JPH05190137A - 冷陰極蛍光ランプ - Google Patents
冷陰極蛍光ランプInfo
- Publication number
- JPH05190137A JPH05190137A JP450492A JP450492A JPH05190137A JP H05190137 A JPH05190137 A JP H05190137A JP 450492 A JP450492 A JP 450492A JP 450492 A JP450492 A JP 450492A JP H05190137 A JPH05190137 A JP H05190137A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lamp
- emitter
- cold cathode
- cathode fluorescent
- fluorescent lamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Discharge Lamp (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ランプ電力を低減して発光効率を向上する。
【構成】 内面に蛍光体９を塗布したガラス管１の両端
部に口金３，５を直接封着する。口金３には、ペロブス
カイト型結晶構造を有する酸化物導電体からなるエミッ
タ４を塗布した円柱状電極２を溶接する。口金５には、
電極を兼ねる水銀ディスペンサ８を溶接する。
部に口金３，５を直接封着する。口金３には、ペロブス
カイト型結晶構造を有する酸化物導電体からなるエミッ
タ４を塗布した円柱状電極２を溶接する。口金５には、
電極を兼ねる水銀ディスペンサ８を溶接する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶バックライト等に用
いられる冷陰極蛍光ランプに関するものである。
いられる冷陰極蛍光ランプに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】冷陰極蛍光ランプは小型化が容易で長寿
命であるという特長を持つ。従来、かかる冷陰極蛍光ラ
ンプでは、管内に水銀封入用の水銀ディスペンサを設
け、これを電極としても用いた構造が多く採用されてい
る。
命であるという特長を持つ。従来、かかる冷陰極蛍光ラ
ンプでは、管内に水銀封入用の水銀ディスペンサを設
け、これを電極としても用いた構造が多く採用されてい
る。
【０００３】従来、冷陰極蛍光ランプの電極には、冷陰
極動作状態で有効なエミッタがないこと、点灯中エミッ
タからのスパッタが大きくランプ寿命を確保できないこ
と等の理由からエミッタを用いない構造が採用されてい
た。
極動作状態で有効なエミッタがないこと、点灯中エミッ
タからのスパッタが大きくランプ寿命を確保できないこ
と等の理由からエミッタを用いない構造が採用されてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな冷陰極蛍光ランプは、熱陰極蛍光ランプに比して点
灯時の電極降下電圧が高いため、ランプ電圧が大幅に高
くなり、したがってランプ電圧×ランプ電流×力率で決
定されるランプ電力が大きくなる。このため発光効率が
低いという欠点があった。
うな冷陰極蛍光ランプは、熱陰極蛍光ランプに比して点
灯時の電極降下電圧が高いため、ランプ電圧が大幅に高
くなり、したがってランプ電圧×ランプ電流×力率で決
定されるランプ電力が大きくなる。このため発光効率が
低いという欠点があった。
【０００５】本発明はランプ電力を低減して発光効率を
向上した冷陰極蛍光ランプを提供するものである。
向上した冷陰極蛍光ランプを提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の冷陰極蛍光ラン
プは、管内に一対の電極を設けたものにおいて、前記電
極のうちの少なくとも一方にペロブスカイト型結晶構造
を有する化合物を含む酸化物導電体からなるエミッタを
備えている。
プは、管内に一対の電極を設けたものにおいて、前記電
極のうちの少なくとも一方にペロブスカイト型結晶構造
を有する化合物を含む酸化物導電体からなるエミッタを
備えている。
【０００７】
【作用】導電性を有するペロブスカイト型酸化物をエミ
ッタとして使用することにより、基体金属のみで電極を
構成した場合に比して、冷陰極動作状態における電子放
射が容易となり、ランプ電圧が低下し、したがってラン
プ電力も低減する。酸化物導電体でエミッタを形成して
いるので、点灯中におけるスパッタリングの程度も軽微
となり、このため管端部の黒化発生が少なく、長期間の
使用に耐え得る。
ッタとして使用することにより、基体金属のみで電極を
構成した場合に比して、冷陰極動作状態における電子放
射が容易となり、ランプ電圧が低下し、したがってラン
プ電力も低減する。酸化物導電体でエミッタを形成して
いるので、点灯中におけるスパッタリングの程度も軽微
となり、このため管端部の黒化発生が少なく、長期間の
使用に耐え得る。
【０００８】また、上記酸化物導電体の粉末に低融点ガ
ラス粉末を混合してペースト状にして電極に塗布する等
の方法により適用することにより、外部からの振動、衝
撃が加わっても剥離しにくいエミッタ層を形成すること
ができる。
ラス粉末を混合してペースト状にして電極に塗布する等
の方法により適用することにより、外部からの振動、衝
撃が加わっても剥離しにくいエミッタ層を形成すること
ができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。
説明する。
【００１０】実施例１ 図１に示すように、本発明実施例の冷陰極蛍光ランプ
は、外径６．２mmの鉛ガラスからなるガラス管１の一端
部にタングステンの粉末を焼結して形成した多孔質の円
柱状電極２がＮｉＣｒＦｅ合金からなる口金３に溶接さ
れて設けられている。電極２の表面には、後述する方法
により作られた酸化物導電体からなるＬａ 1ーxＳｒxＣｏ
Ｏ3（コバルタイトと呼ぶ）のエミッタ４が塗布されて
いる。エミッタ４はランプの封止工程において高周波誘
導加熱により有機質が熱分解，除去され、また低融点ガ
ラスフリットが溶融することにより電極２の表面に堅固
な膜を形成する。ガラス管１の他端部には、ＮｉＣｒＦ
ｅ合金からなる口金５に、基体金属がニッケルメッキ鉄
であり、片面にＴｉ3Ｈｇからなる水銀合金６を、もう
一方の面にＺｒＡｌ合金からなるゲッタ７を固着させた
平板、矩形状の水銀ディスペンサ８が溶接されて設けら
れている。水銀ディスペンサ８は電極を兼ねている。電
極間距離は７２mmである。内面に蛍光体９が塗布された
ガラス管１の両端部と口金３，５とは加熱により直接封
着されている。ガラス管１内には封入ガスとしてＡｒが
１１ｋＰａ封入されている。なお、ガラス管１は水銀デ
ィスペンサ８から放出された水銀蒸気で満たされてい
る。
は、外径６．２mmの鉛ガラスからなるガラス管１の一端
部にタングステンの粉末を焼結して形成した多孔質の円
柱状電極２がＮｉＣｒＦｅ合金からなる口金３に溶接さ
れて設けられている。電極２の表面には、後述する方法
により作られた酸化物導電体からなるＬａ 1ーxＳｒxＣｏ
Ｏ3（コバルタイトと呼ぶ）のエミッタ４が塗布されて
いる。エミッタ４はランプの封止工程において高周波誘
導加熱により有機質が熱分解，除去され、また低融点ガ
ラスフリットが溶融することにより電極２の表面に堅固
な膜を形成する。ガラス管１の他端部には、ＮｉＣｒＦ
ｅ合金からなる口金５に、基体金属がニッケルメッキ鉄
であり、片面にＴｉ3Ｈｇからなる水銀合金６を、もう
一方の面にＺｒＡｌ合金からなるゲッタ７を固着させた
平板、矩形状の水銀ディスペンサ８が溶接されて設けら
れている。水銀ディスペンサ８は電極を兼ねている。電
極間距離は７２mmである。内面に蛍光体９が塗布された
ガラス管１の両端部と口金３，５とは加熱により直接封
着されている。ガラス管１内には封入ガスとしてＡｒが
１１ｋＰａ封入されている。なお、ガラス管１は水銀デ
ィスペンサ８から放出された水銀蒸気で満たされてい
る。
【００１１】上記Ｌａ1ーxＳｒxＣｏＯ3は次のような方
法により得られる。前記組成においてＸはＳｒの置換量
を表し、Ｘの増加により導電率の絶対値は大きくなり、
また導電率の温度特性はＸの増加により半導体的な傾向
から金属的な傾向へと変化する。ここで、半導体的傾向
とは温度上昇に伴って導電率が高くなり、また金属的な
傾向とは導電率が低くなる傾向をいう。
法により得られる。前記組成においてＸはＳｒの置換量
を表し、Ｘの増加により導電率の絶対値は大きくなり、
また導電率の温度特性はＸの増加により半導体的な傾向
から金属的な傾向へと変化する。ここで、半導体的傾向
とは温度上昇に伴って導電率が高くなり、また金属的な
傾向とは導電率が低くなる傾向をいう。
【００１２】冷陰極蛍光ランプの電極のエミッタ材料と
しては、導電率の温度特性が放電状態の温度で金属的な
傾向を示すものがより望ましい。なぜならば、もし半導
体的な傾向を示すものであるならば、放電を持続してい
る状態で電極の温度が上昇し導電率も大きくなり、電極
部の局所に電流が集中し、電流が集中した部分の温度が
ますます上昇してしまう。このように正のフィードバッ
クが働くと、均一な電子放射から一部分に電子放射が集
中してしまい、エミッタのスパッタリングが加速された
り、電極部にちらつきが発生したりする等の問題を生じ
る。これに対して、金属的な傾向を示すエミッタ材料の
場合は、負のフィードバックが働き、前記のような放電
の集中は発生しない。したがって、一般的には導電率の
温度特性が金属的である材料がより好ましい。コバルタ
イトの場合、数百℃以上の高温領域ではＸの値に関係な
くすべて金属的な傾向を示すが、Ｘが０，０．１，０．
２および０．３の組成では、導電率は室温で半導体的傾
向を示し、最大になる温度はそれぞれ７００℃，５００
℃，４００℃および３００℃とＳｒの置換量が増加する
に従って低温側にシフトする。しかし、Ｘが０．５〜
０．８の組成で導電率は室温ですべて金属的な傾向を示
す。
しては、導電率の温度特性が放電状態の温度で金属的な
傾向を示すものがより望ましい。なぜならば、もし半導
体的な傾向を示すものであるならば、放電を持続してい
る状態で電極の温度が上昇し導電率も大きくなり、電極
部の局所に電流が集中し、電流が集中した部分の温度が
ますます上昇してしまう。このように正のフィードバッ
クが働くと、均一な電子放射から一部分に電子放射が集
中してしまい、エミッタのスパッタリングが加速された
り、電極部にちらつきが発生したりする等の問題を生じ
る。これに対して、金属的な傾向を示すエミッタ材料の
場合は、負のフィードバックが働き、前記のような放電
の集中は発生しない。したがって、一般的には導電率の
温度特性が金属的である材料がより好ましい。コバルタ
イトの場合、数百℃以上の高温領域ではＸの値に関係な
くすべて金属的な傾向を示すが、Ｘが０，０．１，０．
２および０．３の組成では、導電率は室温で半導体的傾
向を示し、最大になる温度はそれぞれ７００℃，５００
℃，４００℃および３００℃とＳｒの置換量が増加する
に従って低温側にシフトする。しかし、Ｘが０．５〜
０．８の組成で導電率は室温ですべて金属的な傾向を示
す。
【００１３】ところが、Ｘの値が大きくなると、酸素の
欠損が発生しやすく、放電がやや不安定になる。したが
って、Ｘのより望ましい範囲は０．３〜０．８である
が、本発明にかかる冷陰極蛍光ランプでは、半導体的な
傾向を示す範囲においても実用上は十分使用可能であ
る。
欠損が発生しやすく、放電がやや不安定になる。したが
って、Ｘのより望ましい範囲は０．３〜０．８である
が、本発明にかかる冷陰極蛍光ランプでは、半導体的な
傾向を示す範囲においても実用上は十分使用可能であ
る。
【００１４】この実施例での代表的な組成としてＸ＝
０．５の場合について述べる。このエミッタの形成に当
たっては、まずＬａ，ＳｒおよびＣｏの各硝酸溶液をＬ
ａ＝０．５，Ｓｒ＝０．５，Ｃｏ＝１の元素比率になる
ように混合し、この溶液を蓚酸とエタノールとの混合液
に滴下し、これらの蓚酸塩の沈澱物を作る。この沈澱物
を７０℃で乾燥し、乾燥した固形物を混合した後、電気
炉を用いて空気中において５００℃で３時間加熱し、不
要な蓚酸塩を熱分解し、Ｌａ，ＳｒおよびＣｏの酸化物
を作る。この酸化物を５００℃以上の温度で３００cc／
分導入した酸素気流中において１３００℃で５時間焼成
することにより、完全なペロブスカイト型結晶構造を得
ることができる。焼成後の粉末は粒子が結合して固まっ
ているので、乳鉢やボールミル等により数μｍ以下に粉
砕する。
０．５の場合について述べる。このエミッタの形成に当
たっては、まずＬａ，ＳｒおよびＣｏの各硝酸溶液をＬ
ａ＝０．５，Ｓｒ＝０．５，Ｃｏ＝１の元素比率になる
ように混合し、この溶液を蓚酸とエタノールとの混合液
に滴下し、これらの蓚酸塩の沈澱物を作る。この沈澱物
を７０℃で乾燥し、乾燥した固形物を混合した後、電気
炉を用いて空気中において５００℃で３時間加熱し、不
要な蓚酸塩を熱分解し、Ｌａ，ＳｒおよびＣｏの酸化物
を作る。この酸化物を５００℃以上の温度で３００cc／
分導入した酸素気流中において１３００℃で５時間焼成
することにより、完全なペロブスカイト型結晶構造を得
ることができる。焼成後の粉末は粒子が結合して固まっ
ているので、乳鉢やボールミル等により数μｍ以下に粉
砕する。
【００１５】前記の手順により得られた粉末状のＬａ
0.5Ｓｒ0.5ＣｏＯ3を低融点ガラスフリットと混合し、
例えばニトロセルローズ等の有機質のバインダと溶剤で
ペースト状に調整したものをエミッタとして用意し、円
柱状電極２の表面にこのエミッタの膜を塗布し形成す
る。以降、通常のとおりの方法により図１に示す構造の
冷陰極蛍光ランプが得られる。
0.5Ｓｒ0.5ＣｏＯ3を低融点ガラスフリットと混合し、
例えばニトロセルローズ等の有機質のバインダと溶剤で
ペースト状に調整したものをエミッタとして用意し、円
柱状電極２の表面にこのエミッタの膜を塗布し形成す
る。以降、通常のとおりの方法により図１に示す構造の
冷陰極蛍光ランプが得られる。
【００１６】このような冷陰極蛍光ランプを高周波イン
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したところ、ランプ電
流８ｍＡにてランプ電圧２３９Ｖ，ランプ電力１．９１
Ｗ，ランプ中央部の輝度は１２６００ｃｄ／ｍ2 であっ
た。これに対して、エミッタを用いない点を除き上記と
同一構造の従来の冷陰極蛍光ランプ（以下、従来ランプ
という）の場合は、ランプ電流８ｍＡにてランプ電圧２
５４Ｖ，ランプ電力２．０３Ｗ（数値は小数第３桁にて
四捨五入。以下同じ）、ランプ中央部の輝度は１２６０
０ｃｄ／ｍ2 であった。これら両者の比較から明らかな
ように、本発明実施例の冷陰極蛍光ランプは、従来ラン
プに比して、ランプ中央部の輝度は維持しながら、ラン
プ電圧およびランプ電力がともに５．９％低下し、発光
効率が５．９％向上することがわかる。
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したところ、ランプ電
流８ｍＡにてランプ電圧２３９Ｖ，ランプ電力１．９１
Ｗ，ランプ中央部の輝度は１２６００ｃｄ／ｍ2 であっ
た。これに対して、エミッタを用いない点を除き上記と
同一構造の従来の冷陰極蛍光ランプ（以下、従来ランプ
という）の場合は、ランプ電流８ｍＡにてランプ電圧２
５４Ｖ，ランプ電力２．０３Ｗ（数値は小数第３桁にて
四捨五入。以下同じ）、ランプ中央部の輝度は１２６０
０ｃｄ／ｍ2 であった。これら両者の比較から明らかな
ように、本発明実施例の冷陰極蛍光ランプは、従来ラン
プに比して、ランプ中央部の輝度は維持しながら、ラン
プ電圧およびランプ電力がともに５．９％低下し、発光
効率が５．９％向上することがわかる。
【００１７】実施例２ この実施例は、エミッタとしてＬａ0.6Ｓｒ0.4ＣｏＯ3
を、円柱状電極２上とともに、電極を兼ねる水銀ディス
ペンサ９の両面にも塗布した冷陰極蛍光ランプの場合で
ある。
を、円柱状電極２上とともに、電極を兼ねる水銀ディス
ペンサ９の両面にも塗布した冷陰極蛍光ランプの場合で
ある。
【００１８】この実施例の冷陰極蛍光ランプでは、ラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧は２２７Ｖ，ランプ電力は
１．８２Ｗとなり、ランプ電圧およびランプ電力がとも
に従来ランプに比して１０．６％低減した。このとき、
ランプ中央部輝度は従来ランプと同等の値であった。両
電極にかかるエミッタを備えることにより、電極の片側
にだけかかるエミッタを備えた上記実施例１のランプに
比してほぼ２倍の効率向上効果が生じたことになる。
プ電流８ｍＡにてランプ電圧は２２７Ｖ，ランプ電力は
１．８２Ｗとなり、ランプ電圧およびランプ電力がとも
に従来ランプに比して１０．６％低減した。このとき、
ランプ中央部輝度は従来ランプと同等の値であった。両
電極にかかるエミッタを備えることにより、電極の片側
にだけかかるエミッタを備えた上記実施例１のランプに
比してほぼ２倍の効率向上効果が生じたことになる。
【００１９】実施例３ この実施例は、円柱状電極２の表面にＫ2ＮｉＦ4型結晶
構造のエミッタを塗布した冷陰極蛍光ランプの場合であ
る。
構造のエミッタを塗布した冷陰極蛍光ランプの場合であ
る。
【００２０】代表的な組成として（Ｌａ2-xＳｒx）Ｃｕ
Ｏ4 について述べる。ＸはＳｒの置換量を表し、Ｓｒの
置換量により導電率は異なる。例えば、Ｓｒの置換量が
０．１，０．２，０．３，０．４および０．５のとき、
導電率は１８８，６７６，５２６，４０３および２２５
Ｓ／cmとなり、０．２のとき最大の値を示す。
Ｏ4 について述べる。ＸはＳｒの置換量を表し、Ｓｒの
置換量により導電率は異なる。例えば、Ｓｒの置換量が
０．１，０．２，０．３，０．４および０．５のとき、
導電率は１８８，６７６，５２６，４０３および２２５
Ｓ／cmとなり、０．２のとき最大の値を示す。
【００２１】したがって、この実施例では導電率が最大
になる組成としてＬａ＝１．８，Ｓｒ＝０．２，Ｃｕ＝
１．０の場合について述べる。
になる組成としてＬａ＝１．８，Ｓｒ＝０．２，Ｃｕ＝
１．０の場合について述べる。
【００２２】このエミッタの作製方法は上記実施例１の
場合と同様に共沈法により微粉末を得る。すなわち、Ｌ
ａ，ＳｒおよびＣｕの各硝酸溶液をＬａ＝１．８，Ｓｒ
＝０．２，Ｃｕ＝１．０の元素比率になるように混合
し、蓚酸とエタノールとの混合液に滴下して蓚酸塩の沈
澱物を作り、この沈澱物を乾燥し、混合して粉末を得
る。次に、この共沈粉末を５００℃で３時間熱分解し、
Ｌａ，ＳｒおよびＣｕの酸化物を作る。そして、この酸
化物を酸素気流中において、１１００℃で５時間焼成す
ることにより、完全なＫ2ＮｉＦ4型の結晶構造を得るこ
とができる。次に、これを数μｍ以下の微粉末に粉砕
し、低融点ガラスフリットと有機質のバインダと溶剤と
でペースト状に調整したものをエミッタとして用意す
る。次いで、上記実施例１と同様な方法で円柱状電極２
の表面に前記Ｌａ1.8Ｓｒ0.2ＣｕＯ4のエミッタの膜を
形成し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光ラ
ンプを作製する。
場合と同様に共沈法により微粉末を得る。すなわち、Ｌ
ａ，ＳｒおよびＣｕの各硝酸溶液をＬａ＝１．８，Ｓｒ
＝０．２，Ｃｕ＝１．０の元素比率になるように混合
し、蓚酸とエタノールとの混合液に滴下して蓚酸塩の沈
澱物を作り、この沈澱物を乾燥し、混合して粉末を得
る。次に、この共沈粉末を５００℃で３時間熱分解し、
Ｌａ，ＳｒおよびＣｕの酸化物を作る。そして、この酸
化物を酸素気流中において、１１００℃で５時間焼成す
ることにより、完全なＫ2ＮｉＦ4型の結晶構造を得るこ
とができる。次に、これを数μｍ以下の微粉末に粉砕
し、低融点ガラスフリットと有機質のバインダと溶剤と
でペースト状に調整したものをエミッタとして用意す
る。次いで、上記実施例１と同様な方法で円柱状電極２
の表面に前記Ｌａ1.8Ｓｒ0.2ＣｕＯ4のエミッタの膜を
形成し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光ラ
ンプを作製する。
【００２３】このような冷陰極蛍光ランプを高周波イン
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性は、ラ
ンプ電流８ｍＡにてランプ電圧２３７Ｖ，ランプ電力
１．９０Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の
値であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中
央部の輝度を維持しながら、ランプ電圧およびランプ電
力ともに６．７％低下し、発光効率が６．７％向上する
こととなった。
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性は、ラ
ンプ電流８ｍＡにてランプ電圧２３７Ｖ，ランプ電力
１．９０Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の
値であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中
央部の輝度を維持しながら、ランプ電圧およびランプ電
力ともに６．７％低下し、発光効率が６．７％向上する
こととなった。
【００２４】なお、上記のように、酸化物導電体の粉末
に低融点ガラス粉末を混合しペースト状にして電極上に
塗布等で形成する方法を用いると、外部からの振動，衝
撃に対し電極上に形成されたエミッタ層を剥離しにくく
することができる。
に低融点ガラス粉末を混合しペースト状にして電極上に
塗布等で形成する方法を用いると、外部からの振動，衝
撃に対し電極上に形成されたエミッタ層を剥離しにくく
することができる。
【００２５】実施例４ この実施例は、円柱状電極２の表面にエミッタとして
（ＬａＭ１）Ｍ２Ｏ3の系でＭ１にＢａを、Ｍ２にＣｏ
をそれぞれ用いた冷陰極蛍光ランプの場合である。
（ＬａＭ１）Ｍ２Ｏ3の系でＭ１にＢａを、Ｍ２にＣｏ
をそれぞれ用いた冷陰極蛍光ランプの場合である。
【００２６】Ｂａを用いた場合においても、あらかじめ
Ｂａの置換量と導電率および焼成条件を調べた結果、導
電率が最大になる比はＬａ0.5Ｂａ0.5ＣｏＯ3であるこ
とがわかった。Ｍ１にＳｒを用いた場合に比べると、Ｂ
ａを用いた場合は焼成温度をわずかに高める必要がある
が、１１００℃以上であれば、ＳｒおよびＢａともにほ
ぼ同等の性能を得ることがわかった。
Ｂａの置換量と導電率および焼成条件を調べた結果、導
電率が最大になる比はＬａ0.5Ｂａ0.5ＣｏＯ3であるこ
とがわかった。Ｍ１にＳｒを用いた場合に比べると、Ｂ
ａを用いた場合は焼成温度をわずかに高める必要がある
が、１１００℃以上であれば、ＳｒおよびＢａともにほ
ぼ同等の性能を得ることがわかった。
【００２７】エミッタの作製方法は上記実施例１と同様
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成し完全なペロブスカイト型結晶構造
を持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以下の
微粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質のバイ
ンダと溶剤でペースト状に調整したものとをエミッタと
して用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法で円
柱状電極２の表面に前記Ｌａ0.5Ｂａ0.5ＣｏＯ3エミッ
タの膜を形成し、以降、通常のとおりの方法により冷陰
極蛍光ランプを作製する。
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成し完全なペロブスカイト型結晶構造
を持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以下の
微粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質のバイ
ンダと溶剤でペースト状に調整したものとをエミッタと
して用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法で円
柱状電極２の表面に前記Ｌａ0.5Ｂａ0.5ＣｏＯ3エミッ
タの膜を形成し、以降、通常のとおりの方法により冷陰
極蛍光ランプを作製する。
【００２８】このような冷陰極蛍光ランプを高周波イン
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性は、ラ
ンプ電流８ｍＡにてランプ電圧２４１Ｖ，ランプ電力
１．９３Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の
値であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中
央部の輝度を維持しながら、ランプ電圧およびランプ電
力がともに５．１％低下し、発光効率が５．１％向上す
ることとなった。
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性は、ラ
ンプ電流８ｍＡにてランプ電圧２４１Ｖ，ランプ電力
１．９３Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の
値であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中
央部の輝度を維持しながら、ランプ電圧およびランプ電
力がともに５．１％低下し、発光効率が５．１％向上す
ることとなった。
【００２９】実施例５ この実施例は、円柱状電極２の表面にエミッタとして
（ＬａＭ１）Ｍ２Ｏ3の系でＭ１にＳｒを，Ｍ２にＣｏ
とＦｅとの混合物を塗布した冷陰極蛍光ランプの場合で
ある。
（ＬａＭ１）Ｍ２Ｏ3の系でＭ１にＳｒを，Ｍ２にＣｏ
とＦｅとの混合物を塗布した冷陰極蛍光ランプの場合で
ある。
【００３０】Ｆｅの置換量としては導電率が損なわれな
い程度としてＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｃｏ0. 7Ｆｅ0.3Ｏ3とし
た。
い程度としてＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｃｏ0. 7Ｆｅ0.3Ｏ3とし
た。
【００３１】エミッタの作製方法は上記実施例１と同様
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成し、数μｍ以下の微粉末に粉砕し、
低融点ガラスフリットと有機質のバインダと溶剤でペー
スト状に調整したものをエミッタとして用意する。次い
で、上記実施例１と同様な方法で円柱状電極２の表面に
前記Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｃｏ0.7Ｆｅ0.3Ｏ3のエミッタの膜
を形成し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光
ランプを作製する。
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成し、数μｍ以下の微粉末に粉砕し、
低融点ガラスフリットと有機質のバインダと溶剤でペー
スト状に調整したものをエミッタとして用意する。次い
で、上記実施例１と同様な方法で円柱状電極２の表面に
前記Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｃｏ0.7Ｆｅ0.3Ｏ3のエミッタの膜
を形成し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光
ランプを作製する。
【００３２】このような冷陰極蛍光ランプを高周波イン
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性はラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧２４３Ｖ，ランプ電力１．
９４Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来のランプと同等の値
であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中央
部の輝度を維持しながら、ランプ電圧およびランプ電力
がともに４．３％低下し、発光効率が４．３％向上する
こととなった。
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性はラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧２４３Ｖ，ランプ電力１．
９４Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来のランプと同等の値
であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中央
部の輝度を維持しながら、ランプ電圧およびランプ電力
がともに４．３％低下し、発光効率が４．３％向上する
こととなった。
【００３３】実施例６ この実施例は、円柱状電極２の表面に（ＬａＭ１）Ｍ２
Ｏ3の系でＭ１にＳｒを、Ｍ２にＭｎを用いたエミッタ
を塗布した冷陰極蛍光ランプの場合である。
Ｏ3の系でＭ１にＳｒを、Ｍ２にＭｎを用いたエミッタ
を塗布した冷陰極蛍光ランプの場合である。
【００３４】エミッタの作製方法は上記実施例１と同様
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成し完全なペロブスカイト型結晶構造
を持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以下の
微粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質のバイ
ンダと溶剤でペースト状に調整したものをエミッタとし
て用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法で円柱
状電極２の表面に前記（ＬａＳｒ）ＭｎＯ3エミッタの
膜を形成して冷陰極蛍光ランプを作製する。
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成し完全なペロブスカイト型結晶構造
を持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以下の
微粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質のバイ
ンダと溶剤でペースト状に調整したものをエミッタとし
て用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法で円柱
状電極２の表面に前記（ＬａＳｒ）ＭｎＯ3エミッタの
膜を形成して冷陰極蛍光ランプを作製する。
【００３５】このような冷陰極蛍光ランプを高周波イン
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性はラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧２４０Ｖ，ランプ電力１．
９２Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来のランプと同等の値
であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中央
部の輝度を維持しながら、ランプ電圧およびランプ電力
がともに５．５％低下し、発光効率が５．５％向上する
こととなった。
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性はラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧２４０Ｖ，ランプ電力１．
９２Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来のランプと同等の値
であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中央
部の輝度を維持しながら、ランプ電圧およびランプ電力
がともに５．５％低下し、発光効率が５．５％向上する
こととなった。
【００３６】また、（ＬａＳｒ）ＭｎＯ3はランプ寿命
試験中における電極周辺部における管壁の黒化の発生が
少なく放電によるスパッタに対して特に強いという特長
があることがわかった。この特性によりこの実施例の冷
陰極蛍光ランプは特に長いランプ寿命を期待できる。
試験中における電極周辺部における管壁の黒化の発生が
少なく放電によるスパッタに対して特に強いという特長
があることがわかった。この特性によりこの実施例の冷
陰極蛍光ランプは特に長いランプ寿命を期待できる。
【００３７】実施例７ この実施例は、円柱状電極２の表面に（ＬａＭ１）Ｍ２
Ｏ3の系でＭ１には何も置換しないでＬａ１００％と
し、Ｍ２にＮｉを用いたＬａＮｉＯ3のエミッタを塗布
した冷陰極蛍光ランプの場合である。
Ｏ3の系でＭ１には何も置換しないでＬａ１００％と
し、Ｍ２にＮｉを用いたＬａＮｉＯ3のエミッタを塗布
した冷陰極蛍光ランプの場合である。
【００３８】この系は導電率の温度変化が少なく、例え
ば５０℃のとき２００Ｓ／cm、１２０℃のとき１８０Ｓ
／cm、１８０℃のとき２００Ｓ／cmであり、非常に安定
であるという特長を有している。
ば５０℃のとき２００Ｓ／cm、１２０℃のとき１８０Ｓ
／cm、１８０℃のとき２００Ｓ／cmであり、非常に安定
であるという特長を有している。
【００３９】エミッタの作製方法は上記実施例１と同様
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成した、完全なペロブスカイト型結晶
構造を持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以
下の微粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質の
バインダと溶剤とでペースト状に調整したものをエミッ
タとして用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法
で円柱状電極２の表面にＬａＮｉＯ3のエミッタの膜を
形成し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光ラ
ンプを作製する。
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成した、完全なペロブスカイト型結晶
構造を持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以
下の微粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質の
バインダと溶剤とでペースト状に調整したものをエミッ
タとして用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法
で円柱状電極２の表面にＬａＮｉＯ3のエミッタの膜を
形成し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光ラ
ンプを作製する。
【００４０】このような冷陰極蛍光ランプを高周波イン
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性は、ラ
ンプ電流８ｍＡにてランプ電圧２４２Ｖ，ランプ電力
１．９４Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の
値であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中
央部の輝度は維持しながらランプ電圧およびランプ電力
がともに４．７％低下し、発光効率が４．７％向上する
こととなった。
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性は、ラ
ンプ電流８ｍＡにてランプ電圧２４２Ｖ，ランプ電力
１．９４Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の
値であった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中
央部の輝度は維持しながらランプ電圧およびランプ電力
がともに４．７％低下し、発光効率が４．７％向上する
こととなった。
【００４１】実施例８ この実施例は、円柱状電極２の表面に（ＬａＭ１）2Ｍ
２Ｏ4の系でＭ１にＳｒを、Ｍ２にＮｉを用いた（Ｌａ
Ｓｒ）2ＮｉＯ4のエミッタを塗布した冷陰極蛍光ランプ
の場合である。
２Ｏ4の系でＭ１にＳｒを、Ｍ２にＮｉを用いた（Ｌａ
Ｓｒ）2ＮｉＯ4のエミッタを塗布した冷陰極蛍光ランプ
の場合である。
【００４２】この系ではＳｒの置換量に従って導電率の
温度特性は半導体的な傾向から金属的な傾向を示し、同
時に導電率の絶対値も増加し最適な組成はＬａ1.8Ｓｒ
0.2ＮｉＯ4 であった。このときの導電率は７０Ｓ／cm
であった。
温度特性は半導体的な傾向から金属的な傾向を示し、同
時に導電率の絶対値も増加し最適な組成はＬａ1.8Ｓｒ
0.2ＮｉＯ4 であった。このときの導電率は７０Ｓ／cm
であった。
【００４３】エミッタの作製方法は上記実施例１と同様
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１３
００℃で５時間焼成し、完全なＫ2ＮｉＦ4型結晶構造を
持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以下の微
粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質のバイン
ダと溶剤でペースト状に調整したものをエミッタとして
用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法で円柱状
電極２の表面に前記ＬａＮｉＯ3 エミッタの膜を形成
し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光ランプ
を作製する。
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１３
００℃で５時間焼成し、完全なＫ2ＮｉＦ4型結晶構造を
持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以下の微
粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質のバイン
ダと溶剤でペースト状に調整したものをエミッタとして
用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法で円柱状
電極２の表面に前記ＬａＮｉＯ3 エミッタの膜を形成
し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光ランプ
を作製する。
【００４４】このような冷陰極蛍光ランプを高周波イン
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性はラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧２４１Ｖ，ランプ電力１．
９３Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の値で
あった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中央部
の輝度は維持しながら、ランプ電圧およびランプ電力が
ともに５．１％低下し、発光効率が５．１％向上するこ
ととなった。
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性はラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧２４１Ｖ，ランプ電力１．
９３Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の値で
あった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中央部
の輝度は維持しながら、ランプ電圧およびランプ電力が
ともに５．１％低下し、発光効率が５．１％向上するこ
ととなった。
【００４５】実施例９ この実施例は、円柱状電極２の表面にエミッタとして
（ＬａＭ１）2Ｍ２Ｏ4の系でＭ１には何も置換しないで
Ｌａ１００％とし、Ｍ２にＮｉを用いたＬａ2ＮｉＯ4の
エミッタを塗布した冷陰極蛍光ランプの場合である。
（ＬａＭ１）2Ｍ２Ｏ4の系でＭ１には何も置換しないで
Ｌａ１００％とし、Ｍ２にＮｉを用いたＬａ2ＮｉＯ4の
エミッタを塗布した冷陰極蛍光ランプの場合である。
【００４６】この材料の導電率の温度変化は室温から１
００℃まで比較的大きく、それより高温では比較的安定
した特長を有している。例えば２０℃のとき１５Ｓ／c
m、８０℃のとき１８０Ｓ／cm、１４０℃のとき５０Ｓ
／cm、２００℃のとき５０Ｓ／cmである。
００℃まで比較的大きく、それより高温では比較的安定
した特長を有している。例えば２０℃のとき１５Ｓ／c
m、８０℃のとき１８０Ｓ／cm、１４０℃のとき５０Ｓ
／cm、２００℃のとき５０Ｓ／cmである。
【００４７】エミッタの作製方法は上記実施例１と同様
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成し、完全なＫ2ＮｉＦ4型結晶構造を
持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以下の微
粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質のバイン
ダと溶剤とでペースト状に調整したものをエミッとして
用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法で円柱状
電極２の表面に前記Ｌａ2ＮｉＯ4エミッタの膜を形成
し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光ランプ
を作製する。
に共沈法により微粉末を作製した後、酸素気流中で１２
００℃で５時間焼成し、完全なＫ2ＮｉＦ4型結晶構造を
持つ酸化物導電体を得る。次に、これを数μｍ以下の微
粉末に粉砕し、低融点ガラスフリットと有機質のバイン
ダと溶剤とでペースト状に調整したものをエミッとして
用意する。次いで、上記実施例１と同様な方法で円柱状
電極２の表面に前記Ｌａ2ＮｉＯ4エミッタの膜を形成
し、以降、通常のとおりの方法により冷陰極蛍光ランプ
を作製する。
【００４８】このような冷陰極蛍光ランプを高周波イン
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性はラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧２４３Ｖ，ランプ電力１．
９４Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の値で
あった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中央部
の輝度は維持しながらランプ電圧およびランプ電力がと
もに４．３％低下し、発光効率が４．３％向上すること
となった。
バータを用いて５０ｋＨｚで点灯したときの特性はラン
プ電流８ｍＡにてランプ電圧２４３Ｖ，ランプ電力１．
９４Ｗ，ランプ中央部の輝度は従来ランプと同等の値で
あった。これは従来ランプと比較すると、ランプ中央部
の輝度は維持しながらランプ電圧およびランプ電力がと
もに４．３％低下し、発光効率が４．３％向上すること
となった。
【００４９】なお、本発明は前記実施例に制約されるも
のではない。すなわち、前記したような効果は基本的に
ペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物導電体材料に共
通したものである。一般に知られているように酸化物材
料は絶縁体であり、電極材料としては不適当であるが、
本発明で明らかにしたような導電性を持つ化合物におい
ては、電子放射率が高く、酸化物であるためにイオン衝
撃に対してスパッタしにくく冷陰極放電ランプの電極材
料としては最適である。
のではない。すなわち、前記したような効果は基本的に
ペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物導電体材料に共
通したものである。一般に知られているように酸化物材
料は絶縁体であり、電極材料としては不適当であるが、
本発明で明らかにしたような導電性を持つ化合物におい
ては、電子放射率が高く、酸化物であるためにイオン衝
撃に対してスパッタしにくく冷陰極放電ランプの電極材
料としては最適である。
【００５０】上記の実施例ではＭ１としてＳｒを含む例
について述べたが、Ｂａ等の＋２価イオンを含む場合で
も同様な特性を示し、またＭ２としてＣｕのほかにＮｉ
を含む場合でも同様な特性を示す。このようにペロブス
カイト型結晶構造の化合物は従来の冷陰極蛍光ランプ用
の電極に比べ、ランプの輝度を維持しながらランプ電力
を低減するという効果がある。また、エミッタの形成方
法や電極の材質，形状，寸度，ランプの構造，形状，寸
度等に制約されず、冷陰極動作する蛍光ランプであれば
よく、さらには水銀蒸気を封入せず希ガスのみを封入し
た冷陰極蛍光ランプでもよい。
について述べたが、Ｂａ等の＋２価イオンを含む場合で
も同様な特性を示し、またＭ２としてＣｕのほかにＮｉ
を含む場合でも同様な特性を示す。このようにペロブス
カイト型結晶構造の化合物は従来の冷陰極蛍光ランプ用
の電極に比べ、ランプの輝度を維持しながらランプ電力
を低減するという効果がある。また、エミッタの形成方
法や電極の材質，形状，寸度，ランプの構造，形状，寸
度等に制約されず、冷陰極動作する蛍光ランプであれば
よく、さらには水銀蒸気を封入せず希ガスのみを封入し
た冷陰極蛍光ランプでもよい。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電極上のエミッタを基本的にペロブスカイト型結晶を有
する酸化物導電体により形成しているので、酸化による
電気抵抗の低下がなくオーミック損失を低減できるとと
もに、冷陰極蛍光ランプの電極降下電圧を低下させる効
果があり、ランプ電圧ひいてはランプ電力を低減するこ
とができる。また、同一ランプ電流を流した場合、従来
ランプと同等の輝度を維持できるので、冷陰極蛍光ラン
プの発光効率を向上することができる。さらに、本発明
によれば、ガラス管の細管化が容易で長寿命という冷陰
極蛍光ランプの特長をそのまま利用できる。
電極上のエミッタを基本的にペロブスカイト型結晶を有
する酸化物導電体により形成しているので、酸化による
電気抵抗の低下がなくオーミック損失を低減できるとと
もに、冷陰極蛍光ランプの電極降下電圧を低下させる効
果があり、ランプ電圧ひいてはランプ電力を低減するこ
とができる。また、同一ランプ電流を流した場合、従来
ランプと同等の輝度を維持できるので、冷陰極蛍光ラン
プの発光効率を向上することができる。さらに、本発明
によれば、ガラス管の細管化が容易で長寿命という冷陰
極蛍光ランプの特長をそのまま利用できる。
【図１】本発明の実施例１における冷陰極蛍光ランプの
断面図
断面図
１ ガラス管 ２ 電極 ３，５ 口金 ４ エミッタ ８ 水銀ディスペンサ ９ 蛍光体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井関 幸人 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電子 工業株式会社内 (72)発明者 渡辺 由雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】管内に一対の電極を設けた冷陰極蛍光ラン
プにおいて、前記電極のうちの少なくとも一方にペロブ
スカイト型結晶構造を有する化合物を含む酸化物導電体
からなるエミッタを備えたことを特徴とする冷陰極蛍光
ランプ。 - 【請求項２】酸化物導電体が、化学式（ＬａＭ１）Ｍ２
Ｏ3（ただし、Ｍ１はＢａまたはＳｒを示し、Ｍ２はＣ
ｏ，Ｎｉ，ＦｅおよびＭｎのうち少なくとも一種）で表
されるペロブスカイト型結晶構造を有することを特徴と
する請求項１記載の冷陰極蛍光ランプ。 - 【請求項３】酸化物導電体が、化学式ＬａＭ２Ｏ3（た
だし、Ｍ２はＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｎのうち少なくとも
一種）で表されるペロブスカイト型結晶構造を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の冷陰極蛍光ランプ。 - 【請求項４】酸化物導電体が、化学式（ＬａＭ１）2Ｍ
２Ｏ4（ただし、Ｍ１はＢａまたはＳｒを示し、Ｍ２は
ＣｕおよびＮｉのうち少なくとも一種）で表されるＫ2
ＮｉＦ4型結晶構造を有することを特徴とする請求項１
記載の冷陰極蛍光ランプ。 - 【請求項５】酸化物導電体が、化学式Ｌａ2Ｍ２Ｏ4（た
だし、Ｍ２はＣｕおよびＮｉのうち少なくとも一種）で
表されるＫ2ＮｉＦ4型結晶構造を有することを特徴とす
る請求項１記載の冷陰極蛍光ランプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04004504A JP3076649B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 冷陰極蛍光ランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04004504A JP3076649B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 冷陰極蛍光ランプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190137A true JPH05190137A (ja) | 1993-07-30 |
| JP3076649B2 JP3076649B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=11585889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04004504A Expired - Fee Related JP3076649B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 冷陰極蛍光ランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3076649B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012165583A1 (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | 株式会社和廣武 | Ｃｖｄ装置、及び、ｃｖｄ膜の製造方法 |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP04004504A patent/JP3076649B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012165583A1 (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | 株式会社和廣武 | Ｃｖｄ装置、及び、ｃｖｄ膜の製造方法 |
| US9831069B2 (en) | 2011-06-03 | 2017-11-28 | Wacom | CVD apparatus and method for forming CVD film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3076649B2 (ja) | 2000-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1053314A (en) | Emissive electrode for high pressure discharge lamp includes oxides of rare earth and alkaline earth metals | |
| EP2294604B1 (en) | Emissive electrode materials for electric lamps and methods of making | |
| US7633216B2 (en) | Barium-free electrode materials for electric lamps and methods of manufacture thereof | |
| US3826946A (en) | Vapor discharge lamp electrode having carbon-coated areas | |
| US3919581A (en) | Thoria-yttria emission mixture for discharge lamps | |
| US3563797A (en) | Method of making air stable cathode for discharge device | |
| JP2633389B2 (ja) | ガス放電型表示パネル | |
| US2686274A (en) | Thermionic cathode | |
| JP2773174B2 (ja) | 電極材料 | |
| US2488716A (en) | Electric high-pressure discharge tube | |
| JP3076649B2 (ja) | 冷陰極蛍光ランプ | |
| US3837909A (en) | Coated coil emissive electrode | |
| US2959702A (en) | Lamp and mount | |
| JP2922485B2 (ja) | 低圧放電ランプ | |
| JP2754647B2 (ja) | 電極材料の製造方法 | |
| JP2628314B2 (ja) | 冷陰極型放電灯装置 | |
| JPH06267404A (ja) | 電極材料，電極材料製造方法及び電極 | |
| JP2940721B2 (ja) | ガス放電型表示パネル | |
| JP2856056B2 (ja) | ガス放電型表示パネル | |
| JPH07122177A (ja) | 酸化物陰極 | |
| JPH02215039A (ja) | 放電電極 | |
| JPH01124926A (ja) | 酸化物陰極 | |
| JPH07142027A (ja) | 放電管 | |
| JP2762035B2 (ja) | 表示放電管用冷陰極の製造方法 | |
| JPH11120957A (ja) | 放電管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |