JP5434105B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 - Google Patents
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Description
(一般式(I)及び(II)において、l、v及びwは1以上の正数を、p、r、s、tは0又は1以上の正数を、qは1以上7以下の正数を、R 11 、R 12 、R 13 及びR 14 は水素原子又はアルキル基を、Qはアルキレン鎖、ハロゲン置換アルキレン鎖、S、O、NH又は単結合を、Yはアルキレン鎖、ハロゲン置換アルキレン鎖、(C z H 2z−1 (OH))又は単結合を表す。zは1以上の正数を表す。)
(R 1 ) k Si(OR 2 ) 4−k …(1)
(式(1)において、R 1 はフェニル基、エチルフェニル基、ピリジルエチル基、又はナフチル基を表し、R 2 はアルキル基を表し、kは1以上3以下の正数を表す。)
図1は、実施形態に係る電子写真感光体を示す模式断面図である。図1に示す電子写真感光体1は、導電性支持体2と、感光層3とから構成されている。そして、感光層3は、導電性支持体2上に、下引層4、電荷発生層5、電荷輸送層6がこの順序で積層された構造を有している。図1に示す電子写真感光体1では、感光層3の導電性支持体2から最も遠い位置に設けられている電荷輸送層6が、比表面積300m2/g以下である絶縁性無機粒子を、芳香族系官能基を有する化合物で被覆処理して得られる被覆絶縁性無機粒子と、フッ素含有有機系粒子とを含有する最表面層である。これにより、耐久性に優れ、且つ、細線及びハーフトーンを十分に再現でき、高品質の画像を形成することが可能となる。
(R1)k−Si−(OR2)4−k …(1)
図6は、画像形成装置の好適な一実施形態を示す模式断面図である。図6に示す画像形成装置200は、上述した本実施形態に係る電子写真感光体1と、電子写真感光体1を帯電させるための接触帯電方式の帯電装置(接触帯電装置)28と、帯電装置28に接続された電源29と、帯電装置28により帯電される電子写真感光体1を露光して静電潜像を形成するための露光装置10と、露光装置10により形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成するための現像装置11と、現像装置11により形成されたトナー像を被転写媒体20に転写するための転写装置12と、クリーニング装置13と、除電器(イレーズ光照射装置)14と、定着装置15とを備える。
酸化亜鉛(平均粒子径:70nm、テイカ社製、比表面積値:15m2/g)100質量部をメタノール500質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤として、KBM603(信越化学社製)1.25質量部を添加し、2時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、120℃で3時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛微粒子を得た。
表面処理剤としてフェニルトリメトキシシランに代えて2−フェニルエチルトリメトキシシランを10質量部用いたこと以外は実施例1と同様にして、被覆二酸化ケイ素微粒子を作製した。そして、この被覆二酸化ケイ素微粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、電子写真感光体を得た。
表面処理剤としてフェニルトリメトキシシランに代えて1−ナフチルトリメトキシシランを10質量部用いたこと以外は実施例1と同様にして、被覆二酸化ケイ素微粒子を作製した。そして、この被覆二酸化ケイ素微粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、電子写真感光体を得た。
表面処理剤としてフェニルトリメトキシシランに代えて4−ピリジルエチルトリエトキシシランを10質量部用いたこと以外は実施例1と同様にして、被覆二酸化ケイ素微粒子を作製した。そして、この被覆二酸化ケイ素微粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、電子写真感光体を得た。
絶縁性無機粒子として平均粒子径:300nm、比表面積値:11.3m2/gの二酸化ケイ素を用いたこと、二酸化ケイ素100質量部に対してフェニルトリメトキシシラン(表面処理剤)を10質量部用いたこと以外は実施例1と同様にして、被覆二酸化ケイ素微粒子を作製した。そして、この被覆二酸化ケイ素微粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、電子写真感光体を得た。
絶縁性無機粒子として平均粒子径:20nm、比表面積値:90m2/gの二酸化ケイ素を用いたこと、二酸化ケイ素100質量部に対してフェニルトリメトキシシラン(表面処理剤)を10質量部用いたこと以外は実施例1と同様にして、被覆二酸化ケイ素微粒子を作製した。そして、この被覆二酸化ケイ素微粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、電子写真感光体を得た。
絶縁性無機粒子として平均粒子径:14nm、比表面積値:150m2/gの二酸化ケイ素を用いたこと、二酸化ケイ素100質量部に対してフェニルトリメトキシシラン(表面処理剤)を10質量部用いたこと以外は実施例1と同様にして、被覆二酸化ケイ素微粒子を作製した。そして、この被覆二酸化ケイ素微粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、電子写真感光体を得た。
絶縁性無機粒子として平均粒子径:7nm、比表面積値:300m2/gの二酸化ケイ素を用いたこと、二酸化ケイ素100質量部に対してフェニルトリメトキシシラン(表面処理剤)を10質量部用いたこと以外は実施例1と同様にして、被覆二酸化ケイ素微粒子を作製した。そして、この被覆二酸化ケイ素微粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、電子写真感光体を得た。
絶縁性無機粒子として二酸化ケイ素に代えて平均粒子径:31nm、比表面積値:33m2/gのアルミナ(Al2O3)を用いたこと、アルミナ100質量部に対してフェニルトリメトキシシラン(表面処理剤)を10質量部用いたこと以外は実施例1と同様にして、被覆アルミナ微粒子を作製した。そして、この被覆アルミナ微粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、電子写真感光体を得た。
4フッ化エチレン樹脂粒子を配合しなかったこと、フッ化アルキル基含有メタクリルコポリマーを配合しなかったこと以外は実施例1と同様にして、電子写真感光体を得た。
被覆絶縁性無機粒子を配合しなかったこと、A液の調製時における4フッ化エチレン樹脂粒子の量を1.4質量部としたこと以外は実施例1と同様にして、電子写真感光体を得た。
絶縁性無機粒子として平均粒子径:100nm以下、比表面積値:690m2/gの二酸化ケイ素(シリカゲル)を用いたこと、二酸化ケイ素100質量部に対してフェニルトリメトキシシラン(表面処理剤)を10質量部用いたこと以外は実施例1と同様にして、被覆二酸化ケイ素微粒子を作製した。そして、この被覆二酸化ケイ素微粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、電子写真感光体を得た。
表面処理剤としてフェニルトリメトキシシランに代えてデシルトリメトキシシランを10質量部用いたこと以外は実施例1と同様にして、被覆二酸化ケイ素微粒子を作製した。そして、この被覆二酸化ケイ素微粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、電子写真感光体を得た。
表面処理剤としてフェニルトリメトキシシランに代えてメチルトリメトキシシランを10質量部用いたこと以外は実施例1と同様にして、被覆二酸化ケイ素微粒子を作製した。そして、この被覆二酸化ケイ素微粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、電子写真感光体を得た。
表面処理剤としてフェニルトリメトキシシランに代えてトリメチルメトキシシランを10質量部用いたこと以外は実施例1と同様にして、被覆二酸化ケイ素微粒子を作製した。そして、この被覆二酸化ケイ素微粒子を用いたこと以外は実施例1と同様にして、電子写真感光体を得た。
上記で作製した各電子写真感光体を、富士ゼロックス社製フルカラープリンターDocu Centre Color f450ドラムカートリッジにそれぞれ装着し、画像形成装置を構成した。これらの画像形成装置を用い、20℃、40%RHの環境下で、10000枚の画像形成試験(画像濃度10%)を行った。このとき、感光体の耐久性及び画質(細線の再現性及びハーフトーンの再現性)について、以下のようにして評価した。その結果を表1に示す。なお、画像形成試験の際の露光量は、各感光体に応じて、感光体表面の100%濃度部の帯電電位が−300V±10V、ホワイト部の帯電電位が−705V±10Vとなるように適宜調節した。
上記画像形成試験前後で感光体の膜厚測定を行い、感光体10000回転あたりの膜厚減量(nm/1万回転)を算出した。この膜厚減量から、下記判定基準に基づいて感光体の耐久性を評価した。
「良好」:比較例2に比べて摩耗率が10%以上低い
「やや良好」:比較例2に比べて摩耗率が0%以上10%未満低い
「やや不良」:比較例2に比べて摩耗率が0%未満10%未満高い
「不良」:比較例2に比べて摩耗率が10%以上高い
摩耗率(%)=((A−B)/A)×100
A:画像形成試験前の感光体膜厚
B:画像形成試験後の感光体膜厚
上記画像形成試験を行った後、高温高湿(28℃、80%RH)の環境下での画像形成を行い、そのときの画質(1dotライン斜め45度細線再現性および30%ハーフトーン再現性)を、以下の評価基準に基づいて評価した。
「良好」:問題なし。
「やや不良」:細線の細り、又は、僅かにハーフトーンの濃度異常が見られる(スペックの厳しいカラー機などでは実使用上も問題あり)。
「不良」:細線の一部消失、又は、ハーフトーンの濃度異常が見られる(実使用上問題あり)。
上述の評価に加え、上記耐久性試験前後でのVL電位差の変化量(VL変化量)から、下記判定基準に基づいて感光体の電気特性の安定性を評価した。評価結果を表1に示す。
「良好」:VL変化量が−19V以上+20V未満(全く問題なし)
「やや電位上昇」:VL変化量が+20V以上+40V未満(実使用上問題なし)
「電位上昇」:VL変化量が+40V以上(実使用上問題あり)
Claims (4)
- 導電性支持体と、当該導電性支持体上に設けられた感光層とを備え、
前記感光層が、前記導電性支持体から最も遠い位置に、比表面積300m2/g以下である二酸化ケイ素粒子を芳香族系官能基を有する化合物で被覆処理して得られる被覆絶縁性無機粒子と、フッ素含有有機系粒子と、下記一般式(I)及び下記一般式(II)で表される繰り返し単位を含むフッ化アルキル基含有メタクリルコポリマーとを含有する最表面層、を有する、電子写真感光体。
(一般式(I)及び(II)において、l、v及びwは1以上の正数を、p、r、s、tは0又は1以上の正数を、qは1以上7以下の正数を、R 11 、R 12 、R 13 及びR 14 は水素原子又はアルキル基を、Qはアルキレン鎖、ハロゲン置換アルキレン鎖、S、O、NH又は単結合を、Yはアルキレン鎖、ハロゲン置換アルキレン鎖、(C z H 2z−1 (OH))又は単結合を表す。zは1以上の正数を表す。) - 前記芳香族系官能基を有する化合物が下記一般式(1)で表わされる化合物である請求項1に記載の電子写真感光体。
(R 1 ) k Si(OR 2 ) 4−k …(1)
(式(1)において、R 1 はフェニル基、エチルフェニル基、ピリジルエチル基、又はナフチル基を表し、R 2 はアルキル基を表し、kは1以上3以下の正数を表す。) - 請求項1又は2に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体を帯電させるための帯電手段、前記電子写真感光体に形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成するための現像手段、及び、前記電子写真感光体の表面に残存したトナーを除去するためのクリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも一種と、を備える、プロセスカートリッジ。 - 請求項1又は2に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体を帯電させるための帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体を露光して静電潜像を形成するための露光手段と、
前記静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成するための現像手段と、
前記トナー像を前記電子写真感光体から被転写媒体に転写するための転写手段と、を備える、画像形成装置。
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