JP2018040844A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】繰り返し画像を形成したときに、前画像の履歴が残ることで生じる残像現象（ゴースト）の発生を抑制する電子写真感光体を提供すること。【解決手段】導電性基体と、 前記導電性基体上に設けられた下引層であって、結着樹脂、金属酸化物粒子、及び、アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物を含み、４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬが２％以上５％以下である下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有する電子写真感光体である。【選択図】図１

Description

本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。

電子写真方式の画像形成装置は、複写機およびレーザビームプリンター等の画像形成装置において利用されている。画像形成装置に用いられる電子写真感光体としては、有機の光導電性材料を用いた有機感光体が主流となっている。有機感光体を製造する場合、例えば、アルミニウム等の導電性基体の上に下引層（中間層と呼ばれる場合もある）を形成し、その後、感光層を形成する場合が多い。

例えば、特許文献１には、「中間層が、酸化チタンと、結着樹脂とを含むとともに、当該中間層の反射吸光度を０．０５以下の値とする電子写真感光体。」が開示されている。

また、特許文献２には、「白色顔料、バインダーからなる下引き層及び感光層を順次積層してなる電子写真感光体において、波長６００〜９００ｎｍの光での導電性基体の鏡面反射率に対する、導電性基体上に下引き層を積層した積層体の相対鏡面反射率が１６％以下である電子写真感光体。」が開示されている。

また、特許文献３には、屈折率２．０以上の金属酸化物粒子を含有する下引き層、および該層上に形成される感光層を有する電子写真感光体において、該下引き層が２μｍである場合に換算した、該導電性支持体の波長４８０ｎｍの光に対する正反射に対する、該下引き層の波長４８０ｎｍの光に対する正反射の比が、５０％以上である電子写真感光体。」が開示されている。

また、特許文献４には、「３９０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲にある露光光の全反射率が２０％〜８０％である下引層を有する電子写真感光体」が開示されている。

特開２００７−０９４２２６号公報 特開２０００−３４７４３３号公報 特開２０１０−１５２４０６号公報 特開２０１０−１４５４７３号公報

本発明の課題は、導電性基体上に設けられ、結着樹脂、金属酸化物粒子、及び、アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物を含む下引層を有する電子写真感光体において、下引層における「４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬ」が２％未満又は５％超えの場合に比べ、繰り返し画像を形成したときに、前画像の履歴が残ることで生じる残像現象（以下「ゴースト」ともいう）の発生を抑制する電子写真感光体を提供することである。

上記課題は、以下の手段により解決される。

請求項１に係る発明は、
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられた下引層であって、結着樹脂、金属酸化物粒子、及び、アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物を含み、４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬが２％以上５％以下である下引層と、
前記下引層上に設けられた感光層と、
を有する電子写真感光体。

請求項２に係る発明は、
前記４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬが、２％以上４％以下である請求項１に記載の電子写真感光体。

請求項３に係る発明は、
７５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＨに対する、前記４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬの比率が、５％以上２０％以下である請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。

請求項４に係る発明は、
７５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＨに対する、前記４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬの比率が、５％以上１５％以下である請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。

請求項５に係る発明は、
前記金属酸化物粒子が、酸化亜鉛粒子、及び酸化チタン粒子からなる群から選択される少なくとも一種である請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。

請求項６に係る発明は、
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。

請求項７に係る発明は、
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。

請求項８に係る発明は、
前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像が転写手段によって転写された後、前記電子写真感光体の表面が帯電手段によって帯電される前に、前記電子写真感光体の表面を除電する除電手段を備えない請求項７に記載の画像形成装置。

請求項１に係る発明によれば、導電性基体上に設けられ、結着樹脂、金属酸化物粒子、及び、アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物を含む下引層を有する電子写真感光体において、下引層の光の反射率ＲＬが２％未満又は５％超えの場合に比べ、ゴーストの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項２に係る発明によれば、下引層の光の反射率ＲＬが２％未満又は４％超えの場合に比べ、ゴーストの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項３に係る発明によれば、下引層における「光の反射率ＲＨに対する光の反射率ＲＬの比率」が５％未満又は２０％超えの場合に比べ、ゴーストの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項４に係る発明によれば、下引層における「光の反射率ＲＨに対する光の反射率ＲＬの比率」が５％未満又は１５％超えの場合に比べ、ゴーストの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。
請求項５に係る発明によれば、金属酸化物粒子が酸化錫粒子である場合に比べ、ゴーストの発生を抑制する電子写真感光体が提供される。

請求項６、又は７に係る発明によれば、導電性基体上に設けられ、金属酸化物粒子、及び、アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物を含む下引層を有する電子写真感光体において、下引層の光の反射率ＲＬが２％未満又は５％超えの電子写真感光体を備える場合に比べ、ゴーストの発生を抑制するプロセスカートリッジ、又は画像形成装置が提供される。
請求項８に係る発明によれば、導電性基体上に設けられ、金属酸化物粒子、及び、アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物を含む下引層を有する電子写真感光体において、下引層の光の反射率ＲＬが２％未満又は５％超えの電子写真感光体を備える場合に比べ、除電手段を備えなくても、ゴーストの発生を抑制する画像形成装置が提供される。

本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略部分断面図である。 本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の一例を示す概略部分断面図である。 本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の一例を示す概略部分断面図である。 本実施形態に係る画像形成装置を示す概略構成図である。 他の本実施形態に係る画像形成装置を示す概略構成図である。 下引層の反射率を測定する測定装置を説明するための模式図である。

以下、本発明の一例である実施形態について詳細に説明する。

［電子写真感光体］
本実施形態に係る電子写真感光体（以下、「感光体」とも称する）は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた下引層と、下引層上に設けられた感光層と、を有する。そして、下引層は、結着樹脂、金属酸化物粒子、及び、アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物（以下「アントラキノン系電子受容性化合物」とも称する。）を含み、４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬが２％以上５％以下である。

本実施形態に係る感光体は、上記構成により、ゴースト（繰り返し画像を形成したときに、前画像の履歴が残ることで生じる残像現象）の発生を抑制する。その理由は、次の通り推測される。

まず、電子写真方式の画像形成において、感光体は、帯電された後、静電潜像を形成するために露光される。そして、感光体が露光され、表面電位が減衰する過程で、感光層（例えば、機能分離型の感光層の場合、電荷発生層等）と下引層の界面では電荷の移動を伴う。このとき、結着樹脂、金属酸化物粒子、及びアントラキノン系電子受容性化合物を含む下引層において、電荷移動は金属酸化物粒子を介して行われ、アントラキノン系電子受容性化合物は電荷の授受を助ける作用をする。

しかし、感光層との界面周囲の下引層における金属酸化物粒子の分布が均一かつ緻密に近い状態になっていないと、感光層と下引層との界面での上記電荷の授受が阻害され、感光層と下引層との界面に電荷が蓄積すると考えられる。そして、繰り返し画像形成がなされると（つまり、感光体に対して、帯電及び露光が繰り返されると）、感光層と下引層との界面に電荷が蓄積し、蓄積した電荷がゴーストを生じさせていると推測される。

一方、アントラキノン系電子受容性化合物は、４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光に強い吸収を有する。そのため、アントラキノン系電子受容性化合物を含む下引層が反射する「４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射光」は、透過光成分（つまり下引層を透過して導電性基体で反射した光成分）が含まれず又は含んでも少ないため、表面での反射光成分と表面の周囲からの散乱光成分のみである。特に、表面の周囲からの散乱光成分の量は、金属酸化物粒子の分散状態（具体的には凝集状態）が反映する。

具体的には、金属酸化物粒子が凝集している程（つまり、金属酸化物粒子の分布が均質かつ緻密ではない状態程）、金属酸化物粒子によって光が散乱し、散乱光成分が増加する。つまり、下引層における「４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬ」が増加する。一方で、金属酸化物粒子が凝集していない程（つまり、金属酸化物粒子の分布が均質かつ緻密に近い状態程）、金属酸化物粒子によって光が散乱し難くなり、散乱光成分が低減する。つまり、下引層における「４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬ」が低減する。

そして、金属酸化物粒子が凝集している程、感光層と下引層との界面での上記電荷の授受が阻害され、感光層と下引層との界面に電荷が蓄積し、ゴーストが発生しやすくなる。一方で、過度に金属酸化物粒子の凝集が抑制されていても（つまり、金属酸化物粒子の分布が過度に均質かつ緻密に近い状態であっても）、ゴーストが発生しやすくなる。これは、電荷が注入するための部位の状態に適度な乱れがることで電荷が注入し易い部位から注入すると思われるが、過度に均質であると注入し易い部位が少なくなり電荷が蓄積しやすくなると考えられるためである。

そこで、下引層における「４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬ」を２％以上５％以下とし、金属酸化物粒子の凝集度合いを適度な状態（つまり、金属酸化物粒子の分布が適度に均質かつ緻密に近い状態）とする。それにより、感光層と下引層との界面での上記電荷の授受の阻害が抑えられ、感光層と下引層との界面に電荷の蓄積が低減する。

以上から、本実施形態に係る感光体は、ゴーストの発生を抑制すると推測される。

以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る電子写真感光体について詳細に説明する。
図１は、本実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す概略断面図である。図２、図３はそれぞれ本実施形態に係る電子写真感光体の他の一例を示す概略断面図である。

図１に示す電子写真感光体７Ａは、いわゆる機能分離型感光体（又は積層型感光体）であり、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に電荷発生層２、電荷輸送層３、及び保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ａにおいては、電荷発生層２及び電荷輸送層３により感光層が構成される。

図２に示す電子写真感光体７Ｂは、図１に示す電子写真感光体７Ａのごとく、電荷発生層２と電荷輸送層３とに機能が分離された機能分離型感光体である。
図２に示す電子写真感光体７Ｂにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に、電荷輸送層３、電荷発生層２、及び保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ｂにおいては、電荷輸送層３及び電荷発生層２により感光層が構成される。

図３に示す電子写真感光体７Ｃは、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一の層（単層型感光層６）に含有するものである。図３に示す電子写真感光体７Ｃにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に単層型感光層６が形成された構造を有するものである。

以下、代表例として図１に示す電子写真感光体７Ａの各要素について説明する。なお、符号は省略して説明する。

（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ未満であることをいう。

導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。

粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。

粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。

陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。

陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。

導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。

ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。

（下引層）
下引層は、結着樹脂、金属属酸化物粒子、及びアントラキノン系電子受容性化合物を含む。そして、下引層は、４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬが２％以上５％以下である。

反射率ＲＬは、２％以上５％以下であるが、ゴーストの発生抑制の観点から、２％以下４％以下が好ましい。
反射率ＲＬは、下引層形成塗布液の攪拌条件により金属酸化物粒子の凝集状態を制御して、調整される。具体的には、例えば、反射率ＲＬを２％以上５％以下とするには、分散機の回転数が速い状態で攪拌した後、低い状態で攪拌する、又は、速い状態と低い状態を繰り返して攪拌することがよい。また、下引層の厚さによっても、金属酸化物粒子の凝集状態を制御でき、反射率ＲＬを調整できる。

下引層は、７５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＨに対する、４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬの比率は、５％以上２０％以下が好ましく、５％以上１５％以下がより好ましく、７％以上１０％以下が更に好ましい。

アントラキノン系電子受容性化合物は７５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲の光の吸収が無い又は少ないため、７５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射光は表面での反射光成分と表面の周囲からの散乱光成分と共に、透過光成分（つまり下引層を透過して導電性基体で反射した光成分）も含まれる。そのため、下引層における「７５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＨ」は、７５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲の光に対する下引層全体の反射率に相当する。そして、理由は定かではないが、下引層全体の反射率に相当する反射率ＲＨに対する反射率ＲＬを上記範囲に低減することで、ゴーストが発生し難くなる。

ここで、下引層の「光の反射率」は、次に示す方法により測定する。
まず、使用する測定装置について説明する。図６に示すように、測定装置７０、光ファイバー束（直径１００）を内蔵し、測定対象に光照射及び照射した光を受光する光照射受光面７２Ａを有する二分岐ライトガイド７２と、二分岐ライトガイド７２の分岐した一方に接続された光源７４（ハロゲンランプ）と、二分岐ライトガイド７２の分岐した他方に接続された分光光度計７６（大塚電子社製 ＭＰＣＤ−３０００）とを備えた装置である。なお、図６中、７６は、下引層が形成された導電性基体を示す。

測定装置７０では、光源７４で照射した光を二分岐ライトガイド７２の光照射受光面７２Ａから測定対象に照射し、照射した光の反射光を二分岐ライトガイド７２の光照射受光面７２Ａで受光し、分光光度計７６で反射光のスペクトルを測定する。
なお、光照射受光面７２Ａにおいて、光ファイバー束の各光ファイバー端面は、光照射用の光ファイバーの端面、受光用の光ファイバーの端面が不規則（ランダム）に配置されている。

この測定装置７０を用いて、測定対象である「導電性基体上に形成されている下引層」の表面に、光源７４で照射した光を二分岐ライトガイド７２の光照射受光面７２Ａから照射し、照射した光の反射光を二分岐ライトガイド７２の光照射受光面７２Ａで受光し、分光光度計７６において４００ｎｍから８００ｎｍまでの反射光の強度を測定する。
なお、測定は、下引層の表面との距離を内蔵する光ファイバー束の直径（＝１ｍｍ）の１０倍（＝１０ｍｍ）とし、光の照射方向が導電性基体の軸方向に対して直交方向に沿うように（つまり、照射光と反射光とは共に導電性基体の軸方向に対して直交方向に沿うように）、二分岐ライトガイド７２の光照射受光面７２Ａを下引層の表面に対向して配置して実施する。

一方で、ガラス基板にアルミを蒸着した鏡面に対して上記同条件で４００ｎｍから８００ｎｍまでの反射光の強度を測定して、鏡面の反射光の強度を基準強度とし、基準強度に対する下引層の反射光の強度の比を、下引層の「光の反射率」とする。

そして、４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲での「基準強度に対する下引層の反射光の強度の比」の平均値を、その測定箇所での「４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率」とする。同様に、７５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲での「基準強度に対する下引層の反射光の強度の比」の平均値を、その測定箇所での「７５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率」とする。

次に、導電性基体の周方向の９０°毎に、上記操作を導電性基体の軸方向に沿って等間隔に１０箇所（計４０箇所）で実施し、各測定箇所での「４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率」を求め、その平均値を「４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬ」とする。同様に、各測定箇所での「７５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率」を求め、その平均値を「７５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＨ」とする。

なお、感光体から、下引層の反射率を測定するときは、感光層に切り込みを入れ、切り込みから感光層を剥がした後、必要に応じて、溶剤等で拭き取り作業を実施し、下引層を露出させる。そして、露出した下引層に対して、上記下引層の反射率の測定を実施する。

次に、下引層に用いる結着樹脂について説明する。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。

これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。

次に、金属酸化物粒子について説明する。
金属酸化物粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０^２Ωｃｍ以上１０^１１Ωｃｍ以下の金属酸化物粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する金属酸化物粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等が挙げられる。これらの中でも、金属酸化物粒子としては、ゴーストの発生抑制の観点から、酸化亜鉛粒子、及び酸化チタン粒子からなる群から選択される少なくとも一種が好ましく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
なお、金属酸化物粒子は１種単種で使用してもよいし、２種以上併用してもよい。

金属酸化物粒子の平均一次粒子径は、５００ｎｍ以下がよく、具体的には、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が更に好ましい。

金属酸化物粒子の一次粒子１００個をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）装置により観察する。観察したＳＥＭ画像における一次粒子の画像解析によって粒子ごとの最長径、最短径を測定し、この中間値から球相当径を測定する。得られた球相当径の個数基準の累積頻度における５０％径（Ｄ５０ｐ）を、金属酸化物粒子の平均一次粒径とする。

金属酸化物粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ^２／ｇ以上がよい。

金属酸化物粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。

金属酸化物粒子は、表面処理が施されていてもよい。
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。

アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。

表面処理剤の処理量は、例えば、金属酸化物粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。

次に、アントラキノン系電子受容性化合物について説明する。
アントラキノン系電子受容性化合物は、アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物である。アントラキノン系電子受容性化合物は、アントラキノン骨格に置換基（例えば、水酸基、アミノ基等）を有する化合物であってもよい。
アントラキノン系電子受容性化合物としては、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が挙げられる。

アントラキノン系電子受容性化合物の中でも、ゴーストの発生抑制の観点から、水酸基（ヒドロキシ基）を持つアントラキノン系電子受容性化合物が好ましい。水酸基を持つアントラキノン系電子受容性化合物は、アントラキノン骨格のうちの芳香環の水素原子の少なくとも一つが水酸基で置換された化合物であり、具体的には、下記一般式（１）で表される化合物、下記一般式（２）で表される化合物等が好ましく、下記一般式（１）で表される化合物がより好ましく、下記一般式（１Ａ）で表される化合物が更に好ましい。

一般式（１）中、ｎ１及ｎ２は、各々独立に０以上４以下の整数を表す。但し、ｎ１及ｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上４以下の整数を表す（つまり、ｎ１およびｎ２が同時に０を表さない）。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。Ｒ^１及びＲ^２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。

一般式（２）中、ｎ１、ｎ２、ｎ３、及びｎ４は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。ｎ１及ｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ１及ｎ２が同時に０を表さない）。ｎ３及ｎ４の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ３及ｎ４が同時に０を表さない）。ｒは、２以上１０以下の整数を示す。Ｒ^１及びＲ^２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。

ここで、一般式（１）及び（２）中、Ｒ^１及びＲ^２が表す炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、直鎖状、又は分岐状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、好ましくは１以上８以下のアルキル基、より好ましくは１以上６以下のアルキル基である。
Ｒ^１及びＲ^２が表す炭素数１以上１０以下のアルコキシ基としては、直鎖状、または分岐状のいずれでもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、オクトキシ基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルコキシ基としては、好ましくは炭素数１以上８以下のアルコキシ基、より好ましくは炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。

一般式（１Ａ）中、Ｒ^１１は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。ｎは１以上８以下の整数を表す。

一般式（１Ａ）中、Ｒ^１１が表す炭素数１以上１０以下のアルコキシ基としては、一般式（１）中におけるＲ^１及びＲ^２が表す炭素数１以上１０以下のアルコキシ基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
一般式（１Ａ）中、ｎとしては、好ましくは１以上７以下の整数、より好ましくは２以上５以下の整数である。

ここで、電子受容性化合物の具体的を以下に示す。但し、これらに限定されるものではない。
なお、下記の化合物の具体例において、「例示化合物」と称し、例えば、下記（１−１）の化合物であれば「例示化合物（１−１）」と称す。
また、下記例示化合物中、「Ｍｅ」はメチル基、「Ｅｔ」はエチル基、「Ｂｕ」はｎ−ブチル基、「Ｃ_５Ｈ_１１」はｎ−ペンチル基、「Ｃ_６Ｈ_１３」はｎ−ヘキシル基、「Ｃ_７Ｈ_１５」はｎ−ヘプチル基、「Ｃ_８Ｈ_１７」はｎ−オクチル基、「Ｃ_９Ｈ_１９」はｎ−ノニル基、「Ｃ_１０Ｈ_２１」はｎ−デシル基を表す。

電子受容性化合物は、下引層中に金属酸化物粒子と共に分散して含まれていてもよいし、金属酸化物粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。

電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。

乾式法は、例えば、金属酸化物粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。

湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、金属酸化物粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に金属酸化物粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。

なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を金属酸化物粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。

電子受容性化合物の含有量は、例えば、金属酸化物粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。

下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように金属酸化物粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。

添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。

チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。

アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。

これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。

下引層の形成は、上述のような操作により反射率ＲＬを満たすように調整すれば、特に制限されないが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。

下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。

下引層形成用塗布液を調製するときの金属酸化物粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。

下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

下引層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。
特に、反射率ＲＬを上記範囲とし、ゴーストの発生を抑制する観点から、下引層の膜厚は、１０〜５０μｍが好ましく、１５〜３５μｍがより好ましい。

（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。

中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。

中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。

（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。

電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。

これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。

一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。

４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。

これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。

電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。

なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。

電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。

電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。

電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。

電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。

（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。

電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。

電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。

構造式（ａ−１）中、Ａｒ^Ｔ１、Ａｒ^Ｔ２、及びＡｒ^Ｔ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ_６Ｈ_４−Ｃ（Ｒ^Ｔ４）＝Ｃ（Ｒ^Ｔ５）（Ｒ^Ｔ６）、又は−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ７）（Ｒ^Ｔ８）を示す。Ｒ^Ｔ４、Ｒ^Ｔ５、Ｒ^Ｔ６、Ｒ^Ｔ７、及びＲ^Ｔ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。

構造式（ａ−２）中、Ｒ^Ｔ９１及びＲ^Ｔ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。Ｒ^Ｔ１０１、Ｒ^Ｔ１０２、Ｒ^Ｔ１１１及びＲ^Ｔ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ（Ｒ^Ｔ１２）＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１３）（Ｒ^Ｔ１４）、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１５）（Ｒ^Ｔ１６）を示し、Ｒ^Ｔ１２、Ｒ^Ｔ１３、Ｒ^Ｔ１４、Ｒ^Ｔ１５及びＲ^Ｔ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。

ここで、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ７）（Ｒ^Ｔ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１５）（Ｒ^Ｔ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。

高分子電荷輸送材料としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。

電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。

電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。

電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。

電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。

（保護層）
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。

１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）

反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、−ＯＨ、−ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、−ＮＨ_２、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳｉＲ^Ｑ１ _３−Ｑｎ（ＯＲ^Ｑ２）_Ｑｎ［但し、Ｒ^Ｑ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、Ｒ^Ｑ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１〜３の整数を表す］等の周知の反応性基が挙げられる。

連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、スチリル基（ビニルフェニル基）、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、スチリル基（ビニルフェニル基）、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。

反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。

これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。

保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。

保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。

保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。

（単層型感光層）
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して１０質量％以上８５質量％以下がよく、好ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。

［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。

ただし、トナー像の転写後（つまり電子写真感光体の表面に形成されたトナー像が転写手段によって転写された後）、帯電前（つまり電子写真感光体の表面が帯電手段によって帯電される前）に、電子写真感光体の表面を除電する除電手段を備えない場合、特に、感光層と下引層との界面で電荷が蓄積し、ゴーストが生じやすい。しかし、本実施形態に係る電子写真感光体を適用することで、除電手段を備えない場合であっても、ゴーストの発生が抑制されやすくなる。

中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。

なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。

図４は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図４に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。

図４におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。

なお、図４には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。

−帯電装置−
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。

−露光装置−
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。

−現像装置−
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。

現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。

−クリーニング装置−
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。

−転写装置−
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。

−中間転写体−
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。

図５は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図５に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。

なお、本実施形態に係る画像形成装置１００は、上記構成に限られず、例えば、電子写真感光体７の周囲であって、転写装置４０よりも電子写真感光体７の回転方向下流側でクリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、残留したトナーの極性を揃え、クリーニングブラシで除去しやすくするための第１除電装置を設けた形態であってもよいし、クリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向下流側で帯電装置８よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、電子写真感光体７の表面を除電する第２除電装置を設けた形態であってもよい。

また、本実施形態に係る画像形成装置１００は、上記構成に限られず、周知の構成、例えば、電子写真感光体７に形成したトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の画像形成装置を採用してもよい。

以下、実施例により本実施形態を詳細に説明するが、本実施形態は、これら実施例に何ら限定されるものではない。なお、以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」はすべて質量基準である。

＜実施例１＞
〔下引層の形成〕
金属酸化物粒子として酸化亜鉛粒子（商品名：ＭＺ−３００、テイカ社製、平均一次粒子径＝３５ｎｍ）：１００質量部、シランカップリング剤として、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシランの１０質量％のトルエン溶液：１０質量部、及びトルエン：２００質量部を混合して攪拌を行い、２時間還流を行った。その後、１０ｍｍＨｇにてトルエンを減圧留去し、１３５℃で２時間焼き付け表面処理を行った。

表面処理した酸化亜鉛：３３質量部、ブロック化イソシアネート（商品名：スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）：６質量部、電子受容性化合物として下記式（Ｘ）で表されるアントラキノン系電子受容性化合物：１質量部、及びメチルエチルケトン：２５質量部を３０分間混合し、その後、ブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−１、積水化学工業社製）：５質量部、シリコーンボール（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）：３質量部、レベリング剤としてシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２９ＰＡ、東レダウコーニングシリコーン社製）：０．０１質量部を添加し、サンドミル（商品名「ダイノーミル（製造元シンマルエンタープライゼス社製））にて、ディスクの回転数１６００ｒｐｍ、４時間の分散条件で第一の分散を行った後、さらにサンドミルのディスクの回転数を半減（８００ｒｐｍ）、１２時間の分散条件で第二の分散を行い、下引層形成用塗布液を得た。

得られた下引層形成用塗布液を用いて、浸漬塗布法にて直径４０ｍｍ、長さ３４０ｍｍ、肉厚１．０ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１８０℃、３０分の乾燥硬化を行い、厚さ２３．５μｍの下引層を得た。

〔電荷発生層の形成〕
次に、電荷発生材料としてヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料：１８質量部、結着樹脂として塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（商品名：ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）：１６質量部、及びｎ−酢酸ブチル：１００質量部からなる混合物を、容量１００ｍＬガラス瓶中に１.０ｍｍφガラスビーズを充填率５０％とともに入れてペイントシェーカーにより２．５時間分散処理し、電荷発生層用塗布液を得た。得られた塗布液を、下引層上に浸漬塗布し、１００℃で５分間乾燥して、膜厚０．２０μｍの電荷発生層を形成した。

〔電荷輸送層の形成〕
次に、下記式（ＣＴ１）で表される化合物：２質量部、下記式（ＣＴ２）で表される化合物：２質量部、及び下記式（ＰＣ１）で表されるポリカーボネート共重合樹脂（分子量４万）６質量部を、テトラヒドロフラン６０重量部を加えて溶解して、電荷輸送層形成「用塗布液を得た。得られた電荷輸送層形成用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布し、１５０℃、３０分の乾燥を行うことにより膜厚２４μｍの電荷輸送層を形成した。

以上の工程を経て、実施例１の電子写真感光体を得た。

＜実施例２〜１１、比較例１〜３＞
表１に従って、下引き層形成用塗布液を調製するときの第一の分散及び第二の分散の分散条件と、下引層の膜厚と、金属酸化物粒子の種類。平均一次流子径（Ｄ５０ｐ）及び部数（表面処理した金属酸化物粒子の部数）と、電子受容性化合物の種類及び部数とを変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜５の電子写真感光体を得た。
なお、実施例６、７は金属酸化物粒子として酸化亜鉛粒子（商品名：ＭＺ−２００、テイカ社製、平均一次粒子径＝５０ｎｍ）を使用した。
実施例９は金属酸化物粒子として酸化チタン粒子（商品名：ＴＡＦ５００Ｊ、富士チタン工業社製、平均一次粒子径＝５０ｎｍ）を使用した。
実施例１０は金属酸化物粒子として酸化錫粒子（商品名：Ｓ−１、三菱マテリアル社製、平均一次粒子径＝２５ｎｍ）を使用した。
実施例１１は電子受容性化合物として電子受容性化合物として下記式（Ｙ）で表されるアントラキノン系電子受容性化合物を使用した。

＜測定＞
各例の電子写真感光体の作製において、下引層を形成した段階で、既述の方法に従って。下引層における「４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬ」及び「７５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＨ」を測定した。

＜評価＞
（ゴーストの評価）
各例で得られた電子写真感光体を、除電光を消灯できるように改造した電子写真式画像形成装置（富士ゼロックス社製：ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ−Ｖ Ｃ７７７６）に搭載し、気温１０℃、湿度１５％ＲＨで画像出力を行った。

具体的には、Ａ３サイズの用紙に３０％濃度の全面ハーフトーン画像を連続１００枚出力した後、Ａ３サイズの用紙に１００％濃度の２ｃｍ正方形画像と、その感光体一周（約９４ｍｍ）後方に３０％濃度のハーフトーン画像を配した画像を１枚出力し、ゴースト評価用画像とした。このゴースト評価用画像を用いて、３０％濃度のハーフトーン画像上での正方形画像のゴーストの発生度合いを目視にて観察した。

そして、官能評価にてグレード判定を実施した。グレード判定はＧ０〜Ｇ５をＧ１刻みで行い、Ｇの右側の数値が小さい程、評価結果が良好であること（つまり、ゴースト発生度合いが小さいこと）を示す。ゴースト評価の許容範囲はＧ３以下である。
なお、ゴーストの評価は、除電光を点灯（除電あり）した場合と、除電光を消灯（除電なし）した場合の双方で行った。

上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、ゴーストの発生が抑制されていることがわかる。特に、除電光なしの場合、ゴーストが発生しやすくなるが、本実施例では、ゴーストの発生が抑制されていることがわかる。

１ 下引層、２ 電荷発生層、３ 電荷輸送層、４ 導電性基体、６ 単層型感光層、７ 電子写真感光体、８ 帯電装置、９ 露光装置、１１ 現像装置、１３ クリーニング装置、１４ 潤滑材、４０ 転写装置、５０ 中間転写体、１００ 画像形成装置、１２０ 画像形成装置、１３１ クリーニングブレード、１３２ 繊維状部材、１３３ 繊維状部材、３００ プロセスカートリッジ

Claims (8)

1. 導電性基体と、
   前記導電性基体上に設けられた下引層であって、結着樹脂、金属酸化物粒子、及び、アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物を含み、４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬが２％以上５％以下である下引層と、
   前記下引層上に設けられた感光層と、
   を有する電子写真感光体。
2. 前記４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬが、２％以上４％以下である請求項１に記載の電子写真感光体。
3. ７５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＨに対する、前記４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬの比率が、５％以上２０％以下である請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
4. ７５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＨに対する、前記４７０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の波長範囲の光の反射率ＲＬの比率が、５％以上１５％以下である請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
5. 前記金属酸化物粒子が、酸化亜鉛粒子、及び酸化チタン粒子からなる群から選択される少なくとも一種である請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
6. 請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
   画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
7. 請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
   前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
   帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
   トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
   前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
   を備える画像形成装置。
8. 前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像が転写手段によって転写された後、前記電子写真感光体の表面が帯電手段によって帯電される前に、前記電子写真感光体の表面を除電する除電手段を備えない請求項７に記載の画像形成装置。