CN103969974B - 电子照相感光体、处理盒和成像装置 - Google Patents

电子照相感光体、处理盒和成像装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种电子照相感光体，其包括：导电基材；底涂层，该底涂层设置在所述导电基材上，并且包含粘结剂树脂、金属氧化物颗粒、和含有酸性基团的电子接受性化合物；以及感光层，该感光层设置在所述底涂层上，其中，当所述底涂层的厚度为20μm时，所述底涂层对波长为1000nm的光的透射率T1、所述底涂层对波长为650nm的光的透射率T2、以及所述底涂层对所述电子接受性化合物在300nm至1000nm的波长范围内具有最大吸收峰波长的光的透射率T3满足下列表达式（1）和（2）：表达式（1）：5≤T1/T2≤40表达式（2）：0.25≤‑log10(T3)。

Description

电子照相感光体、处理盒和成像装置
技术领域
本发明涉及电子照相感光体、处理盒和成像装置。
背景技术
电子照相成像装置由于其高速和高印刷质量，已被用于复印机、激光束打印机等的成像装置。用于成像装置的感光体主要是采用有机光导电性材料的有机感光体。当制备有机感光体时，存在以下多种情况：在（例如）铝基材上形成底涂层（也称作中间层）；以及在底涂层上形成感光层，特别是包括电荷产生层和电荷输送层的感光层。
例如，JP-A-5-11483（专利文献1）公开了一种电子照相感光体，其包括位于导电性支持体上的感光层，并且它们之间插有中间层，其中所述中间层含有特定的聚酰胺树脂。
JP-A-2002-123028（专利文献2）公开了一种成像装置，其通过将形成于感光体上的调色剂图像转印到记录介质上而形成图像，其中所述感光体包括导电基材、围绕该导电基材形成的中间层、以及围绕该中间层形成的感光层；并且所述中间层在粘结剂树脂中含有平均粒径为100nm或更小的金属氧化物颗粒。
JP-A-5-80572（专利文献3）公开了一种电子照相感光体，其包括导电基材；设置于所述导电基材上的光导电层；设置于所述导电基材和所述光导电层之间的中间层；以及包含粘结剂树脂、并设置于所述导电基材和所述中间层之间的底涂层，其中所述中间层包含白色颜料和粘结剂树脂作为主要组分，并且所使用的白色颜料和粘结剂树脂的体积比为1/1至3/1。
JP-A-2003-186219（专利文献4）公开了一种电子照相感光体，其包括导电基材；形成于所述导电基材上的中间层；以及形成于所述中间层上的感光层，其中所述中间层包含金属氧化物颗粒和粘结剂树脂，在28℃和85%RH下施加106V/m的电场时的体积电阻率为108Ω·cm至1013Ω·cm，并且在15℃和15%RH下施加106V/m的电场时的体积电阻率不大于在28℃和85%RH下施加106V/m的电场时的体积电阻率的500倍。
JP-A-2006-30698（专利文献5）公开了一种成像装置，其包括电子照相感光体、充电单元、曝光单元、显影单元和转印单元，并且在沿着预定方向移动电子照相感光体的外周面的同时进行充电、曝光、显影和转印。该成像装置还包括控制电子照相感光体的外周面的移动速度的控制器，从而能够改变从充电过程到显影过程所需要的时间，其中所述电子照相感光体至少包括底涂层和感光层；并且所述底涂层至少包含金属氧化物颗粒和具有能与该金属氧化物颗粒反应的基团的受体化合物。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电子照相感光体，其中残余电位的增加得到了抑制。
根据本发明的第一个方面，提供了一种电子照相感光体，其包括：
导电基材；
底涂层，该底涂层设置在所述导电基材上，并且包括粘结剂树脂、金属氧化物颗粒、和含有酸性基团的电子接受性化合物；以及
感光层，该感光层设置在所述底涂层上；
其中，当所述底涂层的厚度为20μm时，所述底涂层对波长为1000nm的光的透射率T1、所述底涂层对波长为650nm的光的透射率T2、以及所述底涂层对所述电子接受性化合物在300nm至1000nm的波长范围内具有最大吸收峰波长的光的透射率T3满足以下表达式（1）和（2）：
表达式（1）：5≤T1/T2≤40
表达式（2）：0.25≤-log10(T3)。
根据本发明的第二个方面，在根据第一个方面所述的电子照相感光体中，所述T1/T2满足以下表达式（1-1）：
表达式（1-1）：8≤T1/T2≤38。
根据本发明的第三个方面，在根据第一个方面所述的电子照相感光体中，所述T1/T2满足以下表达式（1-2）：
表达式（1-2）：10≤T1/T2≤35。
根据本发明的第四个方面，在根据第一个方面所述的电子照相感光体中，所述-log10(T3)满足以下表达式（2-1）：
表达式（2-1）：0.3≤-log10(T3)≤3。
根据本发明的第五个方面，在根据第一个方面所述的电子照相感光体中，所述-log10(T3)满足以下表达式（2-2）：
表达式（2-2）：0.35≤-log10(T3)≤2.7。
根据本发明的第六个方面，在根据第一个方面所述的电子照相感光体中，所述电子接受性化合物为蒽醌衍生物。
根据本发明的第七个方面，在根据第一个方面所述的电子照相感光体中，所述酸性基团为选自由羟基、羧基、和磺酰基组成的组中的至少一者。
根据本发明的第八个方面，在根据第六个方面所述的电子照相感光体中，所述蒽醌衍生物为由下式（1）表示的化合物：
其中，在所述式（1）中，n1和n2各自独立地代表0至3的整数，条件是n1和n2中的至少一者代表1至3的整数；m1和m2各自独立地代表0或1的整数；并且R1和R2各自独立地代表具有1至10个碳原子的烷基或具有1至10个碳原子的烷氧基。
根据本发明的第九个方面，在根据第八个方面所述的电子照相感光体中，所述R1和所述R2代表具有1至6个碳原子的烷氧基。
根据本发明的第十个方面，在根据第八个方面所述的电子照相感光体中，所述R1和所述R2代表选自由甲氧基、乙氧基、丙氧基和异丙氧基组成的组中的至少一种基团。
根据本发明的第十一个方面，提供了一种可从成像装置上拆卸下来的处理盒，其包括根据第一个方面所述的电子照相感光体。
根据本发明的第十二个方面，根据第十一个方面所述的处理盒还包括接触充电型充电单元，该接触充电型充电单元对所述电子照相感光体的表面进行充电。
根据本发明的第十三个方面，提供了一种成像装置，其包括：
根据第一个方面所述的电子照相感光体；
充电单元，其对所述电子照相感光体的表面进行充电；
静电潜像形成单元，其在所述电子照相感光体的充电表面上形成静电潜像；
显影单元，其利用调色剂使在所述电子照相感光体的表面上形成的所述静电潜像显影，从而形成调色剂图像；以及
转印单元，其将所述在所述电子照相感光体的表面上形成的调色剂图像转印至记录介质。
根据本发明的第十四个方面，在根据第十三个方面所述的成像装置中，所述充电单元为接触充电型充电单元。
根据所述第一至所述第五个方面、以及所述第七个方面，提供了这样的电子照相感光体，其中与底涂层不满足表达式（1）和（2）的情况相比，残余电位的增加得到了抑制。
根据所述第六个方面、以及所述第八至所述第十个方面，提供了这样的电子照相感光体，其中与电子接受性化合物不为蒽醌衍生物的情况相比，残余电位的增加得到了抑制。
根据所述第十一个方面，提供了这样的处理盒，与处理盒包括具有不满足表达式（1）和（2）的底涂层的电子照相感光体的情况相比，所述处理盒能够获得这样的图像，其中由残余电位的增加而造成的图像缺陷得到了抑制。
根据所述第十二个方面，提供了这样的处理盒，与处理盒包括具有不满足表达式（1）和（2）的底涂层的电子照相感光体的情况相比，所述处理盒能够获得这样的图像，其中，调色剂附着至非成像部分的现象（以下称为“雾化”）得到了抑制，即使当具有容易发生雾化的接触充电型充电单元时也是如此。
根据所述第十三个方面，提供了这样的成像装置，与处理盒包括具有不满足表达式（1）和（2）的底涂层的电子照相感光体的情况相比，所述成像装置能够获得这样的图像，其中由残余电位的增加而造成的图像缺陷得到了抑制。
根据所述第十四个方面，提供了这样的成像装置，与处理盒包括具有不满足表达式（1）和（2）的底涂层的电子照相感光体的情况相比，所述成像装置能够获得这样的图像，其中雾化得到了抑制，即使当具有容易发生雾化的接触充电型充电单元时也是如此。
附图简要说明
现基于以下附图对本发明的示例性实施方案进行详细说明，其中：
图1是示意性示出根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体的层构造的实例的图；
图2是示意性示出根据所述示例性实施方案的电子照相感光体的层构造的另一个实例的图；
图3是示意性示出根据所述示例性实施方案的电子照相感光体的层构造的又一个实例的图；
图4是示意性示出根据所述示例性实施方案的电子照相感光体的层构造的又一个实例的图；
图5是示意性示出根据所述示例性实施方案的电子照相感光体的层构造的又一个实例的图；
图6是示意性示出根据所述示例性实施方案的电子照相感光体的层构造的又一个实例的图；以及
图7是示意性示出根据所述示例性实施方案的成像装置的构造的图。
发明详述
以下将对本发明的例子的示例性实施方案进行说明。
电子照相感光体
根据本示例性实施方案的电子照相感光体（以下也称为“感光体”）包括：导电基材、设置于该导电基材上的底涂层、以及设置于该底涂层上感光层。
底涂层包含粘结剂树脂、金属氧化物颗粒、以及具有酸性基团的电子接受性化合物。
当底涂层的厚度为20μm时，该底涂层对波长为1000nm的光的透射率T1、该底涂层对波长为650nm的光的透射率T2、以及该底涂层对所述电子接受性化合物在300nm至1000nm的波长范围内具有最大吸收峰波长的光的透射率T3满足下列表达式（1）和（2）：
表达式（1）：5≤T1/T2≤40
表达式（2）：0.25≤-log10(T3)
近年来，对图像质量的要求变严格了，特别是对于（例如）用于印刷市场的感光体而言。为了达到要求，已知这样的技术：将粘结剂树脂、金属氧化物颗粒、和电子接受性化合物掺入到电子照相感光体的底涂层内，以控制底涂层的电阻，从而稳定感光体的电特性并改善图像质量稳定性。
然而，即使具有其中掺入了粘结剂树脂、金属氧化物颗粒以及电子接受性化合物的底涂层组成，残余电位仍可能会增加。
在电子照相成像过程中，关于底涂层中电荷的移动，特别是在带负电荷的情况中，认为在曝光时产生于感光层（例如，电荷产生层）的载流子（电子）被注入到底涂层中。在底涂层中，这些注入的载流子移动经过金属氧化物颗粒的内部、金属氧化物颗粒的表面、以及电子接受性化合物，同时在其间导致发生跳跃传导。此时，认为载流子的移动（传导）主要受到底涂层内金属氧化物颗粒的分散状态和电子接受性化合物掺入量的影响。
因此认为，取决于底涂层内金属氧化物颗粒的分散状态和电子接受性化合物的掺入量，底涂层内的载流子很难移动（传导），因此发生积聚；感光层的内部电场显著劣化；空穴（例如）成为剩余电荷；结果，残余电位增加。
另一方面，当包含粘结剂树脂、金属氧化物颗粒、以及具有酸性基团的电子接受性化合物的底涂层满足表达式（1）和（2）时，残余电位的增加得到抑制。
其原因尚不清楚，但认为如下。
首先，据认为，当金属氧化物颗粒分散状态低时，例如，金属氧化物颗粒形成聚集体而被分散（粒径大）；由此，底涂层中光散射严重，而且透射率低。
据认为，随着金属氧化物颗粒分散状态的提高，金属氧化物颗粒的聚集体减少（粒径减小）；底涂层中光散射变弱；并且对波长在近红外范围内的光的透射率开始提高。而且，据认为，当分散状态进一步提高时，对具有较短波长的可见光范围内的光的透射率逐步提高。
也就是说，表达式（1）中的“T1/T2”是指，底涂层（底涂层厚度为20μm）对1000nm的长波长光的透射率T1与底涂层（底涂层厚度为20μm）对650nm的较短波长的光的透射率T2的比率；并且还表示金属氧化物颗粒的分散状态的改善程度。在该情况下，T1表示金属氧化物颗粒的分散状态被提高到某个程度的状态，T2表示金属氧化物颗粒的分散状态被提高到的程度。
从抑制残余电位增加的观点来看，处于上述范围内的表达式（1）中的“T1/T2”表示金属氧化物颗粒以适当的分散状态被包含于底涂层中。具体而言，例如，金属氧化物颗粒以这样的状态被包含于底涂层中：金属氧化物颗粒之间的距离均匀且适当地保持。
另一方面，表达式（2）中的“-log10(T3)”是指，底涂层对电子接受性化合物在300nm至1000nm的波长范围内具有最大吸收峰波长的光的透射率T3的常用对数的负值。也就是说，“-log10(T3)”是指电子接受性化合物的吸光度。因此，表达式（2）中的“-log10(T3)”表示电子接受性化合物被掺入到底涂层中的程度。
从抑制残余电位增加的观点来看，上述范围内的表达式（2）中的“-log10(T3)”表示电子接受性化合物被充分地包含在底涂层中。
因此认为，当底涂层满足表达式（1）和（2）时，在底涂层中，被注入到底涂层内的载流子移动经过金属氧化物颗粒的内部、金属氧化物颗粒的表面、以及电子接受性化合物，同时在其间导致发生跳跃传导；并且底涂层中载流子的积聚得到了抑制。
由于上述原因，在根据本示例性实施方案的电子照相感光体中，残余电位的增加得到了抑制。
此外，由于在根据本示例性实施方案的感光体中残余电位的增加受到了抑制，感光体电位的循环特性提高（由于重复使用而导致的感光体电位的变化得到抑制），并且（例如）电子照相感光体的寿命更容易被延长。
在包含根据本示例性实施方案的电子照相感光体的成像装置（处理盒）中，获得了这样的图像，其中由残余电位的增加而造成的图像缺陷（例如，伪影（由之前的循环历程而导致的密度改变））得到了抑制。
此外，特别是在包括接触充电型充电单元的成像装置（处理盒）中，认为容易发生局部放电；并且，当底涂层的面内不均匀性大时，更容易发生异常放电。
因此，在包括接触充电型充电单元的成像装置（处理盒）中，容易发生雾化（调色剂附着在非图像部分的现象）。然而，当应用根据本示例性实施方案的电子照相感光体时，认为底涂层满足表达式（1）和（2），并且具有合适的阻抗（电阻）；因此，底涂层的漏电阻得到改善。因此，得到了雾化被抑制的图像。
下面将参照附图来描述根据本示例性实施方案的电子照相感光体。
图1至图6为示意性示出根据本示例性实施方案的感光体的层构造的实例的图。图1所示的感光体包括导电基材1、形成于导电基材1上的底涂层2、以及形成于底涂层2上的感光层3。
此外，如图2所示，感光层3可具有双层结构，其包括电荷产生层31和电荷输送层32。此外，如图3和图4所示，可在感光层3之上或电荷输送层32之上设置保护层5。另外，如图5和图6所示，可在底涂层2和感光层3之间，或者在底涂层2和电荷产生层31之间设置中间层4。
在图中，中间层4设置在底涂层2和感光层3之间，或者设置在底涂层2和电荷产生层31之间。然而，中间层可设置在导电基材1和底涂层2之间。当然，中间层4不是必须提供的。
接下来，将对电子照相感光体的各个元件进行描述。在下面的描述中，将省略附图标记。
导电基材
作为导电基材，可使用相关领域中公知的任何基材。其例子包括其中设置有薄膜（例如，诸如铝、镍、铬或不锈钢等金属，以及铝膜、钛膜、镍膜、铬膜、不锈钢膜、金膜、钒膜、氧化锡膜、氧化铟膜、铟锡氧化物（ITO）膜等）的树脂膜；涂布或其中浸渍有导电性赋予剂的纸；以及涂布或其中浸渍有导电性赋予剂的树脂膜。基材的形状不限于圆筒状，可以是片状或者板状。
当把金属管用作导电基材时，可以直接使用该管的表面，或者可以预先用镜面切削、蚀刻、阳极氧化、粗切削、无心磨削、喷砂、湿珩磨等各种方法进行处理。
底涂层
透射率
底涂层满足表达式（1）。然而，从抑制残余电位增加的角度来考虑，底涂层满足下面的表达式（1-1）是优选的，并且底涂层满足下面的表达式（1-2）更为优选。
表达式（1）：5≤T1/T2≤40
表达式（1-1）：8≤T1/T2≤38。
表达式（1-2）：10≤T1/T2≤35。
当表达式（1）中的“T1/T2”小于5时，金属氧化物颗粒的分散状态低，底涂层的电阻（阻抗）减少，并且难以保证漏电阻。结果，容易发生雾化。当“T1/T2”大于40时，金属氧化物颗粒的分散状态过高，底涂层的电阻（阻抗）过度增加，并且电荷易于积聚在底涂层中。结果，残余电位增加。
通过控制以下方面使表达式（1）中的“T1/T2”处于上述范围内，例如：1）金属氧化物颗粒的种类、添加量和粒径；2）用于金属氧化物颗粒的表面处理剂的种类和处理量；3）涂布液中金属氧化物颗粒的分散条件（分散时间和分散温度）；以及4）底涂层的干燥条件（干燥时间和干燥温度）。
底涂层满足表达式（2）。然而，从抑制残余电位增加的角度来考虑，底涂层满足下面的表达式（2-1）是优选的，并且底涂层满足下面的表达式（2-2）更为优选。
表达式（2）：0.25≤-log10(T3)
表达式（2-1）：0.3≤-log10(T3)≤3。
表达式（2-2）：0.35≤-log10(T3)≤2.7。
当表达式（2）中的“-log10(T3)”小于0.25时，电子接受性化合物的掺入量过度减少；并且电荷容易积聚在底涂层中。结果，残余电位增加。
当“-log10(T3)”过度升高时，电子接受性化合物的掺入量过度增加。此外，容易发生伪影，其中当感光体上的同一部分连续曝光时，半色调图像密度只在曝光部分增加。
通过控制以下方面使表达式（2）中的“-log10(T3)”处于上述范围内，例如：1）电子接受性化合物的种类和掺入量；2）底涂层的干燥条件（干燥时间和干燥温度）；3）金属氧化物颗粒的种类；以及4）用于金属氧化物颗粒的表面处理剂的量。
当底涂层的厚度为20μm时，测量底涂层的透射率T1、T2和T3的方法如下。
首先，例如，使用溶剂（例如，丙酮、四氢呋喃、甲醇或乙醇）将覆盖底涂层的涂膜（例如电荷产生层和电荷输送层）从电子照相感光体上除去；然后将暴露的底涂层从导电基材上剥离，从而得到测量用的底涂层样品。
接下来，将从电子照相感光体上剥离下来的测量用的底涂层样品层压在玻璃基材上。使用该玻璃片，由分光光度计U-2000（由Hitachi公司制造）测定底涂层样品的光谱。从所得的光谱中得到了对具有所需波长的光的吸光度。基于该吸光度，计算出对具有所需波长的光的透射率。
由所得的底涂层样品的透射率t和底涂层样品的厚度D（mm），根据下面的表达式（11）来计算厚度为20μm的底涂层的透射率T。
表达式（11）
T=10(20/D)log 10 t
当得到了透射率T3时，所述电子接受性化合物在300nm至1000nm波长范围内的最大吸收峰波长是指在该波长范围内显示出最大吸光度的波长。
构造
底涂层包含粘结剂树脂、金属氧化物颗粒、和电子接受性化合物。
粘结剂树脂
粘结剂树脂的例子包括：聚合物树脂化合物，例如缩醛树脂（例如，聚乙烯醇缩丁醛）、聚乙烯醇树脂、酪素、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-马来酸酐树脂、有机硅树脂、有机硅-醇酸树脂、酚树脂、酚醛树脂和三聚氰胺树脂。此外，其例子还包括由上述树脂与固化剂反应得到的树脂。
金属氧化物颗粒
金属氧化物颗粒的例子包括氧化锑、氧化铟、氧化锡、二氧化钛和氧化锌的颗粒。
其中，作为金属氧化物颗粒，从抑制残余电位增加的角度来考虑，氧化锡，二氧化钛和氧化锌颗粒是优选的。
作为金属氧化物颗粒，使用了这样的导电粉末：其粒径优选小于或等于100nm，并且更优选为10nm至100nm。在这种情况中，粒径指的是平均一次粒径。金属氧化物颗粒的平均一次粒径是通过使用扫描电子显微镜（SEM）观察并测量颗粒而得到的值。
当金属氧化物颗粒的粒径小于10nm时，金属氧化物颗粒的表面积可能会增加，并且分散体的均匀性可能会劣化。另一方面，当金属氧化物颗粒的粒径大于100nm时，可以预料，二次或更高次颗粒的粒径将接近1μm；并且在底涂层中，容易形成其中具有金属氧化物颗粒的部分和没有金属氧化物颗粒的部分的所谓的海-岛结构。结果，可能会产生诸如半色调密度不均匀等图像缺陷。
优选的是，金属氧化物颗粒的粉末电阻为104Ω·cm至1010Ω·cm。由此，底涂层在相当于电子照相处理速度的频率下，更容易具有适当的阻抗。
当金属氧化物颗粒的电阻值小于104Ω·cm时，阻抗对颗粒添加量的依赖性可能会显著增加，从而对阻抗的控制将变得困难。另一方面，当金属氧化物颗粒的电阻值大于1010Ω·cm时，残余电位可能会增加。
任选地，从改善诸如分散性等各种性质的角度来考虑，优选的是，用至少一种偶联剂处理金属氧化物颗粒的表面。
优选地，偶联剂为选自由硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、以及铝酸盐偶联剂组成的组中的至少一者。
偶联剂的具体例子包括诸如乙烯基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰基丙基-三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N,N-双(β-羟乙基)-γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、和γ-氯丙基三甲氧基硅烷等硅烷偶联剂；诸如乙酰基烷氧基二异丙醇铝等铝酸盐偶联剂；以及诸如异丙基三异硬脂酰基钛酸酯、双(焦磷酸二辛酯)、和异丙基三(N-氨基乙基-氨基乙基)钛酸酯等钛酸酯偶联剂。然而，偶联剂并不限于此。此外，作为偶联剂，这些例子可以以两种或更多种的组合使用。
相对于金属氧化物颗粒，用于表面处理的偶联剂的量优选为0.1重量%至3.0重量%，更优选为0.3重量%至2.0重量%，并且还更优选为0.5重量%至1.5重量%。
如下测量偶联剂的表面处理量。
分析方法例如FT-IR法、固态29Si NMR法、热分析、以及XPS，但FT-IR法是最简单的方法。在FT-IR法中，可以使用公知的KBr片剂法或ATR法。将少量经表面处理的金属氧化物颗粒与KBr混合以进行FT-IR测量。从而，测量了用于处理的偶联剂的量。
用偶联剂处理后，任选地，为了改善电阻值对环境等的依赖性，可以对金属氧化物颗粒的表面进行热处理。热处理的温度优选为150℃至300℃，处理时间优选为30分钟至5小时。
从维持电特性的角度来考虑，金属氧化物颗粒的含量优选为30重量%至60重量%，更优选为35重量%至55重量%。
电子接受性化合物
电子接受性化合物是与底涂层中所含有的金属氧化物颗粒的表面发生化学反应的材料，或者是被吸附在金属氧化物颗粒表面上的材料。电子接受性化合物可以选择性地存在于金属氧化物颗粒的表面上。
作为电子接受性化合物，使用具有酸性基团的电子接受性化合物。酸性基团的例子包括羟基（酚羟基）、羧基、以及磺酰基。
电子接受性化合物的具体实例包括苯醌、蒽醌、香豆素、酞菁、三苯甲烷、花色素苷、黄酮、富勒烯、钌络合物、氧杂蒽、苯并恶嗪、和卟啉。
具体而言，考虑到材料的安全性、可用性和电子输送能力、以及伪影的抑制，优选蒽醌（蒽醌衍生物）作为电子接受性化合物。具体而言，电子接受性化合物优选为由下式（1）所表示的化合物。
在式（1）中，n1和n2各自独立代表0至3的整数。在这种情况中，n1和n2中的至少一者代表1至3的整数（即，n1和n2不同时为0）。m1和m2各自独立代表0或1的整数。R1和R2各自独立代表具有1至10个碳原子的烷基或者具有1至10个碳原子的烷氧基。
此外，电子接受性化合物可以是由下式（2）所表示的化合物。
在式（2）当中，n1、n2、n3和n4各自独立地代表0至3的整数。m1和m2各自独立代表0或1的整数。n1和n2中的至少一者代表1至3的整数（即，n1和n2不同时为0）。n3和n4中的至少一者代表1至3的整数（即，n3和n4不同时为0）。r代表2至10的整数。R1和R2各自独立地代表具有1至10个碳原子的烷基或者具有1至10个碳原子的烷氧基。
这里，在式（1）和（2）中，由R1和R2表示的具有1至10个碳原子的烷基可以是线型的或分枝的，并且其例子包括甲基、乙基、丙基和异丙基。作为具有1至10个碳原子的烷基，具有1至8个碳原子的烷基是优选的；并且具有1至6个碳原子的烷基是更优选的。
由R1和R2表示的具有1至10个碳原子的烷氧基（alkoxy或alkoxyl）可以是线型的或分枝的，并且其例子包括甲氧基、乙氧基、丙氧基和异丙氧基。作为具有1至10个碳原子的烷氧基，具有1至8个碳原子的烷氧基是优选的；并且具有1至6个碳原子的烷氧基是更优选的。
电子接受性化合物的具体实例如下所示，但电子接受性化合物不局限于这些实例。
根据作为化学反应或吸附的目标的金属氧化物颗粒的表面积和含量，以及各材料的电子输送能力来决定电子接受性化合物的含量。通常，该含量优选为0.01重量%至20重量%，并且更优选为0.1重量%至10重量%。
当电子接受性化合物的含量低于0.1重量%时，其可能难以表现出接受性材料的作用。另一方面，当电子接受性化合物的含量高于20重量%时，金属氧化物颗粒之间容易发生聚集。因此，金属氧化物颗粒容易不均匀地分布在底涂层中，并且可能难以形成高导电性的通道。结果，残余电位增加，出现伪影，并且还可能出现黑点和半色调密度不均匀。
对电子接受性化合物的含量进行控制，以满足表达式（2）。
其他添加剂
其他添加剂的例子包括树脂颗粒。当激光等相干光用于曝光装置时，优选的是可防止莫尔干涉条纹。为此，优选将底涂层的表面粗糙度调整为1/4n（n表示上层的折射率）至所使用的曝光激光的波长λ的1/2λ。这样，表面粗糙度可以通过向底涂层中添加树脂颗粒来调整。树脂颗粒的例子包括有机硅树脂颗粒和交联聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）树脂颗粒。
此外，其他添加剂并不限于以上描述的例子，并且可以使用公知的添加剂。
底涂层的形成
当形成底涂层时，使用了其中上述组分被添加到溶剂中的底涂层形成用涂布液。该底涂层形成用涂布液是通过（例如）以下方法获得的：预先混合或分散金属氧化物颗粒、以及任选的电子接受性化合物和其他添加剂，并将所得物质分散在粘结剂树脂中。
用于获得底涂层形成用涂布液的溶剂的例子包括公知的用于溶解上述粘结剂树脂的有机溶剂，例如醇溶剂、芳香族溶剂、卤代烃溶剂、酮溶剂、酮醇溶剂、醚溶剂、以及酯溶剂。作为溶剂，这些例子可以单独使用，或者可以使用两种或更多种的混合物。
将金属氧化物颗粒分散于底涂层形成用涂布液中的方法的例子包括公知的分散方法，例如使用辊磨机、球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机，胶体研磨机和涂料振动机的方法。
底涂层形成用涂布液的涂布方法的例子包括公知的涂布方法，例如浸涂法、刮板涂布法、线棒涂布法、喷涂法、涂边法、气刀涂布法、和幕帘涂布法。
底涂层的维氏硬度优选为35至50。
从抑制残余电位增加的角度考虑，底涂层的厚度优选为大于或等于15μm，更优选为15μm至30μm，并且还更优选为20μm至25μm。
中间层
可以任选地将中间层设置在（例如）底涂层和感光层之间，从而改善电特性、图像质量、图像质量的可保持性、以及感光层的附着性。此外，中间层可以设置在导电基材和底涂层之间。
用于中间层的粘结剂树脂的例子包括聚合物树脂化合物，例如缩醛树脂（例如，聚乙烯醇缩丁醛）、聚乙烯醇树脂、酪素、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-马来酸酐树脂、有机硅树脂、有机硅-醇酸树脂、酚醛树脂和三聚氰胺树脂；以及含有锆原子、钛原子、铝原子、锰原子、硅原子等的有机金属化合物。这些化合物可以单独使用，或者可以使用多种化合物的混合物或缩聚物。这些化合物中，从残余电位低、电势根据环境的变化小、以及由于重复使用而导致的电势的变化小的角度考虑，包含锆原子或者硅原子的有机金属化合物是优选的。
当形成中间层时，使用了其中上述组分被添加到溶剂中的中间层形成用涂布液。
用于形成中间层的涂布方法的例子包括公知的方法，例如浸涂法、上推涂布（push-up coating）法、线棒涂布法、喷涂法、刮板涂布法、刮刀涂布法和幕帘涂布法。
中间层除了具有改善上层的涂布性能的作用，还可起到电阻挡层的作用。然而，当中间层的厚度太大时，电阻隔效果太强，这可能会导致减敏或者由于重复使用而引起的电势增加。因此，当形成中间层时，中间层的厚度优选为0.1μm至3μm。另外，中间层此时可以用作底涂层。
电荷产生层
电荷产生层包含（例如）电荷产生材料和粘结剂树脂。此外，电荷产生层可以被构成为电荷产生材料的气相沉积膜。
电荷产生材料的例子包括：酞菁颜料，例如不含金属的酞菁、氯代镓酞菁、羟基镓酞菁、二氯酞菁锡和氧钛酞菁。特别地，例如，对于CuKα特性X射线，在至少7.4°、16.6°、25.5°和28.3°的布拉格角（2θ±0.2°）处具有明显的衍射峰的氯代镓酞菁晶体；对于CuKα特性X射线，在至少7.7°、9.3°、16.9°、17.5°、22.4°和28.8°的布拉格角（2θ±0.2°）处具有明显的衍射峰的不含金属的酞菁晶体；对于CuKα特性X射线，在至少7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°和28.3°的布拉格角（2θ±0.2°）处具有明显的衍射峰的羟基镓酞菁晶体；以及对于CuKα特性X射线，在至少9.6°、24.1°和27.2°的布拉格角（2θ±0.2°）处具有明显的衍射峰的氧钛酞菁晶体。此外，电荷产生材料的例子包括醌颜料、二萘嵌苯颜料、靛青颜料、二苯并咪唑颜料、蒽酮颜料和喹吖啶酮颜料。此外，作为电荷产生材料，这些例子可以单独使用，或者可以使用两种或者更多种的混合物。
构成电荷产生层的粘结剂树脂的例子包括：双酚A型或双酚Z型聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚芳酯树脂、聚酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物树脂、丙烯腈-丁二烯共聚物树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、聚乙烯醇缩甲醛树脂、聚砜树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物树脂、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物树脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-马来酸酐树脂、有机硅树脂、酚醛树脂、聚丙烯酰胺树脂、聚酰胺树脂和聚N-乙烯基咔唑树脂。作为粘结剂树脂，这些实例可以单独使用，或者可以使用两种或者更多种的混合物。
电荷产生材料与粘结剂树脂的混合比优选为（例如）10:1至1:10。
当形成电荷产生层时，使用了其中上述组分被添加到溶剂中的电荷产生层形成用涂布液。
将颗粒（例如，电荷产生材料的颗粒）分散在电荷产生层形成用涂布液中的方法的例子包括使用诸如球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机和水平型砂磨机等介质分散机；以及诸如搅拌机、超声波分散机、辊磨机和高压均质器等无介质分散机的方法。高压均质器的例子包括：碰撞型均质器，其在高压状态下通过液-液碰撞或液-壁碰撞而使分散体分散；以及贯通型均质器，其通过在高压状态下使分散体贯通细流路而使分散体分散。
用电荷产生层形成用涂布液涂布底涂层的方法的例子包括浸涂法、上推涂布法、线棒涂布法、喷涂法、刮板涂布法、刮刀涂布法和幕帘涂布法。
优选将电荷产生层的厚度设定在0.01μm至5μm的范围内，并且更优选0.05μm至2.0μm的范围内。
电荷输送层
电荷输送层包含电荷输送材料和任选的粘结剂树脂。
电荷输送材料的例子包括：空穴输送材料，例如噁二唑衍生物（如2,5-双(对二乙基氨基苯基)-1,3,4-噁二唑）、吡唑啉衍生物（例如1,3,5-三苯基-吡唑啉和1-[吡啶基-(2)]-3-(对二乙基氨基苯乙烯基)-5-(对二乙基氨基苯乙烯基)吡唑啉）、芳香族叔氨基化合物（例如三苯胺、N,N'-双(3,4-二甲基苯基)-联苯-4-胺、三(对甲基苯基)胺基-4-胺、和二苄基苯胺）、芳香族叔二氨基化合物（如N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基联苯胺）、1,2,4-三嗪衍生物（如3-(4'-二甲基氨基苯基)-5,6-二-(4'-甲氧基苯基)-1,2,4-三嗪）、腙衍生物（如4-二乙基氨基苯甲醛-1,1-二苯基腙）、喹唑啉衍生物（如2-苯基-4-苯乙烯基-喹唑啉）、苯并呋喃衍生物（如6-羟基-2,3-二(对甲氧基苯基)苯并呋喃）、α-二苯乙烯衍生物（如对(2,2-二苯基乙烯基)-N,N-二苯基苯胺）、烯胺衍生物、咔唑衍生物（如N-乙基咔唑）、和聚N-乙烯基咔唑及其衍生物；电子输送材料，例如醌类化合物（如氯醌或溴蒽醌）、四氰基喹啉并二甲烷化合物、芴酮化合物（如2,4,7-三硝基芴酮和2,4,5,7-四硝基-9-芴酮）、氧杂蒽酮化合物和噻吩化合物；以及在主链或支链中具有包括上述化合物的基团的聚合物。作为电荷输送材料，这些实例可以单独使用，或者可以使用两种或更多种的组合。
构成电荷输送层的粘结剂树脂的例子包括绝缘树脂，例如双酚A型或双酚Z型聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚芳酯树脂、聚酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物树脂、丙烯腈-丁二烯共聚物树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、聚乙烯醇缩甲醛树脂、聚砜树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物树脂、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物树脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-马来酸酐树脂、有机硅树脂、酚醛树脂、聚丙烯酰胺树脂、聚酰胺树脂、和氯橡胶；有机光电导性聚合物，例如聚乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、和聚乙烯基芘。作为粘结剂树脂，这些实例可以单独使用，或者可以使用两种或更多种的混合物。
电荷输送材料与粘结剂树脂的混合比优选为（例如）10:1至1:5。
使用其中上述组分被添加到溶剂中的电荷输送层形成用涂布液来形成电荷输送层。
用电荷输送层形成用涂布液来涂布电荷产生层的方法的例子包括公知的方法，例如浸涂法、上推涂布法、线棒涂布法、喷涂法、刮板涂布法、刮刀涂布法和幕帘涂布法。
优选将电荷输送层的厚度设置在5μm至50μm的范围内，更优选10μm至40μm的范围内。
保护层
任选地在感光层上提供保护层。提供保护层是为了防止具有层叠结构的感光体中的电荷输送层在充电时发生化学变化，以及进一步提高感光层的机械强度。
因此，优选使用包含交联物质（硬化物）的层作为保护层。该层的构造的实例包括公知的层构造，例如具有包含反应性电荷输送材料和任选的硬化树脂的组成的硬化层；以及电荷输送材料分散在硬化树脂中的硬化层。此外，作为保护层，可以使用电荷输送材料分散在粘结剂树脂中的层。
使用其中上述组分被添加到溶剂中的保护层形成用涂布液来形成保护层。
用保护层形成用涂布液涂布电荷产生层的方法的例子包括公知的方法，例如浸涂法、上推涂布法、线棒涂布法、喷涂法、刮板涂布法、刮刀涂布法和幕帘涂布法。
保护层的厚度优选设置在1μm至20μm的范围内，更优选在2μm至10μm的范围内。
单层型感光层
单层型感光层（电荷产生层与电荷输送层）可包含，例如，粘结剂树脂、电荷产生材料、以及电荷输送材料。这些材料与上述用于电荷产生层和电荷输送层的材料相同。
在单层型感光层中，电荷产生材料的含量优选为10重量%至85重量%，更优选为20重量%至50重量%。此外，电荷输送材料的含量优选为5重量%至50重量%。
形成单层型感光层的方法与形成电荷产生层或者电荷输送层的方法相同。单层型感光层的厚度优选为5μm至50μm，更优选为10μm至40μm。
其他
在根据本示例性实施方案的电子照相感光体中，为了防止感光体由于成像装置中产生的臭氧和氧化性气体，或者光和热而发生劣化，可将诸如抗氧化剂、光稳定剂和热稳定剂等添加剂添加到感光层或保护层中。
此外，为了增加灵敏度，以及降低残余电位和反复使用而造成的疲劳，可将至少一种电子接受性材料添加到感光层或保护层中。
此外，在感光层或保护层中，可将硅油作为流平剂添加到用于形成各层的涂布液中，以改善涂层的平滑性。
成像装置
接下来，对根据本示例性实施方案的成像装置进行描述。
图7为示意性示出根据本示例性实施方案的成像装置的实例的图。如图7所示的成像装置101包括（例如）被设置为可旋转的鼓状的（圆筒状的）根据本示例性实施方案的电子照相感光体7。围绕着电子照相感光体7，（例如）沿着电子照相感光体7的外周面的移动方向按以下顺序设置充电装置8、曝光装置10、显影装置11、转印装置12、清洁装置13以及除电装置14。任选地提供清洁装置13和除电装置14。
充电装置
充电装置8连接至电源9，并用电源9施加的电压为电子照相感光体7的表面充电。
充电装置8的例子包括使用导电性的充电辊、充电刷、充电膜、充电橡胶刀片、充电管等的接触充电装置。此外，充电装置8的例子包括非接触式辊充电装置和公知的充电装置，例如利用电晕放电的栅格充电器或电晕管充电器。作为充电装置8，接触充电装置是优选的。
曝光装置
曝光装置10通过使充电的电子照相感光体7暴露于光而在电子照相感光体7上形成静电潜像。
曝光装置10的例子包括这样的光学器件，其中电子照相感光体7的表面被成像地暴露于光（例如半导体激光、LED光和液晶快门光）。优选的是，光源的波长落在电子照相感光体7的光谱敏感范围内。优选的是，半导体激光的波长在（例如）振荡波长为约780nm的近红外范围内。然而，波长并不限于此范围。可以使用振荡波长为约600nm的激光，或振荡波长为400nm至450nm的作为蓝色激光的激光。此外，为了形成彩色图像，作为曝光装置10，例如，发射多光束的表面发射型激光源也是有效的。
显影装置
显影装置11通过使用显影剂使静电潜像显影而形成调色剂图像。优选的是，显影剂含有通过聚合反应得到的体积平均粒径为3μm至9μm的调色剂颗粒。显影装置11具有（例如）这样的构造：在含有包括调色剂和载体的双组分显影剂的容器中，包括在显影区域内面对电子照相感光体7设置的显影辊。
转印装置
转印装置12将显影在电子照相感光体7上的调色剂图像转印至转印介质上。
转印装置12的例子包括采用带、辊、膜、橡胶刀片等的接触转印充电装置；以及公知的转印充电装置，例如利用电晕放电的栅格转印充电器或电晕管转印充电器。
清洁装置
清洁装置13除去在转印后残留在电子照相感光体7上的调色剂。
优选的是，清洁装置13包括在线性压力为10g/cm至150g/cm下与电子照相感光体7接触的清洁刮刀。清洁装置13包括（例如）壳体、清洁刮刀和清洁刷，该清洁刷设置在清洁刮刀在电子照相感光体7的旋转方向上的下游。此外，例如，固体润滑剂与清洁刷接触设置。
除电装置
在转印调色剂图像后，除电装置14利用擦除光照射电子照相感光体7的表面从而擦除残留在电子照相感光体的表面上的电位。例如，除电装置14通过利用擦除光在轴向和宽度方向上照射电子照相感光体7的整个区域，除去了通过曝光装置10产生在电子照相感光体7的表面上的曝光部分和未曝光部分之间的电位差。
对除电装置14的光源没有特别的限制，其例子包括钨灯（例如，白光）和发光二极管（LED；例如，红光）。
定影装置
成像装置101包括定影装置15，其在转印过程后将调色剂图像定影在记录纸P上。对定影装置没有特别的限制，其例子包括公知的定影装置，例如加热辊定影装置和烘箱定影装置。
接下来，对根据本示例性实施方案的成像装置101的操作进行描述。首先，电子照相感光体7在沿着箭头A指示的方向旋转的同时，由充电装置8充电到负电位。
将由充电装置8充电到负电位的电子照相感光体7的表面由曝光装置10曝光，并在其上形成静电潜像。
当电子照相感光体7的形成静电潜像的部分靠近显影装置11时，调色剂通过显影装置11附着到静电潜像上，从而形成调色剂图像。
当形成调色剂图像的电子照相感光体7进一步沿着箭头A指示的方向旋转时，调色剂图像被转印装置12转印到记录纸P上。从而，在记录纸P上形成了调色剂图像。
形成在记录纸P上的调色剂图像被定影装置15定影在记录纸P上。
处理盒
根据本示例性实施方案的成像装置可以构造成（例如）包括根据本示例性实施方案的电子照相感光体7的处理盒可从成像装置上拆卸下来。
根据本示例性实施方案的处理盒不受限制，只要其至少包括根据本示例性实施方案的电子照相感光体7即可。例如，除了电子照相感光体7以外，处理盒还可以包括选自充电装置8、曝光装置10、显影装置11、转印装置12、清洁装置13、和除电装置14中的至少一种部件。
此外，根据本示例性实施方案的成像装置不限于上述构造。例如，在电子照相感光体7的附近，可以在转印装置12的电子照相感光体7的旋转方向上的下游、以及清洁装置13的电子照相感光体7的旋转方向上的上游提供用于校正残留的调色剂的极性并帮助清洁刷除去残留的调色剂的第一除电装置；或者可以在清洁装置13的电子照相感光体7的旋转方向上的下游、以及充电装置8的电子照相感光体7的旋转方向上的上游提供用于擦除电子照相感光体7的表面上的电荷的第二除电装置。
此外，根据本示例性实施方案的成像装置不限于上述构造，并且可采用公知的构造。例如，可以采用中间转印型成像装置，在该装置中，形成于电子照相感光体7上的调色剂图像被转印到中间转印介质上，然后被转印到记录纸P上；或者可以采用串联式成像装置。
根据本示例性实施方案的电子照相感光体可以适用于不包括除电装置的成像装置。
例子
下面将参照实施例和比较例对示例性实施方案进行详细说明，但其并不限于下述实施例。
实施例1
将100重量份作为金属氧化物颗粒的氧化锌（商品名：MZ-300，由Tayca公司制造）、10重量份作为偶联剂的10重量%的γ-氨基丙基三乙氧基硅烷（下文中，还称为“γ-APETS”）的甲苯溶液、以及200重量份的甲苯混合并搅拌，随后回流2小时。然后，在10mmHg下减压蒸馏除去甲苯，随后在135℃下烘焙2小时。
将33重量份的颗粒表面经过处理的氧化锌、6重量份的封端异氰酸酯（SUMIDUR3175，由Sumitomo Bayer Urethane公司制造）、0.7重量份的电子接受性化合物（示例性化合物（1-2））、以及25重量份的甲基乙基酮混合30分钟。然后，向其中加入5重量份丁醛树脂S-LEC BM-1（由Sekisui Chemical公司制造）、3重量份有机硅球（TOSPEARL 130，由GEToshiba Silicone公司制造）以及0.01重量份作为流平剂的硅油（SH29PA，由Dow CorningToray Silicone公司制造），随后用砂磨机分散2小时。从而得到分散液（底涂层形成用涂布液）。
此外，用浸涂法在直径30 nm，长404 mm，厚1 nm的铝基材上涂布该涂布液，并将该涂布液在180℃下干燥并硬化30分钟。由此获得厚度为20 μm的底涂层。
接下来，将15重量份的作为电荷产生材料的羟基镓酞菁、10重量份的氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物树脂（VMCH，由Nippon Unicar公司制造）和300重量份的正丁醇的混合物用砂磨机分散4小时。将所得分散液浸涂于底涂层上，然后在100℃下干燥10分钟。由此形成厚度为0.2 μm的电荷产生层。
此外，将其中4重量份的N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)- [1,1']联苯-4,4'-二胺和6重量份的双酚Z聚碳酸酯树脂（粘度平均分子量：40,000）被加入到25重量份的四氢呋喃和5重量份的氯苯中并溶于其中的涂布液涂布在电荷产生层上，然后在130℃下干燥40分钟。由此形成厚度为35 μm的电荷输送层。
通过上述过程，得到了感光体。
在所得的感光体中，按照上述方法测量底涂层对各波长的光线的透射率T1、T2和T3。结果如表1所示。
电子接受性化合物（示例性化合物（1-2））的最大吸收峰波长是550 nm。所测量的透射率T3为对波长为550 nm的光的透射率。
此外，将所得感光体安装至复印机“DocuCentre A450”（由FujiXerox公司制造；装置包括作为充电装置的接触式充电辊）上；并做如下评价。结果如表1所示。
雾化的评价
雾化通过如下方法评价，在该方法中，在28℃和80%RH的环境下，以A4纸的宽度方向供入，在300,000张纸上连续印刷尺寸为1cm×10cm、图像密度为100%的密实图像。通过视觉观察评价第一张印刷的图像（初始阶段）和第300,000张印刷的图像（印刷300,000张图像后）。
评价标准如下。
A：未观察到雾化
B：观察到少量雾化
C：观察到雾化
残余电位的评价
如下测量各实施例中得到的感光体的残余电位。
使用复印机“DocuCentre A450”（由Fuji Xerox公司制造），将电位测量探针安装在显影辊的一部分上；将所获得的除电后的感光体的表面电位作为残余电位。
在雾化的评价完成后（印刷300,000张图像后），进行上述测量以获得残余电位。将所获得的残余电位与初始阶段残余电位的差作为残余电位的增量，并用来评价残余电位。
评价标准如下。
A：残余电位的变化小于等于30V
B：残余电位的变化大于30V且小于等于60V
C：残余电位的变化大于60V
比较例1
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于分散液（底涂层形成用涂布液）的分散时间（作为金属氧化物颗粒的氧化锌的分散时间）改为15分钟。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
比较例2
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于分散液（底涂层形成用涂布液）的分散时间（作为金属氧化物颗粒的氧化锌的分散时间）改为5小时。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
比较例3
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于电子接受性化合物（示例性化合物（1-2））的添加量改为0.1重量份。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
实施例2
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于使用二氧化钛作为金属氧化物颗粒。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
实施例3
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于使用氧化锡作为金属氧化物颗粒。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
实施例4
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于使用示例性化合物（1-8）作为电子接受性化合物。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
电子接受性化合物（示例性化合物（1-8））的最大吸收峰波长是535nm。所测量的透射率T3是对波长为535nm的光的透射率。
实施例5
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于使用示例性化合物（1-14）作为电子接受性化合物。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
电子接受性化合物（示例性化合物（1-14））的最大吸收峰波长是540nm。所测量的透射率T3是对波长为540nm的光的透射率。
实施例6
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于使用示例性化合物（1-21）作为电子接受性化合物。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
电子接受性化合物（示例性化合物（1-21））的最大吸收峰波长是520nm。所测量的透射率T3是对波长为520nm的光的透射率。
比较例4
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于不添加电子接受性化合物。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
实施例7
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于分散时间改为3小时；并且电子接受性化合物的添加量改为0.5重量份。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
实施例8
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于分散时间改为1小时；并且电子接受性化合物的添加量改为0.5重量份。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
实施例9
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于分散时间改为3小时；并且电子接受性化合物的添加量改为1.5重量份。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
实施例10
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于分散时间改为1小时；并且电子接受性化合物的添加量改为1.5重量份。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
实施例11
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于电子接受性化合物的添加量改为3.5重量份。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
比较例5
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于分散时间改为5小时；并且电子接受性化合物的添加量改为0.1重量份。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
比较例6
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于分散时间改为3小时；并且电子接受性化合物的添加量改为0.1重量份。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
比较例7
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于分散时间改为1小时；并且电子接受性化合物的添加量改为0.1重量份。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
比较例8
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于分散时间改为15分钟；并且电子接受性化合物的添加量改为0.5重量份。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
比较例9
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于分散时间改为15分钟；并且电子接受性化合物的添加量改为0.1重量份。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
比较例10
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于分散时间改为5小时；并且电子接受性化合物的添加量改为0.5重量份。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
比较例11
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于分散时间改为5小时；并且电子接受性化合物的添加量改为0.1重量份。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
比较例12
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于分散时间改为5小时；并且电子接受性化合物的添加量改为1.5重量份。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
比较例13
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于分散时间改为15分钟；并且电子接受性化合物的添加量改为1.5重量份。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
比较例14
用和实施例1相同的方法制备感光体，不同之处在于金属氧化物颗粒的表面未经处理。使用该感光体进行相同的评价。结果如表1所示。
表1
从上述结果可以看出，当将实施例与比较例相比较时，初始阶段的残余电位和印刷300,000张图像后的残余电位之间的增加在实施例中得到了抑制。
提供对本发明示例性实施方案的上述描述是为了举例和说明。其并非旨在穷举，或将本发明限制为所公开的精确形式。明显地，对于本领域技术人员而言，许多变型和修改将是显而易见的。选择并描述这些实施方案为的是更好地说明本发明的原理及其实际应用，从而使得本领域技术人员理解本发明的多种实施方案，并且其多种变型适用于所预期的特定用途。本发明的范围旨在通过所附权利要求及其等同形式来限定。

Claims (14)

1.一种电子照相感光体，包括：
导电基材；
底涂层，该底涂层设置在所述导电基材上，并且包括粘结剂树脂、金属氧化物颗粒、和含有酸性基团的电子接受性化合物；以及
感光层，该感光层设置在所述底涂层上；
其中，当所述底涂层的厚度为20μm时，所述底涂层对波长为1000nm的光的透射率T1、所述底涂层对波长为650nm的光的透射率T2、以及所述底涂层对所述电子接受性化合物在300nm至1000nm的波长范围内具有最大吸收峰波长的光的透射率T3满足以下表达式（1）和（2）：
表达式（1）：5≤T1/T2≤40
表达式（2）：0.25≤-log10(T3)。
2.根据权利要求1所述的电子照相感光体，
其中所述T1/T2满足以下表达式（1-1）：
表达式（1-1）：8≤T1/T2≤38。
3.根据权利要求1所述的电子照相感光体，
其中所述T1/T2满足以下表达式（1-2）：
表达式（1-2）：10≤T1/T2≤35。
4.根据权利要求1所述的电子照相感光体，
其中所述-log10(T3)满足以下表达式（2-1）：
表达式（2-1）：0.3≤-log10(T3)≤3。
5.根据权利要求1所述的电子照相感光体，
其中所述-log10(T3)满足以下表达式（2-2）：
表达式（2-2）：0.35≤-log10(T3)≤2.7。
6.根据权利要求1所述的电子照相感光体，
其中所述电子接受性化合物为蒽醌衍生物。
7.根据权利要求1所述的电子照相感光体，
其中所述酸性基团为选自由羟基、羧基和磺酰基组成的组中的至少一者。
8.根据权利要求6所述的电子照相感光体，
其中所述蒽醌衍生物为由下式（1）表示的化合物：
其中，在所述式（1）中，n1和n2各自独立地代表0至3的整数，条件是n1和n2中的至少一者代表1至3的整数；m1和m2各自独立地代表0或1的整数；并且R1和R2各自独立地代表具有1至10个碳原子的烷基或具有1至10个碳原子的烷氧基。
9.根据权利要求8所述的电子照相感光体，
其中所述R1和所述R2代表具有1至6个碳原子的烷氧基。
10.根据权利要求8所述的电子照相感光体，
其中所述R1和所述R2代表选自由甲氧基、乙氧基、丙氧基和异丙氧基组成的组中的至少一种基团。
11.一种可从成像装置上拆卸下来的处理盒，包括：
根据权利要求1所述的电子照相感光体。
12.根据权利要求11所述的处理盒，还包括：
接触充电型充电单元，其对所述电子照相感光体的表面进行充电。
13.一种成像装置，包括：
根据权利要求1所述的电子照相感光体；
充电单元，其对所述电子照相感光体的表面进行充电；
静电潜像形成单元，其在所述电子照相感光体的充电表面上形成静电潜像；
显影单元，其利用调色剂使在所述电子照相感光体的表面上形成的所述静电潜像显影，从而形成调色剂图像；以及
转印单元，其将所述在所述电子照相感光体的表面上形成的调色剂图像转印至记录介质。
14.根据权利要求13所述的成像装置，
其中所述充电单元为接触充电型充电单元。
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