JP2024049204A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体の提供。【解決手段】導電性基体、有機感光層、及び、無機保護層をこの順に備え、前記無機保護層が、金属酸化物を含む層であり、前記金属酸化物が、酸素原子、ガリウム原子、及び、アルミニウム原子を含有する電子写真感光体。【選択図】図１

Description

本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置に関する。

特許文献１には、「基体と、感光層と、酸素及びガリウムを含有する保護層であって、外周面側に存在する第１の領域、及び、前記第１の領域よりも前記基体に近い側に存在し、前記第１の領域に比べて原子数比〔酸素／ガリウム〕が大きい第２の領域を有する保護層と、をこの順に有する電子写真感光体。」が提案されている。

特開２０１１－０２８２１８号公報

本発明の課題は、導電性基体、有機感光層、及び、無機保護層をこの順に備え、前記無機保護層が、金属酸化物を含む層であり、前記金属酸化物が、酸素原子及びガリウム原子を含有する電子写真感光体において、前記金属酸化物が、アルミニウム原子を含有しない場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体を提供することである。

上記課題を解決するための手段には、以下の手段が含まれる。
＜１＞ 導電性基体、有機感光層、及び、無機保護層をこの順に備え、
前記無機保護層が、金属酸化物を含む層であり、
前記金属酸化物が、酸素原子、ガリウム原子、及び、アルミニウム原子を含有する
電子写真感光体。
＜２＞ 前記無機保護層において、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）の平均が、０．５以上１以下である＜１＞に記載の電子写真感光体。
＜３＞ 前記無機保護層において、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）の平均が、０．７以上１以下である＜２＞に記載の電子写真感光体。
＜４＞ 前記無機保護層において、外周面側に存在する第１の領域、及び、前記第１の領域よりも前記導電性基体に近い側に存在する第２の領域を有し、
前記第２の領域が、前記第１の領域に比べて、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）が大きい＜１＞乃至＜３＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
＜５＞ 前記第２の領域の平均厚さが、前記第１の領域の平均厚さよりも厚い＜４＞に記載の電子写真感光体。
＜６＞ 前記有機感光層が、シリカ粒子を含む＜１＞乃至＜５＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
＜７＞ 前記有機感光層が、電荷発生層と、少なくとも電荷輸送材料及びシリカ粒子を含む電荷輸送層とを有する＜６＞に記載の電子写真感光体。
＜８＞ ＜１＞乃至＜７＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
＜９＞ ＜１＞乃至＜７＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、
を備える画像形成装置。
＜１０＞ 前記現像剤が、キャリアを含む＜９＞に記載の画像形成装置。
＜１１＞ 前記キャリアの体積抵抗率が、５×１０^－７Ω・ｃｍ以上５×１０^－９Ω・ｃｍ以下である＜１０＞に記載の画像形成装置。

＜１＞に係る発明によれば、導電性基体、有機感光層、及び、無機保護層をこの順に備え、前記無機保護層が、金属酸化物を含む層であり、前記金属酸化物が、酸素原子及びガリウム原子を含有する電子写真感光体において、前記金属酸化物が、アルミニウム原子を含有しない場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜２＞に係る発明によれば、無機保護層において、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）の平均が、０．５未満又は１を超える場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜３＞に係る発明によれば、前記無機保護層において、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）の平均が、０．７未満又は１を超える場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜４＞に係る発明によれば、前記無機保護層において、外周面側に存在する第１の領域、及び、前記第１の領域よりも前記導電性基体に近い側に存在する第２の領域を有し、前記第２の領域が、前記第１の領域に比べて、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）が小さい場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜５＞に係る発明によれば、前記第２の領域の平均厚さが、前記第１の領域の平均厚さよりも薄い場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜６＞に係る発明によれば、前記有機感光層が、シリカ粒子を含まない場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜７＞に係る発明によれば、有機感光層が、電荷発生層と、少なくとも電荷輸送材料含みシリカ粒子を含まない電荷輸送層とを有する場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜８＞又は＜９＞に係る発明によれば、導電性基体、有機感光層、及び、無機保護層をこの順に備え、前記無機保護層が、金属酸化物を含む層であり、前記金属酸化物が、酸素原子及びガリウム原子を含有し、前記金属酸化物が、アルミニウム原子を含有しない電子写真感光体を備える場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジ又は画像形成装置が提供される。
＜１０＞に係る発明によれば、前記現像剤が、キャリアを含まない場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体を備える画像形成装置が提供される。
＜１１＞に係る発明によれば、前記キャリアの体積抵抗率が、５×１０^－７Ω・ｃｍ未満又は５×１０^－９Ω・ｃｍを超える場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体を備える画像形成装置が提供される。

本実施形態の電子写真感光体の層構成の一例を示す模式断面図である。 本実施形態の電子写真感光体の層構成の別の一例を示す模式断面図である。 本実施形態の電子写真感光体の層構成の別の一例を示す模式断面図である。 本実施形態の電子写真感光体の無機保護層の形成に用いる成膜装置の一例を示す概略模式図である。 本実施形態の電子写真感光体の無機保護層の形成に用いるプラズマ発生装置の例を示す概略模式図である。 本実施形態に係る電子写真感光体を備える画像形成装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る電子写真感光体を備える画像形成装置の別の一例を示す概略構成図である。

以下、本発明の一例である実施形態について説明する。これらの説明および実施例は、実施形態を例示するものであり、発明の範囲を制限するものではない。
本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。

各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。
組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。
「工程」とは、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。

＜電子写真感光体＞
本実施形態に係る電子写真感光体（以下「感光体」ともいう）は、導電性基体、有機感光層、及び、無機保護層をこの順に備え、前記無機保護層が、金属酸化物を含む層であり、前記金属酸化物が、酸素原子、ガリウム原子、及び、アルミニウム原子を含有する。

本実施形態に係る感光体は、上記構成により、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体となる。その理由は、次の通り推測される。

従来、導電性基体、有機感光層、及び、無機保護層をこの順に備え、前記無機保護層が、金属酸化物（例えば酸化ガリウム）を含む層である感光体において、現像時に感光体上の帯電電荷が現像剤中のキャリアへ注入し、現像前後での帯電電位ムラが発生する場合がある。これにより、形成した画像の画質ムラが発生する場合がある。

本実施形態に係る電子写真感光体においては、無機保護層が、金属酸化物を含む層であり、前記金属酸化物が、酸素原子、ガリウム原子、及び、アルミニウム原子を含有することにより、酸化ガリウムに比べて電気伝導度の低い酸化アルミニウムを含有することで、現像剤中のキャリアへの帯電電荷の注入を抑制し、現像前後における帯電電位ムラの発生を抑制し、得られる画像の画質ムラ抑制性に優れると推定している。

そのため、本実施形態に係る感光体は画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体となると推測される。

以下、本実施形態に係る電子写真感光体について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図面中、同一部分には同一符号を付することとし、重複する説明は省略する。

また、本実施形態に係る電子写真感光体は、有機感光層がシリカ粒子を含むことが好ましい。
有機感光層がシリカ粒子を含むことで、画質ムラの発生がより抑制されやすくなる。その理由は無機保護層が下地の強度不足で割れ、色点が発生するためと推測される。
図１乃至図３に示す電子写真感光体において、有機感光層がシリカ粒子を含む場合の好ましい態様についても記載する。

図１は、本実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す模式断面図である。図２乃至図３はそれぞれ本実施形態に係る電子写真感光体の他の一例を示す模式断面図である。

図１に示す電子写真感光体７Ａは、いわゆる機能分離型感光体（又は積層型感光体）であり、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に電荷発生層２、電荷輸送層３、及び無機保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ａにおいては、電荷発生層２及び電荷輸送層３により有機感光層が構成されている。
そして、有機感光層がシリカ粒子を含む場合、電荷輸送層３が、少なくとも電荷輸送材料及びシリカ粒子を含んで構成されることが好ましい。

図２に示す電子写真感光体７Ｂは、図１に示す電子写真感光体７Ａと同様に電荷発生層２と電荷輸送層３とに機能が分離され、さらに電荷輸送層３が機能分離された機能分離型感光体である。また、図３に示す電子写真感光体７Ｃは、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一の層（単層型有機感光層６（電荷発生／電荷輸送層））に含有するものである。

図２に示す電子写真感光体７Ｂにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に、電荷発生層２、電荷輸送層３Ｂ、電荷輸送層３Ａ及び無機保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ｂにおいては、電荷輸送層３Ａ、電荷輸送層３Ｂ及び電荷発生層２により有機感光層が構成されている。
有機感光層がシリカ粒子を含む場合、電荷輸送層３Ａは、少なくとも電荷輸送材料及びシリカ粒子を含んで構成されることが好ましい。一方、電荷輸送層３Ｂは、シリカ粒子を含まず、少なくとも電荷輸送材料を含んで構成されることが好ましい。

図３に示す電子写真感光体７Ｃにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に単層型有機感光層６、無機保護層５が順次形成された構造を有するものである。
有機感光層がシリカ粒子を含む場合、単層型有機感光層６が、少なくとも電荷発生材料、電荷輸送材料及びシリカ粒子を含んで構成されることが好ましい。

なお、図１乃至図３に示す電子写真感光体において、下引層１は設けてもよいし、設けなくてもよい。

本実施形態に係る電子写真感光体は、有機感光層が、電荷発生層と、少なくとも電荷輸送材料及びシリカ粒子を含む電荷輸送層とを有することが好ましい。
有機感光層を当該構成とすることで、画質ムラの発生がより抑制されやすくなる。その理由は無機保護層が下地の強度不足で割れ、色点が発生するためと推測される。
以下、代表例として図１に示す電子写真感光体７Ａに基づいて、各要素について説明する。

（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ未満であることをいう。

導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。

粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。

粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。

陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。

陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。

導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。

ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。

（下引層）
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。

無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０^２Ωｃｍ以上１０^１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。

無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ^２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。

無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。

無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。

表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。

アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。

表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。

ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。

電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン、２，４，５，７－テトラニトロ－９－フルオレノン等のフルオレノン化合物；２－（４－ビフェニル）－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ジエチルアミノフェニル）－１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ－ｔ－ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；ベンゾフェノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。

電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。

電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。

乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。

湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。

なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。

電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。

下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。

これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。

下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。

添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。

チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２－エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。

アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。

これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。

下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。

下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。

下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。

下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。

（中間層）
図示は省略するが、下引層と有機感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。

中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。

中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。

（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。

電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。

これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、ヒドロキシガリウムフタロシアニン；クロロガリウムフタロシアニン；ジクロロスズフタロシアニン；チタニルフタロシアニンがより好ましい。

一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；ビスアゾ顔料等が好ましい。

４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ－型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。

これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ－型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。
なお、ｎ－型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ－型とする。

電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。

なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。

電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。

電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。

電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液－液衝突や液－壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。

電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。

（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。

電荷輸送材料としては、ｐ－ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。

電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ－１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ－２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。

構造式（ａ－１）中、Ａｒ^Ｔ１、Ａｒ^Ｔ２、及びＡｒ^Ｔ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、－Ｃ_６Ｈ_４－Ｃ（Ｒ^Ｔ４）＝Ｃ（Ｒ^Ｔ５）（Ｒ^Ｔ６）、又は－Ｃ_６Ｈ_４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ７）（Ｒ^Ｔ８）を示す。Ｒ^Ｔ４、Ｒ^Ｔ５、Ｒ^Ｔ６、Ｒ^Ｔ７、及びＲ^Ｔ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。

構造式（ａ－２）中、Ｒ^Ｔ９１及びＲ^Ｔ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。Ｒ^Ｔ１０１、Ｒ^Ｔ１０２、Ｒ^Ｔ１１１及びＲ^Ｔ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、－Ｃ（Ｒ^Ｔ１２）＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１３）（Ｒ^Ｔ１４）、又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１５）（Ｒ^Ｔ１６）を示し、Ｒ^Ｔ１２、Ｒ^Ｔ１３、Ｒ^Ｔ１４、Ｒ^Ｔ１５及びＲ^Ｔ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。

ここで、構造式（ａ－１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ－２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「－Ｃ_６Ｈ_４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ７）（Ｒ^Ｔ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１５）（Ｒ^Ｔ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。

高分子電荷輸送材料としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、ポリエステル系の高分子電荷輸送材は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。

電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン－ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、スチレン－アルキッド樹脂、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。

電荷輸送層はシリカ粒子を含むことが好ましい。
シリカ粒子としては、例えば、乾式シリカ粒子、湿式シリカ粒子が挙げられる。
乾式シリカ粒子としては、シラン化合物を燃焼させて得られる燃焼法シリカ（ヒュームドシリカ）、金属珪素粉を爆発的に燃焼させて得られる爆燃法シリカが挙げられる。
湿式シリカ粒子としては、珪酸ナトリウムと鉱酸との中和反応によって得られる湿式シリカ粒子（アルカリ条件で合成・凝集した沈降法シリカ、酸性条件で合成・凝集したゲル法シリカ粒子）、酸性珪酸をアルカリ性にして重合することで得られるコロイダルシリカ粒子（シリカゾル粒子）、有機シラン化合物（例えばアルコキシシラン）の加水分解によって得られるゾルゲル法シリカ粒子が挙げられる。
これらの中でも、シリカ粒子としては、残留電位の発生、その他電気特性の悪化による画像欠陥の抑制（細線再現性の悪化の抑制）の観点から、表面のシラノール基が少なく、低い空隙構造を持つ燃焼法シリカ粒子が望ましい。

シリカ粒子の体積平均粒径は、例えば、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることがよく、望ましくは３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、より望ましくは４０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。
この体積平均粒径を上記範囲とすると、無機保護層の割れ、及び残留電位の発生が抑制され易くなる。
この体積平均粒径は、層中からシリカ粒子を分離し、このシリカ粒子の一次粒子１００個をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）装置により４００００倍の倍率で観察し、一次粒子の画像解析によって粒子ごとの最長径、最短径を測定し、この中間値から球相当径を測定する。得られた球相当径の累積頻度における５０％径（Ｄ５０ｖ）を求め、これをシリカ粒子の体積平均粒径として測定する。

シリカ粒子は、その表面が疎水化処理剤で表面処理されていることがよい。これにより、シリカ粒子の表面のシラノール基が低減し、残留電位の発生が抑制され易くなる。
疎水化処理剤としては、クロロシラン、アルコキシシラン、シラザン等の周知のシラン化合物が挙げられる。
これらの中でも、疎水化処理剤としては、残留電位の発生を抑制し易くする観点から、トリメチルシリル基、デシルシリル基、又はフェニルシリル基を持つシラン化合物が望ましい。つまり、シリカ粒子の表面には、トリメチルシリル基、デシルシリル基、又はフェニルシリル基を有することがよい。
トリメチルシリル基を持つシラン化合物としては、例えば、トリメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、１，１，１，３，３，３－ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。
デシルシリル基を持つシラン化合物としては、例えば、デシルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、デシルジメチルクロロシラン、デシルトリメトキシシラン等が挙げられる。
フェニル基を持つシラン化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルクロロシラン等が挙げられる。

疎水化処理されたシリカ粒子の縮合率（シリカ粒子中のＳｉＯ_４-の結合におけるＳｉ-Ｏ－Ｓｉの率：以下「疎水化処理剤の縮合率」という）は、例えば、シリカ粒子の表面のシラノール基に対して９０％以上がよく、望ましくは９１％以上、より望ましくは９５％以上である。
疎水化処理剤の縮合率を上記範囲にすると、シリカ粒子のシラノール基が低減し、残留電位の発生が抑制され易くなる。

疎水化処理剤の縮合率は、ＮＭＲで検出した縮合部のケイ素の全結合可能サイトに対して、縮合したケイ素の割合を示しており、次のようにして測定する。
まず、層中からシリカ粒子を分離する。分離したシリカ粒子に対して、Ｂｒｕｋｅｒ製ＡＶＡＮＣＥIII ４００でＳｉ ＣＰ／ＭＡＳ ＮＭＲ分析を行い、ＳｉＯの置換数に応じたピーク面積を求め、それぞれ、２置換（Ｓｉ（ＯＨ）_２（０－Ｓｉ）_２－）、３置換（Ｓｉ（ＯＨ）（０－Ｓｉ）_３－）、４置換（Ｓｉ（０－Ｓｉ）_４－）の値をＱ２，Ｑ３，Ｑ４とし、疎水化処理剤の縮合率は式：（Ｑ２×２+Ｑ３×３+Ｑ４×４）/４×（Ｑ２+Ｑ３+Ｑ４）により算出する。

シリカ粒子の体積抵抗率は、例えば、１０^１１Ω・ｃｍ以上がよく、望ましくは１０^１２Ω・ｃｍ以上、より望ましくは１０^１３Ω・ｃｍ以上である。
シリカ粒子の体積抵抗率を上記範囲にすると、細線再現性の悪化が抑制される。

シリカ粒子の体積抵抗率は、次のようにして測定する。なお、測定環境は、温度２０℃、湿度５０％ＲＨとする。
まず、層中からシリカ粒子を分離する。そして、２０ｃｍ^２の電極板を配した円形の治具の表面に、測定対象となる分離したシリカ粒子を１ｍｍ以上以下３ｍｍ程度の厚さになるように載せ、シリカ粒子層を形成する。この上に前記同様の２０ｃｍ^２の電極板を載せシリカ粒子層を挟み込む。シリカ粒子間の空隙をなくすため、シリカ粒子層上に載置した電極板の上に４ｋｇの荷重をかけてからシリカ粒子層の厚み（ｃｍ）を測定する。疎水性シリカ粒子層上下の両電極には、エレクトロメーター及び高圧電源発生装置に接続されている。両電極に電界が所定の値となるように高電圧を印加し、このとき流れた電流値（Ａ）を読み取ることにより、シリカ粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を計算する。シリカ粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）の計算式は、下式に示す通りである。
なお、式中、ρは疎水性シリカ粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）、Ｅは印加電圧（Ｖ）、Ｉは電流値（Ａ）、Ｉ_０は印加電圧０Ｖにおける電流値（Ａ）、Ｌは疎水性シリカ粒子層の厚み（ｃｍ）をそれぞれ表す。本評価では印加電圧が１０００Vの時の体積抵抗率を用いた。
・式：ρ＝Ｅ×２０／（Ｉ－Ｉ_０）／Ｌ

シリカ粒子の含有量は、電荷輸送層全体に対して、例えば、３０質量％以上７０質量％以下がよく、望ましくは４０質量％以上７０質量％以下、より望ましくは４５質量％以上６５質量％以下である。
また、シリカ粒子の含有量は、電荷輸送材料の含有量よりも多いことがよい。
シリカ粒子の含有量を上記範囲とすると、無機保護層の割れ、及び残留電位の発生が抑制され易くなる。

電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。

電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２－ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。

電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

なお、電荷輸送層形成用塗布液中に粒子（例えばシリカ粒子やフッ素樹脂粒子）を分散させる場合、その分散方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液－液衝突や液－壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。

電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。

（無機保護層）
無機保護層は、金属酸化物を含む層である。
そして、金属酸化物は酸素原子、ガリウム原子、及び、アルミニウム原子を含有する。
金属酸化物は、例えば、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウム、酸化錫、酸化ホウ素等の金属酸化物、又はこれらの混晶が挙げられる。

無機保護層には、導電型の制御のために、例えば、ｎ型の場合、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１つ以上の元素を含んでいてもよい。また、例えば、ｐ型の場合、Ｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる１つ以上の元素を含んでいてもよい。

無機保護層において、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）（以下、「Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）」を、単に「比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）」とも称する。）の平均が、０．５以上１以下であることが好ましく、０．７以上１以下であることがより好ましく、０．８５以上１以下であることが更に好ましい。

比Ｉ_Ａｌ／Ｉ_Ｇａの平均を０．５以上とすることで、現像剤中のキャリアへの帯電電荷の注入がより抑制されると推測される。比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）の平均を１以下とすることで、感光体の露光後に感光体表面電位の低下が抑制され、発生した電荷が無機保護層より内側で詰まることが抑制されると推測される。

比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）の平均は、後述のアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの平均を後述するガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａの平均とアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの平均の和で割ることで算出する。

画質ムラの観点から、無機保護層において、酸素原子量分率Ｉ_Ｏの平均と、ガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａの平均及びアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの平均の合計と、の比（Ｉ_Ｏ／Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）は、１以上１．５以下であることが好ましく、１．３以上１．５以下であることがより好ましく、１．３５以上１．５以下であることが更に好ましい。

画質ムラの観点から、無機保護層において、ガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａの平均は０％以上２５％以下であることが好ましく、０％以上１５％以下であることがより好ましく、０％以上８％以下であることが更に好ましい。
画質ムラの観点から、無機保護層において、アルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの平均は２０％以上４０％以下であることが好ましく、２８％以上４０％以下であることがより好ましく、３４％以上４０％以下であることが更に好ましい。
画質ムラの観点から、無機保護層において、酸素原子量分率Ｉ_Ｏの平均は５０％以上６０％以下であることが好ましく、５７％以上６０％以下であることがより好ましく、５８％以上６０％以下であることが更に好ましい。

ガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａの平均、アルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの平均及び酸素原子量分率Ｉ_Ｏの平均はＸ線光電子分光装置により測定する。Ｘ線光電子分光装置としては、例えば日本電子株式会社製、品名ＪＰＳ-９０００ＭＸが使用可能である。
以下にガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａの平均、アルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの平均及び酸素原子量分率Ｉ_Ｏの平均の算出手順について説明する。

・ガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａの平均の算出手順
Ｘ線光電子分光装置を用いて、無機保護層に存在する元素を全て検出する。そして、無機保護層に存在する全元素の元素ピーク面積の総和に対する、ガリウム元素ピーク面積の割合を求める。この測定を、無機保護層の測定箇所を変えて３回測定し、各測定におけるガリウム元素の元素ピーク面積の割合について算術平均した値を、ガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａの平均とする。

・アルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの平均の算出手順
Ｘ線光電子分光装置を用いて、無機保護層に存在する元素を全て検出する。そして、無機保護層に存在する全元素の元素ピーク面積の総和に対する、アルミニウム元素ピーク面積の割合を求める。この測定を、無機保護層の測定箇所を変えて３回測定し、各測定におけるアルミニウム元素の元素ピーク面積の割合について算術平均した値を、アルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの平均とする。

・酸素原子量分率Ｉ_Ｏの平均
Ｘ線光電子分光装置を用いて、無機保護層に存在する元素を全て検出する。そして、無機保護層に存在する全元素の元素ピーク面積の総和に対する、酸素元素ピーク面積の割合を求める。この測定を、無機保護層の測定箇所を変えて３回測定し、各測定における酸素元素の元素ピーク面積の割合について算術平均した値を、酸素原子量分率Ｉ_Ｏの平均とする。

無機保護層において、外周面側に存在する第１の領域、及び、第１の領域よりも導電性基体に近い側に存在する第２の領域を有し、第２の領域が、第１の領域に比べて、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）が大きいことが好ましい。

無機保護層を当該構成とすることで、画質ムラの発生がより抑制される。これは以下の通り推測される。
感光体表面における酸化アルミニウムの含有量が適度に抑えられ、無機保護層の膜劣化に起因する画質ムラの発生が抑制される。

画質ムラの観点から、第２の領域の比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）と、第１の領域の比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）と、の差［すなわち、（第２の領域の比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ））－（第１の領域の比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ））］は０．０５以上０．５以下であることが好ましく、０．１５以上０．５以下であることがより好ましく、０．３以上０．５以下であることが更に好ましい。

第１の領域の比Ｉ_Ａｌ／Ｉ_Ｇａは以下の通り測定する。
無機保護層の外周面側表面をＸ線光電子分光装置（Ｘ線光電子分光装置は、既述のものと同一のものが使用可能である。）により測定し、測定された各原子のスペクトルに基づいて、各原子の個数を求め、全原子量に対するガリウム原子量を算出し、これをガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとする。また、全原子量に対するアルミニウム原子量を算出し、これをアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとする。算出したアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌをガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａで割ることで第１の領域の比Ｉ_Ａｌ／Ｉ_Ｇａとする。

第２の領域の比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）は以下の通り測定する。
第２の領域までアルゴンでエッチングした後、エッチングした領域の表面を、Ｘ線光電子分光装置により測定し、測定された各原子のスペクトルに基づいて、各原子の個数を求め、全原子量に対するガリウム原子量を算出し、これをガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとする。また、全原子量に対するアルミニウム原子量を算出し、これをアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとする。算出したアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌをガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａ及びアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの和で割ることで第２の領域の比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）を算出する。

第２の領域の平均厚さが、第１の領域の平均厚さよりも厚いことが好ましい。
無機保護層を当該構成とすることで、画質ムラの発生がより抑制される。これは以下の通り推測される。
材料劣化による感光体表面での像流れを抑制するとともに、無機保護層全体での電気伝導を低減することで、現像機側への電荷注入を抑制するためである。

第１の領域の平均厚さは０．１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましく、０．５μｍ以上２．５μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以上２μｍ以下であることが更に好ましい。
第２の領域の平均厚さは３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以上８μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上７μｍ以下であることが更に好ましい。

第１の領域の平均厚さ及び第２の領域の平均厚さは、各層単独で成膜した場合の成膜部と非成膜部の段差を膜厚とする。膜厚の測定には、表面粗さ・輪郭形状測定器を用いて測定する。表面粗さ・輪郭形状測定器としては、例えば、東京精密社製、品名サーフコム２８００Ｇが使用可能である。

無機保護層の膜厚は、２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以上８μｍ以下であることがより好ましい。

－無機保護層の形成方法－
次に、前述した無機保護層の形成方法について説明する。
無機保護層の形成には、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、有機金属気相成長法、分子線エキタピシー法、蒸着、スパッタリング等の公知の気相成膜法が利用される。

図４は、本実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の形成に用いる成膜装置の一例を示す概略模式図であり、図４（Ａ）は、成膜装置を側面から見た場合の模式断面図を表し、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示す成膜装置のＡ１－Ａ２間における模式断面図を表す。図４中、２１０は成膜室、２１１は排気口、２１２は基体回転部、２１３は基体支持部材、２１４は基体、２１５はガス導入管、２１６はガス導入管２１５から導入したガスを噴射する開口を有するシャワーノズル、２１７はプラズマ拡散部、２１８は高周波電力供給部、２１９は平板電極、２２０はガス導入管、２２１は高周波放電管部である。

図４に示す成膜装置において、成膜室２１０の一端には、不図示の真空排気装置に接続された排気口２１１が設けられており、成膜室２１０の排気口２１１が設けられた側と反対側に、高周波電力供給部２１８、平板電極２１９及び高周波放電管部２２１からなるプラズマ発生装置が設けられている。
このプラズマ発生装置は、高周波放電管部２２１と、高周波放電管部２２１内に配置され、放電面が排気口２１１側に設けられた平板電極２１９と、高周波放電管部２２１外に配置され、平板電極２１９の放電面と反対側の面に接続された高周波電力供給部２１８とから構成されたものである。なお、高周波放電管部２２１には、高周波放電管部２２１内にガスを供給するためのガス導入管２２０が接続されており、このガス導入管２２０のもう一方の端は、不図示の第１のガス供給源に接続されている。

なお、図４に示す成膜装置に設けられたプラズマ発生装置の代わりに、図５に示すプラズマ発生装置を用いてもよい。図５は、図４に示す成膜装置において利用されるプラズマ発生装置の他の例を示す概略模式図であり、プラズマ発生装置の側面図である。図５中、２２２が高周波コイル、２２３が石英管を表し、２２０は、図４中に示すものと同様である。このプラズマ発生装置は、石英管２２３と、石英管２２３の外周面沿って設けられた高周波コイル２２２とからなり、石英管２２３の一方の端は成膜室２１０（図４中、不図示）と接続されている。また、石英管２２３のもう一方の端には、石英管２２３内にガスを導入するためのガス導入管２２０が接続されている。

図４において、平板電極２１９の放電面側には、放電面に沿って延びる棒状のシャワーノズル２１６が接続されており、シャワーノズル２１６の一端は、ガス導入管２１５と接続されており、このガス導入管２１５は成膜室２１０外に設けられた不図示の第２のガス供給源と接続されている。
また、成膜室２１０内には、基体回転部２１２が設けられており、円筒状の基体２１４が、シャワーノズル２１６の長手方向と基体２１４の軸方向とが沿って対面するように基体支持部材２１３を介して基体回転部２１２に取りつけられるようになっている。成膜に際しては、基体回転部２１２が回転することによって、基体２１４が周方向に回転する。なお、基体２１４としては、例えば、予め感光層まで積層された積層体、感光層上に第２の領域までが積層された積層体等が用いられる。

無機保護層の形成は、例えば、以下のように実施する。
まず、酸素ガス（又は、ヘリウム（Ｈｅ）希釈酸素ガス）、水素（Ｈ_２）ガス、及び必要に応じヘリウム（Ｈｅ）ガスを、ガス導入管２２０から高周波放電管部２２１内に導入すると共に、高周波電力供給部２１８から平板電極２１９に、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を供給する。この際、平板電極２１９の放電面側から排気口２１１側へと放射状に広がるようにプラズマ拡散部２１７が形成される。ここで、ガス導入管２２０から導入されたガスは成膜室２１０を平板電極２１９側から排気口２１１側へと流れる。平板電極２１９は電極の周りをアースシールドで囲んだものでもよい。
次に、トリメチルガリウムガス及びトリメチルアルミニウムガスをガス導入管２１５、活性化手段である平板電極２１９の下流側に位置するシャワーノズル２１６を介して成膜室２１０に導入することによって、基体２１４表面に酸素原子、ガリウム原子及びアルミニウム原子を含む非単結晶膜を成膜する。
ここで、トリメチルガリウムガス及びトリメチルアルミニウムガスの流量を調整することで、無機保護層のガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａ及びアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌを調整することができる。

無機保護層の成膜時の基体２１４表面の温度は、感光層を有する積層体を用いる場合には、１５０℃以下が好ましく、１００℃以下がより好ましく、３０℃以上１００℃以下が特に好ましい。
基体２１４表面の温度が成膜開始当初は１５０℃以下であっても、プラズマの影響で１５０℃より高くなる場合には感光層が熱で損傷を受ける場合があるため、この影響を考慮して基体２１４の表面温度を制御することが好ましい。
また、アモルファスシリコン感光体を用いる場合には、無機保護層の成膜時の基体２１４表面の温度は、例えば、３０℃以上３５０℃以下とされる。
基体２１４表面の温度は加熱及び／又は冷却手段（図中、不図示）によって制御してもよいし、放電時の自然な温度の上昇に任せてもよい。基体２１４を加熱する場合にはヒータを基体２１４の外側や内側に設置してもよい。基体２１４を冷却する場合には基体２１４の内側に冷却用の気体又は液体を循環させてもよい。
放電による基体２１４表面の温度の上昇を避けたい場合には、基体２１４表面に当たる高エネルギーの気体流を調節することが効果的である。この場合、ガス流量や放電出力、圧力などの条件を所要温度となるように調整する。

また、無機保護層には、その導電型を制御するためにドーパントを添加してもよい。
成膜時におけるドーパントのドーピングの方法としては、ｎ型用としてはＳｉＨ_３，ＳｎＨ_４を、ｐ型用としては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、ジメチルカルシウム、ジメチルストロンチウム、などをガス状態で使用する。また、ドーパント元素を無機保護層中にドーピングするには、熱拡散法、イオン注入法等の公知の方法を採用してもよい。
具体的には、例えば、少なくとも一つ以上のドーパント元素を含むガスをガス導入管２１５、シャワーノズル２１６を介して成膜室２１０内に導入することによって、ｎ型、ｐ型等の導電型の無機保護層を得る。

図４及び図５を用いて説明した成膜装置では、放電エネルギーにより形成される活性窒素又は活性水素を、活性装置を複数設けて独立に制御してもよいし、ＮＨ_３など、窒素原子と水素原子を同時に含むガスを用いてもよい。さらにＨ_２を加えてもよい。また、有機金属化合物から活性水素が遊離生成する条件を用いてもよい。
このようにすることで、基体２１４表面上には、活性化された、炭素原子、ガリウム原子、窒素原子、水素原子、アルミニウム原子等が制御された状態で存在する。そして、活性化された水素原子が、有機金属化合物を構成するメチル基やエチル基等の炭化水素基の水素を分子として脱離させる効果を有する。
このため、三次元的な結合を構成する硬質膜（無機保護層）が形成される。

図４及び図５に示す成膜装置のプラズマ発生手段は、高周波発振装置を用いたものであるが、これに限定されるものではなく、例えば、マイクロ波発振装置を用いたり、エレクトロサイクロトロン共鳴方式やヘリコンプラズマ方式の装置を用いてもよい。また、高周波発振装置の場合は、誘導型でも容量型でもよい。
さらに、これらの装置を２種類以上組み合わせて用いてもよく、あるいは、同種の装置を２つ以上用いてもよい。プラズマの照射によって基体２１４表面の温度上昇を抑制するためには高周波発振装置が好ましいが、熱の照射を抑制する装置を設けてもよい。

２種類以上の異なるプラズマ発生装置（プラズマ発生手段）を用いる場合には、同じ圧力で同時に放電が生起されるようにすることが好ましい。また、放電する領域と、成膜する領域（基体が設置された部分）とに圧力差を設けてもよい。これらの装置は、成膜装置内をガスが導入される部分から排出される部分へと形成されるガス流に対して直列に配置してもよいし、いずれの装置も基体の成膜面に対向するように配置してもよい。

例えば、２種類のプラズマ発生手段をガス流に対して直列に設置する場合、図４に示す成膜装置を例に上げれば、シャワーノズル２１６を電極として成膜室２１０内に放電を起こさせる第２のプラズマ発生装置として利用される。この場合、例えば、ガス導入管２１５を介して、シャワーノズル２１６に高周波電圧を印加して、シャワーノズル２１６を電極として成膜室２１０内に放電を起こさせる。あるいは、シャワーノズル２１６を電極として利用する代わりに、成膜室２１０内の基体２１４と平板電極２１９との間に円筒状の電極を設けて、この円筒状電極を利用して、成膜室２１０内に放電を起こさせる。
また、異なる２種類のプラズマ発生装置を同一の圧力下で利用する場合、例えば、マイクロ波発振装置と高周波発振装置とを用いる場合、励起種の励起エネルギーを大きく変えることができ、膜質の制御に有効である。また、放電は大気圧近傍（７００００Ｐａ以上１１００００Ｐａ以下）で行ってもよい。大気圧近傍で放電を行う場合にはキャリアガスとしてＨｅを使用することが好ましい。

なお、無機保護層等の形成に際しては、上述した方法以外にも、通常の有機金属気相成長法や分子線エピタキシー法が使用されるが、これらの方法による成膜に際しても、活性窒素及び／又は活性水素、活性酸素を使用することは低温化に有効である。この場合、窒素原料としてはＮ_２，ＮＨ_３，ＮＦ_３，Ｎ_２Ｈ_４、メチルヒドラジンなどの気体、液体を気化したり、あるいは、キャリアガスでバブリングしたものが利用される。酸素原料としては酸素、Ｈ_２Ｏ，ＣＯ，ＣＯ_２，ＮＯ，Ｎ_２Ｏなどが使用される。

本実施形態における無機保護層の形成は、例えば、成膜室２１０に基体上に感光層を形成した基体２１４を設置し、各々組成の異なる混合ガスを導入して、第２の領域及び第１の領域を連続的に形成する。
また、各領域（又は各層）の形成を別個独立に行ってもよい。

また、成膜条件としては、例えば高周波放電により放電する場合、低温で良質な成膜を行うには、周波数として１０ｋＨｚ以上５０ＭＨｚ以下の範囲とすることが好ましい。また、出力は基体の大きさに依存するが、基体の表面積に対して０．０５Ｗ／ｃｍ^２以上０．５Ｗ／ｃｍ^２以下の範囲とすることが好ましい。基体の回転速度は１０ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下の範囲が好ましい。

（単層型感光層）
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下がよく、好ましくは０．８質量％以上５質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。

＜画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）＞
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着装置を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング装置を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電装置を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。

中間転写方式の装置の場合、転写装置は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写装置と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写装置と、を有する構成が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。

なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電装置、静電潜像形成装置、現像装置、転写装置からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。

図６は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図６に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成装置の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写装置の一例に相当する。

図６におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電装置の一例）、現像装置１１（現像装置の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング装置の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。

なお、図６には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。

－帯電装置－
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。

－露光装置－
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。

－現像装置－
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。

現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。

現像剤はキャリアを含むことが好ましい。
キャリアを含む現像剤及び無機保護層が金属酸化物を含む層である感光体を使用した場合、現像時に感光体上の帯電電荷が現像剤中のキャリアへ注入し、現像前後での帯電電位ムラが発生しやすい。しかし、キャリアを含む現像剤及び本実施形態に係る感光体を使用することで、現像時に感光体上の帯電電荷が現像剤中のキャリアへ注入が抑制され、現像前後での帯電電位ムラの発生が抑制される。

キャリアとしては、特に制限はなく、公知のキャリアが挙げられる。キャリアとしては、例えば、磁性粉からなる芯材の表面に被覆樹脂を被覆した被覆キャリア；マトリックス樹脂中に磁性粉が分散・配合された磁性粉分散型キャリア；多孔質の磁性粉に樹脂を含浸させた樹脂含浸型キャリア；等が挙げられる。
なお、磁性粉分散型キャリア、及び樹脂含浸型キャリアは、当該キャリアの構成粒子を芯材とし、これに被覆樹脂により被覆したキャリアであってもよい。

磁性粉としては、例えば、鉄、ニッケル、コバルト等の磁性金属、フェライト、マグネタイト等の磁性酸化物等が挙げられる。

被覆樹脂、及びマトリックス樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリ塩化ビニル、ポリビニルエーテル、ポリビニルケトン、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、スチレン－アクリル酸エステル共重合体、オルガノシロキサン結合を含んで構成されるストレートシリコーン樹脂又はその変性品、フッ素樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
なお、被覆樹脂、及びマトリックス樹脂には、導電性粒子等、その他添加剤を含ませてもよい。
導電性粒子としては、金、銀、銅等の金属、カーボンブラック、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、硫酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、チタン酸カリウム等の粒子が挙げられる。

キャリアの体積抵抗率は、５×１０^－７Ω・ｃｍ以上５×１０^－９Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、５×１０^－８Ω・ｃｍ以上５×１０^－９Ω・ｃｍ以下であることがより好ましく、１×１０^－９Ω・ｃｍ以上５×１０^－９Ω・ｃｍ以下であることが更に好ましい。

キャリアの体積抵抗率を５×１０^－７Ω・ｃｍ以上５×１０^－９Ω・ｃｍ以下とすることで、現像時に感光体上の帯電電荷が現像剤中のキャリアへ注入がより抑制され、現像前後での帯電電位ムラの発生がより抑制される。

キャリアの体積抵抗率は次のようにして測定する。なお、測定環境は、温度２０℃、湿度５０％ＲＨとする。
２０ｃｍ^２の電極板を配した円形の治具の表面に、測定対象となるキャリアを１ｍｍ以上以下３ｍｍ程度の厚さになるように載せ、キャリア層を形成する。この上に前記同様の２０ｃｍ^２の電極板を載せキャリア層を挟み込む。キャリア間の空隙をなくすため、キャリア層上に載置した電極板の上に４ｋｇの荷重をかけてからキャリア層の厚み（ｃｍ）を測定する。キャリア層上下の両電極には、エレクトロメーター及び高圧電源発生装置に接続されている。両電極に電界が所定の値となるように高電圧を印加し、このとき流れた電流値（Ａ）を読み取ることにより、キャリアの体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を計算する。キャリアの体積抵抗率（Ω・ｃｍ）の計算式は、下式に示す通りである。
なお、式中、ρはキャリアの体積抵抗率（Ω・ｃｍ）、Ｅは印加電圧（Ｖ）、Ｉは電流値（Ａ）、Ｉ_０は印加電圧０Ｖにおける電流値（Ａ）、Ｌはキャリア層の厚み（ｃｍ）をそれぞれ表す。本評価では印加電圧が１０００Vの時の体積抵抗率を用いた。
・式：ρ＝Ｅ×２０／（Ｉ－Ｉ_０）／Ｌ

－クリーニング装置－
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。

－転写装置－
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。

－中間転写体－
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。

図７は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図７に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。

以下に実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。なお、以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」はすべて質量基準である。

＜シリカ粒子の作製＞
（シリカ粒子（１）の作製）
未処理（親水性）シリカ粒子「商品名：ＯＸ５０（製造元 アエロジル社製）」１００質量部に、疎水化処理剤としてトリメトキシシラン（「商品名：１，１，１，３，３，３－ヘキサメチルジシラザン（製造元 東京化成社製）」）３０質量部を添加し、２４時間反応させ、その後、濾取し疎水化処理されたシリカ粒子を得た。これをシリカ粒子（１）とした。

＜実施例１＞
（電子写真感光体の作製）
まず、以下に説明する手順により、アルミニウム（Ａｌ）基体上に、下引層と電荷発生層と電荷輸送層と無機保護層とをこの順に積層形成した。

－下引層の形成－
ジルコニウム化合物（商品名：マツモト製薬社製オルガノチックスＺＣ５４０）２０質量部、シラン化合物（商品名：日本ユニカー社製Ａ１１００）２．５質量部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：積水化学社製エスレックＢＭ－Ｓ）１０質量部及びブタノール４５質量部を攪拌混合して得た溶液を、外径８４ｍｍのＡｌ製基体表面に塗布し、１５０℃、１０分間加熱乾燥することにより、層厚１．０μｍの下引層を形成した。

－電荷発生層の形成－
次に、電荷発生材料としてクロロガリウムフタロシアニン１質量部を、ポリビニルブチラール（商品名：積水化学社製エスレックＢＭ－Ｓ）１質量部及び酢酸ｎ－ブチル１００質量部と混合して得られた混合物をガラスビーズとともにペイントシェーカーで１時間分散し、電荷発生層形成用分散液を得た。
この分散液を浸漬法により下引層の上に塗布した後、１００℃で１０分間乾燥させ、層厚０．１５μｍの電荷発生層を形成した。

－電荷輸送層の形成－
シリカ粒子（１）２０質量部にテトラヒドロフラン９５質量部を入れ、２０℃の液温に保ちながら（Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－（１，１’－ジフェニル）－４，４’－ジアミン１０質量部、結着樹脂としてビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量：５０，０００） １０質量部、加え１２時間攪拌混合し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。
この電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に塗布して１３５℃で４０分間乾燥し、膜厚が３０μｍの電荷輸送層を形成し、Ａｌ基体上に、下引層と電荷発生層と電荷輸送層とをこの順に積層形成した積層体を得た。

－無機保護層の形成－
積層体表面への無機保護層の形成は図４に示す構成を有する成膜装置を用いて行った。
・第２の領域の形成
まず、積層体を、成膜装置の成膜室２１０内の基体支持部材２１３に載せ、排気口２１１を介して成膜室２１０内を、圧力が０．１Ｐａになるまで真空排気した。
次に、Ｈｅ希釈２０％酸素ガス（流量２２．５ｓｃｃｍ）、及びＨ_２ガス（流量５００ｓｃｃｍ）を、ガス導入管２２０から直径８５ｍｍの平板電極２１９が設けられた高周波放電管部２２１内に導入し、高周波電力供給部２１８及びマッチング回路（図３中不図示）により、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を出力（以下、ラジオ波の出力を「高周波電力」とも称する）５００Ｗにセットしチューナでマッチングを取り平板電極２１９から放電を行った。この時の反射波は０Ｗであった。
次に、トリメチルガリウムガス（流量０ｓｃｃｍ）及びトリメチルアルミニウムガス（流量７．５ｓｃｃｍ）を、ガス導入管２１５を介してシャワーノズル２１６から成膜室２１０内のプラズマ拡散部２１７に導入した。この時、バラトロン真空計で測定した成膜室２１０内の反応圧力は５０Ｐａであった。
この状態で、積層体を５００ｒｐｍの速度で回転させながら４５０分間成膜し、積層体の電荷輸送層表面に層厚５．０μｍの第２の領域を形成した。

・第１の領域の形成
次に、高周波放電を停止し、Ｈｅ希釈２０％酸素ガス（流量２２．５ｓｃｃｍ）、Ｈ_２ガス（流量５００ｓｃｃｍ）、トリメチルガリウムガス（流量３．８ｓｃｃｍ）及びトリメチルアルミニウムガス（流量３．８ｓｃｃｍ）に変更した後、高周波電力５００Ｗで、再び高周波放電を開始した。
この状態で、第２の領域を形成した積層体を５００ｒｐｍの速度で回転させながら１１５分間成膜し、第２の領域上に、層厚１．０μｍの第１の領域を形成した。

形成した無機保護層は、金属酸化物として酸化ガリウム及び酸化アルミニウムを含有していた。
以上により、アルミニウム（Ａｌ）基体上に、下引層と電荷発生層と電荷輸送層と無機保護層とをこの順に有する感光体を得た。

＜実施例２～６＞
－無機保護層の形成－において、表１に従ってトリメチルガリウムガスの流量及びトリメチルアルミニウムガスの流量を変更した以外は、実施例１と同一の手順で感光体を得た。

＜実施例７＞
－無機保護層の形成－において、表１に従ってトリメチルガリウムガスの流量及びトリメチルアルミニウムガスの流量を変更し、－電荷輸送層の形成－においてシリカ粒子（１）を添加しなかったこと以外は、実施例１と同一の手順で感光体を得た。

＜比較例１＞
「－無機保護層の形成－」において、「・第２の領域の形成」でプラズマ拡散部２１７に導入するガスを、トリメチルガリウムガス及びトリメチルアルミニウムガスからジメチル亜鉛（流量７．５ｓｃｃｍ）に変更し、「・第１の領域の形成」を行わなかったこと以外は実施例１と同一の手順で感光体を得た。

なお、表１中、第１の領域の形成において、トリメチルガリウムガスの流量及びトリメチルアルミニウムガスの流量の下欄に「－」と記載している場合、第２の領域の形成の下欄に記載のトリメチルガリウムガスの流量及びトリメチルアルミニウムガスの流量で無機保護層を形成し、第１の領域の形成の手順を行っていないことを意味する。
また、ジメチル亜鉛の流量の下欄に「－」と記載している場合、ジメチル亜鉛を使用していないことを意味する。

＜評価＞
（画質ムラ評価）
各実施例及び各比較例で得られた電子写真感光体を画像形成装置（富士フイルムビジネスイノベーション社製、ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ－Ｖ Ｃ７７７５）に取り付けて下記手順で画質ムラ評価を行った。
具体的には、濃度５０％ハーフトーン画像を用いてドットの形状観察を行い評価した。
－評価基準－
Ａ：ドットばらつきなし
Ｂ：ややドットばらつきなし
Ｃ：ドットばらつきあり
Ｄ：ドットサイズ変動が大きい

（環境安定性評価）
下記手順で環境安定性評価を行った。
低温低湿環境下（１０℃／１５％ＲＨ）で画像形成装置を用いて濃度５０％ハーフトーン画像を５００枚出力した後に、高温多湿環境下（２８℃／８５％ＲＨ）で出力した画像の粒状性をグレードにて確認した。
－評価基準－
Ａ：ドット流れなし
Ｂ：ややドット流れ
Ｃ：ドット流れあり
Ｄ：ドット未確認

表１中、第１の領域の下欄に記載の「金属酸化物の種類」が「－」と記載がされている場合、第１の領域を有しないことを意味する。すなわち、無機保護層が、第２の領域の下欄に記載の「金属酸化物の種類」、「比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）」及び「平均厚さ（μｍ）」を満たす単層の無機保護層であることを意味する。

上記結果から、本実施例の電子写真感光体は、画質ムラの発生を抑制することがわかる。

（（（１））） 導電性基体、有機感光層、及び、無機保護層をこの順に備え、
前記無機保護層が、金属酸化物を含む層であり、
前記金属酸化物が、酸素原子、ガリウム原子、及び、アルミニウム原子を含有する
電子写真感光体。
（（（２））） 前記無機保護層において、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）の平均が、０．５以上１以下である（（（１）））に記載の電子写真感光体。
（（（３））） 前記無機保護層において、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）の平均が、０．７以上１以下である（（（２）））に記載の電子写真感光体。
（（（４））） 前記無機保護層において、外周面側に存在する第１の領域、及び、前記第１の領域よりも前記導電性基体に近い側に存在する第２の領域を有し、
前記第２の領域が、前記第１の領域に比べて、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）が大きい（（（１）））乃至（（（３）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
（（（５））） 前記第２の領域の平均厚さが、前記第１の領域の平均厚さよりも厚い（（（４）））に記載の電子写真感光体。
（（（６））） 前記有機感光層が、シリカ粒子を含む（（（１）））乃至（（（５）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
（（（７））） 前記有機感光層が、電荷発生層と、少なくとも電荷輸送材料及びシリカ粒子を含む電荷輸送層とを有する（（（６）））に記載の電子写真感光体。
（（（８））） （（（１）））乃至（（（７）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
（（（９））） （（（１）））乃至（（（７）））のいずれか１つに記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、
を備える画像形成装置。
（（（１０））） 前記現像剤が、キャリアを含む（（（９）））に記載の画像形成装置。
（（（１１））） 前記キャリアの体積抵抗率が、５×１０^－７Ω・ｃｍ以上５×１０^－９Ω・ｃｍ以下である（（（１０）））に記載の画像形成装置。

（（（１）））に係る発明によれば、導電性基体、有機感光層、及び、無機保護層をこの順に備え、前記無機保護層が、金属酸化物を含む層であり、前記金属酸化物が、酸素原子及びガリウム原子を含有する電子写真感光体において、前記金属酸化物が、アルミニウム原子を含有しない場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
（（（２）））に係る発明によれば、無機保護層において、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）の平均が、０．５未満又は１を超える場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
（（（３）））に係る発明によれば、前記無機保護層において、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）の平均が、０．７未満又は１を超える場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
（（（４）））に係る発明によれば、前記無機保護層において、外周面側に存在する第１の領域、及び、前記第１の領域よりも前記導電性基体に近い側に存在する第２の領域を有し、前記第２の領域が、前記第１の領域に比べて、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）が小さい場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
（（（５）））に係る発明によれば、前記第２の領域の平均厚さが、前記第１の領域の平均厚さよりも薄い場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
（（（６）））に係る発明によれば、前記有機感光層が、シリカ粒子を含まない場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
（（（７）））に係る発明によれば、有機感光層が、電荷発生層と、少なくとも電荷輸送材料含みシリカ粒子を含まない電荷輸送層とを有する場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
（（（８）））又は（（（９）））に係る発明によれば、導電性基体、有機感光層、及び、無機保護層をこの順に備え、前記無機保護層が、金属酸化物を含む層であり、前記金属酸化物が、酸素原子及びガリウム原子を含有し、前記金属酸化物が、アルミニウム原子を含有しない電子写真感光体を備える場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジ又は画像形成装置が提供される。
（（（１０）））に係る発明によれば、前記現像剤が、キャリアを含まない場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体を備える画像形成装置が提供される。
（（（１１）））に係る発明によれば、前記キャリアの体積抵抗率が、５×１０^－７Ω・ｃｍ未満又は５×１０^－９Ω・ｃｍを超える場合と比較して、画質ムラの発生を抑制する電子写真感光体を備える画像形成装置が提供される。

１ 下引層、２ 電荷発生層、３ 電荷輸送層、３Ａ 電荷輸送層、３Ｂ 電荷輸送層、４ 導電性基体、５ 無機保護層、６ 単層型有機感光層、７Ａ～７Ｃ 電子写真感光体、７ 電子写真感光体、８ 帯電装置、９ 露光装置、１１ 現像装置、１３ クリーニング装置、１４ 潤滑剤、４０ 転写装置、５０ 中間転写体、１００ 画像形成装置、１２０ 画像形成装置、１３１ クリーニングブレード、１３２ 繊維状部材（ロール状）、１３３ 繊維状部材（平ブラシ状）、３００ プロセスカートリッジ

Claims (11)

1. 導電性基体、有機感光層、及び、無機保護層をこの順に備え、
   前記無機保護層が、金属酸化物を含む層であり、
   前記金属酸化物が、酸素原子、ガリウム原子、及び、アルミニウム原子を含有する
   電子写真感光体。
2. 前記無機保護層において、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）の平均が、０．５以上１以下である請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記無機保護層において、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）の平均が、０．７以上１以下である請求項２に記載の電子写真感光体。
4. 前記無機保護層において、外周面側に存在する第１の領域、及び、前記第１の領域よりも前記導電性基体に近い側に存在する第２の領域を有し、
   前記第２の領域が、前記第１の領域に比べて、Ｘ線光電子分光法により測定されたガリウム原子量分率Ｉ_Ｇａとアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌとの和に対するアルミニウム原子量分率Ｉ_Ａｌの比Ｉ_Ａｌ／（Ｉ_Ｇａ＋Ｉ_Ａｌ）が大きい請求項１に記載の電子写真感光体。
5. 前記第２の領域の平均厚さが、前記第１の領域の平均厚さよりも厚い請求項４に記載の電子写真感光体。
6. 前記有機感光層が、シリカ粒子を含む請求項１に記載の電子写真感光体。
7. 前記有機感光層が、電荷発生層と、少なくとも電荷輸送材料及びシリカ粒子を含む電荷輸送層とを有する請求項６に記載の電子写真感光体。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
   画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
9. 請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
   前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、
   帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、
   トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像装置と、
   前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、
   を備える画像形成装置。
10. 前記現像剤が、キャリアを含む請求項９に記載の画像形成装置。
11. 前記キャリアの体積抵抗率が、５×１０^－７Ω・ｃｍ以上５×１０^－９Ω・ｃｍ以下である請求項１０に記載の画像形成装置。