JP2014145841A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】残留電位の上昇を抑制する電子写真感光体を提供すること。
【解決手段】導電性基材１と、前記導電性基材１上に設けられた下引き層２と、下引き層上に設けられた感光層３と、を有し、下引き層２が、結着樹脂と、金属酸化物粒子と、酸性基を持つ電子受容性化合物と、を含有する下引き層２であって、厚みが２０μｍのときの波長１０００ｎｍの光に対する下引き層の透過率をＴ１、厚みが２０μｍのときの波長６５０ｎｍの光に対する下引き層の透過率をＴ２、厚みが２０μｍのときの波長３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内における前記電子受容性化合物の最大吸収ピーク波長の光に対する下引き層の透過率をＴ３としたとき、下記式（１）：５≦Ｔ１／Ｔ２≦４０及び式（２）：０．２５≦−ｌｏｇ_１０（Ｔ３）を満たす電子写真感光体である。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。

電子写真方式の画像形成装置は高速でかつ高印字の品質が得られ、複写機およびレーザービームプリンター等の画像形成装置において利用されている。画像形成装置において用いられる感光体としては、有機の光導電性材料を用いた有機感光体が主流となっている。有機感光体を製造する場合、例えば、アルミニウム基材の上に下引き層（中間層と呼ばれる場合もある）を形成し、その後、感光層、特に電荷発生層および電荷輸送層からなる感光層を形成する場合が多い。

例えば、特許文献１には、導電性支持体上に中間層を介して感光層を有する電子写真感光体において、該中間層が特定のポリアミド樹脂を含有することを特徴とする電子写真感光体が開示されている。

特許文献２には、感光体に形成されたトナー像を記録媒体に転写して画像を形成する画像形成装置において、前記感光体は、導電性基材と、前記導電性基材の周囲に形成された中間層と、前記中間層の周囲に形成された感光層と、を有し、前記中間層は、平均粒径が１００ｎｍ以下の金属酸化物微粒子を結着樹脂中に含有することを特徴とする画像形成装置が開示されている。

特許文献３には、導電性基体上に光導電層を設けた電子写真感光体において、導電性基体と光導電層との間に白色顔料と結着剤樹脂を主成分とし、かつ白色顔料と結着剤樹脂の使用割合が容量比で１／１〜３／１の範囲にある中間層を設けると共に、導電性基体と該中間層との間に結着剤樹脂による下引き層を設けたことを特徴とする電子写真感光体が開示されている。

特許文献４には、導電性基体と、該基体上に形成された中間層と、該中間層上に形成された感光層とを備える電子写真感光体であって、前記中間層が、金属酸化物微粒子及び結着樹脂を含有し、２８℃、８５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を印加したときの体積抵抗が１０8〜１０13Ω・ｃｍであり、且つ１５℃、１５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を印加したときの体積抵抗が２８℃、８５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を印可したときの体積抵抗の５００倍以下であることを特徴とする電子写真感光体が開示されている。

特許文献５には、電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を備え、前記電子写真感光体の外周面を所定方向に移動させながら帯電、露光、現像及び転写を行う画像形成装置であって、帯電から現像までに要する時間が可変となるように、前記電子写真感光体の外周面の移動速度を制御する制御手段を更に備え、前記電子写真感光体が少なくとも下引き層と感光層を有し、前記下引き層が少なくとも金属酸化物微粒子と該金属酸化物微粒子と反応可能な基を有するアクセプター性化合物とを含有することを特徴とする画像形成装置が開示されている。

特開平５−１１４８３号公報 特開２００２−１２３０２８号公報 特開平５−８０５７２号公報 特開２００３−１８６２１９号公報 特開２００６−３０６９８号公報

本発明の課題は、残留電位の上昇を抑制する電子写真感光体を提供することである。

上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項１に係る発明は、
導電性基材と、
前記導電性基材上に設けられ、結着樹脂と、金属酸化物粒子と、酸性基を持つ電子受容性化合物と、を含有し、厚みが２０μｍのときの波長１０００ｎｍの光に対する下引き層の透過率をＴ１、厚みが２０μｍのときの波長６５０ｎｍの光に対する下引き層の透過率をＴ２、厚みが２０μｍのときの波長３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内における前記電子受容性化合物の最大吸収ピーク波長の光に対する下引き層の透過率をＴ３としたとき、下記式（１）及び式（２）を満たす下引き層と、
前記下引き層上に設けられた感光層と、
を有する電子写真感光体。
・式（１）：５≦Ｔ１／Ｔ２≦４０
・式（２）：０．２５≦−ｌｏｇ_１０（Ｔ３）

請求項２に係る発明は、
前記電子受容性化合物が、アントラキノン誘導体である請求項１に記載の電子写真感光体。

請求項３に係る発明は、
前記アントラキノン誘導体が、下記一般式（１）で表される化合物である請求項２に記載の電子写真感光体。

（一般式（１）中、ｎ１及ｎ２は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。但し、ｎ１及ｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。Ｒ１及びＲ２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。）

請求項４に係る発明は、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。

請求項５に係る発明は、
前記電子写真感光体の表面を帯電する接触帯電方式の帯電手段をさらに備える請求項４に記載のプロセスカートリッジ。

請求項６に係る発明は、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を記録媒体に転写する転写手段と、
を備えた画像形成装置。

請求項７に係る発明は、
前記帯電手段が、接触帯電方式の帯電手段である請求項６に記載の画像形成装置。

請求項１に係る発明によれば、下引き層が式（１）及び式（２）を満たさない場合に比べ、残留電位の上昇を抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項２、３に係る発明によれば、電子受容性化合物がアントラキノン誘導体でない場合に比べ、残留電位の上昇を抑制する電子写真感光体が提供される。

請求項４に係る発明によれば、下引き層が式（１）及び式（２）を満たさない電子写真感光体を備えた場合に比べ、残留電位の上昇に起因する画像欠陥が抑制された画像が得られるプロセスカートリッジが提供される。
請求項５に係る発明によれば、下引き層が式（１）及び式（２）を満たさない電子写真感光体を備えた場合に比べ、非画像部にトナーが付着する現象（以下、「かぶり」と称する）が生じ易い接触帯電方式の帯電手段を備えたときであっても、かぶりが抑制された画像が得られるプロセスカートリッジが提供される。

請求項６に係る発明によれば、下引き層が式（１）及び式（２）を満たさない電子写真感光体を備えた場合に比べ、残留電位の上昇に起因する画像欠陥が抑制された画像が得られる画像形成装置が提供される。
請求項７に係る発明によれば、下引き層が式（１）及び式（２）を満たさない電子写真感光体を備えた場合に比べ、かぶりが生じ易い接触帯電方式の帯電手段を備えたときであっても、かぶりが抑制された画像が得られるプロセスカートリッジが提供される。

本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略図である。 本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の例を示す概略図である。 本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の例を示す概略図である。 本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の例を示す概略図である。 本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の例を示す概略図である。 本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の例を示す概略図である。 本実施形態に係る画像形成装置を示す概略構成図である。

以下、本発明の一例である実施形態について説明する。

＜電子写真感光体＞
本実施形態に係る電子写真感光体（以下、単に「感光体」と称することがある）は、導電性基材と、導電性基材上に設けられた下引き層と、下引き層上に設けられた感光層と、を有している。
下引き層は、結着樹脂と、金属酸化物粒子と、酸性基を持つ電子受容性化合物と、を含有している。
そして、下引き層は、厚みが２０μｍのときの波長１０００ｎｍの光に対する下引き層の透過率をＴ１、厚みが２０μｍのときの波長６５０ｎｍの光に対する下引き層の透過率をＴ２、厚みが２０μｍのときの波長３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内における前記電子受容性化合物の最大吸収ピーク波長の光に対する下引き層の透過率をＴ３としたとき、下記式（１）及び式（２）を満たす。
・式（１）：５≦Ｔ１／Ｔ２≦４０
・式（２）：０．２５≦−ｌｏｇ_１０（Ｔ３）

ここで、近年、例えば、印刷市場向け感光体に対しては、画質に関して特に要求が厳しくなっている。その要求に満足するために、電子写真感光体の下引き層に、結着樹脂と、金属酸化物粒子と、電子受容性化合物と、を配合して、下引き層の抵抗制御を行って、感光体の電気特性の安定化を図り、画質安定性を向上させる技術が知られている。

しかしながら、結着樹脂と金属酸化物粒子と電子受容性化合物とを配合した下引き層の組成としても、残留電位の上昇が生じることがある。
電子写真方式による画像形成プロセスにおいて、特に負帯電の場合、下引き層内の電荷の動きは、露光の際、感光層（例えば電荷発生層）で発生したキャリア（電子）が下引き層内へ注入されると考えられる。その注入されたキャリアは、下引き層内において、金属酸化物粒子内、その表面、及び電子受容性化合物を経由し、また、それらの間をホッピング伝導して行くと考えられる。その際、下引き層内の金属酸化物粒子の分散状態、電子受容性化合物の配合量により、キャリアの移動（伝導）は大きく影響を受けると考えられる。
このため、下引き層内の金属酸化物粒子の分散状態、電子受容性化合物の配合量によっては、下引き層内でキャリアが移動（伝導）し難くなって蓄積し、それにより感光層中の内部電場が著しく低下し、たとえば正孔が残留電荷となり残留電位が上昇すると考えられる。

これに対して、結着樹脂と金属酸化物粒子と酸性基を持つ電子受容性化合物とを含有する下引き層が、式（１）及び式（２）を満たすことにより、残留電位の上昇が抑制される。
この理由は定かではないが、以下に示す理由によるものと考えられる。

まず、金属酸化物粒子の分散状態が低い状態では、例えば、当該粒子が凝集体を形成して分散された状態（粒子径が大きな状態）となっているため、下引き層の光散乱が大きく、透過率が低い状態となると考えられる。
金属酸化物粒子の分散状態が高まって行くにつれ、例えば、当該粒子の凝集体が少なくなり（粒子径が小さくなり）、下引き層の光散乱が弱まり、近赤外領域の波長を持つ光に対する透過率から高まり始め、さらに分散状態が高まると、より波長の短い光である可視領域の光に対する透過率も次第に高まってゆくと考えられる。
つまり、式（１）の「Ｔ１／Ｔ２」は、ある程度、金属酸化物粒子の分散状態が高まった状態を示す大きな波長１０００ｎｍの光に対する下引き層（厚み２０μｍとしたときの下引き層）の透過率Ｔ１と、さらに、どの程度、金属酸化物の分散状態が高まった状態を示す小さな波長６５０ｎｍの光に対する下引き層（厚み２０μｍとしたときの下引き層）の透過率Ｔ２と、の比であり、金属酸化物粒子の分散状態の進行度合いを示している。
そして、式（１）の「Ｔ１／Ｔ２」が上記範囲であるとは、残留電位の上昇を抑制する観点から、金属酸化物粒子が適切な分散状態で下引き層に含まれていることを示している。具体的には、例えば、金属酸化物粒子が、当該粒子間の距離が均一で、且つ適切な距離を保った状態で、下引き層に含まれていることを示している。

一方、式（２）の「−ｌｏｇ_１０（Ｔ３）」は、波長３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内における電子受容性化合物の最大吸収ピーク波長の光に対する下引き層の透過率Ｔ３の常用対数のマイナス値である。つまり、電子受容性化合物由来の吸光度である。このため、式（２）の「−ｌｏｇ_１０（Ｔ３）」は、電子受容性化合物の下引き層内にどの程度配合されているかを示している。
そして、式（２）の「−ｌｏｇ_１０（Ｔ３）」が上記範囲であるとは、残留電位の上昇を抑制する観点から、電子受容性化合物の下引き層内に十分配合されていることを示している。

したがって、下引き層が式（１）及び式（２）を満たすにより、下引き層に注入されたキャリアが、下引き層内において、金属酸化物粒子内、その表面、及び電子受容性化合物を経由し、また、それらの間をホッピング伝導し、下引き層内でのキャリアの蓄積が抑えられるものと考えられる。

以上から、本実施形態に係る電子写真感光体では、残留電位の上昇が抑えられる。
また、本実施形態に係る感光体では、残留電位の上昇も抑えられることから、感光体電位のサイクル特性が向上（繰り返し使用よる感光体電位の変動が抑制）し、例えば、電子写真感光体の長寿命化が実現され易くなる。

そして、本実施形態に係る電子写真感光体を備えた画像形成装置（プロセスカートリッジ）では、残留電位の上昇に起因する画像欠陥（例えば、ゴースト（前サイクルの履歴による濃度変化））が抑制された画像が得られる。
また、特に、接触帯電方式の帯電手段を備える画像形成装置（プロセスカートリッジ）では、局所的な放電が発生し易く、下引き層の面内不均一が大きい場合異常放電が更に発生し易いと考えられる。
このため、接触帯電方式の帯電手段を備える画像形成装置（プロセスカートリッジ）では、かぶり（非画像部にトナーが付着する現象）が生じ易いが、本実施形態に係る電子写真感光体を適用すると、下引き層が式（１）及び（２）を満たすことにより、適切なインピーダンス（抵抗）を持つことから、下引き層の耐リーク性も向上していると考えられ、当該かぶりが抑制された画像が得られる。

以下、本実施形態に係る電子写真感光体について、図面を参照しつつ説明する。
図１乃至図６は、本実施形態に係る感光体の層構成の例を示す概略図である。図１に示す感光体は、導電性基材１と、導電性基材１の上に形成された下引き層２と、下引き層２の上に形成された感光層３と、から構成されている。
また、図２に示すように、感光層３は電荷発生層３１と電荷輸送層３２との２層構造でもよい。さらに、図３及び図４に示すように、感光層３上又は電荷輸送層３２上に保護層５を設けてもよい。また、図５及び図６に示すように、下引き層２と感光層３との間又は下引き層２と電荷発生層３１との間に中間層４を設けてもよい。

なお、中間層４は、下引き層２と感光層３との間又は下引き層２と電荷発生層３１との間に設けた態様を示しているが、導電性基体１と下引き層２との間に設けてもよい。無論、中間層４を設けない態様であってもよい。

次に、電子写真感光体の各要素について説明する。なお、符号は省略して説明する。

（導電性基材）
導電性基体としては、従来から使用されているものであれば、如何なるものを使用してもよい。例えば、薄膜（例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属類、及びアルミニウム、チタニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼、金、バナジウム、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の膜）を設けた樹脂フィルム等、導電性付与剤を塗布又は含浸させた紙、導電性付与剤を塗布又は含浸させた樹脂フィルム等が挙げられる。基体の形状は円筒状に限られず、シート状、プレート状としてもよい。

導電性基体として金属パイプを用いる場合、表面は素管のままであってもよいし、予め鏡面切削、エッチング、陽極酸化、粗切削、センタレス研削、サンドブラスト、湿式ホーニングなどの処理が行われていてもよい。

（下引き層）
−透過率−
下引き層は、式（１）を満たすが、残留電位の上昇を抑制する観点から、望ましくは下記式（１−１）、より望ましくは下記式（１−２）を満たすことがよい。
・式（１） ：５≦Ｔ１／Ｔ２≦４０
・式（１−１）：８≦Ｔ１／Ｔ２≦３８
・式（１−２）：１０≦Ｔ１／Ｔ２≦３５

ここで、式（１）中の「Ｔ１／Ｔ２」が５未満であると、金属酸化物粒子の分散状態が低く、下引き層の抵抗（インピーダンス）も低くなって、耐リーク性が確保され難くなる結果、かぶりが発生し易くなる。「Ｔ１／Ｔ２」が４０を超えると、金属酸化物粒子の分散状態が過剰に高まり、下引き層の抵抗（インピーダンス）も過剰に高くなり、下引き層内に電荷の蓄積が生じ易くなる結果、残留電位が上昇する。

式（１）中の「Ｔ１／Ｔ２」を上記範囲とするには、例えば、１）金属酸化物粒子の種類、添加量、及び粒径、２）金属酸化物粒子の表面処理剤種及び処理量、３）塗布液への金属酸化物粒子の分散条件（分散時間、分散温度）、４）下引き層の乾燥条件（乾燥時間、乾燥温度）等により行う。

下引き層は、式（２）を満たすが、残留電位の上昇を抑制する観点から、望ましくは下記式（２−１）、より望ましくは下記式（２−２）を満たすことがよい。
・式（２） ：０．２５≦−ｌｏｇ_１０（Ｔ３）
・式（２−１）：０．３≦−ｌｏｇ_１０（Ｔ３）≦３
・式（２−２）：０．３５≦−ｌｏｇ_１０（Ｔ３）≦２．７

ここで、式（２）中の「−ｌｏｇ_１０（Ｔ３）」が０．２５未満であると、電子受容性化合物の配合量が低くなり過ぎて、下引き層内に電荷の蓄積が生じ易くなる結果、残留電位が上昇する。
なお、「−ｌｏｇ_１０（Ｔ３）」が過剰に大きすぎると、電子受容性化合物の配合量が過剰に大きく、感光体上の同じ箇所を露光し続けた場合にその露光箇所のみハーフトーン上で画像濃度が高くなる焼付きを引き起こし易くなることがある。

式（２）中の「−ｌｏｇ_１０（Ｔ３）」を上記範囲とするには、例えば、１）電子受容性化合物の種類、及び配合量、２）下引き層の乾燥条件（乾燥時間、乾燥温度）、３）金属酸化物粒子の種類、４）金属酸化物粒子の表面処理剤の量等により行う。

厚み２０μｍのときの下引き層の透過率Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３の測定方法は、以下の通りである。
まず、電子写真感光体から、例えば、下引き層を被覆している電荷発生層、電荷輸送層等の塗膜を溶媒（例えばアセトン、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール等）を用いて除去し、露出された下引き層を導電性基材から剥ぎ取り、測定用の下引き層試料を得る。
次に、測定用の下引き層試料を電子写真感光体から剥離したのち、ガラスプレートに積層し、このプレートを用いて、Ｕ−２０００ Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ（日立製作所社製）により、下引き層試料の分光スペクトルを測定する。得られた分光スペクトルから、目的とする波長の光に対する吸光度を求め、この吸光度に基づき、当該目的とする波長の光に対する透過率を算出する。
そして、得られた下引き層試料の透過率ｔと下引き層試料の厚みＤ（ｍｍ）とから、次式（１１）により、厚み２０μｍのときの下引き層の透過率Ｔを算出する。

なお、透過率Ｔ３を求める際、波長３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内における前記電子受容性化合物の最大吸収ピーク波長は、上記波長範囲内における最大吸光度を示す波長とする。

−構成−
下引き層は、結着樹脂と、金属酸化物粒子と、電子受容性化合物と、を含んで構成されている。

・結着樹脂
結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂などの高分子樹脂化合物等が挙げられる。また、これら樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂も挙げられる。

・金属酸化物粒子
金属酸化物粒子としては、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化錫、酸化チタン、酸化亜鉛等の粒子が挙げられる。
これらの中もで、金属酸化物粒子としては、残留電位の上昇を抑制する観点から、酸化錫、酸化チタン、酸化亜鉛の粒子がよい。

金属酸化物粒子としては、望ましくは粒径が１００ｎｍ以下、特に１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の導電粉が望ましく用いられる。ここでいう粒径とは、平均１次粒径を意味する。金属酸化物粒子の平均１次粒径は、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察し測定される値である。
金属酸化物粒子の粒径が１０ｎｍ以下の場合、金属酸化物粒子の表面積が大きくなり、分散液の均一性が低下する場合がある。一方、金属酸化物粒子の粒径が１００ｎｍを越える場合、２次粒子、又はそれ以上の高次粒子は１μｍ程度の粒径になると予想され、下引き層内で金属酸化物粒子の存在する部分と存在しない部分、いわゆる海島構造となりやすく、例えばハーフトーン濃度の不均一など画質欠陥が発生する場合がある。

金属酸化物粒子としては１０４Ω・ｃｍ以上１０１０Ω・ｃｍ以下の粉体抵抗とすることが望ましい。これにより、下引き層は、電子写真プロセス速度に対応した周波数で適切なインピーダンスを得ることが実現され易くなる。
金属酸化物粒子の抵抗値が１０４Ω・ｃｍよりも低いと、インピーダンスの粒子添加量依存性の傾きが大きすぎて、インピーダンスの制御が難しくなる場合がある。一方、金属酸化物粒子の抵抗値が１０１０Ω・ｃｍよりも高いと残留電位の上昇を引き起こす場合がある。

金属酸化物粒子は、必要に応じて分散性等の諸特性の改善の目的で、少なくとも１種のカップリング剤で表面処理されていることがよい。
カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、及びアルミネート系カップリング剤から選ばれる少なくとも１種であることがよい。
具体的なカップリング剤の例としては、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート等のアルミネート系カップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、ビス（ジオクチルピロホスフェート）、イソプロピルトリ（Ｎ―アミノエチルーアミノエチル）チタネート等のチタネート系カップリング剤等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらのカップリング剤は２種以上を混合して使用してもよい。

カップリング剤の処理量は、金属酸化物粒子に対して、０．１質量％以上３質量％以下であることがよく、望ましくは０．３質量％以上２．０質量％以下、より望ましくは０．５質量％以上１．５質量％以下である。

なお、カップリング剤の処理量は、次のように測定する。
ＦＴ−ＩＲ法、２９Ｓｉ固体ＮＭＲ法、熱分析、ＸＰＳなどの分析法があるが、ＦＴ−ＩＲ法が最も簡便である。ＦＴ−ＩＲ法では通常のＫＢｒ錠剤法でも、ＡＴＲ法でもよい。少量の処理済金属酸化物粒子をＫＢｒと混合し、ＦＴ−ＩＲを測定することで、カップリング剤の処理量を測定する。

金属酸化物粒子は、上記カップリング剤で表面処理後、必要に応じて抵抗値の環境依存性等の改善のために熱処理を行ってもよい。熱処理温度は、例えば、１５０℃以上３００℃以下、処理時間は３０分以上５時間以下がよい。

金属酸化物粒子の含有量は、電気特性維持の観点から、３０質量％以上６０質量％以下が望ましく、３５質量％以上５５質量％以下がより望ましい。

・電子受容性化合物
電子受容性化合物は、下引き層に含有される金属酸化物粒子の表面と化学反応する材料、又は金属酸化物粒子の表面に吸着する材料であり、金属酸化物粒子の表面に選択的に存在し得る。

電子受容性化合物としては、酸性基を持つ電子受容性化合物が適用される。この酸性基としては、水酸基（フェノール水酸基）、カルボキシル基、スルホニル基等が挙げられる。
電子受容性化合物として具体的には、例えば、キノン系、アントラキノン系、クマリン系、フタロシアニン系、トリフェニルメタン系、アントシアニン系、フラボン系、フラーレン系、ルテニウム錯体、キサンテン系、ベンゾキサジン系、ポルフィリン系の化合物が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、ゴーストの抑制と共に、材料の安全性、入手性、電子輸送能力を考慮すると、アントラキノン系の材料（アントラキノン誘導体）が望ましく、特に下記一般式（１）で表される化合物であるが望ましい。

一般式（１）中、ｎ１及ｎ２は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。但し、ｎ１及ｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ１及ｎ２が同時に０を表さない）。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。Ｒ１及びＲ２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。

また、電子受容性化合物としては、下記一般式（２）で表される化合物であってもよい。

一般式（２）中、ｎ１、ｎ２、ｎ３、及びｎ４は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。ｎ１及ｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ１及ｎ２が同時に０を表さない）。ｎ３及ｎ４の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ３及ｎ４が同時に０を表さない）。ｒは、２以上１０以下の整数を示す。Ｒ１及びＲ２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。

ここで、一般式（１）及び（２）中、Ｒ１及びＲ２が表す炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、直鎖状、又は分鎖状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、望ましくは１以上８以下のアルキル基、より望ましくは１以上６以下のアルキル基である。
Ｒ１及びＲ２が表す炭素数１以上１０以下のアルコキシ基（アルコキシル基）としては、直鎖状、又は分鎖状のいずれでもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルコキシ基としては、望ましくは１以上８以下のアルコキシル基、より望ましくは１以上６以下のアルコキシル基である。

電子受容性化合物の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。

電子受容性化合物の含有量は、化学反応又は吸着する相手である金属酸化物粒子の金属酸化物粒子の表面積及び含有量と、各材料の電子輸送能力から決められるが、通常は０．０１質量％以上２０質量％以下の範囲がよく、より望ましくは０．１質量％以上１０質量％以下の範囲である。
電子受容性化合物の含有量が０．１質量％以下であるとアクセプター物質の効果が発現し難い場合がある。逆に、電子受容性化合物の含有量が２０質量％を越えると金属酸化物粒子同士の凝集を引き起こし易くなり、金属酸化物粒子が下引き層内で分布が不均一になり易く、良好な導電路を形成しにくくなる場合がある。そのため、残留電位が上昇し、ゴーストを発生させるだけでなく、黒点の発生、ハーフトーン濃度の不均一が発生する場合がある。
但し、電子受容性化合物の含有量は、式（２）を満たすように、調整される。

−その他添加剤−
その他添加剤としては、樹脂粒子が挙げられる。露光装置にレーザ等のコヒーレント光を用いた場合、モアレ像を防止することがよい。そのためには。下引き層の表面粗さを、使用する露光用レーザ波長λの１／４ｎ（ｎは上層の屈折率）以上１／２λ以下に調整することがよい。そこで、樹脂粒子を下引き層中に添加すると、表面粗さの調整が実現される。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂等が挙げられる。
また、その他添加剤としては、上記に限られず、周知の添加剤も挙げられる。

−下引き層の形成−
下引き層の形成の際には、上記成分を溶媒に加えた下引き層形成用塗布液が使用される。下引き層形成用塗布液は、例えば、金属酸化物粒子、必要に応じて、電子受容性化合物その他添加剤を予備混合又は予備分散したものを、結着樹脂に分散させてことで得られる。
下引き層形成用塗布液を得るために用いる溶剤としては前述した結着樹脂を溶解する公知の有機溶剤、例えばアルコール系、芳香族系、ハロゲン化炭化水素系、ケトン系、ケトンアルコール系、エーテル系、エステル系の溶剤が挙げられる。これらの溶剤は単独又は２種類以上混合して用いてもよい。
下引き層形成用塗布液に金属酸化物粒子を分散させる方法としては公知の分散方法が用いられる。例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカーなどが挙げられる。

下引き層形成用塗布液の塗布方法としては浸漬塗布法、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法など公知の塗布方法が用いられる。

下引き層は、ビッカース硬度が３５以上５０以下であることが望ましい。

下引き層の厚みは、残留電位の上昇を抑制する観点から、１５μｍ以上が望ましく、１５μｍ以上３０μｍ以下であることがより望ましく、２０μｍ以上２５μｍ以下が更に望ましい。

（中間層）
中間層は、例えば、下引き層と感光層との間に、電気特性向上、画質向上、画質維持性向上、感光層接着性向上などのために、必要に応じて設けられるものである。また、中間層は、導電性基体と下引き層との間に設けてもよい。

中間層に用いられる結着樹脂としては、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂などの高分子樹脂化合物のほかに、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、シリコンなどを含有する有機金属化合物などが挙げられる。これらの化合物は、単独に若しくは複数の化合物の混合物又は重縮合物として用いてもよい。中でも、ジルコニウム又はシリコンを含有する有機金属化合物は残留電位が低く環境による電位変化が少なく、また繰り返し使用による電位の変化が少ないなど点から好適である。

中間層の形成の際には、上記成分を溶媒に加えた中間層形成用塗布液が使用される。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。

なお、中間層は上層の塗布性改善の他に、電気的なブロッキング層の役割も果たすが、膜厚が大きすぎる場合には電気的な障壁が強くなりすぎて減感や繰り返しによる電位の上昇を引き起こすことがある。したがって、中間層を形成する場合には、０．１μｍ以上３μｍ以下の膜厚範囲に設定することがよい。また、この場合の中間層を下引層として使用してもよい。

（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含んで構成される。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着膜で構成されていてもよい。
電荷発生材料としては、無金属フタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、ジクロロスズフタロシアニン、チタニルフタロシアニン等のフタロシアニン顔料が挙げられ、特に、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．４゜、１６．６゜、２５．５゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．７゜、９．３゜、１６．９゜、１７．５゜、２２．４゜及び２８．８゜に強い回折ピークを有する無金属フタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．５゜、９．９゜、１２．５゜、１６．３゜、１８．６゜、２５．１゜及び２８．３゜に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも９．６゜、２４．１゜及び２７．２゜に強い回折ピークを有するチタニルフタロシアニン結晶が挙げられる。その他、電荷発生材料としては、キノン顔料、ペリレン顔料、インジゴ顔料、ビスベンゾイミダゾール顔料、アントロン顔料、キナクリドン顔料等が挙げられる。また、これらの電荷発生材料は、単独又は２種以上を混合して用いてもよい。

電荷発生層を構成する結着樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡタイプ又はビスフェノールＺタイプ等のポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリビニルアセテート樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリルニトリル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂等が挙げられる。これらの結着樹脂は、単独又は２種以上混合して用いてもよい。

なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、例えば１０：１乃至１：１０の範囲が望ましい。

電荷発生層の形成の際には、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液が使用される。
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。

電荷発生層形成用塗布液を下引層上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。

電荷発生層の膜厚は、望ましくは０．０１μｍ以上５μｍ以下、より望ましくは０．０５μｍ以上２．０μｍ以下の範囲に設定される。

（電荷輸送層）
電荷輸送層は、電荷輸送材料と、必要に応じて結着樹脂と、を含んで構成される。
電荷輸送材料としては、例えば、２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール誘導体、１，３，５−トリフェニル−ピラゾリン、１−［ピリジル−（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリン等のピラゾリン誘導体、トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−アミン、トリ（ｐ−メチルフェニル）アミニル−４−アミン、ジベンジルアニリン等の芳香族第３級アミノ化合物、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン等の芳香族第３級ジアミノ化合物、３−（４′−ジメチルアミノフェニル）−５，６−ジ−（４′−メトキシフェニル）−１，２，４−トリアジン等の１，２，４−トリアジン誘導体、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン誘導体、２−フェニル−４−スチリル−キナゾリン等のキナゾリン誘導体、６−ヒドロキシ−２，３−ジ（ｐ−メトキシフェニル）ベンゾフラン等のベンゾフラン誘導体、ｐ−（２，２−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン等のα−スチルベン誘導体、エナミン誘導体、Ｎ−エチルカルバゾール等のカルバゾール誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びその誘導体などの正孔輸送物質、クロラニル、ブロモアントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物等の電子輸送物質、及び上記した化合物からなる基を主鎖又は側鎖に有する重合体などが挙げられる。これらの電荷輸送材料は、１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

電荷輸送層を構成する結着樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡタイプ又はビスフェノールＺタイプ等のポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリルニトリル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド樹脂、塩素ゴム等の絶縁性樹脂、及びポリビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光導電性ポリマー等があげられる。これらの結着樹脂は、単独又は２種以上混合して用いてもよい。
なお、電荷輸送材料と上記結着樹脂との配合比は、例えば１０：１乃至１：５が望ましい。

電荷輸送層は、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液を用いて形成される。
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法を用いられる。

電荷輸送層の膜厚は、望ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より望ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲に設定される。

（保護層）
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、積層構造からなる感光体では帯電時の電荷輸送層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する為に設ける。
そのため、保護層は、架橋物（硬化物）を含んで構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、反応性電荷輸送材料と必要に応じて硬化性樹脂とを含む組成物の硬化層、硬化性樹脂に電荷輸送材料を分散させた硬化層等の周知の構成が挙げられる。また、保護層は、結着樹脂に電荷輸送材料を分散させた層で構成してもよい。

保護層は、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液を用いて形成される。
保護層形成用塗布液を電荷発生層上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法を用いられる。

保護層の膜厚は、例えば、望ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より望ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲に設定される。

（単層型の感光層）
単層型の感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、結着樹脂、電荷発生材料、電荷輸送材料を含んで構成される。これら材料については、電荷発生層や電荷輸送層で説明したものと同様である。
単層型の感光層において、電荷発生材料の含有量は１０質量％以上８５質量％以下が望ましく、より望ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。また、電荷輸送材料の含有量は５質量％以上５０質量％以下とすることが望ましい。
単層型の感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。単層型感光層の厚さは５μｍ以上５０μｍ以下が望ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下とするのがさらに望ましい。

（その他）
本実施形態に係る電子写真感光体において、感光層や保護層には、画像形成装置中で発生するオゾンや酸化性ガス、又は光・熱による感光体の劣化を防止する目的で、感光層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤などの添加剤を添加してもよい。
また、感光層や保護層には、感度の向上、残留電位の低減、繰り返し使用時の疲労低減等を目的として少なくとも１種の電子受容性物質を添加してもよい。
また、感光層や保護層には、各層を形成する塗布液にレベリング剤としてシリコーンオイルを添加し、塗膜の平滑性向上させてもよい。

＜画像形成装置＞
次に、本実施形態の画像形成装置について説明する。
図７は本実施形態の画像形成装置の一例を示す概略構成図である。図７に示す画像形成装置１０１は、例えば、回転可能に設けられた本実施形態のドラム状（円筒状）の電子写真感光体７を備えている。電子写真感光体７の周囲には、例えば、電子写真感光体７の外周面の移動方向に沿って、帯電装置８、露光装置１０、現像装置１１、転写装置１２、クリーニング装置１３及び除電装置（イレーズ装置）１４がこの順で配置されている。なお、クリーニング装置１３及び除電装置（イレーズ装置）１４は、必要に応じて配置される。

−帯電装置−
帯電装置８は、電源９に接続され、電源９により電圧が印加され、電子写真感光体７の表面を帯電する。
帯電装置８としては、例えば、導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触方式の帯電器が挙げられる。また、帯電装置２０としては、例えば、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も挙げられる。帯電装置２０としては、接触方式の型帯電器がよい。

−露光装置−
露光装置１０は、帯電した電子写真感光体７を露光して電子写真感光体７上に静電潜像を形成する。
露光装置１０としては、例えば、電子写真感光体１０表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体１０の分光感度領域にあるものがよい。半導体レーザの波長としては、例えば、７８０ｎｍ前後に発振波長を有する近赤外がよい。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、露光装置３０としては、例えばカラー画像形成のためにはマルチビーム出力するタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。

−現像装置−
現像装置１１は、静電潜像を現像剤により現像してトナー像を形成する。現像剤は、重合法により得られる体積平均粒子径３μｍ以上９μｍ以下のトナー粒子を含有することが望ましい。現像装置１１は、例えば、トナー及びキャリアからなる２成分現像剤を収容する容器内に、現像領域で電子写真感光体７に対向して配置された現像ロールが備えられた構成が挙げられる。

−転写装置−
転写装置１２は、電子写真感光体７上に現像されたトナー像を被転写媒体に転写する。 転写装置１２としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。

−クリーニング装置−
クリーニング装置１３は、転写後の電子写真感光体７上に残存するトナーを除去する。 クリーニング装置１３は、電子写真感光体７に対して線圧１０ｇ／ｃｍ以上１５０ｇ／ｃｍ以下で接するクリーニングブレードを有することが望ましい。クリーニング装置１３は、例えば、筐体と、クリーニングブレードと、クリーニングブレードの電子写真感光体７回転方向下流側に配置されるクリーニングブラシと、を含んで構成される。また、クリーニングブラシには、例えば、固形状の潤滑剤が接触して配置される。

−除電装置−
除電装置（イレーズ装置）１４は、トナー像を転写した後の電子写真感光体７の表面に除電光を照射して、電子写真感光体の表面に残留する電位を除電する。除電装置１４は、例えば、電子写真感光体７の軸方向幅方向全域にわたって除電光を照射して、電子写真感光体７の表面に生じた露光装置１０による露光部と非露光部との電位差を除去する。

除電装置１４の光源としては、特に制限はなく、例えば、タングステンランプ（例えば白色光）、発光ダイオード（ＬＥＤ：例えば赤色光）等が挙げられる。

−定着装置−
画像形成装置１００は、転写工程後の記録紙Ｐにトナー像を定着させる定着装置１５を備えている。定着装置としては、特に制限はなく、それ自体公知の定着器、例えば熱ローラ定着器、オーブン定着器等が挙げられる。

次に、本実施形態に係る画像形成装置１０１の動作について説明する。まず、電子写真感光体７が矢印Ａで示される方向に沿って回転すると同時に、帯電装置８により負に帯電する。

帯電装置８によって表面が負に帯電した電子写真感光体７は、露光装置１０により露光され、表面に静電潜像が形成される。

電子写真感光体７における静電潜像の形成された部分が現像装置１１に近づくと、現像装置１１により、静電潜像にトナーが付着し、トナー像が形成される。

トナー像が形成された電子写真感光体７が矢印Ａに方向にさらに回転すると、転写装置１２によりトナー像は記録紙Ｐに転写される。これにより、記録紙Ｐにトナー像が形成される。

画像が形成された記録紙Ｐは、定着装置１５でトナー像が定着される。

＜プロセスカートリッジ＞
本実施形態に係る画像形成装置は、例えば、前記した本実施形態に係る電子写真感光体７を備えたプロセスカートリッジを画像形成装置に着脱させる形態であってもよい。
本実施形態に係るプロセスカートリッジの構成は、少なくとも、前記本実施形態に係る電子写真感光体７を備えていればよく、電子写真感光体７のほかに、例えば、帯電装置８、露光装置１０、現像装置１１、転写装置１２、及びクリーニング装置１３、及び除電装置１４から選択される少なくとも１つの構成部材を備えていてもよい。

また、本実施形態に係る画像形成装置は、上記構成に限られず、例えば、電子写真感光体７の周囲であって、転写装置１２よりも電子写真感光体７の回転方向下流側でクリーニング装置１３よりも電子写真感光体７の回転方向上流側に、残留したトナーの極性を揃え、クリーニングブラシで除去しやすくするための第１除電装置を設けた形態であってもよいし、クリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向下流側で帯電装置８よりも電子写真感光体７の回転方向上流側に、電子写真感光体７の表面を除電する第２除電装置を設けた形態であってもよい。

また、本実施形態に係る画像形成装置は、上記構成に限れず、周知の構成、例えば、電子写真感光体７に形成したトナー像を中間転写体に転写した後、記録紙Ｐに転写する中間転写方式の画像形成装置を採用してもよいし、タンデム方式の画像形成装置を採用してもよい。

なお、本実施形態に係る電子写真感光体は、除電装置を備えていない画像形成装置にも適用してもよい。

以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。

［実施例１］
金属酸化物粒子として酸化亜鉛（商品名：ＭＺ−３００ テイカ株式会社製） １００質量部、カップリング剤としてγ−アミノプロピルトリエトキシシラン（以下「γ−ＡＰＴＥＳ」という場合がある）の１０質量％トルエン溶液１０質量部、トルエン２００質量部を混合、攪拌を行い、２時間還流を行った。その後１０ｍｍＨｇにてトルエンを減圧留去し、１３５℃で２時間焼き付け処理を行った。

表面処理した酸化亜鉛：３３質量部、ブロック化イソシアネート スミジュール３１７５（住友バイエルンウレタン社製）：６質量部、電子受容性化合物（例示化合物（１−２））：０．７質量部、メチルエチルケトン：２５質量部を３０分間混合し、その後ブチラール樹脂「エスレックＢＭ−１（積水化学社製）」：５質量部、シリコーンボール トスパール１３０（東芝シリコーン社製）：３質量部、レベリング剤シリコーンオイル「ＳＨ２９ＰＡ（東レダウコーニングシリコーン社製）」：０．０１質量部を添加し、サンドミルにて２時間の分散を行って、分散液（下引き層形成用塗布液）を得た。
さらに、この塗布液を浸漬塗布法にて直径３０ｍｍ、長さ４０４ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１８０℃、３０分の乾燥硬化を行い、厚さ２０μｍの下引き層を得た。

次に、電荷発生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニンを用い、その１５質量部、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニオンカーバイト社製）：１０質量部およびｎ−ブチルアルコール：３００質量部からなる混合物をサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液を、上記下引き層上に浸漬塗布し、１００℃、１０分乾燥して、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。

さらに、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１、１’］ビフェニル−４，４’−ジアミン：４質量部とビスフェノールＺポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量４万）：６質量部とをテトラヒドロフラン：２５質量部、クロロベンゼン：５質量部を加えて溶解した塗布液を電荷発生層上に形成し、１３０℃、４０分の乾燥を行うことにより膜厚３５μｍの電荷輸送層を形成した。

以上の工程を経て、感光体を得た。

得られた感光体の下引き層の各波長の光に対する透過率Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３について、既述の方法に従って、測定した。結果を表１に示す。
なお、電子受容性化合物（例示化合物（１−２））の最大吸収ピーク波長５５０ｎｍであり、透過率Ｔ３は、波長５５０ｎｍの光に対する透過率として求めた。

また、得られた感光体を富士ゼロックス社製複写機「ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ Ａ４５０」（帯電装置として接触帯電方式の帯電ロールを備える装置）に搭載し、以下の評価を行った。結果を表１に示す。

−かぶり評価−
かぶりの評価は、２８℃８０％ＲＨの環境下で、１ｃｍ×１０ｃｍの画像濃度１００％のベタ画像をＡ４短手方向送りで連続３０万枚出力し、１枚目に出力した画像（初期）、３０万出力後の画像（３０万枚出力後）として、目視にて行った。
評価基準は以下の通りである。
○：かぶりの発生なし
△：軽微にかぶり発生
×：かぶり発生

−残留電位評価−
各例で得られた感光体の残留電位について、次の測定を行った。
富士ゼロックス社製複写機「ＤｏｃｕＣｅｎｔｅｒｅ Ａ４５０」を用い、その現像ローラ―の箇所に電位測定用プローブを設置し、除電後の感光体表面電位を残留電位とした。
そして、かぶり評価終了後（３０万枚出力後）、上記測定を行い、得られた残留電位と初期の残留電位の差を残留電位上昇分として、残留電位について評価した。
評価基準は以下の通りである。
○：残留電位の変化量が３０Ｖ以下
△：残留電位の変化量が３０Ｖより大きく６０Ｖ以下
×：残留電位の変化量が６０Ｖより大きい

［比較例１］
分散液（下引き層形成用塗布液）の分散時間（金属酸化物粒子としての酸化亜鉛の分散時間）を１５分にしたこと以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［比較例２］
分散液（下引き層形成用塗布液）の分散時間（金属酸化物粒子としての酸化亜鉛の分散時間）を５時間にしたこと以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［比較例３］
電子受容性化合物（例示化合物（１−２））の添加量を０．１質量部にしたこと以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［実施例２］
金属酸化物粒子を酸化チタンにした以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［実施例３］
金属酸化物粒子を酸化スズにしたこと以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［実施例４］
電子受容性化合物を例示化合物（１−８）にしたこと以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。
なお、電子受容性化合物（例示化合物（１−８））の最大吸収ピーク波長５３５ ｎｍであり、透過率Ｔ３は、波長５３５ｎｍの光に対する透過率として求めた。

［実施例５］
電子受容性化合物を例示化合物（１−１４）にしたこと以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。
なお、電子受容性化合物（例示化合物（１−１４））の最大吸収ピーク波長５４０ｎｍであり、透過率Ｔ３は、波長５４０ｎｍの光に対する透過率として求めた。

［実施例６］
電子受容性化合物を例示化合物（１−２１）にしたこと以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。
なお、電子受容性化合物（例示化合物（１−２１））の最大吸収ピーク波長５２０ｎｍであり、透過率Ｔ３は、波長５２０ｎｍの光に対する透過率として求めた。

［比較例４］
電子受容性化合物を添加しなかった以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［実施例７］
分散時間を３時間、電子受容性化合物の添加量を０．５質量部にした以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［実施例８］
分散時間を１時間、電子受容性化合物の添加量を０．５質量部にした以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［実施例９］
分散時間を３時間、電子受容性化合物の添加量を１．５質量部にした以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［実施例１０］
分散時間を１時間、電子受容性化合物の添加量を１．５質量部にした以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［実施例１１］
電子受容性化合物の添加量を３．５質量部にした以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［比較例５］
分散時間を５時間、電子受容性化合物の添加量を０．１質量部にした以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［比較例６］
分散時間を３時間、電子受容性化合物の添加量を０．１質量部にした以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［比較例７］
分散時間を１時間、電子受容性化合物の添加量を０．１質量部にした以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［比較例８］
分散時間を１５分、電子受容性化合物の添加量を０．５質量部にした以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［比較例９］
分散時間を１５分、電子受容性化合物の添加量を０．１質量部にした以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［比較例１０］
分散時間を５時間、電子受容性化合物の添加量を０．５質量部にした以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［比較例１１］
分散時間を５時間、電子受容性化合物の添加量を０．１質量部にした以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［比較例１２］
分散時間を５時間、電子受容性化合物の添加量を１．５質量部にした以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［比較例１３］
分散時間を１５分、電子受容性化合物の添加量を１．５質量部にした以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

［比較例１４］
金属酸化物微粒子の表面処理をなくした以外は、実施例１と同様にして感光体を作製し、同様の評価を行った。結果を表１に示した。

上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、初期及び３０万枚出力後について、残留電位の上昇が抑制されることがわかる。

１ 導電性基材、２ 下引き層、３ 感光層、４ 中間層、５ 保護層、７ 電子写真感光体、８ 帯電装置（帯電手段の一例）、９ 電源、１０ 露光装置（静電潜像形成手段の一例）、１１ 現像装置（現像手段の一例）、１２ 転写装置（転写手段の一例）、１３ クリーニング装置（クリーニング手段の一例）、１４ 除電装置（除電手段の一例）、１５ 定着装置（定着手段の一例）、３１ 電荷発生層、３２ 電荷輸送層、１００，１０１ 画像形成装置、Ｐ 記録紙（記録媒体の一例）

Claims (7)

1. 導電性基材と、
   前記導電性基材上に設けられ、結着樹脂と、金属酸化物粒子と、酸性基を持つ電子受容性化合物と、を含有し、厚みが２０μｍのときの波長１０００ｎｍの光に対する下引き層の透過率をＴ１、厚みが２０μｍのときの波長６５０ｎｍの光に対する下引き層の透過率をＴ２、厚みが２０μｍのときの波長３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内における前記電子受容性化合物の最大吸収ピーク波長の光に対する下引き層の透過率をＴ３としたとき、下記式（１）及び式（２）を満たす下引き層と、
   前記下引き層上に設けられた感光層と、
   を有する電子写真感光体。
   ・式（１）：５≦Ｔ１／Ｔ２≦４０
   ・式（２）：０．２５≦−ｌｏｇ_１０（Ｔ３）
2. 前記電子受容性化合物が、アントラキノン誘導体である請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記アントラキノン誘導体が、下記一般式（１）で表される化合物である請求項２に記載の電子写真感光体。
   
   （一般式（１）中、ｎ１及ｎ２は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。但し、ｎ１及ｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。Ｒ１及びＲ２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。）
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
   画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。
5. 前記電子写真感光体の表面を帯電する接触帯電方式の帯電手段をさらに備える請求項４に記載のプロセスカートリッジ。
6. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
   前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
   帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
   前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像手段と、
   前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を記録媒体に転写する転写手段と、
   を備えた画像形成装置。
7. 前記帯電手段が、接触帯電方式の帯電手段である請求項６に記載の画像形成装置。