CN105278236B - 数据修正装置及方法、描画装置及方法、检查装置及方法和存储有程序的记录介质 - Google Patents
数据修正装置及方法、描画装置及方法、检查装置及方法和存储有程序的记录介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105278236B CN105278236B CN201510438510.1A CN201510438510A CN105278236B CN 105278236 B CN105278236 B CN 105278236B CN 201510438510 A CN201510438510 A CN 201510438510A CN 105278236 B CN105278236 B CN 105278236B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- data
- etching characteristic
- etching
- segmentation
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本发明提供数据修正装置及方法、描画装置及方法、检查装置及方法和存储有程序的记录介质。数据修正部(21)具有:设计数据存储部(211),存储通过在基板上蚀刻形成的图案的设计数据;蚀刻特性存储部(212),存储与基板的多个基准位置分别对应的多个蚀刻特性;区域蚀刻特性获取部(213),基于基板上的各分割区域与多个基准位置的分别的位置关系求出各分割区域的区域蚀刻特性;以及分割数据修正部(214),将设计数据分割成与多个分割区域对应的多个分割数据,基于各分割区域的区域蚀刻特性来修正各分割数据。由此,能够考虑由于各分割区域在基板上的位置的区别导致的蚀刻特性的差异,以良好的精度对各分割数据进行蚀刻修正。
Description
技术领域
本发明涉及对通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据进行修正的技术。
背景技术
以往,在半导体基板或印刷基板、或者等离子体显示装置或液晶显示装置用的玻璃基板等(以下称为“基板”)的制造工序中,对基板施加各种各样的处理。例如,通过对表面上形成有抗蚀剂的图案的基板施加蚀刻,在基板上形成布线图案。在该蚀刻中,根据图案配置的疏密或图案的大小等,有时会出现在基板上形成的图案的形状与设计数据不同的情况。
在日本特许第3074675号公报(文献1)中,公开有使用电子束直写装置在基板上形成抗蚀剂图案,通过使用等离子体蚀刻装置进行蚀刻来形成图案的技术。此外,提出了在根据图案的设计数据生成电子束直写用数据的处理中包括对基于微负载效应的蚀刻后的图案尺寸的变化进行修正的处理。
在日本特许第4274784号公报(文献2)中,提出了使用蚀刻后的基板的图像数据与设计数据来生成尺寸调整规则,所述尺寸调整规则示出了为了获得所期望的蚀刻后基板,如何需要修正设计数据。
在日本特开2008-134512号公报(文献3)中,公开有在制造光掩模时,在图案间每隔一段空间(距离),指定用于修正过蚀刻的修正值的方法。此外,提出了在直线图案与圆弧图案对置的情况下对该对置的部位追加进一步修正。
在日本特开2013-12562号公报(文献4)中,公开有在考虑根据导体图案的设计数据进行侧面蚀刻的同时生成轮廓形状(导体图案的外形形状)时,基于邻接的轮廓形状间的距离来设定修正值的技术。
日本特开2013-250101号公报(文献5)涉及通过蚀刻形成的布线图案的缺陷检查。在该缺陷检查中,根据在基板的表面形成的测量用图案测量出蚀刻信息(蚀刻曲线),通过使用该蚀刻曲线对设计数据进行蚀刻模拟来生成检查数据。而且,通过对照基板上的布线图案的图像数据与检查数据,检测出布线图案的缺陷。在文献5中,提出了在印刷基板的上表面设定的多个检查区域中分别配置一个测量用图案来获取各检查区域用的蚀刻曲线。检查区域包括多个相同的片段图案,基于该检查区域用的蚀刻曲线以同样的方式修正这些多个片段图案。
近年,在对基板进行蚀刻的装置中,为了提高生产率,对配置有许多相同的片段(图案)的大型基板进行蚀刻。因此,根据基板上的位置的不同而蚀刻特性不同,即使对相同的片段进行蚀刻,有时也会出现蚀刻结果不同的情况。
发明内容
本发明涉及对通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据进行修正的数据修正装置,目的在于考虑根据对象物上的位置不同导致的蚀刻特性的差异,以良好的精度进行蚀刻修正。此外,本发明还涉及对通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据进行修正的数据修正方法。进而,本发明还涉及记录介质,存储对通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据进行修正的程序。
本发明的数据修正装置具有:设计数据存储部,存储通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据;蚀刻特性存储部,存储与所述对象物上的多个基准位置分别对应的多个蚀刻特性;区域蚀刻特性获取部,针对在所述对象物上设定的多个分割区域中的每一个,在基于各分割区域与所述多个基准位置的分别的位置关系对所述多个蚀刻特性进行加权处理后,基于进行了加权处理的所述多个蚀刻特性,求出所述各分割区域的蚀刻特性即区域蚀刻特性;以及分割数据修正部,将所述设计数据分割成与所述多个分割区域对应的多个分割数据,基于与各分割数据对应的所述各分割区域的所述区域蚀刻特性来修正所述各分割数据。根据该数据修正装置,能够考虑根据对象物上的位置的蚀刻特性的差异,以良好的精度进行蚀刻修正。
在本发明的一优选的实施方式中,所述设计数据的所述多个分割数据分别表示的分割图案是相同的。
优选地,在所述多个分割数据包括对应的所述区域蚀刻特性相同的两个以上的分割数据的情况下,针对所述两个以上的分割数据,通过所述分割数据修正部进行一个分割数据的修正,所述一个分割数据的修正结果也作为所述分割数据修正部的其他的分割数据的修正结果来使用。
在本发明的另一优选的实施方式中,所述区域蚀刻特性获取部所执行的对所述多个蚀刻特性的加权处理,是将基于与各蚀刻特性对应的基准位置和分割区域之间的距离的权重系数与各蚀刻特性相乘的处理;与所述多个蚀刻特性中的一个蚀刻特性相乘的权重系数是1,与除了所述一个蚀刻特性以外的蚀刻特性相乘的权重系数是0。
本发明还涉及在对象物上描画图案的描画装置。该描画装置具有:上述的数据修正装置;光源;光调制部,基于由所述数据修正装置修正后的设计数据对来自所述光源的光进行调制;以及扫描机构,在对象物上扫描由所述光调制部调制后的光。本发明还涉及在对象物上描画图案的描画方法。
本发明还涉及检查通过蚀刻而形成在对象物上的图案的检查装置。该检查装置具有:上述的数据修正装置;实际图像存储部,存储通过蚀刻而形成在对象物上的图案的图像数据即检查图像数据;以及缺陷检测部,通过比较由所述数据修正装置修正的设计数据与所述检查图像数据,来检测在所述对象物上形成的所述图案的缺陷。本发明还涉及检查通过蚀刻而形成在对象物上的图案的检查方法。
参照附图,通过下面进行的本发明的详细说明来体现上述的目的及其他的目的、特征、方式及优点。
附图说明
图1是示出第一实施方式的描画装置的结构的图。
图2是示出数据处理装置的结构的图。
图3是示出数据处理装置的功能的框图。
图4是基板的俯视图。
图5是将特性获取用图案的一部分放大表示的图。
图6是将测量图案的一部分放大表示的图。
图7是示出蚀刻曲线的图。
图8是示出描画装置的描画流程的图。
图9是示出第二实施方式的检查装置的功能的框图。
图10是示出检查装置的检查流程的图。
其中,附图标记说明如下:
1 描画装置
1a 检查装置
9 基板
21、21a 数据修正部
25 实际图像存储部
26 缺陷检测部
80 程序
93 图案
94 片段
211 设计数据存储部
212 蚀刻特性存储部
213 区域蚀刻特性获取部
214 分割数据修正部
331 光源
332 光调制部
S11至S16、S21至S26 步骤
具体实施方式
图1是示出本发明的第一实施方式的描画装置1的结构的图。描画装置1是直写装置,通过对设置在印刷基板、半导体基板、液晶基板等(以下,仅称为“基板9”。)的表面的感光材料即抗蚀剂膜照射光,在抗蚀剂膜上直接描画电路图案等的图像。在基板处理装置等(省略图示)上对通过描画装置1描画有图案的基板9施加蚀刻。由此,在基板9上形成图案。例如,对基板9的蚀刻是通过对基板9赋予蚀刻液而进行的湿法蚀刻。并且,例如,也可以进行利用了等离子体等的干法蚀刻来作为对基板9的蚀刻。
描画装置1具有数据处理装置2与曝光装置3。数据处理装置2修正在基板9上描画的图案的设计数据,生成描画数据。曝光装置3基于从数据处理装置2发送的描画数据对基板9进行描画(即,曝光)。只要数据处理装置2与曝光装置3这两装置间的数据能够交换,则所述数据处理装置2与曝光装置3既可以设置成一体的,也可以设置成物理上分离的。
图2是示出数据处理装置2的结构的图。数据处理装置2具有一般的计算机系统的结构,包括CPU(Central Processing Unit:中央处理单元)201,进行各种计算处理;ROM(Read Only Memory:只读型存储器)202,存储基本程序;以及RAM203(Random AccessMemory:随机存取存储器),存储各种信息。数据处理装置2进一步包括固定盘204,存储信息;显示器205,显示图像等的各种信息;键盘206a及鼠标206b,接收来自操作者的输入;读取/写入装置207,对光盘、磁盘、光磁盘等的计算机能够读取的记录介质8进行信息的读取及写入;以及通信部208,在其与描画装置1的其他的结构等之间发送及接收信号。
在数据处理装置2上,事前通过读取/写入装置207从记录介质8读出程序80并存储在固定盘204。CPU201根据程序80,在利用RAM203或固定盘204的同时执行计算处理。数据处理装置2的功能既可以通过专用的电路来实现,也可以部分使用专用的电路来实现。
图3是示出数据处理装置2的功能的框图。在图3中,同时示出与数据处理装置2连接的曝光装置3的结构的一部分。数据处理装置2具有数据修正部21与数据转换部22。数据修正部21修正通过蚀刻而形成在基板9上的图案的设计数据。数据修正部21具有设计数据存储部211、蚀刻特性存储部212、区域蚀刻特性获取部213以及分割数据修正部214。对数据转换部22输入通过数据修正部21修正后的设计数据(以下称为“已修正数据”。)。通常,已修正数据是多边形等的矢量数据。数据转换部22将作为矢量数据的已修正数据转换成栅格数据即描画数据。
如图1所示,曝光装置3具有描画控制器31、工作台32、发光部33以及扫描机构35。描画控制器31控制发光部33及扫描机构35。工作台32在发光部33的下方保持基板9。发光部33具有光源331与光调制部332。光源331向光调制部332发出激光。光调制部332调制来自光源331的光。通过光调制部332调制后的光照射在工作台32上的基板9上。例如,利用DMD(Digital Mirror Device:数字微镜装置)作为光调制部332。
扫描机构35将工作台32在水平方向上移动。具体而言,通过扫描机构35,将工作台32在主扫描方向及与主扫描方向垂直的副扫描方向上移动。由此,通过光调制部332调制的光,在基板9上在主扫描方向及副扫描方向上扫描。在曝光装置3上,也可以设置将工作台32水平旋转的旋转机构。此外,也可以设置将发光部33在上下方向移动的升降机构。扫描机构35只要能将来自发光部33的光在基板9上扫描,则不一定需要移动工作台32的机构。例如,也可以通过扫描机构35,使发光部33在工作台32的上方在主扫描方向及副扫描方向上移动。
图4是示出通过曝光装置3描画有图案93的基板9的俯视图。基板9呈大致矩形状。图案93具有配置成矩阵状(即,多面安装)的多个片段94。多个片段94是分别构成图案93的图案构件,图案93是多个图案构件的集合即图案构件群。在图4中,使用矩形表示片段94。
实际上,多个片段94分别是经过蚀刻等的各种各样的处理,最终变成一个独立的布线图案的预定的描画图案。在图4中表示片段94的矩形是包括与片段94对应的实际的描画图案整体的大致最小的矩形。在图4所示的例子中,在基板9上配置有六十四个片段94。具体而言,沿着基板9的邻接的两条边(即,沿着图中的x方向及y方向),每行每列各配置有八个片段94。六十四个片段94是彼此相同的描画图案。
基板9上除了多个片段94,还描画有多个特性获取用图案95。在图4中,使用比片段94更小的矩形来表示特性获取用图案95。实际上,多个特性获取用图案95的每一个是经过蚀刻等的各种各样的处理,最终变成用于测量蚀刻特性的测量图案的预定的描画图案。在图4中表示特性获取用图案95的矩形是包括与特性获取用图案95对应的实际的描画图案整体的大致最小的矩形。在图4所示的例子中,四个特性获取用图案95配置在基板9的四个角隅部附近。各特性获取用图案95配置在连接六十四个片段94的最外缘的大致矩形区域(即,将六十四个片段94全部包括在内的最小的大致矩形区域)的外侧。
在以下的说明中,将在基板9上配置有多个特性获取用图案95的多个位置分别称为“基准位置”。此外,将在基板9上配置有多个片段94的多个位置分别称为“图案构件位置”。例如,基准位置及图案构件位置分别是特性获取用图案95及片段94的中央坐标。例如,基准位置及图案构件位置也可以分别是特性获取用图案95及片段94的一个角隅部。
图5是将特性获取用图案95的一部分放大表示的图。在如图5所示的例子中,特性获取用图案95包括多个第一图形构件群951。各第一图形构件群951包括以互相平行的方式大致在y方向上延伸的两条大致直线状的第一图形构件952。位于各第一图形构件群951的两条第一图形构件952之间的间隙G(即,在与两条第一图形构件952的长度方向垂直的x方向上的间隔)与位于其他的第一图形构件群951的两条第一图形构件952之间的间隙G不同。
在基板9上,通过蚀刻及蚀刻后的除去抗蚀剂等的处理,与多个特性获取用图案95对应的多个测量图案以及与多个片段94对应的多个布线图案大致同时形成。
图6是将与特性获取用图案95对应的测量图案96的一部分放大表示的图。测量图案96包括与多个第一图形构件群951对应的多个第二图形构件群953。在图6中将一个第二图形构件群953放大表示。各第二图形构件群953包括与两条第一图形构件952对应的大致直线状的两条第二图形构件954。第二图形构件954是蚀刻后的第一图形构件952。在图6中,使用双点划线同时示出第一图形构件952的轮廓线。
如图6所示,第一图形构件952的轮廓线与第二图形构件954的轮廓线的差分即蚀刻量Et(即,在与第一图形构件952之间的间隙G平行的x方向上的两轮廓线之间的距离)伴随着间隙G的变化而发生变化。间隙G与蚀刻量Et的关系是通过在由曝光装置3描画有图案93及多个特性获取用图案95的试验用基板上,进行了蚀刻及除去抗蚀剂膜等的处理后,比较测量图案96的图像与特性获取用图案95的设计数据而获取的。
图7是示出表示间隙G与蚀刻量Et的关系的蚀刻曲线Ec的图。如图7所示,在蚀刻曲线Ec上随着间隙G变小蚀刻量Et也逐渐变小。虽然在间隙G处于某种程度大小的范围内,蚀刻量Et与间隙G大致成正比,但是若间隙G变小,则相对于间隙G的減少,蚀刻量Et急剧地減少。换言之,若间隙G变小,则蚀刻曲线Ec的倾斜度变大。
在多个特性获取用图案95上,因为位于基板9上的位置(即,基准位置)不同,所以各自的蚀刻曲线Ec有互相不同的可能性。因此,获取到与多个特性获取用图案95分别对应的(即,与多个基准位置分别对应的)多条蚀刻曲线Ec。
特性获取用图案95也可以包括除了多个第一图形构件群951以外的各种各样的形状的图形构件及各种各样的组合的图形构件群。例如,也可以将直径不同的多个圆形图形构件包括在特性获取用图案95内,获取表示圆形图形构件的直径与蚀刻量的关系的蚀刻曲线。针对该蚀刻曲线,也获取与多个基准位置分别对应的多条蚀刻曲线。
在描画装置1上,将与各基准位置对应的一条或多条蚀刻曲线存储在上述的蚀刻特性存储部212。若将与一个基准位置对应的一条或多条蚀刻曲线统称为“蚀刻特性”,则蚀刻特性存储部212存储与基板9上的多个基准位置分别对应的多个蚀刻特性。
接着,在参照图8的同时说明描画装置1的描画流程。首先,在如图1所示的描画装置1上,通过将由在基板9上蚀刻形成的预定的图案93(参照图4)的设计数据,输入如如图3所示的数据处理装置2的数据修正部21,存储至设计数据存储部211来准备所述设计数据(步骤S11)。
接着,如上述所示,通过将分别与基板9上的多个基准位置(在图4所示的例子中,四个基准位置)对应的多个蚀刻特性,输入数据处理装置2的数据修正部21,存储至蚀刻特性存储部212来准备所述多个蚀刻特性(步骤S12)。既可以在除了描画装置1以外的装置获取该多个蚀刻特性,也可以在描画装置1获取该多个蚀刻特性。在描画装置1获取蚀刻特性的情况下,在描画装置1上设置有拍摄部,获取测量图案96(参照图6)的图像;以及蚀刻特性获取部,基于测量图案96的图像与特性获取用图案95(参照图5)的设计数据,获取在各基准位置的蚀刻特性。
接着,根据如图3所示的区域蚀刻特性获取部213,针对多个片段94中的每一个,基于分别与多个基准位置对应的多个蚀刻特性,求出在各片段94的蚀刻特性即区域蚀刻特性(步骤S13)。基于各片段94的图案构件位置与多个基准位置分别的位置关系,在对与多个基准位置对应的多个蚀刻特性进行加权之后,基于进行了加权的多个蚀刻特性求出区域蚀刻特性。
例如,通过将权重系数与各蚀刻特性相乘来实施区域蚀刻特性获取部213所执行的对多个蚀刻特性的加权,所述权重系数基于与各蚀刻特性对应的基准位置和片段94的图案构件位置之间的距离。
例如,根据使用了片段94的图案构件位置与多个基准位置的双线性插值法,在进行向上述多个蚀刻特性的加权的同时求出区域蚀刻特性。在该情况下,首先,基于片段94的图案构件位置分别与(+y)侧的两个基准位置之间的在x方向上的距离,通过对(+y)侧的两个基准位置的蚀刻曲线Ec进行线性插值,求出第一插值蚀刻曲线。具体而言,例如,若将上述两个基准位置中的一个基准位置与图案构件位置之间的x方向上的距离作为d1,将另一基准位置与图案构件位置之间的x方向的距离作为d2,则将(d2/(d1+d2))作为权重系数与该一个基准位置的蚀刻曲线Ec相乘,将(d1/(d1+d2))作为权重系数与该另一基准位置的蚀刻曲线Ec相乘之后,通过将对两条蚀刻曲线Ec的相乘结果相加求出第一插值蚀刻曲线。
同样地,基于片段94的图案构件位置分别与(-y)侧的两个基准位置之间的在x方向上的距离,通过对(-y)侧的两个基准位置的蚀刻曲线Ec进行线性插值,求出第二插值蚀刻曲线。具体而言,例如,若将上述两个基准位置中的一个基准位置与图案构件位置之间的x方向的距离作为d3,将另一基准位置与图案构件位置之间的x方向的距离作为d4,则将(d4/(d3+d4))作为权重系数与该一个基准位置的蚀刻曲线Ec相乘,将(d3/(d3+d4))作为权重系数与该另一基准位置的蚀刻曲线Ec相乘之后,通过将对两条蚀刻曲线Ec的相乘结果相加,求出第二插值蚀刻曲线。
而且,基于片段94的图案构件位置分别与(-x)侧或(+x)侧的两个基准位置之间的在y方向上的距离,通过对第一插值蚀刻曲线及第二插值蚀刻曲线进行线性插值,获取区域蚀刻曲线。具体而言,例如,若将上述两个基准位置中(+y)侧的基准位置与图案构件位置之间的y方向的距离作为d5,将(-y)侧的基准位置と图案构件位置之间的y方向的距离作为d6,则将(d6/(d5+d6))作为权重系数与第一插值蚀刻曲线相乘,将(d5/(d5+d6))作为权重系数与第二插值蚀刻曲线相乘之后,通过将对两条插值蚀刻曲线的相乘结果相加(即,基于进行了上述加权的多条蚀刻曲线Ec),求出区域蚀刻曲线。
在区域蚀刻特性获取部213,与上述相同,对于蚀刻特性所包括的所有的蚀刻曲线,通过获取区域蚀刻曲线求出区域蚀刻特性。
若求出了各片段94的区域蚀刻特性,则通过分割数据修正部214从图案93的设计数据中提取分别与多个片段94对应的多个分割数据。换言之,将图案93的设计数据分割成分别与多个片段94对应的多个分割数据。而且,分割数据修正部214基于与该各分割数据对应的各片段94的区域蚀刻特性修正所述各分割数据,求出各片段94的已修正分割数据(步骤S14)。
具体而言,在各片段94考虑到实际蚀刻时的情形,为了使各片段94所包括的图形构件变成所期望的线宽或大小,以使各分割数据的图形构件的线宽变粗或使图形构件变大的方式修正与该片段94的区域蚀刻特性表示的蚀刻量对应的过剩的(即,超过希望量)蚀刻。
这里,若将多个片段94称为在基板9上设置的多个分割区域,则在上述步骤S13中,区域蚀刻特性获取部213,针对该多个分割区域中的每一个,在基于各分割区域与多个基准位置的分别位置关系对多个蚀刻特性进行加权之后,基于进行加权后的多个蚀刻特性求出各分割区域的蚀刻特性即区域蚀刻特性。也可以通过除了上述的双线性插值法以外的各种各样的方法来求出各分割区域的区域蚀刻特性。
此外,在步骤S14中,通过分割数据修正部214,将图案93的设计数据分割成与多个分割区域分别对应的多个分割数据。而且,通过基于与各分割数据对应的各分割区域的区域蚀刻特性修正各分割数据(即,通过进行对各分割数据的蚀刻修正),来获取与多个分割区域分别对应的多个已修正分割数据。如上述所示,在图4所示的例子中,设计数据的多个分割数据分别表示的描画图案(以下,称为“分割图案”。)相同。另一方面,在上述的例子中,因为多个分割区域的区域蚀刻特性互相不同,所以即使多个分割数据相同,多个已修正分割数据也互相不同。
在分割数据修正部214,通过汇总上述的多个已修正分割数据,生成上述已修正数据。从数据修正部21将该已修正数据发送至数据转换部22。而且,通过数据转换部22,将矢量数据即已修正数据转换成栅格数据即描画数据(步骤S15)。
从数据转换部22将该描画数据发送至曝光装置3的描画控制器31。在曝光装置3,基于来自数据处理装置2的描画数据,通过使用描画控制器31控制发光部33的光调制部332及扫描机构35,对基板9进行描画(步骤S16)。
如上所述,数据处理装置2的数据修正部21具有设计数据存储部211,存储通过蚀刻而形成在基板9上的图案93的设计数据;蚀刻特性存储部212,存储分别与基板9的多个基准位置对应的多个蚀刻特性;区域蚀刻特性获取部213,针对设置在基板9上的多个分割区域中的每一个,在基于各分割区域与多个基准位置的分别的位置关系对多个蚀刻特性进行加权之后,基于进行加权后的多个蚀刻特性求出各分割区域的区域蚀刻特性;以及分割数据修正部214,将上述设计数据分割成与多个分割区域对应的多个分割数据,基于与各分割数据对应的各分割区域的区域蚀刻特性来修正各分割数据。
由此,在修正在基板9上的多个分割区域描画的分割图案(即,分割数据表示的描画图案即片段94)时,能够考虑根据各分割区域在基板9上的位置的区别导致的蚀刻特性的差异,以良好的精度进行对各分割数据的蚀刻修正。此外,如上述所示,因为设计数据的多个分割数据分别表示的分割图案相同,所以能够容易地进行根据分割数据修正部214的多个分割数据的蚀刻修正。
如此,在数据修正部21,因为能够以良好的精度对设计数据的各分割数据进行蚀刻修正,所以在设置有该数据修正部21的描画装置1,能够在基板9上以高精度描画多个分割图案,所述多个分割图案考虑了由于各分割区域在基板9上的位置的区别导致的蚀刻特性的差异。
在上述的例子中,虽然说明了多个片段94(即,多个分割区域)的区域蚀刻特性互相不同的情况,但是多个片段94也可以包括区域蚀刻特性相同的两个以上的片段94。换言之,与多个片段94对应的多个分割数据,也可以包括对应的区域蚀刻特性相同的两个以上的分割数据。例如,在从图4中的(+y)侧的两个特性获取用图案95获取的两个蚀刻特性大致相同的情况下,在配置成矩阵状的多个片段94中,在最靠近(+y)侧的行的x方向上邻接的两个片段94上,区域蚀刻特性实质上相同。
如此,与多个片段94对应的多个分割数据在包括对应的区域蚀刻特性相同的两个以上的分割数据的情况下,在上述的步骤S14中,针对该两个以上的分割数据,通过分割数据修正部214进行一个分割数据的修正,该一个分割数据的修正结果即已修正分割数据,也作为分割数据修正部214的其他分割数据的修正结果来使用。
更具体而言,在步骤S14中,仅针对该两个以上的分割数据中的一个分割数据进行基于区域蚀刻特性的蚀刻修正,求出已修正分割数据。此外,对该两个以上的分割数据中的其他分割数据不进行蚀刻修正。而且,将上述一个分割数据的已修正分割数据挪用作为该其他的分割数据的已修正分割数据,在数据修正部21生成已修正数据。
在已修正数据中,在与上述两个以上的分割数据对应的两个以上的片段94,分别配置有上述已修正的分割数据表示的已修正的分割图案。或者,在已修正数据中,仅在与上述两个以上的分割数据对应的两个以上的片段94中的一个片段94上配置有已修正的分割图案,其他的片段94也可以仅有意味着配置有与在该一个片段94上配置的分割图案相同的分割图案的信息。在该情况下,在对位于数据转换部22的已修正数据进行变换时,将与配置在上述一个片段94的分割图案的栅格数据相同的栅格数据配置在该其他的片段94上。
如此,在数据处理装置2的数据修正部21,针对区域蚀刻特性实质上相同的两个以上的分割数据,通过分割数据修正部214进行一个分割数据的修正,该一个分割数据的修正结果也作为其他的分割数据的修正结果来使用。由此,能够缩短根据分割数据修正部214的多个分割数据的蚀刻修正所需要的时间。
在上述的例子中,虽然通过使用了片段94的图案构件位置与多个基准位置的双线性插值法求出了区域蚀刻特性,但是也可以通过其他的各种各样的方法来求出区域蚀刻特性。例如,与上述的双线性插值法一样,虽然通过将权重系数与各蚀刻特性相乘来实施区域蚀刻特性获取部213对多个蚀刻特性的加权,但是也可以变更权重系数的決定方法,所述权重系数基于与各蚀刻特性对应的基准位置和片段94的图案构件位置之间的距离。作为一个例子,将与片段94最接近的一个基准位置对应的蚀刻特性与权重系数“1”相乘,将与其他的基准位置对应的蚀刻特性与权重系数“0”相乘。如此,在与多个蚀刻特性中的一个蚀刻特性相乘的权重系数是1、与除了该一个蚀刻特性以外的蚀刻特性相乘的权重系数是0的情况下,能够容易地进行分割数据修正部214的多个分割数据的蚀刻修正。
接着,说明本发明的第二实施方式的检查装置1a。检查装置1a是检查在基板9上描画的图案的装置。在检查装置1a,对基板9上的图案与后述的蚀刻修正后的设计数据进行比较。与图2所示的数据处理装置2一样,检查装置1a具有一般的计算机系统的结构。
图9是示出检查装置1a的功能的框图。检查装置1a具有数据修正部21a、实际图像存储部25以及缺陷检测部26。与如图3所示的数据修正部21一样,数据修正部21a具有设计数据存储部211、蚀刻特性存储部212、区域蚀刻特性获取部213以及分割数据修正部214。实际图像存储部25存储在基板9上描画的图案的图像数据即检查图像数据。缺陷检测部26检测出在基板9上描画的该图案的缺陷。
接着,在参照图10的同时,说明检查装置1a的检查流程。首先,在检查装置1a,与如图8所示的步骤S11一样,通过将由在基板9上蚀刻形成的预定的图案93(参照图4)的设计数据输入至数据修正部21a,存储至设计数据存储部211来准备所述设计数据(步骤S21)。
接着,与步骤S12一样,通过将与基板9上的多个基准位置分别对应的多个蚀刻特性输入至数据修正部21a,存储至蚀刻特性存储部212来准备所述多个蚀刻特性(步骤S22)。既可以在除了检查装置1a以外的装置获取该多个蚀刻特性,也可以在检查装置1a获取该多个蚀刻特性。在检查装置1a获取蚀刻特性的情况下,检查装置1a设置有拍摄部,获取测量图案96(参照图6)的图像;以及蚀刻特性获取部,基于测量图案96的图像与特性获取用图案95(参照图4)的设计数据,获取在各基准位置的蚀刻特性。
接着,与步骤S13一样,根据区域蚀刻特性获取部213,针对多个分割区域即片段94(参照图4)中的每一个,基于分别与多个基准位置对应的多个蚀刻特性,求出在各片段94的蚀刻特性即区域蚀刻特性(步骤S23)。基于各片段94的图案构件位置与多个基准位置的分别的位置关系,在对与多个基准位置对应的多个蚀刻特性进行加权之后,基于进行了加权的多个蚀刻特性求出区域蚀刻特性。
例如如上述所示,通过将权重系数与各蚀刻特性相乘来实施区域蚀刻特性获取部213对多个蚀刻特性的加权,所述权重系数基于与各蚀刻特性对应的基准位置和片段94的图案构件位置之间的距离。例如如上述所示,根据使用了片段94的图案构件位置与多个基准位置的双线性插值法,在进行向上述多个蚀刻特性的加权的同时求出区域蚀刻特性。多个片段94(即,多个分割区域)的区域蚀刻特性互相不同。
若求出了各片段94的区域蚀刻特性,则与步骤S14一样,通过分割数据修正部214从图案93的设计数据中提取与多个片段94(即,分割区域)分别对应的多个分割数据。换言之,将图案93的设计数据分割成分别与多个片段94对应的多个分割数据。而且,分割数据修正部214基于与该各分割数据对应的各片段94的区域蚀刻特性来修正(即,蚀刻修正)各分割数据,从而求出各片段94的已修正分割数据(步骤S24)。
具体而言,在各片段94考虑到实际蚀刻时的情形,为了使各片段94所包括的图形构件变成实际蚀刻后的线宽或大小,以使各分割数据的图形构件的线宽变细或使图形构件变小的方式修正与该片段94的区域蚀刻特性表示的蚀刻量对应的过剩的蚀刻。换言之,对各分割数据进行修正,所述修正与在上述的步骤S14中对各分割数据进行的修正相反。
在分割数据修正部214,通过汇总与多个片段94对应的多个已修正分割数据,生成修正后的图案93的设计数据即已修正数据。将该已修正数据从数据修正部21发送至缺陷检测部26。
接着,基于修正前的图案93的设计数据,获取在基板9上描画并施加有蚀刻的图案(以下,称为“蚀刻图案”。)的图像数据,通过将该图像数据存储至实际图像存储部25作为检查图像数据来准备(步骤S25)。既可以与步骤S21至S24同时进行步骤S25,也可以在步骤S21至S24之前进行步骤S25。既可以在除了检查装置1a以外的装置获取该检查图像数据,也可以在检查装置1a获取该检查图像数据。在检查装置1a获取检查图像数据的情况下,检查装置1a上设置有拍摄部,用于获取检查图像数据。并且,在上述步骤S22中,在检查装置1a获取了测量图案96的图像的情况下,优选的,还在检查装置1a获取检查图像数据。
从实际图像存储部25将检查图像数据发送至缺陷检测部26。在缺陷检测部26,通过比较该检查图像数据与从数据修正部21a发送的已修正数据(即,通过数据修正部21a蚀刻修正的设计数据),检测出在基板9上形成的蚀刻图案的缺陷(步骤S26)。如上述所示,在该已修正数据中,因为为了使各片段94的图形构件变成实际蚀刻后的线宽或大小而进行修正,所以缺陷检测部26将在检查图像数据中的与已修正数据的差异检测为基板9上的蚀刻图案的缺陷。
与如图3所示的数据修正部21一样,在数据修正部21a,在修正在基板9上的多个分割区域描画的分割图案(即,分割数据表示的描画图案即片段94)时,考虑根据各分割区域的基板9上的位置的区别导致的蚀刻特性的差异,能够以良好的精度进行对各分割数据的蚀刻修正。因此,在检查装置1a,能够在考虑了由于各分割区域在基板9上的位置的区别导致的蚀刻特性的差异的同时,以高精度进行在基板9上描画的多个分割图案的检查。
与第一实施方式一样,与多个片段94对应的多个分割数据,也可以包括对应的区域蚀刻特性相同的两个以上的分割数据。在该情况下,在上述的步骤S24中,针对该两个以上的分割数据,通过分割数据修正部214进行一个分割数据的修正,该一个分割数据的修正结果即已修正分割数据也作为分割数据修正部214的其他分割数据的修正结果来使用。由此,能够缩短分割数据修正部214的多个分割数据的蚀刻修正所需要的时间。
此外,作为区域蚀刻特性获取部213对多个蚀刻特性的加权,也可以将与片段94最接近的一个基准位置对应的蚀刻特性与权重系数“1”相乘,并将与其他的基准位置对应的蚀刻特性与权重系数“0”相乘。如此,在与多个蚀刻特性中的一个蚀刻特性相乘的权重系数是1、与除了该一个蚀刻特性以外的蚀刻特性相乘的权重系数是0的情况下,能够容易地进行根据分割数据修正部214的多个分割数据的蚀刻修正。
上述描画装置1及检查装置1a能够进行各种各样的变更。
例如,在如图1所示的描画装置1,既可以同时进行步骤S11与步骤S12、S13,也可以在步骤S11之前进行步骤S12、S13。
基板9上的多个片段94的配置及数量,不限定为如图4所示的方式,也可以进行恰当的变更。同样的,在基板9上的多个特性获取用图案95的配置及数量也可以进行恰当的变更。特性获取用图案95不一定需要配置在基板9的角隅部附近,例如,也可以配置在邻接的片段94之间。不一定需要基于与基板9上的所有的特性获取用图案95对应的蚀刻特性来获取各区域蚀刻特性,也可以基于与基板9上的所有的特性获取用图案95中的一部分特性获取用图案95对应的蚀刻特性来获取各区域蚀刻特性。
基板9上的图案93不一定需要具有多个片段94,例如,也可以是变成一个大的布线图案的预定图案。在将该一个图案的设计数据分割成多个分割数据时,优选的,在邻接部以部分重叠的方式分割邻接的各个分割数据。由此,在检查装置1a对分割数据进行蚀刻修正时,能够防止如下情况:跨越与该分割数据对应的分割区域以及邻接的分割区域的布线等,在该两个分割区域的分界线附近,变成违反意图的不连续的状态。
描画装置1也可以用于在除了基板9以外的各种各样的对象物上描画图案。检查装置1a也可以用于检查对通过蚀刻形成在除了基板9以外的各种各样的对象物上的图案。数据修正部21、21a也可以作为从描画装置1及检查装置1a独立出来的数据修正装置来利用。该数据修正装置也可以用于在除了
基板9以外的各种各样的对象物上,通过蚀刻形成的图案的设计数据。
只要不互相矛盾,也可以对上述实施方式及各变形例中的结构进行恰当的组合。
虽然详细地描述并说明了本发明,但是已述的说明仅是例示性的而并非对本发明的限定。因此,只要不脱离本发明的范围,能够进行各种变形采用各种方式。
Claims (17)
1.一种数据修正装置,用于修正通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据,其特征在于,具有:
设计数据存储部,存储通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据;
蚀刻特性存储部,存储与所述对象物上的多个基准位置分别对应的多个蚀刻特性,其中,所述图案中包括的图形构件之间的间隙宽度和所述对象物上的所述图形构件被过剩地蚀刻的蚀刻量之间的关系作为所述蚀刻特性;
区域蚀刻特性获取部,针对在所述对象物上设定的多个分割区域中的每一个,在基于各分割区域与所述多个基准位置的分别的位置关系对所述多个蚀刻特性进行加权处理后,基于进行了加权处理的所述多个蚀刻特性,求出所述各分割区域的蚀刻特性即区域蚀刻特性;以及
分割数据修正部,将所述设计数据分割成与所述多个分割区域对应的多个分割数据,基于与各分割数据对应的所述各分割区域的所述区域蚀刻特性来修正所述各分割数据。
2.如权利要求1所述的数据修正装置,其特征在于,
所述设计数据的所述多个分割数据分别表示的分割图案是相同的。
3.如权利要求2所述的数据修正装置,其特征在于,
在所述多个分割数据包括对应的所述区域蚀刻特性相同的两个以上的分割数据的情况下,通过所述分割数据修正部,对所述两个以上的分割数据中包括的一个分割数据进行修正,所述一个分割数据的修正结果也作为所述分割数据修正部对所述两个以上的分割数据中包括的其他的分割数据的修正结果来使用。
4.如权利要求3所述的数据修正装置,其特征在于,
所述区域蚀刻特性获取部所执行的对所述多个蚀刻特性的加权处理,是将基于与各蚀刻特性对应的基准位置和分割区域之间的距离的权重系数与各蚀刻特性相乘的处理;
所述多个蚀刻特性中与最接近所述各分割区域的一个基准位置对应的蚀刻特性相乘的权重系数是1,与除了所述蚀刻特性以外的蚀刻特性相乘的权重系数是0。
5.如权利要求2所述的数据修正装置,其特征在于,
所述区域蚀刻特性获取部所执行的对所述多个蚀刻特性的加权处理,是将基于与各蚀刻特性对应的基准位置和分割区域之间的距离的权重系数与各蚀刻特性相乘的处理;
所述多个蚀刻特性中与最接近所述各分割区域的一个基准位置对应的蚀刻特性相乘的权重系数是1,与除了所述蚀刻特性以外的蚀刻特性相乘的权重系数是0。
6.如权利要求1所述的数据修正装置,其特征在于,
所述区域蚀刻特性获取部所执行的对所述多个蚀刻特性的加权处理,是将基于与各蚀刻特性对应的基准位置和分割区域之间的距离的权重系数与各蚀刻特性相乘的处理;
所述多个蚀刻特性中与最接近所述各分割区域的一个基准位置对应的蚀刻特性相乘的权重系数是1,与除了所述蚀刻特性以外的蚀刻特性相乘的权重系数是0。
7.一种描画装置,用于在对象物上描画图案,其特征在于,具有:
权利要求1至6中任一项所述的数据修正装置;
光源;
光调制部,基于由所述数据修正装置修正后的设计数据对来自所述光源的光进行调制;以及
扫描机构,在对象物上扫描由所述光调制部调制后的光。
8.一种检查装置,用于检查通过蚀刻而形成在对象物上的图案,其特征在于,具有:
权利要求1至6中任一项所述的数据修正装置;
实际图像存储部,存储检查图像数据,该检查图像数据是通过蚀刻而形成在对象物上的图案的图像数据;以及
缺陷检测部,通过比较由所述数据修正装置修正后的设计数据与所述检查图像数据,来检测在所述对象物上形成的所述图案的缺陷。
9.一种数据修正方法,用于修正通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据,其特征在于,具有:
工序a),准备通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据;
工序b),准备与所述对象物上的多个基准位置分别对应的多个蚀刻特性,其中,所述图案中包括的图形构件之间的间隙宽度和所述对象物上的所述图形构件被过剩地蚀刻的蚀刻量之间的关系作为所述蚀刻特性;
工序c),针对在所述对象物上设定的多个分割区域中的每一个,在基于各分割区域与所述多个基准位置的分别的位置关系对所述多个蚀刻特性进行加权处理后,基于进行了加权处理的所述多个蚀刻特性,求出所述各分割区域的蚀刻特性即区域蚀刻特性;以及
工序d),将所述设计数据分割成与所述多个分割区域对应的多个分割数据,基于与各分割数据对应的所述各分割区域的所述区域蚀刻特性来修正所述各分割数据。
10.如权利要求9所述的数据修正方法,其特征在于,
所述设计数据的所述多个分割数据分别表示的分割图案是相同的。
11.如权利要求10所述的数据修正方法,其特征在于,
在所述工序d)中,在所述多个分割数据包括对应的所述区域蚀刻特性相同的两个以上的分割数据的情况下,对所述两个以上的分割数据中的一个分割数据进行修正,所述一个分割数据的修正结果也作为所述两个以上的分割数据中包括的其他的分割数据的修正结果来使用。
12.如权利要求11所述的数据修正方法,其特征在于,
所述工序c)中的对所述多个蚀刻特性的加权处理,是将基于与各蚀刻特性对应的基准位置和分割区域之间的距离权重系数与各蚀刻特性相乘的处理;
所述多个蚀刻特性中与最接近所述各分割区域的一个基准位置对应的蚀刻特性相乘的权重系数是1,与除了所述蚀刻特性以外的蚀刻特性相乘的权重系数是0。
13.如权利要求10所述的数据修正方法,其特征在于,
所述工序c)中的对所述多个蚀刻特性的加权处理,是将基于与各蚀刻特性对应的基准位置和分割区域之间的距离的权重系数与各蚀刻特性相乘的处理;
所述多个蚀刻特性中与最接近所述各分割区域的一个基准位置对应的蚀刻特性相乘的权重系数是1,与除了所述蚀刻特性以外的蚀刻特性相乘的权重系数是0。
14.如权利要求9所述的数据修正方法,其特征在于,
所述工序c)中的对所述多个蚀刻特性的加权处理,是将基于与各蚀刻特性对应的基准位置和分割区域之间的距离的权重系数与各蚀刻特性相乘的处理;
所述多个蚀刻特性中与最接近所述各分割区域的一个基准位置对应的蚀刻特性相乘的权重系数是1,与除了所述蚀刻特性以外的蚀刻特性相乘的权重系数是0。
15.一种描画方法,用于在对象物上描画图案,其特征在于,包括:
根据权利要求9至14中任一项所述的数据修正方法来修正设计数据的工序;以及
基于修正后的所述设计数据,在对象物上扫描调制后的光的工序。
16.一种检查方法,用于检查通过蚀刻而形成在对象物上的图案,其特征在于,包括:
通过权利要求9至14中任一项所述的数据修正方法来修正设计数据的工序;以及
通过比较修正后的所述设计数据与检查图像数据,来检测在所述对象物上形成的所述图案的缺陷的工序,其中,该检查图像数据是通过蚀刻而形成在对象物上的图案的图像数据。
17.一种记录介质,记录对通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据进行修正的程序,通过计算机执行所述程序来执行以下工序:
工序a),准备通过蚀刻而形成在对象物上的图案的设计数据;
工序b),准备与所述对象物上的多个基准位置分别对应的多个蚀刻特性,其中,所述图案中包括的图形构件之间的间隙宽度和所述对象物上的所述图形构件被过剩地蚀刻的蚀刻量之间的关系作为所述蚀刻特性;
工序c),针对在所述对象物上设定的多个分割区域中的每一个,在基于各分割区域与所述多个基准位置的分别的位置关系对所述多个蚀刻特性进行加权处理后,基于进行了加权处理的所述多个蚀刻特性,求出所述各分割区域的蚀刻特性即区域蚀刻特性;以及
工序d),将所述设计数据分割成与所述多个分割区域对应的多个分割数据,基于与各分割数据对应的所述各分割区域的所述区域蚀刻特性来修正所述各分割数据。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014150429A JP6342738B2 (ja) | 2014-07-24 | 2014-07-24 | データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム |
JP2014-150429 | 2014-07-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105278236A CN105278236A (zh) | 2016-01-27 |
CN105278236B true CN105278236B (zh) | 2019-11-08 |
Family
ID=55147501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510438510.1A Active CN105278236B (zh) | 2014-07-24 | 2015-07-23 | 数据修正装置及方法、描画装置及方法、检查装置及方法和存储有程序的记录介质 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6342738B2 (zh) |
KR (1) | KR101689964B1 (zh) |
CN (1) | CN105278236B (zh) |
TW (1) | TWI547819B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6812660B2 (ja) * | 2016-04-22 | 2021-01-13 | オムロン株式会社 | 生産ラインの管理装置 |
JP2018028600A (ja) * | 2016-08-17 | 2018-02-22 | 株式会社Screenホールディングス | データ補正装置、描画装置、データ補正方法、描画方法およびプログラム |
JP6936577B2 (ja) * | 2017-01-20 | 2021-09-15 | 株式会社Screenホールディングス | 位置ずれ量取得装置、検査装置、位置ずれ量取得方法および検査方法 |
CN110906993B (zh) * | 2019-12-12 | 2021-07-13 | 金卡水务科技有限公司 | 一种流量计计量温度补偿方法及超声波流量计 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1580950A (zh) * | 2003-07-31 | 2005-02-16 | 富士胶片株式会社 | 图形制造系统、曝光装置及曝光方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2512562B2 (ja) * | 1989-10-12 | 1996-07-03 | 松下電器産業株式会社 | 階調補正装置 |
JPH10270535A (ja) * | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法 |
JP4158384B2 (ja) * | 2001-07-19 | 2008-10-01 | 株式会社日立製作所 | 半導体デバイスの製造工程監視方法及びそのシステム |
JP4515184B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2010-07-28 | 富士フイルム株式会社 | パターン製造システム、露光装置および露光方法 |
TWI602032B (zh) * | 2006-08-31 | 2017-10-11 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP2008134512A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Toppan Printing Co Ltd | パターンデータの補正方法、フォトマスクおよび回路基板 |
JP5254068B2 (ja) * | 2009-02-05 | 2013-08-07 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | カラーフィルタ用フォトマスクの補正方法 |
JP5398318B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2014-01-29 | 株式会社東芝 | 露光装置および電子デバイスの製造方法 |
JP2011233744A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Toshiba Corp | 露光方法および半導体デバイスの製造方法 |
JP5731864B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-06-10 | 株式会社Screenホールディングス | 描画データの補正装置および描画装置 |
US8507363B2 (en) * | 2011-06-15 | 2013-08-13 | Applied Materials, Inc. | Laser and plasma etch wafer dicing using water-soluble die attach film |
JP5826707B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2015-12-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板検査装置および基板検査方法 |
CN107708318B (zh) * | 2012-10-30 | 2020-10-16 | 国立研究开发法人产业技术综合研究所 | 构造体制造装置 |
-
2014
- 2014-07-24 JP JP2014150429A patent/JP6342738B2/ja active Active
-
2015
- 2015-06-16 TW TW104119394A patent/TWI547819B/zh active
- 2015-07-03 KR KR1020150095389A patent/KR101689964B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-23 CN CN201510438510.1A patent/CN105278236B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1580950A (zh) * | 2003-07-31 | 2005-02-16 | 富士胶片株式会社 | 图形制造系统、曝光装置及曝光方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6342738B2 (ja) | 2018-06-13 |
KR20160012910A (ko) | 2016-02-03 |
TW201604699A (zh) | 2016-02-01 |
TWI547819B (zh) | 2016-09-01 |
JP2016025295A (ja) | 2016-02-08 |
CN105278236A (zh) | 2016-01-27 |
KR101689964B1 (ko) | 2016-12-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105278236B (zh) | 数据修正装置及方法、描画装置及方法、检查装置及方法和存储有程序的记录介质 | |
WO2021036280A1 (zh) | 定位方法和装置、存储介质 | |
TWI620032B (zh) | 資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄媒體 | |
CN104465335B (zh) | 描绘方法以及描绘装置 | |
KR100821038B1 (ko) | 차분 비교 검사방법 및 차분 비교 검사장치 | |
KR20200028169A (ko) | Opc 방법, 및 그 opc 방법을 이용한 마스크 제조방법 | |
TWI612296B (zh) | 資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄有程式之記錄媒體 | |
KR101863439B1 (ko) | 데이터 보정 장치, 묘화 장치, 검사 장치, 데이터 보정 방법, 묘화 방법, 검사 방법 및 기록 매체에 기록된 프로그램 | |
US6717160B2 (en) | Beam direct-writing apparatus, imaging apparatus and method of obtaining preferable path passing through points | |
CN111176078B (zh) | 一种修正光学平坦度探测结果的方法 | |
TWI647984B (zh) | 資料補正裝置、描繪裝置、資料補正方法、描繪方法及程式產品 | |
US11341628B2 (en) | Method for compensating design image of workpiece and system for processing design image of workpiece | |
KR20160018415A (ko) | 광학 특성 취득 장치, 위치 측정 장치, 데이터 보정 장치, 광학 특성 취득 방법, 위치 측정 방법 및 데이터 보정 방법 | |
JP2023009348A (ja) | パターンエッジの評価方法 | |
JP2016114448A (ja) | 位置測定装置、データ補正装置、位置測定方法およびデータ補正方法 | |
JP6663672B2 (ja) | データ補正装置、描画装置、配線パターン形成システム、検査装置、データ補正方法および配線基板の製造方法 | |
JP2022124187A (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
CN115699278A (zh) | 图案测量方法 | |
KR20000045676A (ko) | 반도체 제조용 마스크의 패턴 노광방법 | |
CN111312604A (zh) | 一种残胶检测工具、制作方法以及残胶检测方法 | |
KR20080060396A (ko) | 검사 영역 설정 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |