JP2011507459A - 低ノイズ及び低入力容量の差動mdslna - Google Patents
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Abstract
【選択図】図6
Description
図1(従来技術)は、アクティブ・ポストディストーション法を用いた差動LNA1の回路図である。本方法は、飽和領域にバイアスされた4つの電界効果トランジスタ(FET)の使用を含む。FET2及び3はメインFETと呼ばれる。FET4及び5はキャンセルFETと呼ばれる。メインFETとキャンセルFETの1つの組は、次のように動作する。メインFET2(これは回路の利得とノイズ量を決定する)は、入力配線5上の入力信号を増幅する。入力信号の増幅されたバージョンは、ノード6に生成される。メインFET2はコモンソース増幅器として構成されているので、増幅された信号は、入力配線5上の入力信号に対して約180°の位相シフトを有している。三次歪み成分もまた、入力信号の所望の増幅されたバージョンと共に、ノード6上の信号に存在する。ノード6上の位相シフトされた信号は、キャンセルFET4の入力に供給される。キャンセルFET4は飽和領域にあるが、それにもかかわらず、十分な非線形性の増幅特性を有する。キャンセルFET4は、増幅された信号において、そのドレインに、相当量の三次歪みを生成する一方で、微小な所望の信号しか供給しない、という点では、低の悪い増幅器として設計される。FET4から出力される歪み信号の大きさは、FET2によって出力される歪み信号の出力と同じになるよう設定される。キャンセルFET4は飽和領域にバイアスされているので、それが出力する増幅された所望の信号だけでなく、それが出力する歪みも両方が、ノード6の三次歪み成分に対して180°位相がずれている。メインFET2及びキャンセルFET4から出力される電流信号は、ノード7で加算される。この加算が、両方の信号における三次歪みのキャンセレイションという結果となる。あいにく、不要な三次歪みのキャンセルに加えて、本方法では、FET2及び4により出力された所望の入力信号の増幅されたバージョンも互いに同相であるため、この所望の信号もまたキャンセルされてしまう。従って、LNAの利得は低下される。図1の差動LNAの更なる詳細については、2007年10月4日に公開された公開米国出願番号2007/0229154を参照のこと。
Claims (20)
- 第1差動入力ノード及び第2差動入力ノードを有する増幅器であって、
飽和領域にバイアスされ、ゲートが前記第1差動入力ノードに結合された第1トランジスタと、
前記飽和領域にバイアスされ、ゲートが前記第2差動入力ノードに結合された第2トランジスタと、
サブスレショルド領域にバイアスされ、前記第2トランジスタのドレインに容量結合されたゲートを有する第3トランジスタと、
前記サブスレショルド領域にバイアスされ、前記第1トランジスタのドレインに容量結合されたゲートを有する第4トランジスタと
を備え、前記第3トランジスタのドレインの第1キャンセル信号は、前記第1トランジスタによって生成された第1歪み信号の少なくとも一部をキャンセルし、
前記第4トランジスタのドレインの第2キャンセル信号は、前記第2トランジスタによって生成された第2歪み信号の少なくとも一部をキャンセルする、増幅器。 - 前記第1トランジスタの前記ドレインを第1差動出力ノードに結合し、前記第3トランジスタの前記ドレインを前記第1差動出力ノードに結合する第1カスコード回路と、
前記第2トランジスタの前記ドレインを第2差動出力ノードに結合し、前記第4トランジスタの前記ドレインを前記第2差動出力ノードに結合する第2カスコード回路と
を更に備える請求項1の増幅器。 - 前記第1トランジスタの前記ドレインは、前記第3トランジスタの前記ドレインに直接接続され、
前記第2トランジスタの前記ドレインは、前記第4トランジスタの前記ドレインに直接接続される、請求項1の増幅器。 - 前記第1トランジスタのソースに結合される第1配線と、共通ノードに結合される第2配線とを有する第1インダクタと、
前記第2トランジスタのソースに結合される第1配線と、前記共通ノードに結合される第2配線とを有する第2インダクタと
を更に備える請求項2の増幅器。 - 前記第3トランジスタのソースは前記共通ノードに結合され、
前記第4トランジスタのソースは前記共通ノードに結合される、請求項4の増幅器。 - 前記第1カスコード回路は、
前記第1トランジスタの前記ドレインに結合されるソースと、前記第1差動出力ノードに結合されるドレインとを有する第5トランジスタと、
前記第3トランジスタの前記ドレインに結合されるソースと、前記第1差動出力ノードに結合されるドレインとを有する第6トランジスタと
を備える、請求項4の増幅器。 - 前記第1トランジスタのゲートは第1バイアス電圧にバイアスされ、
前記第3トランジスタのゲートは第2バイアス電圧にバイアスされる、請求項6の増幅器。 - 前記第1トランジスタは、実質的に前記第3トランジスタよりも大きく、
前記第2トランジスタは、実質的に前記第4トランジスタよりも大きい、請求項7の増幅器。 - 第1差動入力ノード、第2差動入力ノード、第1差動出力ノード、及び第2差動出力ノードを有する増幅器であって、
飽和領域にバイアスされ、ゲートが前記第1差動入力ノードに結合された第1トランジスタと、
前記飽和領域にバイアスされ、ゲートが前記第2差動入力ノードに結合された第2トランジスタと、
サブスレショルド領域にバイアスされた第3トランジスタと、
前記サブスレショルド領域にバイアスされた第4トランジスタと、
前記第1トランジスタのドレインに結合されるソースと、前記第1差動出力ノードに結合されると共に前記第4トランジスタのゲートに容量結合されるドレインとを有する第5トランジスタと、
前記第2トランジスタのドレインに結合されるソースと、前記第2差動出力ノードに結合されると共に前記第3トランジスタのゲートに容量結合されるドレインとを有する第6トランジスタと
を備え、前記第3トランジスタのドレインの第1キャンセル信号は、前記第1トランジスタによって生成された第1歪み信号の少なくとも一部をキャンセルし、
前記第4トランジスタのドレインの第2キャンセル信号は、前記第2トランジスタによって生成された第2歪み信号の少なくとも一部をキャンセルする、増幅器。 - 前記第1トランジスタのソースに結合される第1配線と、グランドノードに結合される第2配線とを有する第1インダクタと、
前記第2トランジスタのソースに結合される第1配線と、前記グランドノードに結合される第2配線とを有する第2インダクタと
を更に備える請求項9の増幅器。 - 前記第3トランジスタのソースは前記グランドノードに結合され、
前記第4トランジスタのソースは前記グランドノードに結合される、請求項10の増幅器。 - (a)飽和領域にバイアスされた第1トランジスタを用いて、第1差動入力ノードで受信した第1入力信号を増幅し、前記第1入力信号の増幅されたバージョンを生成すると共に、前記第1トランジスタが第1歪み信号を生成することと、
(b)飽和領域にバイアスされた第2トランジスタを用いて、第2差動入力ノードで受信した第2入力信号を増幅し、前記第2入力信号の増幅されたバージョンを生成すると共に、前記第2トランジスタが第2歪み信号を生成することと、
(c)第3トランジスタが第1キャンセル信号を生成するように、サブスレショルド領域にバイアスされた前記第3トランジスタに、前記第2入力信号の前記増幅されたバージョンを供給することと、
(d)前記第1キャンセル信号を用いて、前記第1歪み信号の少なくとも一部をキャンセルすることと、
(e)第4トランジスタが第2キャンセル信号を生成するように、前記サブスレショルド領域にバイアスされた前記第4トランジスタに、前記第1入力信号の前記増幅されたバージョンを供給することと、
(f)前記第2キャンセル信号を用いて、前記第2歪み信号の少なくとも一部をキャンセルすることと
を備える方法。 - 前記(c)は、前記第2入力信号の前記増幅されたバージョンを、前記第2トランジスタのドレインから、第1キャパシタを介して前記第3トランジスタのゲートに転送することを含み、
前記(e)は、前記第1入力信号の前記増幅されたバージョンを、前記第1トランジスタのドレインから、第2キャパシタを介して前記第4トランジスタのゲートに転送することを含む、請求項12の方法。 - 前記第1入力信号は、前記第2入力信号と共に差動入力信号となり、
前記第2入力信号は、前記第1入力信号に対して約180°位相がずれている、請求項12の方法。 - 前記(d)は、第1カスコード回路を用いて、前記第1歪み信号を、前記第1トランジスタのドレインから第1総和ノードに転送することと、
前記第1カスコード回路を用いて、前記第1キャンセル信号を、前記第3トランジスタのドレインから前記第1総和ノードに転送することとを含み、
前記(f)は、第2カスコード回路を用いて、前記第2歪み信号を、前記第2トランジスタのドレインから第2総和ノードに転送することと、
前記第2カスコード回路を用いて、前記第2キャンセル信号を、前記第4トランジスタのドレインから前記第2総和ノードに転送することとを含む、請求項12の方法。 - 前記第1トランジスタのドレインは、前記第3トランジスタのドレインに直接接続され、
前記第2トランジスタのドレインは、前記第4トランジスタのドレインに直接接続される、請求項12の方法。 - 第1差動入力信号ノードから第1入力信号を受信し、前記第1入力信号の増幅されたバージョンを生成すると共に、第1歪み信号を生成する第1増幅回路と、
第2差動入力信号ノードから第2入力信号を受信し、前記第2入力信号の増幅されたバージョンを生成すると共に、第2歪み信号を生成する第2増幅回路と、
前記第2入力信号の前記増幅されたバージョンを受信し、第1キャンセル信号を生成し、前記第1キャンセル信号を用いて前記第1歪み信号の少なくとも一部をキャンセルする第1手段と、
前記第1入力信号の前記増幅されたバージョンを受信し、第2キャンセル信号を生成し、前記第2キャンセル信号を用いて前記第2歪み信号の少なくとも一部をキャンセルする第2手段と
を備える増幅器。 - 前記第1手段はサブスレショルド領域にバイアスされた第1トランジスタを含み、
前記第2手段は前記サブスレショルド領域にバイアスされた第2トランジスタを含む、請求項17の増幅器。 - 前記第1手段は第1カスコード回路を更に備え、
前記第2手段は第2カスコード回路を更に備える、請求項18の増幅器。 - 前記第1増幅回路は、第1ソース・ディジェネレーション・インダクタ、及び飽和領域にバイアスされた第1トランジスタを備え、
前記第2増幅回路は、第2ソース・ディジェネレーション・インダクタ、及び飽和領域にバイアスされた第2トランジスタを備える、請求項17の増幅器。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014528668A (ja) * | 2011-10-07 | 2014-10-27 | スンシル ユニバーシティー リサーチ コンソルティウム テクノーパークSoongsil University Research Consortium Techno−Park | モード注入を利用した差動電力増幅器 |
JP2016540449A (ja) * | 2013-12-19 | 2016-12-22 | クアルコム,インコーポレイテッド | 低雑音増幅器(lna)の非線形2次生成物に関するひずみ消去 |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9026070B2 (en) * | 2003-12-18 | 2015-05-05 | Qualcomm Incorporated | Low-power wireless diversity receiver with multiple receive paths |
US9450665B2 (en) * | 2005-10-19 | 2016-09-20 | Qualcomm Incorporated | Diversity receiver for wireless communication |
US7696825B2 (en) * | 2008-04-23 | 2010-04-13 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Apparatus for receiving input and bias signals at common node |
US8421541B2 (en) * | 2009-06-27 | 2013-04-16 | Qualcomm Incorporated | RF single-ended to differential converter |
US8138835B2 (en) | 2010-02-11 | 2012-03-20 | Qualcomm, Incorporated | Wide band LNA with noise canceling |
CN101834566B (zh) * | 2010-05-31 | 2013-02-13 | 广州市广晟微电子有限公司 | 基于低噪声放大器的过失真方法和低噪声放大器 |
KR101722093B1 (ko) | 2010-08-13 | 2017-04-03 | 삼성전자주식회사 | 무선 통신 시스템에서 부정합을 제거하는 수신 장치 및 방법과 이를 위한 저전력 증폭기 |
US8339200B2 (en) * | 2010-12-07 | 2012-12-25 | Ati Technologies Ulc | Wide-swing telescopic operational amplifier |
US8570106B2 (en) * | 2011-05-13 | 2013-10-29 | Qualcomm, Incorporated | Positive feedback common gate low noise amplifier |
US9178669B2 (en) | 2011-05-17 | 2015-11-03 | Qualcomm Incorporated | Non-adjacent carrier aggregation architecture |
US9252827B2 (en) | 2011-06-27 | 2016-02-02 | Qualcomm Incorporated | Signal splitting carrier aggregation receiver architecture |
US9154179B2 (en) | 2011-06-29 | 2015-10-06 | Qualcomm Incorporated | Receiver with bypass mode for improved sensitivity |
US8774334B2 (en) | 2011-11-09 | 2014-07-08 | Qualcomm Incorporated | Dynamic receiver switching |
US8373503B1 (en) * | 2011-12-12 | 2013-02-12 | Linear Technology Corporation | Third order intermodulation cancellation for RF transconductors |
US9172402B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-10-27 | Qualcomm Incorporated | Multiple-input and multiple-output carrier aggregation receiver reuse architecture |
US9362958B2 (en) | 2012-03-02 | 2016-06-07 | Qualcomm Incorporated | Single chip signal splitting carrier aggregation receiver architecture |
US9118439B2 (en) | 2012-04-06 | 2015-08-25 | Qualcomm Incorporated | Receiver for imbalanced carriers |
US8725105B2 (en) * | 2012-05-24 | 2014-05-13 | Mediatek Inc. | Low noise amplifier and saw-less receiver with low-noise amplifier |
US9154356B2 (en) | 2012-05-25 | 2015-10-06 | Qualcomm Incorporated | Low noise amplifiers for carrier aggregation |
US9867194B2 (en) | 2012-06-12 | 2018-01-09 | Qualcomm Incorporated | Dynamic UE scheduling with shared antenna and carrier aggregation |
US9595924B2 (en) | 2012-08-03 | 2017-03-14 | Broadcom Corporation | Calibration for power amplifier predistortion |
US9300420B2 (en) | 2012-09-11 | 2016-03-29 | Qualcomm Incorporated | Carrier aggregation receiver architecture |
US9130517B2 (en) | 2012-10-05 | 2015-09-08 | Qualcomm Incorporated | Systems and methods of harmonic extraction and rejection |
US9543903B2 (en) | 2012-10-22 | 2017-01-10 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with noise splitting |
US8995591B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-03-31 | Qualcomm, Incorporated | Reusing a single-chip carrier aggregation receiver to support non-cellular diversity |
CN103633947A (zh) * | 2013-12-03 | 2014-03-12 | 天津大学 | 一种无电感高增益cmos宽带低噪声放大器 |
US9654066B2 (en) * | 2014-04-03 | 2017-05-16 | Marvell World Trade Ltd. | Common-source power amplifiers |
US9413300B2 (en) * | 2014-08-05 | 2016-08-09 | Texas Instruments Incorporated | Front-end matching amplifier |
US9813033B2 (en) * | 2014-09-05 | 2017-11-07 | Innophase Inc. | System and method for inductor isolation |
JP6386312B2 (ja) * | 2014-09-09 | 2018-09-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
CN112491366B (zh) * | 2015-03-16 | 2024-03-08 | 瑞典爱立信有限公司 | 适用于噪声抑制的放大器 |
US9378781B1 (en) * | 2015-04-09 | 2016-06-28 | Qualcomm Incorporated | System, apparatus, and method for sense amplifiers |
WO2017054864A1 (en) | 2015-09-30 | 2017-04-06 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Amplifier, filter, communication apparatus and network node |
US9673829B1 (en) | 2015-12-02 | 2017-06-06 | Innophase, Inc. | Wideband polar receiver architecture and signal processing methods |
US10177722B2 (en) | 2016-01-12 | 2019-01-08 | Qualcomm Incorporated | Carrier aggregation low-noise amplifier with tunable integrated power splitter |
DE112017001304T5 (de) * | 2016-03-14 | 2018-11-22 | Analog Devices, Inc. | Aktive Linearisierung für Breitbandverstärker |
FR3055173B1 (fr) * | 2016-08-22 | 2019-08-16 | Devialet | Dispositif d'amplification comprenant un circuit de compensation |
JP6682470B2 (ja) | 2017-03-23 | 2020-04-15 | 株式会社東芝 | 増幅器 |
US10122397B2 (en) | 2017-03-28 | 2018-11-06 | Innophase, Inc. | Polar receiver system and method for Bluetooth communications |
US10503122B2 (en) | 2017-04-14 | 2019-12-10 | Innophase, Inc. | Time to digital converter with increased range and sensitivity |
CN108521297A (zh) * | 2018-04-26 | 2018-09-11 | 杨春花 | 一种基于LI-Fi的点对点无线通讯模块 |
TWI643449B (zh) * | 2018-04-27 | 2018-12-01 | 立積電子股份有限公司 | 放大器 |
CN108736837A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-11-02 | 上海磐启微电子有限公司 | 一种内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器 |
US11095296B2 (en) | 2018-09-07 | 2021-08-17 | Innophase, Inc. | Phase modulator having fractional sample interval timing skew for frequency control input |
US10622959B2 (en) | 2018-09-07 | 2020-04-14 | Innophase Inc. | Multi-stage LNA with reduced mutual coupling |
US10840921B2 (en) | 2018-09-07 | 2020-11-17 | Innophase Inc. | Frequency control word linearization for an oscillator |
CN109639241B (zh) * | 2018-11-13 | 2021-03-26 | 天津大学 | 一种无电感下变频混频器 |
CN109802638B (zh) * | 2018-12-19 | 2023-09-15 | 北京航空航天大学青岛研究院 | 基于全局噪声抵消的低噪声放大器及其方法 |
WO2020146408A1 (en) | 2019-01-07 | 2020-07-16 | Innophase, Inc. | Using a multi-tone signal to tune a multi-stage low-noise amplifier |
US10728851B1 (en) | 2019-01-07 | 2020-07-28 | Innophase Inc. | System and method for low-power wireless beacon monitor |
US11258407B2 (en) | 2020-02-10 | 2022-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Amplifier with improved isolation |
WO2022040478A1 (en) * | 2020-08-19 | 2022-02-24 | Kyocera International Inc. | Peripheral for amplifier linearization with complementary compensation |
US11791777B2 (en) | 2020-08-19 | 2023-10-17 | Kyocera International Inc. | Wideband amplifier linearization techniques |
TWI779965B (zh) * | 2021-12-14 | 2022-10-01 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 量測系統及相關方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07336164A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-22 | Nec Corp | チューニング可能なmos ota |
JP2002330038A (ja) * | 1997-01-16 | 2002-11-15 | Sony Corp | エミッタ共通差動トランジスタ回路 |
US20070229154A1 (en) * | 2005-08-02 | 2007-10-04 | Namsoo Kim | Differential amplifier with active post-distortion linearization |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7084704B2 (en) * | 2003-07-31 | 2006-08-01 | Skyworks Solutions, Inc. | Variable gain amplifier system |
US7081796B2 (en) * | 2003-09-15 | 2006-07-25 | Silicon Laboratories, Inc. | Radio frequency low noise amplifier with automatic gain control |
US7853235B2 (en) * | 2004-02-11 | 2010-12-14 | Qualcomm, Incorporated | Field effect transistor amplifier with linearization |
US7202740B2 (en) * | 2005-01-05 | 2007-04-10 | Broadcom Corporation | Gain boosting for tuned differential LC circuits |
US7746169B2 (en) * | 2008-02-06 | 2010-06-29 | Qualcomm, Incorporated | LNA having a post-distortion mode and a high-gain mode |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07336164A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-22 | Nec Corp | チューニング可能なmos ota |
JP2002330038A (ja) * | 1997-01-16 | 2002-11-15 | Sony Corp | エミッタ共通差動トランジスタ回路 |
US20070229154A1 (en) * | 2005-08-02 | 2007-10-04 | Namsoo Kim | Differential amplifier with active post-distortion linearization |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014528668A (ja) * | 2011-10-07 | 2014-10-27 | スンシル ユニバーシティー リサーチ コンソルティウム テクノーパークSoongsil University Research Consortium Techno−Park | モード注入を利用した差動電力増幅器 |
JP2016540449A (ja) * | 2013-12-19 | 2016-12-22 | クアルコム,インコーポレイテッド | 低雑音増幅器(lna)の非線形2次生成物に関するひずみ消去 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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