TWI670930B - 無線接收裝置 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供了一種無線接收裝置。上述無線接收裝置包括一被動式混頻器，以及一共閘極放大器。被動式混頻器接收一振盪頻率。共閘極放大器耦接上述被動式混頻器，且根據上述振盪頻率自動調整對應其之一輸入阻抗。

Description

無線接收裝置
本揭露說明書主要係有關於一無線接收裝置技術，特別係有關於藉由一共閘極放大器根據振盪頻率自動調整輸入阻抗之無線接收裝置技術。
在無線接收裝置之技術中，若要使得無線接收裝置能夠操作在不同頻帶，需要在無線接收裝置配置額外的元件，才能使得無線接收裝置能夠操作在不同頻帶，例如：配置複數低噪音放大器（low-noise amplifier ，LNA），或是配置額外接收器路徑等。因此，在無線接收裝置之製程上將會需要較大的面積。此外，上述操作在多頻帶之無線接收裝置之架構若操作在毫米波頻帶(例如：第五代信動通訊(5G)或無線千兆聯盟(Wireless Gigabit Alliance，WiGig)所制定之毫米波頻帶上，將會造成非常高的雜訊指數。
有鑑於上述先前技術之問題，本揭露提供了一無線接收裝置技術，特別係有關於藉由一共閘極放大器根據振盪頻率自動調整輸入阻抗之無線接收裝置。
根據本揭露之一實施例提供了一種無線接收裝置。上述無線接收裝置包括一被動式混頻器，以及一共閘極放大器。被動式混頻器接收一振盪信號。共閘極放大器耦接至被動式混頻器，且根據上述振盪信號之振盪頻率自動調整對應共閘極放大器之一輸入阻抗。
在一些實施例中，共閘極放大器係單端輸入且單端輸出。在一些實施例中，共閘極放大器係差動輸入且差動輸出。在一些實施例中，共閘極放大器係單端輸入且差動輸出。
關於本揭露其他附加的特徵與優點，此領域之熟習技術人士，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可根據本案實施方法中所揭露之無線接收裝置，做些許的更動與潤飾而得到。
本章節所敘述的是實施本揭露之最佳方式，目的在於說明本揭露之精神而非用以限定本揭露之保護範圍，本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
第1圖係顯示根據本揭露之一實施例所述之無線接收裝置100之示意圖。根據本揭露之實施例，無線接收裝置100可應用和操作於不同毫米波頻帶，例如：第五代信動通訊(5G)或無線千兆聯盟(Wireless Gigabit Alliance，WiGig)所制定之毫米波頻帶。如第1圖所示，無線接收裝置100可包括一低噪音放大器（low-noise amplifier ，LNA）110、一混頻器(mixer)120、一本地振盪器130、以及一轉阻放大器140(trans-impedance amplifier，TIA)。注意地是，在第1圖中之示意圖，僅係為了方便說明本揭露之實施例，但本揭露並不以此為限。在本揭露之實施例中，無線接收裝置100亦可包含其他元件，例如：類比基頻裝置(analog base band ，ABB)、類比數位轉換器(analog-to-digital convertor，ADC)等。
根據本揭露一實施例，無線接收裝置100中所包含之電晶體可係利用先進製程之互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS）製程方式來形成。在本揭露之實施例中，先進製程可係表示電晶體之閘極長度小於55奈米(nm)之CMOS製程，如CMOS 40奈米、28奈米、22奈米等製程方式。
在本揭露之實施例中，低噪音放大器110係一共閘極(common gate)放大器。此外，在本揭露之實施例中，混頻器120係一被動式混頻器(passive mixer)。混頻器120會耦接本地振盪器130，以接收振盪信號。混頻器120之輸入阻抗Z IN_MIXER會根據接收到之振盪信號之不同振盪頻率f LO而改變。
此外，在本揭露之實施例中，低噪音放大器110會根據混頻器120之輸入阻抗Z IN_MIXER，動態調整其之輸入阻抗Z IN_LNA，因而使得無線接收裝置100可操作在不同毫米波頻帶。也就是說，低噪音放大器110之輸入阻抗Z IN_LNA可隨著振盪信號之不同而動態地去改變。關於低噪音放大器之輸入阻抗Z IN_LNA可隨著振盪信號之不同而動態地去改變，底下之實施例中，將有更詳細之描述。
第2圖係顯示根據本揭露之一實施例所述之一無線接收裝置200之電路圖。如第2圖所示，低噪音放大器(即一共閘極放大器)210可包含一第一電感L 2-1、一第二電感L 2-2、一第三電感L 2-3、一第四電感L 2-4、一第一電晶體N1、一第一電容C 2-1以及一第二電容C 2-2，其中第一電感L 2-1可係一可調電感，且其會耦接一電源VDD。第一電晶體N1之閘極會耦接至第二電感L 2-2、第一電晶體N1之汲極會耦接至第一電感L 2-1，以及第一電晶體N1之源極會耦接至第三電感L 2-3和第四電感L 2-4，其中L 2-2和L 2-4形成一變壓器結構。在此實施例中，低噪音放大器210係單端輸入且單端輸出之架構。低噪音放大器210會從節點RF in接收輸入信號，以及從節點A1輸出其處理過後之信號。
此外，如第2圖所示，混頻器220係一被動式之I/Q混頻器，且混頻器220可包含一組相位相差90度之混頻器。混頻器220可包含一第三電容C 2-3、一第四電容C 2-4、一第二電晶體N2、一第三電晶體N3、一第四電晶體N4以及一第五電晶體N5。第二電晶體N2和第三電晶體N3之源極會經由第三電容C 2-3耦接至低噪音放大器210於節點A1，且第四電晶體N4和第五電晶體N5之源極會經由第四電容C 2-4耦接至低噪音放大器210於節點A1。第二電晶體N2、第三電晶體N3、第四電晶體N4和第五電晶體N5之閘極會耦接本地振盪器230，以接收振盪信號。第二電晶體N2、第三電晶體N3、第四電晶體N4和第五電晶體N5之汲極會耦接轉阻放大器240，以將混波後之信號傳送至轉阻放大器240。接著，轉阻放大器240會在將其處理後之信號傳送給後端的元件。
根據本揭露之一實施例，低噪音放大器210會從節點A1得知混頻器220之輸入阻抗Z IN_MIXER，並根據混頻器220之輸入阻抗Z IN_MIXER動態地去調整其之輸入阻抗Z IN_LNA。更明確地來說，低噪音放大器210之輸入阻抗Z IN_LNA和混頻器220之輸入阻抗Z IN_MIXER可分別以底下數學式表示： ， 其中 ro係表示低噪音放大器110之本質輸出阻抗、 gm係表示第一電晶體N1之轉導(transconductance)、 係表示振盪信號之振盪頻率、R SW係表示混頻器220之等效電阻，以及 Z BB 係表示轉阻放大器240之輸入阻抗。在先進製程中 ro的值會很小。由上述式子可得知，當 ro越小，低噪音放大器210之輸入阻抗Z IN_LNA就會趨近等於混頻器220之輸入阻抗Z IN_MIXER，也就是說，低噪音放大器210之輸入阻抗Z IN_LNA即可隨著振盪信號之振盪頻率 (或f LO)之變化而改變。
根據本揭露之一實施例，第一電感L 2-1之電感值之共振頻率必須調整至本地震盪頻率相同。
第3圖係顯示根據本揭露之另一實施例所述之一無線接收裝置300之電路圖。如第3圖所示，低噪音放大器(即一共閘極放大器)310可包含一第五電感L 3-1、一第六電感L 3-2、一第七電感L 3-3、一第八電感L 3-4、一第九電感L 3-5、一第六電晶體N6、一第七電晶體N7、一第五電容C 3-1、一第六電容C 3-2、一第七電容C 3-3，以及一第八電容C 3-4，其中第五電感L 3-1可係一可調電感，且其會耦接一電源VDD，以及L 3-3和L 3-4可形成一變壓器結構。第六電晶體N6之閘極會經由第五電容C 3-1耦接至第七電晶體N7之源極，且第七電晶體N7之閘極會經由第六電容C 3-2耦接至第六電晶體N6之源極。第六電晶體N6和第七電晶體N7之汲極會耦接至第五電感L 3-1。第六電晶體N6之源極會耦接至第六電感L 3-2和第七電感L 3-3，且七電晶體N7之源極會耦接至第八電感L 3-4和第九電感L 3-5。在此實施例中，低噪音放大器310係差分輸入且差分輸出之架構。低噪音放大器310會從節點RF in +和RF in -接收輸入信號，以及從節點A2和A3輸出其處理過後之信號。
此外，如第3圖所示，混頻器320係一被動式之I/Q混頻器，且混頻器320可包含兩組相位相差90度之混頻器。混頻器320可包含一第九電容C 3-5、一第十電容C 3-6、一第十一電容C 3-7、一第十二電容C 3-8、一第八電晶體N8、一第九電晶體N9、一第十電晶體N10、一第十一電晶體N11、一第十二電晶體N12、一第十三電晶體N13、一第十四電晶體N14，以及一第十五電晶體N15。第八電晶體N8和第九電晶體N9之源極會經由第九電容C 3-5耦接至低噪音放大器310於節點A3，且第十電晶體N10和第十一電晶體N11之源極會經由第十電容C 3-6耦接至低噪音放大器310於節點A2。第十二電晶體N12和第十三電晶體N13之源極會經由第十一電容C 3-7耦接至低噪音放大器310於節點A3，且第十四電晶體N14和第十五電晶體N15之源極會經由第十二電容C 3-8耦接至低噪音放大器310於節點A2。第八電晶體N8、第九電晶體N9、第十電晶體N10、第十一電晶體N11、第十二電晶體N12、第十三電晶體N13、第十四電晶體N14和第十五電晶體N15之閘極會耦接本地振盪器330，以接收振盪信號。第八電晶體N8、第九電晶體N9、第十電晶體N10、第十一電晶體N11、第十二電晶體N12、第十三電晶體N13、第十四電晶體N14和第十五電晶體N15之汲極會耦接轉阻放大器340，以將混波後之信號傳送至轉阻放大器340。接著，轉阻放大器340會在將其處理後之信號傳送給後端的元件。
根據本揭露之一實施例，低噪音放大器310會從節點A2和A3得知混頻器320之輸入阻抗Z IN_MIXER，並根據混頻器320之輸入阻抗Z IN_MIXER動態地去調整其之輸入阻抗Z IN_LNA。根據本揭露之一實施例，第五電感L 3-1之電感值之共振頻率必須調整至本地震盪頻率。
第4圖係顯示根據本揭露之另一實施例所述之一無線接收裝置400之電路圖。如第4圖所示，低噪音放大器410(即一共閘極放大器)可包含一第十電感L 4-1、一第十一電感L 4-2、一第十二電感L 4-3、一第十三電感L 4-4、一第十六電晶體N16、一第十七電晶體N17、一第十三電容C 4-1、一第十四電容C 4-2，以及一第十五電容C 4-3，其中第十電感L 4-1可係一可調電感，且其會耦接一電源VDD，以及L 4-2和L 4-3可形成一變壓器結構。第十六電晶體N16之閘極會經由第十三電容C4-1耦接至第十七電晶體N17之源極，且第十七電晶體N17之閘極會經由第十四電容C4-2耦接至第十六電晶體N16之源極。第十六電晶體N16和第十七電晶體N17之汲極會耦接至第十電感L4-1。第十六電晶體N16之源極會耦接至第十一電感L4-2，且十七電晶體N17之源極會耦接至第十二電感L4-3和第十三電感L4-4。在此實施例中，低噪音放大器410係單端輸入且差分輸出之架構。低噪音放大器410會從節點RFin接收輸入信號，以及從節點A4和A5輸出其處理過後之信號。此外，在此實施例中，由於低噪音放大器410係單端輸入且差分輸出之架構，因此，第十六電晶體N16和第十七電晶體N17之尺寸(例如：3：4，但本揭露不以此為限)會不相同，以補償低噪音放大器410之輸出相位不平衡。
此外，如第4圖所示，混頻器420係一被動式之I/Q混頻器，且混頻器420可包含兩組相位相差90度之混頻器。混頻器420可包含一第十六電容C4-4、一第十七電容C4-5、一第十八電容C4-6、一第十九電容C4-7、一第十八電晶體N18、一第十九電晶體N19、一第二十電晶體N20、一第二十一電晶體N21、一第二十二電晶體N22、一第二十三電晶體N23、一第二十四電晶體N24，以及一第二十五電晶體N25。混頻器420之架構和混頻器320相同，因此，在此就不再贅述。
根據本揭露之一實施例，低噪音放大器410會從節點A4和A5得知混頻器420之輸入阻抗ZIN_MIXER，並根據混頻器420之輸入阻抗ZIN_MIXER動態地去調整其之輸入阻抗ZIN_LNA。根據本揭露之一實施例，第十電感L 4-1之共振頻率必須與本地震盪頻率相同。
第5圖係顯示根據本揭露之另一實施例所述之一無線接收裝置500之電路圖。如第5圖所示，低噪音放大器510(即一共閘極放大器)可包含一第十四電感L 5-1、一第十五電感L 5-2、一第十六電感L 5-3、一第十七電感L 5-4、一第十八電感L 5-5、一第二十六電晶體N26、一第二十七電晶體N27、一第二十八電晶體N28、一第二十九電晶體N29、一第二十電容C 5-1、一第二十一電容C 5-2、一第二十二電容C 5-3、一第二十三電容C 5-4、一第二十四電容C 5-5，以及一第二十五電容C 5-6，其中第十四電感L 5-1可係一可調電感，且其會耦接一電源VDD，以及L 5-3和L 5-4可形成一變壓器結構。第二十六電晶體N26之閘極會經由第二十電容C 5-1耦接至第二十七電晶體N27之源極，且第二十七電晶體N27之閘極會經由第二十一電容C 5-2耦接至第二十六電晶體N26之源極。第二十六電晶體N26和第二十七電晶體N27之汲極會耦接至第十四電感L 5-1。第二十六電晶體N26之源極會耦接至第十五電感L 5-2和第十六電感L 5-3，且二十七電晶體N27之源極會耦接至第十七電感L 5-4和第十八電感L 5-5。第二十八電晶體N28之閘極經由第二十二電容C 5-3耦接至第二十六電晶體N26之源極，且第二十九電晶體N29之閘極經由第二十三電容C 5-4耦接至第二十七電晶體N27之源極。第二十八電晶體N28之汲極耦接至第二十七電晶體N27之汲極，以及第二十九電晶體N29之汲極耦接至第二十六電晶體N26之汲極。第二十八電晶體N28之源極耦接至第二十六電晶體N26之閘極，且第二十九電晶體N29之源極耦接至第二十七電晶體N27之閘極。在此實施例中，低噪音放大器510係差分輸入且差分輸出之架構。低噪音放大器510會從節點RF in +和RF in -接收輸入信號，以及從節點A6和A7輸出其處理過後之信號。此外，和第3圖相比，低噪音放大器510多配置了第二十八電晶體N28和第二十九電晶體N29。因此，低噪音放大器510可個別調整N26、N27與N28、N29之閘級電壓，可消除電晶體三階轉導值(gm 3)，以達到較好的三階交互調變線性度。
此外，如第5圖所示，混頻器520係一被動式之I/Q混頻器，且混頻器520可包含兩組相位相差90度之混頻器。混頻器520可包含一第二十六電容C 5-7、一第二十七電容C 5-8、一第二十八電容C 5-9、一第二十九電容C 5-10、一第三十電晶體N30、一第三十一電晶體N31、一第三十二電晶體N32、一第三十三電晶體N33、一第三十四電晶體N34、一第三十五電晶體N35、一第三十六電晶體N36，以及一第三十七電晶體N37。混頻器520之架構和混頻器320相同，因此，在此就不再贅述。
根據本揭露之一實施例，低噪音放大器510會從節點A6和A7得知混頻器520之輸入阻抗Z IN_MIXER，並根據混頻器520之輸入阻抗Z IN_MIXER動態地去調整其之輸入阻抗Z IN_LNA。根據本揭露之一實施例，第十四電感L 5-1之共振頻率必須與本地震盪頻率相同。
特別說明地是，無線接收裝置200、300、400和500之架構都可應用於無線接收裝置100，但本揭露不以此為限。其他不同架構之共閘極放大器和被動式混頻器亦可應用於無線接收裝置100中。
第6圖係顯示根據本揭露之另一實施例所述之一無線接收裝置600之方塊圖。如第6圖所示，無線接收裝置600可包括一低噪音放大器610、一第一混頻器620-1、一第二混頻器620-2、一第一本地振盪器630-1、一第二本地振盪器630-2，以及一轉阻放大器640。注意地是，在第1圖中之示意圖，僅係為了方便說明本揭露之實施例，但本揭露並不以此為限。在本揭露之實施例中，無線接收裝置600亦可包含其他元件，例如：類比基頻裝置(analog base band ，ABB)、類比數位轉換器(analog-to-digital convertor，ADC)等。
在此實施例中，無線接收裝置600中所包含之電晶體可係利用先進製程之互補式金屬氧化物半導體製程方式來形成。在此實施例中，低噪音放大器610係一共閘極放大器。此外，在本揭露之實施例中，第一混頻器620-1和第二混頻器620-2都係被動式混頻器。第一混頻器620-1和第二混頻器620-2會分別耦接第一本地振盪器630-1和第二本地振盪器630-2，以接收振盪信號。
根據本揭露之實施例，無線接收裝置200、300、400和500之低噪音放大器和混頻器之架構亦可應用在無線接收裝置600中，但本揭露不以此為限。
和無線接收裝置100不同的是，在此實施例中，無線接收裝置600包含了兩個混頻器(第一混頻器620-1和第二混頻器620-2)，因此，無線接收裝置600可同時操作在兩個不同頻帶。此外，根據本發明一實施例，無線接收裝置600之低噪音放大器610會根據第一本地振盪器630-1所產生之振盪信號之第一振盪頻率fLO1和第二本地振盪器630-2所產生之振盪信號之第二振盪頻率fLO2調整對應低噪音放大器610之一輸入阻抗ZIN_LNA。舉例來說，若無線接收裝置600需同時操作於28GHz和39GHz之頻帶時，第一本地振盪器630-1和第二本地振盪器630-2會分別提供頻率28GHz和39GHz之振盪信號給第一混頻器620-1和第二混頻器620-2。此外，低噪音放大器610之負載電感會調整同時產生共振頻率28GHz與39GHz(即第一振盪頻率fLO1和第二振盪頻率fLO2)，以調整低噪音放大器610之輸入阻抗ZIN_LNA。
根據本揭露另一實施例，低噪音放大器610可包含一個雙共振負載阻抗，以分別同時根據第一本地振盪器630-1所產生之振盪信號之第一振盪頻率fLO1和第二本地振盪器630-2所產生之振盪信號之第二振盪頻率fLO2，調整雙共振負載阻抗於第一振盪頻率fLO1和第二振盪頻率fLO2，以調整低噪音放大器610之輸入阻抗ZIN_LNA。
在本揭露之實施例所提出之無線接收裝置，採用了共閘極放大器和被動式混頻器結合之架構。在此架構中，低噪音放大器可根據振盪信號之振盪頻率之不同，自動地去調整其之輸入阻抗Z IN_LNA，因而使得無線接收裝置不需要配置額外的元件即可動態地操作在不同的毫米波頻帶。此外，根據本揭露之實施例所提出之無線接收裝置，無線接收裝置可維持在高的轉換增益(例如：30dB以上之轉換增益)和低的雜訊指數(例如：6dB以下之雜訊指數)進行操作。以第2圖之無線接收裝置200之架構為例，從第7圖之模擬圖可得知，對應不同振盪頻率f LO，轉換增益都能維持在30dB以上。從第8圖之模擬圖可得知，對應不同振盪頻率f LO，雜訊指數都能維持在6dB以下。
在本說明書中以及申請專利範圍中的序號，例如「第一」、「第二」等等，僅係為了方便說明，彼此之間並沒有順序上的先後關係。
本說明書中所提到的「一實施例」或「實施例」，表示與實施例有關之所述特定的特徵、結構、或特性是包含在本揭露的至少一實施例中，但並不表示它們存在於每一個實施例中。因此，在本說明書中不同地方出現的「在一實施例中」或「在實施例中」詞組並不必然表示本揭露的相同實施例。
以上段落使用多種層面描述。顯然的，本文的教示可以多種方式實現，而在範例中揭露之任何特定架構或功能僅為一代表性之狀況。根據本文之教示，任何熟知此技藝之人士應理解在本文揭露之各層面可獨立實作或兩種以上之層面可以合併實作。
雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200、300、400、500、600‧‧‧無線接收裝置
110、210、310、410、510、610‧‧‧低噪音放大器
120、220、320、420、520‧‧‧混頻器
130、230、330、430、530‧‧‧本地振盪器
140、240、340、440、540、640‧‧‧轉阻放大器
620-1‧‧‧第一混頻器
620-2‧‧‧第二混頻器
630-1‧‧‧第一本地振盪器
630-2‧‧‧第二本地振盪器
A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、RF in、RF in +、RF in -‧‧‧節點
C 2-1‧‧‧第一電容
C 2-2‧‧‧第二電容
C 2-3‧‧‧第三電容
C 2-4‧‧‧第四電容
C 3-1‧‧‧第五電容
C 3-2‧‧‧第六電容
C 3-3‧‧‧第七電容
C 3-4‧‧‧第八電容
C 3-5‧‧‧第九電容
C 3-6‧‧‧第十電容
C 3-7‧‧‧第十一電容
C 3-8‧‧‧第十二電容
C 4-1‧‧‧第十三電容
C 4-2‧‧‧第十四電容
C 4-3‧‧‧第十五電容
C 4-4‧‧‧第十六電容
C 4-5‧‧‧第十七電容
C 4-6‧‧‧第十八電容
C 4-7‧‧‧第十九電容
C 5-1‧‧‧第二十電容
C 5-2‧‧‧第二十一電容
C 5-3‧‧‧第二十二電容
C 5-4‧‧‧第二十三電容
C 5-5‧‧‧第二十四電容
C 5-6‧‧‧第二十五電容
C 5-7‧‧‧第二十六電容
C 5-8‧‧‧第二十七電容
C 5-9‧‧‧第二十八電容
C 5-10‧‧‧第二十九電容
f LO‧‧‧振盪頻率
f LO1‧‧‧第一振盪頻率
f LO2‧‧‧第二振盪頻率
L 2-1‧‧‧第一電感
L 2-2‧‧‧第二電感
L 2-3‧‧‧第三電感
L 2-4‧‧‧第四電感
L 3-1‧‧‧第五電感
L 3-2‧‧‧第六電感
L 3-3‧‧‧第七電感
L 3-4‧‧‧第八電感
L 3-5‧‧‧第九電感
L 4-1‧‧‧第十電感
L 4-2‧‧‧第十一電感
L 4-3‧‧‧第十二電感
L 4-4‧‧‧第十三電感
L 5-1‧‧‧第十四電感
L 5-2‧‧‧第十五電感
L 5-3‧‧‧第十六電感
L 5-4‧‧‧第十七電感
L 5-5‧‧‧第十八電感
N1‧‧‧第一電晶體
N2‧‧‧第二電晶體
N3‧‧‧第三電晶體
N4‧‧‧第四電晶體
N5‧‧‧第五電晶體
N6‧‧‧第六電晶體
N7‧‧‧第七電晶體
N8‧‧‧第八電晶體
N9‧‧‧第九電晶體
N10‧‧‧第十電晶體
N11‧‧‧第十一電晶體
N12‧‧‧第十二電晶體
N13‧‧‧第十三電晶體
N14‧‧‧第十四電晶體
N15‧‧‧第十五電晶體
N16‧‧‧第十六電晶體
N17‧‧‧第十七電晶體
N18‧‧‧第十八電晶體
N19‧‧‧第十九電晶體
N20‧‧‧第二十電晶體
N21‧‧‧第二十一電晶體
N22‧‧‧第二十二電晶體
N23‧‧‧第二十三電晶體
N24‧‧‧第二十四電晶體
N25‧‧‧第二十五電晶體
N26‧‧‧第二十六電晶體
N27‧‧‧第二十七電晶體
N28‧‧‧第二十八電晶體
N29‧‧‧第二十九電晶體
N30‧‧‧第三十電晶體
N31‧‧‧第三十一電晶體
N32‧‧‧第三十二電晶體
N33‧‧‧第三十三電晶體
N34‧‧‧第三十四電晶體
N35‧‧‧第三十五電晶體
N36‧‧‧第三十六電晶體
N37‧‧‧第三十七電晶體
VDD‧‧‧電源
Z IN_LNA‧‧‧低噪音放大器之輸入阻抗
Z IN_MIXER‧‧‧混頻器之輸入阻抗
第1圖係顯示根據本揭露之一實施例所述之無線接收裝置100之示意圖。 第2圖係顯示根據本揭露之一實施例所述之一無線接收裝置200之電路圖。 第3圖係顯示根據本揭露之另一實施例所述之一無線接收裝置300之電路圖。 第4圖係顯示根據本揭露之另一實施例所述之一無線接收裝置400之電路圖。 第5圖係顯示根據本揭露之另一實施例所述之一無線接收裝置500之電路圖。 第6圖係顯示根據本揭露之另一實施例所述之無線接收裝置600之示意圖。 第7圖之顯示根據本揭露之一實施例所述之對應無線接收裝置200之轉換增益之模擬圖。 第8圖之顯示根據本揭露之一實施例所述之對應無線接收裝置200之雜訊指數之模擬圖。

Claims (7)

  1. 一種無線接收裝置，包括：一第一被動式混頻器，接收一振盪信號；以及一共閘極放大器，耦接上述第一被動式混頻器，且根據上述振盪信號之振盪頻率自動調整對應上述共閘極放大器之一輸入阻抗。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之無線接收裝置，其中上述共閘極放大器包含一電晶體，且上述共閘極放大器係單端輸入且單端輸出。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之無線接收裝置，其中上述共閘極放大器包含一第一電晶體和一第二電晶體，且上述共閘極放大器係差動輸入且差動輸出。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之無線接收裝置，其中上述共閘極放大器包含一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體以及一第四電晶體，且上述共閘極放大器係差動輸入且差動輸出。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之無線接收裝置，更包括：一第二被動式混頻器，耦接上述共閘極放大器，其中上述第一被動式混頻器和第二被動式混頻器分別接收具有一第一振盪頻率之振盪信號和具有一第二振盪頻率之振盪信號。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之無線接收裝置，其中共 閘極放大器根據上述第一振盪頻率和上述第二振盪頻率調整對應上述共閘極放大器之一輸入阻抗。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之無線接收裝置，其中上述無線接收裝置包含之電晶體係利用先進製程產生之電晶體。
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