为可编程退化电感器、可变退化电感器、可调节退化电感器等等。
图5A示出了具有可配置源极退化电感的SIMO LNA 500的示例性设计的示意图。LNA 500可被用于图3中的LNA 330和332中的任一个。在图5A所示的示例性设计中，LNA 500包括可配置退化电感器520、增益晶体管534以及两个共源共栅晶体管536和538。输入匹配电路512使其输入接收输入RF信号(RFin)，并且其输出耦合到增益晶体管534的栅极。增益晶体管534使其源极耦合到可配置退化电感器520的一端，并且其漏极耦合到共源共栅晶体管536和538的源极。可配置退化电感器520被进一步耦合到电路接地。共源共栅晶体管536使其栅极接收第一控制信号(Ven1)，并且使其漏极耦合到负载电路580。共源共栅晶体管538使其栅极接收第二控制信号(Ven2)，并且使其漏极耦合到负载电路590。增益晶体管534以及共源共栅晶体管536和538可以用NMOS晶体管(如图5A中所示)或使用其他类型的晶体管来实现。
在图5A所示的示例性设计中，源极退化电感器520包括并联耦合的两个电感器522和524。电感器522使其一端耦合到增益晶体管534的源极，并且使另一端耦合到电路接地。电感器524使其一端耦合到增益晶体管534的源极，并且使另一端耦合到晶体管526的漏极。晶体管526使其源极耦合到电路接地并且其栅极接收模式控制信号(Mode)。电感器524和晶体管526串联耦合，并且该串联组合与电感器522并联耦合。晶体管526作为开关来操作，该开关可以(i)被闭合以将电感器524与电感器522并联耦合，或者(ii)被断开以将电感器524从与电感器522的并联组合断开连接。
LNA 500还可以用其他方式来实现。在另一个示例性设计中，LNA可包括并联耦合的且使其栅极接收输入RF信号的两个增益晶体管。第一增益晶体管可使其源极耦合到可配置退化电感器，如图5A中所示。第二增益晶体管可使其源极直接耦合到电路接地。第一增益晶体管或第二增益晶体管中的任一者可被选择。在另一示例性设计中，LNA可包括耦合在LNA的输出与输入之间的反馈电路。该反馈电路可包括电阻器、电容器、晶体管、其他某个电路组件、或其组合。该反馈电路可有助于输入匹配并且还可增进该LNA的线性度。
在另一示例性设计中，LNA可包括替代每个共源共栅晶体管的共源共栅电路。该共源共栅电路可包括(i)耦合在增益晶体管的漏极与中间节点之间的第一共源共栅晶体管，(ii)耦合在该中间节点与该LNA的输出之间的第二共源共栅晶体管，以及(iii)耦合在该中间节点与电路接地之间的分流晶体管。当该共源共栅电路被启用时，第一和第二共源共栅晶体管可以被导通以经由LNA输出提供输出RF信号，并且该分流晶体管可以被截止。当该共源共栅电路被禁用时，第一和第二共源共栅晶体管可以被截止以在LNA输出处不提供输出RF信号，并且该分流晶体管可以被导通以将该中间节点拉至电路接地并提供LNA输出与增益晶体管之间更好的隔离。当相同的负载电路被一个或多个LNA中的多个增益晶体管重用时，尤其期望有较好的隔离。
在图5A中所示的示例性设计中，负载电路580包括变压器582，变压器582包括初级线圈584和次级线圈586。初级线圈584耦合在共源共栅晶体管536与VDD电源之间。次级线圈586向第一下变频器(图5A中未示出)提供第一差分输出RF信号。负载电路590包括具有以下组件的变压器592：(i)耦合在共源共栅晶体管538与VDD电源之间的初级线圈594，以及(ii)向第二下变频器(图5A中未示出)提供第二差分输出RF信号的次级线圈596。
负载电路580和590也可按其他方式来实现。在另一示例性设计中，负载电路可包括耦合在VDD电源与共源共栅晶体管的漏极之间的电感器以及可能还有电容器。共源共栅晶体管536和538可以在其漏极处提供输出RF信号。在还有另一示例性设计中，负载电路可包括使其源极耦合到VDD电源并且使其漏极耦合到共源共栅晶体管(例如，共源共栅晶体管536或538)的漏极的P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。该PMOS晶体管可为该共源共栅晶体管提供有源负载。
为了简明起见，图5A示出了包括两个共源共栅晶体管536和538的SIMOLNA 500，这两个共源共栅电路536和538用以向至多两个负载电路580和590提供至多两个输出RF信号，例如用于正被并发地接收以用于载波聚集的至多两个载波集。一般而言，SIMO LNA可包括耦合到N个负载电路以提供至多N个输出RF信号的N个共源共栅晶体管，其中N可以是大于一的任何整数值。
SIMO LNA 500在任何给定时刻可按单输出模式或多输出模式操作。在单输出模式中，LNA 500接收包括至少一个所传送信号(例如，在一个载波集上)的输入RF信号并经由一个共源共栅晶体管536或538将一个输出RF信号提供给一个下变频器电路。在多输出模式中，LNA 500接收包括至少两个所传送信号(例如，在两个载波集上)的输入RF信号并经由两个共源共栅晶体管536和538将两个输出RF信号提供给两个下变频器电路(例如，每一载波集一个输出RF信号)。
在一示例性设计中，增益晶体管534可以(i)在单输出模式中被施加标称偏置电流Ib1，或者(ii)在多输出模式中被施加更高偏置电流Ib2，其中Ib2>Ib1。标称偏置电流可以被选择以在单输出模式中为LNA 500获取期望的动态范围。在多输出模式中，更高偏置电流可以被选择来为LNA 500获取期望的动态范围。例如，在多输出模式中，更高偏置电流可以被选择来为LNA500获取与单输出模式中相似的动态范围。更高偏置电流可以是标称电流的两倍(例如，Ib2＝2*Ib1)、或者标称偏置电流的某个其他整数或非整数倍(例如，Ib2＝m*Ib1,其中m>1)。
在一示例性设计中，LNA 500可以(i)在单输出模式中用标称源退化电感L1来操作，或者(ii)在多输出模式中用较小源极退化电感L2来操作，其中L2＜L1。在单输出模式中，晶体管526可以经由模式(Mode)信号上的低电压来被截止，仅有电感器522可被耦合在增益晶体管534的源极与电路接地之间，电感器524可以从电路接地被断开连接，并且电感器522可以提供标称源极退化电感。在多输出模式中，晶体管526可以经由Mode信号上的高电压来被导通，电感器522和524二者可以被耦合在增益晶体管534的源极与电路接地之间，并且电感器522和524的并联组合可以提供较小源极退化电感。电感器522可以被设计成在单输出模式中提供期望的源极退化电感L1。电感器522与524的并联组合可以被设计成在多输出模式中提供期望的源极退化电感L2。电感L2可以是电感L1的将近一半或者L1的某个其他分数。
在一示例性设计中，LNA 500可以支持单输出模式和/或多输出模式中的多个增益设置。例如，可在多输出模式中支持高增益设置和低增益设置。高增益设置可以通过使晶体管526导通来被用于以较小源极退化电感获取较高增益。低增益设置可以通过使晶体管526截止来被用于以较大源极退化电感获取较低增益。不同增益也可通过改变增益晶体管534的偏置电流而在每种模式的每种增益设置中得到支持。
一般而言，对LNA的输入匹配可以用有源电路(例如，包括一个或多个晶体管)或无源电路(例如，包括一个或多个电阻器、电感器、电容器等)来达成。可能期望仅使用一个电路组件(例如，一个电感器)来进行输入匹配从而减小成本、功耗和电路面积。也可能期望对单输出模式和多输出模式二者中的输入匹配使用相同电路组件(例如，相同电感器)。
在图5A中的示例性设计中，输入匹配电路512包括耦合在输入匹配电路512的输入与输出之间的电感器514。单个电路组件(例如，仅电感器514)可能足以在单输出模式和多输出模式二者中为LNA 500获取良好的输入匹配。电感器514可以被设计成在单输出模式中以对增益晶体管534的最小偏置电流Ib1和由电感器522提供的标称源极退化电感L1来提供良好的输入匹配。在多输出模式中，LNA 500与电感器514的输入匹配可能由于对增益晶体管534的较高偏置电流Ib2而降级。然而，在多输出模式中使用较小源极退化电感L2可以改善LNA 500与电感器514的输入匹配。一般而言，电感器514可以被设计成在单输出模式和多输出模式二者中基于对每种模式使用的偏置电流和源极退化电感来获取良好的输入匹配。
输入匹配电路512也可用其他方式来实现。例如，输入匹配电路512可以包括耦合在输入与电路接地之间的分流电容器、或者耦合在输出与电路接地之间的分流电容器、或者耦合在增益晶体管534的栅极与源极之间的电容器、或者用其他方式耦合的某个其他电路组件、或者以上的组合。每个电容器可以是固定电容器或者可配置电容器。可配置电容器可以用可变电容器(变抗器)来实现，其具有能用模拟电压来改变的电容。可配置电容器也可以用一组可切换电容器来实现，其中每个可切换电容器包括与至少一个开关串联耦合的电容器。每个可切换电容器可通过闭合(诸)串联开关来被选择或者通过断开(诸)串联开关来被取消选择。
图5B示出了具有可配置源极退化电感的SIMO LNA 502的示例性设计的示意图。LNA 502也可被用于图3中的LNA 330和332中的任一个。在图5B中所示的示例性设计中，LNA502包括图5A中的LNA 500中的所有电路组件，除了图5A中的LNA 500中的可配置退化电感器520用图5B中的LNA 502的可配置退化电感器521代替。
在图5B中所示的示例性设计中，源极退化电感器521包括串联耦合的两个电感器523和525。电感器523使其一端耦合到增益晶体管534的源极，并且使另一端耦合到节点X。电感器525的使其一端耦合到节点X并且另一端耦合到电路接地。晶体管527使其源极耦合到电路接地，并且使其栅极接收模式控制信号(Mode)，并且使其漏极耦合到节点X。电感器525和晶体管527并联耦合，并且该并联组合与电感器523串联耦合。晶体管527作为开关来操作，该开关可以(i)被断开以将电感器525与电感器523串联耦合，或者(ii)被闭合以短路电感器525并将电感器523耦合到电路接地。一般而言，源极退化电感可以包括串联耦合的任何数目的电感器以及耦合到这些电感器的任何数目的开关。两个以上电感器和一个以上开关可被用以获取两个以上不同源极退化电感值，这对于两个以上负载电路来说是期望的。不同数目的RFout信号或不同组合的RFout信号可以与不同源极退化电感值相关联。
SIMO LNA 502在任何给定时刻可按单输出模式或多输出模式操作。LNA 502可以(i)在单输出模式中以标称源极退化电感以及(ii)在多输出模式中以较小的源极退化电感来操作。在单输出模式中，晶体管527可以经由Mode信号上的低电压来被截止，电感器523和525二者可以被串联耦合并且耦合在在增益晶体管534的源极与电路接地之间，并且电感器523和525的串联组合可以提供标称源极电感。在多输出模式中，晶体管527可以经由Mode信号上的高电压来被导通，电感器525可由晶体管527短路，仅有电感器523可被耦合在增益晶体管534的源极与电路接地之间，并且电感器523可以提供较小的源极电感。电感器523可以被设计成在多输出模式中提供期望的源极退化电感L2。电感器523和525的串联组合可以被设计成在单输出模式中提供期望的源极退化电感L1，其中L1>L2。电感L1可以是电感L2的大约两倍或者是L1的某个其他整数或非整数倍。
图5C示出了具有可配置源极退化电感的SIMO LNA 504的示例性设计的示意图。LNA 504也可被用于图3中的LNA 330和332中的任一个。在图5C所示的示例性设计中，LNA504包括图5A中的LNA 500中的所有电路组件。LNA 504进一步包括第二增益晶体管544、第二可配置退化晶体管550以及共源共栅晶体管546和548。增益晶体管544使其栅极耦合到输入匹配电路512的输出，其源极耦合到可配置退化电感器550，并且其漏极耦合到共源共栅晶体管546和548的源极。可配置退化电感器550被进一步耦合到电路接地。共源共栅晶体管546使其栅极接收第三控制信号(Ven3)，并且使其漏极耦合到负载电路580。共源共栅晶体管548使其栅极接收第四控制信号(Ven4)，并且使其漏极耦合到负载电路590。
在图5C中所示的示例性设计中，源极退化电感器550包括并联耦合的两个电感器552和554。电感器552使其一端耦合到增益晶体管544的源极，并且使另一端耦合到电路接地。电感器554使其一端耦合到增益晶体管544的源极，并且使另一端耦合到晶体管556的漏极。晶体管556使其源极耦合到电路接地并且其栅极接收Mode信号。电感器554和晶体管556被串联耦合，并且该串联组合与电感器552并联耦合。晶体管556作为开关来操作，该开关可以(i)被闭合以将电感器554与电感器552并联耦合，或者(ii)被断开以将电感器554从与电感器552的并联组合断开连接。
在图5C中所示的示例性设计中，每个增益晶体管被耦合到单独的可配置退化电感器。在另一示例性设计中，一个增益晶体管(例如，增益晶体管534)可以被耦合到可配置退化电感器，并且另一增益晶体管可以被耦合到固定电感器。在还有另一示例性设计中，一个增益晶体管(例如，增益晶体管534)可以被耦合到可配置退化电感器，并且另一共源共栅晶体管可以被直接耦合到电路接地。
SIMO LNA 504在任何给定时刻可按单输出模式或多输出模式操作。在单输出模式的一个示例性设计中，增益晶体管534和544两者可被启用，并且两个共源共栅晶体管可以被启用。共源共栅电路536和546可被启用以生成给负载电路580的第一输出RF信号(RFout1)，并且共源共栅晶体管538和548可被禁用。替换地，共源共栅晶体管538和548可被启用以生成给负载电路590的第二输出RF信号(RFout2)，并且共源共栅晶体管536和546可被禁用。在另一示例性设计中，可以启用一个增益晶体管534或544，并且可以启用一个共源共栅晶体管。对于这两个示例性设计，可以为被启用的每个增益晶体管选择合适的源极退化电感器，从而为LNA 504获取单输出模式中期望的动态范围、增益，以及输入匹配。
在多输出模式中，可启用增益晶体管534和544二者。共源共栅晶体管536和546可被启用以分别生成给负载电路580和590的RFout1和RFout2，并且共源共栅晶体管538和546可被禁用。替换地，所有四个共源共栅晶体管536、538、546和548可以被启用。可以为每个增益晶体管选择合适的源极退化电感器，从而为LNA 504获取多输出模式中期望的动态范围、增益、以及输入匹配。
在图5C所示的示例性设计中，通过使输入RF信号被施加到驱动共源共栅晶体管536、538、546和548的两个增益晶体管534和544，该输入RF信号在“栅极”级被拆分。与之形成对比的是，在图5A和图5B所示的示例性设计中，通过使输入RF信号被施加到驱动两个共源共栅晶体管536和538单个增益晶体管，该输入RF信号在“共源共栅”级被拆分。在栅极级拆分输入RF信号(如图5C所示)可提供比在共源共栅级拆分输入RF信号(如图5A和5B中所示)更佳的性能。栅极级拆分的情况下的更佳性能可包括更佳增益、更低的噪声指数、增进的线性度、更佳的隔离以减少下变频器的漏泄LO信号的耦合，等等。
图5D示出了具有可配置源极退化电感的SIMO LNA 506的示例性设计的示意图。LNA 506也可被用于图3中的LNA 330和332中的任一个。在图5D中所示的示例性设计中，LNA506包括图5C中的LNA 504中的除了可配置退化电感器550以外的所有电路组件，该可配置退化电感器550在LNA 506中被省略。增益晶体管534和544使其源极耦合在一起并且耦合到可配置退化电感器520，该可配置退化电感器520进一步耦合到电路接地。
SIMO LNA 506在任何给定时刻可按单输出模式或多输出模式操作。如以上对图5C所描述的，可以为每个模式启用一个或多个增益晶体管以及一个或多个共源共栅晶体管。在单输出模式中，仅有电感器522可被选择，并且电感器524可以通过使晶体管526截止来被断开连接。在多输出模式中，电感器522和524两者可以通过使晶体管526导通来被选择。电感器522可被设计成为LNA 506提供单输出模式中期望的增益、动态范围和输入匹配。电感器522和524可被设计成为LNA 506提供多输出模式中期望的增益、动态范围和输入匹配。
图5A到5D示出具有可配置源极退化电感的SIMO LNA的四个示例性设计。具有可配置源极退化电感的SIMO LNA也可以用其他方式来实现。在另一示例性设计中，SIMO LNA可包括转向共源共栅晶体管538或548(而不是如图5C所示地包括转向共源共栅晶体管538和548两者)。在又一示例性设计中，SIMO LNA可以包括各自使其源极耦合到电路接地(而不是耦合到源极衰退电感器)的一个或多个增益晶体管。在又一示例性设计中，SIMO LNA可包括耦合在LNA的输入与输出之间的反馈电路。该反馈电路可包括电阻器、电容器、晶体管、其他某个电路组件、或其组合。反馈电路可有助于输入匹配并且还可增进LNA的线性度。
图6示出了具有可配置源极退化电感的MIMO LNA 600的示例性设计的示意图。LNA600可被用于图3中的LNA 330和332中的任一个。在图6中所示的示例性设计中，LNA 600包括图5C中的LNA 504中的所有电路组件。然而，增益晶体管534和544并未如在LNA 504中那样被耦合在一起。相反，增益晶体管534使其栅极耦合到输入匹配电路512，该输入匹配电路512接收第一输入RF信号(RFin1)。输入匹配电路512可以为LNA 600执行针对第一频带的输入匹配。增益晶体管544使其栅极耦合到输入匹配电路516，该输入匹配电路516接收第二输入RF信号(Rfin2)。输入匹配电路516可以包括耦合在电路516的输入与输出之间的电感器518，并且可以为LNA 600执行针对第二频带的输入匹配。LNA 600由此可支持带内CA以及带间CA。
MIMO LNA 600在任何给定时刻可按单输出模式、SIMO模式或MIMO模式操作。在单输出模式中，一个输入RF信号(例如，RFin1或RFin2)可以由一个增益晶体管(例如，增益晶体管534或544)放大，并且由一个共源共栅晶体管(例如，共源共栅晶体管536、538、546或548)缓冲以获取给一个负载电路(例如，负载电路580或590)的一个输出RF信号(例如，RFout1或RFout2)。在SIMO模式中，一个输入RF信号(例如，RFin1或RFin2)可以由一个增益晶体管(例如，增益晶体管534或544)放大，并且由两个共源共栅晶体管(例如，共源共栅晶体管536和538或共源共栅晶体管546和548)缓冲以获取给两个负载电路(例如，负载电路580和590)的两个输出RF信号(例如，RFout1和RFout2)。在MIMO模式中，两个输入RF信号(例如，RFin1和RFin2)可以由两个增益晶体管(例如，增益晶体管534和544)放大，并且由两个共源共栅晶体管(例如，共源共栅晶体管536和546或共源共栅晶体管538和548)缓冲以获取给两个负载电路(例如，负载电路580和590)的两个输出RF信号(例如，RFout1和RFout2)。
可配置退化电感器520和550可以被操作以在单输出模式、SIMO模式以及MIMO模式中提供良好的性能。当增益晶体管534在单输出模式或MIMO模式中被启用时，可配置退化电感器520可被设置(例如，通过使晶体管526截止)成使得电感器522提供标称源极退化电感。当增益晶体管534在SIMO模式中被启用时，可配置退化电感器520可被设置(例如，通过使晶体管526导通)成使得电感器522和524提供较小源极退化电感。类似地，当增益晶体管544在单输出模式或MIMO模式中被启用时，可配置退化电感器550可被设置(例如，通过使晶体管556截止)成使得电感器552提供标称源极退化电感。当增益晶体管544在SIMO模式中被启用时，可配置退化电感器550可被设置(例如，通过使晶体管556导通)成使得电感器552和554提供较小源极退化电感。
图6示出了具有可配置源极退化电感的MIMO LNA的示例性设计。具有可配置源极退化电感的MIMO LNA也可以用其他方式来实现。在另一示例性设计中，MIMO LNA可以包括使其栅极耦合在一起以得到每个输入RF信号的多个增益晶体管(例如，如图5C或5D中所示)。每个增益晶体管可以被耦合到单独的可配置退化电感器(例如，如图5C中所示)。替换地，多个增益晶体管可以使其源极被耦合在一起并且耦合到共同的可配置退化电感器(例如，如图5D中所示)。每个增益晶体管可以经由一个或多个共源共栅晶体管被耦合到一个或多个负载电路。在又一示例性设计中，MIMO LNA可包括耦合在LNA的输入与输出之间的反馈电路。该反馈电路可包括电阻器、电容器、晶体管、其他某个电路组件、或其组合。
图6示出了具有接收两个输入RF信号的两个输入和耦合到两个负载电路的两个输出的MIMO LNA的示例性设计。一般而言，MIMO LNA可以包括任何数目的输入和任何数目的输出。输入匹配电路可以被耦合到每个LNA输入，并且可以为感兴趣的特定频带执行输入匹配。每个LNA输入也可以被耦合到一个或多个增益晶体管，这些增益晶体管可以使其栅极耦合在一起。每个增益晶体管可以经由一个或多个共源共栅晶体管被耦合到一个或多个LNA输出。增益晶体管可以被耦合到单独的可配置退化电感器。替换地，多个增益晶体管(例如，用于相同LNA输入)可以使其源极耦合在一起并且耦合到共同的可配置退化电感器。
图5A到6示出了其中两个独立的源极退化电感被耦合到增益晶体管的源极的示例性设计。在另一示例性设计中，被耦合到增益晶体管的源极的两个电感器(例如，图5A中的电感器522和524)可以被磁耦合并且可以具有耦合系数k，其可以在0到1的范围内，或即0≤k≤1。耦合系数k可以取决于这两个电感器的实现(例如，布局、摆放和间隔)。由于这两个电感器之间的磁耦合所产生的互感M可以被表达为其中L1和L2是这两个电感器的电感。增益晶体管的源极退化电感可以取决于此互感。
图5A到6示出了接收单端输入RF信号并且提供单端输出RF信号的单端LNA的示例性设计。也可以实现具有可配置源极退化电感的差分LNA。例如，图5A中的LNA 500的电路可以被复制。该电路的一个副本可以接收非反相输入RF信号并且提供一个或多个反相输出RF信号。该电路的另一副本可以接收反相输入RF信号并且提供一个或多个非反相输出RF信号。具有可配置源极退化电感的差分LNA也可以用其他方式来实现。
本文中描述的具有可配置源极退化电感的多输出放大器(例如，多输出LNA)可以提供各种益处。首先，多输出放大器可以被用以接收并发地从一个或多个无线系统中的一个或多个基站发送的多个所传送信号，例如用于载波聚集、CoMP、并发服务等。其次，多输出放大器可以在单输出模式和多输出模式二者中提供良好的性能(例如，良好的动态范围、增益、输入匹配等)。第三，多输出放大器的输入匹配可以被简化，例如以单个电路组件(诸如图5A和5B中所示的串联电感器)来被简化。简化的输入匹配有实现可能是因为作为在多输出模式中用较高偏置电流来减小源极退化电感的结果，使得多输出放大器在输入阻抗方面具有较小变动。简化的输入匹配可导致较低成本、较小电路面积等等。第四，多输出放大器可以被设计并且配置成在单输出模式和多输出模式中具有相似增益，例如，而不必在多输出模式中消耗更多电池功率。单输出模式和多输出模式二者有相似增益可导致在这两个模式中有相似灵敏度并且通过使基带电路对这两个模式具有一个设置而具有降低的复杂度。
可配置退化电感器可以使得多输出放大器在单输出模式和多输出模式二者中获取良好的动态范围、高增益和良好的输入匹配。可配置退化电感器还可允许使用单个电路组件(例如，图5A和5B中的电感器514)进行该多输出放大器的输入匹配。减小用于输入匹配的电路组件的数目可以是高度期望的，以便减少成本、电路面积等等。
在一示例性设计中，一种装置(例如，无线设备、IC、电路模块等)可包括用于放大器的增益晶体管和可配置退化电感器。该增益晶体管(例如，图5A到5D中的增益晶体管534)可接收输入信号并提供经放大信号。该放大器可以在第一操作模式(例如，单输出模式)中提供单个输出信号，或者在第二操作模式(例如，多输出模式)中提供多个输出信号。该可配置退化电感器(例如图5A中的可配置退化电感器520或图5B中的可配置退化电感器521)可以被耦合到增益晶体管，并且可以在第一操作模式中提供第一源极退化电感或者在第二操作模式中提供第二源极退化电感。第二源极退化电感可以小于第一源极退化电感，并且可以取决于在第二操作模式中生成的输出信号的数目。例如，若在第二操作模式中生成两个输出信号，则第二源极退化电感可以是第一源极退化电感的大约一半。
在图5A所示的示例性设计中，可配置退化电感器可包括耦合在增益晶体管与电路接地之间的第一电感器(例如，电感器522)、耦合在该增益晶体管与中间节点之间的第二电感器(例如，电感器524)、以及耦合在该中间节点与电路接地之间的分流晶体管(例如，晶体管526)。在图5B所示的另一示例性设计中，可配置退化电感器可包括耦合在该增益晶体管与中间节点之间的第一电感器(例如，电感器523)、耦合在该中间节点与电路接地之间的第二电感器(例如，电感器525)、以及耦合在该中间节点与电路接地之间的分流晶体管(例如，晶体管527)。可配置退化电感器也可基于其他电路设计用其他方式实现。
在一示例性设计中，该装置可以进一步包括第一和第二共源共栅晶体管。第一共源共栅晶体管(例如，图5A和5B中的共源共栅晶体管536)可以被耦合到增益晶体管并且可以接收经放大的信号并且提供第一输出信号。第二共源共栅晶体管(例如，图5A和5B中的共源共栅晶体管538)也可以被耦合到增益晶体管并且可以接收经放大的信号并且提供第二输出信号。在第一操作模式中，第一和第二共源共栅晶体管之一可以被启用以提供单个输出信号。在第二操作模式中，第一和第二共源共栅晶体管二者可以被启用以提供两个输出信号。一般而言，多个共源共栅晶体管可以被耦合到增益晶体管并且可以接收经放大的信号并在第一操作模式中提供单个输出信号或者在第二操作模式中提供多个输出信号。该多个共源共栅晶体管可以包括第一和第二共源共栅晶体管并且有可能包括附加的共源共栅晶体管。
在另一示例性设计中，该装置可进一步包括第二增益晶体管以及第三、第四共源共栅电路，例如针对图5C或5D中所示的SIMO LNA。第二增益晶体管(例如，图5C或5D中的增益晶体管544)可接收输入信号并提供第二经放大信号。第一和第二增益晶体管可以由此接收相同输入信号。第三和第四共源共栅晶体管(例如，共源共栅晶体管546和548)可以被耦合到第二增益晶体管。第一到第四共源共栅晶体管可以在第一操作模式中提供单个输出信号或者在第二操作模式中提供多个输出信号。一般而言，第二多个共源共栅晶体管可以被耦合到第二增益晶体管并且可以接收第二经放大信号。耦合到增益晶体管的该多个共源共栅晶体管和耦合到第二增益晶体管的第二多个共源共栅晶体管可以在第一操作模式中提供单个输出信号或者在第二操作模式中提供多个输出信号。
在一示例性设计中，增益晶体管和第二增益晶体管可以使其源极耦合在一起并且耦合到可配置退化电感器，例如，如图5C中所示。在另一示例性设计中，第二增益晶体管可以被耦合到第二可配置退化电感器(例如，图5C中的可配置退化电感器550)，其可以在第一操作模式中提供第三源极退化电感或者在第二操作模式中提供第四源极退化电感。
在另一示例性设计中，该装置可进一步包括第二增益晶体管、第三和第四共源共栅晶体管、以及第二可配置退化电感器，例如针对图6中的MIMO LNA。第二增益晶体管(例如，图6中的增益晶体管544)可接收第二输入信号并提供第二经放大信号。该增益晶体管和第二增益晶体管可以由此接收不同输入信号，例如，如图6中所示。第三和第四共源共栅晶体管(例如，图6中的共源共栅晶体管546和548)可以被耦合到第二增益晶体管。第一到第四共源共栅晶体管可以在第一操作模式中提供单个输出信号或者在第二操作模式中提供多个输出信号。第二可配置退化电感器(例如，图6中的可配置退化电感器550)可以被耦合到第二增益晶体管并可以在第一操作模式中提供第三源极退化电感或者在第二操作模式中提供第四源极退化电感。一般而言，第二多个共源共栅晶体管可以被耦合到第二增益晶体管并且可以接收第二经放大信号。耦合到接收输入信号的增益晶体管的该多个共源共栅晶体管和耦合到接收第二输入信号的第二增益晶体管的该第二多个共源共栅晶体管可以在第一操作模式中提供单个输出信号或者在第二操作模式中提供多个输出信号。
在一示例性设计中，该增益晶体管可以在第一操作模式中被施加第一偏置电流，或者在第二操作模式中被施加第二偏置电流。第二偏置电流可以大于第一偏置电流，并且可以取决于在第二操作模式中生成的输出信号的数目。例如，若在第二操作模式中生成两个输出信号，则第二偏置电流可以是第一偏置电流的大约两倍。在一示例性设计中，第一和第二偏置电流可以是固定偏置电流。在另一示例性设计中，第一偏置电流可以是可调节的以在第一操作模式中获取第一可变增益和/或第二偏置电流可以是可调节以在第二操作模式中获取第二可变增益。
在一示例性设计中，该装置可进一步包括耦合到该增益晶体管的输入匹配电路(例如，图5A和5B中的输入匹配电路512)。该输入匹配电路可以接收输入RF信号并且向该增益晶体管提供该输入信号。在一示例性设计中，该输入匹配电路可仅包括耦合在该输入匹配电路的输入与输出之间的电感器(例如，电感器514)。在其他示例性设计中，该输入匹配电路可以包括用于放大器的输入匹配的一个或多个附加电路组件(例如，一个或多个电容器、电感器和/或电阻器)。
图7示出了用于执行放大的过程700的示例性设计。输入信号可以在第一操作模式中基于第一源极退化电感来被放大或者在第二操作模式中基于第二源极退化电感来被放大以获取经放大的信号(框712)。第二源极退化电感可以小于第一源极退化电感。基于经放大的信号，可在第一操作模式中生成单个输出信号，或者可在第二操作模式中生成多个输出信号(框714)。第一源极退化电感可以基于第一电感器(例如，图5A中的电感器522)或者基于第三电感器和第四电感器(例如，图5B中的电感器523和525)的串联组合来提供(框716)。第二源极退化电感可以基于第一电感器和第二电感器(例如，图5A中的电感器522和524)的并联组合或者基于第三电感器(例如，图5B中的电感器523)来提供(框718)。可以在第一操作模式中施加第一偏置电流(框720)。可以在第二操作模式中施加大于第一偏置电流的第二偏置电流(框722)。
在一示例性设计中，对于MIMO放大器，可以在第一操作模式中基于第三源极退化电感来放大第二输入信号，或者可以在第二操作模式中基于第四源极退化电感来放大第二输入信号以获取第二经放大的信号。基于此经放大的信号和/或第二经放大的信号，可以在第一操作模式中生成单个输出信号，或者可以在第二操作模式中生成多个输出信号。
本文中描述的具有可配置源极退化电感的多输出放大器可实现在IC、模拟IC、RFIC、混合信号IC、ASIC、印刷电路板(PCB)、电子设备等上。这些放大器也可以用各种IC工艺技术来制造，诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)、N沟道MOS(NMOS)、P沟道MOS(PMOS)、双极型结型晶体管(BJT)、双极型CMOS(BiCMOS)、硅锗(SiGe)、砷化镓(GaAs)、异质结双极型晶体管(HBT)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、绝缘体上覆硅(SOI)等。
实现本文中所描述的放大器的设备可以是自立设备或者可以是较大设备的一部分。设备可以是(i)自立的IC，(ii)具有一个或多个IC的集合，其可包括用于存储数据和/或指令的存储器IC，(iii)RFIC，诸如RF接收机(RFR)或RF发射机/接收机(RTR)，(iv)ASIC，诸如移动站调制解调器(MSM)，(v)可嵌入在其他设备内的模块，(vi)接收机、蜂窝电话、无线设备、手持机、或者移动单元，(vii)其他等等。
在一个或多个示例性设计中，所描述的功能可以在硬件、软件、固件、或其任何组合中实现。如果在软件中实现，则各功能可以作为一条或多条指令或代码存储在计算机可读介质上或藉其进行传送。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质两者，包括促成计算机程序从一地向另一地转移的任何介质。存储介质可以是能被计算机访问的任何可用介质。作为示例而非限定，这样的计算机可读介质可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储、磁盘存储或其它磁存储设备、或能被用来携带或存储指令或数据结构形式的期望程序代码且能被计算机访问的任何其它介质。任何连接也被正当地称为计算机可读介质。例如，如果软件是使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术从web网站、服务器、或其它远程源传送而来，则该同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术就被包括在介质的定义之中。如本文中所使用的盘(disk)和碟(disc)包括压缩碟(CD)、激光碟、光碟、数字多用碟(DVD)、软盘和蓝光碟，其中盘(disk)往往以磁的方式再现数据，而碟(disc)用激光以光学方式再现数据。上述的组合应当也被包括在计算机可读介质的范围内。
提供对本公开的先前描述是为使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对于本领域技术人员将是显而易见的，并且本文中定义的普适原理可被应用于其他变形而不会脱离本公开的范围。由此，本公开并非旨在被限定于本文中所描述的示例和设计，而是应被授予与本文中所公开的原理和新颖性特征相一致的最广范围。

Claims (20)

1.一种电子装置，包括：
放大器的增益晶体管，所述增益晶体管配置成接收输入信号并提供经放大的信号，所述放大器配置成基于第一操作模式提供单个输出信号并且基于第二操作模式提供多个输出信号；
可配置退化电感器，其耦合到所述增益晶体管并且配置成基于所述第一操作模式提供第一源极退化电感并且基于所述第二操作模式提供第二源极退化电感；
第一晶体管，其耦合到所述增益晶体管；以及
第二晶体管，其耦合到所述增益晶体管。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二源极退化电感小于所述第一源极退化电感。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述可配置退化电感器包括：
耦合在第一节点与接地之间的第一电感器，所述第一节点耦合到所述增益晶体管；
耦合在所述第一节点与第二节点之间的第二电感器；以及
耦合在所述第二节点与接地之间的分流晶体管。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述可配置退化电感器包括：
耦合在所述增益晶体管与特定节点之间的第一电感器；
耦合在所述特定节点与电路接地之间的第二电感器；以及
耦合在所述特定节点与接地之间的分流晶体管。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于：
所述第一晶体管配置成接收所述经放大的信号并提供第一输出信号；并且
其中所述第二晶体管配置成接收所述经放大的信号并提供第二输出信号。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管之一配置成基于所述第一操作模式被启用，并且其中所述第一晶体管和所述第二晶体管配置成基于所述第二操作模式被启用。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，进一步包括：
配置成接收所述输入信号的第二增益晶体管；
耦合到所述第二增益晶体管的第三晶体管；以及
耦合到所述第二增益晶体管的第四晶体管，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管中的一者配置成基于所述第一操作模式提供所述单个输出信号，并且其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管中的至少两者配置成基于所述第二操作模式提供所述多个输出信号。
8.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述增益晶体管的第一源极和所述第二增益晶体管的第二源极耦合在一起并且耦合到所述可配置退化电感器。
9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，进一步包括：
配置成接收第二输入信号的第二增益晶体管；
耦合到所述第二增益晶体管的第三晶体管；
耦合到所述第二增益晶体管的第四晶体管，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管中的一者配置成基于所述第一操作模式提供所述单个输出信号，并且其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管中的至少两者配置成基于所述第二操作模式提供所述多个输出信号；以及
第二可配置退化电感器，其耦合到所述第二增益晶体管并且配置成基于所述第一操作模式提供第三源极退化电感并且基于所述第二操作模式提供第四源极退化电感。
10.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述增益晶体管配置成基于所述第一操作模式被第一偏置电流偏置，并且基于所述第二操作模式被第二偏置电流偏置，所述第二偏置电流超过所述第一偏置电流。
11.如权利要求10所述的电子装置，其特征在于，所述增益晶体管的第一可变增益基于所述第一偏置电流，其中所述增益晶体管的第二可变增益基于所述第二偏置电流，并且其中所述第一偏置电流、第二偏置电流、或以上两者是可调节的。
12.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，进一步包括：
输入匹配电路，其耦合到所述增益晶体管并且配置成接收输入射频(RF)信号并向所述增益晶体管提供所述输入RF信号。
13.如权利要求12所述的电子装置，其特征在于，所述输入匹配电路包括耦合在所述输入匹配电路的输入与所述输入匹配电路的输出之间的电感器。
14.一种信号放大的方法，包括：
基于第一操作模式，基于第一源极退化电感来放大输入信号并且生成单个输出信号；以及
基于第二操作模式，基于第二源极退化电感来放大所述输入信号并且生成多个输出信号。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包括：
经由第一电感器提供所述第一源极退化电感；以及
经由所述第一电感器与第二电感器的并联组合来提供所述第二源极退化电感。
16.如权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包括：
经由第一电感器和第二电感器的串联组合来提供所述第一源极退化电感；以及
经由所述第一电感器提供所述第二源极退化电感。
17.如权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包括：
基于所述第一操作模式，基于第三源极退化电感来放大第二输入信号以提供第二经放大信号；以及
基于所述第二操作模式，基于第四源极退化电感来放大所述第二输入信号以提供第二经放大信号；
其中，所述单个输出信号、或者所述多个输出信号中的至少一个输出信号是基于所述第二经放大信号的。
18.一种电子设备，包括：
用于放大输入信号以提供经放大信号的装置；
用于基于第一操作模式提供第一源极退化电感并且用于基于第二操作模式提供第二源极退化电感的装置；
用于基于所述经放大信号来选择性地提供第一输出信号的装置，所述用于选择性地提供所述第一输出信号的装置耦合到所述用于放大的装置；以及
用于基于所述经放大的信号来选择性地提供第二输出信号的装置，所述用于选择性地提供所述第二输出信号的装置耦合到所述用于放大的装置。
19.如权利要求18所述的电子设备，其特征在于：
用于提供所述第一源极退化电感并且用于提供所述第二源极退化电感的装置包括：
用于提供耦合在第一节点和接地之间的第一电感的装置，所述第一节点耦合到所述用于放大所述输入信号的装置；
用于提供耦合在所述第一节点和第二节点之间的第二电感的装置；以及
用于将所述第二节点分流到接地的装置。
20.如权利要求18所述的电子设备，其特征在于，进一步包括：
用于放大第二输入信号以提供第二经放大信号的装置；以及
用于基于所述第一操作模式提供第三源极退化电感并且用于基于所述第二操作模式提供第四源极退化电感的装置。
CN201480009765.XA 2013-02-22 2014-02-10 具有多个输出和可配置退化电感器的放大器 Active CN105009448B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/775,036 2013-02-22
US13/775,036 US9059665B2 (en) 2013-02-22 2013-02-22 Amplifiers with multiple outputs and configurable degeneration inductor
PCT/US2014/015560 WO2014130284A1 (en) 2013-02-22 2014-02-10 Amplifiers with multiple outputs and configurable degeneration inductor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105009448A CN105009448A (zh) 2015-10-28
CN105009448B true CN105009448B (zh) 2017-11-03

Family

ID=50156965

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480009765.XA Active CN105009448B (zh) 2013-02-22 2014-02-10 具有多个输出和可配置退化电感器的放大器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9059665B2 (zh)
EP (1) EP2959578B1 (zh)
JP (1) JP6046279B2 (zh)
KR (1) KR101672356B1 (zh)
CN (1) CN105009448B (zh)
WO (1) WO2014130284A1 (zh)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9184707B2 (en) * 2013-01-17 2015-11-10 Qualcomm Incorporated Amplifier with switchable common gate gain buffer
US20140328436A1 (en) * 2013-05-03 2014-11-06 Nvidia Corporation Receiver front-end architecture for carrier aggregation
US9407215B2 (en) * 2013-05-10 2016-08-02 Skyworks Solutions, Inc. Circuits and methods related to low-noise amplifiers having improved linearity
CA3182302A1 (en) 2013-10-15 2015-04-23 Autonomix Medical, Inc. Systems and methods for treating cancer and/or augmenting organ function
US10136944B2 (en) 2013-10-15 2018-11-27 Autonomix Medical, Inc. Systems and methods for treating cancer and/or augmenting organ function
US9479131B2 (en) 2014-05-23 2016-10-25 Qualcomm Incorporated Carrier aggregation amplifier with dual gain control
US9369097B2 (en) * 2014-09-05 2016-06-14 Qualcomm Incorporated Multi-band low noise amplifier
US9431963B2 (en) * 2014-09-19 2016-08-30 Qualcomm Incorporated Dual stage low noise amplifier for multiband receiver
US9362988B2 (en) * 2014-10-28 2016-06-07 Qualcomm Incorporated WWAN and WLAN cooperative support of multi-SIM devices
US9853614B2 (en) 2014-12-04 2017-12-26 Qualcomm Incorporated Amplifier with triple-coupled inductors
US10009201B2 (en) * 2015-01-13 2018-06-26 Samsung Electronics Co., Ltd Receiver and wireless terminal for signal processing
US10177722B2 (en) 2016-01-12 2019-01-08 Qualcomm Incorporated Carrier aggregation low-noise amplifier with tunable integrated power splitter
US9973149B2 (en) 2016-07-15 2018-05-15 Psemi Corporation Source switched split LNA
CN109845098B (zh) * 2016-08-31 2024-02-13 天工方案公司 具有退化开关块和低损耗旁路功能的多输入放大器
US10396714B2 (en) * 2016-09-23 2019-08-27 Qorvo Us, Inc. Reconfigurable low-noise amplifier (LNA)
US9866184B1 (en) * 2016-09-28 2018-01-09 International Business Machines Corporation Degenerated transimpedance amplifier with wire-bonded photodiode for reducing group delay distortion
US9800273B1 (en) 2017-03-01 2017-10-24 Qualcomm Incorporated Wideband high linearity LNA with intra-band carrier aggregation support
CN106936399B (zh) * 2017-03-03 2019-01-29 东南大学 一种低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器
US10038418B1 (en) 2017-04-04 2018-07-31 Psemi Corporation Optimized multi gain LNA enabling low current and high linearity including highly linear active bypass
US11881828B2 (en) 2017-04-04 2024-01-23 Psemi Corporation Tunable effective inductance for multi-gain LNA with inductive source degeneration
US10447242B2 (en) * 2017-05-24 2019-10-15 Skyworks Solutions, Inc. Signal switching systems and modules and devices using same
US10110166B1 (en) * 2017-06-07 2018-10-23 Psemi Corporation LNA with variable gain and switched degeneration inductor
US10381991B1 (en) 2018-02-02 2019-08-13 Psemi Corporation Drain sharing split LNA
KR102468797B1 (ko) * 2018-04-04 2022-11-18 삼성전자주식회사 반송파 집성을 지원하기 위한 증폭 동작을 수행하는 rf 집적회로 및 이를 포함하는 수신기
US10727894B2 (en) * 2018-04-30 2020-07-28 Skyworks Solutions, Inc. Front end systems with switched termination for enhanced intermodulation distortion performance
US20200091876A1 (en) * 2018-09-19 2020-03-19 Psemi Corporation Compact Architecture for Multipath Low Noise Amplifier
CN109474242A (zh) * 2018-09-26 2019-03-15 安徽矽芯微电子科技有限公司 一种毫米波低噪声放大器电路
TWI672903B (zh) 2018-10-03 2019-09-21 立積電子股份有限公司 放大器電路
US10951252B2 (en) * 2019-01-08 2021-03-16 Psemi Corporation 5G NR configurable wideband RF front-end LNA
US10700650B1 (en) 2019-01-08 2020-06-30 Psemi Corporation Configurable wideband split LNA
CN113366759A (zh) * 2019-01-08 2021-09-07 派赛公司 可配置的宽带分裂lna
US11283409B2 (en) 2019-08-30 2022-03-22 Qualcomm Incorporated Signal combiner
JP2021118380A (ja) * 2020-01-22 2021-08-10 株式会社村田製作所 増幅回路
TWI703803B (zh) * 2020-03-04 2020-09-01 崑山科技大學 高電壓增益轉換器
US11159191B1 (en) 2020-09-11 2021-10-26 Apple Inc. Wireless amplifier circuitry for carrier aggregation
CN112564647B (zh) * 2021-02-20 2021-05-25 广州慧智微电子有限公司 一种功率放大器及功率放大方法、存储介质
US20220393650A1 (en) * 2021-06-02 2022-12-08 Psemi Corporation Wideband Multi Gain LNA Architecture
US11539382B1 (en) 2021-10-19 2022-12-27 Psemi Corporation Supporting wideband inputs on RF receivers
US20240007060A1 (en) * 2022-06-30 2024-01-04 Psemi Corporation Wideband Coupled Input Impedance Matching LNA Architecture

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101375504A (zh) * 2006-01-24 2009-02-25 英国福威科技有限公司 低噪声放大器
CN101454971A (zh) * 2006-05-24 2009-06-10 特克特朗尼克公司 可用于信号采集探针的模式选择放大器电路
CN101924524A (zh) * 2010-08-25 2010-12-22 复旦大学 一种带有片上有源Balun的差分CMOS多模低噪声放大器
EP2456068B1 (en) * 2010-11-22 2013-06-19 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Low-noise amplifier with impedance boosting circuit

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6498926B1 (en) * 1997-12-09 2002-12-24 Qualcomm Incorporated Programmable linear receiver having a variable IIP3 point
JP2003324343A (ja) 2002-04-30 2003-11-14 Lucent Technol Inc 集積回路
KR100587566B1 (ko) 2004-10-04 2006-06-08 삼성전자주식회사 가변 이득 증폭기
US7276976B2 (en) 2004-12-02 2007-10-02 Electronics And Telecommunications Research Institute Triple cascode power amplifier of inner parallel configuration with dynamic gate bias technique
US7443241B2 (en) 2005-11-28 2008-10-28 Via Technologies Inc. RF variable gain amplifier
JP4354465B2 (ja) 2006-03-24 2009-10-28 シャープ株式会社 可変利得増幅器及びこの可変利得増幅器を備えた通信装置
US7463093B2 (en) 2007-03-16 2008-12-09 Intel Corporation Variable gain amplifier
US7702296B2 (en) 2007-08-01 2010-04-20 Mediatek Usa Inc. Transmit/receive switch
KR100952666B1 (ko) * 2008-02-01 2010-04-13 (주)에프씨아이 커패시터 피드백을 이용한 재구성 가능 저잡음 증폭기
JP2009200958A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 増幅器
US8514015B2 (en) * 2008-12-10 2013-08-20 Qualcomm, Incorporated Amplifier with programmable off voltage
US7944290B2 (en) 2009-01-26 2011-05-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Trans-impedance amplifier
US8022772B2 (en) 2009-03-19 2011-09-20 Qualcomm Incorporated Cascode amplifier with protection circuitry
US8031005B2 (en) 2009-03-23 2011-10-04 Qualcomm, Incorporated Amplifier supporting multiple gain modes
US8175566B2 (en) 2009-06-04 2012-05-08 Qualcomm, Incorporated Multiple multi-mode low-noise amplifier receiver with shared degenerative inductors
US8102213B2 (en) 2009-07-23 2012-01-24 Qualcomm, Incorporated Multi-mode low noise amplifier with transformer source degeneration
US8310312B2 (en) 2009-08-11 2012-11-13 Qualcomm, Incorporated Amplifiers with improved linearity and noise performance
US8918057B2 (en) 2010-07-26 2014-12-23 Mediatek Inc. Intelligent transmission antenna selection method and communications apparatus utilizing the same
US8310314B2 (en) * 2010-09-06 2012-11-13 Mediatek Inc. Signal amplification circuits for receiving/transmitting signals according to input signal
JP5672975B2 (ja) 2010-11-01 2015-02-18 富士通セミコンダクター株式会社 可変利得増幅器
US8378748B2 (en) * 2011-05-19 2013-02-19 Renesas Mobile Corporation Amplifier
US20130043946A1 (en) * 2011-08-16 2013-02-21 Qualcomm Incorporated Low noise amplifiers with combined outputs

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101375504A (zh) * 2006-01-24 2009-02-25 英国福威科技有限公司 低噪声放大器
CN101454971A (zh) * 2006-05-24 2009-06-10 特克特朗尼克公司 可用于信号采集探针的模式选择放大器电路
CN101924524A (zh) * 2010-08-25 2010-12-22 复旦大学 一种带有片上有源Balun的差分CMOS多模低噪声放大器
EP2456068B1 (en) * 2010-11-22 2013-06-19 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Low-noise amplifier with impedance boosting circuit

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014130284A1 (en) 2014-08-28
US9059665B2 (en) 2015-06-16
EP2959578A1 (en) 2015-12-30
KR101672356B1 (ko) 2016-11-03
EP2959578B1 (en) 2020-02-05
CN105009448A (zh) 2015-10-28
JP6046279B2 (ja) 2016-12-14
JP2016508702A (ja) 2016-03-22
KR20150119413A (ko) 2015-10-23
US20140240048A1 (en) 2014-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105009448B (zh) 具有多个输出和可配置退化电感器的放大器
CN105009447B (zh) 具有电感衰退、可配置增益和输入匹配的放大器
CN104937838B (zh) 具有改进隔离的放大器
CN105075114B (zh) 具有改进的线性度的分路式放大器
CN105103442B (zh) 具有经助推或经制推的源极退化电感的放大器
CN104937836B (zh) 每输出有独立增益控制的单输入多输出放大器
US9837968B2 (en) Amplifier circuits
CN105409116B (zh) 具有可配置的相互耦合的源极退化电感器的放大器
CN104798299B (zh) 全频带放大器
JP6224293B1 (ja) マルチバンド受信機のための２段低雑音増幅器
CN106982032B (zh) 用于载波聚集的具有基于变压器的信号分路的低噪声放大器
CN103733522A (zh) 具有组合输出的低噪声放大器
CN107148749A (zh) 变压器反馈放大器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant