CN104103655B - 具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置 - Google Patents
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Abstract
本申请案涉及具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置。一种光子检测装置包含具有安置在半导体材料的第一区中的平面结的光电二极管。深沟槽隔离DTI结构安置在所述半导体材料中。所述DTI结构使所述DTI结构的一侧上的所述半导体材料的所述第一区与所述DTI结构的另一侧上的所述半导体材料的第二区隔离。所述DTI结构包含衬在所述DTI结构的内侧表面的电介质层以及安置在所述DTI结构内侧的所述电介质层上的经掺杂半导体材料。安置在所述DTI结构内侧的所述经掺杂半导体材料耦合到偏压，以使所述半导体材料的所述第一区中的所述光电二极管与所述半导体材料的所述第二区隔离。
Description
技术领域
本发明大体上涉及光电二极管，且更具体地说，本发明是针对用于光子传感器中的光电二极管。
背景技术
图像捕获装置包含图像传感器和成像透镜。所述成像透镜将光聚焦到图像传感器上以形成图像，且图像传感器将光转换成电信号。将电信号从图像捕获装置输出到主机电子系统的其它组件。所述电子系统可为例如移动电话、计算机、数码相机或医疗装置。
存在减小图像传感器的大小的持续需求，其导致具有相同分辨率的图像传感器的较小像素单元。可用于图像传感器中或光检测器中的一种类型的光电检测器为单光子雪崩二极管(SPAD)。SPAD通常需要保护环或隔离来克服邻近像素之间的过早边缘击穿和干扰的问题。形成保护环或隔离的已知设计增加每一像素单元的面积且牺牲填充因子。此外，因为图像传感器经小型化，因此其中所含的像素单元遭受增加的暗电流速率。
发明内容
本申请案提供一种光子检测装置，其包括：光电二极管，其具有安置在半导体材料的第一区中的平面结；以及深沟槽隔离(DTI)结构，其安置在所述半导体材料中，其中所述DTI结构将所述DTI结构的一侧上的所述半导体材料的所述第一区与所述DTI结构的另一侧上的所述半导体材料的第二区隔离，其中所述DTI结构包含：电介质层，其衬在所述DTI结构的内侧表面；以及经掺杂半导体材料，其安置在所述DTI结构内侧的所述电介质层上，其中安置在所述DTI结构内侧的所述经掺杂半导体材料耦合到偏压，以使所述半导体材料的所述第一区中的所述光电二极管与所述半导体材料的所述第二区隔离。
本申请案还提供一种光子感测系统，其包括：像素阵列，其具有多个像素单元，其中所述多个像素单元中的每一者包含：光电二极管，其具有安置在半导体材料的第一区中的平面结；以及深沟槽隔离(DTI)结构，其安置在所述半导体材料中，其中所述DTI结构使所述DTI结构的一侧上的所述半导体材料的所述第一区与所述DTI结构的另一侧上的所述半导体材料的第二区隔离，其中所述DTI结构包含衬在所述DTI结构的内侧表面的电介质层以及安置在所述DTI结构内侧的所述电介质层上的经掺杂半导体材料，其中安置在所述DTI结构内侧的所述经掺杂半导体材料耦合到偏压，以使所述半导体材料的所述第一区中的所述光电二极管与所述半导体材料的所述第二区隔离；控制电路，其耦合到所述像素阵列以控制所述像素阵列的操作；以及读出电路，其耦合到所述像素阵列，以从所述多个像素单元读出光子数据。
附图说明
参考下图来描述本发明的非限制且非详尽实施例，其中除非另有指定，否则相同参考标号在各个视图中始终指代相同部分。
图1是说明根据本发明教示的具有实例光子传感器的光子感测系统的一个实例的图，所述实例光子传感器包含具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置。
图2是说明根据本发明教示的具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置的一个实例的横截面图。
图3说明根据本发明教示的包含具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置的光子传感器302的一个实例的一部分的自上而下视图。
对应参考字符在图式的若干视图中始终指示对应组件。熟练的技术人员将了解，图中的元件是出于简单性和清楚性而说明，且不一定按比例绘制。举例来说，图中的元件中的一些的尺寸可相对于其它元件而放大，以帮助改进对本发明的各种实施例的理解。并且，通常不描绘商业上可行实施例中有用或必要的常见但众所周知的元件，以便促进本发明的这些各种实施例的较清楚检视。
具体实施方式
在以下描述中，陈述大量具体细节以便提供对本发明的全面理解。然而，所属领域的技术人员将明白，无需使用特定细节来实践本发明。在其它例子中，未详细描述众所周知的材料或方法，以免模糊本发明。
本说明书中对“一个实施例”、“一实施例”、“一个实例”或“一实例”的参考意味着结合所述实施例或实例而描述的特定特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实施例中。因此，短语“在一个实施例中”、“在一实施例中”、“一个实例”或“一实例”在本说明书中各个地方的出现不一定全部指代同一实施例或实例。此外，特定特征、结构或特性可在一个或一个以上实施例或实例中以任何合适组合和／或子组合来组合。特定特征、结构或特性可包含在提供所描述功能性的集成电路、电子电路、组合式逻辑电路或其它合适组件中。另外，将了解，随之提供的图是出于向所属领域的技术人员进行阐释的目的，且图式不一定按比例绘制。
根据本发明教示的实例描述根据本发明教示的包含具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置的光子传感器。在一个实例中，经偏压深沟槽隔离结构是电容型隔离结构。如将展示，在各种实例中，根据本发明教示的光子检测装置利用P增强型单光子雪崩二极管(SPAD)结构而无所需的保护环。另外，在各种实例中，根据本发明的教示，包含经偏压深沟槽隔离(DTI)结构，以在与已知隔离技术比较时使用少得多的面积来提供隔离，这允许在光子传感器中将像素更加靠近地放置在一起。在一个实例中，根据本发明的教示，用多晶硅形成DTI，且可对DTI加偏压以减少SPAD的光收集区域中的暗电流。此外，根据本发明教示对经偏压DTI的利用允许SPAD与其淬熄电路分离，且允许SPAD和淬熄电路的阱在不同电压下加偏压。
为了说明，图1是大体上展示根据本发明教示的包含具有像素单元110的实例像素阵列102的光子感测系统100的一个实例的图，所述像素单元110包含具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置。在一个实例中，像素单元110中的光子检测装置为背侧照明的。在另一实例中，像素单元110中的光子检测装置为前侧照明的。如所描绘的实例中所示，像素阵列102为光子检测器或像素单元110的二维(2D)阵列(例如，像素P1、P2、…、Pn)。如所说明，每一像素110布置成行(例如，行R1到Ry)和列(例如，列C1到Cx)以获取光子数据。在另一实例中，将了解，根据本发明的教示，像素阵列102可为包含一行光子检测器或像素单元110的一维(1D)阵列。
在一个实例中，每一像素110将光子事件转换为数字信号脉冲。在各种实例中，如图所示，可经由读出列112，通过读出电路104读出来自每一像素110的光子数据。在各种实例中，读出电路104包含计数器电路105，其经耦合以接收用以对光子事件进行计数的光子数据，其在从每一像素110接收的数字信号脉冲中指示。在各种实例中，读出电路104还可包含时间／数字转换器(TDC)电路107，其耦合到计数器电路105，以记录与从每一像素110接收到的光子数据中的光子事件相关联的光子时序信息。在一个实例中，接着将在一个实例中包含计数和时序信息的光子数据传送到功能逻辑106。功能逻辑106可简单地存储光子数据，或可甚至通过执行后处理和／或分析来操纵光子数据。在一个实例中，读出电路104可在一时间沿读出列线(所说明)读出一行光子数据，或可使用多种其它技术(未说明)(例如，串行读出或所有像素同时的全并行读出)来读出光子数据。
在一个实例中，控制电路108耦合到像素阵列102，以控制像素阵列102的操作特性。举例来说，控制电路108可产生用于控制光子数据获取的快门信号。在一个实例中，快门信号为用于同时启用像素阵列102内的所有像素以在单个获取窗期间同时捕获其相应光子数据的全局快门信号。
图2是说明根据本发明教示的具有经偏压深沟槽隔离结构的增强型光子检测装置210的一个实例的横截面图。在一个实例中，图2的光子检测装置210可用于图1的像素阵列102的像素单元110中。如图2的实例中所示，光子检测装置210包含光电二极管214，其具有安置在半导体材料216的第一区216A中的平面结240。在所描绘的实例中，光电二极管214为单光子雪崩二极管(SPAD)，其具有界定于P型半导体材料216中的光电二极管214的P掺杂区242与N掺杂区244之间的平面结240处的击穿结，如图所示。在一个实例中，根据本发明的教示，P掺杂区242可被视为P增强型掺杂区。
如所说明的实例中所示，光子检测装置210还包含一个或一个以上深沟槽隔离(DTI)结构222A、222B和222C，其安置在半导体材料216中。如图2中所示，每一DTI结构222A、222B和222C衬有薄电介质层。在一个实例中，薄电介质层包含二氧化硅(SiO2)，或另一合适绝缘材料。明确地说，实例图2展示DTI结构222A包含衬在DTI结构222A的内侧表面的薄电介质层224A，DTI结构222B包含衬在DTI结构222B的内侧表面的薄电介质层224B，且DTI结构222C包含衬在DTI结构222C的内侧表面的薄电介质层224C。
另外，每一DTI结构222A、222B和222C填充有轻掺杂半导体材料。举例来说，实例图2展示DTI结构222A在电介质层224A上填充有经掺杂多晶硅226A，DTI结构222B在电介质层224B上填充有经掺杂多晶硅226B，且DTI结构222C在电介质层224C上填充有经掺杂多晶硅226C。
图2中所描绘的实例还展示每一DTI结构226A、226B和226C以偏压232加偏压。明确地说，实例图2展示DTI结构222A通过金属230A耦合到偏压232，DTI结构222B通过金属230B耦合到偏压232，且DTI结构222C通过金属230C耦合到偏压232。注意，在如所描述每一DTI结构222A、222B和222C均填充有通过薄电介质层与半导体材料分开的经掺杂半导体材料的情况下，提供电容型隔离结构。
在操作中，将了解，经偏压DTI结构222A、222B和222C提供相应经偏压DTI结构的相对侧上的半导体材料216的区之间的隔离。为了说明，根据本发明的教示，经偏压DTI结构222B将位于图2中的经偏压DTI结构222B的左手侧上的半导体材料216的第一区216A与位于图2中的经偏压DTI结构222B的右手侧上的半导体材料216的第二区216B隔离。将了解，经偏压的DTI结构222A、222B和222C与其它已知掺杂阱隔离解决方案相比需要少得多的面积。因此，根据本发明的教示，在具有经偏压DTI结构222A、222B和222C的半导体材料216中，可将多个光电二极管214放置成彼此更靠近。在一个实例中，根据本发明的教示，对经偏压DTI结构222A、222B和222C加偏压，以控制或减少光电二极管214的光收集区域中的暗电流。在一个实例中，注意，根据本发明的教示，可进一步掺杂恰好与经偏压DTI结构相对的半导体材料，以进一步减少暗电流。
如所描绘的实例中所示，光电二极管214适于用被引导穿过半导体材料216背侧228的光220来照明。在另一实例(未图示)中，将了解，光电二极管214可适于用被引导穿过半导体材料216前侧的光220来照明。在图2中所描绘的实例中，提供P增强型SPAD光电二极管214，其具有相对较大的P掺杂区域，光220从背侧228被引导穿过所述区域。P增强型SPAD光电二极管214的击穿结被界定于P掺杂区242与N掺杂区244之间的平面PN结240处。在一个实例中，N掺杂硅区244中的掺杂密度朝N掺杂硅区244的边缘逐渐减小，这有助于减少在平面PN结240的边缘处发生击穿。在操作中，平面PN结240被反向偏压。在所说明的实例中，半导体材料216的第一区216A经耦合以经由P+加偏压节点246A在偏压-Vopt234下加偏压，且N掺杂区244经耦合以在电压Vdd238下加偏压。因此，在所说明的实例中，SPAD上的反向偏压为Vdd+Vopt。因此，根据本发明的教示，用穿过半导体材料216的背侧228进入的光220产生的电子248可漂移经过如图所示的第一区216A的相对较大的P掺杂区域到达反向加偏压的平面PN结240，以触发P增强型SPAD光电二极管214中的击穿。
在图2中所描绘的实例中，淬熄电路218安置在半导体材料216的第二区216B中，第二区216B通过经偏压DTI结构226B与半导体材料216的第一区216A隔离，如所论述。淬熄电路218耦合到P增强型SPAD光电二极管214以限制P增强型SPAD光电二极管214中的雪崩电流。然而，根据本发明的教示，通过以经偏压DTI结构226B提供的隔离，使P增强型SPAD光电二极管214的高场区与淬熄电路218隔离。
将了解，图2中所示的增强型光子检测装置210的另一特征是利用经偏压DTI结构226B来将P增强型SPAD光电二极管214与淬熄电路218隔离，是半导体材料216的P掺杂区216A和216B可在不同电压下加偏压。为了说明，如图2中所描绘的实例中所示，半导体材料216的其中安置P增强型SPAD光电二极管214的第一区216A通过P+加偏压节点246A耦合到负电压-Vopt234。半导体材料216的其中安置淬熄电路218的第二区216B通过P+加偏压节点246B耦合到接地GND，且P增强型SPAD光电二极管214的N掺杂区244经耦合以在电压Vdd238下加偏压，如图所示。因此，根据本发明的教示，P增强型SPAD光电二极管214上的反向偏压为Vdd+Vopt，且P增强型SPAD光电二极管214的输出信号与淬熄电路218的操作电压兼容。
图3说明展示根据本发明教示的包含具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置的实例光子传感器302的一个实例的背侧部分的自下而上视图。如所描绘的实例中所示，光子传感器302包含安置在半导体材料316中的多个光电二极管314A、314B、314C和314D。在一个实例中，图3中所说明的所述多个光电二极管314A、314B、314C和314D中的每一者大体上类似于上文在图2中描述的P增强型SPAD光电二极管214。因此，光电二极管314A包含界定于P掺杂半导体材料342A与N掺杂半导体材料344A之间的平面结，光电二极管314B包含界定于P掺杂半导体材料342B与N掺杂半导体材料344B之间的平面结，光电二极管314C包含界定于P掺杂半导体材料342C与N掺杂半导体材料344C之间的平面结，且光电二极管314D包含界定于P掺杂半导体材料342D与N掺杂半导体材料344D之间的平面结。
如所描绘的实例中所示，光子传感器302还包含经偏压DTI结构322，其大体上类似于图2的经偏压DTI结构222A、222B和222C。在图3中所描绘的实例中，根据本发明的教示，如图所示，经偏压DTI结构322布置在半导体材料316中且在半导体材料316中加偏压，以隔离每一P增强型SPAD光电二极管314A、314B、314C和314D的高场区。明确地说，根据本发明的教示，经偏压DTI结构322布置在半导体材料316中，使得P增强型SPAD光电二极管314A、314B、314C和314D中的每一者与P增强型SPAD光电二极管314A、314B、314C和314D中的相邻一者以及具有经偏压DTI结构322的对应支持电路元件分离。
如图3中所描绘的实例中所说明，根据本发明的教示，包含于光子传感器302中的另一特征为安置在半导体材料316中的加偏压节点346在P增强型SPAD光电二极管314A、314B、314C和314D中的每一者之间共享。因此，在图3中所描绘的实例中，根据本发明的教示，P增强型SPAD光电二极管314A、314B、314C和314D中的每一者安置在耦合到共享加偏压节点346的具有相同偏压的半导体316中。
因此，将了解，图3的实例P增强型SPAD光电二极管314A、314B、314C和314D(以及图2的实例P增强型SPAD光电二极管214)不利用保护环或掺杂阱来进行隔离。因此，可大大减小光子传感器302中的像素单元大小。光子传感器302的每一像素单元所需的减小的面积改进了分辨率且降低了成本。还将了解，根据本发明的教示，归因于浅沟槽隔离(STI)与DTI之间的过程差异，本文所揭示的实例P增强型SPAD光电二极管的暗电流不会因随之描述的经偏压DTI结构而增加。根据本发明的教示，减少的暗电流减少噪声，且提供对光子的较高敏感性。
本发明的所说明实例的以上描述，包含发明摘要中所描述的内容，无意为详尽的或限于所揭示的精确形式。虽然本文出于说明目的描述了本发明的特定实施例和实例，但在不脱离本发明的较广精神和范围的情况下，各种等效修改是可能的。
可根据以上详细描述对本发明的实例进行这些修改。所附权利要求书中所使用的术语不应被解释为将本发明限于说明书和权利要求书中所揭示的特定实施例。相反，范围将完全由所附权利要求书来确定，将根据所建立的权利要求诠释教义来解释所附权利要求书。因此，本说明书和图将被视为说明性的而不是限制性的。
Claims (25)
1.一种光子检测装置，其包括：
光电二极管，其具有安置在半导体材料的第一区中的平面结，其中所述半导体材料包含P掺杂硅，且所述平面结包含安置为接近于所述半导体材料中的P掺杂硅区的N掺杂硅区，其中所述N掺杂硅区中的掺杂密度朝所述N掺杂硅区的边缘逐渐减小，其中所述N掺杂硅区的边缘不使用保护环或掺杂阱来进行隔离；以及
深沟槽隔离DTI结构，其安置在所述半导体材料中，其中所述DTI结构将所述DTI结构的一侧上的所述半导体材料的所述第一区与所述DTI结构的另一侧上的所述半导体材料的第二区隔离，其中所述DTI结构包含：
电介质层，其衬在所述DTI结构的内侧表面；以及
经掺杂半导体材料，其安置在所述DTI结构内侧的所述电介质层上，其中安置在所述DTI结构内侧的所述经掺杂半导体材料耦合到偏压，以使所述半导体材料的所述第一区中的所述光电二极管与所述半导体材料的所述第二区隔离。
2.根据权利要求1所述的光子检测装置，其中所述平面结经耦合以被反向偏压，使得电子从所述半导体材料中的所述P掺杂硅漂移到所述平面结中。
3.根据权利要求1所述的光子检测装置，其中具有安置在所述半导体材料的所述第一区中的所述平面结的所述光电二极管包含单光子雪崩二极管SPAD，其中安置在所述DTI结构中的所述经掺杂半导体材料经偏压以减少所述SPAD的光收集区域中的暗电流。
4.根据权利要求3所述的光子检测装置，其进一步包括淬熄电路，其安置在所述半导体材料的所述第二区中且耦合到所述SPAD以限制所述SPAD中的雪崩电流，其中安置在所述DTI结构中的所述经掺杂半导体材料经偏压以使所述SPAD的高场区与所述淬熄电路隔离。
5.根据权利要求4所述的光子检测装置，其中所述半导体材料的所述第一区耦合到第一电压以在所述第一电压下对所述半导体材料的所述第一区加偏压，其中所述半导体材料的所述第二区耦合到第二电压以在所述第二电压下对所述半导体材料的所述第二区加偏压。
6.根据权利要求5所述的光子检测装置，其中所述光电二极管的所述平面结耦合到第三电压，其中所述光电二极管的所述平面结中的反向偏压响应耦合到所述第一区的所述第一电压和耦合到所述光电二极管的所述平面结的所述第三电压。
7.根据权利要求3所述的光子检测装置，其进一步包括第二光电二极管，其包含安置在所述半导体材料的所述第二区中的第二SPAD，其中安置在所述DTI结构中的所述经掺杂半导体材料经偏压以使所述SPAD的高场区与所述第二SPAD的高场区隔离。
8.根据权利要求7所述的光子检测装置，其中所述半导体材料的所述第一和第二区耦合到第一电压，以在所述第一电压下对所述半导体材料的所述第一和第二区加偏压。
9.根据权利要求8所述的光子检测装置，其中所述半导体材料包含耦合到所述半导体材料的所述第一和第二区的共享加偏压节点，其中所述共享加偏压节点耦合到所述第一电压，以在所述第一电压下对所述半导体材料的所述第一和第二区加偏压。
10.根据权利要求3所述的光子检测装置，其中所述SPAD适于从所述半导体材料的背侧照明。
11.根据权利要求1所述的光子检测装置，其中衬在所述DTI结构的所述内侧表面的所述电介质层包含二氧化硅。
12.根据权利要求1所述的光子检测装置，其中安置在所述DTI结构内侧的所述电介质层上的所述经掺杂半导体材料包含经轻掺杂多晶硅。
13.一种光子感测系统，其包括：
像素阵列，其具有多个像素单元，其中所述多个像素单元中的每一者包含：
光电二极管，其具有安置在半导体材料的第一区中的平面结，其中所述半导体材料包含P掺杂硅，且所述平面结包含安置为接近于所述半导体材料中的P掺杂硅区的N掺杂硅区，其中所述N掺杂硅区中的掺杂密度朝所述N掺杂硅区的边缘逐渐减小，其中所述N掺杂硅区的边缘不使用保护环或掺杂阱来进行隔离；
以及
深沟槽隔离DTI结构，其安置在所述半导体材料中，其中所述DTI结构使所述DTI结构的一侧上的所述半导体材料的所述第一区与所述DTI结构的另一侧上的所述半导体材料的第二区隔离，其中所述DTI结构包含衬在所述DTI结构的内侧表面的电介质层以及安置在所述DTI结构内侧的所述电介质层上的经掺杂半导体材料，其中安置在所述DTI结构内侧的所述经掺杂半导体材料耦合到偏压，以使所述半导体材料的所述第一区中的所述光电二极管与所述半导体材料的所述第二区隔离；
控制电路，其耦合到所述像素阵列以控制所述像素阵列的操作；以及
读出电路，其耦合到所述像素阵列，以从所述多个像素单元读出光子数据。
14.根据权利要求13所述的光子感测系统，其进一步包括功能逻辑，其耦合到所述读出电路以存储从所述多个像素单元读出的所述光子数据。
15.根据权利要求13所述的光子感测系统，其中所述读出电路包含：
计数器电路，其经耦合以接收所述光子数据以对从所述多个像素单元中的每一者接收到的所述光子数据中的光子事件进行计数；以及
时间/数字转换器电路，其耦合到所述计数器电路以记录与所述光子数据中的所述光子事件相关联的光子时序信息。
16.根据权利要求13所述的光子感测系统，其中具有安置在所述半导体材料的所述第一区中的所述平面结的所述光电二极管包含单光子雪崩二极管SPAD，其中安置在所述DTI结构中的所述经掺杂半导体材料经偏压以减少所述SPAD的光收集区域中的暗电流。
17.根据权利要求16所述的光子感测系统，其进一步包括淬熄电路，其安置在所述半导体材料的所述第二区中且耦合到所述SPAD以限制所述SPAD中的雪崩电流，其中安置在所述DTI结构中的所述经掺杂半导体材料经偏压以使所述SPAD的高场区与所述淬熄电路隔离。
18.根据权利要求17所述的光子感测系统，其中所述半导体材料的所述第一区耦合到第一电压以在所述第一电压下对所述半导体材料的所述第一区加偏压，其中所述半导体材料的所述第二区耦合到第二电压以在所述第二电压下对所述半导体材料的所述第二区加偏压。
19.根据权利要求18所述的光子感测系统，其中所述光电二极管的所述平面结耦合到第三电压，其中所述光电二极管的所述平面结中的反向偏压响应耦合到所述第一区的所述第一电压和耦合到所述光电二极管的所述平面结的所述第三电压。
20.根据权利要求16所述的光子感测系统，其进一步包括第二光电二极管，其包含安置在所述半导体材料的所述第二区中的第二SPAD，其中安置在所述DTI结构中的所述经掺杂半导体材料经偏压以使所述SPAD的高场区与所述第二SPAD的高场区隔离。
21.根据权利要求20所述的光子感测系统，其中所述半导体材料的所述第一和第二区耦合到第一电压，以在所述第一电压下对所述半导体材料的所述第一和第二区加偏压。
22.根据权利要求21所述的光子感测系统，其中所述半导体材料包含耦合到所述半导体材料的所述第一和第二区的共享加偏压节点，其中所述共享加偏压节点耦合到所述第一电压，以在所述第一电压下对所述半导体材料的所述第一和第二区加偏压。
23.根据权利要求16所述的光子感测系统，其中所述SPAD适于从所述半导体材料的背侧照明。
24.根据权利要求14所述的光子感测系统，其中衬在所述DTI结构的所述内侧表面的所述电介质层包含二氧化硅。
25.根据权利要求14所述的光子感测系统，其中安置在所述DTI结构内侧的所述电介质层上的所述经掺杂半导体材料包含经轻掺杂多晶硅。
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