JP3076649B2 - 冷陰極蛍光ランプ - Google Patents
冷陰極蛍光ランプInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶バックライト等に用
いられる冷陰極蛍光ランプに関するものである。
いられる冷陰極蛍光ランプに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】冷陰極蛍光ランプは小型化が容易で長寿
命であるという特長を持つ。従来、かかる冷陰極蛍光ラ
ンプでは、管内に水銀封入用の水銀ディスペンサを設
け、これを電極としても用いた構造が多く採用されてい
る。
命であるという特長を持つ。従来、かかる冷陰極蛍光ラ
ンプでは、管内に水銀封入用の水銀ディスペンサを設
け、これを電極としても用いた構造が多く採用されてい
る。
【０００３】従来、冷陰極蛍光ランプの電極には、冷陰
極動作状態で有効なエミッタがないこと、点灯中エミッ
タからのスパッタが大きくランプ寿命を確保できないこ
と等の理由からエミッタを用いない構造が採用されてい
た。
極動作状態で有効なエミッタがないこと、点灯中エミッ
タからのスパッタが大きくランプ寿命を確保できないこ
と等の理由からエミッタを用いない構造が採用されてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな冷陰極蛍光ランプは、熱陰極蛍光ランプに比して点
灯時の電極降下電圧が高いため、ランプ電圧が大幅に高
くなり、したがってランプ電圧×ランプ電流×力率で決
定されるランプ電力が大きくなる。このため発光効率が
低いという欠点があった。
うな冷陰極蛍光ランプは、熱陰極蛍光ランプに比して点
灯時の電極降下電圧が高いため、ランプ電圧が大幅に高
くなり、したがってランプ電圧×ランプ電流×力率で決
定されるランプ電力が大きくなる。このため発光効率が
低いという欠点があった。
【０００５】本発明はランプ電力を低減して発光効率を
向上した冷陰極蛍光ランプを提供するものである。
向上した冷陰極蛍光ランプを提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の冷陰極蛍光ラン
プは、管内に一対の電極を設けた冷陰極蛍光ランプにお
いて、前記電極のうちの少なくとも一方に化学式ＬａＭ
２Ｏ 3 （ただし、Ｍ２はＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｎのうち
少なくとも一種）で表されるペロブスカイト型結晶構造
を有する酸化物導電体からなるエミッタを備えている。
また、本発明の冷陰極蛍光ランプは、管内に一対の電極
を設けた冷陰極蛍光ランプにおいて、前記電極のうちの
少なくとも一方に化学式（ＬａＭ１） 2 Ｍ２Ｏ 4 （ただ
し、Ｍ１はＢａまたはＳｒを示し、Ｍ２はＣｕおよびＮ
ｉのうち少なくとも一種）で表されるＫ 2 ＮｉＦ 4 型結晶
構造を有する酸化物導電体からなるエミッタを備えてい
る。 さらに、本発明の冷陰極蛍光ランプは、管内に一対
の電極を設けた冷陰極蛍光ランプにおいて、前記電極の
うちの少なくとも一方に化学式Ｌａ 2 Ｍ２Ｏ 4 （ただし、
Ｍ２はＣｕおよびＮｉのうち少なくとも一種）で表され
るＫ 2 ＮｉＦ 4 型結晶構造を有する酸化物導電体からなる
エミッタを備えている。
プは、管内に一対の電極を設けた冷陰極蛍光ランプにお
いて、前記電極のうちの少なくとも一方に化学式ＬａＭ
２Ｏ 3 （ただし、Ｍ２はＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｎのうち
少なくとも一種）で表されるペロブスカイト型結晶構造
を有する酸化物導電体からなるエミッタを備えている。
また、本発明の冷陰極蛍光ランプは、管内に一対の電極
を設けた冷陰極蛍光ランプにおいて、前記電極のうちの
少なくとも一方に化学式（ＬａＭ１） 2 Ｍ２Ｏ 4 （ただ
し、Ｍ１はＢａまたはＳｒを示し、Ｍ２はＣｕおよびＮ
ｉのうち少なくとも一種）で表されるＫ 2 ＮｉＦ 4 型結晶
構造を有する酸化物導電体からなるエミッタを備えてい
る。 さらに、本発明の冷陰極蛍光ランプは、管内に一対
の電極を設けた冷陰極蛍光ランプにおいて、前記電極の
うちの少なくとも一方に化学式Ｌａ 2 Ｍ２Ｏ 4 （ただし、
Ｍ２はＣｕおよびＮｉのうち少なくとも一種）で表され
るＫ 2 ＮｉＦ 4 型結晶構造を有する酸化物導電体からなる
エミッタを備えている。
【０００７】
【作用】上記構成により、基体金属のみで電極を構成し
た場合に比して、冷陰極動作状態における電子放射が容
易となり、ランプ電圧が低下し、したがってランプ電力
も低減する。酸化物導電体でエミッタを形成しているの
で、点灯中におけるスパッタリングの程度も軽微とな
り、このため管端部の黒化発生が少なく、長期間の使用
に耐え得る。
た場合に比して、冷陰極動作状態における電子放射が容
易となり、ランプ電圧が低下し、したがってランプ電力
も低減する。酸化物導電体でエミッタを形成しているの
で、点灯中におけるスパッタリングの程度も軽微とな
り、このため管端部の黒化発生が少なく、長期間の使用
に耐え得る。
【０００８】また、上記酸化物導電体の粉末に低融点ガ
ラス粉末を混合してペースト状にして電極に塗布する等
の方法により適用することにより、外部からの振動、衝
撃が加わっても剥離しにくいエミッタ層を形成すること
ができる。
ラス粉末を混合してペースト状にして電極に塗布する等
の方法により適用することにより、外部からの振動、衝
撃が加わっても剥離しにくいエミッタ層を形成すること
ができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。
説明する。
【００１０】実施例１ 図１に示すように、本発明実施例の冷陰極蛍光ランプ
は、外径６．２mmの鉛ガラスからなるガラス管１の一端
部にタングステンの粉末を焼結して形成した多孔質の円
柱状電極２がＮｉＣｒＦｅ合金からなる口金３に溶接さ
れて設けられている。電極２の表面には、後述する方法
により作られた酸化物導電体からなるＬａ 1ーxＳｒxＣｏ
Ｏ3（コバルタイトと呼ぶ）のエミッタ４が塗布されて
いる。エミッタ４はランプの封止工程において高周波誘
導加熱により有機質が熱分解，除去され、また低融点ガ
ラスフリットが溶融することにより電極２の表面に堅固
な膜を形成する。ガラス管１の他端部には、ＮｉＣｒＦ
ｅ合金からなる口金５に、基体金属がニッケルメッキ鉄
であり、片面にＴｉ3Ｈｇからなる水銀合金６を、もう
一方の面にＺｒＡｌ合金からなるゲッタ７を固着させた
平板、矩形状の水銀ディスペンサ８が溶接されて設けら
れている。水銀ディスペンサ８は電極を兼ねている。電
極間距離は７２mmである。内面に蛍光体９が塗布された
ガラス管１の両端部と口金３，５とは加熱により直接封
着されている。ガラス管１内には封入ガスとしてＡｒが
１１ｋＰａ封入されている。なお、ガラス管１は水銀デ
ィスペンサ８から放出された水銀蒸気で満たされてい
る。
は、外径６．２mmの鉛ガラスからなるガラス管１の一端
部にタングステンの粉末を焼結して形成した多孔質の円
柱状電極２がＮｉＣｒＦｅ合金からなる口金３に溶接さ
れて設けられている。電極２の表面には、後述する方法
により作られた酸化物導電体からなるＬａ 1ーxＳｒxＣｏ
Ｏ3（コバルタイトと呼ぶ）のエミッタ４が塗布されて
いる。エミッタ４はランプの封止工程において高周波誘
導加熱により有機質が熱分解，除去され、また低融点ガ
ラスフリットが溶融することにより電極２の表面に堅固
な膜を形成する。ガラス管１の他端部には、ＮｉＣｒＦ
ｅ合金からなる口金５に、基体金属がニッケルメッキ鉄
であり、片面にＴｉ3Ｈｇからなる水銀合金６を、もう
一方の面にＺｒＡｌ合金からなるゲッタ７を固着させた
平板、矩形状の水銀ディスペンサ８が溶接されて設けら
れている。水銀ディスペンサ８は電極を兼ねている。電
極間距離は７２mmである。内面に蛍光体９が塗布された
ガラス管１の両端部と口金３，５とは加熱により直接封
着されている。ガラス管１内には封入ガスとしてＡｒが
１１ｋＰａ封入されている。なお、ガラス管１は水銀デ
ィスペンサ８から放出された水銀蒸気で満たされてい
る。
【００１１】上記Ｌａ1ーxＳｒxＣｏＯ3は次のような方
法により得られる。前記組成においてＸはＳｒの置換量
を表し、Ｘの増加により導電率の絶対値は大きくなり、
また導電率の温度特性はＸの増加により半導体的な傾向
から金属的な傾向へと変化する。ここで、半導体的傾向
とは温度上昇に伴って導電率が高くなり、また金属的な
傾向とは導電率が低くなる傾向をいう。
法により得られる。前記組成においてＸはＳｒの置換量
を表し、Ｘの増加により導電率の絶対値は大きくなり、
また導電率の温度特性はＸの増加により半導体的な傾向
から金属的な傾向へと変化する。ここで、半導体的傾向
とは温度上昇に伴って導電率が高くなり、また金属的な
傾向とは導電率が低くなる傾向をいう。
【００１２】冷陰極蛍光ランプの電極のエミッタ材料と
しては、導電率の温度特性が放電状態の温度で金属的な
傾向を示すものがより望ましい。なぜならば、もし半導
体的な傾向を示すものであるならば、放電を持続してい
る状態で電極の温度が上昇し導電率も大きくなり、電極
部の局所に電流が集中し、電流が集中した部分の温度が
ますます上昇してしまう。このように正のフィードバッ
クが働くと、均一な電子放射から一部分に電子放射が集
中してしまい、エミッタのスパッタリングが加速された
り、電極部にちらつきが発生したりする等の問題を生じ
る。これに対して、金属的な傾向を示すエミッタ材料の
場合は、負のフィードバックが働き、前記のような放電
の集中は発生しない。したがって、一般的には導電率の
温度特性が金属的である材料がより好ましい。コバルタ
イトの場合、数百℃以上の高温領域ではＸの値に関係な
くすべて金属的な傾向を示すが、Ｘが０，０．１，０．
２および０．３の組成では、導電率は室温で半導体的傾
向を示し、最大になる温度はそれぞれ７００℃，５００
℃，４００℃および３００℃とＳｒの置換量が増加する
に従って低温側にシフトする。しかし、Ｘが０．５〜
０．８の組成で導電率は室温ですべて金属的な傾向を示
す。
しては、導電率の温度特性が放電状態の温度で金属的な
傾向を示すものがより望ましい。なぜならば、もし半導
体的な傾向を示すものであるならば、放電を持続してい
る状態で電極の温度が上昇し導電率も大きくなり、電極
部の局所に電流が集中し、電流が集中した部分の温度が
ますます上昇してしまう。このように正のフィードバッ
クが働くと、均一な電子放射から一部分に電子放射が集
中してしまい、エミッタのスパッタリングが加速された
り、電極部にちらつきが発生したりする等の問題を生じ
る。これに対して、金属的な傾向を示すエミッタ材料の
場合は、負のフィードバックが働き、前記のような放電
の集中は発生しない。したがって、一般的には導電率の
温度特性が金属的である材料がより好ましい。コバルタ
イトの場合、数百℃以上の高温領域ではＸの値に関係な
くすべて金属的な傾向を示すが、Ｘが０，０．１，０．
２および０．３の組成では、導電率は室温で半導体的傾
向を示し、最大になる温度はそれぞれ７００℃，５００
℃，４００℃および３００℃とＳｒの置換量が増加する
に従って低温側にシフトする。しかし、Ｘが０．５〜
０．８の組成で導電率は室温ですべて金属的な傾向を示
す。
【００１３】ところが、Ｘの値が大きくなると、酸素の
欠損が発生しやすく、放電がやや不安定になる。したが
って、Ｘのより望ましい範囲は０．３〜０．８である
が、本発明にかかる冷陰極蛍光ランプでは、半導体的な
傾向を示す範囲においても実用上は十分使用可能であ
る。
欠損が発生しやすく、放電がやや不安定になる。したが
って、Ｘのより望ましい範囲は０．３〜０．８である
が、本発明にかかる冷陰極蛍光ランプでは、半導体的な
傾向を示す範囲においても実用上は十分使用可能であ
る。
【００１４】この実施例での代表的な組成としてＸ＝
０．５の場合について述べる。このエミッタの形成に当
たっては、まずＬａ，ＳｒおよびＣｏの各硝酸溶液をＬ
ａ＝０．５，Ｓｒ＝０．５，Ｃｏ＝１の元素比率になる
ように混合し、この溶液を蓚酸とエタノールとの混合液
に滴下し、これらの蓚酸塩の沈澱物を作る。この沈澱物
を７０℃で乾燥し、乾燥した固形物を混合した後、電気
炉を用いて空気中において５００℃で３時間加熱し、不
要な蓚酸塩を熱分解し、Ｌａ，ＳｒおよびＣｏの酸化物
を作る。この酸化物を５００℃以上の温度で３００cc／
分導入した酸素気流中において１３００℃で５時間焼成
することにより、完全なペロブスカイト型結晶構造を得
ることができる。焼成後の粉末は粒子が結合して固まっ
ているので、乳鉢やボールミル等により数μｍ以下に粉
砕する。
０．５の場合について述べる。このエミッタの形成に当
たっては、まずＬａ，ＳｒおよびＣｏの各硝酸溶液をＬ
ａ＝０．５，Ｓｒ＝０．５，Ｃｏ＝１の元素比率になる
ように混合し、この溶液を蓚酸とエタノールとの混合液
に滴下し、これらの蓚酸塩の沈澱物を作る。この沈澱物
を７０℃で乾燥し、乾燥した固形物を混合した後、電気
炉を用いて空気中において５００℃で３時間加熱し、不
要な蓚酸塩を熱分解し、Ｌａ，ＳｒおよびＣｏの酸化物
を作る。この酸化物を５００℃以上の温度で３００cc／
分導入した酸素気流中において１３００℃で５時間焼成
することにより、完全なペロブスカイト型結晶構造を得
ることができる。焼成後の粉末は粒子が結合して固まっ
ているので、乳鉢やボールミル等により数μｍ以下に粉
砕する。
【００１５】前記の手順により得られた粉末状のＬａ
0.5Ｓｒ0.5ＣｏＯ3を低融点ガラスフリットと混合し、
例えばニトロセルローズ等の有機質のバインダと溶剤で
ペースト状に調整したものをエミッタとして用意し、円
柱状電極２の表面にこのエミッタの膜を塗布し形成す
る。以降、通常のとおりの方法により図１に示す構造の
冷陰極蛍光ランプが得られる。
0.5Ｓｒ0.5ＣｏＯ3を低融点ガラスフリットと混合し、
例えばニトロセルローズ等の有機質のバインダと溶剤で
ペースト状に調整したものをエミッタとして用意し、円
柱状電極２の表面にこのエミッタの膜を塗布し形成す
る。以降、通常のとおりの方法により図１に示す構造の
冷陰極蛍光ランプが得られる。
【００１６】このような冷陰極蛍光ランプを高周波イン
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したところ、ランプ電
流８ｍＡにてランプ電圧２３９Ｖ，ランプ電力１．９１
Ｗ，ランプ中央部の輝度は１２６００ｃｄ／ｍ2 であっ
た。これに対して、エミッタを用いない点を除き上記と
同一構造の従来の冷陰極蛍光ランプ（以下、従来ランプ
という）の場合は、ランプ電流８ｍＡにてランプ電圧２
５４Ｖ，ランプ電力２．０３Ｗ（数値は小数第３桁にて
四捨五入。以下同じ）、ランプ中央部の輝度は１２６０
０ｃｄ／ｍ2 であった。これら両者の比較から明らかな
ように、本発明実施例の冷陰極蛍光ランプは、従来ラン
プに比して、ランプ中央部の輝度は維持しながら、ラン
プ電圧およびランプ電力がともに５．９％低下し、発光
効率が５．９％向上することがわかる。
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したところ、ランプ電
流８ｍＡにてランプ電圧２３９Ｖ，ランプ電力１．９１
Ｗ，ランプ中央部の輝度は１２６００ｃｄ／ｍ2 であっ
た。これに対して、エミッタを用いない点を除き上記と
同一構造の従来の冷陰極蛍光ランプ（以下、従来ランプ
という）の場合は、ランプ電流８ｍＡにてランプ電圧２
５４Ｖ，ランプ電力２．０３Ｗ（数値は小数第３桁にて
四捨五入。以下同じ）、ランプ中央部の輝度は１２６０
０ｃｄ／ｍ2 であった。これら両者の比較から明らかな
ように、本発明実施例の冷陰極蛍光ランプは、従来ラン
プに比して、ランプ中央部の輝度は維持しながら、ラン
プ電圧およびランプ電力がともに５．９％低下し、発光
効率が５．９％向上することがわかる。
【００１７】実施例２ この実施例は、エミッタとしてＬａ0.6Ｓｒ0.4ＣｏＯ3
を、円柱状電極２上とともに、電極を兼ねる水銀ディス
ペンサ９の両面にも塗布した冷陰極蛍光ランプの場合で
ある。
を、円柱状電極２上とともに、電極を兼ねる水銀ディス
ペンサ９の両面にも塗布した冷陰極蛍光ランプの場合で
ある。
【００１８】この実施例の冷陰極蛍光ランプでは、ラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧は２２７Ｖ，ランプ電力は
１．８２Ｗとなり、ランプ電圧およびランプ電力がとも
に従来ランプに比して１０．６％低減した。このとき、
ランプ中央部輝度は従来ランプと同等の値であった。両
電極にかかるエミッタを備えることにより、電極の片側
にだけかかるエミッタを備えた上記実施例１のランプに
比してほぼ２倍の効率向上効果が生じたことになる。
プ電流８ｍＡにてランプ電圧は２２７Ｖ，ランプ電力は
１．８２Ｗとなり、ランプ電圧およびランプ電力がとも
に従来ランプに比して１０．６％低減した。このとき、
ランプ中央部輝度は従来ランプと同等の値であった。両
電極にかかるエミッタを備えることにより、電極の片側
にだけかかるエミッタを備えた上記実施例１のランプに
比してほぼ２倍の効率向上効果が生じたことになる。
【００１９】実施例３ この実施例は、円柱状電極２の表面にＫ2ＮｉＦ4型結晶
構造のエミッタを塗布した冷陰極蛍光ランプの場合であ
る。
構造のエミッタを塗布した冷陰極蛍光ランプの場合であ
る。
【００２０】代表的な組成として（Ｌａ2-xＳｒx）Ｃｕ
Ｏ4 について述べる。ＸはＳｒの置換量を表し、Ｓｒの
置換量により導電率は異なる。例えば、Ｓｒの置換量が
０．１，０．２，０．３，０．４および０．５のとき、
導電率は１８８，６７６，５２６，４０３および２２５
Ｓ／cmとなり、０．２のとき最大の値を示す。
Ｏ4 について述べる。ＸはＳｒの置換量を表し、Ｓｒの
置換量により導電率は異なる。例えば、Ｓｒの置換量が
０．１，０．２，０．３，０．４および０．５のとき、
導電率は１８８，６７６，５２６，４０３および２２５
Ｓ／cmとなり、０．２のとき最大の値を示す。
【００２１】したがって、この実施例では導電率が最大
になる組成としてＬａ＝１．８，Ｓｒ＝０．２，Ｃｕ＝
１．０の場合について述べる。
になる組成としてＬａ＝１．８，Ｓｒ＝０．２，Ｃｕ＝
１．０の場合について述べる。
【００２２】このエミッタの作製方法は上記実施例１の
場合と同様に共沈法により微粉末を得る。すなわち、Ｌ
ａ，ＳｒおよびＣｕの各硝酸溶液をＬａ＝１．８，Ｓｒ
＝０．２，Ｃｕ＝１．０の元素比率になるように混合
し、蓚酸とエタノールとの混合液に滴下して蓚酸塩の沈
澱物を作り、この沈澱物を乾燥し、混合して粉末を得
る。次に、この共沈粉末を５００℃で３時間熱分解し、
Ｌａ，ＳｒおよびＣｕの酸化物を作る。そして、この酸
化物を酸素気流中において、１１００℃で５時間焼成す
ることにより、完全なＫ2ＮｉＦ4型の結晶構造を得るこ
とができる。次に、これを数μｍ以下の微粉末に粉砕
し、低融点ガラスフリットと有機質のバインダと溶剤と
でペースト状に調整したものをエミッタとして用意す
る。次いで、上記実施例１と同様な方法で円柱状電極２
の表面に前記Ｌａ1.8Ｓｒ0.2ＣｕＯ4のエミッタの膜を
形成し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光ラ
ンプを作製する。
場合と同様に共沈法により微粉末を得る。すなわち、Ｌ
ａ，ＳｒおよびＣｕの各硝酸溶液をＬａ＝１．８，Ｓｒ
＝０．２，Ｃｕ＝１．０の元素比率になるように混合
し、蓚酸とエタノールとの混合液に滴下して蓚酸塩の沈
澱物を作り、この沈澱物を乾燥し、混合して粉末を得
る。次に、この共沈粉末を５００℃で３時間熱分解し、
Ｌａ，ＳｒおよびＣｕの酸化物を作る。そして、この酸
化物を酸素気流中において、１１００℃で５時間焼成す
ることにより、完全なＫ2ＮｉＦ4型の結晶構造を得るこ
とができる。次に、これを数μｍ以下の微粉末に粉砕
し、低融点ガラスフリットと有機質のバインダと溶剤と
でペースト状に調整したものをエミッタとして用意す
る。次いで、上記実施例１と同様な方法で円柱状電極２
の表面に前記Ｌａ1.8Ｓｒ0.2ＣｕＯ4のエミッタの膜を
形成し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光ラ
ンプを作製する。
【００２３】このような冷陰極蛍光ランプを高周波イン
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性は、ラ
ンプ電流８ｍＡにてランプ電圧２３７Ｖ，ランプ電力
１．９０Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の
値であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中
央部の輝度を維持しながら、ランプ電圧およびランプ電
力ともに６．７％低下し、発光効率が６．７％向上する
こととなった。
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性は、ラ
ンプ電流８ｍＡにてランプ電圧２３７Ｖ，ランプ電力
１．９０Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の
値であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中
央部の輝度を維持しながら、ランプ電圧およびランプ電
力ともに６．７％低下し、発光効率が６．７％向上する
こととなった。
【００２４】なお、上記のように、酸化物導電体の粉末
に低融点ガラス粉末を混合しペースト状にして電極上に
塗布等で形成する方法を用いると、外部からの振動，衝
撃に対し電極上に形成されたエミッタ層を剥離しにくく
することができる。
に低融点ガラス粉末を混合しペースト状にして電極上に
塗布等で形成する方法を用いると、外部からの振動，衝
撃に対し電極上に形成されたエミッタ層を剥離しにくく
することができる。
【００２５】実施例４ この実施例は、円柱状電極２の表面にエミッタとして
（ＬａＭ１）Ｍ２Ｏ3の系でＭ１にＢａを、Ｍ２にＣｏ
をそれぞれ用いた冷陰極蛍光ランプの場合である。
（ＬａＭ１）Ｍ２Ｏ3の系でＭ１にＢａを、Ｍ２にＣｏ
をそれぞれ用いた冷陰極蛍光ランプの場合である。
【００２６】Ｂａを用いた場合においても、あらかじめ
Ｂａの置換量と導電率および焼成条件を調べた結果、導
電率が最大になる比はＬａ0.5Ｂａ0.5ＣｏＯ3であるこ
とがわかった。Ｍ１にＳｒを用いた場合に比べると、Ｂ
ａを用いた場合は焼成温度をわずかに高める必要がある
が、１１００℃以上であれば、ＳｒおよびＢａともにほ
ぼ同等の性能を得ることがわかった。
Ｂａの置換量と導電率および焼成条件を調べた結果、導
電率が最大になる比はＬａ0.5Ｂａ0.5ＣｏＯ3であるこ
とがわかった。Ｍ１にＳｒを用いた場合に比べると、Ｂ
ａを用いた場合は焼成温度をわずかに高める必要がある
が、１１００℃以上であれば、ＳｒおよびＢａともにほ
ぼ同等の性能を得ることがわかった。
【００２７】エミッタの作製方法は上記実施例１と同様
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成し完全なペロブスカイト型結晶構造
を持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以下の
微粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質のバイ
ンダと溶剤でペースト状に調整したものとをエミッタと
して用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法で円
柱状電極２の表面に前記Ｌａ0.5Ｂａ0.5ＣｏＯ3エミッ
タの膜を形成し、以降、通常のとおりの方法により冷陰
極蛍光ランプを作製する。
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成し完全なペロブスカイト型結晶構造
を持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以下の
微粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質のバイ
ンダと溶剤でペースト状に調整したものとをエミッタと
して用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法で円
柱状電極２の表面に前記Ｌａ0.5Ｂａ0.5ＣｏＯ3エミッ
タの膜を形成し、以降、通常のとおりの方法により冷陰
極蛍光ランプを作製する。
【００２８】このような冷陰極蛍光ランプを高周波イン
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性は、ラ
ンプ電流８ｍＡにてランプ電圧２４１Ｖ，ランプ電力
１．９３Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の
値であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中
央部の輝度を維持しながら、ランプ電圧およびランプ電
力がともに５．１％低下し、発光効率が５．１％向上す
ることとなった。
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性は、ラ
ンプ電流８ｍＡにてランプ電圧２４１Ｖ，ランプ電力
１．９３Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の
値であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中
央部の輝度を維持しながら、ランプ電圧およびランプ電
力がともに５．１％低下し、発光効率が５．１％向上す
ることとなった。
【００２９】実施例５ この実施例は、円柱状電極２の表面にエミッタとして
（ＬａＭ１）Ｍ２Ｏ3の系でＭ１にＳｒを，Ｍ２にＣｏ
とＦｅとの混合物を塗布した冷陰極蛍光ランプの場合で
ある。
（ＬａＭ１）Ｍ２Ｏ3の系でＭ１にＳｒを，Ｍ２にＣｏ
とＦｅとの混合物を塗布した冷陰極蛍光ランプの場合で
ある。
【００３０】Ｆｅの置換量としては導電率が損なわれな
い程度としてＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｃｏ0. 7Ｆｅ0.3Ｏ3とし
た。
い程度としてＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｃｏ0. 7Ｆｅ0.3Ｏ3とし
た。
【００３１】エミッタの作製方法は上記実施例１と同様
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成し、数μｍ以下の微粉末に粉砕し、
低融点ガラスフリットと有機質のバインダと溶剤でペー
スト状に調整したものをエミッタとして用意する。次い
で、上記実施例１と同様な方法で円柱状電極２の表面に
前記Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｃｏ0.7Ｆｅ0.3Ｏ3のエミッタの膜
を形成し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光
ランプを作製する。
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成し、数μｍ以下の微粉末に粉砕し、
低融点ガラスフリットと有機質のバインダと溶剤でペー
スト状に調整したものをエミッタとして用意する。次い
で、上記実施例１と同様な方法で円柱状電極２の表面に
前記Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｃｏ0.7Ｆｅ0.3Ｏ3のエミッタの膜
を形成し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光
ランプを作製する。
【００３２】このような冷陰極蛍光ランプを高周波イン
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性はラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧２４３Ｖ，ランプ電力１．
９４Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来のランプと同等の値
であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中央
部の輝度を維持しながら、ランプ電圧およびランプ電力
がともに４．３％低下し、発光効率が４．３％向上する
こととなった。
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性はラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧２４３Ｖ，ランプ電力１．
９４Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来のランプと同等の値
であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中央
部の輝度を維持しながら、ランプ電圧およびランプ電力
がともに４．３％低下し、発光効率が４．３％向上する
こととなった。
【００３３】実施例６ この実施例は、円柱状電極２の表面に（ＬａＭ１）Ｍ２
Ｏ3の系でＭ１にＳｒを、Ｍ２にＭｎを用いたエミッタ
を塗布した冷陰極蛍光ランプの場合である。
Ｏ3の系でＭ１にＳｒを、Ｍ２にＭｎを用いたエミッタ
を塗布した冷陰極蛍光ランプの場合である。
【００３４】エミッタの作製方法は上記実施例１と同様
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成し完全なペロブスカイト型結晶構造
を持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以下の
微粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質のバイ
ンダと溶剤でペースト状に調整したものをエミッタとし
て用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法で円柱
状電極２の表面に前記（ＬａＳｒ）ＭｎＯ3エミッタの
膜を形成して冷陰極蛍光ランプを作製する。
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成し完全なペロブスカイト型結晶構造
を持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以下の
微粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質のバイ
ンダと溶剤でペースト状に調整したものをエミッタとし
て用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法で円柱
状電極２の表面に前記（ＬａＳｒ）ＭｎＯ3エミッタの
膜を形成して冷陰極蛍光ランプを作製する。
【００３５】このような冷陰極蛍光ランプを高周波イン
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性はラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧２４０Ｖ，ランプ電力１．
９２Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来のランプと同等の値
であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中央
部の輝度を維持しながら、ランプ電圧およびランプ電力
がともに５．５％低下し、発光効率が５．５％向上する
こととなった。
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性はラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧２４０Ｖ，ランプ電力１．
９２Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来のランプと同等の値
であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中央
部の輝度を維持しながら、ランプ電圧およびランプ電力
がともに５．５％低下し、発光効率が５．５％向上する
こととなった。
【００３６】また、（ＬａＳｒ）ＭｎＯ3はランプ寿命
試験中における電極周辺部における管壁の黒化の発生が
少なく放電によるスパッタに対して特に強いという特長
があることがわかった。この特性によりこの実施例の冷
陰極蛍光ランプは特に長いランプ寿命を期待できる。
試験中における電極周辺部における管壁の黒化の発生が
少なく放電によるスパッタに対して特に強いという特長
があることがわかった。この特性によりこの実施例の冷
陰極蛍光ランプは特に長いランプ寿命を期待できる。
【００３７】実施例７ この実施例は、円柱状電極２の表面に（ＬａＭ１）Ｍ２
Ｏ3の系でＭ１には何も置換しないでＬａ１００％と
し、Ｍ２にＮｉを用いたＬａＮｉＯ3のエミッタを塗布
した冷陰極蛍光ランプの場合である。
Ｏ3の系でＭ１には何も置換しないでＬａ１００％と
し、Ｍ２にＮｉを用いたＬａＮｉＯ3のエミッタを塗布
した冷陰極蛍光ランプの場合である。
【００３８】この系は導電率の温度変化が少なく、例え
ば５０℃のとき２００Ｓ／cm、１２０℃のとき１８０Ｓ
／cm、１８０℃のとき２００Ｓ／cmであり、非常に安定
であるという特長を有している。
ば５０℃のとき２００Ｓ／cm、１２０℃のとき１８０Ｓ
／cm、１８０℃のとき２００Ｓ／cmであり、非常に安定
であるという特長を有している。
【００３９】エミッタの作製方法は上記実施例１と同様
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成した、完全なペロブスカイト型結晶
構造を持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以
下の微粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質の
バインダと溶剤とでペースト状に調整したものをエミッ
タとして用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法
で円柱状電極２の表面にＬａＮｉＯ3のエミッタの膜を
形成し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光ラ
ンプを作製する。
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成した、完全なペロブスカイト型結晶
構造を持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以
下の微粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質の
バインダと溶剤とでペースト状に調整したものをエミッ
タとして用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法
で円柱状電極２の表面にＬａＮｉＯ3のエミッタの膜を
形成し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光ラ
ンプを作製する。
【００４０】このような冷陰極蛍光ランプを高周波イン
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性は、ラ
ンプ電流８ｍＡにてランプ電圧２４２Ｖ，ランプ電力
１．９４Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の
値であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中
央部の輝度は維持しながらランプ電圧およびランプ電力
がともに４．７％低下し、発光効率が４．７％向上する
こととなった。
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性は、ラ
ンプ電流８ｍＡにてランプ電圧２４２Ｖ，ランプ電力
１．９４Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の
値であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中
央部の輝度は維持しながらランプ電圧およびランプ電力
がともに４．７％低下し、発光効率が４．７％向上する
こととなった。
【００４１】実施例８ この実施例は、円柱状電極２の表面に（ＬａＭ１）2Ｍ
２Ｏ4の系でＭ１にＳｒを、Ｍ２にＮｉを用いた（Ｌａ
Ｓｒ）2ＮｉＯ4のエミッタを塗布した冷陰極蛍光ランプ
の場合である。
２Ｏ4の系でＭ１にＳｒを、Ｍ２にＮｉを用いた（Ｌａ
Ｓｒ）2ＮｉＯ4のエミッタを塗布した冷陰極蛍光ランプ
の場合である。
【００４２】この系ではＳｒの置換量に従って導電率の
温度特性は半導体的な傾向から金属的な傾向を示し、同
時に導電率の絶対値も増加し最適な組成はＬａ1.8Ｓｒ
0.2ＮｉＯ4 であった。このときの導電率は７０Ｓ／cm
であった。
温度特性は半導体的な傾向から金属的な傾向を示し、同
時に導電率の絶対値も増加し最適な組成はＬａ1.8Ｓｒ
0.2ＮｉＯ4 であった。このときの導電率は７０Ｓ／cm
であった。
【００４３】エミッタの作製方法は上記実施例１と同様
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１３
００℃で５時間焼成し、完全なＫ2ＮｉＦ4型結晶構造を
持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以下の微
粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質のバイン
ダと溶剤でペースト状に調整したものをエミッタとして
用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法で円柱状
電極２の表面に前記ＬａＮｉＯ3 エミッタの膜を形成
し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光ランプ
を作製する。
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１３
００℃で５時間焼成し、完全なＫ2ＮｉＦ4型結晶構造を
持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以下の微
粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質のバイン
ダと溶剤でペースト状に調整したものをエミッタとして
用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法で円柱状
電極２の表面に前記ＬａＮｉＯ3 エミッタの膜を形成
し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光ランプ
を作製する。
【００４４】このような冷陰極蛍光ランプを高周波イン
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性はラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧２４１Ｖ，ランプ電力１．
９３Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の値で
あった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中央部
の輝度は維持しながら、ランプ電圧およびランプ電力が
ともに５．１％低下し、発光効率が５．１％向上するこ
ととなった。
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性はラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧２４１Ｖ，ランプ電力１．
９３Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の値で
あった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中央部
の輝度は維持しながら、ランプ電圧およびランプ電力が
ともに５．１％低下し、発光効率が５．１％向上するこ
ととなった。
【００４５】実施例９ この実施例は、円柱状電極２の表面にエミッタとして
（ＬａＭ１）2Ｍ２Ｏ4の系でＭ１には何も置換しないで
Ｌａ１００％とし、Ｍ２にＮｉを用いたＬａ2ＮｉＯ4の
エミッタを塗布した冷陰極蛍光ランプの場合である。
（ＬａＭ１）2Ｍ２Ｏ4の系でＭ１には何も置換しないで
Ｌａ１００％とし、Ｍ２にＮｉを用いたＬａ2ＮｉＯ4の
エミッタを塗布した冷陰極蛍光ランプの場合である。
【００４６】この材料の導電率の温度変化は室温から１
００℃まで比較的大きく、それより高温では比較的安定
した特長を有している。例えば２０℃のとき１５Ｓ／c
m、８０℃のとき１８０Ｓ／cm、１４０℃のとき５０Ｓ
／cm、２００℃のとき５０Ｓ／cmである。
００℃まで比較的大きく、それより高温では比較的安定
した特長を有している。例えば２０℃のとき１５Ｓ／c
m、８０℃のとき１８０Ｓ／cm、１４０℃のとき５０Ｓ
／cm、２００℃のとき５０Ｓ／cmである。
【００４７】エミッタの作製方法は上記実施例１と同様
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成し、完全なＫ2ＮｉＦ4型結晶構造を
持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以下の微
粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質のバイン
ダと溶剤とでペースト状に調整したものをエミッとして
用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法で円柱状
電極２の表面に前記Ｌａ2ＮｉＯ4エミッタの膜を形成
し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光ランプ
を作製する。
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成し、完全なＫ2ＮｉＦ4型結晶構造を
持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以下の微
粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質のバイン
ダと溶剤とでペースト状に調整したものをエミッとして
用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法で円柱状
電極２の表面に前記Ｌａ2ＮｉＯ4エミッタの膜を形成
し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光ランプ
を作製する。
【００４８】このような冷陰極蛍光ランプを高周波イン
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性はラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧２４３Ｖ，ランプ電力１．
９４Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の値で
あった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中央部
の輝度は維持しながらランプ電圧およびランプ電力がと
もに４．３％低下し、発光効率が４．３％向上すること
となった。
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性はラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧２４３Ｖ，ランプ電力１．
９４Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の値で
あった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中央部
の輝度は維持しながらランプ電圧およびランプ電力がと
もに４．３％低下し、発光効率が４．３％向上すること
となった。
【００４９】なお、本発明は前記実施例に制約されるも
のではない。すなわち、前記したような効果は基本的に
ペロブスカイト型結晶構造またはＫ 2 ＮｉＦ 4 型結晶構造
を持つ酸化物導電体材料に共通したものである。一般に
知られているように酸化物材料は絶縁体であり、電極材
料としては不適当であるが、本発明で明らかにしたよう
な導電性を持つ化合物においては、電子放射率が高く、
酸化物であるためにイオン衝撃に対してスパッタしにく
く冷陰極放電ランプの電極材料としては最適である。
のではない。すなわち、前記したような効果は基本的に
ペロブスカイト型結晶構造またはＫ 2 ＮｉＦ 4 型結晶構造
を持つ酸化物導電体材料に共通したものである。一般に
知られているように酸化物材料は絶縁体であり、電極材
料としては不適当であるが、本発明で明らかにしたよう
な導電性を持つ化合物においては、電子放射率が高く、
酸化物であるためにイオン衝撃に対してスパッタしにく
く冷陰極放電ランプの電極材料としては最適である。
【００５０】上記の実施例ではＭ１としてＳｒを含む例
について述べたが、Ｂａ等の＋２価イオンを含む場合で
も同様な特性を示し、またＭ２としてＣｕのほかにＮｉ
を含む場合でも同様な特性を示す。このようにペロブス
カイト型結晶構造またはＫ 2 ＮｉＦ 4 型結晶構造の化合物
は従来の冷陰極蛍光ランプ用の電極に比べ、ランプの輝
度を維持しながらランプ電力を低減するという効果があ
る。また、エミッタの形成方法や電極の材質，形状，寸
度，ランプの構造，形状，寸度等に制約されず、冷陰極
動作する蛍光ランプであればよく、さらには水銀蒸気を
封入せず希ガスのみを封入した冷陰極蛍光ランプでもよ
い。
について述べたが、Ｂａ等の＋２価イオンを含む場合で
も同様な特性を示し、またＭ２としてＣｕのほかにＮｉ
を含む場合でも同様な特性を示す。このようにペロブス
カイト型結晶構造またはＫ 2 ＮｉＦ 4 型結晶構造の化合物
は従来の冷陰極蛍光ランプ用の電極に比べ、ランプの輝
度を維持しながらランプ電力を低減するという効果があ
る。また、エミッタの形成方法や電極の材質，形状，寸
度，ランプの構造，形状，寸度等に制約されず、冷陰極
動作する蛍光ランプであればよく、さらには水銀蒸気を
封入せず希ガスのみを封入した冷陰極蛍光ランプでもよ
い。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
酸化による電気抵抗の低下がなくオーミック損失を低減
できるとともに、冷陰極蛍光ランプの電極降下電圧を低
下させる効果があり、ランプ電圧ひいてはランプ電力を
低減することができる。また、同一ランプ電流を流した
場合、従来ランプと同等の輝度を維持できるので、冷陰
極蛍光ランプの発光効率を向上することができる。さら
に、本発明によれば、ガラス管の細管化が容易で長寿命
という冷陰極蛍光ランプの特長をそのまま利用できる。
酸化による電気抵抗の低下がなくオーミック損失を低減
できるとともに、冷陰極蛍光ランプの電極降下電圧を低
下させる効果があり、ランプ電圧ひいてはランプ電力を
低減することができる。また、同一ランプ電流を流した
場合、従来ランプと同等の輝度を維持できるので、冷陰
極蛍光ランプの発光効率を向上することができる。さら
に、本発明によれば、ガラス管の細管化が容易で長寿命
という冷陰極蛍光ランプの特長をそのまま利用できる。
【図１】本発明の実施例１における冷陰極蛍光ランプの
断面図
断面図
１ ガラス管 ２ 電極 ３，５ 口金 ４ エミッタ ８ 水銀ディスペンサ ９ 蛍光体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井関 幸人 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (72)発明者 渡辺 由雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−3016（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 61/06
Claims (3)
- 【請求項１】 管内に一対の電極を設けた冷陰極蛍光ラ
ンプにおいて、前記電極のうちの少なくとも一方に化学
式ＬａＭ２Ｏ 3 （ただし、Ｍ２はＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍ
ｎのうち少なくとも一種）で表されるペロブスカイト型
結晶構造を有する酸化物導電体からなるエミッタを備え
たことを特徴とする冷陰極蛍光ランプ。 - 【請求項２】 管内に一対の電極を設けた冷陰極蛍光ラ
ンプにおいて、前記電極のうちの少なくとも一方に化学
式（ＬａＭ１）2Ｍ２Ｏ4（ただし、Ｍ１はＢａまたはＳ
ｒを示し、Ｍ２はＣｕおよびＮｉのうち少なくとも一
種）で表されるＫ2ＮｉＦ4型結晶構造を有する酸化物導
電体からなるエミッタを備えたことを特徴とする冷陰極
蛍光ランプ。 - 【請求項３】 管内に一対の電極を設けた冷陰極蛍光ラ
ンプにおいて、前記電極のうちの少なくとも一方に化学
式Ｌａ2Ｍ２Ｏ4（ただし、Ｍ２はＣｕおよびＮｉのうち
少なくとも一種）で表されるＫ2ＮｉＦ4型結晶構造を有
する酸化物導電体からなるエミッタを備えたことを特徴
とする冷陰極蛍光ランプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04004504A JP3076649B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 冷陰極蛍光ランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04004504A JP3076649B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 冷陰極蛍光ランプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190137A JPH05190137A (ja) | 1993-07-30 |
| JP3076649B2 true JP3076649B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=11585889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04004504A Expired - Fee Related JP3076649B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 冷陰極蛍光ランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3076649B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9831069B2 (en) | 2011-06-03 | 2017-11-28 | Wacom | CVD apparatus and method for forming CVD film |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP04004504A patent/JP3076649B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05190137A (ja) | 1993-07-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |