JP6046279B2 - 複数の出力と構成可能ディジェネレーションインダクタとをもつ増幅器 - Google Patents
複数の出力と構成可能ディジェネレーションインダクタとをもつ増幅器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6046279B2 JP6046279B2 JP2015558861A JP2015558861A JP6046279B2 JP 6046279 B2 JP6046279 B2 JP 6046279B2 JP 2015558861 A JP2015558861 A JP 2015558861A JP 2015558861 A JP2015558861 A JP 2015558861A JP 6046279 B2 JP6046279 B2 JP 6046279B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- coupled
- output
- signal
- inductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 title claims description 171
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 82
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 18
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 13
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/16—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
- H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/489—A coil being added in the source circuit of a common source stage, e.g. as degeneration means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/541—Transformer coupled at the output of an amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0052—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Description
[0001]本出願は、その内容全体が参照により本明細書に明確に組み込まれる、2013年2月22日に出願された、同一出願人が所有する米国非仮特許出願第13/775,036号の優先権を主張する。
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
増幅器のための、および入力信号を受信し、増幅された信号を与えるように構成可能な、利得トランジスタと、前記増幅器が、第1の動作モードで単一の出力信号を与えるかまたは第2の動作モードで複数の出力信号を与える、
前記利得トランジスタに結合された、および前記第1の動作モードで第1のソースディジェネレーションインダクタンスを与えるかまたは前記第2の動作モードで第2のソースディジェネレーションインダクタンスを与えるように構成可能な、構成可能ディジェネレーションインダクタと
を備える装置。
[C2]
前記第2のソースディジェネレーションインダクタンスが前記第1のソースディジェネレーションインダクタンスよりも小さい、請求項1に記載の装置。
[C3]
前記構成可能ディジェネレーションインダクタは、
前記利得トランジスタと回路接地との間に結合された第1のインダクタと、
前記利得トランジスタと中間ノードとの間に結合された第2のインダクタと、
前記中間ノードと回路接地との間に結合されたシャントトランジスタと
を備える、C1に記載の装置。
[C4]
前記構成可能ディジェネレーションインダクタは、
前記利得トランジスタと中間ノードとの間に結合された第1のインダクタと、
前記中間ノードと回路接地との間に結合された第2のインダクタと、
前記中間ノードと回路接地との間に結合されたシャントトランジスタと
を備える、C1に記載の装置。
[C5]
前記利得トランジスタに結合された、および前記増幅された信号を受信し、第1の出力信号を与えるように構成可能な、第1のカスコードトランジスタと、
前記利得トランジスタに結合された、および前記増幅された信号を受信し、第2の出力信号を与えるように構成可能な、第2のカスコードトランジスタと
をさらに備える、C1に記載の装置。
[C6]
前記第1のカスコードトランジスタと前記第2のカスコードトランジスタの一方が前記第1の動作モードで有効にされ、前記第1のカスコードトランジスタと前記第2のカスコードトランジスタの両方が前記第2の動作モードで有効にされる、C5に記載の装置。
[C7]
前記入力信号を受信するように構成可能な第2の利得トランジスタと、
前記第2の利得トランジスタに結合された第3のカスコードトランジスタと、
前記第2の利得トランジスタに結合された第4のカスコードトランジスタと、前記第1〜第4のカスコードトランジスタは、前記第1の動作モードで前記単一の出力信号を与えるかまたは前記第2の動作モードで前記複数の出力信号を与えるように構成可能である、
をさらに備える、C5に記載の装置。
[C8]
前記利得トランジスタおよび前記第2の利得トランジスタは、互いにおよび前記構成可能ディジェネレーションインダクタに結合されたソースを有する、C7に記載の装置。
[C9]
第2の入力信号を受信するように構成可能な第2の利得トランジスタと、
前記第2の利得トランジスタに結合された第3のカスコードトランジスタと、
前記第2の利得トランジスタに結合された第4のカスコードトランジスタと、前記第1〜第4のカスコードトランジスタは、前記第1の動作モードで前記単一の出力信号を与えるかまたは前記第2の動作モードで前記複数の出力信号を与えるように構成可能であり、
前記第2の利得トランジスタに結合された、および前記第1の動作モードで第3のソースディジェネレーションインダクタンスを与えるかまたは前記第2の動作モードで第4のソースディジェネレーションインダクタンスを与えるように構成可能な、第2の構成可能ディジェネレーションインダクタと
をさらに備える、C5に記載の装置。
[C10]
前記利得トランジスタは、前記第1の動作モードで第1のバイアス電流を印加されるかまたは前記第2の動作モードで第2のバイアス電流を印加され、前記第2のバイアス電流は前記第1のバイアス電流よりも大きい、C1に記載の装置。
[C11]
前記第1のバイアス電流は、前記第1の動作モードで第1の可変利得を取得するように調整可能であるか、または前記第2のバイアス電流は、前記第2の動作モードで第2の可変利得を取得するように調整可能であるか、または両方である、C10に記載の装置。
[C12]
前記利得トランジスタに結合された、および入力無線周波数(RF)信号を受信し、前記利得トランジスタに前記入力信号を与えるように構成された、入力整合回路
をさらに備える、C1に記載の装置。
[C13]
前記入力整合回路は、前記入力整合回路の入力と出力との間に結合されたインダクタのみを備える、C13に記載の装置。
[C14]
増幅された信号を取得するために、第1の動作モードで第1のソースディジェネレーションインダクタンスに基づいてまたは第2の動作モードで第2のソースディジェネレーションインダクタンスに基づいて入力信号を増幅することと、
前記増幅された信号に基づいて、前記第1の動作モードで単一の出力信号を生成するかまたは前記第2の動作モードで複数の出力信号を生成することと
を備える方法。
[C15]
第1のインダクタに基づいて前記第1のソースディジェネレーションインダクタンスを与えることと、
前記第1のインダクタと第2のインダクタとの並列結合に基づいて前記第2のソースディジェネレーションインダクタンスを与えることと
をさらに備える、C14に記載の方法。
[C16]
第1のインダクタと第2のインダクタとの直列結合に基づいて前記第1のソースディジェネレーションインダクタンスを与えることと、
前記第1のインダクタに基づいて前記第2のソースディジェネレーションインダクタンスを与えることと
をさらに備える、C14に記載の方法。
[C17]
第2の増幅された信号を取得するために、前記第1の動作モードで第3のソースディジェネレーションインダクタンスに基づいてまたは前記第2の動作モードで第4のソースディジェネレーションインダクタンスに基づいて第2の入力信号を増幅することと、
前記増幅された信号および前記第2の増幅された信号のうちの少なくとも1つに基づいて、前記第1の動作モードで前記単一の出力信号を生成するかまたは前記第2の動作モードで前記複数の出力信号を生成することと
をさらに備える、C14に記載の方法。
[C18]
増幅された信号を取得するために、第1の動作モードで第1のソースディジェネレーションインダクタンスに基づいてまたは第2の動作モードで第2のソースディジェネレーションインダクタンスに基づいて入力信号を増幅するための手段と、
前記増幅された信号に基づいて、前記第1の動作モードで単一の出力信号を生成するかまたは前記第2の動作モードで複数の出力信号を生成するための手段と
を備える装置。
[C19]
前記第1の動作モードで前記第1のソースディジェネレーションインダクタンスを与えるかまたは前記第2の動作モードで前記第2のソースディジェネレーションインダクタンスを与えるための手段
をさらに備える、C18に記載の装置。
[C20]
第2の増幅された信号を取得するために、前記第1の動作モードで第3のソースディジェネレーションインダクタンスに基づいてまたは前記第2の動作モードで第4のソースディジェネレーションインダクタンスに基づいて第2の入力信号を増幅するための手段と、
前記増幅された信号および前記第2の増幅された信号のうちの少なくとも1つに基づいて、前記第1の動作モードで前記単一の出力信号を生成するかまたは前記第2の動作モードで前記複数の出力信号を生成するための手段と
をさらに備える、C18に記載の装置。
Claims (20)
- 増幅器のうちの利得トランジスタであって、前記利得トランジスタは、入力信号を受信し、増幅された信号を与えるように構成され、前記増幅器は、単出力動作モードに基づいて単一の出力信号を与え、および多出力動作モードに基づいて複数の出力信号を与えるように構成され、
前記利得トランジスタと接地との間に結合された、および前記単出力動作モードに基づいて第1のソースディジェネレーションインダクタンスを与え、および前記多出力動作モードに基づいて第2のソースディジェネレーションインダクタンスを与えるように構成された、構成可能ディジェネレーションインダクタと、
前記利得トランジスタに結合され、前記増幅された信号に基づいて第1の出力信号を選択的に与えるように構成された第1のトランジスタと、
前記利得トランジスタに結合され、前記増幅された信号に基づいて第2の出力信号を選択的に与えるように構成された第2のトランジスタと
を備える装置。 - 前記第1のトランジスタは、前記増幅された信号を受信するように構成され、前記第2のトランジスタは、前記増幅された信号を受信するように構成され、前記単一の出力信号は、前記第1の出力信号または前記第2の出力信号を含み、前記複数の出力信号は、前記第1の出力信号および前記第2の出力信号を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記第2のソースディジェネレーションインダクタンスは、前記第1のソースディジェネレーションインダクタンスよりも小さい、請求項1に記載の装置。
- 前記構成可能ディジェネレーションインダクタは、
第1のノードと接地との間に結合された第1のインダクタと、前記第1のノードは、前記利得トランジスタに結合され、
前記第1のノードと第2のノードとの間に結合された第2のインダクタと、
前記第2のノードと接地との間に結合されたシャントトランジスタと
を備える、請求項1に記載の装置。 - 前記構成可能ディジェネレーションインダクタは、
前記利得トランジスタと特定のノードとの間で結合された第1のインダクタと、
前記特定のノードと接地との間に結合された第2のインダクタと、
前記特定のノードと接地との間に結合されたシャントトランジスタと
を備える、請求項1に記載の装置。 - 前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタの一方が前記単出力動作モードに基づいて有効にされるように構成され、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタが前記多出力動作モードに基づいて有効にされるように構成される、請求項1に記載の装置。
- 前記入力信号を受信するように構成された第2の利得トランジスタと、
前記第2の利得トランジスタに結合された第3のトランジスタと、
前記第2の利得トランジスタに結合された第4のトランジスタと、ここにおいて、前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、前記第3のトランジスタおよび前記第4のトランジスタのうちの1つは、前記単出力動作モードに基づいて前記単一の出力信号を与えるように構成され、ここにおいて、前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、前記第3のトランジスタおよび前記第4のトランジスタのうちの少なくとも2つは、前記多出力動作モードに基づいて前記複数の出力信号を与えるように構成される、
をさらに備える、請求項1に記載の装置。 - 前記利得トランジスタの第1のソースおよび前記第2の利得トランジスタの第2のソースは、互いに結合され、および前記構成可能ディジェネレーションインダクタに結合される、請求項7に記載の装置。
- 第2の入力信号を受信するように構成された第2の利得トランジスタと、
前記第2の利得トランジスタに結合された第3のトランジスタと、
前記第2の利得トランジスタに結合された第4のトランジスタと、ここにおいて、前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、前記第3のトランジスタおよび前記第4のトランジスタのうちの1つは、前記単出力動作モードに基づいて前記単一の出力信号を与えるように構成され、およびここにおいて、前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、前記第3のトランジスタおよび前記第4のトランジスタのうちの少なくとも2つは前記多出力動作モードに基づいて前記複数の出力信号を与えるように構成され、
前記第2の利得トランジスタに結合された、および前記単出力動作モードに基づいて第3のソースディジェネレーションインダクタンスを与え、および前記多出力動作モードに基づいて第4のソースディジェネレーションインダクタンスを与えるように構成された、第2の構成可能ディジェネレーションインダクタと
をさらに備える、請求項1に記載の装置。 - 前記利得トランジスタは、前記単出力動作モードに基づいて第1のバイアス電流によってバイアスされ、および前記多出力動作モードに基づいて第2のバイアス電流によってバイアスされるように構成され、前記第2のバイアス電流は前記第1のバイアス電流を超えている、請求項1に記載の装置。
- 前記利得トランジスタの第1の可変利得は、前記第1のバイアス電流に基づき、ここにおいて、前記利得トランジスタの第2の可変利得は、前記第2のバイアス電流に基づき、ここにおいて、前記第1のバイアス電流、前記第2のバイアス電流、またはその両方は、調整可能である、請求項10に記載の装置。
- 前記利得トランジスタに結合された、および入力無線周波数(RF)信号を受信し、前記利得トランジスタに前記入力RF信号を与えるように構成された、入力整合回路をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 前記入力整合回路は、前記入力整合回路の入力と前記入力整合回路の出力との間で結合されたインダクタを備える、請求項12に記載の装置。
- 利得トランジスタが、第1のソースディジェネレーションインダクタンスに基づいて入力信号を増幅することと、前記利得トランジスタに結合された第1のトランジスタまたは前記利得トランジスタに結合された第2のトランジスタのうちの1つが、単出力動作モードに基づいて単一の出力信号を生成することと、
前記利得トランジスタが、第2のソースディジェネレーションインダクタンスに基づいて前記入力信号を増幅することと、前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタが、多出力動作モードに基づいて複数の出力信号を生成することと
を備える信号増幅の方法。 - 第1のインダクタを介して前記第1のソースディジェネレーションインダクタンスを与えることと、
前記第1のインダクタと第2のインダクタとの並列結合を介して前記第2のソースディジェネレーションインダクタンスを与えることと
をさらに備える、請求項14に記載の方法。 - 第1のインダクタと第2のインダクタとの直列結合を介して前記第1のソースディジェネレーションインダクタンスを与えることと、
前記第1のインダクタを介して前記第2のソースディジェネレーションインダクタンスを与えることと
をさらに備える、請求項14に記載の方法。 - 第2の利得トランジスタが、第2の増幅された信号を与えるために、前記単出力動作モードに基づく第3のソースディジェネレーションインダクタンスに基づいて第2の入力信号を増幅することと、
前記第2の利得トランジスタが、前記第2の増幅された信号を与えるために、前記多出力動作モードに基づく第4のソースディジェネレーションインダクタンスに基づいて前記第2の入力信号を増幅することと、ここにおいて、前記単一の出力信号または前記複数の出力信号のうちの少なくとも1つの出力信号は、前記第2の増幅された信号に基づく
をさらに備える、請求項14に記載の方法。 - 増幅された信号を与えるために入力信号を増幅するための手段と、
単出力動作モードに基づいて第1のソースディジェネレーションインダクタンスを与え、多出力動作モードに基づいて第2のソースディジェネレーションインダクタンスを与えるための手段と、
前記増幅された信号に基づいて第1の出力信号を選択的に与えるための手段と、前記第1の出力信号を前記選択的に与えるための手段は、前記増幅するための手段に結合され、
前記増幅された信号に基づいて第2の出力信号を選択的に与えるための手段と、前記第2の出力信号を前記選択的に与えるための手段は、前記増幅するための手段に結合される、
を備える装置。 - 前記第1のソースディジェネレーションインダクタンスを前記与えるため、および前記第2のソースディジェネレーションインダクタンスを前記与えるため、の手段は、
第1のノードと接地との間に結合される第1のインダクタンスを与えるための手段と、前記第1のノードは、前記入力信号を前記増幅するための手段に結合され、
前記第1のノードと第2のノードとの間で結合される第2のインダクタンスを与えるための手段と、
前記第2のノードを接地にシャントするための手段と
を備える、請求項18に記載の装置。 - 第2の増幅された信号を与えるために第2の入力信号を増幅するための手段と、
前記単出力動作モードに基づいて第3のソースディジェネレーションインダクタンスを与えるため、および前記多出力動作モードに基づいて第4のソースディジェネレーションインダクタンスを与えるため、の手段と、
をさらに備える、請求項18に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/775,036 | 2013-02-22 | ||
US13/775,036 US9059665B2 (en) | 2013-02-22 | 2013-02-22 | Amplifiers with multiple outputs and configurable degeneration inductor |
PCT/US2014/015560 WO2014130284A1 (en) | 2013-02-22 | 2014-02-10 | Amplifiers with multiple outputs and configurable degeneration inductor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016508702A JP2016508702A (ja) | 2016-03-22 |
JP6046279B2 true JP6046279B2 (ja) | 2016-12-14 |
Family
ID=50156965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015558861A Active JP6046279B2 (ja) | 2013-02-22 | 2014-02-10 | 複数の出力と構成可能ディジェネレーションインダクタとをもつ増幅器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9059665B2 (ja) |
EP (1) | EP2959578B1 (ja) |
JP (1) | JP6046279B2 (ja) |
KR (1) | KR101672356B1 (ja) |
CN (1) | CN105009448B (ja) |
WO (1) | WO2014130284A1 (ja) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9184707B2 (en) * | 2013-01-17 | 2015-11-10 | Qualcomm Incorporated | Amplifier with switchable common gate gain buffer |
US20140328436A1 (en) * | 2013-05-03 | 2014-11-06 | Nvidia Corporation | Receiver front-end architecture for carrier aggregation |
US9407215B2 (en) * | 2013-05-10 | 2016-08-02 | Skyworks Solutions, Inc. | Circuits and methods related to low-noise amplifiers having improved linearity |
US10136944B2 (en) | 2013-10-15 | 2018-11-27 | Autonomix Medical, Inc. | Systems and methods for treating cancer and/or augmenting organ function |
MX364705B (es) | 2013-10-15 | 2019-05-06 | Autonomix Medical Inc | Sistemas y metodos para tratar el cancer y/o aumentar la funcion de organos. |
US9479131B2 (en) * | 2014-05-23 | 2016-10-25 | Qualcomm Incorporated | Carrier aggregation amplifier with dual gain control |
US9369097B2 (en) | 2014-09-05 | 2016-06-14 | Qualcomm Incorporated | Multi-band low noise amplifier |
US9431963B2 (en) * | 2014-09-19 | 2016-08-30 | Qualcomm Incorporated | Dual stage low noise amplifier for multiband receiver |
US9362988B2 (en) * | 2014-10-28 | 2016-06-07 | Qualcomm Incorporated | WWAN and WLAN cooperative support of multi-SIM devices |
US9853614B2 (en) | 2014-12-04 | 2017-12-26 | Qualcomm Incorporated | Amplifier with triple-coupled inductors |
US10009201B2 (en) * | 2015-01-13 | 2018-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd | Receiver and wireless terminal for signal processing |
US10177722B2 (en) | 2016-01-12 | 2019-01-08 | Qualcomm Incorporated | Carrier aggregation low-noise amplifier with tunable integrated power splitter |
US9973149B2 (en) | 2016-07-15 | 2018-05-15 | Psemi Corporation | Source switched split LNA |
KR102551718B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2023-07-06 | 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 | 축퇴 스위칭 블록 및 저손실 바이패스 기능을 갖는 다중-입력 증폭기 |
US10396714B2 (en) * | 2016-09-23 | 2019-08-27 | Qorvo Us, Inc. | Reconfigurable low-noise amplifier (LNA) |
US9866184B1 (en) * | 2016-09-28 | 2018-01-09 | International Business Machines Corporation | Degenerated transimpedance amplifier with wire-bonded photodiode for reducing group delay distortion |
US9800273B1 (en) | 2017-03-01 | 2017-10-24 | Qualcomm Incorporated | Wideband high linearity LNA with intra-band carrier aggregation support |
CN106936399B (zh) * | 2017-03-03 | 2019-01-29 | 东南大学 | 一种低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器 |
US11881828B2 (en) | 2017-04-04 | 2024-01-23 | Psemi Corporation | Tunable effective inductance for multi-gain LNA with inductive source degeneration |
US10038418B1 (en) | 2017-04-04 | 2018-07-31 | Psemi Corporation | Optimized multi gain LNA enabling low current and high linearity including highly linear active bypass |
US10447242B2 (en) * | 2017-05-24 | 2019-10-15 | Skyworks Solutions, Inc. | Signal switching systems and modules and devices using same |
US10110166B1 (en) * | 2017-06-07 | 2018-10-23 | Psemi Corporation | LNA with variable gain and switched degeneration inductor |
US10381991B1 (en) * | 2018-02-02 | 2019-08-13 | Psemi Corporation | Drain sharing split LNA |
KR102468797B1 (ko) | 2018-04-04 | 2022-11-18 | 삼성전자주식회사 | 반송파 집성을 지원하기 위한 증폭 동작을 수행하는 rf 집적회로 및 이를 포함하는 수신기 |
WO2019212830A2 (en) * | 2018-04-30 | 2019-11-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Front end systems with switched termination for enhanced intermodulation distortion performance |
US20200091876A1 (en) * | 2018-09-19 | 2020-03-19 | Psemi Corporation | Compact Architecture for Multipath Low Noise Amplifier |
CN109474242A (zh) * | 2018-09-26 | 2019-03-15 | 安徽矽芯微电子科技有限公司 | 一种毫米波低噪声放大器电路 |
TWI672903B (zh) | 2018-10-03 | 2019-09-21 | 立積電子股份有限公司 | 放大器電路 |
US10700650B1 (en) | 2019-01-08 | 2020-06-30 | Psemi Corporation | Configurable wideband split LNA |
WO2020146504A1 (en) | 2019-01-08 | 2020-07-16 | Psemi Corporation | Configurable wideband split lna |
US10951252B2 (en) * | 2019-01-08 | 2021-03-16 | Psemi Corporation | 5G NR configurable wideband RF front-end LNA |
JP2020198567A (ja) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 低ノイズアンプ回路 |
US11283409B2 (en) | 2019-08-30 | 2022-03-22 | Qualcomm Incorporated | Signal combiner |
JP2021118380A (ja) * | 2020-01-22 | 2021-08-10 | 株式会社村田製作所 | 増幅回路 |
TWI703803B (zh) * | 2020-03-04 | 2020-09-01 | 崑山科技大學 | 高電壓增益轉換器 |
US11159191B1 (en) | 2020-09-11 | 2021-10-26 | Apple Inc. | Wireless amplifier circuitry for carrier aggregation |
CN112564647B (zh) * | 2021-02-20 | 2021-05-25 | 广州慧智微电子有限公司 | 一种功率放大器及功率放大方法、存储介质 |
US20220393650A1 (en) * | 2021-06-02 | 2022-12-08 | Psemi Corporation | Wideband Multi Gain LNA Architecture |
US11539382B1 (en) | 2021-10-19 | 2022-12-27 | Psemi Corporation | Supporting wideband inputs on RF receivers |
US20240007060A1 (en) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | Psemi Corporation | Wideband Coupled Input Impedance Matching LNA Architecture |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6498926B1 (en) * | 1997-12-09 | 2002-12-24 | Qualcomm Incorporated | Programmable linear receiver having a variable IIP3 point |
JP2003324343A (ja) | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Lucent Technol Inc | 集積回路 |
KR100587566B1 (ko) | 2004-10-04 | 2006-06-08 | 삼성전자주식회사 | 가변 이득 증폭기 |
US7276976B2 (en) | 2004-12-02 | 2007-10-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Triple cascode power amplifier of inner parallel configuration with dynamic gate bias technique |
US7443241B2 (en) | 2005-11-28 | 2008-10-28 | Via Technologies Inc. | RF variable gain amplifier |
GB2434494B (en) | 2006-01-24 | 2008-02-06 | Toumaz Technology Ltd | Low noise amplifier |
JP4354465B2 (ja) | 2006-03-24 | 2009-10-28 | シャープ株式会社 | 可変利得増幅器及びこの可変利得増幅器を備えた通信装置 |
US7408406B2 (en) * | 2006-05-24 | 2008-08-05 | Tektronix, Inc. | Mode selection amplifier circuit usable in a signal acquisition probe |
US7463093B2 (en) | 2007-03-16 | 2008-12-09 | Intel Corporation | Variable gain amplifier |
US7702296B2 (en) | 2007-08-01 | 2010-04-20 | Mediatek Usa Inc. | Transmit/receive switch |
KR100952666B1 (ko) * | 2008-02-01 | 2010-04-13 | (주)에프씨아이 | 커패시터 피드백을 이용한 재구성 가능 저잡음 증폭기 |
JP2009200958A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 増幅器 |
US8514015B2 (en) * | 2008-12-10 | 2013-08-20 | Qualcomm, Incorporated | Amplifier with programmable off voltage |
US7944290B2 (en) | 2009-01-26 | 2011-05-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Trans-impedance amplifier |
US8022772B2 (en) | 2009-03-19 | 2011-09-20 | Qualcomm Incorporated | Cascode amplifier with protection circuitry |
US8031005B2 (en) | 2009-03-23 | 2011-10-04 | Qualcomm, Incorporated | Amplifier supporting multiple gain modes |
US8175566B2 (en) | 2009-06-04 | 2012-05-08 | Qualcomm, Incorporated | Multiple multi-mode low-noise amplifier receiver with shared degenerative inductors |
US8102213B2 (en) | 2009-07-23 | 2012-01-24 | Qualcomm, Incorporated | Multi-mode low noise amplifier with transformer source degeneration |
US8310312B2 (en) | 2009-08-11 | 2012-11-13 | Qualcomm, Incorporated | Amplifiers with improved linearity and noise performance |
US8918057B2 (en) | 2010-07-26 | 2014-12-23 | Mediatek Inc. | Intelligent transmission antenna selection method and communications apparatus utilizing the same |
CN101924524B (zh) * | 2010-08-25 | 2012-07-04 | 复旦大学 | 一种带有片上有源Balun的差分CMOS多模低噪声放大器 |
US8310314B2 (en) * | 2010-09-06 | 2012-11-13 | Mediatek Inc. | Signal amplification circuits for receiving/transmitting signals according to input signal |
JP5672975B2 (ja) | 2010-11-01 | 2015-02-18 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 可変利得増幅器 |
EP2456068B1 (en) | 2010-11-22 | 2013-06-19 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Low-noise amplifier with impedance boosting circuit |
US8378748B2 (en) * | 2011-05-19 | 2013-02-19 | Renesas Mobile Corporation | Amplifier |
US20130043946A1 (en) * | 2011-08-16 | 2013-02-21 | Qualcomm Incorporated | Low noise amplifiers with combined outputs |
-
2013
- 2013-02-22 US US13/775,036 patent/US9059665B2/en active Active
-
2014
- 2014-02-10 KR KR1020157025732A patent/KR101672356B1/ko active IP Right Grant
- 2014-02-10 CN CN201480009765.XA patent/CN105009448B/zh active Active
- 2014-02-10 WO PCT/US2014/015560 patent/WO2014130284A1/en active Application Filing
- 2014-02-10 JP JP2015558861A patent/JP6046279B2/ja active Active
- 2014-02-10 EP EP14706227.7A patent/EP2959578B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101672356B1 (ko) | 2016-11-03 |
EP2959578B1 (en) | 2020-02-05 |
CN105009448B (zh) | 2017-11-03 |
EP2959578A1 (en) | 2015-12-30 |
JP2016508702A (ja) | 2016-03-22 |
WO2014130284A1 (en) | 2014-08-28 |
US20140240048A1 (en) | 2014-08-28 |
KR20150119413A (ko) | 2015-10-23 |
CN105009448A (zh) | 2015-10-28 |
US9059665B2 (en) | 2015-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6046279B2 (ja) | 複数の出力と構成可能ディジェネレーションインダクタとをもつ増幅器 | |
JP5992648B2 (ja) | ブーストまたはデブーストされたソースディジェネレーションインダクタンスをもつ増幅器 | |
JP5882554B2 (ja) | 改善したアイソレーションを有する増幅器 | |
US9837968B2 (en) | Amplifier circuits | |
JP6345760B2 (ja) | 誘導性ディジェネレーションと、構成可能利得と、入力整合とをもつ増幅器 | |
JP5908663B1 (ja) | 改善された線形性をもつスプリット増幅器 | |
JP6110034B2 (ja) | 構成可能な相互結合ソースディジェネレーションインダクタを持つ増幅器 | |
JP6181328B2 (ja) | デュアル利得制御を用いたキャリアアグリゲーション増幅器 | |
CN107112957B (zh) | 用于带内载波聚合的接收器前端架构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20160308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160315 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160615 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161018 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6046279 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |