CN106716850B - 用于多频带接收器的双级低噪声放大器 - Google Patents

用于多频带接收器的双级低噪声放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN106716850B
CN106716850B CN201580050488.1A CN201580050488A CN106716850B CN 106716850 B CN106716850 B CN 106716850B CN 201580050488 A CN201580050488 A CN 201580050488A CN 106716850 B CN106716850 B CN 106716850B
Authority
CN
China
Prior art keywords
level
signal
amplifier
order
port
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580050488.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106716850A (zh
Inventor
王川
潘东玲
W·F·A·刘
J·A·加西雅
Z·杨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qualcomm Inc
Original Assignee
Qualcomm Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qualcomm Inc filed Critical Qualcomm Inc
Publication of CN106716850A publication Critical patent/CN106716850A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106716850B publication Critical patent/CN106716850B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/26Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/541Transformer coupled at the output of an amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21109An input signal being distributed by switching to a plurality of paralleled power amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Abstract

公开了一种用于在多频带接收器中使用的双级LNA。在示例性实施例中,一种装置包括多个第一级放大器,它们分别具有用以输出第一级放大的电压模式信号的多个第一级输出端口。该装置还包括多个第二级放大器,它们分别具有多个第二级输入端口和用以输出放大的电流模式信号的第二级输出端口。该装置还包括开关装置,其具有连接到第一级输出端口的输入端子和连接到第二级输入端口的输出端子,开关装置用以将所选择的第二级输入端口连接到所选择的第一级输出端口。

Description

用于多频带接收器的双级低噪声放大器
技术领域
本公开一般性地涉及电子器件,并且更具体地涉及用于多频带接收器的低噪声放大器。
背景技术
无线通信系统中的无线设备(例如,蜂窝电话或智能电话)可以发射和接收数据以用于双向通信。无线设备可以包括用于数据发射的发射器和用于数据接收的接收器。对于数据发射,发射器可以利用数据来调制射频(RF)载波信号以获得经调制的RF信号,放大经调制的RF信号以获得具有恰当输出功率电平的放大的RF信号,并且将放大的RF信号经由天线发射到基站。对于数据接收,接收器可以经由天线获得所接收的RF信号,并且可以放大和处理所接收的RF信号以恢复由基站发送的数据。
无线设备可以支持在宽频率范围上的操作。例如,无线设备可以支持接收器(Rx)载波聚合(CA),其涉及接收由两个或更多分量载波的聚合所组成的传入RF信号。经载波聚合的RF信号需要使用两个或更多相异的本地振荡器(LO)频率而被下变频,这通常要求用于模式内CA的单输入多输出LNA。不幸的是,常规的LNA配置利用大量的电路面积并且可能遭受降级的线性度。
合意的是具有一种双级低噪声放大器来支持宽频率范围上的操作,同时相对于常规LNA减少电路面积要求并提供优秀的线性性能。
附图说明
图1示出了在无线通信系统中进行通信的无线设备中的双级LNA的示例性实施例。
图2示出了图1的双级LNA被配置为在其中进行操作的示例性频带群组。
图3示出了用于在无线设备中使用的包括双级LNA的示例性实施例的接收器。
图4示出了图3中所示出的接收器和双级LNA的详细示例性实施例。
图5示出了图3中所示出的接收器和双级LNA的详细示例性替换实施例。
图6示出了用于在图4中所示出的双级LNA中使用的第一级放大器和开关的示例性详细实施例。
图7示出了用于在图4中所示出的双级LNA中使用的第二级放大器和变压器的示例性详细实施例。
图8示出了用于与图4中所示出的双级LNA一起使用的控制器的示例性实施例。
图9示出了用于多频带接收器中的放大的方法的示例性实施例。
图10示出了被配置用于多频带接收器中的双级放大的示例性装置。
具体实施方式
下文阐述的详细描述意图作为本公开的示例性设计的描述,并且不意图表示本公开可以被实践在其中的仅有设计。术语“示例性”在本文中用来意指“用作示例、实例或说明”。本文中被描述为“示例性”的任何设计不是必然被解释为相对于其他设计是优选的或有利的。该详细描述包括具体细节以用于提供对本公开的示例性设计的透彻理解的目的。对本领域的技术人员将明显的是,本文所描述的示例性设计可以没有这些具体细节而被实践。在一些实例中,以框图形式示出了公知的结构和设备,以便避免使本文提出的示例性设计的新颖性模糊不清。
图1示出了在无线通信系统100中进行通信的无线设备110中的双级LNA 116的示例性实施例。无线系统100可以是长期演进(LTE)系统、码分多接入(CDMA)系统、全球移动通信系统(GSM)系统、无线局域网(WLAN)系统、或者某种其他无线系统。CDMA系统可以实施宽带CDMA(WCDMA)、CDMA 1X、演进数据优化(EVDO)、时分同步CDMA(TD-SCDMA)、或者某种其他版本的CDMA。为了简单,图1示出了与基站102和104处于通信中的无线设备110以及一个系统控制器106。一般来说,无线通信系统可以包括任何数目的基站和任何集合的网络实体。
无线设备110也可以被称为用户设备(UE)、移动站、终端、接入终端、订户单元、站,等等。无线设备110可以是蜂窝电话、智能电话、平板、无线调制解调器、个人数字助理(PDA)、手持式设备、膝上型计算机、智能本、上网本、无绳电话、无线本地环路(WLL)站、蓝牙设备,等等。无线设备110还可以接收来自广播站(例如,广播站112)的信号、或者来自一个或多个全球导航卫星系统(GNSS)中的卫星(例如,卫星108)的信号。无线设备110可以支持用于无线通信的一种或多种无线电技术,诸如LTE、WCDMA、CDMA 1X、EVDO、TD-SCDMA、GSM、和/或802.11。
在示例性实施例中,双级LNA 116操作为接收多个信号,并且在将多个放大的信号输入到所选择的解调器(例如,像在载波聚合接收器中所发现的那样)之前提供放大。在各种示例性实施例中,双级LNA操作为相对于常规的低噪声放大器提供增强的线性度和电路面积效率。
图2示出了图1的双级LNA 116被配置为在其中进行操作的示例性频带群组。无线设备110可以能够操作在覆盖低于1000兆赫兹(MHz)的频率的低频带(LB)、覆盖从1000MHz至2300MHz的频率的中频带(MB)、和/或覆盖高于2300MHz的频率的一个或多个高频带(HB)中。例如,如图2中所示出的,低频带可以覆盖698至960MHz,中频带可以覆盖1475至2170MHz,并且高频带可以覆盖2300至2690MHz和3400至3800MHz。低频带、中频带和高频带是指频带的三个群组(或频带群组),并且每个频带群组包括多个频率带(或简称“频带”)。每个频带可以覆盖高达200MHz。LTE发布(Release)11支持35个频带,它们被称为LTE/UMTS频带并且在3GPP TS 36.101中被列出。图2中示出的频率图可以被扩展以示出从5.15GHz至5.85GHz的LTEU频带。
一般来说,可以定义任何数目的频带群组。每个频带群组可以覆盖任何范围的频率,其可以与或可以不与图2中所示出的频率范围中的任何频率范围相匹配。每个频带群组还可以包括任何数目的频带。在各种示例性实施例中,双级LNA 116适合于与所有的各种频带群组一起使用。
图3示出了接收器300,其包括用于在无线设备(诸如图1中所示出的无线设备110)中使用的双级LNA 306的示例性实施例。接收器300包括一个或多个天线302、天线接口304、双级LNA 306、解调器308和控制器310。
在操作期间,由天线302接收的信号被传递给天线接口304。这些信号包括参考图2所描述的频带中的任何频带中的RF信号。天线接口304包括匹配电路,匹配电路被配置为提供阻抗匹配以使得来自天线302的RF信号能够以低损耗或失真而被输入到双级LNA 306。
双级LNA 306操作为在控制器310的控制下放大所接收的RF信号并将所接收的RF信号分发给调制器308。例如,控制器310控制双级LNA 308如何放大信号并将信号定向到解调器308。因此,双级LNA 308操作为放大由一个或多个天线接收的RF信号,并将放大的信号定向到多频带接收器中的特定解调器。在各种示例性实施例中,双级LNA 306被配置为提供增强的线性度和电路面积节省。
解调器308操作为将RF信号下变频至基带。基带信号然后可以在接收设备处被组合或以其他方式被处理。例如,在载波聚合通信系统中,发射器处的基带信号被划分为多个基带信号分量,它们使用不同频率的多个载波信号而被调制和发射。在接收设备处,每个载波被接收并解调以获得它相对应的基带信号分量。这些基带信号分量然后被组合以形成原始基带信号。
图4示出了图3中所示出的接收器300和双级LNA 306的详细示例性实施例。天线302包括天线402和404。天线接口304包括匹配电路406、408和410。解调器308包括可调节变压器430、432和434、以及下变频器436、438和440。双级LNA 306包括第一放大器级442和第二放大器级444。第一放大器级442包括放大器412、414和416、以及包括开关418、420和422的开关装置419。每个开关(418、420和422)包括一个或多个独立可控制的开关设备。第二放大器级444包括放大器424、426和428。控制器310操作为输出开关控制信号(Sn)以控制开关的操作、以及变压器控制信号(Tn)以调谐变压器来促进信号解调。
在操作期间,天线402和404接收包括经调制的数据或其他信息信号的RF信号。在示例性实施例中,天线402、404被配置为在利用载波聚合的通信系统中接收各种载波。虽然图4中示出了两个天线,但是双级LNA 306适合于与任何数目的天线一起使用。
天线402、404连接到匹配电路406、408和410。这些匹配电路操作为将来自天线402、404的RF信号匹配到双级LNA 306的第一级放大器442的输入端口。在示例性实施例中,可以利用任何数目的第一级放大器。第一级放大器442放大在它们的输入端口处的所接收的RF信号,并且在它们的输出端口处将放大的信号提供给开关418、420和422。在所示出的示例性实施例中,放大器412放大来自天线402的信号,并且放大器414和416放大来自天线404的信号。在替换实施例中,第一级放大器442的放大器放大来自相同天线或不同天线的信号。
开关418、420和422均具有输入端子以及一个或多个输出端子。例如,开关418具有输入端子446和输出端子458。在示例性实施例中,每个开关包括一个或多个独立可控制的开关设备,该一个或多个开关设备使得它们的输入被连接以接收相同的输入信号。然而,这些开关设备提供独立的输出。在示例性实施例中,响应于开关控制信号(S1-S3),每个开关(418、420和422)的输入端子连接到它们相应的输出端子中的一个或多个。因此,放大器412、414和416的输出端口可以基于所接收的开关控制信号(S1-S3)而分别连接到与开关418、420和422相关联的输出端子中的一个或多个。
开关的输出端子连接到第二放大器级444的放大器424、426和428的输入端口。在示例性实施例中,通过开关418、420和422的输出与第二放大器级444之间的连接而流动的信号(在448处指示)是电压模式信号,从而信息以与这些信号相关联的电压电平和/或电压改变而被运送。因为信号448是电压模式信号,所以开关412、414和416与第二级放大器424、426和428之间的距离可以被延长而不显著劣化通过这些连接流动的放大信号。
在操作期间,控制器310输出开关控制信号(S1-S3)以控制开关而将它们的输入端子连接到它们的输出端子中的一个或多个。这有效地将来自第一级放大器412、414和418的放大信号分发给第二级放大器424、426和428。在示例性实施例中,从第一级放大器412、414和416输出的放大信号的任何部分或全部可以被切换而成为向第二级放大器424、426和428中的一个或多个的输入。例如,如果开关418、420和422中的顶部开关闭合,则第一级放大器的所有放大输出被切换以输入到第二级放大器424。因此,开关418、420和422可以被配置为将第一级放大器输出中的任何输出定向到第二级放大器输入中的任何输入。
第二级放大器444操作为放大它们的输入端口处的电压模式信号,以在它们的输出端口处产生被用来驱动变压器电路430、432和434的放大的电流模式信号。例如,信号450是从第二级放大器424输出并输入到变压器430的电流模式信号。变压器430的输出被输入到下变频器436以生成与第一载波相关联的基带数据。下变频器436接收本地振荡器(LO1)信号,LO1信号被用来将从变压器430输出的电流模式RF信号下变频。下变频器438和440类似地被配置。
在示例性实施例中,变压器电路430、432和434包括可调谐电容器452、454和456,它们允许变压器性能被调谐到特定载波频率。可调谐电容器452、454和456基于从控制器310输出的接收变压器控制信号(T1-T3)而被调谐。第二级放大器444的输出是电流模式信号,从而信息以与这些电流信号相关联的电流水平和/或电流改变而被运送。因为第二级放大器444的放大输出是电流模式信号,所以这些放大器可以被放置为非常接近于它们对应的变压器电路以维持优秀的线性度。相对照地,开关418、420和422的输出与向第二级放大器的输入之间的连接可以在长度上长得多,因为这些连接运载电压模式信号并且因此较不倾向于线性度降级。因此,第一级放大器442操作为以频带为中心的放大器,因为它们放大特定频带中的信号。第二级放大器操作为以载波为中心的放大器,因为它们放大与将被解调的特定载波相关联的信号。
在示例性实施例中,第一级放大器442和第二级放大器444被实施在一个或多个集成电路(IC)上。例如,在一个方面中,第一级放大器442和开关装置419被实施在第一IC上,并且第二级放大器444被实施在第二IC上。应当注意,其他实施方式是可能的。因为信号448是电压模式信号,所以这些连接的长度可以长于通过第二级放大器444的输出与变压器电路430、432和434之间的连接而流动的电流模式信号450的长度。
图5示出了图4中所示出的双级LNA 306的示例性替换实施例。如图5中所示出的,双级LNA 306包括第一级放大器510和第二级放大器512。第二放大器级512现在包括开关装置501,开关装置501包括开关502、504和506,它们从第一级放大器510接收电压模式放大输出信号508。每个开关(502、504和506)包括一个或多个独立可控制的开关设备。开关502、504和506由从控制器310输出的开关控制信号(S1-S3)来控制。每个开关具有多个输入端子和一个输出端子。例如,开关502具有输入端子514和输出端子516。输入端子被连接以接收从第一级放大器510输出的电压模式放大信号。开关的输出端子将所接收的电压模式放大信号传递到第二级放大器424、426和428的输入。第二级放大器512输出放大的电流模式信号,它们被输入到对应的变压器电路430、432和434。例如,信号450是放大的电流模式信号。因此,图5中所示出的双级LNA 306的示例性实施例说明了,对第一级放大器的输出进行分发的开关装置501如何可以从包括第一级放大器电路510的第一集成电路被移动到包括第二级放大器电路512的第二集成电路。
图6示出了图4中所示出的双级LNA 306的放大器412和开关418的示例性详细实施例。在这一示例性实施例中,放大器412包括形成反相放大器的晶体管602和604。放大器412的输出端子606连接到开关418的输入端子608。放大器412在输入端子610处接收输入,输入端子610通过电容器612和614耦合到晶体管602、604的栅极。第一退化电感器616连接在供电线与晶体管602的源极端子之间。第二退化电感器618连接在信号地与晶体管604的源极端子之间。两个退化电感器616和618以互耦系数(Kdeg)耦合在一起以减小电路面积。
开关418包括三个晶体管开关设备620、622、624。这些晶体管通过由控制器310生成的开关控制线路(S1a、S1b和S1c)而被控制。如果开关被接通,则输入端子608处的信号被传递到与所接通的开关相关联的输出端子。例如,如果开关620被开关控制线路S1A所接通,则端子608处的信号被传递到开关输出端子626。这些开关是独立可控制的,从而这些开关中的任何开关或所有开关可以取决于开关控制线路(S1a-S1c)的状态而在任何时间是接通的或断开的。在这一示例性实施例中,从开关418输出的信号是电压模式信号。
图7示出了图4中所示出的放大器424和变压器电路430的详细示例性实施例。在这一示例性实施例中,放大器424包括形成反相放大器的晶体管712和714,该反向放大器在输出端子720处提供电流模式输出信号。放大器424的输出端子720连接到变压器430的输入端子722。放大器424在输入端子702处接收输入信号,输入端子702通过电容器704和706耦合到晶体管712和714的栅极。例如,在示例性实施例中,输入端子702连接到如图4中所示出的开关输出端子458以接收用于放大的电压模式信号。
第一电阻器708连接到晶体管712的栅极以接收第一偏置信号(Vbias_pmos)。第二电阻器710连接到晶体管714的栅极以接收第二偏置信号(Vbias_nmos)。第一可调谐电容器716连接在晶体管712的栅极端子与源极端子之间。该源极端子进一步连接到电压供应。第二可调谐电容器718连接在晶体管714的栅极端子与源极端子之间。该源极端子进一步连接到信号地。可调谐电容器716和718接收由无线设备(未示出)处的另一实体所提供的调谐控制信号Cgsp_tune和Cgsn_tune。偏置信号Vbias_pmos和Vbias_nmos也由无线设备(未示出)处的另一实体提供。调谐信号和偏置信号被配置为控制放大器424以操作在所期望的操作模式中。
变压器430包括调谐电容器724和726以及变压器728。串联调谐电容器724将输入端722处的电流模式信号450耦合到变压器728。串联可调谐电容器724和分路可调谐电容器726操作为调谐变压器728的操作以用于感兴趣的特定频率。电容器724和726通过调谐由控制器310生成的变压器控制信号(T1)中所提供的信号而是可调谐的。变压器728将输出信号730提供给下游解调器。
图8示出了用于与图4或图5中所示出的双级LNA 306一起使用的控制器800的示例性实施例。例如,控制器800适合于用作图4或图5中所示出的控制器310。控制器800包括处理器802、存储器804、开关控制器806和变压器控制器808,它们全部被耦合以通过通信总线810进行通信。
处理器802包括以下至少之一:CPU、处理器、门阵列、硬件逻辑、分立电路、存储器元件、和/或执行软件的硬件。处理器802操作为使用通信总线810对控制器800的其他功能元件进行控制。处理器802可以执行存储器804中存储的指令,或者根据通过处理器控制线路812接收的指令、命令、数据或其他信息来操作。在示例性实施例中,该设备处的另一实体(未示出)生成处理器控制线路812上的信息。
存储器804包括允许存储、取回和维护与控制器800的操作相关联的指令和/或数据的任何适合的存储器或存储设备。在示例性实施例中,存储器804存储算法指令,这些算法指令可以由处理器802执行以执行如本文所描述的双级LNA的功能。
开关控制器806包括操作为向上文描述的各种示例性实施例中使用的开关输出开关控制信号(Sn)的硬件,诸如放大器、缓冲器、寄存器、门、晶体管、模数转换器、数模转换器、或任何其他适合的硬件或分立组件、和/或执行软件的硬件。例如,处理器802操作为确定用于在各种实施例中使用的开关中的一个或多个开关的开关设置,并且将这些开关设置传递给开关控制器806。开关控制器806根据由处理器802所做出的确定而将开关控制信号(Sn)输出到所指定的开关以调节它们的开关设置。在示例性实施例中,处理器802确定开关418、420、422的开关设置将被改变为新的开关设置。处理器802将新的开关设置发送给开关控制器806,开关控制器806将开关控制信号(Sn)输出到开关418、420、422以设置新的开关设置。在示例性实施例中,开关控制器806被配置为在必要时输出模拟和/或数字开关控制信号。
变压器控制器808包括操作为输出变压器控制信号(Tn)以调谐变压器电路430、432和434的操作的硬件,诸如放大器、缓冲器、寄存器、门、晶体管、模数转换器、数模转换器、或任何其他适合的硬件或分立组件、和/或执行软件的硬件。例如,处理器802操作为确定用于变压器电路中的每个变压器电路的操作参数(例如,频率调谐),并且将这些调节传递给变压器控制器808。变压器控制器808根据由处理器802所做出的确定而输出变压器控制信号(Tn)以调节变压器电路的操作。
应当注意,控制器800仅表示一种实施方式并且其他实施方式是可能的。例如,控制器800可以被实施在分立逻辑中,分立逻辑消除了对于处理器或存储器设备的需求。在另一实施方式中,控制器800的功能和/或实施被包含或集成到接收设备处的基带处理器或其他实体中。
图9示出了用于在多频带接收器中提供放大的示例性方法900。例如,方法900适合于与包括图4中所示出的双级LNA 306的接收器300一起使用。
在框902处,做出确定以识别将由每个天线302接收并且使用适当匹配网络304被输入到第一级放大器442的载波信号。例如,处理器802通过控制接口812接收信息,该信息识别将被接收的载波信号以及将被用来接收那些载波信号的天线。处理器还具有如下的知识:这些天线如何通过匹配网络304而连接到第一放大器级442的输入。
在框904处,关于将被用来解调所接收的载波信号的解调器308做出确定。例如,处理器802通过控制接口812接收信息,该信息指示哪些解调器将被用来解调将被接收的载波信号。
在框906处,开关控制信号被生成并输出以控制来自第一放大器级442的放大器的电压模式输出如何被输入到第二放大器级444的放大器。处理器802控制开关控制器806以输出开关控制信号(Sn),而控制开关418、420和422的操作以将第一级放大器的电压模式输出信号448连接到第二级放大器444的输入。开关418、420和422被控制以使得第一级放大输出被连接到适当的第二级放大器输入,从而第一放大器级输出中的载波信号由适当的第二级放大器放大并被路由到正确的解调器。
在框908处,基于将由每个解调器解调的载波信号,变压器控制信号被生成并输出以将变压器电路430、432和434调谐为操作在所期望的频率处。在示例性实施例中,处理器802控制变压器控制器808以输出变压器控制信号(Tn)来调谐可变电容器452、454和456,从而变压器430、432和434的操作被调谐以接收第二级放大器的电流模式输出信号450,并且将这些信号从变压器运送到解调器436、439和440。在示例性实施例中,变压器控制信号(Tn)控制每个变压器电路的串联可调谐电容器724和分路可调谐电容器726两者。
在框910处,当在天线302处接收的RF信号被第一放大器级442放大以生成被输入到开关418、420和422的放大的电压模式信号时,RF信号被接收并解调。这些开关由开关控制信号(Sn)控制,以将放大的电压模式信号连接到第二放大器级444的适当输入。第二级放大器输出被输入到变压器电路430、432和434的放大的电流模式信号,变压器电路430、432和434被调谐为在将被解调的载波信号的适当频率处操作。变压器电路的输出被输入到解调器436、438和440以被下变频而获得所期望的基带信号。
图10示出了被配置用于无线设备中的双级放大的示例性装置1000。在示例性实施例中,装置1000包括用于放大一个或多个天线信号的第一部件(1002),用于放大的部件具有用以输出放大的信号的多个输出端口。装置1000还包括用于放大在多个输入端口处接收的信号的第二部件(1004)。装置1000还包括用于将所选择的输出端口选择性地连接到所选择的输入端口的第三部件(1006)。
本文所描述的双级LNA的示例性实施例可以被实施在IC、模拟IC、RFIC、混合信号IC、ASIC、印刷电路板(PCB)、电子设备等上。双级LNA还可以利用各种IC工艺技术来制作,诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)、N沟道MOS(NMOS)、P沟道MOS(PMOS)、双极结型晶体管(BJT)、双极CMOS(BiCMOS)、硅锗(SiGe)、砷化镓(GaAs)、异质结双极晶体管(HBT)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、绝缘体上硅(SOI),等等。
实施本文所描述的双级LNA的装置可以是独立设备或者可以是更大设备的一部分。设备可以是(i)独立IC,(ii)一个或多个IC的集合,其可以包括用于存储数据和/或指令的存储器IC,(iii)RFIC,诸如RF接收器(RFR)或RF发射器/接收器(RTR),(iv)ASIC,诸如移动站调制解调器(MSM),(v)可以被嵌入其他设备内的模块,(vi)接收器、蜂窝电话、无线设备、手机、或移动单元,(vii)等等。
在一种或多种示例性设计中,所描述的功能可以被实施在硬件、软件、固件、或者它们的任何组合中。如果被实施在软件中,则功能可以作为计算机可读介质上的一个或多个指令或代码被存储或者被传输。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质两者,通信介质包括促进计算机程序从一个地方到另一地方的传送的任何介质。存储介质可以是能够由计算机访问的任何可用介质。通过示例而非限制的方式,这样的计算机可读介质可以包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其他光盘存储装置、磁盘存储装置或其他磁存储设备、或者可以被用来以指令或数据结构的形式承载或存储所期望的程序代码并且可以由计算机访问的任何其他介质。此外,任何连接恰当地被称为计算机可读介质。例如,如果软件使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线路(DSL)、或无线技术(诸如红外、无线电和微波)从网站、服务器或其他远程源被传输,则同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或无线技术(诸如红外、无线电和微波)被包括在介质的定义中。如本文所使用的盘和碟包括紧致碟(CD)、激光碟、光碟、数字多功能碟(DVD)、软盘和蓝光碟,其中盘通常磁性地再现数据,而碟利用激光而光学地再现数据。上面的组合也应当被包括在计算机可读介质的范围之内。
本公开的之前描述被提供以使得本领域的任何技术人员能够制造或使用本公开。对本公开的各种修改对本领域的技术人员将是容易明显的,并且本文所定义的一般原理可以被应用到其他变化而不偏离本公开的范围。因此,本公开不意图被限制于本文所描述的示例和设计,而是本公开将符合于与本文所公开的原理和新颖特征相一致的最宽范围。

Claims (20)

1.一种电子装置,包括:
多个第一级放大器,分别具有用以输出第一级放大的电压模式信号的多个第一级输出端口;
多个第二级放大器,分别具有多个第二级输入端口和用以输出放大的电流模式信号的第二级输出端口;以及
开关装置,具有耦合到所述第一级输出端口的输入端子和耦合到所述第二级输入端口的输出端子,所述开关装置被配置为将所选择的第一级输出端口耦合到所选择的第二级输入端口,
其中所述开关装置被配置以使得所述多个第一级输出端口中的至少一个第一级输出端口可以选择性地被耦合到所述多个第二级输入端口中的复数个输入端口中的任何输入端口。
2.根据权利要求1所述的装置,所述开关装置响应于控制信号而可操作。
3.根据权利要求2所述的装置,所述开关装置包括多个开关,并且所述控制信号包括分别耦合到所述多个开关的多个控制信号。
4.根据权利要求3所述的装置,所述多个开关中的每个开关包括由所述控制信号独立控制的多个独立可控制的开关设备。
5.根据权利要求2所述的装置,进一步包括用以生成所述控制信号的控制器。
6.根据权利要求1所述的装置,每个第二级放大器被配置为接收电压信号并生成放大的电流模式信号。
7.根据权利要求1所述的装置,每个第二级输出端口耦合到具有变压器输出的变压器。
8.根据权利要求7所述的装置,所述第一级输出端口通过电压模式信号路径耦合到所述第二级输入端口,所述电压模式信号路径长于所述第二级输出端口与所述变压器之间的电流模式信号路径。
9.根据权利要求7所述的装置,每个变压器输出耦合到解调器。
10.根据权利要求9所述的装置,每个解调器被调谐以解调所选择的载波频率。
11.根据权利要求1所述的装置,所述第一级放大器和所述第二级放大器包括反相放大器。
12.根据权利要求1所述的装置,所述第一级放大器和所述开关装置被形成在第一集成电路上,并且所述第二级放大器被形成在第二集成电路上。
13.根据权利要求1所述的装置,所述第一级放大器被形成在第一集成电路上,并且所述开关装置和所述第二级放大器被形成在第二集成电路上。
14.根据权利要求1所述的装置,进一步包括多个匹配电路,每个匹配电路具有耦合到所选择的天线的输入端口和连接到所选择的第一级放大器输入端口的输出端口。
15.根据权利要求1所述的装置,所述第一级放大器操作为以频带为中心的放大器以放大具有一个或多个载波信号的信号频带,并且每个第二级放大器操作为以载波为中心的放大器以放大相应的载波信号。
16.根据权利要求1所述的装置,其中将被放大的每个信号频带与所述多个第一级放大器之一相关联,并且将被放大的每个载波信号与所述多个第二级放大器之一相关联。
17.根据权利要求2所述的装置,所述开关装置响应于所述控制信号而可操作为将所述第二级输入端口中的每个第二级输入端口连接到所有的所述第一级输出端口。
18.一种电子装置,包括:
用于放大一个或多个信号的第一部件,所述用于放大的第一部件具有用以输出一个或多个放大的电压模式信号的多个第一级输出端口;
用于放大在多个第二级输入端口处接收的一个或多个电压模式信号并且输出一个或多个电流模式信号的第二部件;以及
用于将所选择的第一级输出端口选择性地耦合到所选择的第二级输入端口的部件,
所述用于选择性地耦合的部件包括用于将所述多个第一级输出端口中的至少一个第一级输出端口选择性地耦合到所述多个第二级输入端口中的复数个输入端口中的任何输入端口的部件。
19.根据权利要求18所述的装置,所述用于选择性地耦合的部件将所述第二级输入端口中的每个第二级输入端口耦合到所有的所述第一级输出端口。
20.根据权利要求18所述的装置,所述用于选择性地耦合的部件被配置为响应于控制信号而进行操作。
CN201580050488.1A 2014-09-19 2015-08-18 用于多频带接收器的双级低噪声放大器 Active CN106716850B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/491,833 2014-09-19
US14/491,833 US9431963B2 (en) 2014-09-19 2014-09-19 Dual stage low noise amplifier for multiband receiver
PCT/US2015/045707 WO2016043902A1 (en) 2014-09-19 2015-08-18 Dual stage low noise amplifier for multiband receiver

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106716850A CN106716850A (zh) 2017-05-24
CN106716850B true CN106716850B (zh) 2019-10-22

Family

ID=54012308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580050488.1A Active CN106716850B (zh) 2014-09-19 2015-08-18 用于多频带接收器的双级低噪声放大器

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9431963B2 (zh)
EP (2) EP3195482B1 (zh)
JP (1) JP6224293B1 (zh)
CN (1) CN106716850B (zh)
WO (1) WO2016043902A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11855589B2 (en) 2017-10-13 2023-12-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Low-noise amplifier supporting beam-forming function and receiver including the same

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6386312B2 (ja) * 2014-09-09 2018-09-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US9431963B2 (en) 2014-09-19 2016-08-30 Qualcomm Incorporated Dual stage low noise amplifier for multiband receiver
US9843291B2 (en) 2015-08-07 2017-12-12 Qualcomm Incorporated Cascaded switch between pluralities of LNAS
US9755678B2 (en) 2015-12-01 2017-09-05 Analog Devices Global Low noise transconductance amplifiers
US10177722B2 (en) 2016-01-12 2019-01-08 Qualcomm Incorporated Carrier aggregation low-noise amplifier with tunable integrated power splitter
US10700658B2 (en) * 2016-02-19 2020-06-30 Psemi Corporation Adaptive tuning networks with direct mapped multiple channel filter tuning
US10122332B2 (en) 2016-12-14 2018-11-06 Qualcomm Incorporated Low-noise amplifier with integrated wideband transformer-based power splitter
JP6779842B2 (ja) * 2016-12-14 2020-11-04 株式会社東芝 半導体装置
US9767888B1 (en) * 2016-12-30 2017-09-19 Cadence Design Systems, Inc. Methods and devices for high-sensitivity memory interface receiver
US10491182B2 (en) * 2017-10-12 2019-11-26 Ethertronics, Inc. RF signal aggregator and antenna system implementing the same
KR20190041896A (ko) * 2017-10-13 2019-04-23 삼성전자주식회사 빔포밍 기능을 지원하기 위한 저잡음 증폭기 및 이를 포함하는 수신기
CN108322191B (zh) * 2018-02-06 2022-03-25 广州慧智微电子股份有限公司 一种多频段低噪声放大器及放大方法
CN108336976B (zh) * 2018-02-07 2023-08-01 广州慧智微电子股份有限公司 一种多频段低噪声放大器及放大方法
CN110351769A (zh) * 2018-04-02 2019-10-18 南京邮电大学 一种双反相器结构的宽带低噪声放大器电路
US10326484B1 (en) * 2018-06-06 2019-06-18 Psemi Corporation Reconfigurable carrier aggregation FECC with switched filters and programmable band switching LNA
CN214069909U (zh) 2018-06-11 2021-08-27 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
TWI670930B (zh) 2018-12-18 2019-09-01 財團法人工業技術研究院 無線接收裝置
JP2020167445A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 株式会社村田製作所 フロントエンド回路および通信装置
JP7234177B2 (ja) 2020-03-17 2023-03-07 株式会社東芝 半導体装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101674052A (zh) * 2009-09-23 2010-03-17 京信通信系统(中国)有限公司 用于塔顶放大器的分级旁路电路及其控制方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5239685A (en) * 1991-10-08 1993-08-24 Qualcomm Incorporated Process for fabricating a MMIC hybrid device and a transceiver fabricated thereby
US5758269A (en) * 1995-03-30 1998-05-26 Lucent Technologies Inc. High-efficient configurable power amplifier for use in a portable unit
US7327775B1 (en) * 1999-12-23 2008-02-05 Nokia Corporation CDMA receiver
US6980601B2 (en) * 2000-11-17 2005-12-27 Broadcom Corporation Rate adaptation and parameter optimization for multi-band single carrier transmission
US7218029B2 (en) * 2001-05-22 2007-05-15 Texas Instruments Incorporated Adjustable compensation of a piezo drive amplifier depending on mode and number of elements driven
US7538609B2 (en) * 2007-01-26 2009-05-26 Infineon Technologies Ag Amplifier, transmitter arrangement having an amplifier and method for amplifying a signal
WO2008093477A1 (ja) * 2007-01-30 2008-08-07 Renesas Technology Corp. Rf増幅装置
US8260212B2 (en) * 2009-05-19 2012-09-04 Broadcom Corporation Method and system for a reconfigurable filter that is utilized by a RF transmitter and a RF receiver which are integrated on a single substrate
US8195102B2 (en) 2010-06-02 2012-06-05 Nxp B.V. System and method for transmitting a baseband real signal with a non-constant envelope using a polar transmitter
US8880014B2 (en) * 2010-06-07 2014-11-04 Skyworks Solutions, Inc. CMOS RF switch device and method for biasing the same
US8428533B2 (en) * 2010-06-08 2013-04-23 Qualcomm, Incorporated Techniques for optimizing gain or noise figure of an RF receiver
US9178669B2 (en) 2011-05-17 2015-11-03 Qualcomm Incorporated Non-adjacent carrier aggregation architecture
US9252827B2 (en) * 2011-06-27 2016-02-02 Qualcomm Incorporated Signal splitting carrier aggregation receiver architecture
GB201119888D0 (en) 2011-11-17 2011-12-28 Renesas Mobile Corp Methods of receiving and receivers
US9362958B2 (en) 2012-03-02 2016-06-07 Qualcomm Incorporated Single chip signal splitting carrier aggregation receiver architecture
US9154356B2 (en) 2012-05-25 2015-10-06 Qualcomm Incorporated Low noise amplifiers for carrier aggregation
US9300420B2 (en) 2012-09-11 2016-03-29 Qualcomm Incorporated Carrier aggregation receiver architecture
US9543903B2 (en) 2012-10-22 2017-01-10 Qualcomm Incorporated Amplifiers with noise splitting
JP5982259B2 (ja) * 2012-11-06 2016-08-31 Kddi株式会社 低雑音増幅器、及び無線通信装置
US9603187B2 (en) 2012-11-14 2017-03-21 Qualcomm Incorporated Omni-band amplifiers
US9548709B2 (en) 2012-12-19 2017-01-17 Qualcomm Incorporated Independent gain control for multiple receive circuits concurrently processing different transmitted signals
US8903343B2 (en) 2013-01-25 2014-12-02 Qualcomm Incorporated Single-input multiple-output amplifiers with independent gain control per output
US8975968B2 (en) 2013-01-25 2015-03-10 Qualcomm Incorporated Amplifiers with improved isolation
US9059665B2 (en) 2013-02-22 2015-06-16 Qualcomm Incorporated Amplifiers with multiple outputs and configurable degeneration inductor
US9106185B2 (en) 2013-03-11 2015-08-11 Qualcomm Incorporated Amplifiers with inductive degeneration and configurable gain and input matching
US9035697B2 (en) 2013-03-15 2015-05-19 Qualcomm Incorporated Split amplifiers with improved linearity
US9124228B2 (en) 2013-04-04 2015-09-01 Qualcomm Incorporated Amplifiers with boosted or deboosted source degeneration inductance
US10840805B2 (en) * 2013-09-24 2020-11-17 Eta Devices, Inc. Integrated power supply and modulator for radio frequency power amplifiers
US9425832B2 (en) 2014-01-16 2016-08-23 Qualcomm Incorporated Inter carrier-aggregation isolation in a receiver
US9271239B2 (en) 2014-02-14 2016-02-23 Qualcomm Incorporated Current-efficient low noise amplifier (LNA)
US9326171B2 (en) 2014-03-10 2016-04-26 Qualcomm Incorporated Enhancing data throughput using multiple receivers
US20160036392A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 Qualcomm Incorporated Dual-band amplifier
US20160079946A1 (en) * 2014-09-12 2016-03-17 Qualcomm Incorporated Multi-band low noise amplifier with a shared degeneration inductor
US9431963B2 (en) 2014-09-19 2016-08-30 Qualcomm Incorporated Dual stage low noise amplifier for multiband receiver
US9628023B2 (en) * 2015-02-20 2017-04-18 Analog Devices, Inc. Apparatus and methods for multi-mode low noise amplifiers

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101674052A (zh) * 2009-09-23 2010-03-17 京信通信系统(中国)有限公司 用于塔顶放大器的分级旁路电路及其控制方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11855589B2 (en) 2017-10-13 2023-12-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Low-noise amplifier supporting beam-forming function and receiver including the same

Also Published As

Publication number Publication date
US9431963B2 (en) 2016-08-30
EP3402080A1 (en) 2018-11-14
CN106716850A (zh) 2017-05-24
JP6224293B1 (ja) 2017-11-01
EP3195482B1 (en) 2018-12-12
JP2017535118A (ja) 2017-11-24
EP3195482A1 (en) 2017-07-26
US20160087587A1 (en) 2016-03-24
US9755591B2 (en) 2017-09-05
WO2016043902A1 (en) 2016-03-24
US20160373075A1 (en) 2016-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106716850B (zh) 用于多频带接收器的双级低噪声放大器
CN105009448B (zh) 具有多个输出和可配置退化电感器的放大器
CN104365017B (zh) 用于载波聚集的具有基于变压器的信号分路的低噪声放大器
CN105409116B (zh) 具有可配置的相互耦合的源极退化电感器的放大器
CN105917581B (zh) 可切换的天线阵列
CN105075114A (zh) 具有改进的线性度的分路式放大器
CN105103442A (zh) 具有经助推或经制推的源极退化电感的放大器
CN105993128B (zh) 电流高效的低噪声放大器(lna)
US20140327483A1 (en) Complementary metal oxide semiconductor power amplifier
CN104798299A (zh) 全频带放大器
JP5992649B2 (ja) 絶縁を改良するための信号線の配線およびシールド
CN106464278A (zh) 具有rc网络的多级放大器
CN107148749A (zh) 变压器反馈放大器
US11784620B2 (en) Adaptive degeneration circuits
CN107112957B (zh) 用于带内载波聚合的接收器前端架构
CN106716852A (zh) 片上线性度校准
EP1733454A1 (en) Antenna device
CN112368944A (zh) 高频放大电路和通信装置
US7616931B2 (en) System and method for reducing phase distortion in a linear transmitter
US20230275334A1 (en) Frequency selective coupler

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant