JP6996180B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法 - Google Patents
電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6996180B2 JP6996180B2 JP2017175069A JP2017175069A JP6996180B2 JP 6996180 B2 JP6996180 B2 JP 6996180B2 JP 2017175069 A JP2017175069 A JP 2017175069A JP 2017175069 A JP2017175069 A JP 2017175069A JP 6996180 B2 JP6996180 B2 JP 6996180B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- layer
- photosensitive member
- electrophotographic photosensitive
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法に関する。
特許文献１には、基体と、感光層と、酸素及びガリウムを含有する保護層であって、外周面側に存在する第１の領域、及び、前記第１の領域よりも前記基体に近い側に存在し、前記第１の領域に比べて原子数比〔酸素／ガリウム〕が大きい第２の領域を有する保護層と、をこの順に有する電子写真感光体が記載されている。
特許文献２には、基体と、前記基体上に設けられた感光層と、前記感光層上に設けられ、酸素及びガリウムを含有する保護層であって、外周面側に存在する第１の領域と、前記第１の領域よりも前記基体に近い側に存在し、前記第１の領域に比べて原子数比〔酸素／ガリウム〕が大きい第２の領域と、前記第２の領域よりも前記基体に近い側に存在し、前記第２の領域に比べて原子数比〔酸素／ガリウム〕が小さい第３の領域と、を有する保護層と、を備え、前記各領域において吸収係数が１×１０６（ｍ－１）となる波長から得られる各光吸収端エネルギーとして、前記第１の領域における光吸収端エネルギーをＦＥ１、前記第２の領域における光吸収端エネルギーをＦＥ２、前記第３の領域における光吸収端エネルギーをＦＥ３としたとき、関係式（１）：０．５ｅＶ≦ＦＥ２－ＦＥ１≦１．５ｅＶ、関係式（２）：０．５ｅＶ≦ＦＥ２－ＦＥ３≦１．５ｅＶ、及び、関係式（３）：ＦＥ３≧ＦＥ１を満たす電子写真感光体が記載されている。
例えば、無機保護層を備える電子写真感光体は、無機保護層に傷が発生する場合がある。無機保護層の機械的強度を高めるために、無機保護層の厚みを厚くすると、残留電位が上昇することがあった。一方で、残留電位の上昇を抑制するために、無機保護層を形成する材料の化学量論比を小さくした場合には、感度が低下することがあった。
本発明の課題は、無機保護層を備える電子写真感光体において、無機保護層が、酸素及びガリウムの元素構成比率（酸素／ガリウム）として１．４０以上１．５０以下である層のみで構成されている場合、若しくは、体積抵抗率として２．０×１０１０Ωｃｍ以上である層のみで構成されている場合、又は、無機保護層が、酸素及びガリウムの元素構成比率（酸素／ガリウム）として１．１０以上１．３０以下である層のみで構成されている場合、若しくは、体積抵抗率として２．０×１０７Ωｃｍ以上１．０×１０１０Ωｃｍ以下である層のみで構成されている場合に比べ、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する電子写真感光体を提供することである。
上記課題は、以下の手段により解決される。
＜１＞
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられた有機感光層と、
前記有機感光層上に設けられた無機保護層であって、第１３族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、前記第１３族元素、及び前記酸素の元素構成比率の和が０．７０以上であり、かつ、前記酸素及び前記第１３族元素の元素構成比率（酸素／第１３族元素）が１．１０以上１．３０以下である第１の領域、並びに、前記酸素及び前記第１３族元素の元素構成比率（酸素／第１３族元素）が１．４０以上１．５０以下である第２の領域を、前記有機感光層上にこの順で有し、前記第２の領域が最上層である無機保護層と、
を備えた電子写真感光体。
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられた有機感光層と、
前記有機感光層上に設けられた無機保護層であって、第１３族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、前記第１３族元素、及び前記酸素の元素構成比率の和が０．７０以上であり、かつ、前記酸素及び前記第１３族元素の元素構成比率（酸素／第１３族元素）が１．１０以上１．３０以下である第１の領域、並びに、前記酸素及び前記第１３族元素の元素構成比率（酸素／第１３族元素）が１．４０以上１．５０以下である第２の領域を、前記有機感光層上にこの順で有し、前記第２の領域が最上層である無機保護層と、
を備えた電子写真感光体。
＜２＞
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられた有機感光層と、
前記有機感光層上に設けられた無機保護層であって、第１３族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、前記第１３族元素、及び前記酸素の元素構成比率の和が０．７０以上であり、かつ、体積抵抗率が２．０×１０７Ωｃｍ以上１．０×１０１０Ωｃｍ以下である第１の領域および体積抵抗率が２．０×１０１０Ωｃｍ以上である第２の領域を、前記有機感光層上にこの順で有し、前記第２の領域が最上層である無機保護層と、
を備えた電子写真感光体。
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられた有機感光層と、
前記有機感光層上に設けられた無機保護層であって、第１３族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、前記第１３族元素、及び前記酸素の元素構成比率の和が０．７０以上であり、かつ、体積抵抗率が２．０×１０７Ωｃｍ以上１．０×１０１０Ωｃｍ以下である第１の領域および体積抵抗率が２．０×１０１０Ωｃｍ以上である第２の領域を、前記有機感光層上にこの順で有し、前記第２の領域が最上層である無機保護層と、
を備えた電子写真感光体。
＜３＞
前記第１３族元素が、ガリウムである＜１＞又は＜２＞に記載の電子写真感光体。
＜４＞
前記第１の領域の厚みが、前記第２の領域の厚みよりも薄い＜１＞～＜３＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
＜５＞
前記第１の領域の厚みに対する前記第２の領域の厚みの比（第２の領域の厚み／第１の領域の厚み）が３以上１００以下である＜４＞に記載の電子写真感光体。
＜６＞
前記第１の領域の厚みが、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下であり、前記第２の領域の厚みが、０．３μｍ以上１．０μｍ以下である＜４＞又は＜５＞に記載の電子写真感光体。
＜７＞
前記無機保護層の全体の厚みが３μｍ以上１０μｍ以下である＜１＞～＜６＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
＜８＞
前記無機保護層の全体の厚みが３μｍ以上６μｍ以下である＜７＞に記載の電子写真感光体。
＜９＞
前記第１の領域および前記第２の領域が、前記第１の領域および前記第２の領域の順で繰り返し積層されている＜１＞～＜８＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
＜１０＞
前記第１の領域および前記第２の領域の順で繰り返し積層された繰り返し回数が３回以上１０回以下である＜９＞に記載の電子写真感光体。
＜１１＞
前記有機感光層が、電荷輸送材料、結着樹脂、及びシリカ粒子を含む層を有する＜１＞～＜１０＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
＜１２＞
前記シリカ粒子の含有量が、前記電荷輸送材料および前記結着樹脂を含む層の全体に対して４０質量％以上８０質量％以下である＜１１＞に記載の電子写真感光体。
＜１３＞
前記導電性基体の厚みが１．５ｍｍ以上である＜１＞～＜１２＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
前記第１３族元素が、ガリウムである＜１＞又は＜２＞に記載の電子写真感光体。
＜４＞
前記第１の領域の厚みが、前記第２の領域の厚みよりも薄い＜１＞～＜３＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
＜５＞
前記第１の領域の厚みに対する前記第２の領域の厚みの比（第２の領域の厚み／第１の領域の厚み）が３以上１００以下である＜４＞に記載の電子写真感光体。
＜６＞
前記第１の領域の厚みが、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下であり、前記第２の領域の厚みが、０．３μｍ以上１．０μｍ以下である＜４＞又は＜５＞に記載の電子写真感光体。
＜７＞
前記無機保護層の全体の厚みが３μｍ以上１０μｍ以下である＜１＞～＜６＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
＜８＞
前記無機保護層の全体の厚みが３μｍ以上６μｍ以下である＜７＞に記載の電子写真感光体。
＜９＞
前記第１の領域および前記第２の領域が、前記第１の領域および前記第２の領域の順で繰り返し積層されている＜１＞～＜８＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
＜１０＞
前記第１の領域および前記第２の領域の順で繰り返し積層された繰り返し回数が３回以上１０回以下である＜９＞に記載の電子写真感光体。
＜１１＞
前記有機感光層が、電荷輸送材料、結着樹脂、及びシリカ粒子を含む層を有する＜１＞～＜１０＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
＜１２＞
前記シリカ粒子の含有量が、前記電荷輸送材料および前記結着樹脂を含む層の全体に対して４０質量％以上８０質量％以下である＜１１＞に記載の電子写真感光体。
＜１３＞
前記導電性基体の厚みが１．５ｍｍ以上である＜１＞～＜１２＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
＜１４＞
＜１＞～＜１３＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に脱着するプロセスカートリッジ。
＜１５＞
＜１＞～＜１３＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
＜１＞～＜１３＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に脱着するプロセスカートリッジ。
＜１５＞
＜１＞～＜１３＞のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
＜１＞、＜３＞に係る発明によれば、無機保護層を備える電子写真感光体において、無機保護層が、酸素及びガリウムの元素構成比率（酸素／ガリウム）として１．４０以上１．５０以下である層のみ、又は、１．１０以上１．３０以下である層のみで構成されている場合に比べ、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜２＞に係る発明によれば、無機保護層を備える電子写真感光体において、体積抵抗率として２．０×１０１０Ωｃｍ以上である層のみ、又は、２．０×１０７Ωｃｍ以上１．０×１０１０Ωｃｍ以下である層のみで構成されている場合に比べ、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜４＞、＜５＞、＜６＞に係る発明によれば、無機保護層において、第１の領域の厚みが第２の領域の厚みよりも同じまたは厚い場合に比べ、感度の低下が抑制される電子写真感光体が提供される。
＜７＞、＜８＞に係る発明によれば、無機保護層全体の厚みが３μｍ未満である場合に比べ、無機保護層の傷の発生が抑制される電子写真感光体が提供される。
＜９＞に係る発明によれば、第１の領域および第２の領域が、前記第２の領域および前記第１の領域の順で繰り返し積層されている場合に比べ、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜１０＞に係る発明によれば、無機保護層において、第１の領域および第２の領域を繰り返し積層する繰り返し回数が３回未満の場合に比べ、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜１１＞、＜１２＞に係る発明によれば、有機感光層が、電荷発生層と電荷輸送層との機能分離型の感光層であるとき、電荷輸送層が、電荷輸送材料と結着樹脂のみ含む場合に比べ、無機保護層の傷の発生が抑制される電子写真感光体が提供される。
＜１３＞に係る発明によれば、導電性基体の厚みが１．５μｍ未満である場合に比べ、無機保護層の傷の発生が抑制される電子写真感光体が提供される。
＜７＞、＜８＞に係る発明によれば、無機保護層全体の厚みが３μｍ未満である場合に比べ、無機保護層の傷の発生が抑制される電子写真感光体が提供される。
＜９＞に係る発明によれば、第１の領域および第２の領域が、前記第２の領域および前記第１の領域の順で繰り返し積層されている場合に比べ、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜１０＞に係る発明によれば、無機保護層において、第１の領域および第２の領域を繰り返し積層する繰り返し回数が３回未満の場合に比べ、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する電子写真感光体が提供される。
＜１１＞、＜１２＞に係る発明によれば、有機感光層が、電荷発生層と電荷輸送層との機能分離型の感光層であるとき、電荷輸送層が、電荷輸送材料と結着樹脂のみ含む場合に比べ、無機保護層の傷の発生が抑制される電子写真感光体が提供される。
＜１３＞に係る発明によれば、導電性基体の厚みが１．５μｍ未満である場合に比べ、無機保護層の傷の発生が抑制される電子写真感光体が提供される。
＜１４＞又は＜１５＞に係る発明によれば、無機保護層を備える電子写真感光体において、無機保護層が、酸素及びガリウムの元素構成比率（酸素／ガリウム）として１．４０以上１．５０以下である層のみ、若しくは、体積抵抗率として２．０×１０１０Ωｃｍ以上である層のみで構成されている場合、又は、酸素及びガリウムの元素構成比率（酸素／ガリウム）として１．１０以上１．３０以下である層のみで構成されている場合、若しくは、体積抵抗率として２．０×１０７Ωｃｍ以上１．０×１０１０Ωｃｍ以下である層のみで構成されている場合に比べ、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジ、又は画像形成装置が提供される。
以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
［電子写真感光体］
第１の実施形態に係る電子写真感光体は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた有機感光層と、有機感光層上に設けられた無機保護層であって、第１３族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、第１３族元素、及び酸素の元素構成比率の和が０．７０以上であり、かつ、酸素及び第１３族元素の元素構成比率（酸素／第１３族元素）が１．１０以上１．３０以下である第１の領域、並びに、酸素及び前記第１３族元素の元素構成比率（酸素／第１３族元素）が１．４０以上１．５０以下である第２の領域を、有機感光層上にこの順で有し、第２の領域が最上層である無機保護層と、を備える。
第１の実施形態に係る電子写真感光体は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた有機感光層と、有機感光層上に設けられた無機保護層であって、第１３族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、第１３族元素、及び酸素の元素構成比率の和が０．７０以上であり、かつ、酸素及び第１３族元素の元素構成比率（酸素／第１３族元素）が１．１０以上１．３０以下である第１の領域、並びに、酸素及び前記第１３族元素の元素構成比率（酸素／第１３族元素）が１．４０以上１．５０以下である第２の領域を、有機感光層上にこの順で有し、第２の領域が最上層である無機保護層と、を備える。
第２の実施形態に係る電子写真感光体は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた有機感光層と、有機感光層上に設けられた無機保護層であって、第１３族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、第１３族元素、及び酸素の元素構成比率の和が０．７０以上であり、かつ、体積抵抗率が２．０×１０７Ωｃｍ以上１．０×１０１０Ωｃｍ以下である第１の領域および体積抵抗率が２．０×１０１０Ωｃｍ以上である第２の領域を、有機感光層上にこの順で有し、第２の領域が最上層である無機保護層と、を備える。
第１の実施形態、及び第２の実施形態（本明細書中において、第１の実施形態、及び第２の実施形態に共通する事項については、「本実施形態」と称する）に係る電子写真感光体は、具体的には、有機感光層が単層型の有機感光層の場合、有機感光層は、例えば、電荷発生材料、電荷輸送材料、および結着樹脂を含む。
一方、有機感光層が機能分離型の有機感光層の場合、有機感光層は、電荷発生層と、電荷輸送層と、を導電性基体上にこの順で有する有機感光層であることが好ましく、この電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料、結着樹脂を含む。電荷輸送層は、２層以上で構成されていてもよい。
一方、有機感光層が機能分離型の有機感光層の場合、有機感光層は、電荷発生層と、電荷輸送層と、を導電性基体上にこの順で有する有機感光層であることが好ましく、この電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料、結着樹脂を含む。電荷輸送層は、２層以上で構成されていてもよい。
ここで、従来、有機感光層上に、無機保護層を形成する技術が知られている。
有機感光層は柔軟性を有し、変形し易い傾向がある一方で、無機保護層は硬質ではあるが靭性に劣る傾向がある。そのため、無機保護層に傷が発生することがある。
有機感光層は柔軟性を有し、変形し易い傾向がある一方で、無機保護層は硬質ではあるが靭性に劣る傾向がある。そのため、無機保護層に傷が発生することがある。
例えば、現像工程において、現像手段からキャリアが飛散し、飛散したキャリアが電子写真感光体に付着した場合、電子写真感光体に付着したままキャリアが転写位置に到達する。そして、転写位置では、キャリアが電子写真感光体と転写手段と間に挟まった状態で、押圧力を受ける。このため、無機保護層は、例えば、電子写真感光体と転写手段との間でキャリアが擦れることにより、傷（打痕状の傷、スジ状の傷など）が生じる場合がある。
無機保護層の機械的強度を向上させるために、例えば、無機保護層の厚みを厚くすることが考えられる。しかしながら、無機保護層の厚みを厚くすると、無機保護層に電荷が蓄積しやすくなるため、残留電位が上昇する場合がある。
一方で、残留電位の上昇を抑制するために、無機保護層を形成する材料の化学量論比を小さくすることが考えられる。化学量論比が小さい無機保護層は、電荷の蓄積が抑制されやすい。しかしながら、無機保護層を形成する材料の化学量論比を小さくすると、無機保護層が着色しやすくなるため、電位を低下させるための露光量が大きくなる。そのため、感度が低下する場合がある。
一方で、残留電位の上昇を抑制するために、無機保護層を形成する材料の化学量論比を小さくすることが考えられる。化学量論比が小さい無機保護層は、電荷の蓄積が抑制されやすい。しかしながら、無機保護層を形成する材料の化学量論比を小さくすると、無機保護層が着色しやすくなるため、電位を低下させるための露光量が大きくなる。そのため、感度が低下する場合がある。
これに対し、本実施形態に係る電子写真感光体は、無機保護層が、第１３族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、第１３族元素、及び酸素の元素構成比率の和が０．７０以上である。
そして、第１の実施形態の電子写真感光体では、無機保護層は、酸素及び第１３族元素の元素構成比率（酸素／第１３族元素）が１．１０以上１．３０以下ある第１の領域と、酸素／第１３族元素が１．４０以上１．５０以下である第２の領域とを、感光層上にこの順で有する。なお、第２の領域は無機保護層の最上層である。
また、第２の実施形態の電子写真感光体では、無機保護層は、体積抵抗率が２．０×１０７Ωｃｍ以上１．０×１０１０Ωｃｍ以下である第１の領域および体積抵抗率が２．０×１０１０Ωｃｍ以上である第２の領域を、感光層上にこの順で有する。なお、第２の領域は無機保護層の最上層である。
そして、第１の実施形態の電子写真感光体では、無機保護層は、酸素及び第１３族元素の元素構成比率（酸素／第１３族元素）が１．１０以上１．３０以下ある第１の領域と、酸素／第１３族元素が１．４０以上１．５０以下である第２の領域とを、感光層上にこの順で有する。なお、第２の領域は無機保護層の最上層である。
また、第２の実施形態の電子写真感光体では、無機保護層は、体積抵抗率が２．０×１０７Ωｃｍ以上１．０×１０１０Ωｃｍ以下である第１の領域および体積抵抗率が２．０×１０１０Ωｃｍ以上である第２の領域を、感光層上にこの順で有する。なお、第２の領域は無機保護層の最上層である。
第１の実施形態の電子写真感光体において、無機保護層は、化学量論比の小さい第１の領域上に、化学量論比に近い第２の領域が形成されている。化学量論比の小さい第１の領域では、酸素欠損が生じているため、電荷が移動しやすい。その結果、電界が加えられたときに、第２の領域の電子が第１の領域に供給されることで、電荷の蓄積が抑制されるため、電位が低下しやすくなる。その結果、無機保護層は、残留電位の上昇が抑制されると考えられる。また、化学量論比の小さい第１の領域は、化学量論比に近い第２の領域に比べ、着色しやすい。着色しやすい第１の領域の上に形成された第２の領域が無機保護層の最上層となっていることにより、光の透過率の低下が抑制されるため、感度の低下が抑制されると考えられる。
また、第２の実施形態の電子写真感光体において、無機保護層は、体積抵抗率が低い第１の領域上に、体積抵抗率が高い第２の領域が形成されている。第１の領域では、抵抗が低いために電子が流れやすく、第２の領域の電子が第１の領域に供給されるために、電荷蓄積が抑制されると考えられる。その結果、残留電位の上昇が抑制されると考えられる。また、着色し難い高抵抗の第２の領域が無機保護層の最上層となっている点、および、電荷が移動しやすい低抵抗の第１の領域が、第２の領域の下に形成されている点で、表面電位を減衰させるための露光量が低減すると考えられる。その結果、感度の低下が抑制されると考えられる。
以上から、本実施形態（第１の実施形態、及び第２の実施形態）に係る電子写真感光体では、上記構成により、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、感度を確保しつつ、残留電位の上昇が抑制されると推測される。
なお、第１の領域および第２の領域が、感光層に、感光層側からこの順で、繰り返し積層することで、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、より感度を確保しつつ、残留電位の上昇が抑制されやすくなる。第１の領域および第２の領域を、感光層上に、繰り返し積層して（例えば、繰り返し回数が３回以上１０回以下など）、目的とする厚みの無機保護層を形成すると、厚みが薄い第１の領域と第２の領域とを多数有することになる。そのため、電子が流れやすい第１の領域が第２の領域に接して多数形成されことで、無機保護層全体で電荷が移動しやすくなり、第２の領域では電荷蓄積が低減することで残留電位の上昇を抑制しやすくなると考えられる。また、第２の領域の厚みが薄いため、感度が確保されやすくなると考えられる。
また、本実施形態に係る電子写真感光体は、無機保護層全体の厚みが厚くなった場合であっても、感度を確保しつつ、残留電位の上昇が抑制されるため、無機保護層全体の厚みを厚くすることができる。そのため、無機保護層の傷の発生も抑制されやすくなる。さらに、最表面が上記の第２の領域で形成されていることから、無機保護層の機械的強度が向上しやすくなるため、この点でも、無機保護層の傷の発生も抑制されやすくなる。
ここで、本実施形態に係る電子写真感光体の有機感光層には、シリカ粒子を含んでいてもよい。有機感光層に、シリカ粒子を用いることで、シリカ粒子が有機感光層の補強材としての機能を果すと考えられる。そのため、有機感光層が変形し難くなることにより、無機保護層の割れが抑制されると考えられる。
例えば、有機感光層が、単層型の有機感光層の場合、有機感光層には、さらに、シリカ粒子を含んでいてもよい。また、有機感光層が機能分離型の有機感光層の場合、電荷輸送層は、さらに、シリカ粒子を含んでいてもよい。ただし、電荷輸送層が２層以上で構成される場合であって、シリカ粒子が用いられる場合、表面を構成する層（電荷輸送層の最上層）の電荷輸送層が、電荷輸送材料、結着樹脂、及びシリカ粒子を含んで構成されることがよい。
例えば、有機感光層が、単層型の有機感光層の場合、有機感光層には、さらに、シリカ粒子を含んでいてもよい。また、有機感光層が機能分離型の有機感光層の場合、電荷輸送層は、さらに、シリカ粒子を含んでいてもよい。ただし、電荷輸送層が２層以上で構成される場合であって、シリカ粒子が用いられる場合、表面を構成する層（電荷輸送層の最上層）の電荷輸送層が、電荷輸送材料、結着樹脂、及びシリカ粒子を含んで構成されることがよい。
以下、本実施形態に係る電子写真感光体について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付することとし、重複する説明は省略する。
図１は、本実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す模式断面図である。図２、図３、及び図４は、それぞれ本実施形態に係る電子写真感光体の他の一例を示す模式断面図である。
図１は、本実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す模式断面図である。図２、図３、及び図４は、それぞれ本実施形態に係る電子写真感光体の他の一例を示す模式断面図である。
図１に示す電子写真感光体７Ａは、いわゆる機能分離型感光体（又は積層型感光体）であり、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に電荷発生層２、電荷輸送層３、及び無機保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ａにおいては、電荷発生層２及び電荷輸送層３により有機感光層が構成されている。また、無機保護層５は、電荷輸送層３上に、第１の領域５Ａと第２の領域５Ｂが形成されている。なお、電荷輸送層３は、電荷輸送材料、及び結着樹脂を含んで構成され、必要に応じて、シリカ粒子が含有される。
図２に示す電子写真感光体７Ｂは、図１に示す電子写真感光体７Ａと同様に電荷発生層２と電荷輸送層３とに機能が分離され、さらに電荷輸送層３が機能分離された機能分離型感光体である。また、図３に示す電子写真感光体７Ｃは、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一の層（単層型有機感光層６（電荷発生／電荷輸送層））に含有するものである。
図２に示す電子写真感光体７Ｂにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に、電荷発生層２、電荷輸送層３Ｂ、電荷輸送層３Ａ及び無機保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ｂにおいては、電荷輸送層３Ａ、電荷輸送層３Ｂ及び電荷発生層２により有機感光層が構成されている。
そして、図１に示す電子写真感光体７Ａと同様に、無機保護層５は、電荷輸送層３上に、第１の領域５Ａと第２の領域５Ｂが形成されている。なお、電荷輸送層３Ａおよび電荷輸送層３Ｂは、電荷輸送材料、及び結着樹脂を含んで構成されている。また、電荷輸送層３Ａは、必要に応じて、シリカ粒子が含有される。シリカ粒子を用いる場合は、電荷輸送層３Ａに含有させ、電荷輸送層３Ｂは、シリカ粒子を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。
そして、図１に示す電子写真感光体７Ａと同様に、無機保護層５は、電荷輸送層３上に、第１の領域５Ａと第２の領域５Ｂが形成されている。なお、電荷輸送層３Ａおよび電荷輸送層３Ｂは、電荷輸送材料、及び結着樹脂を含んで構成されている。また、電荷輸送層３Ａは、必要に応じて、シリカ粒子が含有される。シリカ粒子を用いる場合は、電荷輸送層３Ａに含有させ、電荷輸送層３Ｂは、シリカ粒子を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。
図３に示す電子写真感光体７Ｃにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に単層型有機感光層６、無機保護層５が順次形成された構造を有するものである。
なお、単層型有機感光層６は、電荷輸送材料、及び結着樹脂を含み、必要に応じて、シリカ粒子を含んで構成されている。
なお、単層型有機感光層６は、電荷輸送材料、及び結着樹脂を含み、必要に応じて、シリカ粒子を含んで構成されている。
図４に示す電子写真感光体７Ｄは、図１に示す電子写真感光体７Ａと同様に導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に電荷発生層２、電荷輸送層３、及び無機保護層５が順次形成された構造を有するものである。また、図１に示す電子写真感光体７Ａと同様に、無機保護層５は、電荷輸送層３上に、第１の領域５Ａと第２の領域５Ｂが形成されている。ただし、電子写真感光体７Ｄにおいては、無機保護層５が、電荷輸送層３側から、第１の領域５Ａと第２の領域５Ｂとが、この順で繰り返し積層されている。電子写真感光体７Ｄでは、第１の領域５Ａと第２の領域５Ｂとが積層される繰り返し回数は３回で構成されている。
なお、電荷輸送層３は、電荷輸送材料、及び結着樹脂を含んで構成され、必要に応じて、シリカ粒子が含有される。また、第１の領域５Ａと第２の領域５Ｂとが積層される繰り返し回数は３回に限らず、４回以上でもよい。
なお、電荷輸送層３は、電荷輸送材料、及び結着樹脂を含んで構成され、必要に応じて、シリカ粒子が含有される。また、第１の領域５Ａと第２の領域５Ｂとが積層される繰り返し回数は３回に限らず、４回以上でもよい。
なお、図１、図２、図３、および図４に示す各電子写真感光体において、下引層１は設けてもよいし、設けなくてもよい。また、図１、図２、および図３に示す各電子写真感光体は、図４に示す電子写真感光体７Ｄのように、第１の領域５Ａと第２の領域５Ｂとが、この順で繰り返し積層されていてもよい。
以下、代表例として図１に示す電子写真感光体７Ａに基づいて、各要素について説明する。なお、符号は省略して説明する場合がある。
（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
導電性基体の厚み（肉厚）は、感光体の強度を確保し、無機保護層の傷の発生を抑制する点で、１ｍｍ以上であることがよく、１．２ｍｍ以上であることが好ましく、１．５ｍｍ以上であることがより好ましい。導電性基体の厚みの上限は特に限定されないが、例えば、無機保護層の傷の発生を抑制する点と感光体の操作性あるいは製造性との点から、３．５ｍｍ以下であることがよく、３ｍｍ以下としてもよく、３ｍｍ未満としてもよい。導電性基体の厚みが上記範囲であることで、導電性基体の撓みが抑制されやすくなり、無機保護層の傷の発生が抑制されやすくなる。
（下引層）
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。
無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン、２，４，５，７－テトラニトロ－９－フルオレノン等のフルオレノン化合物；２－（４－ビフェニル）－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ジエチルアミノフェニル）－１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ－ｔ－ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２－エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。
（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５－２６３００７号公報、特開平５－２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５－９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５－１４０４７２号公報、特開平５－１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４－１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４－７８１４７号公報、特開２００５－１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ、有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ－型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ－型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ－型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２－１５５２８２号公報の段落［０２８８］～［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ－１）～（ＣＧ－２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ－型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ－型とする。
なお、ｎ－型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ－型とする。
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液－液衝突や液－壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。また、電荷輸送層は、必要に応じて、シリカ粒子を含んでいてもよい。
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。また、電荷輸送層は、必要に応じて、シリカ粒子を含んでいてもよい。
電荷輸送材料としては、ｐ－ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ－１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ－２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。
構造式（ａ－１）中、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２、及びＡｒＴ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、－Ｃ６Ｈ４－Ｃ（ＲＴ４）＝Ｃ（ＲＴ５）（ＲＴ６）、又は－Ｃ６Ｈ４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）を示す。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７、及びＲＴ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
構造式（ａ－２）中、ＲＴ９１及びＲＴ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。ＲＴ１０１、ＲＴ１０２、ＲＴ１１１及びＲＴ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、－Ｃ（ＲＴ１２）＝Ｃ（ＲＴ１３）（ＲＴ１４）、又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）を示し、ＲＴ１２、ＲＴ１３、ＲＴ１４、ＲＴ１５及びＲＴ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
ここで、構造式（ａ－１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ－２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「－Ｃ６Ｈ４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。
高分子電荷輸送材料としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８－１７６２９３号公報、特開平８－２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材料は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。
電荷輸送層は、シリカ粒子を含んでいてもよい。シリカ粒子の含有量は、無機保護層の傷の発生を抑制する点から、シリカ粒子を含む電荷輸送層全体に対して４０質量％以上８０質量％以下であることがよい。同様の点で、シリカ粒子の含有量の下限は、４５質量％以上であってもよく、５０質量％以上であってもよい。また、シリカ粒子の含有量の上限は、例えば、シリカ粒子の分散性等の点から、７５質量％以下であってもよく、７０質量％以下であってもよい。
シリカ粒子としては、例えば、乾式シリカ粒子、湿式シリカ粒子が挙げられる。
乾式シリカ粒子としては、シラン化合物を燃焼させて得られる燃焼法シリカ（ヒュームドシリカ）、金属珪素粉を爆発的に燃焼させて得られる爆燃法シリカが挙げられる。
湿式シリカ粒子としては、珪酸ナトリウムと鉱酸との中和反応によって得られる湿式シリカ粒子（アルカリ条件で合成・凝集した沈降法シリカ、酸性条件で合成・凝集したゲル法シリカ粒子）、酸性珪酸をアルカリ性にして重合することで得られるコロイダルシリカ粒子（シリカゾル粒子）、有機シラン化合物（例えばアルコキシシラン）の加水分解によって得られるゾルゲル法シリカ粒子が挙げられる。
これらの中でも、シリカ粒子としては、残留電位の発生、その他電気特性の低下による画像欠陥の抑制（細線再現性の低下の抑制）の観点から、表面のシラノール基が少なく、低い空隙構造を持つ燃焼法シリカ粒子を用いることがよい。
乾式シリカ粒子としては、シラン化合物を燃焼させて得られる燃焼法シリカ（ヒュームドシリカ）、金属珪素粉を爆発的に燃焼させて得られる爆燃法シリカが挙げられる。
湿式シリカ粒子としては、珪酸ナトリウムと鉱酸との中和反応によって得られる湿式シリカ粒子（アルカリ条件で合成・凝集した沈降法シリカ、酸性条件で合成・凝集したゲル法シリカ粒子）、酸性珪酸をアルカリ性にして重合することで得られるコロイダルシリカ粒子（シリカゾル粒子）、有機シラン化合物（例えばアルコキシシラン）の加水分解によって得られるゾルゲル法シリカ粒子が挙げられる。
これらの中でも、シリカ粒子としては、残留電位の発生、その他電気特性の低下による画像欠陥の抑制（細線再現性の低下の抑制）の観点から、表面のシラノール基が少なく、低い空隙構造を持つ燃焼法シリカ粒子を用いることがよい。
シリカ粒子の体積平均粒径は、例えば、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることがよい。シリカ粒子の体積平均粒径の下限は、４０ｎｍ以上であってもよく、５０ｎｍ以上あってもよい。シリカ粒子の体積平均粒径の下限は、１５０ｎｍ以下であってもよく、１２０ｎｍ以下であってもよく、１１０ｎｍ以下であってもよい。
シリカ粒子の体積平均粒径は、層中からシリカ粒子を分離し、このシリカ粒子の一次粒子１００個をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）装置により４００００倍の倍率で観察し、一次粒子の画像解析によって粒子ごとの最長径、最短径を測定し、この中間値から球相当径を測定する。得られた球相当径の累積頻度における５０％径（Ｄ５０ｖ）を求め、これをシリカ粒子の体積平均粒径として測定する。
シリカ粒子は、その表面が疎水化処理剤で表面処理されていることがよい。これにより、シリカ粒子の表面のシラノール基が低減し、残留電位の発生が抑制され易くなる。
疎水化処理剤としては、クロロシラン、アルコキシシラン、シラザン等の周知のシラン化合物が挙げられる。
これらの中でも、疎水化処理剤としては、残留電位の発生を抑制し易くする観点から、トリメチルシリル基、デシルシリル基、又はフェニルシリル基を持つシラン化合物が望ましい。つまり、シリカ粒子の表面には、トリメチルシリル基、デシルシリル基、又はフェニルシリル基を有することがよい。
トリメチルシリル基を持つシラン化合物としては、例えば、トリメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、１，１，１，３，３，３－ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。
デシルシリル基を持つシラン化合物としては、例えば、デシルトリクロロシラン、デシルジメチルクロロシラン、デシルトリメトキシシラン等が挙げられる。
フェニル基を持つシラン化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルクロロシラン等が挙げられる。
疎水化処理剤としては、クロロシラン、アルコキシシラン、シラザン等の周知のシラン化合物が挙げられる。
これらの中でも、疎水化処理剤としては、残留電位の発生を抑制し易くする観点から、トリメチルシリル基、デシルシリル基、又はフェニルシリル基を持つシラン化合物が望ましい。つまり、シリカ粒子の表面には、トリメチルシリル基、デシルシリル基、又はフェニルシリル基を有することがよい。
トリメチルシリル基を持つシラン化合物としては、例えば、トリメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、１，１，１，３，３，３－ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。
デシルシリル基を持つシラン化合物としては、例えば、デシルトリクロロシラン、デシルジメチルクロロシラン、デシルトリメトキシシラン等が挙げられる。
フェニル基を持つシラン化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルクロロシラン等が挙げられる。
疎水化処理されたシリカ粒子の縮合率（シリカ粒子中のＳｉＯ４－の結合におけるＳｉ－Ｏ－Ｓｉの率：以下「疎水化処理剤の縮合率」とも称する）は、例えば、シリカ粒子の表面のシラノール基に対して９０％以上がよく、望ましくは９１％以上、より望ましくは９５％以上である。
疎水化処理剤の縮合率を上記範囲にすると、シリカ粒子のシラノール基がより低減し、残留電位の発生が抑制され易くなる。
疎水化処理剤の縮合率を上記範囲にすると、シリカ粒子のシラノール基がより低減し、残留電位の発生が抑制され易くなる。
疎水化処理剤の縮合率は、ＮＭＲで検出した縮合部のケイ素の全結合可能サイトに対して、縮合したケイ素の割合を示しており、次のようにして測定する。
まず、層中からシリカ粒子を分離する。分離したシリカ粒子に対して、Ｂｒｕｋｅｒ製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ ４００でＳｉ ＣＰ／ＭＡＳ ＮＭＲ分析を行い、ＳｉＯの置換数に応じたピーク面積を求め、それぞれ、２置換（Ｓｉ（ＯＨ）２（０－Ｓｉ）２－）、３置換（Ｓｉ（ＯＨ）（０－Ｓｉ）３－）、４置換（Ｓｉ（０－Ｓｉ）４－）の値をＱ２，Ｑ３，Ｑ４とし、疎水化処理剤の縮合率は式：（Ｑ２×２＋Ｑ３×３＋Ｑ４×４）／４×（Ｑ２＋Ｑ３＋Ｑ４）により算出する。
まず、層中からシリカ粒子を分離する。分離したシリカ粒子に対して、Ｂｒｕｋｅｒ製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ ４００でＳｉ ＣＰ／ＭＡＳ ＮＭＲ分析を行い、ＳｉＯの置換数に応じたピーク面積を求め、それぞれ、２置換（Ｓｉ（ＯＨ）２（０－Ｓｉ）２－）、３置換（Ｓｉ（ＯＨ）（０－Ｓｉ）３－）、４置換（Ｓｉ（０－Ｓｉ）４－）の値をＱ２，Ｑ３，Ｑ４とし、疎水化処理剤の縮合率は式：（Ｑ２×２＋Ｑ３×３＋Ｑ４×４）／４×（Ｑ２＋Ｑ３＋Ｑ４）により算出する。
シリカ粒子の体積抵抗率は、例えば、１０１１Ωｃｍ以上がよく、望ましくは１０１２Ωｃｍ以上、より望ましくは１０１３Ωｃｍ以上である。
シリカ粒子の体積抵抗率を上記範囲にすると、電気特性の低下が抑制される。
シリカ粒子の体積抵抗率を上記範囲にすると、電気特性の低下が抑制される。
シリカ粒子の体積抵抗率は、次のようにして測定する。なお、測定環境は、温度２０℃、湿度５０％ＲＨとする。
まず、層中からシリカ粒子を分離する。そして、２０ｃｍ２の電極板を配した円形の治具の表面に、測定対象となる分離したシリカ粒子を１ｍｍ以上３ｍｍ以下程度の厚さになるように載せ、シリカ粒子層を形成する。この上に前記同様の２０ｃｍ２の電極板を載せシリカ粒子層を挟み込む。シリカ粒子間の空隙をなくすため、シリカ粒子層上に載せた電極板の上に４ｋｇの荷重をかけてからシリカ粒子層の厚み（ｃｍ）を測定する。シリカ粒子層上下の両電極には、エレクトロメーター及び高圧電源発生装置に接続されている。両電極に電界が予め定められた値となるように高電圧を印加し、このとき流れた電流値（Ａ）を読み取ることにより、シリカ粒子の体積抵抗率（Ωｃｍ）を計算する。シリカ粒子の体積抵抗率（Ωｃｍ）の計算式は、下式に示す通りである。
なお、式中、ρはシリカ粒子の体積抵抗率（Ωｃｍ）、Ｅは印加電圧（Ｖ）、Ｉは電流値（Ａ）、Ｉ０は印加電圧０Ｖにおける電流値（Ａ）、Ｌはシリカ粒子層の厚み（ｃｍ）をそれぞれ表す。本評価では印加電圧が１０００Ｖの時の体積抵抗率を用いた。
・式：ρ＝Ｅ×２０／（Ｉ－Ｉ０）／Ｌ
まず、層中からシリカ粒子を分離する。そして、２０ｃｍ２の電極板を配した円形の治具の表面に、測定対象となる分離したシリカ粒子を１ｍｍ以上３ｍｍ以下程度の厚さになるように載せ、シリカ粒子層を形成する。この上に前記同様の２０ｃｍ２の電極板を載せシリカ粒子層を挟み込む。シリカ粒子間の空隙をなくすため、シリカ粒子層上に載せた電極板の上に４ｋｇの荷重をかけてからシリカ粒子層の厚み（ｃｍ）を測定する。シリカ粒子層上下の両電極には、エレクトロメーター及び高圧電源発生装置に接続されている。両電極に電界が予め定められた値となるように高電圧を印加し、このとき流れた電流値（Ａ）を読み取ることにより、シリカ粒子の体積抵抗率（Ωｃｍ）を計算する。シリカ粒子の体積抵抗率（Ωｃｍ）の計算式は、下式に示す通りである。
なお、式中、ρはシリカ粒子の体積抵抗率（Ωｃｍ）、Ｅは印加電圧（Ｖ）、Ｉは電流値（Ａ）、Ｉ０は印加電圧０Ｖにおける電流値（Ａ）、Ｌはシリカ粒子層の厚み（ｃｍ）をそれぞれ表す。本評価では印加電圧が１０００Ｖの時の体積抵抗率を用いた。
・式：ρ＝Ｅ×２０／（Ｉ－Ｉ０）／Ｌ
電荷輸送層に用いる結着樹脂としては、例えば、具体的には、ポリカーボネート樹脂（ビスフェノールＡ、ビスフェノールＺ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＴＰ等の単独重合型、又はその共重合型）、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル－スチレン共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン－ブタジエン共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、スチレン－アクリル共重合体、アチレン－アルキッド樹脂、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂などが挙げられる。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
上記の結着樹脂の中でも、ポリカーボネート樹脂（ビスフェノールＡ、ビスフェノールＺ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＴＰ等の単独重合型、又はその共重合型）が好ましい。ポリカーボネート樹脂は、１種を単独で使用してもよく、２種以上併用してもよい。また、同様の点で、ポリカーボネート樹脂の中でも、ビスフェノールＺの単独重合型ポリカーボネート樹脂を含むことがより好ましい。
なお、結着樹脂の粘度平均分子量は５００００未満の結着樹脂とを組み合わせて用いることがよい。
無機保護層の傷の発生を抑制する点から、結着樹脂は、例えば、粘度平均分子量は５００００以下であることがよい。４５０００以下であることがよく、３５０００以下であってもよい。粘度平均分子量の下限としては、結着樹脂としての特性を保持する点から、２００００以上であることがよい。
ここで、結着樹脂の粘度平均分子量の測定は、以下の一点測定法が用いられる。
まず、測定対象となる感光体から、無機保護層を剥離した後、測定対象となる感光層を露出させる。そして、その感光層の一部を削り出し測定用試料を準備する。
次に、測定試料から結着樹脂を抽出する。抽出した結着樹脂１ｇ分をメチレンクロライド１００ｃｍ３に溶解し、２５℃の測定環境下でウベローデ粘度計にて、その比粘度ηｓｐを測定する。そして、ηｓｐ／ｃ＝〔η〕＋０．４５〔η〕２ｃの関係式（ただしｃは濃度（ｇ／ｃｍ３）より極限粘度〔η〕（ｃｍ３／ｇ）を求め、Ｈ．Ｓｃｈｎｅｌｌによって与えられている式、〔η〕＝１．２３×１０－４Ｍｖ０．８３の関係式より粘度平均分子量Ｍｖを求める。
まず、測定対象となる感光体から、無機保護層を剥離した後、測定対象となる感光層を露出させる。そして、その感光層の一部を削り出し測定用試料を準備する。
次に、測定試料から結着樹脂を抽出する。抽出した結着樹脂１ｇ分をメチレンクロライド１００ｃｍ３に溶解し、２５℃の測定環境下でウベローデ粘度計にて、その比粘度ηｓｐを測定する。そして、ηｓｐ／ｃ＝〔η〕＋０．４５〔η〕２ｃの関係式（ただしｃは濃度（ｇ／ｃｍ３）より極限粘度〔η〕（ｃｍ３／ｇ）を求め、Ｈ．Ｓｃｈｎｅｌｌによって与えられている式、〔η〕＝１．２３×１０－４Ｍｖ０．８３の関係式より粘度平均分子量Ｍｖを求める。
電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２－ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
なお、電荷輸送層形成用塗布液中に粒子（例えばシリカ粒子やフッ素樹脂粒子）を分散させる場合、その分散方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液－液衝突や液－壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
電荷輸送層における無機保護層側の表面の表面粗さＲａ（算術平均表面粗さＲａ）は、例えば、０．０６μｍ以下が挙げられ、好ましくは０．０３μｍ以下、より好ましくは０．０２μｍ以下である。
この表面粗さＲａを上記範囲とすると、無機保護層の平滑性が上がり、クリーニング性が向上する。
なお、表面粗さＲａを上記範囲とするには、例えば、層の厚みを厚くする等の方法が挙げられる
この表面粗さＲａを上記範囲とすると、無機保護層の平滑性が上がり、クリーニング性が向上する。
なお、表面粗さＲａを上記範囲とするには、例えば、層の厚みを厚くする等の方法が挙げられる
この表面粗さＲａは、次のように測定する。
まず、無機保護層を剥離した後、測定対象となる層を露出させる。そして、その層の一部をカッター等で切り出し、測定試料を取得する。
この測定試料に対して、触針式表面粗さ測定機（サーフコム１４００Ａ：東京精密社製等）を使用して測定する。その測定条件としては、ＪＩＳ Ｂ０６０１－１９９４に準拠し、評価長さＬｎ＝４ｍｍ、基準長さＬ＝０．８ｍｍ、カットオフ値＝０．８ｍｍとする。
まず、無機保護層を剥離した後、測定対象となる層を露出させる。そして、その層の一部をカッター等で切り出し、測定試料を取得する。
この測定試料に対して、触針式表面粗さ測定機（サーフコム１４００Ａ：東京精密社製等）を使用して測定する。その測定条件としては、ＪＩＳ Ｂ０６０１－１９９４に準拠し、評価長さＬｎ＝４ｍｍ、基準長さＬ＝０．８ｍｍ、カットオフ値＝０．８ｍｍとする。
電荷輸送層の弾性率は、例えば、５ＧＰａ以上がよく、望ましくは６ＧＰａ以上である。 電荷輸送層の弾性率を上記範囲とすると、無機保護層の割れが抑制され易くなる。
なお、電荷輸送層の弾性率を上記範囲とするには、例えば、シリカ粒子の粒径及び含有量を調整する方法、電荷輸送材料の種類及び含有量を調整する方法が挙げられる。
なお、電荷輸送層の弾性率を上記範囲とするには、例えば、シリカ粒子の粒径及び含有量を調整する方法、電荷輸送材料の種類及び含有量を調整する方法が挙げられる。
電荷輸送層の弾性率は、次のように測定する。
まず、無機保護層を剥離した後、測定対象となる層を露出させる。そして、その層の一部をカッター等で切り出し、測定試料を取得する。
この測定試料に対して、ＭＴＳシステムズ社製 Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔｅｒ ＳＡ２を用いて、連続剛性法（ＣＳＭ）（米国特許４８４８１４１）により深さプロファイルを得て、その押込み深さ３０ｎｍから１００ｎｍの測定値から得た平均値を用いて測定する。
まず、無機保護層を剥離した後、測定対象となる層を露出させる。そして、その層の一部をカッター等で切り出し、測定試料を取得する。
この測定試料に対して、ＭＴＳシステムズ社製 Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔｅｒ ＳＡ２を用いて、連続剛性法（ＣＳＭ）（米国特許４８４８１４１）により深さプロファイルを得て、その押込み深さ３０ｎｍから１００ｎｍの測定値から得た平均値を用いて測定する。
電荷輸送層の膜厚は、例えば、１０μｍ以上４０μｍ以下がよく、望ましくは１０μｍ以上３５μｍ以下、より望ましくは１５μｍ以上３５μｍ以下である。
電荷輸送層の膜厚を上記範囲にすると、無機保護層の割れ、及び残留電位の発生が抑制され易くなる。
電荷輸送層の膜厚を上記範囲にすると、無機保護層の割れ、及び残留電位の発生が抑制され易くなる。
（無機保護層）
－無機保護層の組成－
本実施形態の電子写真感光体における無機保護層は、次に示す材料で構成されている。
すなわち、第１３族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、第１３族元素、及び酸素の元素構成比率の和が０．７０以上である。
特に、第１の実施形態の電子写真感光体における無機保護層を構成する材料は、酸素及び第１３族元素の元素構成比率（酸素／第１３族元素）が１．１０以上１．３０以下である第１の領域、並びに、酸素／第１３族元素が１．４０以上１．５０以下である第２の領域を有する。そして、第１の領域および第２の領域が、感光層上にこの順で有し、第２の領域が最上層となる。感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する点で、第１３族元素はガリウムであることが好ましい。また、第１３族元素がガリウムであることで、無機保護層の傷の発生も抑制されやすくなる。
－無機保護層の組成－
本実施形態の電子写真感光体における無機保護層は、次に示す材料で構成されている。
すなわち、第１３族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、第１３族元素、及び酸素の元素構成比率の和が０．７０以上である。
特に、第１の実施形態の電子写真感光体における無機保護層を構成する材料は、酸素及び第１３族元素の元素構成比率（酸素／第１３族元素）が１．１０以上１．３０以下である第１の領域、並びに、酸素／第１３族元素が１．４０以上１．５０以下である第２の領域を有する。そして、第１の領域および第２の領域が、感光層上にこの順で有し、第２の領域が最上層となる。感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する点で、第１３族元素はガリウムであることが好ましい。また、第１３族元素がガリウムであることで、無機保護層の傷の発生も抑制されやすくなる。
感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する点で、第１の領域において、酸素及び第１３族元素の元素構成比率（酸素／第１３族元素）は、１．２０以上１．３０以下であることがよく、１．２５以上１．３０以下であることが好ましい。同様の点で、第２の領域において、酸素及び第１３族元素の元素構成比率（酸素／第１３族元素）は、１．４５以上１．５０以下であることがよく、１．４７以上１．５０以下であることが好ましい。
ここで、第１の領域および第２の領域において、各々の元素構成比率（酸素／第１３族元素（特にガリウム））が上記範囲であると、各々の領域での体積抵抗率を制御しやすくなる。つまり、第１の領域での体積抵抗率が、２．０×１０７Ωｃｍ以上１．０×１０１０Ωｃｍ以下の範囲、第２の領域での体積抵抗率が、２×１０１０Ωｃｍ以上１．０×１０１１Ωｃｍ以下の範囲を満たし易くなる。この点で、第２の実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の各領域を構成する材料は、第１の実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の各領域を構成する材料と同様の材料であることがよい。
また、無機表面層を構成する全元素に対する、第１３族元素（特にガリウム）、及び酸素の元素構成比率の和は、０．７０以上であることで、例えば、Ｎ，Ｐ，Ａｓなどの１５族元素などが混入した場合、これらが第１３族元素（特にガリウム）と結合する影響などが抑制され、無機表面層の硬度や電気特性を向上させ得る酸素及び第１３族元素（特にガリウム）組成比（酸素／第１３族元素（特にガリウム））の適正範囲を見出しやすくなる。上記元素構成比率の和は、上記の観点で、０．７５以上がよく、０．８０以上が好ましく、０．８５以上がより好ましい。
無機保護層には、上記無機材料の他、水素を含んでいてもよい。また、導電型の制御のために、例えば、ｎ型の場合、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１つ以上の元素を含んでいてもよい。また、例えば、ｐ型の場合、Ｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる１つ以上の元素を含んでいてもよい。
ここで、無機保護層が、例えば、ガリウムと酸素と必要に応じて水素とを含んで構成された場合、機械的強度、透光性、柔軟性に優れ、その導電制御性に優れるという観点から、好適な元素構成比率は以下の通りである。
ガリウムの元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、０．２０以上０．５０以下であることがよく、望ましくは０．２５以上０．４０以下、より望ましくは０．３０以上０．４０以下である。
酸素の元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、０．３０以上０．７０以下であることがよく、望ましくは０．３０以上０．６０以下、より望ましくは０．３５以上０．５５以下である。
水素の元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、０．１０以上０．４０以下であることがよく、望ましくは０．１０以上０．３０以下、より望ましくは０．１５以上０．２５以下である。
ガリウムの元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、０．２０以上０．５０以下であることがよく、望ましくは０．２５以上０．４０以下、より望ましくは０．３０以上０．４０以下である。
酸素の元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、０．３０以上０．７０以下であることがよく、望ましくは０．３０以上０．６０以下、より望ましくは０．３５以上０．５５以下である。
水素の元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、０．１０以上０．４０以下であることがよく、望ましくは０．１０以上０．３０以下、より望ましくは０．１５以上０．２５以下である。
ここで、無機保護層における各元素の元素構成比率、原子数比等は、厚み方向の分布も含めてラザフォードバックスキャタリング（以下、「ＲＢＳ」と称する）により求められる
なお、ＲＢＳでは、加速器としてＮＥＣ社 ３ＳＤＨ Ｐｅｌｌｅｔｒｏｎ、エンドステーションとしてＣＥ＆Ａ社 ＲＢＳ－４００、システムとして３Ｓ－Ｒ１０を用いる。解析にはＣＥ＆Ａ社のＨＹＰＲＡプログラム等を用いる。
なお、ＲＢＳの測定条件は、Ｈｅ＋＋イオンビームエネルギーは２．２７５ｅＶ、検出角度１６０°、入射ビームに対してＧｒａｚｉｎｇ Ａｎｇｌｅは約１０９°とする。
なお、ＲＢＳでは、加速器としてＮＥＣ社 ３ＳＤＨ Ｐｅｌｌｅｔｒｏｎ、エンドステーションとしてＣＥ＆Ａ社 ＲＢＳ－４００、システムとして３Ｓ－Ｒ１０を用いる。解析にはＣＥ＆Ａ社のＨＹＰＲＡプログラム等を用いる。
なお、ＲＢＳの測定条件は、Ｈｅ＋＋イオンビームエネルギーは２．２７５ｅＶ、検出角度１６０°、入射ビームに対してＧｒａｚｉｎｇ Ａｎｇｌｅは約１０９°とする。
ＲＢＳ測定は、具体的には以下のように行う
まず、Ｈｅ＋＋イオンビームを試料に対して垂直に入射し、検出器をイオンビームに対して、１６０°にセットし、後方散乱されたＨｅのシグナルを測定する。検出したＨｅのエネルギーと強度から組成比と膜厚を決定する。組成比及び膜厚を求める精度を向上させるために二つの検出角度でスペクトルを測定してもよい。深さ方向分解能や後方散乱力学の異なる二つの検出角度で測定しクロスチェックすることにより精度が向上する。
ターゲット原子によって後方散乱されるＨｅ原子の数は、１）ターゲット原子の原子番号、２）散乱前のＨｅ原子のエネルギー、３）散乱角度の３つの要素のみにより決まる。 測定された組成から密度を計算によって仮定して、これを用いて厚みを算出する。密度の誤差は２０％以内である。
まず、Ｈｅ＋＋イオンビームを試料に対して垂直に入射し、検出器をイオンビームに対して、１６０°にセットし、後方散乱されたＨｅのシグナルを測定する。検出したＨｅのエネルギーと強度から組成比と膜厚を決定する。組成比及び膜厚を求める精度を向上させるために二つの検出角度でスペクトルを測定してもよい。深さ方向分解能や後方散乱力学の異なる二つの検出角度で測定しクロスチェックすることにより精度が向上する。
ターゲット原子によって後方散乱されるＨｅ原子の数は、１）ターゲット原子の原子番号、２）散乱前のＨｅ原子のエネルギー、３）散乱角度の３つの要素のみにより決まる。 測定された組成から密度を計算によって仮定して、これを用いて厚みを算出する。密度の誤差は２０％以内である。
なお、水素の元素構成比率は、ハイドロジェンフォワードスキャタリング（以下、「ＨＦＳ」と称する）により求められる。
ＨＦＳ測定では、加速器としてＮＥＣ社 ３ＳＤＨ Ｐｅｌｌｅｔｒｏｎ、エンドステーションとしてＣＥ＆Ａ社 ＲＢＳ－４００を用い、システムとして３Ｓ－Ｒ１０を用いる。解析にはＣＥ＆Ａ社のＨＹＰＲＡプログラムを用いる。そして、ＨＦＳの測定条件は、以下の通りである。
・Ｈｅ＋＋イオンビームエネルギー：２．２７５ｅＶ
・検出角度：１６０°入射ビームに対してＧｒａｚｉｎｇ Ａｎｇｌｅ３０°
ＨＦＳ測定では、加速器としてＮＥＣ社 ３ＳＤＨ Ｐｅｌｌｅｔｒｏｎ、エンドステーションとしてＣＥ＆Ａ社 ＲＢＳ－４００を用い、システムとして３Ｓ－Ｒ１０を用いる。解析にはＣＥ＆Ａ社のＨＹＰＲＡプログラムを用いる。そして、ＨＦＳの測定条件は、以下の通りである。
・Ｈｅ＋＋イオンビームエネルギー：２．２７５ｅＶ
・検出角度：１６０°入射ビームに対してＧｒａｚｉｎｇ Ａｎｇｌｅ３０°
ＨＦＳ測定は、Ｈｅ＋＋イオンビームに対して検出器が３０°に、試料が法線から７５°になるようにセットすることにより、試料の前方に散乱する水素のシグナルを拾う。この時検出器をアルミ箔で覆い、水素とともに散乱するＨｅ原子を取り除くことがよい。定量は参照用試料と被測定試料との水素のカウントを阻止能で規格化した後に比較することによって行う。参照用試料としてＳｉ中にＨをイオン注入した試料と白雲母を使用する。
白雲母は水素濃度が６．５原子％であることが知られている。
最表面に吸着しているＨは、例えば、清浄なＳｉ表面に吸着しているＨ量を差し引くことによって補正を行う。
白雲母は水素濃度が６．５原子％であることが知られている。
最表面に吸着しているＨは、例えば、清浄なＳｉ表面に吸着しているＨ量を差し引くことによって補正を行う。
－無機保護層の特性－
前述のように、第２の実施形態の電子写真感光体における無機保護層は、体積抵抗率が２．０×１０７Ωｃｍ以上１．０×１０１０Ωｃｍ以下である第１の領域および体積抵抗率が２．０×１０１０Ωｃｍ以上である第２の領域を有する。
感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する点で、第１の領域の体積抵抗率は、１．０×１０８Ωｃｍ以上１．０×１０１０Ωｃｍ以下であることがよく、５．０×１０８Ωｃｍ以上５．０×１０９Ωｃｍ以下であることが好ましい。同様の点で、第２の領域の体積抵抗率は、３．０×１０１０Ωｃｍ以上であることがよく、４．０×１０１０Ωｃｍ以上であることが好ましい。なお、第２の領域の体積抵抗率の上限は特に限定されないが、例えば、１．０×１０１１Ωｃｍ以下が挙げられる。
また、第１の実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の各領域における体積抵抗率は、第２の実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の各領域における体積抵抗率の範囲を満たすことがよい。
前述のように、第２の実施形態の電子写真感光体における無機保護層は、体積抵抗率が２．０×１０７Ωｃｍ以上１．０×１０１０Ωｃｍ以下である第１の領域および体積抵抗率が２．０×１０１０Ωｃｍ以上である第２の領域を有する。
感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する点で、第１の領域の体積抵抗率は、１．０×１０８Ωｃｍ以上１．０×１０１０Ωｃｍ以下であることがよく、５．０×１０８Ωｃｍ以上５．０×１０９Ωｃｍ以下であることが好ましい。同様の点で、第２の領域の体積抵抗率は、３．０×１０１０Ωｃｍ以上であることがよく、４．０×１０１０Ωｃｍ以上であることが好ましい。なお、第２の領域の体積抵抗率の上限は特に限定されないが、例えば、１．０×１０１１Ωｃｍ以下が挙げられる。
また、第１の実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の各領域における体積抵抗率は、第２の実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の各領域における体積抵抗率の範囲を満たすことがよい。
この体積抵抗率は、ｎＦ社製ＬＣＲメーターＺＭ２３７１を用いて、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖの条件にて測定した抵抗値から、電極面積、試料厚みに基づき算出して求められる。
なお、測定試料は、測定対象となる無機保護層の成膜時の同条件でアルミ基体上に成膜し、その成膜物上に真空蒸着により金電極を形成し得られた試料であってもよいし、又は作製後の電子写真感光体から無機保護層を剥離し、一部エッチングして、これを一対の電極で挟み込んだ試料であってもよい。
なお、測定試料は、測定対象となる無機保護層の成膜時の同条件でアルミ基体上に成膜し、その成膜物上に真空蒸着により金電極を形成し得られた試料であってもよいし、又は作製後の電子写真感光体から無機保護層を剥離し、一部エッチングして、これを一対の電極で挟み込んだ試料であってもよい。
無機保護層は、微結晶膜、多結晶膜、非晶質膜などの非単結晶膜であることが望ましい。これらの中でも、非晶質は表面の平滑性で特に望ましいが、微結晶膜は硬度の点でより望ましい。
無機保護層の成長断面は、柱状構造をとっていてもよいが、滑り性の観点からは平坦性の高い構造が望ましく、非晶質が望ましい。
なお、結晶性、非晶質性は、ＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折）測定により得られた回折像の点や線の有無により判別される。
無機保護層の成長断面は、柱状構造をとっていてもよいが、滑り性の観点からは平坦性の高い構造が望ましく、非晶質が望ましい。
なお、結晶性、非晶質性は、ＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折）測定により得られた回折像の点や線の有無により判別される。
無機保護層全体の弾性率は３０ＧＰａ以上８０ＧＰａ以下であることがよく、望ましくは４０ＧＰａ以上６５ＧＰａ以下である。
この弾性率を上記範囲とすると、無機保護層の凹部（打痕状の傷）の発生、剥れや割れが抑制され易くなる。
この弾性率は、ＭＴＳシステムズ社製 Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔｅｒ ＳＡ２を用いて、連続剛性法（ＣＳＭ）（米国特許４８４８１４１）により深さプロファイルを得て、その押込み深さ３０ｎｍから１００ｎｍの測定値から得た平均値を用いる。下記は測定条件である。
・測定環境：２３℃、５５％ＲＨ
・使用圧子：ダイヤモンド製正三角錐圧子（Ｂｅｒｋｏｖｉｃ圧子）三角錐圧子
・試験モード：ＣＳＭモード
なお、測定試料は、測定対象となる無機保護層の成膜時の同条件で基体上に成膜した試料であってもよいし、又は作製後の電子写真感光体から無機保護層を剥離し、一部エッチングした試料であってもよい。
この弾性率を上記範囲とすると、無機保護層の凹部（打痕状の傷）の発生、剥れや割れが抑制され易くなる。
この弾性率は、ＭＴＳシステムズ社製 Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔｅｒ ＳＡ２を用いて、連続剛性法（ＣＳＭ）（米国特許４８４８１４１）により深さプロファイルを得て、その押込み深さ３０ｎｍから１００ｎｍの測定値から得た平均値を用いる。下記は測定条件である。
・測定環境：２３℃、５５％ＲＨ
・使用圧子：ダイヤモンド製正三角錐圧子（Ｂｅｒｋｏｖｉｃ圧子）三角錐圧子
・試験モード：ＣＳＭモード
なお、測定試料は、測定対象となる無機保護層の成膜時の同条件で基体上に成膜した試料であってもよいし、又は作製後の電子写真感光体から無機保護層を剥離し、一部エッチングした試料であってもよい。
本実施形態に係る電子写真感光体において、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する点で、第１の領域の厚みは、第２の領域の厚みよりも薄いことがよい。また、同様の点で、第１の領域の厚みに対する、第２の領域の厚みの比（第２の領域の厚み／第１の領域の厚み）の比は、３以上１００以下（好ましくは、１０以上１００以下、より好ましくは１０以上３０以下）であることがよい。
さらに、感度を確保しつつ、残留電位の上昇を抑制する点で、第１の領域の厚みは、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下（好ましくは、０．０３μｍ以上０．０９μｍ以下）であることがよい。また、同様の点で、第２の領域の厚みは、０．３μｍ以上１．０μｍ以下（好ましくは、０．４μｍ以上０．９μｍ以下）であることがよい。
また、本実施形態に係る電子写真感光体において、無機保護層の全体の膜厚は、例えば、１．５μｍ超１０μｍ以下であることがよく、３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上６μｍ以下であることがより好ましい。
無機保護層の全体の膜厚を上記範囲とすると、無機保護層の傷の発生が抑制され易くなる。
無機保護層の全体の膜厚を上記範囲とすると、無機保護層の傷の発生が抑制され易くなる。
－無機保護層の形成－
無機保護層の形成には、例えば、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、有機金属気相成長法、分子線エキタピシー法、蒸着、スパッタリング等の公知の気相成膜法が利用される。
無機保護層の形成には、例えば、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、有機金属気相成長法、分子線エキタピシー法、蒸着、スパッタリング等の公知の気相成膜法が利用される。
以下、無機保護層の形成について、成膜装置の一例を図面に示しつつ具体例を挙げて説明する。なお、以下の説明は、ガリウム、酸素、及び水素を含んで構成された無機保護層の形成方法について示すが、これに限られず、目的とする無機保護層の組成に応じて、周知の形成方法を適用すればよい。
図５は、本実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の形成に用いる成膜装置の一例を示す概略模式図であり、図５（Ａ）は、成膜装置を側面から見た場合の模式断面図を表し、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示す成膜装置のＡ１－Ａ２間における模式断面図を表す。図５中、２１０は成膜室、２１１は排気口、２１２は基体回転部、２１３は基体支持部材、２１４は基体、２１５はガス導入管、２１６はガス導入管２１５から導入したガスを噴射する開口を有するシャワーノズル、２１７はプラズマ拡散部、２１８は高周波電力供給部、２１９は平板電極、２２０はガス導入管、２２１は高周波放電管部である。
図５に示す成膜装置において、成膜室２１０の一端には、不図示の真空排気装置に接続された排気口２１１が設けられており、成膜室２１０の排気口２１１が設けられた側と反対側に、高周波電力供給部２１８、平板電極２１９及び高周波放電管部２２１からなるプラズマ発生装置が設けられている。
このプラズマ発生装置は、高周波放電管部２２１と、高周波放電管部２２１内に配置され、放電面が排気口２１１側に設けられた平板電極２１９と、高周波放電管部２２１外に配置され、平板電極２１９の放電面と反対側の面に接続された高周波電力供給部２１８とから構成されたものである。なお、高周波放電管部２２１には、高周波放電管部２２１内にガスを供給するためのガス導入管２２０が接続されており、このガス導入管２２０のもう一方の端は、不図示の第１のガス供給源に接続されている。
このプラズマ発生装置は、高周波放電管部２２１と、高周波放電管部２２１内に配置され、放電面が排気口２１１側に設けられた平板電極２１９と、高周波放電管部２２１外に配置され、平板電極２１９の放電面と反対側の面に接続された高周波電力供給部２１８とから構成されたものである。なお、高周波放電管部２２１には、高周波放電管部２２１内にガスを供給するためのガス導入管２２０が接続されており、このガス導入管２２０のもう一方の端は、不図示の第１のガス供給源に接続されている。
なお、図５に示す成膜装置に設けられたプラズマ発生装置の代わりに、図６に示すプラズマ発生装置を用いてもよい。図６は、図５に示す成膜装置において利用されるプラズマ発生装置の他の例を示す概略模式図であり、プラズマ発生装置の側面図である。図６中、２２２が高周波コイル、２２３が石英管を表し、２２０は、図５中に示すものと同様である。このプラズマ発生装置は、石英管２２３と、石英管２２３の外周面に沿って設けられた高周波コイル２２２とからなり、石英管２２３の一方の端は成膜室２１０（図６中、不図示）と接続されている。また、石英管２２３のもう一方の端には、石英管２２３内にガスを導入するためのガス導入管２２０が接続されている。
図５において、平板電極２１９の放電面側には、放電面に沿って延びる棒状のシャワーノズル２１６が接続されており、シャワーノズル２１６の一端は、ガス導入管２１５と接続されており、このガス導入管２１５は成膜室２１０外に設けられた不図示の第２のガス供給源と接続されている。
また、成膜室２１０内には、基体回転部２１２が設けられており、円筒状の基体２１４が、シャワーノズル２１６の長手方向と基体２１４の軸方向とが沿って対面するように基体支持部材２１３を介して基体回転部２１２に取りつけられるようになっている。成膜に際しては、基体回転部２１２が回転することによって、基体２１４が周方向に回転する。なお、基体２１４としては、例えば、予め有機感光層まで積層された感光体等が用いられる。
また、成膜室２１０内には、基体回転部２１２が設けられており、円筒状の基体２１４が、シャワーノズル２１６の長手方向と基体２１４の軸方向とが沿って対面するように基体支持部材２１３を介して基体回転部２１２に取りつけられるようになっている。成膜に際しては、基体回転部２１２が回転することによって、基体２１４が周方向に回転する。なお、基体２１４としては、例えば、予め有機感光層まで積層された感光体等が用いられる。
無機保護層の形成は、例えば、以下のように実施する。
まず、酸素ガス（又は、ヘリウム（Ｈｅ）希釈酸素ガス）、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、及び必要に応じ水素（Ｈ２）ガスを、ガス導入管２２０から高周波放電管部２２１内に導入すると共に、高周波電力供給部２１８から平板電極２１９に、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を供給する。この際、平板電極２１９の放電面側から排気口２１１側へと放射状に広がるようにプラズマ拡散部２１７が形成される。ここで、ガス導入管２２０から導入されたガスは成膜室２１０を平板電極２１９側から排気口２１１側へと流れる。平板電極２１９は電極の周りをアースシールドで囲んだものでもよい。
まず、酸素ガス（又は、ヘリウム（Ｈｅ）希釈酸素ガス）、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、及び必要に応じ水素（Ｈ２）ガスを、ガス導入管２２０から高周波放電管部２２１内に導入すると共に、高周波電力供給部２１８から平板電極２１９に、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を供給する。この際、平板電極２１９の放電面側から排気口２１１側へと放射状に広がるようにプラズマ拡散部２１７が形成される。ここで、ガス導入管２２０から導入されたガスは成膜室２１０を平板電極２１９側から排気口２１１側へと流れる。平板電極２１９は電極の周りをアースシールドで囲んだものでもよい。
次に、トリメチルガリウムガスをガス導入管２１５、活性化手段である平板電極２１９の下流側に位置するシャワーノズル２１６を介して成膜室２１０に導入することによって、基体２１４表面にガリウムと酸素と水素とを含む非単結晶膜を成膜する。
基体２１４としては、例えば、有機感光層が形成された基体を用いる。
基体２１４としては、例えば、有機感光層が形成された基体を用いる。
無機保護層の成膜時の基体２１４表面の温度は、有機感光層を有する有機感光体を用いるので、１５０℃以下が望ましく、１００℃以下がより望ましく、３０℃以上１００℃以下が特に望ましい。
基体２１４表面の温度が成膜開始当初は１５０℃以下であっても、プラズマの影響で１５０℃より高くなる場合には有機感光層が熱で損傷を受ける場合があるため、この影響を考慮して基体２１４の表面温度を制御することが望ましい。
基体２１４表面の温度は加熱手段、冷却手段（図中、不図示）等によって制御してもよいし、放電時の自然な温度の上昇に任せてもよい。基体２１４を加熱する場合にはヒータを基体２１４の外側や内側に設置してもよい。基体２１４を冷却する場合には基体２１４の内側に冷却用の気体又は液体を循環させてもよい。
放電による基体２１４表面の温度の上昇を避けたい場合には、基体２１４表面に当たる高エネルギーの気体流を調節することが効果的である。この場合、ガス流量や放電出力、圧力などの条件を所要温度となるように調整する。
基体２１４表面の温度が成膜開始当初は１５０℃以下であっても、プラズマの影響で１５０℃より高くなる場合には有機感光層が熱で損傷を受ける場合があるため、この影響を考慮して基体２１４の表面温度を制御することが望ましい。
基体２１４表面の温度は加熱手段、冷却手段（図中、不図示）等によって制御してもよいし、放電時の自然な温度の上昇に任せてもよい。基体２１４を加熱する場合にはヒータを基体２１４の外側や内側に設置してもよい。基体２１４を冷却する場合には基体２１４の内側に冷却用の気体又は液体を循環させてもよい。
放電による基体２１４表面の温度の上昇を避けたい場合には、基体２１４表面に当たる高エネルギーの気体流を調節することが効果的である。この場合、ガス流量や放電出力、圧力などの条件を所要温度となるように調整する。
また、トリメチルガリウムガスの代わりにアルミニウムを含む有機金属化合物やジボラン等の水素化物を用いることもでき、これらを２種類以上混合してもよい。
例えば、無機保護層の形成の初期において、トリメチルインジウムをガス導入管２１５、シャワーノズル２１６を介して成膜室２１０内に導入することにより、基体２１４上に窒素とインジウムとを含む膜を成膜すれば、この膜が、継続して成膜する場合に発生し、有機感光層を劣化させる紫外線を吸収する。このため、成膜時の紫外線の発生による有機感光層へのダメージが抑制される。
例えば、無機保護層の形成の初期において、トリメチルインジウムをガス導入管２１５、シャワーノズル２１６を介して成膜室２１０内に導入することにより、基体２１４上に窒素とインジウムとを含む膜を成膜すれば、この膜が、継続して成膜する場合に発生し、有機感光層を劣化させる紫外線を吸収する。このため、成膜時の紫外線の発生による有機感光層へのダメージが抑制される。
また、成膜時におけるドーパントのドーピングの方法としては、ｎ型用としてはＳｉＨ３，ＳｎＨ４を、ｐ型用としては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、ジメチルカルシウム、ジメチルストロンチウム、などをガス状態で使用する。また、ドーパント元素を表面層中にドーピングするには、熱拡散法、イオン注入法等の公知の方法を採用してもよい。
具体的には、例えば、少なくとも一つ以上のドーパント元素を含むガスをガス導入管２１５、シャワーノズル２１６を介して成膜室２１０内に導入することによって、ｎ型、ｐ型等の導電型の無機保護層を得る。
具体的には、例えば、少なくとも一つ以上のドーパント元素を含むガスをガス導入管２１５、シャワーノズル２１６を介して成膜室２１０内に導入することによって、ｎ型、ｐ型等の導電型の無機保護層を得る。
図５及び図６を用いて説明した成膜装置では、放電エネルギーにより形成される活性窒素又は活性水素を、活性装置を複数設けて独立に制御してもよいし、ＮＨ３など、窒素原子と水素原子を同時に含むガスを用いてもよい。さらにＨ２を加えてもよい。また、有機金属化合物から活性水素が遊離生成する条件を用いてもよい。
このようにすることで、基体２１４表面上には、活性化された、炭素原子、ガリウム原子、窒素原子、水素原子、等が制御された状態で存在する。そして、活性化された水素原子が、有機金属化合物を構成するメチル基やエチル基等の炭化水素基の水素を分子として脱離させる効果を有する。
このため、三次元的な結合を構成する硬質膜（無機保護層）が形成される。
このようにすることで、基体２１４表面上には、活性化された、炭素原子、ガリウム原子、窒素原子、水素原子、等が制御された状態で存在する。そして、活性化された水素原子が、有機金属化合物を構成するメチル基やエチル基等の炭化水素基の水素を分子として脱離させる効果を有する。
このため、三次元的な結合を構成する硬質膜（無機保護層）が形成される。
図５及び図６に示す成膜装置のプラズマ発生手段は、高周波発振装置を用いたものであるが、これに限定されるものではなく、例えば、マイクロ波発振装置を用いたり、エレクトロサイクロトロン共鳴方式やヘリコンプラズマ方式の装置を用いてもよい。また、高周波発振装置の場合は、誘導型でも容量型でもよい。
さらに、これらの装置を２種類以上組み合わせて用いてもよく、あるいは、同種の装置を２つ以上用いてもよい。プラズマの照射によって基体２１４表面の温度上昇を抑制するためには高周波発振装置が望ましいが、熱の照射を抑制する装置を設けてもよい。
さらに、これらの装置を２種類以上組み合わせて用いてもよく、あるいは、同種の装置を２つ以上用いてもよい。プラズマの照射によって基体２１４表面の温度上昇を抑制するためには高周波発振装置が望ましいが、熱の照射を抑制する装置を設けてもよい。
２種類以上の異なるプラズマ発生装置（プラズマ発生手段）を用いる場合には、同じ圧力で同時に放電が生起されるようにすることが望ましい。また、放電する領域と、成膜する領域（基体が設置された部分）とに圧力差を設けてもよい。これらの装置は、成膜装置内をガスが導入される部分から排出される部分へと形成されるガス流に対して直列に配置してもよいし、いずれの装置も基体の成膜面に対向するように配置してもよい。
例えば、２種類のプラズマ発生手段をガス流に対して直列に設置する場合、図５に示す成膜装置を例に上げれば、シャワーノズル２１６を電極として成膜室２１０内に放電を起こさせる第２のプラズマ発生装置として利用される。この場合、例えば、ガス導入管２１５を介して、シャワーノズル２１６に高周波電圧を印加して、シャワーノズル２１６を電極として成膜室２１０内に放電を起こさせる。あるいは、シャワーノズル２１６を電極として利用する代わりに、成膜室２１０内の基体２１４と平板電極２１９との間に円筒状の電極を設けて、この円筒状電極を利用して、成膜室２１０内に放電を起こさせる。
また、異なる２種類のプラズマ発生装置を同一の圧力下で利用する場合、例えば、マイクロ波発振装置と高周波発振装置とを用いる場合、励起種の励起エネルギーを大きく変えることができ、膜質の制御に有効である。また、放電は大気圧近傍（７００００Ｐａ以上１１００００Ｐａ以下）で行ってもよい。大気圧近傍で放電を行う場合にはキャリアガスとしてＨｅを使用することが望ましい。
また、異なる２種類のプラズマ発生装置を同一の圧力下で利用する場合、例えば、マイクロ波発振装置と高周波発振装置とを用いる場合、励起種の励起エネルギーを大きく変えることができ、膜質の制御に有効である。また、放電は大気圧近傍（７００００Ｐａ以上１１００００Ｐａ以下）で行ってもよい。大気圧近傍で放電を行う場合にはキャリアガスとしてＨｅを使用することが望ましい。
無機保護層の形成は、例えば、成膜室２１０に基体上に有機感光層を形成した基体２１４を設置し、各々組成の異なる混合ガスを導入して、無機保護層を形成する。
また、成膜条件としては、例えば高周波放電により放電する場合、低温で良質な成膜を行うには、周波数として１０ｋＨｚ以上５０ＭＨｚ以下の範囲とすることが望ましい。また、出力は基体２１４の大きさに依存するが、基体の表面積に対して０．０１Ｗ／ｃｍ２以上０．２Ｗ／ｃｍ２以下の範囲とすることが望ましい。基体２１４の回転速度は０．１ｒｐｍ以上５００ｒｐｍ以下の範囲が望ましい。
なお、無機保護層の第１の領域および第２の領域の元素構成比率（酸素／第１３族元素）および体積抵抗率は、例えば、プラズマ発生装置の圧力および高周波電力を制御することで調整される。また、プラズマ発生装置に供給するトリメチルガリウム、ヘリウム希釈の酸素、及び水素の流量比によって調整される。具体的には、トリメチルガリウム及びヘリウム希釈の酸素の流量比で調整される。第１の領域および第２の領域のそれぞれの厚みについては、プラズマ発生装置に供給するトリメチルガリウムとヘリウム希釈の酸素を供給時間によって調整される。
以上、電子写真感光体として有機感光層が機能分離型で、電荷輸送層が単層型の例を説明したが、図２に示される電子写真感光体（有機感光層が機能分離型で、電荷輸送層が複層型の例）の場合、無機保護層５と接する電荷輸送層３Ａは図１に示す電子写真感光体の電荷輸送層３と同じ構成とする一方で、無機保護層５と接しない電荷輸送層３Ｂは周知の電荷輸送層と同じ構成とすることがよい。
但し、電荷輸送層３Ａの膜厚は、１μｍ以上１５μｍ以下とすることがよい。また、電荷輸送層３Ｂの膜厚は、１５μｍ以上２９μｍ以下とすることがよい。
但し、電荷輸送層３Ａの膜厚は、１μｍ以上１５μｍ以下とすることがよい。また、電荷輸送層３Ｂの膜厚は、１５μｍ以上２９μｍ以下とすることがよい。
一方、図３に示される電子写真感光体（有機感光層が単層型の例）の場合、単層型有機感光層６（電荷発生／電荷輸送層）は、電子写真感光体の電荷輸送層３と電荷発生材料を含む以外は同じ構成とすることがよい。
但し、単層型有機感光層６中の電荷発生材料の含有量は、単層型有機感光層全体に対して、０．１質量％以上１０質量％以下（好ましくは０．８質量％以上５質量％以下）とすることがよい。電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
また、単層型有機感光層６の膜厚は、１５μｍ以上３０μｍ以下とすることがよい。
但し、単層型有機感光層６中の電荷発生材料の含有量は、単層型有機感光層全体に対して、０．１質量％以上１０質量％以下（好ましくは０．８質量％以上５質量％以下）とすることがよい。電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
また、単層型有機感光層６の膜厚は、１５μｍ以上３０μｍ以下とすることがよい。
さらに、無機保護層は、感光層上に、前述の第１の領域と第２の領域との組み合わせを、この順で、繰り返し多層に積層して形成してもよい。
例えば、図４に示される電子写真感光体では、無機保護層が、第１の領域と第２の領域との組み合わせを、この順で繰り返し積層された繰り返し回数が３回で構成されている例を示している。なお、繰り返し回数とは、感光層側から、第１の領域と第２の領域とを、この順で積層した組み合わせを１単位とし、この単位を繰り返した回数を表す。第１の領域および第２の領域の組み合わせの繰り返し積層された繰り返し回数は、例えば、２回であってもよい。感度を確保しつつ、残留電位の上昇をより抑制する点で、第１の領域および第２の領域の繰り返し回数は、３回以上１０回以下であることがよい。繰り返し回数は、４回以上でもよく、５回以上であってもよい。また、９回以下でもよく、８回以下であってもよい。
例えば、図４に示される電子写真感光体では、無機保護層が、第１の領域と第２の領域との組み合わせを、この順で繰り返し積層された繰り返し回数が３回で構成されている例を示している。なお、繰り返し回数とは、感光層側から、第１の領域と第２の領域とを、この順で積層した組み合わせを１単位とし、この単位を繰り返した回数を表す。第１の領域および第２の領域の組み合わせの繰り返し積層された繰り返し回数は、例えば、２回であってもよい。感度を確保しつつ、残留電位の上昇をより抑制する点で、第１の領域および第２の領域の繰り返し回数は、３回以上１０回以下であることがよい。繰り返し回数は、４回以上でもよく、５回以上であってもよい。また、９回以下でもよく、８回以下であってもよい。
また、無機保護層の形成において、各層は、その目的とする元素構成比率、又は体積抵抗率に応じて、各々組成の異なる混合ガスを導入して、連続的に形成してもよいし、別個独立に行ってもよい。また、各層は、その目的とする元素構成比率、又は体積抵抗率に応じて、成膜条件を選択すればよい。
［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
図７は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図７に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。なお、画像形成装置１００において、制御装置６０（制御手段の一例）は、画像形成装置１００内の各装置及び各部材の動作を制御する装置であり、各装置及び各部材と接続されて配置されている。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図７に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。なお、画像形成装置１００において、制御装置６０（制御手段の一例）は、画像形成装置１００内の各装置及び各部材の動作を制御する装置であり、各装置及び各部材と接続されて配置されている。
図７におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
なお、図７には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
－帯電装置－
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
－露光装置－
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
－現像装置－
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。
－クリーニング装置－
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
－転写装置－
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
－中間転写体－
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
－制御装置－
制御装置６０は、装置全体の制御及び各種演算を行うコンピュータとして構成されている。具体的には、制御装置６０は、例えば、ＣＰＵ（中央処理装置； Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、各種プログラムを記憶したＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、プログラムの実行時にワークエリアとして使用されるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、各種情報を記憶する不揮発性メモリ、及び入出力インターフェース（Ｉ／Ｏ）を備えている。ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、不揮発性メモリ、及びＩ／Ｏの各々は、バスを介して接続されている。そして、Ｉ／Ｏには、電子写真感光体７（駆動モータ３０を含む）、帯電装置８、露光装置９、現像装置１１、転写装置４０等の画像形成装置１００の各部が接続されている。
制御装置６０は、装置全体の制御及び各種演算を行うコンピュータとして構成されている。具体的には、制御装置６０は、例えば、ＣＰＵ（中央処理装置； Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、各種プログラムを記憶したＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、プログラムの実行時にワークエリアとして使用されるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、各種情報を記憶する不揮発性メモリ、及び入出力インターフェース（Ｉ／Ｏ）を備えている。ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、不揮発性メモリ、及びＩ／Ｏの各々は、バスを介して接続されている。そして、Ｉ／Ｏには、電子写真感光体７（駆動モータ３０を含む）、帯電装置８、露光装置９、現像装置１１、転写装置４０等の画像形成装置１００の各部が接続されている。
なお、ＣＰＵは、例えば、ＲＯＭや不揮発性メモリに記憶されているプログラム（例えば、画像形成シーケンスや回復シーケンス等）の制御プログラム）実行し、画像形成装置１００の各部の動作を制御する。ＲＡＭは、ワークメモリとして使用される。ＲＯＭや不揮発性メモリには、例えば、ＣＰＵが実行するプログラムやＣＰＵの処理に必要なデータ等が記憶されている。なお、制御プログラムや各種データは、記憶部等の他の記憶装置に記憶されていてもよいし、通信部を介して外部から取得されてもよい。
また、制御装置６０には、各種ドライブが接続されていてもよい。各種ドライブとしては、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭ、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒｉａｌ Ｂｕｓ）メモリなどのコンピュータ読み取り可能な可搬性の記録媒体からデータを読み込んだり、記録媒体に対してデータを書き込んだりする装置が挙げられる。各種ドライブを備える場合には、可搬性の記録媒体に制御プログラムを記録しておいて、これを対応するドライブで読み込んで実行してもよい。
図８は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図８に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
図８に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
なお、本実施形態に係る画像形成装置１００は、上記構成に限られず、例えば、電子写真感光体７の周囲であって、転写装置４０よりも電子写真感光体７の回転方向下流側でクリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、残留したトナーの極性を揃え、クリーニングブラシで除去しやすくするための第１除電装置を設けた形態であってもよいし、クリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向下流側で帯電装置８よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、電子写真感光体７の表面を除電する第２除電装置を設けた形態であってもよい。
また、本実施形態に係る画像形成装置１００は、上記構成に限られず、周知の構成、例えば、電子写真感光体７に形成したトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の画像形成装置を採用してもよい。
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。なお、以下の実施例において「部」は質量部を意味する。
［シリカ粒子の準備・作製］
－シリカ粒子－
未処理（親水性）シリカ粒子「商品名：ＯＸ５０（アエロジル社製）」１００質量部に、疎水化処理剤として１，１，１，３，３，３－ヘキサメチルジシラザン（東京化成工業社製）３０質量部を添加し、２４時間反応させ、その後、濾取し疎水化処理されたシリカ粒子を得た。このシリカ粒子の縮合率は、９３％であった。このシリカ粒子は、表面にトリメチルシリル基を有している。このシリカ粒子の体積平均粒径は４０ｎｍである。
－シリカ粒子－
未処理（親水性）シリカ粒子「商品名：ＯＸ５０（アエロジル社製）」１００質量部に、疎水化処理剤として１，１，１，３，３，３－ヘキサメチルジシラザン（東京化成工業社製）３０質量部を添加し、２４時間反応させ、その後、濾取し疎水化処理されたシリカ粒子を得た。このシリカ粒子の縮合率は、９３％であった。このシリカ粒子は、表面にトリメチルシリル基を有している。このシリカ粒子の体積平均粒径は４０ｎｍである。
＜実施例１＞
－下引層の作製－
酸化亜鉛（平均粒子径７０ｎｍ：テイカ社製：比表面積値１５ｍ２／ｇ）１００質量部をテトラヒドロフラン５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤（ＫＢＭ５０３：信越化学工業社製）１．３質量部を添加し、２時間攪拌した。その後テトラヒドロフランを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛を得た。
前記表面処理を施した酸化亜鉛１１０質量部を５００質量部のテトラヒドロフランと攪拌混合し、アリザリン０．６質量部を５０質量部のテトラヒドロフランに溶解させた溶液を添加し、５０℃にて５時間攪拌した。その後、減圧ろ過にてアリザリンを付与させた酸化亜鉛をろ別し、さらに６０℃で減圧乾燥を行い、アリザリン付与酸化亜鉛を得た。
このアリザリン付与酸化亜鉛６０質量部と、硬化剤（ブロック化イソシアネート スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）１３．５質量部と、ブチラール樹脂（エスレック ＢＭ－１、積水化学工業社製）１５質量部とを、メチルエチルケトン８５質量部と混合し、混合液を得た。この混合液３８質量部とメチルエチルケトン２５質量部とを混合し、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散を行い、分散液を得た。
得られた分散液に触媒としてジオクチルスズジラウレート：０．００５質量部、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）４０質量部を添加し、下引層形成用塗布液を得た。この塗布液を浸漬塗布法にて外径３０ｍｍ、長さ３６５ｍｍ、厚み（肉厚）１．０ｍｍのアルミニウム基体上に塗布し、１７０℃、４０分の乾燥硬化を行い厚さ１９μｍの下引層を得た。
－下引層の作製－
酸化亜鉛（平均粒子径７０ｎｍ：テイカ社製：比表面積値１５ｍ２／ｇ）１００質量部をテトラヒドロフラン５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤（ＫＢＭ５０３：信越化学工業社製）１．３質量部を添加し、２時間攪拌した。その後テトラヒドロフランを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛を得た。
前記表面処理を施した酸化亜鉛１１０質量部を５００質量部のテトラヒドロフランと攪拌混合し、アリザリン０．６質量部を５０質量部のテトラヒドロフランに溶解させた溶液を添加し、５０℃にて５時間攪拌した。その後、減圧ろ過にてアリザリンを付与させた酸化亜鉛をろ別し、さらに６０℃で減圧乾燥を行い、アリザリン付与酸化亜鉛を得た。
このアリザリン付与酸化亜鉛６０質量部と、硬化剤（ブロック化イソシアネート スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）１３．５質量部と、ブチラール樹脂（エスレック ＢＭ－１、積水化学工業社製）１５質量部とを、メチルエチルケトン８５質量部と混合し、混合液を得た。この混合液３８質量部とメチルエチルケトン２５質量部とを混合し、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散を行い、分散液を得た。
得られた分散液に触媒としてジオクチルスズジラウレート：０．００５質量部、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）４０質量部を添加し、下引層形成用塗布液を得た。この塗布液を浸漬塗布法にて外径３０ｍｍ、長さ３６５ｍｍ、厚み（肉厚）１．０ｍｍのアルミニウム基体上に塗布し、１７０℃、４０分の乾燥硬化を行い厚さ１９μｍの下引層を得た。
－電荷発生層の作製－
電荷発生物質としてのＣｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３°、１６．０°、２４．９°、２８．０°の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン１５質量部、結着樹脂としての塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体（ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０質量部、ｎ－酢酸ブチル２００質量部からなる混合物を、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液にｎ－酢酸ブチル１７５質量部、メチルエチルケトン１８０質量部を添加し、攪拌して電荷発生層形成用の塗布液を得た。この電荷発生層形成用塗布液を下引層上に浸漬塗布し、常温（２５℃）で乾燥して、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。
電荷発生物質としてのＣｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３°、１６．０°、２４．９°、２８．０°の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン１５質量部、結着樹脂としての塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体（ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０質量部、ｎ－酢酸ブチル２００質量部からなる混合物を、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液にｎ－酢酸ブチル１７５質量部、メチルエチルケトン１８０質量部を添加し、攪拌して電荷発生層形成用の塗布液を得た。この電荷発生層形成用塗布液を下引層上に浸漬塗布し、常温（２５℃）で乾燥して、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。
－電荷輸送層の作製－
シリカ粒子（１）６５質量部に、テトラヒドロフラン２５０質量部を入れ、２０℃の液温に保ちながら４－（２，２－ジフェニルエチル）－４’，４’’－ジメチル－トリフェニルアミン２５質量部、結着樹脂として、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量：３００００）２５質量部を加え、１２時間攪拌混合し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。
シリカ粒子（１）６５質量部に、テトラヒドロフラン２５０質量部を入れ、２０℃の液温に保ちながら４－（２，２－ジフェニルエチル）－４’，４’’－ジメチル－トリフェニルアミン２５質量部、結着樹脂として、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量：３００００）２５質量部を加え、１２時間攪拌混合し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。
この電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に塗布して１３５℃で４０分間乾燥し、膜厚が３０μｍの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を得た。
以上の工程を経て、アルミニウム基体上に、下引層と電荷発生層と電荷輸送層とをこの順に積層形成した有機感光体（１）を得た。
－無機保護層の形成－
まず、無機保護層を形成するための条件を表１に示す。
無機保護層の形成には、下記の成膜装置を使用した。
・方式：プラズマＣＶＤ、容量結合型、高周波電源の周波数１３．５６ＭＨｚ、基材回転用に磁性流体式、回転導入機を設置
・真空チャンバ形状：円筒型、直径１６５ｍｍ×長さ１０５０ｍｍ
・放電電極：寸法８５０ｍｍ×８５ｍｍ、放電電極と基材の距離４０ｍｍ
・マスフローコントローラによりガス流量設定
・ロータリーポンプおよびメカニカルブースターポンプで真空排気
・成膜前の真空到達：１．０×１０－２Ｐａ
なお、表１中、Ｏ２ガスはＨｅ希釈４０％濃度酸素ガス Ｈ２ガスは１００％濃度水素ガス ＴＭＧガスは１００％濃度トリメチルガリウムガス、Ｈｅガスは１００％ヘリウムガスを表す。
まず、無機保護層を形成するための条件を表１に示す。
無機保護層の形成には、下記の成膜装置を使用した。
・方式：プラズマＣＶＤ、容量結合型、高周波電源の周波数１３．５６ＭＨｚ、基材回転用に磁性流体式、回転導入機を設置
・真空チャンバ形状：円筒型、直径１６５ｍｍ×長さ１０５０ｍｍ
・放電電極：寸法８５０ｍｍ×８５ｍｍ、放電電極と基材の距離４０ｍｍ
・マスフローコントローラによりガス流量設定
・ロータリーポンプおよびメカニカルブースターポンプで真空排気
・成膜前の真空到達：１．０×１０－２Ｐａ
なお、表１中、Ｏ２ガスはＨｅ希釈４０％濃度酸素ガス Ｈ２ガスは１００％濃度水素ガス ＴＭＧガスは１００％濃度トリメチルガリウムガス、Ｈｅガスは１００％ヘリウムガスを表す。
また、表１中の各特性は以下のようにして測定した。
原子数比：厚さ０．５ｍｍのシリコン基板に、厚みが１．０μｍとなるように成膜したサンプル膜をＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分析装置）および既述の方法で評価した。
分光透過率：厚さ１．０ｍｍ石英基板に、厚みが１．０μｍとなるように成膜したサンプル膜を紫外－可視分光光度計で波長７８０ｎｍでの光線透過率を評価した。
体積抵抗率：厚さ１．０ｍｍアルミ基板に、厚みが１．０μｍとなるように成膜したサンプル膜上にＤＣスパッタ法で直径２ｍｍの金電極を形成し評価した。
原子数比：厚さ０．５ｍｍのシリコン基板に、厚みが１．０μｍとなるように成膜したサンプル膜をＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分析装置）および既述の方法で評価した。
分光透過率：厚さ１．０ｍｍ石英基板に、厚みが１．０μｍとなるように成膜したサンプル膜を紫外－可視分光光度計で波長７８０ｎｍでの光線透過率を評価した。
体積抵抗率：厚さ１．０ｍｍアルミ基板に、厚みが１．０μｍとなるように成膜したサンプル膜上にＤＣスパッタ法で直径２ｍｍの金電極を形成し評価した。
（第１の領域の形成）
上記で作製した有機感光体（１）を、成膜装置の成膜室内の基体支持部材に載せ、排気口を介して成膜室内を、圧力が０．０１Ｐａになるまで真空排気した。なお、この真空排気は、上記高濃度酸素含有気体の置換終了後、５分以内に行った。
次に、表２に示すように、条件４の成膜条件で成膜した。すなわち、Ｈｅ希釈４０％酸素ガス（６ｓｃｃｍ）、及びＨ２ガス（５００ｓｃｃｍ）を、ガス導入管から直径８５ｍｍの平板電極が設けられた高周波放電管部内に導入し、高周波電力供給部及びマッチング回路により、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を出力５００Ｗにセットしチューナでマッチングを取り平板電極から放電を行った。この時の反射波は０Ｗであった。
次に、トリメチルガリウムガス（７．５ｓｃｃｍ）を、ガス導入管を介してシャワーノズルから成膜室内のプラズマ拡散部に導入した。この時、バラトロン真空計で測定した成膜室内の反応圧力は２５Ｐａであった。
この状態で、有機感光体（１）を５００ｒｐｍの速度で回転させながら４分間成膜し、有機感光体（１）の電荷輸送層表面に、無機保護層の第１の領域を、膜厚０．０５μｍで形成した。
上記で作製した有機感光体（１）を、成膜装置の成膜室内の基体支持部材に載せ、排気口を介して成膜室内を、圧力が０．０１Ｐａになるまで真空排気した。なお、この真空排気は、上記高濃度酸素含有気体の置換終了後、５分以内に行った。
次に、表２に示すように、条件４の成膜条件で成膜した。すなわち、Ｈｅ希釈４０％酸素ガス（６ｓｃｃｍ）、及びＨ２ガス（５００ｓｃｃｍ）を、ガス導入管から直径８５ｍｍの平板電極が設けられた高周波放電管部内に導入し、高周波電力供給部及びマッチング回路により、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を出力５００Ｗにセットしチューナでマッチングを取り平板電極から放電を行った。この時の反射波は０Ｗであった。
次に、トリメチルガリウムガス（７．５ｓｃｃｍ）を、ガス導入管を介してシャワーノズルから成膜室内のプラズマ拡散部に導入した。この時、バラトロン真空計で測定した成膜室内の反応圧力は２５Ｐａであった。
この状態で、有機感光体（１）を５００ｒｐｍの速度で回転させながら４分間成膜し、有機感光体（１）の電荷輸送層表面に、無機保護層の第１の領域を、膜厚０．０５μｍで形成した。
（第２の領域の形成）
次に、高周波放電を停止し、Ｈｅ希釈４０％酸素ガス（１３ｓｃｃｍ）、Ｈ２ガス（５００ｓｃｃｍ）トリメチルガリウムガス（１０ｓｃｃｍ）に変更した後、再び高周波放電を開始した。
この状態で、第１の領域を形成した有機感光体（１）を５００ｒｐｍの速度で回転させながら２７分間成膜し、第１の領域上に、厚み０．５μｍの第２の領域を形成した。
次に、高周波放電を停止し、Ｈｅ希釈４０％酸素ガス（１３ｓｃｃｍ）、Ｈ２ガス（５００ｓｃｃｍ）トリメチルガリウムガス（１０ｓｃｃｍ）に変更した後、再び高周波放電を開始した。
この状態で、第１の領域を形成した有機感光体（１）を５００ｒｐｍの速度で回転させながら２７分間成膜し、第１の領域上に、厚み０．５μｍの第２の領域を形成した。
次に、第１の領域の形成の操作手順にしたがって、第２の領域上に第１の領域を形成した。さらに、第２の領域の形成の操作手順にしたがって、第２の領域上に形成した第１の領域上に、再び第２の領域を形成した。この操作を繰り返し、第１の領域と第２の領域とを繰り返し積層し、第１の領域および第２の領域繰り返し回数を８回として、第２の領域が最表層となるように、無機保護層の全体の厚みが４．４μｍの無機保護層を形成した。なお、無機保護層の全体を成膜する時間は２４５分であった。
以上の工程を経て、導電性基体上に、下引層、電荷発生層、電荷輸送層、無機保護層（第１の領域＋第２の領域）が順次形成された、実施例１の電子写真感光体を得た。
＜実施例２～１７、比較例１～１０＞
表２および表３にしたがって、無機保護層の第１の領域および第２の領域における元素構成比率、体積抵抗率、第１の領域および第２の領域の繰り返し回数、無機保護層の全体の厚み（膜厚）、第１の領域および第２の領域の各領域の厚み、電荷輸送層のシリカ粒子の量、導電性基体の厚み（肉厚）を変更した以外は、実施例１と同様にして、各例の電子写真感光体を得た。なお、シリカ粒子の質量％は、電荷輸送層全体に対する量として表１の値となるように電荷輸送層の組成を調整した。
表２および表３にしたがって、無機保護層の第１の領域および第２の領域における元素構成比率、体積抵抗率、第１の領域および第２の領域の繰り返し回数、無機保護層の全体の厚み（膜厚）、第１の領域および第２の領域の各領域の厚み、電荷輸送層のシリカ粒子の量、導電性基体の厚み（肉厚）を変更した以外は、実施例１と同様にして、各例の電子写真感光体を得た。なお、シリカ粒子の質量％は、電荷輸送層全体に対する量として表１の値となるように電荷輸送層の組成を調整した。
（評価）
－感光体の感度および残留電位の評価－
予め定められた帯電電位および露光量を設定可能なユニバーサルスキャナーを用い、各例の感度と残留電位について評価を行った。
・感度の評価：－７００Ｖに帯電させたときの半減露光量として評価した。－７００Ｖに帯電させた後、帯電直後における感光体表面電位が、光照射（光源：半導体レーザ、波長７８０ｎｍ、出力５ｍＷ）により２分の１（－３５０Ｖ）となる半減露光量（ｍＪ／ｍ２）を測定した。
・残留電位の評価：光減衰後の感光体表面の電位（Ｖ）を測定した。
－感光体の感度および残留電位の評価－
予め定められた帯電電位および露光量を設定可能なユニバーサルスキャナーを用い、各例の感度と残留電位について評価を行った。
・感度の評価：－７００Ｖに帯電させたときの半減露光量として評価した。－７００Ｖに帯電させた後、帯電直後における感光体表面電位が、光照射（光源：半導体レーザ、波長７８０ｎｍ、出力５ｍＷ）により２分の１（－３５０Ｖ）となる半減露光量（ｍＪ／ｍ２）を測定した。
・残留電位の評価：光減衰後の感光体表面の電位（Ｖ）を測定した。
－感光体の凹みおよび傷の評価－
富士ゼロックス製複合機 ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ Ｖ ７７７５に、各例で得られた感光体を取り付けて、連続で１０枚の画像を形成し、これを繰り返して累計で１００００枚の画像を形成した。その後、感光体表面を光学顕微鏡（視野寸法５００μｍ×５００μｍ）で観察し、凹み、および傷の個数をカウントし、以下の評価基準で評価した。なお、凹み（打痕）、傷は次のようにして判断した。
・凹みの形状規定：最大径５０μｍ以内で縦横比が０．８から１．２となる楕円形状
・傷の形状規定：幅が５０μｍ以内で感光体円周方向に長さ０．１ｍｍから３ｍｍの筋状の形状
－凹み評価基準－
Ａ（◎）：１０視野の観察で凹みは観察されず（０個）
Ｂ（○）：１０視野の観察で凹みは１個
Ｃ（△）：１０視野の観察で凹みは２個以上、かつ、１視野の観察で凹みは４個以下
Ｄ（×）：１０視野の観察で凹みは２個以上、かつ、１視野の観察で凹みは５個以上
－傷評価基準－
Ａ（◎）：２０視野の観察で傷は観察されず（０個）
Ｂ（○）：１０視野の観察で傷は観察されず（０個）、かつ、２０視野の観察で傷は１個
Ｃ（△）：１０視野の観察で傷は１個
Ｄ（×）：１０視野の観察で傷は２個以上
富士ゼロックス製複合機 ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ Ｖ ７７７５に、各例で得られた感光体を取り付けて、連続で１０枚の画像を形成し、これを繰り返して累計で１００００枚の画像を形成した。その後、感光体表面を光学顕微鏡（視野寸法５００μｍ×５００μｍ）で観察し、凹み、および傷の個数をカウントし、以下の評価基準で評価した。なお、凹み（打痕）、傷は次のようにして判断した。
・凹みの形状規定：最大径５０μｍ以内で縦横比が０．８から１．２となる楕円形状
・傷の形状規定：幅が５０μｍ以内で感光体円周方向に長さ０．１ｍｍから３ｍｍの筋状の形状
－凹み評価基準－
Ａ（◎）：１０視野の観察で凹みは観察されず（０個）
Ｂ（○）：１０視野の観察で凹みは１個
Ｃ（△）：１０視野の観察で凹みは２個以上、かつ、１視野の観察で凹みは４個以下
Ｄ（×）：１０視野の観察で凹みは２個以上、かつ、１視野の観察で凹みは５個以上
－傷評価基準－
Ａ（◎）：２０視野の観察で傷は観察されず（０個）
Ｂ（○）：１０視野の観察で傷は観察されず（０個）、かつ、２０視野の観察で傷は１個
Ｃ（△）：１０視野の観察で傷は１個
Ｄ（×）：１０視野の観察で傷は２個以上
なお、表２および表３中の成膜条件欄に示す条件は、表１に示す成膜条件と同じである。また、表２および表３中の、［Ｇａ］＋［Ｏ］は、無機保護層を構成する全元素に対する、ガリウム及び酸素の元素構成比率の和を表す。
上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、感度が確保されており、残留電位の上昇が抑制されていることがわかる。
１ 下引層、２ 電荷発生層、３、３Ａ、３Ｂ 電荷輸送層、４ 導電性基体、５、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ 無機保護層、７、７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ 電子写真感光体、８ 帯電装置、９ 露光装置、１１ 現像装置、１３ クリーニング装置、１４ 潤滑材、３０ 駆動モータ、４０ 転写装置、５０ 中間転写体、６０ 制御装置、１００ 画像形成装置、１２０ 画像形成装置、１３１ クリーニングブレード、１３２ 繊維状部材（ロール状）、１３３ 繊維状部材（平ブラシ状）、３００ プロセスカートリッジ、２１０ 成膜室、２１１ 排気口、２１２ 基体回転部、２１３ 基体支持部材、２１４ 基体、２１５、２２０ ガス導入管、２１６ シャワーノズル、２１７ プラズマ拡散部、２１８ 高周波電力供給部、２１９ 平板電極、２２１ 高周波放電管部、２２２ 高周波コイル、２２３ 石英管、
Claims (13)
- 導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられた有機感光層と、
前記有機感光層上に設けられた無機保護層であって、第１３族元素、及び酸素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、前記第１３族元素、及び前記酸素の元素構成比率の和が０．７０以上であり、かつ、前記酸素及び前記第１３族元素の元素構成比率（酸素／第１３族元素）が１．１０以上１．３０以下である第１の領域、並びに、前記酸素及び前記第１３族元素の元素構成比率（酸素／第１３族元素）が１．４０以上１．５０以下である第２の領域を、前記有機感光層上にこの順で有し、前記第２の領域が最上層である無機保護層と、を備え、
前記第１３族元素が、ガリウムであり、
前記第１の領域および前記第２の領域が、前記第１の領域および前記第２の領域の順で繰り返し積層されている電子写真感光体。 - 前記第１の領域の体積抵抗率が２．０×１０７Ωｃｍ以上１．０×１ ０１０Ωｃｍ以下であり、
前記第２の領域の体積抵抗率が２．０×１０１０Ωｃｍ以上である請求項１に記載の電子写真感光体。 - 前記第１の領域の厚みが、前記第２の領域の厚みよりも薄い請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
- 前記第１の領域の厚みに対する前記第２の領域の厚みの比（第２の領域の厚み／第１の 領域の厚み）が３以上１００以下である請求項３に記載の電子写真感光体。
- 前記第１の領域の厚みが、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下であり、前記第２の領域の厚みが、０．３μｍ以上１．０μｍ以下である請求項３又は請求項４に記載の電子写真感光体。
- 前記無機保護層の全体の厚みが３μｍ以上１０μｍ以下である請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
- 前記無機保護層の全体の厚みが３μｍ以上６μｍ以下である請求項６に記載の電子写真感光体。
- 前記第１の領域および前記第２の領域の順で繰り返し積層された繰り返し回数が３回以上１０回以下である請求項１～請求項７のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
- 前記有機感光層が、電荷輸送材料、結着樹脂、及びシリカ粒子を含む層を有する請求項１～請求項８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
- 前記シリカ粒子の含有量が、前記電荷輸送材料および前記結着樹脂を含む層の全体に対して４０質量％以上８０質量％以下である請求項９に記載の電子写真感光体。
- 前記導電性基体の厚みが１．５ｍｍ以上である請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
- 請求項１～請求項１１のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に脱着するプロセスカートリッジ。 - 請求項１～請求項１１のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017175069A JP6996180B2 (ja) | 2017-09-12 | 2017-09-12 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017175069A JP6996180B2 (ja) | 2017-09-12 | 2017-09-12 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019053098A JP2019053098A (ja) | 2019-04-04 |
| JP6996180B2 true JP6996180B2 (ja) | 2022-01-17 |
Family
ID=66014730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017175069A Active JP6996180B2 (ja) | 2017-09-12 | 2017-09-12 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6996180B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7047552B2 (ja) * | 2018-04-03 | 2022-04-05 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | 正帯電型電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003302774A (ja) | 2002-02-08 | 2003-10-24 | Konica Minolta Holdings Inc | 電子写真感光体の製造方法及びそれにより製造された電子写真感光体、それを用いた画像形成装置、画像形成方法並びにプロセスカートリッジ |
| JP2008076520A (ja) | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、並びにこれを用いたプロセスカートリッジ及び画像形成装置 |
| JP2014006351A (ja) | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
| JP2014191179A (ja) | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
| JP2017062400A (ja) | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
-
2017
- 2017-09-12 JP JP2017175069A patent/JP6996180B2/ja active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003302774A (ja) | 2002-02-08 | 2003-10-24 | Konica Minolta Holdings Inc | 電子写真感光体の製造方法及びそれにより製造された電子写真感光体、それを用いた画像形成装置、画像形成方法並びにプロセスカートリッジ |
| JP2008076520A (ja) | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、並びにこれを用いたプロセスカートリッジ及び画像形成装置 |
| JP2014006351A (ja) | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
| JP2014191179A (ja) | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
| JP2017062400A (ja) | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2019053098A (ja) | 2019-04-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9341963B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus | |
| JP6593063B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび画像形成装置 | |
| US10001714B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and image forming apparatus | |
| JP6759949B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
| JP2017167362A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法 | |
| JP6996180B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法 | |
| US20190346781A1 (en) | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus | |
| CN106556978B (zh) | 电子照相感光元件、处理盒以及图像形成装置 | |
| JP6332215B2 (ja) | 画像形成装置用ユニット、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び電子写真感光体 | |
| JP7047552B2 (ja) | 正帯電型電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
| US20190302632A1 (en) | Electrophotographic photoreceptor, electrophotographic photoreceptor for positive charging, process cartridge, and image forming apparatus | |
| JP7206654B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
| JP6794631B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
| JP6409833B2 (ja) | 疎水化処理シリカ粒子 | |
| US11880162B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus | |
| JP7183552B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
| JP7043953B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
| JP2023048986A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 | |
| JP2023144994A (ja) | 画像形成装置、及び画像形成装置用ユニット | |
| JP2024044123A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 | |
| JP2019061155A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
| JP2024046538A (ja) | 画像形成装置 | |
| JP2018081205A (ja) | 画像形成装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200717 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210329 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210420 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210604 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211116 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211129 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6996180 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |