CN104465335A - 描绘方法以及描绘装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种描绘方法以及描绘装置。描绘方法包括：检测设置在基板的多个芯片的对准标记的位置，算出距正规位置的位置偏移量。如果是各对准标记间的相对的位置偏移较小的线性偏移，使平台只移动所求出的移动量而调整描绘位置。在非线性偏移的情况下，推定并实际测量另外的对准标记的位置，如果推定位置与实际位置之间的位置偏移小，修正栅格数据，如果推定位置与实际位置之间的位置偏移大，通过对准标记检测而求出各芯片的位置，并进行重新的栅格图像加工处理。

Description

描绘方法以及描绘装置

技术领域

本发明涉及一种对设置在描绘对象物的多个描绘区域照射光而进行描绘的描绘方法以及描绘装置，特别是涉及一种调整对描绘对象物的描绘位置的技术。

背景技术

作为在例如半导体晶片(wafer)等基板形成保护层或配线图案(pattern)的方法，有通过照射光而进行描绘的技术。在该技术中，将形成着感光层的基板作为描绘对象物，对描绘对象物照射基于描绘数据(data)调制后的光，而对感光层进行曝光。这时，必须调整用来对描绘对象物的适当位置进行描绘的描绘位置，到目前为止也提出了用来进行所述调整的技术。

例如日本专利特开2012-074615号公报中记载的技术是在预先形成在基板的基底图案上重叠地新形成描绘图案，且谋求消除因处理过程中的基板的伸缩或变形而引起的基底图案与描绘图案的位置偏移。也就是说，在该技术中，预先对矢量(vector)形式的设计数据进行栅格化(rasterize)处理而制成游程长度(run-length)数据，一面基于基底图案的位置检测结果而针对每一描绘单位修正数据一面供于描绘，由此进行所要描绘的图案与基底图案的位置对准而不会导致处理时间减少。

并且，这种作为描绘对象物的基板通常是在一片晶片(wafer)制作出多个芯片(chip)区域的单片(monolithic)结构，但例如日本专利第4724988号公报中所记载那样，也有将预先分开形成的多个芯片事后排列在基板上而制成的伪晶片(wafer)成为描绘对象物的情况。

发明内容

[发明要解决的课题]

在单片结构的晶片(wafer)中，多个芯片区域原本便是作为一体而制成的，因此多个芯片区域间几乎不产生相对的位置偏移，所述日本专利特开2012-074615号公报中记载的技术也以此为前提。另一方面，在日本专利第4724988号公报中所记载的伪晶片(wafer)中，在晶片(wafer)上芯片单位之间会产生相对较大的位置偏差。因此，有通过描绘时简单的晶片(wafer)位置的调整、或日本专利特开2012-074615号公报中记载的修正处理而无法应对的情况，在该情况下，必须针对每一芯片检测位置并依照所述位置制成描绘数据。因此，从晶片(wafer)供于描绘到描绘完成为止需要相对较长的时间，但原理上可以应对任一种芯片配置。

如上所述，供于描绘的描绘对象物的变形的大小多种多样，从而适于该变形的修正方法也多种多样。然而，到目前为止的技术中，只应用根据所假定的变形的大小而预先规定的修正技术，还未针对每一描绘对象物应用最适的修正处理。从而，有如下问题：未进行充分的位置对准而产生描绘位置偏移，或因执行不必要的处理而导致制程时间(tact time)变长。

本发明是鉴于所述课题而完成的，目的在于提供如下技术：在对设置在描绘对象物的多个描绘区域照射光而进行描绘的描绘方法及描绘装置中，通过执行与描绘对象物的变形相应的最适的位置对准处理，而可以减少处理时间的浪费，且高精度地进行已调整描绘位置的描绘。

[解决课题的手段]

本发明的一实施方式是一种描绘方法，从描绘单元把光照射到设置在描绘对象物的多个描绘区域的每一个而进行描绘，且为了达成所述目的而包括：第一步骤，生成对应于要描绘的内容的栅格数据(raster data)；第二步骤，将所述描绘单元相对于所述描绘对象物而定位；第三步骤，将所述多个描绘区域中的两个以上作为检测对象区域并检测其位置；第四步骤，基于所述检测对象区域的位置检测结果，调整所述描绘单元对所述描绘对象物的描绘位置；以及第五步骤，基于所述栅格数据，从所述描绘单元把所述光照射到所述描绘对象物的所述描绘位置而进行描绘；且在所述第四步骤中，判断所述第三步骤中所检测出的所述检测对象区域间的相对的第一位置偏移量是否在第一阈值以内，当判断为所述第一位置偏移量在所述第一阈值以内时，执行第一调整处理，即，基于所述检测对象区域的位置检测结果与对应于所述检测对象区域预先设定的基准位置之间的位置偏移量，而调整所述描绘单元与所述描绘对象物的相对位置，由此调整所述描绘位置，另一方面，当判断为所述第一位置偏移量超过所述第一阈值时，进而将所述多个描绘区域中的与所述检测对象区域不同的至少一个作为二次检测对象区域并检测其位置，判断所检测出的位置与根据所述第三步骤中的所述检测对象区域的位置检测结果而推定出的所述二次检测对象区域的位置之间的第二位置偏移量是否在第二阈值以内，当判断为所述第二位置偏移量在所述第二阈值以内时，执行第二调整处理，即，对所述栅格数据实施与所述第三步骤中的所述检测对象区域的位置检测结果和所述基准位置之间的位置偏移量相应的修正，由此调整所述描绘位置，当判断为所述第二位置偏移量超过所述第二阈值时，执行第三调整处理，即，检测所述描绘对象物中所包含的所有所述描绘区域的位置，并基于该位置检测结果而重新生成所述栅格数据，由此调整所述描绘位置。

而且，为了达成所述目的，本发明的另一实施方式是一种描绘装置，包括：保持单元，保持设置着多个描绘区域的描绘对象物；位置检测单元，将保持在所述保持单元的所述描绘对象物的所述多个描绘区域中的两个以上作为检测对象区域，并检测该检测对象区域的位置；数据生成单元，生成对应于要描绘的内容的栅格数据；描绘单元，基于所述栅格数据，对所述描绘对象物照射光而进行描绘；以及描绘位置调整单元，基于所述位置检测单元的检测结果，调整所述描绘单元对所述描绘对象物的描绘位置；且所述描绘位置调整单元判断由所述位置检测单元检测出的所述检测对象区域间的相对的第一位置偏移量是否在第一阈值以内，当判断为所述第一位置偏移量在所述第一阈值以内时，执行第一调整处理，即，基于所述检测对象区域的位置检测结果与对应于所述检测对象区域预先设定的基准位置之间的位置偏移量，而调整所述描绘单元与所述保持单元的相对位置，由此调整所述描绘位置，另一方面，当判断为所述第一位置偏移量超过所述第一阈值时，将所述多个描绘区域中的与所述检测对象区域不同的至少一个作为二次检测对象区域，判断由所述位置检测单元检测出的所述二次检测对象区域的位置与根据所述检测对象区域的位置检测结果而推定出的所述二次检测对象区域的位置之间的第二位置偏移量是否在第二阈值以内，当判断为所述第二位置偏移量在所述第二阈值以内时，执行第二调整处理，即，对所述栅格数据实施与所述检测对象区域的位置检测结果和所述基准位置之间的位置偏移量相应的修正，由此调整所述描绘位置，当判断为所述第二位置偏移量超过所述第二阈值时，执行第三调整处理，即，利用所述位置检测单元检测所述描绘对象物中所包含的所有所述描绘区域的位置，并基于该位置检测结果而由所述数据生成单元重新生成所述栅格数据，由此调整所述描绘位置。

在这些方式中，构成为能够执行第一调整处理至第三调整处理作为用来进行描绘单元与描绘对象物的位置对准的调整处理，根据描绘对象物中的描绘区域的位置检测结果而自动地选择执行这些处理。其中，第一调整处理是调整描绘单元与描绘对象物的物理位置，且是对设置在描绘对象物的多个描绘区域相对于描绘单元的位置偏移量大致相同的情况有效的调整处理。另外，第二调整处理是应对通过把修正加到预先制成的栅格数据而能够应对的位置偏移。另一方面，第三调整处理是在掌握设置在描绘对象物的多个描绘区域的每一个的位置之后重新制作栅格数据的调整处理，虽然比其他调整处理需要更多处理时间，但是通过制作符合各描绘区域的位置的栅格数据，而即便在描绘区域的位置偏差大的情况下也可以应对。

通过根据描绘对象物的状态而适当地分开使用这些调整处理，可以执行与描绘对象物的变形相应的最适的位置对准处理，而达成减少处理时间的浪费，且高精度地进行已调整描绘位置的描绘的目的。

为了实现所述目的，在本发明中检测若干描绘区域的位置，并使用该检测结果来判断应进行的调整处理。具体而言，当多个描绘区域(检测对象区域)间的相对的位置偏移量(第一位置偏移量)在第一阈值以下时，虽然描绘对象物相对于描绘单元而产生了位置偏移，但可以视这些描绘区域是一体地偏移，因此选择第一调整处理。另一方面，在第一位置偏移量超过第一阈值的情况下，认为各描绘区域向互不相同的方向偏移，也就是说描绘对象物产生了变形。

因此，进而检测另外的描绘区域(二次检测对象区域)的位置，评估所述描绘区域的位置与根据之前所检测出的各检测对象区域的位置而推定出的该描绘区域的位置之间的第二位置偏移量。如果第二位置偏移量小，意味着推定的精度高，也就是说可以根据已取得的信息以一定精度推定描绘对象物的变形的方式。所以，可以通过以消除(cancel)所推定出的变形的方式修正栅格数据，而进行描绘位置的调整。因此，在该情况下选择第二调整处理。

相对于此，如果第二位置偏移量变大，会产生通过栅格数据的修正而无法应对的情况。而且，例如像将所述伪晶片(wafer)作为描绘对象物的情况那样，有各芯片即各描绘区域向不同的方向且相对较大地偏移的情况，对于这种偏移，通过栅格数据的修正仍难以应对。因此，在第二位置偏移量超过第二阈值的情况下，选择在检测并掌握各描绘区域的位置之后重新生成栅格数据的第三调整处理。

如上所述，在本发明中检测若干描绘区域的位置，并且基于该检测结果而选择执行描绘单元对描绘对象物的描绘位置的调整方式。因此，即便每一描绘对象物的变形或位置偏移的方式不同，也可以通过选择与所述方式相应的最适的调整处理，而适当地进行描绘位置的调整，而且，因多余的调整处理而导致处理时间变长的问题也得以消除。

[发明效果]

根据本发明，因为以根据描绘对象物的变形或描绘区域的位置偏移所选择出的方式进行描绘位置的调整，所以可以减少处理时间的浪费，且高精度地进行已调整描绘位置的描绘。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式的图案描绘装置的侧视图。

图2(a)、图2(b)是表示作为所述图案描绘装置的描绘对象物的基板的图。

图3是表示图1的图案描绘装置的电性构成的框图。

图4是表示图案描绘装置的图案描绘动作的流程图。

图5(a)、图5(b)是表示第一对准标记至第四对准标记的图。

图6(a)、图6(b)是表示对准标记的位置偏移的示例的图。

图7(a)、图7(b)是表示第五对准标记的位置的图。

图8是说明基板上芯片单位之间的位置偏移的图。

图9是表示图案描绘动作的变形例的图。

[符号的说明]

1：图案描绘装置

100：描绘工具

101：本体框架

110：基板收纳盒

120：搬送机器人

130：基台

140：头支撑部

141：脚构件

143：梁构件

150：相机(位置检测单元)

160：平台(保持单元、平台)

161：平台移动机构

161X：X轴驱动部

161Y：Y轴驱动部

161T：θ轴驱动部

170：光学头(描绘单元)

172：盒

181：曝光控制部

200：计算机

201：存储部

202：栅格数据生成部(数据生成单元)

203：修正量计算部(描绘位置调整单元)

204：数据修正部(描绘位置调整单元)

205：条状数据生成部(描绘位置调整单元)

206：对准标记检测部(位置检测单元)

211：设计数据

212：栅格数据

AM1～AM5：对准标记(识别标记)

B1：条带

B2：分割区块

C1～C6：芯片

CR：芯片区域(描绘区域)

CR1～CR4：芯片区域(检测对象区域)

CR5：芯片区域(二次检测对象区域)

Im：图像

Pm5、Pp5：位置

Pmn、Ptn：点

Qm、Qt：矩形

S101～S109、S111～S115、S121、S122、S201～S203：步骤

V2：第二阈值

W：基板(描绘对象物)

Wx：条带宽度

X、Y、Z、θ：方向

具体实施方式

图1是表示本发明的一实施方式的图案描绘装置的侧视图，图2(a)、图2(b)是表示作为该图案描绘装置的描绘对象物的基板的图。而且，图3是表示图1的图案描绘装置的电性构成的框图。所述图案描绘装置1是对表面被赋予感光材料的半导体基板或玻璃(glass)基板等基板W的表面照射光而描绘图案的装置，且用于例如用来在被制作出电子器件(device)的基板形成金属配线的图案描绘。为了统一地表示各图中的方向，如图1所示，设定XYZ正交坐标系统。这里，XY平面为水平面，Z轴为铅垂轴。更具体而言，(-Z)方向表示铅垂朝下的方向。而且，将围绕Z轴的旋转方向设为θ方向。

所述图案描绘装置1包含：描绘工具(engine)(图案描绘部)100；以及数据处理部200，生成对描绘工具100提供的称为条状数据(strip data)或分割描绘数据的分割曝光用数据。在描绘工具100中，在对本体框架(frame)101安装未图示的外罩(cover)而形成的本体内部配置着装置各部，从而构成本体部，并且在本体部的外侧(在本实施方式中，如图1所示为本体部的右手侧)配置着基板收纳盒(cassette)110。在该基板收纳盒110收纳着一批(lot)图案描绘前的未处理基板W，通过配置在本体内部的搬送机器人(robot)120将所述基板W装载(loading)到本体部。而且，在对未处理基板W实施曝光处理(图案描绘处理)后，通过搬送机器人120将该基板W从本体部卸载(unloading)并送回到基板收纳盒110。此外，收容在基板收纳盒110内的一批基板W既可以均被描绘同一图案，也可以混合存在描绘图案不同的基板。

在所述本体部中，在本体内部的右手端部配置着搬送机器人120。而且，在该搬送机器人120的左手侧配置着基台130。所述基台130的其中一端侧区域(图1的右手侧区域)成为在与搬送机器人120之间进行基板W的交接的基板交接区域，相对于此，另一端侧区域(图1的左手侧区域)成为对基板W进行图案描绘的图案描绘区域。

在基台130上设置着平台(stage)160，该平台160将载置在上表面的基板W保持为大致水平姿势。通过平台移动机构161使所述平台160在基台130上沿X方向、Y方向以及θ方向移动。也就是说，平台移动机构161是在基台130的上表面按照以下顺序层叠配置着Y轴驱动部161Y(图3)、X轴驱动部161X(图3)及θ轴驱动部161T(图3)，且使平台160在水平面内二维地移动而进行定位。通过使保持着基板W的平台160沿Y方向水平移动，而可以使基板W在基板交接区域与图案描绘区域之间移动。而且，使平台160围绕θ轴(铅垂轴)旋转而调整相对于后述的光学头(head)170的相对角度以进行定位。此外，这种平台移动机构161可以使用比以往用得多的X-Y-θ轴移动机构。

而且，在基台130的上方，在基板交接区域与图案描绘区域的交界位置设置着头支撑部140。在该头支撑部140中，从基台130朝向上方立设着在X方向上相互隔开的一对脚构件141，并且以在这些脚构件141的顶部架桥的方式在X方向上横设着梁构件143。而且，在梁构件143的图案描绘区域侧的侧面固定着相机(camera)(摄像部)150，从而可以对保持在平台160的基板W的表面(被描绘面、被曝光面)进行拍摄。

而且，在像这样构成的头支撑部140的图案描绘区域侧固定地安装着光学头170及收纳着该光学头170的照明光学系统的盒(box)172。所述光学头170基于后述的条状数据而调制从光源出射的光束(beam)。而且，光学头170通过朝下地对在光学头170的正下方位置移动的基板W出射调制光束，而对保持在平台160的基板W进行曝光以描绘图案。由此，在通过先于所述曝光处理所执行的制程(process)而形成在基板W的基底图案上，重叠地描绘出描绘图案。此外，在本实施方式中，光学头170可以在X方向上以多条通道(channel)同时照射光，将X方向称为“副扫描方向”。而且，可以通过使平台160沿Y方向移动而对基板W描绘沿Y方向延伸的条状图案，将Y方向称为“主扫描方向”。

如图2(a)所示，作为所述图案描绘装置1的描绘对象物的基板W的一例是在大致圆形的半导体晶片(wafer)排列着多个芯片区域CR。在各芯片区域CR预先形成着集成电路或分立(discrete)电路元件等，当要在所述基板形成金属配线图案时，使用所述图案描绘装置1。芯片区域CR的尺寸(size)或在基板W上的配置数、布局(layout)等根据所要制造的器件的不同而不同。

如图2(a)右侧的放大图所示，在各芯片区域CR设置着用于可以从外部检测该芯片区域CR的位置的对准标记(alignment mark)AM。对准标记AM的形状或位置为任意，但优选如图2(a)右侧的放大图所示，在芯片区域CR内设置在尽可能远离的两处以上。原因在于：通过这种方式，不仅可以检测XY面内的芯片区域CR的位置，而且可以检测θ方向的旋转角度。

另一方面，从光学头170对基板W进行的描绘是如图2(b)中以虚线所示那样，以条带(band)B1为单位而实施。也就是说，光学头170通过一面将X方向上的条带宽度Wx的范围同时曝光一面相对于基板W相对地沿Y方向扫描移动，而进行一条带量的描绘。通过一面使X方向上的基板W与光学头170的相对位置依次变化一面重复进行以条带B1为单位的描绘，而最终对基板W的整个面进行描绘。条带宽度Wx由装置构成决定，且不一定与作为描绘对象物的基板W中的芯片区域CR的尺寸相关。

相当于所述一条带量的描绘数据为条状数据。此外，如图2(b)中以虚线所示那样，实际的描绘数据是被划分成比条带B1的尺寸更小的分割区块(block)B2单位而进行处理。

本实施方式的图案描绘装置包含计算机(computer)200作为用来供给适于如所述那样构成的描绘工具100的条状数据的数据处理部。该计算机200包含中央处理器(Central Processing Unit，CPU)或存储部201等，且与描绘工具100的曝光控制部181一并配置在电架(electrical rack)(省略图示)内。而且，计算机200内的CPU按照规定的程序(program)进行运算处理，由此实现栅格数据生成部202、修正量计算部203、数据修正部204、条状数据生成部205以及对准标记检测部206等功能区块。

例如，与基底图案重叠地描绘的描绘图案是以通过外部的计算机辅助设计(Computer-Aided Design，CAD)等而生成的矢量形式的设计数据记述的，该设计数据被输入到计算机200后，便写入并保存在存储部201。而且，栅格数据生成部202基于所述设计数据211而制作相当于一片基板W的整个面的栅格数据(位图数据(bitmap data))。所制成的栅格数据212被写入并保存在存储部201。

而且，计算机200包括对准标记检测部206、修正量计算部203以及数据修正部204作为用来修正基板W的各芯片区域CR与光学头170的相对的位置偏移的功能区块。具体而言，对准标记检测部206对由相机150拍摄基板W所得的图像实施适当的图像处理，并检测图像中所包含的对准标记AM的XY坐标位置。

修正量计算部203基于设计数据中所包含的设计位置信息、及由对准标记检测部206所检测出的实际位置，而算出对准标记AM距正规位置的位置偏移量，并求出消除该位置偏移量所需的修正量，所述设计位置信息是作为表示基板W被定位在平台160上的正规位置时的各芯片区域CR的XY坐标位置的信息而包含在设计数据中。成为修正对象的是基板W相对于光学头170的物理位置及描绘数据。也就是说，在可以通过改变基板W的位置而修正位置偏移的情况下，求出为此所需的平台160的移动量作为修正量。另一方面，在通过修正描绘数据而修正位置偏移的情况下，求出在由栅格数据制作条状数据时使用的修正量。

在必须修正基板W的物理位置的情况下，由修正量计算部203所算出的修正量被提供给描绘工具100的曝光控制部181。曝光控制部181根据所提供的修正量而分别给予平台移动机构161的X轴驱动部161X、Y轴驱动部161Y及θ轴驱动部161T以X、Y、θ各成分的修正指示，X轴驱动部161X、Y轴驱动部161Y及θ轴驱动部161T基于所述指示进行动作而使平台160移动，由此修正平台160上的基板W相对于光学头170的位置。

在必须修正描绘数据的情况下，数据修正部204基于从修正量计算部203提供的修正量而修正从存储部201读出的栅格数据。条状数据生成部205基于修正后的栅格数据而生成条带单位的条状数据，并送出到光学头170。由此，在已修正基板W的位置偏移的状态下进行描绘。

可以并用通过平台160的移动而进行的基板W的位置修正与描绘数据的修正。也就是说，可以通过平台160的移动而修正基板W的位置，进而也对描绘数据进行修正之后供于描绘。通过使平台160移动，而可以改变基板W相对于光学头170在X方向、Y方向及θ方向的位置，但基板W上的各芯片区域CR的移动方向相同。在例如因基板W的变形而导致各芯片区域CR产生互不相同的位置偏移时，不可能只通过平台移动便将所述位置偏移消除。为了应对这种情况，有效的是修正描绘数据。在并用通过平台移动而进行的位置修正与描绘数据的修正的情况下，在减去通过平台移动来消除的位置偏移量之后求出描绘数据的修正量。

此外，关于由设计数据制作栅格数据，并进行用来修正基板W的位置偏移或变形的数据修正之后制作条状数据的制程，在所述日本专利特开2012-074615号公报中有详细记载。在本实施方式中，也可以适宜应用日本专利特开2012-074615号公报中所记载的数据处理方法。因此，关于数据处理的具体内容，省略说明。在日本专利特开2012-074615号公报中是将栅格数据以游程长度数据的形式表示，但栅格数据的表示形式为任意。

接下来，一面参照图4一面对如所述那样构成的图案描绘装置1的图案描绘动作进行详细叙述。图4是表示图案描绘装置的图案描绘动作的流程图。在该图案描绘装置1中，当将收纳一批未处理的基板W的基板收纳盒110搬送到描绘工具100，并且将设计数据211提供给计算机200时，描绘工具100及计算机200分别以如下方式进行动作而对各基板W执行描绘图案的描绘，所述设计数据211记述着要对所述基板W描绘的描绘图案及表示基板W中的芯片区域CR的配置的设计位置信息。

计算机200取得设计数据211(步骤S101)之后，将该设计数据211保存到存储部201，然后，开始将设计数据211栅格化而生成栅格数据212的栅格图像加工(raster image processing，RIP)处理(步骤S102)。将所制成的栅格数据212存储保存到存储部201。另一方面，描绘工具100利用搬送机器人120从基板收纳盒110将一片未处理基板W装载到本体部，并载置在平台160(步骤S103)。此外，也可以同时进行RIP处理的执行与基板搬入，或者，也可以在搬入基板后开始RIP处理。

接着，根据设计数据211中所包含的设计位置信息，指定从形成在基板W上的各芯片区域CR的对准标记AM(图2(a))中选出的四个对准标记、即第一对准标记至第四对准标记的位置，利用相机150拍摄包含所述对准标记的位置的区域，对准标记检测部206根据所获得的图像而检测对准标记的位置(步骤S104)。然后，算出各对准标记距正规位置的位置偏移量(步骤S105)。

图5(a)、图5(b)是表示第一至第四对准标记的图。如图5(a)所示，适当选择排列在基板W上的多个芯片区域CR中互不相同的四个芯片区域CR1～CR4作为检测对象，对分别形成在这些芯片区域CR1～CR4的对准标记AM1～AM4进行拍摄。为了概括性地掌握作为基板W整体的位置偏移量，设为检测对象的芯片区域CR1～CR4理想的是在基板W上分散在尽可能远离的位置。

这里，作为简明的示例，以如下方式选择各芯片区域CR1～CR4，即，芯片区域CR1与芯片区域CR2之间、以及芯片区域CR3与芯片区域CR4之间分别在Y方向上成为相同位置，而且芯片区域CR1与芯片区域CR3之间、以及芯片区域CR2与芯片区域CR4之间分别在X方向上成为相同位置。在这种示例中，将设置在各个芯片区域的对准标记AM1～AM4连结而成的假想四边形是由与X方向平行的两边以及与Y方向平行的两边所构成的长方形。

如图5(b)所示，关于第n个对准标记AMn(n＝1，2，3，4)，将根据图像所检测出的表示所述对准标记AMn的位置的XY坐标平面的点设为Pmn，由(xmn，ymn)表示所述点的坐标。另一方面，将根据设计位置信息所求出的对应于所述对准标记AMn的正规位置的点设为Ptn，由(xtn，ytn)表示所述点的坐标。在该情况下，可以将所述对准标记AMn的位置偏移量Δxy及该位置偏移量的X方向成分Δx、Y方向成分Δy分别以下式表示：

Δx＝xmn-xtn

Δy＝ymn-ytn

$\mathrm{\Δxy}=\sqrt{}(\mathrm{\Δ}{x}^2+\mathrm{\Δ}{y}^2)$

以这种方式，可以分别算出基板W上的对准标记AM1～AM4的位置偏移量。

此外，在图5(a)中，除所述第一对准标记～第四对准标记AM1～AM4以外，还在基板W的中央部示出第五对准标记AM5。关于该第五对准标记AM5的意义及其利用方法，在之后进行详细叙述。

图6(a)、图6(b)是表示对准标记的位置偏移的示例的图。在图6(a)所示的例中，相对于将根据设计位置信息所获得的各对准标记的正规位置连结而成的矩形Qt，将实际检测出的对准标记AM1～AM4连结而成的矩形Qm成为在维持其形状的状态下位置向X方向、Y方向及θ方向偏移的形态。如果是这种类型的位置偏移，可以通过使平台160移动而予以修正。另一方面，在图6(b)所示的例中，各对准标记AM1～AM4的位置偏移不同，从而这些对准标记所形成的矩形Qm成为相对于正规的矩形Qt而变形的状态。在这种情况下，只通过平台移动无法予以修正。

这两种形态可以根据对准标记AM1～AM4间的相对位置而加以区别。也就是说，在维持正规的矩形形状的状态下各对准标记产生位置偏移的图6(a)的实例中，各对准标记AM1～AM4间的相对位置理应不会与正规位置下的相对位置有较大变化。另一方面，在矩形产生变形的图6(b)的实例中，各对准标记AM1～AM4间的相对位置会较大地变化。

因此，根据所检测出的各对准标记AM1～AM4的位置而求出彼此的相对位置关系，将所述位置关系与正规位置下的位置关系进行比较，而可以求出相对的位置偏移量(第一位置偏移量)。通过将像这样求出的第一位置偏移量与规定的第一阈值进行比较，而可以判断位置偏移是否为图6(a)及图6(b)所示的哪一实例。

具体而言，例如，对于对准标记的各组合进行求出从四个对准标记中选出的两个对准标记之间的相对的位置偏移量的运算，根据所述位置偏移量的平均值、最小值或最大值是否超过规定的第一阈值，而可以判定位置偏移的类型。关于使用平均值、最小值及最大值中的哪一值作为第一位置偏移量且将第一阈值设为哪种值，可以根据所需的位置对准的精度而适当设定。

此外，以下将如图6(a)所示那样维持着各对准标记AM1～AM4的相对位置关系的类型的位置偏移称为“线性偏移”，另一方面，将如图6(b)所示那样因各对准标记AM1～AM4的偏移方式不同而引起矩形变形的类型的位置偏移称为“非线性偏移”。而且，这里是使用假想地连结所检测的对准标记而成的矩形来说明概念，要检测的对准标记的个数及配置为任意，在将这些对准标记连结而成的图形的形状并非矩形的情况下，也可以应用相同的想法。

回到图4，对实际的动作进行说明。在步骤S105中算出各对准标记AM1～AM4距正规位置的位置偏移量之后，利用修正量计算部203算出修正所述线性偏移所需的平台160的移动量(步骤S106)。接着，判定由对准标记的位置掌握的位置偏移是否为线性偏移(步骤S107)。

判定例如能够以如下方式进行。首先，算出仿射系数(affine parameter)，该仿射系数是将包括由设计位置信息所指定的各对准标记AM1～AM4的位置坐标的点群向包括实际检测出的各对准标记AM1～AM4的位置坐标的点群映射。计算可以使用例如最小平方法。使用这样求出的仿射系数，求出由设计位置信息所指定的点群的映射。映射后的点群与包括所检测出的各对准标记AM1～AM4的位置坐标的点群之间的位置的差量表示无法通过平台移动来修正的非线性的位置偏移成分。而且，这时的仿射系数表示可以通过平台移动来修正的线性的位置偏移成分。

因此，可以通过属于使用仿射系数映射后的点群的各点与所检测出的对准标记AM1～AM4的距离来表示位置偏移的非线性成分。可以将各对准标记AM1～AM4距映射后的点的位置偏移量中的最大值、或各对准标记的位置偏移量的平均值设为“第一位置偏移量”。而且，将对于该第一位置偏移量所容许的公差(例如1μm)设为“第一阈值”，根据第一位置偏移量是否处于第一阈值以内，而可以判定位置偏移是线性还是非线性。

如上所述，在对准标记间的相对的第一位置偏移量为第一阈值以下时，判断为位置偏移的类型是可以通过平台160的移动而消除的线性偏移(步骤S107中“是”)。在该情况下，将所算出的平台移动量提供给曝光控制部181，使平台移动机构161根据所述平台移动量进行动作，由此使平台160移动(步骤S108)。当然，如果一开始就对准了位置，便无需平台移动。由此，将利用光学头170进行描绘的位置调整为基板W上的最适的位置。在本说明书中，将该调整处理称为“第一调整处理”。在该状态下，从光学头170对基板W照射光而对基板W进行曝光(步骤S109)。

另一方面，在步骤S107中判断为“否”，即，判断为第1第一位置偏移量超过第一阈值而为非线性偏移的情况下，推定第五对准标记的位置(步骤S111)。此外，即便在偏移的类型符合线性偏移的情况下，也有偏移量较大，无法通过平台160在可动范围内的移动而消除位置偏移的情况，这时理想的是也进行与非线性偏移相同的处理。通过第一偏移量与第一阈值的比较而进行判断，便可以满足该要求。

如图5(a)所示，第五对准标记AM5是形成在芯片区域CR5的对准标记，所述芯片区域CR5与形成着第一对准标记～第四对准标记AM1～AM4的芯片区域CR1～CR4不同。在此例中选择了位于基板W的大致中央部的芯片区域CR5，但并不限定于此，位置为任意。但是，优选为与形成着第一对准标记～第四对准标记AM1～AM4的芯片区域CR1～CR4尽可能远离的位置的芯片区域，更优选为距这些芯片区域CR1～CR4的距离大致相同的芯片区域。

图7(a)、图7(b)是表示第五对准标记的位置的图。在非线性偏移中，如图7(a)所示，将第一对准标记～第四对准标记AM1～AM4连结而成的矩形Qm成为相对于正规的矩形Qt而变形的形状。当考虑以对应于这些对准标记的正规位置的点Ptn(n＝1，2，…)为元素的集合Pt、与以对应于实际检测出的对准标记的位置的点Pmn(n＝1，2，…)为元素的集合Pm时，两者的关系可以使用适当的几何学变换f而由下式表示：

f：Pt→Pm

表示四个对准标记AM1～AM4的位置的XY坐标平面上的点Pmn为已知，而且对应于这些对准标记的正规位置的点Ptn可以根据设计位置信息而算出，因此可以至少近似地定量求出上式中的几何学变换f是哪种变换。也就是说，可以将基板W的变形定量化。代表性的几何学变换算法例如有正规化射影变换、仿射变换、薄板样条函数(Thin Plate Spline，TPS)插值等，除这些以外也可以应用任意变换算法。

通过像这样利用适当的算法将几何学变换(以下简称为“变换”)f定量地表示，而可以针对基板W上的任意点，根据设计位置信息推定实际的位置。因此，针对第五对准标记AM5，使用设计位置信息及变换f来推定基板W上的位置Pp5。

然后，在实际的基板W上进行第五对准标记AM5的位置检测(步骤S112)。具体而言，相机150对以所推定出的位置Pp5为中心的基板W上的部分区域进行拍摄，对准标记检测部206检测所拍摄的图像中所包含的第五对准标记AM5。图7(b)表示所拍摄的图像的一例。相机150以所推定出的位置Pp5为中心进行拍摄，所拍摄的图像Im的大致中心相当于推定位置Pp5。当通过变换f适当地近似出基板W的变形时，实际的第五对准标记AM5理应在推定位置Pp5的附近被检测到。

换句话说，如果在推定位置Pp5的附近检测出第五对准标记AM5，利用变换f而进行的近似便为适当，通过对设计位置信息应用该变换f，而可以推定基板W上的各芯片区域CR的位置。因此，在该情况下，可以通过应用例如日本专利特开2012-074615号公报中所记载的数据修正方法来修正栅格数据，而消除基板W的变形后进行描绘。

具体而言，算出从第五对准标记AM5的推定位置Pp5到实际检测出的位置的距离作为第五对准标记AM5的位置偏移量(步骤S113)。如图7(b)所示，如果从第五对准标记AM5的推定位置Pp5到实际检测出的位置Pm5的距离为规定的第二阈值V2以下(步骤S114中“是”)，通过栅格数据的修正来应对该情况下的位置偏移。也就是说，修正量计算部203算出所需的修正量(步骤S115)，在描绘时(步骤S109)，数据修正部204及条状数据生成部205一面以分割区块B2为单位依次修正栅格数据一面制成条状数据并送出到曝光控制部181，使描绘工具100进行描绘。数据修正的具体实施方式可以利用日本专利特开2012-074615号公报中所记载的技术。在本说明书中，将以这种方式进行的描绘位置的调整处理称为“第二调整处理”。

此外，在该情况下，可以通过平台移动而消除的位置偏移也是以平台移动来应对(步骤S108)。因此，在计算修正量时，从所检测出的对准标记的位置偏移量中减去通过平台移动来消除的偏移量之后决定栅格数据的修正量。通过平台移动而进行的修正可以对所有芯片区域CR一次进行修正，而且修正对数据精度也没有影响，因此可以通过平台移动而消除的偏移优选以平台移动来应对。特别是对于因基板W的倾斜而产生的芯片区域CR的θ方向的偏移，通过以条带B1(图2(b))为单位或以分割区块B2为单位进行的数据修正而难以应对，因此理想的是通过平台移动来实现消除。

另一方面，有第五对准标记AM5距推定位置Pp5的位置偏移量大于第二阈值V2的情况。在该情况下，有如下实例：在所拍摄的图像Im中第五对准标记AM5位于距推定位置Pp5较远的位置、或第五对准标记AM5不存在于拍摄范围内。在这些情况下，无法根据已知的信息推定基板W上的各芯片区域CR的位置。因此，无法基于已知的信息进行修正。

原本便在一片晶片(wafer)制作出多个芯片区域的单片结构的基板中，虽因基板的伸缩或变形等而各井(well)区域间会产生相对的位置偏移，但所述位置偏移的程度相对较小，而且偏移的方向或量有一定的规律性。因此，第五对准标记AM5较大地偏离根据其他对准标记AM1～AM4的位置所推定出的推定位置Pp5的情况较少。另一方面，在所述伪晶片(wafer)也就是将分开形成的芯片集合并一体化的基板中，有各芯片产生相互无关联的位置偏移的情况。

图8是说明基板上的芯片单位之间的位置偏移的图。如图8所例示那样，在伪晶片(wafer)中，有晶片(wafer)上的各芯片分别在规定范围内产生个别的位置偏移的可能性。图中的芯片C1向X方向偏移。而且，芯片C2、芯片C3的各边相对于XY坐标轴而倾斜，产生向θ方向的偏移。而且，在符号P1所示的位置，X方向上的芯片间之间隔大于其他位置。芯片C4产生向X方向及Y方向的偏移。而且，符号C5、符号C6所示的芯片向Y方向偏移。如上所述，在伪晶片(wafer)中，有每一芯片产生不同的位置偏移的可能性。

在这些情况下，因为各芯片间的偏移的倾向的关联性低，所以根据某一芯片的对准标记的位置所求出的偏移量不会成为推定其他芯片的位置偏移量的材料。因此，必须针对各芯片的每一个掌握位置而调整描绘位置。而且，在单片结构的基板中，如果变形量变大，也有通过栅格数据的修正无法完全应对的情况。也就是说，虽然可以通过使各分割区块在基板W上的分配位置移位而修正变形，但因如下情况而无法完全应对：所述移位量有限，而且如果在相邻的区块间移位的方向或量较大地不同，会产生图案的不连续。在这种情况下，第五对准标记的推定位置与检测位置的背离也会变大。

因此，在第五对准标记AM5的位置偏移量超过第二阈值的情况下(步骤S114中“否”)，重新进行所有芯片区域CR的对准标记的位置检测(步骤S121)。这时，因为如图8所示，在各芯片区域CR分别各设置着两处对准标记，所以进行所述两处对准标记的位置检测。由此，除获得各芯片区域CR的XY平面内的位置信息以外，也获得与θ方向的倾角相关的信息。当然，对准标记也可以在各芯片区域设置三个以上。

然后，栅格数据生成部202基于以这种方式获得的与各芯片区域CR的位置及倾斜相关的信息、以及保存在存储部201的设计数据211而重新执行RIP处理(步骤S122)。RIP处理是将矢量数据栅格化而展开为栅格数据(位图数据)的处理，通过针对每一芯片区域CR进行考虑过其位置偏移及倾斜的栅格化，而可以制成使描绘位置符合各芯片区域CR的位置的栅格数据。通过使用矢量数据形式的设计数据进行位置修正，而可以避免因对栅格化后的数据加以大幅修正而可能产生的描绘品质的降低。在本说明书中，将以这种方式进行的描绘位置的调整处理称为“第三调整处理”。

然后，对基板W照射根据通过重新的RIP处理而制成的栅格数据进行调制后的光，由此可以对各芯片区域CR进行适当的描绘(步骤S109)。此外，在掌握各芯片的位置之后的重新的RIP处理中，原则上也可以对因基板W的位置偏移而产生的各芯片的位置偏移进行修正。因此，可以通过重新的RIP处理一次修正包含基板W的位置偏移量在内的位置偏移量，另外，也可以通过平台移动来修正基板W的位置偏移，而利用重新的RIP处理只应对仍会留有的位置偏移量。在该实施方式中，先于描绘进行平台移动(步骤S108)，从而在重新的RIP处理中，在减去通过平台移动来消除的位置偏移量之后进行处理。在通过重新的RIP处理来修正基板W的位置偏移的情况下，无需步骤8108。

如此，对一片基板W的描绘处理结束时，将该处理过的基板W送回到基板收纳盒110。如果该盒中还有未处理的基板W，也通过与所述相同的处理对所述基板W进行描绘，重复所述处理直到将收纳在基板收纳盒110的一批基板W全部处理完。

如上所述，在该实施方式中，预先准备第一调整处理至第三调整处理作为光学头170对基板W进行描绘的位置的调整处理，且根据对准标记的位置检测结果而选择执行这些处理。第一调整处理是通过使保持基板W的平台160移动而调整基板W上的各芯片区域CR与光学头170的相对位置的处理，对各芯片区域CR具有相同的位置偏移的情况有效，可以一次修正这种偏移。而且，并不为了修正而加工描绘数据，因此描绘品质也良好。

另外，第二调整处理是修正栅格数据的处理，对因基板W的伸缩或变形而产生的位置偏移有效。在该情况下，通过在由已制成的栅格数据制作条状数据时随时加以修正，从而处理时间不会因修正而变长。虽然通过事后修正已制成的栅格数据，可能有描绘品质降低的问题，但通过以微小的分割区块B2为单位进行修正，而可以防止例如图案的断线那样对器件性能造成影响的大的变形。

另一方面，第三调整处理是在通过对准标记的位置检测而掌握各芯片区域的位置偏移量之后重新生成栅格数据的处理。在该处理中，无论各芯片间的位置偏移有无规律性，而且无论位置偏移量的大小如何均可以进行高精度的修正。而且，通过在栅格化处理的阶段反映各芯片区域的位置，而不会产生描绘品质的降低。因此，原理上可以应对任何类型的位置偏移。然而，必需对准标记的位置检测及检测后的栅格化处理，从而处理时间变长，因此导致多个基板的描绘处理的制程时间增加。因此，应该在产生通过第一调整处理及第二调整处理无法应对的位置偏移的情况下予以选择。

第一调整处理～第三调整处理的选择是以如下方式进行。也就是说，对预先形成在各芯片区域CR的对准标记的若干个进行拍摄并检测所述对准标记的位置，判断产生了这些对准标记之间的相对的位置偏移量(第一位置偏移量)较小为规定值(第一阈值)以下的线性偏移、以及第一位置偏移量大于第一阈值的非线性偏移中的哪一种。在线性偏移的情况下，选择第一调整处理。

另一方面，在非线性偏移的情况下，进而根据已知的对准标记的位置推定其他对准标记的位置，对所述位置进行拍摄，检测实际的位置。而且，当推定位置与实际的位置之间的位置偏移量(第二位置偏移量)为规定值(第二阈值)以下时选择第二调整处理，另外，在第二位置偏移量大于第二阈值的情况下选择第三调整处理。也就是说，在可以根据已知的芯片区域的位置以某种程度的精度推定其他各芯片区域的位置偏移量的情况下选择第二调整处理，在无法如此的情况下选择第三调整处理。

通过利用这种判断流程来决定调整处理，而可以执行与位置偏移的方式相应的适当的调整处理，且防止因执行不必要的处理而引起的制程时间的增加。也就是说，根据作为描绘对象物的基板W而将描绘位置的调整处理最适化。而且，在所述实施方式中，通过以此方式调整描绘位置而进行描绘，可以对基板W上的适当的描绘位置进行品质良好的描绘。

如以上所说明那样，在所述实施方式中，图案描绘装置1作为本发明的“描绘装置”发挥功能，基板W相当于本发明的“描绘对象物”，各芯片区域CR相当于本发明的“描绘区域”。而且，各芯片区域中的芯片区域CR1～CR4相当于本发明的“检测对象区域”，另一方面，芯片区域CR5相当于“二次检测对象区域”。而且，对准标记AM1～AM5相当于本发明的“识别标记”。

而且，在所述实施方式中，平台160作为本发明的“保持单元”发挥功能，另一方面，光学头170作为本发明的“描绘单元”发挥功能。而且，相机150及对准标记检测部206一体地作为本发明的“位置检测单元”发挥功能。而且，栅格数据生成部202作为本发明的“数据生成单元”发挥功能，另一方面，修正量计算部203、数据修正部204及条状数据生成部205一体地作为本发明的“描绘位置调整单元”发挥功能。

而且，图4的步骤S102相当于本发明的“第一步骤”，步骤S103相当于本发明的“第二步骤”。而且，步骤S105相当于本发明的“第三步骤”，步骤S108、步骤S111～步骤S115、步骤S121～步骤S122相当于本发明的“第四步骤”。此外，步骤S109相当于本发明的“第五步骤”。

另外，本发明并不限定于所述实施方式，只要不脱离本发明的主旨，除所述以外还可以进行各种变更。例如，在所述实施方式中是在基板W上的各芯片区域CR预先形成对准标记AM，且进行所述对准标记AM的位置检测，但只要可以掌握各芯片区域的位置，也可以不依靠对准标记的检测。也就是说，可以适当使用形成在各芯片区域的特征性的图案或芯片区域的边缘部分等能够指定该芯片区域的位置的部位来进行位置检测。而且，芯片区域的位置检测方法也可以不依靠相机的拍摄。

另外，例如也能够以如下方式改变所述实施方式的图案描绘动作的处理流程(图4)的一部分而执行。此外，在以下的图9中，对于处理内容与图4的各处理步骤相同的处理步骤，省略记载或附注同一步骤编号并省略说明。

图9是表示图案描绘动作的变形例的图。在根据第一对准标记～第四对准标记AM1～AM4的位置偏移量而判断为非线性偏移的情况下(步骤S107中“否”)，所述实施方式中是使用预先规定的单一的几何学变换算法来进行第五对准标记AM5的位置推定，相对于此，所述变形例中是使用多种变换算法分别进行第五对准标记AM5的位置推定(步骤S201)。而且，在步骤S111中检测出第五对准标记AM5的位置后，在步骤S112中分别求出利用各算法所算出的与推定位置之间的位置偏移量。然后，从这些变换算法中选出所求出的位置偏移量最小的一种算法(步骤S202)。

当根据已知的对准标记的位置来指定未知的对准标记的位置时，可以适当地近似出基板W的变形的变换算法能够获得高推定精度，而不符合变形的方式的近似当然推定精度变低。预先利用多种变换算法进行推定，采用导出了与实际位置最接近的推定位置的变换算法，由此可以进行与基板W的状态更相应的修正处理。具体而言，在步骤S114中，评估实际位置与和它最接近的推定位置之间的位置偏移量，而且，在修正栅格数据时，将所选出(即，获得了最高推定精度)的变换算法也应用到修正处理(步骤S203)中。由此，根据以高精度推定出的各芯片区域CR的位置而修正栅格数据，从而可以更有效地抑制芯片区域CR与描绘图案之间的位置偏移。

另外，例如在所述实施方式的图案描绘动作(图4)中是在步骤S106中求出平台移动量，而实际的平台移动是在其他处理结束而即将进行描绘之前的步骤S108中执行。也可以代替所述构成，而设为在平台移动量的计算结束后，先于其他处理进行平台移动的构成。

另外，在所述实施方式中，图案描绘装置一体地包括描绘工具100及计算机200，但也可以对于具有与描绘工具100相同功能的现有的图案描绘装置，通过有线或无线而连接具有与计算机200相同功能的数据处理装置，通过数据处理装置而生成条状数据，并输出到现有的图案描绘装置以进行描绘。

此外，本发明的应用对象并不限定于将晶片(wafer)等半导体基板W作为本发明的“描绘对象物”并对该基板照射光而进行描绘的装置，例如可以利用印刷配线基板或玻璃基板等各种基板作为描绘对象物。

本发明能够适宜应用于对设置着多个描绘区域的描绘对象物照射光而进行描绘的技术，特别适宜一面调整对描绘对象物的描绘位置一面进行描绘的技术领域。

Claims (10)

1.一种描绘方法，从描绘单元把光照射到设置在描绘对象物的多个描绘区域的每一个而进行描绘，其特征在于包括：

第一步骤，生成对应于要描绘的内容的栅格数据；

第二步骤，将所述描绘单元相对于所述描绘对象物而定位；

第三步骤，将所述多个描绘区域中的两个以上作为检测对象区域并检测其位置；

第四步骤，基于所述检测对象区域的位置检测结果，调整所述描绘单元对所述描绘对象物的描绘位置；以及

第五步骤，基于所述栅格数据，从所述描绘单元把所述光照射到所述描绘对象物的所述描绘位置而进行描绘；且

在所述第四步骤中，判断所述第三步骤中所检测出的所述检测对象区域间的相对的第一位置偏移量是否在第一阈值以内，当判断为所述第一位置偏移量在所述第一阈值以内时，执行第一调整处理，基于所述检测对象区域的位置检测结果与对应于所述检测对象区域预先设定的基准位置之间的位置偏移量，而调整所述描绘单元与所述描绘对象物的相对位置，由此调整所述描绘位置，另一方面，

当判断为所述第一位置偏移量超过所述第一阈值时，进而将所述多个描绘区域中的与所述检测对象区域不同的至少一个作为二次检测对象区域并检测其位置，判断所检测出的位置与根据所述第三步骤中的所述检测对象区域的位置检测结果而推定出的所述二次检测对象区域的位置之间的第二位置偏移量是否在第二阈值以内，

当判断为所述第二位置偏移量在所述第二阈值以内时，执行第二调整处理，对所述栅格数据实施与所述第三步骤中的所述检测对象区域的位置检测结果和所述基准位置之间的位置偏移量相应的修正，由此调整所述描绘位置，

当判断为所述第二位置偏移量超过所述第二阈值时，执行第三调整处理，检测所述描绘对象物中所包含的所有所述描绘区域的位置，并基于该位置检测结果而重新生成所述栅格数据，由此调整所述描绘位置。

2.根据权利要求1所述的描绘方法，其特征在于：预先在所述多个描绘区域的每一个设置位置检测用识别标记，通过检测所述识别标记，而检测所述描绘区域的位置。

3.根据权利要求2所述的描绘方法，其特征在于：在所述多个描绘区域的每一个设置多个所述识别标记。

4.根据权利要求1所述的描绘方法，其特征在于：当在所述第四步骤中执行所述第二调整处理时，与所述第一调整处理一并执行，而且，对所述栅格数据实施与如下位置偏移量相应的修正，所述位置偏移量是从所述第三步骤中的所述检测对象区域的位置检测结果与所述基准位置之间的位置偏移量中减去通过进行所述第一调整处理而能够修正的位置偏移量所得的位置偏移量。

5.根据权利要求1所述的描绘方法，其特征在于：当在所述第四步骤中执行所述第三调整处理时，与所述第一调整处理一并执行，而且，从各个所述描绘区域的位置检测结果中减去通过所述第一调整处理而使位置变化的量后，进行所述栅格数据的重新生成。

6.根据权利要求1所述的描绘方法，其特征在于：在所述第一调整处理中，调整所述描绘对象物相对于所述描绘单元绕与所述描绘对象物的表面垂直的轴的相对旋转角度。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的描绘方法，其特征在于：当在所述第四步骤中求出所述第二位置偏移量时，根据所述检测对象区域的位置检测结果利用互不相同的多种计算方法算出所述二次检测对象区域的位置，将所算出的位置中和所检测出的所述二次检测对象区域的位置最接近的位置与所检测出的所述二次检测对象区域的位置之间的偏移量设为所述第二位置偏移量。

8.一种描绘装置，其特征在于包括：

保持单元，保持设置着多个描绘区域的描绘对象物；

位置检测单元，将保持在所述保持单元的所述描绘对象物的所述多个描绘区域中的两个以上作为检测对象区域，并检测该检测对象区域的位置；

数据生成单元，生成对应于要描绘的内容的栅格数据；

描绘单元，基于所述栅格数据，对所述描绘对象物照射光而进行描绘；以及

描绘位置调整单元，基于所述位置检测单元的检测结果，调整所述描绘单元对所述描绘对象物的描绘位置；且

所述描绘位置调整单元判断由所述位置检测单元检测出的所述检测对象区域间的相对的第一位置偏移量是否在第一阈值以内，

当判断为所述第一位置偏移量在所述第一阈值以内时，执行第一调整处理，基于所述检测对象区域的位置检测结果与对应于所述检测对象区域预先设定的基准位置之间的位置偏移量，而调整所述描绘单元与所述保持单元的相对位置，由此调整所述描绘位置，另一方面，

当判断为所述第一位置偏移量超过所述第一阈值时，将所述多个描绘区域中的与所述检测对象区域不同的至少一个作为二次检测对象区域，判断由所述位置检测单元检测出的所述二次检测对象区域的位置与根据所述检测对象区域的位置检测结果而推定出的所述二次检测对象区域的位置之间的第二位置偏移量是否在第二阈值以内，

当判断为所述第二位置偏移量在所述第二阈值以内时，执行第二调整处理，对所述栅格数据实施与所述检测对象区域的位置检测结果和所述基准位置之间的位置偏移量相应的修正，由此调整所述描绘位置，

当判断为所述第二位置偏移量超过所述第二阈值时，执行第三调整处理，利用所述位置检测单元检测所述描绘对象物中所包含的所有所述描绘区域的位置，并基于该位置检测结果而使所述数据生成单元重新生成所述栅格数据，由此调整所述描绘位置。

9.根据权利要求8所述的描绘装置，其特征在于：所述描绘单元把基于所述栅格数据调制后的所述光扫描到所述描绘对象物，而对所述描绘对象物进行曝光。

10.根据权利要求8或9所述的描绘装置，其特征在于：所述保持单元包含保持所述描绘对象物的平台，且构成为所述平台相对于所述描绘单元的相对位置是能够变更的。