CN103766000B - Cvd装置以及cvd膜的制造方法 - Google Patents

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Abstract

现有技术中，在太阳电池的抗反射膜中使用减压等离子体CVD形成的氮化膜。但是，在减压程序时，因为设备成本与过程成本高，所以很难降低太阳电池的制造成本。经由介电质构件施加电场或磁场产生等离子体的等离子体头多个并排设置，以此形成利用介电质阻挡放电造成的大气压等离子体CVD而形成氮化膜。利用介电放电，即使大气压也可形成稳定的辉光放电等离子体，从相邻的等离子体吹出口产生不同的等离子体，通过产生反应，可以在大气压下形成氮化膜，可实现太阳电池的低成本制造。

Description

CVD装置以及CVD膜的制造方法
技术领域
本发明涉及使用介电质阻挡放电等离子体的常压CVD装置以及CVD膜的制造方法，特别是利用常压CVD装置进行的氮化膜的制造方法。
背景技术
专利文献1：特开昭58-220477号公报
专利文献2：特开2002-110671号公报
专利文献3：特开2002-176119号公报
专利文献4：特开2008-98128号公报
专利文献5：特开2004-39993号公报
专利文献6：特开昭63-50025号公报
太阳能发电取代资源枯竭、温室效应气体排出等问题的石油能源，作为干净能源近年来被广为使用。专利文献1公开了：作为硅太阳电池的抗反射膜，使用氮化硅膜提高能量转换效率的方法。氮化膜形成时所使用的等离子体CVD法，一直以来，为了稳定地产生等离子体，在10-2～数Torr减压下进行成膜。所以，需要减压系统等昂贵的设备以及成膜室的减压步骤，难以降低制造成本。为了更加普及太阳能发电，期待开发能够更低成本地制造太阳电池的装置以及制造方法。
专利文献2公开了：利用大气压CVD制造薄膜的技术。图12表示专利文献2所公开的以往的大气压CVD装置的剖视图。通常，在大气压下，除了氦等特定气体之外无法稳定地保持等离子体状态，会瞬间移往电弧放电状态。图12所示CVD装置在容器111的内部对向设置一对电极114、115，从气体导入口111导入原料气体，通过对电极114、115施加脉冲电场，经由固体介电质116、117产生等离子体，从等离子体吹出口119将产生的等离子体118吹抵基板121上，形成薄膜120。通过经由固体介电质对电极施加电场，不管气体的种类，均可以产生稳定的辉光放电等离子体。关于氮化膜的形成方法，在专利文献2的实施例3中有记载，将硅烷气体与氨气经氩气进行稀释的混合气体，导入容器111中产生等离子体。但是，如果利用该方法实际进行成膜，因为硅等离子体与氮等离子体不会在基板上产生反应，而是主要在容器内部发生反应，因此存在在基板上几乎没有形成氮化膜的问题。
专利文献3公开的仍是利用大气压CVD制造薄膜的技术。专利文献2公开的方法是等离子体吹抵成膜，与此相对，专利文献3公开的方法是放电空间内成膜。所以，虽然可以在基板上形成氮化膜，但在气体导入口与气体排放口的各自附近会出现成膜速度差，特别是当氮化膜形成等导入多种气体时，会产生成膜均匀性降低等显著问题。同时，因为在放电空间内配置基板的方式，所以会产生基板容易遭受等离子体损伤的问题。
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于提供可获得高成膜速度、成膜均匀的大气压CVD装置，目的在于提供主要是能够低成本制造太阳电池，可在大气压下进行氮化膜成膜的CVD装置。
解决课题的方法
本发明（1）的等离子体CVD装置，其特征是，由既定片数的流路板重叠构成，在所述流路板的气体出口侧端面，具有中空部的陶瓷构件的所述中空部内设置放电电极，所述放电电极非接触状态地配置电极线。
本发明（2）是上述发明（1）的等离子体CVD装置，其特征是，在所述流路板的侧面形成气体通路。
本发明（3）是上述发明（1）或上述发明（2）的等离子体CVD装置，其特征是，所述中空部内是真空。
本发明（4）是上述发明（1）或者上述发明（2）的等离子体CVD装置，其特征是，在所述中空部内封入气体，所述气体是稀有气体。
本发明（5）是上述发明（4）的等离子体CVD装置，其特征是，所述中空部内是被减压至250Torr以下。
本发明（6）是上述发明（4）或上述发明（5）的等离子体CVD装置，其特征是，所述稀有气体是Ar气体或Ne气体。
本发明（7）是上述发明（1）至上述发明（6）的等离子体CVD装置，其特征是，所述电极线一端连接于金属箔，所述金属箔之端成为外部拉出部，在其途中拧入陶瓷构件的一端而使该金属箔接触密封。
本发明（8）是上述发明（1）至上述发明（7）的等离子体CVD装置，其特征是，所述电极线由Ni或Ni合金构成。
本发明（9）是上述发明（1）至上述发明（7）的等离子体CVD装置，其特征是，所述电极线由含有Th或ThO的W构成。
本发明（10）是上述发明（9）的等离子体CVD装置，其特征是，Th的含量是4重量%以下。
本发明（11）是上述发明（1）至上述发明（10）的等离子体CVD装置，其特征是，所述电极线是线圈状电极线。
本发明（12）是上述发明（1）至上述发明（11）的等离子体CVD装置，其特征是，在所述电极线的表面上形成由射极材料构成的层；所述射极材料是工作系数小于所述电极线材料的材料。
本发明（13）是上述发明（12）的等离子体CVD装置，其特征是，所述射极材料具有钙钛矿型结晶结构的材料。
本发明（14）是上述发明（12）或上述发明（13）的等离子体CVD装置，其特征是，所述射极材料是从TiSro、MgO、TiO构成的化合物群组中选择任意1种以上的化合物。
本发明（15）是上述发明（12）至上述发明（14）的等离子体CVD装置，其特征是，所述射极材料构成的层是将所述射极材料的原料利用研钵进行粉碎后，溶解于水中，使用骨胶涂抹于所述电极线的表面之后，经煅烧而形成的层。
本发明（16）是上述发明（12）至上述发明（14）的等离子体CVD装置，其特征是，由所述射极材料构成的层是由MOCVD形成的层。
本发明（17）是上述发明（7）至上述发明（16）的等离子体CVD装置，其特征是，所述金属箔是Mo或Mo合金。
本发明（18）的等离子体CVD装置，其特征是，由既定片数的流路板重叠构成，在所述流路板的气体出口侧端面设置放电电极；该放电电极是在陶瓷构件内部封入电极线或金属箔。
本发明（19）是上述发明（18）的等离子体CVD装置，其特征是，在所述流路板的侧面形成气体通路。
本发明（20）是上述发明（18）或上述发明（19）的等离子体CVD装置，其特征是，所述金属箔是Mo或Mo合金。
本发明（21）是上述发明（1）至上述发明（20）的等离子体CVD装置，其特征是，所述陶瓷是石英。
本发明（22）是上述发明（1）至上述发明（20）的等离子体CVD装置，其特征是，所述陶瓷是透光性氧化铝。
本发明（23）是上述发明（1）至上述发明（22）的等离子体CVD装置，其特征是，所述流路板是由具有耐热性的金属构成。
本发明（24）是上述发明（1）至上述发明（22）的等离子体CVD装置，其特征是，所述流路板是由陶瓷构成。
本发明（25）是上述发明（1）至上述发明（24）的等离子体CVD装置，其特征是，所述流路板的所述气体出口侧端面设有榫孔，在所述放电电极的一面上设有榫，通过将所述榫孔嵌合于所述榫将所述放电电极设置于所述流路板。
本发明（26）是上述发明（1）至上述发明（24）的等离子体CVD装置，其特征是，使用保持器具，将所述放电电极设置于所述流路板的下面。
本发明（27）是上述发明（1）至上述发明（24）的等离子体CVD装置，其特征是，所述流路板与所述放电电极一体成形。
本发明（28）是上述发明（27）的等离子体CVD装置，其特征是，所述气体通路是在所述流路板与所述放电电极的一体成形后，经加工而形成。
本发明（29）是上述发明（27）的等离子体CVD装置，其特征是，所述气体通路是在所述流路板与所述放电电极一体成形时形成。
本发明（30）是上述发明（1）至上述发明（29）的等离子体CVD装置，其特征是，在所述放电电极的相对位置设置基板。
本发明（31）是上述发明（30）的等离子体CVD装置，其特征是，所述基板是可移动的。
本发明（32）是上述发明（31）的等离子体CVD装置，其特征是，所述基板是由滚轮对滚轮输送的带状基板。
本发明（33）是上述发明（1）至上述发明（32）的等离子体CVD装置是氮化硅膜的成膜装置。
本发明（34）是上述发明（1）至上述发明（32）的等离子体CVD装置是硅膜的成膜装置。
本发明（35）是上述发明（1）至上述发明（34）的等离子体CVD装置，其特征是，所述多个流路板中，至少供应氮源气体与硅源气体，且所述氮源气体与所述硅源气体由不同的流路板供应。
本发明（36）是上述发明（1）至上述发明（34）的等离子体CVD装置，其特征是，所述多个流路板中，至少供应氮源气体与硅源气体的混合气体。
本发明（37）是上述发明（33）至上述发明（36）的等离子体CVD装置是连续形成所述氮化硅膜或所述硅膜的装置。
本发明（38）是上述发明（1）至上述发明（37）的等离子体CVD装置，其特征是，所述气体出口朝下方向开口。
本发明（39）是上述发明（1）至上述发明（37）的等离子体CVD装置，其特征是，所述气体出口朝水平方向开口。
本发明（40）是上述发明（31）至上述发明（39）的等离子体CVD装置，其特征是，多个所述放电电极以及所述基板的偏压电压，对相邻的所述放电电极交替施加正偏压电压和负偏压电压，对所述基板施加负偏压电压进行成膜。
本发明（41）是上述发明（31）至上述发明（39）的等离子体CVD装置，其特征是，多个所述放电电极以及所述基板的偏压电压，对相邻的所述放电电极交替施加正偏压电压和负偏压电压，以所述基板为浮动电位进行成膜。
本发明（42）是上述发明（31）至上述发明（39）的等离子体CVD装置，其特征是，多个所述放电电极以及所述基板的偏压电压，对所述放电电极施加正偏压电压，对所述基板施加负偏压电压进行成膜。
本发明（43）是上述发明（40）至上述发明（41）的等离子体CVD装置，其特征是，在所述基板的下方配置介电质基板，对所述介电质基板施加正偏压电压进行成膜。
本发明（44）是上述发明（1）至上述发明（43）的等离子体CVD装置，其特征是，所述放电电极是一边利用稀有气体或惰性气体进行冷却，一边进行成膜。
本发明（45）是上述发明（1）至上述发明（44）的等离子体CVD装置，其特征是，为了生成等离子体而利用所述放电电极所产生的电场是高频电场或脉冲电场，所述高频电场或脉冲电场的频率是低于13.56MHz的低频率，或高于13.56MHz的高频率。
本发明（46）是上述发明（1）至上述发明（45）的等离子体CVD装置，其特征是，所述气体通路内嵌入可移动的石英构件。
本发明（47）的放电电极，是在具有中空部的陶瓷构件的该中空部内非接触状态地配置电极线。
本发明（48）是上述发明（47）的放电电极，其特征是，所述中空部内是真空。
本发明（49）是上述发明（47）的放电电极，其特征是，在所述中空部内封入气体，所述气体是稀有气体。
本发明（50）是上述发明的（49）的放电电极，其特征是，所述中空部内给减压至250Torr以下。
本发明（51）是上述发明（49）或上述发明（50）的放电电极，其特征是，所述稀有气体是Ar或Ne气体。
本发明（52）是上述发明（47）至上述发明（51）的放电电极，其特征是，所述电极线的一端连接金属箔，该金属箔的端成为外部拉出部，在其途中，拧入陶瓷构件的一端接触密封该金属箔。
本发明（53）是上述发明（47）至上述发明（52）的放电电极，其特征是，所述电极线是Ni或Ni合金构成。
本发明（54）是上述发明（47）至上述发明（53）的放电电极，其特征是，所述电极线是由含有Th或ThO的W构成。
本发明（55）是上述发明（54）的放电电极，其特征是，Th的含量是4重量%以下。
本发明（56）是上述发明（47）至上述发明（56）的放电电极，其特征是，所述电极线是线圈状电极线。
本发明（57）是上述发明（46）至上述发明（56）的放电电极，其特征是，在所述电极线的表面上形成由射极材料构成的层；所述射极材料是工作系数小于所述电极线材料的材料。
本发明（58）是上述发明（57）的放电电极，其特征是，所述射极材料是具有钙钛矿型结构的材料。
本发明（59）是上述发明（57）或上述发明（58）的放电电极，其特征是，所述射极材料是从TiSro、MgO、TiO构成的化合物群组中选择任意1种以上的化合物。
本发明（60）是上述发明（57）至上述发明（59）的放电电极，其特征是，所述射极材料构成的层是将所述射极材料的原料利用研钵进行粉碎后，溶解于水中，使用骨胶涂抹于所述电极线的表面之后，经煅烧而形成的层。
本发明（61）是上述发明（57）至上述发明（59）的放电电极，其特征是，由所述射极材料构成的层是由MOCVD形成的层。
本发明（62）是上述发明（52）至上述发明（61）的放电电极，其特征是，所述金属箔是Mo或Mo合金。
本发明（63）是使用上述发明（1）至上述发明（46）的等离子体CVD装置形成CVD膜的制造方法。
发明的效果
根据本发明（1）、（6）、（7）、（47）、（51）、（52）、（63），即使在大气压下仍可形成稳定的辉光放电，可进行膜厚均匀性优异的氮化膜的高速成膜。实现太阳电池的低成本制造，大量供应。
根据本发明（2）～（5）、（48）～（50），可以容易地实现利用辉光放电生成稳定的等离子体。
根据本发明（8）～（10）、（53）～（55），因为电极线的工作系数下降，促进热电子释出，因而容易产生等离子体。
根据本发明（11）、（56），通过增加电极线的表面积，增加放电面积。
根据本发明（12）～（15）、（57）～（60），不仅电极线，也从射极材料放出电子，因此即使更低电力开始放电，开始后的放电状态也是稳定的。
根据本发明（16）、（61），可以利用射极材料充分掩埋线圈的间隙。并且，射极材料可形成更纤密，且组成比良好。
根据本发明（17）、（62），与陶瓷构件的密接性良好。
根据本发明（18），即使在大气压下仍可形成稳定的辉光放电，可进行膜厚均匀性优异的氮化膜的高速成膜。实现太阳电池的低成本制造，大量供应。因为没有设置中空部，因此装置的制作较为容易。
根据本发明（19）～（22），可以容易地实现利用辉光放电生成稳定的等离子体。
根据本发明（23），可以防止因发热的电极导致流路板出现热变形。
根据本发明（24），陶瓷的耐热性优异，且与电极间的热膨胀率的差较小。
根据本发明（25），可利用现有的流路板。
根据本发明（26），不需要榫槽加工，便可轻易地装卸。
根据本发明（27）～（29），装置的制造较为容易。
根据本发明（30），可以容易地实现利用辉光放电生成稳定的等离子体。
根据本发明（31）、（32），可进行膜厚均匀性高的大面积成膜。
根据本发明（33）、（34），可以低成本地制造太阳电池等有用电子装置的低成本制造。
根据本发明（35），氮化硅膜与硅膜可利用一个兼用装置高纯度成膜。
根据本发明（36），可以使装置构造简便。
根据本发明（37），可进行膜厚均匀性高的大面积成膜。
根据本发明（38），可提高成膜均匀性。
根据本发明（39），可缩小装置的设置面积。
根据本发明（40），可容易地实现利用辉光放电生成稳定的等离子体。因为等离子体在更广领域生成，因此可增加成膜速度。并且，可缓和氩等正离子撞击基板，减轻对已成膜基板上的薄膜的损伤，可形成更加纤密的薄膜。
根据本发明（41）、（42），可容易地实现利用辉光放电生成稳定的等离子体。
根据本发明（43），可缓和氩等正离子撞击基板，减轻对已成膜基板上的薄膜的损伤，可形成更加纤密的薄膜。
根据本发明（44），可防止放电电极出现过热。
根据本发明（45），可将通常等离子体装置所使用13.56MHz以外的电力用于成膜过程。通过控制使用频率，也可减轻对基板上的薄膜造成的损伤。
根据本发明（46），可调整气体的流路面积，可将等离子体状态与成膜状态呈最优化。
附图的简单说明
图1是本发明实施例的CVD装置的电极构造图。
图2（a）、（b）是本发明实施例的CVD装置的电极的制造方法。
图3（a）是本发明等离子体头的第一具体例正视图，（b）及（c）是第一具体例的侧视图。
图4（a）、（b）分别是本发明等离子体头的第二具体例的正视图及侧视图。
图5（a）是本发明等离子体头的单元构件第一具体例的正视图，（b）及（c）是第一具体例的侧视图。
图6（a）是本发明等离子体头的单元构件第二具体例的正视图，（b）及（c）是第二具体例的侧视图。
图7（a）是本发明等离子体头的单元构件第三具体例的正视图，（b）及（c）是第三具体例的侧视图。
图8是本发明实施例的CVD装置剖视图。
图9（a）、（b）、（c）是本发明实施例的CVD装置的等离子体头剖视图。
图10是本发明实施例的CVD装置的等离子体头剖视图。
图11是本发明实施例的CVD装置的流路板剖视图。
图12是现有CVD装置的剖视图。
符号说明
1、2、3 等离子体头单元构件
4、11、15 气体导入口
5、12、16 介电质构件
6、13、17 等离子体生成通路
7、14、18 等离子体供应口
8、9 等离子体
10 缓冲部件
21、22、23 等离子体头单元构件
24、35 气体分配通路
25、33 介电质构件
26、36 等离子体生成通路
27、37 等离子体供应口
28、29 电极
30 缓冲构件
31 气体分配通路区域
32 等离子体生成通路区域
34 气体供应配管
41、47、51 气体导入口
42、48、52 介电质构件
43、49、53 等离子体生成通路
44、50、54 等离子体供应口
45、46 电极
61、66、71 气体导入口
62、67、72 介电质构件
63、68、73 等离子体生成通路
65、70、75 等离子体供应口
64、69、74 感应线圈
81、88、95 气体导入口
82、89、96 介电质构件
83、90、97 等离子体生成通路
85、91、98 等离子体供应口
84、92、99 感应线圈
86、87、93、94 线圈端子
101、102 原料气体供应单元
103 电源
104 等离子体头
105、106 等离子体
107 等离子体反应区域
108 薄膜
109 基板
110 基板搬送单元
111 气体导入口
112 电源
113 容器
114、115 电极
116、117 固态介电质
118 等离子体
119 等离子体吹出口
120 薄膜
121 基板
201、202 流路板
203、204 石英构件
205、206 电极线
207、208 气体流动方向
209 基板
210 支撑构件
211、215 石英构件
212、216 电极线
213、217 电极拉出线
214 开口部
218 密封部
301、306、311、321 流路板
302、307、312、322 放电电极
303、308、313、323 等离子体
304、309、314、324 基板
305、310、315、325 介电质基板
326 偏压电压施加电极
327 偏压电压施加电源
328 氩正离子
331、335、339 流路板
332、336、340 流路
333、334、337、338、341、342 介电质构件
实施方式
以下，针对本发明的最佳实施例进行说明。
（利用介电质阻挡放电进行的辉光放电）
本案的发明人等以实现氮化硅膜的大气压CVD为主要目的进行深入钻研。首先，为防止基板的等离子体损伤，采用等离子体吹抵成膜，且为能稳定地辉光放电，采用利用介电质阻挡放电进行等离子体形成。为防止在等离子体发生容器内发生的等离子体反应这一现有方法的缺陷，等离子体生成部的等离子体头由具有各自独立的等离子体吹出口的多个单元构件构成，例如在氮化硅膜的CVD中，硅等离子体与氮等离子体由各自单元构件个别生成。进一步可知，如果硅等离子体发生用单元构件与氮等离子体产生用单元构件以相邻状态并排配置，可以有效地提高沉积膜的均匀性。从吹出口供应的等离子体不会在等离子体头中产生反应，而是在吹出口与基板之间的空间产生反应而形成氮化膜，因而可极其有效地在基板上形成氮化膜。并且，独立于各自等离子体头的单元构件供应原料气体，配置电极以便独立控制为生成等离子体而施加的电能。依此，可将各等离子体的生成条件分别设定为最佳条件进行成膜。
再者，以往，利用大气压生成等离子体时，存在很难稳定持续地生成等离子体的问题。本案发明人等也着眼于电极构造，以及配置基板的部分的构造，将电极密封于石英构件中，且在电极与石英构件之间设置空间，又将基板设置于由石英构成的支撑构件上，从等离子体头对基板供应电极，发现可以使等离子体稳定，提高氮化膜的沉积速度，提高膜厚与膜质的重现性。
另外，本说明书中所谓“大气压”是指依存于使用装置地方的气压与高度而变化，但具体是8×104～12×104Pa的压力。如果是该范围的压力，不需要使用减压与加压用的庞大装置，可降低设备成本。
（电极构造的具体例）
图1是本发明实施例的CVD装置的电极构造图。在流通着过程气体的流路板201、202的气体喷出部安装石英构件203、204，在石英构件203、204的中空部配置电极线205、206。构成从流路板201、202的气体喷出部所喷出的过程气体的气体分子，会因电极线205、206与基板209间的放电而被赋予电能，成为等离子体向基板209喷射，通过等离子体中的离子反应，在基板209上沉积氮化膜。电极线205、206与石英构件203、204优选为不直接接触，而是在中空部之中呈漂浮状态。中空部内的环境优选为真空或减压状态。设为减压状态时，封入中空部的气体优选使用Ar、Ne等稀有气体。减压的程度优选250Torr以下。通过将中空部形成真空、或封入稀有气体而减压为250Torr以下，以此通过供应更低的电力使等离子体自然发火，可利用均匀放电生成稳定的等离子体。流路板201、202是由例如A1构成的板加工制造的。基板209优选设置于由石英构成的支撑构件210上。可提高等离子体的稳定性。电极石英构件203、204的形状只要具有长中空部以便将线状的电极设置于内部，此外并无特别限定。中空部的截面形状并无特别的限定，但是特别优选圆形。并且，石英构件优选具有对流路板通过嵌入安装的凸部。在流路板上设置对应该凸部的凹部。反之，也可以在石英构件设置凹部，在流路板上设置凸部。
并且，优选在支撑部件210下设置电极，控制对等离子体施加的偏压电压。此时，将电极线205、206等配置于基板209上部的电极称为上部电极，配置于基板209下部（支撑部件210的下部）的电极称为下部电极。
如图1所示，流路板本体与电极作为个别构件进行制造，可使用榫孔与榫进行嵌合，也可使用保持器具在流路板的下面设置电极。不需要榫槽加工，使装卸容易。并且，流路板本体与电极也可一体成形。容易制造装置。可在流路板与放电电极一体成形后加工成形气体通路，也可在流路板与放电电极一体成形时同时形成。
得知氮化膜的过程气体氮与氩，即使最初便流通仍不会产生等离子体，但是如果流通Ar就会产生等离子体。所以，得知最初流通Ar生成等离子体中，预先增加等离子体中的电子，通过逐次少许增加氮与氩的流量，便可以稳定地生成氮化膜生成所必要的等离子体。
图1所示的实施例中，电极线并未直接接触石英构件，而是在中空部之中呈漂浮状态设置，但也可不设计中空部使电极线直接接触石英构件。等离子体头的制造变得容易。电极线或金属箔优先使用Mo或Mo合金。Mo或Mo合金与陶瓷间的密接性良好。
不管在电极线的周围设置中空部，还是没有设置中空部，作为构成电极的绝缘构件（相当于所述构件203、204）优选使用陶瓷构件，作为该陶瓷构件优选石英或透光性氧化铝。并且，流路板的材质可以是具有耐热性的金属，或者陶瓷。
现有CVD装置中使用的电极，例如露出碳结构，因此存在碳中所含的杂质外渗的问题，但是本发明的电极构造利用石英管覆盖着电极线的外侧，因此不存在杂质外渗的可能性。
电极线的材质优选W。并且，优选含有Th或ThO的W，Th的含量优选4重量%以下。因为电极线的工作系数降低，促进热电子释出，所以容易产生等离子体。
优选从外部对电极线供应合适的电流加热电极全体，如果电极表面的温度低，便有可能在电极上沉积氮化膜和硅膜，产生流路变狭窄、阻塞等问题，因此通过加热电极，可防止电极表面的沉积物成长，而且，通过控制电极的温度，可控制在由W所构成的电极材料中附加的Th、PTO等金属的工作系数。这样，可控制从金属所释放出的电子密度能更精密的控制CVD过程。
并且，优选在电极材料的表面上涂抹放射性物质。例如，优选涂抹锶。通过涂抹放射性物质使等离子体容易激发。
并且，优选将工作系数小于电极线材料的材料作为射极材料，在电极线的表面上形成由射极材料构成的层。射极材料优选具有钙钛矿型结晶结构的材料。
并且，优选使用从TiSro、MgO、TiO所构成的化合物群组中任选一种以上的化合物。不论何种情况，因为电极线的工作系数降低，促使热电子释出从而容易产生等离子体。
由射极材料构成的层是将所述射极材料的原料利用研钵进行粉碎后，溶解于水中，使用骨胶涂抹于所述电极线的表面之后，经煅烧而形成的层。或者，也可利用MOCVD形成。利用射极材料可充分埋藏线圈的间隙。并且，射极材料可更加纤密地形成，组成比良好。
并且，在石英构件中配置的由电极线构成的石英电极，优选不仅可以作为高频电极，也具有作为加热器的功能。通过将石英电极作为加热器使用，可提高被膜体的温度等，控制被膜体的温度。
（电极的制造方法）
图2（a）及（b）是本发明实施例的CVD装置的电极的制造方法。首先，如图2（a）所示，准备一端设有开口部214，另一端呈封闭的中空石英构件214。电极212是使用例如由Ni或Ni合金构成的电极线。图2中，电极线是直线状电极线，优选线圈状电极线。通过设为线圈状，可增加电极面积，增加放电面积。在电极212的端部安装拉出线213。拉出线213使用例如由Mo或Mo合金构成且厚度20μm左右的金属箔。其次，对石英构件211的内部进行减压，形成真空或者250Torr以下的压力，如图2（b）所示，将开口部214予以密封。这样，完成电极216不接触到石英构件215，以漂浮状态通过拉出线217所支撑的电极构件。
对中空部进行减压时的封入气体是如上述，优选Ar、Ne的稀有气体。并且，在中空部中导入封入气体之前，优选杂质浓度10ppb以下的洁净气体（例如Ar气体），对中空部内进行迫净之后导入封入气体。
（等离子体头的单元构件的第一具体例）
图5（a）及（b）分别是本发明的等离子体头的单元构件第一具体例的正视图及侧视图。单元构件的第一具体例是生成电容耦合等离子体时的单元构件。单元构件是由介电质构件42、以及夹着介电质构件42的一对电极45、46构成。介电质构件42具有贯通上下的孔部，该孔部具有作为等离子体生成通路43的功能。介电质构件42可由一体构件构成，也可由多个构件贴合、或组合形成。由多个构件形成时，优选结合部处没有气体泄漏的加工。孔部的一端成为气体导入口41，对电极45、46施加电极，对导入的气体分子赋予电能，生成由自由基、离子、电子构成的等离子体。电场优选恒定电场、高频电场、脉冲电场，特别优选使用脉冲电场。因为经由介电质施加电场，因此即使施加恒定电场的情况，仍会在介电质表面上重复电荷的囤积和消耗。所以，等离子体放电的状态不会成为电弧放电，而是成为稳定的辉光放电。所生成的等离子体是从孔部另一端部的等离子体供应口50吹出。虽然根据等离子体的生成条件而有所差异，一般从等离子体供应口50供应数mm至数cm范围的等离子体。如图3（b）的侧视图所示，单元构件可具有一个等离子体供应口，也可如图5（c）所示具有多个等离子体供应口。对小的基板进行成膜时，也可从一个等离子体供应口供应等离子体。对大面积的基板进行成膜时，考虑提高成膜的均匀性，优选从多个等离子体供应口供应等离子体。
并且，如图5所示，即使介电质构件不设有用于气体通路的孔部，而是将介电质构件隔开间隔呈平行配置，也可将间隙部作为气体通路加以利用。
介电质构件的材料优选塑料、玻璃、二氧化硅、氧化铝等金属氧化物。特别是优选石英玻璃。更加优选相对介电率达2以上的介电质构件。介电质构件的厚度优选0.01-4mm。如果厚度过厚，为了产生放电等离子体便需要高电压，反之，如果过薄容易产生电弧放电。
电极的材料优选铜、铝、不锈钢等金属或合金。电极间的距离根据介电质构件的厚度、施加电压的大小而有所差异，优选0.1-50mm。
（等离子体头的构造）
（等离子体头的第一具体例）
图3（a）是本发明等离子体头的第一具体例的正视图，图3（b）及（c）是第一具体例的侧视图。等离子体头包括等离子体头单元构件1、2、3，多个等离子体头单元构件依次相邻形成。图（a）中，在等离子体头单元构件之间插入缓冲构件10，并将等离子体头单元构件呈并列配置。缓冲部件未必是等离子体头构造的必要构件，但是通过插入，例如可将玻璃等容易遭受破损的部件作为介电质构件5使用，拧紧固定多个等离子体头单元构件，可以防止介电质构件5遭受破损。等离子体头也可配合所使用的单元构件的构造，如图3（b）所示，具有一个等离子体供应口，也可如图3（c）所示具有多个等离子体供应口。
（等离子体头的第二具体例）
图4（a）及（b）分别是本发明等离子体头的第二具体例的正式图及侧视图。等离子体头包括等离子体头单元构件21、22、23，使多个等离子体头单元构件依次相邻形成。如图2（b）所示，等离子体头具有多个等离子体供应口。介电质构件35进行加工使内部具有中空部状态。该中空部具有作为气体分配通路与等离子体生成通路的功能。可在一体的介电质构件内部形成中空部，也可在一片的介电板中形成凹部，与另一介电板相贴合而形成中空部。成为等离子体生成材料的气体是由气体供应口34供应。在介电质构件35的上部形成将气体供应口34所供应的气体，分配给多个等离子体生成通路36的气体分配通路区域。通过这样的构造，根据简单构造将原料气体均等地供应给多个电极生成部，因此有利于CVD装置的小型化。
（CVD装置的构造）
图8是本发明实施例的CVD装置的剖面图。CVD装置由供应第一气体的原料气体供应单元101、供应第二气体的原料气体供应单元102、由等离子体头单元构件与缓冲构件依次相邻设置的等离子体头104、对等离子体头单元部件供应电力的电源103、以及搬送基板的基板搬送单元110构成。等离子体头单元构件是由具有等离子体生成通路的介电质构件以及电极构成的。从上部的气体导入口导入原料气体，在等离子体生成通路中，经由介电质构件从电极对原料气体分子施加电场而激发，生成自由基、离子、电子构成的等离子体。所生成的等离子体从下部的等离子体供应口供应给配置于基板搬送单元110的基板109。利用搬送单元一边移动基板一边进行成膜。这样便可连续成膜。基板优选利用辊轮对辊轮进行输送的带状基板。或者，也可采用在成膜中，基板处于静止位置，成膜后通过搬送单元移动至下一个成膜面的方式。
另外，在基板109的下部设有未图示的下电极，可从基板的下侧施加偏压电压。
如图8所示气体出口可朝下方向开口，也可朝水平方向开口。气体出口朝下方向开口时，可以提高成膜均匀性。气体出口朝水平方向开口时，可缩小装置的设置面积。
等离子体放电是介电质阻挡放电，因此等离子体会成为稳定的辉光放电。并且，等离子体成为电子的温度较高、而自由基、离子的温度较低的非平衡等离子体。这样，可避免基板的过剩温度上升。
生成氮化硅膜时，例如，原料气体材料使用硅烷气体与氨气。对相邻的等离子体头单元构件交错供应硅烷气体与氨气，通过各自的等离子体生成通路生成硅等离子体105与氮等离子体106。硅等离子体与氮等离子体从等离子体供应口朝下方从数mm扩展至数cm范围，形成等离子体反应区域107。通过接触到该区域的方式配置基板109，在基板109上形成氮化膜108。
生成氮化硅膜时，也可使用其他的硅源气体与氮源气体。硅源气体可使用硅烷、二硅烷、或这些气体经惰性气体稀释后的混合气体。氮源气体可使用氨、氮或这些气体经惰性气体稀释后的混合气体。
多个流路板中，通过相邻流路板独立供应硅源气体与氮源气体，可生成氮化硅膜。此时，在这些流路板的两端可流通由氮等惰性气体构成的帘罩（curtain-shield）用气体。可独立控制硅源气体与氮源气体的流量，可精密控制过程条件。
并且，也可从同一流路板供应硅源气体与氮源气体的混合气体，生成氮化硅膜。装置的机构简单。
除氮化硅膜以外，也可不供应氮源气体，通过仅供应硅源气体生成硅膜。
在为成膜等而激发等离子体的期间，优选对流路板内部的电极附近导入稀有气体、或含稀有气体的混合气体（例如，氩与氮），进行电极的空冷。如果在没有进行冷却的情况下，利用等离子体激发使电极自身的热上升，导致在电极表面上附着所使用介电质以外的膜与异物，作为电极的功能遭受损坏的问题，为防止此现象，优选20℃左右温度的冷却气体循环。
并且，优选在流通过程气体或载气的气体通路中、流路板间的空间中，嵌入可移动的介电质构件。介电质构件优选石英。可调整气体流路面积，提高过程的控制性。图11（a）、（b）、（c）是本发明实施例的CVD装置的流路板的剖面图。由流路板331及介电质构件333、334包围的流路332（图11（a）），通过移动介电质构件333、334，如流路336（图11（b））、流路340（图11（c））所示可控制截面积。通过控制流路面积，可控制气体的流速。例如，通过缩小气体的流路面积，可加速气体的流速。
（等离子体生成条件）
生成等离子体的条件是配合利用等离子体的目的而适当决定。生成电容耦合等离子体时，对一对电极间施加恒定电场、高频电场、脉冲电场、由微波产生的电场，由此产生等离子体。施加恒定电场以外的电场时，使用频率可以是一般等离子体装置所使用的13.56MHz，可为其以上、也可为其以下。专利文献6公开了等离子体装置使用100MHz高频等离子体，防止对沉积膜造成损伤的技术。通过控制电场的频率，使沉积速度、沉积膜的膜质等呈最优化。
等离子体生成用的电场，特别优选使用脉冲电场。脉冲电场的电场强度优选10～1000kV/cm范围。脉冲电场的频率优选0.5kHz以上。
（电感耦合等离子体装置）
（等离子体头的单元构件的第二具体例）
本发明等离子体头的相关技术构思，并非仅局限于适用电容耦合等离子体生成用等离子体头，例如也可适用于电感耦合等离子体生成用等离子体头。
图6（a）是本发明等离子体头的单元构件的第二具体例的正视图。图6（b）及（c）是第二具体例的侧视图。第二具体例是电感耦合等离子体生成用等离子体头的单元构件。单元构件由介电质构件62、与介电质构件62的周围相邻配置的感应线圈64构成。介电质构件62具有贯通上下的孔部，该孔部具有作为等离子体生成通路63的功能。介电质构件62可由一体的构件构成、也可由多个构件贴合或组合形成。由多个构件形成时，优选不在结合部产生气体泄漏的加工。孔部的一端成为气体导入口61，将电流流入感应线圈64，利用所形成的磁场对所导入气体分子赋予磁能，生成自由基、离子、电子构成的等离子体。等离子体放电的状态成为稳定的辉光放电。所生成的等离子体从孔部另一端部的等离子体供应口65吹出。虽然根据等离子体的生成条件而有所差异，一般从等离子体供应口65供应数mm至数cm范围的等离子体。单元构件如图6（b）所示，可具有一个等离子体供应口，也可如图6（c）所示，具有多个等离子体供应口。对较小的基板进行成膜时，可从一个等离子体供应口供应等离子体。对大面积的基板进行成膜时，优选从多个等离子体供应口供应等离子体。
（等离子体头的第三具体例）
图7（a）是本发明等离子体头第三具体例的单元构件的正视图。图7（b）及（c）是第三具体例的侧视图。第三具体例是电感耦合等离子体生成用等离子体头的单元构件。单元构件由介电质构件82、与介电质构件82相邻配置的感应线圈84构成。介电质构件82具有贯通上下的孔部，该孔部具有作为等离子体生成通路83的功能。该介电质构件82可一体构成、也可由多个构件贴合或组合构成。由多个构件形成时，优选不在结合部发生气体泄漏的加工。感应线圈84的端子86与端子87不会电连接的方式，经由介电质构件远离配置。孔部的一端成为气体导入口81，将电流流入感应线圈84，利用所形成的磁场对所导入气体分子赋予磁能，生成自由基、离子、电子构成的等离子体。等离子体放电的状态成为稳定的辉光放电。所生成的等离子体从孔部另一端部的等离子体供应口85吹出。虽然根据等离子体的生成条件而有所差异，一般从等离子体供应口85供应数mm至数cm范围的等离子体。单元构件如图7（b）侧视图所示，可具有一个等离子体供应口，也可如图7（c）所示，具有多个等离子体供应口。对较小的基板进行成膜时，可从一个等离子体供应口供应等离子体。对大面积的基板进行成膜时，优选从多个等离子体供应口供应等离子体。
（等离子体头的制造方法）
（贴合法）
制造构成本发明等离子体头的介电质构件时，需要加工等离子体生成通路、气体分配通路等复杂形状的中空部。具有该中空部的介电部件，在多个介电质构件的表面形成凹部之后，具有凹部的介电质构件彼此间相贴合、或使具有凹部的介电质构件与平坦的介电质构件相贴合便可形成。
利用该方法黏贴而形成中空部的介电质构件，进一步与电极或感应线圈积层而形成等离子体头单元构件。并且，将多个等离子体头单元构件隔着铁氟龙（注册商标）等缓冲部件进行积层形成等离子体头。
（射出成形法）
即使使用射出成形法也可制造等离子体头单元。将电极或感应线圈、与中子配置于模具中，再将介电质构件的原料流入于所述模具中。然后，从模具拆卸，留下电极或感应线圈，拔掉电子。所制造的等离子体头单元构件更进一步隔着铁氟龙（注册商标）等缓冲部件进行积层形成等离子体头。
（与类似的现有技术间的不同点）
专利文献4公开了从集束多个介电质细管的等离子体头，利用介电放电所生成的等离子体照射物体，进行物体表面的改质与杀菌的方法。但是，专利文献4公开的技术虽然具有多个等离子体吹出口，但气体导入口、生成等离子体的电极在各细管中并非独立。并且，也没有公开各细管分别具有独立的气体导入口与电极的相关技术。因此，从专利文献4公开的内容，无法容易想到本发明由配置的多个等离子体生成部产生不同的等离子体，在等离子体头与基板间的空间中进行等离子体反应的技术。
专利文献5公开了使TEOS等含金属气体与氧等反应气体进行反应，形成氧化硅等含金属薄膜的技术。但是，专利文献5公开的技术将已经等离子体化的反应气体与未等离子体化的含金属气体进行合流，产生反应形成薄膜的技术，不同于本发明技术中并列配置多个单元构件构成等离子体头，每个该单元构件产生不同的等离子体后，利用该不同等离子体彼此间的反应形成薄膜。本发明的技术是通过多个介电质构件与电极交错积层，使生成不同等离子体的等离子体吹出口极度接近，形成高密度的技术。从专利文献5公开的内容无法容易得到本发明的技术。
产业上的可利用性
如上所述，通过本发明的CVD装置、以及CVD膜的制造方法，可低成本地制造以形成太阳电池的抗反射膜为目的的高品质氮化膜，对电子领域具有很大贡献。
实施例
以下，使用实施例，详细说明本发明，但不局限于这些实施例。
（实施例1）
（电极试验1）
为调查本发明具有中空部的电极（上电极）的等离子体生成最佳条件，变更中空部环境、与在流路板中流通的气体条件，测定等离子体出现自然发火时的最低供应电力。为求比较，也对未设有中空部的放电电极进行测定。并且，利用陶瓷构件形成流路板，气体通路形成于流路板的侧面。
[表1] 自然发火的RF电源输出（W）
另外，构成放电电极的构件使用以下物体。
电极线：直线状电极线（Ni），一端连接于金属箔（Mo），未使用射极材料。
陶瓷构件：石英
可知等离子体出现自然发火的电源输出为700W以下时,不会产生火花放电,等离子体状态也稳定,适于成膜。结果可知，为稳定地维持等离子体，在流路板中流动的载气最好使用未含有N2的Ar。并且，可知中空部的环境最好设为真空密封、或封入2500Torr以下的Ar。并且，通过封入其他的气体的实验，得知即使将Ar以外的Ne等稀有气体作为载气以及中空部的封入气体，仍可获得与Ar相同的优异结果。
（实施例2）
（电极实验2）
其次，使用本发明的电极，变更构件的材料与在流路板中流通的气体条件，测定等离子体出现自然发火的最低供应电力。另外，放电电极是中空部，设为封入稀有气体（2500Torr）。并且，由耐热性构件形成流路板，气体通路形成于流路板的侧面。
[表2] 自然发火的RF电源输出（W）
条件1：直线状电极线（Ni合金），一端连接金属箔（Mo），未使用射极材料，陶瓷构件使用石英，Ni合金使用Ni-W合金。
条件2：直线状电极线（Ni合金），一端连接金属箔（Mo），未使用射极材料，陶瓷构件使用石英，Mo合金使用Mo-W合金。
条件3：直线状电极线（含有Th1重量%的W），一端连接金属箔（Mo），未使用射极材料，陶瓷构件使用石英。
条件4：直线状电极线（含有Th4重量%的W），一端连接金属箔（Mo），未使用射极材料，陶瓷构件使用石英。
条件5：直线状电极线（含有Th10重量%的W），一端连接金属箔（Mo），未使用射极材料，陶瓷构件使用石英。
条件6：直线状电极线（含有Th4重量%的W），一端连接金属箔（Mo），未使用射极材料，陶瓷构件使用石英。
条件7：直线状电极线（Ni），一端连接金属箔（Mo），未使用射极材料，陶瓷构件使用透光性氧化铝。
条件8：线圈状电极线（Ni），一端连接金属箔（Mo），未使用射极材料，陶瓷构件使用石英。
（实施例）
（电极实验3）
其次，使用本发明的电极，变更形成于电极线的表面上的射极材料构成的层，以及在流路板中流通的气体条件，测定等离子体出现自然发火的最低供应电力。另外，放电电极是中空部，设为封入稀有气体（2500Torr）。
[表3]
自然发火的RF电源输出（W）
条件9:直线状电极线（Ni），一端连接金属箔（Mo），未使用射极材料，陶瓷构件使用石英。
条件10：直线状电极线（Ni），一端连接金属箔（Mo），射极材料是骨胶涂抹、煅烧钙钛矿型结晶结构的TiSro而形成的，陶瓷构件使用石英。
条件11：直线状电极线（Ni），一端连接金属箔（Mo），射极材料是骨胶涂抹、煅烧钙钛矿型结晶结构的MgO而形成的，陶瓷构件使用石英。
条件12：直线状电极线（Ni），一端连接金属箔（Mo），射极材料是骨胶涂抹、煅烧钙钛矿型结晶结构的TiO而形成的，陶瓷构件使用石英。
条件13：直线状电极线（Ni），一端连接金属箔（Mo），射极材料是利用MOCVD形成钙钛矿型结晶结构的TiSro，陶瓷构件使用石英。
条件14：直线状电极线（Ni），一端连接金属箔（Mo），射极材料是利用MOCVD形成钙钛矿型结晶结构的MgO，陶瓷构件使用石英。
条件15：直线状电极线（Ni），一端连接金属箔（Mo），射极材料是利用MOCVD形成钙钛矿型结晶结构的TiO，陶瓷构件使用石英。
（实施例4）
（氮化膜的成膜评价1）
利用为介电质阻挡放电用而准备的电极，使用高频电源或低频电源，产生大气压等离子体时，仅对上电极及下电极间施加合适的执行电压，例如对下电极施加作为偏压的电压，缓和撞击基板表面上的电子、或已荷电反应分子的撞击能量，控制基板的损伤，也可使目标反应能更好地进行。不仅在电极与基板间，在电极与电极间也能产生等离子体的方式施加偏压电压，沉积氮化膜，评价膜质。
图9（a）、（b）、（c）是本发明实施例的CVD装置的等离子体头的剖面图。图9（a）是将基板作为接地电位，对多个电极依次施加正偏压电压、负偏压电压时的等离子体生成状态图。图9（b）是将图（a）的基板电位设为浮动的情况。图9（c）是将基板设为接地电位，对所有电极施加正偏压电压时的等离子体生成状态图。
评价沉积膜，其结果是，图9（a）所示情况是利用辉光放电生成稳定的等离子体，可得到纤密的薄膜，与此相对，图9（b）、（c）的情况虽然利用辉光放电生成稳定的等离子体，但相比图9（a）的情况，只能得到欠缺纤密的薄膜。图9（a）的情况，即使相邻的电极间也形成等离子体，等离子体领域扩大，成膜速度提高。并且，正离子对基板的撞击被缓和，因此判断可减轻对沉积膜造成的损伤。
[表4] 氮化硅膜的沉积速度与膜质评价（相对值）
另外，构成放电电极的构件使用以下物体。等离子体激发频率使用13.56MHz。
具有中空部、真空密封
电极线：直线状电极线（Ni），一端连接金属箔（Mo），未使用射极材料。
陶瓷构件：石英
与现有方法通过热CVD方法形成氮化膜的情况进行比较，本发明的成膜法中，不管图9（a）、（b）、（c）所示的任一种施加偏压的情况与CVD方法相比均可提高沉积速度。其中，图9（a）所示施加偏压的情况，可以获得特别高的成膜速度。另一方面，为了评价膜的膜质，利用缓冲氢氟酸进行的蚀刻速度进行评价。表明蚀刻速度越小，膜质越纤密。热CVD方法时，沉积速度虽低，但可形成纤密的膜。与此相对，得知使用图9（a）、（b）、（c）所示等离子体头的本发明CVD方法中，特别是图9（a）所示的情况，膜质最纤密。
（实施例5）
（氮化膜的成膜评价2）
改变等离子体激发频率，进行与实施例4相同的成膜评价实验。
[表5]
激发频率：10MHz
氮化硅膜的沉积速度与膜质评价（相对值）
[表6]
激发频率：20MHz
氮化硅膜的沉积速度与膜质评价（相对值）
（实施例6）
评价缓和因氩离子等正离子的撞击导致的基板损伤为目的，对基板侧施加正偏压电压方式的效果。图10是本发明实施例的CVD装置的等离子体头剖视图。在沉积基板324的下方设置介电质基板325，并在其下方配置偏压电压施加电极326。对偏压电压施加电极326，从电极327施加正偏压电压。可以认为从电极322朝沉积基板324的氩正离子328所造成的基板损伤，因为偏压电压施加电极326所形成的电场而缓和。实验结果可知，所沉积薄膜的膜质，通过电源327施加正偏压电压的情况与没有施加的情况相比较，前者更加纤密。
（实施例7）
为了调查放电电极的冷却效果，依据13.56MHz的2000W的RF电力持续产生Ar气体等离子体1小时后，测定电极温度。结果，没有进行冷却时，电极温度成为150℃，与此相对，利用Ar气体以及氮气进行冷却的情况，各自的电极温度分别是50℃、60℃，可获得充分的冷却效果。

Claims (11)

1.一种等离子体CVD装置，其特征是，由若干片数的流路板按顺序重叠构成，在所述流路板的一个侧面形成气体通路，在所述流路板的气体出口侧端面设置放电电极，该放电电极是在具有中空部的陶瓷构件的所述中空部内，非接触状态地配置电极线，所述中空部内是真空或在所述中空部内封入被减压至250Torr以下的稀有气体。
2.根据权利要求1所述等离子体CVD装置，其特征是，所述电极独立控制，且所述气体通路构成提供等离子体的等离子体吹出口。
3.根据权利要求2所述等离子体CVD装置，其特征是，等离子体头由具有各自独立的等离子体吹出口的单元构件构成，从相邻的等离子体吹出口产生不同的等离子体。
4.根据权利要求1所述等离子体CVD装置，其特征是，所述稀有气体是Ar气体或Ne气体。
5.根据权利要求1所述等离子体CVD装置，其特征是，所述电极线一端连接于金属箔，所述金属箔之端成为外部拉出部，在其途中拧入构件的一端而使该金属箔接触密封。
6.根据权利要求1所述等离子体CVD装置，其特征是，所述电极线由含有Th或ThO的W构成。
7.根据权利要求6所述等离子体CVD装置，其特征是，Th的含量是质量分数4％以下。
8.根据权利要求1所述等离子体CVD装置，其特征是，所述流路板的所述气体出口侧端面设有榫孔，在所述放电电极的一面上设有榫，通过将该榫孔嵌合于榫将所述放电电极设置于所述流路板。
9.根据权利要求1所述等离子体CVD装置，其特征是，在所述放电电极的相对位置设置基板，多个所述放电电极以及所述基板的偏压电压，对相邻的所述放电电极交错施加正偏压电压和负偏压电压，对所述基板施加负偏压电压进行成膜，可移动的所述基板被放置面对所述放电电极。
10.根据权利要求1所述等离子体CVD装置，其特征是，在所述放电电极的相对位置设置基板，多个所述放电电极以及所述基板的偏压电压，对相邻的所述放电电极交替施加正偏压电压和负偏压电压，以所述基板为浮动电位进行成膜，可移动的所述基板被放置面对所述放电电极。
11.根据权利要求1所述等离子体CVD装置，其特征是，在所述放电电极的相对位置设置基板，多个所述放电电极以及所述基板的偏压电压，对所述放电电极施加正偏压电压，对所述基板施加负偏压电压进行成膜，可移动的所述基板被放置面对所述放电电极。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9831069B2 (en) * 2011-06-03 2017-11-28 Wacom CVD apparatus and method for forming CVD film
CN103889138B (zh) * 2012-12-24 2016-06-29 中国科学院微电子研究所 等离子体放电装置
WO2015131981A1 (en) * 2014-03-05 2015-09-11 Dow Corning France Plasma treatment of substrates
KR101473464B1 (ko) * 2014-07-30 2014-12-18 성균관대학교산학협력단 무기박막의 제조방법 및 이를 위한 제조장치
CN105369218B (zh) * 2014-08-06 2019-02-01 成均馆大学校产学协力团 无机薄膜的高速沉积方法以及用于所述方法的装置
CN105369222B (zh) * 2014-08-06 2019-02-01 成均馆大学校产学协力团 包含多种前体的无机薄膜的制备方法及用于该方法的装置
JP6224266B2 (ja) * 2014-10-29 2017-11-01 東芝三菱電機産業システム株式会社 放電発生器とその電源装置
CN104561894B (zh) * 2014-12-25 2017-10-03 信利（惠州）智能显示有限公司 一种掩膜板的制造方法
CN105821395B (zh) * 2015-01-22 2019-08-13 成均馆大学校产学协力团 金属氧化物薄膜的沉积方法及其制备装置
US9722103B2 (en) 2015-06-26 2017-08-01 Sunpower Corporation Thermal compression bonding approaches for foil-based metallization of solar cells
WO2017068624A1 (ja) * 2015-10-19 2017-04-27 東芝三菱電機産業システム株式会社 成膜装置
WO2018003002A1 (ja) * 2016-06-28 2018-01-04 東芝三菱電機産業システム株式会社 活性ガス生成装置及び成膜処理装置
CN107190247B (zh) * 2017-06-20 2019-02-22 山西潞安太阳能科技有限责任公司 一种太阳能电池pecvd多层钝化减反膜的制备方法
EP3474635B1 (en) 2017-10-17 2021-08-18 Leibniz-Institut für Plasmaforschung und Technologie e.V. Modular plasma jet treatment system
US11600517B2 (en) * 2018-08-17 2023-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Screwless semiconductor processing chambers
CN112626500A (zh) * 2020-12-03 2021-04-09 无锡市邑晶半导体科技有限公司 一种基于等离子体增强原子层沉积技术制备纳米金颗粒薄膜的方法
CN115449780B (zh) * 2022-08-17 2024-04-09 安徽工业大学 一种等离子体射流快速制备亲疏水微流道的装置与方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101128964A (zh) * 2005-03-28 2008-02-20 三菱电机株式会社 无声放电式等离子体装置
CN101227790A (zh) * 2008-01-25 2008-07-23 华中科技大学 等离子体喷流装置
CN101245449A (zh) * 2007-02-14 2008-08-20 北京行者多媒体科技有限公司 大批量生产薄膜的等离子箱
CN101583233A (zh) * 2009-03-24 2009-11-18 新奥光伏能源有限公司 一种常压等离子体装置

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2485479A (en) * 1948-10-08 1949-10-18 Koppers Co Inc Electrochemical production of nitrogen oxide
US2806931A (en) * 1952-09-22 1957-09-17 Gosta C Akerlof Electrical heating device
US3271619A (en) * 1963-07-26 1966-09-06 Gen Electric Triggered vacuum discharge device
JPS5345072A (en) * 1976-10-04 1978-04-22 Matsushita Electronics Corp High pressure metal vapor discharge lamp
JPS58220477A (ja) 1982-06-16 1983-12-22 Japan Solar Energ Kk 太陽電池の製造方法
JPS6350025A (ja) 1986-08-20 1988-03-02 Tadahiro Omi 半導体製造装置
US5130170A (en) * 1989-06-28 1992-07-14 Canon Kabushiki Kaisha Microwave pcvd method for continuously forming a large area functional deposited film using a curved moving substrate web with microwave energy with a directivity in one direction perpendicular to the direction of microwave propagation
EP0482230B1 (de) * 1990-10-22 1995-06-21 Heraeus Noblelight GmbH Hochleistungsstrahler
JP2714247B2 (ja) * 1990-10-29 1998-02-16 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置
JP2824808B2 (ja) * 1990-11-16 1998-11-18 キヤノン株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する装置
JP3076649B2 (ja) 1992-01-14 2000-08-14 松下電子工業株式会社 冷陰極蛍光ランプ
JPH06314587A (ja) * 1993-04-30 1994-11-08 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 放電を伴う電極用複合材料
JP3015268B2 (ja) 1994-12-27 2000-03-06 オーニット株式会社 低温プラズマ発生体
DE19635232A1 (de) * 1996-08-30 1998-03-05 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur plasmachemischen Zersetzung und/oder Vernichtung von Schadstoffen
US6194036B1 (en) * 1997-10-20 2001-02-27 The Regents Of The University Of California Deposition of coatings using an atmospheric pressure plasma jet
US7029636B2 (en) * 1999-12-15 2006-04-18 Plasmasol Corporation Electrode discharge, non-thermal plasma device (reactor) for the pre-treatment of combustion air
JP2002110671A (ja) 2000-07-28 2002-04-12 Sekisui Chem Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP2002158219A (ja) * 2000-09-06 2002-05-31 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
JP4755754B2 (ja) 2000-12-06 2011-08-24 株式会社東芝 窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板並びにその製造方法
EP1430501A2 (en) * 2001-07-02 2004-06-23 Plasmasol Corporation A novel electrode for use with atmospheric pressure plasma emitter apparatus and method for using the same
JP5131629B2 (ja) * 2001-08-13 2013-01-30 日産自動車株式会社 固体電解質型燃料電池の製造方法
EP1293587A1 (en) * 2001-09-14 2003-03-19 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Vacuum coating apparatus with central heater
JP3387492B1 (ja) 2001-10-26 2003-03-17 東陶機器株式会社 高圧放電灯及び照明装置
JP2004006536A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 薄膜製造方法及び装置
JP4231250B2 (ja) 2002-07-05 2009-02-25 積水化学工業株式会社 プラズマｃｖｄ装置
US6963259B2 (en) * 2002-06-27 2005-11-08 Harris Corporation High efficiency resonant line
JP2004076076A (ja) * 2002-08-14 2004-03-11 Konica Minolta Holdings Inc 大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法
JP3686647B2 (ja) * 2002-10-07 2005-08-24 積水化学工業株式会社 プラズマ表面処理装置の電極構造
US7514377B2 (en) * 2002-12-27 2009-04-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Plasma generator, ozone generator, substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
WO2004108984A1 (ja) * 2003-06-06 2004-12-16 Konica Minolta Holdings, Inc. 薄膜形成方法および薄膜形成体
US7090811B2 (en) * 2003-12-11 2006-08-15 General Motors Corporation Method of reducing NOx in diesel engine exhaust
JP4393878B2 (ja) * 2004-01-19 2010-01-06 株式会社キーエンス 除電器
US7737382B2 (en) * 2004-04-01 2010-06-15 Lincoln Global, Inc. Device for processing welding wire
JP2006024634A (ja) * 2004-07-06 2006-01-26 Sharp Corp プラズマプロセス装置
JP4576190B2 (ja) * 2004-09-29 2010-11-04 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置
US20060156983A1 (en) * 2005-01-19 2006-07-20 Surfx Technologies Llc Low temperature, atmospheric pressure plasma generation and applications
EP1689216A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-09 Vlaamse Instelling Voor Technologisch Onderzoek (Vito) Atmospheric-pressure plasma jet
JP4574387B2 (ja) * 2005-02-21 2010-11-04 積水化学工業株式会社 プラズマ処理装置
US7922979B2 (en) 2005-03-28 2011-04-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Silent discharge plasma apparatus
JP4367954B2 (ja) 2005-05-25 2009-11-18 住友電気工業株式会社 電極材料
CN101218723A (zh) * 2005-05-31 2008-07-09 日铁矿业株式会社 具有悬挂电极的气体激励装置及气体激励方法
US7662253B2 (en) * 2005-09-27 2010-02-16 Lam Research Corporation Apparatus for the removal of a metal oxide from a substrate and methods therefor
JP2007273752A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ生成装置
WO2008014607A1 (en) * 2006-07-31 2008-02-07 Tekna Plasma Systems Inc. Plasma surface treatment using dielectric barrier discharges
JP2008098128A (ja) 2006-10-11 2008-04-24 Kunihide Tachibana 大気圧プラズマ発生照射装置
EP1918965A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-07 Dow Corning Corporation Method and apparatus for forming a film by deposition from a plasma
KR101144423B1 (ko) 2006-11-16 2012-05-10 엘지전자 주식회사 휴대 단말기 및 휴대 단말기의 화면 표시 방법
JP4845831B2 (ja) * 2007-08-07 2011-12-28 積水化学工業株式会社 プラズマ処理装置
JP2009179427A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Fujifilm Corp 搬送装置および真空成膜装置
JP4573902B2 (ja) 2008-03-28 2010-11-04 三菱電機株式会社 薄膜形成方法
US8022377B2 (en) * 2008-04-22 2011-09-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for excimer curing
US7976908B2 (en) * 2008-05-16 2011-07-12 General Electric Company High throughput processes and systems for barrier film deposition and/or encapsulation of optoelectronic devices
JP2009280873A (ja) * 2008-05-23 2009-12-03 Fujifilm Corp ガスバリアフィルムの製造方法
US8994270B2 (en) * 2008-05-30 2015-03-31 Colorado State University Research Foundation System and methods for plasma application
TWI387400B (zh) * 2008-10-20 2013-02-21 Ind Tech Res Inst 電漿系統
JP4833272B2 (ja) * 2008-11-25 2011-12-07 パナソニック電工Ｓｕｎｘ株式会社 プラズマ処理装置
US20120100524A1 (en) * 2009-03-16 2012-04-26 Drexel University Tubular floating electrode dielectric barrier discharge for applications in sterilization and tissue bonding
CN102362337B (zh) * 2009-03-24 2014-03-26 东丽株式会社 等离子体处理装置及使用其的非晶硅薄膜的制造方法
JP2011108615A (ja) * 2009-10-23 2011-06-02 Sharp Corp プラズマ処理装置
JP2013519188A (ja) * 2010-01-26 2013-05-23 ライプニッツ−インスティテュート ファー プラズマフォーチュング ウント テクノロジー イー．ヴイ． 中空体内での放電発生装置及び方法
JP2011162851A (ja) * 2010-02-10 2011-08-25 Fujifilm Corp ガスバリアフィルムの製造方法
KR101693673B1 (ko) * 2010-06-23 2017-01-09 주성엔지니어링(주) 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치
KR20120002795A (ko) * 2010-07-01 2012-01-09 주성엔지니어링(주) 피딩라인의 차폐수단을 가지는 전원공급수단 및 이를 포함한 기판처리장치
DE102011076806A1 (de) * 2011-05-31 2012-12-06 Leibniz-Institut für Plasmaforschung und Technologie e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines kalten, homogenen Plasmas unter Atmosphärendruckbedingungen
US9831069B2 (en) * 2011-06-03 2017-11-28 Wacom CVD apparatus and method for forming CVD film
JP6175721B2 (ja) * 2012-11-09 2017-08-09 株式会社渡辺商行 オゾン発生装置、及び、オゾン発生方法
US9269544B2 (en) * 2013-02-11 2016-02-23 Colorado State University Research Foundation System and method for treatment of biofilms
US9084334B1 (en) * 2014-11-10 2015-07-14 Illinois Tool Works Inc. Balanced barrier discharge neutralization in variable pressure environments
EP3283129A4 (en) * 2015-04-14 2018-12-19 The Board of Regents for Oklahoma State University Plasma thread

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101128964A (zh) * 2005-03-28 2008-02-20 三菱电机株式会社 无声放电式等离子体装置
CN101245449A (zh) * 2007-02-14 2008-08-20 北京行者多媒体科技有限公司 大批量生产薄膜的等离子箱
CN101227790A (zh) * 2008-01-25 2008-07-23 华中科技大学 等离子体喷流装置
CN101583233A (zh) * 2009-03-24 2009-11-18 新奥光伏能源有限公司 一种常压等离子体装置

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