JP6224293B1 - マルチバンド受信機のための2段低雑音増幅器 - Google Patents
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Abstract
Description
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1] 第1段増幅電圧モード信号を出力するために、それぞれ、複数の第1段出力ポートを有する、複数の第1段増幅器と、
それぞれ、複数の第2段入力ポートと、増幅電流モード信号を出力するための第2段出力ポートとを有する、複数の第2段増幅器と、
前記第1段出力ポートに結合された入力端子と、前記第2段入力ポートに結合された出力端子とを有するスイッチ装置と、前記スイッチ装置が、選択された第1段出力ポートを選択された第2段入力ポートに結合するように構成される、
を備える、装置。
[C2] 前記スイッチ装置が、制御信号に応答して動作可能である、C1に記載の装置。
[C3] 前記スイッチ装置が、複数のスイッチを備え、前記制御信号が、それぞれ、前記複数のスイッチに結合された複数の制御信号を備える、C2に記載の装置。
[C4] 前記複数のスイッチの各々が、前記制御信号によって独立して制御される複数の独立して制御可能なスイッチデバイスを備える、C3に記載の装置。
[C5] 前記制御信号を生成するためのコントローラをさらに備える、C2に記載の装置。
[C6] 各第2段増幅器が、電圧信号を受信し、増幅電流モード信号を生成するように構成された、C1に記載の装置。
[C7] 各第2段出力ポートが、トランスフォーマ出力を有するトランスフォーマに結合された、C1に記載の装置。
[C8] 前記第1段出力ポートが、前記第2段出力ポートと前記トランスフォーマとの間の電流モード信号経路よりも長い電圧モード信号経路によって前記第2段入力ポートに結合された、C7に記載の装置。
[C9] 各トランスフォーマ出力が、復調器に結合された、C7に記載の装置。
[C10] 各復調器が、選択されたキャリア周波数を復調するために同調される、C9に記載の装置。
[C11] 前記第1段増幅器と前記第2段増幅器とが、インバータ増幅器を備える、C1に記載の装置。
[C12] 前記第1段増幅器と前記スイッチ装置とが、第1の集積回路上に形成され、前記第2段増幅器が、第2の集積回路上に形成された、C1に記載の装置。
[C13] 前記第1段増幅器が、第1の集積回路上に形成され、前記スイッチ装置と前記第2段増幅器とが、第2の集積回路上に形成された、C1に記載の装置。
[C14] 複数の整合回路をさらに備え、各整合回路が、選択されたアンテナに結合された入力ポートと、選択された第1段増幅器の入力ポートに接続された出力ポートとを有する、C1に記載の装置。
[C15] 前記第1段増幅器が、1つまたは複数のキャリア信号を有する信号バンドを増幅するためのバンド中心増幅器として動作し、各第2段増幅器が、それぞれのキャリア信号を増幅するためのキャリア中心増幅器として動作する、C1に記載の装置。
[C16] 前記複数の第1段増幅器が、増幅されるべき各バンドについて1つの第1段増幅器を備え、前記複数の第2段増幅器が、増幅されるべき各キャリア信号について1つの第2段増幅器を備える、C1に記載の装置。
[C17] 前記スイッチ装置が、前記第2段入力ポートの各々を前記第1段出力ポートのすべてに接続するために、前記制御信号に応答して動作可能である、C1に記載の装置。
[C18] 1つまたは複数のアンテナ信号を増幅するための手段と、増幅するための前記手段が、増幅信号を出力するための複数の出力ポートを有する、
複数の入力ポートにおいて受信された信号を増幅するための手段と、
選択された出力ポートを選択された入力ポートに選択的に結合するための手段と
を備える、装置。
[C19] 選択的に結合するための前記手段が、前記入力ポートの各々をすべての前記出力ポートに結合する、C18に記載の装置。
[C20] 選択的に結合するための前記手段が、制御信号に応答して動作するように構成された、C18に記載の装置。
Claims (20)
- 第1段増幅電圧モード信号を出力するために、それぞれ、複数の第1段出力ポートを有する、複数の第1段増幅器と、
それぞれ、複数の第2段入力ポートと、増幅電流モード信号を出力するための第2段出力ポートとを有する、複数の第2段増幅器と、
前記第1段出力ポートに結合された入力端子と、前記第2段入力ポートに結合された出力端子とを有するスイッチ装置と、前記スイッチ装置が、選択された第1段出力ポートを選択された第2段入力ポートに結合するように構成される、
を備え、
ここにおいて、前記スイッチ装置は、前記複数の第1段出力ポートのうちの少なくとも1つが、前記複数の第2段入力ポートの複数の入力ポートのうちのいずれかに選択的に結合され得るように構成される、
装置。 - 前記スイッチ装置が、制御信号に応答して動作可能である、請求項1に記載の装置。
- 前記スイッチ装置が、複数のスイッチを備え、前記制御信号が、それぞれ、前記複数のスイッチに結合された複数の制御信号を備える、請求項2に記載の装置。
- 前記複数のスイッチの各々が、前記制御信号によって独立して制御される複数の独立して制御可能なスイッチデバイスを備える、請求項3に記載の装置。
- 前記制御信号を生成するためのコントローラをさらに備える、請求項2に記載の装置。
- 各第2段増幅器が、電圧信号を受信し、増幅電流モード信号を生成するように構成された、請求項1に記載の装置。
- 各第2段出力ポートが、トランスフォーマ出力を有するトランスフォーマに結合された、請求項1に記載の装置。
- 前記第1段出力ポートが、前記第2段出力ポートと前記トランスフォーマとの間の電流モード信号経路よりも長い電圧モード信号経路によって前記第2段入力ポートに結合された、請求項7に記載の装置。
- 各トランスフォーマ出力が、復調器に結合された、請求項7に記載の装置。
- 各復調器が、選択されたキャリア周波数を復調するために同調される、請求項9に記載の装置。
- 前記第1段増幅器と前記第2段増幅器とが、インバータ増幅器を備える、請求項1に記載の装置。
- 前記第1段増幅器と前記スイッチ装置とが、第1の集積回路上に形成され、前記第2段増幅器が、第2の集積回路上に形成された、請求項1に記載の装置。
- 前記第1段増幅器が、第1の集積回路上に形成され、前記スイッチ装置と前記第2段増幅器とが、第2の集積回路上に形成された、請求項1に記載の装置。
- 複数の整合回路をさらに備え、各整合回路が、選択されたアンテナに結合された入力ポートと、選択された第1段増幅器の入力ポートに接続された出力ポートとを有する、請求項1に記載の装置。
- 前記第1段増幅器が、1つまたは複数のキャリア信号を有する信号バンドを増幅するためのバンド中心増幅器として動作し、各第2段増幅器が、それぞれのキャリア信号を増幅するためのキャリア中心増幅器として動作する、請求項1に記載の装置。
- 前記複数の第1段増幅器が、増幅されるべき各信号バンドについて1つの第1段増幅器を備え、前記複数の第2段増幅器が、増幅されるべき各キャリア信号について1つの第2段増幅器を備える、請求項1に記載の装置。
- 前記スイッチ装置が、前記第2段入力ポートの各々を前記第1段出力ポートのすべてに接続するために、前記制御信号に応答して動作可能である、請求項2に記載の装置。
- 1つまたは複数の信号を増幅するための第1の手段と、増幅するための前記第1の手段が、1つまたは複数の増幅電圧モード信号を出力するための複数の第1段出力ポートを有する、
複数の第2段入力ポートにおいて受信された1つまたは複数の電圧モード信号を増幅し、1つまたは複数の電流モード信号を出力するための第2の手段と、
選択された第1段出力ポートを選択された第2段入力ポートに選択的に結合するための手段と
を備え、
選択的に結合するための前記手段は、前記複数の第1段出力ポートのうちの少なくとも1つを、前記複数の第2段入力ポートの複数の入力ポートのうちのいずれかに選択的に結合するための手段を備える、
装置。 - 選択的に結合するための前記手段が、前記第1段入力ポートの各々をすべての前記第2段出力ポートに結合する、請求項18に記載の装置。
- 選択的に結合するための前記手段が、制御信号に応答して動作するように構成された、請求項18に記載の装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11277158B2 (en) | 2020-03-17 | 2022-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6386312B2 (ja) * | 2014-09-09 | 2018-09-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US9431963B2 (en) | 2014-09-19 | 2016-08-30 | Qualcomm Incorporated | Dual stage low noise amplifier for multiband receiver |
US9843291B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-12-12 | Qualcomm Incorporated | Cascaded switch between pluralities of LNAS |
US9755678B2 (en) | 2015-12-01 | 2017-09-05 | Analog Devices Global | Low noise transconductance amplifiers |
US10177722B2 (en) | 2016-01-12 | 2019-01-08 | Qualcomm Incorporated | Carrier aggregation low-noise amplifier with tunable integrated power splitter |
US10700658B2 (en) * | 2016-02-19 | 2020-06-30 | Psemi Corporation | Adaptive tuning networks with direct mapped multiple channel filter tuning |
US10122332B2 (en) | 2016-12-14 | 2018-11-06 | Qualcomm Incorporated | Low-noise amplifier with integrated wideband transformer-based power splitter |
JP6779842B2 (ja) * | 2016-12-14 | 2020-11-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9767888B1 (en) * | 2016-12-30 | 2017-09-19 | Cadence Design Systems, Inc. | Methods and devices for high-sensitivity memory interface receiver |
US10491182B2 (en) | 2017-10-12 | 2019-11-26 | Ethertronics, Inc. | RF signal aggregator and antenna system implementing the same |
KR20190041896A (ko) * | 2017-10-13 | 2019-04-23 | 삼성전자주식회사 | 빔포밍 기능을 지원하기 위한 저잡음 증폭기 및 이를 포함하는 수신기 |
US10715091B2 (en) * | 2017-10-13 | 2020-07-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Low-noise amplifier supporting beam-forming function and receiver including the same |
CN108322191B (zh) * | 2018-02-06 | 2022-03-25 | 广州慧智微电子股份有限公司 | 一种多频段低噪声放大器及放大方法 |
CN108336976B (zh) * | 2018-02-07 | 2023-08-01 | 广州慧智微电子股份有限公司 | 一种多频段低噪声放大器及放大方法 |
CN110351769A (zh) * | 2018-04-02 | 2019-10-18 | 南京邮电大学 | 一种双反相器结构的宽带低噪声放大器电路 |
US10326484B1 (en) * | 2018-06-06 | 2019-06-18 | Psemi Corporation | Reconfigurable carrier aggregation FECC with switched filters and programmable band switching LNA |
CN214069909U (zh) | 2018-06-11 | 2021-08-27 | 株式会社村田制作所 | 高频模块和通信装置 |
TWI670930B (zh) | 2018-12-18 | 2019-09-01 | 財團法人工業技術研究院 | 無線接收裝置 |
JP2020167445A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 株式会社村田製作所 | フロントエンド回路および通信装置 |
US20230142523A1 (en) * | 2021-11-11 | 2023-05-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Low noise amplifier and receiver |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5239685A (en) * | 1991-10-08 | 1993-08-24 | Qualcomm Incorporated | Process for fabricating a MMIC hybrid device and a transceiver fabricated thereby |
US5758269A (en) * | 1995-03-30 | 1998-05-26 | Lucent Technologies Inc. | High-efficient configurable power amplifier for use in a portable unit |
US7327775B1 (en) * | 1999-12-23 | 2008-02-05 | Nokia Corporation | CDMA receiver |
US6980601B2 (en) * | 2000-11-17 | 2005-12-27 | Broadcom Corporation | Rate adaptation and parameter optimization for multi-band single carrier transmission |
US7218029B2 (en) * | 2001-05-22 | 2007-05-15 | Texas Instruments Incorporated | Adjustable compensation of a piezo drive amplifier depending on mode and number of elements driven |
US7538609B2 (en) * | 2007-01-26 | 2009-05-26 | Infineon Technologies Ag | Amplifier, transmitter arrangement having an amplifier and method for amplifying a signal |
EP2131492B1 (en) * | 2007-01-30 | 2012-07-18 | Renesas Electronics Corporation | Rf amplification device |
US8260212B2 (en) * | 2009-05-19 | 2012-09-04 | Broadcom Corporation | Method and system for a reconfigurable filter that is utilized by a RF transmitter and a RF receiver which are integrated on a single substrate |
CN101674052A (zh) | 2009-09-23 | 2010-03-17 | 京信通信系统(中国)有限公司 | 用于塔顶放大器的分级旁路电路及其控制方法 |
US8195102B2 (en) | 2010-06-02 | 2012-06-05 | Nxp B.V. | System and method for transmitting a baseband real signal with a non-constant envelope using a polar transmitter |
US8417196B2 (en) * | 2010-06-07 | 2013-04-09 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and method for directional coupling |
US8428533B2 (en) * | 2010-06-08 | 2013-04-23 | Qualcomm, Incorporated | Techniques for optimizing gain or noise figure of an RF receiver |
US9178669B2 (en) | 2011-05-17 | 2015-11-03 | Qualcomm Incorporated | Non-adjacent carrier aggregation architecture |
US9252827B2 (en) * | 2011-06-27 | 2016-02-02 | Qualcomm Incorporated | Signal splitting carrier aggregation receiver architecture |
GB201119888D0 (en) | 2011-11-17 | 2011-12-28 | Renesas Mobile Corp | Methods of receiving and receivers |
US9362958B2 (en) | 2012-03-02 | 2016-06-07 | Qualcomm Incorporated | Single chip signal splitting carrier aggregation receiver architecture |
US9154356B2 (en) | 2012-05-25 | 2015-10-06 | Qualcomm Incorporated | Low noise amplifiers for carrier aggregation |
US9300420B2 (en) | 2012-09-11 | 2016-03-29 | Qualcomm Incorporated | Carrier aggregation receiver architecture |
US9543903B2 (en) | 2012-10-22 | 2017-01-10 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with noise splitting |
JP5982259B2 (ja) * | 2012-11-06 | 2016-08-31 | Kddi株式会社 | 低雑音増幅器、及び無線通信装置 |
US9603187B2 (en) | 2012-11-14 | 2017-03-21 | Qualcomm Incorporated | Omni-band amplifiers |
US9548709B2 (en) | 2012-12-19 | 2017-01-17 | Qualcomm Incorporated | Independent gain control for multiple receive circuits concurrently processing different transmitted signals |
US8903343B2 (en) | 2013-01-25 | 2014-12-02 | Qualcomm Incorporated | Single-input multiple-output amplifiers with independent gain control per output |
US8975968B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-03-10 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with improved isolation |
US9059665B2 (en) | 2013-02-22 | 2015-06-16 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with multiple outputs and configurable degeneration inductor |
US9106185B2 (en) | 2013-03-11 | 2015-08-11 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with inductive degeneration and configurable gain and input matching |
US9035697B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-05-19 | Qualcomm Incorporated | Split amplifiers with improved linearity |
US9124228B2 (en) | 2013-04-04 | 2015-09-01 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with boosted or deboosted source degeneration inductance |
US10840805B2 (en) * | 2013-09-24 | 2020-11-17 | Eta Devices, Inc. | Integrated power supply and modulator for radio frequency power amplifiers |
US9425832B2 (en) | 2014-01-16 | 2016-08-23 | Qualcomm Incorporated | Inter carrier-aggregation isolation in a receiver |
US9271239B2 (en) | 2014-02-14 | 2016-02-23 | Qualcomm Incorporated | Current-efficient low noise amplifier (LNA) |
US9326171B2 (en) | 2014-03-10 | 2016-04-26 | Qualcomm Incorporated | Enhancing data throughput using multiple receivers |
US20160036392A1 (en) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | Qualcomm Incorporated | Dual-band amplifier |
US20160079946A1 (en) * | 2014-09-12 | 2016-03-17 | Qualcomm Incorporated | Multi-band low noise amplifier with a shared degeneration inductor |
US9431963B2 (en) | 2014-09-19 | 2016-08-30 | Qualcomm Incorporated | Dual stage low noise amplifier for multiband receiver |
US9628023B2 (en) * | 2015-02-20 | 2017-04-18 | Analog Devices, Inc. | Apparatus and methods for multi-mode low noise amplifiers |
-
2014
- 2014-09-19 US US14/491,833 patent/US9431963B2/en active Active
-
2015
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-
2016
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11277158B2 (en) | 2020-03-17 | 2022-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
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