CN104076624B - 电子照相感光体、处理盒和成像装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种电子照相感光体，其包括：导电性基体；有机感光层，该有机感光层提供在所述导电性基体上；以及无机保护层，该无机保护层提供在所述有机感光层上以便于与所述有机感光层接触，其中所述有机感光层在与所述无机保护层接触的表面一侧区域上至少包括电荷输送材料和二氧化硅颗粒。本发明还提供了包括该电子照相感光体的处理盒和成像装置。在本发明的电子照相感光体中，无机保护层的破裂和残余电位的产生受到抑制。

Description

电子照相感光体、处理盒和成像装置

技术领域

本发明涉及电子照相感光体、处理盒和成像装置。

背景技术

电子照相法广泛用于复印机、打印机等中。

近来，人们讨论了涉及用于电子照相成像装置的电子照相感光体（下文中也称为“感光体”）的技术，其中在感光体的感光层表面上形成表面层（保护层）。

例如，已经公开了由类金刚石碳（DLC）、非晶态氮化碳（CN）、非晶态氮化硅、氧化铝或氧化镓形成的硬膜作为感光体的表面层（例如参见日本专利文献JP-A-2-110470(专利文献1)、日本专利文献JP-A-2003-27238(专利文献2)、日本专利文献JP-A-11-186571(专利文献3)、日本专利文献JP-A-2006-267507(专利文献4)和日本专利文献JP-A-2008-268266(专利文献5)）。

另外，也已经公开了至少在导电性支持体上包括感光层的有机感光体。该有机感光体包括这样的表面层，该表面层包含数均一次粒径为3nm至150nm的无机颗粒，并且具有0.001至0.018的表面粗糙度Ra以及0.02μm至0.08μm的十点表面粗糙度Rz（例如，参见日本专利文献JP-A-2006-010921(专利文献6)）。

另外，也已经公开了这样的电子照相感光体，该电子照相感光体包括直接设置于导电性支持体上的感光层，或者在感光层与导电性支持体之间插入有底涂层。在该电子照相感光体中，感光层至少包含电荷发生材料、电荷输送材料、以及具有六方密堆积晶格作为晶体结构的无机填料；并且感光层中位于表面侧（距离导电性支持体侧最远）的无机填料的含量最大（例如，参见日本专利文献JP-A-2003-098700(专利文献7)）。

另外，也已经公开了包括保护层的电子照相感光体，其中保护层包括含有数均粒径为5nm至200nm的颗粒的粗糙表面，以及硬度为2GPa至7GPa（用纳米压痕方法测量）的沉积层（例如，参见日本专利文献JP-A-2009-204922(专利文献8)）。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种电子照相感光体，在该电子照相感光体中，无机保护层的破裂和残余电位的产生受到抑制。

根据本发明的第一个方面，提供了一种电子照相感光体，其包括：导电性基体；有机感光层，其设置在所述导电性基体上；以及无机保护层，其设置在所述有机感光层上，以便于与所述有机感光层的表面接触，其中所述有机感光层在与所述无机保护层接触的表面侧区域中至少包含电荷输送材料和二氧化硅颗粒。

根据本发明的第二个方面，在根据第一个方面的电子照相感光体中，其中所述有机感光层依次包括位于导电性基体上的电荷发生层和电荷输送层，其中该电荷输送层包含电荷输送材料和二氧化硅颗粒。

根据本发明的第三个方面，在根据第二个方面的电子照相感光体中，其中所述二氧化硅颗粒的含量占所述电荷输送层总重量的30重量%至70重量%。

根据本发明的第四个方面，在根据第二或第三个方面的电子照相感光体中，所述二氧化硅颗粒的含量大于所述电荷输送材料的含量。

根据本发明的第五个方面，在根据第二至第四个方面中任意一项所述的电子照相感光体中，相对于除去所述二氧化硅颗粒的重量之后的所述电荷输送层的全部成分的重量，所述电荷输送材料的含量为40重量%至60重量%。

根据本发明的第六个方面，在根据第二至第五个方面中任意一项所述的电子照相感光体中，位于所述无机保护层侧的所述电荷输送层表面的表面粗糙度Ra小于等于0.06μm。

根据本发明的第七个方面，在根据第二至第六个方面中任意一项所述的电子照相感光体中，所述电荷输送层的弹性模量大于或等于5GPa。

根据本发明的第八个方面，在根据第一至第七个方面中任意一项所述的电子照相感光体中，所述二氧化硅颗粒的体均粒径为20nm至200nm。

根据本发明的第九个方面，在根据第一至第八个方面中任意一项所述的电子照相感光体中，所述二氧化硅颗粒的表面经过疏水剂处理。

根据本发明的第十个方面，在根据第九个方面所述的电子照相感光体中，所述疏水剂为具有三甲基硅烷基团、癸基硅烷基团或苯基硅烷基团的硅烷化合物。

根据本发明的第十一个方面，在根据第九或第十个方面所述的电子照相感光体中，在经过所述疏水剂处理的所述表面上，所述二氧化硅颗粒的缩合比大于等于90%。

根据本发明的第十二个方面，在根据第二至第十一个方面中任意一项所述的电子照相感光体中，所述电荷输送层的厚度为10μm至40μm。

根据本发明的第十三个方面，在根据第一至第十二个方面中任意一项所述的电子照相感光体中，所述二氧化硅颗粒的体积电阻率大于或等于10¹¹Ω·cm。

根据本发明的第十四个方面，提供了一种可从成像装置上拆卸下来的处理盒，其包括根据第一至第十三个方面中任意一项所述的电子照相感光体。

根据本发明的第十五个方面，提供了一种成像装置，其包括：根据第一至第十三个方面中任意一项所述的电子照相感光体充电单元，其对所述电子照相感光体的表面进行充电；潜像形成单元，其在所述电子照相感光体的充电表面上形成潜像；显影单元，该显影单元利用调色剂使在所述电子照相感光体的表面上形成的所述潜像显影，从而形成调色剂图像；以及转印单元，该转印单元将在所述电子照相感光体的表面上形成的所述调色剂图像转印至记录介质。

根据第一和第二个方面，提供了这样一种电子照相感光体，与有机感光层（或电荷输送层）不含二氧化硅颗粒的情况相比，该电子照相感光体中无机保护层的破裂和残余电位的产生受到抑制。

根据第三和第四个方面，提供了这样一种电子照相感光体，与二氧化硅颗粒的含量不在上述范围内的情况相比，该电子照相感光体中无机保护层的破裂和残余电位的产生受到抑制。

根据第五个方面，提供了这样一种电子照相感光体，与电荷输送材料的含量不在上述范围内的情况相比，该电子照相感光体中残余电位的产生受到抑制。

根据第六个方面，提供了这样一种电子照相感光体，与电荷输送层的表面粗糙度Ra不在上述范围内的情况相比，该电子照相感光体的清洁性能得到改善。

根据第七个方面，提供了这样一种电子照相感光体，与电荷输送层的弹性模量不在上述范围内的情况相比，该电子照相感光体中无机保护层的破裂受到抑制。

根据第八个方面，提供了这样一种电子照相感光体，与二氧化硅颗粒的体均粒径不在上述范围内的情况相比，该电子照相感光体中无机保护层的破裂和残余电位的产生受到抑制。

根据第九和第十个方面，提供了这样一种电子照相感光体，与二氧化硅颗粒不用疏水剂处理的情况相比，该电子照相感光体中残余电位的产生受到抑制。

根据第十一个方面，提供了这样一种电子照相感光体，与疏水剂的缩合比不在上述范围内的情况相比，该电子照相感光体中残余电位的产生受到抑制。

根据第十二个方面，提供了这样一种电子照相感光体，与电荷输送层的厚度不在上述范围内的情况相比，该电子照相感光体中无机保护层的破裂和残余电位的产生受到抑制。

根据第十三个方面，提供了这样一种电子照相感光体，与二氧化硅颗粒的体积电阻率不在上述范围内的情况相比，该电子照相感光体中细线再现性的劣化受到抑制。

根据第十四和十五个方面，提供了这样一种处理盒和成像装置，与处理盒和成像装置包括其中不含有二氧化硅颗粒的有机感光层（或电荷输送层）的电子照相感光体的情况相比，该处理盒和成像装置能够形成这样的图像，所述图像中无机保护层的破裂和由残余电位的产生造成的图像缺陷受到抑制。

附图说明

将基于以下附图对本发明的示例性实施方案进行详细说明，其中：

图1是示出了本发明示例性实施方案的电子照相感光体的层构造实例的截面图；

图2是示出了本发明示例性实施方案的电子照相感光体的另一个层构造实例的截面图；

图3是示出了本发明示例性实施方案的电子照相感光体的另一个层构造实例的截面图；

图4A和4B是示出了成膜装置的一个实例的示意图，所述成膜装置用于形成根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体的无机保护层；

图5是示出了等离子发生装置的一个实例的示意图，所述等离子发生装置用于形成根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体的无机保护层；

图6是示出了本发明示例性实施方案的成像装置的构造实例的示意图；以及

图7是示出了本发明示例性实施方案的成像装置的另一个构造实例的示意图。

发明详述

下面将详细说明本发明的示例性实施方案。

电子照相感光体

根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体包括：导电性基体；设置于该导电性基体上的有机感光层；以及无机保护层，该无机保护层设置于所述有机感光层上以使之与所述有机感光层的表面接触。

有机感光层在与所述无机保护层接触的表面侧区域中至少包含电荷输送材料和二氧化硅颗粒。

具体而言，当有机感光层被构造为单层时，该有机感光层至少包括电荷发生层、电荷输送材料和二氧化硅颗粒。

另一方面，当有机感光层为构造为功能分离型有机感光层时，该有机感光层包括依次位于导电性基体上的电荷发生层和电荷输送层，其中该电荷输送层至少包含电荷输送材料和二氧化硅颗粒。在这种情况下，当电荷输送层包括两层或多层时，则电荷输送层中形成与无机保护层的接触面的层（最外层）至少包含电荷输送材料和二氧化硅颗粒；并且电荷输送层中位于所述形成与无机保护层的接触面的层下方的层不包含二氧化硅颗粒并且至少包含电荷输送材料。

在相关领域中，在有机感光层上形成无机保护层以使其与有机感光层表面接触的技术是已知的。

然而，有机感光层是柔性的并且容易变形，而无机保护层较硬且通常韧性低。因此，当有机感光层（其为无机保护层的底涂层）变形时，无机保护层可能破裂。由于与电子照相感光体的表面接触的部件（例如，中间传输部件）可能对该电子照相感光体施加机械负荷，因此认为该现象容易发生。

因此，根据本发明示例性实施方案的有机感光层在与所述无机保护层接触的表面侧区域中至少包含电荷输送材料和二氧化硅颗粒。由此，据认为二氧化硅颗粒起到了有机感光层的加强材料的作用；并且至少位于与无机保护层接触的表面侧区域处的有机感光层不容易变形，所述有机感光层为无机保护层的底涂层。因此，据认为无机保护层的破裂受到抑制。

同时，认为当诸如加强元件等无机颗粒存在于有机感光层中时，无机颗粒会形成电荷累积位点（捕获位点），该处会产生残余电位；由此，会产生残余电位。

然而，据认为二氧化硅颗粒具有低于其他无机颗粒的介电常数，因此不容易形成会产生残余电位的电荷积聚位点（捕获位点）。因此，据认为残余电位的产生也受到抑制。

如上所述，在根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体中，由于上述构造，无机保护层的破裂和残余电位的产生受到抑制。

另外，根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体也具有这样的作用，即：由于二氧化硅颗粒具有低于其他无机颗粒的介电常数，因此易于保证有机感光层的透明度；并且由于加入了二氧化硅颗粒，由有机感光层的透明度劣化引起的电学特性的劣化也受到了抑制。

下面将结合附图详细描述根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体。在附图中，相同或相应的部件以相同的标号表示，因此省去对其的重复描述。

图1是示出了本发明示例性实施方案的电子照相感光体的层构造实例的截面图。图2和3分别示出了根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体的其他实例的截面图。

图1所示的电子照相感光体7A为所谓的功能分离型感光体（或多层型感光体），其具有如下结构，其中：在导电性基体4上设置有底涂层1，并且在底涂层1上依次设有电荷发生层2、电荷输送层3和无机保护层5。在电子照相感光体7A中，电荷发生层2和电荷输送层3形成为有机感光层。

电荷输送层3至少包含电荷输送材料和二氧化硅颗粒。

与图1所示的电子照相感光体7A类似，图2所示的电子照相感光体7B也是电荷发生层2和电荷输送层3的功能被分离的功能分离型感光体；此外，电荷输送层3的功能也被分离。另外，在图3所示的电子照相感光体7C中，单层（单层型有机感光层6(电荷发生和电荷输送层)）包含电荷发生材料和电荷输送材料。

图2所示的电子照相感光体7B具有如下结构：其中，在导电性基体4上设置有底涂层1，并且在底涂层1上依次设置有电荷发生层2、电荷输送层3B、电荷输送层3A和无机保护层5。在电子照相感光体7B中，电荷输送层3A、电荷输送层3B和电荷发生层2形成为有机感光层。

电荷输送层3A至少包含电荷输送材料和二氧化硅颗粒。另一方面，电荷输送层3B不包含二氧化硅颗粒而至少包含电荷输送材料。

图3所示的电子照相感光体7C具有如下结构：其中，在导电性基体4上设置有底涂层1；并且在底涂层1上依次形成单层型感光层6和无机保护层5。

单层型感光层6至少包含电荷发生材料、电荷输送材料和二氧化硅颗粒。

在图1至3所示的电子照相感光体中，底涂层1不是必须设置的。

以下将对图1所示的电子照相感光体7A中的各部分进行说明以作为代表实例。

导电性基体

可使用任何导电性基体，只要其被用于相关技术中即可。其例子包括：具有薄膜（例如，诸如铝、镍、铬和不锈钢等金属的薄膜；以及铝膜、钛膜、镍膜、铬膜、不锈钢膜、金膜、钒膜、氧化锡膜、氧化铟膜、氧化铟锡（ITO）膜等）的塑料膜；涂布或浸渍有导电性赋予剂的纸；以及涂布或浸渍有导电性赋予剂的塑料膜。基体的形状不限于圆筒状，也可以是片状或者板状。

例如，作为导电性基体，体积电阻率小于10⁷Ω·cm的导电性基体是优选的。

当金属管用作导电性基体时，其表面可以未经任何处理，或者可预先进行镜面切削、蚀刻、阳极氧化、粗切削、无心磨削、喷砂或湿珩磨等处理。

底涂层

可任选地设置底涂层，例如，以防止导电性基体表面的光反射以及防止不期望的载流子由导电性基体流入有机感光层。

底涂层包含（例如）粘结剂树脂和任选的其它添加剂构成。

底涂层中所包含的粘结剂树脂的例子包括：缩醛树脂（例如，聚乙烯醇缩丁醛）、聚乙烯醇树脂、酪素、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、甲基丙烯酸类树脂、丙烯酸类树脂、聚氯乙烯树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-马来酸酐树脂、有机硅树脂、有机硅-醇酸树脂、酚树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂和聚氨酯树脂等已知的高分子树脂化合物；带有电荷输送基团的电荷输送树脂和诸如聚苯胺之类的导电性树脂。其中，优选使用不溶于上层的涂布溶剂中的树脂。例如，尤其优选使用酚树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂和环氧树脂。

底涂层可能包含金属化合物，如硅化合物、有机锆化合物、有机钛化合物或有机铝化合物等。

金属化合物与粘结剂树脂之间的混合比没有特别的限制，可在获得电子照相感光体的所需特性的范围内进行设置。

可向底涂层中加入树脂颗粒以调整表面粗糙度。树脂颗粒的例子包括有机硅树脂颗粒和交联聚甲基丙烯酸甲酯（PMAA）树脂颗粒。可在底涂层形成后将其表面打磨以调整表面粗糙度。打磨方法的例子包括抛光、喷砂、湿珩磨和磨削。

例如，底涂层至少含有粘结剂树脂和导电性颗粒。导电性颗粒优选具有体积电阻率（例如）小于10⁷Ω·cm的导电性。

导电性颗粒的例子包括金属颗粒（例如，铝、铜、镍、银等的颗粒），导电性金属氧化物颗粒（例如，氧化锑、氧化铟、氧化锡、氧化锌等的颗粒）和导电性材料颗粒（碳纤维、炭黑或石墨粉末的颗粒）。其中，导电性金属氧化物颗粒是优选的。作为导电性颗粒，可使用上述例子中的两种或者多种的混合物。

另外，在使用前，可利用疏水剂（例如，偶联剂）对导电性颗粒的表面进行处理以调整电阻。

相对于粘结剂树脂，导电性颗粒的含量（例如）优选为10重量%至80重量%，更优选为40重量%至80重量%。

对形成底涂层的方法不做特别限制，并且可以使用已知的成形方法。例如，底涂层可以通过如下方式形成：将上述组分加入溶剂中以获得底涂层形成用涂布液，并形成该底涂层形成用涂布液的涂布膜；干燥所述涂布膜；并且可任选地加热所述涂布膜。

将底涂层形成用涂布液涂布到导电性基体上的方法的例子包括浸涂法、上推涂布法（push-up coating）、线棒涂布法、喷涂法、刮板涂布法、刮刀涂布法和幕帘涂布法。

在将颗粒分散于底涂层形成用涂布液中时，分散方法的例子包括：使用球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机或水平型砂磨机等介质分散机的方法；以及无介质分散机，如搅拌器、超声波分散机、辊磨机或高压均化器。高压均化器的例子包括：碰撞式均化器，其在高压状态下通过液-液碰撞或液-壁碰撞而将分散液分散；以及贯通式均化器，其通过在高压状态下使分散液贯穿细流路而将分散液分散。

底涂层的膜厚度优选为15μm以上，并且更优选为20μm至50μm。

尽管图中未示出，但是在底涂层和感光层中间可以设置中间层。用于中间层的粘结剂树脂的例子包括：缩醛树脂（如聚乙烯醇缩丁醛）、聚乙烯醇树脂、酪素、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、甲基丙烯酸类树脂、丙烯酸类树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、有机硅树脂、有机硅-醇酸树脂、酚醛树脂和三聚氰胺树脂等高分子树脂化合物；以及含有锆原子、钛原子、铝原子、锰原子或硅原子等的有机金属化合物。这些化合物可以单独使用，或者可以使用多种化合物的混合物或缩聚物。其中，从残余电位低、由环境导致的电势变化小、以及由重复使用导致的电势变化小的角度来看，包含锆或者硅的有机金属化合物是合适的。

对形成中间层的方法没有特别限制，可使用公知的形成方法。例如，可通过如下方式形成中间层：将上述组分加入溶剂中而获得中间层形成用涂布液，并由该中间层形成用涂布液形成涂布膜；将该涂布膜干燥；以及可任选地加热该涂布膜。

将中间层形成用涂布液涂布至底涂层的方法的例子包括浸涂法、上推涂布法（push-up coating）、线棒涂布法、喷涂法、刮板涂布法、刮刀涂布法和幕帘涂布法等公知方法。

中间层不仅具有改善上层涂布性质的作用，还可起到电阻断层的作用。因此，当中间层的厚度太大时，电阻隔效果太强，可能会导致敏感性降低或者由重复使用引起的电势增加。因此，当形成中间层时，其厚度优选设置在0.1μm至3μm范围内。另外，在这种情况下，中间层可用作底涂层。

电荷发生层

电荷发生层包含（例如）电荷发生材料和粘结剂树脂。电荷发生层可由（例如）电荷发生材料的气相沉积膜构成。

电荷发生材料的例子包括：酞菁颜料，例如，不含金属的酞菁、氯镓酞菁、羟基镓酞菁、二氯锡酞菁和钛氧酞菁。具体而言，电荷发生材料的例子包括氯镓酞菁晶体，其对于具有CuKα性质的X射线，在至少7.4°、16.6°、25.5°和28.3°的布拉格角（2θ±0.2°）处具有强衍射峰；不含金属的酞菁晶体，其对于具有CuKα性质的X射线，在至少7.7°、9.3°、16.9°、17.5°、22.4°和28.8°的布拉格角（2θ±0.2°）处具有强衍射峰；羟基镓酞菁晶体，其相对于具有CuKα性质的X射线，在至少7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°和28.3°的布拉格角（2θ±0.2°）处具有强衍射峰；以及钛氧酞菁晶体，其相对于具有CuKα性质的X射线，在至少9.6°、24.1°和27.2°的布拉格角（2θ±0.2°）处具有强衍射峰。电荷发生材料的其他例子还包括醌颜料、二萘嵌苯颜料、靛青颜料、二苯并咪唑颜料、蒽酮颜料和喹吖啶酮颜料。此外，作为电荷发生材料，这些例子可以单独使用，或者可以使用两种或者多种的组合。

电荷发生层中所包含的粘结剂树脂的例子包括：双酚A型或双酚Z型聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚芳酯树脂、聚酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物树脂、丙烯腈-丁二烯共聚物树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、聚乙烯醇缩甲醛树脂、聚砜树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物树脂、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物树脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-马来酸酐树脂、有机硅树脂、酚醛树脂、聚丙烯酰胺树脂、聚酰胺树脂和聚N-乙烯基咔唑树脂。作为粘结剂树脂，这些实例可以单独使用，或者使用两种或者更多种的组合。

另外，电荷发生材料与粘结剂树脂之间的混合比优选在（例如）10:1至1:10范围内。

对形成电荷发生层的方法不做特别限制，并且可以使用公知的形成方法。例如，中间层可以通过如下方式形成：将上述成分加入溶剂中而获得电荷发生层形成用涂布液，并由该电荷发生层形成用涂布液形成涂布膜；干燥所述涂布膜；并且可任选地加热所述涂布膜。电荷发生层可由电荷发生材料的气相沉积形成。

将电荷发生层形成用涂布液涂布到底涂层（或中间层）上的方法的例子包括浸涂法、上推涂布法、线棒涂布法、喷涂法、刮板涂布法、刮刀涂布法和幕帘涂布法。

将颗粒（例如，电荷发生材料）分散于电荷发生层形成用涂布液中的方法的例子包括：使用球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机和水平型砂磨机等介质分散机的方法；以及使用搅拌机、超声波分散机、辊磨机或高压均化器等无介质分散机的方法。高压均化器的例子包括：碰撞式均化器，其在高压状态下通过液-液碰撞或液-壁碰撞而将分散液分散；以及贯通式均化器，其通过在高压状态下使分散液贯穿细流路而将分散液分散。

电荷发生层的厚度优选设定在0.01μm至5μm的范围，并且更优选为0.05μm至2.0μm的范围。

电荷输送层

电荷输送层的组成

电荷输送层包含电荷输送材料、二氧化硅颗粒，并且任选地包含粘结剂树脂。

电荷输送材料的例子包括：空穴输送材料，包括噁二唑衍生物（如2,5-双(对二乙氨基苯基)-1,3,4-噁二唑）、吡唑啉衍生物（如1,3,5-三苯基-吡唑啉和1-[吡啶基-(2)]-3-(对二乙氨基苯乙烯基)-5-(对二乙氨基苯乙烯基)吡唑啉）、芳香族叔氨基化合物（如三苯基胺、三[4-(4,4-二苯基-1,3-丁二烯基)苯基]胺、N,N'-双(3,4-二甲苯基)-联苯-4-胺、三(对甲苯基)胺基-4-胺以及二苄基苯胺）、芳香族叔二氨基化合物（如N,N'-双(3-甲苯基)-N,N'-二苯基联苯胺）、1,2,4-三嗪衍生物（如3-(4’-二甲氨基苯基)-5,6-二-(4'-甲氧基苯基)-1,2,4-三嗪）、腙衍生物（如4-二乙氨基苯甲醛-1,1-二苯基腙）、喹唑啉衍生物（如2-苯基-4-苯乙烯基-喹唑啉）、苯并呋喃衍生物（如6-羟基-2,3-二(对甲氧基苯基)苯并呋喃）、α-二苯乙烯衍生物（如对(2,2-二苯基乙烯基)-N,N-二苯基苯胺）、烯胺衍生物、咔唑衍生物（如N-乙基咔唑、聚N-乙烯基咔唑及其衍生物）；电子输送材料，包括醌类化合物（如氯醌或溴蒽醌）、四氰基喹啉并二甲烷类化合物、芴酮化合物（如2,4,7-三硝基芴酮和2,4,5,7-四硝基-9-芴酮）、氧杂蒽酮类化合物和噻吩化合物；以及在主链或支链中具有由上述化合物构成的基团的聚合物。作为电荷输送材料，这些实例可以单独使用，或者使用其中两种或者更多种的组合。

相对于除去二氧化硅颗粒重量后的所述电荷输送层中其他所有成分的重量，电荷输送材料的含量优选为大于等于40重量%，更优选地为40重量%至70重量%，并且还更优选地为40重量%至60重量%。

另外，电荷输送材料的含量优选小于二氧化硅颗粒的含量。

当电荷输送材料的含量在上述范围内时，残余电位的产生易于受到抑制。

二氧化硅颗粒的例子包括干式二氧化硅颗粒和湿式二氧化硅颗粒。

干式二氧化硅颗粒的例子包括通过燃烧硅烷化合物得到的燃烧法二氧化硅（蒸气沉积二氧化硅）；以及通过爆炸性燃烧金属硅粉得到的爆燃法二氧化硅。

湿式二氧化硅颗粒的例子包括：由硅酸钠和无机酸中和得到的湿式二氧化硅颗粒（例如，在碱性条件下合成并聚集的沉淀法二氧化硅，以及在酸性条件下合成并聚集的凝胶法二氧化硅颗粒）；通过使酸性硅酸变为碱性并进行聚合而得到的胶态二氧化硅颗粒（硅溶胶颗粒）；以及由有机硅烷化合物（例如烷氧基硅烷）的水解作用得到的溶胶-凝胶法二氧化硅颗粒。

其中，从抑制残余电位的产生并抑制由于电学特性劣化引起的图像缺陷（抑制细线再现性的劣化）的角度考虑，表面上的硅烷醇基个数较少且具有低孔隙结构的燃烧法二氧化硅颗粒是优选的。

二氧化硅颗粒的体均粒径（例如）优选为20nm至200nm，更优选为30nm至200nm，并且还更优选为40nm至150nm。

当所述体均粒径在上述范围内时，无机保护层的破裂和残余电位的产生易于受到抑制。

根据下述方式得到体均粒径。从所述层中分离出二氧化硅颗粒；使用扫描电子显微镜（SEM）以40,000倍的放大倍数观测100颗二氧化硅颗粒初级粒子；通过对所述初级粒子进行图像分析从而测定每个颗粒的最大直径和最小直径；并且由中间值测量当量球径。得到所得当量球径的累积频率为50%时的直径（D50v）作为二氧化硅颗粒的体均粒径。

二氧化硅颗粒的表面优选用疏水剂处理。因此，二氧化硅颗粒表面上的硅烷醇基的数量减少，并且残余电位的产生易于受到抑制。

疏水剂的例子包括已知的硅烷化合物，例如氯硅烷、烷氧基硅烷和硅氮烷。

其中，作为疏水剂，从抑制残余电位的产生的角度考虑，具有三甲基硅烷基团、癸基硅烷基团或苯硅烷基团的硅烷化合物是优选的。即，优选的是，在二氧化硅颗粒的表面包括三甲基硅烷基团、癸基硅烷基团或苯硅烷基团。

具有三甲基硅烷基的硅烷化合物的例子包括三甲基氯硅烷、三甲基甲氧基硅烷和1,1,1,3,3,3-六甲基二硅氮烷。

具有癸基硅烷基的硅烷化合物的例子包括癸基三氯硅烷、癸基二甲基氯硅烷和癸基三甲氧基硅烷。

具有苯基的硅烷化合物的例子包括三苯基甲氧基硅烷和三苯基氯硅烷。

相对于二氧化硅颗粒表面的硅烷醇基，表面经疏水剂处理的二氧化硅颗粒的缩合率（二氧化硅颗粒中Si-O-Si与SiO₄-键的比率，下文中称为“疏水剂的缩合率”）优选大于等于90%，更优选大于等于91%，并且还更优选大于等于95%。

当疏水剂的缩合率在上述范围内时，二氧化硅颗粒上的硅烷醇基减少；并且残余电位的产生易于受到抑制。

疏水剂的缩合率表示浓缩硅与由NMR检测到的可与硅连接的缩合位点的比率；其由下述方法测量。

首先，从层中分离出二氧化硅颗粒。使用AVANCE III400（由Bruker公司制造），在分离出的二氧化硅颗粒上进行Si CP/MAS NMR分析，得到对应于SiO取代个数的峰面积。分别将2-取代的(Si(OH)₂(0-Si)₂-)、3-取代的(Si(OH)(0-Si)₃-)和4-取代的(Si(0-Si)₄-)的值设为Q2、Q3和Q4。疏水剂的缩合率由表达式(Q2×2+Q3×3+Q4×4)/4×(Q2+Q3+Q4)来计算。

二氧化硅颗粒的体积电阻率（例如）优选大于或等于10¹¹Ω·cm，更优选大于或等于10¹²Ω·cm，并且还更优选大于或等于10¹³Ω·cm。

当二氧化硅颗粒的体积电阻率在上述范围内时，细线再现性的劣化受到抑制.

在温度为20℃且湿度为50%RH的测量环境下，根据如下所述方式测量二氧化硅颗粒的体积电阻率。

首先，从所述层中分离出二氧化硅颗粒。然后，以约1mm至3mm的厚度将作为测量对象的分离出的二氧化硅颗粒放置于圆形夹具的表面上，所述圆形夹具上放置有20cm²的电极板。由此形成二氧化硅颗粒层。将与上述相同的20cm²的电极板放置于二氧化硅颗粒上，使得二氧化硅颗粒层夹于电极板中间。为了减少二氧化硅颗粒之间的空隙，向放置在二氧化硅颗粒层上面的电极板施加4kg的负荷。然后测量二氧化硅颗粒层的厚度（cm）。将电位计和高压电源与疏水性二氧化硅颗粒层的上部电极和下部电极连接。向两个电极施加高压从而得到预定电场。此时，通过读取流过的电流值（A)，计算二氧化硅颗粒的体积电阻率（Ω·cm）。用以计算二氧化硅颗粒的体积电阻率（Ω·cm）的表达式如下。

在该表达式中，ρ表示疏水性二氧化硅颗粒的体积电阻率（Ω·cm）；E表示施加的电压（V）；I表示电流值（A）；I₀表示施加电压为0V时的电流值（A）；并且L表示疏水性二氧化硅颗粒层的厚度（cm）。在该评价中，使用了施加1000V电压时的体积电阻率。

表达式：ρ=E×20/(I–I₀)/L

相对于电荷输送层的总重量，二氧化硅颗粒的含量优选地为30重量%至70重量%，更优选为40重量%至70重量%，并且还更优选为45重量%至65重量%。

另外，二氧化硅颗粒的含量优选大于电荷输送材料的含量。

当二氧化硅颗粒的含量在上述范围内时，无机保护层的破裂和残余电位的产生易于受到抑制。

包含于电荷输送层中的粘结剂树脂的例子包括双酚A或双酚Z型聚碳酸酯树脂。电荷输送材料和粘结剂树脂的优选混合比（例如）为10:1至1:5。

电荷输送层的特性

位于无机保护层一侧的电荷输送层表面的表面粗糙度Ra（算术平均表面粗糙度Ra）优选小于等于0.06μm，更优选小于等于0.03μm，并且还更优选小于等于0.02μm。

当表面粗糙度Ra在上述范围内时，清洁性能得到改善。

另外，为了将表面粗糙度Ra控制在上述范围内，可以使用（例如）增加层厚度的方法。

根据下述方法测量表面粗糙度Ra。

首先，剥离无机保护层后，暴露出测量目标层。用刀具等切下部分所述层以得到测量样品。

根据JIS B0601-1994，使用触针型表面粗糙度测量仪（SURFCOM1400A；由TOKYOSEIMITSU株式会社制造），在如下测量环境下对测量样品的表面粗糙度进行测量：评价长度Ln为4mm，参考长度L为0.8mm，并且截断值为0.8mm。

电荷输送层的弹性模量（例如）优选大于或等于5GPa，更优选大于或等于6GPa，并且还更优选大于或等于6.5GPa。

当电荷输送层的弹性模量在上述范围内时，无机保护层的破裂易于受到抑制。

另外，为了将电荷输送层的弹性模量控制在上述范围内，可以使用（例如）调节粒径和二氧化硅颗粒含量的方法或使用调节电荷输送材料的种类和含量的方法。

根据下述方法测量电荷输送层的弹性模量。

首先，剥离无机保护层以暴露出测量目标层。然后用刀具等切下部分所述层以得到测量样品。

根据连续刚度测量法（CSM；美国专利No.4848141），使用NANO INDENTER SA2（由MTS Systems公司制造）获得测量样品的深度分布。使用在压痕深度为30nm至100nm处测得的平均值以得到弹性模量。

电荷输送层的厚度（例如）优选为10μm至40μm，更优选为10μm至35μm，并且还更优选为15μm至30μm。

当电荷输送层的厚度在上述范围内时，无机保护层的破裂和残余电位的产生易于受到抑制。

电荷输送层的形成

对形成电荷输送层的方法不做特别限制，并且可以使用已知的形成方法。例如，电荷输送层可以通过如下方式形成：将上述成分加入溶剂中以获得电荷输送层形成用涂布液，并由该电荷输送层形成用涂布液形成涂布膜；干燥所述涂布膜；并且可任选地加热所述涂布膜。

将电荷输送层形成用涂布液涂布至电荷发生层的方法的例子包括浸涂法、上推涂布法、线棒涂布法、喷涂法、刮板涂布法、刮刀涂布法和幕帘涂布法。

将颗粒（例如，二氧化硅颗粒和氟树脂颗粒）分散于电荷输送层形成用涂布液中的方法的例子包括：使用球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机或水平型砂磨机等介质分散机的方法；以及无介质分散机，如搅拌器、超声波分散机、辊磨机或高压均化器。高压均化器的例子包括：碰撞式均化器，其在高压状态下通过液-液碰撞或液-壁碰撞而将分散液分散；以及贯通式均化器，其通过在高压状态下使分散液贯穿细流路而将分散液分散。

无机保护层

无机保护层的组成

无机保护层包含无机材料。

从使保护层具有机械强度和半透明度的角度考虑，无机材料的例子包括氧系无机材料、氮系无机材料、碳系无机材料和硅系无机材料。

氧系无机材料的例子包括氧化镓、氧化铝、氧化锌、二氧化钛、氧化铟、氧化锡和氧化硼等金属氧化物；以及它们的混合晶体。

氮系无机材料的例子包括氮化镓、氮化铝、氮化锌、氮化钛、氮化铟、氮化锡和氮化硼等金属氮化物；以及它们的混合晶体。

碳系和硅系无机材料的例子包括类金刚石碳（DLC）、非晶态碳（a-C）、氢化非晶态碳（a-C:H）、氢化和氟化非晶态碳（a-C:F:H）、非晶态碳化硅（a-SiC）、非晶态氢化碳化硅（a-SiC:H）、非晶硅（a-Si）以及非晶态氢化硅（a-Si:H）。

无机材料可以为氧系无机材料和氮系无机材料的混合晶体。

其中，从机械强度和半透明性的角度考虑，优选将金属氧化物用作无机材料。特别地，从获得n型导电性和优异的导电控性性的角度考虑，属于元素周期表中第13族的金属的氧化物（优选为氧化镓）是优选的。

即，无机保护层优选地含有属于元素周期表中第13族的元素（特别是镓）和氧，并且还可任选地包含氢。通过向其中加入氢，无机保护层（其含有至少一种属于第13族的元素(特别是镓)和氧）的各项物理性质易于得到控制。例如，在含有镓、氧和氢的无机保护层（在含有含氢的氧化镓的无机保护层）中，通过将[O]/[Ga]的组成比在1.0至1.5的范围内进行改变，则易于将体积电阻率控制在10⁹Ω·cm至10¹⁴Ω·cm的范围内。

为了控制导电性类型，除了上述无机材料之外，（例如）在n型导电性的情况下，无机保护层还可包含选自C、Si、Ge和Sn的至少一种元素。例如，在p型导电性的情况下，无机保护层还可包含选自N、Be、Mg、Ca和Sr的至少一种元素。

当无机保护层包含镓和氧并且还可任选地包含氢时，从具有优异的机械强度、半透明度和柔性以及具有优异的导电控性性的角度考虑，所需元素组成比率如下。

相对于无机保护层的所有元素成分，镓的元素组成比率（例如）优选为15原子%至50原子%，更优选为20原子%至40原子%，并且还更优选为20原子%至30原子%。

相对于无机保护层的所有元素成分，氧的元素组成比率（例如）优选地为30原子%至70原子%，更优选为40原子%至60原子%，并且还更优选为45原子%至55原子%。

相对于无机保护层的所有元素成分，氢的元素组成比率（例如）优选为10原子%至40原子%，更优选为15原子%至35原子%，并且还更优选为20原子%至30原子%。

原子比（氧/镓）优选大于1.5小于等于2.20；并且更优选为1.6至2.0。

无机保护层中各个元素的元素组成比率、原子比等是由包括厚度方向上的分布的卢瑟福背散射能谱分析（以下称为“RBS”）而获得的。

在RBS中，将3SDH Pelletron（由NEC株式会社制造）用作加速器；将RBS-400（由CE&A公司制造）用作终端站，并且将3S-R10用作系统。使用HYPRA程序（由CE&A公司研发）进行分析。

RBS的测量条件如下：He++离子束能量为2.275eV；检测角度为160°；并且相对于入射束的掠射角为约109°。

具体而言，RBS测量按照如下方式进行。

首先，He++离子束垂直入射于样品上；在相对于离子束为160°处，并且测量已被背散射的He的信号。根据已检测的氦的能量和强度来确定组成比率和层厚度。为了提高所得组成比率和层厚度的精确性，可以在两个检测角度处测量光谱。通过在两个检测角度（这两个检测角度在深度方向上的分辨率和背散射的力学性能上是不同的）处进行测量并进行交叉检验，可以提高精确性。

由目标原子背散射的He原子的数量仅由以下三个因素来确定：1)目标原子的原子数量；2)散射前的He原子的能量；和3)散射角度。

通过由所测得的组成进行计算来求得密度，并且使用所求得的密度来计算厚度。密度的误差范围在20%之内。

氢的元素组成比率是通过氢前向散射光谱（以下称为“HFS”）而获得的。

在HFS测量中，使用3SDH Pelletron（由NEC株式会社制造）作为加速器；使用RBS-400（由CE&A公司制造）作为终端站，并且使用3S-R10作为系统。使用HYPRA程序（由CE&A公司研发）进行分析。HFS的测量条件如下：He++离子束能量为2.275eV；检测角度为160°；并且相对于入射束的掠射角为30°。

在HFS测量中，将检测器设置在相对于He++离子束为30°；并且将样品设置在距离法线75°处，从而获得在样品前方散射的氢信号。此时，优选用铝箔覆盖检测器，从而除去与氢一起散射的He原子。以阻止能规格化参比样品和测量样品的氢含量，并将该值相互比较，以进行定量分析。作为参比样品，使用通过将H离子注入到Si中二获得的样品和白云母。

已知白云母的氢浓度为6.5原子%。

通过减去吸附到结晶的Si表面上的H的量，可对吸附到最外层表面上的H的量进行校准。

无机保护层的特性

根据其目的，无机保护层可在其厚度方向上具有组成比分布；或是可具有多层结构。

无机保护层优选地为非单晶薄膜，如微晶薄膜、多晶薄膜、或非晶薄膜。其中，从表面平滑性的角度考虑，非晶薄膜是特别优选的；并且从硬度的角度考虑，微晶薄膜更为优选。

无机保护层的生长截面可具有柱状结构，但是从滑动性能的角度考虑，平坦性高的结构或非晶结构是优选的。

无机保护层为晶态或非晶态是根据由反射高能电子衍射（RHEED）测定获得的衍射像上是否有点和线来确定的。

无机保护层的体积电阻率优选大于或等于10⁶Ω·cm，并且更优选大于或等于10⁸Ω·cm。

当体积电阻率在上述范围内时，面内方向上的电荷流动受到抑制并且易于形成优异的静电潜像。

使用LCR测试仪ZM2371（由NF株式会社制造）在频率为1kHz且电压为1V的条件下测得电阻值，通过该电阻值并基于电极表面积和样品厚度从而计算得到体积电阻率。

通过以下方式获得测量样品：在与无机保护层形成时的条件相同的条件下，在铝基体上形成薄膜作为测量目标，并且通过气相沉积在所形成的薄膜上形成金属电极；或是可通过将无机保护层从所制得的电子照相感光体上剥离下来、蚀刻部分无机保护层，并将该蚀刻的部分插入一对电极中而获得。

无机保护层的弹性模量优选为30GPa至80GPa，并更优选为40GPa至65GPa。

当弹性模量在上述范围内时，无机保护层中的凹部（凹痕划痕）产生、剥离以及破裂易于受到抑制。

通过如下方法获得弹性模量：根据连续刚度测量法（CSM；美国专利文献No.4848141），使用NANO INDENTER SA2（由MTS Systems公司制造）的方法获得深度剖面；并且获得压痕深度为30nm至100nm处的平均测量值。

测量条件如下。

测量环境：23℃，55%RH

压头：金刚石三角头（Berkovich压头）

测试模式：CSM模式

可通过以下方法获得测量样品：在与无机保护层形成时的条件相同的条件下，在基体上形成薄膜作为测量目标；或是可通过将无机保护层从所制得的电子照相感光体上剥离下来、并蚀刻部分无机保护层而获得。

无机保护层的厚度（例如）优选为0.2μm至10.0μm，并更优选为0.4μm至5.0μm。

当所述厚度在上述范围内时，无机保护层中凹部（凹痕划痕）的产生、剥离以及破裂易于受到抑制。

无机保护层的形成

为了形成无机保护层，（例如）可以采用熟知的气相沉积法（如等离子体化学气相沉积(CVD)）、有机金属气相外延、分子束外延、气相沉积或溅射等。

下面，在示出附图中的成膜装置的实例的同时，通过具体的例子描述无机保护层的形成。下文中将描述含有镓、氧和氢的无机保护层的形成方法，但是形成方法不仅限于此。可以根据所需无机保护层的组成而采用熟知的形成方法。

图4A和4B是示出了成膜装置的实例的示意图，所述成膜装置用于形成根据示例性实施方案的电子照相感光体的无机保护层。图4A示出了从侧面观察时成膜装置的截面示意图，并且图4B示出了沿直线A1-A2截取图4A中所示成膜装置而得到的截面图。在图4A和4B中，标号210表示成膜室；标号211表示排气口；标号212表示基体旋转部；标号213表示基体支持部件；标号214表示基体；标号215表示气体导入管；标号216表示具有开口的喷嘴，其将由气体导入管215导入的气体排出；标号217表示等离子体扩散部；标号218表示高频电源；标号219表示平板电极；标号220表示气体导入管；并且标号221表示高频放电管。

在图4A和4B所示的成膜装置中，与真空泵（未示出）相连的排气口211设置于成膜室210的一端；并且等离子发生装置设置在成膜室210中与设置有排气口211的一侧相对的一侧，该等离子发生装置包括高频电源218、平板电极219和高频放电管221。

等离子发生装置包括：高频放电管221；平板电极219，其布置在高频放电管221的内部，并且具有位于排气口211侧的放电表面；以及高频电源218，其布置在高频放电管221的外部，并且连接至平板电极219的放电表面的相对面。高频放电管221与用以向高频放电管221内供入气体的气体导入管220的一端相连；并且第一气体供应源（未示出）与气体导入管220的另一端相连。

可使用图5所示的等离子体发生装置，以替代图4A和4B所示的成膜装置中设置的等离子体发生装置。图5为示出了图4A和4B所示成膜装置中使用的等离子体发生装置的另一实例的示意图；并且图5为等离子体发生装置的侧视图。在图5中，标号222表示高频线圈；标号223表示石英管；并且标号220表示与图4A和4B中相同的部件。该等离子发生装置包括石英管223和设置于石英管223的外周面的高频线圈222。成膜室210（图5中未示出）与石英管223的一端相连。此外，用于向石英管223内供应气体的气体导入管220与石英管223的另一端相连。

在图4A和4B中，沿放电表面延伸的棒状喷嘴216与平板电极219的放电表面侧相连；气体导入管215与喷嘴216的一端连接；并且该气体导入管215与设置在成膜室210的外部的第二气体供应源（未示出）相连。

此外，在成膜室210中设置有基体旋转部212；并且圆筒状基体214通过基体支持部件213连接至基体旋转部212，从而使得喷嘴216的纵向与基体214的轴向平行，其中喷嘴216与基体214彼此相对。在形成膜时，基体旋转部212旋转，以使基体214沿其圆周方向旋转。作为基体214，使用其中有机感光层上已有层预先层叠于其上的感光体等。

例如，按照如下方式形成无机保护层。

首先，由高频电源218向平板电极219提供13.56MHz的无线电波，同时由气体导入管220向高频放电管221供应氧气（或氦(He)稀释的氧气）、氦(He)气、以及任选的氢(H₂)气。此时，等离子体扩散部217被形成为从平板电极219的放电表面侧向排气口211以放射状扩张。由气体导入管220导入的气体从平板电极219侧经过成膜室210并流向排气口211侧。平板电极219可被接地屏蔽包围。

接下来，通过气体导入管215和喷嘴216（其位于作为活化单元的平板电极219的下游）将三甲基镓气体导入成膜室210。由此在基体214的表面上形成了含有镓、氧和氢的非单晶膜。

作为基体214，（例如）可使用其上形成有有机感光层的基体。

当形成无机保护层时，由于使用了具有有机感光层的有机感光体，因此基体214的表面温度优选小于等于150℃，更优选小于等于100℃，并且还更优选为30℃至100℃。

即使在膜形成的最初阶段，基体214的表面温度小于或等于150℃，但是由于等离子体的影响，其表面温度可能变得高于150℃，从而该有机感光层可能会因热而损坏。因此，优选的是考虑到这种影响而对基体214的表面温度进行控制。

基体214的表面温度可由加热和/或冷却单元（未示出）控制；或是在放电时自然升高。当基体214被加热时，可在基体214的内部或外部设置加热器。当基体214冷却时，用于冷却的气体或液体可以在基体214内部循环。

当需要避免由放电引起的基体214的表面温度升高时，调节与基体214的表面接触的高能气流是有效的。在这种情况下，对诸如气流速度、放电功率和压力等条件进行调节以获得期望的温度。

此外，可使用含有铝的有机金属化合物或诸如乙硼烷等氢化物来替代三甲基镓气体；或是可使用其中两种或多种的混合物。

例如，在形成无机保护层的初始阶段，通过气体导入管215和喷嘴216将三甲基镓气体导入成膜室210，从而在基体214上形成含有氮和铟的膜。在这种情况下，该膜吸收了在膜连续形成过程中所产生的并且使有机感光层劣化的紫外线。因此，因在膜形成时产生的紫外线而造成的对有机感光层的损害得到了抑制。

此外，在膜形成过程中将掺杂剂掺入的方法中，可使用用于n型掺杂剂的气态SiH₃或SnH₄；以及用于p型掺杂剂的气态双(环戊二烯)镁、二甲基钙、二甲基锶等。此外，为了将掺杂剂元素掺入表面层，可使用诸如热扩散法或离子注入法等已知方法。

具体而言，将含有（例如）至少一种或两种掺杂剂元素的气体通过气体导入管215和喷嘴216导入成膜室210中，从而获得具有n型、p型等导电类型的无机保护层。

在借助于图4A、4B和图5描述的成膜装置中，由放电能量产生的活性氮或活性氢可以独立地受到多个活化装置的控制；或是可使用同时含有氮原子和氢原子的气体，如NH₃。此外，也可向其中加入H₂。此外，可使用这样的条件，在该条件下活性氢从有机金属化合物中分离出来。

这样，受到活化和控制的碳原子、镓原子、氮原子、氢原子等存在于基体214的表面。活化的氢原子能够作为分子，除去在有机金属化合物中包含的烃基（诸如甲基或乙基）中的氢。

因此，具有三维键的硬膜（无机保护层）形成。

在图4A、4B和5所示的成膜装置的等离子体发生单元中，使用高频振荡器，但是等离子体发生单元不仅限于此。例如，可使用微波振荡器、电子回旋共振式装置或螺旋等离子体式装置。此外，高频振荡器的例子包括电感器振荡器或电容振荡器。

此外，可以联合使用两种或多种类型的装置；可以使用或者两种或多种相同类型的设备。为了抑制由等离子体辐射引起基体214的表面温度的升高，高频振荡器是优选的。然而，也可设置能抑制热辐射的装置。

在使用两种或多种不同类型等离子发生装置（等离子体发生单元）时，优选地在相同压力下同时发生放电。此外，在放电区域的压力和成膜区域（基体安装的部位）的压力可以彼此不同。这些装置可以沿着成膜装置内部从气体导入部到气体排放部的气体流动方向布置；或是所有装置相对于基体的膜形成表面而设置。

例如，使用如图4A和4B所示的成膜装置作为例子，描述两种或多种类型的等离子体发生单元随着气体流动设置的情况。在这种情况下，喷嘴216用作电极并且用作第二等离子发生装置，该第二等离子发生装置在成膜室210中引起放电的产生。在这种情况下，通过（例如）气体导入管215向喷嘴216施加高频电压。结果，使用喷嘴216作为电极，成膜室210中产生放电。可供替代的是，可以通过在成膜室210中在基体214和平板电极219之间设置圆筒状电极来替代喷嘴216作为电极；并且该圆筒状电极用于在成膜室210中引起放电的产生。

此外，描述在相同压力下使用两种不同类型的等离子发生装置的情况。例如，在使用微波振荡器和高频振荡器时，激发基团的激发能量可能发生极大的改变，从而能够有效地控制膜的质量。此外，可以在大气压（70,000Pa至110,000Pa）下进行放电。当在大气压下进行放电时，He优选地用作载气。

无机保护层的形成是在成膜室210中提供形成了有机感光层的基体214并向其中导入具有不同组成的混合气体。

此外，（例如）当高频放电用作膜形成条件时，为了在低温下形成高质量的膜，频率的范围优选在10kHz至50MHz。此外，根据基体214的大小，所述功率相对于基体的表面积优选地在0.01W/cm²至0.2W/cm²的范围内。基体214的旋转速度优选为0.1rpm至500rpm。

上文中，已经描述了电子照相感光体的例子，其中有机感光层为功能分离型；并且电荷输送层为单层构造。在图2所示的子照相感光体（有机感光层为功能分离型；并且电荷输送层为多层构造的例子）的情况下，与无机保护层5接触的电荷发生层3A优选地具有与图1所示的电子照相感光体中的电荷输送层3有相同的构造；并且不与无机保护层5接触的电荷输送层3B具有与已知电荷输送层相同的构造。

在这种情况下，电荷发生层3A的厚度优选为1μm至15μm；并且电荷输送层3B的厚度优选为15μm至29μm。

同时，在图3所示的电子照相感光体（有机感光层为单层构造的例子）的情况下，单层型有机感光层6（电荷发生层和电荷输送层）除了包含电荷发生材料之外，优选地具有与电子照相感光体中电荷输送层3相同的构造。

在这种情况下，相对于单层型有机感光层的总重量，单层型有机感光层6中电荷发生材料的含量优选地为25重量%至50重量%。

此外，单层型有机感光层6的厚度优选地为15μm至30μm。

处理盒和成像装置

图6为示意性示出本示例性实施方案的成像装置实例构造的图。

如图6所示，本示例性实施方案的成像装置101（例如）包括电子照相感光体10，其如箭头a所示按顺时针方向旋转；充电装置20（充电单元的例子），其位于电子照相感光体10的顶部并面对电子照相感光体10，对电子照相感光体10的表面进行充电；曝光装置30（静电潜像形成单元的例子），其利用光将由充电装置20充电后的电子照相感光体10的表面曝光并形成静电潜像；显影装置40（显影单元的例子），其将包含在显影剂中的调色剂附着在由曝光装置30所形成的静电潜像上，并在电子照相感光体10的表面上形成调色剂图像；带状中间转印元件50，其在与电子照相感光体10接触的同时沿着箭头b所示的方向移动，并将形成于电子照相感光体10上的调色剂图像转印至记录介质上；以及清洁装置70（清洁单元的例子），其对电子照相感光体10的表面进行清洁。

充电装置20、曝光装置30、显影装置40、中间转印元件50、润滑剂供应装置60和清洁装置70以顺时针方向布置在电子照相感光体10的圆周上。在该示例性实施方案中，润滑剂供应装置60设置在清洁装置70内部。然而，润滑剂供应装置60可以与清洁装置70分开布置。

中间转印元件50由内部的支持辊50A和50B、后辊50C和驱动辊50D支持。中间转印元件50沿着如箭头b所示的方向伴随着驱动辊50D的旋转而被驱动。第一转印装置51布置在中间转印元件50的内部位置以与电子照相用感光体10相对。第一转印装置51以与调色剂的电荷极性相反的极性对中间转印元件50进行充电，以使电子照相用感光体10上的调色剂移动到中间转印元件50的外表面。第二转印装置52布置在中间转印元件50下方以与后辊50C相对。第二转印装置52以与调色剂的电荷极性相反的极性对记录纸P（记录介质的一个例子）进行充电，从而将在中间转印元件50上形成的调色剂图像转印到记录纸P上。这些用于将在电子照相用感光体10上形成的调色剂图像转印到记录纸P上的元件对应于转印单元的一个例子。

记录纸供应装置53和定影装置80布置在中间转印元件50下方，记录纸供应装置53向第二转印装置52提供记录纸P；定影装置80输送其上形成有由第二转印装置52形成的调色剂图像的记录纸P并将调色剂图像定影。

记录纸供应装置53包括一对输送辊53A以及导向板53B，导向板53B将由输送辊53A输送的记录纸P导向第二转印设备52。定影设备80包括定影辊81、以及将记录纸P输送到定影辊81的输送旋转体82，其中定影辊81为被构造为通过向记录纸P（该记录纸P上通过第二转印装置52转印有调色剂图像）施加热和压力以对调色剂图像进行定影的一对加热辊。

通过记录纸供应装置53、第二转印装置52和定影装置80以箭头c所示的方向输送记录纸P。

将中间转印元件清洁装置54设置在中间转印元件50上，该中间转印元件清洁装置54具有清洁刮片，用于除去在经第二转印装置52将调色剂图像转印至记录纸P后留在中间转印元件50上的调色剂。

下面将对本示例性实施方案的成像装置101的组成元件进行详细描述。

充电装置

充电装置20的例子包括：利用导电充电辊、充电刷、充电膜、充电橡胶刀片、充电管的接触式充电单元。充电装置20的例子还包括已知的充电器，例如非接触式辊充电器、利用电晕放电的栅格充电器和电晕管充电器。充电装置20优选为接触式充电单元。

曝光装置

曝光装置30的例子包括这样的光学系统仪器等，其利用光（例如半导体激光束、LED光或者液晶快门光）以图像形式使电子照相感光体10的表面曝光。光源波长优选处于电子照相感光体10的光谱敏感区域。作为半导体激光的波长，优选使用在接近780nm处具有振荡波长的近红外辐射。然而，波长并不限于此范围，也可以使用振荡波长在约600nm处的激光，以及振荡波长在400nm至450nm的蓝色激光。此外，作为曝光装置30，为了形成彩色图像，例如，能够输出多波束的表面发光型激光束光源也是有效的。

显影装置

显影装置40布置在显影区中（例如）以与电子照相用感光体10相对。显影装置40包括（例如）含有由调色剂和载体构成的双组分显影剂的显影容器（显影设备的本体）41和补充用显影剂容器（调色剂盒）47。显影容器41包括显影容器本体41A和覆盖显影容器本体41A上端的显影容器盖41B。

显影容器本体41A包括（例如）容纳显影辊42的显影辊室42A、靠近显影辊室42A的第一搅拌室43A和靠近第一搅拌室43A的第二搅拌室44A。此外，当将显影容器盖41B连接到显影容器本体41A上时，将用于调节存在于显影辊42表面上的显影剂的层厚度的层厚度调节部件45布置在显影辊室42A中。

第一搅拌室43A和第二搅拌室44A用（例如）隔离壁41C隔离。尽管图中未示出，但是第一搅拌室43A和第二搅拌室44A通过沿隔离壁41C的纵向（显影装置的纵向）在隔离壁41C的两端形成的开口而彼此连通。因此，第一搅拌室43A和第二搅拌室44A组成循环的搅拌室（43A+44A）。

显影辊42布置在显影辊室42A中以与电子照相用感光体10相对。在显影辊42中，在具有磁性的磁性辊（固定磁石，未示出）外布置套管。通过磁性辊的磁力将第一搅拌室43A中的显影剂吸附到显影辊42的表面上并输送到显影区域。此外，显影辊42中的辊轴由显影容器本体41A旋转支承。显影辊42和电子照相用感光体10均以相同方向旋转。因而，在显影辊42和电子照相用感光体10彼此相对的部分，吸附在显影辊42表面上的显影剂从与电子照相用感光体10的旋转方向相反的方向输送到显影区域。

此外，将偏压电源（未示出）连接到显影辊42的套管，从而施加显影偏压（在本示例性实施方案中，施加通过将直流（DC）成分叠加在交流（AC）成分上所获得的偏压，从而将交变电场施加到显影区域）。

在搅拌显影剂的同时输送显影剂的第一搅拌部件（搅拌和输送部件）43和第二搅拌部件（搅拌和输送部件）44分别布置在第一搅拌室43A和第二搅拌室44A中。第一搅拌部件43包括在显影辊42的轴向上延伸的第一旋转轴；以及以螺旋式固定在旋转轴周围的搅拌和运输叶片（凸起）。类似地，第二搅拌部件44包括第二旋转轴和搅拌和运输叶片（凸起）。各搅拌部件分别由显影容器本体41A旋转支承。布置第一搅拌部件43和第二搅拌部件44，使得通过搅拌部件的旋转，包含在第一搅拌室43A和第二搅拌室44A中的显影剂沿彼此相反的方向被输送。

补充路径46用于将含有补充用调色剂和补充用载体的补充用显影剂供应到第二搅拌室44A。补充路径46的一端沿纵向连接到第二搅拌室44A的一端；并且补充路径46的另一端连接到含有补充用显影剂的补充用显影剂容器47。

以这种方式通过补充路径46，将补充用显影剂从补充用显影剂容器（调色剂盒）47供给到显影装置40（第二搅拌室44A）。

显影装置40中所用的显影剂的例子包括已知的显影剂，例如是包含调色剂的单组分显影剂或者是包含调色剂和载体的双组分显影剂。

转印装置

第一转印装置51和第二转印装置52的例子包括采用带、辊、膜、橡胶刮片等的接触型转印充电器；以及公知的转印充电器如使用电晕放电的栅格转印充电单元和电晕转印充电单元。

中间转印元件50的例子包括含有导电剂并且由聚酰亚胺、聚酰胺-酰亚胺、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯或橡胶构成的的带状部件（中间转印带）。此外，除了带状外，中间转印元件可具有圆状。

清洁装置

清洁装置70包括外壳71、从外壳71中突出设置的清洁刮片72、以及沿电子照相用感光体10的旋转方向布置在清洁刮片72的上游侧的润滑剂供应装置60。

此外，清洁刮片72可在外壳71的端部被支承或可被单独准备的支承部件（支承物）所支承。在本示例性实施方案中，清洁刮片72在外壳71的端部被支承。

首先对清洁刮片72进行描述。

清洁刮片72材料（清洁层72A和后表层72B）的例子包括氨基甲酸乙酯橡胶、硅橡胶、氟橡胶、丙烯橡胶或丁二烯橡胶等材料构成。其中，氨基甲酸乙酯橡胶是优选的。

对氨基甲酸乙酯橡胶（聚氨酯）不作特别限定，只要其用于形成聚氨酯即可；并且其优选的例子为由多元醇如聚酯多元醇（如聚己二酸亚乙基酯或聚己内酯）与异氰酸酯（如二苯基甲烷二异氰酸酯）组成的氨基甲酸乙酯预聚物；以及通过采用交联剂如1,4-丁二醇、三羟甲基丙烷、乙二醇或它们的混合物作为原料而获得。

接下来对润滑剂供应装置60进行描述。

例如，润滑剂供应装置60布置在清洁设备70内部，并沿电子照相用感光体10的旋转方向位于清洁刮片72的上游侧。

例如，润滑剂供应装置60由（例如）与电子照相用感光体10接触布置的旋转刷61、以及与旋转刷61接触布置的固体润滑剂62构成。在润滑剂供应装置60中，在旋转刷61与固体润滑剂62接触的同时旋转旋转刷61，从而将润滑剂62附着到旋转刷61上；附着的润滑剂62被供应到电子照相用感光体10的表面，从而形成润滑剂62膜。

润滑剂供应装置60不限于上述构造，例如可使用橡胶辊来代替旋转刷61。

成像装置的操作

下面对本示例性实施方案的成像装置101的操作进行说明。首先，电子照相用感光体10以箭头a所示的方向旋转，同时被充电装置20以负电形式进行充电。

将被充电装置20以负电形式充电后的电子照相用感光体10的表面通过曝光装置30曝光，从而在表面上形成潜像。

当其中已形成有潜像的电子照相用感光体10的部分靠近显影装置40时，通过显影装置40（显影辊42）调色剂附着到潜像上，从而形成调色剂图像。

当其上已形成有调色剂图像的电子照相用感光体10进一步以箭头a所示的方向旋转时，调色剂图像被转印到中间转印元件50的外表面。

在调色剂图像被转印到中间转印元件50后，通过记录纸供应装置53将记录纸P提供到第二转印装置52，并且已转印到中间转印体50的调色剂图像通过第二转印装置52被转印到记录纸P上。从而在记录纸P上形成了调色剂图像。

在记录纸P上形成的调色剂图像被定影装置80定影。

在调色剂图像被转印到中间转印元件50后，通过润滑剂供应装置60将润滑剂62提供到电子照相用感光体10的表面，从而在电子照相用感光体10的表面上形成润滑剂62的膜。接着，通过清洁装置70的清洁刮片72将留在表面的调色剂和放电产物除去。调色剂图像转印后，通过清洁装置70将留在电子照相用感光体10上调色剂和放电产物除去，将电子照相用感光体10通过充电装置20再次充电；并且通过曝光装置30被曝光，从而再次形成潜像。

此外，如图7所示，例如，本示例性实施方案的成像装置101可具有通过将电子照相用感光体10、充电装置20、显影装置40、润滑剂供应装置60和清洁装置70以一体化方式容纳在外壳11中而得到的处理盒101A。处理盒101A以一体化方式容纳多个部件，并且以可拆卸的方式安装在成像装置101中。图7所示的成像装置101中，未布置补充用显影剂容器47。

处理盒101A的构造不限于此。例如，处理盒101A只需至少包括电子照相用感光体10，并且可进一步包括选自充电装置20、曝光装置30、显影装置40、第一转印装置51、润滑剂供应装置60和清洁装置70中的至少一者。

此外，本示例性实施方案的成像装置101不限于上述构造。例如，可以将使残留的调色剂的极性均匀以使得清洁刷容易地除去调色剂的第一除电器布置在电子照相用感光体10的周围、并位于电子照相用感光体10的旋转方向上第一转印装置51的下游侧、并且位于电子照相用感光体10的旋转方向上清洁装置70的上游侧这样的位置处；或者可将对电子照相用感光体10的表面进行除电的第二除电器布置在电子照相用感光体10的旋转方向上清洁装置70的下游侧、并且位于电子照相用感光体10的旋转方向上充电装置20的上游侧这样的位置处。

此外，本示例性实施方案的成像装置101不限于上述构造，也可采用公知的构造。例如，可将在电子照相用感光体10上形成的调色剂图像直接转印到记录纸P上；或可采用串联式成像装置。

例子

下面，将利用实施例对示例性实施方案进行具体说明。然而，示例性实施方案并不限于下述实施例。在下列例子中，除非另外指明，否则“份”是指“重量份”。

二氧化硅颗粒的制备

二氧化硅颗粒(0)

准备未处理的（亲水性）二氧化硅颗粒（商品名：OX50；由Japan Aerosil株式会社制造)作为二氧化硅颗粒(0)。

二氧化硅颗粒(11)

将作为疏水剂的30重量份的三甲基硅烷（TMS）（商品名：1,1,1,3,3,3-六甲基二硅氮烷；由Tokyo Chemical Industry株式会社制造）加入到100重量份的未处理的（亲水性）二氧化硅颗粒（商品名：OX50；由Japan Aerosil株式会社制造）。使反应连续进行24小时，然后过滤。结果得到疏水化的二氧化硅颗粒作为二氧化硅颗粒(11)。二氧化硅颗粒(12)

准备疏水化的二氧化硅颗粒（商品名：RX200；由Japan Aerosil株式会社制造）作为二氧化硅颗粒(12)。

二氧化硅颗粒(13)

准备疏水化的二氧化硅颗粒（商品名：X24-9163A；由Shin-Etsu Chemical株式会社制造）作为二氧化硅颗粒(13)。

二氧化硅颗粒(14)

将200重量份的四氢呋喃和30重量份的三甲基硅烷(TMS)（商品名：1,1,1,3,3,3-六甲基二硅氮烷；由Tokyo Chemical Industry株式会社制造）作为疏水剂加入到100重量份的未处理的（亲水性）二氧化硅颗粒（商品名：OX50；由Japan Aerosil株式会社制造）中。使反应连续进行12小时，然后过滤。结果得到疏水化的二氧化硅颗粒作为二氧化硅颗粒(14)。

二氧化硅颗粒(15)

将200重量份的四氢呋喃和30重量份的三甲基硅烷(TMS)（商品名：1,1,1,3,3,3-六甲基二硅氮烷；由Tokyo Chemical Industry株式会社制造）作为疏水剂加入到100重量份的未处理的（亲水性）二氧化硅颗粒（商品名：SFP-20M；由Denki Kagaku KogyoKabushiki Kaisha株式会社制造）中。使反应连续进行12小时，然后过滤。结果得到疏水化的二氧化硅颗粒作为二氧化硅颗粒(15)。

二氧化硅颗粒(21)

将200重量份的四氢呋喃和30重量份的癸基硅烷（DS）（癸基三甲氧基硅烷，商品名：KBM-3103；由Shin-Etsu Chemical株式会社制造）作为疏水剂加入到100重量份的未处理的（亲水性）二氧化硅颗粒（商品名：OX50；由Japan Aerosil株式会社制造）。使反应连续进行24小时，然后过滤。结果得到疏水化的二氧化硅颗粒作为二氧化硅颗粒(21)。

二氧化硅颗粒(31)

将200重量份的四氢呋喃和30重量份的苯基硅烷（PS）（苯基三甲氧基硅烷，商品名：KBE-103；由Shin-Etsu Chemical株式会社制造）作为疏水剂加入到100重量份的未处理的（亲水性）二氧化硅颗粒（商品名：OX50；由Japan Aerosil株式会社制造）。使反应连续进行24小时。结果得到疏水化的二氧化硅颗粒作为二氧化硅颗粒(31)。

实施例A

实施例A1

底涂层的制备

将100重量份的氧化锌（平均粒径：70nm，由Tayca株式会社制造，比表面积：15m²/g）与500重量份的四氢呋喃搅拌并混合。向其中加入1.3重量份的硅烷偶联剂（KBM503，由Shin-Etsu Chemical株式会社制造），然后搅拌2小时。之后，在减压条件下蒸馏除去四氢呋喃，然后在120℃的温度下烘烤3小时。结果获得表面经硅烷偶联剂处理的氧化锌。

将110重量份的经过表面处理的氧化锌与500重量份的四氢呋喃搅拌并混合。将0.6重量份的茜素溶于50重量份的四氢呋喃以得到溶液，加入该溶液，然后在50℃下搅拌5小时。在减压条件下通过过滤分离添加有茜素的氧化锌，然后在减压条件下于60℃下干燥。结果获得添加有茜素的氧化锌。

将60重量份的添加有茜素的氧化锌、13.5重量份的固化剂（封端异氰酸酯，SUMIDUR3175，由Sumitomo Bayer Urethane株式会社制造）以及15重量份的缩丁醛树脂（S-LEC BM-1、由Sekisui Chemical株式会社制造）溶于85重量份的甲基乙基酮中以获得溶液。将38重量份的该溶液与25重量份的甲基乙基酮混合，然后使用玻璃珠直径为1mmφ的砂磨机分散2小时。由此得到分散液。

将0.005重量份作为催化剂的二辛基锡二月桂酸酯和40重量份的有机硅树脂颗粒（TOSPEARL145，由GE Toshiba Silicone株式会社制造）加入到所得分散液中，以得到底涂层形成用涂布液。将该涂布液浸涂于直径为60mm、长度为357mm并且厚度为1mm的铝基底上，然后在170℃下干燥并固化40分钟。由此获得厚度为19μm的底涂层。

电荷发生层的制备

将15重量份作为电荷发生材料的羟基镓酞菁、10重量份作为粘结剂树脂的氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物树脂（VMCH，由Nippon Unicar株式会社制造）以及200重量份的醋酸正丁酯彼此混合以得到混合物，其中所述羟基镓酞菁在利用CuKα特性X射线的X射线衍射光谱中，至少在7.3°、16.0°、24.9°和28.0°的布拉格角（2θ±0.2°）处具有衍射峰。使用玻璃珠直径为1mmφ的砂磨机将该混合物分散4小时，以得到分散液。向所得分散液中加入175重量份的醋酸正丁酯和180重量份的甲基乙基酮，然后进行搅拌。由此得到电荷发生层形成用涂布液。将该电荷发生层形成用涂布液浸涂于底涂层上，然后在常温（25℃）下干燥。由此形成厚度为0.2μm的电荷发生层。

电荷输送层的制备

将95重量份的四氢呋喃加入20重量份的二氧化硅颗粒(11)中。保持该溶液的温度在20℃，向其中加入10重量份的N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲苯基)-(1,1’-二苯基)-4,4’-二胺以及10重量份作为粘结剂树脂的双酚Z聚碳酸酯树脂（粘度平均分子量：50,000），然后搅拌12小时。由此得到电荷输送层形成用涂布液。

将该电荷输送层形成用涂布液浸涂于电荷发生层上，然后在135℃下干燥40分钟。由此形成厚度为30μm的电荷输送层，从而获得所需的电子照相感光体。

通过上述步骤获得了有机感光体（以下称为“未涂布的感光体(1)”），其中在铝基底上依次形成并层叠有底涂层、电荷发生层和电荷输送层。

无机保护层的形成

下面，在该未涂布的感光体(1)的表面上形成由包含氢的氧化镓形成的无机保护层。为了形成该无机保护层，使用了具有如图4所示构造的成膜装置。

首先，将未涂布的感光体(1)放在成膜装置的成膜室210中的基体支持部件213上。然后，通过排气口211将成膜室210的内部抽空，直到气压达到0.1Pa为止。所述抽空在完成含有高浓度氧的气体置换完成后5分钟内进行。

然后，将经He稀释的40%氧气（流速：1.6sccm）和氢气（流速：50sccm）由气体导入管220导入高频放电管221中，其中高频放电管221设置有直径为85mm的平板电极219。利用调谐器进行匹配，其中通过高频电源218和匹配电路（图4A和4B中未示出）将13.56MHz的无线电波设置为功率为150W。平板电极219引起放电。此时，反射波功率为0W。

之后，将三甲基镓气（流速：1.9sccm）经由气体导入管215由喷嘴216导入设置在成膜室210中的等离子体扩散部217。此时，利用Baratron真空计测得的成膜室210中的反应压力为5.3Pa。

在此状态下，在以500rpm的速度旋转未涂布的感光体(1)的同时，在未涂布的感光体(1)上形成膜，成膜时间为68分钟。由此在未涂布的感光体(1)的电荷输送层表面上形成厚度为0.25μm的无机保护层。

通过上述步骤获得电子照相感光体，其中在导电性基体上依次形成有底涂层、电荷发生层、电荷输送层和无机保护层。

实施例A2至A8和比较例A1

按照与实施例A1相同的制备方法获得电子照相感光体，不同之处在于根据表2改变电荷输送层的组成和厚度。

评价A

特性评价A

对于每个例子中所得的电子照相感光体，利用上述方法测量电荷输送层的弹性模量。

另外，通过肉眼检测评价每个实施例中所得的电子照相感光体的涂布性能。

A：在涂布时，膜未被剥离并且二氧化硅颗粒未沉淀

B：膜未被剥离，但是观察到二氧化硅颗粒的沉淀（表面模糊）

C：膜发生剥离

实验评价A

将在各个例子中获得的电子照相感光体安装于700Digital Color Press（由FujiXerox株式会社制造）。使用该装置，在高温和高湿度环境（20℃，40%RH）下连续打印半色调图像（图像密度：30%）以进行测试，从而评价无机保护层的划痕和感光体的电学特性。

无机保护层的划痕评价

连续打印100张半色调图像（图像密度：30%）后，使用激光显微镜以450倍的放大倍数观察10个视野中的电子照相感光体的表面（无机保护层的表面），并对凹陷划痕进行计数，以计算单位面积（1mm×1mm）上的划痕数。

评价标准如下。

A：划痕数小于等于20

B：划痕数大于20小于等于100

C：划痕数大于100

电学特性

使用扫描仪测量并评价电子照相感光体的电学特性。其细节如下所述。

1.残余电位（RP）

首先，电子照相感光体经栅格充电单元充电至-700V并在此状态下以167rpm的速度旋转，用曝光（光源：半导体激光，波长：780nm，功率：5mW）照射电子照相感光体的表面，同时扫描电子照相感光体的表面。然后，使用表面电位计（Model344，由Trek Japan株式会社制造）测量电子照相感光体的电位，从而研究该电子照相感光体的电位状态（残余电位）。该步骤重复100个循环，并且测量在第100次循环时的残余电位。

评价标准如下。

A：残余电位（RP）小于或等于100V

B：残余电位（RP）高于100V小于等于150V

C：残余电位（RP）高于150V

实施例B

实施例B1至B5以及比较例B1和B2

按照与实施例A1相同的方法获得电子照相感光体，不同之处在于根据表3改变电荷输送层的组成和厚度。

在各个例子中，改变膜形成时间，并且无机保护层的厚度为1μm。

评价B

对于各个例子中获得的电子照相感光体，按照与实施例A相同的方法评价无机保护层的划痕和感光体的电学特性。

对于比较例B2的涂布性能评价，对并非由二氧化硅颗粒的沉淀而是由电荷输送材料的沉淀引起的模糊进行研究。

实施例C

实施例C1至C3和比较例C1

按照与实施例A1相同的方法制备20个电子照相感光体，不同之处在于根据表4改变电荷输送层的组成和厚度。其中，选择电荷输送层的表面粗糙度Ra具有最高值、第二高值和平均值的三个电子照相感光体作为实施例C1至C3的电子照相感光体以用于评价。

类似地，按照与实施例A1相同的方法制备电子照相感光体，不同之处在于根据表4改变电荷输送层的组成和厚度。选取该电子照相感光体作为比较例C1的电子照相感光体以用于评价。

评价C

对于各个例子中所得的电子照相感光体，按照与实施例A相同的方法评价涂布性能、无机保护层的划痕和感光体的电学特性。此外，还评价了清洁性能。

清洁性能的评价

将在各个例子中获得的电子照相感光体安装在700Digital Color Press（由FujiXerox株式会社制造）中。使用该装置，在高温和高湿度环境（28℃，80%RH）下连续打印20,000张半色调图像（图像密度：30%）；并且在高温和高湿度环境（28℃，80%RH）下放置过夜。然后，连续打印100张半色调图像（图像密度：30%），并且对第100张打印图像进行目测。

评价标准如下。

A：图像密度与放置过夜之前打印的图像相同

B：相比于放置过夜之前打印的图像，图像区域中图像密度降低了50%或更低

C：相比于放置过夜之前打印的图像，整个图像区域中图像密度降低

实施例D

实施例D1至D4

按照与实施例A1相同的方法获得电子照相感光体，不同之处在于根据表5改变电荷输送层的组成和厚度。

评价D

对于各实施例中所得的电子照相感光体，按照与实施例A相同的方法评价涂布性能、无机保护层的划痕和感光体的电学特性。此外，还评价了细线再现性（分辨率）。

分辨率的评价

将在各个实施例中获得的电子照相感光体安装在700Digital Color Press（由Fuji Xerox株式会社制造）中。使用该装置，在高温和高湿度环境（20℃，40%RH）下以5线对/mm打印图像。用50倍光学显微镜观测该打印图像以进行评价。

评价标准如下。

A：相比于放置之前打印的图像，打印了相同的图像（线对）

B：相比于放置之前打印的图像，图像（线对）的线性发生劣化并出现部分重叠

C：图像（线对）不如放置之前打印的图像清晰

实施例E

实施例E1至E4

按照与实施例A1相同的方法获得电子照相感光体，不同之处在于根据表6改变电荷输送层的组成和厚度。

评价E

对于各实施例中所得的电子照相感光体，按照与实施例A相同的方法评价涂布性能、无机保护层的划痕和感光体的电学特性。

实施例F

实施例F1和F2

按照与实施例A1相同的制备方法制备电子照相感光体，不同之处在于根据表6改变电荷输送层的组成和厚度。

评价F

对于各实施例中所得的电子照相感光体，按照与实施例A相同的方法评价涂布性能、无机保护层的划痕和感光体的电学特性。

实施例G

实施例G1至G4

按照与实施例A1相同的制备方法制备电子照相感光体，不同之处在于根据表7改变电荷输送层的组成和厚度。

评价G

对于各实施例中所得的电子照相感光体，按照与实施例A相同的方法评价涂布性能、无机保护层的划痕和感光体的电学特性。此外，按照与实施例D相同的方法评价细线再现性（分辨率）。

下面，各个例子的细节和评价结果在表2至7中示出。

在下表中，缩略语如下。

·D50：体均粒径

·TMS：三甲基硅烷

·DS：癸基硅烷

·PS：苯基硅烷

·二氧化硅颗粒的缩合比：疏水剂与二氧化硅颗粒表面的硅烷醇基数目的缩合比

·二氧化硅颗粒的浓度：相比于电荷输送层的总重量，二氧化硅颗粒的含量

·电荷输送材料的浓度：相比于电荷输送层中所有成分的重量减去二氧化硅颗粒重量所得的重量，电荷输送材料的含量（电荷输送材料的浓度=电荷输送材料的重量/(电荷输送层的总重量-二氧化硅颗粒的重量)）

下面，根据上述方法测量各个例子中的二氧化硅颗粒的特性在表1中示出，并且各个例子的细节和评价结果在表2至7中示出。

表1

从上述结果可以看出，与比较例相比，实施例中无机保护层的划痕情况以及电学特性更为优异。

提供对本发明示例性实施方案的上述描述是为了举例和说明。并非旨在涵盖所有本发明，或将本发明限制为所公开的精确形式。明显地，对于本领域技术人员而言，许多变型和修改将是显而易见的。选择并描述这些实施方案为的是更好地说明本发明的原理及其实际应用，从而使得本领域技术人员理解本发明的多种实施方案，并且其多种变型适用于所预期的特定用途。本发明的范围期望通过所附权利要求及其等同形式来限定。

Claims (13)

1.一种电子照相感光体，其包括：

导电性基体；

有机感光层，该有机感光层设置在所述导电性基体上；以及

无机保护层，该无机保护层设置在所述有机感光层上，以便于与所述有机感光层的表面接触，

其中所述有机感光层依次包括位于所述导电性基体上的电荷发生层和电荷输送层，其中该电荷输送层包含电荷输送材料和二氧化硅颗粒，

位于所述无机保护层侧的所述电荷输送层表面的表面粗糙度Ra小于等于0.06μm。

2.根据权利要求1所述的电子照相感光体，

其中所述二氧化硅颗粒的含量占所述电荷输送层的总重量的30重量％至70重量％。

3.根据权利要求1或2所述的电子照相感光体，

其中所述二氧化硅颗粒的含量大于所述电荷输送材料的含量。

4.根据权利要求1或2所述的电子照相感光体，

其中相对于除去所述二氧化硅颗粒的重量之后的所述电荷输送层的全部成分的重量，所述电荷输送材料的含量为40重量％至60重量％。

5.根据权利要求1或2所述的电子照相感光体，

其中所述电荷输送层的弹性模量大于等于5 GPa。

6.根据权利要求1所述的电子照相感光体，

其中所述二氧化硅颗粒的体均粒径为20nm至200nm。

7.根据权利要求1所述的电子照相感光体，

其中所述二氧化硅颗粒的表面经过疏水剂处理。

8.根据权利要求7所述的电子照相感光体，

其中所述疏水剂为具有三甲基硅烷基团、癸基硅烷基团或苯基硅烷基团的硅烷化合物。

9.根据权利要求7所述的电子照相感光体，

其中在经过所述疏水剂处理的所述表面上，所述二氧化硅颗粒的缩合比大于等于90％。

10.根据权利要求1所述的电子照相感光体，

其中所述电荷输送层的厚度为10μm至40μm。

11.根据权利要求1所述的电子照相感光体，

其中所述二氧化硅颗粒的体积电阻率大于等于10¹¹Ω·cm。

12.一种处理盒，其可从成像装置上拆卸下来，该处理盒包括根据权利要求1至11中任意一项所述的电子照相感光体。

13.一种成像装置，包括：

根据权利要求1至11中任意一项所述的电子照相感光体；

充电单元，其对所述电子照相感光体的表面进行充电；

潜像形成单元，其在所述电子照相感光体的充电表面上形成潜像；

显影单元，该显影单元利用调色剂使在所述电子照相感光体的表面上形成的所述潜像显影，从而形成调色剂图像；以及

转印单元，该转印单元将在所述电子照相感光体的表面上形成的所述调色剂图像转印至记录介质。