TWI547973B - 描繪方法以及描繪裝置 - Google Patents

Description

描繪方法以及描繪裝置

本發明是有關於一種對設置在描繪對象物的多個描繪區域照射光而進行描繪的描繪方法以及描繪裝置，特別是有關於一種調整對描繪對象物的描繪位置的技術。

作為在例如半導體晶圓(wafer)等基板形成保護層或配線圖案(pattern)的方法，有藉由照射光而進行描繪的技術。在該技術中，將形成著感光層的基板作為描繪對象物，對描繪對象物照射基於描繪資料(data)調製後的光，而對感光層進行曝光。這時，必須調整用來對描繪對象物的適當位置進行描繪的描繪位置，到目前為止也提出了用來進行所述調整的技術。

例如日本專利特開2012-074615號公報中記載的技術是在預先形成在基板的基底圖案上重疊地新形成描繪圖案，且謀求消除因處理過程中的基板的伸縮或變形而引起的基底圖案與描繪圖案的位置偏移。也就是說，在該技術中，預先對向量(vector)形式的設計資料進行柵格化(rasterize)處理而製成運行長度(run-length)資料，一面基於基底圖案的位置檢測結果而針對每一描繪單位修正資料一面供於描繪，由此進行所要描繪的圖案與基 底圖案的位置對準而不會導致處理時間減少。

且說，這種作為描繪對象物的基板通常是在一片晶圓(wafer)製作出多個晶片(chip)區域的單片(monolithic)結構，但例如日本專利第4724988號公報中所記載那樣，也有將預先分開形成的多個晶片事後排列在基板上而製成的偽晶圓(wafer)成為描繪對象物的情況。

在單片結構的晶圓(wafer)中，多個晶片區域原本便是作為一體而製成的，因此多個晶片區域間幾乎不產生相對的位置偏移，所述日本專利特開2012-074615號公報中記載的技術也以此為前提。另一方面，在日本專利第4724988號公報中所記載的偽晶圓(wafer)中，在晶圓(wafer)上晶片單位之間會產生相對較大的位置偏差。因此，有藉由描繪時簡單的晶圓(wafer)位置的調整、或日本專利特開2012-074615號公報中記載的修正處理而無法應對的情況，在該情況下，必須針對每一晶片檢測位置並依照所述位置製成描繪資料。因此，從晶圓(wafer)供於描繪到描繪完成為止需要相對較長的時間，但原理上可以應對任一種晶片配置。

如上所述，供於描繪的描繪對象物的變形的大小多種多樣，從而適於該變形的修正方法也多種多樣。然而，到目前為止的技術中，只應用根據所假定的變形的大小而預先規定的修正技術，還未針對每一描繪對象物應用最適的修正處理。從而，有如下問題：未進行充分的位置對準而產生描繪位置偏移，或因執行 不必要的處理而導致製程時間(tact time)變長。

本發明是鑒於所述課題而完成的，目的在於提供如下技術：在對設置在描繪對象物的多個描繪區域照射光而進行描繪的描繪方法及描繪裝置中，藉由執行與描繪對象物的變形相應的最適的位置對準處理，而可以減少處理時間的浪費，且高精度地進行已調整描繪位置的描繪。

本發明的一實施方式是一種描繪方法，從描繪單元把光照射到設置在描繪對象物的多個描繪區域的每一個而進行描繪，且為了達成所述目的而包括：第一步驟，生成對應於要描繪的內容的柵格資料(raster data)；第二步驟，將所述描繪單元相對於所述描繪對象物而定位；第三步驟，將所述多個描繪區域中的兩個以上作為檢測對象區域並檢測其位置；第四步驟，基於所述檢測對象區域的位置檢測結果，調整所述描繪單元對所述描繪對象物的描繪位置；以及第五步驟，基於所述柵格資料，從所述描繪單元把所述光照射到所述描繪對象物的所述描繪位置而進行描繪；且在所述第四步驟中，判斷所述第三步驟中所檢測出的所述檢測對象區域間的相對的第一位置偏移量是否在第一閥值以內，當判斷為所述第一位置偏移量在所述第一閥值以內時，執行第一調整處理，即，基於所述檢測對象區域的位置檢測結果與對應於所述檢測對象區域預先設定的基準位置之間的位置偏移量，而調整所述描繪單元與所述描繪對象物的相對位置，由此調整所述描繪位置，另一方面，當判斷為所述第一位置偏移量超過所述第一閥值時，進而將所述多個描繪區域中的與所述檢測對象區域不同的至 少一個作為二次檢測對象區域並檢測其位置，判斷所檢測出的位置與根據所述第三步驟中的所述檢測對象區域的位置檢測結果而推定出的所述二次檢測對象區域的位置之間的第二位置偏移量是否在第二閥值以內，當判斷為所述第二位置偏移量在所述第二閥值以內時，執行第二調整處理，即，對所述柵格資料實施與所述第三步驟中的所述檢測對象區域的位置檢測結果和所述基準位置之間的位置偏移量相應的修正，由此調整所述描繪位置，當判斷為所述第二位置偏移量超過所述第二閥值時，執行第三調整處理，即，檢測所述描繪對象物中所包含的所有所述描繪區域的位置，並基於該位置檢測結果而重新生成所述柵格資料，由此調整所述描繪位置。

而且，為了達成所述目的，本發明的另一實施方式是一種描繪裝置，包括：保持單元，保持設置著多個描繪區域的描繪對象物；位置檢測單元，將保持在所述保持單元的所述描繪對象物的所述多個描繪區域中的兩個以上作為檢測對象區域，並檢測該檢測對象區域的位置；資料生成單元，生成對應於要描繪的內容的柵格資料；描繪單元，基於所述柵格資料，對所述描繪對象物照射光而進行描繪；以及描繪位置調整單元，基於所述位置檢測單元的檢測結果，調整所述描繪單元對所述描繪對象物的描繪位置；且所述描繪位置調整單元判斷由所述位置檢測單元檢測出的所述檢測對象區域間的相對的第一位置偏移量是否在第一閥值以內，當判斷為所述第一位置偏移量在所述第一閥值以內時，執行第一調整處理，即，基於所述檢測對象區域的位置檢測結果與對應於所述檢測對象區域預先設定的基準位置之間的位置偏移 量，而調整所述描繪單元與所述保持單元的相對位置，由此調整所述描繪位置，另一方面，當判斷為所述第一位置偏移量超過所述第一閥值時，將所述多個描繪區域中的與所述檢測對象區域不同的至少一個作為二次檢測對象區域，判斷由所述位置檢測單元檢測出的所述二次檢測對象區域的位置與根據所述檢測對象區域的位置檢測結果而推定出的所述二次檢測對象區域的位置之間的第二位置偏移量是否在第二閥值以內，當判斷為所述第二位置偏移量在所述第二閥值以內時，執行第二調整處理，即，對所述柵格資料實施與所述檢測對象區域的位置檢測結果和所述基準位置之間的位置偏移量相應的修正，由此調整所述描繪位置，當判斷為所述第二位置偏移量超過所述第二閥值時，執行第三調整處理，即，利用所述位置檢測單元檢測所述描繪對象物中所包含的所有所述描繪區域的位置，並基於該位置檢測結果而由所述資料生成單元重新生成所述柵格資料，由此調整所述描繪位置。

在這些發明中，構成為能夠執行第一調整處理至第三調整處理作為用來進行描繪單元與描繪對象物的位置對準的調整處理，根據描繪對象物中的描繪區域的位置檢測結果而自動地選擇執行這些處理。其中，第一調整處理是調整描繪單元與描繪對象物的物理位置，且是對設置在描繪對象物的多個描繪區域相對於描繪單元的位置偏移量大致相同的情況有效的調整處理。另外，第二調整處理是應對藉由把修正加到預先製成的柵格資料而能夠應對的位置偏移。另一方面，第三調整處理是在掌握設置在描繪對象物的多個描繪區域的每一個的位置之後重新製作柵格資料的調整處理，雖然比其他調整處理需要更多處理時間，但是藉由製 作符合各描繪區域的位置的柵格資料，而即便在描繪區域的位置偏差大的情況下也可以應對。

藉由根據描繪對象物的狀態而適當地分開使用這些調整處理，可以執行與描繪對象物的變形相應的最適的位置對準處理，而達成減少處理時間的浪費，且高精度地進行已調整描繪位置的描繪的目的。

為了實現所述目的，在本發明中檢測若干描繪區域的位置，並使用該檢測結果來判斷應進行的調整處理。具體而言，當多個描繪區域(檢測對象區域)間的相對的位置偏移量(第一位置偏移量)在第一閥值以下時，雖然描繪對象物相對於描繪單元而產生了位置偏移，但可以視這些描繪區域是一體地偏移，因此選擇第一調整處理。另一方面，在第一位置偏移量超過第一閥值的情況下，認為各描繪區域向互不相同的方向偏移，也就是說描繪對象物產生了變形。

因此，進而檢測另外的描繪區域(二次檢測對象區域)的位置，評估所述描繪區域的位置與根據之前所檢測出的各檢測對象區域的位置而推定出的該描繪區域的位置之間的第二位置偏移量。如果第二位置偏移量小，意味著推定的精度高，也就是說可以根據已取得的資訊以一定精度推定描繪對象物的變形的方式。所以，可以藉由消除(cancel)所推定出的變形的方式修正柵格資料，而進行描繪位置的調整。因此，在該情況下選擇第二調整處理。

相對於此，如果第二位置偏移量變大，會產生由柵格資料的修正而無法應對的情況。而且，例如像將所述偽晶圓(wafer) 作為描繪對象物的情況那樣，有各晶片即各描繪區域向不同的方向且相對較大地偏移的情況，對於這種偏移，藉由柵格資料的修正仍難以應對。因此，在第二位置偏移量超過第二閥值的情況下，選擇在檢測並掌握各描繪區域的位置之後重新生成柵格資料的第三調整處理。

如上所述，在本發明中檢測若干描繪區域的位置，並且基於該檢測結果而選擇執行描繪單元對描繪對象物的描繪位置的調整方式。因此，即便每一描繪對象物的變形或位置偏移的方式不同，也可以藉由選擇與所述方式相應的最適的調整處理，而適當地進行描繪位置的調整，而且，因多餘的調整處理而導致處理時間變長的問題也得以消除。

根據本發明，因為以根據描繪對象物的變形或描繪區域的位置偏移所選擇出的方式進行描繪位置的調整，所以可以減少處理時間的浪費，且高精度地進行已調整描繪位置的描繪。

1‧‧‧圖案描繪裝置

100‧‧‧描繪工具

101‧‧‧本體框架

110‧‧‧基板收納匣

120‧‧‧搬送機器人

130‧‧‧基台

140‧‧‧頭支撑部

141‧‧‧脚構件

143‧‧‧梁構件

150‧‧‧相機(位置檢測單元)

160‧‧‧平臺(保持單元、平臺)

161‧‧‧平臺移動機構

161X‧‧‧X軸驅動部

161Y‧‧‧Y軸驅動部

161T‧‧‧θ軸驅動部

170‧‧‧光學頭(描繪單元)

172‧‧‧盒

181‧‧‧曝光控制部

200‧‧‧電腦

201‧‧‧記憶部

202‧‧‧柵格資料生成部(資料生成單元)

203‧‧‧修正量計算部(描繪位置調整單元)

204‧‧‧資料修正部(描繪位置調整單元)

205‧‧‧條狀資料生成部(描繪位置調整單元)

206‧‧‧對準標記檢測部(位置檢測單元)

211‧‧‧設計資料

212‧‧‧柵格資料

AM1~AM5‧‧‧對準標記(識別標記)

B1‧‧‧條帶

B2‧‧‧分割區塊

C1~C6‧‧‧晶片

CR‧‧‧晶片區域(描繪區域)

CR1~CR4‧‧‧晶片區域(檢測對象區域)

CR5‧‧‧晶片區域(二次檢測對象區域)

Im‧‧‧圖像

Pm5、Pp5‧‧‧位置

Pmn、Ptn‧‧‧點

Qm、Qt‧‧‧矩形

S101~S109、S111~S115、S121、S122、S201~S203‧‧‧步驟

V2‧‧‧第二閥值

W‧‧‧基板(描繪對象物)

Wx‧‧‧條帶寬度

X、Y、Z、θ‧‧‧方向

圖1是表示本發明的一實施方式的圖案描繪裝置的側視圖。

圖2(a)、圖2(b)是表示作為所述圖案描繪裝置的描繪對象物的基板的圖。

圖3是表示圖1的圖案描繪裝置的電性構成的方塊圖。

圖4是表示圖案描繪裝置的圖案描繪動作的流程圖。

圖5(a)、圖5(b)是表示第一對準標記至第四對準標記的圖。

圖6(a)、圖6(b)是表示對準標記的位置偏移的示例的圖。

圖7(a)、圖7(b)是表示第五對準標記的位置的圖。

圖8是說明基板上晶片單位之間的位置偏移的圖。

圖9是表示圖案描繪動作的變形例的圖。

圖1是表示本發明的一實施方式的圖案描繪裝置的側視圖，圖2(a)、圖2(b)是表示作為該圖案描繪裝置的描繪對象物的基板的圖。而且，圖3是表示圖1的圖案描繪裝置的電性構成的方塊圖。所述圖案描繪裝置1是對表面被賦予感光材料的半導體基板或玻璃(glass)基板等基板W的表面照射光而描繪圖案的裝置，且用於例如用來在被製作出電子器件(device)的基板形成金屬配線的圖案描繪。為了統一地表示各圖中的方向，如圖1所示，設定XYZ正交坐標系統。這裏，XY平面為水平面，Z軸為鉛垂軸。更具體而言，(-Z)方向表示鉛垂朝下的方向。而且，將圍繞Z軸的旋轉方向設為θ方向。

所述圖案描繪裝置1包含：描繪工具(engine)(圖案描繪部)100；以及資料處理部200，生成對描繪工具100提供的稱為條狀資料(strip data)或分割描繪資料的分割曝光用資料。在描繪工具100中，在對本體框架(frame)101安裝未圖示的外罩(cover)而形成的本體內部配置著裝置各部，從而構成本體部，並且在本體部的外側(在本實施方式中，如圖1所示為本體部的右手側)配置著基板收納匣(cassette)110。在該基板收納匣110收納著一批(lot)圖案描繪前的未處理基板W，藉由配置在本體內 部的搬送機器人(robot)120將所述基板W裝載(loading)到本體部。而且，在對未處理基板W實施曝光處理(圖案描繪處理)後，藉由搬送機器人120將該基板W從本體部卸載(unloading)並送回到基板收納匣110。此外，收容在基板收納匣110內的一批基板W既可以均被描繪同一圖案，也可以混合存在描繪圖案不同的基板。

在所述本體部中，在本體內部的右手端部配置著搬送機器人120。而且，在該搬送機器人120的左手側配置著基台130。所述基台130的其中一端側區域(圖1的右手側區域)成為在與搬送機器人120之間進行基板W的交接的基板交接區域，相對於此，另一端側區域(圖1的左手側區域)成為對基板W進行圖案描繪的圖案描繪區域。

在基台130上設置著平臺(stage)160，該平臺160將載置在上表面的基板W保持為大致水平姿勢。藉由平臺移動機構161使所述平臺160在基台130上沿X方向、Y方向以及θ方向移動。也就是說，平臺移動機構161是在基台130的上表面按照以下順序層疊配置著Y軸驅動部161Y(圖3)、X軸驅動部161X(圖3)及θ軸驅動部161T(圖3)，且使平臺160在水平面內二維地移動而進行定位。藉由使保持著基板W的平臺160沿Y方向水平移動，而可以使基板W在基板交接區域與圖案描繪區域之間移動。而且，使平臺160圍繞θ軸(鉛垂軸)旋轉而調整相對於後述的光學頭(head)170的相對角度以進行定位。此外，這種平臺移動機構161可以使用比以往用得多的X-Y-θ軸移動機構。

而且，在基台130的上方，在基板交接區域與圖案描繪 區域的交界位置設置著頭支撑部140。在該頭支撑部140中，從基台130朝向上方立設著在X方向上相互隔開的一對脚構件141，並且以在這些脚構件141的頂部架橋的方式在X方向上橫設著梁構件143。而且，在梁構件143的圖案描繪區域側的側面固定著相機(camera)(攝像部)150，從而可以對保持在平臺160的基板W的表面(被描繪面、被曝光面)進行拍攝。

而且，在像這樣構成的頭支撑部140的圖案描繪區域側固定地安裝著光學頭170及收納著該光學頭170的照明光學系統的盒(box)172。所述光學頭170基於後述的條狀資料而調製從光源出射的光束(beam)。而且，光學頭170藉由朝下地對在光學頭170的正下方位置移動的基板W出射調製光束，而對保持在平臺160的基板W進行曝光以描繪圖案。由此，利用先於所述曝光處理所執行的製程(process)而形成在基板W的基底圖案上，可以重疊地描繪出描繪圖案。此外，在本實施方式中，光學頭170可以在X方向上以多條通道(channel)同時照射光，將X方向稱為“副掃描方向”。而且，可以藉由使平臺160沿Y方向移動而對基板W描繪沿Y方向延伸的條狀圖案，將Y方向稱為“主掃描方向”。

如圖2(a)所示，作為所述圖案描繪裝置1的描繪對象物的基板W的一例是在大致圓形的半導體晶圓(wafer)排列著多個晶片區域CR。在各晶片區域CR預先形成著集成電路或分立(discrete)電路元件等，當要在所述基板形成金屬配線圖案時，使用所述圖案描繪裝置1。晶片區域CR的尺寸(size)或在基板W上的配置數、布局(layout)等根據所要製造的器件的不同而不同。

如圖2(a)右側的放大圖所示，在各晶片區域CR設置著用於可以從外部檢測該晶片區域CR的位置的對準標記(alignment mark)AM。對準標記AM的形狀或位置為任意，但較佳的是如圖2(a)右側的放大圖所示，在晶片區域CR內設置在盡可能遠離的兩處以上。原因在於：藉由這種方式，不僅可以檢測XY面內的晶片區域CR的位置，而且可以檢測θ方向的旋轉角度。

另一方面，從光學頭170對基板W進行的描繪是如圖2(b)中以虛線所示那樣，以條帶(band)B1為單位而實施。也就是說，光學頭170藉由一面將X方向上的條帶寬度Wx的範圍同時曝光一面相對於基板W相對地沿Y方向掃描移動，而進行一條帶量的描繪。藉由一面使X方向上的基板W與光學頭170的相對位置依次變化一面重複進行以條帶B1為單位的描繪，而最終對基板W的整個面進行描繪。條帶寬度Wx由裝置構成决定，且不一定與作為描繪對象物的基板W中的晶片區域CR的尺寸相關。

相當於所述一條帶量的描繪資料為條狀資料。此外，如圖2(b)中以虛線所示那樣，實際的描繪資料是被劃分成比條帶B1的尺寸更小的分割區塊(block)B2單位而進行處理。

本實施方式的圖案描繪裝置包含電腦(computer)200作為用來供給適於如所述那樣構成的描繪工具100的條狀資料的資料處理部。該電腦200包含中央處理器(Central Processing Unit，CPU)或記憶部201等，且與描繪工具100的曝光控制部181一並配置在電架(electrical rack)(省略圖示)內。而且，電腦200內的CPU按照規定的程序(program)進行運算處理，由此 實現柵格資料生成部202、修正量計算部203、資料修正部204、條狀資料生成部205以及對準標記檢測部206等功能區塊。

例如，與基底圖案重疊地描繪的描繪圖案是利用外部的電腦輔助設計(Computer-Aided Design，CAD)等而生成的向量形式的設計資料記述的，該設計資料被輸入到電腦200後，便寫入並保存在記憶部201。而且，柵格資料生成部202基於所述設計資料211而製作相當於一片基板W的整個面的柵格資料(位元圖資料(bitmap data))。所製成的柵格資料212被寫入並保存在記憶部201。

而且，電腦200包括對準標記檢測部206、修正量計算部203以及資料修正部204作為用來修正基板W的各晶片區域CR與光學頭170的相對的位置偏移的功能區塊。具體而言，對準標記檢測部206對由相機150拍攝基板W所得的圖像實施適當的圖像處理，並檢測圖像中所包含的對準標記AM的XY坐標位置。

修正量計算部203基於設計資料中所包含的設計位置資訊、及由對準標記檢測部206所檢測出的實際位置，而算出對準標記AM距正規位置的位置偏移量，並求出消除該位置偏移量所需的修正量，所述設計位置資訊是作為表示基板W被定位在平臺160上的正規位置時的各晶片區域CR的XY坐標位置的資訊而包含在設計資料中。成為修正對象的是基板W相對於光學頭170的物理位置及描繪資料。也就是說，在可以藉由改變基板W的位置而修正位置偏移的情況下，求出為此所需的平臺160的移動量作為修正量。另一方面，在藉由修正描繪資料而修正位置偏移的情況下，求出在由柵格資料製作條狀資料時使用的修正量。

在必須修正基板W的物理位置的情況下，由修正量計算部203所算出的修正量被提供給描繪工具100的曝光控制部181。曝光控制部181根據所提供的修正量而分別給予平臺移動機構161的X軸驅動部161X、Y軸驅動部161Y及θ軸驅動部161T以X、Y、θ各成分的修正指示，X軸驅動部161X、Y軸驅動部161Y及θ軸驅動部161T基於所述指示進行動作而使平臺160移動，由此修正平臺160上的基板W相對於光學頭170的位置。

在必須修正描繪資料的情況下，資料修正部204基於從修正量計算部203提供的修正量而修正從記憶部201讀出的柵格資料。條狀資料生成部205基於修正後的柵格資料而生成條帶單位的條狀資料，並送出到光學頭170。由此，在已修正基板W的位置偏移的狀態下進行描繪。

可以併用藉由平臺160的移動而進行的基板W的位置修正與描繪資料的修正。也就是說，可以藉由平臺160的移動而修正基板W的位置，進而也對描繪資料進行修正之後供於描繪。藉由使平臺160移動，而可以改變基板W相對於光學頭170在X方向、Y方向及θ方向的位置，但基板W上的各晶片區域CR的移動方向相同。在例如因基板W的變形而導致各晶片區域CR產生互不相同的位置偏移時，不可能只藉由平臺移動便將所述位置偏移消除。為了應對這種情況，有效的是修正描繪資料。在併用藉由平臺移動而進行的位置修正與描繪資料的修正的情況下，在減去藉由平臺移動來消除的位置偏移量之後求出描繪資料的修正量。

此外，關於由設計資料製作柵格資料，並進行用來修正 基板W的位置偏移或變形的資料修正之後製作條狀資料的製程，在所述日本專利特開2012-074615號公報中有詳細記載。在本實施方式中，也可以適宜應用日本專利特開2012-074615號公報中所記載的資料處理方法。因此，關於資料處理的具體內容，省略說明。在日本專利特開2012-074615號公報中是將柵格資料以運行長度資料的形式表示，但柵格資料的表示形式為任意。

接下來，一面參照圖4一面對如所述那樣構成的圖案描繪裝置1的圖案描繪動作進行詳細敘述。圖4是表示圖案描繪裝置的圖案描繪動作的流程圖。在該圖案描繪裝置1中，當將收納一批未處理的基板W的基板收納匣110搬送到描繪工具100，並且將設計資料211提供給電腦200時，描繪工具100及電腦200分別以如下方式進行動作而對各基板W執行描繪圖案的描繪，所述設計資料211記述著要對所述基板W描繪的描繪圖案及表示基板W中的晶片區域CR的配置的設計位置資訊。

電腦200取得設計資料211(步驟S101)之後，將該設計資料211保存到記憶部201，然後，開始將設計資料211柵格化而生成柵格資料212的柵格圖像加工(raster image processing，RIP)處理(步驟S102)。將所製成的柵格資料212保存到記憶部201。另一方面，描繪工具100利用搬送機器人120從基板收納匣110將一片未處理基板W裝載到本體部，並載置在平臺160(步驟S103)。此外，也可以同時進行RIP處理的執行與基板搬入，或者，也可以在搬入基板後開始RIP處理。

接著，根據設計資料211中所包含的設計位置資訊，指定從形成在基板W上的各晶片區域CR的對準標記AM(圖2(a)) 中選出的四個對準標記、即第一對準標記至第四對準標記的位置，利用相機150拍攝包含所述對準標記的位置的區域，對準標記檢測部206根據所獲得的圖像而檢測對準標記的位置(步驟S104)。然後，算出各對準標記距正規位置的位置偏移量(步驟S105)。

圖5(a)、圖5(b)是表示第一至第四對準標記的圖。如圖5(a)所示，適當選擇排列在基板W上的多個晶片區域CR中互不相同的四個晶片區域CR1~CR4作為檢測對象，對分別形成在這些晶片區域CR1~CR4的對準標記AM1~AM4進行拍攝。為了概括性地掌握作為基板W整體的位置偏移量，設為檢測對象的晶片區域CR1~CR4理想的是在基板W上分散在盡可能遠離的位置。

這裏，作為簡明的示例，以如下方式選擇各晶片區域CR1~CR4，即，晶片區域CR1與晶片區域CR2之間、以及晶片區域CR3與晶片區域CR4之間分別在Y方向上成為相同位置，而且晶片區域CR1與晶片區域CR3之間、以及晶片區域CR2與晶片區域CR4之間分別在X方向上成為相同位置。在這種示例中，將設置在各個晶片區域的對準標記AM1~AM4連結而成的假想四邊形是由與X方向平行的兩邊以及與Y方向平行的兩邊所構成的長方形。

如圖5(b)所示，關於第n個對準標記AMn(n=1，2，3，4)，將根據圖像所檢測出的表示所述對準標記AMn的位置的XY坐標平面的點設為Pmn，由(xmn，ymn)表示所述點的坐標。另一方面，將根據設計位置資訊所求出的對應於所述對準標記 AMn的正規位置的點設為Ptn，由(xtn，ytn)表示所述點的坐標。在該情況下，可以將所述對準標記AMn的位置偏移量△xy及該位置偏移量的X方向成分△x、Y方向成分△y分別以下式表示：△x=xmn-xtn

△y=ymn-ytn

以這種方式，可以分別算出基板W上的對準標記AM1~AM4的位置偏移量。

此外，在圖5(a)中，除所述第一對準標記~第四對準標記AM1~AM4以外，還在基板W的中央部示出第五對準標記AM5。關於該第五對準標記AM5的意義及其利用方法，在之後進行詳細敘述。

圖6(a)、圖6(b)是表示對準標記的位置偏移的示例的圖。在圖6(a)所示的例中，相對於將根據設計位置資訊所獲得的各對準標記的正規位置連結而成的矩形Qt，將實際檢測出的對準標記AM1~AM4連結而成的矩形Qm成為在維持其形狀的狀態下位置向X方向、Y方向及θ方向偏移的形態。如果是這種類型的位置偏移，可以藉由使平臺160移動而予以修正。另一方面，在圖6(b)所示的例中，各對準標記AM1~AM4的位置偏移不同，從而這些對準標記所形成的矩形Qm成為相對於正規的矩形Qt而變形的狀態。在這種情況下，只藉由平臺移動無法予以修正。

這兩種形態可以根據對準標記AM1~AM4間的相對位置而加以區別。也就是說，在維持正規的矩形形狀的狀態下各對準標記產生位置偏移的圖6(a)的實例中，各對準標記AM1~AM4 間的相對位置理應不會與正規位置下的相對位置有較大變化。另一方面，在矩形產生變形的圖6(b)的實例中，各對準標記AM1~AM4間的相對位置會較大地變化。

因此，根據所檢測出的各對準標記AM1~AM4的位置而求出彼此的相對位置關係，將所述位置關係與正規位置下的位置關係進行比較，而可以求出相對的位置偏移量(第一位置偏移量)。藉由將像這樣求出的第一位置偏移量與規定的第一閥值進行比較，而可以判斷位置偏移是否為圖6(a)及圖6(b)所示的哪一實例。

具體而言，例如，對於對準標記的各組合進行求出從四個對準標記中選出的兩個對準標記之間的相對的位置偏移量的運算，根據所述位置偏移量的平均值、最小值或最大值是否超過規定的第一閥值，而可以判定位置偏移的類型。關於使用平均值、最小值及最大值中的哪一值作為第一位置偏移量且將第一閥值設為哪種值，可以根據所需的位置對準的精度而適當設定。

此外，以下將如圖6(a)所示那樣維持著各對準標記AM1~AM4的相對位置關係的類型的位置偏移稱為“線性偏移”，另一方面，將如圖6(b)所示那樣因各對準標記AM1~AM4的偏移方式不同而引起矩形變形的類型的位置偏移稱為“非線性偏移”。而且，這裏是使用假想地連結所檢測的對準標記而成的矩形來說明概念，要檢測的對準標記的個數及配置為任意，在將這些對準標記連結而成的圖形的形狀並非矩形的情況下，也可以應用相同的想法。

回到圖4，對實際的動作進行說明。在步驟S105中算出 各對準標記AM1~AM4距正規位置的位置偏移量之後，利用修正量計算部203算出修正所述線性偏移所需的平臺160的移動量(步驟S106)。接著，判定由對準標記的位置掌握的位置偏移是否為線性偏移(步驟S107)。

判定例如能夠以如下方式進行。首先，算出仿射係數(affine parameter)，該仿射係數是將包括由設計位置資訊所指定的各對準標記AM1~AM4的位置坐標的點群向包括實際檢測出的各對準標記AM1~AM4的位置坐標的點群映射。計算可以使用例如最小平方法。使用這樣求出的仿射係數，求出由設計位置資訊所指定的點群的映射。映射後的點群與包括所檢測出的各對準標記AM1~AM4的位置坐標的點群之間的位置的差量表示無法藉由平臺移動來修正的非線性的位置偏移成分。而且，這時的仿射係數表示可以藉由平臺移動來修正的線性的位置偏移成分。

因此，可以藉由屬於使用仿射係數映射後的點群的各點與所檢測出的對準標記AM1~AM4的距離來表示位置偏移的非線性成分。可以將各對準標記AM1~AM4距映射後的點的位置偏移量中的最大值、或各對準標記的位置偏移量的平均值設為“第一位置偏移量”。而且，將對於該第一位置偏移量所容許的公差(例如1μm)設為“第一閥值”，根據第一位置偏移量是否處於第一閥值以內，而可以判定位置偏移是線性還是非線性。

如上所述，在對準標記間的相對的第一位置偏移量為第一閥值以下時，判斷為位置偏移的類型是可以藉由平臺160的移動而消除的線性偏移(步驟S107中“YES”)。在該情況下，將所算出的平臺移動量提供給曝光控制部181，使平臺移動機構161 根據所述平臺移動量進行動作，由此使平臺160移動(步驟S108)。當然，如果一開始就對準了位置，便無需平臺移動。由此，將利用光學頭170進行描繪的位置調整為基板W上的最適的位置。在本說明書中，將該調整處理稱為“第一調整處理”。在該狀態下，從光學頭170對基板W照射光而對基板W進行曝光(步驟S109)。

另一方面，在步驟S107中判斷為“NO”，即，判斷為第1第一位置偏移量超過第一閥值而為非線性偏移的情況下，推定第五對準標記的位置(步驟S111)。此外，即便在偏移的類型符合線性偏移的情況下，也有偏移量較大，無法藉由平臺160在可動範圍內的移動而消除位置偏移的情況，這時理想的是也進行與非線性偏移相同的處理。藉由第一偏移量與第一閥值的比較而進行判斷，便可以滿足該要求。

如圖5(a)所示，第五對準標記AM5是形成在晶片區域CR5的對準標記，所述晶片區域CR5與形成著第一對準標記~第四對準標記AM1~AM4的晶片區域CR1~CR4不同。在此例中選擇了位於基板W的大致中央部的晶片區域CR5，但並不限定於此，位置為任意。但是，較佳的是與形成著第一對準標記~第四對準標記AM1~AM4的晶片區域CR1~CR4盡可能遠離的位置的晶片區域，更佳的是距這些晶片區域CR1~CR4的距離大致相同的晶片區域。

圖7(a)、圖7(b)是表示第五對準標記的位置的圖。在非線性偏移中，如圖7(a)所示，將第一對準標記~第四對準標記AM1~AM4連結而成的矩形Qm成為相對於正規的矩形Qt 而變形的形狀。當考慮以對應於這些對準標記的正規位置的點Ptn(n=1，2，…)為元素的集合Pt、與以對應於實際檢測出的對準標記的位置的點Pmn(n=1，2，…)為元素的集合Pm時，兩者的關係可以使用適當的幾何學變換f而由下式表示：f：Pt→Pm

表示四個對準標記AM1~AM4的位置的XY坐標平面上的點Pmn為已知，而且對應於這些對準標記的正規位置的點Ptn可以根據設計位置資訊而算出，因此可以至少近似地定量求出上式中的幾何學變換f是哪種變換。也就是說，可以將基板W的變形定量化。代表性的幾何學變換算法例如有正規化射影變換、仿射變換、薄板樣條函數(Thin Plate Spline，TPS)插值等，除這些以外也可以應用任意變換算法。

藉由像這樣利用適當的算法將幾何學變換(以下簡稱為“變換”)f定量地表示，而可以針對基板W上的任意點，根據設計位置資訊推定實際的位置。因此，針對第五對準標記AM5，使用設計位置資訊及變換f來推定基板W上的位置Pp5。

然後，在實際的基板W上進行第五對準標記AM5的位置檢測(步驟S112)。具體而言，相機150對以所推定出的位置Pp5為中心的基板W上的部分區域進行拍攝，對準標記檢測部206檢測所拍攝的圖像中所包含的第五對準標記AM5。圖7(b)表示所拍攝的圖像的一例。相機150以所推定出的位置Pp5為中心進行拍攝，所拍攝的圖像Im的大致中心相當於推定位置Pp5。當藉由變換f適當地近似出基板W的變形時，實際的第五對準標記AM5理應在推定位置Pp5的附近被檢測到。

換句話說，如果在推定位置Pp5的附近檢測出第五對準標記AM5，利用變換f而進行的近似便為適當，藉由對設計位置資訊應用該變換f，而可以推定基板W上的各晶片區域CR的位置。因此，在該情況下，可以應用例如日本專利特開2012-074615號公報中所記載的資料修正方法來修正柵格資料，而消除基板W的變形後進行描繪。

具體而言，算出從第五對準標記AM5的推定位置Pp5到實際檢測出的位置的距離作為第五對準標記AM5的位置偏移量(步驟S113)。如圖7(b)所示，如果從第五對準標記AM5的推定位置Pp5到實際檢測出的位置Pm5的距離為規定的第二閥值V2以下(步驟S114中“YES”)，藉由柵格資料的修正來應對該情況下的位置偏移。也就是說，修正量計算部203算出所需的修正量(步驟S115)，在描繪時(步驟S109)，資料修正部204及條狀資料生成部205一面以分割區塊B2為單位依次修正柵格資料一面製成條狀資料並送出到曝光控制部181，使描繪工具100進行描繪。資料修正的具體實施方式可以利用日本專利特開2012-074615號公報中所記載的技術。在本說明書中，將以這種方式進行的描繪位置的調整處理稱為“第二調整處理”。

此外，在該情況下，可以藉由平臺移動而消除的位置偏移也是以平臺移動來應對(步驟S108)。因此，在計算修正量時，從所檢測出的對準標記的位置偏移量中減去藉由平臺移動來消除的偏移量之後决定柵格資料的修正量。藉由平臺移動而進行的修正可以對所有晶片區域CR一次進行修正，而且修正對資料精度也沒有影響，因此可以藉由平臺移動而消除的偏移較佳的是以平臺 移動來應對。特別是對於因基板W的傾斜而產生的晶片區域CR的θ方向的偏移，藉由以條帶B1(圖2(b))為單位或以分割區塊B2為單位進行的資料修正而難以應對，因此理想的是藉由平臺移動來實現消除。

另一方面，有第五對準標記AM5距推定位置Pp5的位置偏移量大於第二閥值V2的情況。在該情況下，有如下實例：在所拍攝的圖像Im中第五對準標記AM5位於距推定位置Pp5較遠的位置、或第五對準標記AM5不存在於拍攝範圍內。在這些情況下，無法根據已知的資訊推定基板W上的各晶片區域CR的位置。因此，無法基於已知的資訊進行修正。

原本便在一片晶圓(wafer)製作出多個晶片區域的單片結構的基板中，雖因基板的伸縮或變形等而各井(well)區域間會產生相對的位置偏移，但所述位置偏移的程度相對較小，而且偏移的方向或量有一定的規律性。因此，第五對準標記AM5較大地偏離根據其他對準標記AM1~AM4的位置所推定出的推定位置Pp5的情況較少。另一方面，在所述偽晶圓(wafer)也就是將分開形成的晶片集合並一體化的基板中，有各晶片產生相互無關聯的位置偏移的情況。

圖8是說明基板上的晶片單位之間的位置偏移的圖。如圖8所例示那樣，在偽晶圓(wafer)中，有晶圓(wafer)上的各晶片分別在規定範圍內產生個別的位置偏移的可能性。圖中的晶片C1向X方向偏移。而且，晶片C2、晶片C3的各邊相對於XY坐標軸而傾斜，產生向θ方向的偏移。而且，在符號P1所示的位置，X方向上的晶片間之間隔大於其他位置。晶片C4產生向X方向及 Y方向的偏移。而且，符號C5、符號C6所示的晶片向Y方向偏移。如上所述，在偽晶圓(wafer)中，有每一晶片產生不同的位置偏移的可能性。

在這些情況下，因為各晶片間的偏移的傾向的關聯性低，所以根據某一晶片的對準標記的位置所求出的偏移量不會成為推定其他晶片的位置偏移量的材料。因此，必須針對各晶片的每一個掌握位置而調整描繪位置。而且，在單片結構的基板中，如果變形量變大，也有藉由柵格資料的修正無法完全應對的情況。也就是說，雖然可以藉由使各分割區塊在基板W上的分配位置移位而修正變形，但因如下情況而無法完全應對：所述移位量有限，而且如果在相鄰的區塊間移位的方向或量較大地不同，會產生圖案的不連續。在這種情況下，第五對準標記的推定位置與檢測位置的背離也會變大。

因此，在第五對準標記AM5的位置偏移量超過第二閥值的情況下(步驟S114中“NO”)，重新進行所有晶片區域CR的對準標記的位置檢測(步驟S121)。這時，因為如圖8所示，在各晶片區域CR分別各設置著兩處對準標記，所以進行所述兩處對準標記的位置檢測。由此，除獲得各晶片區域CR的XY平面內的位置資訊以外，也獲得與θ方向的傾角相關的資訊。當然，對準標記也可以在各晶片區域設置三個以上。

然後，柵格資料生成部202基於以這種方式獲得的與各晶片區域CR的位置及傾斜相關的資訊、以及保存在記憶部201的設計資料211而重新執行RIP處理(步驟S122)。RIP處理是將向量資料柵格化而展開為柵格資料(位元圖資料)的處理，藉由 針對每一晶片區域CR進行考慮過其位置偏移及傾斜的柵格化，而可以製成使描繪位置符合各晶片區域CR的位置的柵格資料。藉由使用向量資料形式的設計資料進行位置修正，而可以避免因對柵格化後的資料加以大幅修正而可能產生的描繪品質的降低。在本說明書中，將以這種方式進行的描繪位置的調整處理稱為“第三調整處理”。

然後，對基板W照射根據藉由重新的RIP處理而製成的柵格資料進行調製後的光，由此可以對各晶片區域CR進行適當的描繪(步驟S109)。此外，在掌握各晶片的位置之後的重新的RIP處理中，原則上也可以對因基板W的位置偏移而產生的各晶片的位置偏移進行修正。因此，可以藉由重新的RIP處理一次修正包含基板W的位置偏移量在內的位置偏移量，另外，也可以藉由平臺移動來修正基板W的位置偏移，而利用重新的RIP處理只應對仍會留有的位置偏移量。在該實施方式中，先於描繪進行平臺移動(步驟S108)，從而在重新的RIP處理中，在減去藉由平臺移動來消除的位置偏移量之後進行處理。在藉由重新的RIP處理來修正基板W的位置偏移的情況下，無需步驟S108。

如此，對一片基板W的描繪處理結束時，將該處理過的基板W送回到基板收納匣110。如果該匣中還有未處理的基板W，也藉由與所述相同的處理對所述基板W進行描繪，重複所述處理直到將收納在基板收納匣110的一批基板W全部處理完。

如上所述，在該實施方式中，預先準備第一調整處理至第三調整處理作為光學頭170對基板W進行描繪的位置的調整處理，且根據對準標記的位置檢測結果而選擇執行這些處理。第一 調整處理是藉由使保持基板W的平臺160移動而調整基板W上的各晶片區域CR與光學頭170的相對位置的處理，對各晶片區域CR具有相同的位置偏移的情況有效，可以一次修正這種偏移。而且，並不為了修正而加工描繪資料，因此描繪品質也良好。

另外，第二調整處理是修正柵格資料的處理，對因基板W的伸縮或變形而產生的位置偏移有效。在該情況下，藉由在由已製成的柵格資料製作條狀資料時隨時加以修正，從而處理時間不會因修正而變長。雖然藉由事後修正已製成的柵格資料，可能有描繪品質降低的問題，但藉由以微小的分割區塊B2為單位進行修正，而可以防止例如圖案的斷線那樣對器件性能造成影響的大的變形。

另一方面，第三調整處理是在藉由對準標記的位置檢測而掌握各晶片區域的位置偏移量之後重新生成柵格資料的處理。在該處理中，無論各晶片間的位置偏移有無規律性，而且無論位置偏移量的大小如何均可以進行高精度的修正。而且，藉由在柵格化處理的階段反映各晶片區域的位置，便不會產生描繪品質的降低。因此，原理上可以應對任何類型的位置偏移。然而，必需對準標記的位置檢測及檢測後的柵格化處理，從而處理時間變長，因此導致多個基板的描繪處理的製程時間增加。因此，應該在產生由第一調整處理及第二調整處理無法應對的位置偏移的情況下予以選擇。

第一調整處理~第三調整處理的選擇是以如下方式進行。也就是說，對預先形成在各晶片區域CR的對準標記的若干個進行拍攝並檢測所述對準標記的位置，判斷產生了這些對準標記 之間的相對的位置偏移量(第一位置偏移量)較小為規定值(第一閥值)以下的線性偏移、以及第一位置偏移量大於第一閥值的非線性偏移中的哪一種。在線性偏移的情況下，選擇第一調整處理。

另一方面，在非線性偏移的情況下，進而根據已知的對準標記的位置推定其他對準標記的位置，對所述位置進行拍攝，檢測實際的位置。而且，當推定位置與實際的位置之間的位置偏移量(第二位置偏移量)為規定值(第二閥值)以下時選擇第二調整處理，另外，在第二位置偏移量大於第二閥值的情況下選擇第三調整處理。也就是說，在可以根據已知的晶片區域的位置以某種程度的精度推定其他各晶片區域的位置偏移量的情況下選擇第二調整處理，在無法如此的情況下選擇第三調整處理。

藉由利用這種判斷流程來决定調整處理，而可以執行與位置偏移的方式相應的適當的調整處理，且防止因執行不必要的處理而引起的製程時間的增加。也就是說，根據作為描繪對象物的基板W而將描繪位置的調整處理最適化。而且，在所述實施方式中，藉由以此方式調整描繪位置而進行描繪，可以對基板W上的適當的描繪位置進行品質良好的描繪。

如以上所說明那樣，在所述實施方式中，圖案描繪裝置1作為本發明的“描繪裝置”發揮功能，基板W相當於本發明的“描繪對象物”，各晶片區域CR相當於本發明的“描繪區域”。而且，各晶片區域中的晶片區域CR1~CR4相當於本發明的“檢測對象區域”，另一方面，晶片區域CR5相當於“二次檢測對象區域”。而且，對準標記AM1~AM5相當於本發明的識別標 記”。

而且，在所述實施方式中，平臺160作為本發明的“保持單元”發揮功能，另一方面，光學頭170作為本發明的“描繪單元”發揮功能。而且，相機150及對準標記檢測部206一體地作為本發明的“位置檢測單元”發揮功能。而且，柵格資料生成部202作為本發明的“資料生成單元”發揮功能，另一方面，修正量計算部203、資料修正部204及條狀資料生成部205一體地作為本發明的“描繪位置調整單元”發揮功能。

而且，圖4的步驟S102相當於本發明的“第一步驟”，步驟S103相當於本發明的“第二步驟”。而且，步驟S105相當於本發明的“第三步驟”，步驟S108、步驟S111~步驟S115、步驟S121~步驟S122相當於本發明的“第四步驟”。此外，步驟S109相當於本發明的“第五步驟”。

另外，本發明並不限定於所述實施方式，只要不脫離本發明的主旨，除所述以外還可以進行各種變更。例如，在所述實施方式中是在基板W上的各晶片區域CR預先形成對準標記AM，且進行所述對準標記AM的位置檢測，但只要可以掌握各晶片區域的位置，也可以不依靠對準標記的檢測。也就是說，可以適當使用形成在各晶片區域的特徵性的圖案或晶片區域的邊緣部分等能夠指定該晶片區域的位置的部位來進行位置檢測。而且，晶片區域的位置檢測方法也可以不依靠相機的拍攝。

另外，例如也能夠以如下方式改變所述實施方式的圖案描繪動作的處理流程(圖4)的一部分而執行。此外，在以下的圖9中，對於處理內容與圖4的各處理步驟相同的處理步驟，省略記 載或附注同一步驟編號並省略說明。

圖9是表示圖案描繪動作的變形例的圖。在根據第一對準標記~第四對準標記AM1~AM4的位置偏移量而判斷為非線性偏移的情況下(步驟S107中“NO”)，所述實施方式中是使用預先規定的單一的幾何學變換算法來進行第五對準標記AM5的位置推定，相對於此，所述變形例中是使用多種變換算法分別進行第五對準標記AM5的位置推定(步驟S201)。而且，在步驟S111中檢測出第五對準標記AM5的位置後，在步驟S112中分別求出利用各算法所算出的與推定位置之間的位置偏移量。然後，從這些變換算法中選出所求出的位置偏移量最小的一種算法(步驟S202)。

當根據已知的對準標記的位置來指定未知的對準標記的位置時，可以適當地近似出基板W的變形的變換算法能夠獲得高推定精度，而不符合變形的方式的近似當然推定精度變低。預先利用多種變換算法進行推定，采用導出了與實際位置最接近的推定位置的變換算法，由此可以進行與基板W的狀態更相應的修正處理。具體而言，在步驟S114中，評估實際位置與和它最接近的推定位置之間的位置偏移量，而且，在修正柵格資料時，將所選出(即，獲得了最高推定精度)的變換算法也應用到修正處理(步驟S203)中。由此，根據以高精度推定出的各晶片區域CR的位置而修正柵格資料，從而可以更有效地抑制晶片區域CR與描繪圖案之間的位置偏移。

另外，例如在所述實施方式的圖案描繪動作(圖4)中是在步驟S106中求出平臺移動量，而實際的平臺移動是在其他處 理結束而即將進行描繪之前的步驟S108中執行。也可以代替所述構成，而設為在平臺移動量的計算結束後，先於其他處理進行平臺移動的構成。

另外，在所述實施方式中，圖案描繪裝置一體地包括描繪工具100及電腦200，但也可以對於具有與描繪工具100相同功能的現有的圖案描繪裝置，藉由有線或無線而連接具有與電腦200相同功能的資料處理裝置，藉由資料處理裝置而生成條狀資料，並輸出到現有的圖案描繪裝置以進行描繪。

此外，本發明的應用對象並不限定於將晶圓(wafer)等半導體基板W作為本發明的“描繪對象物”並對該基板照射光而進行描繪的裝置，例如可以利用印刷配線基板或玻璃基板等各種基板作為描繪對象物。

本發明能夠適宜應用於對設置著多個描繪區域的描繪對象物照射光而進行描繪的技術，特別適宜一面調整對描繪對象物的描繪位置一面進行描繪的技術領域。

S101~S109、S111~S115、S121~S122‧‧‧各步驟

Claims (10)

1. 一種描繪方法，從描繪單元把光照射到設置在描繪對象物的多個描繪區域的每一個而進行描繪，其特徵在於包括：第一步驟，生成對應於要描繪的內容的柵格資料；第二步驟，將所述描繪單元相對於所述描繪對象物而定位；第三步驟，將所述多個描繪區域中的兩個以上作為檢測對象區域並檢測其位置；第四步驟，基於所述檢測對象區域的位置檢測結果，調整所述描繪單元對所述描繪對象物的描繪位置；以及第五步驟，基於所述柵格資料，從所述描繪單元把所述光照射到所述描繪對象物的所述描繪位置而進行描繪；且在所述第四步驟中，判斷所述第三步驟中所檢測出的所述檢測對象區域間的相對的第一位置偏移量是否在第一閥值以內，當判斷為所述第一位置偏移量在所述第一閥值以內時，執行第一調整處理，基於所述檢測對象區域的位置檢測結果與對應於所述檢測對象區域預先設定的基準位置之間的位置偏移量，而調整所述描繪單元與所述描繪對象物的相對位置，由此調整所述描繪位置，另一方面，當判斷為所述第一位置偏移量超過所述第一閥值時，進而將所述多個描繪區域中的與所述檢測對象區域不同的至少一個作為二次檢測對象區域並檢測其位置，判斷所檢測出的位置與根據所述第三步驟中的所述檢測對象區域的位置檢測結果而推定出的所述二次檢測對象區域的位置之間的第二位置偏移量是否在第二閥值以內，當判斷為所述第二位置偏移量在所述第二閥值以內時，執行第二調整處理，對所述柵格資料實施與所述第三步驟中的所述檢測對象區域的位置檢測結果和所述基準位置之間的位置偏移量相 應的修正，由此調整所述描繪位置，當判斷為所述第二位置偏移量超過所述第二閥值時，執行第三調整處理，檢測所述描繪對象物中所包含的所有所述描繪區域的位置，並基於該位置檢測結果而重新生成所述柵格資料，由此調整所述描繪位置。
2. 根據權利要求1所述的描繪方法，其特徵在於：預先在所述多個描繪區域的每一個設置位置檢測用識別標記，藉由檢測所述識別標記，而檢測所述描繪區域的位置。
3. 根據權利要求2所述的描繪方法，其特徵在於：在所述多個描繪區域的每一個設置多個所述識別標記。
4. 根據權利要求1所述的描繪方法，其特徵在於：當在所述第四步驟中執行所述第二調整處理時，與所述第一調整處理一並執行，而且，對所述柵格資料實施與如下位置偏移量相應的修正，所述位置偏移量是從所述第三步驟中的所述檢測對象區域的位置檢測結果與所述基準位置之間的位置偏移量中減去由進行所述第一調整處理而能夠修正的位置偏移量所得的位置偏移量。
5. 根據權利要求1所述的描繪方法，其特徵在於：當在所述第四步驟中執行所述第三調整處理時，與所述第一調整處理一並執行，而且，從各個所述描繪區域的位置檢測結果中減去由所述第一調整處理而使位置變化的量後，進行所述柵格資料的重新生成。
6. 根據權利要求1所述的描繪方法，其特徵在於：在所述第一調整處理中，調整所述描繪對象物相對於所述描繪單元繞與所述描繪對象物的表面垂直的軸的相對旋轉角度。
7. 根據權利要求1至6中任一項所述的描繪方法，其特徵在於：當在所述第四步驟中求出所述第二位置偏移量時，根據所述檢測對象區域的位置檢測結果利用互不相同的多種計算方法算出 所述二次檢測對象區域的位置，將所算出的位置中和所檢測出的所述二次檢測對象區域的位置最接近的位置與所檢測出的所述二次檢測對象區域的位置之間的偏移量設為所述第二位置偏移量。
8. 一種描繪裝置，其特徵在於包括：保持單元，保持設置著多個描繪區域的描繪對象物；位置檢測單元，將保持在所述保持單元的所述描繪對象物的所述多個描繪區域中的兩個以上作為檢測對象區域，並檢測該檢測對象區域的位置；資料生成單元，生成對應於要描繪的內容的柵格資料；描繪單元，基於所述柵格資料，對所述描繪對象物照射光而進行描繪；以及描繪位置調整單元，基於所述位置檢測單元的檢測結果，調整所述描繪單元對所述描繪對象物的描繪位置；且所述描繪位置調整單元判斷由所述位置檢測單元檢測出的所述檢測對象區域間的相對的第一位置偏移量是否在第一閥值以內，當判斷為所述第一位置偏移量在所述第一閥值以內時，執行第一調整處理，基於所述檢測對象區域的位置檢測結果與對應於所述檢測對象區域預先設定的基準位置之間的位置偏移量，而調整所述描繪單元與所述保持單元的相對位置，由此調整所述描繪位置，另一方面，當判斷為所述第一位置偏移量超過所述第一閥值時，將所述多個描繪區域中的與所述檢測對象區域不同的至少一個作為二次檢測對象區域，判斷由所述位置檢測單元檢測出的所述二次檢測對象區域的位置與根據所述檢測對象區域的位置檢測結果而推定出的所述二次檢測對象區域的位置之間的第二位置偏移量是否在 第二閥值以內，當判斷為所述第二位置偏移量在所述第二閥值以內時，執行第二調整處理，對所述柵格資料實施與所述檢測對象區域的位置檢測結果和所述基準位置之間的位置偏移量相應的修正，由此調整所述描繪位置，當判斷為所述第二位置偏移量超過所述第二閥值時，執行第三調整處理，利用所述位置檢測單元檢測所述描繪對象物中所包含的所有所述描繪區域的位置，並基於該位置檢測結果而使所述資料生成單元重新生成所述柵格資料，由此調整所述描繪位置。
9. 根據權利要求8所述的描繪裝置，其特徵在於：所述描繪單元把基於所述柵格資料調製後的所述光掃描到所述描繪對象物，而對所述描繪對象物進行曝光。
10. 根據權利要求8或9所述的描繪裝置，其特徵在於：所述保持單元包含保持所述描繪對象物的平臺，且構成為所述平臺相對於所述描繪單元的相對位置是能夠變更的。